WO2012019853A1 - Light-emitting diode and lamp - Google Patents

Light-emitting diode and lamp Download PDF

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WO2012019853A1
WO2012019853A1 PCT/EP2011/061885 EP2011061885W WO2012019853A1 WO 2012019853 A1 WO2012019853 A1 WO 2012019853A1 EP 2011061885 W EP2011061885 W EP 2011061885W WO 2012019853 A1 WO2012019853 A1 WO 2012019853A1
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WO
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emitting diode
carrier
light
light sources
semiconductor light
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Application number
PCT/EP2011/061885
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German (de)
French (fr)
Inventor
Martin Moeck
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S2/00—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction
    • F21S2/005—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction of modular construction
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/64—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2103/00—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes
    • F21Y2103/10—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes comprising a linear array of point-like light-generating elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2103/00—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes
    • F21Y2103/30—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes curved
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2107/00—Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2113/00—Combination of light sources
    • F21Y2113/10—Combination of light sources of different colours
    • F21Y2113/13—Combination of light sources of different colours comprising an assembly of point-like light sources
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]

Definitions

  • Light-emitting diode module and luminaire A light-emitting diode module is specified.
  • a luminaire is specified with such a light-emitting diode module.
  • An object to be solved is to specify a light-emitting diode module and a luminaire with such a module, wherein the light-emitting diode module has an impact shadow-reduced
  • this has at least one carrier with one
  • the carrier is preferably a printed circuit board, in particular a printed one
  • the carrier may have areas that are set up for heat dissipation. Such regions may be formed by metallizations that completely penetrate the carrier.
  • the carrier has a center line on the carrier top, which in particular is an imaginary, fictitious line.
  • Carrier top seen along a longitudinal direction equidistant from two opposite edges of the carrier.
  • the centerline is an auxiliary line which extends longitudinally over the entire carrier top.
  • the center line is preferably oriented in sections parallel to a main extension direction of the carrier. Is the
  • Carrier formed by a flat, rectangular plate, so the center line is congruent with a longest major axis, seen in plan view.
  • a plurality of contacts are provided on the carrier top side
  • the semiconductor light sources are preferably light emitting diodes. It can be attached to the top of the carrier various semiconductor light sources that emit in different spectral ranges.
  • individual semiconductor light sources emit blue light and / or red light and / or yellow light and / or green light and / or white light.
  • Semiconductor light sources may be chopped or unfocused semiconductor chips.
  • the light emitting diode module comprises at least five, at least 15, or
  • At least one covering layer is arranged downstream of the semiconductor light sources, in a direction away from the carrier top side.
  • the cover layer covers all
  • the covering layer is a scattering layer and / or a conversion agent layer.
  • Conversion means means that part or all of the radiation emitted by at least one of the semiconductor light sources is absorbed by the conversion means and converted into radiation of another, in particular larger, wavelength.
  • the cover layer may have textures on the main sides, for example for light extraction and / or for light coupling. According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, this has an extension along the center line. The extent is in particular the length of the imaginary
  • the carrier has a width, which is seen in plan view of the carrier top and to be determined in a direction perpendicular to the center line.
  • the centerline bisects the beam so that the centerline, based on the respective local width of the beam, lies in the middle of the beam top.
  • the extent along the center line exceeds the width of the carrier by at least a factor 2, preferably by at least a factor 5 or by at least a factor 10, particularly preferably by at least a factor 20 or by at least a factor 50
  • the carrier is then shaped like a strip or a thread.
  • a quotient of a minimum and a maximum luminance of the radiation generated during operation of the light-emitting diode module along the center line is at least 0.4, preferably at least 0.5 or at least 0.6.
  • the luminance can be specified in the unit cd / m ⁇ 2. In other words, along the midline, in a direction away from the
  • the intensity of the emitted radiation is not subject to major fluctuations.
  • the luminance is approximately constant. That is, the light emitting diode module is then a line light source. This can mean that a course of a maximum
  • Intensity of the radiation emitted by the light-emitting diode module in projection on a surface parallel to the carrier top, approximately line-shaped and following the center line.
  • this comprises at least one carrier with one
  • Carrier top On the carrier top is a plurality of semiconductor light sources, in particular light-emitting diodes,
  • the semiconductor light sources are followed by at least one covering layer in a direction away from the carrier top side, the covering layer comprising or consisting of a scattering layer and / or a conversion agent layer.
  • An extension of the carrier along the center line exceeds a width of the carrier, in particular in a direction perpendicular to the center line and seen in plan view of the carrier top, by at least a factor 2.
  • Luminance of the radiation generated during operation of the light-emitting diode module along the center line, in a direction away from the carrier top, does not fall below a value of 0.4.
  • Shadows can affect the form perception of the illuminated object and disturb a viewer. Although such shadows can be reduced by a simple collapse of the light sources, which are arranged in particular in an array, this leads to local increases in brightness
  • the semiconductor light sources are arranged in one or more rows.
  • the rows of semiconductor light sources preferably run along the center line.
  • the rows of semiconductor light sources may intersect the center line and / or run directly on the imaginary centerline and / or be disposed on either side of the centerline such that, for example, the centerline separates adjacent rows of semiconductor light sources.
  • the individual semiconductor light sources of a row can have a constant or varying distances to
  • the light-emitting diode module has two or more than two rows of semiconductor light sources.
  • the rows can be physically or electrically combined units.
  • a distance is at least two adjacent ones
  • Semiconductor light sources or all of the neighboring Semiconductor light sources at least 1.5 mm or at least 3 mm or at least 5 mm. By means of such a minimum distance, overheating of individual semiconductor light sources can be avoided.
  • a spacing of adjacent semiconductor light sources is at most 12 mm, in particular at most 9 mm or at most 6 mm.
  • a quotient of the distance is adjacent
  • Cover layer at least 3 or at least 5 or at least 10. In other words, a distance is adjacent
  • Semiconductor light sources of the same order of magnitude as the thickness of the cover layer are same order of magnitude as the thickness of the cover layer.
  • the quotient of the distance is adjacent
  • Coating layer at most 25, preferably at most 20 or at most 15.
  • the width of the carrier is at most 10 mm or at most 8 mm or at most 6 mm.
  • the width is at least 2 mm or at least 3.5 mm.
  • the carrier is so comparatively narrow.
  • the carrier is self-supporting and gives the same
  • Light-emitting diode module mechanical stability. That is, a shape of the light emitting diode module may be predetermined by the carrier. Alternatively, it is also possible that the
  • PCB PCB
  • one or more side walls are attached to the carrier top along the center line. If there are a plurality of side walls, for example two side walls, the semiconductor light sources are preferably located between the two
  • the side walls can go along the
  • the side walls comprise a metal or a metal alloy and consist of a weight proportion of at least 50 of one or more metals.
  • the side walls comprise or consist of aluminum or an aluminum alloy.
  • about such side walls is a
  • a height of the side walls is smaller than a width of the carrier.
  • Such side walls can be used to determine a radiation characteristic of the
  • Light emitting diode module especially in directions transverse to the
  • a main emission direction of the semiconductor light sources with a tolerance of at most 15 °, perpendicular to a main surface facing the semiconductor light sources
  • Semiconductor light sources then not along the cover from, but in particular directly on the cover and the main emission is oriented approximately perpendicular to the carrier top.
  • a part of the semiconductor light sources or all semiconductor light sources are in places in direct contact with the cover layer. It then touch the
  • Semiconductor light sources can be ensured to the cover layer.
  • the imaginary center line of the carrier is curved
  • the imaginary center line is straight. It represents the
  • the center line has a three-dimensional profile.
  • the carrier then has the form of a helix.
  • the midline is thus not within a single plane.
  • the center line lies partially or completely within a plane.
  • the carrier top is flat and planar.
  • the imaginary center line is a closed line, for example a circular line or an ellipse.
  • the carrier is in a partial region of a plane
  • the carrier is then narrowly encompassable within the plane by an envelope.
  • the carrier has the shape of a spiral and the envelope is an ellipse or a circle.
  • Top view of this plane is an area ratio of the carrier, based on the area enclosed by the envelope, at most 70% or at most 60% or at most 50%.
  • the area fraction of the carrier within the envelope is at least 10% or at least 20% or at least 30%.
  • the light-emitting diode module can thus be formed in the plane so that from the
  • Line light source is a surface light is formed.
  • a heat dissipation of the light-emitting diode module is facilitated in particular by those areas of the plane that are uncovered by the carrier.
  • the latter has a first subset and one thereof
  • the cover layer provides a first radiation emitted by the semiconductor light sources of the first subset during operation
  • the cover layer is only one
  • the second radiation is thus only diffusely diffused by the cover layer and not or substantially not changed in a spectral composition.
  • the covering layer extends in unvaried, medium composition over all semiconductor light sources.
  • the covering layer has particles of a conversion agent embedded in a matrix material and / or
  • the particles are then, in a plan view of the carrier top, uniformly and not selectively varied over the entire cover layer distributed.
  • the cover layer is not specially designed for individual or groups of semiconductor light sources.
  • Light emitting diode module as described in connection with the above embodiments, indicated.
  • Features for the light emitting diode module are therefore also for the light
  • the luminaire comprises a plurality of light-emitting diode modules. Part or all of them
  • Light emitting diode modules are arranged so that the center lines of these light emitting diode modules connect to each other.
  • a continuous line is formed by the center lines of these light-emitting diode modules, wherein it may be an imaginary line in the line as well as in the center lines.
  • Such light-emitting diode modules and luminaires can have a high luminance as well as a high color rendering index, in short CRI, for example of more than 80 or more than 90, and also an adjustable correlated color temperature.
  • Such light emitting diode modules and lights are used in boutiques, offices, restaurants or museums in the form of light bars. It is also possible that said light emitting diode modules and / or lights such
  • Fluorescent lamps, compact fluorescent lamps, incandescent or energy-saving lamps are formed and used instead of such lamps.
  • a light-emitting diode module described here and a luminaire described here will be explained in more detail with reference to the drawings with reference to embodiments.
  • the same reference numerals indicate the same elements in the individual figures. However, they are not
  • FIGS 1 to 4 are schematic representations of
  • FIGS. 5 and 6 are schematic representations of
  • FIG. 1 An embodiment of a light-emitting diode module 1 is shown in Figure 1 in a perspective view.
  • a carrier top 20 of a carrier 2 is a plurality of semiconductor light sources, in particular in the form of
  • Light emitting diodes 3a, 3b, 3r applied in two rows 6. An electrical contacting of the LEDs 3a, 3b, 3r via the carrier 2, which is preferably a circuit board. As dash-dot line is on the top carrier 20 a
  • Center line M of the carrier 2 drawn.
  • the center line M extends along a longitudinal extent L of the carrier 2 and lies with respect to a width B in a center of the carrier 2.
  • the rows 5a, 5b of the light emitting diodes 3a, 3b, 3r are located on one side of the center line M and intersect the center line M not. Each of the rows 5a, 5b is
  • the rows 5a, 5b may have light-emitting diodes 3a, 3b, 3r emitting in different spectral ranges.
  • row 5a represents an alternating sequence of in blue
  • the row 5b is an alternating sequence of blue 3b and red emitting light emitting diodes 3r.
  • a distance A of adjacent light-emitting diodes 3a, 3b, 3r is preferably between 3 mm and 6 mm inclusive.
  • the light-emitting diode module 1 comprises a covering layer 4.
  • the covering layer 4 has a conversion means which converts blue light emitted by the light-emitting diodes 3b partly into light of a different color, in particular into green light.
  • the covering layer 4 acts as a diffusion plate.
  • the cover layer 4 is placed on the LEDs 3a, 3b, 3r and on the carrier top 20, indicated in Figure 1 by an arrow.
  • the cover layer 4 forms the lid of a box, which is slipped over the LEDs 3a, 3b, 3r.
  • side walls 6 may be attached, which extend parallel to the center line M along the entire longitudinal side L.
  • end walls 60 may be attached. Through the side walls 6 and through the end walls 60, a reflector for radiation emitted by the LEDs radiation may be formed.
  • the end walls 60 and the side walls 6 may be designed to be diffuse or specularly reflective and differing from the illustration according to FIG. 1 others
  • the longitudinal extent L of the carrier 2 is, for example, at least 10 mm, in particular at least 50 mm or at least 100 mm.
  • the width B is in particular between 4 mm and 6 mm inclusive.
  • a height H of the side walls 6 and the end walls above the carrier top 20 is for example between 2 mm and 6 mm inclusive.
  • a thickness of the side walls 6, parallel to the width B of the carrier 2 is for example between 0.5 mm and 4 mm inclusive or between 1.0 mm and 3 mm inclusive.
  • the light-emitting diodes 3 a, 3 b, 3 r emitting in the different colors are preferably combined electrically into groups of the same color. These groups are in particular electrically separately controllable for setting about a color and / or a color temperature of the emitted light. Likewise, the rows 5a, 5b may be electrical units.
  • a luminous flux of the radiation emitted by the light-emitting diode modules 1 is, for example, between 10 Im and 100 Im or between 20 Im and 65 Im per centimeter length of the center line M, as well as in all other embodiments.
  • FIG. 2 A further exemplary embodiment of the light-emitting diode module 1 is illustrated in FIG. 2 in a schematic plan view. To simplify the illustration, in FIG. 2
  • the longitudinal extent L of the elongate light-emitting diode module 1 is, for example, at least 20 cm or at least 50 cm.
  • the width B is about 4 mm.
  • the light-emitting diodes 3 a, 3 b, 3 r are arranged in two rows parallel to the center line M
  • FIG. 3 shows further exemplary embodiments of the light-emitting diode module 1, in each case in cross-sectional views transversely to the center line M. According to Figure 3A is the
  • the intermediate space 8 may be filled with a gas or with a medium for adjusting the refractive index between the light-emitting diodes 3 and the covering layer 4.
  • a main emission direction R of the light-emitting diodes 3 is oriented perpendicular to the carrier side 20 as well as to a main side of the cover layer 4 facing the light-emitting diodes 3.
  • a thickness T of the covering layer 4 is, for example, between 100 ⁇ and 600 ⁇ , in particular between 200 ⁇ and 500 ⁇ ⁇ , as well as in all other embodiments.
  • the covering layer 4 containing a conversion agent and optionally a scattering agent is therefore also
  • the covering layer 4 is located completely between the side walls 6, as seen in a lateral direction, as well as
  • the cover layer 4 is in places in direct contact with the LEDs 3.
  • a cavity 8 is formed in each case.
  • the covering layer 4 it is possible for the covering layer 4 to be designed on a main side remote from the light-emitting diodes 3 in the form of a converging lens.
  • the cover layer 4 terminates flush with the sidewalls 6 in a direction away from the carrier top 20.
  • the covering layer 4 also surrounds the light emitting diodes 3 in the lateral direction and is in contact with end faces as well as on a main radiation side of the light emitting diodes 3
  • a protective layer 7 which is impermeable and / or scratch-resistant, for example, moisture applied.
  • the carrier 2 is planar and shaped like a ring.
  • the LEDs 3 are mounted in two rows on the carrier top 20.
  • the imaginary center line M is a closed line.
  • Center line M is, for example, between 5 mm and 100 mm inclusive, in particular between 10 mm and 30 mm inclusive. It is possible that a plurality of annular supports 2 are arranged concentrically with different diameters.
  • the luminaire 100 can also comprise one or more of the light-emitting diode modules 1 according to FIGS. 1 to 4. Unlike illustrated, the lamp 100 may each have a different number of light emitting diode modules 1 from the number drawn. To simplify the illustration, the individual light-emitting diodes and the cover layer are not shown in FIG.
  • the luminaire according to FIG. 5A has two identically shaped light-emitting diode modules 1, which in a transition region 9 butt together.
  • the width B of the light-emitting diode modules 1 is along the entire center line M in the context of
  • drawn light-emitting diode modules 1 of the lamp 100 connect to each other in such a way that the center line M is continuously and smoothly continued by one of the modules 1 to the other of the modules 1.
  • the luminaire 100 has two different types of light-emitting diode modules 1a, 1b.
  • the light emitting diode modules la are shaped like half rings and the light emitting diode modules lb are rectangular. Unlike shown in Figure 5B, it is not necessary that the light emitting diode modules la, lb
  • the luminaire 100 has several of the
  • Light-emitting diode modules 1 are illustrated in FIG. The
  • Light emitting diode modules 1 are in each case only highly schematized, in particular with reference to a profile of the center line M. According to FIG. 6A, the center line M forms a closed line lying in an xy plane. This may be a single light-emitting diode module 1 or a light 100 with a plurality of composite light-emitting diode modules 1.
  • a spiral is formed through the center line M, which lies in the x-y plane.
  • the light emitting diode module 1 or the light 100 is in the x-y plane in a
  • Area fraction of the non-subscribed carrier 2 within the envelope E is for example about 50%.
  • Center line M illustrated which may be circular, elliptical or spiral in plan view of the x-y plane.
  • the midline M is not in a plane.
  • the luminaire 100 has at least two light-emitting diode modules 1 a, 1 b, which have a
  • the luminaire 100 may comprise differently shaped or differently shaped light-emitting diode modules 1a, 1b.
  • a luminaire 100 is a side view
  • Light emitting diode modules 1 are formed on a conical surface of an optional existing core body 10.
  • An opening angle of the conical core body 10 is, for example, between 2 ° and 15 ° inclusive, in particular about 5 °.
  • a height D1 is, for example, between 30 mm and 60 mm, in particular 45 mm.
  • the diameter D2 is for example between 10 mm and 30 mm inclusive, in particular around 20 mm.
  • the dimension D3 results from the dimensions D4 to D8.
  • the dimension D4 is
  • a width of the at least one light emitting diode module 1 monotonically decreases in a direction away from a base surface of the core body 10.
  • the core body 10 may also be spherically or ellipsoidally shaped.
  • the luminaires 100 according to FIGS. 6C to 6E can be shaped like incandescent lamps, fluorescent tubes or so-called energy-saving lamps.
  • the lights 100 are then preferably so-called retrofits.
  • the invention encompasses any novel feature as well as any combination of features, which in particular includes any combination of features in the patent claims, even if this feature or combination itself is not explicitly stated in the exemplary embodiments or in the patent claims.

Abstract

The invention relates to at least one embodiment of a light-emitting diode module (1) comprising at least one carrier (2) having a theoretical centerline (M) on an upper carrier side (20). A plurality of semiconductor light sources (3) are mounted on the upper carrier side (20). A cover layer (4) is disposed downstream of the semiconductor light sources (3) in a direction away from the upper carrier side (20), wherein the cover layer (4) comprises a diffraction layer or an intermediate conversion layer. An elongation (L) of the carrier (2) along the centerline (M) exceeds a width (B) of the carrier (2) by at least a factor of 2. A quotient of a minimum and a maximum light density of the radiation generated during operation of the light-emitting diode (1) along the centerline (M) in a direction away from the upper carrier side (20) does not fall below a value of 0.4.

Description

Beschreibung description
Leuchtdiodenmodul und Leuchte Es wird ein Leuchtdiodenmodul angegeben. Darüber hinaus wird eine Leuchte mit einem solchen Leuchtdiodenmodul angegeben. Light-emitting diode module and luminaire A light-emitting diode module is specified. In addition, a luminaire is specified with such a light-emitting diode module.
Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Leuchtdiodenmodul sowie eine Leuchte mit einem solchen Modul anzugeben, wobei das Leuchtdiodenmodul eine schlagschattenreduzierte An object to be solved is to specify a light-emitting diode module and a luminaire with such a module, wherein the light-emitting diode module has an impact shadow-reduced
Ausleuchtung von Objekten ermöglicht. Illumination of objects allows.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmoduls weist dieses mindestens einen Träger mit einer According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, this has at least one carrier with one
Trägeroberseite auf. Bei dem Träger handelt es sich bevorzugt um eine Leiterplatte, insbesondere um eine bedruckte Carrier top on. The carrier is preferably a printed circuit board, in particular a printed one
Leiterplatte. Neben elektrischen Leitungen kann der Träger Bereiche aufweisen, die zu einer Wärmeableitung eingerichtet sind. Solche Bereiche können durch Metallisierungen gebildet sein, die den Träger vollständig durchdringen. PCB. In addition to electrical lines, the carrier may have areas that are set up for heat dissipation. Such regions may be formed by metallizations that completely penetrate the carrier.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmoduls zeigt der Träger an der Trägeroberseite eine Mittellinie auf, die insbesondere eine gedachte, fiktive Linie ist. In accordance with at least one embodiment of the light-emitting diode module, the carrier has a center line on the carrier top, which in particular is an imaginary, fictitious line.
Beispielsweise ist die Mittellinie, in Draufsicht auf dieFor example, the centerline, in plan view of the
Trägeroberseite gesehen, entlang einer Längsrichtung gleich weit von zwei einander gegenüberliegenden Kanten des Trägers entfernt. Die Mittellinie ist eine Hilfslinie, die sich der Länge nach über die gesamte Trägeroberseite erstreckt. Die Mittellinie ist bevorzugt abschnittsweise parallel orientiert zu einer Haupterstreckungsrichtung des Trägers. Ist der Carrier top seen along a longitudinal direction equidistant from two opposite edges of the carrier. The centerline is an auxiliary line which extends longitudinally over the entire carrier top. The center line is preferably oriented in sections parallel to a main extension direction of the carrier. Is the
Träger durch eine ebene, rechteckige Platte gebildet, so verläuft die Mittellinie deckungsgleich mit einer längsten Hauptachse, in Draufsicht gesehen. Carrier formed by a flat, rectangular plate, so the center line is congruent with a longest major axis, seen in plan view.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmoduls ist an der Trägeroberseite eine Mehrzahl von According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, a plurality of contacts are provided on the carrier top side
Halbleiterlichtquellen angebracht. Die Halbleiterlichtquellen sind bevorzugt Leuchtdioden. Es können an der Trägeroberseite verschiedene Halbleiterlichtquellen angebracht sein, die in unterschiedlichen Spektralbereichen emittieren.  Semiconductor light sources attached. The semiconductor light sources are preferably light emitting diodes. It can be attached to the top of the carrier various semiconductor light sources that emit in different spectral ranges.
Beispielsweise emittieren einzelne Halbleiterlichtquellen blaues Licht und/oder rotes Licht und/oder gelbes Licht und/oder grünes Licht und/oder weißes Licht. Bei den For example, individual semiconductor light sources emit blue light and / or red light and / or yellow light and / or green light and / or white light. Both
Halbleiterlichtquellen kann es sich um gehauste oder auch um ungehauste Halbleiterchips handeln. Zum Beispiel umfasst das Leuchtdiodenmodul mindestens fünf, mindestens 15 oder Semiconductor light sources may be chopped or unfocused semiconductor chips. For example, the light emitting diode module comprises at least five, at least 15, or
mindestens 25 Halbleiterlichtquellen und alternativ oder zusätzlich höchstens 1000, höchstens 250 oder höchstens 100 Halbleiterlichtquellen . at least 25 semiconductor light sources and alternatively or additionally at most 1000, at most 250 or at most 100 semiconductor light sources.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmoduls ist den Halbleiterlichtquellen, in eine Richtung weg von der Trägeroberseite, zumindest eine Abdeckschicht nachgeordnet. Bevorzugt überdeckt die Abdeckschicht sämtliche According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, at least one covering layer is arranged downstream of the semiconductor light sources, in a direction away from the carrier top side. Preferably, the cover layer covers all
Halbleiterlichtquellen, in Draufsicht auf die Trägeroberseite gesehen. Die Abdeckschicht ist eine Streuschicht und/oder eine Konversionsmittelschicht. Konversionsmittel bedeutet, dass ein Teil oder die gesamte der von mindestens einzelnen der Halbleiterlichtquellen emittierten Strahlung von dem Konversionsmittel absorbiert und in eine Strahlung einer anderen, insbesondere größeren Wellenlänge umgewandelt wird. Es kann die Abdeckschicht Strukturierungen an Hauptseiten aufweisen, zum Beispiel zu einer Lichtauskopplung und/oder zu einer Lichteinkopplung. Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmoduls weist dieses eine Ausdehnung entlang der Mittellinie auf. Die Ausdehnung ist insbesondere die Länge der gedachten Semiconductor light sources, seen in plan view of the carrier top. The covering layer is a scattering layer and / or a conversion agent layer. Conversion means means that part or all of the radiation emitted by at least one of the semiconductor light sources is absorbed by the conversion means and converted into radiation of another, in particular larger, wavelength. The cover layer may have textures on the main sides, for example for light extraction and / or for light coupling. According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, this has an extension along the center line. The extent is in particular the length of the imaginary
Mittellinie. Weiterhin weist der Träger eine Breite auf, die in Draufsicht auf die Trägeroberseite gesehen und in eine Richtung senkrecht zu der Mittellinie zu bestimmen ist. Centerline. Furthermore, the carrier has a width, which is seen in plan view of the carrier top and to be determined in a direction perpendicular to the center line.
Bezüglich der Breite des Trägers halbiert die Mittellinie den Träger, so dass die Mittellinie, bezogen auf die jeweilige, lokale Breite des Trägers, in der Mitte der Trägeroberseite liegt . With respect to the width of the beam, the centerline bisects the beam so that the centerline, based on the respective local width of the beam, lies in the middle of the beam top.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmoduls übersteigt die Ausdehnung entlang der Mittellinie die Breite des Trägers um mindestens einen Faktor 2, bevorzugt um mindestens einen Faktor 5 oder um mindestens einen Faktor 10, besonders bevorzugt um mindestens einen Faktor 20 oder um mindestens einen Faktor 50. Mit anderen Worten ist der Träger dann ähnlich einem Streifen oder einem Faden gestaltet. According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, the extent along the center line exceeds the width of the carrier by at least a factor 2, preferably by at least a factor 5 or by at least a factor 10, particularly preferably by at least a factor 20 or by at least a factor 50 In other words, the carrier is then shaped like a strip or a thread.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmoduls beträgt ein Quotient aus einer minimalen und einer maximalen Leuchtdichte der im Betrieb des Leuchtdiodenmoduls erzeugten Strahlung entlang der Mittellinie mindestens 0,4, bevorzugt mindestens 0,5 oder mindestens 0,6. Die Leuchtdichte kann in der Einheit cd/m~2 angegeben sein. Mit anderen Worten ist entlang der Mittellinie, in eine Richtung weg von der According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, a quotient of a minimum and a maximum luminance of the radiation generated during operation of the light-emitting diode module along the center line is at least 0.4, preferably at least 0.5 or at least 0.6. The luminance can be specified in the unit cd / m ~ 2. In other words, along the midline, in a direction away from the
Trägeroberseite, die Intensität der emittierten Strahlung keinen größeren Schwankungen unterworfen. Entlang der Carrier top, the intensity of the emitted radiation is not subject to major fluctuations. Along the
Mittellinie ist die Leuchtdichte näherungsweise konstant. Das heißt, das Leuchtdiodenmodul ist dann eine Linienlichtquelle. Dies kann bedeuten, dass ein Verlauf einer maximalen Center line, the luminance is approximately constant. That is, the light emitting diode module is then a line light source. This can mean that a course of a maximum
Intensität der vom Leuchtdiodenmodul emittierten Strahlung, in Projektion auf eine Fläche parallel zur Trägeroberseite, näherungsweise linienförmig ist und der Mittellinie folgt. Intensity of the radiation emitted by the light-emitting diode module, in projection on a surface parallel to the carrier top, approximately line-shaped and following the center line.
In mindestens einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmoduls umfasst dieses zumindest einen Träger mit einer In at least one embodiment of the light-emitting diode module, this comprises at least one carrier with one
Trägeroberseite und einer gedachten Mittellinie an der  Carrier top and an imaginary center line at the
Trägeroberseite. An der Trägeroberseite ist eine Mehrzahl von Halbleiterlichtquellen, insbesondere Leuchtdioden, Carrier top. On the carrier top is a plurality of semiconductor light sources, in particular light-emitting diodes,
angebracht. Den Halbleiterlichtquellen ist in eine Richtung weg von der Trägeroberseite zumindest eine Abdeckschicht nachgeordnet, wobei die Abdeckschicht eine Streuschicht und/oder eine Konversionsmittelschicht umfasst oder hieraus besteht. Eine Ausdehnung des Trägers entlang der Mittellinie übersteigt eine Breite des Trägers, insbesondere in eine Richtung senkrecht zu der Mittellinie und in Draufsicht auf die Trägeroberseite gesehen, um mindestens einen Faktor 2. Ein Quotient aus einer minimalen und einer maximalen appropriate. The semiconductor light sources are followed by at least one covering layer in a direction away from the carrier top side, the covering layer comprising or consisting of a scattering layer and / or a conversion agent layer. An extension of the carrier along the center line exceeds a width of the carrier, in particular in a direction perpendicular to the center line and seen in plan view of the carrier top, by at least a factor 2. A quotient of a minimum and a maximum
Leuchtdichte der im Betrieb des Leuchtdiodenmoduls erzeugten Strahlung entlang der Mittellinie, in eine Richtung weg von der Trägeroberseite, unterschreitet einen Wert von 0,4 nicht. Luminance of the radiation generated during operation of the light-emitting diode module along the center line, in a direction away from the carrier top, does not fall below a value of 0.4.
Wird zur Beleuchtung eines Objekts beispielsweise eine flächige oder lineare Anordnung von einzelnen, diskreten Lichtquellen verwendet, so resultieren hieraus oft If, for example, a flat or linear arrangement of individual, discrete light sources is used to illuminate an object, this often results
Schlagschatten und/oder multiple Schatten an dem Objekt. Drop shadows and / or multiple shadows on the object.
Diese Schatten können die Formwahrnehmung des beleuchteten Objekts beeinträchtigen und einen Betrachter stören. Durch ein einfaches Zusammenrücken der insbesondere in einem Array angeordneten Lichtquellen sind derartige Schatten zwar reduzierbar, jedoch führt dies zu lokalen Steigerungen der These shadows can affect the form perception of the illuminated object and disturb a viewer. Although such shadows can be reduced by a simple collapse of the light sources, which are arranged in particular in an array, this leads to local increases in brightness
Lichtintensität und/oder zu einer Vergrößerung der Anzahl der notwendigen Halbleiterlichtquellen, da diese dann Light intensity and / or to increase the number of necessary semiconductor light sources, since then
gegebenenfalls nicht mit voller Leistung betreibbar sind. Ebenso können Probleme bei einer Ableitung von Abwärme, die im Betrieb der Lichtquelle entsteht, durch zu geringen may not be operable at full power. Likewise, problems with a dissipation of waste heat, which arises in the operation of the light source, by too small
Abstand der Lichtquellen zueinander verursacht und/oder ein Montageaufwand erhöht sein. Distance between the light sources causes each other and / or increased assembly costs.
Dadurch, dass das Leuchtdiodenmodul eine Linienlichtquelle mit entlang der gedachten Mittellinie näherungsweise Characterized in that the light-emitting diode module approximately a line light source along the imaginary center line
konstanter Abstrahlung ist, lassen sich Schlagschatten und/oder multiple Schatten vermeiden oder reduzieren. Durch die linienartige Ausführung des Leuchtdiodenmoduls ist ferner eine effiziente Entwärmung in Richtungen quer zu der constant emission, drop shadows and / or multiple shadows can be avoided or reduced. Due to the linear design of the light emitting diode module is also an efficient cooling in directions transverse to the
Mittellinie gewährleistbar. Centerline guaranteed.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmoduls sind die Halbleiterlichtquellen in einer oder in mehreren Reihen angeordnet. Die Reihen der Halbleiterlichtquellen verlaufen bevorzugt entlang der Mittellinie. Die Reihen der Halbleiterlichtquellen können die Mittellinie schneiden und/oder direkt auf der gedachten Mittellinie verlaufen und/oder jeweils an einer Seite der Mittellinie angeordnet sein, so dass beispielsweise die Mittellinie benachbarte Reihen der Halbleiterlichtquellen voneinander trennt. Die einzelnen Halbleiterlichtquellen einer Reihe können einen gleich bleibenden oder auch variierende Abstände zur In accordance with at least one embodiment of the light-emitting diode module, the semiconductor light sources are arranged in one or more rows. The rows of semiconductor light sources preferably run along the center line. The rows of semiconductor light sources may intersect the center line and / or run directly on the imaginary centerline and / or be disposed on either side of the centerline such that, for example, the centerline separates adjacent rows of semiconductor light sources. The individual semiconductor light sources of a row can have a constant or varying distances to
Mittellinie aufweisen. Insbesondere kann eine der Reihen oder können alle Reihen zickzackartig oder gewunden verlaufen. Das Leuchtdiodenmodul weist insbesondere zwei oder mehr als zwei Reihen der Halbleiterlichtquellen auf. Die Reihen können physikalisch oder elektrisch zusammengefasste Einheiten sein. Have center line. In particular, one of the rows or all rows may be zigzag or tortuous. In particular, the light-emitting diode module has two or more than two rows of semiconductor light sources. The rows can be physically or electrically combined units.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmoduls beträgt ein Abstand zumindest zweier benachbarter According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, a distance is at least two adjacent ones
Halbleiterlichtquellen, oder aller benachbarter Halbleiterlichtquellen mindestens 1,5 mm oder mindestens 3 mm oder mindestens 5 mm. Durch einen solchen Mindestabstand lässt sich eine Überhitzung einzelner Halbleiterlichtquellen vermeiden . Semiconductor light sources, or all of the neighboring Semiconductor light sources at least 1.5 mm or at least 3 mm or at least 5 mm. By means of such a minimum distance, overheating of individual semiconductor light sources can be avoided.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmoduls beträgt ein Abstand benachbarter Halbleiterlichtquellen höchstens 12 mm, insbesondere höchstens 9 mm oder höchstens 6 mm. Durch einen vergleichsweise kleinen Abstand According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, a spacing of adjacent semiconductor light sources is at most 12 mm, in particular at most 9 mm or at most 6 mm. By a comparatively small distance
benachbarter Halbleiterlichtquellen ist eine gleichmäßige Abstrahlung entlang der Mittellinie realisierbar. adjacent semiconductor light sources, a uniform emission along the center line can be realized.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmoduls beträgt ein Quotient aus dem Abstand benachbarter According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, a quotient of the distance is adjacent
Halbleiterlichtquellen und einer mittleren Dicke der Semiconductor light sources and an average thickness of
Abdeckschicht mindestens 3 oder mindestens 5 oder mindestens 10. Mit anderen Worten liegt ein Abstand benachbarter  Cover layer at least 3 or at least 5 or at least 10. In other words, a distance is adjacent
Halbleiterlichtquellen in der gleichen Größenordnung wie die Dicke der Abdeckschicht. Semiconductor light sources of the same order of magnitude as the thickness of the cover layer.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmoduls beträgt der Quotient aus dem Abstand benachbarter According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, the quotient of the distance is adjacent
Halbleiterlichtquellen und der mittleren Dicke der Semiconductor light sources and the average thickness of
Abdeckschicht höchstens 25, bevorzugt höchstens 20 oder höchstens 15. Coating layer at most 25, preferably at most 20 or at most 15.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmoduls beträgt die Breite des Trägers höchstens 10 mm oder höchstens 8 mm oder höchstens 6 mm. Beispielsweise beträgt die Breite mindestens 2 mm oder mindestens 3,5 mm. Der Träger ist also vergleichsweise schmal. Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmoduls ist der Träger selbsttragend und verleiht dem According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, the width of the carrier is at most 10 mm or at most 8 mm or at most 6 mm. For example, the width is at least 2 mm or at least 3.5 mm. The carrier is so comparatively narrow. According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, the carrier is self-supporting and gives the same
Leuchtdiodenmodul mechanische Stabilität. Das heißt, eine Form des Leuchtdiodenmoduls kann durch den Träger vorbestimmt sein. Alternativ hierzu ist es ebenso möglich, dass der Light-emitting diode module mechanical stability. That is, a shape of the light emitting diode module may be predetermined by the carrier. Alternatively, it is also possible that the
Träger mechanisch flexibel, zum Beispiel eine flexible Carrier mechanically flexible, for example, a flexible
Leiterplatte, ist. PCB, is.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmoduls sind an der Trägeroberseite entlang der Mittellinie eine oder mehrere Seitenwände angebracht. Sind mehrere Seitenwände, beispielsweise zwei Seitenwände, vorhanden, so befinden sich die Halbleiterlichtquellen bevorzugt zwischen den According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, one or more side walls are attached to the carrier top along the center line. If there are a plurality of side walls, for example two side walls, the semiconductor light sources are preferably located between the two
Seitenwänden. Insbesondere befinden sich alle Sidewalls. In particular, they are all
Halbleiterlichtquellen und Reihen zwischen den zwei Semiconductor light sources and rows between the two
Seitenwänden. Die Seitenwände können sich entlang der Sidewalls. The side walls can go along the
gesamten Mittellinie oder auch nur abschnittsweise entlang der Mittellinie erstrecken. entire midline or even in sections along the center line.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmodul weisen die Seitenwände ein Metall oder eine Metalllegierung auf und bestehen zu einem Gewichtsanteil von mindestens 50 aus einem oder mehreren Metallen. Beispielsweise weisen die Seitenwände Aluminium oder eine Aluminiumlegierung auf oder bestehen hieraus. Über derartige Seitenwände ist eine According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, the side walls comprise a metal or a metal alloy and consist of a weight proportion of at least 50 of one or more metals. For example, the side walls comprise or consist of aluminum or an aluminum alloy. About such side walls is a
effiziente Wärmeabfuhr weg von den Halbleiterlichtquellen möglich . efficient heat dissipation away from the semiconductor light sources possible.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmoduls gilt für eine Höhe H der Seitenwände über der Trägeroberseite im Verhältnis zu der Breite B des Trägers der folgende According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, the following applies for a height H of the side walls above the carrier top side in relation to the width B of the carrier
Zusammenhang: 0,2 < H/B < 1,5 oder 0,3 < H/B < 1. Relationship: 0.2 <H / B <1.5 or 0.3 <H / B <1.
Beispielsweise ist also eine Höhe der Seitenwände kleiner als eine Breite des Trägers. Derartige Seitenwände können zu einer Bestimmung einer Abstrahlcharakteristik des For example, a height of the side walls is smaller than a width of the carrier. Such side walls can be used to determine a radiation characteristic of the
Leuchtdiodenmoduls speziell in Richtungen quer zu der Light emitting diode module especially in directions transverse to the
Mittellinie dienen. Serve center line.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmoduls ist eine Hauptabstrahlrichtung der Halbleiterlichtquellen, mit einer Toleranz von höchstens 15°, senkrecht zu einer den Halbleiterlichtquellen zugewandten Hauptfläche der In accordance with at least one embodiment of the light-emitting diode module, a main emission direction of the semiconductor light sources, with a tolerance of at most 15 °, perpendicular to a main surface facing the semiconductor light sources
Abdeckschicht orientiert. Mit anderen Worten strahlen dieCovering layer oriented. In other words, the radiate
Halbleiterlichtquellen dann nicht entlang der Abdeckscheibe ab, sondern insbesondere unmittelbar auf die Abdeckscheibe und die Hauptabstrahlrichtung ist näherungsweise senkrecht zu der Trägeroberseite orientiert. Semiconductor light sources then not along the cover from, but in particular directly on the cover and the main emission is oriented approximately perpendicular to the carrier top.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmoduls steht ein Teil der Halbleiterlichtquellen oder stehen alle Halbleiterlichtquellen stellenweise in unmittelbarem Kontakt zu der Abdeckschicht. Es berühren sich dann die According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, a part of the semiconductor light sources or all semiconductor light sources are in places in direct contact with the cover layer. It then touch the
Halbleiterlichtquellen und die Abdeckschicht. Hierdurch ist eine effiziente optische Ankopplung der Semiconductor light sources and the cover layer. This is an efficient optical coupling of
Halbleiterlichtquellen an die Abdeckschicht gewährleistbar.  Semiconductor light sources can be ensured to the cover layer.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmoduls ist die gedachte Mittellinie des Trägers eine gekrümmte In accordance with at least one embodiment of the light-emitting diode module, the imaginary center line of the carrier is curved
Linie. Mit anderen Worten weicht die Mittellinie dann von der Form einer geraden Strecke ab.  Line. In other words, the centerline then deviates from the shape of a straight line.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmoduls verläuft die gedachte Mittellinie gerade. Es stellt die In accordance with at least one embodiment of the light-emitting diode module, the imaginary center line is straight. It represents the
Mittellinie also einen Geradenabschnitt dar, im Rahmen der Herstellungstoleranzen . Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmoduls weist die Mittellinie einen dreidimensionalen Verlauf auf. Beispielsweise weist der Träger dann die Form einer Helix auf. Die Mittellinie liegt somit nicht innerhalb einer einzigen Ebene. Centerline so a straight line section, within the manufacturing tolerances. According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, the center line has a three-dimensional profile. For example, the carrier then has the form of a helix. The midline is thus not within a single plane.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmoduls liegt die Mittellinie teilweise oder vollständig innerhalb einer Ebene. Mit anderen Worten ist die Trägeroberseite flach und planar ausgebildet. In accordance with at least one embodiment of the light-emitting diode module, the center line lies partially or completely within a plane. In other words, the carrier top is flat and planar.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmoduls ist die gedachte Mittellinie ist eine geschlossene Linie, zum Beispiel ein Kreislinie oder eine Ellipse. In accordance with at least one embodiment of the light-emitting diode module, the imaginary center line is a closed line, for example a circular line or an ellipse.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmoduls ist der Träger in einen Teilbereich einer Ebene According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, the carrier is in a partial region of a plane
einbeschreibbar . Mit anderen Worten ist der Träger dann innerhalb der Ebene durch eine Einhüllende eng umfassbar. Beispielsweise weist der Träger die Form einer Spirale auf und die Einhüllende ist eine Ellipse oder ein Kreis. In inscribable. In other words, the carrier is then narrowly encompassable within the plane by an envelope. For example, the carrier has the shape of a spiral and the envelope is an ellipse or a circle. In
Draufsicht auf diese Ebene beträgt ein Flächenanteil des Trägers, bezogen auf die von der Einhüllenden umschlossenen Fläche, höchstens 70 % oder höchstens 60 % oder höchstens 50 %. Alternativ oder zusätzlich beträgt der Flächenanteil des Trägers innerhalb der Einhüllenden mindestens 10 % oder mindestens 20 % oder mindestens 30 %. Das Leuchtdiodenmodul kann also in der Ebene so geformt sein, dass aus der Top view of this plane is an area ratio of the carrier, based on the area enclosed by the envelope, at most 70% or at most 60% or at most 50%. Alternatively or additionally, the area fraction of the carrier within the envelope is at least 10% or at least 20% or at least 30%. The light-emitting diode module can thus be formed in the plane so that from the
Linienlichtquelle eine Flächenleuchte ausgebildet ist. Eine Entwärmung des Leuchtdiodenmoduls ist insbesondere durch solche Bereiche der Ebene, die von dem Träger unbedeckt sind, erleichtert . Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmoduls weist dieses eine erste Teilmenge und eine davon Line light source is a surface light is formed. A heat dissipation of the light-emitting diode module is facilitated in particular by those areas of the plane that are uncovered by the carrier. According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, the latter has a first subset and one thereof
verschiedene, mindestens eine zweite Teilmenge von different, at least a second subset of
Halbleiterlichtquellen auf, wobei die Teilmengen in Semiconductor light sources, wherein the subsets in
unterschiedlichen Spektralbereichen emittierende emitting different spectral regions
Halbleiterlichtquellen aufweisen. Die Abdeckschicht stellt für eine erste Strahlung, die von den Halbleiterlichtquellen der ersten Teilmenge im Betrieb emittiert wird, eine Have semiconductor light sources. The cover layer provides a first radiation emitted by the semiconductor light sources of the first subset during operation
Konversionsmittelschicht dar. Für eine zweite Strahlung, die von den Halbleiterlichtquellen der zweiten Teilmenge im Conversion medium layer. For a second radiation from the semiconductor light sources of the second subset in
Betrieb emittiert wird, ist die Abdeckschicht nur eine Operation is emitted, the cover layer is only one
Streuschicht und keine Konversionsmittelschicht. Die zweite Strahlung wird durch die Abdeckschicht somit nur insbesondere diffus gestreut und nicht oder im Wesentlichen nicht in einer spektralen Zusammensetzung geändert. Litter layer and no conversion agent layer. The second radiation is thus only diffusely diffused by the cover layer and not or substantially not changed in a spectral composition.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Leuchtdiodenmoduls erstreckt sich die Abdeckschicht in unvariierter, mittlerer Zusammensetzung über alle Halbleiterlichtquellen. According to at least one embodiment of the light-emitting diode module, the covering layer extends in unvaried, medium composition over all semiconductor light sources.
Beispielsweise weist die Abdeckschicht in ein Matrixmaterial eingebettete Partikel eines Konversionsmittels und/oder For example, the covering layer has particles of a conversion agent embedded in a matrix material and / or
Partikel eines Streumittels auf. Die Partikel sind dann, in Draufsicht auf die Trägeroberseite, gleichmäßig und nicht gezielt variiert über die gesamte Abdeckschicht verteilt. Mit anderen Worten ist die Abdeckschicht nicht für einzelne oder für Gruppen von Halbleiterlichtquellen speziell ausgebildet. Hierdurch ist ein homogenes äußeres Erscheinungsbild des Leuchtdiodenmoduls, insbesondere in ausgeschaltetem Zustand der Halbleiterlichtquellen, erzielbar. Particles of a gritter on. The particles are then, in a plan view of the carrier top, uniformly and not selectively varied over the entire cover layer distributed. In other words, the cover layer is not specially designed for individual or groups of semiconductor light sources. As a result, a homogeneous external appearance of the light-emitting diode module, in particular in the switched-off state of the semiconductor light sources, can be achieved.
Darüber hinaus wird eine Leuchte mit mindestens einem In addition, a luminaire with at least one
Leuchtdiodenmodul, wie in Zusammenhang mit den oben genannten Ausführungsbeispielen beschrieben, angegeben. Merkmale für das Leuchtdiodenmodul sind daher auch für die Leuchte Light emitting diode module, as described in connection with the above embodiments, indicated. Features for the light emitting diode module are therefore also for the light
offenbart und umgekehrt. revealed and vice versa.
In mindestens einer Aus führungs form der Leuchte umfasst diese mehrere Leuchtdiodenmodule. Ein Teil oder alle der In at least one embodiment of the luminaire, it comprises a plurality of light-emitting diode modules. Part or all of them
Leuchtdiodenmodule sind so angeordnet, dass die Mittellinien dieser Leuchtdiodenmodule aneinander anschließen. Bevorzugt wird durch die Mittellinien dieser Leuchtdiodenmodule eine zusammenhängende Linie ausgebildet, wobei es sich bei der Linie wie auch bei den Mittellinien um eine gedachte Linie handeln kann.  Light emitting diode modules are arranged so that the center lines of these light emitting diode modules connect to each other. Preferably, a continuous line is formed by the center lines of these light-emitting diode modules, wherein it may be an imaginary line in the line as well as in the center lines.
Derartige Leuchtdiodenmodule sowie Leuchten können eine hohe Leuchtdichte sowie einen hohen Farbwiedergabeindex, kurz CRI, beispielsweise von über 80 oder von über 90, sowie eine einstellbare korrelierte Farbtemperatur aufweisen. Such light-emitting diode modules and luminaires can have a high luminance as well as a high color rendering index, in short CRI, for example of more than 80 or more than 90, and also an adjustable correlated color temperature.
Insbesondere sind solche Leuchtdiodenmodule und Leuchten in Boutiquen, Büros, Restaurants oder Museen etwa in Form von Lichtleisten einsetzbar. Ebenso ist es möglich, dass die genannten Leuchtdiodenmodule und/oder Leuchten wie In particular, such light emitting diode modules and lights are used in boutiques, offices, restaurants or museums in the form of light bars. It is also possible that said light emitting diode modules and / or lights such
Leuchtstofflampen, Kompaktleuchtstofflampen, Glühlampen oder Energiesparlampen geformt und anstelle von solchen Lampen einsetzbar sind. Nachfolgend wird ein hier beschriebenes Leuchtdiodenmodul sowie eine hier beschriebene Leuchte unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine  Fluorescent lamps, compact fluorescent lamps, incandescent or energy-saving lamps are formed and used instead of such lamps. Hereinafter, a light-emitting diode module described here and a luminaire described here will be explained in more detail with reference to the drawings with reference to embodiments. The same reference numerals indicate the same elements in the individual figures. However, they are not
maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß scale relationships, rather individual elements can be exaggerated for better understanding
dargestellt sein. Es zeigen: be shown. Show it:
Figuren 1 bis 4 schematische Darstellungen von Figures 1 to 4 are schematic representations of
Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen  Embodiments of described here
Leuchtdiodenmodulen, und  Light-emitting diode modules, and
Figuren 5 und 6 schematische Darstellungen von Figures 5 and 6 are schematic representations of
Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen  Embodiments of described here
Leuchten mit hier beschriebenen  Lights with described here
Leuchtdiodenmodulen .  Light-emitting diode modules.
Ein Ausführungsbeispiel eines Leuchtdiodenmoduls 1 ist in Figur 1 in einer perspektivischen Darstellung gezeigt. Auf einer Trägeroberseite 20 eines Trägers 2 ist eine Mehrzahl von Halbleiterlichtquellen, insbesondere in Form von An embodiment of a light-emitting diode module 1 is shown in Figure 1 in a perspective view. On a carrier top 20 of a carrier 2 is a plurality of semiconductor light sources, in particular in the form of
Leuchtdioden 3a, 3b, 3r in zwei Reihen 6 aufgebracht. Eine elektrische Kontaktierung der Leuchtdioden 3a, 3b, 3r erfolgt über den Träger 2, der bevorzugt eine Leiterplatte ist. Als Strich-Punkt-Linie ist an der Trägeroberseite 20 eine  Light emitting diodes 3a, 3b, 3r applied in two rows 6. An electrical contacting of the LEDs 3a, 3b, 3r via the carrier 2, which is preferably a circuit board. As dash-dot line is on the top carrier 20 a
Mittellinie M des Trägers 2 eingezeichnet. Die Mittellinie M erstreckt sich entlang einer Längsausdehnung L des Trägers 2 und liegt bezüglich einer Breite B in einer Mitte des Trägers 2. Die Reihen 5a, 5b der Leuchtdioden 3a, 3b, 3r befinden sich jeweils auf einer Seite der Mittellinie M und schneiden die Mittellinie M nicht. Jede der Reihen 5a, 5b ist Center line M of the carrier 2 drawn. The center line M extends along a longitudinal extent L of the carrier 2 and lies with respect to a width B in a center of the carrier 2. The rows 5a, 5b of the light emitting diodes 3a, 3b, 3r are located on one side of the center line M and intersect the center line M not. Each of the rows 5a, 5b is
zickzackförmig angeordnet, so dass die einzelnen Leuchtdioden 3a, 3b, 3r verschiedene Abstände zu der Mittellinie M arranged zigzag, so that the individual light emitting diodes 3a, 3b, 3r different distances to the center line M
innerhalb einer der Reihen 5a, 5b aufweisen. Die Reihen 5a, 5b können in verschiedenen Spektralbereichen emittierende Leuchtdioden 3a, 3b, 3r aufweisen. Beispielsweise stellt die Reihe 5a eine abwechselnde Folge von im blauen Spektralbereich emittierende Leuchtdioden 3b und von im gelben Spektralbereich emittierende Leuchtdioden 3a dar. Die Reihe 5b ist zum Beispiel eine abwechselnde Folge von blau 3b und von rot emittierenden Leuchtdioden 3r. Ein Abstand A benachbarter Leuchtdioden 3a, 3b, 3r beträgt bevorzugt zwischen einschließlich 3 mm und 6 mm. within one of the rows 5a, 5b. The rows 5a, 5b may have light-emitting diodes 3a, 3b, 3r emitting in different spectral ranges. For example, row 5a represents an alternating sequence of in blue For example, the row 5b is an alternating sequence of blue 3b and red emitting light emitting diodes 3r. A distance A of adjacent light-emitting diodes 3a, 3b, 3r is preferably between 3 mm and 6 mm inclusive.
Weiterhin umfasst das Leuchtdiodenmodul 1 eine Abdeckschicht 4. Die Abdeckschicht 4 weist ein Konversionsmittel auf, das von den Leuchtdioden 3b emittiertes blaues Licht teilweise in Licht einer anderen Farbe, insbesondere in grünes Licht, umwandelt. Für die im gelben und im roten Spektralbereich emittierenden Leuchtdioden 3a, 3r wirkt die Abdeckschicht 4 als Streuplatte. Die Abdeckschicht 4 ist auf die Leuchtdioden 3a, 3b, 3r sowie auf die Trägeroberseite 20 aufgesetzt, angedeutet in Figur 1 durch einen Pfeil. Furthermore, the light-emitting diode module 1 comprises a covering layer 4. The covering layer 4 has a conversion means which converts blue light emitted by the light-emitting diodes 3b partly into light of a different color, in particular into green light. For the light-emitting diodes 3 a, 3 r emitting in the yellow and red spectral ranges, the covering layer 4 acts as a diffusion plate. The cover layer 4 is placed on the LEDs 3a, 3b, 3r and on the carrier top 20, indicated in Figure 1 by an arrow.
Optional ist es möglich, dass die Abdeckschicht 4 den Deckel eines Kastens bildet, der den Leuchtdioden 3a, 3b, 3r übergestülpt wird. Weiterhin können optional, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen, an dem Träger 2, insbesondere an der Trägeroberseite 20, Seitenwände 6 angebracht sein, die sich parallel zu der Mittellinie M entlang der gesamten Längsseite L erstrecken. Entlang der Breite B können optional Stirnwände 60 angebracht sein. Durch die Seitenwände 6 sowie durch die Stirnwände 60 kann ein Reflektor für von den Leuchtdioden emittierte Strahlung gebildet sein. Die Stirnwände 60 sowie die Seitenwände 6 können diffus oder spiegelnd reflektierend gestaltet sein und abweichend von der Darstellung gemäß Figur 1 andere Optionally, it is possible that the cover layer 4 forms the lid of a box, which is slipped over the LEDs 3a, 3b, 3r. Furthermore, optionally, as in all other embodiments, on the support 2, in particular on the carrier top 20, side walls 6 may be attached, which extend parallel to the center line M along the entire longitudinal side L. Along the width B optional end walls 60 may be attached. Through the side walls 6 and through the end walls 60, a reflector for radiation emitted by the LEDs radiation may be formed. The end walls 60 and the side walls 6 may be designed to be diffuse or specularly reflective and differing from the illustration according to FIG. 1 others
Neigungswinkel bezüglich der Trägeroberseite 20 aufweisen. Die Längsausdehnung L des Trägers 2 liegt zum Beispiel bei mindestens 10 mm, insbesondere bei mindestens 50 mm oder bei mindestens 100 mm. Die Breite B beträgt insbesondere zwischen einschließlich 4 mm und 6 mm. Eine Höhe H der Seitenwände 6 sowie der Stirnwände über der Trägeroberseite 20 liegt zum Beispiel zwischen einschließlich 2 mm und 6 mm. Eine Dicke der Seitenwände 6, parallel zu der Breite B des Trägers 2, liegt zum Beispiel zwischen einschließlich 0,5 mm und 4 mm oder zwischen einschließlich 1,0 mm und 3 mm. Inclination angle with respect to the carrier top 20 have. The longitudinal extent L of the carrier 2 is, for example, at least 10 mm, in particular at least 50 mm or at least 100 mm. The width B is in particular between 4 mm and 6 mm inclusive. A height H of the side walls 6 and the end walls above the carrier top 20 is for example between 2 mm and 6 mm inclusive. A thickness of the side walls 6, parallel to the width B of the carrier 2, is for example between 0.5 mm and 4 mm inclusive or between 1.0 mm and 3 mm inclusive.
Die in den verschiedenen Farben emittierenden Leuchtdioden 3a, 3b, 3r sind elektrisch bevorzugt in Gruppen gleicher Farbe zusammengefasst . Diese Gruppen sind insbesondere separat elektrisch ansteuerbar zur Einstellung etwa einer Farbe und/oder einer Farbtemperatur des abgestrahlten Lichts. Ebenso können die Reihen 5a, 5b elektrische Einheiten sein. Ein Lichtstrom der von den Leuchtdiodenmodulen 1 emittierten Strahlung liegt beispielsweise zwischen einschließlich 10 Im und 100 Im oder zwischen einschließlich 20 Im und 65 Im pro Zentimeter Länge der Mittellinie M, wie auch in allen anderen Aus führungsbeispielen . The light-emitting diodes 3 a, 3 b, 3 r emitting in the different colors are preferably combined electrically into groups of the same color. These groups are in particular electrically separately controllable for setting about a color and / or a color temperature of the emitted light. Likewise, the rows 5a, 5b may be electrical units. A luminous flux of the radiation emitted by the light-emitting diode modules 1 is, for example, between 10 Im and 100 Im or between 20 Im and 65 Im per centimeter length of the center line M, as well as in all other embodiments.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel des Leuchtdiodenmoduls 1 ist in Figur 2 in einer schematischen Draufsicht illustriert. Zur Vereinfachung der Darstellung ist in Figur 2 die A further exemplary embodiment of the light-emitting diode module 1 is illustrated in FIG. 2 in a schematic plan view. To simplify the illustration, in FIG
Abdeckschicht 4 nicht gezeichnet. Die Längsausdehnung L des lang gestreckten Leuchtdiodenmoduls 1 beträgt zum Beispiel mindestens 20 cm oder mindestens 50 cm. Die Breite B beträgt circa 4 mm. Anders als in Figur 1 sind die Leuchtdioden 3a, 3b, 3r in zwei Reihen parallel zu der Mittellinie M  Cover layer 4 is not drawn. The longitudinal extent L of the elongate light-emitting diode module 1 is, for example, at least 20 cm or at least 50 cm. The width B is about 4 mm. Unlike in FIG. 1, the light-emitting diodes 3 a, 3 b, 3 r are arranged in two rows parallel to the center line M
angeordnet, wobei die beiden Reihen jeweils gerade verlaufen. In Figur 3 sind weitere Ausführungsbeispiele des Leuchtdiodenmoduls 1 jeweils in Schnittdarstellungen quer zu der Mittellinie M gezeigt. Gemäß Figur 3A ist die arranged, wherein the two rows are each straight. FIG. 3 shows further exemplary embodiments of the light-emitting diode module 1, in each case in cross-sectional views transversely to the center line M. According to Figure 3A is the
Abdeckschicht 4 beabstandet von den Leuchtdioden 3 auf den Seitenwänden 6 angebracht, so dass ein Zwischenraum 8 Cover layer 4 spaced from the LEDs 3 mounted on the side walls 6, so that a gap. 8
zwischen den Leuchtdioden 3 und der Abdeckschicht 4 auftritt. Der Zwischenraum 8 kann mit einem Gas oder mit einem Medium zur Anpassung des Brechungsindexes zwischen den Leuchtdioden 3 und der Abdeckschicht 4 gefüllt sein. occurs between the LEDs 3 and the cover 4. The intermediate space 8 may be filled with a gas or with a medium for adjusting the refractive index between the light-emitting diodes 3 and the covering layer 4.
Eine Hauptabstrahlrichtung R der Leuchtdioden 3 ist senkrecht zu der Trägerseite 20 sowie zu einer den Leuchtdioden 3 zugewandten Hauptseite der Abdeckschicht 4 orientiert. Eine Dicke T der Abdeckschicht 4 liegt beispielsweise zwischen einschließlich 100 μπι und 600 μπι, insbesondere zwischen einschließlich 200 μπι und 500 μπι, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen. Die ein Konversionsmittel und optional ein Streumittel enthaltende Abdeckschicht 4 ist also A main emission direction R of the light-emitting diodes 3 is oriented perpendicular to the carrier side 20 as well as to a main side of the cover layer 4 facing the light-emitting diodes 3. A thickness T of the covering layer 4 is, for example, between 100 μπι and 600 μπι, in particular between 200 μπι and 500 μπι μπι, as well as in all other embodiments. The covering layer 4 containing a conversion agent and optionally a scattering agent is therefore also
vergleichsweise dick. comparatively thick.
Beim Ausführungsbeispiel gemäß Figur 3B befindet sich die Abdeckschicht 4 vollständig zwischen den Seitenwänden 6, gesehen in einer lateralen Richtung, wie auch die In the embodiment according to FIG. 3B, the covering layer 4 is located completely between the side walls 6, as seen in a lateral direction, as well as
Leuchtdioden 3. Ebenso steht die Abdeckschicht 4 stellenweise in unmittelbarem Kontakt zu den Leuchtdioden 3. In lateraler Richtung zwischen den Leuchtdioden 3 und den Seitenwänden 6 ist jeweils ein Hohlraum 8 gebildet. Likewise, the cover layer 4 is in places in direct contact with the LEDs 3. In the lateral direction between the light-emitting diodes 3 and the side walls 6, a cavity 8 is formed in each case.
Anders als dargestellt ist es möglich, dass die Abdeckschicht 4 an einer den Leuchtdioden 3 abgewandten Hauptseite etwa in Form einer Sammellinse gestaltet ist. Bevorzugt schließt die Abdeckschicht 4 in eine Richtung weg von der Trägeroberseite 20 bündig mit den Seitenwänden 6 ab. Gemäß Figur 3C umgibt die Abdeckschicht 4 die Leuchtdioden 3 auch in lateraler Richtung und steht an Stirnflächen als auch an einer Strahlungshauptseite der Leuchtdioden 3 in Contrary to what is shown, it is possible for the covering layer 4 to be designed on a main side remote from the light-emitting diodes 3 in the form of a converging lens. Preferably, the cover layer 4 terminates flush with the sidewalls 6 in a direction away from the carrier top 20. According to FIG. 3C, the covering layer 4 also surrounds the light emitting diodes 3 in the lateral direction and is in contact with end faces as well as on a main radiation side of the light emitting diodes 3
unmittelbarem Kontakt zu diesen. Optional ist, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen, an der den Leuchtdioden 3 abgewandten Seite der Abdeckschicht 4 eine Schutzschicht 7, die beispielsweise Feuchte undurchlässig und/oder kratzfest ist, aufgebracht. direct contact with them. Optionally, as in all other embodiments, on the side facing away from the LEDs 3 side of the cover 4, a protective layer 7, which is impermeable and / or scratch-resistant, for example, moisture applied.
Beim Ausführungsbeispiel des Leuchtdiodenmoduls 1 gemäß der Draufsicht in Figur 4 ist der Träger 2 planar und wie ein Ring geformt. Die Leuchtdioden 3 sind in zwei Reihen an der Trägeroberseite 20 angebracht. Die gedachte Mittellinie M ist eine geschlossene Linie. Ein mittlerer Durchmesser der In the embodiment of the light-emitting diode module 1 according to the plan view in Figure 4, the carrier 2 is planar and shaped like a ring. The LEDs 3 are mounted in two rows on the carrier top 20. The imaginary center line M is a closed line. A mean diameter of the
Mittellinie M liegt zum Beispiel zwischen einschließlich 5 mm und 100 mm, insbesondere zwischen einschließlich 10 mm und 30 mm. Es ist möglich, dass mehrere ringförmige Träger 2 mit unterschiedlichen Durchmessern konzentrisch angeordnet sind.  Center line M is, for example, between 5 mm and 100 mm inclusive, in particular between 10 mm and 30 mm inclusive. It is possible that a plurality of annular supports 2 are arranged concentrically with different diameters.
In den schematischen Draufsichten der Figuren 5A, 5B sowie 5C sind Ausführungsbeispiele von Leuchten 100 mit In the schematic plan views of Figures 5A, 5B and 5C are embodiments of lamps 100 with
Ausführungsbeispielen der Leuchtdiodenmodule 1 illustriert. Anders als in Figur 5 dargestellt, kann die Leuchte 100 auch eines oder mehrere der Leuchtdiodenmodule 1 gemäß den Figuren 1 bis 4 umfassen. Anders als dargestellt kann die Leuchte 100 jeweils eine von der gezeichneten Anzahl abweichende Anzahl von Leuchtdiodenmodulen 1 aufweisen. Zur Vereinfachung der Darstellung sind in Figur 5 die einzelnen Leuchtdioden sowie die Abdeckschicht nicht gezeichnet. Embodiments of the light emitting diode modules 1 illustrated. Unlike in FIG. 5, the luminaire 100 can also comprise one or more of the light-emitting diode modules 1 according to FIGS. 1 to 4. Unlike illustrated, the lamp 100 may each have a different number of light emitting diode modules 1 from the number drawn. To simplify the illustration, the individual light-emitting diodes and the cover layer are not shown in FIG.
Die Leuchte gemäß der Figur 5A weist zwei gleich geformte Leuchtdiodenmodule 1 auf, die in einem Übergangsbereich 9 bündig aneinander stoßen. Die Breite B der Leuchtdiodenmodule 1 ist entlang der gesamten Mittellinie M im Rahmen der The luminaire according to FIG. 5A has two identically shaped light-emitting diode modules 1, which in a transition region 9 butt together. The width B of the light-emitting diode modules 1 is along the entire center line M in the context of
Herstellungstoleranzen konstant und die Mittellinie M ist abschnittsweise parallel orientiert zu einer Manufacturing tolerances constant and the center line M is oriented in sections parallel to a
Haupterstreckungsrichtung des Trägers 2. Die zwei Main extension direction of the carrier 2. The two
gezeichneten Leuchtdiodenmodule 1 der Leuchte 100 schließen derart aneinander an, dass die Mittellinie M ununterbrochen und glatt von einem der Module 1 an dem anderen der Module 1 fortgesetzt wird. Die gesamte Linie, die sich aus den drawn light-emitting diode modules 1 of the lamp 100 connect to each other in such a way that the center line M is continuously and smoothly continued by one of the modules 1 to the other of the modules 1. The entire line, made up of the
einzelnen Mittellinien M der Leuchtdiodenmodule 1 ergibt, ist somit eine glatte, differenzierbare Kurve. individual center lines M of the light-emitting diode modules 1 results, is thus a smooth, differentiable curve.
Gemäß Figur 5B weist die Leuchte 100 zwei verschiedene Arten von Leuchtdiodenmodulen la, lb auf. Die Leuchtdiodenmodule la sind wie Halbringe geformt und die Leuchtdiodenmodule lb sind rechteckförmig . Anders als in Figur 5B dargestellt ist es nicht notwendig, dass die Leuchtdiodenmodule la, lb According to FIG. 5B, the luminaire 100 has two different types of light-emitting diode modules 1a, 1b. The light emitting diode modules la are shaped like half rings and the light emitting diode modules lb are rectangular. Unlike shown in Figure 5B, it is not necessary that the light emitting diode modules la, lb
abwechselnd aufeinander folgen. Beispielsweise können mehrere der gerade ausgeführten Leuchtdiodenmodule lb unmittelbar aufeinander folgen. alternately follow each other. For example, several of the light-emitting diode modules 1b that are currently being implemented can follow one another directly.
Gemäß Figur 5C weist die Leuchte 100 mehrere der According to FIG. 5C, the luminaire 100 has several of the
Leuchtdiodenmodule 1 auf, die jeweils gleich geformt sind und bei denen der Übergangsbereich 9, anders als gemäß Figur 5A und Figur 5B, nicht senkrecht zu der Mittellinie M Light emitting diode modules 1, which are each formed the same and in which the transition region 9, unlike in accordance with Figure 5A and Figure 5B, not perpendicular to the center line M
ausgerichtet ist. Hierdurch weist die zusammenhängende Linie, die durch die einzelnen Mittellinien M gebildet ist, an den Übergangsbereichen 9 jeweils Knicke auf. Weitere Ausführungsbeispiele der Leuchten 100 und der is aligned. In this way, the continuous line, which is formed by the individual center lines M, at the transition regions 9 each kinks. Further embodiments of the lights 100 and the
Leuchtdiodenmodule 1 sind in Figur 6 illustriert. Die Light-emitting diode modules 1 are illustrated in FIG. The
Leuchtdiodenmodule 1 sind jeweils nur stark schematisiert speziell anhand eines Verlaufs der Mittellinie M dargestellt. Gemäß Figur 6A bildet die Mittellinie M eine geschlossene Linie, die in einer x-y-Ebene liegt. Es kann sich hierbei um ein einzelnes Leuchtdiodenmodul 1 oder um eine Leuchte 100 mit mehreren zusammengesetzten Leuchtdiodenmodulen 1 handeln. Light emitting diode modules 1 are in each case only highly schematized, in particular with reference to a profile of the center line M. According to FIG. 6A, the center line M forms a closed line lying in an xy plane. This may be a single light-emitting diode module 1 or a light 100 with a plurality of composite light-emitting diode modules 1.
Gemäß Figur 6B ist durch die Mittellinie M eine Spirale geformt, die in der x-y-Ebene liegt. Das Leuchtdiodenmodul 1 oder die Leuchte 100 ist in der x-y-Ebene in eine According to FIG. 6B, a spiral is formed through the center line M, which lies in the x-y plane. The light emitting diode module 1 or the light 100 is in the x-y plane in a
ellipsenförmige Einhüllende E einbeschrieben. Ein elliptical envelope E inscribed. One
Flächenanteil des nicht gezeichneten Trägers 2 innerhalb der Einhüllenden E beträgt beispielsweise circa 50 %.  Area fraction of the non-subscribed carrier 2 within the envelope E is for example about 50%.
In Figur 6C ist eine dreidimensionale, spiralförmige In Figure 6C is a three-dimensional, spiral-shaped
Mittellinie M illustriert, die in Draufsicht auf die x-y- Ebene kreisförmig, ellipsenförmig oder spiralförmig verlaufen kann. Die Mittellinie M liegt nicht in einer Ebene. Center line M illustrated, which may be circular, elliptical or spiral in plan view of the x-y plane. The midline M is not in a plane.
Beim Ausführungsbeispiel gemäß Figur 6D weist die Leuchte 100 zumindest zwei Leuchtdiodenmodule la, lb auf, die eine In the exemplary embodiment according to FIG. 6D, the luminaire 100 has at least two light-emitting diode modules 1 a, 1 b, which have a
Doppelhelix bilden. Es sind die Leuchtdiodenmodule la, lb jeweils Spiralen ähnlich der Figur 6c. Die Leuchte 100 kann gleich oder verschieden geformte Leuchtdiodenmodule la, lb umfassen .  Form double helix. It is the light emitting diode modules la, lb each spirals similar to Figure 6c. The luminaire 100 may comprise differently shaped or differently shaped light-emitting diode modules 1a, 1b.
In Figur 6E ist eine Leuchte 100 als Seitenansicht In FIG. 6E, a luminaire 100 is a side view
dargestellt, bei der das eine oder die mehreren shown in which the one or more
Leuchtdiodenmodule 1 an eine Kegeloberfläche eines optional vorhandenen Kernkörpers 10 angeformt sind. Ein Öffnungswinkel des kegelförmigen Kernkörpers 10 liegt zum Beispiel zwischen einschließlich 2° und 15°, insbesondere bei circa 5°. Eine Höhe Dl liegt beispielsweise zwischen einschließlich 30 mm und 60 mm, insbesondere um 45 mm. Der Durchmesser D2 liegt zum Beispiel zwischen einschließlich 10 mm und 30 mm, insbesondere um 20 mm. Die Abmessung D3 ergibt sich aus den Abmessungen D4 bis D8. Die Abmessung D4 beträgt Light emitting diode modules 1 are formed on a conical surface of an optional existing core body 10. An opening angle of the conical core body 10 is, for example, between 2 ° and 15 ° inclusive, in particular about 5 °. A height D1 is, for example, between 30 mm and 60 mm, in particular 45 mm. The diameter D2 is for example between 10 mm and 30 mm inclusive, in particular around 20 mm. The dimension D3 results from the dimensions D4 to D8. The dimension D4 is
beispielsweise zwischen einschließlich 3 mm und 10 mm, insbesondere um 6 mm. Die Maße D5, D6, D7 und D8 betragen zum Beispiel 5 mm, 4 mm, 3 mm und 2 mm, das Maß D9 beträgt beispielsweise circa 1 mm. Mit anderen Worten nimmt eine Breite des mindestens einen Leuchtdiodenmoduls 1 in eine Richtung weg von einer Basisfläche des Kernkörpers 10 monoton ab. Anders als dargestellt kann der Kernkörper 10 auch sphärisch oder ellipsoid geformt sein. for example between 3 mm and 10 mm inclusive, in particular around 6 mm. The dimensions D5, D6, D7 and D8 are for example 5 mm, 4 mm, 3 mm and 2 mm, the dimension D9 is for example about 1 mm. In other words, a width of the at least one light emitting diode module 1 monotonically decreases in a direction away from a base surface of the core body 10. Other than illustrated, the core body 10 may also be spherically or ellipsoidally shaped.
Insbesondere die Leuchten 100 gemäß der Figuren 6C bis 6E können wie Glühlampen, Leuchtstoffröhren oder so genannte Energiesparlampen geformt sein. Die Leuchten 100 sind dann bevorzugt so genannte Retrofits. In particular, the luminaires 100 according to FIGS. 6C to 6E can be shaped like incandescent lamps, fluorescent tubes or so-called energy-saving lamps. The lights 100 are then preferably so-called retrofits.
Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die The invention described here is not by the
Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Description limited to the embodiments.
Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Ausführungsbeispielen oder in den Patentansprüchen angegeben ist. Rather, the invention encompasses any novel feature as well as any combination of features, which in particular includes any combination of features in the patent claims, even if this feature or combination itself is not explicitly stated in the exemplary embodiments or in the patent claims.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2010 027 579.4, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. This patent application claims the priority of German Patent Application 10 2010 027 579.4, the disclosure of which is hereby incorporated by reference.

Claims

Leuchtdiodenmodul (1) mit LED module (1).
- mindestens einem Träger (2) mit einer Trägeroberseite (20) und einer gedachten Mittellinie (M) an der - At least one carrier (2) with a carrier top (20) and an imaginary center line (M) on the
Trägeroberseite (20), carrier top (20),
- einer Mehrzahl von Halbleiterlichtquellen (3), die an der Trägeroberseite (20) angebracht sind, und - a plurality of semiconductor light sources (3) which are attached to the top of the carrier (20), and
- mindestens einer Abdeckschicht (4), die den - at least one cover layer (4) that
Halbleiterlichtquellen (3) in Richtung weg von der Trägeroberseite (20) nachgeordnet und die eine Semiconductor light sources (3) arranged downstream in the direction away from the top of the carrier (20) and one
Streuschicht und/oder eine Konversionsmittelschicht umfasst oder hieraus besteht, Comprises or consists of a scattering layer and/or a conversion agent layer,
wobei where
- eine Ausdehnung (L) entlang der Mittellinie (M) eine Breite (B) des Trägers - an extent (L) along the center line (M) a width (B) of the beam
(2) in einer Richtung senkrecht zu der Mittellinie (M) , in Draufsicht auf die (2) in a direction perpendicular to the center line (M), in plan view of the
Trägeroberseite (20) gesehen, um mindestens einen Carrier top (20) seen at least one
Faktor 2 übersteigt, und factor 2 exceeds, and
- ein Quotient aus einer minimalen und einer - a quotient of a minimum and a
maximalen Leuchtdichte der im Betrieb des maximum luminance during operation of the
Leuchtdiodenmoduls (1) erzeugten Strahlung entlang der Mittellinie (M) einen Wert von 0,4 nicht LED module (1) generated radiation along the center line (M) not a value of 0.4
unterschreitet . falls below.
Leuchtdiodenmodul (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem die Halbleiterlichtquellen (3) in einer Light-emitting diode module (1) according to the preceding claim, in which the semiconductor light sources (3) in one
Richtung parallel zu der Mittellinie (M) in einer oder in mehreren Reihen (5) angeordnet sind. Direction parallel to the center line (M) are arranged in one or more rows (5).
3. Leuchtdiodenmodul (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem mindestens eine Reihe (5) zickzackförmig verläuft . 3. LED module (1) according to the preceding claim, in which at least one row (5) runs in a zigzag shape.
4. Leuchtdiodenmodul (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, 4. LED module (1) according to one of the preceding claims,
bei dem ein Abstand (A) benachbarter at which a distance (A) is adjacent
Halbleiterlichtquellen (3) zwischen einschließlich 1,5 mm und 12 mm liegt. Semiconductor light sources (3) are between 1.5 mm and 12 mm.
5. Leuchtdiodenmodul (1) nach einem der vorhergehenden 5. LED module (1) according to one of the previous ones
Ansprüche, Expectations,
bei dem ein Quotient aus dem Abstand (A) benachbarter Halbleiterlichtquellen (3) und einer mittleren Dicke (T) der Abdeckschicht (4) zwischen einschließlich 3 und 25 liegt. in which a quotient of the distance (A) between adjacent semiconductor light sources (3) and an average thickness (T) of the cover layer (4) is between 3 and 25.
6. Leuchtdiodenmodul (1) nach einem der vorhergehenden 6. LED module (1) according to one of the previous ones
Ansprüche, Expectations,
bei dem die Breite (B) des Trägers (2) höchstens 10 mm beträgt . in which the width (B) of the carrier (2) is a maximum of 10 mm.
7. Leuchtdiodenmodul (1) nach einem der vorhergehenden 7. LED module (1) according to one of the previous ones
Ansprüche, Expectations,
bei dem entlang der Mittellinie (M) an der where along the center line (M) on the
Trägeroberseite (20) eine oder mehrere Seitenwände (6) angebracht sind, One or more side walls (6) are attached to the top of the carrier (20),
wobei die Seitenwände (6) zu einem Gewichtsanteil von mindestens 50 % aus einem oder mehreren Metallen bestehen . wherein the side walls (6) consist of at least 50% by weight of one or more metals.
8. Leuchtdiodenmodul (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem für eine Höhe H der Seitenwände (6) über der Trägeroberseite (20) im Verhältnis zu der Breite B des Trägers (2) gilt: 0,25 < H/B < 1,5. 8. Light-emitting diode module (1) according to the preceding claim, in which the following applies to a height H of the side walls (6) above the top of the carrier (20) in relation to the width B of the carrier (2): 0.25 <H/B <1 ,5.
9. Leuchtdiodenmodul (1) nach einem der vorhergehenden 9. LED module (1) according to one of the previous ones
Ansprüche, bei dem eine Hauptabstrahlrichtung (R) der Expectations, in which a main radiation direction (R) is the
Halbleiterlichtquellen (3), mit einer Toleranz von höchstens 15°, senkrecht zu einer den Semiconductor light sources (3), with a tolerance of a maximum of 15°, perpendicular to one
Halbleiterlichtquellen (3) zugewandten Hauptfläche der Abdeckschicht (4) orientiert ist. Semiconductor light sources (3) is oriented towards the main surface of the cover layer (4).
Leuchtdiodenmodul (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, Light-emitting diode module (1) according to one of the preceding claims,
wobei wenigstens ein Teil der Halbleiterlichtquellen (3) stellenweise in unmittelbarem Kontakt zu der wherein at least some of the semiconductor light sources (3) are in direct contact with the
Abdeckschicht (4) steht. Cover layer (4) stands.
Leuchtdiodenmodul (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, Light-emitting diode module (1) according to one of the preceding claims,
bei dem die gedachte Mittellinie (M) des mindestens einen Trägers (2) eine gekrümmte Linie ist und einen dreidimensionalen Verlauf aufzeigt. in which the imaginary center line (M) of the at least one carrier (2) is a curved line and shows a three-dimensional course.
Leuchtdiodenmodul (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, Light-emitting diode module (1) according to one of the preceding claims,
bei dem die gedachte Mittellinie (M) des mindestens einen Trägers (2) eine gekrümmte Linie ist und in which the imaginary center line (M) of the at least one carrier (2) is a curved line and
teilweise oder vollständig innerhalb einer Ebene liegt. lies partially or completely within a plane.
Leuchtdiodenmodul (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem ein Flächenanteil des mindestens einen Trägers (2), in Draufsicht auf die Ebene und in einem Light-emitting diode module (1) according to the preceding claim, in which a surface portion of the at least one carrier (2), in a plan view of the plane and in a
Teilbereich der Ebene innerhalb einer Einhüllenden (E) , der das Leuchtdiodenmodul (1) einbeschrieben ist, zwischen einschließlich 10 % und 70 % beträgt. Partial area of the plane within an envelope (E), in which the light-emitting diode module (1) is inscribed, is between 10% and 70%.
Leuchtdiodenmodul (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, Light-emitting diode module (1) according to one of the preceding claims,
das mindestens eine erste Teilmenge und mindestens eine zweite, davon verschiedene Teilenge von im Sichtbaren emittierenden Halbleiterlichtquellen (3a, 3b, 3r) umfasst , the at least a first subset and at least one second, comprising different parts of semiconductor light sources (3a, 3b, 3r) emitting in the visible,
wobei where
- die Abdeckschicht (4) sich in unvariierter mittlerer Zusammensetzung über alle Halbleiterlichtquellen (3a, 3b, 3r) erstreckt, - the cover layer (4) extends in an unvaried average composition over all semiconductor light sources (3a, 3b, 3r),
- die Abdeckschicht (4) für eine erste Strahlung, die von den Halbleiterlichtquellen (3b) der ersten - The cover layer (4) for a first radiation, which comes from the semiconductor light sources (3b) of the first
Teilmenge im Betrieb emittiert wird, eine Subset emitted during operation, one
Konversionsmittelschicht darstellt, und Conversion agent layer represents, and
- die Abdeckschicht (4) für eine zweite Strahlung, die von den Halbleiterlichtquellen (3a, 3r) der zweiten Teilmenge im Betrieb emittiert wird, nur eine - The cover layer (4) for a second radiation, which is emitted by the semiconductor light sources (3a, 3r) of the second subset during operation, only one
Streuschicht und keine Konversionsmittelschicht darstellt . Scattering layer and not a conversion agent layer.
Leuchte (100) mit mehreren Leuchtdiodenmodulen (1) nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, Luminaire (100) with several light-emitting diode modules (1) according to at least one of the preceding claims,
wobei zumindest ein Teil der Leuchtdiodenmodule (1) so angeordnet ist, dass die Mittellinien (M) dieser wherein at least some of the light-emitting diode modules (1) are arranged so that the center lines (M) of these
Leuchtdiodenmodule (1) aneinander anschließen und eine zusammenhängende Linie ausbilden. Connect the light-emitting diode modules (1) to one another and form a continuous line.
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