WO2007082674A2

WO2007082674A2 - Elektrolumineszente lichtemissionseinrichtung mit eineranordnung organisher schichten und verfahren zum herstellen

Info

Publication number: WO2007082674A2
Application number: PCT/EP2007/000211
Authority: WO
Inventors: Gregor Schwartz; Kentaro Harada; Karsten Walzer; Martin Pfeiffer; Karl Leo
Original assignee: Novaled Ag
Priority date: 2006-01-11
Filing date: 2007-01-11
Publication date: 2007-07-26
Also published as: WO2007082673A2; US8084766B2; WO2007082674A3; EP1982362A2; CN101395734A; DE112007000135A5; US8502200B2; EP1982362B1; JP2009523304A; EP1808909A1; US20120025171A1; DE112007000135B4; CN101395734B; US20100289007A1; EP1808910A3; EP1808910B1; WO2007082673A3; JP5302690B2; US20110186864A1; EP1808910A2

Abstract

Die Erfindung betrifft eine elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung mit einer Anordnung organischer Schichten, die auf einem Substrat aufgebracht sind, sowie ein Verfahren zum Herstellen. Die Anordnung organischer Schichten umfasst die folgenden Schichten: mindestens eine Ladungsträgertransportschicht aus organischem Material und mindestens eine Licht emittierende Schicht aus organischem Material. Die Anordnung organischer Schichten weist weiterhin mindestens eine dotierte Fullerenschicht auf, welche eine die elektrische Leitfähigkeit erhöhende Dotierung aufweist.

Description

Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung mit einer Anordnung organischer Schichten und Verfahren zum Herstellen

Die Erfindung betrifft eine elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung mit einer Anord- nung organischer Schichten und ein Verfahren zum Herstellen.

Hintergrund der Erfindung

Elektrolumineszenz organischer Materialien ist seit ihrer ersten Beobachtung 1953 (Bernano- se et al., J. Chim. Phys. 1953, 50, 65) zu einem intensiv bearbeiteten Forschungsgebiet geworden. Die bekannten Vorteile organischer Materialien für die Lichterzeugung wie zum Beispiel geringe Reabsorption, hohe Quantenausbeuten oder auch die Möglichkeit, durch relativ einfache Variation der Molekülstruktur das Emissionspektrum anzupassen, konnten in den letzten Jahren durch beständige Entwicklung in der Materialforschung und Umsetzung neuer Konzepte zum effektiven Injizieren und Transportieren der Ladungsträger in die aktive Emissionsschicht eines organischen Leuchtelements ausgenutzt werden. Erste Anzeigeeinrichtungen, welche auf solchen so genannten organischen Leuchtdioden basieren, haben bereits den Weg auf den Markt gefunden und organische Leuchtdioden werden in Zukunft als Konzept neben Flüssigkristallanzeigen und Anzeigen aus anorganischen Leuchtdioden fest etabliert sein. Ein weiterer Markt, welcher den organischen Leuchtdioden aufgrund ihrer speziellen Eigenschaft, Licht großflächig und homogen in den Halbraum emittieren zu können, offen steht, ist das Gebiet der Beleuchtung.

Der Schritt zur Serienreife erhöht den Druck, einzelne Kostenfaktoren des Produkts, Kosten des Rohmaterials oder auch Schritte im Produktionsprozess zu minimieren. Als ein Hauptkostenfaktor wird das zurzeit üblicherweise verwendete transparente Elektrodenmaterial Indium-Zinnoxid (ITO) sowohl aufgrund des hohen Bedarfs an auf der Erde intrinsisch selten vorkommendem und daher teurem Indium als auch wegen des aufwendigen Aufbringungs- prozesses des ITO durch Sputtern auf das Substrat angesehen. Soll eine transparente Leucht- diode hergestellt werden, d.h. soll ITO also auch als Gegenelektrode auf die organischen Schichten aufgebracht werden, gestaltet sich der Produktionsprozess noch schwieriger, da aufwendige Maßnahmen zum Schutz der organischen Schichten vor Beschädigung durch die beim Sputtern auftretenden energiereichen Partikel notwendig sind. Beispielsweise wird in dem Dokument DE 103 35 727 Al eine hochleitfähige Polymerschicht zur alternativen Verwendung als Elektrode vorgeschlagen. Solche flüssig aufgebrachten Polymerschichten erreichen Leitfähigkeiten von bis zu 550 S/cm. Damit ist offensichtlich das Problem des teuren Ausgangsmaterials gelöst, da Indium nicht verwendet wird. Nachteilig an dieser Erfindung ist allerdings, dass nach wie vor ein zusätzlicher Schritt der Aufbringung der Polymerelektrode auf das Substrat notwendig ist. Insbesondere für die Herstellung von organischen Leuchtdioden, welche aus einer Folge von amorphen Dünnschichten bestehen, die im Vakuum aufgedampft werden, stellt das Aufschleudern der Polymerelektrode unter Normal- druck unter gleichzeitig hoch staubfreien Bedingungen eine Verkomplizierung und damit Verteuerung des Produktionsablaufs dar. Als unmöglich erscheint mit einem solchen Verfahren außerdem die Realisierung von transparenten Leuchtdioden, da beim Aufschleudern der Polymerschicht Lösungsmittel verwendet werden, welche die darunter liegenden organischen Dünnschichten im Allgemeinen mit anlösen und damit die Einrichtung unabsehbar verändern oder gar zerstören würden.

Eine Weiterentwicklung der transparenten organischen Leuchtdiode sind gestapelte transparente Leuchtdioden (siehe beispielsweise Gu et al. J. Appl. Phys. 1999, 86, 4067). Es wird dabei eine Anzahl transparenter Leuchtdioden sequentiell auf ein Substrat gestapelt aufge- bracht, wobei jeweils zwei aufeinander folgende Leuchtdioden eine transparente Elektrode gemeinsam haben. Um die Leuchtdioden des Stapels einzeln ansteuern zu können, werden transparente Elektroden seitlich herausgeführt und kontaktiert. Dazu ist eine hohe laterale Leitfähigkeit der Elektroden notwendig, weshalb dazu üblicherweise ITO verwendet wird. Dies führt zu den gleichen bereits genannten Problemen wie bei den transparenten Leuchtdio- den.

In der Literatur sind jedoch bisher aufdampfbare organische Schichten mit Leitfähigkeiten, die mit den der aus der flüssigen Phase aufgebrachten Materialien vergleichbar sind, nicht bekannt. Aufgedampfte organische Halbleiter haben besonders in ihrer amorphen Phase im Allgemeinen eine sehr geringe Leitfähigkeit, so dass trotz der effektiven Erhöhung der Leitfähigkeit durch Dotierung mit geeigneten Dotanden um mehrere Größenordnungen die laterale Bewegung der Ladungsträger in einer vertikal unter Spannung stehenden Schicht mit teilweise nicht überlappenden Elektroden als vernachlässigbar gilt. Siehe hierzu Fig. 1 , welche eine schematische Queransicht der beschriebenen Anordnung zeigt. Hier sind ein elektrisches nicht leitendes Substrat 1, einander zumindest teilweise nicht überlappende Elektroden 2, 4 und eine oder mehrere organische Schichten 3 im elektrischen Feld der beiden Elektroden 2 und 4 vorgesehen.

Für solche Anordnungen reichen die bisher berichteten Leitfähigkeiten von aufgedampften organischen Schichten mit hoher Transparenz nicht aus, um ausreichenden lateralen Transport zu erreichen. Zwar führt die hohe intrinsische Elektronenmobilität von C₆₀ bei Dotierung mit geeigneten donatorartigen Molekülen (siehe zum Beispiel Werner et al., Adv. Func. Mater. 2004, H,255) zu hohen effektiven Beweglichkeiten und Leitfähigkeiten (teilweise im Bereich von σ = 0,1 S/cm liegen können. Diese reichen jedoch bei einer beispielsweise mittels Drucktechniken darstellbaren Auflösung von etwa 100 μm für leitende Stege bei weitem nicht aus.

Wichtige Faktoren für die Effizienz elektrolumineszenter Lichtemissionseinrichtungen sind neben der Ausbeute bei der Umwandlung elektrischer Energie in der Emissionsschicht in Licht die Injektion von Elektronen aus der Kathode und von Löchern aus der Anode in die jeweils angrenzende Schicht sowie die Fähigkeit der einzelnen Schichten zum Ladungsträgertransport. Es hat sich gezeigt, dass im Allgemeinen ein organisches Material nicht alle notwendigen Eigenschaften in sich vereint, sodass für die unterschiedlichen Funktionen teilweise verschiedene Materialien verwendet werden müssen, um ein effizient funktionierendes Bauteil zu erhalten.

Als Löcherinjektions- und Löchertransportmaterialien (Löchertransportmaterial - HTM) kommen üblicherweise Materialien mit Austrittsarbeiten IP>4.5eV und Löcherbeweglichkei- ten μ_h>lxlO^"5cm²/Vs zum Einsatz, um gute Injektion aus der Anode (ITO) und schnellen Abtransport der Löcher zu ermöglichen. Beispiele für HTMs sind Phtalocyanine wie CuPc, sogenannte starburst-Moleküle wie MTDATA oder auch Benzidine wie TPD und NPD (siehe beispielsweise Adachi et al. (2003), "Design Concept of Molecular Materials for High- Performance OLED", in: Shinar (Hrsg.), Organic Light-Emitting Devices, Springer, New York, S.43).

Demgegenüber kommen als Elektroneninjektions- und Elektronentransportmaterialien (Elek- tronentransportmaterial - ETM) solche mit Elektronenbeweglichkeiten μ_e>lxlO^"6 cm²/Vs und Elektronenaffinitäten EA<3.5 eV zum Einsatz. Hierbei ist die geeingnete Wahl der EA wesentlich durch die EA des zum Einsatz kommenden Emittermaterials bestimmt. Typische Beispiele sind Oxadiazole, Triazole, Quinoline oder Thiophene (siehe zum Beispiel Hughes et al., J. Mater. Chem. 2005, 15, 94).

Als vorteilhaft hat sich die Dotierung von Löchertransportmaterialien mit akzeptorartigen Dotanden bzw. von Elektronentransportmaterialien mit donatorartigen Dotanden erwiesen (Pfeiffer et al., Org. Electron. 2003, 4, 89). Mittels der hierdurch erreichten Erhöhung der Konzentration freier Ladungsträger in der Schicht werden sowohl die Leitfähigkeit als auch die effektive Ladungsträgerbeweglichkeit verbessert. Verwendet man eine dotierte organische Schicht in einem Schottkykontakt, wird durch die ebenfalls erhöhte Raumladungsdichte die Verarmungszone gegenüber dem undotierten Fall wesentlich dünner. Die Injektion der Ladungsträger aus einer Elektrode in die Transportschicht kann somit durch Dotierung der Transportschicht entscheidend verbessert werden. Nicht zuletzt erlangt man dadurch eine grö- ßere Unabhängigkeit von der Austrittsarbeit in der Wahl des Elektrodenmaterials, so dass eine größere Auswahl an Materialien als Elektrodenmaterial verwendet werden kann.

Fullerene, insbesondere das Buckminsterfulleren C₆₀, werden seit ihrer Entdeckung 1985 e- benfalls intensiv erforscht und kommen beispielsweise in organischen Solarzellen (siehe zum Beispiel US 6,580,027 B2) als Akzeptormaterial zum Einsatz.

Es wurde ein Verfahren zur Herstellung von C₆₀ und C₇₀ in größeren Mengen entwickelt (siehe WO 92/04279). Seitdem werden Herstellungsverfahren für Fullerene beständig weiterentwickelt, sodass heutzutage Fullerene als sehr kostengünstiges Ausgangsmaterial zur Verfü- gung stehen.

In organischen Leuchtdioden gibt es bisher nur wenige Versuche, Fullerene einzusetzen. Hierbei zeigt sich, dass die Verwendung von Fullerenen in organischen Leuchtdioden nicht ohne weiteres sinnvoll ist und in vielen Fällen sogar zu einer Verschlechterung der Eigen- Schäften führt.

Beispielsweise wurde gezeigt (Day et al., Thin Solid Films 2002, 410, 159), dass sogar Sub- monolagen von C₆₀ zwischen der ITO- Anode und der Löchertransportschicht die Injektion erschweren und zu einer Verschlechterung der Bauteilcharakteristik führen. Demgegenüber wurde in nur Löcher leitenden Bauteilen eine Erhöhung der Stromdichte bei gleicher Spannung gefunden (Hong et al., Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 063502), wenn eine dünne C₆₀- Schicht zwischen die Anode und die organische Schicht hinzugefügt wird, wobei die Autoren dies auf einen Oberflächendipol und nicht auf eine Schichteigenschaft des Fullerens zurückführen.

Yuan et al. (Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 143509) haben gezeigt, dass Löcher von der ITO- Anode in eine mit fünf Gewichtsprozenten C₆₀ dotierte NPB-Schicht besser injiziert werden als in eine reine CuPc-Schicht. Noch besser wird die Injektion allerdings, wenn man eine undotierte NPB-Schicht verwendet. Lee et al. (Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 063514) zeigen, dass C₆₀ in TDAPB als schwacher Elektronenakzeptor funktioniert und die effektive Löchermobilität erhöht wird. Da außerdem freie Elektronen aus Leckströmen in einer OLED mit C₆₀:TDAPB als Löchertransportschicht effektiv von C₆₀ eingefangen werden und somit das TDAPB nicht destabilisieren können, erhöht sich die Lebensdauer bei gleicher Anfangshelligkeit.

Der Verwendung von C₆₀ als Elektronentransportschicht steht trotz der hohen Elektronenbeweglichkeit μ_e~ 8x10^"2 cm Ws zunächst die relativ große Elektronenaffinität von ~ 4 eV ent- gegen. Lu et al. (US 2004-214041 Al) verwenden C₆₀ dennoch in Verbindung mit einer LiF/ Al Kathode als Elektronentransportschicht, wobei die LiF Iηjektionsschicht dabei unbedingt erforderlich ist. Yasuhiko et al. (PCT WO 2005-006817 Al) verwenden separat hergestelltes Li enthaltendes C₆₀ als Elektronentransportschicht.

Zusammenfassung der Erfindung

Es ist Aufgabe der Erfindung, eine elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung mit einer Anordnung organischer Schichten und ein Verfahren zum Herstellen zu schaffen, bei denen die elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung kostengünstig und mittels vereinfachter Produktionsschritte herstellbar ist.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe durch eine elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung nach dem unabhängigen Anspruch 1 sowie ein Verfahren zum Herstellen einer elektro- lumineszenten Lichtemissionseinrichtung nach dem unabhängigen Anspruch 20 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von abhängigen Unteransprüchen.

Die Erfinder haben überraschend gefunden, dass in einer elektrolumineszenten Lichtemissi- onseinrichtung mittels dotierter Fullerenschichten, beispielsweise unter Verwendung von FuI- leren C₆₀ und Dotanden, wie sie im Dokument WO 2005/086251 A2 vorgeschlagen werden, Leitfähigkeiten von über 2 S/cm erreicht werden können. Derartig hohe Leitfähigkeiten führen dazu, dass eine laterale Ausdehnung des Ladungsträgerstromes in der Anordnung nach Fig. 1 bis zu mehreren hundert Mikrometer und mehr betragen kann. Damit sind die Voraus- Setzungen erfüllt, um eine solche organisch dotierte hochleitfähige Schicht als Elektrode verwenden zu können.

Beim Ausbilden der dotierten Fullerenschicht werden ein oder mehrere Dotierungsmaterialien in das Fulleren-Matrixmaterial eingelagert. Eine Schicht wird als p-dotierte Schicht bezeich- net, wenn das Matrixmaterial Dotanden in Form von Akzeptoren enthält. Eine dotierte Schicht wird als n-dotierte Schicht bezeichnet, wenn die eingelagerten Dotanden für das Matrixmaterial Donatoren bilden. Eine elektrische Dotierung im Sinne der vorliegenden Anmeldung entsteht dadurch, dass das eine oder die mehreren eingelagerten Dotierungsmaterialien eine Redoxreaktion mit dem Matrixmaterial ausfuhren, wodurch es zu einem wenigstens teil- weisen Ladungstransfer zwischen dem einen oder den mehreren Dotierungsmaterialien einerseits und dem Matrixmaterial andererseits kommt, d. h. eine Übertragung von elektrischen Ladungen zwischen den Materialien findet statt. Auf diese Weise werden (zusätzliche) freie Ladungsträger in der Schicht gebildet, welche ihrerseits die elektrische Leitfähigkeit der Schicht erhöhen. Es entsteht in dem Matrixmaterial eine höhere Dichte von Ladungsträgern im Vergleich zum undotierten Material. Es besteht der folgende physikalische Zusammenhanges für die elektrische Leitfähigkeit: Ladungsträgerdichte x Beweglichkeit der Ladungsträger = elektrische Leitfähigkeit. Der mittels der Redoxreaktion gebildete Teil der Ladungsträger in dem Matrixmaterial muss nicht erst aus einer Elektrode injiziert werden, vielmehr stehen solche Ladungsträger infolge der elektrischen Dotierung schon in der Schicht zur Ver- fügung.

Auch eine Nutzung der dotierten Fullerenschicht als Stromverteilungsschicht für die im Bereich der Elektrode injizierten Ladungsträger kann vorgesehen sein. Die elektrischen La- dungsträger können mit Hilfe einer solchen Stromverteilungsschicht im Wege eines Transportes in Richtung der Schichtausbreitung auch in Bereiche transportiert werden, die sich bei Sicht von oben auf die Lichtemissionseinrichtung nicht mit der Elektrode überlappen, insoweit also außerhalb des Elektrodenbereiches liegen. Solche Bereiche entstehen zum Beispiel, wenn die Elektrode, bei der es sich um einen Anode oder eine Kathode handeln kann, mit Durchbrüchen oder Öffnungen versehen ist, beispielweise bei der Verwendung einer Elektrode mit Streifenelementen. Zwischen den Streifenelementen bestehen Abstände, die nicht mit Elektrodenmaterial ausgefüllt sind. Die auch als Ausnehmungen zu bezeichnenden Durchbrüche können zum Beispiel auch in Form runder oder eckiger Durchbrüche oder Öffnungen gebildet sein. Die Bildung der dotierten Fullerenschicht als Stromverteilungsschicht sorgt dann dafür, dass Ladungsträger auch in dem Bereich der Durchbrüche zu der lichtemittierenden Schicht gelangen, so dass dort Ladungsträgerrekombination stattfindet, die ihrerseits zur Lichterzeugung führt. Alternativ zu der Stromverteilung in den Bereich von Durchbrüchen in der Elektrode oder ergänzend hierzu kann mit der Stromverteilungsschicht auch ein Ladungs- trägertransport in nicht von Durchbrüchen überlappend erfasste Bereiche außerhalb der Elektrode erfolgen, so dass auch diese Bereiche zur Lichterzeugung und hierdurch zum Leuchtbild des Bauelementes beitragen.

Wird die Dicke der dotierten Fullerenschicht beispielsweise kleiner oder nicht viel größer als lOOnm gewählt, so ist die Schicht im sichtbaren Wellenlängenbereich noch ausreichend transparent. Sie lässt sich also insbesondere in elektrolumineszenten Lichtemissionseinrichtungen als transparente Elektrode verwenden.

Die dotierte Fullerenschicht wird vorzugsweise im Hochvakuum mittels gleichzeitigem Ver- dampfen des Fullerens und des organischen Dotanden, also mit dem für organische Dünnschichten üblichen Verfahren, aufgebracht. Hierdurch fügt sich die Aufbringung einer solchen Elektrode ohne Mehraufwand in den Produktionsprozess einer organischen elektrolumineszenten Lichtemissionseinrichtung ein.

Sollen elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtungen mit lateralen Abmessungen der lichtemittierenden Fläche hergestellt werden, die größer sind als die hochleitfähige dotierte Fullerenschicht durch laterale Verbreiterung des Ladungsträgerstromes überbrücken kann, so kann in direktem Kontakt zu dieser dotierten Fullerenschicht ein Gitter aus Metall aufgebracht werden. Hierbei kann die Breite der Gitterstege so klein gewählt werden, dass die Stege im lichtemittierenden Betrieb der elektrolumineszenten Lichtemissionseinrichtung mit dem menschlichen Auge nicht mehr wahrzunehmen sind. Ein ausreichend kleines Verhältnis der Gitterstegbreite zum Abstand der Stege ist etwa 1 zu 10. Bei einer mit einer hochleitfähigen dotierten Fullerenschicht überbrückbaren Distanz von mehreren hundert Mikrometern ergibt sich eine Stegbreite von einigen zehn Mikrometern. Die Herstellung von Metallstegen mit solchen Dimensionen ist heutzutage unkompliziert durch einfache Verdampfung des Metalls durch Schattenmasken möglich. Noch günstiger sind Druckmethoden, die nach momentanem Stand der Technik Stegabstände in der Größenordnung von etwa 100 Mikrometer erlauben.

Um eine geschlossene Metallschicht zu bilden, müssen die Stege üblicherweise einige zehn Nanometer dick sein. Somit wird eine entsprechend große Unebenheit für die folgenden Schichten eingeführt, da diese ebenfalls Dicken im Bereich von etwa zehn bis hundert Nano- metern aufweisen. Es sollten daher eigentlich vermehrt Kurzschlüsse auftreten, was jedoch überraschenderweise bei unseren Versuchen nicht der Fall war.

Ebenfalls überraschend ist die Tatsache, dass trotz der mit den Stegen eingeführten Unebenheiten eine lateral homogen leuchtende organische Leuchtdiode auf solch eine Elektrode aufgebracht werden kann. Die in organischen Schichten normalerweise auftretenden raumla- dungsbegrenzten Ströme skalieren mit 1/d³ (d ist die Schichtdicke). Die Unebenheiten sollten sich daher eigentlich auch durch eine nicht homogen leuchtende Fläche bemerkbar machen, da die Helligkeit direkt proportional zum fließenden Strom ist. Dies ist jedoch mit dem bloßen Auge nicht zu beobachten, wie unsere Versuche gezeigt haben. Entscheidend für die Helligkeitsverteilung zwischen den Stegen ist nur die Leitfähigkeit der dotierten Fullerenschicht und der Abstand der Stege. Ist die Leitfähigkeit ausreichend groß und wird der Abstand der Steige geeignet gewählt, wirkt sich der Spannungsabfall nicht sichtbar auf die Helligkeit zwischen den Stegen aus.

Bei der angegebenen Materialkombination handelt es sich mit Fullerenen und organischen Dotanden um Materialien, welche mit denselben Verfahren aufgebracht werden können wie übliche Dünnschichten in organischen elektrolumineszenten Lichtemissionseinrichtungen.

Daher ist eine Aufbringung der dotierten Fullerenschicht im Anschluss an vorhergehend auf- gebrachte organische Dünnschichten ohne Unterbrechung des Produktionsflusses und ohne die vorangehend aufgebrachten Dünnschichten schützende Maßnahmen möglich.

In eine mit donatorartigen organischen Molekülen dotierte Fullerenschicht lassen sich Elekt- ronen aus einem Metall mit hoher Austrittsarbeit besser injizieren als in eine reine Fullerenschicht. Daher kann eine Injektionsschicht zwischen dem Metall und der dotierten Fullerenschicht, wie zum Beispiel LiF weggelassen werden, welche aufgrund der leicht möglichen Diffusion des Li in die Fullerenschicht oder auch durch die Fullerenschicht hindurch in angrenzende Schichten sowie durch die allgemein bekannte hohe Reaktivität des Li und die da- mit jeweils verbundenen unerwünschten oder nicht kontrollierbaren Effekte nachteilig ist. Somit ist eine mit donatorartigen organischen Molekülen dotierte Fullerenschicht vorteilhaft dafür geeignet, als Elektronen transportierende Schicht in einer elektrolumineszenten Lichtemissionseinrichtung zu funktionieren. Überraschend ist hierbei, dass dies trotz der eigentlich für übliche Emittermaterialien zu hohen Elektronenaffinität funktioniert, wie weiter unten in einem Beispiel gezeigt wird.

Eine wesentliche Vereinfachung der Struktur und somit des Herstellungsprozesses einer elektrolumineszenten Lichtemissionseinrichtung besteht darin, die dotierte Fullerenschicht sowohl in der Funktion als transparente Elektrode als auch in der Funktion als Elektronen transportierende Schicht zu verwenden, was damit gleichzusetzen ist, dass eine der genannten funktionalen Schichten weggelassen werden kann.

Für den Fall, dass die elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung mit sehr hohen Stromdichten betrieben werden soll, etwa, um in der Gesamtheit der in der Licht emittierenden Schicht vorhandenen Emittermoleküle eine Besetzungsinversion zu erreichen wie sie für stimulierte Emission nötig ist, ist es von Vorteil, eine dotierte Fullerenschicht als Ladungsträgertransportmaterial zu verwenden, da diese im Gegensatz zu anderen organischen Materialien aufgrund ihrer hohen effektiven Ladungsträgermobilität und Leitfähigkeit dazu in der Lage ist, sehr hohe Stromdichten zu tragen. Beschreibung von bevorzugten Ausfuhrungsbeispielen der Erfindung

Die Erfindung wird im Folgenden anhand von bevorzugten Ausfuhrungsbeispielen unter Bezugnahme auf Figuren einer Zeichnung näher erläutert. Hierbei zeigen: Fig. 1 eine schematische Darstellung einer elektrolumineszenten Lichtemissionseinrichtung; Fig. 2 eine schematische Darstellung einer elektrolumineszenten Lichtemissionseinrichtung in Draufsicht, bei der mittels einer Fullerenschicht eine Elektrode ausgeführt ist; Fig. 3 eine grafische Darstellung der Stromdichte und der Helligkeit in Abhängigkeit von der Spannung für eine elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung nach einem

Beispiel Ia;

Fig. 4 eine grafische Darstellung der externen Quanteneffizienz in Abhängigkeit von der Helligkeit für die elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung nach dem Beispiel Ia; Fig. 5 eine experimentelle Lichtemissionseinrichtung;

Fig. 6 eine schematische Darstellung einer Anordnung gestapelter organischer Leuchtdioden;

Fig. 7 eine grafische Darstellung der Stromdichte und der Helligkeit in Abhängigkeit von der Spannung für eine elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung nach einem Beispiel 2a; und

Fig. 8 eine grafische Darstellung der externen Quanteneffizienz in Abhängigkeit von der Helligkeit für die elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung nach Beispiel 2a.

Erfindungsgemäße vorteilhafte Ausgestaltungen beinhalten jeweils eine Abfolge von Schich- ten:

Ausführungsbeispiel 1 (Fullerenschicht als Elektrode):

1. Transparentes Glassubstrat

2. Metallstreifen, Abstände 450μm, Breiten 50μm 3. mit organischen donatorartigen Molekülen dotierte Fullerenschicht

4. nicht geschlossene Goldschicht, mittlere Dicke lnm

5. Löchertransportschicht

6. Elektronenblockschicht 7. Licht emittierende Schicht

8. Löcherblockschicht

9. Elektronentransportschicht

10. Aluminiumkathode

Zur Veranschaulichung zeigt Fig. 2 eine Draufsicht dieser Anordnung. Die Anordnung emittiert bei angelegter Spannung (Pluspol an die Metallstreifen 1 , Minuspol an die Aluminiumkathode 3) Licht durch das Glassubstrat. Eine leuchtende Fläche 4 (schraffiert) ist durch den lateralen Überlapp zwischen einer Aluminiumelektrode und einer dotierter Fullerenschicht 2 bestimmt. Ist die Leitfähigkeit von der dotierten Fullerenschicht 2 größer als 0,5 S/cm, dann erscheint die Helligkeit der leuchtenden Fläche 4 dem Betrachter mit bloßem Auge homogen. Die nicht geschlossene Goldschicht (4. Schicht der Anordnung) dient nur der Verbesserung der Strom-Spannungs-Charakteristik des Bauteils und kann ohne Beeinträchtigung der wesentlichen Merkmale der Erfindung weggelassen werden.

Beispiel Ia (zu Ausführungsbeispiel 1):

1. Transparentes Glassubstrat

2. Chromstreifen, Abstände 450μm, Breiten 50μm, Dicke lOnm 3. 30nm C₆₀ dotiert mit 2 mol% [Ru(t-butyl-trpy)₂]°

4. nominell lnm Gold (keine geschlossene Schicht)

5. 95nm MeO-TPD dotiert mit 4 mol% F₄-TCNQ

6. lOnm Spiro-TAD

7. 20nm BAIq dotiert mit 20 Gewichts-% Ir(piq)₃ 8. lOnm BPhen

9. 65nm BPhen dotiert mit Cs

10. lOOnm Al

Die Leitfähigkeit der Schicht 3. betrug weniger als 0,5 S/cm. Somit ist der Spannungsabfall zwischen den Stegen so groß, dass auch ein Helligkeitsabfall in den Zwischenräumen zu sehen ist, wie Fig. 5 zeigt. In den Fig. 3 und 4 sind weiterhin Kenndaten zu diesem Beispiel gezeigt. Ausfiihmngsbeispiel 2 (Fullerenschicht als Elektronenleitschicht):

1. Transparentes Glassubstrat

2. ITO Anode

3. Löchertransportschicht 4. Elektronenblockschicht

5. Licht emittierende Schicht

6. Löcher- und Exzitonenblockschicht

7. mit organischen donatorartigen Molekülen dotierte Fullerenschicht

8. Aluminiumkathode

In dieser Anordnung wird die dotierte Fullerenschicht als Elektronentransporschicht verwendet. Bei Anlegen einer Spannung (Pluspol an die Anode, Minuspol an die Kathode) emittiert die Anordnung Licht durch das Glassubstrat. Die Aluminiumkathode kann auch weggelassen werden und der Minuspol an die dotierte Fullerenschicht angelegt werden. Diese Anordnung emittiert dann Licht sowohl durch das Glassubstrat als auch durch die gegenüberliegende Seite der Anordnung. Außerdem ist die Anordnung ohne angelegte Spannung transparent.

Beispiel 2a (zu Ausführungsbeispiel 2):

1. Transparentes Glassubstrat

2. Anode aus ITO

3. 60nm MeO-TPD dotiert mit 4 mol% F₄-TCNQ

4. lOnm Spiro-TAD

5. 20nm BAIq dotiert mit 20 Gewichts-% Ir(piq)₃ 6. lOnm BPhen

7. 50nm C₆₀ dotiert mit 4 mol% AOB

8. lOOnm Al

In dieser Anordnung ist BPhen als Löcher- und Exzitonenblockschicht gebildet. Mit etwa 3 eV hat BPhen eine um etwa 0,9 eV kleinere Elektronenaffinität als C₆₀, was sich in einer entsprechend hohen Barriere für Elektronen bemerkbar machen sollte. Dennoch zeigt die Anordnung nach dem Beispiel 2a überraschenderweise sehr gute Parameter, wie Kenndaten in den Fig. 7 und 8 zeigen. Aus einer Kombination der Ausführungsbeispiele 1 und 2 lassen sich weitere vorteilhafte Ausgestaltungen ableiten.

Ausfuhrungsbeispiel 3 (Fullerenschicht als Elektrode auf beiden Seiten, transparente organische Leuchtdiode):

1. Transparentes Glassubstrat

2. Metallstreifen, Abstände 450μm, Breiten 50μm

3. mit organischen donatorartigen Molekülen dotierte Fullerenschicht 4. Löchertransportschicht

5. Elektronenblockschicht

6. Licht emittierende Schicht

7. Löcher- und Exzitonenblockschicht

8. mit organischen donatorartigen Molekülen dotierte Fullerenschicht 9. Metallstreifen, Abstände 450μm, Breiten 50μm

Ausführungsbeispiel 4 (gestapelte organische Leuchtdiode, Fullerenschicht als transparente Zwischenelektrode) :

1. Transparentes Glassubstrat

2. ITO

3. erste organische Leuchtdiode

4. Metallstreifen

5. dotierte Fullerenschicht 6. zweite organische Leuchtdiode 7. Aluminiumkathode

Die Stapelung kann natürlich auf mehrere Leuchtdioden erweitert werden, wobei die Metallstreifen zusammen mit der dotierten Fullerenschicht jeweils als transparente Zwischenelekt- rode funktionieren. Die einzelnen Leuchtdioden, welche jeweils Licht unterschiedlicher Farbe emittieren können, lassen sich separat adressieren, wenn man auch die Zwischenelektroden auf geeignete Potentiale legt. Dies wurde bereits in dem Dokument US 5,917,280 gezeigt, wo hierfür auch ein Ansteuerungsschema vorschlagen wird. Diese separate Adressierung ist so- wohl für Displayanwendungen wegen der mit der Stapelung erreichbaren höheren Pixeldichte als auch für Beleuchtungszwecke wegen der Einstellbarkeit der Farbe der Lichtquelle interessant.

Eine besondere Herausforderung ist in diesem Ausführungsbeispiel das Herausführen der Metallstreifen aus dem Stapel und deren stabile Kontaktierung, ohne dabei Kurzschlüsse zu den anderen Elektroden zu verursachen. Dazu ist in Fig. 6 eine Anordnung in Draufsicht gezeigt, die diese Probleme umgeht, indem Zwischenelektroden zu verschiedenen Seiten des Stapels herausgeführt werden. So werden Kurzschlüsse zwischen den einzelnen Elektroden vermieden. Hierbei werden die folgenden Bezugszeichen verwendet: 100a, 100b, 100c - Kontakte; 200 - transparente Anode, zum Beispiel aus ITO; 300a - transparente Zwischenelektrode, bestehend aus Metallstreifen und dotierter Fullerenschicht; 300b - dicke Metallschicht zur Kontaktierung der transparenten Zwischenelektrode 300a mit dem Kontakt 100b; 400a - erste organische Leuchtdiode; 400b - zweite organische Leuchtdiode; 500 - Kathode, zum Beispiel aus Aluminium und 600 (schraffiert) - Überlappbereich der Elektroden, leuchtende Fläche.

Mit der Zahl der gestapelten organischen Leuchtdioden nimmt auch die Höhe der Stufe zu, welche von den herausgeführten Elektroden überwunden werden muss, da der eigentliche Kontakt üblicherweise direkt auf dem Substrat aufgebracht ist.

Da die Metallstreifen jedoch nur einige 10 Nanometer dick sein dürfen, entsteht mit zunehmender Höhe die Gefahr, dass die Streifen nicht mehr durchgängig sind, wenn sie über die Stufe führen. Dies wird in der vorgestellten Anordnung derart behoben, dass die Metallstreifen zwar aus dem Überlappungsbereich der Elektroden herausgehen, aber nicht über die da- runterliegenden organischen Schichten hinaus. Darauf wird dann eine dicke Metallschicht aufgebracht, welche die Stufe überwindet und bis zum eigentlichen Kontakt führt.

Die Ausweitung auf mehr als zwei übereinander gestapelte organische Leuchtdioden ist dadurch möglich, dass die jeweils hinzukommenden Zwischenelektroden nach anderen Seiten des Stapels gemäß der vorangehenden Erläuterung herausgeführt und kontaktiert werden. Speziell für den Fall, dass mehr als vier Elektroden und Zwischenelektroden kontaktiert werden sollen, kann es vorteilhaft sein, die organischen Schichten anstatt in rechteckiger Form in mehrseitiger Form aufzubringen, um für jede zu kontaktierende Elektrode eine möglichst kurze Kantenlinie der zu überwindenden Stufe zu ermöglichen.

Die in der vorstehenden Beschreibung, den Ansprüchen und den Zeichnungen offenbarten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln als auch in beliebiger Kombination für die Verwirklichung der Erfindung in ihren verschiedenen Ausführungsformen von Bedeutung sein.

Claims

Ansprüche

1. Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung mit einer Anordnung organischer Schichten, die auf einem Substrat aufgebracht sind, wobei die Anordnung organischer Schichten die folgenden Schichten umfasst:

- mindestens eine Ladungsträgertransportschicht aus organischem Material und

- mindestens eine Licht emittierende Schicht aus organischem Material, dadurch gekennzeichnet, dass die Anordnung organischer Schichten mindestens eine dotierte Fullerenschicht umfasst, welche eine die elektrische Leitfähigkeit erhöhende Dotierung aufweist.

2. Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine dotierte Fullerenschicht mit organischen Molekülen dotiert ist.

3. Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch mindestens eine Metallschicht, die in direktem Kontakt mit der mindestens einen dotierten Fullerenschicht mindestens eine Metallschicht gebildet ist.

4. Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Metallschicht strukturiert ist.

5. Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Metallschicht mittels eines Druckverfahrens strukturiert gebildet ist.

6. Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mit der mindestens einen dotierten Fullerenschicht eine flächige Elektrode gebildet ist.

7. Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mit der mindestens einen dotierten Fullerenschicht die mindestens eine Ladungsträgertransportschicht gebildet ist.

8. Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine dotierte Fullerenschicht als eine Elektronentrans- portschicht gebildet ist.

9. Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der mindestens einen Ladungsträgertransportschicht und der mindestens einen Licht emittierenden Schicht eine Schicht angeordnet ist, welche eine Exzitonenenergie aufweist, die größer ist als eine Exzitonenenergie der mindestens einen Licht emittierenden Schicht, so daß Exzitonen aus der mindestens einen Licht emittierenden Schicht von der Schicht blockiert werden.

10. Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Anordnung organischer Schichten eine Injektionsschicht umfasst.

11. Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Injektionsschicht aus einem Salz von Cs oder einem Salz von Li ist, insbesondere LiF oder CsF.

12. Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Ladungsträgertransportschicht dotiert ist.

13. Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die mindestens eine dotierte Fullerenschicht in direktem Kontakt mit der mindestens einen Ladungsträgertransportschicht gebildet ist, wobei die mindestens eine Ladungsträgertransportschicht aus einem von Fulleren verschiedenen Wirtsmaterial gebildet ist.

14. Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine vertikal gestapelte Anordnung mehrerer organischer Leuchtdioden gebildet ist und dass mit der mindestens einen dotierten FuI- lerenschicht mindestens eine transparente Zwischenelektrode in der vertikal gestapelten Anordnung gebildet ist.

15. Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine transparente Zwischenelektrode auf einem von außen wählbaren elektrischen Potential liegt.

16. Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung nach Anspruch 14 oder 15, gekennzeichnet durch mehrere transparente Zwischenelektroden, die jeweils nach einer anderen Seite der vertikal gestapelten Anordnung organischer Leuchtdioden herausgeführt sind.

17. Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine dotierte Fullerenschicht mittels Coverdampfen eines Fullerens mit einer Dotiersubstanz aufgebracht ist.

18. Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine dotierte Fullerenschicht als eine Stromverteilungsschicht gebildet ist, die konfiguriert ist, Ladungsträger von einer wahlweise als Kathode oder als Anode ausgeführten Elektrode zu Bereichen der mindestens einen Licht emittierende Schicht zu transportieren, die mit der Elektrode nicht-überlappend gebildet sind.

19. Elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die mit der Elektrode nicht-überlappend gebildeten Bereiche der mindestens einen Licht emittierende Schicht sich zumindest teilweise unterhalb von Ausnehmungen in der Elektrode angeordnet sind.

20. Verfahren zum Herstellen einer elektrolumineszente Lichtemissionseinrichtung, bei dem auf einem Substrat eine Anordnung organischer Schichten aufgebracht wird, wobei die Anordnung organischer Schichten mit mindestens einer Ladungsträgertransportschicht aus organischem Material und mindestens einer Licht emittierenden Schicht aus organischem Material gebildet wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Anord- nung organischer Schichten mit mindestens einer dotierter Fullerenschicht gebildet wird, welche eine die elektrische Leitfähigkeit erhöhende Dotierung aufweist.

21. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine dotierte Fullerenschicht mit organischen Molekülen dotiert ist.

22. Verfahren nach Anspruch 20 oder 21 , dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Metallschicht in direktem Kontakt mit der mindestens einen dotierten Fullerenschicht mindestens gebildet wird.

23. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Metallschicht strukturiert gebildet wird.

24. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Metallschicht mittels eines Druckverfahrens strukturiert gebildet wird.

25. Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass mit der mindestens einen dotierten Fullerenschicht eine flächige Elektrode gebildet wird.

26. Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass mit der mindestens einen dotierten Fullerenschicht die mindestens eine Ladungsträgertransportschicht gebildet wird.

27. Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine dotierte Fullerenschicht als eine Elektronentransportschicht gebildet wird.

28. Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 27, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der mindestens einen Ladungsträgertransportschicht und der mindestens einen Licht emittierenden Schicht eine Schicht gebildet wird, welche eine Exzitonenenergie aufweist, die größer ist als eine Exzitonenenergie der mindestens einen Licht emittierenden Schicht, so daß Exzitonen aus der mindestens einen Licht emittierenden Schicht von der Schicht blockiert werden.

29. Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 28, dadurch gekennzeichnet, dass in der Anordnung organischer Schichten eine Injektionsschicht gebildet wird, die wahlweise aus einem Salz von Cs oder einem Salz von Li gebildet wird, insbesondere LiF oder CsF.

30. Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 29, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Ladungsträgertransportschicht dotiert wird, die wahlweise in direktem Kontakt mit der mindestens einen Ladungsträgertransportschicht aufgebracht wird, wobei die mindestens eine Ladungsträgertransportschicht aus einem von Fulleren verschiedenen Wirtsmaterial gebildet wird.

31. Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 30, dadurch gekennzeichnet, dass eine vertikal gestapelte Anordnung mehrerer organischer Leuchtdioden gebildet wird und daß mit der mindestens einen dotierten Fullerenschicht mindestens eine transparente Zwischenelektrode in der vertikal gestapelten Anordnung gebildet wird.

32. Verfahren nach Anspruch 31 , dadurch gekennzeichnet, dass mehrere transparente Zwischenelektroden gebildet werden, die jeweils nach einer anderen Seite der vertikal gestapelten Anordnung organischer Leuchtdioden herausgeführt werden.

33. Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 32, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine dotierte Fullerenschicht mittels Coverdampfen eines Fullerens mit einer Dotiersubstanz aufgebracht wird.

34. Verfahren nach einem der Ansprüche 20 bis 33, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat beim Bilden der mindestens einen dotierten Fullerenschicht auf einer Temperatur von > 30°C gehalten wird, vorzugsweise auf einer Temperatur von > 80 °C.