WO2004032183A3 - Realisation d'un substrat semiconducteur demontable et obtention d'un element semiconducteur. - Google Patents

Realisation d'un substrat semiconducteur demontable et obtention d'un element semiconducteur. Download PDF

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Chrystelle Lagahe
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Abstract

L'invention concerne un Procédé de réalisation d'un substrat semiconducteur démontable, comprenant les étapes suivantes : - introduction d'espèces gazeuses dans le substrat (1) selon des conditions permettant la constitution d'une couche fragilisée par la présence dans cette couche de micro-cavités et/ou de micro­ bulles, une couche mince de matériau semiconducteur étant ainsi délimitée entre la couche fragilisée et une face (2) du substrat, - traitement thermique du substrat pour augmenter le niveau de fragilisation de la couche fragilisée, ce traitement thermique étant mené jusqu'à l'apparition de déformations locales de ladite face (2) du substrat (1) sous forme de cloques mais sans générer d'exfoliations de la couche mince lors de cette étape et au cours de la suite du procédé, - épitaxie de matériau semiconducteur (6) sur ladite face du substrat pour fournir au moins une couche épitaxiée sur ladite couche mince.
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