WO2013120469A1 - Hf-durchführung - Google Patents
Hf-durchführung Download PDFInfo
- Publication number
- WO2013120469A1 WO2013120469A1 PCT/DE2012/001176 DE2012001176W WO2013120469A1 WO 2013120469 A1 WO2013120469 A1 WO 2013120469A1 DE 2012001176 W DE2012001176 W DE 2012001176W WO 2013120469 A1 WO2013120469 A1 WO 2013120469A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- sleeve
- feedthrough
- dielectric material
- hole
- glass
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R24/00—Two-part coupling devices, or either of their cooperating parts, characterised by their overall structure
- H01R24/38—Two-part coupling devices, or either of their cooperating parts, characterised by their overall structure having concentrically or coaxially arranged contacts
- H01R24/40—Two-part coupling devices, or either of their cooperating parts, characterised by their overall structure having concentrically or coaxially arranged contacts specially adapted for high frequency
- H01R24/50—Two-part coupling devices, or either of their cooperating parts, characterised by their overall structure having concentrically or coaxially arranged contacts specially adapted for high frequency mounted on a PCB [Printed Circuit Board]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced with unbalanced lines or devices
- H01P5/103—Hollow-waveguide/coaxial-line transitions
Definitions
- the invention relates to an RF implementation according to the features of patent claim 1.
- feedthroughs are made of glass and metal, the glass being disposed in a hole in the packaging wall, serving as an insulating support and dielectric that holds a straight metal pin, the transmission lead, in an insulated relationship with the walls of the metal package as an impenetrable barrier to the outside environment.
- US 5,376,901 discloses a hermetically sealed millimeter-waveguide insertion transition bushing for passing high frequency electrical signals into a circuit including at least one waveguide. It uses glass to fill in the space defined by a ring and pin to hermetically seal the pin within the ring and isolated from the waveguide wall.
- RF feedthroughs are e.g. from DE 699 23 805 T2 or DE 20 2009 001 395 U1.
- US Pat. No. 7,517,258 B1 describes an HF feedthrough comprising two sleeves enclosing a central conductor and welded together, wherein a sleeve is completely filled with a dielectric material.
- a further HF feedthrough is known, in which an HF feedthrough is formed by means of a sleeve whose length corresponds to the through-hole through a housing.
- borosilicate glass is allowed to flow back between the central metal pin, typically a pin formed of Kovar material, and the outer end ring. When reflowed, the molten glass forms a glass meniscus around part of the length of the pin. When hardened, the glass forms a strong outer seal.
- Such glass-to-metal bushings have a disadvantage. They are not permanent. The glass is brittle. When the glass enclosed metal pin is bent or deformed during handling or testing, glass particles are broken in the glass meniscus surrounding the pin. This break endangers the integrity of the execution. In some cases, radial cracks or cracks occur circumferentially in the glass.
- FIG. 1 shows a schematic sectional view of a glass-metal lead-through D of the prior art.
- the reference numeral 1 denotes the wall of a housing.
- the through-hole DB has a first diameter GD and a second diameter KD.
- an RF feedthrough is introduced in the area of the through hole DB with the larger diameter GD.
- the HF feedthrough comprises an annular body RK which is filled with a dielectric material DK.
- a center conductor ML is arranged to guide the RF signals.
- the center conductor ML protrudes into the inner and outer area IB, AB of the housing.
- a connection of the center conductor ML to a substrate can take place.
- the connection can not be made directly at the exit of the center conductor ML from the ring body RK filled with a dielectric material DK.
- a so-called Heilkoax LK This results in transmission errors and signal losses.
- the object of the invention is to provide an RF implementation in which a direct connection to a substrate is possible.
- the RF feedthrough comprises a sleeve completely filled with a dielectric material and a middle conductor arranged axially in the sleeve for transmitting RF signals.
- the sleeve has at one end a radially outwardly extending collar part.
- the collar portion has an outer diameter greater than the central opening of the throughbore.
- the length of the sleeve completely filled with the dielectric material corresponds to the length of the through-hole.
- the HF conductor according to the invention makes it easier to contact the center conductor to a substrate.
- the sleeve is expediently made of Kovar.
- Sintered glass is expediently used as the dielectric material.
- the advantage here is that sintered glass combines better thermally and chemically with Kovar than with oxidic surfaces, e.g. Tungsten.
- a compound with iron is not possible because of the very different expansion coefficients.
- Fig. 1 is a schematic representation of an HF implementation according to the state
- FIG. 2 shows a schematic representation of an HF according to the invention Execution.
- Fig. 2 shows a schematic representation of an RF implementation according to the invention.
- the reference numeral 1 denotes the wall of a housing.
- the housing 1 has a through hole DB, in which the RF feedthrough D according to the invention can be introduced.
- the HF feedthrough D has an annular body RK which is filled with a dielectric material DK. Axially in the ring body RK is a center conductor ML arranged to guide the RF signals.
- the center conductor ML projects into the inner and outer regions IB, AB of the housing 1. In the inner region IB, a connection of the center conductor ML to a substrate (not shown), e.g. a microstrip line or a waveguide made.
- the HF feedthrough D has a collar part K extending radially outwards.
- the collar part K has an outer diameter DM_K, which is greater than the diameter DM_DB of the through hole DB.
- the ring body RK can be glued or soldered into the through hole DB.
- RF signals of up to 40 GHz can be transmitted.
- the RF feedthrough may be a glass-to-metal feedthrough.
- the housing 1 has a matching for the collar part K recess.
Abstract
Die Erfindung betrifft eine HF-Durchführung zur Einbringung in eine in einer Leiterplatte, einem Wellenleiter oder einem Gehäuse ausgeführten Durchgangsbohrung (DB), umfassend eine mit einem dielektrischen Material (DK) vollständig ausgefüllte Hülse (RK) und einen in der Hülse (RK) axial angeordneten Mittelleiter (ML) zur Übertragung von HF-Signalen, wobei die Hülse (RK) an einem Ende ein sich radial nach außen erstreckendes Kragenteil (K) aufweist, wobei das Kragenteil (K) einen Außendurchmesser (DM_K) hat, der größer ist als die zentrale Öffnung (DM_DB) der Durchgangsbohrung (DB). Erfindungsgemäß entspricht die Länge der mit dem dielektrischen Material vollständig gefüllten Hülse (RK) der Länge der Durchgangsbohrung (DB).
Description
HF-Durchführung
Die Erfindung betrifft eine HF-Durchführung gemäß den Merkmalen des Patentanspruchs 1.
Üblicherweise sind Durchführungen aus Glas und Metall gefertigt, wobei das Glas in einem Loch in der Verpackungswand angeordnet ist, als eine isolierende Unterstützung und Dielektrikum dient, die einen geraden Metallstift, den Übertragungslei- tungsleiter, in einer isolierten Beziehung mit den Wänden der Metallverpackung hält und als eine undurchdringliche Barriere für die Außenumgebung dient.
Die US 5,376,901 offenbart eine hermetisch abgedichtete Millimeterwellenleiterein- führungsübergangsdurchführung zum Hindurchleiten elektrischer Signale hoher Frequenz in einen Schaltkreis, der mindestens einen Wellenleiter einschließt. Sie benutzt Glas, um den von einem Ring und dem Stift definierten Innenraum auszufüllen, um den Stift innerhalb des Rings und isoliert von der Wellenleiterwand hermetisch abzudichten.
Weitere HF-Durchführungen sind z.B. aus DE 699 23 805 T2 oder DE 20 2009 001 395 U1 bekannt.
US 7,517,258 B1 beschreibt eine HF-Durchführung aus zwei, einen Mittelleiter umschließenden Hülsen, welche miteinander verschweißt sind, wobei eine Hülse vollständig mit einem dielektrischen Material gefüllt ist. Aus US 6,841 ,731 B1 ist eine weitere HF-Durchführung bekannt, bei welcher eine HF-Durchführung mittels einer Hülse gebildet ist, deren Länge der Durchgangsbohrung durch ein Gehäuse entspricht.
Bei der Konstruktion der HF-Durchführung wird Borosilikatglas zwischen dem zentralen Metallstift, typischerweise einem aus Kovar-Material gebildeten Stift, und dem äußeren Endring zurückfließen gelassen. Beim Zurückfließen bildet das geschmolzene Glas einen Glasmeniskus um einen Teil der Länge des Stifts. Beim Härten bil- det das Glas eine starke Außendichtung.
Trotz ihrer Wirksamkeit haben solche Glas-Metall-Durchführungen einen Nachteil. Sie sind nicht dauerhaft. Das Glas ist spröde. Wenn der vom Glas eingeschlossene Metallstift der Durchführung bei der Handhabung oder dem Testen gebogen oder deformiert wird, werden Glasteilchen bei dem den Stift umgebenden Glasmeniskus gebrochen. Dieser Bruch gefährdet die Unversehrtheit der Durchführung. In einigen Fällen treten radiale Risse oder Risse entlang des Umfangs im Glas auf.
Weitere Nachteile von herkömmlichen Glas-Metall-Durchführungen ist, dass der An- schluss einen so genannten Luftkoax aufweist. Fig. 1 zeigt eine schematische Schnittdarstellung einer Glas-Metall-Durchführung D aus dem Stand der Technik. Mit dem Bezugszeichen 1 ist die Wandung eines Gehäuses bezeichnet. Die Durchgangsbohrung DB weist einen ersten Durchmesser GD und einen zweiten Durchmesser KD auf. In dem Bereich der Durchgangsbohrung DB mit dem größeren Durchmesser GD ist eine HF-Durchführung eingebracht. Die HF-Durchführung um- fasst einen Ringkörper RK, welcher mit einem dielektrischen Material DK gefüllt ist. Axial in dem Ringkörper ist ein Mittelleiter ML zur Führung der HF-Signale angeordnet. Der Mittelleiter ML ragt in den Innen- und Außenbereich IB, AB des Gehäuses. Im Innenbereich IB kann ein Anschluss des Mittelleiters ML an ein Substrat (nicht dargestellt) z.B. eine Mikrostreifenleitung oder einem Hohlleiter erfolgen. Der An- schluss kann allerdings aus fertigungstechnischen Gründen nicht direkt am Austritt des Mittelleiters ML aus dem mit einem dielektrischen Material DK gefüllten Ringkörpers RK erfolgen. Somit entsteht zwischen dem Austritt des Mittelleiters ML aus dem mit einem dielektrischen Material DK gefüllten Ringkörpers RK und dem Anschluss des Mittelleiters ML an ein Substrat ein so genannter Luftkoax LK. Dadurch ergeben sich Übertragungsfehler und Signalverluste.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine HF-Durchführung anzugeben, bei welcher ein direkter Anschluss an ein Substrat möglich ist.
Diese Aufgabe wird gelöst durch die HF-Durchführung mit den Merkmalen des gel- tenden Anspruchs 1. Weitere vorteilhafte Ausführungen der Erfindung sind Gegenstand von Unteransprüchen.
Die erfindungsgemäße HF-Durchführung umfasst eine mit einem dielektrischen Material vollständig ausgefüllte Hülse und einen in der Hülse axial angeordneten Mittel- leiter zur Übertragung von HF-Signalen. Gemäß der Erfindung weist die Hülse an einem Ende ein sich radial nach außen erstreckendes Kragenteil auf. Das Kragenteil hat einen Außendurchmesser, größer ist als die zentrale Öffnung der Durchgangsbohrung. Gemäß der Erfindung entspricht die Länge der mit dem dielektrischen Material vollständig gefüllten Hülse der Länge der Durchgangsbohrung.
Durch den fehlenden Luftkoax ist mit der erfindungsgemäßen HF-Durchführung ein leichteres Kontaktieren des Mittelleiters an ein Substrat möglich.
Die Hülse ist hierbei zweckmäßig aus Kovar gefertigt. Als dielektrisches Material wird zweckmäßig Sinterglas verwendet. Der Vorteil hierbei ist, dass sich Sinterglas thermisch und chemisch besser mit Kovar verbindet als mit oxidischen Oberflächen, z.B. Wolfram. Eine Verbindung mit Eisen ist wegen der stark unterschiedlichen Aus- dehnungskoeffzienten nicht möglich. Die Erfindung sowie weitere vorteilhafte Ausgestaltungen werden anhand von Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer HF-Durchführung nach dem Stand
der Technik,
Fig. 2 eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen HF-
Durchführung.
Fig. 2 zeigt eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen HF-Durchführung. Mit dem Bezugszeichen 1 ist die Wandung eines Gehäuses bezeichnet. Das Gehäuse 1 weist eine Durchgangsbohrung DB auf, in welche die erfindungsgemäße HF-Durchführung D einbringbar ist.
Die HF-Durchführung D weist einen Ringkörper RK, welcher mit einem dielektrischen Material DK gefüllt ist. Axial in dem Ringkörper RK ist ein Mittelleiter ML zur Führung der HF-Signale angeordnet. Der Mittelleiter ML ragt in den Innen- und Au- ßenbereich IB, AB des Gehäuses 1. Im Innenbereich IB kann ein Anschluss des Mittelleiters ML an ein Substrat (nicht dargestellt) z.B. eine Mikrostreifenleitung oder einem Hohlleiter erfolgen.
An einem Ende der Hülse weist die HF-Durchführung D ein sich radial nach außen erstreckendes Kragenteil K auf. Das Kragenteil K weist einen Außendurchmesser DM_K auf, welcher größer ist als der Durchmesser DM_DB der Durchgangsbohrung DB.
Der Ringkörper RK kann in die Durchgangsbohrung DB eingeklebt oder eingelötet werden.
Mit der erfindungsgemäßen HF-Durchführung können HF-Signale von bis zu 40 GHz übertragen werden. Die HF-Durchführung kann eine Glas-Metall-Durchführung sein.
Zweckmäßig weist das Gehäuse 1 eine für das Kragenteil K passende Aussparung auf.
Claims
1. HF-Durchführung zur Einbringung in eine in einer Leiterplatte, einem Wellenleiter oder einem Gehäuse ausgeführten Durchgangsbohrung (DB)
umfassend eine mit einem dielektrischen Material (DK) vollständig ausgefüllte Hülse (RK) und einen in der Hülse (RK) axial angeordneten Mittelleiter (ML) zur Übertragung von HF-Signalen, wobei die Hülse (RK) an einem Ende ein sich radial nach außen erstreckendes Kragenteil (K) aufweist, wobei das Kragenteil (K) einen Außendurchmesser (DM_K) hat, der größer ist als die zentrale Öffnung (DM_DB) der Durchgangsbohrung (DB), dadurch gekennzeichnet, dass die Länge der mit dem dielektrischen Material vollständig gefüllten Hülse (RK) der Länge der Durchgangsbohrung (DB) entspricht.
2. HF-Durchführung nach Anspruch 1 ,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Hülse (RK) aus Kovar gefertigt ist.
3. HF-Durchführung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, dass
das dielektrische Material (DK) Sinterglas ist.
4. HF-Durchführung nach einem der vorangehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass
die HF-Durchführung in die Durchgangsbohrung (DB) einklebbar oder einlötbar ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP12826525.3A EP2815408B1 (de) | 2012-02-14 | 2012-12-07 | Hf-durchführung |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102012003054.1A DE102012003054B4 (de) | 2012-02-14 | 2012-02-14 | HF-Durchführung |
DE102012003054.1 | 2012-02-14 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2013120469A1 true WO2013120469A1 (de) | 2013-08-22 |
Family
ID=47747263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/DE2012/001176 WO2013120469A1 (de) | 2012-02-14 | 2012-12-07 | Hf-durchführung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2815408B1 (de) |
DE (1) | DE102012003054B4 (de) |
WO (1) | WO2013120469A1 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107611730A (zh) * | 2017-08-30 | 2018-01-19 | 上海航天科工电器研究院有限公司 | 一种用于实现与pcb板免焊垂直互连的射频同轴结构 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5223672A (en) * | 1990-06-11 | 1993-06-29 | Trw Inc. | Hermetically sealed aluminum package for hybrid microcircuits |
US5376901A (en) | 1993-05-28 | 1994-12-27 | Trw Inc. | Hermetically sealed millimeter waveguide launch transition feedthrough |
US5866851A (en) * | 1995-07-28 | 1999-02-02 | Medtronic Inc. | Implantable medical device with multi-pin feedthrough |
US6841731B1 (en) | 2003-12-18 | 2005-01-11 | Emerson Electric Co. | Terminal assembly |
DE69923805T2 (de) | 1998-04-28 | 2005-07-14 | Northrop Grumman Corp., Los Angeles | Keramik-Metall Durchführungen für Millimeterwellen |
US7517258B1 (en) | 2006-01-31 | 2009-04-14 | H-Tech, Llc | Hermetically sealed coaxial type feed-through RF Connector |
DE202009001395U1 (de) | 2009-02-05 | 2009-04-16 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Vorrichtung zur Einkopplung von Hochfrequenzsignalen für Frequenzen größer als 1 GHz in einen elektrisch leitenden Hohlleiter |
US20090295494A1 (en) * | 2008-06-02 | 2009-12-03 | Bsc Filters Ltd | Waveguide connector |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1846706U (de) * | 1961-08-23 | 1962-02-15 | Bbc Brown Boveri & Cie | Gehaeuse fuer halbleiter-bauelemente. |
-
2012
- 2012-02-14 DE DE102012003054.1A patent/DE102012003054B4/de active Active
- 2012-12-07 WO PCT/DE2012/001176 patent/WO2013120469A1/de active Application Filing
- 2012-12-07 EP EP12826525.3A patent/EP2815408B1/de active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5223672A (en) * | 1990-06-11 | 1993-06-29 | Trw Inc. | Hermetically sealed aluminum package for hybrid microcircuits |
US5376901A (en) | 1993-05-28 | 1994-12-27 | Trw Inc. | Hermetically sealed millimeter waveguide launch transition feedthrough |
US5866851A (en) * | 1995-07-28 | 1999-02-02 | Medtronic Inc. | Implantable medical device with multi-pin feedthrough |
DE69923805T2 (de) | 1998-04-28 | 2005-07-14 | Northrop Grumman Corp., Los Angeles | Keramik-Metall Durchführungen für Millimeterwellen |
US6841731B1 (en) | 2003-12-18 | 2005-01-11 | Emerson Electric Co. | Terminal assembly |
US7517258B1 (en) | 2006-01-31 | 2009-04-14 | H-Tech, Llc | Hermetically sealed coaxial type feed-through RF Connector |
US20090295494A1 (en) * | 2008-06-02 | 2009-12-03 | Bsc Filters Ltd | Waveguide connector |
DE202009001395U1 (de) | 2009-02-05 | 2009-04-16 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Vorrichtung zur Einkopplung von Hochfrequenzsignalen für Frequenzen größer als 1 GHz in einen elektrisch leitenden Hohlleiter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2815408B1 (de) | 2019-10-09 |
DE102012003054A1 (de) | 2013-08-14 |
EP2815408A1 (de) | 2014-12-24 |
DE102012003054B4 (de) | 2016-03-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2093846B1 (de) | Leiterdurchführung, Gehäusevorrichtung, Feldgerät und Verfahren zur Herstellung einer Leiterdruchführung | |
DE60223942T2 (de) | Elektromagnetische kopplung | |
DE69923805T2 (de) | Keramik-Metall Durchführungen für Millimeterwellen | |
EP2431982B1 (de) | Steckbare Durchführung und Hochspannungsanlage mit einer solchen Durchführung | |
EP2418999B1 (de) | Chirurgisches instrument | |
EP2340420B1 (de) | Füllstandsmessgerät | |
EP2487472A2 (de) | Mikrowellensendeeinrichtung und Füllstandmessgerät | |
DE112019000449T5 (de) | Oberflächenbefestigungsverbinder und oberflächenbefestigungsverbindersatz | |
EP2815408B1 (de) | Hf-durchführung | |
EP1372225B1 (de) | Hochfrequenz Verbindungsvorrichtung | |
DE602004010948T2 (de) | TO Gehäuse für ein optisches Modul | |
EP3029782B1 (de) | Hochfrequenzsignaldurchführung | |
DE102013102714A1 (de) | Hochfrequenzdurchführung | |
DE102019109200B4 (de) | Halbleitervorrichtungen mit nicht-galvanischer verbindung | |
DE102021104885A1 (de) | Sockel und Gehäuse mit integriertem Kühler für elektronische Bauelemente | |
DE202014105530U1 (de) | Steckverbinder | |
EP2559126B1 (de) | Durchführung eines elektrischen leiters | |
DE102020114650B3 (de) | Leistungselektronische Baugruppe mit einer elektrisch leitenden Hülse und mit einem Schaltungsträger | |
DE102009010899B4 (de) | Haltering für eine Vakuumschaltröhre und Vkuumschaltröhre | |
EP3364504B1 (de) | Rundsteckverbinder | |
DE10247315B4 (de) | TO-Gehäuse für Hochfrequenzanwendungen - Verdrahtungsträger aus Keramik | |
EP4181313B1 (de) | Hochfrequenzadapter zur verbindung einer hochfrequenzantenne mit einem antennenstecker | |
AT409913B (de) | Verschlussstopfen | |
EP2409189B1 (de) | Anordnung mit einem elektrischen leiterbahnträger und einem optoelektronischen bauelement sowie verfahren zum herstellen einer solchen anordnung | |
EP3001515B1 (de) | Hf-gehäuse mit koaxialer hf-steckverbindung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 12826525 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2012826525 Country of ref document: EP |