WO2004112125A1 - Procede d'obtention d'une couche tres mince par amincissement par auto-portage provoque - Google Patents

Procede d'obtention d'une couche tres mince par amincissement par auto-portage provoque Download PDF

Info

Publication number
WO2004112125A1
WO2004112125A1 PCT/FR2004/050212 FR2004050212W WO2004112125A1 WO 2004112125 A1 WO2004112125 A1 WO 2004112125A1 FR 2004050212 W FR2004050212 W FR 2004050212W WO 2004112125 A1 WO2004112125 A1 WO 2004112125A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
thick layer
substrate
implantation
gaseous species
Prior art date
Application number
PCT/FR2004/050212
Other languages
English (en)
Inventor
Hubert Moriceau
Chrystelle Lagahe
Benoit Bataillou
Original Assignee
Commissariat A L'energie Atomique
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat A L'energie Atomique filed Critical Commissariat A L'energie Atomique
Priority to JP2006508363A priority Critical patent/JP4987470B2/ja
Priority to US10/558,621 priority patent/US7776714B2/en
Priority to EP04742879.2A priority patent/EP1631982B1/fr
Publication of WO2004112125A1 publication Critical patent/WO2004112125A1/fr

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
    • H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Element Separation (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

L'invention concerne un procéde d'obtention d'une couche mince en un premier matériau sur un substrat en un deuxieme matériau dit substrat final, comprenant les étapes suivantes - fixation d'une couche épaisse de premier matériau sur le substrat final selon une interface, - implantation d'espèces gazeuses dans la couche épaisse de premier matériau pour créer une zone fragilisée délimitant, entre l'interface et la zone fragilisée, ladite couche mince, - dépôt sur la couche épaisse de premier matériau d'une couche d'un troisième matériau dite couche d’ auto-portage, - fracture au sein de la structure constituée par le substrat final, la couche épaisse de premier matériau et la couche de troisième matériau, au niveau de la zone fragilisée pour fournir le substrat supportant ladite couche mince.

Description

PROCEDE D'OBTENTION D'UNE COUCHE TRES MINCE PAR AMINCISSEMENT PAR AUTO-PORTAGË PROVOQUE
DESCRIPTION
DOMAINE TECHNIQUE
La présente invention concerne un procédé d'obtention d'une couche mince sur un substrat, permettant notamment l'obtention d'une couche très fine, typiquement inférieure à 0,1 μm. Elle s'applique en particulier à la réalisation d'une structure de type SOI.
ETAT DE IA TECHNIQUE ANTERIEURE
Le document FR-A-2 681 472 (correspondant au brevet américain N0 5 374 564) divulgue un procédé d'obtention d'une couche mince de silicium sur un support pour fournir un substrat de type SOI . Le procédé comprend une première étape consistant à implanter un substrat de silicium ou substrat initial par des ions, par exemple des ions hydrogène, pour obtenir une zone fragilisée délimitant, par rapport à la face d'implantation du substrat, une couche mince de silicium. Au cours d'une deuxième étape, un raidisseur ou substrat final est fixé sur la face implantée du substrat initial. La troisième étape consiste à réaliser une séparation de la structure empilée obtenue, au niveau de la zone fragilisée. La séparation procure une couche mince de silicium transférée sur un support, le reste du substrat initial étant réutilisable. Ce procédé est notamment connu sous le nom de Smart Cut®. Ce procédé permet de réaliser une structure empilée par collage, par exemple par collage moléculaire, supportant une couche mince monocristalline ou polycristalline. Il donne de très bons résultats pour obtenir des transferts de couches minces jusqu'à des épaisseurs aussi fines que 0,1 μm.
Cependant, l'obtention de couches minces très fines
(typiquement d'épaisseur inférieure à 0,1 μm) peut poser des problèmes dus à l'apparition de défauts, par exemple des cloques, à partir de l'interface de collage.
Une solution pour obtenir des couches minces très fines est d'obtenir d'abord une couche mince plus épaisse puis de retirer le surplus de matériau jusqu'à obtenir l'épaisseur voulue. Cependant, un retrait trop important par les techniques classiques (polissage mécano-chimique ou CMP, traitement thermique, attaque chimique, gravure ionique,...) dégrade l'homogénéité en épaisseur de la couche mince. Cette dégradation est d'autant plus marquée que l'épaisseur à retirer est importante. La qualité, mesurée en termes d'homogénéité en épaisseur de la couche transférée, est donc dégradée par rapport à celle qui peut être obtenue par le procédé Smart Cut® Un autre problème existe lorsque les matériaux constituant les couches à amincir ont des propriétés qui rendent difficile l'amincissement CMP. C'est le cas par exemple de matériaux trop durs tels que le saphir, le SiC, le diamant. C'est aussi le cas de structures où le collage utilisé pour l'empilement ne permet pas d'utiliser de telles techniques. Par l'
exemple, lorsque l'énergie de collage est trop faible, le CMP ou des gravures chimiques humides ne sont pas utilisables.
La voie de exfoliation pure, générée par exemple par implantation et par traitement thermique à haute température et sans raidisseur (approche que l'on retrouve dans le brevet américain N° 6 103 599) risque de laisser une rugosité trop forte pour être récupérable par CMP, recuit hydrogène ou tout autre traitement de surface connu. Ainsi, le phénomène de cloques éclatées (exfoliation) peut laisser en surface des morphologies très difficiles à enlever. On peut assimiler ces cloques éclatées à des successions de marches à des fréquences faibles (largeurs typiques de l'ordre de dizaines de μm) .
EXPOSÉ DE L'INVENTION
Pour remédier à ce problème, il est proposé un procédé dans lequel on transfère, sur le support désiré, une couche relativement épaisse de matériau à transférer, puis on l'amincit par implantation et fracture assistée par la présence d'une couche supplémentaire fixée sur cette couche épaisse. On obtient ainsi une couche très mince de bonne qualité sur ledit support. L'invention a donc pour objet un procédé d'obtention d'une couche mince en un premier matériau sur un substrat en un deuxième matériau dit substrat final, comprenant les étapes suivantes :
- fixation d'une couche épaisse de premier matériau par l'une de ses faces principales sur le substrat final selon une interface, - implantation d'espèces gazeuses dans la couche épaisse de premier matériau pour créer une zone fragilisée délimitant, entre l'interface et la zone fragilisée, ladite couche mince, - dépôt sur la face libre de la couche épaisse de premier matériau d'une couche d'un troisième matériau dite couche d'auto-portage, fracture au sein de la structure constituée par le substrat final, la couche épaisse de premier matériau et la couche de troisième matériau, au niveau de la zone fragilisée pour fournir le substrat supportant ladite couche mince.
On obtient ainsi une couche très mince par rapport aux ordres de grandeur des couches transférées classiquement par le procédé Smart Cut® et ce sans problème de bulles au niveau de l'interface et avec une bonne homogénéité d'épaisseur.
L'implantation d'espèces gazeuses dans la couche épaisse de premier matériau peut être réalisé par une ou plusieurs implantations d'espèces gazeuses, identiques ou différentes, choisies parmi des espèces telles que, par exemple, l'hydrogène ou l'hélium.
La couche épaisse de premier matériau peut être composée d'un ou de plusieurs matériaux. Elle peut être une couche délimitée dans un substrat initial au cours d'une étape d'implantation d'espèces gazeuses permettant de créer une zone fragilisée dans le substrat initial, une étape de fracture entre la couche épaisse du premier matériau et le reste du substrat initial étant effectuée après l'étape de fixation de la couche épaisse de premier matériau sur le substrat final.
L'implantation d'espèces gazeuses dans le substrat initial peut être une implantation d'ions hydrogène.
Selon un premier mode de réalisation, l'étape d'implantation d'espèces gazeuses dans la couche épaisse de premier matériau est effectuée après la fracture entre la couche épaisse de premier matériau et le reste du substrat initial.
Selon un deuxième mode de réalisation, l'étape d'implantation d'espèces gazeuses dans la couche épaisse de premier matériau est effectuée avant l'étape de fixation de la couche épaisse de premier matériau sur le substrat final. D'une façon générale, les implantations sont réalisées de telle sorte que la première fracture (dans le substrat initial) ne gêne pas la deuxième fracture (au sein de la couche épaisse) . Par exemple, si les étapes de fracture sont réalisées par traitement thermique, les étapes d'implantation d'espèces gazeuses sont effectuées dans des conditions telles que la fracture entre la couche épaisse de premier matériau et le reste du substrat initial est obtenue à une température inférieure à la température de fracture de ladite structure.
Avantageusement, la fixation de la couche d'auto-portage sur la couche épaisse de premier matériau est réalisée par un dépôt dudit troisième matériau sur la couche épaisse de premier matériau. La fixation de la couche épaisse de premier matériau sur le substrat final peut être obtenue par un collage par adhésion moléculaire.
Selon une variante de mise en œuvre, une partie de la couche dr auto-portage étant déposée, l'implantation d'espèces gazeuses dans la couche épaisse de premier matériau est réalisée après ce dépôt effectué en partie.
BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages et particularités apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif, accompagnée des dessins annexés parmi lesquels : - les figures IA à IF sont des vues en coupe transversale illustrant un premier mode de mise en œuvre du procédé selon l'invention,
- les figures 2A à 2F sont des vues en coupe transversale illustrant un deuxième mode de mise en œuvre du procédé selon l'invention,
- la figure 3 est un diagramme explicatif.
EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS
Les figures IA à IF illustrent un premier mode de mise en œuvre du procédé selon l'invention pour l'obtention d'une couche mince de silicium sur un support. Bien entendu, la technique décrite peut être appliquée à d'autres matériaux que le silicium comme par exemple le SiC, le germanium, les matériaux III-V et IV-IV, les nitrures (comme GaN), ou encore d'autres matériaux cristallins, ces matériaux étant pris seuls ou en combinaison.
La figure IA montre un substrat initial en silicium 10, comportant en surface une couche d'oxyde 19 d'environ 0,05 um typiquement, dont l'une des faces principales, la face oxydée 11, est soumise à un bombardement ionique uniforme afin de créer une zone fragilisée 12 à une distance déterminée de la face 11. L'implantation est réalisée au moyen d'ions hydrogène accélérés avec une énergie élevée (par exemple 210 keV) afin de créer la zone fragilisée 12 assez profondément par rapport à la face bombardée 11. On délimite ainsi, entre la face 11 et la zone fragilisée 12, une couche 13 d'épaisseur voisine de 1,9 μm, le reste du substrat initial portant la référence 14. La couche 13 peut être appelée couche épaisse. La dose d'ions implantés est choisie conformément au procédé Smart Cut® pour obtenir par la suite une fracture, au niveau de la zone fragilisée, par exemple par un traitement thermique. Le traitement thermique peut être assisté ou remplacé par un traitement mécanique. Par simplification, on parlera par la suite globalement d'un traitement thermique.
La figure IB montre la fixation de la face 11 du substrat initial 10 sur une face 21 du substrat final 20. La fixation est par exemple obtenue par collage par adhésion moléculaire.
La structure obtenue est alors soumise à un traitement thermique à une température d'environ 4800C. Ce traitement thermique provoque une fracture de la structure au niveau de la zone fragilisée. Après enlèvement du reste 14 du substrat initial on obtient la structure empilée montrée à la figure IC et comprenant le substrat final 20 auquel adhère la couche épaisse 13 de 1,9 μm d'épaisseur. La couche épaisse 13 présente une face libre 15. La structure peut en outre être soumise à un traitement thermique pour renforcer son interface de collage. Par exemple, un tel traitement sera effectué à environ HOO0C pendant environ 2 heures.
La face 15 peut être soumise à un traitement de surface (par CMP, recuit hydrogène,...) afin de supprimer la rugosité qu' elle pourrait présenter. Par exemple, une réduction d'épaisseur par CMP de l'ordre de 50 nm permet de conserver une bonne homogénéité d'épaisseur de la couche épaisse. Une variante peut consister à déposer ou générer thermiquement une fine couche d'oxyde, par exemple de l'ordre de 0,2 μm.
Une seconde implantation ionique est alors effectuée, par exemple par des ions hydrogène. C'est ce que monte la figure ID. L'énergie d'implantation mise en œuvre est par exemple de 185 keV et la dose d'ions est choisie pour obtenir par la suite une fracture, au niveau de la zone fragilisée 16 ainsi obtenue, par exemple par un traitement thermique. La zone fragilisée 16 est située à une profondeur d'environ 1,5 μm par rapport à la face 15. Elle sépare la couche épaisse 13 en deux sous-couches 17 et 18, la sous-couche 17 constituant la couche mince désirée.
On réalise ensuite sur la face 15 un dépôt d'une couche 1 dite couche d'auto-portage, comme le montre la figure IE. Il peut s'agir d'une couche d'oxyde de silicium, d'une épaisseur de 4μm, déposée par PECVD.
Dans le cas où l'on a déposé ou généré, avant la seconde implantation, une fine couche d'oxyde, on vient ici compléter cette couche.
Un traitement thermique peut alors être effectué pour obtenir la fracture, par exemple un recuit isotherme à 6000C. C'est ce que montre la figure IF. La structure est séparée en une première partie constituée d'un bicouche auto-porté, comprenant la couche d'auto-portage 1 et la sous-couche 18, et une deuxième partie comprenant le substrat final 20 auquel adhère la couche mince 17 par l'intermédiaire de la couche d'oxyde 19. Le bicouche est éventuellement réutilisable.
Le substrat final 20 et la couche mince 17 peuvent alors subir une étape de nettoyage, des étapes d'amincissement de la couche mince et de stabilisation classiques illustrées par exemple dans le document FR- A-2 777 115, dans l'ordre et la combinaison optimale actuelle. La couche mince de silicium peut alors avoir une épaisseur voisine de 100 nm.
Le substrat final utilisé peut être de nature variée. Il peut être en matériau semiconducteur, en matériau isolant ou constitué d'un empilement (par exemple un substrat de silicium recouvert d'une couche d'oxyde de silicium).
Les figures 2A à 2F illustrent un deuxième mode de mise en œuvre du procédé selon l'invention pour l'obtention d'une couche mince de silicium sur un support. La figure 2A montre un substrat initial 30 en silicium dont l'une des faces principales, la face 31, est soumise à un bombardement ionique uniforme afin de créer une zone fragilisée 32 à une distance déterminée de la face 31. Cette face pourrait être pourvue également d'une couche d'oxyde, par exemple de quelques nanomètres d'épaisseur. Comme pour le premier mode de mise en œuvre de l'invention, l'implantation peut être réalisée par des ions hydrogène d'une énergie de 210 keV. L'implantation délimite entre la face 31 et la zone fragilisée 32, une couche épaisse 33 d'épaisseur voisine de 1,9 um. Le reste du substrat initial porte la référence 34.
L'étape suivante, représentée à la figure 2B, consiste à réaliser une deuxième implantation ionique au travers de la face 31. Cette deuxième implantation est moins profonde que la première et moins dosée. L'énergie d'implantation peut être de l'ordre de 50 keV. Elle permet de créer une zone fragilisée 36 à l'intérieur de la couche épaisse 33. La zone fragilisée 36 délimite, par rapport à la face 31, une couche mince 37. Le reste de la couche épaisse 33, ou sous-couche, porte la référence 38.
La figure 2C montre la fixation de la face 31 du substrat initial 30 sur une face 41 du substrat final 40 comportant en surface une couche d'oxyde 42 de 0,05 μm d'épaisseur typiquement. La fixation peut être obtenue par adhésion moléculaire.
La structure obtenue est alors soumise par exemple à un traitement thermique à une température relativement basse, par exemple 4300C, pour obtenir une fracture au niveau de la première zone fragilisée, c'est-à-dire la zone 32. Les conditions d'implantation des deux zones fragilisées ont été prévues pour ne pas générer de fracture, voire d' exfoliation, dans la deuxième zone fragilisée. L'avantage d'avoir réalisé la deuxième implantation avant le transfert de la couche épaisse est que, de ce fait, cette deuxième implantation est moins profonde et réalisée à travers une surface normalement de bonne qualité (meilleure que celle d'une face obtenue par fracture). Ceci permet donc d'obtenir une zone fragilisée plus faible et donc une rugosité après fracture finale également plus faible. La structure obtenue est représentée à la figure 2D. A ce stade du procédé, l'étape de traitement de surface peut être supprimée dans la mesure où on peut faire le dépôt de la couche d' autoportage directement. Toutefois, un traitement de surface minimum peut être effectué pour supprimer tout ou partie de la rugosité. Il peut s'agir d'un CMP, d'un recuit par exemple sous hydrogène ou tout autre atmosphère compatible connue de l'homme du métier, d' une attaque chimique humide ou d' une gravure ionique . Le traitement de surface permet un retrait de quelques nm à quelques dizaines de nm, conservant ainsi une bonne homogénéité en épaisseur. Ce traitement de surface minimum permet, dans le cas d'une couche d'auto-portage en SiC>2, d'avoir une interface Si- Siθ2 enterrée peu rugueuse. On réalise ensuite sur la couche épaisse 33 un dépôt d' une couche 2 dite couche d' auto-portage comme le montre la figure 2E. Comme précédemment, il peut s'agir d'une couche d'oxyde de silicium, d'une épaisseur de 4 μm, déposée par PECVD.
Un traitement thermique peut alors être effectué pour obtenir la fracture, par exemple un recuit isotherme à 6000C. C'est ce que montre la figure 2F. La structure est séparée en une première partie constituée d'un bicouche auto-porté, comprenant la couche d' auto-portage 2 et la sous-couche 38, et une deuxième partie comprenant le substrat final 40 auquel adhère la couche mince 37 par l'intermédiaire de la couche d'oxyde 42. Le bicouche est éventuellement réutilisable .
Comme précédemment des étapes de nettoyage et de finition peuvent être effectuées sur la structure empilée obtenue .
Ces deux modes de réalisation laissent suggérer que certaines étapes peuvent être combinées et/ou interverties. Par exemple, on peut déposer tout ou partie de la couche d'auto-portage et effectuer la deuxième implantation après ce dépôt. Dans ce cas, l'énergie d'implantation est corrigée pour en tenir compte .
La couche auto-portée peut être en oxyde de silicium ou en d'autres matériaux, comme par exemple Si3N4, SiOx, SixNy, SixNyO2, Al2O3, SiC, le saphir, le diamant, etc....
L'épaisseur de la couche auto -portée peut être prévue à partir d' expérimentations . Dans le cas d'une couche auto-portée en SiO2 déposée sur une couche épaisse en silicium, l'expérimentation suivante a été réalisée pour évaluer l'effet de l'épaisseur d'oxyde déposé sur la température de recuit, épaisseur nécessaire pour obtenir la fracture de la couche de silicium auto-portée. Les conditions d'implantation étaient les suivantes : énergie d'implantation 76 keV, dose d'implantation 6.1016 ions H+/cm2 au travers d'un film de protection en Siθ2 de 400 nm d'épaisseur.
La figure 3 est un diagramme dont l'axe des ordonnées représente l'épaisseur e du dépôt de SiO2 et l'axe des abscisses la température T de recuit. La courbe représentée sur ce diagramme délimite la zone où on obtient un transfert de la couche de silicium autoportée (la zone située au-dessus de la courbe) de la zone où il se produit un « cloquage » de la couche de silicium (la zone située en-dessous de la courbe) .
De ce diagramme, on peut conclure que la température de séparation (ou de fracture) avec transfert d'un bicouche auto-porté dépend effectivement de l'épaisseur d'oxyde déposé. La température est d'autant plus élevée que l'épaisseur d'oxyde est fine. En fait, il faut ajouter à cette épaisseur d'oxyde, l'épaisseur de la couche de silicium fracturée. On peut donc en particulier en déduire l'épaisseur minimum de couche d'oxyde nécessaire pour que la fracture soit induite à une certaine température. Il apparaît donc que pour 4 μm d'oxyde déposé, l'épaisseur « seuil » de fracture à 6000C est dépassée.
Il est donc possible de contrôler la procédure d'amincissement par le contrôle de l'épaisseur de la couche d'auto-portage déposée, évitant ainsi les phénomènes de « cloquage » et d' exfoliation induits pour une épaisseur de couche déposée inférieure à l'épaisseur « seuil ».

Claims

REVENDICATIONS
1. Procédé d'obtention d'une couche mince en un premier matériau (17, 37) sur un substrat en un deuxième matériau dit substrat final (20, 40) , comprenant les étapes suivantes :
- fixation d'une couche épaisse de premier matériau (13, 33) par l'une de ses faces principales sur le substrat final (20, 40) selon une interface,
- implantation d'espèces gazeuses dans la couche épaisse de premier matériau (13, 33) pour créer une zone fragilisée (16, 36) délimitant, entre l'interface et la zone fragilisée, ladite couche mince (17, 37),
- dépôt sur la face libre (15) de la couche épaisse de premier matériau (13, 33) d'une couche d'un troisième matériau dite couche d'auto-portage (1, 2), fracture au sein de la structure constituée par le substrat final (20, 40) , la couche épaisse de premier matériau (13, 33) et la couche de troisième matériau (1, 2), au niveau de la zone fragilisée ( 16, 36) pour fournir le substrat supportant ladite couche mince .
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'implantation d'espèces gazeuses dans la couche épaisse de premier matériau (13, 33) est réalisée par une ou plusieurs implantations d' espèces gazeuses identiques ou différentes.
3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que lesdites espèces gazeuses sont choisies parmi l'hydrogène et l'hélium.
4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche épaisse de premier matériau (13 , 33) est une couche délimitée dans un substrat initial (10, 30) au cours d'une étape d'implantation d'espèces gazeuses permettant de créer une zone fragilisée (12, 32) dans le substrat initial, une étape de fracture entre la couche épaisse de premier matériau (13, 33) et le reste (14, 34) du substrat initial étant effectuée après l'étape de fixation de la couche épaisse de premier matériau (13, 33) sur le substrat final (20, 40) .
5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'implantation d'espèces gazeuses dans le substrat initial est une implantation d' ions hydrogène.
6. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'étape d'implantation d'espèces gazeuses dans la couche épaisse de premier matériau (13) est effectuée après la fracture entre la couche épaisse de premier matériau et le reste (14) du substrat initial.
7. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'étape d'implantation d'espèces gazeuses dans la couche épaisse de premier matériau (33) est effectuée avant l'étape de fixation de la couche épaisse de premier matériau sur le substrat final (40) .
8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que les étapes de fracture étant réalisées par un traitement thermique, les étapes d'implantation d'espèces gazeuses sont effectuées dans des conditions telles que la fracture entre la couche épaisse de premier matériau (33) et le reste (34) du substrat initial (30) est obtenue à une température inférieure à la température de fracture de ladite structure.
9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la fixation de la couche épaisse de premier matériau (13, 33) sur le substrat final (20, 40) est obtenue par un collage par adhésion moléculaire.
10. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que, une partie de la couche d'auto- portage (1) étant déposée, l'implantation d'espèces gazeuses dans la couche épaisse de premier matériau (13) est réalisée après ce dépôt effectué en partie.
PCT/FR2004/050212 2003-06-06 2004-06-03 Procede d'obtention d'une couche tres mince par amincissement par auto-portage provoque WO2004112125A1 (fr)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006508363A JP4987470B2 (ja) 2003-06-06 2004-06-03 自立を誘発することによって薄肉化された極薄層の製造方法
US10/558,621 US7776714B2 (en) 2003-06-06 2004-06-03 Method for production of a very thin layer with thinning by means of induced self-support
EP04742879.2A EP1631982B1 (fr) 2003-06-06 2004-06-03 Procede d'obtention d'une couche tres mince par amincissement par auto-portage provoque

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0350207A FR2855910B1 (fr) 2003-06-06 2003-06-06 Procede d'obtention d'une couche tres mince par amincissement par auto-portage provoque
FR0350207 2003-06-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2004112125A1 true WO2004112125A1 (fr) 2004-12-23

Family

ID=33443291

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/FR2004/050212 WO2004112125A1 (fr) 2003-06-06 2004-06-03 Procede d'obtention d'une couche tres mince par amincissement par auto-portage provoque

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7776714B2 (fr)
EP (1) EP1631982B1 (fr)
JP (1) JP4987470B2 (fr)
FR (1) FR2855910B1 (fr)
WO (1) WO2004112125A1 (fr)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2773261B1 (fr) 1997-12-30 2000-01-28 Commissariat Energie Atomique Procede pour le transfert d'un film mince comportant une etape de creation d'inclusions
FR2823596B1 (fr) * 2001-04-13 2004-08-20 Commissariat Energie Atomique Substrat ou structure demontable et procede de realisation
FR2856844B1 (fr) * 2003-06-24 2006-02-17 Commissariat Energie Atomique Circuit integre sur puce de hautes performances
EP1652230A2 (fr) * 2003-07-29 2006-05-03 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies Procede d' obtention d' une couche mince de qualite accrue par co-implantation et recuit thermique
FR2922359B1 (fr) * 2007-10-12 2009-12-18 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'une structure micro-electronique impliquant un collage moleculaire
FR2925221B1 (fr) 2007-12-17 2010-02-19 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert d'une couche mince
ATE555505T1 (de) * 2008-02-26 2012-05-15 Soitec Silicon On Insulator Verfahren zur herstellung eines halbleitersubstrats
FR2934924B1 (fr) * 2008-08-06 2011-04-22 Soitec Silicon On Insulator Procede de multi implantation dans un substrat.
JP5478199B2 (ja) * 2008-11-13 2014-04-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
FR2947098A1 (fr) * 2009-06-18 2010-12-24 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert d'une couche mince sur un substrat cible ayant un coefficient de dilatation thermique different de celui de la couche mince
US8314018B2 (en) * 2009-10-15 2012-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
FR2993095B1 (fr) 2012-07-03 2014-08-08 Commissariat Energie Atomique Detachement d’une couche autoportee de silicium <100>
US20170339117A1 (en) * 2016-05-18 2017-11-23 Nec Platforms, Ltd. Information system, personal computer, drive device, control method, and program
JP6652008B2 (ja) 2016-07-21 2020-02-19 株式会社デンソー スプール弁
FR3073082B1 (fr) * 2017-10-31 2019-10-11 Soitec Procede de fabrication d'un film sur un support presentant une surface non plane

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000048278A1 (fr) * 1999-02-10 2000-08-17 Commissariat A L'energie Atomique Procede de formation sur un support d'une couche de silicium a usage optique et mise en oeuvre du procede pour la realisation de composants optiques
US6246068B1 (en) * 1995-10-06 2001-06-12 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor article with porous structure
US6335258B1 (en) * 1996-11-05 2002-01-01 Commissariat A L'energie Atomique Method for making a thin film on a support and resulting structure including an additional thinning stage before heat treatment causes micro-cavities to separate substrate element
US20020019118A1 (en) * 1998-02-17 2002-02-14 Chung Chan Method for non mass selected ion implant profile control
US6569748B1 (en) * 1997-03-26 2003-05-27 Canon Kabushiki Kaisha Substrate and production method thereof

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2738671B1 (fr) * 1995-09-13 1997-10-10 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de films minces a materiau semiconducteur
KR100232886B1 (ko) * 1996-11-23 1999-12-01 김영환 Soi 웨이퍼 제조방법
JPH10223496A (ja) * 1997-02-12 1998-08-21 Ion Kogaku Kenkyusho:Kk 単結晶ウエハおよびその製造方法
US6162705A (en) * 1997-05-12 2000-12-19 Silicon Genesis Corporation Controlled cleavage process and resulting device using beta annealing
FR2774214B1 (fr) * 1998-01-28 2002-02-08 Commissariat Energie Atomique PROCEDE DE REALISATION D'UNE STRUCTURE DE TYPE SEMI-CONDUCTEUR SUR ISOLANT ET EN PARTICULIER SiCOI
JPH11307472A (ja) * 1998-04-23 1999-11-05 Shin Etsu Handotai Co Ltd 水素イオン剥離法によってｓｏｉウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたｓｏｉウエーハ
JP3697106B2 (ja) * 1998-05-15 2005-09-21 キヤノン株式会社 半導体基板の作製方法及び半導体薄膜の作製方法
JP3975634B2 (ja) * 2000-01-25 2007-09-12 信越半導体株式会社 半導体ウェハの製作法
US6420243B1 (en) * 2000-12-04 2002-07-16 Motorola, Inc. Method for producing SOI wafers by delamination
JP2002348198A (ja) * 2001-05-28 2002-12-04 Nissin Electric Co Ltd 半導体素子エピタキシャル成長用基板及びその製造方法
US6566158B2 (en) * 2001-08-17 2003-05-20 Rosemount Aerospace Inc. Method of preparing a semiconductor using ion implantation in a SiC layer
US20030064535A1 (en) * 2001-09-28 2003-04-03 Kub Francis J. Method of manufacturing a semiconductor device having a thin GaN material directly bonded to an optimized substrate
WO2003046993A1 (fr) * 2001-11-29 2003-06-05 Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. Procede de production de plaquettes soi
FR2855909B1 (fr) * 2003-06-06 2005-08-26 Soitec Silicon On Insulator Procede d'obtention concomitante d'au moins une paire de structures comprenant au moins une couche utile reportee sur un substrat
EP1484794A1 (fr) * 2003-06-06 2004-12-08 S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A. Procédé de fabrication d'un substrat auto-porté

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6246068B1 (en) * 1995-10-06 2001-06-12 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor article with porous structure
US6335258B1 (en) * 1996-11-05 2002-01-01 Commissariat A L'energie Atomique Method for making a thin film on a support and resulting structure including an additional thinning stage before heat treatment causes micro-cavities to separate substrate element
US6569748B1 (en) * 1997-03-26 2003-05-27 Canon Kabushiki Kaisha Substrate and production method thereof
US20020019118A1 (en) * 1998-02-17 2002-02-14 Chung Chan Method for non mass selected ion implant profile control
WO2000048278A1 (fr) * 1999-02-10 2000-08-17 Commissariat A L'energie Atomique Procede de formation sur un support d'une couche de silicium a usage optique et mise en oeuvre du procede pour la realisation de composants optiques

Also Published As

Publication number Publication date
US20070020895A1 (en) 2007-01-25
JP2006527480A (ja) 2006-11-30
FR2855910A1 (fr) 2004-12-10
US7776714B2 (en) 2010-08-17
EP1631982B1 (fr) 2015-04-08
JP4987470B2 (ja) 2012-07-25
EP1631982A1 (fr) 2006-03-08
FR2855910B1 (fr) 2005-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1344249B1 (fr) Procédé de fabrication d&#39;une structure empilée comprenant une couche mince adhérant à un substrat cible
EP1922752B1 (fr) Procede de report d&#39;une couche mince sur un support
EP1923912B1 (fr) Procédé de fabrication d&#39;une structure microtechnologique mixte
EP2342744B1 (fr) Procede de formation d&#39;une couche monocristalline dans le domaine micro-electronique
EP1811560A1 (fr) Procédé de fabrication d&#39;un substrat composite à propriétés électriques améliorées
EP1631982B1 (fr) Procede d&#39;obtention d&#39;une couche tres mince par amincissement par auto-portage provoque
EP3646374B1 (fr) Procédé de transfert d&#39;une couche mince sur un substrat support présentant des coefficients de dilatation thermique différents
EP1423873A1 (fr) Procede d&#39;obtention d&#39;une couche mince auto-portee d&#39;un materiau semi-conducteur supportant au moins un composant et/ou circuit electronique
WO2001093325A1 (fr) Substrat fragilise et procede de fabrication d&#39;un tel substrat
FR2835097A1 (fr) Procede optimise de report d&#39;une couche mince de carbure de silicium sur un substrat d&#39;accueil
WO2007006803A1 (fr) Procede de diminution de la rugosite d&#39;une couche epaisse d&#39;isolant
EP1811561A1 (fr) Procédé de fabrication d&#39;un substrat composite
WO2008031980A1 (fr) Procede de transfert d&#39;une couche a haute temperature
WO2009087290A1 (fr) Procédé de fabrication d&#39;une structure micro-électronique impliquant un collage moléculaire
FR2880988A1 (fr) TRAITEMENT D&#39;UNE COUCHE EN SI1-yGEy PRELEVEE
FR2907966A1 (fr) Procede de fabrication d&#39;un substrat.
FR3094573A1 (fr) Procede de preparation d’une couche mince de materiau ferroelectrique
FR2968121A1 (fr) Procede de transfert d&#39;une couche a haute temperature
WO2023084164A1 (fr) Procede de preparation d&#39;une couche mince en materiau ferroelectrique
EP3766094A1 (fr) Procede de preparation d&#39;une couche mince de materiau ferroelectriqie a base d&#39;alcalin
EP1649509A2 (fr) Realisation d&#39;une structure comprenant une couche protegeant contre des traitements chimiques
WO2023144495A1 (fr) Procede de fabrication d&#39;une structure de type double semi-conducteur sur isolant
WO2022189732A1 (fr) Procede de fabrication d&#39;une structure semi-conductrice a base de carbure de silicium et structure composite intermediaire
FR2873235A1 (fr) Procede d&#39;obtention d&#39;un substrat demontable a energie de collage controlee
FR3120737A1 (fr) Procede de fabrication d’une structure semi-conductrice a base de carbure de silicium et structure composite intermediaire

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2004742879

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006508363

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007020895

Country of ref document: US

Ref document number: 10558621

Country of ref document: US

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2004742879

Country of ref document: EP

DPEN Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 10558621

Country of ref document: US