WO2006095577A1 - 金属材料およびその製造方法、薄膜装置およびその製造方法、素子側基板およびその製造方法、液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

金属材料およびその製造方法、薄膜装置およびその製造方法、素子側基板およびその製造方法、液晶表示装置およびその製造方法 Download PDF

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WO2006095577A1
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Tetsuo Fujita
Masafumi Ogura
Mitsunori Harada
Hijiri Nakahara
Yoshiharu Kataoka
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Sharp Kabushiki Kaisha
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Definitions

  • Metal material and manufacturing method thereof thin film device and manufacturing method thereof, element side substrate and manufacturing method thereof, liquid crystal display device and manufacturing method thereof
  • the present invention relates to a metal material and a manufacturing method thereof, a thin film device using the metal material as a metal thin film material and a manufacturing method thereof, and using the metal material as a reflective metal electrode to display a reflective display using ambient light as illumination.
  • TECHNICAL FIELD The present invention relates to an element-side substrate having a reflective portion to be performed and a transmissive portion to perform transmissive display using illumination as a backlight, a manufacturing method thereof, a transflective liquid crystal display device using the same, and a manufacturing method thereof .
  • liquid crystal display devices are used in display units of electronic information devices such as portable telephones, PDAs (Personal Digital Assistance), and notebook personal computers.
  • This liquid crystal display device has a liquid crystal display panel in which a liquid crystal layer is sandwiched between a pair of substrates, and a display voltage is applied between electrodes provided on both substrates to align liquid crystal molecules in the liquid crystal layer. By changing the state and scattering 'transmitting light', a 'character' figure is displayed.
  • this liquid crystal display panel does not emit light itself, and therefore uses a light transmitting material as a pixel electrode.
  • a transmissive liquid crystal display device that displays an image by controlling the amount of light transmitted from a backlight provided on the back side of the liquid crystal display panel with the liquid crystal panel is generally used.
  • the transmissive liquid crystal display device since the backlight usually occupies 50% or more of the total power consumption of the liquid crystal display device, there is a problem that the power consumption increases by providing the backlight. is there.
  • the transmissive liquid crystal display device has a problem that when the ambient light is very bright, the display light looks darker than the ambient light, making it difficult to recognize the display.
  • a reflective liquid crystal display device is used in which a reflective plate is provided in place of the knock light, or a light reflecting material is used as a pixel electrode to reflect ambient light from the front side force of the liquid crystal display panel. Yes.
  • the conventional reflective liquid crystal display device uses the reflected light of the ambient light, there is a problem that the visibility is extremely lowered when the ambient light is small.
  • reflective liquid crystal display devices display using ambient light for the purpose of low power consumption, the ambient light is darker than a predetermined limit even in an environment where sufficient power can be supplied. Has a problem that the display cannot be recognized.
  • a transmissive display and a reflective display are provided by providing a transmissive part and a reflective part in one pixel.
  • a transflective liquid crystal display device that can be used is used!
  • a conventional transflective liquid crystal display device includes a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix, and an element side provided with switching elements such as TFTs (thin film transistors) for selectively driving the pixel electrodes.
  • a liquid crystal display panel in which liquid crystal is sealed is provided between the substrate and a counter-side substrate provided with a counter electrode facing the plurality of pixel electrodes.
  • This pixel electrode is composed of a reflective electrode that reflects ambient light and a transmissive electrode that transmits light from the backlight, and the ambient light is reflected by the reflective electrode and applied to the liquid crystal layer. The incident light is transmitted through the transmissive electrode and irradiated onto the liquid crystal layer.
  • the transmissive electrode and the reflective electrode are made of different metal materials, and their electrical properties are different, so that the bias electric field generated inside the liquid crystal is canceled out. Therefore, the optimum DC offset voltage (optimum counter voltage) applied differs between the transmissive electrode and the reflective electrode.
  • a transparent electrode material layer having a work function equivalent to that of the counter electrode is formed on a reflective electrode having an aluminum force via an insulating layer, and this transparent electrode material layer is formed in a transmission region.
  • a transflective liquid crystal display device formed as a transparent electrode is disclosed.
  • Patent Document 2 and Patent Document 3 also disclose a reflective liquid crystal display device in which a transparent electrode material layer having a work function equivalent to that of a counter electrode is formed on a reflective electrode.
  • a direct current offset is generated by forming a transparent electrode material layer having a work function equivalent to that of the counter electrode on the reflective electrode, resulting in a difference in work function with the counter electrode.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-255375 (page 3 to page 5)
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 10-206845
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 2002-365664
  • the present invention solves the above-described conventional problems, and eliminates the difference in work function between different metal thin films by using a metal material and a method for manufacturing the same that can control the work function by at least a predetermined value.
  • the work function is controlled by at least a predetermined value by plasma treatment, whereby the above-described object is achieved.
  • the method for producing an electrode material of the present invention controls the work function by at least a predetermined value by plasma treatment, and thereby achieves the above object.
  • the plasma treatment in the method for producing an electrode material of the present invention is performed using a fluorine-based gas.
  • the predetermined value in the method for producing an electrode material of the present invention is 0. leV, and the work function is controlled in a range of 0. leV to leV.
  • the predetermined value in the method for producing an electrode material of the present invention is 0. leV, and the work function is controlled in a range of 0. leV to 0.6 eV.
  • the plasma treatment is performed on a metal material having a material strength including aluminum or the aluminum in the method for producing an electrode material of the present invention to change a work function of the metal material. .
  • the thin film device of the present invention at least two types of metal films are provided adjacent to each other, and at least one of the two types of metal films has a work function controlled by plasma processing by at least a predetermined value.
  • the work functions of the two types of metal films are changed so that the same force or the difference between them is approached, thereby achieving the above objective.
  • the two types of the two types of metal films that are partially connected to the other of the two types of metal films via an insulating film on part or all of the other of the two types of metal films.
  • One of the metal films is provided, and each region of the two types of metal films is adjacent in plan view.
  • one of the two types of metal film in the thin film device of the present invention is aluminum or a material carrier containing the aluminum, and the other of the two types of metal film is indium oxide.
  • the method of manufacturing a thin film device of the present invention includes a step of forming the other metal film, a step of forming one metal film, and performing plasma treatment on the one metal film to thereby form the one metal film. Controlling the work function of the film and the other metal film so that the same force or a difference thereof approaches. This achieves the above object.
  • the step of forming the one metal film may be performed on the other metal film via an insulating film on a part or all of the other metal film. A part of the metal film is formed so as to be adjacent to the other metal film region in plan view.
  • the plasma treatment in the method for manufacturing a thin film device of the present invention is performed using a fluorine-based gas.
  • one metal film is made of aluminum or a material force containing the aluminum, and the other metal film is made of indium oxide, zinc oxide, tin oxide, oxide. Indium tin or indium zinc oxide is used.
  • the predetermined value in the method for manufacturing a thin film device of the present invention is 0. leV, and the work function is controlled in a range of 0. leV to leV.
  • the predetermined value in the method of manufacturing a thin film device of the present invention is 0. leV, and the work function is controlled in a range of 0. leV to 0.6 eV.
  • the element-side substrate of the present invention is an element-side substrate in which a plurality of pixel electrodes each having a reflective electrode that reflects light and a transmissive electrode that transmits light are two-dimensionally arranged.
  • One metal film of the thin film device of the invention, and the transmissive electrode is the other metal film of the thin film device, whereby the above object is achieved.
  • the difference between the work function of the reflective electrode and the work function of the transmissive electrode in the element-side substrate of the present invention is controlled within ⁇ 0.2 eV.
  • the reflective electrode in the element side substrate of the present invention is formed of a laminated film, and the upper layer thereof is made of aluminum or a metal material containing aluminum.
  • the lower layer of the reflective electrode in the element-side substrate of the present invention is composed of a refractory metal layer.
  • the lower layer of the reflective electrode in the element side substrate of the present invention is made of an electrolytic corrosion prevention film.
  • the element-side substrate of the present invention and a counter-side substrate on which a counter electrode facing the pixel electrode is formed are arranged to face each other with a predetermined gap therebetween. Liquid crystal is enclosed in the liquid crystal so that the above object is achieved.
  • the element side substrate manufacturing method of the present invention includes a reflective electrode that reflects light and a transmission that transmits light.
  • the switching elements are formed on the substrate.
  • a switching element forming step, an insulating film formed on the switching element formed during the switching element forming step and a transmissive electrode connected to the drain electrode, and a reflective electrode formed on the insulating film The reflective electrode forming step and a plasma treatment step of performing plasma treatment on the reflective electrode to control the work function of the reflective electrode by at least a predetermined value, thereby achieving the above object.
  • the switching element forming step in the element side substrate manufacturing method of the present invention includes forming a gate wiring and a gate electrode branched therefrom on the substrate, and forming a gate insulating film on the gate electrode.
  • Forming a semiconductor layer on the gate insulating film so as to correspond to the gate electrode, and a source region of the semiconductor layer with a space between the semiconductor layer to be a channel region Forming a source electrode that partially overlaps with the source wiring force and a drain electrode that partially overlaps the drain region of the semiconductor layer and that is connected to the transmissive electrode and the transmissive electrode.
  • the reflective electrode forming step in the element side substrate manufacturing method of the present invention includes a step of forming a contact hole reaching the transmissive electrode in the insulating film, and a step of filling the contact hole.
  • the plasma treatment step in the element side substrate manufacturing method of the present invention is performed after the metal material film forming step or after the etching removal step.
  • the plasma treatment process is performed under the plasma conditions, the gas flow ratio (fluorine gas Z oxygen) is 500 [sccm] ZO [sccm] to 150 [sccm] Z350 [sccm], power 1500 [W], pressure 80 [mTrr], processing time is 5 [s] to 30 [s], and plasma processing is performed in reactive ion etching mode or plasma etching mode.
  • the metal material of the reflective electrode in the method for producing an element-side substrate of the present invention When the material is aluminum or a metal material containing the aluminum, a fluorine-based gas is used for the plasma treatment.
  • the fluorine-based gas in the method for producing an element-side substrate of the present invention is CF or SF.
  • the plasma processing step in the element side substrate manufacturing method of the present invention optimizes the plasma conditions so as not to cause a decrease in the reflectance of the metal material surface of the reflective electrode. Do.
  • a method for manufacturing a liquid crystal display device includes a device-side substrate manufactured by the method for manufacturing an element-side substrate according to the present invention, and a pixel electrode composed of a reflective electrode and a transmissive electrode on the device-side substrate.
  • the counter-side substrate on which the counter electrode is formed is arranged opposite to each other at a predetermined interval, and a liquid crystal is sealed in the gap between the two substrates to produce a transflective liquid crystal display device.
  • the work function of the metal material is controlled by at least a predetermined value by plasma treatment.
  • this metal material for one of the metal thin films it is possible to eliminate or approximate the work function difference between different metal thin films.
  • this metal material for the reflective electrode of a transflective liquid crystal display device it becomes possible to eliminate or approximate the work function difference between the reflective electrode and the transparent electrode.
  • the work function is controlled from the original value within the range of 0. leV to 0.6 eV or 0. leV to 1. OeV. It becomes possible. If the work function changes by more than the original value of 0.leV, the difference in work function between different metal thin films can be made closer to that, which has the effect of improving image quality. Also, there is a limit to changing the work function from the original value by 1. OeV or more.
  • a pixel electrode having a reflective electrode and a transmissive electrode is provided on an element-side substrate, and light incident from the outside and reflected by the reflective electrode, or a knock light Is emitted from the transmissive electrode through the transmissive electrode.
  • the liquid crystal part (pixel) sandwiched between the two electrodes becomes dark or bright.
  • the work function of the uppermost layer of the reflective electrode is controlled by plasma treatment, By setting the difference from the work function of the transmissive electrode within ⁇ 0.2 eV, the difference between the DC offset voltage optimal for the reflective electrode and the DC offset voltage optimal for the transmissive electrode becomes smaller, and the image quality is improved. It becomes possible to do.
  • the reflective electrode and the transmissive electrode may be a single layer film or a laminated film.
  • Aluminum (A1) or a material containing aluminum (such as an aluminum alloy) can be used for the reflective electrode that controls the work function by plasma treatment or the uppermost layer thereof.
  • the reflective electrode is a laminated film
  • contact with the A1 film and the ITO film is caused by a resist developer or etchant by forming a high melting point metal layer such as molybdenum (Mo) in the lower layer. It becomes possible to prevent this.
  • This plasma treatment is applied to CF
  • the metal material is subjected to plasma treatment so that the work function is at least a predetermined value (range of 0. leV to 0.6 eV or 0. leV to 1. OeV. ) Can only be controlled.
  • a predetermined value range of 0. leV to 0.6 eV or 0. leV to 1. OeV.
  • the reflective electrode and the transparent electrode Flickering can be achieved by reducing or eliminating the difference between the DC offset voltage optimal for the reflective electrode and the DC offset voltage optimal for the transmissive electrode.
  • a liquid crystal display device with good image quality can be produced.
  • unnecessary film lamination is not performed on the reflective electrode as in the prior art, there are no problems such as an increase in the number of manufacturing steps and a decrease in the optical performance of the liquid crystal display device!
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration example of a main part of a transflective liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
  • 2 is a plan view showing a configuration example for one pixel in the liquid crystal display panel 2 of FIG. 1.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration example of a main part of a transflective liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
  • 2 is a plan view showing a configuration example for one pixel in the liquid crystal display panel 2 of FIG. 1.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG.
  • FIG. 4 (a) to (c) are cross-sectional views of relevant parts for explaining a reflective electrode forming step (part 1) in the element-side substrate of FIG.
  • FIGS. 5 (d) to 5 (f) are cross-sectional views of relevant parts for explaining a reflective electrode formation step (part 2) in the element-side substrate of FIG.
  • the metal material of the present invention in which the work function is controlled by plasma processing at least by a predetermined value and the manufacturing method thereof, the thin film apparatus using the metal material as a metal thin film material, and the manufacturing method thereof are implemented.
  • the embodiment is applied to an element side substrate and a transflective liquid crystal display device using the manufacturing method and a manufacturing method thereof will be described in detail with reference to the drawings.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration example of a main part of a transflective liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
  • a transflective liquid crystal display device 1 has a backlight 3 disposed on the back side of a liquid crystal display panel 2.
  • the backlight 3 includes a light source 4 and a light guide plate 5 having an end face opposed to the light source 4, and light emitted from the light source 4 enters the light guide plate 5 through the end face of the light guide plate 5.
  • Light that propagates and exceeds the critical angle is emitted from the emission surface 5a (upward in FIG. 1), and the back side force of the liquid crystal display panel 2 is also irradiated with light.
  • the element side substrate 6 and the counter substrate 7 are arranged to face each other at a predetermined interval, and the liquid crystal 8 is sealed in the gap between the substrates 6 and 7, and the periphery is sealed. Bonded with material 9.
  • the element-side substrate 6 has a plurality of pixel portions arranged in a matrix on a glass substrate 61.
  • Each pixel portion has a pixel electrode 64 including a reflective electrode 62 and a transmissive electrode 63.
  • Each pixel electrode 64 has a half of TFT or the like as a switching element for selectively driving each pixel portion.
  • Conductive element 65 is connected.
  • the reflective electrode 62 and the transmissive electrode 63 are thin film devices in which two kinds of metal films are provided adjacent to each other, and the work function of the reflective electrode 62 is increased by a predetermined value (0.5 eV) by plasma treatment.
  • the work function difference between the reflective electrode 62 and the transmissive electrode 63 is controlled within ⁇ 0.2 eV.
  • the difference between the optimum DC offset voltage for the reflective electrode 62 and the optimum DC offset voltage for the transmissive electrode 63 becomes smaller, and there is no flickering of the display and the image quality is improved.
  • the counter substrate 7 is a counter electrode facing the pixel electrode 64 of the element side substrate 6 on the glass substrate 71.
  • Each surface of the pixel electrode 64 and the counter electrode 72 has a liquid crystal 8 orientation.
  • An alignment film (not shown) for controlling the state is provided, and the liquid crystal 8 is, for example, 90 °
  • a retardation plate 10 and a polarizing plate 11 are provided on the upper surface side of the counter substrate 7.
  • FIG. 2 is a plan view showing a configuration example for one pixel in the liquid crystal display panel 2 of FIG.
  • the element side substrate 6 has a plurality of source lines (video signal lines) 66 and a plurality of gate lines (scanning signal lines) 67 intersecting (orthogonal) on a glass substrate 61. And are connected to each driver (not shown).
  • the semiconductor element 65 is formed near the intersection of the source line 66 and the gate line 67, the source region S of the semiconductor element 65 is connected to the source line 66, and the gate G of the semiconductor element 65 is connected to the gate line 67.
  • the drain region D of the semiconductor element 65 is connected to the pixel electrode 64 and is connected to a liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 64 and the counter electrode 72.
  • each semiconductor element 65 is supplied with a scanning signal of Hi level or Low level via the gate line 67 as well as a gate driver (not shown), and the source region S is not shown!
  • Source drivers are also supplied with video signals via source line 66 The When the potential of the gate G becomes Hi level (scanning signal), the semiconductor element 65 becomes conductive, and the video signal is written into the liquid crystal capacitor via the pixel electrode 64.
  • a black matrix 68 is provided on the glass substrate 71 of the counter substrate 7 so as to face the source line 66 and the gate line 67, and the black matrix 68 shields light between the pixel portions. ! /
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 2, and shows a stacked structure of the semiconductor element 65 including the peripheral portion.
  • a gate line 67 having a tantalum (Ta) force having a film thickness of about 3000 angstroms and a gate G branching this force are formed on a glass substrate 61.
  • a gate insulating film 691 having a silicon nitride (SiNx) force of about 4100 angstroms is formed on the gate line 67 and the gate G.
  • the semiconductor layer 651 which is the channel region of the semiconductor element 65, has a P-type silicon (Si) force with a film thickness of about 1500 angstroms, and is interposed via the gate insulating film 691 so as to correspond to the gate G. Is formed.
  • Si P-type silicon
  • Each of the source region S and the drain region D of the semiconductor element 65 is composed of an n + layer having a film thickness of about 500 angstroms, and is formed so as to partially overlap the semiconductor layer 651 with a gap therebetween. ing.
  • a source electrode (source region S) connected from the source line 66 is formed on the source region S of the semiconductor element 65. Further, a drain electrode (drain region D) connected to the transmissive electrode 63 is formed on the drain region D of the semiconductor element 65.
  • Source electrode (source region S), drain electrode (drain region D), and transmissive electrode 63 are simultaneously formed of TaZlTO with a film thickness of about 4500 angstroms.
  • an interlayer insulating film 692 having a film thickness of about 3000 angstroms and having a SiNx layer force is formed.
  • a concavo-convex formed insulating film 693 having an uneven surface is formed by an organic film layer having a thickness of about.
  • a part of the insulating film 693 is formed as a reflective electrode made of A1 (aluminum-umium) having a film thickness of 500 angstroms to 1500 angstroms. Is formed.
  • the reflective electrode 62 is electrically connected to the transmissive electrode 63 through a contact hole 62a described later.
  • the reflective electrode 62 has a Mo layer (not shown) under the A1 layer.
  • FIG. 4 (a) to FIG. 4 (c) and FIG. 5 (d) to FIG. 5 (f) are main parts for explaining the process of forming the reflective electrode 62 on the element side substrate 6 of FIG. It is sectional drawing.
  • a reflective electrode material to be the reflective electrode 62 is formed on the unevenness forming insulating film 693.
  • a Mo film 621 having a film thickness of 500 angstroms to 1000 angstroms is formed, and an A1 film 622 is formed thereon as a reflective film by a DC magnetron sputtering apparatus.
  • a contact hole 62a is formed in advance by etching or the like.
  • the A1 film 622 and the Mo film 621 are also formed on the transmissive electrode 63 through the contact hole 62a, whereby the reflective electrode 62 and the transmissive electrode 63 are electrically connected through the contact hole 62a. .
  • the Mo film 621 is used as an electrolytic corrosion prevention film to prevent electrical corrosion due to resist developing solution or etching solution in the next process with the 8th film 622 and the 1 film 0 film 63.
  • Other refractory metal layers may be formed.
  • a resist 694 is applied on the A1 film 622.
  • a material containing novolac resin is applied as the resist 694 with a thickness of about 2.0 / ⁇ ⁇ to 2.4 ⁇ m.
  • the resist 694 is irradiated with light through the reticle 695 on which a predetermined pattern is formed. As a result, if the resist 694 is positive,
  • a portion where the resist 694 is removed is exposed to form a transmission portion indicated by an arrow B in FIG. Further, when the resist 694 is a negative type, a portion where the resist 694 is left is exposed.
  • the substrate to be processed is immersed in a developer, and the exposed portion (positive type) or the non-exposed portion (negative type) of the resist 694 is removed. This makes the resist 694a is left.
  • an alkaline solution of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) 2.38% is used as the developer.
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • the Mo film 621 which is an electrolytic corrosion prevention film, is immersed in an etching solution and etched.
  • an etching solution is used that has a mixed solution strength of phosphoric acid concentration 50 wt% to 80 wt%, nitric acid concentration 0.5 wt% to 10 wt%, acetic acid concentration 10 wt% or less, and water. If the phosphoric acid concentration is less than 50 wt%, the etching rate of the Mo film 621 becomes slow and the man-hour increases. In addition, if the phosphoric acid concentration exceeds 80 wt%, the etching speed increases and it becomes difficult to control the line width. Further, when the nitric acid concentration is less than 0.5%, the etching rate of the Mo film 621 becomes slow and the man-hour increases.
  • the substrate to be processed is immersed in a predetermined alkaline stripping solution to strip the resist 694a.
  • the reflective electrodes 62 whose surface is made of A1 and the transmissive electrodes 63 where the transmissive portions B are exposed are alternately formed.
  • the transmissive electrode 63 that is electrically connected to the drain electrode through a force contact hole that integrally forms the transmissive electrode 63 with the drain electrode may be formed on the unevenness forming electrode 693.
  • the gas flow ratio CF / O is 500 [sccm] ZO [sccm] as the plasma condition.
  • this plasma treatment may be performed after the formation of the A1 film 622 shown in FIG. 4 (a).
  • the power of performing plasma processing using CF, such as SF, is used.
  • the gas contains fluorine (fluorine-based gas).
  • a gas containing O may be used for the plasma treatment.
  • Plasma treatment is PLASMA
  • PE Either ETCHING (hereinafter referred to as PE) MODE (plasma 'etching' mode) or REACTIV EION ETCHING (hereinafter referred to as RIE) MODE (reactive 'ion' etching 'mode) may be used. Change work function more greatly Desired to be possible! / ,.
  • a display corresponding to a video signal is provided between the pixel electrode 64 and the counter electrode 72 for each pixel unit.
  • a voltage is applied, and the alignment state of the liquid crystal 8 changes.
  • the external light incident on the liquid crystal display panel 2 from the counter substrate 72 side is reflected by the reflective electrode 62, and a light amount of light corresponding to the alignment state of the liquid crystal 8 is emitted from the counter substrate 7 side. Thereby, an image can be visually recognized.
  • the knock light 3 When the knock light 3 is turned on, light is incident on the liquid crystal display panel 2 from the element side substrate 6 side, passes through the transmissive electrode 63, and emits light of a light amount according to the alignment state of the liquid crystal 8 from the counter substrate 7 side. Is done. Thereby, an image can be visually recognized.
  • the reflective electrode 62 and the transmissive electrode 63 are each made of an A1 film and an ITO film, and are made of a metal material A1 (aluminum).
  • the work function was about 4.2 eV to 4.3 eV. Power is controlled to 4.5 eV to 4.7 eV by plasma treatment, and the ITO work function is within ⁇ 0.2 eV for 4.7 eV to 5.2 eV. Are controlled so that the work function difference approaches and becomes substantially equal. As a result, the difference between the optimum DC offset voltage for the reflective electrode 62 and the optimum DC offset voltage for the transmissive electrode 63 is about 0.4.
  • the conventional transflective liquid crystal display device does not perform plasma processing! /, And uses a metallic material A1, and the work function of A1 is about 4.2 eV to 4.3 eV It is.
  • the difference between the optimum DC offset voltage for the reflective electrode 62 and the optimum DC offset voltage for the transmissive electrode 63 is about 0.5V.
  • the difference in work function between different metal thin films is reduced,
  • the surface of the reflective electrode 62 is subjected to plasma treatment, and the work function is controlled to an original value of 0.le V or more 1.OeV or less, and the work function of the reflective electrode 62 is ⁇ 0 with respect to the work function of the transmissive electrode 63. It can be within 2 eV (or from one 0.2 eV to +0.2 eV).
  • the optimum DC offset voltage is applied to one of the reflective electrode 62 and the transmissive electrode 63, which does not occur in the number of manufacturing steps as in the prior art. Therefore, the display quality of the liquid crystal display device 1 can be improved. In addition, since a large DC voltage component is not applied to the other electrode for a long time, the reliability of the liquid crystal 8 can be improved. However, unlike the prior art, unnecessary film lamination is not performed on the reflective electrode, so that problems such as an increase in manufacturing steps and a decrease in the optical performance of the liquid crystal display device do not occur.
  • the reflective electrode 62 may be a material containing a force A1 using A1 (such as an A1 alloy).
  • the reflective electrode 62 may be a laminated film or a single-layer film, and the uppermost layer may be any material containing A or A1.
  • force indium oxide, zinc oxide, tin oxide, indium zinc oxide and the like using ITO for the transmissive electrode 63 may be used.
  • a part of the other of the two types of metal films (ITO film of the transmissive electrode 63). (Or all) one of two types of metal films (of reflective electrode 62) partially connected to the ITO film through contact hole 62a via an insulating film (interlayer insulating film 692 and uneven forming insulating film 693) A1 film) is provided, and the ITO film and A1 film regions for each pixel are adjacent to each other in plan view.
  • the process of forming one metal film is performed on a part (or all) of the other metal film (the ITO film of the transmissive electrode 63).
  • a part of the ITO film is connected to the ITO film through the contact hole 62a through the insulating film, and one metal film (the A1 film of the reflective electrode 62) is attached so that the area of the ITO film and the area are adjacent to each other in plan view.
  • the forming is explained.
  • the present invention is not limited to these thin film devices and manufacturing methods thereof, and as the thin film device of the present invention, it is sufficient if at least two types of metal films are provided adjacent to each other.
  • At least one of them may be such that the work function is controlled by plasma processing by at least a predetermined value so that the work functions of the two types of metal films are changed so that the same force or the difference between them approaches.
  • a process of forming the other metal film, a process of forming one metal film, and plasma treatment is performed on the one metal film to perform the process of forming the other metal film. It is only necessary to have a step of controlling the work function of the film and the other metal film so that the same force or the difference thereof approaches.
  • one metal film and the other metal film are arranged side by side so as to be adjacent to each other in plan view!
  • the plasma processing is performed so that the work functions of one metal film and the other metal film are controlled so as to approach the same force or its original difference.
  • the metal material of the metal film to be subjected to plasma processing has a work function controlled at least by a predetermined value by the plasma processing.
  • the plasma treatment is performed using fluorine-based gas, and the predetermined value is 0.leV, and the work function is controlled in the range of 0.leV to leV, or the predetermined value is set. Is 0. leV, and the work function is controlled in the range of 0. leV to 0.6 eV.
  • the work function of the metal material is changed by performing plasma treatment on a metal material such as A or AL.
  • the present invention relates to a metal material and a manufacturing method thereof, a thin film device using the metal material as a metal thin film material and a manufacturing method thereof, and a reflective display using the metal material as a reflective metal electrode and ambient light as illumination.
  • Element-side substrate having a reflective portion to be performed and a transmissive portion for performing transmissive display using backlight as illumination, a manufacturing method thereof, and a transflective film using the same
  • a metal electrode serving as a reflective electrode
  • the material layer is subjected to plasma treatment, and the work function is controlled by at least a predetermined value (0.leV) from the original value, so that the work function of the reflective electrode is within ⁇ 0.2 eV with respect to the work function of the transmissive electrode.
  • the difference between the DC offset voltage optimum for the reflective electrode and the DC offset voltage optimum for the transmissive electrode can be made as small as possible, thereby obtaining good image quality.

Abstract

　製造工程数増加や光学性能低下を生じることなく、異なる金属薄膜間の仕事関数の差を抑制する。 　画素電極６４に反射電極６２と透過電極６３を有する半透過反射型液晶表示装置１において、反射電極６２の表面にプラズマ処理を行って仕事関数を元の値から少なくとも０．１ｅＶ制御して、透過電極６３の仕事関数に対して±０．２ｅＶ以内とすることができる。これによって、従来のように製造工程数増加や光学性能低下を生じることなく、反射電極６２および透過電極６３の一方に最適な直流オフセット電圧を印加しても、他方の電極に最適な直流オフセット電圧との差による画像表示品位の低下を少なくできて、液晶表示装置１の表示品位を向上させることができる。

Description

明 細 書
金属材料およびその製造方法、薄膜装置およびその製造方法、素子側 基板およびその製造方法、液晶表示装置およびその製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、金属材料およびその製造方法、この金属材料を金属薄膜材料に用い た薄膜装置およびその製造方法、この金属材料を反射金属電極に用い、周囲光を 照明として反射型表示を行う反射部とバックライトを照明として透過型表示を行う透過 部とを一画素内に備えた素子側基板およびその製造方法、これを用いた半透過反 射型の液晶表示装置およびその製造方法に関する。
背景技術
[0002] 従来の液晶表示装置は、例えば携帯型電話器、 PDA (PersonalDigitalAssista nce)およびノートブック型パーソナルコンピュータなどの電子情報機器の表示部に 用いられている。この液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層が挟持された液晶表 示パネルを有しており、両基板に設けられた電極間に表示電圧を印加して液晶層内 の液晶分子の配向状態を変化させて光を散乱 '透過させることにより、文字 '図形が 表示される。
[0003] この液晶表示パネルは、 CRT (Cathode Ray Tube；陰極線管）や EL (Electrol uminescence ;エレクト口'ルミネッセンス）表示パネルとは異なり、自らは発光しない ため、画素電極として光透過材料を用いて液晶表示パネルの背面側に設けたバック ライトからの光の透過量を液晶パネルで制御して画像表示を行う透過型液晶表示装 置が一般的に用いられて 、る。
[0004] ところが、従来の透過型液晶表示装置では、通常、バックライトが液晶表示装置の 全消費電力の 50%以上を占めるため、バックライトを設けることによって消費電力が 増大してしまうという問題がある。また、透過型液晶表示装置では、周囲光が非常に 明るい場合には、周囲光に比べて表示光が暗く見え、表示を認識することが困難に なるという問題がある。
[0005] このため、戸外などに常時携帯して使用する機会が多い携帯型電子情報機器で は、ノ ックライトの代わりに反射板を設けたり、画素電極として光反射材料を用いて液 晶表示パネルの前面側力 の周囲光を反射させることにより表示を行う反射型液晶 表示装置が用いられている。
[0006] ところが、従来の反射型液晶表示装置では、周囲光の反射光を利用するため、周 囲光が少ない場合には視認性が極端に低下するという問題がある。また、反射型液 晶表示装置では、低消費電力を目的として周囲光を利用して表示が行われるため、 充分な電源を供給可能な環境下でも、周囲光が所定の限界値よりも暗い場合には、 表示を認識することができなくなるという問題がある。
[0007] そこで、最近では、一画素内に透過部と反射部とを設けて透過型表示と反射型表 示とを
可能にした半透過反射型液晶表示装置が用いられて!/、る。
[0008] 従来の半透過反射型液晶表示装置は、マトリクス状に配列された複数の画素電極 および、その画素電極を選択駆動するために TFT (薄膜トランジスタ)などのスィッチ ング素子が設けられた素子側基板と、複数の画素電極に対向する対向電極が設けら れた対向側基板との間に液晶が封入された液晶表示パネルを有している。この画素 電極は、周囲光を反射する反射電極と、バックライトからの光を透過する透過電極と からなり、周囲光が反射電極によって反射されて液晶層に照射されると共に、バック ライトからの出射光が透過電極によって透過されて液晶層に照射される。
[0009] ところが、従来の半透過反射型液晶表示装置では、透過電極と反射電極とが異な る金属材料からなり、両者の電気的性質が異なっているため、液晶内部に発生する バイアス電界を打ち消すために印加される直流オフセット電圧の最適値 (最適対向 電圧）が、透過電極と反射電極とで異なる。
[0010] このため、透過電極および反射電極の一方に対して最適な直流オフセット電圧を 印加すると、他方の電極に対する最適な直流オフセット電圧との差により、表示のち らつき (フリッカー）が生じて表示品位が低下するという問題が生じる。また、直流電圧 成分が長時間印加されることにより、液晶の信頼性を低下させるという問題もある。
[0011] これらの問題は、透過電極の材料として用いられる ITO (IndiumTin Oxide)な どの透明金属酸化物の仕事関数が 4. 7eV〜5. 2eV程度であるのに対して、反射 電極材料として用いられる Al (アルミニウム）などの金属材料の仕事関数が 4. 2eV〜 4. 3eV程度であり、両者の仕事関数に差が 0.4eVと大きいことに起因すると考えら れる。
[0012] そこで、例えば特許文献 1には、アルミニウム力 なる反射電極上に絶縁層を介し て対向電極と同等の仕事関数を有する透明電極材料層を形成すると共に、この透明 電極材料層を透過領域にも透明電極として形成した半透過反射型液晶表示装置が 開示されている。
[0013] また、特許文献 2および特許文献 3にも、反射電極上に対向電極と同等の仕事関 数を有する透明電極材料層を形成した反射型液晶表示装置が開示されている。
[0014] これらの従来技術によれば、反射電極上に対向電極と同等の仕事関数を有する透 明電極材料層を形成することによって、対向電極との仕事関数が異なることにより生 じる直流オフセット電圧の最適値の差を無くして、表示品位の低下や液晶の信頼性 低下を防ぐことができる。
特許文献 1 :特開 2003— 255375号公報 (第 3頁—第 5頁）
特許文献 2：特開平 10— 206845号公報
特許文献 3：特開 2002 - 365664号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0015] し力しながら、上記従来技術では、反射電極上に絶縁層を介して対向電極と同等 の仕事関数を有する透明電極材料層を形成するため、製造工程数が増加するという 問題が生じる。また、反射電極上に膜を積層することにより、液晶表示装置の光学性 能が低下すると 、う問題が生じる。
[0016] 本発明は、上記従来の問題を解決するもので、仕事関数を少なくとも所定値だけ制 御できる金属材料およびその製造方法、これを用いることにより異なる金属薄膜間の 仕事関数の差を無くす力または近づけることができる薄膜装置およびその製造方法 、これを用いることにより、製造工程数増加や光学性能低下を生じさせることなぐ良 好な画像品質を得ることができる素子側基板およびその製造方法、これを用いた半 透過反射型の液晶表示装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 課題を解決するための手段
[0017] 本発明の電極材料は、プラズマ処理により仕事関数が少なくとも所定値だけ制御 されており、そのことにより上記目的が達成される。
[0018] 本発明の電極材料の製造方法は、プラズマ処理により仕事関数を少なくとも所定 値だけ制御するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
[0019] また、好ましくは、本発明の電極材料の製造方法におけるプラズマ処理はフッ素系 ガスを用いて行う。
[0020] さらに、好ましくは、本発明の電極材料の製造方法における所定値は 0. leVであ り、前記仕事関数を 0. leV以上 leV以下の範囲で制御する。
[0021] さらに、好ましくは、本発明の電極材料の製造方法における所定値は 0. leVであ り、前記仕事関数を 0. leV以上 0.6eV以下の範囲で制御する。
[0022] さらに、好ましくは、本発明の電極材料の製造方法におけるアルミニウムまたは該ァ ルミ二ゥムを含む材料力 なる金属材料に対して前記プラズマ処理を行って該金属 材料の仕事関数を変化させる。
[0023] 本発明の薄膜装置は、少なくとも 2種類の金属膜が隣接して設けられ、該 2種類の 金属膜の少なくとも一方が、プラズマ処理により仕事関数が少なくとも所定値だけ制 御されて、該 2種類の金属膜の仕事関数が同一力またはその差が近づくように変化 されており、そのことにより上記目的が達成される。また、好ましくは、本発明の薄膜 装置において、前記 2種類の金属膜の他方の一部または全部上に絶縁膜を介して、 該 2種類の金属膜の他方に一部接続された該 2種類の金属膜の一方が設けられ、該 2種類の金属膜の各領域は平面視で隣接して 、る。
[0024] また、好ましくは、本発明の薄膜装置における 2種類の金属膜の一方がアルミ-ゥ ムまたは該アルミニウムを含む材料カゝらなり、前記 2種類の金属膜の他方が酸化イン ジゥム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウム錫または酸化インジウム亜鉛カゝらなって いる。
[0025] 本発明の薄膜装置の製造方法は、他方の金属膜を形成する工程と、一方の金属 膜を形成する工程と、該一方の金属膜上に、プラズマ処理を行って該一方の金属膜 と該他方の金属膜の仕事関数が同一力またはその差が近づくように制御する工程と を有しており、そのことにより上記目的が達成される。また、好ましくは、本発明の薄膜 装置の製造方法において、前記一方の金属膜を形成する工程は、前記他方の金属 膜の一部または全部上に絶縁膜を介して、該他方の金属膜に一部接続して、該他 方の金属膜の領域と平面視で領域が隣接するように該一方の金属膜を形成する。
[0026] また、好ましくは、本発明の薄膜装置の製造方法におけるプラズマ処理はフッ素系 ガスを用いて行う。
[0027] さらに、好ましくは、本発明の薄膜装置の製造方法における一方の金属膜がアルミ ニゥムまたは該アルミニウムを含む材料力 なり、前記他方の金属膜が酸化インジゥ ム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウム錫または酸化インジウム亜鉛カゝらなっている。
[0028] さらに、好ましくは、本発明の薄膜装置の製造方法における所定値は 0. leVであ り、前記仕事関数を 0. leV以上 leV以下の範囲で制御する。
[0029] さらに、好ましくは、本発明の薄膜装置の製造方法における所定値は 0. leVであ り、前記仕事関数を 0. leV以上 0.6eV以下の範囲で制御する。
[0030] 本発明の素子側基板は、光を反射する反射電極と光を透過する透過電極とを有 する画素電極が二次元状に複数配列された素子側基板において、該反射電極が、 本発明の上記薄膜装置の一方の金属膜であり、該透過電極が該薄膜装置の他方の 金属膜であり、そのことにより上記目的が達成される。
[0031] また、好ましくは、本発明の素子側基板における反射電極の仕事関数と前記透過 電極の仕事関数との差が ±0. 2eV以内に制御されて 、る。
[0032] さらに、好ましくは、本発明の素子側基板における反射電極は積層膜からなり、そ の上層がアルミニウムまたは該アルミニウムを含む金属材料力 なっている。
[0033] さらに、好ましくは、本発明の素子側基板における反射電極の下層が高融点金属 層からなっている。また、好ましくは、本発明の素子側基板における反射電極の下層 が電蝕防止膜からなって 、る。
[0034] 本発明の液晶表示装置は、本発明の上記素子側基板と、該画素電極に対向する 対向電極が形成された対向側基板とが所定間隔を開けて対向配置され、両基板の 間隙に液晶が封入されており、そのことにより上記目的が達成される。
[0035] 本発明の素子側基板の製造方法は、光を反射する反射電極と光を透過する透過 電極とを有する画素電極および、該画素電極を選択駆動可能とするスイッチング素 子が二次元状に複数配列された素子側基板の製造方法にお!、て、基板上に前記ス イッチング素子を形成するスイッチング素子形成工程と、該スイッチング素子形成ェ 程時に形成した該スイッチング素子および、そのドレイン電極に接続された透過電極 上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜上に反射電極を形成する反射電極形成ェ 程と、該反射電極にプラズマ処理を行って該反射電極の仕事関数を少なくとも所定 値だけ制御するプラズマ処理工程とを有するものであり、そのことにより上記目的が 達成される。
[0036] また、好ましくは、本発明の素子側基板の製造方法におけるスイッチング素子形成 工程は、基板上に、ゲート配線およびこれから分岐したゲート電極を形成する工程と 、該ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程と、該ゲート絶縁膜上に、該ゲート 電極と対応するように半導体層を形成する工程と、チャネル領域となる半導体層上に 間を空けた状態で該半導体層のソース領域上に一部重なる、ソース配線力も分岐し たソース電極および、該半導体層のドレイン領域上に一部重なる、前記透過電極に 接続されたドレイン電極および該透過電極を形成する工程とを有する。
[0037] さらに、好ましくは、本発明の素子側基板の製造方法における反射電極形成工程 は、前記透過電極上に至るコンタクトホールを前記絶縁膜に形成する工程と、該コン タクトホールを埋め込むように反射電極の金属材料を成膜する工程と、該コンタクトホ ール内で該透過電極を該透過領域だけ露出させるようにレジストをパターン形成する 工程と、該レジストを用いて該透過領域に対応する該反射電極をエッチング除去す る工程とを有する。
[0038] さらに、好ましくは、本発明の素子側基板の製造方法におけるプラズマ処理工程 は、前記金属材料成膜工程後に行うかまたは、前記エッチング除去工程後に行う。ま た、このプラズマ処理工程は、プラズマ条件を、ガス流量比（フッ素系ガス Z酸素）は 500 [sccm] ZO [sccm]〜150 [sccm] Z350 [sccm]、パワー 1500 [W]、圧力 80 [mTrr]、処理時間は 5 [s]〜30 [s]として、リアクティブ 'イオン ·エッチング ·モードま たはプラズマ ·エッチング ·モードでプラズマ処理を行う。
[0039] さらに、好ましくは、本発明の素子側基板の製造方法における反射電極の金属材 料がアルミニウムまたは該アルミニウムを含む金属材料の場合に、前記プラズマ処理 にはフッ素系ガスを用いる。
[0040] さらに、好ましくは、本発明の素子側基板の製造方法におけるフッ素系ガスは、 CF または SFである。
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[0041] さらに、好ましくは、本発明の素子側基板の製造方法におけるプラズマ処理工程 は、前記反射電極の金属材料表面の反射率低下を招かな!/ヽように前記プラズマ条 件を最適化して行う。
[0042] 本発明の液晶表示装置の製造方法は、本発明の上記素子側基板の製造方法に よって製造された素子側基板と、該素子側基板の反射電極と透過電極からなる画素 電極に対向する対向電極が形成された対向側基板とを、所定間隔を開けて対向配 置し、両基板の間隙に液晶を封入することにより半透過反射型の液晶表示装置を製 造するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
[0043] 上記構成により、以下に、本発明の作用について説明する。
[0044] 本発明にあっては、金属材料をプラズマ処理することによりその仕事関数が少なく とも所定値だけ制御されている。この金属材料を金属薄膜の一方に用いることにより 、異なる金属薄膜間の仕事関数の差を無くす力または近づけることが可能となる。ま た、この金属材料を、半透過反射型の液晶表示装置の反射電極に用いることにより、 反射電極と透明電極との仕事関数の差を無くす力または近づけることが可能となって 、従来のように製造工程数増加や光学性能低下を生じさせることなぐ表示のちらつ き（フリッカー）のない良好な画像品質を得ることが可能となる。
[0045] 反射電極となる金属電極材料にプラズマ処理を行うことにより仕事関数を元の値か ら 0. leV以上 0. 6eV以下の範囲または 0. leV以上 1. OeV以下の範囲で制御す ることが可能となる。仕事関数が元の値力 0. leV以上変化すると、異なる金属薄膜 間の仕事関数の差をその分近づけることが可能となって、画像品質改善効果がある 。また、仕事関数が元の値から 1. OeV以上変化させることには限界がある。
[0046] 例えば半透過反射型の液晶表示装置では、素子側基板に反射電極および透過 電極を有する画素電極が設けられており、外部から入射されて反射電極で反射され た光、また、ノ ックライトから出射されて透過電極を透過した光が液晶層に照射される o画素電極と対向電極との間に印加される電圧に応じて、両電極の間に挟まれた液 晶部分 (画素)が暗状態または明状態となる。
[0047] ここで、本発明の金属材料およびこれを用いた薄膜装置を、上記半透過反射型の 液晶表示装置に適用すれば、プラズマ処理によって反射電極の最上層の仕事関数 を制御して、透過電極の仕事関数との差が ±0. 2eV以内とすることによって、反射 電極に最適な直流オフセット電圧と透過電極に最適な直流オフセット電圧の差がより 小さくなり、画像品質を良好なものとすることが可能となる。反射電極および透過電極 は、単層膜であっても積層膜であってもよい。
[0048] プラズマ処理して仕事関数を制御する反射電極またはその最上層には、アルミ- ゥム (A1)またはアルミニウムを含む材料 (アルミニウム合金など）を用いることができる 。また、反射電極が積層膜である場合には、下層にモリブデン (Mo)などの高融点金 属層を形成することによって、レジスト現像液やエッチング液などによって A1膜と ITO 膜に電触が生じることを防ぐことが可能となる。このプラズマ処理は、 CFなどのフッ
4
素系ガスを用いて行うことが可能である。
発明の効果
[0049] 以上により、本発明によれば、金属材料をプラズマ処理することによりその仕事関 数が少なくとも所定値 (0. leV以上 0. 6eV以下の範囲または 0. leV以上 1. OeV 以下の範囲）だけ制御することができる。これを用いることにより、薄膜装置において 異なる金属薄膜間の仕事関数の差を無くす力または近づけることができ、このことを 上記半透過反射型の液晶表示装置に適用すれば、反射電極と透明電極との仕事関 数の差を無くす力または近づけることができて、反射電極に最適な直流オフセット電 圧と透過電極に最適な直流オフセット電圧の差を無くす力または小さくできて、表示 のちらつき (フリッカー)のない画像品質が良好な液晶表示装置を作製することができ る。し力も、従来技術のように反射電極上に不要な膜積層を行わないため、製造工数 の増加や液晶表示装置の光学性能低下と 、う問題も生じな!/、。
図面の簡単な説明
[0050] [図 1]本発明の実施形態に係る半透過反射型液晶表示装置の要部構成例を示す断 面図である。 [図 2]図 1の液晶表示パネル 2における一画素分の構成例を示す平面図である。
[図 3]図 2の A—A'線断面図である。
[図 4] (a)〜 (c)は、図 1の素子側基板における反射電極の形成工程 (その 1)を説明 するための要部断面図である。
[図 5] (d)〜 (f)は、図 1の素子側基板における反射電極の形成工程 (その 2)を説明 するための要部断面図である。
符号の説明
1 半透過反射型液晶表示装置
2 液晶表示パネル
3 ノ ックライト
4 光源
5 導光板
6 素子側基板
61, 71ガラス基板
62 反射電極
62a コンタクトホール
621 Mo膜
622 A1膜
63 透過電極
64 画素電極
65 半導体素子 (スイッチング素子）
66 ソースライン
67 ゲートライン
68 ブラックマトリクス
691ゲート絶縁膜
692 層間絶縁膜
693 凹凸形成絶縁膜
694 レジスト 7 対向基板
72 対向電極
8 液晶
9 シール材
10 位相差板
11 偏光板
D ドレイン
G ゲート
S ソース
発明を実施するための最良の形態
[0052] 以下に、プラズマ処理により仕事関数が少なくとも所定値だけ制御されている本発 明の金属材料およびその製造方法、この金属材料を金属薄膜材料に用いた薄膜装 置およびその製造方法の実施形態を、素子側基板およびその製造方法を用いた半 透過反射型液晶表示装置およびその製造方法に適用した場合について、図面を参 照しながら詳細に説明する。
[0053] 図 1は、本発明の実施形態に係る半透過反射型液晶表示装置の要部構成例を示 す断面図である。
[0054] 図 1において、半透過反射型液晶表示装置 1は、液晶表示パネル 2の背面側にバ ックライト 3が配置されている。このバックライト 3は、光源 4および、この光源 4に端面 が対向した導光板 5を有しており、光源 4から出射された光は、導光板 5の端面から 入射して導光板 5内を伝搬し、臨界角を超えた光が出射面 5aから出射（図 1では上 方向）されて、液晶表示パネル 2の背面側力も光照射される。
[0055] 液晶表示パネル 2は、所定の間隔を開けて素子側基板 6と対向基板 7とが対向配 置され、両基板 6, 7の間隙に液晶 8が封入された状態で、周囲がシール材 9で貼り 合わされている。
[0056] 素子側基板 6は、ガラス基板 61上にマトリクス状に複数の画素部が配列されている o各画素部毎に、反射電極 62および透過電極 63を含む画素電極 64を有しており、 各画素電極 64には各画素部を選択駆動するスイッチング素子として TFTなどの半 導体素子 65が接続されている。これらの反射電極 62および透過電極 63は、 2種類 の金属膜が隣接して設けられた薄膜装置であり、反射電極 62は、プラズマ処理によ り仕事関数が所定値 (0. 5eV)だけ高く制御されて、反射電極 62および透過電極 63 の仕事関数の差が ±0. 2eV以内に制御されている。これによつて、反射電極 62に 最適な直流オフセット電圧と透過電極 63に最適な直流オフセット電圧との差がより小 さくなり、表示のちらつき (フリッカー）がなく画像品質を良好なものとすることができる
[0057] 対向基板 7は、ガラス基板 71上に、素子側基板 6の画素電極 64に対向する対向 電極
72が形成されている。画素電極 64および対向電極 72の各表面には、液晶 8の配向 状
態を制御する配向膜 (図示せず)がそれぞれ設けられており、液晶 8は例えば 90°ッ ィ
スト配向している。また、対向基板 7の上面側には位相差板 10および偏光板 11が設 け
られている。
[0058] 図 2は、図 1の液晶表示パネル 2における一画素分の構成例を示す平面図である
[0059] 図 2において、素子側基板 6は、ガラス基板 61上に、複数のソースライン（映像信 号線) 66と複数のゲートライン (走査信号線) 67とが互 、に交差 (直交)するように形 成され、それぞれ各ドライバー（図示せず）に接続されている。半導体素子 65は、ソ ースライン 66とゲートライン 67の交差部近傍位置に形成されており、半導体素子 65 のソース領域 Sがソースライン 66に接続され、半導体素子 65のゲート Gはゲートライ ン 67に接続されている。また、半導体素子 65のドレイン領域 Dは画素電極 64に接続 されて、この画素電極 64と対向電極 72の間に形成される液晶容量に接続される。
[0060] 各半導体素子 65のゲート Gには、図示しないゲートドライバ一力もゲートライン 67 を介して Hiレベルまたは Lowレベルの走査信号が供給され、そのソース領域 Sには 、図示しな!、別のソースドライバ一力もソースライン 66を介して映像信号が供給され る。ゲート Gの電位が Hiレベル（走査信号）になることによって、半導体素子 65が導 通状態となって映像信号が画素電極 64を介して液晶容量に書き込まれるようになつ ている。
[0061] 対向基板 7のガラス基板 71上に、ソースライン 66およびゲートライン 67に対向する ようにブラックマトリクス 68が設けられており、このブラックマトリクス 68によって画素部 間が遮光されるようになって！/、る。
[0062] 図 3は、図 2の A—A'線断面図であり、周辺部分を含む半導体素子 65の積層構 造を示している。
[0063] 図 3において、ガラス基板 61上には、膜厚約 3000オングストロームのタンタル (Ta )力もなるゲートライン 67およびこれ力も分岐したゲート Gが形成されて 、る。このゲー トライン 67およびゲート G上には、膜厚約 4100オングストロームの窒化珪素（SiNx) 力もなるゲート絶縁膜 691が形成されている。
[0064] 半導体素子 65のチャネル領域である半導体層 651は、膜厚約 1500オングスト口 ームの P型シリコン (Si)力もなり、ゲート G上に対応するようにゲート絶縁膜 691を介 して形成されている。
[0065] 半導体素子 65のソース領域 Sおよびドレイン領域 Dはそれぞれ、膜厚約 500オン ダストロームの n+層からなり、これらが間を空けた状態で半導体層 651上に一部重 なって形成されている。半導体素子 65のソース領域 S上には、ソースライン 66から接 続されたソース電極 (ソース領域 S)が形成されている。また、半導体素子 65のドレイ ン領域 D上には、透過電極 63に接続されたドレイン電極（ドレイン領域 D)が形成され ている。
[0066] これらのソース電極（ソース領域 S)、ドレイン電極（ドレイン領域 D)および透過電極 63は、膜厚約 4500オングストロームの TaZlTOによって同時に形成されている。ソ ース電極（ソース領域 S)、ドレイン電極（ドレイン領域 D)および透過電極 63上には、 膜厚約 3000オングストロームの SiNx層力もなる層間絶縁膜 692が形成されている。
[0067] この層間絶縁膜 692上には、厚さ約 の有機膜層により表面が凹凸の凹凸形 成絶縁膜 693が形成されている。この凹凸形成絶縁膜 693上の一部には、膜厚 500 オングストローム〜 1500オングストロームの A1 (アルミ-ユウム）からなる反射電極 62 が形成されている。この反射電極 62は、後述するコンタクトホール 62aを介して透過 電極 63と導通されている。また、この反射電極 62の A1層の下層には図示しない Mo 層を有している。
[0068] 以下に、本実施形態の液晶表示装置 1の液晶表示パネル 2における反射電極 62 の形成工程について詳細に説明する。
[0069] 図 4 (a)〜図 4 (c)および図 5 (d)〜図 5 (f)は、図 1の素子側基板 6における反射電 極 62の形成工程を説明するための要部断面図である。
[0070] 図 4 (a)に示す成膜工程では、凹凸形成絶縁膜 693上に、反射電極 62となる反射 電極材料が成膜される。本実施形態では、膜厚 500オングストローム〜 1000オング ストロームの Mo膜 621が形成され、その上に反射膜として A1膜 622が DCマグネトロ ンスパッタリング装置により成膜される。
[0071] 凹凸形成絶縁膜 693および層間絶縁膜 692には、エッチングなどにより予めコンタ タトホール 62aが貫通して形成されている。 A1膜 622および Mo膜 621は、コンタクト ホール 62aを介して透過電極 63上にも成膜されており、これによつて反射電極 62と 透過電極 63とがコンタクトホール 62aを介して導通されている。
[0072] なお、 Mo膜 621は、八1膜622と1丁0膜63とカ 次工程でレジスト現像液やエッチ ング液などによって電蝕を生じな ヽようにするための電蝕防止膜として形成されるも のであり、他の高融点金属層を形成してもよい。
[0073] 図 4 (b)に示すレジスト塗布工程では、 A1膜 622上にレジスト 694が塗布される。本 実施形態では、レジスト 694として、ノボラック榭脂を含む材料が約 2. 0 /ζ πι〜2. 4 μ mの厚みで塗布される。
[0074] 図 4 (c)に示す露光工程では、所定のパターンが形成されたレチクル 695を介して レジスト 694に光が照射される。これにより、レジスト 694がポジ型である場合には、図
3に矢印 Bで示す透過部形成のためにレジスト 694が除去される部分が露光される。 また、レジスト 694がネガ型である場合には、レジスト 694が残される部分が露光され る。
[0075] 図 5 (d)に示す現像工程では、被処理基板が現像液に浸漬されてレジスト 694の 露光部分 (ポジ型)または非露光部分 (ネガ型）が除去される。これによつて、レジスト 694aが残される。本実施形態では、現像液として、テトラメチルアンモ -ゥムハイド口 オキサイド (TMAH) 2. 38%のアルカリ溶液が用いられる。これ〖こより、高精度でレ ジストパターンを形成すると共に A1膜 622のエッチングを行うことができる。
[0076] 図 5 (e)に示すエッチング工程では、電蝕防止膜である Mo膜 621がエッチング液 に浸漬されてエッチングされる。本実施形態では、エッチング液として、リン酸濃度 50 wt%〜80wt%、硝酸濃度 0. 5wt%〜10wt%、酢酸濃度 10wt%以下、水、の混 合液力もなるものが用いられる。リン酸濃度が 50wt%未満では Mo膜 621のエツチン グ速度が遅くなり、工数が増大する。また、リン酸濃度が 80wt%を超えるとエツチン グ速度が速くなり、線幅の制御が困難になる。さらに、硝酸濃度が 0. 5%未満では M o膜 621のエッチング速度が遅くなり、工数が増大する。
[0077] 図 5 (f)に示すレジスト剥離工程では、被処理基板が所定のアルカリ系の剥離液に 浸漬されてレジスト 694aが剥離される。これにより、表面が A1からなる反射電極 62と 、透過部 Bが露出した透過電極 63とが交互に形成される。
[0078] なお、ここでは、透過電極 63をドレイン電極と一体的に形成している力 コンタクト ホールを介してドレイン電極と導通される透過電極 63を凹凸形成電極 693上に形成 してちよい。
[0079] 次に、被処理基板にプラズマ処理が行われる。本実施形態では、プラズマ条件と して、ガス流量比 CF /Oは 500 [sccm] ZO [sccm]
4 2 〜150 [sccm] Z350 [sccm]
、ノ ヮ一 1500[W]、圧力 80[mTrr]、処理時間は 5 [s]〜30[s]として、 REACTIV E ION ETCHING MODE (リアクティブ'イオン'エッチング 'モード）でプラズマ 処理が行われる。
[0080] なお、このプラズマ処理は、図 4 (a)に示す A1膜 622の成膜後に行ってもょ 、。ま た、本実施形態では CFを用いてプラズマ処理を行っている力 例えば SFなどのよ
4 6 うに、フッ素を含む気体 (フッ素系ガス)であれば、同様の効果があると考えられる。ま た、プラズマ処理には Oを含むガスを用いてもよい。プラズマ処理は、 PLASMA
2
ETCHING (以下 P. E. ) MODE (プラズマ 'エッチング 'モード）または REACTIV E ION ETCHING (以下 R. I. E. ) MODE (リアクティブ'イオン'エッチング 'モー ド)のいずれを用いてもよいが、 R. I. Eで行う方が、より仕事関数を大きく変化させる ことが可能であるために望まし!/、。
[0081] このようにして作製された本実施形態の半透過反射型液晶表示装置 1にお 、て、 各画素部毎の画素電極 64と対向電極 72との間には映像信号に応じた表示電圧が 印加され、液晶 8の配向状態が変化する。
[0082] 対向基板 72側から液晶表示パネル 2に入射された外光は反射電極 62で反射され 、液晶 8の配向状態に応じた光量の光が対向基板 7側から出射される。これにより、 画像を視認することができる。また、ノ ックライト 3を点灯すると、素子側基板 6側から 液晶表示パネル 2に光が入射され、透過電極 63を透過して液晶 8の配向状態に応じ た光量の光が対向基板 7側から出射される。これにより、画像を視認することができる
[0083] さらに、本実施形態の半透過反射型液晶表示装置 1において、反射電極 62およ び透過電極 63はそれぞれ A1膜および ITO膜からなり、金属材料である A1 (アルミ- ゥム）の仕事関数が 4. 2eV〜4. 3eV程度であったもの力 プラズマ処理によって 4. 5eV〜4. 7eVに制御されて、 ITOの仕事関数 4. 7eV〜5. 2eVに対して ±0. 2eV 以内に仕事関数の差が接近して略同等になるように制御されている。これにより、反 射電極 62に最適な直流オフセット電圧と、透過電極 63に最適な直流オフセット電圧 との差が約 0. IVになっている。
[0084] これに対して、従来の半透過反射型液晶表示装置では、プラズマ処理を行わな!/、 金属材料の A1を用いており、 A1の仕事関数は約 4. 2eV〜4. 3eV程度である。これ により、反射電極 62に最適な直流オフセット電圧と、透過電極 63に最適な直流オフ セット電圧との差は約 0. 5Vにもなる。
[0085] したがって、本実施形態によれば、画素電極 64に反射電極 62と透過電極 63を有 する半透過反射型液晶表示装置 1において、異なる金属薄膜間の仕事関数の差を 縮小して、反射電極 62の表面にプラズマ処理を行って仕事関数を元の値力 0. le V以上 1. OeV以下に制御し、反射電極 62の仕事関数が透過電極 63の仕事関数に 対して ±0. 2eV以内（または一 0. 2eV〜 + 0. 2eV)とすることができる。これによつ て、従来のように製造工程数生じることなぐ反射電極 62および透過電極 63の一方 に最適な直流オフセット電圧を印加しても、他方の電極に最適な直流オフセット電圧 との差による画像表示品位の低下を少なくできて、液晶表示装置 1の表示品位を向 上させることができる。また、他方の電極に大きな直流電圧成分が長時間印加されな いため、液晶 8の信頼性を向上させることができる。し力も、従来技術のように反射電 極上に不要な膜積層を行わないため、製造工数の増加や液晶表示装置の光学性能 低下という問題も生じない。
[0086] なお、上記実施形態では、反射電極 62に A1を用いた力 A1を含む材料であって もよい (A1合金など)。また、反射電極 62は積層膜であっても単層膜であってもよぐ 最上層が Aほたは A1を含む材料であればよい。さらに、透過電極 63に ITOを用いた 力 酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウム亜鉛などであってもよい。
[0087] また、上記実施形態では、本発明の半透過反射型の液晶表示装置の素子側基板 に適用する薄膜装置として、 2種類の金属膜の他方 (透過電極 63の ITO膜)の一部（ または全部）上に、絶縁膜 (層間絶縁膜 692および凹凸形成絶縁膜 693)を介して、 その ITO膜にコンタクトホール 62aを通して一部接続された 2種類の金属膜の一方（ 反射電極 62の A1膜)が設けられ、各画素毎の ITO膜と A1膜の各領域は平面視で互 いに隣接している点について説明している。また、その薄膜装置の製造方法として、 一方の金属膜 (反射電極 62の A1膜)を形成する工程は、他方の金属膜 (透過電極 6 3の ITO膜)の一部（または全部）上に絶縁膜を介して、その ITO膜にコンタクトホー ル 62aを通して一部接続して、その ITO膜の領域と平面視で領域が互いに隣接する ように一方の金属膜 (反射電極 62の A1膜)を形成することについて説明している。と ころが、本発明は、これらの薄膜装置およびその製造方法に限らず、本発明の薄膜 装置として、少なくとも 2種類の金属膜が隣接して設けられていればよぐこの 2種類 の金属膜の少なくとも一方が、プラズマ処理により仕事関数が少なくとも所定値だけ 制御されて、 2種類の金属膜の仕事関数が同一力またはその差が近づくように変化 されていればよい。また、本発明の薄膜装置の製造方法として、他方の金属膜を形 成する工程と、一方の金属膜を形成する工程と、この一方の金属膜上に、プラズマ処 理を行って一方の金属膜と他方の金属膜の仕事関数が同一力またはその差が近づ くように制御する工程とを有していればよい。要するに、一方の金属膜と他方の金属 膜とが平面視で互 、に隣接するように並んで!/、ればよぐその金属膜の少なくとも ヽ ずれかに、プラズマ処理を行って一方の金属膜と他方の金属膜の仕事関数が同一 力またはその本来の差が近づくように制御されていればよい。この場合、プラズマ処 理を行う金属膜の金属材料は、プラズマ処理により仕事関数が少なくとも所定値だけ 制御されていればよい。その金属材料の製造方法として、プラズマ処理はフッ素系ガ スを用いて行い、その所定値は 0. leVであり、仕事関数を 0. leV以上 leV以下の 範囲で制御するかまたは、その所定値は 0. leVであり、前記仕事関数を 0. leV以 上 0.6eV以下の範囲で制御する。プラズマ処理を行う金属膜の金属材料は、 Aほた は ALを含む材料カゝらなる金属材料に対してプラズマ処理を行って金属材料の仕事 関数を変化させるようにする。
[0088] これによつて、仕事関数を元の値力 少なくとも所定値だけ制御できる金属材料お よびその製造方法、これを用いることにより異なる金属薄膜間の仕事関数の差を無く す力または近づけることができる薄膜装置およびその製造方法、これを用いることに より、製造工程数増加や光学性能低下を生じさせることなぐ良好な画像品質を得る ことができる素子側基板およびその製造方法、これを用いた半透過反射型の液晶表 示装置およびその製造方法を提供することができる。
[0089] 以上のように、本発明の好ましい実施形態を用いて本発明を例示してきた力 本発 明は、この実施形態に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求 の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、 本発明の具体的な好ましい実施形態の記載から、本発明の記載および技術常識に 基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引 用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載さ れているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであるこ とが理解される。
産業上の利用可能性
[0090] 本発明は、金属材料およびその製造方法、この金属材料を金属薄膜材料に用い た薄膜装置およびその製造方法、この金属材料を反射金属電極に用い、周囲光を 照明として反射型表示を行う反射部とバックライトを照明として透過型表示を行う透過 部とを一画素内に備えた素子側基板およびその製造方法、これを用いた半透過反 射型の液晶表示装置およびその製造方法、これを表示部に用いた例えば携帯型電 話器、 PDAおよびノートブック型パーソナルコンピュータなどの電子情報機器の分野 にお 、て、反射電極となる金属電極材料層にプラズマ処理を行って仕事関数を元の 値カゝら少なくとも所定値 (0. leV)だけ制御し、反射電極の仕事関数が透過電極の 仕事関数に対して ±0. 2eV以内とすることによって、反射電極に最適な直流オフセ ット電圧と透過電極に最適な直流オフセット電圧の差をできるだけ小さくすることがで き、これによつて良好な画像品質を得ることができる。また、反射電極上に不要な膜 積層を行うことなぐ製造工程の増加や光学性能低下を防いで、画像品質が良好な 液晶表示装置を作製することができる。

Claims

請求の範囲
[1] プラズマ処理により仕事関数が少なくとも所定値だけ制御されて!ヽる金属材料。
[2] プラズマ処理により仕事関数を少なくとも所定値だけ制御する金属材料の製造方法
[3] 前記プラズマ処理はフッ素系ガスを用いて行う請求項 2に記載の金属材料の製造 方法。
[4] 前記所定値は 0. leVであり、前記仕事関数を 0. leV以上 leV以下の範囲で制 御する請求項 2に記載の金属材料の製造方法。
[5] 前記所定値は 0. leVであり、前記仕事関数を 0. leV以上 0.6eV以下の範囲で 制御する請求項 2に記載の金属材料の製造方法。
[6] アルミニウムまたは該アルミニウムを含む材料力もなる金属材料に対して前記ブラ ズマ処理を行って該金属材料の仕事関数を変化させる請求項 2に記載の金属材料 の製造方法。
[7] 少なくとも 2種類の金属膜が隣接して設けられ、該 2種類の金属膜の少なくとも一方 1S プラズマ処理により仕事関数が少なくとも所定値だけ制御されて、該 2種類の金 属膜の仕事関数が同一力またはその差が近づくように変化されている薄膜装置。
[8] 前記 2種類の金属膜の他方の一部または全部上に絶縁膜を介して、該 2種類の金 属膜の他方に一部接続された該 2種類の金属膜の一方が設けられ、該 2種類の金属 膜の各領域は平面視で隣接している請求項 7に記載の薄膜装置。
[9] 前記 2種類の金属膜の一方がアルミニウムまたは該アルミニウムを含む材料力 な り、前記 2種類の金属膜の他方が酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジゥ ム錫または酸化インジウム亜鉛力もなつて 、る請求項 7または 8に記載の薄膜装置。
[10] 他方の金属膜を形成する工程と、一方の金属膜を形成する工程と、該一方の金属 膜上に、プラズマ処理を行って該一方の金属膜と該他方の金属膜の仕事関数が同 一力またはその差が近づくように制御する工程とを有する薄膜装置の製造方法。
[11] 前記一方の金属膜を形成する工程は、前記他方の金属膜の一部または全部上に 絶縁膜を介して、該他方の金属膜に一部接続して、該他方の金属膜の領域と平面 視で領域が隣接するように該一方の金属膜を形成する請求項 10に記載の薄膜装置 の製造方法。
[12] 前記一方の金属膜がアルミニウムまたは該アルミニウムを含む材料力 なり、
前記他方の金属膜が酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウム錫または 酸化インジウム亜鉛力もなつて 、る請求項 10または 11に記載の薄膜装置の製造方 法。
[13] 前記プラズマ処理はフッ素系ガスを用いて行う請求項 10に記載の薄膜装置の製 造方法。
[14] 前記所定値は 0. leVであり、前記仕事関数を 0. leV以上 leV以下の範囲で制 御する請求項 10に記載の薄膜装置の製造方法。
[15] 前記所定値は 0. leVであり、前記仕事関数を 0. leV以上 0.6eV以下の範囲で 制御する請求項 10に記載の薄膜装置の製造方法。
[16] 光を反射する反射電極と光を透過する透過電極とを有する画素電極が二次元状 に複数配列された素子側基板にぉ ヽて、
該反射電極が、請求項 7〜9の！、ずれかに記載の薄膜装置の一方の金属膜であり
、該透過電極が該薄膜装置の他方の金属膜である素子側基板。
[17] 前記反射電極の仕事関数と前記透過電極の仕事関数との差が ±0. 2eV以内に 制御されている請求項 16に記載の素子側基板。
[18] 前記反射電極は積層膜からなり、その上層がアルミニウムまたは該アルミニウムを 含む金属材料力もなつている請求項 16または 17に記載の素子側基板。
[19] 前記反射電極の下層が高融点金属層からなっている請求項 18に記載の素子側 基板。
[20] 前記反射電極の下層が電蝕防止膜からなっている請求項 18に記載の素子側基 板。
[21] 請求項 16に記載の素子側基板と、前記画素電極に対向する対向電極が形成され た対向側基板とが所定間隔を開けて対向配置され、両基板の間隙に液晶が封入さ れて 、る半透過反射型の液晶表示装置。
[22] 光を反射する反射電極と光を透過する透過電極とを有する画素電極および、該画 素電極を選択駆動可能とするスイッチング素子が二次元状に複数配列された素子側 基板の製造方法において、
基板上に前記スイッチング素子を形成するスイッチング素子形成工程と、 該スイッチング素子形成工程時に形成した該スイッチング素子および、そのドレイン 電極に接続された透過電極上に絶縁膜を形成する工程と、
該絶縁膜上に反射電極を形成する反射電極形成工程と、
該反射電極にプラズマ処理を行って該反射電極の仕事関数を少なくとも所定値だ け制御するプラズマ処理工程とを有する素子側基板の製造方法。
[23] 前記スイッチング素子形成工程は、
基板上に、ゲート配線およびこれ力も分岐したゲート電極を形成する工程と、 該ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
該ゲート絶縁膜上に、該ゲート電極と対応するように半導体層を形成する工程と、 チャネル領域となる半導体層上に間を空けた状態で該半導体層のソース領域上に 一部重なる、ソース配線カゝら分岐したソース電極および、該半導体層のドレイン領域 上に一部重なる、前記透過電極に接続されたドレイン電極および該透過電極を形成 する工程とを有する請求項 22に記載の素子側基板の製造方法。
[24] 前記反射電極形成工程は、
前記透過電極上に至るコンタクトホールを前記絶縁膜に形成する工程と、 該コンタクトホールを埋め込むように反射電極の金属材料を成膜する工程と、 該コンタクトホール内で該透過電極を該透過領域だけ露出させるようにレジストをパ ターン形成する工程と、
該レジストを用いて該透過領域に対応する該反射電極をエッチング除去する工程 とを有する請求項 22に記載の素子側基板の製造方法。
[25] 前記プラズマ処理工程は、前記金属材料成膜工程後に行うかまたは、前記エッチ ング除去工程後に行う請求項 22に記載の素子側基板の製造方法。
[26] 前記プラズマ処理工程は、
プラズマ条件を、ガス流量比（フッ素系ガス Z酸素）は 500 [sccm] ZO [sccm]〜l 50 [sccm]Z350[sccm]、ノ ヮ一 1500 [W]、圧力 80 [mTrr]、処理時間は 5 [s]〜 30 [s]として、リアクティブ ·イオン ·エッチング ·モードまたはプラズマ ·エッチング ·モ ードでプラズマ処理を行う請求項 22に記載の素子側基板の製造方法。
[27] 前記反射電極の金属材料がアルミニウムまたは該アルミニウムを含む金属材料の 場合に、前記プラズマ処理にはフッ素系ガスを用いる請求項 22に記載の素子側基 板の製造方法。
[28] 前記フッ素系ガスは、 CFまたは SFである請求項 26または 27に記載の素子側基
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板の製造方法。
[29] 前記プラズマ処理工程は、前記反射電極の金属材料表面の反射率低下を招かな V、ように前記プラズマ条件を最適化して行う請求項 26に記載の素子側基板の製造 方法。
[30] 請求項 22〜29のいずれかに記載の素子側基板の製造方法によって製造された素 子側基板と、該素子側基板の反射電極と透過電極からなる画素電極に対向する対 向電極が形成された対向側基板とを、所定間隔を開けて対向配置し、両基板の間隙 に液晶を封入することにより半透過反射型の液晶表示装置を製造する半透過反射 型の液晶表示装置の製造方法。
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