WO2004070809A1 - 表示装置の作製方法 - Google Patents

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photosensitive resin
manufacturing
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Shunpei Yamazaki
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
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    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1292—Multistep manufacturing methods using liquid deposition, e.g. printing

Definitions

  • the present invention relates to an insulated gate field effect transistor represented by a thin film transistor (TFT) and a method for manufacturing the same. ⁇ .
  • TFT thin film transistor
  • the LCD panel driven by ActiveMadox has thin film transistors as switching elements.
  • TFT thin film transistor
  • Film formation is a method of depositing a thin film by reducing the pressure inside the processing chamber by a pump, and includes a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, a sputtering method, and a vapor deposition method.
  • Photolithography is a technique in which a resist mask is formed using an exposure apparatus, and the thin film in a portion not protected by the resist mask is etched to form the thin film into a desired shape.
  • a vacuum process a substrate to be processed is transported to a process chamber, and after the inside of the process chamber is evacuated, processes such as film formation, etching, and asshing are performed. In order to make the inside of the process chamber / vacuum, exhaust means is required.
  • Exhaust means are pumps typified by turbo molecular pumps, rotary pumps, dry pumps, etc. installed outside the processing equipment, and means for managing and controlling them. Constructing piping, bal , Pressure gauge, flow meter, etc. In order to attach these facilities, the cost of the exhaust system and the space for installing the exhaust system are required in addition to the processing equipment, and the size and cost of the entire processing equipment increase.
  • FIGS. 1 (A) to 1 (H) show a process flow diagram of a conventional photolithography method
  • FIGS. 1 (I) to 1 (0) show schematic process diagrams.
  • a photosensitive resist photoresist
  • Fig. 1 (A) a photosensitive resist
  • Fig. 1 (B) After evaporating the solvent by pre-baking to solidify the photoresist (Fig. 1 (B), ⁇ )), light is irradiated through a photomask to expose the resist (exposure) (Fig. 1 (c) ), (K)).
  • FIG. 1 shows a process flow diagram and a schematic process diagram of one photolithography using a positive resist.
  • a positive type photoresist that becomes soluble in a developer a positive type photoresist that becomes soluble in a developer
  • a negative type photoresist that becomes light soluble a portion that is hardly soluble in a developer.
  • FIG. 1 shows a process flow diagram and a schematic process diagram of one photolithography using a positive resist.
  • the photoresist in the light-irradiated portion is dissolved by a developer (FIG. 1 (D), (E), (L)), and the etching resistance of the photoresist is improved by post-baking (FIG. 1).
  • F), (M) post-baking
  • a means for forming a resist pattern by directly spraying a photoresist onto a film is taken.
  • measures were taken to generate plasma at or near atmospheric pressure, and to locally perform gas phase reaction processes such as film formation, etching, and asshing.
  • a droplet ejection device including a head having a dot-like droplet ejection and a droplet ejection device in which dot-like ejection holes are linearly arranged.
  • a droplet ejecting apparatus having a head having holes was used.
  • a plasma processing apparatus having a plasma generating means at an atmospheric pressure or a pressure near the atmospheric pressure is used as a means for performing the gas phase reaction process.
  • the means for ejecting the droplets, or the local gas phase reaction process described above is performed under atmospheric pressure. Alternatively, it was performed under the vicinity of the atmospheric pressure. Therefore, it is possible to omit an exhaust system required to reduce the pressure in the process chamber to a vacuum state, which is required in the conventional vacuum process. Therefore, it is possible to simplify the exhaust system which is increased in size as the size of the substrate is increased, and the equipment cost can be reduced. In addition, it becomes possible to reduce energy for exhaust, etc., corresponding to this, which leads to reduction of environmental load. Furthermore, since the time for exhausting can be omitted, the throughput is improved, and the liquid crystal panel can be more efficiently produced.
  • a droplet ejecting apparatus having a droplet irradiating head in which dot-shaped droplet ejecting holes are arranged and a droplet ejecting apparatus having a droplet ejecting head in which dot-shaped droplet ejecting holes are arranged linearly
  • the present invention is a manufacturing process for large substrates, and solves various problems such as an increase in the size of an apparatus and an increase in processing time associated with an increase in the size of a conventional apparatus.
  • FIGS. 1A to 1D are diagrams for explaining one photolithography process
  • FIGS. FIGS. 2A to 2F are schematic diagrams of processing steps according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a diagram showing a point-like droplet ejecting apparatus of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram showing a bottom portion of a head in the point-like droplet ejecting apparatus of the present invention.
  • FIGS. 5A to 5F show a configuration of a plasma generating unit of the atmospheric pressure plasma processing apparatus of the present invention.
  • 6 (A) to 6 (G) are views showing a linear droplet ejecting apparatus of the present invention.
  • FIGS. 7A and 7B are views showing the bottom of a head in the linear droplet ejecting apparatus of the present invention.
  • FIGS. 8A and 8B are atmospheric pressure plasma processing apparatuses of the present invention. Configuration of the plasma generator
  • FIGS. 9A to 9D are schematic diagrams of processing steps according to Embodiment 4 of the present invention.
  • FIGS. 10A to 10F are schematic diagrams of processing steps according to Embodiment 5 of the present invention.
  • FIGS. 11A to 11E are schematic diagrams of a manufacturing process according to Example 1 of the present invention.
  • FIGS. 12A to 12E are schematic views of a manufacturing process according to Example 1 of the present invention.
  • FIGS. 13A to 13F are schematic views of a manufacturing process according to Example 1 of the present invention.
  • 14A to 14E are schematic diagrams of a manufacturing process according to Example 1 of the present invention.
  • FIGS. 15A to 15D are schematic views of a manufacturing process according to Example 1 of the present invention.
  • FIGS. 16A to 16F are schematic diagrams of a manufacturing process according to Example 2 of the present invention.
  • FIG. 17] (A) to (C) are diagrams showing an electronic device according to the third embodiment of the present invention.
  • An embodiment of the present invention provides a wiring pattern of a semiconductor device on a glass substrate having a desired size by using a droplet ejecting apparatus and a plasma processing apparatus having a plasma generating unit at or near atmospheric pressure. Is prepared.
  • the present invention relates to the fifth generation (e.g., 1000 X It is intended for use on larger substrates such as 1200mm or 1100x1250mm) and 6th generation (eg 1500x1800mm).
  • Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIG.
  • a droplet ejecting device when simply referred to as a droplet ejecting device, a droplet ejecting device including a head having dot-shaped droplet ejecting holes, and a droplet ejecting device in which the dot-shaped ejecting holes are linearly arranged. It also includes any droplet ejecting apparatus having a head having holes.
  • a coating 202 is formed on the substrate 201 by using a known method, for example, a sputtering method or a CVD method (FIG. 2A).
  • a droplet ejecting apparatus having a droplet ejecting head 203 described later, droplets ejected from the droplet ejecting holes are ejected so as to overlap each other (FIG. 2 (B)). That is, the droplet ejecting head is scanned in the direction of the arrow shown in FIG. 2 (B) while ejecting the droplets so as to overlap each other.
  • the droplets ejected from the dot-shaped droplet ejection holes are ejected so as to overlap each other, whereby the resist pattern 204 is formed in a dot-like or linear manner (FIG. 2 (G)).
  • the resist pattern 204 not only the head can be scanned but also the substrate can be scanned. By combining the scanning of the head and the substrate, it is possible to form a resist pattern of any shape, not limited to a dot or line. It can also be formed.
  • the coating 202 is etched at or near atmospheric pressure using a plasma processing apparatus having plasma generating means described later (FIG. 2D).
  • FIG. 3 is a schematic perspective view showing an example of the configuration of a dot-shaped droplet ejecting apparatus
  • FIG. 4 is a diagram showing a head portion used for the dot-shaped droplet ejecting apparatus, on which nozzles are arranged.
  • the point-like droplet ejecting apparatus shown in FIG. 3 has a head 306 in the apparatus, and a desired droplet pattern is obtained on the substrate 302 by ejecting droplets by the head 306.
  • the substrate 302 can be applied to an object to be processed such as a glass substrate of a desired size, a resin substrate typified by a plastic substrate, or a semiconductor wafer typified by silicon. it can.
  • the substrate 302 is carried into the casing 301 from the carry-in port 304, and the substrate after the droplet ejection processing is carried out from the carry-out port 305.
  • the substrate 302 is mounted on a carrier 303, and the carrier 303 moves on rails 310a and 310b connecting an entrance and an exit.
  • the head supports 307a and 307b are mechanisms for supporting the head 306 for ejecting liquid droplets and moving the head 306 to an arbitrary position in the XY plane.
  • the head support 307a moves in the X direction parallel to the transfer table 303, and the head 306 mounted on the head support 307b fixed to the head support 307a moves in the Y direction perpendicular to the X direction.
  • the head support 307a and the head 306 each move in the Y direction at the same time, and are set at an initial predetermined position for performing the droplet ejection processing.
  • the movement of the head support portion 307a and the head 306 to the initial position is performed at the time of loading or unloading the substrate, so that the ejection processing can be performed efficiently.
  • the droplet ejection process starts when the substrate 302 reaches a predetermined position where the head 306 waits due to the movement of the carrier 303.
  • the droplet ejection processing includes the head support 307a, the head 306, and the substrate 302. Is achieved by a combination of the relative movement of the head and the droplet ejection from the head 306 supported by the head support.
  • a desired droplet pattern can be drawn on the substrate 302 by adjusting the moving speed of the substrate, the head support, and the head, and the cycle of emitting droplets from the head 306.
  • the droplet ejection processing requires a high degree of accuracy, it is desirable to stop the movement of the carriage 303 and scan only the highly controllable head support 307 and the head during ejection.
  • a driving method with high controllability such as a sub motor or a pulse motor.
  • the scanning of the head 306 and the head support 307a in the X and Y directions is not limited to one direction, and the droplet ejection processing may be performed by performing reciprocation or reciprocation. Droplets can be ejected over the entire area of the substrate by the movement of the workpiece and the head support.
  • the droplets are supplied from the droplet supply unit 309 provided outside the housing 301 to the inside of the housing, and further supplied to the liquid chamber inside the head 306 via the head support units 307a and 307b.
  • This droplet supply is controlled by control means 308 provided outside the housing 301, but may be controlled by control means built in the head support 307a inside the housing.
  • the main function of the control means 308 is to control the movement of the carriage, the head support, and the head, and the control of the droplet ejection corresponding thereto in addition to the control of the supply of the droplets.
  • data for pattern drawing by droplet ejection can be downloaded from outside the device through software such as CAD, and these data must be input by a method such as graphic input or coordinate input.
  • a mechanism for detecting the remaining amount of the composition used as the liquid droplet may be provided inside the head 306, and the information indicating the remaining amount may be transferred to the control means 308 to add an automatic remaining amount warning function.
  • a sensor for alignment with the substrate or a pattern on the substrate a means for introducing gas into the casing, a means for exhausting the inside of the casing, a means for heating the substrate, Means for irradiating the plate with light, as well as means for measuring various physical property values such as temperature and pressure, etc. are required. It is good to install according to.
  • These means can also be collectively controlled by the control means 308 provided outside the housing 301. Further, if the control means 308 is connected to a production management system or the like by a LAN cable, a wireless LAN, an optical fiber cable, or the like, it is possible to uniformly control the process from the outside, leading to an improvement in productivity.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the head 306 of FIG. 3 parallel to the Y direction.
  • the nozzle portion includes a fluid resistance portion 404 provided for loading a suitable droplet into the nozzle, a pressurizing chamber 405 for pressurizing the droplet and ejecting the droplet to the outside of the nozzle, and a droplet ejector L 407. It is composed of
  • the diameter of the droplet ejection hole 407 is set to 0.1 to 50 m (preferably 0.6 to 26 m, :), and the ejection amount of the composition ejected from the nozzle is 0.00001. It is set to 1 to 50 liters (preferably 0.0001 to 40 pI). This injection amount increases in proportion to the size of the nozzle diameter.
  • the distance between the object to be processed and the droplet ejection holes 407 is preferably set as short as possible in order to eject the droplet to a desired location, and is preferably set to about 0.1 to 2 mm. Note that, without changing the diameter of the droplet ejection hole 407, the ejection amount can also be controlled by changing the ⁇ voltage applied to the piezoelectric element.
  • the line width is about 10 m or less.
  • titanic acid deformed by applying a voltage.
  • Zirconate 'lead Pb (&, ⁇ ) 0 3) are arranged a piezoelectric element 06 having a piezoelectric effect such as. Therefore, when a voltage is applied to the piezoelectric element 406 disposed on the target nozzle, the piezoelectric element is deformed, and the inner volume of the pressurizing chamber 405 is reduced, so that the droplet is pushed out, and the droplet 408 is ejected to the outside. Can be sprayed.
  • droplet ejection is performed by a so-called piezo method using a piezoelectric element. Therefore, a so-called thermal ink jet system, in which a heating element generates heat to generate air bubbles and push out droplets, may be used.
  • the piezoelectric element 406 is replaced with a heating element.
  • wettability between the droplet and the liquid chamber flow path 402, the preliminary liquid chamber 403, the fluid resistance section 404, the pressurizing chamber 405, and the droplet ejection 407 is important. . Therefore, a carbon film, a resin film, or the like (not shown) for adjusting the wettability with the material may be formed in each channel.
  • droplets can be ejected onto the processing substrate.
  • the on-demand system is shown in the apparatus configuration of the present invention, a sequential system head may be used.
  • the composition used as the droplets of the above-mentioned point-like droplet ejecting apparatus may be a resin such as a photoresist or a polyimide. As long as the material is used as a mask when etching the film, it is not necessary to be photosensitive like a photoresist.
  • the composition used as the droplets of the dot-shaped liquid droplet ejecting apparatus for forming the conductor (conductive layer) is an organic solution such as a paste-like metal material or a conductive polymer in which the paste-like metal is dispersed. Further, an ultrafine metal material and an organic solution such as a conductive polymer in which the metal material is dispersed can be used.
  • the metal material in the form of ultrafine particles may be fine particles of several m to sub / m, ultrafine particles of mn level, or a material containing both.
  • a metal material in the form of mn repellent ultrafine particles it is necessary to select a metal material in the form of ultrafine particles that sufficiently wraps around a contact hole, a narrow groove, or the like.
  • the composition used as the droplet of the above-mentioned point-like droplet ejecting apparatus is an organic solution such as a photosensitive resist, a paste-like metal material or a conductive polymer in which the paste-like metal is dispersed, Further, an ultrafine metal material and an organic solution such as a conductive polymer in which the metal material is dispersed can be used.
  • the metal material in the form of ultrafine particles may be fine particles of several / m to sub // m, ultrafine particles at the nm level, or a material containing both. When the ultrafine metal material is used for the composition, it is necessary to select the ultrafine metal material having a size enough to go into a contact hole, a narrow groove, or the like.
  • droplets may be heated and dried when the droplets land, using a heating mechanism (not shown) attached to the substrate carrier 303, or after the droplets have landed in the required area, Alternatively, heating and drying may be performed after all the droplet ejection processes are completed.
  • the resist is baked by a heat treatment and can be used as a mask for etching.
  • the organic solution containing the ultrafine metal material can be used as a metal wiring by volatilizing the organic solution by heat treatment and bonding the ultrafine metal.
  • the viscosity of the composition is preferably 20 cp or less, in order to prevent drying from occurring and to allow the composition to be smoothly discharged from the discharge port.
  • the surface tension of the composition is preferably 40 mN / m or less.
  • the viscosity and the like of the composition may be appropriately adjusted according to the solvent used and the application.
  • the viscosity of a composition prepared by dissolving or dispersing silver, organic indium, or organotin in a solvent has a viscosity of 5 to 20 mPa's
  • the composition of silver dissolved or dispersed in a solvent has a viscosity of 5 to 20 mPa's
  • the viscosity of the composition is dissolved or dispersed in a solvent 5 ⁇ 20mP a s 3 ⁇ 4 les ax ⁇ 9 good o
  • More punctiform droplets jetting device it is possible to perform conventional resist coating process and the film formation in photolithography process, unlike the etching process 3 ⁇ 4 at atmospheric pressure or under near atmospheric pressure.
  • Near atmospheric pressure refers to a pressure range of 5 Torr to 800 Torr.
  • the droplet ejecting apparatus can eject droplets under a positive pressure of about 800 Torr.
  • the photoresist By forming a pattern only in a necessary portion, the amount of resist used can be significantly reduced as compared with the spin coating which has been conventionally used. In addition, steps such as exposure, development, and rinsing can be omitted, so that the steps can be simplified.
  • FIG. 5A is a top view of an example of a plasma processing apparatus used in the present invention
  • FIG. (B) is a sectional view.
  • a workpiece 13 such as a glass substrate or a resin substrate represented by a plastic substrate having a desired size is set in a cassette chamber 16.
  • horizontal transport can be mentioned, but when using substrates of the fifth generation or later with a meter angle, the substrates are placed vertically to reduce the occupied area of the transporter. Vertical transfer may be performed.
  • the object 13 disposed in the cassette chamber 16 is transferred to the plasma processing chamber 18 by the transfer mechanism (robot arm) 20.
  • the transfer mechanism robot arm
  • air flow control means 10 plasma generating means 12 having cylindrical electrodes, rails 14 a and 14 b for moving the plasma generating means 12,
  • a moving means 15 for moving the processing object 13 is provided in the plasma processing chamber 18 adjacent to the transfer chamber 17 ′.
  • a known heating means such as a lamp is provided as necessary.
  • the airflow control means 10 is intended for dust prevention, and controls the airflow using an inert gas injected from the outlet 23 so as to be cut off from the outside air.
  • the plasma generating means 12 is moved to a predetermined position by a rail 14a arranged in the transport direction of the workpiece 13 and a rail 14b arranged in a direction perpendicular to the transport direction.
  • the workpiece 13 is moved in the transport direction by the moving means 15.
  • either the plasma generating means 12 or the object 13 may be moved.
  • FIG. 5 (C) shows a perspective view of the plasma generating means 12 having a cylindrical electrode
  • FIGS. 5 (D) to 5 (F) show the plasma generating means 12.
  • 1 shows a cross-sectional view of a cylindrical electrode.
  • dotted lines indicate gas paths
  • 21 and 22 are electrodes made of a conductive metal such as aluminum or copper
  • the first electrode 21 is connected to a power supply (high-frequency power supply) 29.
  • the first electrode 21 may be connected to a cooling system (not shown) for circulating cooling water.
  • the second electrode 22 has a shape surrounding the first electrode 21 and is electrically grounded.
  • the first electrode 21 and the second electrode 22 have a cylindrical shape having a nozzle-like gas narrow port at the tip.
  • the surface of at least one of the first electrode 21 and the second electrode 22 is covered with a solid dielectric.
  • the solid dielectric include metal oxides such as silicon dioxide, aluminum oxide, zirconia, and titanium dioxide; plastics such as polyethylene terephthalate and polytetrafluoroethylene; glass; and composite oxides such as barium titanate. Is mentioned.
  • the solid dielectric may be in the form of a sheet or a film, but preferably has a thickness of 0.05 to 4 mm.
  • a process gas is supplied to the space between the first electrode 21 and the second electrode 22 from a gas supply means (gas cylinder) 31 via a valve 27. Then, the atmosphere in this space is replaced.
  • a high-frequency voltage (10 to 500 MHz) is applied to the first electrode 21 by the high-frequency power supply 29 in this state, plasma is generated in the space.
  • a reactive gas stream containing chemically active excited species such as ions and radicals generated by the plasma is irradiated toward the surface of the object 13 is illuminated. Local plasma surface treatment can be performed at predetermined positions.
  • the distance between the surface of the object 13 and the narrow opening serving as the injection port of the process gas is 3 mm or less, preferably 1 nmi or less, and more preferably 0.5 mm or less.
  • a sensor for measuring the distance is attached, and the process with the object 13 surface The distance from the narrow port serving as the gas injection port may be controlled.
  • FIGS. 5 (E) and 5 (F) show cylindrical plasma generating means 12 having a cross section different from that of FIG. 5 (D).
  • FIG. 5E shows that the first electrode 21 is longer than the second electrode 22 and the first electrode 21 has an acute angle, and the plasma generation means shown in FIG.
  • Numeral 12 has a shape for injecting the ionized gas flow generated between the first electrode 21 and the second electrode 22 to the outside.
  • the present invention using a plasma processing apparatus operating at or near atmospheric pressure (meaning a pressure range of 5 Tbrr to 800 Ttbrr.) Is a complicated method that requires a vacuum bow and a time for opening to atmosphere which are necessary for a pressure reducing apparatus. There is no need to arrange a simple vacuum system. Especially when a large substrate is used, the chamber is inevitably increased in size, and if the inside of the chamber is depressurized, processing time is required.Therefore, this apparatus operating at or near atmospheric pressure is effective. In addition, manufacturing costs can be reduced.
  • the point-like droplet ejecting apparatus of the present invention and the atmospheric pressure plasma processing apparatus of the present invention can be used together.
  • FIG. 6 (A) is a schematic perspective view showing an example of the configuration of a linear droplet ejection device
  • FIG. 6 (B) shows a head in which nozzles used in the linear droplet ejection device are arranged.
  • the linear droplet ejecting apparatus shown in FIG. 6 (A) has a head 606 in the apparatus and ejects a droplet to thereby obtain a desired droplet / turn on the substrate 602. .
  • the substrate 602 can be applied to a substrate such as a resin substrate represented by a plastic substrate or a semiconductor wafer represented by silicon in addition to a glass substrate having a desired size. You.
  • the substrate 602 is carried into the housing 601 from the carry-in port 604, and the substrate after the droplet ejection processing is carried out from the carry-out port 605.
  • the substrate 602 is mounted on a carrier 603, and the carrier 603 moves on rails 610 a and 610 b connecting an entrance and an exit.
  • the head support unit 607 supports the head 606 that ejects droplets, and moves in parallel with the transfer table 603.
  • the head support 607 moves at the same time so that the head is positioned at a predetermined position where the first droplet ejection processing is performed.
  • the movement a of the head 606 to the initial position is performed when the substrate is inserted or when the substrate is unloaded, so that the ejection processing can be performed efficiently.
  • the droplet ejection process starts when the substrate 602 reaches a predetermined position where the head 606 waits due to the movement of the carrier 603.
  • the droplet ejection processing is achieved by a combination of the relative movement of the head support 607 and the substrate 602 and the ejection of droplets from the head 606 supported by the head support. It is.
  • a desired droplet pattern can be drawn on the substrate 602 by adjusting the moving speed of the substrate or the head supporting portion and the cycle of ejecting the droplets from the head 606.
  • the droplet ejection processing requires a high degree of accuracy, it is desirable to stop the movement of the carriage and sequentially scan only the head support 607 having high controllability when ejecting droplets.
  • the scanning by the head supporting portion 607 of the head 606 is not limited to one direction, and the droplet ejection processing may be performed by reciprocating or repeating reciprocating. By the movement of the substrate and the head support, droplets can be ejected over the entire substrate.
  • the droplet is supplied from the droplet supply unit 609 provided outside the housing 601 to the inside of the housing, and further supplied to the liquid chamber inside the head 606 via the head support 607.
  • the supply of the droplets is controlled by the control means 608 provided outside the housing 601, but may be controlled by a control means incorporated in the head support 607 inside the housing.
  • the main function of the control means 608 is to control the movement of the carriage and the head support and the control of the droplet ejection corresponding thereto in addition to the control of the droplet supply described above.
  • the data of pattern drawing by droplet ejection can be downloaded from outside the apparatus through software such as CAD, and these data are input by a method such as graphic input or coordinate input.
  • a mechanism for detecting the remaining amount of the composition used as the liquid droplet may be provided inside the head 606, and the information indicating the remaining amount may be transferred to the control means 608 to add an automatic remaining amount warning function.
  • the senor for positioning to the substrate or the pattern on the substrate, the means for introducing gas into the housing, the exhaust means inside the housing, and the substrate are further heated.
  • Means, means for irradiating the substrate with light, and means for measuring various physical property values such as temperature and pressure, etc. may be provided as necessary.
  • control means 608 provided outside the housing 601.
  • control means 608 is connected to LAN cable, wireless LAN, optical fiber If connected to a production management system or the like with a fin, etc., it is possible to uniformly manage the process from the outside, leading to an improvement in productivity.
  • FIG. 6 (B) is a longitudinal view of a cross section of the head 606 of FIG. 6 (A), and the side of FIG. 6 (B) communicates with the head support.
  • Droplets supplied from the outside to the inside of the head 611 pass through the common liquid chamber flow path 612 and are then distributed to the respective nozzles 613 for ejecting the droplets. It comprises a pressurizing chamber 614 for pressurizing and ejecting droplets to the outside of the nozzle, and a droplet ejection hole 615.
  • Each pressure chamber 614 are arranged a piezoelectric element 616 having a piezoelectric effect such as titanate 'zirconate' lead to deformed by voltage application (Pb (Zr, TO 0 3 ). Therefore, the objective By applying a voltage to the piezoelectric elements 616 arranged in the nozzles, the liquid droplets in the pressurizing chamber 614 can be pushed out and the liquid droplets 617 can be ejected to the outside. Because of the insulation provided by object 618, it is possible to control the firing of the individual nozzles without having to make electrical contact with each other.
  • the droplet ejection is performed by a so-called piezo method using a piezoelectric element.
  • a so-called thermal ink jet method is used in which a heating element generates bubbles to apply pressure and extrude the droplet. May be.
  • the wettability of the droplet 617 with the common liquid chamber flow path 612, the pressurizing chamber 614, and the droplet ejection hole 615 is important. Therefore, a carbon film for adjusting the wettability with the material, a resin film or the like (not shown) may be formed on the inner surfaces of the common liquid chamber flow path 612, the pressure chamber 614, and the droplet ejection hole 615.
  • droplets can be ejected onto the processing substrate.
  • the on-demand system is shown in the device configuration in the Ming, the device configuration using injection by the sequential system is also possible.
  • FIG. 6 (C) shows a device configuration in which a rotation mechanism is provided in the head support 607 in FIG. 6 (b) .c
  • the head support 607 is formed so as to have an angle with respect to a direction perpendicular to the substrate scanning direction.
  • FIG. 7A shows a basic configuration in which droplet ejection holes 702 are linearly arranged on the bottom surface of a head 701.
  • FIG. 7B the droplet ejection holes 703 in the head bottom portion 701 are arranged in two rows, and the rows are displaced by a distance of half a pitch. If the droplet ejection holes are arranged as shown in Fig. 7 (B), a continuous film / turn in the direction described above can be formed without providing a mechanism for scanning in the direction perpendicular to the scanning direction of the substrate. And thus the coating can be of any shape.
  • the droplet may be ejected onto the substrate 602 at an angle.
  • the inclination may be inclined by an inclination mechanism provided in the head 606 or the head support portion 607, or the inclination of the shape of the droplet ejection holes 615 in the head 611 may be adjusted so that the droplets are inclined and ejected. Good.
  • the wettability of the surface of the substrate 602 with the ejected droplet it is possible to control the shape of the droplet when it lands on the substrate.
  • a resin such as a photoresist or a polyimide can be used.
  • an organic solution such as a paste-like metal material or a conductive polymer in which the above-mentioned paste-like metal is dispersed, and an organic solution such as an ultrafine metal material and a conductive polymer in which the above-mentioned metal material is dispersed.
  • a system solution or the like can be used.
  • ultrafine metal materials are fine particles of several m to sub // m, ultrafine particles at the thigh level or Can use both of them. When an ultrafine metal material of nm level is used for the composition, it is necessary to select the ultrafine metal material having a size enough to go around a contact hole, a narrow groove or the like.
  • the ejected droplets may be heated and dried when the droplets land, using a heating mechanism (not shown) attached to the substrate carrier 603, or after the droplets have been landed on the required area. Alternatively, heating and drying may be performed after all the droplet ejection processes are completed.
  • the photoresist can be used as a mask for etching by heat treatment.
  • a paste-like metal material or an organic solvent containing the paste-like metal as the droplets, and further using an ultrafine metal material and an organic solvent containing the metal material, the wiring pattern can be reduced. Can also be formed by droplet ejection. In the organic solvent containing the ultrafine metal material, the organic solvent is volatilized by heat treatment, and the ultrafine metal is combined to form a metal wiring.
  • the use of a resist is reduced as compared with the conventional spin coating.
  • the amount can be significantly reduced.
  • steps such as exposure, development, and rinsing can be omitted, so that the steps can be simplified.
  • FIG. 8 is a perspective view of the plasma processing apparatus used in the present invention.
  • the substrate 802 can be applied to a glass substrate of a desired size, a resin substrate represented by a plastic substrate, or a substrate such as a semiconductor wafer represented by silicon.
  • the transfer method of the substrate 802 includes horizontal transfer, but when transferring large substrates such as the fifth generation (for example, 1000 x i200imn or 1100 x 1250 mm) and the sixth generation (for example, 1500 1800 mm), For the purpose of reducing the area occupied by the transfer machine, vertical transfer in which the substrate is placed vertically may be performed.
  • the substrate 802 is carried into the casing 801 of the plasma processing apparatus from the carry-in port 804, and the substrate after the plasma surface treatment is carried out from the carry-out port 805.
  • the substrate 802 is mounted on a carrier 803, and the carrier 803 moves on rails 810 a and 810 b that connect the entrance 804 and the exit 805.
  • a plasma generating means 807 having parallel plate electrodes, a movable support mechanism 806 for moving the plasma generating means 807, and the like.
  • a known air flow control means such as an air curtain and a known heating means (not shown) such as a lamp are provided.
  • the plasma generating means 807 moves to a predetermined position by moving the movable support mechanism 806 supporting the plasma generating means 807 in parallel with the rails 810a and 810 arranged in the direction of transport of the substrate 802.
  • the substrate 802 also moves by moving on the transfer table 803 force rails 810a and 810b.
  • the plasma processing is actually performed, one of them may be stopped if the plasma generating means 807 and the substrate 802 are relatively moved.
  • the entire surface of the substrate 802 may be subjected to plasma surface treatment by moving the plasma generation means 807 and the substrate 802 relatively while continuously generating plasma, or may be performed at an arbitrary position on the substrate 802. , And plasma surface treatment may be performed.
  • FIG. 8 (B) is a perspective view showing a plasma generating means 807 having parallel plate electrodes.
  • arrows indicate gas paths
  • 811 and 812 are electrodes made of a conductive material typified by a conductive metal such as aluminum or copper
  • the first electrode 811 is a power source (high frequency). Power supply) Connected to 819.
  • a cooling system (not shown) for circulating cooling water may be connected to the first electrode 811. If a cooling system is provided, continuous cooling water circulation It is possible to improve efficiency by continuous treatment by preventing the surface treatment.
  • the second electrode 812 has the same shape as the first electrode 811 and is arranged in parallel.
  • the second electrode 812 is electrically grounded as shown at 813. Then, the first electrode 811 and the second electrode 812 form a linear gas narrow port at the lower end placed in parallel.
  • the first electrode 811 and the second electrode 812 be covered with a solid dielectric. If there is a part where the electrodes directly face each other without being covered by the solid dielectric, an arc discharge will occur from there.
  • the solid dielectric include metal oxides such as silicon dioxide, aluminum oxide, zirconium dioxide, and titanium dioxide; plastics such as polyethylene terephthalate and polytetrafluoroethylene; glass; and composite oxides such as barium titanate.
  • the solid dielectric may be in the form of a sheet or a film, but preferably has a thickness of 0.05 to 4 mm.
  • a process gas is supplied to the space between the first electrode 811 and the second electrode 812 from a gas supply means (gas cylinder) 809a via a valve or a pipe 814.
  • a gas supply means gas cylinder
  • a valve or a pipe 814 As for the atmosphere in the space between the two electrodes, when 10 to 500 MHz is applied to the process gas, plasma is generated in the space.
  • a reactive gas stream containing chemically active excited species such as ions and radicals generated by the plasma is irradiated toward the surface of the substrate 80 (817), a predetermined plasma surface is formed on the surface of the substrate 802. Processing can be performed.
  • the distance between the surface of the substrate 802 and the plasma generating means 807 is preferably 0.5 mm or less.
  • a sensor for measuring the distance may be attached to control the distance between the surface of the base substrate 802 and the plasma generating means 807.
  • the process gas filled in the gas supply means (gas cylinder) 809a is appropriately set in accordance with the type of surface treatment performed in the processing chamber. Exhaust gas is collected in an exhaust system 809b via a pipe 815, a filter (not shown) for removing dust mixed in the gas, a valve, and the like. Further If the recovered exhaust gas is purified and circulated, the re-used gas can be reused for effective use of the gas.
  • the present invention which uses a plasma processing apparatus that operates at atmospheric pressure or a pressure close to atmospheric pressure (meaning a pressure range of 5 ⁇ ⁇ to 800 ⁇ ⁇ ), reduces the evacuation time required for depressurization and the time required to open to the atmosphere, resulting in complicated evacuation. No need to place the system ,. Particularly when a large substrate is used, the chamber is inevitably enlarged, and if the pressure in the chamber is reduced, the processing time becomes longer. Therefore, this apparatus operating at or near atmospheric pressure is effective. In addition, the manufacturing cost can be reduced.
  • the exhaust system is unnecessary. It was possible to manufacture with a reduced installation area as compared with the case of using a device having the same. Since the evacuation procedure can be omitted, processing can be performed in a shorter time than before. In addition, the use of utilities such as electric power, water and gas and chemicals was reduced, and manufacturing costs were reduced.
  • the linear droplet ejecting apparatus and the plasma processing apparatus can be used together. Although it is possible to use one of the means and leave the other to conventional means, it is desirable to use both of the above devices in consideration of space saving, short processing time, low cost, and the like. Further, the dot-shaped droplet ejecting apparatus and the plasma processing apparatus described in Embodiment 2 can be used in combination.
  • a wiring pattern such as TFT / turn, especially TFT, etc. is formed on a substrate.
  • wiring is selectively formed on a substrate without using a photoresist.
  • a conductive film 902 is selectively formed by a plasma processing apparatus (FIG. 9B).
  • the selective etching of the conductive film is performed by relatively moving the substrate 901 and the plasma generating means 903 in the direction of the arrow in FIG. 9 (C) (to the left in the figure). This is done by generating plasma only in the desired part.
  • the wiring pattern 904 is formed with the conductive film (FIG. 9D).
  • Embodiment 4 is suitable for forming a wiring pattern having a wiring width such that the influence of the diameter of the reactive gas injection hole can be ignored.
  • the conventional evacuation procedure for reducing the pressure inside the chamber is omitted, and processing can be performed in a short time.
  • manufacturing can be performed in a reduced space compared to the case where a device for reducing the pressure inside the chamber is used as in the related art.
  • plasma is selectively generated, the amount of reactive gas used can be reduced as compared with the conventional method.
  • a pattern of a film is formed on a substrate using a photoresist. After etching the film, the resist is continuously removed by asking.
  • 10 (A) to 10 (D) are the same as the steps from FIG. 2 (A) to FIG. 2 (D) in the first embodiment.
  • a film to be processed 1002 is formed on the substrate to be processed 1001 by using a known method, for example, sputtering or CVD method (FIG. 10A), and then a dot or line having a droplet ejection head 1003 is formed.
  • a photoresist pattern 1004 is formed on the film 1002 using a droplet ejecting device ((FIGS. 10B to 10D.
  • the baked resist pattern is used as a mask).
  • the coating film 1002 is etched at or near atmospheric pressure using a plasma processing apparatus having plasma generating means (FIG. 10 (D)).
  • the / turn 1004 of the photoresist is ashesed to form the / turn 1005 of the film (FIG. 10 (F)).
  • the plasma may be selectively generated in a portion where the photoresist pattern exists.
  • the conventional exhaust procedure for reducing the pressure in the chamber 1 was omitted, and the processing could be performed in a short time, similarly to the first and fourth embodiments.
  • manufacturing can be performed in a reduced space compared to the case where a conventional apparatus for reducing the pressure inside the chamber is used.
  • the plasma is selectively generated, the amount of the reactive gas used can be reduced as compared with the related art.
  • the photoresist is stripped by ashes, the process can be performed more quickly than the conventional process.
  • Example 1 of the present invention is a method for manufacturing a channel stop type thin film transistor (TFT).
  • a conductive film 1102 is formed by a known method on a substrate 1101 made of various materials such as glass, quartz semiconductor, plastic, plastic film, metal, glass epoxy resin, and ceramic (FIG. 11 ( ⁇ )).
  • the photoresist 1103 is jetted to a necessary portion on the conductive film by the linear droplet jetting device of the present invention (FIG. 11B).
  • the portion of the conductive film that is not covered with the photoresist is etched. ( Figure U (C)).
  • the etching at this time is actually The plasma treatment may be performed at the atmospheric pressure used in the embodiment or at a pressure close to the atmospheric pressure using a plasma processing apparatus having a plasma generating means.
  • the conductive coating 1102 is etched. It is desirable to form a photoresist pattern with a line width of the gate electrode and wiring 1102 of about 5 to 50 / im. At this time, the capacitor electrode and the wiring are also manufactured at the same time.
  • a photoresist pattern was formed using a droplet irradiator and then exposed using a photomask. Further, a finer photoresist pattern may be formed by developing.
  • the conductive film 1102 may be formed by the plasma processing apparatus having the plasma generation means at the atmospheric pressure and the pressure near the atmospheric pressure used in the embodiment. In that case, it is not necessary to form a photoresist pattern by the droplet ejecting apparatus.
  • the resist is stripped by asshing using the atmospheric pressure plasma apparatus of the present invention (FIG. 11D).
  • the peeling of the resist is not limited to the assing but may be a wet treatment with a chemical agent or a combination of the assing and the wet treatment.
  • all of the resist peeling may be performed by a wet process or a combination of the asking and the wet process.
  • a gate electrode and a wiring 1102, a capacitor electrode and a wiring (not shown) are formed.
  • Materials for forming the gate electrode and the wiring 1102, the capacitor electrode and the wiring (not shown) include molybdenum (Mo), titanium ( ⁇ ), tantalum (Ta), tungsten (W), chromium (Cr) aluminum ( It is possible to use conductive materials such as A1), aluminum (AI) containing copper (Cu), neodymium (Nd), or a laminate or alloy of these.
  • FIG. 11E shows a top view at this time.
  • FIG. 11D corresponds to a cross-sectional view taken along aa ′ of FIG. 11E.
  • a gate insulating film 1201 is formed by a known method such as a CVD method (chemical vapor reaction method). You.
  • a silicon nitride film is formed by a CVD method under atmospheric pressure, but a silicon oxide film or a stacked structure thereof may be formed.
  • the active semiconductor layer 1202 and the silicon nitride film 1203 are formed with a thickness of 25 to 80 nm (preferably 30 to 60 nm) ( ( Figure 12 (A)). It is preferable that the gate insulating film 1201, the active semiconductor layer 1202, and the silicon nitride film 1203 be continuously formed without exposing the chamber to the atmosphere.
  • the active semiconductor layer 1202 is an amorphous semiconductor film typified by an amorphous silicon film.
  • the silicon nitride film 1203 may be a silicon oxide film or a stack of a silicon nitride film and a silicon oxide film.
  • a photoresist 1204 is formed by a linear droplet ejecting apparatus (FIG. 12B). Using the photoresist 1204 as a mask, a portion of the silicon nitride film which is not covered with the photoresist is etched to form a protective film 1205 (FIG. 12C). The etching at this time may be performed by the plasma processing apparatus having the plasma generating means at the atmospheric pressure and the pressure near the atmospheric pressure used in the embodiment.
  • the protective film 1205 may be formed by the plasma processing apparatus having the plasma generation means at the atmospheric pressure and the pressure near the atmospheric pressure used in the embodiment. In that case, it is not necessary to form a photoresist pattern by the droplet ejecting apparatus.
  • the resist is stripped by asshing using the atmospheric pressure plasma apparatus of the present invention (FIG. 12D).
  • the peeling of the resist is not limited to the assing but may be a wet treatment with a chemical agent or a combination of the assing and the wet treatment.
  • FIG. 12E shows a top view at this time.
  • FIG. 12D corresponds to a cross-sectional view taken along aa ′ of FIG. 12E.
  • an amorphous semiconductor film 1301 (FIG. 13A) to which an impurity element imparting an N-type conductivity is added and a conductive film 1302 (FIG. 13B) are formed on the entire surface of the substrate to be processed. I do.
  • a photoresist pattern 1303 is formed using the linear droplet ejecting apparatus of the present invention. ( Figure 13 (C)).
  • the portion of the conductive film that is not covered with the photoresist, the amorphous semiconductor film to which the impurity element imparting the N-type conductivity is added, and the active semiconductor layer are etched to form a source drain.
  • a region 1304, a source / drain electrode, and a wiring 1305 are formed (FIG. 13D).
  • the etching at this time may be performed by the plasma processing apparatus having the plasma generation means at the atmospheric pressure and the pressure near the atmospheric pressure used in the embodiment.
  • the active semiconductor layer below the protective film is not etched by the protective film 1205.
  • the line width of the source'drain region 1304 and the source'drain electrode and wiring 1305 is drawn at about 5 to 25 ⁇ m.
  • Mo molybdenum
  • Ti titanium
  • Ta tantalum
  • W tungsten
  • Cr chromium
  • Al aluminum
  • conductive materials such as aluminum (AI) containing copper, copper (Cu), neodymium (Nd), or a laminate or alloy of these active semiconductor layers, source and drain regions.
  • source 'drain electrode and wiring 1305 are formed by a plasma processing apparatus having plasma generation means at atmospheric pressure and a pressure close to atmospheric pressure shown in Embodiment 1 or 2 used in Embodiment 1 and In this case, it is not necessary to form a rifo-resist pattern in the droplet ejecting apparatus.
  • the resist is stripped by asshing using the atmospheric pressure plasma apparatus of the present invention (FIG. 13E).
  • the peeling of the resist is not limited to the assing but may be a wet treatment with a chemical agent or a combination of the assing and the wet treatment.
  • FIG. 13E corresponds to a cross-sectional view taken along aa ′ of FIG. 13F.
  • a protective film 1401 is formed by a known method such as a CVD method (FIG. 14A).
  • a silicon nitride film is formed by a CVD method under atmospheric pressure, but a silicon oxide film or a stacked structure thereof may be formed.
  • an organic resin film such as an acrylic film You can also.
  • a photoresist is ejected by a linear droplet ejecting apparatus to form a pattern 1402 (FIG. 14B).
  • a linear plasma is formed using a plasma processing apparatus having a plasma generating means under the atmospheric pressure, the protective film 1401 is etched, and a contact hole 403 is formed (FIG. 14C).
  • the etching at this time may be performed by the plasma processing apparatus having the plasma generating means at the atmospheric pressure and the pressure near the atmospheric pressure used in the embodiment.
  • the diameter of the contact hole 1403 is desirably about 2.5 to 30 im by adjusting the gas flow, the high-frequency voltage applied between the electrodes, and the like.
  • the resist is peeled off by assing using the atmospheric pressure plasma apparatus of the present invention (FIG. 14D).
  • the peeling of the resist is not limited to the assing but may be a wet treatment with a chemical agent or a combination of the assing and the wet treatment.
  • FIG. 14E shows a top view at this time.
  • FIG. 14D corresponds to a cross-sectional view taken along aa ′ of FIG. 14E.
  • a light-transmitting conductive film 1501 such as ITO is formed by a known method such as a CVD method (FIG. 15A).
  • a photoresist is ejected by a linear droplet ejecting apparatus to form a pattern 1502 (FIG. 15B).
  • linear plasma is formed using a plasma processing apparatus having a plasma generating means under the atmospheric pressure, and the light-transmitting conductive film is etched to form a pixel electrode 1503 (FIG. 15C). The etching at this time may be performed by the plasma processing apparatus having the plasma generating means at the atmospheric pressure used in the embodiment and a pressure near the atmospheric pressure.
  • ITO as the material of the pixel Qin electrode 1503 (an alloy of indium oxide and tin oxide), oxide Injiyuumu oxide-zinc oxide alloy (In 2 0 3) -ZnO) , molybdenum Nag only the transparent conductive film such as zinc oxide (ZnO) (Mo), Aluminum (AO, etc.) containing titanium ( ⁇ ⁇ ), tantalum (Ta), tungsten (W), chromium (Cr), aluminum (A1), copper (Cu), neodymium (Nd), or a laminate or alloy of these Such conductive materials It can be used.
  • the resist is stripped by asshing using the atmospheric pressure plasma apparatus of the present invention (FIG. 15D).
  • the peeling of the resist is not limited to the assing but may be a wet treatment with a chemical agent or a combination of the assing and the wet treatment.
  • FIG. 15E shows a top view at this time.
  • FIG. 15D corresponds to a cross-sectional view taken along aa ′ of FIG. 15E.
  • a channel stop type thin film transistor In the first embodiment, an example of manufacturing a channel stop type thin film transistor is described. However, it is needless to say that a channel etch type thin film transistor without using a channel stop film may be manufactured by the above device.
  • a photomask is used if the point or linear droplet irradiating apparatus according to the present invention and the plasma processing apparatus having a plasma generating means at atmospheric pressure and a pressure near atmospheric pressure are used. Without this, the display device according to Example 1 of the present invention can be manufactured.
  • a channel stop type thin film transistor was manufactured without using a photomask used in a conventional photolithography process.
  • a plasma processing apparatus having a plasma generating means at atmospheric pressure and a pressure near atmospheric pressure, a channel-etch type without using a protective film can be obtained.
  • the thin film transistor may be manufactured.
  • Example 1 a method for manufacturing a display device using an amorphous semiconductor film was described. However, a display device using a crystalline semiconductor represented by polysilicon can be manufactured using a similar manufacturing method. it can.
  • the display device using the amorphous semiconductor and the crystalline semiconductor film is a liquid crystal display device, but a similar manufacturing method is suitable for a self-luminous display device (EL (elect opening) display device). May be used.
  • EL self-luminous display device
  • Example 2 of the present invention is a method for manufacturing a channel-etch type thin film transistor (TFT). Note that points common to the method of manufacturing the channel stop type thin film transistor (TFT) described in Embodiment 1 will be described with reference to FIGS.
  • a gate electrode and a wiring 1602, a capacitor electrode and a wiring (not shown) are formed over a substrate to be processed 1601 using the method described with reference to FIG.
  • Materials for forming the gate electrode and wiring 1602, the capacitor electrode and wiring (not shown) include molybdenum (Mo), titanium (Ti), tantalum (Ta), tungsten (W), chromium (Cr), aluminum
  • Mo molybdenum
  • Ti titanium
  • Ta tantalum
  • W tungsten
  • Cr chromium
  • aluminum such as (A1), aluminum (AI) containing copper (Cu), neodymium (Nd), or a laminate or alloy thereof.
  • a gate insulating film 1603 is formed by a known method such as a CVD method (chemical vapor reaction method).
  • a silicon nitride film is formed by a CVD method under atmospheric pressure, but a silicon oxide film or a stacked structure thereof may be formed.
  • An active semiconductor layer 1604 having a thickness of about 80 ⁇ (preferably 30 to 60 nm) is formed, and then an amorphous semiconductor film 1605 to which an impurity element imparting an N-type conductivity is added, and a conductive film 1606 are covered. It is formed over the entire surface of the processing substrate 1601 (FIG. 16A).
  • a photoresist 1607 is formed by a dot or linear droplet ejecting apparatus.
  • a portion of the active semiconductor layer 1604 not covered with the photoresist is The amorphous semiconductor film 1605 and the conductive film 1606 are etched and patterned (FIG. 16B).
  • the resist 1607 is removed by asking using the atmospheric pressure plasma apparatus of the present invention.
  • the peeling of the resist is not limited to the assing but may be a chemical treatment or a combination of the assing and the wet treatment.
  • a photoresist 1608 is formed by a dot or linear droplet ejecting apparatus.
  • etching is performed using the photoresist as a mask to remove the conductive film and the amorphous semiconductor film to which the impurity element imparting the N-type conductivity is added, thereby removing the active semiconductor layer.
  • etching is performed using the photoresist as a mask to remove the conductive film and the amorphous semiconductor film to which the impurity element imparting the N-type conductivity is added, thereby removing the active semiconductor layer.
  • a source'drain region 1605, a source'drain electrode, and a wiring 1606 are formed (FIG. 16D).
  • the resist 1608 is stripped by asshing using the atmospheric pressure plasma apparatus of the present invention.
  • the peeling of the resist is not limited to ashes, but may be a wet process using a chemical agent or a combination of the ashes and wet processes (FIG. 16 (E)).
  • FIG. 16F shows a top view at this time.
  • FIG. 16F corresponds to a cross-sectional view taken along aa ′ of FIG. 16E.
  • a display device using a channel-etch thin film transistor can be manufactured through the steps described in Embodiment 1 with reference to FIGS.
  • a photomask is used if the point or linear droplet irradiating apparatus according to the present invention and the plasma processing apparatus having a plasma generating means at atmospheric pressure and a pressure near atmospheric pressure are used.
  • a display device according to the second embodiment of the present invention can be manufactured.
  • Example 2 a method for manufacturing a display device using an amorphous semiconductor film was described. However, a similar manufacturing method was used to manufacture a display device using a crystalline semiconductor represented by polysilicon. You can also.
  • a display device using the amorphous semiconductor and the crystalline semiconductor film is a liquid crystal display device.
  • the same manufacturing method may be applied to a self-luminous display device (EL (elect-opening / luminescence) display device).
  • EL electro-opening / luminescence
  • FIG. 17A illustrates a display device having a large display portion with a size of, for example, 20 to 80 inches, which includes a housing 4001, a support base 4002, a display portion 4003, a part of speakers 4004, a video input terminal 4005, and the like.
  • the present invention is applied to the manufacture of the display portion 4003.
  • Such a large-sized display device is a so-called fifth generation (1 000 ⁇ 100 mm 2 ), a sixth generation (1400 ⁇ 1 600 1111112), and a seventh generation (1500) in terms of productivity and cost. It is preferable to use a large substrate with a meter angle such as 1800 mni2).
  • FIG. 13B illustrates a laptop personal computer, which includes a main body 4201, a housing 4202, a display portion 4203, a keyboard 4204, an external connection port 4205, a pointing mouse 4206, and the like.
  • the present invention is applied to the manufacture of the display portion 4203.
  • FIG. 13C shows a portable image reproducing device (specifically, a DVD reproducing device) provided with a recording medium, a main body 4401, a housing 4402, a display portion A4403, a display portion B4404, and a recording medium (such as a DVD). )
  • a reading unit 4405, an operation key 4406, a speaker unit 4407, and the like are included.
  • the display portion A4403 mainly displays image information
  • the display portion B4404 mainly displays character information.
  • the present invention is applied to the production of these display portions A, B4403, and 4404.
  • This embodiment uses a composition in which metal fine particles are dispersed in an organic solvent to form a wiring pattern.
  • the metal fine particles have an average particle diameter of 1 to 50 nm, preferably 3 to 7 nm.
  • the composition is a fine particle of silver or gold, the surface of which is coated with a dispersant such as amine, alcohol, or thiol.
  • a dispersant such as amine, alcohol, or thiol.
  • the organic solvent is a phenol resin, an epoxy resin, or the like, and a thermosetting or photocuring resin is used.
  • the viscosity of the composition may be adjusted by adding a thixotropic agent or a diluting solvent.
  • An appropriate amount of the composition discharged onto the surface to be formed by the droplet jet head cures the organic solvent by heat treatment or light irradiation treatment. Due to the volume shrinkage caused by the curing of the organic solvent, the metal fine particles come into contact with each other and promote fusion, fusion or aggregation. That is, a wiring in which metal fine particles having an average particle diameter of 1 to 50 nm, preferably 3 to 7 nm are fused, fused or aggregated is formed. In this manner, by forming a state in which the metal fine particles come into surface contact with each other by fusion, fusion, or aggregation, it is possible to realize a reduction in the resistance of the wiring.
  • a wiring pattern by forming a wiring pattern using such a composition, it is easy to form a wiring pattern having a line width of about 1 to 10 ⁇ m. Similarly, the diameter of the contact byeon is "! ⁇ 1
  • the composition can be filled therein even if it is about OjUm. That is, a multilayer wiring structure can be formed with a fine wiring pattern.
  • an insulating pattern can be similarly formed by using an insulating material instead of metal fine particles.

Abstract

従来のフォトリソグラフィーを用いた配線作製工程では、レジストや配線材料、またプラズマ処理時に必要なプロセスガス等の多くが無駄になってしまう。また真空装置等の排気手段が必要であることから、装置全体が大型化するため、処理基板の大型化に伴い製造コストが増加する。そこで、レジストや配線材料を液滴として基板上の必要な箇所に直接噴射し、パターンを描画するという手段を適用する。またアッシングやエッチング等の気相反応プロセスを大気圧又は大気圧近傍下で行う手段を適用する。

Description

明細書
表示装置の作製方法
技術分野
本発明は、薄膜トランジスタ (TFT)に代表される絶縁ゲート型電界効果トランジスタおよ びその作製方法に関する。 冃 .
近年、液晶ディスプレイ (LCD)や ELディスプレイに代表されるフラットパネルディスプレ ィ (FPD)は、これまでの CRTに替わる表示装置として注目を集めている。特にアクティブ マトリクス駆動の大型液晶パネルを搭載した大画面液晶テレビの開発は、液晶パネルメー カーにとって注力すべき重要な課題になっている。
アクティブマド Jクス駆動の液晶パネルには、スイッチング素子として薄膜トランジスタ
(TFT)が形成されている。従来、薄膜トランジスタ等の回路パターンの作製には、真空プ ロセスによる成膜、フォトリソグラフィ一が用いられてきた。
成膜は、処理室内部をポンプにより減圧状態にして薄膜を堆積する手法であり、 CVD (化 学気相反応法 Chemkial Vapor Deposition)法、スパッタ法、蒸着法などの手法がある。フ オトリソグラフィ一は、露光装置によりレジストマスクを作製し、レジストマスクで保護されな い部分の薄膜をエッチングすることによって、薄膜を所望する形状にする技術である。 真空プロセスにおいては、被処理基板をプロセスチャンバに搬送し、プロセスチャンバ内 を真空状態にした後、成膜、エッチング、アツシングなどの処理を行う。プロセスチャン/ 内 を真空状態にするためには、排気手段が必要となる。排気手段は処理装置外部に設置さ れた、ターボ分子ポンプやロータリーポンプ、ドライポンプ等に代表されるポンプと、それら を管理、制御する手段、またポンプと処理室とを連結させて排気系を構成する配管、バル ブ、圧力計、流量計等で構成される。これら設備を付帯させるためには、処理装置以外に 排気系のコストと排気系を設置するためのスペースが必要となり、処理装置全体のサイズ とコストは増大する。
図 1 (A)〜（H)に従来技術であるフォトリソグラフィ一のプロセスフロー図を、図 1 (I)〜（0) に工程模式図を示した。フォトリソグラフィ一のプロセスは、まず感光性のレジスト (フオトレ ジス卜)を基板に堆積した被膜上にスピン塗布することで、被膜全面に前記レジストを広げ る（図 1 (A)、（1) )。プリべークにより溶剤を蒸発させてフォトレジストを固化した（図 1 (B)、 ω) )後、フォトマスクを介して光照射を行い、前記レジストを感光させる (露光）（図 1 (c)、 (K) )。フォトレジストには、光が照射された部分力《現像液に可溶性になるポジ型フォトレジ ストと光力《照射された部分が現像液に難溶性になるネガ型フォトレジス卜がある。図 1 は、 ポジ型レジストによるフォトリソグラフィ一のプロセスフロー図及び工程模式図である。次に、 光照射された部分のフォトレジストを現像液によって溶解し (図 1 (D)、（E)、（L) )、ポスト ベ一クでフォトレジストの耐エッチング性を向上させる（図 1 (F)、 (M) )。ここまでのプロセ スで、フォトマスクに形成されているパターンと同形状のレジストパターンが被膜上に転写 されたことになる。さらに前記レジストパターンをマスクとして、前記レジストパターンで保 護されていない被膜部分をエッチングする（図 1 (G)、 (N) )。最後にマスクとして使用した レジス卜パターンを剥離する（図 1 (H)、（O) )ことで、フォトマスクに形成されていたパター ンと同形状をした被膜パターンを形成することができる。 発明の開示
(発明が解決しょうとする課題）
しかしながら、従来の真空プロセスでは、第 5世代 (例えば 1000 X 1200mmあるいは 1100 X 1250mm)、第 6世代 (例えば 1500 x 1800mm)といった基板の大型化にともなつ て、プロセスチャンバの容積が増大する。このため、プロセスチャンバを減圧して真空状態 にするには、より大規模な排気系が必要となり、装置の設置面積および重量が増大する。 さらに工場、建屋の巨大化と建屋の耐荷重性への要求を高め、設備投資の増大を引き起 こす。排気に必要な時間も長くなリ、スループットは増加する。さらに、電力、水、ガスなど のユーティリイティや薬液の使用量が増えることによって、製造コストの増加を弓 Iき起こす だけでなぐ環境負荷の増大につながる。
また、従来のフォトリソグラフィープロセスでは、基板の全面に形成したレジスト膜や被膜 (金属、半導体膜など)は、そのほとんどが除去されてしまい、レジスト膜や被膜が基板に 残存する割合は、数〜数十％程度であった。特に、レジスト膜はスピン塗布により形成され る際、約 95%が無駄になっていた。つまり材料のほとんどを廃棄していることになリ、真空 プロセスと同様、製造コストに影響を及ぼすばかりか、環境負荷の増大を招いていた。こ のような傾向は製造ラインに流れる基板サイズが大型化するほど顕在化してきた。
(課題を解決するための手段）
上述した従来技術の課題を解決するために、本発明においてはフォトレジストを直接被膜 上に噴射してレジストパターンを形成する手段を講じた。さらに、大気圧あるいは大気圧近 傍の圧力でプラズマを発生させ、成膜、エッチングおよびアツシングなどの気相反応プロセ スを局所的に行う手段を講じた。
本発明においては、上記の液滴噴射を行うための手段として 点状の液滴噴射 ¾を有す るヘッドを具備する液滴噴射装置及び点状の噴射孔を線状に配置した液滴噴射孔を有す るヘッドを具備する液滴噴射装置を用いた。
また本発明においては、上記の気相反応プロセスを行う手段として大気圧または大気圧 近傍の圧力におけるプラズマ発生手段を具備するプラズマ処理装置を用いた。
上記の液滴を噴射する手段、あるいは上記の局所的な気相反応プロセスは、大気圧中 または大気圧近傍下で行うようにした。そのため、従来の真空プロセスで必要とされた、プ ロセスチャンバ内を減圧して真空状態にするための排気系を省くことが可能となった。従つ て、基板の大型化にともなって大規模化する排気系を簡略化することができ、設備コストが 低減できる。またこれに応じて排気のためのエネルギー等を抑えることが可能となり、環境 負荷の低減につながる。さらに排気のための時間を省略することができるため、スループ ットが向上し、より効率的に液晶パネルの生産を行うことが可能となった。
これらの手段を適用することにより、従来の課題であったレジスト、被膜 (金属、半導体な ど)および気相反応プロセスに用いるガスの使用量を、大幅に低減することができた。
(発明の効果）
以上のように、点状の液滴噴射孔を配置した液滴照射ヘッドを有する液滴噴射装置及 び、点状の液滴噴射孔を線状に配置した液滴噴射ヘッドを有する液滴噴射装置、並びに 大気圧下におけるプラズマ発生手段を有するプラズマ処理装置を用いて表示装置を作製 することで、材料 (液滴噴射法では、配線等の材料、プラズマではガス)の無駄を低減する ことが可能となる。同時に作製コストを削減することが可能になる。さらに前記装置を使用 することで、工程の簡便化、装置ひいては製造工場の小規模化、また工程の短時間化を 図ることが可能となる。また従来必要とされた排気系統の設備を簡略化できる等、ェネル ギーを低減できることから環境負荷を低減することができ、設備投資などの投資コストは 大きく低減した。
また本発明は大型基板に対応した製造プロセスであリ 従来の装置の大型化に伴う 装置の大型化、 処理時間の増加等、 諸処の問題を解決するものである。 図面の簡単な説明
【図 1】 (A)〜 (0)は、フォトリソグラフィ一のプロセスを説明する図 【図 2】 (A)〜 (F)は、本発明の実施の形態 1に係る処理工程の模式図 【図 3】は、本発明の点状液滴噴射装置を示す図である。
【図 4】は、本発明の点状液滴噴射装置におけるヘッドの底部を示す図
【図 5】 (A)〜（F)は、本発明の大気圧プラズマ処理装置のプラズマ発生部の構成を
示す図
【図 6】 (A)〜 (G)は、本発明の線状液滴噴射装置を示す図である。
【図 7】 (A)〜（B)は、本発明の線状液滴噴射装置におけるヘッドの底部を示す図 【図 8〗 (A)〜 (B)は、本発明の大気圧プラズマ処理装置のプラズマ発生部の構成を
示す図
【図 9】 (A)〜（D)は、本発明の実施の形態 4に係る処理工程の模式図
【図 10】 (A)〜（F)は、本発明の実施の形態 5に係る処理工程の模式図
【図 1 1】 (A)〜 (E)は、本発明の実施例 1に係る製造工程の模式図
【図 1 2】 (A)〜 (E)は、本発明の実施例 1に係る製造工程の模式図
【図 1 3】 (A)〜 (F)は、本発明の実施例 1に係る製造工程の模式図
【図 14】 (A)〜 (E)は、本発明の実施例 1に係る製造工程の模式図
【図 1 5】 (A)〜 (D)は、本発明の実施例 1に係る製造工程の模式図
【図 1 6】 (A)〜（F)は、本発明の実施例 2に係る製造工程の模式図
[図 1 7〗 (A)〜 (C)は、本発明の養施例 3に係る電子機器を示す図
発明を箅施するための最良の形態
(喪施の形態 1 )
本発明の実施の形態は、液滴噴射装置と、大気圧または大気圧近傍における圧力でプ ラズマ発生手段を有するプラズマ処理装置を用いることで、所望のサイズのガラス基板に、 半導体装置の配線パターンを作製する。特に本発明は、第 5世代 (例えば 1000 X 1200mmあるいは 1100 x 1250mm)、第 6世代 (例えば 1500 x 1800mm)といった大型 化する基板への適用を意図したものである。以下、本発明の実施の形態 1について、添付 図面である図 2を参照して説明する。
なお、実施の形態 1において単に液滴噴射装置という場合には、点状の液滴噴射孔を 有するヘッドを具備する液滴噴射装置、及び点状の噴射孔を線状に配置した液滴噴射孔 を有するヘッドを具備する液滴噴射装置のいずれをも含むものとする。
最初に公知の方法、例えばスパッタまたは CVD法を用いて、被処理基板 201 上に被膜 202を成膜する (図 2(A) )。次に、後述する液滴噴射ヘッド 203を有する液滴噴射装置を用 いて、液滴噴射孔から噴射される液滴を重ね合わせるように噴射する（図 2(B) )。つまり、 液滴を重ね合わせるように噴射しながら、（図 2 (B) )に示す矢印の方向に液滴噴射ヘッド を走査する。このとき点状の液滴噴射孔から噴射される液滴を重ね合わせるように噴射す ることで、レジス卜パターン 204が点状や線状に形成される（図 2 (G) )。レジストパターン 204の形成においては、ヘッドを走査するだけでなく基板を走査してもよぐまたヘッドと基 板の走査を組み合わせることで、点状や線状に限らず任意の形状のレジストパターンを形 成することも可能である。次にベークしたレジストパターンをマスクとして、後述するプラズ マ発生手段を有するプラズマ処理装置を用いて、大気圧または大気圧近傍の圧力で被膜 202をエッチングする（図 2(D) )。被膜 202のうちレジストパターン 204でマスクされていな い部分すなわち被膜 202の露出された部分が ガスによってエッチングされる (図 2(E) )。 被膜 202をエッチングした後 レジスト/ νβ— 204を剥離する。レジスト/ ターン 20 の剥 離は、化学薬品にレジストを溶解するウエット処理 前記プラズマ発生手段を有するプラズ マ発生装置によるアツシング (ドライ処理)およびウエット処理とドライ処理を併用してもよい。 その結果、レジストパターン 204の形状と同じ形状をした被膜のパターンが形成される (図 2(E) )。なおアツシング時のガスは、一般的に酸素を用いる。 (実施の形態 2)
以下、実施の形態 1で用いることのできる点状の液滴噴射孔を配置した液滴噴射ヘッド を有する液滴噴射装置を、添付図面を参照して説明する。図 3は点状液滴噴射装置の一 構成例について示した概略斜視図であり、また図 4はこの点状液滴噴射装置に用いる、ノ ズルを配置したヘッド部について示した図である。
図 3に示す点状液滴噴射装置は、装置内にヘッド 306を有し、該ヘッド 306により液滴を 噴射することで、基板 302に所望の液滴パターンを得るものである。本点状液滴噴射装置 においては、基板 302として、所望のサイズのガラス基板の他、プラスチック基板に代表さ れる樹脂基板、或いはシリコンに代表される半導体ウェハ等の被処理物に適用することが できる。
図 3において、基板 302は搬入口 304から筐体 301内部へ搬入し、液滴噴射処理を終 えた基板を搬出口 305から搬出する。筐体 301内部において、基板 302は搬送台 303に 搭載され、搬送台 303は搬入口と搬出口とを結ぶレール 310a、 310b上を移動する。 ヘッド支持部 307aおよび 307bは、液滴を噴射するヘッド 306を支持し、 X— Y平面内の 任意の箇所にヘッド 306を移動させる機構である。ヘッド支持部 307aは搬送台 303と平 行な X方向に移動し、ヘッド支持部 307aに固定されたヘッド支持部 307bに装着されたへッ ド 306は、 X方向に垂直な Y方向に移動する。基板 302が筐体 301内部へ搬入されると、 これと同時にヘッド支持部 307aおよびヘッド 306がそれぞれ) Y方向を移動し、液滴噴 射処理を行う初期の所定の位置に設定される。ヘッド支持部 307aおよびヘッド 306の初 期位置への移動は、基板搬入時、或いは基板搬出時に行うことで、効率良く噴射処理を行 うことができる。
液滴噴射処理は、搬送台 303の移動により、基板 302がヘッド 306の待つ所定の位置 に到達すると開始する。液滴噴射処理は、ヘッド支持部 307a、ヘッド 306および基板 302 の相対的な移動と、ヘッド支持部に支持されるヘッド 306からの液滴噴射の組み合わせに よって達成される。基板やヘッド支持部、ヘッドの移動速度と、ヘッド 306からの液滴を嘖 射する周期を調節することで、基板 302上に所望の液滴パターンを描画することができる。 特に、液滴噴射処理は高度な精度が要求されるため、 噴射時は搬送台 303の移動を 停止させ、制御性の高いヘッド支持部 307およびヘッドのみを走査させることが望ましい。 ヘッド 306およびヘッド支持部 307aの駆動にはサ一ボモ一タゃノ《ルスモータ等、制御性 の高い駆動方式を選択することが望ましい。また、ヘッド 306およびヘッド支持部 307aの X— Y方向におけるそれぞれの走査は一方向のみに限らず、往復或いは往復の繰り返し を行うことで液滴噴射処理を行っても良い。上記の被処理物およびヘッド支持部の移動に よって、基板全域に液滴を噴射することができる。
液滴は、筐体 301外部に設置した液滴供給部 309から筐体内部へ供給され、さらにへッ ド支持部 307a. 307bを介してヘッド 306内部の液室に供給される。この液滴供給は筐体 301外部に設置した制御手段 308によって制御されるが、筐体内部におけるヘッド支持部 307aに内蔵する制御手段によって制御しても良い。
制御手段 308は上記の液滴供給の制御の他、搬送台、ヘッド支持部およびヘッドの移動 とこれに対応した液滴噴射の制御が主要機能となる。また液滴噴射によるパターン描画の データは該装置外部から CAD等のソフトウェアを通してダウンロードすることが可能であ これらデータは図形入力や座標入力等の方法によって入力すること。また液滴として用 いる組成物の残量を検知する機構をヘッド 306内部に設け、制御手段 308に残量を示す 情報を転送することで、自動残量警告機能を付加させても良い。
図 3には記載していないが、さらに基板や基板上のパターンへの位置合わせのための センサや、筐体へのガス導入手段、筐体内部の排気手段、基板を加熱処理する手段、基 板へ光照射する手段、加えて温度、圧力等、種々の物性値を測定する手段等を、必要に 応じて設置しても良し、。またこれら手段も、筐体 301外部に設置した制御手段 308によつ て一括制御することが可能である。さらに制御手段 308を LANケーブル、無線 LAN、光フ アイ/く等で生産管理システム等に接続すれば、工程を外部から一律管理することが可能と なり、生産性を向上させることに繋がる。
次にヘッド 306内部の構造を説明する。図 4は、図 3のヘッド 306の Y方向に平行な断 面図である。
図 4において、外部からヘッド 401の内部に供給される液滴は、液室流路 402を通過し 予備液室 403に蓄えられた後、液滴を噴射するためのノズル 409へと移動する。ノズル部 は適度の液滴がノズル内へ装填されるために設けられた流体抵抗部 404と、液滴を加圧 しノズル外部へ噴射するための加圧室 405、及び液滴噴射子 L 407によって構成されてい る。
ここで、液滴噴射孔 407の径は、 0. 1 ~50 m (好適には 0. 6〜26〃 m、：)に設定し、 ノズルから噴射される組成物の噴射量は 0. 00001 1〜50卩1(好適には0. 0001〜40p I)に設定する。この噴射量は、ノズルの径の大きさに比例して増加する。また、被処理物と 液滴噴射孔 407との距離は、所望の箇所に噴射するために、できる限り近づけておくこと が好ましく、好適には 0. 1〜2mm程度に設定する。なお、液滴噴射孔 407の径を変えず とも、圧電素子に印可される/《ルス電圧を変えることによって噴射量を制御することもでき る。これらの噴射条件は、線幅が約 1 0 m以下となるように設定しておくのが望ましい。 加圧室 405の側壁には 電圧印加により変形するチタン酸。ジルコニウム酸'鉛 (Pb (&， ΎΪ) 03)等のピエゾ圧電効果を有する圧電素子 06を配置している。このため、目的のノズ ルに配置された圧電素子 406に電圧を印加することで圧電素子が変形し、加圧室 405の 内容積が下がることから液滴が押し出され、外部に液滴 408を噴射することができる。 本発明では液滴噴射を圧電素子を用いたいわゆるピエゾ方式で行うが、液滴の材料に よっては、発熱体を発熱させ気泡を生じさせ液滴を押し出す、いわゆるサーマルインクジェ ット方式を用いても良しゝ。この場合、圧電素子 406を発熱体に置き換える構造となる。 また液滴噴射のためのノズル部 410においては、液滴と、液室流路 402、予備液室 403、 流体抵抗部 404、加圧室 405さらに液滴噴射 407との濡れ性が重要となる。そのため材 質との濡れ性を調整するための炭素膜、樹脂膜等 (図示せず)をそれぞれの流路に形成し ても良い。
上記の手段によって、液滴を処理基板上に噴射することができる。液滴噴射方式には、 液滴を連続して噴射させ連続した点状のパターンを形成する、いわゆるシーケンシャル方 式 (デイスペンザ方式)と、液滴を点状に噴射する、いわゆるオンデマンド方式があり、本発 明における装置構成ではオンデマンド方式を示したが、シーケンシャル方式によるヘッドを 用いることも可能である。
上記の点状液滴噴射装置の液滴として用いられ組成物は、フォトレジスト、ポリイミドなど の樹 fl旨を用し、ることもできる。被膜をエッチングする際にマスクとなる材料であれば、フォト レジストのように感光性である必要なない。また、導電体 (導電層)を形成するため点状液 滴噴射装置の液滴として用いられる組成物はペースト状の金属材 または前記ペースト 状の金属を分散させた導電性ポリマー等の有機系溶液、さらに超微粒子状の金属材料と 前記金属材料を分散させた導電性ポリマー等の有機系溶液等を用いることができる。 特に超微粒子状の金属材料は数 m〜サブ/ mの微粒子、 mnレぺルの超微粒子ま たはこれらを両方含むものを使用することができる。前記組成物に mnレペルの超微粒子 状の金属材料を用いた場合には、コンタクトホールや幅の狭い溝部等に十分回り込むサイ ズの前記超微粒子状の金属材料を選択する必要がある。
上記の点状液滴噴射装置の液滴として用いられる組成物は、感光性のレジスト、ペースト 状の金属材料または前記ペースト状の金属を分散させた導電性ポリマー等の有機系溶液、 さらに超微粒子状の金属材料と前記金属材料を分散させた導電性ポリマー等の有機系溶 液等を用し、ることができる。特に超微粒子状の金属材料は数 / m〜サブ// mの微粒子、 nm レベルの超微粒子又はこれらを両方含むものを使用することができる。前記組成物に 前記超微粒子状の金属材料を用いた場合には、コンタクトホールや幅の狭い溝部等に十 分回り込むサイズの前記超微粒子状の金属材料を選択する必要がある。これら液滴は、 基板の搬送台 303に取り付けられた加熱機構 (図示せず)を使用し、液滴着弾時に加熱乾 燥させても良いし、必要領域に液滴の着弾が完了した後、或いは全ての液滴噴射処理が 完了した後に加熱乾燥させても良い。前記レジストは加熱処理によってべ一クされエツチン グの際のマスクとして使用することができる。また前記超微粒子状の金属材料を含んだ有 機系溶液は、加熱処理によって有機系溶液が揮発し、超微粒子状の金属が結合すること で金属配線として使用することができる。
また、組成物の粘度は 20cp以下が好適であり、これは、乾燥が起こることを防止したり、 吐出口から組成物を円滑に吐出できるようにしたりするためである。また、組成物の表面 張力は、 40mN/m以下が好適である。但し、用いる溶媒や、用途に合わせて、組成物の 粘度等は適宜調整するとよい。一例として、 ΓΓΟや、有機インジウム、有機スズを溶媒に溶 解又は分散させた組成物の粘度は 5〜20mPa' S、銀を溶媒に溶解又は分散させた組成 物の粘度は 5〜20mPa'S、金を溶媒に溶解又は分散させた組成物の粘度は 5〜20mP a s ¾レ ax疋 9 とよい o
以上の点状液滴噴射装置は、従来のフォトリソプロセスにおけるレジスト塗布工程や成 膜、エッチング工程と異なり ¾大気圧或いは大気圧近傍下で行うことができる。大気圧近傍 とは 5Torr〜800Torrの圧力範囲を示す。特に、上記液滴噴射装置は 800Torr程度の陽 圧下で液滴の噴射を行うことも可能である。
以上の点状液滴噴射装置を用いた本発明の実施の形態 1においては、フォトレジス卜の パターンを必要な部分のみに形成することで、従来用いられてし、るスピン塗布に比べて、 レジストの使用量を格段に低減することが可能となる。また、露光、現像、リンスといったェ 程を省くことができるため、工程を簡略化することができる。
次に、実施の形態 1で用いる大気圧プラズマ処理装置を、添付図面を参照して説明する 図 5 (A)は、本発明において用いられるプラズマ処理装置の一例の上面図であり、図 5 (B)は断面図である。同図において、カセット室 1 6には、所望のサイズのガラス基板、ブラ スチック基板に代表される樹脂基板等の被処理物 1 3がセットされる。被処理物 1 3の搬送 方式としては、水平搬送が挙げられるが、第 5世代以降のメータ角の基板を用いる場合に は、搬送機の占有面積の低減を目的として、基板を縦置きにした縦形搬送を行ってもよ い。
搬送室 1 7では、カセット室 1 6に配置された被処理物 1 3を、搬送機構 (ロボットアーム) 2 0によりプラズマ処理室 1 8に搬送する。搬送室 1 7'に隣接するプラズマ処理室 1 8には、気 流制御手段 10、円筒状の電極を有するプラズマ発生手段 1 2、プラズマ発生手段 1 2を移 動させるレール 14a、 1 4b、被処理物 1 3の移動を行う移動手段 1 5等が設けられる。また、 必要に応じて、ランプなどの公知の加熱手段 (図示せず)が設けられる。
気流制御手段 10は、防塵を目的としたものであり、吹き出し口 23から噴射される不活性 ガスを用いて、外気から遮断されるように気流の制御を行う。プラズマ発生手段 1 2は 被 処理物 1 3の搬送方向に配置されたレール 1 4a、また該搬送方向に垂直な方向に配置さ れたレール 14bにより、所定の位置に移動する。また被処理物 1 3は、移動手段 15により 搬送方向に移動する。実際にプラズマ処理を行う際には、プラズマ発生手段 1 2及ぴ被処 理物 13のどちらを移動させてもよい。
次いで、プラズマ発生手段 1 2の詳細について図 5(C)〜(F)を用いて説明する。図 5(C) は、円筒状の電極を有するプラズマ発生手段 1 2の斜視図を示し、図 5 (D)〜（F)には該 円筒状の電極の断面図を示す。
図 5 (D)において、点線はガスの経路を示し、 21、 22はアルミニウム、銅などの導電性 を有する金属からなる電極であり、第 1の電極 21は電源 (高周波電源) 29に接続されてい る。なお第 1の電極 21には、冷却水を循環させるための冷却系 (図示せず)が接続されて いてもよい。冷却系を設けると、冷却水の循環により連続的に表面処理を行う場合の加熱 を防止して、連続処理による効率の向上が可能となる。第 2の電極 22は、第 1の電極 21 の周囲を取り囲む形状を有し、電気的に接地されている。そして、第 1の電極 21と第 2の 電極 22は、その先端にノズル状のガスの細口を有する円筒状を有する。
なお、この第 1の電極 21又は第二の電極 22の少なくとも一方の電極の表面を固体誘 電体で覆うのが好ましい。固体誘電体としては、二酸化珪素、酸化アルミニウム、二酸化ジ ルコニゥム、二酸化チタン等の金属酸化物、ポリエチレンテレフタラ一卜、ポリ亍トラフルォ 口エチレン等のプラスチック、ガラス、チタン酸バリウム等の複合酸化物等が挙げられる。 固体誘電体の形状は、シート状でもフィルム状でもよいが、厚みが 0. 05〜4mmであるこ とが好ましい。
この第 1の電極 21と第 2の電極 22の両電極間の空間には、バルブ 27を介してガス供 給手段 (ガスボンベ) 31よりプロセス用ガスが供給される。そうすると、この空間の雰囲気 は置換され、この状態で高周波電源 29により第 1の電極 21に高周波電圧（1 0〜500M Hz)が印加されると、前記空間内にプラズマが発生する。そして、このプラズマにより生成 されるイオン、ラジカルなどの化学的に活性な励起種を含む反応性ガス流を被処理物 1 3 の表面に向けて照射すると、該被処理物 1 3の ¾面において所定の位置に局所的なブラ ズマ表面処理を行うことができる。このとき該被処理物 1 3表面とプロセスガスの噴射口と なる細口との距離は、 3mm以下、好ましくは 1 nmi以下、より好ましくは 0. 5mm以下が 良し、。特に距離を測定するためのセンサを取り付け、前記被処理物 1 3表面とのプロセス ガスの噴射口となる細口との距離を制御しても良い。
なおガス供給手段 (ガスボンベ) 31に充填されるプロセス用ガスは、処理室内で行う表 面処理の種類に合わせて適宜設定する。また、排気ガス 32は、ガス中に混入したゴミを除 去するフィルタ 33とバルブ 27を介して排気系 31に回収される。さらにこれら回収した排気 ガスを精製し、循環させることでガスを再利用することで、ガスの有効利用しても良い。 また、図 5(D)とは断面が異なる円筒状のプラズマ発生手段 12を図 5(E) (F)に示す。図 5(E)は、第 1の電極 21の方が第 2の電極 22よりも長 且つ第 1の電極 21が鋭角形状 を有しており、また、図 5(F)に示すプラズマ発生手段 12は、第 1の電極 21及び第 2の電 極 22の間で発生したイオン化したガス流を外部に噴射する形状を有する。
大気圧又は大気圧近傍 (5Tbrr〜800Ttbrrの圧力範囲をいう。：)下で動作するプラズマ 処理装置を用いる本発明は、減圧装置に必要である真空弓 Iきや大気開放の時間が必要 なぐ複雑な真空系を配置する必要がない。特に大型基板を用いる場合には、必然的にチ ヤンバーも大型化し、チャンバ一内を減圧状態にすると処理時間もかかってしまうため、大 気圧又は大気圧近傍下で動作させる本装置は有効であり、製造コストの低減が可能とな る。
以上のことから、上記の大気圧プラズマ処理装置を用いて、本発明の実施の形態 1にお ける導電性膜のエッチング、およびレジストのアツシングを行うことで、従来の排気手続き を省略した短時間での処理が可能となった。また排気系が不必要であることから、従来の 減圧処理を有する装置を用いる場合に比べ、縮小したスペースで製造を行うことができ た。
上記の実施の形態 1における配線パターンの作製工程には、本発明の点状液滴噴射装 置と、本発明の大気圧プラズマ処理装置を併用することができる。いずれか一方の手段を 使用し、他方を従来の手段に任せることも可能であるが、省スペース化、短時間処理、低 コスト化等を考慮すると、上記本発明の点状液滴噴射装置と、本発明の大気圧プラズマ処 理装置を併用することが望ましい。
(実施の形態 3)
実施の形態 1で用いることのできる線状液滴噴射装置について、添付図面を参照して説 明する。本装置は、点状の液滴噴射孔を線状に配置した液滴噴射ヘッドを有している。図 6(A)は線状液滴噴射装置の一構成例について示した概略斜視図であり、また図 6(B)は、 この線状液滴噴射出装置に用いるノズルを配置したヘッドを示した図である。
図 6(A)に示す線状液滴噴射装置は、装置内にヘッド 606を有し、これによリ液滴を噴射 することで、基板 602に所望の液滴/ ターンを得るものである。本線状液滴噴射装置にお いては、基板 602として、所望のサイズのガラス基板の他、プラスチック基板に代表される 樹脂基板、あるいはシリコンに代表される半導体ウェハ等の基板に適用することもでき る。
図 6(A)において、基板 602は搬入口 604から筐体 601内部へ搬入し、液滴噴射処理を 終えた基板を搬出口 605から搬出する。筐体 601内部において、基板 602は搬送台 603 に搭載され、搬送台 603は搬入口と搬出口とを結ぷレール 610a、 610b上を移動する。 ヘッド支持部 607は、液滴を噴射するヘッド 606を支持し、搬送台 603と平行に移動する。 基板 602が筐体 601内部へ搬入されると、これと同時にヘッド支持部 607は、ヘッドが最 初の液滴噴射処理を行う所定の位置に合うように移動する。ヘッド 606の初期位置への移 aは、基板鎩入時、あるいは基板搬出時に行うことで 効率良く噴射処理を行うことができ る。
液滴噴射処理は、搬送台 603の移動により基板 602が、ヘッド 606の待つ所定の位置 に到達すると開始する。液滴噴射処理は、ヘッド支持部 607および基板 602の相対的な移 動と、ヘッド支持部に支持されるヘッド 606からの液滴噴射の組み合わせによって達成さ れる。基板やヘッド支持部の移動速度と、ヘッド 606からの液滴を噴射する周期を調節す ることで、基板 602上に所望の液滴パターンを描画することができる。特に、液滴噴射処理 は高度な精度が要求されるため、液滴噴射時は搬送台の移動を停止させ、制御性の高い ヘッド支持部 607のみを順次走査させることが望ましい。ヘッド 606の駆動にはサーポモ ータゃパルスモータ等、制御性の高い駆動方式を選択することが望ましい。また、ヘッド 606のヘッド支持部 607による走査は一方向のみに限らず、往復あるいは往復の繰り返し を行うことで液滴噴射処理を行ってもよい。上記の基板およびヘッド支持部の移動によって、 基板全域に液滴を噴射することができる。
液滴は、筐体 601外部に設置した液滴供給部 609から筐体内部へ供給され、さらにへッ ド支持部 607を介してヘッド 606内部の液室に供給される。この液滴供給は筐体 601外部 に設置した制御手段 608によって制御されるが、筐体内部におけるヘッド支持部 607に内 蔵する制御手段によって制御してもよい。
制御手段 608は上記の液滴供給の制御の他、搬送台およびヘッド支持部の移動とこれ に対応した液滴噴射の制御が主要機能となる。また液滴噴射によるパターン描画のデー タは該装置外部から CAD等のソフトウェアを通してダウンロードすることが可能であり、こ れらデータは図形入力や座標入力等の方法によって入力する。また液滴として用いる組成 物の残量を検知する機構をヘッド 606内部に設け、制御手段 608に残量を示す情報を転 送することで、自動残量警告機能を付加させてもよい。
図 6(A)には記載していないが、さらに基板や基板上のパターンへの位置合わせのため のセンサや、筐体へのガス導入手段、筐体内部の排気手段、基板を加熱処理する手段、 基板へ光照射する手段、加えて温度、圧力等、種々の物性値を測定する手段等を、必要 に応じて設置してもよしゝ。またこれら手段も、筐体 601外部に設置した制御手段 608によつ て一括制御することが可能である。さらに制御手段 608を LANケーブル、無線 LAN、光フ ァイノ 等で生産管理システム等に接続すれば、工程を外部から一律管理することが可能と なり、生産性を向上させることに繋がる。
次にヘッド 606内部の構造を説日する。図 6(B)は、図 6(A)のヘッド 606の断面を長手 方向に見たものであり、図 6(B)のお側がヘッド支持部に連絡する。
外部からヘッド 611の内部に供給される液滴は、共通液室流路 612を通過した後、液滴 を噴射するための各ノズル 613へと分配される。液滴を加圧しノズル外部へ噴射するため の加圧室 614、およぴ液滴噴射孔 615によって構成されている。
加圧室 614のそれぞれには、電圧印加により変形するチタン酸'ジルコニウム酸'鉛 (Pb (Zr, TO 03)等のピエゾ圧電効果を有する圧電素子 616を配置している。このため、目的 のノズルに配置された圧電素子 616に電圧を印加することで、加圧室 614内の液滴を押し 出し、外部に液滴 617を噴射することができる。また各圧電素子はこれに接する絶縁物 618 により絶縁されてし、るため、それぞれが電気的に接触することがなぐ個々のノズル の噴射を制御することができる。
本発明では液滴噴射を圧電素子によるいわゆるピエゾ方式で行うが、液滴の材料によつ ては、発熱体により気泡を発生させて圧力をかけ液滴を押し出す、いわゆるサーマルイン クジェット方式を用いてもよい。
また液滴噴射のためのノズル 613においては、液滴 617と、共通液室流路 612、加圧室 614および液滴噴射孔 615との濡れ性が重要となる。そのため材質との濡れ性を調整する ための炭素膜 樹脂膜等 (図示せず)を共通液室流路 612、加圧室 614および液滴嘖射孔 615の内面に形成してもよい。
上記の手段によって、液滴を処理基板上に噴射することができる。液滴噴射方式には、 液滴を連続して噴射させ連続した線状のパターンを形成する、いわゆるシーケンシャル方 式 (デイスペンス方式)と、液滴を点状に噴射する、いわゆるオンデマンド方式があり、本発 明における装置構成ではオンデマンド方式を示したが、シーケンシャル方式による噴射を 用いた装置構成も可能である。
図 6(C)は、図 6(B)においてヘッド支持部 607に回転機構を備えた装置構成をしている c ヘッド支持部 607を基板走査方向と垂直な方向に対して、角度を持つよう動作させることに よって、ヘッド 606に配置した液滴噴射孔において、隣接する液滴噴射孔間の距離よりも 短い距離で液滴を噴射することができる。
図 7の (A)、 (B)は、図 6におけるヘッド 606の底部を模式的に表したものである。図 7 (A)は、ヘッド 701底面に液滴噴射孔 702を線状に配置した基本的なものである。これに 対し図 7(B)では、ヘッド底部 701の液滴噴射孔 703を 2列にし、それぞれの列をピッチの 半分の距離だけずらして配置する。液滴噴射孔を図 7(B)のような配置にすれば、基板の 走査方向に垂直な方向の走査をするための機構を設けることなしに、前記方向に連続した 被膜/ ターンを形成することができ、ひいては被膜を任意の形状にすることができる。 さらに上記液滴は、傾斜をつけて基板 602に噴射してもよい。前記傾斜はヘッド 606ある いはヘッド支持部 607に具備する傾斜機構により傾斜させてもよいし、ヘッド 611における 液滴噴射孔 615の形状に傾斜をつけ、液滴を傾斜させて噴射させてもよい。これにより、 基板 602表面に対する噴射された液滴との濡れ性を制御することで、液滴の基板への着 弾時の形状を制御することが可能となる。
上記の線状液滴嘖射装置の液滴として用いられ組成物は、フォトレジスト、ポリイミドなど の樹脂を用いることもできる。被膜をエッチングする際にマスクとなる材料であれば、フォト レジストのように感光性である必要なない。また、ペースト状の金属材料または前記ぺ一 スト状の金属を分散させた導電性ポリマー等の有機系溶液、さらに超微粒子状の金属材 料と前記金属材料を分散させた導電性ポリマー等の有機系溶液等を用いることができる。 特に超微粒子状の金属材料は数〃m〜サブ// mの微粒子、腿レベルの超微粒子また はこれらを両方含むものを使用することができる。前記組成物に nmレベルの超微粒子状 の金属材料を用いた場合には、コンタクトホールや幅の狭い溝部等に十分回り込むサイズ の前記超微粒子状の金属材料を選択する必要がある。
噴射された液滴は、基板の搬送台 603に取り付けられた加熱機構 (図示せず)を使用し、 液滴着弾時に加熱乾燥させてもよいし、必要領域に液滴の着弾が完了した後、あるいは 全ての液滴噴射処理が完了した後に加熱乾燥させてもよい。フォトレジストは、加熱処理 によってエッチングの際のマスクとして使用することができる。さらには液滴として、ペース 卜状の金属材料または前記ペースト状の金属を含んだ有機系溶媒、さらに超微粒子状の 金属材料と前記金属材料を含んだ有機系溶媒等を用いることで、配線パターンを液滴噴 射によって形成することもできる。また前記超微粒子状の金属材料を含んだ有機系溶媒は、 加熱処理によって有機系溶媒が揮発し、超微粒子状の金属が結合することで金属配線を 形成することになる。
以上の線状液滴噴射装置を用いた本発明の実施の形態 1においては、フォトレジストの パターンを必要な部分のみに形成することで、従来用いられているスピン塗布に比べて、 レジストの使用量を格段に低減することが可能となる。また、露光、現像、リンスといったェ 程を省くことができるため、工程を簡略化することができる。
次に、実施の形態 1で用いる大気圧または大気圧近傍の圧力でプラズマ発生手段を有 するプラズマ処理装置を、添付図面を参照して説明する。図 8は、本発明において用いら れる前記プラズマ処理装置の斜視図である。本プラズマ処理装置においては、基板 802と して所望のサイズのガラス基板の他 プラスチック基板に代表される樹脂基板、あるいは シリコンに代表される半導体ウェハ等の基板に適用することもできる。基板 802の搬送方 式としては水平搬送が挙げられるが、第 5世代 (例えば 1000 x i200imnあるいは 1100 X 1250mm)、第 6世代 (例えば 1500 1800mm)といった大型基板を搬送する場合には、 搬送機の占有面積の低減を目的として、基板を縦置きにした縦形搬送を行ってもよい。 図 8(A)において基板 802は、搬入口 804から前記プラズマ処理装置の筐体 801内部 へ搬入し、プラズマ表面処理を終えた基板を搬出口 805から搬出する。筐体 801内部にお いて、基板 802は搬送台 803に搭載され、搬送台 803は搬入口 804と搬出口 805とを連 絡するレール 810a, 810b上を移動する。
前記プラズマ処理装置の筐体 801内部には、平行平板の電極を有するプラズマ発生手 段 807、プラズマ発生手段 807を移動させる可動支持機構 806等が設けられる。また、必 要に応じて、エアカーテン等の公知の気流制御手段や、ランプなどの公知の加熱手段 (図 示せず)が設けられる。
プラズマ発生手段 807は、前記プラズマ発生手段 807を支持する可動支持機構 806が、 基板 802の搬送方向に配置されたレール 810a、 810 と平行に移動することにより、所定 の位置に移動する。また前記搬送台 803力 レール 810a、 810b上を移動することにより 基板 802も移動する。実際にプラズマ処理を行う際には、プラズマ発生手段 807および基 板 802を相対的に移動させればよぐ一方が停止していてもよい。また実際に行うプラズマ 処理は、プラズマを連続発生させながらプラズマ発生手段 807および基板 802を相対的に 移動させることで、基板 802の全面をプラズマ表面処理してもよいし、基板 802の任意の 箇所でのみプラズマを発生させプラズマ表面処理を行ってもよい。
続いてプラズマ発生手段 807の詳細について図 8(B)を用いて説明する。図 8(B)は、平 行平板の電極を有するプラズマ発生手段 807を示す斜視図である。
図 8(B)において、矢印はガスの経路を示し、 811, 812はアルミニウム、銅等の導電性 を有する金属に代表される導電物質からなる電極であり、第 1の電極 811は電源 (高周波 電源) 819に接続されている。なお第 1の電極 811には、冷却水を循環させるための冷却 系 (図示せず)が接続されていてもよしゝ。冷却系を設けると、冷却水の循環により連続的に 表面処理を行う場合の加 防止して、連続処理による効率の向上が可能となる。第 2の 電極 812は、第 1の電極 811と同一の形状であり、かつ平行に配置されている。また第 2 の電極 812は、 813に示すように電気的に接地されている。そして、第 1の電極 811と第 2 の電極 812は、平行に置かれた下端部において線状のガスの細口を形成する。
なお、この第 1の電極 811又は第二の電極 812の少なくとも一方の電極の表面を固体 誘電体で覆うのが好ましい。固体誘電体に覆われずに電極同士が直接対向する部位があ ると、そこからアーク放電が生じる。固体誘電体としては、二酸化珪素、酸化アルミニウム、 二酸化ジルコニウム、二酸化チタン等の金属酸化物、ポリエチレンテレフタラート、ポリテト ラフルォロエチレン等のプラスチック、ガラス、チタン酸バリウム等の複合酸化物等が挙げ られる。固体誘電体の形状は、シート状でもフィルム状でもよいが、厚みが 0. 05〜4mm であることが好ましい。
この第 1の電極 811と第 2の電極 812の両電極間の空間には、バルブや配管 814を 介してガス供給手段 (ガスボンベ) 809aよりプロセスガスが供給される。前記両電極間の 空間の雰囲気は、前記プロセスガスに 10〜500MHzが印加されると、前記空間内にブラ ズマが発生する。そして、このプラズマにより生成されるイオン、ラジカルなどの化学的に 活性な励起種を含む反応性ガス流を基板 80 の表面に向けて照射すると (817)、該基板 802の表面において所定のプラズマ表面処理を行うことができる。このとき、該基板 802表 面とプラズマ発生手段 807の距離は 0.5mm以下がよい。特に距離を測定するためのセン サを取り付け、前記被拠理基板 802表面とプラズマ発生手段 807の距離を制御してもよ い。
なおガス供給手段 (ガスボンベ) 809aに充填されるプロセス用ガスは、処理室内で行う表 面処理の種類に合わせて適宜設定する。また、排気ガスは、配管 815やガス中に混入し たゴミを除去するフィルタ（図示せず)、バルブ等を介して排気系 809bに回収される。さら にこれら回収した排気ガスを精製し、循環させることによリガスを再利用すれば、ガスの有 効利用も可能になる。
大気圧または大気圧近傍 (5Τ¾ιτ〜800 η·の圧力範囲をいう）の圧力で動作するプラズ マ処理装置を用いる本発明は、減圧に要する真空引きや大気開放の時間を短縮し、複雑 な排気系を配置する必要がなし、。特に大型基板を用いる場合には、必然的にチャンバ一 も大型化し、チャンバ一内を減圧すると処理時間も長くなつてしまうため、大気圧または大 気圧近傍の圧力で動作させる本装置は有効であり、製造コストの低減が可能となる。
以上のことから、上記の大気圧プラズマ処理装置を用いて、本発明の実施の形態で薄膜 のエッチング、およびレジストのアツシングを行うと、排気系が不必要であることから、従来 の排気系を有する装置を用いる場合に比べ、縮小した設置面積で製造を行うことができた。 排気手続きを省略することができるので、従来よりも短時間での処理が可能となった。また、 電力、水、ガスなどのユーティリイティや薬液の使用量が抑制され、製造コストが低減され た。
上記の実施の形態 1において被膜のパターンを作製する工程には、前記線状液滴噴射 装置と、前記プラズマ処理装置を併用すること力できる。いずれか一方の手段を使用し、 他方を従来の手段に任せることも可能であるが、省スペース化、短時間処理、低コスト化 等を考慮すると、上記両装置を併用することが望ましい。また、実施の形態 2で示した点状 液滴噴射装置及びプラズマ処理装置を組み合わせて用いることもできる。
(宾施の形態 2 )
本発明の実施の形態 4は、基板上に撫奠の/ ターン特に TFT等の配線のパターンを作 製するものである。本実施形態では、フォトレジストを用いることなしに基板上に選択的に 配線を形成する。
実施の形態 1で用いた大気圧または大気圧近傍の圧力でプラズマ発生手段を有するプ ラズマ処理装置により、導電性被膜 902を選択的に成膜する (図 9 (B) )。導電性被膜の選 択的なエッチングは、基板 901およびプラズマ発生手段 903を図 9(C)における矢印の方 向 (図中左方向)に相対的に移動させながら、導電性被膜の成膜を所望する部分でのみプ ラズマを発生させることで行う。以上のように、導電性被膜で配線のパターン 904を形成す る（図 9(D) )。
本発明の実施の形態 4では、実施の形態 1で示したレジストパターンの形成工程が省略 された分、工程を簡略化することができる。しかし、レジストパターンが存在しないため、形 成される配線の幅が大気圧プラズマ処理装置の反応性ガス噴射孔の径に大きく影響され る。したがって、反応性ガス噴射孔の径の影響が無視できる程度の配線の幅を有する配 線パターンの形成に、実施の形態 4は適するものである。
以上の配線パターンの作製工程により、実施の形態 1と同様に、チャンバ一内を減圧に する従来の排気手続きが省略され、短時間での処理が可能となった。また排気系が不必 要であることから、従来のようなチャンバ一内を減圧にする装置を用いる場合に比べ、縮 小したスペースで製造を行うことができた。また、プラズマを選択的に発生させるので、従 来よりも反応性ガスの使用量を低減することができる
(実施の形態 5 )
本発明の実施の形態 5は、フォトレジス卜を用いて基板上に被膜の/ ターンを形成するが、 被膜をエッチングした後、連続的にレジストをアツシングして除去する。
國 10を参照して本舆施の形態を説明する。図 10(A)〜國 10(D)までは、実施の形態 1 の図 2(A)〜図 2(D)までの工程と同様である。まず公知の方法、例えばスパッタまたは C VD法を用いて、被処理基板 1001上に被 1002を成膜し (図 10(A) )、次に液滴噴射ヘッド 1003を有した点状又は線状液滴噴射装置を用いてフォトレジス卜のパターン 1004を被膜 1002上に形成する（（図 10(B)〜図 10(0)。次に、ベークしたレジストパターンをマスクと して、大気圧または大気圧近傍の圧力において、プラズマ発生手段を有するプラズマ処理 装置を用いて、被膜 1002をエッチングする（図 10(D))。被膜 1002のうちレジストパタ一 ン 1004でマスクされていない部分すなわち被膜 1002の露出された部分が、ガスによって エッチングした後、フォトレジストのパターン 1004をアツシングする（図 10(E))。フォトレジ ス卜の/ ターン 1004をアツシングして、被膜の/ ターン 1005が形成される（図 10 (F) )。 このとき、プラズマはフォトレジストのパターンが存在している部分で選択的に発生させれ ばよい。
以上の作製工程により、実施の形態 1および実施の形態 4と同様に、チャンバ一内を減 圧にする従来の排気手続きが省略され、短時間での処理が可能となった。また排気系が 不必要であることから、従来のようなチャンバ一内を減圧にする装置を用いる場合に比べ、 縮小したスペースで製造を行うことができた。また、プラズマを選択的に発生させるので、 従来よりも反応性ガスの使用量を低減することができる。さらに、フォトレジストをアツシン グすることで剥離するため、従来の工程よりも速やかに工程を進めることができる。
[実施例 1]
点状又は線状液滴噴射装置と、大気圧または大気圧近傍の圧力において、プラズマ発 生手段を有するプラズマ処理装置を用いた本発明の表示装置の作製方法を説明する。以 下、図 11〜図 15を参照して本発明の実施例を説明する。本発明の実施例 1はチャネルス トップ型の薄膜トランジスタ (TFT)の作製方法である。
ガラス、石英 半導 ί本、プラスチック、プラスチックフィル厶、金属、ガラスエポキシ樹脂、 セラミックなどの各種材料とする被処理基板 1101上に、公知の手法により導電性被膜 1102を成膜する (図 11 (Α) )。本発明の線状の液滴噴射装置により、前記導電性被膜上の 必要な箇所にフォトレジスト 1103を噴射する（図 11(B))。次に、フォトレジストに覆われて いない部分の前記導電性被膜をエッチングする。（図 U(C))。このときのエッチングは、実 施の形態で用いた大気圧および大気圧近傍の圧力で、プラズマ発生手段を有するプラズ マ処理装置により行ってもよい。導電性被膜 1102をエッチングする。ゲート電極および配 線 1102の線幅は 5〜50/i m程度でフォトレジストのパターンを形成することが望ましい。 このとき容量電極および配線も同時に作製されることになる。
なお、フォトマスクを使用せずゲート電極および配線のパターンを形成したが、ゲート電 極および配線の幅によっては、液滴照射装置によりフォトレジストのパターンを形成した後、 フォトマスクを用いて露光し、現像することによってさらに微細なフォトレジストのパターンを 形成してもよい。
導電性被膜 1102は、実施の形態で用いた大気圧および大気圧近傍の圧力で、プラズマ 発生手段を有するプラズマ処理装置により成膜してもよい。その場合は、液滴噴射装置に よりフォトレジストのパターンを形成する必要はない。
次に本発明の大気圧プラズマ装置を用いてアツシングによりレジストを剥離する（図 11 (D) )。レジストの剥離は、アツシングに限らず化学薬品によるウエット処理やアツシングと ウエット処理との併用でもよい。以下、レジスト剥離については、すべてウエット処理やアツ シングとウエット処理との併用でもよいことはいうまでもない。
以上の工程によりゲート電極および配線 1102、容量電極および配線 (図示せず)を形成 する。なおゲート電極および配線 1102、容量電極および配線 (図示せず)を形成する材料 としてはモリブデン (Mo)、チタン ( ί)、タンタル (Ta)、タングステン (W)、クロム（Cr) ァ ルミニゥ厶 (A1)、銅（Cu)、ネオジム (Nd)を含むアルミニウム (AI)等や、これらの積層ま たは合金のような導電性材料を用レ、ることが可能である。
このときの上面図を図 11(E)に示す。図 11(D)は図 11(E)の a— a'の断面図に相当す る。
その後、 CVD法 (化学気相反応法)等の公知の方法により、ゲート絶縁膜 1201を成膜す る。本実施例においてはゲート絶縁膜 1201として、大気圧下で CVD法によリ窒化珪素膜 を形成するが、酸化珪素膜またはそれらの積層構造を形成してもよい。
さらに公知の方法 (スパッタリング法、 LP (減圧) CVD法、プラズマ CVD法等)【こより 25 〜80nm (好ましくは 30〜60nm)の厚さで活性半導体層 1202、窒化珪素膜 1203を成膜 する（図 12(A))。ゲート絶縁膜 1201、該活性半導体層 1202、窒化珪素膜 1203は、チヤ ンバー内を大気解放することなしに連続成膜することが望ましい。該活性半導体層 1202 は非晶質珪素膜に代表される非晶質半導体膜である。窒化珪素膜 1203は、酸化珪素膜 および窒化珪素膜と酸化珪素膜との積層でもよい。
次に線状液滴噴射装置によりフォトレジスト 1204を形成する（図 12(B))。フォトレジスト 1204をマスクとして、フォトレジストに覆われていない部分の窒化珪素膜をエッチングして 保護膜 1205を形成する (図 12(C))。このときのエッチングは、実施の形態で用いた大気 圧および大気圧近傍の圧力で、プラズマ発生手段を有するプラズマ処理装置により行って もよい。保護膜 1205は、実施の形態で用いた大気圧および大気圧近傍の圧力で、プラズ マ発生手段を有するプラズマ処理装置により成膜してもよい。その場合は、液滴噴射装置 によりフォトレジストのパターンを形成する必要はない。
次に本発明の大気圧プラズマ装置を用いてアツシングによりレジストを剥離する（図 12 (D) )。レジストの剥離は、アツシングに限らず化学薬品によるウエット処理やアツシングと ウエット処理との併用でもよい。
このときの上面図を図 12(E)に示す。図 12(D)は図 12(E)の a— a'の断面図に相当す る。
続いて N型の電導型を付与する不純物元素が添加された非晶質半導体膜 1301(図 13 (A) )、導電性被膜 1302 (図 13 (B) )を被処理基板上の全面に形成する。
その後、本発明の線状液滴噴射装置を用いてフォトレジストのパターン 1303を形成する (図 13(C) )。次に、フォトレジストで覆われてない部分の導電性被膜、 N型の電導型を付 与する不純物元素が添加された非晶質半導体膜および活性半導体層をエッチングして、ソ ース 'ドレイン領域 1304、ソース'ドレイン電極および配線 1305を形成する（図 13(D) )。 このときのエッチングは、実施の形態で用いた大気圧および大気圧近傍の圧力で、プラズ マ発生手段を有するプラズマ処理装置により行ってもよし、。チャネル形成部においては、 前記保護膜 1205によって、前記保護膜下の該活性半導体層はエッチングされない。
なおソース'ドレイン領域 1304、ソース'ドレイン電極おょぴ配線 1305の線幅は、 5〜25 μ m程度で描画する。前記ソース'ドレイン電極および配線 1305を形成する材料としては、 ゲート電極、配線と同様にモリブデン (Mo)、チタン (TO、タンタル (Ta)、タングステン (W)、 クロム (Cr)、アルミニウム (A1)、銅 (Cu)、ネオジム (Nd)を含むアルミニウム (AI)等や、こ れらの積層または合金のような導電性材料を用いることが可能である。活性半導体層、ソ ース'ドレイン領域 1304、ソース'ドレイン電極および配線 1305は、実施の形態 1で用い た実施の形態 1又は 2で示した、大気圧および大気圧近傍の圧力で、プラズマ発生手段を 有するプラズマ処理装置により成膜してもよい。その場合は、液滴噴射装置にょリフオトレ ジス卜のパターンを形成する必要はない。
次に、本発明の大気圧プラズマ装置を用いてアツシングによりレジストを剥離する（図 13 (E) )。レジストの剥離は、アツシングに限らず化学薬品によるウエット処理やアツシングと ウエット処理との併用でもよい。
このときの上面図を図 13(F)に示す。図 13(E)は図 13(F)の a— a'の断面図に相当す る。
さらに CVD法など公知の方法により、保護膜 1401を形成する (図 14(A) )。本実施例で は、保護膜 1401として大気圧下で CVD法によリ窒化珪素膜を形成するが、酸化珪素膜、 またはそれらの積層構造を形成してもよい。またアクリル膜等、有機系樹脂膜を使用する こともできる。
その後、線状液滴噴射装置によりフォトレジストを噴射してパターン 1402を形成する (図 14(B) )。さらに前記大気圧下におけるプラズマ発生手段を有するプラズマ処理装置を用 いて線状のプラズマを形成し、保護膜 1401のエッチングを行し、、コンタクトホール 403を 形成する（図 14(C) )。このときのエッチングは、実施の形態で用いた大気圧および大気圧 近傍の圧力で、プラズマ発生手段を有するプラズマ処理装置により行ってもよい。コンタク 卜ホール 1403の径は、ガス流や電極間に印加する高周波電圧等を調節することで 2.5〜 30 i m程度に形成することが望ましい。
次に、本発明の大気圧プラズマ装置を用いてアツシングによりレジス卜を剥離する (図 14 (D) )。レジストの剥離は、アツシングに限らず化学薬品によるウエット処理やアツシングと ウエット処理との併用でもよい。
このときの上面図を図 14(E)に示す。図 14(D)は図 14(E)の a— a'の断面図に相当す る。
さらに CVD法など公知の方法により、 ITO等の透光性導電膜 1501を形成する（図 15 (A))。その後、線状液滴噴射装置によりフォトレジストを噴射してパターン 1502を形成す る (図 15(B))。さらに前記大気圧下におけるプラズマ発生手段を有するプラズマ処理装置 を用いて線状のプラズマを形成し、透光性導電膜のエッチングを行い、画素電極 1503を 形成する（図 15(C))。このときのエッチングは、案施の形態で用いた大気圧おょぴ大気圧 近傍の圧力で、プラズマ発生手段を有するプラズマ処理装置により行ってもよい。該画秦 電極 1503の材料として ITO (酸化インジウム酸化スズ合金)、酸化インジユウム酸化亜鉛 合金 (In203) -ZnO)、酸化亜鉛 (ZnO)等の透明導電膜だけでなぐモリブデン (Mo)、チタ ン (ΊΪ)、タンタル (Ta)、タングステン (W)、クロム (Cr)、アルミニウム (A1)、銅 (Cu)、ネオ ジム (Nd)を含むアルミニウム (AO等や、これらの積層または合金のような導電性材料を 用いることが可能である。
次に、本発明の大気圧プラズマ装置を用いてアツシングによりレジストを剥離する (図 15 (D) )。レジストの剥離は、アツシングに限らず化学薬品によるウエット処理やアツシングと ウエット処理との併用でもよい。
このときの上面図を図 15(E)に示す。図 15(D)は図 15(E)の a— a'の断面図に相当す る。
本実施例 1ではチャネルストップ型の薄膜トランジスタの作製例を示したが、チャネルスト ップ膜を用いることのない、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタを前記装置によって作製 してもよいことはいうまでもない。
本実施例 1で示したように、本発明による前記点状又は線状液滴照射装置、並びに大気 圧および大気圧近傍の圧力でプラズマ発生手段を有する前記プラズマ処理装置を用いれ ばフォトマスクを用いることなく、本発明の実施例 1における表示装置を作製することがで さる。
本実施例 1では、従来フォトリソプロセスで用いられたフォトマスクを使用することなぐチ ャネルストップ型の薄膜トランジスタを作製する例を示した。本発明による前記点状又は線 状液滴照射装置、並びに大気圧および大気圧近傍の圧力でプラズマ発生手段を有する前 記プラズマ処理装置を用いることにより、保護膜を用いることのない、チャネルエッチ型の 薄膜トランジスタを作製してもよいことはいうまでもない。
箅施例 1では非晶質半導体膜を用いた表示装置の作製方法を示したが、同様の作製方 法を用いてポリシリコンに代表される結晶性半導体を用いた表示装置を作製することもで きる。
また、上記非晶質半導体および結晶性半導体膜を用いた表示装置は液晶表示装置であ るが、同様の作製方法を自発光表示装置 (EL (エレクト口'ルミネッセンス)表示装置)に適 用してもよい。
[実施例 2]
点状又は線状液滴噴射装置と、大気圧または大気圧近傍の圧力において、プラズマ発 生手段を有するプラズマ処理装置を用いた本発明の表示装置の作製方法を説明する。以 下、図 16を参照して本発明の実施例 2を説明する。本発明の実施例 2はチャネルエッチ 型の薄膜トランジスタ (TFT)の作製方法である。なお実施例 1で示したチャネルストップ型 の薄膜トランジスタ (TFT)の作製方法と共通の所は適宜、図 11〜： 15を用いて説明するこ ととする。
図 11で説明した方法を用いて被処理基板 1601上にゲート電極および配線 1602、容量 電極および配線 (図示せず)を形成する。なおゲート電極および配線 1602、容量電極およ び配線 (図示せず)を形成する材料としてはモリブデン (Mo)、チタン (Ti)、タンタル (Ta)、 タングステン (W)、クロム（Cr)、アルミニウム (A1)、銅 (Cu)、ネオジム (Nd)を含むアルミ ニゥム (AI)等や、これらの積層または合金のような導電性材料を用いることが可能であ る。
その後、 CVD法 (化学気相反応法)等の公知の方法により、ゲート絶縁膜 1603を成膜す る。本実施例においてはゲート絶縁膜 1603として、大気圧下で CVD法によリ窒化珪素膜 を形成するが 酸化珪素膜またはそれらの積層構造を形成してもよい。
さらに公知の方法 (スパッタリング法、 LP (減圧) CVD法、プラズマ CVD法等)により 25
〜80ηπι (好ましくは 30〜60nm)の厚さで活性半導体層 1604を形成し、続いて N型の 電導型を付与する不純物元素が添加された非晶質半導体膜 1605、導電性被膜 1606を被 処理基板 1601上の全面に形成する（図 16(A))。
次に点状又は線状液滴噴射装置によりフォトレジスト 1607を形成する。そしてフォトレジ スト 1607をマスクとして、フォトレジストに覆われていない部分の活性半導体層 1604、非 晶質半導体膜 1605、導電性被膜 1606をエッチングしてパターニングする (図 16(B))。 次に本発明の大気圧プラズマ装置を用いてアツシングによりレジスト 1607を剥離する。 レジストの剥離は、アツシングに限らず化学薬品によるゥ: cット処理やアツシングとウエット 処理との併用でもよい。そしてさらに点状又は線状液滴噴射装置によりフォトレジスト 1608 を形成する。続いてフォトレジストをマスクとしてエッチングを行い、レジストで覆われてな い部分の導電性被膜、 N型の電導型を付与する不純物元素が添加された非晶質半導体 膜を除去し、活性半導体層を露呈させる。こうしてソース'ドレイン領域 1605、ソース'ドレ イン電極および配線 1606を形成する（図 16(D) )。
次に本発明の大気圧プラズマ装置を用いてアツシングによりレジスト 1608を剥離する。 レジストの剥離は、アツシングに限らず化学薬品によるウエット処理やアツシングとウエット 処理との併用でもよし、（図 16(E) )。
このときの上面図を図 16(F)に示す。図 16(F)は図 16(E)の a— a'の断面図に相当す る。
その後は実施例 1で図 14、図 15を用いて説明したような工程を経てチャネルエッチ型 の薄膜トランジスタを用いた表示装置を作製することができる
本実施例 2で示したように、本発明による前記点状又は線状液滴照射装置、並びに大気 圧および大気圧近傍の圧力でプラズマ発生手段を有する前記プラズマ処理装置を用いれ ばフォトマスクを用いることな 本発明の宾施例 2における表示装置を作製することがで る。
実施例 2では非晶質半導体膜を用いた表示装置の作製方法を示したが、同様の作製方 法を用し、てポリシリコンに代表される結晶性半導体を用いた表示装置を作製することもで きる。
また、上記非晶質半導体および結晶性半導体膜を用いた表示装置は液晶表示装置であ るが、同様の作製方法を自発光表示装置 (EL (エレクト口'ルミネッセンス)表示装置)に適 用してもよい。
[実施例 3]
本発明を用いて様々な電子機器を完成させることカできる。その具体例について図 17を 用いて説明する。
図 17(A)は例えば 20〜80インチの大型の表示部を有する表示装置であり、筐体 4001、 支持台 4002、表示部 4003、スピーカ一部 4004、ビデオ入力端子 4005等を含む。本 発明は、表示部 4003の作製に適用される。このような大型の表示装置は、生産性ゃコス 卜の面から、いわゆる第五世代（1 000 X 1 00 mm2)、第六世代（1 400 x 1 600 1111112)、第七世代（1 500 1 800 mni2)のようなメータ角の大型基板を用いて作製する ことが好適である。
図 13(B)は、ノート型パーソナルコンピュータであり、本体 4201、筐体 4202、表示部 4 203、キーボード、 4204、外部接続ポー卜 4205、ポインティングマウス 4206等を含む。 本発明は、表示部 4203の作製に適用される。
図 13(C)は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置 (具体的には DVD再生装置)であ リ、本体 4401、筐体 4402、表示部 A4403、表示部 B4404、記録媒体（DVD等)読み 込み部 4405、操作キ一4406、スピーカー部 4407等を含む。表示部 A4403は主として 画像情報を表示し、表示部 B4404は主として文字情報を表示するが、本発明は、これら 表示部 A、 B4403、 4404の作製に適用される。
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広ぐ本発明をあらゆる分野の電気器具の作 製に適用することが可能である。また、上記の実施の形態、実施例と自由に組み合わせる ことが、でさる。 [実施例 4]
本実施例は、配線パターンを形成するために、金属微粒子を有機溶媒中に分散させた組 成物を用いている。金属微粒子は平均粒径が 1〜50nm、好ましくは 3〜7nmのものを用 いる。
代表的には、銀又は金の微粒子であり、その表面にァミン、アルコール、チォールなどの の分散剤を被覆したものである。有機溶媒はフエノール樹脂やエポキシ系樹脂などであり、 熱硬化性又は光硬化性のものを適用している。この組成物の粘度調整は、チキソ剤若しく は希釈溶剤を添加すれば良い。
液滴噴射ヘッドによって、被形成面に適量吐出された組成物は、加熱処理により、又は 光照射処理により有機溶媒を硬化させる。有機溶媒の硬化に伴う体積収縮で金属微粒子 間は接触し、融合、融着若しくは凝集が促進される。すなわち、平均粒径が 1〜50nm、好 ましくは 3〜7nmの金属微粒子が融合、融着若しくは凝集した配線が形成される。このよう に、融合、融着若しくは凝集により金属微粒子同士が面接触する状態を形成することによ リ、配線の低抵抗化を実現することができる。
本発明は、このような組成物を用いて配線パターンを形成することで、線幅が 1〜 1 0〃 m程度の配線パターンの形成も容易になる。また、同様にコンタク卜卞ールの直径が"!〜 1
O jU m程度であっても、組成物をその中に充填することができる。すなわち、微細な配線パ ターンで多層配線構造を形成することができる。
なお、金属微粒子の換わりに、絶縁物質の徽粒子を用いれば 同様に絶縁性のパターン を形成することができる。
また、本実施例は、上記の実施の形態、実施例と自由に組み合わせることができる。

Claims

請求の範囲
1.液滴噴射孔を有するヘッドから感光性樹脂を噴射し、前記ヘッドまたは被処理基板を移 動することによって前記被処理基板に成膜した被膜上に感光性樹脂のパターンを形成 し、前記感光性樹脂のパターンをマスクとして前記被膜のエッチングを行った後、前記感 光性樹脂のパターンを選択的にアツシングして前記被膜を/《ターニングすることを特徴 とする表示装置の作製方法。
2.請求項 1において、前記エッチングまたは前記アツシングは、大気圧または大気圧近傍 の圧力で、プラズマ発生手段と前記被処理基板のどちらか一方または双方を移動させ ることによリ行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
3.複数の液滴噴射孔を有するヘッドから感光性樹脂を噴射し、前記ヘッドまたは被処理基 板を移動することによって被処理基板に成膜した被膜上に感光性樹脂のパターンを形 成し、前記感光性樹脂のパターンをマスクとして前記被膜のエッチングを行った後、前記 感光性樹脂のパターンを選択的にアツシングして前記被膜をパターニングすることを特 徵とする表示装置の作製方法。
4.請求項 3において、前記エッチングまたは前記アツシングは、大気圧または大気圧近傍 の圧力で、プラズマ発生手段と前記被処理基板のどちらか一方または双方を移動させ ることによ 行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
5.液滴嘖射孔を有するヘッドから感光性樹脂を噴射し、前記ヘッドまたは被処理基板を移 動することによって前記被処理基板に成膜した導電性被膜上に感光性樹脂のパターン を形成し、前記感光性樹脂の/ ターンをマスクとして前記導電性被膜のエッチングを行 つた後、前記感光性樹脂のノ ターンを選択的にアツシングして前記導電性被膜を/ ター ニングすることを特徴とする表示装置の作製方法。
6.請求項 5において、前記エッチングまたは前記アツシングは、大気圧または大気圧近傍 の圧力で、プラズマ発生手段と前記被処理基板のどちらか一方または双方を移動させ ることによリ行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
7.複数の液滴噴射孔を有するヘッドから感光性樹脂を噴射し、前記ヘッドまたは被処理基 板を移動することによって被処理基板に成膜した導電性被膜上に感光性樹脂のパター ンを形成し、前記感光性樹脂のパターンをマスクとして前記導電性被膜のエッチングを 行った後、前記感光性樹脂の/ ターンを選択的にアツシングして前記導電性被膜を/ タ 一二ングすることを特徴とする表示装置の作製方法。
8.請求項 7において、前記エッチングまたは前記アツシングは、大気圧または大気圧近傍 の圧力で、プラズマ発生手段と前記被処理基板のどちらか一方または双方を移動させ ることによリ行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
9.液滴噴射孔を有するヘッドから感光性樹脂を噴射し、前記ヘッドまたは被処理基板を移 動することによって前記被処理基板に成膜した半導体被膜上に感光性樹脂のパターン を形成し、前記感光性樹脂の/ ターンをマスクとして前記半導体被膜のエッチングを行 つた後、前記感光性樹脂のパターンを選択的にアツシングして前記半導体被膜を/ ター ニングすることを特徴とする表示装置の作製方法。
10.請求項 9において、前記エッチングまたは前記アツシングは、大気圧または大気圧近傍 の圧力で、プラズマ発生手段と前記被処理基板のどちらか一方または双方を移動させ ることによリ行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
11，複数の液滴噴射孔を有するヘッドから感光性樹脂を嘖射し、前記ヘッドまたは被処理基 板を移動することによって被処理基板に成膜した半導体被膜上に感光性樹脂のパター ンを形成し、前記感光性樹脂の/《ターンをマスクとして前記半導体被膜のエッチングを 行った後、前記感光性樹脂の/ ターンを選択的にアツシングして前記半導体被膜を/ タ —ニングすることを特徴とする表示装置の作製方法。
12.請求項 1 1において、前記エッチングまたは前記アツシングは、大気圧または大気圧近 傍の圧力で、プラズマ発生手段と前記被処理基板のどちらか一方または双方を移動さ せることによリ行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
13.請求項 1乃至請求項 1 2に記載の表示装置は、液晶または EL表示装置であることを特 徴とする表示装置の作製方法。
14.気相反応法により、大気圧または大気圧近傍の圧力で、プラズマ発生手段と被処理基 板のどちらか一方または双方を移動させて前記被処理基板上に選択的に被膜を形成す ることを特徴とする表示装置の作製方法。
15.気相反応法により、大気圧または大気圧近傍の圧力で、プラズマ発生手段と被処理基 板のどちらか一方または双方を移動させて前記被処理基板上に選択的に導電性被膜を 形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
16.気相反応法により、大気圧または大気圧近傍の圧力で、プラズマ発生手段と被処理基 板のどちらか一方または双方を移動させて前記被処理基板上に選択的に半導体被膜を 形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
17.請求項 14に記載の表示装置は、液晶または EL表示装置であることを特徴とする表示 装置の作製方法。
18.請求項 1 5に記載の表示装置は、液晶または EL表示装置であることを特徴とする表示 装置の作製方法。
19.請求項 1 6に記載の表示装置は、液晶または EL表示装置であることを特徴とする表示 装置の作製方法。
20.気相反応法により、大気圧または大気圧近傍の圧力で、プラズマ発生手段と被処理基 板のどちらか一方または双方を移動させて前記被処理基板上に形成された被膜を選択 的にエッチングすることを特徴とする表示装置の作製方法。
21.気相反応法により、大気圧または大気圧近傍の圧力で、プラズマ発生手段と被処理基 板のどちらか一方または双方を移動させて前記被処理基板上に形成した絶縁性被膜を 選択的にエッチングしてコンタクトホールを形成することを特徴とする表示装置の作製方 法。
22.請求項 20に記載の被膜は、窒化珪素膜、酸化珪素膜、感光性樹脂のいずれか一つ あるいは、それらの積層膜であることを特徴とする表示装置の作製方法。
23.請求項 21に記載の絶縁性被膜は、窒化珪素膜、酸化珪素膜、感光11$樹脂のいずれ か一つあるいは、それらの積層膜であることを特徴とする表示装置の作製方法。
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