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Patents

  1. Advanced Patent Search
Publication numberWO2004070450 A1
Publication typeApplication
Application numberPCT/FR2004/050034
Publication date19 Aug 2004
Filing date28 Jan 2004
Priority date31 Jan 2003
Publication numberPCT/2004/50034, PCT/FR/2004/050034, PCT/FR/2004/50034, PCT/FR/4/050034, PCT/FR/4/50034, PCT/FR2004/050034, PCT/FR2004/50034, PCT/FR2004050034, PCT/FR200450034, PCT/FR4/050034, PCT/FR4/50034, PCT/FR4050034, PCT/FR450034, WO 2004/070450 A1, WO 2004070450 A1, WO 2004070450A1, WO-A1-2004070450, WO2004/070450A1, WO2004070450 A1, WO2004070450A1
InventorsClaire Divoux, Eric Ollier, Stéphane CAPLET
ApplicantCommissariat A L'energie Atomique
Export CitationBiBTeX, EndNote, RefMan
External Links: Patentscope, Espacenet
Object orientation device
WO 2004070450 A1
Abstract
The invention relates to a device (200) which is used to orient an object such as a mirror. The inventive device comprises a substrate (2), an object (4) and at least one object support contact block (6, 6', 6'). The device also comprises electrostatic actuation means which can move the object to a plurality of positions and which comprise a first assembly (208) which is solidly connected to the substrate. According to the invention, a second assembly (110) is disposed between the substrate and the object. The device further comprises a contact block (6') which is disposed between the second assembly and the substrate as well as a block (6') which is disposed between the second assembly and the object. The aforementioned second assembly can be pressed against the substrate when the electrostatic actuation means are activated.
Claims  translated from French  (OCR text may contain errors)
REVENDICATIONS CLAIMS
1. Dispositif (1,100,200,300,400,500) d'orientation d'un objet comprenant un substrat (2), un objet (4), ainsi qu'au moins un plot de soutien (6, 6', 6'') de l'objet (4) interposé entre ce dernier et le substrat (2) du dispositif, ledit dispositif comprenant en outre des moyens d'actionnement électrostatiques susceptibles de déplacer l'objet (4) dans une pluralité de positions par rapport audit substrat (2), les moyens d'actionnement électrostatiques comportant un premier (8,208) et un second ensembles (10,110) au moins partiellement électriquement conducteurs destinés à coopérer l'un avec l'autre afin de déplacer l'objet (4) dans l'une quelconque desdites positions par rapport au substrat (2), le premier ensemble (8,208) étant solidaire dudit substrat (2) , caractérisé en ce que le second ensemble (10,110) est agencé entre le substrat (2) et l'objet (4) , ledit dispositif comportant en outre un plot de soutien inférieur (6') situé entre ledit second ensemble (10,110) e 1. A device (1,100,200,300,400,500) orientation of an object comprising a substrate (2), an object (4) and at least one supporting lug (6, 6 ', 6' ') of the object ( 4) interposed between the latter and the substrate (2) of the device, said device further comprising electrostatic actuating means capable of moving the object (4) in a plurality of positions relative to said substrate (2), means electrostatic actuator comprising a first (8,208) and second assemblies (10,110) at least partially electrically conductive intended to cooperate with one another to move the object (4) in any of said positions relative the substrate (2), the first assembly (8,208) being integral with said substrate (2), characterized in that the second assembly (10,110) is arranged between the substrate (2) and the object (4), said device comprising Furthermore a lower support stud (6 ') located between said second set (10,110) e t le substrat (2) et étant solidaire dudit second ensemble (10,110) et du substrat (2), ainsi qu'un plot de soutien supérieur (6'') situé entre ledit second ensemble (10,110) et l'objet (4) et étant solidaire dudit second ensemble (10,110) et de l'objet (4), ledit second ensemble (10,110) étant apte à être plaqué contre le substrat (2) lorsque les moyens d' actionnement électrostatiques sont dans un état activé. t the substrate (2) and being secured to said second set (10,110) and the substrate (2) and an upper support pad (6 '') located between said second set (10,110) and the object (4) and being secured to said second set (10,110) and the object (4), said second set (10,110) being adapted to be pressed against the substrate (2) when the means of electrostatic actuation are in an activated state.
2. Dispositif (1,100,200,300,400,500) selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits plots de soutien inférieur et supérieur (6', 6'') forment conjointement un unique plot de soutien (6) traversant le second ensemble (10,110) et étant solidaire de celui-ci, ledit unique plot de soutien (6) disposant d'une première extrémité (6a) solidaire du substrat (2), ainsi que d'une seconde extrémité (6b) solidaire de l'objet (4) . 2. Device (1,100,200,300,400,500) according to claim 1, characterized in that said lower support pads and upper (6 ', 6' ') together form a single support pad (6) passing through the second set (10,110) and being integral thereof, said sole support pad (6) having a first end (6a) secured to the substrate (2) and a second end (6b) integral with the object (4).
3. Dispositif (1,100,200,300,400,500) selon la revendication 2, caractérisé en ce que le premier ensemble (8,208) est constitué d'une pluralité d'électrodes (12,212) espacées les unes des autres et réparties autour de l'unique plot de soutien (6) . 3. Device (1,100,200,300,400,500) according to claim 2, characterized in that the first assembly (8,208) comprises a plurality of electrodes (12.212) spaced apart from each other and distributed around the sole support pad (6 ).
4. Dispositif (100,200,300,400,500) selon la revendication 3, caractérisé en ce que le second ensemble (110) est constitué d'une membrane flexible (116) disposant d'une paroi inférieure conductrice (116a) située en regard de ladite pluralité d'électrodes (12,212) constituant le premier ensemble (8,208) . 4. The apparatus (100,200,300,400,500) according to claim 3, characterized in that the second assembly (110) comprises a flexible membrane (116) having a conductive bottom wall (116a) facing said plurality of electrodes (12.212) forming the first set (8.208).
5. Dispositif (100,200,300,400,500) selon la revendication 4, caractérisé en ce que le plot de soutien (6) est flexible. 5. An apparatus (100,200,300,400,500) according to claim 4, characterized in that the support pad (6) is flexible.
6. Dispositif (100,300,400,500) selon la revendication 4 ou la revendication 5, caractérisé en ce que ladite pluralité d'électrodes (12) constituant le premier ensemble (8) électriquement conducteur et solidaires du substrat (2) sont disposées de manière à définir un anneau (212a) entourant le plot de soutien (6). 6. The apparatus (100,300,400,500) according to claim 4 or claim 5, characterized in that said plurality of electrodes (12) constituting the first set (8) and integral with the electrically conductive substrate (2) are arranged so as to define a ring (212a) surrounding the support block (6).
7. Dispositif (200,300,400,500) selon la revendication 4 ou la revendication 5, caractérisé en ce que ladite pluralité d'électrodes (212) constituant le premier ensemble (208) électriquement conducteur et solidaires du substrat (2) sont disposées de manière à définir une pluralité d'anneaux concentriques (212a, 212b, 212c, 212d) entourant le plot de soutien (6). 7. The apparatus (200,300,400,500) according to claim 4 or claim 5, characterized in that said plurality of electrodes (212) constituting the first set (208) and integral with the electrically conductive substrate (2) are arranged so as to define a plurality of concentric rings (212a, 212b, 212c, 212d) surrounding the support block (6).
8. Dispositif (100,200,300,400,500) selon l'une quelconque des revendications 4 à 7, caractérisé en ce que la membrane flexible (116) est morcelée en une pluralité de languettes radiales (116a) s' étendant chacune depuis le plot de soutien (6) du dispositif. 8. An apparatus (100,200,300,400,500) according to any one of claims 4 to 7, characterized in that the flexible membrane (116) is fragmented into a plurality of radial tongues (116a) each extending from the support stud (6) of the device.
9. Dispositif (100,200,300,400,500) selon l'une quelconque des revendications 4 à 8, caractérisé en ce que le plot de soutien (6) est situé de façon sensiblement centrée sur l'objet (4) et sur la membrane flexible (116) du dispositif. 9. An apparatus (100,200,300,400,500) according to any one of claims 4 to 8, characterized in that the support pad (6) is located substantially centered on the object (4) and the flexible membrane (116) of device.
10. Dispositif (100,200,300,400,500) selon l'une quelconque des revendications 4 à 8, caractérisé en ce que le plot de soutien (6) est situé de façon sensiblement excentrée sur l'objet (4) et sur la membrane flexible (116) du dispositif. 10. An apparatus (100,200,300,400,500) according to any one of claims 4 to 8, characterized in that the support pad (6) is located substantially eccentrically on the object (4) and the flexible membrane (116) of device.
11. Dispositif (100,200,300,400,500) selon l'une quelconque des revendications 4 à 10, caractérisé en ce que l'objet (4) et la membrane flexible (116) disposent chacun d'une forme sensiblement circulaire. 11. An apparatus (100,200,300,400,500) according to any one of claims 4 to 10, characterized in that the object (4) and the flexible membrane (116) each have a substantially circular shape.
12. Dispositif (100,200,300,400,500) selon l'une quelconque des revendications 4 à 11, caractérisé en ce que le plot de soutien (6) de l'objet (4) est agencé sensiblement perpendiculairement au substrat (2), à l'objet (4) et à la membrane flexible (116) du dispositif, lorsque les moyens d'actionnement électrostatique sont dans un état inactivé. 12. An apparatus (100,200,300,400,500) according to any one of claims 4 to 11, characterized in that the support stud (6) of the object (4) is arranged substantially perpendicular to the substrate (2) to the object ( 4) and the flexible membrane (116) of the device, when the electrostatic actuation means is in an unactivated state.
13. Dispositif (1,100,200,300,400,500) selon l'une quelconque des revendications 3 à 12, caractérisé en ce que le plot de soutien (6) dispose d'une hauteur de l'ordre de 20 μm et d'un diamètre inférieur à environ 5 μm. 13. Device (1,100,200,300,400,500) according to any one of claims 3 to 12, characterized in that the support stud (6) has a height of about 20 microns and a diameter less than about 5 microns .
14. Dispositif (1,100,200,300,400,500) selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'au moins l'un des premier et second ensembles (8,208,10,110) dispose d'au moins une zone d'amorçage (420,422,522). 14. Device (1,100,200,300,400,500) according to any one of the preceding claims, characterized in that at least one of the first and second sets (8,208,10,110) has at least one firing zone (420 422 522).
15. Dispositif (1,100,200,300,400,500) selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit plot de soutien inférieur (6') dispose d'une première extrémité (6'a) solidaire du substrat (2), ainsi que d'une seconde extrémité (6'b) solidaire du second ensemble (10,110), et en ce que ledit plot de soutien supérieur (6'') dispose d'une première extrémité (6' 'a) solidaire du second ensemble (10,110), ainsi que d'une seconde extrémité (6''b) solidaire dudit objet (4). 15. Device (1,100,200,300,400,500) according to claim 1, characterized in that said lower support lug (6 ') has a first end (6'a) integral with the substrate (2) and a second end ( 6'b) integral with the second set (10,110), and in that said upper support pad (6 '') has a first end (6 '' a) fixed to the second set (10,110), as well as a second end (6''b) integral with said object (4).
16. Dispositif (1,100,200,300,400,500) selon la revendication 16, caractérisé en ce que le plot de soutien supérieur (6'') se situe dans le prolongement du plot de soutien inférieur (6') duquel il est séparé par le second ensemble (10,110), et dispose d'une section sensiblement identique à celle de ce plot de soutien inférieur (6'). 16. Device (1,100,200,300,400,500) according to claim 16, characterized in that the upper support pin (6 '') is in the extension of the lower support lug (6 ') which it is separated by the second set (10,110) , and has a section substantially identical to that of said lower support lug (6 ').
17. Dispositif (1,100,200,300,400,500) selon la revendication 15, caractérisé en ce que le plot de soutien supérieur (6'') se situe dans le prolongement du plot de soutien inférieur (6') duquel il est séparé par le second ensemble (10,110), et dispose d'une section supérieure à celle de ce plot de soutien inférieur (6'). 17. Device (1,100,200,300,400,500) according to claim 15, characterized in that the upper support pin (6 '') is in the extension of the lower support lug (6 ') which it is separated by the second set (10,110) , and has a section greater than that of said lower support lug (6 ').
18. Dispositif (1,100,200,300,400,500) selon la revendication 15, caractérisé en ce que le plot de soutien supérieur (6'') se situe de façon excentrée par rapport au plot de soutien inférieur (6'). 18. Device (1,100,200,300,400,500) according to claim 15, characterized in that the upper support pin (6 '') is located eccentrically relative to the lower support lug (6 ').
Description  translated from French  (OCR text may contain errors)

DISPOSITIF D'ORIENTATION D'UN OBJET DESCRIPTION DEVICE ORIENTATION OF A SUBJECT DESCRIPTION

DOMAINE TECHNIQUE TECHNICAL AREA

La présente invention se rapporte à un dispositif d'orientation d'un objet, comprenant un objet à orienter ou à « défléchir » tel qu'un miroir, une lentille optique ou une série de lentilles optiques, cet objet étant susceptible d'occuper une pluralité de positions par rapport à un substrat. The present invention relates to a steering device of an object, comprising an object guide or "deflect" as a mirror, an optical lens or a series of optical lenses, this object being able to occupy a plurality of positions relative to a substrate. Plus particulièrement, l'invention concerne un dispositif d'orientation d'un miroir, disposant par exemple d'une taille inférieure à quelques centaines de microns, et pouvant être déplacé dans l'une quelconque de la pluralité de positions par rapport au substrat, par l'intermédiaire de moyens d'actionnement électrostatiques . More particularly, the invention relates to a steering device of a mirror, with for example a size of less than a few hundred microns, and can be moved in any one of the plurality of positions relative to the substrate, via electrostatic actuating means.

L'invention trouve une application toute particulière dans le domaine des écrans équipant des moyens d'affichage classiques ou des scanners, en tant que dispositif de réflexion permettant la réalisation d'un balayage. The invention finds a particular application in the field of displays equipping conventional display means or scanners, as a reflection device for performing a scan. En outre, l'invention trouve également une application dans le domaine des télécommunications optiques pour la réalisation de commutateurs optiques. In addition, the invention also finds application in the field of optical telecommunications for the production of optical switches.

ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE De l'état de la technique, on connaît l'existence d'un dispositif de réflexion de lumière classique, comportant un miroir apte à être ajusté à l'aide de moyens d'actionnement électrostatiques. STATE OF THE PRIOR ART From the prior art there is known the existence of a conventional light reflection device, having a mirror which can be adjusted using electrostatic actuating means. Ces moyens comprennent habituellement deux ensembles électriquement conducteurs, qui en fonction de la valeur de la tension d'alimentation qui leur est appliquée, provoquent une inclinaison déterminée du miroir par rapport au substrat du dispositif. These means usually include two electrically conductive sets, which depending on the value of the supply voltage applied to them, cause a determined inclination of the mirror relative to the substrate of the device.

En effet, dans un tel dispositif de réflexion, un premier ensemble est typiquement constitué par des électrodes réparties sur le substrat de manière à être en regard d'un second ensemble, prenant habituellement la forme d'une surface interne conductrice du miroir. Indeed, in such a reflection device, a first set typically consists of electrodes distributed over the substrate so as to face a second set, usually taking the form of a conductive inner surface of the mirror. Ce miroir est maintenu à distance du substrat à l'aide de moyens de maintien coopérant avec une portion d'extrémité du miroir, et s'étendent extérieurement à celui-ci. This mirror is kept away from the substrate using holding means cooperating with an end portion of the mirror, and extend outwardly thereof. A titre d'exemple, les moyens de maintien peuvent prendre la forme d'un cadre supportant la portion d'extrémité du miroir, ce cadre étant muni d'une pluralité de bras souples reliant les moyens de maintien à une partie fixe du dispositif, telle que son substrat. For example, the retaining means may take the form of a frame supporting the end portion of the mirror, said frame being provided with a plurality of flexible arms connecting the holding means to a stationary part of the device, as its substrate.

Ainsi, lorsqu'une tension d'alimentation est appliquée entre la surface interne conductrice du miroir et une ou plusieurs électrodes du substrat, la ou les forces électrostatiques engendrées entre ces éléments provoquent une inclinaison du miroir dans une position déterminée, autorisée par la souplesse des moyens de maintien. Thus, when a supply voltage is applied between the conductive inner surface of the mirror and one or more electrodes of the substrate, or the electrostatic forces generated between these elements cause an inclination of the mirror in a specific position, permitted by the flexibility of holding means. Notons que cette position est également fonction de la valeur de la tension d' alimentation appliquée entre les ensembles conducteurs des moyens d'actionnement. Note that this position is also a function of the value of the supply voltage applied between the conductor assemblies actuating means. Ainsi, suite à l'activation des moyens d'actionnement électrostatiques, un rayon ou un faisceau lumineux peut être réfléchi selon un angle d'inclinaison particulier du miroir par rapport au substrat du dispositif. Thus, upon activation of the electrostatic actuating means, a beam or a light beam can be reflected at an angle of particular inclination of the mirror relative to the substrate of the device. Néanmoins, l'emploi de tels moyens d'actionnement électrostatiques présente certains inconvénients majeurs, susceptibles de limiter les performances du dispositif, et/ou de complexifier sa conception. Nevertheless, the use of such electrostatic actuating means has some major drawbacks that can limit device performance, and / or more complex design.

A ce titre, il est précisé que lorsque la distance entre la surface interne du miroir et les électrodes du dispositif est faible, la tension nécessaire à appliquer pour provoquer une inclinaison du miroir est relativement peu importante. In this respect, it is specified that when the distance between the inner surface of the mirror and the electrodes of the device is low, the voltage required to be applied to cause an inclination of the mirror is relatively unimportant. Cependant, dans un tel cas, malgré la possibilité d'utiliser une alimentation électrique simple, la géométrie obtenue limite alors inévitablement la valeur maximale que peut prendre l'angle formé entre le miroir et le substrat du dispositif. However, in such a case, despite the possibility of using a single power supply, then the resulting geometry will inevitably limit the maximum value that can take the angle formed between the mirror and the device substrate.

Par ailleurs, pour remédier à ce problème, il reste possible d'augmenter la distance entre la surface interne du miroir et les électrodes, afin d'être en mesure de disposer d'une inclinaison plus importante, et donc de présenter un dispositif de réflexion aux performances accrues. Moreover, to overcome this problem, it is possible to increase the distance between the inner surface of the mirror and the electrodes, in order to be able to have a greater inclination, and therefore present a reflecting device with improved performance. En revanche, cette solution est également contraignante dans le sens où la tension d'alimentation requise pour provoquer une inclinaison du miroir est fortement élevée, ce qui complexifie ainsi largement la conception du dispositif, et plus spécialement celle de son alimentation électrique. However, this solution is also binding in the sense that the supply voltage required to cause a tilt of the mirror is highly elevated, which complicates and widely device design, especially that of his power.

Comme cela vient d'être exposé ci-dessus, lorsque les moyens d'actionnement du dispositif de réflexion sont des moyens électrostatiques tels que ceux qui viennent d'être présentés, il demeure impossible de proposer simultanément une faible tension d'alimentation ainsi qu'un angle maximal d'inclinaison élevé, de sorte que lors de la conception de ce type de dispositif, il est constamment nécessaire de trouver un compromis entre ces deux valeurs . As just described above, when the actuator means of the reflection means are electrostatic means such as those which have just been described, it remains impossible to simultaneously provide a low supply voltage and that a maximum angle of inclination high, so in the design of this type of device, it is constantly necessary to find a compromise between these two values.

D'autre part, il est à noter que lorsqu'une tension est appliquée de façon croissante entre l'une des électrodes du substrat et la surface interne du miroir, la force électrostatique créée provoque un mouvement relatif entre ces éléments. On the other hand, it should be noted that when voltage is applied increasingly between one of the electrodes of the substrate and the inner surface of the mirror, the created electrostatic force causes a relative movement between these elements. Le mouvement relatif entre ces deux éléments est contrôlé jusqu'à l'application d'une valeur limite de tension d'alimentation, au-delà de laquelle la faible distance entre l'électrode activée et la surface interne du miroir engendre une force électrostatique si importante que cela entraîne inévitablement un plaquage brusque de ce miroir contre le substrat. The relative movement between these two elements is controlled until the application of a supply voltage limit value, beyond which the small distance between the active electrode and the inner surface of the mirror generates an electrostatic force if important that this inevitably leads to a sudden plating the mirror against the substrate.

Ainsi, le phénomène de plaquage brusque (de l'anglais « pull-in ») ne permet d'assurer un déplacement contrôlé du miroir que sur une plage de fonctionnement limitée, dans la mesure où ce miroir ne peut adopter aucune position stable entre la position obtenue lors de l'application de la valeur limite de tension d'alimentation, et la position dans laquelle il est plaqué contre le substrat. Thus the sudden plating phenomenon (from the English "pull-in") only ensures a controlled movement of the mirror on a limited range of operation, since this mirror can adopt no stable position between position obtained during the application of the value of supply voltage limit, and the position in which it is pressed against the substrate.

Par ailleurs, si le phénomène de plaquage brusque restreint considérablement l'angle maximal que peut former le miroir avec le substrat avant que ces deux éléments soient plaqués l'un contre l'autre, cette valeur maximale est également diminuée par la nécessité de prendre une marge de sécurité afin qu'en résonance, le miroir du dispositif ne dépasse pas l'angle limite d' instabilité . Furthermore, if the sudden plating phenomenon severely limits the maximum angle that can form the mirror with the substrate before the two are pressed against each other, the maximum value is also reduced by the need to take a margin of safety to that resonance, the mirror device does not exceed the critical angle of instability.

Pour accroître la valeur maximale de l'angle formé entre le substrat et le miroir, il a été proposé un autre type de dispositif, dans lequel ces deux éléments sont espacés et reliés l'un à l'autre par l'intermédiaire d'un plot de soutien du miroir. To increase the maximum value of the angle formed between the substrate and the mirror, it has been proposed another type of device in which these two elements are spaced apart and connected to one another via a mirror support block.

Dans ce type de dispositif, les moyens d'actionnement électrostatiques sont généralement similaires à ceux décrits précédemment, avec des électrodes agencées sur le substrat de façon à être réparties autour du plot de soutien du miroir. In this type of device, the electrostatic actuation means are generally similar to those described above, with electrodes arranged on the substrate so as to be distributed around the mirror support pad. Ainsi, le miroir du dispositif n'est plus maintenu par un cadre au niveau de sa portion d'extrémité, mais uniquement par un plot de soutien sensiblement centré sur le miroir. Thus, the mirror of the device is no longer held by a frame at its end portion, but only by a support pad substantially centered on the mirror.

Cet agencement spécifique autorisant le basculement du miroir sensiblement par rapport à son centre, permet notamment de présenter un angle d'inclinaison maximal supérieur à celui pouvant être obtenu dans des conditions de fonctionnement similaires, avec un dispositif de réflexion classique tel que celui décrit ci-dessus. This specific arrangement allowing the tilting mirror substantially with respect to its center, allows in particular to present a maximum angle of inclination greater than that obtainable under similar operating conditions, with a conventional reflection device such as that described above.

Néanmoins, le problème de plaquage brusque du miroir sur le substrat subsiste, de sorte qu'il n'est toujours pas possible, après avoir dépassé la valeur limite de tension d'alimentation, de maintenir le miroir dans une position stable autre que celle dans laquelle il est en contact avec le substrat. Nevertheless, the sudden plating problem of the mirror on the substrate remains, so it is still not possible after exceeding the voltage limit value, maintain the mirror in a stable position other than the one which it is in contact with the substrate. A cet égard, il est précisé que même si la position du miroir en appui contre le substrat peut procurer un angle d'inclinaison important, elle n'est cependant pas souhaitable dans le sens où le miroir peut être amené à se déformer, et provoquer par conséquent une perte et/ou une déformation d'un signal à émettre. In this regard, it is noted that even if the position of the mirror support against the substrate can provide a large angle of inclination, it is however not desirable in the sense that the mirror can be caused to deform, causing therefore a loss and / or a deformation of a signal to be transmitted. Par ailleurs, notons que la conception d'un miroir disposant de propriétés optiques nécessaires à la bonne réflexion de la lumière et de propriétés mécaniques interdisant toute déformation lorsqu'il est en appui contre le substrat, engendre des coûts et/ou des contraintes d'encombrement non négligeables. Also, note that the design of a mirror have optical properties necessary for the proper reflection of light and mechanical properties preventing distortion when pressing against the substrate, generates costs and / or constraints significant congestion.

EXPOSÉ DE L'INVENTION PRESENTATION OF THE INVENTION

L'invention a donc pour but de proposer un dispositif d'orientation d'un objet tel qu'un miroir, comprenant un substrat, un objet, ainsi qu'au moins un plot de soutien de l'objet interposé entre ce dernier et le substrat du dispositif, le dispositif comprenant en outre des moyens d'actionnement électrostatiques susceptibles de déplacer l'objet dans une pluralité de positions par rapport au substrat, le dispositif remédiant au moins partiellement aux inconvénients mentionnés ci-dessus relatifs aux réalisations de l'art antérieur. The invention therefore aims to provide a steering device of an object such as a mirror comprising a substrate, an object, and at least one support pad of the object interposed between the latter and the substrate of the device, the device further comprising electrostatic actuating means capable of moving the object in a plurality of positions relative to the substrate, the device at least partially overcomes the disadvantages mentioned above relating to the art of achievements prior.

Pour ce faire, l'invention concerne un dispositif d'orientation d'un objet tel qu'un miroir, comprenant un substrat, un objet, ainsi qu'au moins un plot de soutien de l'objet interposé entre ce dernier et le substrat du dispositif, le dispositif comprenant en outre des moyens d' actionnement électrostatiques susceptibles de déplacer l'objet dans une pluralité de positions par rapport au substrat, les moyens d' actionnement électrostatiques comportant un premier et un second ensembles au moins partiellement électriquement conducteurs destinés à coopérer l'un avec l'autre afin de déplacer l'objet dans l'une quelconque des positions par rapport au substrat, le premier ensemble étant solidaire du substrat. To do this, the invention relates to a steering device of an object such as a mirror comprising a substrate, an object, and at least one support pad of the object interposed between the latter and the substrate of the device, the device further comprising means for electrostatic actuation may move the object in a plurality of positions relative to the substrate, the means of electrostatic actuator having a first and a second set at least partially electrically conductive for cooperate with one another to move the object in any position relative to the substrate, the first set being integral with the substrate. Selon l'invention, le second ensemble est agencé entre le substrat et l'objet, et le dispositif comporte en outre un plot de soutien inférieur situé entre le second ensemble et le substrat et étant solidaire de ce second ensemble et de ce substrat, ainsi qu'un plot de soutien supérieur situé entre le second ensemble et l'objet et étant solidaire de ce second ensemble et de l'objet. According to the invention, the second assembly is arranged between the substrate and the object, and the apparatus further includes a lower support pad located between the second set and the substrate and being integral with said second set and said substrate, and an upper support pad located between the second set and the object and being secured to this second set and the object. De plus, le second ensemble est apte à être plaqué contre le substrat lorsque les moyens d' actionnement électrostatiques sont dans un état activé. In addition, the second assembly is adapted to be pressed against the substrate when the means of electrostatic actuation are in an activated state.

Avantageusement, lorsque l'objet à orienter ou à « défléchir » est du type miroir, le second ensemble des moyens d'actionnement électrostatiques n'est plus constitué par une paroi interne conductrice du miroir, mais prend la forme d'un ensemble indépendant du miroir, situé à distance de ce dernier, et rapporté solidairement sur les plots de soutien inférieur et supérieur du dispositif. Advantageously, when the object to orient or "deflect" is mirror-like, the second set of electrostatic actuating means is no longer constituted by a conductive inner wall of the mirror, but takes the form of an independent set of mirror, located at a distance from the latter, and brought integrally on the lower support and upper pads of the device. De cette façon, le déplacement du second ensemble obtenu par l'activation des moyens d'actionnement électrostatiques et autorisé par une déformation du plot de soutien inférieur, permet d'engendrer un mouvement du plot de soutien supérieur, et provoque par conséquent un déplacement du miroir du dispositif. In this way, movement of the second assembly obtained by activation of electrostatic actuating means authorized by a deformation of the lower support pad makes it possible to generate a movement of the upper support pad, and therefore causes a displacement of mirror of the device. A ce titre, l'agencement particulier selon l'invention autorise une forte inclinaison du miroir par rapport au substrat, sans que cet état de forte inclinaison corresponde à une position dans laquelle le miroir est plaqué contre le substrat du dispositif. As such, the particular arrangement according to the invention allows a strong inclination of the mirror relative to the substrate, without this state of high inclination corresponds to a position in which the mirror is pressed against the device substrate. En effet, lors d'un mouvement du miroir provoqué par le déplacement du second ensemble, ce dernier est conçu pour entrer en contact avec le substrat et stopper le mouvement du miroir, avant que celui-ci ne vienne en appui contre ce même substrat. Indeed, upon movement of the mirror caused by the movement of the second set, the latter is designed to come into contact with the substrate and stopping the movement of the mirror, before it comes into abutment against the same substrate.

Ainsi, le miroir du dispositif est alors en mesure d'occuper des positions stables de forte inclinaison dans lesquelles sa partie basse est très rapprochée du substrat, sans pour autant être en appui contre celui-ci. Thus, the device of the mirror is then able to occupy stable positions of high inclination in which its bottom is closer to the substrate, without being supported against it. Il est précisé que ce type de position n' était naturellement pas envisageable avec les dispositifs de l'art antérieur, en raison du phénomène de pull-in survenant entre la paroi interne conductrice du miroir et les électrodes situées sur le substrat du dispositif. It is stated that this type of position n 'was of course not possible with the devices of the prior art, due to the pull-in phenomenon occurring between the conductive inner wall of the mirror and the electrodes on the device substrate. En outre, il est noté que le second ensemble est avantageusement susceptible de décrire un mouvement proche de celui d'une rotule, dans la mesure où il est relié au substrat par l'intermédiaire du plot de soutien inférieur. In addition, it is noted that the second set is advantageously capable of describing a movement similar to that of a ball joint, in so far as it is connected to the substrate via the lower support pad.

Par ailleurs, il est également indiqué que lorsque le miroir occupe une position de forte inclinaison, il n'est pas plaqué contre un autre élément du dispositif, mais reste toujours uniquement porté par le plot de soutien supérieur auquel il est solidarisé. Moreover, it is also stated that when the mirror has a strong inclination position, it is not pressed against another element of the device, but still only carried by the upper support pad which it is fastened. De cette façon, il ne se déforme pas et ne provoque pas de perte et/ou de déformation d'un signal à émettre. In this way, it is not deformed and does not cause loss and / or distortion of a signal to be transmitted. A ce propos, notons qu'il est alors possible de découpler les propriétés mécaniques des propriétés optiques du dispositif, dans la mesure où ces propriétés sont respectivement procurées par deux éléments distincts. Incidentally, note that it is possible to decouple the mechanical properties of the optical properties of the device, since these properties are respectively procured by two distinct elements.

D'autre part, le positionnement spécifique du second ensemble permet de disposer d'une faible distance entre ce dernier et le substrat, tout en assurant des inclinaisons élevées du miroir. Furthermore, the specific positioning of the second set enables to have a small distance between the latter and the substrate, while ensuring high inclinations of the mirror. Ainsi, la distance entre les premier et second ensembles au moins partiellement électriquement conducteurs constituant les moyens d'actionnement électrostatiques est également relativement peu importante, et de toute façon plus faible que la distance entre le premier ensemble et la paroi interne du miroir du dispositif. Thus, the distance between the first and second arrays at least partially electrically conductive constituting the electrostatic actuating means is also relatively small, and any lower so that the distance between the first set and the inner wall of the mirror device. Avantageusement, la tension d'alimentation requise par les moyens d'actionnement pour engendrer une inclinaison donnée du miroir peut donc être réduite par rapport à celle qui aurait été nécessaire avec un dispositif de réflexion de l'art antérieur, utilisant la paroi interne du miroir comme élément conducteur appartenant aux moyens d'actionnement. Advantageously, the supply voltage required by the actuating means for generating a given inclination of the mirror can be reduced compared to that which would be required with a prior art reflection device, using the internal wall of the mirror conductive member as belonging to the actuating means.

Enfin, il est indiqué que le second ensemble étant destiné à entrer en contact avec le substrat du dispositif et par conséquent susceptible de stopper le mouvement du miroir avant qu'il ne vienne buter contre ce substrat, le dispositif selon l'invention offre la possibilité à ce miroir d'occuper des positions discrètes et également d'éviter un asservissement et/ou de limiter le temps d'asservissement par le pré-positionnement. Finally, it is indicated that the second assembly being intended to come into contact with the device and therefore substrate capable of stopping the movement of the mirror before it abuts against the substrate, the device according to the invention offers the possibility this mirror to occupy discrete positions and also to avoid feedback control and / or limit the lock time by the pre-positioning. De préférence, les plots de soutien inférieur et supérieur forment conjointement un unique plot de soutien traversant le second ensemble et étant solidaire de celui-ci, l'unique plot de soutien disposant d'une première extrémité solidaire du substrat, ainsi que d'une seconde extrémité solidaire de l'objet. Preferably, the lower and upper support pads together form a single support pin passing through the second assembly and being integral with the latter, the sole support pad having a first end integral with the substrate, and a second end secured to the object.

Selon un premier mode de réalisation préféré de la présente invention, le premier ensemble entièrement conducteur est constitué d'une pluralité d'électrodes espacées les unes des autres et réparties autour du plot de soutien, ces électrodes étant de préférence disposées de manière à définir un anneau entourant un unique plot de soutien. According to a first preferred embodiment of the present invention, the first set completely conductor is constituted by a plurality of electrodes spaced from each other and distributed around the support pad, said electrodes being preferably disposed so as to define a ring surrounding a single support pad. Bien entendu, la répartition des électrodes sur le substrat est effectuée en fonction des diverses positions que l'on désire faire occuper à l'objet du dispositif, chacune de ces électrodes étant apte à coopérer avec le second ensemble prenant la forme d'un plateau rigide, dont au moins la paroi inférieure en regard de la pluralité d'électrodes est électriquement conductrice. Of course, the distribution of electrodes on the substrate is performed based on the various positions that it is desired to take the purpose of the device, each of said electrodes being adapted to cooperate with the second set in the form of a tray rigid, at least the lower wall opposite the plurality of electrodes is electrically conductive. Dans ce premier mode de réalisation préféré, l'activation d'une électrode entraîne un plaquage d'une portion d'extrémité du plateau rigide contre le substrat du dispositif, ainsi qu'une forte inclinaison de l'objet selon un axe donné. In this first preferred embodiment, activation of an electrode causes a plating of an end portion of the rigid plate against the device substrate, and a strong inclination of the object along a given axis. Le plaquage observé a alors pour conséquence de rapprocher considérablement le plateau des électrodes adjacentes à celle ayant provoqué ce plaquage, dans le mesure où le plateau rigide repose également dans une position inclinée, sensiblement parallèlement à l'objet. The observed plating then result in substantially close the tray adjacent electrodes than that caused this plating, to the extent that the rigid plate also rests in an inclined position, substantially parallel to the object. Or pour engendrer un plaquage entre une électrode et le plateau rigide, la tension d' alimentation à appliquer entre ces deux éléments est d'autant plus faible que la distance les séparant est peu importante. Gold for generating a plating between an electrode and the rigid plate, the supply voltage to be applied between these two elements is smaller as the distance between them is small. Ainsi, il est avantageusement possible de mettre en œuvre des tensions d'alimentation relativement faibles pour plaquer le plateau contre le substrat au niveau des électrodes adjacentes, et donc pour provoquer un changement de positionnement à l'objet. Thus, it is advantageously possible to implement relatively low supply voltages for pressing the plate against the substrate at adjacent electrodes, and therefore to cause a change in positioning of the object.

Selon un second mode de réalisation préféré de la présente invention, le premier ensemble reste identique à celui rencontré dans le premier mode de réalisation préféré, tandis que le second ensemble est une membrane flexible disposant d'une paroi inférieure conductrice située en regard de la pluralité d'électrodes du premier ensemble. According to a second preferred embodiment of the present invention, the first set is identical to that encountered in the first preferred embodiment, while the second set is a flexible diaphragm having a conductive bottom wall next to the plurality of electrodes of the first set. Bien entendu, il peut donc s'agir d'une membrane réalisée entièrement à l'aide d'un matériau électriquement conducteur tel que du silicium monocristallin ou du silicium polycristallin, ou d'une membrane réalisée dans un matériau flexible quelconque, disposant d'un revêtement conducteur constituant sa paroi inférieure. Of course, it can be a membrane made entirely with an electrically conductive material such as monocrystalline silicon or polycrystalline silicon, or a membrane made of any flexible material, with of a conductive coating forming its bottom wall. Un autre exemple pourrait également consister à prévoir un revêtement électriquement conducteur sur la paroi supérieure d'un matériau support, utilisé alors comme isolant. Another example could also consist in providing an electrically conductive coating on the upper wall of a support material, then used as an insulator. D'autre part, une solution alternative plus compliquée à mettre en œuvre pourrait consister à prévoir une pluralité d'électrodes montées sur une membrane réalisée dans un matériau flexible quelconque, et agencées de manière à pouvoir coopérer avec la pluralité d'électrodes du premier ensemble des moyens d'actionnement électrostatiques. On the other hand, a more complicated alternative to implement could be to provide a plurality of electrodes mounted on a membrane made of any flexible material, and arranged so as to cooperate with the electrodes of the first set plurality means for electrostatic actuation. De plus, il est indiqué qu'après avoir provoqué un plaquage de la membrane flexible contre une électrode quelconque, la portion plaquée de la membrane se prolonge de part et d'autre circonférentiellement par une portion déformée très rapprochée des électrodes directement adjacentes à celle ayant été actionnée. Furthermore, it is indicated that after having caused a pressing of the flexible membrane against one electrode, the plated portion of the membrane is extended on either side by a very close circumferentially deformed portion directly adjacent to the electrodes having been pressed. Or pour engendrer un plaquage entre une électrode et la membrane flexible, comme mentionné précédemment, la tension d'alimentation à appliquer entre ces deux éléments est d'autant plus faible que la distance les séparant est peu importante. Gold for generating a plating between an electrode and the flexible membrane, as previously mentioned, the supply voltage to be applied between these two elements is smaller as the distance between them is small. Ainsi, il est avantageusement possible de mettre en œuvre des tensions d'alimentation relativement faibles pour plaquer la portion déformée rapprochée des électrodes adjacentes contre le substrat, et donc pour provoquer un changement de positionnement de l'objet. Thus, it is advantageously possible to implement relatively low supply voltages to flatten the deformed portion close adjacent electrodes against the substrate, and therefore to cause a positioning change of the object.

Selon un troisième mode de réalisation préféré de la présente invention, le second ensemble reste identique à celui rencontré dans le second mode de réalisation préféré, tandis que le premier ensemble est toujours constitué d'une pluralité d'électrodes espacées les unes des autres et réparties autour du plot de soutien, mais disposées de manière à définir une pluralité d' anneaux concentriques entourant le plot de soutien. According to a third preferred embodiment of the present invention, the second set is identical to that found in the second preferred embodiment, while the first set always consists of a plurality of electrodes spaced from each other and distributed around the support pad, but arranged so as to define a plurality of concentric rings surrounding the support pad.

De façon avantageuse, outre la possibilité d'obtenir une grande inclinaison de l'objet par rapport au substrat du dispositif, ce mode de réalisation préféré permet d' incliner progressivement et de façon très précise cet objet, en effectuant un plaquage de surface variable de la membrane flexible contre le substrat. Advantageously, besides the possibility to obtain a large tilt of the object relative to the substrate of the device, this preferred embodiment makes it possible to gradually tilt and very precisely this object by performing a variable surface plating the flexible membrane against the substrate.

En effet, à titre d'exemple, lorsqu'une électrode d'un anneau est mise sous tension, la membrane flexible est plaquée automatiquement contre le substrat et provoque une certaine inclinaison de l'objet par déformation et/ou déplacement du plot de soutien. Indeed, by way of example, when a ring electrode is energized, the flexible membrane is pressed automatically against the substrate and causes an inclination of the object deformation and / or displacement of the support pad . Ainsi, à partir de cet instant, il est possible d'actionner une électrode située à proximité sur l'anneau directement et intérieurement adjacent, afin d'augmenter la surface de plaquage de la membrane, et donc d'accroître simultanément l'inclinaison l'objet par rapport au substrat. Thus, from this moment, it is possible to actuate an electrode located close to the ring directly adjacent and inwardly, in order to increase the plating surface of the membrane, and thereby increase the inclination to simultaneously subject relative to the substrate. Par ailleurs, il est noté que chacune des positions de l'objet est obtenue par butée de la membrane flexible sur le substrat du dispositif, ce qui assure naturellement un positionnement exact et précis de cet objet. Furthermore, it is noted that each of the positions of the object is obtained by abutment of the flexible membrane on the device substrate, which naturally provides an accurate and precise positioning of the object.

De plus, il est indiqué qu'une portion plaquée de la membrane contre le substrat se prolonge non seulement de part et d'autre circonférentiellement par une portion déformée, mais aussi radialement par une autre portion déformée, également très rapprochée des électrodes directement adjacentes à celle ayant été actionnée et appartenant à un anneau intérieurement adjacent. Furthermore, it is stated that a plated portion of the membrane against the substrate extends not only of both sides circumferentially by a deformed portion, but also radially by another deformed portion, also very close directly adjacent electrodes that having been operated and owned by an internally adjacent ring. Ainsi, il est avantageusement possible de mettre en œuvre des tensions d' alimentation relativement faibles pour plaquer la portion déformée rapprochée des électrodes adjacentes contre le substrat, et donc pour accentuer l'inclinaison de l'objet, jusqu'à obtenir une inclinaison très importante de celui-ci. Thus, it is advantageously possible to implement voltages relatively low power to flatten the deformed portion close adjacent electrodes against the substrate, and thus to increase the inclination of the object, to obtain a very large inclination of it. Enfin, dans ce troisième mode de réalisation préféré de l'invention, la variation de l'angle d'inclinaison de l'objet en fonction de la tension appliquée aux moyens d'actionnement électrostatiques présente une certaine linéarité, dans la mesure où des électrodes ayant une même surface peuvent provoquer un déplacement linéaire en fonction du nombre d'électrodes activées. Finally, in this third preferred embodiment of the invention, the variation of the tilt angle of the object depending on the voltage applied to the electrostatic actuating means has a certain linearity, insofar electrodes having an even surface can cause a linear movement based on the number of activated electrodes.

Selon un quatrième mode de réalisation préféré de la présente invention, la membrane flexible constituant le second ensemble est similaire à celle prévue dans les second et troisième modes de réalisation préférés, mais est en plus morcelée en une pluralité de languettes radiales s' étendant chacune depuis le plot de soutien du dispositif. According to a fourth preferred embodiment of the present invention, the flexible membrane constituting the second set is similar to that provided in the second and third preferred embodiments, but is further broken into a plurality of radial tabs each extending from the support pad of the device. Cette configuration permet, de façon avantageuse, d'accroître encore davantage la souplesse de la membrane flexible, et de diminuer de manière significative le temps de réponse du dispositif. This configuration allows, advantageously, to further increase the flexibility of the flexible membrane, and significantly reduce the response time of the device. Dans l'ensemble des modes de réalisation préférés décrits ci-dessus, l'objet peut alors se présenter sous une forme sensiblement circulaire au même titre que la membrane flexible et le plateau rigide, cette forme étant spécialement appropriée pour coopérer avec la pluralité d'électrodes du premier ensemble, disposées de manière à définir un ou plusieurs anneaux entourant l'organe de basculement. In all the preferred embodiments described above, the object may then be in a substantially circular shape as well as the flexible membrane and the rigid plate, this form being especially suitable for cooperating with the plurality of electrodes of the first set arranged to define one or more rings around the tilting member.

En outre, le plot de soutien préférentiellement flexible est agencé sensiblement perpendiculairement au substrat, à l'objet et à la membrane flexible ou au plateau rigide du dispositif, lorsque les moyens d'actionnement électrostatiques sont dans un état inactivé. Furthermore, the preferably flexible support pad is arranged substantially perpendicular to the substrate, to the object and the flexible membrane and the rigid plate of the device, when the electrostatic actuating means are in an unactivated state. Par ailleurs, ce plot situé de façon sensiblement centrée ou de façon sensiblement excentrée sur l'objet et sur la membrane flexible ou le plateau rigide du dispositif, présente une hauteur de l'ordre de 20 μm et un diamètre pouvant varier en fonction de la nature des matériaux, par exemple inférieur à environ 5 μm dans le cas du silicium. Moreover, this stud located substantially centered or substantially eccentrically on the object and on the flexible membrane or the rigid plate of the device has a height of about 20 microns and a diameter which vary depending on the nature of materials, for example less than about 5 microns in the case of silicon.

Selon un cinquième et un sixième modes de réalisation préférés de la présente invention, le dispositif de réflexion se présente sous la forme de l'un quelconque des modes de réalisation préférés mentionnés ci-dessus, et est réalisé de manière à ce qu'au moins l'un des premier et second ensembles dispose d'au moins une zone d'amorçage. According to a fifth and a sixth preferred embodiments of the present invention, the reflecting device is in the form of any of the preferred embodiments mentioned above, and is designed so that at least one of the first and second sets has at least one firing zone. Ainsi, la tension d' alimentation à appliquer entre des éléments électriquement conducteurs pour provoquer leur plaquage étant d' autant plus faible que la surface de plaquage est importante, la présence d'une ou plusieurs zones d'amorçage de surface relativement élevée permet d' abaisser encore davantage les besoins en alimentation du dispositif. Thus, the supply voltage to be applied between the electrically conductive elements to cause them to plating being all the lower than the plating surface is important, the presence of one or more relatively high surface areas enables priming of further reduce the device power requirements.

La totalité des modes de réalisation préférés décrits succinctement ci-dessus présentent chacun un unique plot de soutien formant à la fois le plot de soutien inférieur et le plot de soutien supérieur, ce plot unique s' étendant donc depuis le substrat jusqu'au miroir du dispositif en traversant le second ensemble. All preferred embodiments briefly described above each have a single support pad forming both support the lower pad and the upper support pad, this unique stud s' thus extending from the substrate to the mirror device through the second set. Néanmoins, on peut prévoir que ces plots inférieur et supérieur soient distincts et séparés l'un de l'autre par le second ensemble. Nevertheless, it is expected that these upper and lower pads are distinct and separated from each other by the second set. Dans une telle configuration, le dispositif comporte alors un plot de soutien inférieur disposant d'une première extrémité solidaire du substrat ainsi que d'une seconde extrémité solidaire du second ensemble, et d'un plot de soutien supérieur disposant d'une première extrémité solidaire du second ensemble ainsi que d'une seconde extrémité solidaire de objet. In such a configuration, the device then comprises a lower support pad having a first end integral with the substrate and a second end integral with the second set, and an upper support pad having a first end secured of the second set and a second end secured object.

De manière avantageuse, lorsque les plots inférieur et supérieur sont prévus de façon à être distincts, la fabrication du dispositif d'orientation peut être considérablement simplifiée et le maintien de l'objet sensiblement amélioré. Advantageously, when the upper and lower pads are provided so as to be separate, manufacture of the guide device can be substantially simplified and the maintenance of substantially improved object.

Il est alors possible de prévoir que le plot de soutien supérieur se situe dans le prolongement du plot de soutien inférieur duquel il est séparé par le second ensemble. It is then possible to provide the upper support pad is located in the extension of the lower support pad which it is separated by the second set. De préférence, le plot de soutien supérieur dispose d'une section sensiblement identique à celle du plot de soutien inférieur, ou bien d'une section supérieure à celle de ce plot de soutien inférieur. Preferably, the upper support pad has a substantially identical with that of the lower support pad section, or a section greater than that of the lower support pad.

Alternativement, le plot de soutien supérieur peut aussi se situer de façon excentrée par rapport à ce même plot de soutien inférieur. Alternatively, the upper support pad may also be located eccentrically relative to the same lower support pad.

D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront dans la description détaillée non limitative ci-dessous. Other advantages and features of the invention appear in the detailed non-limiting description below.

BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS

Cette description sera faite au regard des dessins annexés parmi lesquels : - la figure 1 représente une vue en coupe d'un dispositif d'orientation d'un objet selon un premier mode de réalisation préféré de la présente invention, lorsque les moyens d'actionnement électrostatiques sont dans un état inactivé, This description will be made with reference to the accompanying drawings in which: - Figure 1 shows a sectional view of a steering device of an object according to a first preferred embodiment of the present invention, when the actuating means electrostatic are in an inactivated state,

- la figure 2 représente une vue en coupe prise le long de la ligne II-II de la figure 1, la figure 3 représente le dispositif d'orientation d'un objet de la figure 1, lorsque les moyens d'actionnement électrostatiques sont dans un état activé, - la figure 4 représente une vue en coupe d'un dispositif d'orientation d'un objet selon un second mode de réalisation préféré de la présente invention, lorsque les moyens d'actionnement électrostatiques sont dans un état inactivé, - la figure 5 représente le dispositif d'orientation d'un objet de la figure 4, lorsque les moyens d'actionnement électrostatiques sont dans un état activé, - Figure 2 shows a sectional view taken along the line II-II of Figure 1, Figure 3 shows the steering device of an object of Figure 1, when the electrostatic actuating means are in an activated state, - Figure 4 shows a sectional view of a steering device of an object according to a second preferred embodiment of the present invention, when the electrostatic actuating means are in an unactivated state, - 5 shows the steering device of an object in FIG 4, when the electrostatic actuating means is in an activated state,

- la figure 6 représente une vue en coupe d'un dispositif d'orientation d'un objet selon un troisième mode de réalisation préféré de la présente invention, lorsque les moyens d'actionnement électrostatiques sont dans un état inactivé, - Figure 6 shows a sectional view of a steering device of an object according to a third preferred embodiment of the present invention, when the electrostatic actuating means are in an inactivated state,

- la figure 7 représente une vue en coupe prise le long de la ligne VII-VII de la figure 6, la figure 8 représente le dispositif d'orientation d'un objet de la figure 6, lorsque les moyens d'actionnement électrostatiques sont dans un état activé, - la figure 9 représente le dispositif d'orientation d'un objet de la figure 6, lorsque les moyens d'actionnement électrostatiques sont dans un autre état activé, - Figure 7 shows a sectional view taken along the line VII-VII of Figure 6, Figure 8 shows the orientation device of an object in FIG 6, when the electrostatic actuating means are in an activated state, - Figure 9 shows the steering device of an object in FIG 6, when the electrostatic actuating means are in another activated state,

- la figure 10 représente partiellement une vue de dessus d'un dispositif d'orientation d'un objet selon un quatrième mode de réalisation préféré de la présente invention, lorsque les moyens d'actionnement électrostatiques sont dans un état inactivé, - Figure 10 partially shows a plan view of a steering device of an object according to a fourth preferred embodiment of the present invention, when the electrostatic actuating means are in an inactivated state,

- la figure 11 représente une vue en coupe d'un dispositif d'orientation d'un objet selon un cinquième mode de réalisation préféré de la présente invention, lorsque les moyens d'actionnement électrostatiques sont dans un état inactivé, et lorsque les zones d'amorçage sont dans un état activé, - Figure 11 shows a sectional view of a steering device of an object according to a fifth preferred embodiment of the present invention, when the electrostatic actuating means are in an unactivated state, and when the areas priming are in an activated state,

- la figure 12 représente une vue en coupe prise le long de la ligne XII-XII de la figure 11, - Figure 12 shows a sectional view taken along the line XII-XII of Figure 11,

- la figure 13 représente une vue partielle de dessus d'un dispositif d'orientation d'un objet selon un sixième mode de réalisation préféré de la présente invention, lorsque les moyens d'actionnement électrostatiques sont dans un état inactivé, et lorsque la zone d'amorçage est également dans un état activé, les figures 14 à 17 représentent des variantes du dispositif d'orientation selon le premier mode de réalisation préféré, représenté sur les figures 1 à 3, et les figures 18a à 18k représentent schématiquement les différentes étapes d'un exemple de procédé de fabrication d'un dispositif d'orientation d'un objet selon l'invention. - Figure 13 shows a partial top view of a steering device of an object according to a sixth preferred embodiment of the present invention, when the electrostatic actuating means are in an unactivated state, and when the area boot is in an activated state, figures 14 to 17 show variants of the steering device in the first preferred embodiment, shown in figures 1 to 3, and figures 18a to 18k show schematically the different steps of an exemplary method of manufacturing an orientation device of an object according to the invention. EXPOSE DETAILLE DE MODES DE REALISATION PREFERES DETAILED DESCRIPTION OF PREFERRED EMBODIMENTS

Il est tout d'abord indiqué que dans les modes de réalisation préférés décrits ci-dessous, les dispositifs d'orientation d'un objet selon l'invention sont tous assimilés à des dispositifs de réflexion de lumière, dans lesquels l'objet à orienter est un miroir. It is first noted that in the preferred embodiments described below, the aiming devices of an object according to the invention are all related to light reflection devices in which the object to orient is a mirror. Cependant, bien entendu, d'autres types d'objets pourraient être utilisés à la place du miroir, tels qu'une lentille optique, ' une série de lentilles optiques, ou encore un miroir déformable, sans sortir du cadre de l'invention. However, of course, other types of objects could be used in place of the mirror, such as an optical lens, a series of optical lenses, or a deformable mirror, within the scope of the invention.

En référence conjointement aux figures 1 et 2, il est représenté un dispositif 1 d'orientation d'un objet, selon un premier mode de réalisation préféré de la présente invention. Referring jointly to Figures 1 and 2, there is shown a device 1 for orientation of an object, according to a first preferred embodiment of the present invention.

Le dispositif 1 comprend tout d'abord un substrat 2, par exemple réalisé en silicium, ainsi qu'un miroir 4 maintenu à distance du substrat 2, sensiblement parallèlement à celui-ci. The device 1 comprises a first substrate 2, for example made of silicon, and a mirror 4 kept at distance from the substrate 2, substantially parallel thereto. Le miroir 4 dispose préférentiellement d'une forme sensiblement circulaire, mais pourrait bien entendu adopter toute autre forme appropriée, sans sortir du cadre de l'invention. The mirror 4 preferably has a substantially circular shape, but could of course adopt any other appropriate form, within the scope of the invention. De plus, il est précisé que le miroir 4 dispose d'un diamètre de l'ordre de 400 μm et d'une épaisseur d'environ 5 μm, et est réalisé de préférence classiquement à l'aide de matériaux tels que 1' aluminium. In addition, it is specified that the mirror 4 has a diameter of about 400 microns and a thickness of about 5 microns, and is preferably carried out conventionally using materials such as 1 aluminum .

Afin de maintenir le miroir 4 à distance du substrat 2, le dispositif 1 comporte également un unique plot de soutien 6 du miroir 4, interposé entre ce dernier et le substrat 2 du dispositif. In order to maintain the mirror 4 at a distance from the substrate 2, the device 1 also comprises a single support pin 6 of the mirror 4, interposed between the latter and the substrate 2 of the device. Comme cela sera exposé plus clairement ci-dessous, l'unique plot de soutien 6 constitue à la fois un plot de soutien inférieur 6', ainsi qu'un plot de soutien supérieur 6" . Préférentiellement, le plot de soutien 6 est réalisé en silicium, et dispose d'une hauteur de l'ordre de 20 μm et d'un diamètre inférieur à environ 5 μm dans le cas de l'utilisation du silicium. As will be explained more clearly below, the sole support pin 6 is both a lower support stud 6 ', and an upper support pin 6 ". Preferably, the support pin 6 is made silicon, and has a height of about 20 microns and a diameter less than about 5 microns in the case of the use of silicon.

Comme on peut le voir sur la figure 1, le plot de soutien 6 est muni d'une première extrémité 6a et d'une seconde extrémité 6b, la première extrémité 6a étant solidaire du substrat 2 et la seconde extrémité 6b étant solidaire du miroir 4. As can be seen in Figure 1, the support pin 6 is provided with a first end 6a and a second end 6b, the first end 6a being secured to the substrate 2 and the second end 6b being fixed to the mirror 4 .

Le dispositif 1 d'orientation comprend en outre des moyens d'actionnement électrostatiques susceptibles de déplacer le miroir 4 dans une pluralité de positions par rapport au substrat 2, chacune de ces positions permettant de réfléchir un faisceau lumineux selon une direction distincte. The device 1 of orientation further comprises electrostatic actuating means capable of moving the mirror 4 in a plurality of positions relative to the substrate 2, each of said positions for reflecting a light beam in a distinct direction. Les moyens d'actionnement électrostatiques comprennent un premier ensemble 8 et un second ensemble 10, chacun d'entre eux étant conçus pour coopérer avec l'autre afin d'entraîner un déplacement du miroir 4 dans l'une des positions par rapport au substrat 2, et étant au moins partiellement électriquement conducteurs . Electrostatic actuation means 8 comprise a first set and a second set 10, each of them being designed to cooperate with each other to cause movement of the mirror 4 in one position relative to the substrate 2 and being at least partially electrically conductive.

Toujours en référence aux figures 1 et 2, on voit que le plot de soutien inférieur 6' , formé par une partie du plot unique 6, est situé entre le substrat 2 et le second ensemble 10. De plus, ce plot de soutien inférieur 6' solidaire à la fois du substrat 2 et du second ensemble 10 porte la première extrémité 6a de l'unique plot 6. De la même manière, le plot de soutien supérieur 6'', formé par une autre partie du plot unique 6, est situé entre le second ensemble 10 et l'objet 4. En outre, ce plot de soutien supérieur 6'' solidaire à la fois du second ensemble 10 et de l'objet 4 porte la seconde extrémité 6b de l'unique plot 6. Still referring to Figures 1 and 2, it is seen that the lower support pad 6 ', formed by part of the single pin 6 is located between the substrate 2 and the second assembly 10. In addition, the lower support pin 6 'integral with both the substrate 2 and the second set 10 carries the first end 6a of the single pad 6. in the same way, the upper support pin 6' ', formed by another part of the single pin 6 is located between the second assembly 10 and the object 4. Furthermore, the upper support pin 6 '' fixed to both of the second assembly 10 and the object 4 carries the second end 6b of the single pin 6.

Par conséquent, on peut s'apercevoir que les plots de soutien inférieur 6' et supérieur 6'' sont en fait réunis sous la forme d'un unique plot de soutien 6 traversant le second ensemble 10 et étant solidarisé à ce dernier, et s' étendant depuis le substrat 2 jusqu'à l'objet 4. Therefore, it can be seen that the lower support pads 6 'and upper 6' 'are in fact combined in the form of a single support pin 6 passing through the second assembly 10 and being secured thereto, and s extending from the substrate 2 to the object 4.

Dans ce premier mode de réalisation préféré, le premier ensemble 8 est solidaire du substrat 2, et est constitué par une pluralité d'électrodes 12 espacées les unes des autres et réparties autour du plot de soutien 6, la répartition étant judicieusement effectuée en fonction des positions spécifiques que l'on désire faire prendre au miroir 4 du dispositif 1. Préférentiellement, les électrodes 12, situées sur une partie supérieure du substrat 2 et recouvertes par un film isolant 14, sont disposées de manière à définir un anneau 12a entourant le plot de soutien 6, tout en restant espacées circonférentiellement les unes des autres. In this first preferred embodiment, the first assembly 8 is secured to the substrate 2, and is constituted by a plurality of electrodes 12 spaced from each other and distributed around the support pin 6, the distribution being suitably carried out according to specific positions which it is desired to raise the mirror 4 of the device 1. Preferably, the electrodes 12, located on an upper portion of the substrate 2 and covered by an insulating film 14, are arranged so as to define a ring 12a surrounding the stud support 6, while remaining spaced circumferentially from each other. Bien entendu, la disposition des électrodes 12 pourrait être tout autre, par exemple adaptée de manière à ce que ces électrodes 12 définissent un carré, sans sortir du cadre de l'invention. Of course, the arrangement of the electrodes 12 could be any other, for example adapted so that these electrodes 12 define a square, within the scope of the invention. De plus, elles sont chacune reliée à une source d'alimentation électrique (non représentée) , et réalisées dans un matériau conducteur classique tel qu'un métal ou du silicium dopé, et isolées les unes des autres à l'aide d'un élément isolant classique tel que l'air ou un oxyde. In addition, they are each connected to a power source (not shown), and carried out in a conventional conductive material such as metal or doped silicon and insulated from each other by using an element vector insulator such as air or an oxide. Par ailleurs, dans ce premier mode de réalisation préféré de la présente invention, le second ensemble 10 des moyens d'actionnement électrostatiques prend la forme d'un plateau rigide au moins partiellement électriquement conducteur 16, solidaire du plot de soutien 6 et situé à distance du substrat 2 et du miroir 4. A ce titre, notons que le plateau 16 peut être entièrement réalisé à l'aide d'un matériau électriquement conducteur tel que le silicium, l'aluminium et l'or, ou disposer seulement d'une paroi inférieure ou supérieure conductrice 16a. Furthermore, in this first preferred embodiment of the present invention, the second set 10 of the electrostatic actuating means takes the form of a rigid plate at least partially electrically conductive 16, integral with the support pin 6 and located at distance the substrate 2 and the mirror 4. in this respect, note that the tray 16 can be fully realized using an electrically conductive material such as silicon, aluminum and gold, or have only a bottom wall or top conductive 16a.

Par conséquent, le plateau 16, également relié à la source d'alimentation électrique, est libre par rapport au miroir 4, dans la mesure où aucune liaison mécanique directe n'existe entre ces deux éléments. Therefore, the plate 16, also connected to the power source, is free relative to the mirror 4, to the extent that no direct mechanical coupling exists between these two elements.

D'autre part, lorsque les moyens d'actionnement électrostatiques sont dans un état inactivé tel que représenté sur la figure 1, c'est-à- dire lorsque la tension d'alimentation appliquée entre les premier et second ensembles 8 et 10 par la source d'alimentation électrique est sensiblement nulle, le plateau 16 repose alors sensiblement parallèlement au substrat 2 et au miroir 4 du dispositif 1. On the other hand, when the electrostatic actuating means are in an unactivated state as illustrated in Figure 1, i.e. when the supply voltage applied between the first and second sets 8 and 10 by the power source is substantially zero, the plate 16 then rests substantially parallel to the substrate 2 and the mirror 4 of the device 1.

Préférentiellement, le plateau 16 est également de forme sensiblement circulaire, et dispose d'un diamètre légèrement inférieur à celui du miroir 4, et légèrement supérieur à celui de l'anneau 12a formé par les électrodes 12 du premier ensemble 8. Preferably, the tray 16 is also of substantially circular shape and has a diameter slightly smaller than that of the mirror 4, and slightly higher than the ring 12a formed by the electrodes 12 of the first set 8.

Il est en outre noté que dans ce premier mode de réalisation préféré ainsi que dans tous les autres modes de réalisation préférés décrits ci- dessous, l'unique plot de soutien 6 peut être situé indifféremment de façon centrée ou de façon excentrée sur le miroir 4 et le second ensemble 10 du dispositif 1. En référence à la figure 3, on peut apercevoir le dispositif 1 d'orientation selon le premier mode de réalisation préféré de la présente invention, lorsque les moyens d'actionnement électrostatiques sont dans un état activé, c'est-à-dire lorsqu'une certaine tension d'alimentation est appliquée entre le plateau 16 et une ou plusieurs électrodes 12 du premier ensemble 8. It is further noted that in this first preferred embodiment as well as in all other preferred embodiments described below, the sole support pad 6 may be located either centrically or eccentrically on the mirror 4 and the second set 10 of the device 1. with reference to Figure 3, one can see the device 1 orientation in the first preferred embodiment of the present invention, when the electrostatic actuating means is in an activated state, that is to say, when a certain power supply voltage is applied between the plate 16 and one or more electrodes 12 of the first set 8.

Comme on peut le voir sur cette figure 3, la tension d'alimentation appliquée aux moyens d'actionnement électrostatiques provoque un plaquage du plateau rigide 16 contre le substrat 2, ce plaquage prenant la forme d'un contact entre une portion d'extrémité du plateau 16, et une partie du substrat 2 située au droit de l'électrode ou des électrodes adjacentes 12 activées. As can be seen from this figure 3, the supply voltage applied to the electrostatic actuating means causes plating of the rigid plate 16 against the substrate 2, the plating in the form of a contact between an end portion of plate 16, and part of the substrate 2 situated on the right of the electrode or adjacent electrodes 12 activated. Ainsi, le mouvement du plateau rigide 16 génère une déformation du plot de soutien 6, réalisé préférentiellement dans un matériau flexible. Thus, the movement of the rigid plate 16 generates a deformation of the support pin 6, preferably made of a flexible material. Naturellement, le plot de soutien 6 pourrait être rigide et assemblé sur le substrat 2 à l'aide d'une liaison mécanique appropriée autorisant un pivotement du plot 6 selon l'ensemble des axes requis, sans sortir du cadre de l'invention. Naturally, the support pin 6 may be rigid and assembled onto the substrate 2 using an appropriate mechanical connection permitting pivoting of the pin 6 according to all of axes required, without departing from the scope of the invention.

Par conséquent, le mouvement du plateau rigide 16 provoquant la déformation ou le déplacement du plot de soutien 6 engendre également un mouvement du miroir 4 par rapport au substrat 2, ce mouvement étant stoppé par l'entrée en contact du plateau 16 et du substrat 2. Dans une telle configuration, le miroir 4 peut donc être fortement incliné par rapport au substrat 2, sans être en butée contre ce dernier. Therefore, the movement of the rigid plate 16, causing deformation or displacement of the support pin 6 also generates a movement of the mirror 4 with respect to the substrate 2, this movement being stopped by coming into contact with the plate 16 and the substrate 2 . in such a configuration, the mirror 4 can be strongly inclined relative to the substrate 2 without being in abutment against the latter.

Par ailleurs, il est précisé à titre d'exemple que lorsque le dispositif 1 se trouve dans un état activé tel que celui représenté sur la figure 3, dans lequel une électrode 12 est activée, il est alors possible de modifier le positionnement du miroir 4 en activant une électrode adjacente 12. Dans ce cas, la distance entre l'électrode adjacente 12 et le plateau rigide 16 est très faible en raison de l'inclinaison initiale du plateau 16, et la tension d'alimentation à appliquer entre l'électrode adjacente 12 et le plateau 16 pour provoquer un changement d'axe d'inclinaison du miroir 4 est par conséquent avantageusement peu importante . Furthermore, it is specified by way of example that when the device 1 is in an activated state such as that shown in Figure 3, wherein an electrode 12 is activated, it is then possible to modify the positioning of the mirror 4 by activating an adjacent electrode 12. in this case, the distance between the adjacent electrode 12 and the rigid plate 16 is very low due to the initial inclination of the plate 16, and the supply voltage to be applied between the electrode 12 and adjacent plate 16 to cause a change of the mirror tilt axis 4 is therefore preferably small.

En référence aux figures 4 et 5, il est représenté un dispositif 100 d'orientation d'un objet, selon un second mode de réalisation préféré de la présente invention. Referring to Figures 4 and 5, there is shown a device 100 orientation of an object, according to a second preferred embodiment of the present invention.

Il est tout d'abord indiqué que les éléments du dispositif 100 représentés sur les figures 4 et 5 portant les mêmes références numériques que des éléments du dispositif 1 représentés sur les figures 1 à 3, correspondent à des éléments identiques ou similaires . It is first shown that the elements of the device 100 shown in Figures 4 and 5 with the same reference numerals as the elements of the device 1 shown in Figures 1 to 3 correspond to identical or similar elements.

A ce titre, on s'aperçoit que le dispositif d'orientation 100 comporte un substrat 2, un miroir 4, un plot de soutien 6 et . To this end, we find that the orientation device 100 comprises a substrate 2, a mirror 4, a support pin 6 and. un premier ensemble 8, l'ensemble de ces éléments étant agencés de manière similaire à celle rencontrée dans le premier mode de réalisation préféré. a first assembly 8, the assembly of these elements being arranged similar to that encountered in the first preferred embodiment.

Ainsi, le premier ensemble 8 des moyens d'actionnement électrostatiques comporte une pluralité d'électrodes 12 espacées les unes des autres et recouvertes par un film isolant 14, ces électrodes 12 étant réparties sur le substrat 2 autour du plot de soutien 6, de manière à définir un anneau 12a tel que représenté sur la figure 2. De plus, elles sont chacune reliée à une source d'alimentation électrique (non représentée) , et réalisées dans un matériau conducteur classique tel qu'un métal ou du silicium dopé, et isolées les unes des autres à l'aide d'un élément isolant classique tel que l'air ou un oxyde. Thus, the first set of 8 electrostatic actuating means comprises a plurality of electrodes 12 spaced apart from each other and covered by an insulating film 14, the electrodes 12 being spread over the substrate 2 around the support pin 6, so to define a ring 12a as shown in Figure 2. in addition, they are each connected to a power source (not shown), and carried out in a conventional conductive material such as metal or doped silicon, and isolated from each other using a conventional insulator such as air or an oxide.

Dans ce second mode de réalisation préféré de la présente invention, les moyens d' actionnement électrostatiques comprennent également un second ensemble 110 électriquement conducteur, solidaire du plot de soutien 6 et situé à distance du substrat 2 et du miroir 4. In this second preferred embodiment of the present invention, the means of electrostatic actuator also includes a second electrically conductive assembly 110, secured to the support pin 6 and located remotely from the substrate 2 and the mirror 4.

A la différence du second ensemble 10 du dispositif 1 selon le premier mode de réalisation préféré, le second ensemble 110 du dispositif 100 prend la forme d'une membrane flexible 116, disposant d'une paroi inférieure 116a électriquement conductrice. Unlike the second assembly 10 of the device 1 according to the first preferred embodiment, the second set 110 of the device 100 takes the form of a flexible membrane 116, having a bottom wall 116a electrically conductive. Préférentiellement, la membrane flexible 116 est entièrement réalisée à l'aide d'un matériau électriquement conducteur tel que du silicium monocristallin ou du silicium polycristallin. Preferably, the flexible membrane 116 is entirely carried out using an electrically conductive material such as monocrystalline silicon or polycrystalline silicon. Bien entendu, cette membrane 116 est également reliée à la source d'alimentation électrique, et est libre par rapport au miroir 4, dans la mesure où aucune liaison mécanique directe n'existe entre ces deux éléments. Of course, the membrane 116 is also connected to the power source, and is free with respect to the mirror 4, to the extent that no direct mechanical coupling exists between these two elements.

D'autre part, lorsque les moyens d'actionnement électrostatiques sont dans un état inactivé tel que celui représenté sur la figure 4, c'est-à-dire lorsque la tension d'alimentation appliquée entre les premier et second ensembles 8 et 110 par la source d'alimentation électrique est sensiblement nulle, la membrane 116 repose alors sensiblement parallèlement au substrat 2 et au miroir 4 du dispositif 100. On the other hand, when the electrostatic actuating means are in an unactivated state such as that shown in Figure 4, that is to say when the power supply voltage applied between the first and second sets 8 and 110 per the power source is substantially zero, the membrane 116 then rests substantially parallel to the substrate 2 and the mirror 4 of the device 100.

Préférentiellement, la membrane 116 est également de forme sensiblement circulaire, et dispose d'un diamètre légèrement inférieur à celui du miroir 4, et légèrement supérieur à celui de l'anneau 12a formé par les électrodes 12 du premier ensemble 8. Preferably, the diaphragm 116 is also substantially circular in shape and has a diameter slightly smaller than that of the mirror 4, and slightly higher than the ring 12a formed by the electrodes 12 of the first set 8.

En référence à la figure 5, on peut apercevoir le dispositif 100 d'orientation selon le second mode de réalisation préféré de la présente invention, lorsque les moyens d'actionnement électrostatiques sont dans un état activé, c'est-à-dire lorsqu'une certaine tension d'alimentation est appliquée entre la membrane 116 et une ou plusieurs électrodes 12 du premier ensemble 8. Comme on peut le voir sur cette figure 5, la tension d'alimentation appliquée aux moyens d' actionnement électrostatiques provoque un plaquage de la membrane flexible 116 contre le substrat 2 du dispositif 100. Ce plaquage prend la forme d'un contact plan entre une portion 118 de la membrane 116 initialement située en regard de l'électrode ou des électrodes adjacentes 12 activées, et une partie du substrat 2 située au droit de cette électrode ou des ces électrodes 12 activées. Referring to Figure 5, one can see the device 100 orientation according to the second preferred embodiment of the present invention, when the electrostatic actuating means is in an activated state, that is to say when a certain voltage is applied between the diaphragm 116 and one or more electrodes 12 of the first assembly 8. As seen in this figure 5, the supply voltage applied to the means of electrostatic actuation causes a pressing of the flexible membrane 116 against the substrate 2 of the device 100. This plating takes the form of a contact plane between a portion 118 of the diaphragm 116 initially located opposite the electrode or adjacent electrodes 12 activated, and a portion of the substrate 2 situated in line with the electrode or the electrodes 12 activated. Ainsi, le mouvement de la membrane flexible 116 génère une déformation du plot de soutien 6, et provoque par conséquent un mouvement du miroir 4 par rapport au substrat 2, ce mouvement étant stoppé par l'équilibre entre la force d'attraction électrostatique et la force de rappel générée par la flexion du plot 6 et la flexion de la membrane 116. Dans une telle configuration, le miroir 4 peut donc être fortement incliné par rapport au substrat 2, sans être en butée contre ce dernier. Thus, the movement of the flexible membrane 116 produces a deformation of the support pin 6, and consequently causes a movement of the mirror 4 with respect to the substrate 2, this movement being halted by the balance between the electrostatic attraction force and the return force generated by the bending of the stud 6 and the bending of the membrane 116. in such a configuration, the mirror 4 can be strongly inclined relative to the substrate 2 without being in abutment against the latter. Par ailleurs, il est précisé à titre d'exemple que lorsque le dispositif 100 se trouve dans un état activé tel que celui représenté sur la figure 5, dans lequel une électrode 12 est activée, il est alors possible de modifier l'axe d'inclinaison du miroir 4 en activant une électrode adjacente 12, et en réitérant cette action autant de fois que nécessaire, afin d'obtenir une inclinaison du miroir 4 selon l'axe souhaité. Furthermore, it is specified by way of example that when the device 100 is in an activated state such as that shown in Figure 5, wherein an electrode 12 is activated, it is then possible to modify the axis of inclination of the mirror 4 by activating an adjacent electrode 12, and by repeating this action as many times as necessary to obtain an inclination of the mirror 4 according to the desired axis. A ce titre, il est à noter que la portion 118 de la membrane 116 plaquée contre le substrat 2 suite à l'activation d'une électrode 12 se prolonge circonférentiellement de part et d'autre par une portion déformée 120 (une seule d'entre elles étant représentée) , très rapprochée des électrodes 12 directement adjacentes à celle ayant été actionnée. In this respect, it is noted that the portion 118 of the membrane 116 pressed against the substrate 2 following the activation of an electrode 12 circumferentially extends on either side by a deformed portion 120 (only one of which is shown), very close the electrodes 12 directly adjacent to that having been pressed.

Ainsi, la distance entre l'électrode adjacente 12 et la portion déformée 120 est très faible, et la tension d'alimentation à appliquer entre l'électrode adjacente 12 et la membrane flexible 116 pour provoquer un changement de position du miroir 4 est par conséquent avantageusement peu importante. Thus, the distance between adjacent electrode 12 and the deformed portion 120 is very low, and the supply voltage to be applied between the adjacent flexible membrane 12 and the electrode 116 to cause a change of position of the mirror 4 is therefore advantageously small. En référence conjointement aux figures 6 et Referring jointly to Figures 6 and

7, il est représenté un dispositif 200 d'orientation d'un objet, selon un troisième mode de réalisation préféré de la présente invention. 7, there is shown a device 200 orientation of an object, according to a third preferred embodiment of the present invention.

Il est tout d'abord indiqué que les éléments du dispositif 200 représentés sur les figures 6 à 9 portant les mêmes références numériques que des éléments des dispositifs 1 et 100 représentés sur les figures 1 à 5, correspondent à des éléments identiques ou similaires. It is first noted that the elements of the device 200 shown in Figures 6-9 bear the same reference numerals as the elements of the devices 1 and 100 shown in Figures 1 to 5, correspond to identical or similar elements. A ce titre, on s'aperçoit que le dispositif d'orientation 200 comporte un substrat 2, un miroir 4, un plot de soutien 6 et un second ensemble 110, l'ensemble de ces éléments étant agencés de manière similaire à celle rencontrée dans les premier et second modes de réalisation préférés. To this end, we find that the orientation device 200 comprises a substrate 2, a mirror 4, a support pin 6 and a second set 110, all these elements being arranged in a manner similar to that found in the first and second preferred embodiments.

Ainsi, le second ensemble 110 des moyens d'actionnement électrostatiques est constitué par une membrane flexible 116, disposant d'une paroi inférieure 116a électriquement conductrice. Thus, the second assembly 110 of the electrostatic actuating means is constituted by a flexible membrane 116, having a bottom wall 116a electrically conductive. Préférentiellement, la membrane flexible 116 est entièrement réalisée à l'aide d'un matériau électriquement conducteur tel que du silicium monocristallin ou du silicium polycristallin. Preferably, the flexible membrane 116 is entirely carried out using an electrically conductive material such as monocrystalline silicon or polycrystalline silicon. De plus, cette membrane 116 est reliée à une source d'alimentation électrique (non représentée), et est libre par rapport au miroir 4, dans la mesure où aucune liaison mécanique directe n'existe entre ces deux éléments . In addition, the diaphragm 116 is connected to a power source (not shown), and is free with respect to the mirror 4, to the extent that no direct mechanical coupling exists between these two elements.

Le premier ensemble 208 du dispositif 200 prend la forme d'une pluralité d'électrodes 212 espacées les unes des autres et réparties autour du plot de soutien 6, la répartition étant judicieusement effectuée en fonction des positions spécifiques que l'on désire faire prendre au miroir 4 du dispositif 1. Les électrodes 212, situées sur une partie supérieure du substrat 2 et recouvertes par un film isolant 14, sont disposées de manière à définir une pluralité d'anneaux concentriques 212a, 212b, 212c, 212d entourant le plot de soutien 6, tout en restant espacées circonférentiellement et radialement les unes des autres. The first set 208 of the device 200 takes the form of a plurality of electrodes 212 spaced from each other and distributed around the support pin 6, the distribution being suitably carried out according to the specific positions that it is desired to take mirror 4 of the device 1. the electrodes 212 located on an upper portion of the substrate 2 and covered by an insulating film 14, are arranged to define a plurality of concentric rings 212a, 212b, 212c, 212d surrounding the support pad 6, while being circumferentially spaced and radially from each other. De plus, elles sont chacune reliées à la source d'alimentation électrique, et réalisées dans un matériau conducteur classique tel qu'un métal ou du silicium dopé, et isolées les unes des autres à l'aide d'un élément isolant classique tel que l'air ou un oxyde . Moreover, they are each connected to the power source, and implemented in a conventional conductive material such as metal or doped silicon, and isolated from each other using a conventional insulator such as air or an oxide. Lorsque les moyens d' actionnement électrostatiques sont dans un état inactivé tel que celui représenté sur la figure 6, c'est-à-dire lorsque la tension d'alimentation appliquée entre les premier et second ensembles 208 et 110 par la source d'alimentation électrique est sensiblement nulle, la membrane 116 repose alors sensiblement parallèlement au substrat 2 et au miroir 4 du dispositif 200. When the means of electrostatic actuation are in an unactivated state such as that shown in Figure 6, that is to say when the power supply voltage applied between the first and second sets 208 and 110 by the power source power is substantially zero, the membrane 116 then rests substantially parallel to the substrate 2 and the mirror 4 of the device 200.

En référence à la figure 8, on peut apercevoir le dispositif 200 d'orientation selon le troisième mode de réalisation préféré de la présente invention, lorsque les moyens d'actionnement électrostatiques sont dans un état activé, c'est-à-dire lorsqu'une certaine tension d'alimentation est appliquée entre la membrane 116 et une ou plusieurs électrodes 212 du premier ensemble 208. Notons que dans la configuration représentée, seules une ou plusieurs électrodes 212 de l'anneau 212a disposant du plus grand diamètre ont été actionnées. Referring to Figure 8, one can see the device 200 orientation according to the third preferred embodiment of the present invention, when the electrostatic actuating means is in an activated state, that is to say when a certain voltage is applied between the diaphragm 116 and one or more electrodes 212 of the first set 208. Note that in the configuration shown, only one or more electrodes 212 of the ring 212 with the largest diameter are pressed.

La tension d'alimentation appliquée aux moyens d'actionnement électrostatiques provoque un plaquage de la membrane flexible 116 contre le substrat 2 du dispositif 200. Comme indiqué dans le second mode de réalisation préféré, ce plaquage prend la forme d'un contact plan entre une portion 118 de la membrane 116 initialement située en regard de l'électrode ou des électrodes adjacentes 212 activées du même anneau 212a, et une partie du substrat 2 située au droit de cette électrode ou des ces électrodes 212 activées. The supply voltage applied to the electrostatic actuating means causes a pressing of the flexible membrane 116 against the substrate 2 of the device 200. As shown in the second preferred embodiment, this plating takes the form of a plane contact between a portion 118 of the diaphragm 116 initially located opposite the electrode or adjacent electrodes 212 activated the same ring 212a, and a portion of the substrate 2 situated in line with the electrode or the electrodes 212 activated. Notons comme cela est visible sur la figure 8 que la portion plaquée 118 constitue une portion périphérique de la membrane flexible 116. It should be noted as can be seen in Figure 8 that the plated portion 118 is a peripheral portion of the flexible diaphragm 116.

Ainsi, le mouvement de la membrane flexible 116 génère une déformation du plot de soutien 6, et provoque par conséquent un mouvement du miroir 4 par rapport au substrat 2, ce mouvement étant stoppé par l'entrée en contact de la membrane 116 et du substrat 2. Dans une telle configuration, le miroir 4 peut donc être légèrement incliné par rapport au substrat 2. Thus, the movement of the flexible membrane 116 produces a deformation of the support pin 6, and consequently causes a movement of the mirror 4 with respect to the substrate 2, this movement being stopped by coming into contact with the membrane 116 and the substrate 2. in such a configuration, the mirror 4 can be slightly inclined relative to the substrate 2.

Comme cela a été indiqué ci-dessus dans le second mode de réalisation préféré, il est facilement possible de changer l'axe d'inclinaison du miroir 4 en actionnant une électrode adjacente 212 du même anneau 212a, à l'aide d'une tension d'alimentation relativement faible autorisée par la petite distance existante entre cette électrode adjacente 212 et la portion déformée 120 prolongeant circonférentiellement la portion plaquée 118 de la membrane 116. As has been indicated above in the second preferred embodiment, it is easily possible to change the mirror 4 tilt axis by actuating an adjacent electrode 212 on the same ring 212, with a voltage relatively low power allowed by the small distance existing between the adjacent electrode 212 and the deformed portion 120 circumferentially extending pressed portion 118 of the diaphragm 116.

Par ailleurs, notons que lorsque le dispositif 200 se trouve dans un état activé tel que celui représenté sur la figure 8, dans lequel une électrode 12 est activée, il est alors possible de modifier le positionnement du miroir 4 en activant une électrode adjacente 212 appartenant à l'anneau 212b directement et intérieurement adjacent. Furthermore, note that when the device 200 is in an activated state such as that shown in Figure 8, wherein an electrode 12 is activated, it is then possible to modify the positioning of the mirror 4 by activating an adjacent electrode 212 belonging to the ring 212b and internally directly adjacent. Dans ce cas, comme on peut l'apercevoir sur la figure 9, l'axe d'inclinaison du miroir 4 reste sensiblement inchangé, tandis que l'angle formé entre ce miroir 4 et le substrat 2 est alors légèrement accentué, en raison d'une déformation plus importante de la membrane flexible 116. En effet, la portion plaquée 118 de la membrane 116 s'étend sur deux électrodes 212 appartenant à deux anneaux adjacents 212a et 212b, ce qui provoque une augmentation simultanée d'une part de la surface de plaquage entre la membrane 116 et le substrat 2, et d'autre part de la déformation du plot de soutien 6. De cette manière, en répétant l'action décrite ci-dessus pour chacun des anneaux d'électrodes restants 212c et 212d, il est possible de faire varier progressivement l'angle d'inclinaison du miroir 4 par rapport au substrat 2, en passant constamment par des positions stables et précises, assurées par la mise en butée de la membrane flexible 116 contre le substrat 2. A ce titre, il est In this case, as can be seen in FIG 9, the tilting axis of the mirror 4 remains substantially unchanged, while the angle formed between the mirror 4 and the substrate 2 is then increased slightly, due to a greater deformation of the flexible membrane 116. in fact, the plated portion 118 of the membrane 116 extends over the two electrodes 212 belonging to two adjacent rings 212a and 212b, causing a simultaneous increase of the one part of the plating surface between the diaphragm 116 and the substrate 2, and on the other hand the deformation of the support pin 6. in this way, by repeating the action described above for each of the rings remaining electrodes 212c and 212d it is possible to gradually vary the mirror tilt angle 4 with respect to substrate 2 by constantly passing through stable and precise positions, performed by the abutment of the flexible membrane 116 against the substrate 2. A as such, it is à noter que la portion 118 de la membrane 116 plaquée contre le substrat 2 suite à l'activation d'une électrode 212 se prolonge radialement par une autre portion déformée 122, également très rapprochée des électrodes 212 directement adjacentes à celle ayant été actionnée, et appartenant à l'anneau 212b directement et intérieurement adjacent à l'anneau 212a. Note that the portion 118 of the membrane 116 pressed against the substrate 2 following the activation of an electrode 212 is extended radially by another deformed portion 122, also very close electrodes 212 directly adjacent to that having been operated, and belonging to the ring 212b and internally directly adjacent to the ring 212a.

Ainsi, ici encore, la tension d'alimentation à appliquer entre l'électrode adjacente 212 et la membrane flexible 116 pour provoquer un changement de l'angle d'inclinaison du miroir 4 est par conséquent avantageusement peu importante. Thus, again, the supply voltage to be applied between the adjacent electrode 212 and the flexible membrane 116 to cause a change of the tilt angle of the mirror 4 is therefore preferably small. De plus, la partie déformée 122 se déplaçant progressivement vers le plot de soutien 6 du dispositif 200 au fur et à mesure que l'on actionne les différents anneaux, la tension d' alimentation à appliquer aux moyens d'actionnement électrostatiques reste toujours faible, même dans le cas où l'angle d'inclinaison du miroir 4 est très élevé. In addition, the deformed portion 122 moving progressively toward the support pin 6 of the device 200 as and as one actuates the various rings, the supply voltage to be applied to electrostatic actuating means remains low, even in the case where the inclination angle of the mirror 4 is very high.

Enfin, il est indiqué qu'avec un tel dispositif de réflexion 200, le miroir 4 est apte à être incliné d'un angle de l'ordre de ±10° par rapport au substrat 2, à l'aide d'une tension d'alimentation des moyens d'actionnement électrostatiques inférieure à environ 100 V. Finally, it is said that with such a device of reflection 200, the mirror 4 is adapted to be inclined at an angle of about ± 10 ° relative to the substrate 2, using a voltage feeding electrostatic actuating means less than about 100 V.

En référence à la figure 10, il est partiellement représenté un dispositif 300 d'orientation d'un objet, selon un quatrième mode de réalisation préféré de la présente invention. Referring to Figure 10, there is partially shown an orienting device 300 of an object, according to a fourth preferred embodiment of the present invention.

Il est tout d'abord indiqué que les éléments du dispositif 300 représentés sur la figure 10 portant les mêmes références numériques que des éléments des dispositifs 100 et 200 représentés sur les figures 4 à 9, correspondent à des éléments identiques ou similaires. It is first noted that the device 300 of the elements shown in Figure 10 bearing the same reference numerals as the elements of the devices 100 and 200 shown in Figures 4 to 9 correspond to identical or similar elements.

A ce titre, Il est précisé que le dispositif 300 peut prendre la forme de l'un quelconque des dispositifs 100 et 200 selon les second et troisième modes de réalisation préférés, à la différence que la membrane flexible 116, constituant le second ensemble 110 électriquement conducteur, est morcelée en une pluralité de languettes radiales 116a. In this respect, It is noted that the device 300 may take the form of any of the devices 100 and 200 according to the second and third preferred embodiments, except that the flexible membrane 116, constituting the second set 110 electrically conductor, is fragmented into a plurality of radial tongues 116a. Dans la configuration représentée sur la figure 10 où le dispositif 300 est similaire au dispositif d'orientation 200 selon le troisième mode de réalisation préféré de l'invention, les languettes 116a s'étendent chacune depuis le plot de soutien 6, et recouvrent une pluralité d'électrodes 212 appartenant chacune à un anneau 212a, 212b, 212c, 212d différent. In the configuration shown in Figure 10 where the device 300 is similar to the orientation device 200 according to the third preferred embodiment of the invention, the tabs 116a each extending from the support pin 6, and cover a plurality electrode 212 each belonging to a ring 212a, 212b, 212c, 212d different. Bien entendu, dans le cas non représenté où le dispositif 300 dispose d'un premier ensemble 8 comportant des électrodes 12 définissant un seul anneau 12a tel que celui représenté sur la figure 2, chacune des languettes radiales 116a recouvre une seule électrode 12. Of course, in the non-illustrated case where the device 300 has a first set comprising eight electrodes 12 defining a single ring 12a such as that shown in Figure 2, each of the radial tabs 116a covers one electrode 12.

De cette façon, la grande souplesse de la membrane flexible 116, procurée par son morcellement en plusieurs ^ languettes 116a, a pour conséquence de diminuer considérablement le temps de réponse du dispositif de réflexion 300, de sorte que les divers changements de positionnement du miroir 4 (non représenté) peuvent être opérés plus rapidement. In this way, the flexibility of the flexible membrane 116, provided by its fragmentation into several ^ tabs 116a, has the effect of considerably reducing the response time of the 300 reflection device, so that the various positioning changes the mirror 4 (not shown) can be operated more quickly. Notons à titre indicatif qu'afin de se prévaloir des mêmes avantages, la membrane flexible 116 pourrait être remplacée par une ou plusieurs barrettes Note for guidance in order to take advantage of the same benefits, the flexible membrane 116 could be replaced by one or more webs

(non représentées), chacune assemblée sur l'unique plot de soutien 6. En référence conjointement aux figures 11 et 12, il est représenté un dispositif 400 d'orientation d'un objet, selon un cinquième mode de réalisation préféré de la présente invention. (Not shown), each assembled on the sole support pad 6. Referring jointly to Figures 11 and 12, there is shown a device 400 orientation of an object, according to a fifth preferred embodiment of the present invention .

Il est tout d' abord indiqué que les éléments du dispositif 400 représentés sur les figures 11 et 12 portant les mêmes références numériques que des éléments des dispositifs 1, 100, 200 et 300 représentés sur les figures 1 à 10, correspondent à des éléments identiques ou similaires. It is first shown that the elements of device 400 shown in Figures 11 and 12 bearing the same reference numerals as the elements of the devices 1, 100, 200 and 300 shown in Figures 1 to 10, correspond to identical elements or the like. A ce titre, il est précisé que le dispositif d'orientation 400 peut prendre la forme de l'un quelconque des dispositifs 1, 100, 200 et 300 selon les quatre premiers modes de réalisation préférés décrits ci-dessus, à la différence que les premier et second ensembles au moins partiellement électriquement conducteurs comportent de plus chacun une zone d'amorçage. In this respect, it is specified that the orientation device 400 may take the form of any of the devices 1, 100, 200 and 300 according to the first four preferred embodiments described above, except that the first and second sets at least partially electrically conductive each further comprise a priming region. Bien entendu, les premier et second ensembles pourraient également chacun comprendre plusieurs zones d'amorçage, sans sortir du cadre de l'invention. Of course, the first and second sets could also each include multiple boot areas, within the scope of the invention. Dans la configuration représentée sur la figure 10 où le dispositif d'orientation 400 est similaire au dispositif d'orientation 200 selon le troisième mode de réalisation préféré de l'invention, on s'aperçoit que le second ensemble 110 comprend la membrane flexible 116, ainsi qu'une zone d'amorçage 420. In the configuration shown in Figure 10 wherein the orientation device 400 is similar to the orientation device 200 according to the third preferred embodiment of the invention, one realizes that the second set 110 includes the flexible membrane 116, and a firing zone 420.

La zone d'amorçage 420 est sensiblement circulaire, et attachée à une portion d'extrémité de la membrane 116, de manière à s'étendre au-delà de cette dernière. The firing zone 420 is substantially circular, and attached to an end portion of the diaphragm 116 so as to extend beyond the latter.

Par ailleurs, le premier ensemble 208 comprend en outre une zone d'amorçage 422 également sensiblement circulaire et de même dimension que la zone d'amorçage 420, située dans le même plan que les électrodes 212, et agencée extérieurement à celles-ci. Furthermore, the first assembly 208 further includes a boot area 422 also substantially circular and coextensive with the firing zone 420, located in the same plane as the electrodes 212, and arranged externally thereto. De plus, les zones d'amorçage 420 et 422 sont placées en regard l'une de l'autre, afin que lorsqu'une tension d'alimentation leur est appliquée, la zone d'amorçage 420 soit plaquée contre le substrat 2 du dispositif 400, comme cela est représenté sur la figure 11. In addition, priming areas 420 and 422 are placed facing each other so that when a supply voltage is applied thereto, the firing zone 420 is pressed against the substrate 2 of the device 400, as shown in Figure 11.

Ainsi, en ayant recours à de telles zones d'amorçage 420 et 422 dont les surfaces sont largement supérieures à celle des électrodes 212 du premier ensemble 208, la tension d'alimentation à appliquer entre ces zones pour provoquer leur plaquage n'est donc que très peu élevée. Thus, by using such priming areas 420 and 422 whose surfaces are much greater than that of the electrodes 212 of the first assembly 208, the supply voltage to be applied between these zones to cause their plating is thus that very low. Par ailleurs, notons que le plaquage observé a pour principale fonction de provoquer une légère déformation de la membrane flexible 116, afin que celle-ci se rapproche de l'anneau d'électrodes 212a disposant du plus grand diamètre. Furthermore, note that the observed plating main function is to cause a slight deformation of the flexible membrane 116, so that the latter approaches the ring electrode 212a with the largest diameter. De cette façon, contrairement aux divers cas rencontrés dans les modes de réalisation préférés précédents, la tension d'alimentation initiale à appliquer entre la membrane 116 et une première électrode 212 de l'anneau 212a est également très faible. In this way, unlike various cases encountered in the previous preferred embodiments, the initial power voltage to be applied between the diaphragm 116 and a first electrode 212 of the ring 212a is also very low.

Ainsi, avec un tel dispositif de réflexion 400, que ce soit pour plaquer les zones d'amorçage 420 et 422, plaquer la membrane flexible 116 contre une première électrode 212 de l'anneau 212a disposant du plus grand diamètre, accentuer l'inclinaison du miroir 4 en plaquant la membrane 116 contre une électrode 212 d'un anneau intérieur 212b, 212c ou 212d, changer d'axe d'inclinaison du miroir 4 en plaquant la membrane 116 contre une électrode adjacente 212 du même anneau 212a, la tension d'alimentation requise est toujours relativement faible, et la source d'alimentation électrique considérablement simplifiée. Thus, with such a reflection device 400, whether to press the ignition zones 420 and 422 flatten the flexible membrane 116 against a first electrode 212 of the ring 212 with the largest diameter, increase the inclination of the mirror 4 by plating the diaphragm 116 against an electrode 212 of an inner ring 212b, 212c or 212d, change of the mirror tilt axis 4 by plating the diaphragm 116 against an adjacent electrode 212 on the same ring 212a, the voltage the required power is still relatively low, and considerably simplified power source.

En référence à la figure 13, il est représenté un dispositif 500 d'orientation d'un objet, selon un sixième mode de réalisation préféré de la présente invention, constituant une alternative au dispositif 400 selon le cinquième mode de réalisation préféré. Referring to Figure 13, there is shown an orienting device 500 of an object, according to a sixth preferred embodiment of the present invention constituting an alternative to device 400 according to the fifth preferred embodiment.

Ainsi, de la même façon que précédemment, les éléments du dispositif 500 représentés sur la figure 13 portant les mêmes références numériques que des éléments des dispositifs 1, 100, 200 et 300 représentés sur les figures 1 à 10, correspondent à des éléments identiques ou similaires. Thus, in the same way as above, the elements of the device 500 shown in Figure 13 bearing the same reference numerals as the elements of the devices 1, 100, 200 and 300 shown in Figures 1 to 10, correspond to identical elements or Similar.

A ce titre, il est précisé que le dispositif d'orientation 500 peut prendre la forme de l'un quelconque des dispositifs 1, 100, 200 et 300 selon les quatre premiers modes de réalisation préférés décrits ci-dessus, à la différence que le premier ensemble électriquement conducteur comporte de plus une zone d'amorçage. In this respect, it is specified that the orientation device 500 may take the form of any of the devices 1, 100, 200 and 300 according to the first four preferred embodiments described above, except that the first electrically conductive assembly further comprises a firing zone.

Dans la configuration représentée sur la figure 13 où le dispositif d'orientation 500 est similaire au dispositif d'orientation 200 selon le troisième mode de réalisation préféré de l'invention, on s'aperçoit que le premier ensemble 208 comprend la pluralité d'électrodes 212, ainsi qu'une zone d'amorçage 522. In the configuration shown in Figure 13 wherein the orientation device 500 is similar to the orientation device 200 according to the third preferred embodiment of the invention, one realizes that the first assembly 208 includes the plurality of electrodes 212, and a firing zone 522.

Au même titre que certaines électrodes 212, la zone d'amorçage 522 constitue partiellement l'anneau 212a disposant du diamètre le plus important, et prend donc la forme d'une électrode de surface largement supérieure aux autres électrodes 212 du premier ensemble 208, dans la mesure où elle constitue une véritable portion angulaire de l'anneau 212a. As well as some electrodes 212, the boot area 522 partially constitutes the ring 212a with the largest diameter, and thus takes the form of a largely upper surface of electrode 212 to the other electrodes of the first set 208, in since it constitutes a true angular portion 212a of the ring. Ainsi, comme dans le cinquième mode de réalisation préféré, en ayant recours à une telle zone d'amorçage 522, la tension d'alimentation à appliquer entre cette zone 522 et la membrane flexible 116 pour provoquer le plaquage de celle-ci n'est donc que très peu importante, le plaquage observé ayant pour principale fonction de provoquer une déformation de la membrane flexible 116, afin que celle-ci se rapproche des électrodes 212 des anneaux 212a et 212b. Thus, as in the fifth preferred embodiment, by using such a firing zone 522, the supply voltage to be applied between the area 522 and the flexible membrane 116 to cause the plating thereof is therefore very few large, the plating observed whose main function is to cause deformation of the flexible membrane 116, so that the latter approaches the electrodes 212 of the rings 212a and 212b.

Par ailleurs, il est indiqué que le second ensemble 110 est raccordé électriquement par l'intermédiaire de bras de maintien 524 qui sont électriquement conducteurs. Furthermore, it is indicated that the second assembly 110 is electrically connected via support arm 524 which are electrically conductive. Les bras de maintien 524 sont de préférence conçus de façon à être extrêmement souples, de sorte qu'ils ne présentent quasiment aucune résistance au mouvement de l'ensemble 110 provoqué par 1' actionnement électrostatique. The retaining arms 524 are preferably designed to be extremely flexible, so that they hardly exhibit any resistance to movement of the assembly 110 caused by one electrostatic actuation.

En référence aux figures 14 à 17, il est représenté des variantes du premier mode de réalisation préféré de la présente invention. Referring to Figures 14-17, there are shown variations of the first preferred embodiment of the present invention. Il est précisé que ces variantes dans lesquelles le dispositif d'orientation 1 présente des plots de soutien inférieur et supérieur (s) distincts et séparés les uns des autres sont uniquement décrites dans le cas du premier mode de réalisation préféré de la présente invention, mais pourraient bien entendu s'appliquer à tout autre mode de réalisation préféré décrit ci-dessus, sans sortir du cadre de l'invention. It is stated that these variants in which the guide device 1 has upper and lower support pads (s) distinct and separate from each other are only described in the case of the first preferred embodiment of the present invention, but could of course be applied to any other preferred embodiment described above without departing from the scope of the invention.

Ainsi, tout d'abord en référence à la figure 14, on voit une première variante dans laquelle le dispositif 1 comporte un seul plot de soutien inférieur 6' établissant la jonction entre le substrat 2 et le second ensemble au moins partiellement électriquement conducteur 10. En effet, le plot de soutien inférieur 6' dispose d'une première extrémité 6' a solidaire du substrat 2, ainsi que d'une seconde extrémité 6'b solidaire du second ensemble 10. Par ailleurs, le dispositif 1 comporte également un seul plot de soutien supérieur 6' ' , se situant dans le prolongement du plot 6' et ayant sensiblement la même section. Thus, firstly with reference to Figure 14, a first embodiment is seen in which the device 1 includes a single lower support pin 6 'establishing the junction between the substrate 2 and the second set at least partially electrically conductive 10. Indeed, the lower support pin 6 'has a first end 6' is secured to the substrate 2, and a second end integral with the second 6'b assembly 10. Furthermore, the device 1 also comprises a single upper support pin 6 '', located in the extension of the pad 6 'and having substantially the same section. Comme on peut le voir sur cette figure 14, le plot de soutien supérieur 6' ' est agencé fixement entre le second ensemble 10 et le miroir 4, et dispose donc d'une première extrémité 6' 'a solidaire du second ensemble 10, ainsi que d'une seconde extrémité 6''b solidaire de l'objet 4. As can be seen in this FIG 14, the upper support pin 6 '' is arranged fixedly between the second assembly 10 and the mirror 4 and thus has a first end 6 '' is secured to the second assembly 10, and that a second 6''b end integral with the object 4.

Avec un tel assemblage dans lequel les deux plots superposés 6' et 6' ' sont distincts et séparés par le second ensemble électriquement conducteur 10, la fabrication du dispositif d'orientation 1 est simplifiée de manière significative par rapport à la fabrication d'un dispositif similaire dont le plot de soutien unique 6 s'étend d'un seul tenant entre le substrat et le miroir en formant conjointement les plots de soutien inférieur et supérieur, et autour duquel il est nécessaire de solidariser le second ensemble conducteur (figure 1) . With such an assembly wherein the two superposed pads 6 'and 6' 'are distinct and separated by the second electrically conductive assembly 10, manufacturing of the steering device 1 is simplified significantly in relation to the manufacture of a device similar whose sole support pad 6 extends integrally between the substrate and the mirror together forming the lower and upper support pads and around which it is necessary to secure the second conductor arrangement (Figure 1). La figure 15 montre une autre variante dans laquelle l'unique plot de soutien supérieur 6'' est agencé de façon excentrée par rapport à l'unique plot de soutien inférieur 6', les plots 6' et 6'' disposant préférentiellement de la même section. Figure 15 shows another variant wherein the upper support single pin 6 '' is arranged eccentrically with respect to the single lower support pad 6 ', the pins 6' and 6 '' preferably have the same section. Ainsi, il est possible d'obtenir à la fois une rotation du miroir 4 par l'intermédiaire du plot de soutien inférieur 6', et/ou une translation de ce miroir 4 selon un axe longitudinal (non représenté) du plot de soutien supérieur 6'', par exemple par l'intermédiaire d'un dispositif de mise en mouvement (non représenté) monté sur ce même plot de soutien 6' ' . Thus, it is possible to obtain both a rotation of the mirror 4 by means of the lower support pin 6 'and / or translation of this mirror 4 along a longitudinal axis (not shown) of the upper support pad 6 '', for example by means of a movement device (not shown) mounted on the same support pin 6 ''. Toujours dans le cas où le dispositif d'orientation 1 ne comporte qu'un unique plot de soutien inférieur 6' ainsi qu'un unique plot de soutien supérieur 6'', en référence à la figure 16, on peut prévoir que le plot 6' dispose d'une section inférieure à celle du plot 6' ' , ces deux plots 6' et 6' ' étant agencés de manière à être sensiblement dans le prolongement l'un de l'autre. Always in the case where the orientation device 1 comprises only a single lower support pin 6 'and a single upper support pin 6' ', with reference to Figure 16, one can provide that the stud 6 'has a section smaller than the pin 6' ', these two pads 6' and 6 '' are arranged to be substantially in the extension of one another. De cette façon, il est possible d'assurer un bon maintien du miroir 4 sur la plot 6' ' grâce à la section relativement grande de ce dernier, tout en autorisant une bonne flexion du plot inférieur 6' en lui prévoyant une section moins importante . This way it is possible to ensure good holding of the mirror 4 on the pin 6 '' thanks to the relatively large section of the latter, while allowing a good flexion of the lower pin 6 'by providing him a lower section .

Enfin, comme on peut l'apercevoir sur la figure 17, on peut prévoir que la dispositif 1 comprend un unique plot de soutien inférieur 6' , et une pluralité de plots de soutien supérieurs 6' ' solidaires du miroir 4 et du second ensemble 10. Sur cette figure 17, à titre d'exemple illustratif, il a été représenté deux plots supérieurs 6' ' , de section sensiblement identique à celle du plot inférieur 6' . Finally, as can be seen in FIG 17, it can be provided that the device 1 comprises a single lower support pin 6 ', and a plurality of upper support pads 6' 'integral with the mirror 4 and the second set 10 . in this figure 17, as an illustrative example, it has been shown two upper pads 6 '', substantially identical section to that of the lower pad 6 '. Avantageusement, ces deux plots 6' ' , par exemple placés de part et d'autre du plot inférieur 6', permettent de réaliser un meilleur scellement entre le miroir 4 et le second ensemble au moins partiellement électriquement conducteur 10. Advantageously, these two pads 6 '', for example placed on either side of the lower pad 6 ', allow to achieve a better seal between the mirror 4 and the second set at least partially electrically conductive 10.

Il va à présent être décrit un exemple de procédé de fabrication d'un dispositif d' orientention d'un objet selon l'invention. There will now be described an exemplary method for manufacturing one of orientention device of an object according to the invention. En référence à la figure 18a, la première étape de ce procédé de fabrication consiste à prévoir un substrat 601 du type substrat SOI (de l'anglais « Silicium On Isolant », le substrat 601 étant composé d'une couche inférieure en silicium 602 ainsi que d'une couche supérieure en silicium 604, ces deux couches étant séparées par un film 606 en oxyde de silicium. Referring to Figure 18a, the first step of this manufacturing method includes providing a substrate 601 of the SOI type substrate (standing for "Silicon On Insulator", the substrate 601 being composed of a lower layer of silicon 602 and that an upper layer of silicon 604, these two layers being separated by a film 606 made of silicon oxide.

Comme on peut le voir sur la figure 18b, la couche supérieure 604 est gravée afin de faire apparaître un plot de soutien 608. As can be seen in Figure 18b, the top layer 604 is etched to show a support pad 608.

Ensuite, il est implanté des électrodes 610 dans la couche inférieure 602, ainsi que des pistes destinées à relier les électrodes aux pôles électriques situés à l'extérieur du dispositif, cette opération étant réalisée notamment en prévoyant une couche de résine 611 déposée sur le film 606, sur le plot de soutien 608, ainsi que sur le reste de la couche supérieure 604 (figure 18c) . Then it is implanted electrodes 610 in the lower layer 602, as well as tracks for connecting the electrodes to the electric poles located outside the device, this operation being carried out in particular by providing a resin layer 611 deposited on the film 606, the support pad 608, as well as the rest of the top layer 604 (Figure 18c). A titre indicatif, il est précisé que la couche de résine 611 a pour but de protéger les zones non-destinées à être implantées. As an indication, it is specified that the resin layer 611 is designed to protect non-intended to be implanted areas.

En référence à la figure 18d, le film 606 servant d'oxyde d'implantation est alors retiré par désoxydation, puis remplacé par un film isolant 612, recouvrant la couche inférieure 602, les électrodes 610, le plot de soutien 608, ainsi que le reste de la couche supérieure 604. Par la suite, comme représenté sur la figure 18e, il est procédé au scellement moléculaire d'une couche mince de silicium 614, sur le film isolant 612, au-dessus du plot de soutien 608 et du reste de la couche supérieure 604 du substrat 601. Comme on peut l'apercevoir sur la figure Referring to Figure 18d, the film 606 serving as an implant oxide is then removed by deoxidation, and then replaced with an insulating film 612 covering the lower layer 602, the electrodes 610, the support pad 608, as well as remainder of the upper layer 604. Thereafter, as shown in Figure 18e, there shall be a molecular sealing of a thin silicon layer 614, on the insulating film 612, over the support pad 608 and the remainder of the upper layer 604 of the substrate 601. As can be seen in FIG

18f, il est alors possible de graver cette couche mince 614 en silicium, afin d'obtenir des bras de maintien 616, ainsi que des électrodes (non représentées) , agencées en regard des électrodes 610 solidaires de la couche inférieure 602 du substrat 601. Notons également à titre indicatif que les bras de maintien 616 peuvent être utilisés pour alimenter les électrodes gravées sur la couche mince de silicium 614. 18f, it is possible to burn this thin layer 614 of silicon, in order to obtain the holding arm 616, and electrodes (not shown) arranged opposite the electrodes 610 integral with the lower layer 602 of the substrate 601. note also an indication that the retaining arms 616 may be used to supply the electrodes etched on the thin silicon layer 614.

Simultanément aux opérations précédentes représentées sur les figures 18a à 18f, le procédé de fabrication du dispositif d'orientation d'un objet comporte une étape consistant à prévoir un autre substrat 618, également du type substrat SOI, le substrat 618 étant composé d'une couche inférieure en silicium 620 ainsi que d'une couche supérieure en silicium 622, ces deux couches étant séparées par un film 624 en oxyde de silicium (figure 18g) . Simultaneously with the above operations shown in Figures 18a to 18f, the manufacturing process of the steering device of an object includes a step of providing a further substrate 618, also of the SOI type substrate, the substrate 618 being composed of a lower layer of silicon 620 and a silicon top layer 622, these two layers being separated by a film 624 of silicon oxide (Figure 18g).

Comme on peut le voir sur la figure 18h, la couche supérieure 622 est ensuite gravée plusieurs fois pour faire apparaître d'une part un miroir 626, et d'autre part un plot de soutien 628, solidaire du miroir 626 et situé au-dessus de celui-ci. As can be seen in Figure 18h, the top layer 622 is then etched several times to display firstly a mirror 626, and secondly a support pad 628 secured to the mirror 626 and located above of it.

Par la suite, le substrat 618 est recouvert d'un oxyde scellement, prenant la forme d'un film 630 déposé sur le miroir 626, sur le plot de soutien 628, sur le film 624, ainsi que sur le reste de la couche supérieure 622 du substrat 618, comme cela est représenté sur la figure 18i. Thereafter, the substrate 618 is covered with a sealing oxide, in the form of a film 630 deposited on the mirror 626, the support pad 628, on the film 624, as well as the rest of the top layer 622 of substrate 618, as shown in FIG 18i.

Une fois ces deux séries d'opérations réalisées, le substrat 618 peut être retourné et scellé par adhésion au substrat 601, de sorte que la partie du film 630 recouvrant le plot de soutien 628 soit en contact avec la partie centrale de la couche mince 614 du substrat 601. Once these two series of operations performed, the substrate 618 may be returned and sealed by adhesion to the substrate 601, so that the portion of the film 630 covering the support pad 628 is in contact with the central portion of the thin layer 614 of the substrate 601.

Enfin, on peut alors procéder à l'élimination de la couche inférieure 620 du substrat 618, ainsi qu'à celle des films 624 et 630 de ce même substrat, par exemple à l'aide d'une technique de gravure RIE . Finally, we can then proceed with the removal of the lower layer 620 of the substrate 618, as well as that of the films 624 and 630 of the same substrate, for example using an RIE technique.

De cette façon, en référence à la figure 18k, on peut alors obtenir un dispositif d'orientation d'un objet tel qu'un miroir, comprenant un miroir 626, un plot de soutien supérieur 628, un second ensemble électriquement conducteur 614, un plot de soutien inférieur 608, ainsi qu'un support 602 muni d'électrodes 610 constituant le premier ensemble électriquement conducteur. In this way, with reference to Figure 18k, one can then obtain a steering device of an object such as a mirror, comprising a mirror 626, an upper support pad 628, a second set 614 of electrically conductive, a lower support pad 608 and a support 602 provided with electrodes 610 constituting the first set of electrically conductive.

Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l'homme du métier aux dispositifs d'orientation d'un objet 1, 100, 200, 300, 400, 500 qui viennent d'être décrits, uniquement à titre d'exemples non limitatifs. Naturally, various modifications can be made by the skilled person to guidance devices of an object 1, 100, 200, 300, 400, 500 which have been described solely as non-limiting examples.

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International ClassificationG02B26/08
Cooperative ClassificationG02B26/0841
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19 Aug 2004AKDesignated states
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22 Mar 2006122Ep: pct application non-entry in european phase