WO2005062358A1 - Verfahren und vorrichtung zur trocknung von schaltungssubstraten - Google Patents

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WO2005062358A1
WO2005062358A1 PCT/DE2004/002827 DE2004002827W WO2005062358A1 WO 2005062358 A1 WO2005062358 A1 WO 2005062358A1 DE 2004002827 W DE2004002827 W DE 2004002827W WO 2005062358 A1 WO2005062358 A1 WO 2005062358A1
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liquid
liquid level
rinsing
circuit
container
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PCT/DE2004/002827
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Elke Zakel
Ghassem Azdasht
Original Assignee
Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh
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    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B3/00—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat
    • F26B3/28—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat by radiation, e.g. from the sun
    • F26B3/30—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat by radiation, e.g. from the sun from infrared-emitting elements

Definitions

  • the present invention relates to a method for drying circuit substrates, in particular semiconductor substrates, in which a circuit surface of the circuit substrate is rinsed with a rinsing liquid in one rinse cycle and the circuit surface is dried in a subsequent drying cycle. Furthermore, the invention relates to a device for carrying out the above method.
  • connection surface structure which enables the subsequent contacting of the chips and which comprises the formation of suitable contact metallizations on the connection surfaces before they are separated into chips.
  • chemical deposition techniques are regularly used, which enable the contact metallizations to be built up in layers.
  • connection surface Following the rinsing process after evaporation of rinsing water residues remaining on the connection surface, corrosion nests remain on the connection surface.
  • connection surface In the past, various efforts have therefore been made to enable the connection surface to be dried as residue-free as possible immediately after the rinsing process.
  • One of these possibilities is to apply temperature to the circuit substrate after it has been exposed to rinsing liquid or after removal from a rinsing bath, in order to allow the rinsing water to evaporate as quickly and without residue.
  • a disadvantage associated with this is that the temperature load associated with the known drying often reaches or even exceeds the temperature load which is just permissible for the circuit substrate to function properly.
  • the surfactants used here as an addition to the rinse water, in turn regularly cause residues on the connection surface.
  • residues can be avoided when cleaning with the addition of alcohol, but the use of alcohol as a rinsing liquid makes the additional use of often explosive substances necessary, so that the implementation of such Process requires special explosion protection and is therefore correspondingly expensive.
  • the present invention is therefore based on the object of proposing a method or an apparatus for carrying out a method which is essentially residue-free
  • the circuit substrate in which a circuit surface of the circuit substrate is rinsed with a rinsing liquid in a rinse cycle and the circuit surface is dried in a subsequent drying cycle, the circuit substrate is rinsed in the rinse cycle in the direction of its flat extension, transversely and relative to a liquid level of the rinsing liquid, moves in such a way that a liquid meniscus forms at a transition area that changes due to the relative movement between the circuit surface and the liquid level and in the drying cycle there is exposure to the radiation area wetted by the liquid meniscus with heat radiation.
  • the circuit substrate When using the method according to the invention, the circuit substrate is exposed to heat radiation in a transition area wetted with the liquid meniscus, so that an absorption of the heat radiation in the circuit substrate results in an increase in the temperature of the liquid meniscus which causes evaporation. Since a part of the circuit substrate that changes, but always remains more or less large, remains in the liquid bath during the application of temperature. a heat dissipation from the circuit substrate in the liquid bath, so that overheating of the substrate can be largely excluded. In addition, the exposure to temperature by heat radiation enables the circuit substrate to be heated essentially without convection, so that contamination from impurities carried in a convection flow can be largely ruled out.
  • the exposure to heat radiation takes place by means of an infrared radiator, so that a particularly effective heat input into the circuit substrate is made possible.
  • a variant which is advantageous in particular with regard to the space required when carrying out the method consists in that, in order to carry out the relative movement between the liquid level and the circuit substrate, the circuit substrate is arranged in the rinsing liquid received by a bath container and the liquid level is lowered.
  • the method not only enables a final cleaning step with regard to the residue-free drying of the connection surfaces of circuit substrates, but also the execution of a previous plurality of rinsing processes with the aim of determining the ion or anion concentration on the circuit surfaces before the subsequent drying cycle to be carried out in an overall continuous process in a single device.
  • the device according to the invention for carrying out the method for drying circuit substrates, in particular semiconductor substrates, is provided with a bath tank, which has an inflow device and an outflow device and in which a receiving arrangement for receiving at least one circuit substrate is arranged, such that the circuit substrate is in one Level extends towards a container bottom.
  • a bath tank which has an inflow device and an outflow device and in which a receiving arrangement for receiving at least one circuit substrate is arranged, such that the circuit substrate is in one Level extends towards a container bottom.
  • the device with a lid device closing a container opening of the bath tank and with a heat radiator device arranged above the receiving arrangement.
  • the heat radiator device is provided with infrared radiators.
  • the heat radiator device is arranged on the cover device, a simple arrangement of the heat radiator device above the liquid level is possible, which enables simultaneous loading of a plurality of circuit substrates accommodated in the receptacle arrangement.
  • the heat radiator is arranged above a transparent plate for separation from a container interior, so that the heat radiator itself is arranged protected outside the aggressive atmosphere in the container interior. If the bath container is provided with a ventilation device in the area of the lid device, the effectiveness of the device can be increased still further. It is particularly advantageous for a simple design of the device if the ventilation device is arranged on the cover device.
  • FIG. 1 shows a sectional illustration of a device for cleaning semiconductor substrates
  • FIG. 2 shows an enlarged illustration of a liquid meniscus formed between a liquid level and a circuit surface of the semiconductor substrate.
  • FIG. 1 shows a bath container 11 filled with a rinsing liquid 10, which in the present case is formed from deionized water, in which a receiving arrangement 12 with wafers 13 evenly distributed therein is arranged.
  • the receiving arrangement 12 can, for example, have two clamping jaws which accommodate the wafers 13 on the peripheral edge, so that the wafer surfaces remain freely accessible.
  • the bath tank 11 is provided in the area of its tank bottom 14 with an inflow device 16 provided with an inlet valve 15. Furthermore, a drain device 17 is provided in the area of the container bottom 14, which has an outlet valve 18. In addition, the outflow device 17 is equipped with a flow valve 19 which enables the outflow speed of the flushing liquid 10 flowing out through the outflow device 17 to be adjusted.
  • a lid device 20 which closes the container opening 24 is arranged to operate the bath container 11 as enables a process chamber that is sealed off from the environment.
  • the lid device 20 is designed like a housing with a lid interior 21, in which a heat radiator device 22 is accommodated with heat radiators 23 comprising a plurality of infrared radiators in the present case.
  • the cover device 20 can be provided with ventilation, not shown here.
  • a cover wall 25 arranged directly opposite the container opening 24 is transparent and in the present case is designed as a glass plate 25 inserted into the cover device 20.
  • the ventilation channels 26 open from the outside a rear container wall 34 of the bath container 1 1 and allow supply and discharge of a ventilation flow directed parallel to the liquid level 28 at a very low flow rate.
  • the receiving arrangement 12 with the wafers 13 accommodated therein is inserted into the bath container 11 and the bath container 11 is closed by means of the lid device 20.
  • the bath container 11 is flushed with the flushing liquid 10 until a liquid level 28 shown in FIG completely covers wafer 13 extending towards container bottom 14, flooded with rinsing liquid 10.
  • the liquid level 28 is now preferably lowered continuously when the flow valve 19 is open, so that a progressively larger part of the wafers 13 protrudes from the washing liquid 10.
  • a liquid meniscus 31, 32 is formed in a transition region 35 between the surfaces 29, 30 of the wafers 13 and the liquid level 28 extending transversely to the liquid level 28, as shown in FIG. 2.
  • At least one of the surfaces 29, 30 is designed as a circuit surface with contact metallizations arranged thereon.
  • the heat radiator device 22 which emits IR radiation in the present exemplary embodiment is in operation with the heat radiators 23 separated from the liquid level 28 by the glass plate 25.
  • the part of the wafers 13 arranged above the liquid level 28 is heated, whereas the part of the wafers 13 arranged in the rinsing liquid 10 is relatively cooled by the heat transfer between the semiconductor material and the rinsing liquid 10 , This prevents the semiconductor material from overheating in spite of sufficient heating for the evaporation of the rinsing liquid 10 in the area of the liquid menisci 31, 32, which would impair the function of the wafer.
  • the evaporation of the rinsing liquid 10 in the area of the liquid menisci 31, 32 ensures that essentially no residues of rinsing liquid remain on the surfaces 29, 30 of the wafers 13.
  • the heating of the semiconductor material in the In the area of the liquid menisci 31, 32 the surface tension of the liquid menisci is also reduced, so that the wetting properties of the rinsing liquid 10 in the area of the surface menisci 31, 32 are increased and a better drainage of the rinsing liquid 10 from the surfaces 29, 30 is achieved.
  • the heat transfer which is essentially limited to the border area between the surfaces 29, 30 of the wafer 13 and the liquid menisci 31, 32, ensures that heating and the associated reduction in the surface tension of the rinsing liquid only occur in the aforementioned border area, so that the adjacent area The surface tension of the rinsing liquid is essentially maintained and it is prevented that drops form in the area of the liquid menisci 31, 32.
  • This advantageous effect is further supported by the choice of a sinking rate of the liquid level 28, which enables a sufficient contact time between the surfaces 29, 30 of the wafer 13 and the liquid menisci 31, 32 to achieve the aforementioned effects.

Abstract

Verfahren und Vorrichtung zur Trocknung von Schaltungssubstraten (13), insbesondere Halbleitersubstraten, bei dem bzw. der in einem Spülgang ein Spülen einer Schaltungsoberfläche (30) des Schaltungssubstrats mit einer Spülflüssigkeit (10) erfolgt und in einem nachfolgenden Trocknungsgang die Schaltungsoberfläche getrocknet wird, wobei in dem Spülgang das Schaltungssubstrat in Richtung seiner ebenen Erstreckung, quer und relativ zu einem Flüssigkeitsspiegel (28) der Spülflüssigkeit, bewegt wird, derart, dass sich an einem sich aufgrund der Relativbewegung ändernden Übergangsbereich zwischen der Schaltungsoberfläche und dem Flüssigkeitsspiegel ein Flüssigkeitsmeniskus ausbildet, und in dem Trocknungsgang eine Beaufschlagung des von dem Flüssigkeitsmeniskus benetzten Übergangsbereichs mit Wärmestrahlung (36) erfolgt.

Description

Verfahren und Vorrichtung zur Trocknung von Schaltungssubstraten
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Trocknung von Schaltungssubstraten, insbesondere Halbleitersubstraten, bei dem in einem Spülgang ein Spülen einer Schaltungsoberfläche des Schaltungssubstrats mit einer Spülflüssigkeit erfolgt und in einem nachfolgenden Trocknungsgang die Schaltungsoberfläche getrocknet wird. Des weiteren betrifft die Erfindung eine Norrichtung zur Durchführung des vorstehenden Verfahrens.
Insbesondere Halbleiterwafer, die zur Herstellung von Chips dienen, werden vor ihrer Vereinzelung in Chips mit einem die spätere Kontaktie- rung der Chips ermöglichenden Anschlussflächenaufbau versehen, der die Ausbildung von geeigneten Kontaktmetallisierungen auf den Anschlussflächen umfasst. Hierzu werden regelmäßig chemische Abschei- dungstechniken verwendet, die einen schichtweisen Aufbau der Kontaktmetallisierungen ermöglichen. Insbesondere zur Vermeidung einer Korrosion auf den kontaktseitigen Oberflächen der Wafer bzw. der daraus durch Vereinzelung erzeugten Chips ist es notwendig, eine Reinigung der Anschluss- oder Schaltungsoberfläche vorzunehmen, bei der die Oberfläche verunreinigende, durch die Abscheidungsvorgänge verursachte ionische oder anionische Kontaminationen entfernt werden. Hierzu ist es bekannt, die Anschlussoberfläche der Halbleitersubstrate wiederholt mit deionisiertem Wasser so lange zu spülen, bis nur noch eine zulässige Ionenkonzentration im Spülwasser messbar ist.
Es hat sich nun gezeigt, dass im Falle einer dem Spülvorgang nachfolgenden Trocknung der Anschlussoberfläche nach Verdunstung auf der Anschlussoberfläche verbliebener Spülwasserrückstände Korrosionsnester auf der Anschlussoberfläche verbleiben.
In der Vergangenheit sind daher verschiedene Anstrengungen unternommen worden, um dem Spülvorgang unmittelbar nachfolgend eine möglichst rückstandsfreie Trocknung der Anschlussoberfläche zu ermöglichen. Eine dieser Möglichkeiten besteht darin, das Schaltungssubstrat nach Beaufschlagung mit Spülflüssigkeit oder nach Entnahme aus einem Spülbad mit Temperatur zu beaufschlagen, um ein möglichst schnelles und rückstandsfreies Verdampfen des Spülwassers zu ermöglichen. Nachteilig hiermit verbunden ist jedoch, dass die mit der bekannten Trocknung einhergehende Temperaturbelastung häufig in den Bereich der für die einwandfreie Funktion des Schaltungssubstrats noch gerade zulässigen Temperaturbelastung gelangt oder diesen sogar überschreitet. Des Weiteren ist auch bekannt, durch verschiedene Maßnahmen die Oberflächenspannung des Wassers zu reduzieren, um ein schnelleres und möglichst rückstandsfreies Abfließen des Spülwassers von der Schaltungsoberfläche zu ermöglichen. Jedoch ist festzustellen, dass die bei- spielsweise hierbei zum Einsatz kommenden Tenside als Zugabe zum Spülwasser regelmäßig ihrerseits wieder Rückstände auf der Anschlussoberfläche bewirken. Derartige Rückstände lassen sich zwar bei einer Reinigung unter Zugabe von Alkohol vermeiden, j edoch macht die Verwendung von Alkohol als Spulflussigkeit die ergänzende Verwendung häufig explosiver Stoffe notwendig, so dass die Durchführung derartiger Verfahren einen besonderen Explosionsschutz erforderlich macht und damit entsprechend kostenaufwendig ist.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren bzw. eine Vorrichtung zur Durchführung eines Verfahrens vorzuschlagen, das bzw. die eine im Wesentlichen rückstandsfreie
Reinigung von Schaltungssubstraten ohne eine zu hohe Temperaturbelastung der Schaltungssubstrate bzw. einen zu hohen Aufwand bei Durchführung des Verfahrens bzw. Betrieb der entsprechenden Vorrichtung ermöglicht.
Die vorstehende Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß dem Anspruch 1 bzw. eine Vorrichtung gemäß dem Anspruch 7 gelöst.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren, bei dem in einem Spülgang ein Spülen einer Schaltungsoberfläche des Schaltungssubstrats mit einer Spülflüssigkeit erfolgt und in einem nachfolgenden Trocknungsgang die Schaltungsoberfläche getrocknet wird, wird das Schaltungssubstrat im Spülgang in Richtung seiner ebenen Erstreckung, quer und relativ zu einem Flüssigkeitsspiegel der Spulflussigkeit, bewegt, derart, dass sich an einem sich aufgrund der Relativbewegung ändernden Übergangsbereich zwischen der Schaltungsoberfläche und dem Flüssigkeitsspiegel ein Flüssigkeitsmeniskus ausbildet und im Trocknungsgang eine Beaufschlagung des von dem Flüssigkeitsmeniskus benetzten Übergangsbereichs mit Wärmestrahlung erfolgt.
Bei Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird das Schaltungssubstrat in einem mit dem Flüssigkeitsmeniskus benetzten Übergangsbe- reich mit Wärmestrahlung beaufschlagt, so dass mittels einer Absorption der Wärmestrahlung im Schaltungssubstrat eine eine Verdampfung bewirkende Temperaturerhöhung des Flüssigkeitsmeniskus erfolgt. Da während der Temperaturbeaufschlagung ein sich zwar verändernder, jedoch stets mehr oder weniger großer Teil des Schaltungssubstrats im Flüssigkeitsbad verbleibt, erfolgt stets parallel zur Temperaturbeauf- schlagung eine Wärmeabfuhr vom Schaltungssubstrat in das Flüssigkeitsbad, so dass eine Überhitzung des Substrats weitestgehend ausgeschlossen werden kann. Darüber hinaus ermöglicht die Temperaturbeaufschlagung durch Wärmestrahlung ein im Wesentlichen konvektionsfreies Erwärmen des Schaltungssubstrats, so dass eine Kontamination durch in einer Konvektionsströmung mitgeführte Verunreinigungen weitestgehend ausgeschlossen werden kann.
Gemäß einer bevorzugten Variante des Verfahrens erfolgt die Beaufschlagung mit Wärmestrahlung mittels eines Infrarot-Strahlers, so dass ein besonders effektiver Wärmeeintrag in das Schaltungssubstrat ermöglicht wird.
Eine insbesondere hinsichtlich des benötigten Raumbedarfs bei Durchführung des Verfahrens vorteilhafte Variante besteht darin, dass zur Ausführung der Relativbewegung zwischen dem Flüssigkeitsspiegel und dem Schaltungssubstrat das Schaltungssubstrat in der von einem Badbehälter aufgenommenen Spülflüssigkeit angeordnet und der Flüssigkeitsspiegel abgesenkt wird.
Wenn die Beaufschlagung mit Wärmestrahlung quer zum Flüssigkeitsspiegel erfolgt, ist es möglich, gleichzeitig eine Mehrzahl in einer Verbundanordnung angeordneter Schaltungssubstrate mit der Wärmestrahlung zu beaufschlagen.
Darüber hinaus erweist es sich als besonders vorteilhaft, wenn im Wesentlichen parallel zum Flüssigkeitsspiegel eine Belüftung eines oberhalb des Flüssigkeitsspiegels ausgebildeten Behälterlumens erfolgt, da somit ein nachfolgendes Kondensieren der im Bereich des Flüssigkeitsmeniskus verdampften Flüssigkeit auf dem Schaltungssubstrat verhindert werden kann.
Wenn vor Durchführung des Trocknungsgangs in dem Badbehälter durch wiederholtes Fluten des Behälters eine Mehrzahl von Spülgängen durch- geführt wird, ermöglicht das Verfahren nicht nur einen abschließenden Reinigungsteilschritt betreffend die rückstandsfreie Trocknung der Anschlussoberflächen von Schaltungssubstraten, sondern darüber hinaus auch die Durchführung einer vorhergehenden Mehrzahl von Spülvorgän- gen mit dem Ziel, die Ionen- bzw. Anionenkonzentration auf den Schaltungsoberflächen vor dem nachfolgenden Trocknungsgang in einem insgesamt kontinuierlichen Verfahren in einer einzigen Vorrichtung vorzunehmen.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens zur Trocknung von Schaltungssubstraten, insbesondere Halbleitersubstraten, ist mit einem Badbehälter versehen, der über eine Zuflusseinrichtung und eine Abflusseinrichtung verfügt und in dem eine Aufnahmeanordnung zur Aufnahme zumindest eines Schaltungssubstrats angeordnet ist, derart, dass sich das Schaltungssubstrat in einer Ebene in Richtung auf einen Behälterboden erstreckt. Darüber hinaus ist die erfindungsgemäße
Vorrichtung mit einer eine Behälteröffnung des Badbehälters verschließenden Deckeleinrichtung und mit einer oberhalb der Aufnahmeanordnung angeordneten Wärmestrahlereinrichtung versehen.
In einer besonders vorteilhaften Ausführungsform der Vorrichtung ist die Wärmestrahlereinrichtung mit Infrarot-Strahlern versehen.
Wenn die Wärmestrahlereinrichtung an der Deckeleinrichtung angeordnet ist, ist eine einfache Anordnung der Wärmestrahlereinrichtung oberhalb des Flüssigkeitsspiegels möglich, die eine gleichzeitige Beaufschlagung einer Mehrzahl von in der Aufnahmeanordnung aufgenommenen Schal- tungssubstraten ermöglicht.
Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn zur Abtrennung von einem Behälterinnenraum der Wärmestrahler oberhalb einer transparenten Platte angeordnet ist, so dass der Wärmestrahler selbst geschützt außerhalb der aggressiven Atmosphäre im Behälterinnenraum angeordnet ist. Wenn der Badbehälter im Bereich der Deckeleinrichtung mit einer Belüftungseinrichtung versehen ist, lässt sich die Effektivität der Vorrichtung noch weiter erhöhen. Besonders vorteilhaft für eine einfache Gestaltung der Vorrichtung ist es, wenn die Belüftungseinrichtung an der Deckeleinrichtung angeordnet ist.
Nachfolgend wird eine bevorzugte Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens sowie eine hierzu bevorzugt verwendbare Vorrichtung anhand der Zeichnungen näher erläutert.
Es zeigen: Fig. 1 eine Schnittdarstellung einer Vorrichtung zur Reinigung von Halbleitersubstraten;
Fig. 2 eine vergrößerte Darstellung eines zwischen einem Flüssigkeitsspiegel und einer Schaltungsoberfläche des Halbleitersubstrats ausgebildeten Flüssigkeitsme- niskus.
Fig. 1 zeigt einen mit einer Spülflüssigkeit 10, die im vorliegenden Fall aus deionisiertem Wasser gebildet ist, gefüllten Badbehälter 1 1 , in dem eine Aufnahmeanordnung 12 mit darin gleichmäßig verteilt aufgenommenen Wafern 13 angeordnet ist. Die Aufnahmeanordnung 12 kann beispielsweise zwei die Wafer 13 am Umfangsrand zwischen sich aufnehmende Klemmbacken aufweisen, so dass die Waferoberflächen frei zugänglich bleiben.
Der Badbehälter 1 1 ist im Bereich seines Behälterbodens 14 mit einer mit einem Einlassventil 15 versehenen Zuflusseinrichtung 16 versehen. Weiterhin ist im Bereich des Behälterbodens 14 eine Abflusseinrichtung 17 vorgesehen, die ein Auslassventil 18 aufweist. Darüber hinaus ist die Abflusseinrichtung 17 mit einem Strömungsventil 19 ausgestattet, dass eine Einstellung der Ausströmgeschwindigkeit der durch die Abflusseinrichtung 17 ausströmenden Spülflüssigkeit 10 ermöglicht. Im Bereich der dem Behälterboden 14 gegenüberliegend angeordneten Behälteröffnung 24 des Badbehälters 1 1 , die ein Einsetzen und Herausnehmen der in der Aufnahmeanordnung 12 angeordneten Wafer 13 ermöglicht, ist eine die Behälteröffnung 24 verschließende Deckelein- richtung 20 angeordnet, die einen Betrieb des Badbehälters 1 1 als eine gegenüber der Umgebung abgeschlossene Prozesskammer ermöglicht.
Die Deckeleinrichtung 20 ist im vorliegenden Fall gehäuseartig mit einem Deckelinnenraum 21 ausgebildet, in dem eine Wärmestrahlereinrichtung 22 mit im vorliegenden Fall eine Mehrzahl von Infrarot- Strahlern umfassenden Wärmestrahlern 23 aufgenommen ist. Zur Vermeidung eines Wärmestaus kann die Deckeleinrichtung 20 mit einer hier nicht näher dargestellten Belüftung versehen sein. Eine unmittelbar gegenüberliegend der Behälteröffnung 24 angeordnete Deckelwandung 25 ist transparent und im vorliegenden Fall als eine in die Deckeleinrich- tung 20 eingesetzte Glasplatte 25 ausgebildet. Benachbart der Behälteröffnung 24 und oberhalb eines Flüssigkeitsspiegels 28 des in Fig. 1 im vollständig gefluteten Zustand dargestellten Badbehälters 1 1 angeordnet befindet sich eine mehrere parallel zur Ebene der Behälteröffnung 24 verlaufende Belüftungskanäle 26 aufweisende Belüftungseinrichtung 27. Die Belüftungskanäle 26 münden im vorliegenden Fall von außen in eine rückwärtige Behälterwandung 34 des Badbehälters 1 1 und ermöglichen eine Zuführung und Abführung einer parallel zum Flüssigkeitsspiegel 28 gerichteten Belüftungsströmung mit sehr geringer Strömungsgeschwindigkeit.
Zum Betrieb der in Fig. 1 dargestellten Vorrichtung wird die Aufnahmeanordnung 12 mit den darin aufgenommenen Wafern 13 in den Badbehälter 1 1 eingesetzt und der Badbehälter 1 1 mittels der Deckeleinrichtung 20 verschlossen. In einem anschließenden Befüllungsvorgang wird der Badbehälter 1 1 bei geschlossenem Auslassventil 18 der Abflusseinrich- tung 17 durch die Zuflusseinrichtung 16 mit Spülflüssigkeit 10 bis zum Erreichen eines in Fig. 1 dargestellten Flüssigkeitsspiegels 28, der die sich zum Behälterboden 14 hin erstreckenden Wafer 13 vollständig abdeckt, mit Spülflüssigkeit 10 geflutet.
Ausgehend von dem in Fig. 1 dargestellten gefluteten Zustand des Badbehälters 1 1 wird nun bei geöffnetem Strömungsventil 19 der Flüs- sigkeitsspiegel 28 vorzugsweise kontinuierlich abgesenkt, so dass ein fortschreitend größer werdender Teil der Wafer 13 aus der Spülflüssigkeit 10 herausragt. Während des Absenkens des Flüssigkeitsspiegels 28 bildet sich in einem Übergangsbereich 35 zwischen den quer zum Flüssigkeitsspiegel 28 verlaufenden Oberflächen 29, 30 der Wafer 13 und dem Flüssigkeitsspiegel 28 ein Flüssigkeitsmeniskus 31 , 32 aus, wie in Fig. 2 dargestellt. Zumindest eine der Oberflächen 29, 30 ist als Schaltungsoberfläche mit darauf angeordneten Kontaktmetallisierungen ausgebildet.
Während des Absenkens des Flüssigkeitsspiegels 28 ist die im vorliegen- den Ausführungsbeispiel IR- Strahlung emittierende Wärmestrahlereinrichtung 22 mit den durch die Glasplatte 25 vom Flüssigkeitsspiegel 28 abgetrennten Wärmestrahlern 23 in Betrieb. In Folge der Absorption der Wärmestrahlung 36 im Halbleitermaterial der Wafer 13 erfolgt eine Erwärmung des oberhalb des Flüssigkeitsspiegels 28 angeordneten Teils der Wafer 13, wohingegen der in der Spülflüssigkeit 10 angeordnete Teil der Wafer 13 durch den Wärmeübergang zwischen dem Halbleitermaterial und der Spülflüssigkeit 10 relativ gekühlt wird. Hierdurch wird verhindert, dass es trotz einer für ein Verdampfen der Spülflüssigkeit 10 im Bereich der Flüssigkeitsmenisken 31 , 32 ausreichenden Erwärmung des Halbleitermaterials zu einer die Funktion des Wafers beeinträchtigenden Überhitzung des Halbleitermaterials kommen kann. Durch die Verdampfung der Spülflüssigkeit 10 im Bereich der Flüssigkeitsmenisken 31 , 32 wird sichergestellt, dass im Wesentlichen keine Reste von Spülflüssigkeit auf den Oberflächen 29, 30 der Wafer 13 verbleiben. Neben dem Verdampfen der Spülflüssigkeit im Bereich der Flüssigkeitsmenisken 31 , 32 wird durch die Erwärmung des Halbleitermaterials im Bereich der Flüssigkeitsmenisken 31 , 32 auch die Oberflächenspannung der Flüssigkeitsmenisken reduziert, so dass die Benetzungseigenschaften der Spülflüssigkeit 10 im Bereich der Oberflächenmenisken 31 , 32 vergrößert werden und ein besseres Ablaufen der Spülflüssigkeit 10 von den Oberflächen 29, 30 erreicht wird.
Der im Wesentlichen auf den Grenzbereich zwischen den Oberflächen 29, 30 des Wafers 13 und den Flüssigkeitsmenisken 31 , 32 beschränkte Wärmeübergang sorgt dafür, dass eine Erwärmung und damit verbundene Reduzierung der Oberflächenspannung der Spülflüssigkeit nur im vorge- nannten Grenzbereich auftritt, so dass daran angrenzend die Oberflächenspannung der Spülflüssigkeit im Wesentlichen erhalten bleibt und verhindert wird, dass es im Bereich der Flüssigkeitsmenisken 31 , 32 zu einer Tropfenbildung kommt. Unterstützt wird dieser vorteilhafte Effekt noch durch die Wahl einer Absinkgeschwindigkeit des Flüssigkeitsspie- gels 28, die eine zur Erzielung der vorgenannten Effekte ausreichende Kontaktzeit zwischen den Oberflächen 29, 30 des Wafers 13 und den Flüssigkeitsmenisken 31 , 32 ermöglicht.
Ausgehend von dem in Fig. 1 dargestellten gefluteten Zustand des Badbehälters 1 1 wird bei einem Absenken des Flüssigkeitsspiegels 28 ein zwischen dem Flüssigkeitsspiegel 28 und der Glasplatte 25 gebildetes Lumen 33 stetig größer. Um zu verhindern, dass in Folge der Beaufschlagung mit Wärmestrahlung 36 verdampfte Spülflüssigkeit 10 nach einem Abkühlen wieder oberhalb des Flüssigkeitsspiegels 28 an den Oberflächen 29, 30 der Wafer 13 kondensiert, erfolgt durch die Belüf- tungseinrichtung 27 eine Belüftung des Lumens 33.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Trocknung von Schaltungssubstraten (13), insbesondere Halbleitersubstraten, bei dem in einem Spülgang ein Spülen einer Schaltungsoberfläche (29, 30) des Schaltungssubstrats mit einer Spülflüssigkeit (10) erfolgt und in einem nachfolgenden Trocknungsgang die Schaltungsoberfläche getrocknet wird, wobei in dem Spülgang das Schaltungssubstrat in Richtung seiner ebenen Erstreckung, quer und relativ zu einem Flüssigkeitsspiegel (28) der Spülflüssig- keit, bewegt wird, derart, dass sich an einem sich aufgrund der Relativbewegung ändernden Übergangsbereich (35) zwischen der Schaltungsoberfläche und dem Flüssigkeitsspiegel ein Flüssigkeitsmeniskus (31, 32) ausbildet, und in dem Trocknungsgang eine Beaufschlagung des von dem Flüssigkeitsmeniskus benetzten Übergangsbereichs mit Wärmestrahlung (36) erfolgt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g ekennz ei chn et , dass die Beaufschlagung mit Wärmestrahlung (36) mittels eines Infrarot-Strahlers erfolgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch g ekennz ei chnet , dass zur Ausführung der Relativbewegung zwischen dem Flüssigkeitsspiegel (28) und dem Schaltungssubstrat (13) das Schaltungssubstrat in der von einem Badbehälter (11) aufgenommenen Spülflüs- sigkeit (10) angeordnet und der Flüssigkeitsspiegel abgesenkt wird.
4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch g ekennz ei chn et , dass die Beaufschlagung mit Wärmestrahlung (36) quer zum Flüssigkeitsspiegel (28) erfolgt.
5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch g ekennz ei chn et , dass im Wesentlichen parallel zum Flüssigkeitsspiegel (28) eine Belüftung eines oberhalb des Flüssigkeitsspiegels (28) ausgebildeten Behälterlumens (33) erfolgt.
6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch g ekennz e i c hn et , dass vor Durchführung des Trocknungsgangs in dem Badbehälter (11) durch wiederholtes Fluten des Badbehälters eine Mehrzahl von Spülgängen durchgeführt wird.
7. Vorrichtung zur Durchführung eines Verfahrens zur Trocknung von Schaltungssubstraten (13) , insbesondere Halbleitersubstraten, nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, mit einem mit einer Zuflusseinrichtung (16) und einer Abflusseinrichtung (17) versehenen und mit einer Deckeleinrichtung (20) verschließbaren Badbehälter (11) und einer im Badbehälter angeordneten Aufnahmeanordnung (12) zur Aufnahme zumindest eines Schaltungssubstrats, derart, dass sich das Schaltungssubstrat in einer Ebene in Richtung auf einen Behälterboden (14) erstreckt, und mit einer oberhalb der Aufnahmeanordnung angeordneten Wärmestrahlereinrichtung (22).
8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gek ennzei chnet , dass die Wärmestrahlereinrichtung (22) mit Infrarot-Strahlern versehen ist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch g ekennz ei chnet , dass die Wärmestrahlereinrichtung (22) an der Deckeleinrichtung (20) angeordnet ist.
10. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 7 bis 9, dadurch g ekennz ei chnet , dass zur Abtrennung von einem Behälterinnenraum die Wärmestrahlereinrichtung (22) oberhalb einer transparenten Platte (25) angeordnet ist.
11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gek ennz ei chnet , dass der Badbehälter (11) im Bereich der Deckeleinrichtung (20) mit einer Belüftungseinrichtung (27) versehen ist.
12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch g ekennz e i chnet , dass die Belüftungseinrichtung (27) an der Deckeleinrichtung (20) angeordnet ist.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8256131B2 (en) * 2003-12-22 2012-09-04 Pac-Tech—Packaging Technologies GmbH Method and device for drying circuit substrates

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6849368B2 (ja) * 2016-09-30 2021-03-24 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5556479A (en) * 1994-07-15 1996-09-17 Verteq, Inc. Method and apparatus for drying semiconductor wafers
JPH10321583A (ja) * 1997-05-20 1998-12-04 Kaijo Corp 基板の乾燥方法
US6128829A (en) * 1996-04-04 2000-10-10 Steag Microtech Gmbh Method for drying substrates
JP2002134463A (ja) * 2000-10-24 2002-05-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板乾燥装置

Family Cites Families (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3610912A (en) * 1968-08-14 1971-10-05 Varian Associates Low profile optical system
US3878816A (en) * 1973-07-26 1975-04-22 Xerox Corp Imaging system
US3953265A (en) * 1975-04-28 1976-04-27 International Business Machines Corporation Meniscus-contained method of handling fluids in the manufacture of semiconductor wafers
US4021110A (en) * 1975-04-30 1977-05-03 Xerox Corporation Photocopying camera and processing device
US4021278A (en) * 1975-12-12 1977-05-03 International Business Machines Corporation Reduced meniscus-contained method of handling fluids in the manufacture of semiconductor wafers
CA1040746A (en) * 1976-06-30 1978-10-17 Robert W. Bertram Thin film resistance temperature detector
US4343013A (en) * 1980-10-14 1982-08-03 Ncr Corporation Nozzle plate for ink jet print head
US4443411A (en) * 1980-12-15 1984-04-17 Mobil Solar Energy Corporation Apparatus for controlling the atmosphere surrounding a crystal growth zone
US4341590A (en) * 1981-04-27 1982-07-27 Sperry Corporation Single surface LPE crystal growth
DE3276266D1 (en) * 1982-12-30 1987-06-11 Ibm Liquid filled electro-optic display cell and method of filling and sealing same
GR871619B (en) * 1986-10-31 1988-03-03 Genetic Systems Corp Automated patient sample analysis instrument
US4892857A (en) * 1987-05-20 1990-01-09 Corning Incorporated Electrically conductive ceramic substrate
US5145646A (en) * 1991-06-03 1992-09-08 Abbott Laboratories Reagent bottle and cap
JPH06320744A (ja) * 1993-04-19 1994-11-22 Xerox Corp 全巾インクジェットプリンタ用の湿式拭い保守装置
RU2047643C1 (ru) * 1993-05-21 1995-11-10 Хан Ир Гвон Материал для поляризующих покрытий
JP2798503B2 (ja) * 1993-05-27 1998-09-17 大日本印刷株式会社 液塗布方法および塗布装置
US5439782A (en) * 1993-12-13 1995-08-08 At&T Corp. Methods for making microstructures
FR2716263B1 (fr) * 1994-02-11 1997-01-17 Pasteur Institut Procédé d'alignement de macromolécules par passage d'un ménisque et applications dans un procédé de mise en évidence, séparation et/ou dosage d'une macromolécule dans un échantillon.
US5644475A (en) * 1994-09-30 1997-07-01 Allen-Bradley Company, Inc. Solder mask for a finger connector on a single in-line package module
US5846770A (en) * 1994-11-22 1998-12-08 Genetics Institute, Inc. DNA molecules encoding human chordin
US5660642A (en) * 1995-05-26 1997-08-26 The Regents Of The University Of California Moving zone Marangoni drying of wet objects using naturally evaporated solvent vapor
FR2737574B1 (fr) * 1995-08-03 1997-10-24 Pasteur Institut Appareillage d'alignement parallele de macromolecules et utilisation
JPH09186127A (ja) 1995-12-28 1997-07-15 Shiii & I:Kk 半導体ウェハーの洗浄・乾燥方法および装置
US6042224A (en) * 1996-02-14 2000-03-28 Fuji Xerox Co., Ltd. Image recording device
JP3359494B2 (ja) 1996-04-18 2002-12-24 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
US5965403A (en) * 1996-09-18 1999-10-12 Genetics Institute, Inc. Nucleic acids encoding bone morphogenic protein-16 (BMP-16)
US6039059A (en) * 1996-09-30 2000-03-21 Verteq, Inc. Wafer cleaning system
US6156211A (en) * 1997-01-31 2000-12-05 Lynntech, Inc. Enhanced photocatalytic conversion of methane to methanol using a porous semiconductor membrane
US6136186A (en) * 1997-01-31 2000-10-24 Lynntech, Inc. Photocatalytic oxidation of organics using a porous titanium dioxide membrane and an efficient oxidant
US5779912A (en) * 1997-01-31 1998-07-14 Lynntech, Inc. Photocatalytic oxidation of organics using a porous titanium dioxide membrane and an efficient oxidant
US6117337A (en) * 1997-01-31 2000-09-12 Lynntech, Inc. Enhanced photocatalytic oxidation of organics using a porous titanium dioxide membrane
JP3128643B2 (ja) * 1997-04-02 2001-01-29 東京エレクトロン株式会社 洗浄・乾燥処理装置
US6227654B1 (en) * 1997-07-15 2001-05-08 Silverbrook Research Pty Ltd Ink jet printing mechanism
US7293855B2 (en) * 1997-07-15 2007-11-13 Silverbrook Research Pty Ltd Inkjet nozzle with ink supply channel parallel to drop trajectory
US7360872B2 (en) * 1997-07-15 2008-04-22 Silverbrook Research Pty Ltd Inkjet printhead chip with nozzle assemblies incorporating fluidic seals
US5985166A (en) * 1997-10-29 1999-11-16 California Institute Of Technology Chemical etching of fiber probe
US6027917A (en) * 1997-12-10 2000-02-22 Genetics Institute, Inc. Bone morphogenetic protein (BMP)-17 and BMP-18 compositions
US6866842B1 (en) * 1998-05-01 2005-03-15 University Of Pittsburgh Muscle-derived cells (MDCs) for treating muscle-or bone-related injury or dysfunction
US6108932A (en) * 1998-05-05 2000-08-29 Steag Microtech Gmbh Method and apparatus for thermocapillary drying
JP3611177B2 (ja) * 1998-07-22 2005-01-19 セイコーエプソン株式会社 インクジェット式記録装置及び記録方法
US6139613A (en) * 1998-08-21 2000-10-31 Aveka, Inc. Multilayer pigments and their manufacture
US6689323B2 (en) * 1998-10-30 2004-02-10 Agilent Technologies Method and apparatus for liquid transfer
US6106690A (en) * 1998-12-07 2000-08-22 Reynolds Tech Fabricators, Inc. Electroplaner
JP2000183021A (ja) 1998-12-11 2000-06-30 Toho Kasei Kk 基板処理装置
US7429537B2 (en) * 1999-01-22 2008-09-30 Semitool, Inc. Methods and apparatus for rinsing and drying
WO2000054321A1 (en) * 1999-03-10 2000-09-14 Tessera, Inc. Microelectronic joining processes
JP2000255056A (ja) * 1999-03-10 2000-09-19 Seiko Epson Corp インクジェット記録装置の制御方法
DE60036863T2 (de) * 1999-03-25 2008-07-31 Metabolix, Inc., Cambridge Medizinische vorrichtungen und verwendungen von polyhydroxyalkanoatpolymeren
US6328814B1 (en) * 1999-03-26 2001-12-11 Applied Materials, Inc. Apparatus for cleaning and drying substrates
US6582578B1 (en) * 1999-04-08 2003-06-24 Applied Materials, Inc. Method and associated apparatus for tilting a substrate upon entry for metal deposition
US6964685B2 (en) * 1999-06-22 2005-11-15 The Brigham And Women's Hospital, Inc. Biologic replacement for fibrin clot
JP3972554B2 (ja) * 1999-08-31 2007-09-05 コニカミノルタホールディングス株式会社 カラーフィルターの作製方法
US6593690B1 (en) * 1999-09-03 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same
US6527370B1 (en) * 1999-09-09 2003-03-04 Hewlett-Packard Company Counter-boring techniques for improved ink-jet printheads
US7122126B1 (en) * 2000-09-28 2006-10-17 Materials And Technologies Corporation Wet processing using a fluid meniscus, apparatus and method
US6399396B1 (en) * 2000-01-28 2002-06-04 Agilent Technologies, Inc. Compressed loading apparatus and method for liquid transfer
US6629997B2 (en) * 2000-03-27 2003-10-07 Kevin A. Mansmann Meniscus-type implant with hydrogel surface reinforced by three-dimensional mesh
US7606608B2 (en) * 2000-05-02 2009-10-20 Sensys Medical, Inc. Optical sampling interface system for in-vivo measurement of tissue
US7520284B2 (en) * 2000-06-30 2009-04-21 Lam Research Corporation Apparatus for developing photoresist and method for operating the same
US7287537B2 (en) * 2002-01-29 2007-10-30 Akrion Technologies, Inc. Megasonic probe energy director
KR100413693B1 (ko) * 2002-04-02 2004-01-03 삼성전자주식회사 잉크젯 프린트 헤드 및 이의 제조 방법
JP4076365B2 (ja) 2002-04-09 2008-04-16 シャープ株式会社 半導体洗浄装置
US7594934B2 (en) * 2002-06-14 2009-09-29 Crosscart, Inc. Galactosidase-treated prosthetic devices
US6945627B2 (en) * 2002-06-27 2005-09-20 Canon Kabushiki Kaisha Ink jet recording apparatus and ink jet recording method
JP4280574B2 (ja) * 2002-07-10 2009-06-17 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッドの製造方法
US7025457B2 (en) * 2002-07-31 2006-04-11 Vision-Ease Lens Dip coating process for optical elements
US6696644B1 (en) * 2002-08-08 2004-02-24 Texas Instruments Incorporated Polymer-embedded solder bumps for reliable plastic package attachment
US6875289B2 (en) * 2002-09-13 2005-04-05 Fsi International, Inc. Semiconductor wafer cleaning systems and methods
US7810513B1 (en) * 2002-09-30 2010-10-12 Lam Research Corporation Substrate preparation using megasonic coupling fluid meniscus and methods, apparatus, and systems for implementing the same
US7093375B2 (en) * 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US7045018B2 (en) * 2002-09-30 2006-05-16 Lam Research Corporation Substrate brush scrubbing and proximity cleaning-drying sequence using compatible chemistries, and method, apparatus, and system for implementing the same
AU2003277185A1 (en) * 2002-09-30 2004-04-19 Lam Research Corporation System for substrate processing with meniscus, vacuum, ipa vapor, drying manifold
US7329321B2 (en) * 2002-09-30 2008-02-12 Lam Research Corporation Enhanced wafer cleaning method
DE10361075A1 (de) * 2003-12-22 2005-07-28 Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh Verfahren und Vorichtung zur Trocknung von Schaltungssubstraten
DE102004004974A1 (de) * 2004-01-31 2005-08-18 Aventis Pharma Deutschland Gmbh Thieno-Iminosäure-Derivate als Inhibitoren von Matrix-Metalloproteinasen
US7754291B2 (en) * 2004-03-26 2010-07-13 Auld Technologies Llc Miniature emblems and method of making same
WO2006026325A2 (en) * 2004-08-26 2006-03-09 Pathak Chandrashekhar P Implantable tissue compositions and method
JP2006178077A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Sony Corp ズームレンズ及び撮像装置
US7465041B2 (en) * 2005-10-11 2008-12-16 Silverbrook Research Pty Ltd Inkjet printhead with inlet priming feature
US7401405B2 (en) * 2005-10-11 2008-07-22 Silverbrook Research Pty Ltd Method of fabricating inkjet nozzles having associated ink priming features
US7401910B2 (en) * 2005-10-11 2008-07-22 Silverbrook Research Pty Ltd Inkjet printhead with bubble trap
US7401890B2 (en) * 2005-10-11 2008-07-22 Silverbrook Research Pty Ltd Intercolour surface barriers in multi colour inkjet printhead
US7443597B2 (en) * 2005-12-27 2008-10-28 Tessera, Inc. Liquid lens with piezoelectric voltage converter
US7798678B2 (en) * 2005-12-30 2010-09-21 3M Innovative Properties Company LED with compound encapsulant lens
US7857430B2 (en) * 2006-03-07 2010-12-28 Fujifilm Corporation Ink jet recording head and ink jet recording apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5556479A (en) * 1994-07-15 1996-09-17 Verteq, Inc. Method and apparatus for drying semiconductor wafers
US6128829A (en) * 1996-04-04 2000-10-10 Steag Microtech Gmbh Method for drying substrates
JPH10321583A (ja) * 1997-05-20 1998-12-04 Kaijo Corp 基板の乾燥方法
JP2002134463A (ja) * 2000-10-24 2002-05-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板乾燥装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1999, no. 03 31 March 1999 (1999-03-31) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 2002, no. 09 4 September 2002 (2002-09-04) *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8256131B2 (en) * 2003-12-22 2012-09-04 Pac-Tech—Packaging Technologies GmbH Method and device for drying circuit substrates

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007524232A (ja) 2007-08-23
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