WO2002054390A1

WO2002054390A1 - Support d'enregistrement magnetique et son procede de fabrication, dispositif de stockage magnetique

Info

Publication number: WO2002054390A1
Application number: PCT/JP2001/011533
Authority: WO
Inventors: Satoshi Matsunuma; Akira Yano; Tsuyoshi Onuma; Takanobu Takayama; Harumi Hieida; Kouichirou Wakabayashi
Original assignee: Hitachi Maxell, Ltd.
Priority date: 2000-12-28
Filing date: 2001-12-27
Publication date: 2002-07-11
Also published as: CN1447966A; US6815098B2; KR100545692B1; KR20030057522A; US6602621B2; JPWO2002054390A1; US20030162057A1; TW561462B; JP3472291B2; US20020122959A1

Description

明細書磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記憶装置

技術分野

本発明は、磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記憶装置に関し、更に詳細には、ハードディスク、フロッピーディスクのようにヘッドが一時的または定常的に接触するタィプの磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記憶装置に関する。背景技術

近年の高度情報化社会の進展に対応して、情報記録装置の大容量化 ·高密度化に対するニーズほ高まる一方である。かかるニーズに応える情報記録装置の一つとして磁気記憶装置が知られている。磁気記憶装置は、例えば、大型サーバ一、並列型コンピュータ、パ一ソナルコンピュータ、ネッ卜ヮ一クサ一バ一、ム一ビ

—サーバー、モパイル P C等の大容量記憶装置として使用されている。磁気記憶装置は、情報が記録される磁気記録媒体と、磁気記録媒体の情報を記録再生するための磁気へヅドを備える。磁気記録媒体は、円板状の基板の上に記録層としてコノル卜合金などの強磁性薄膜がスパッタ法などにより形成されており、記録層上には、耐摺動性、耐食性を高めるために、保護膜と潤滑膜が形成されている。磁気記憶装置の大容量化に伴つて、磁気記録媒体の記録層に微細な記録磁区を記録することによる磁気記録媒体の記録密度の向上が進められており、記録磁区を微細に記録するための方法として垂直磁気記録方式が注目されている。垂直磁気記録方式では、垂直磁化を示す記録層を有する磁気記録媒体を用いて、記録層に垂直磁化を有する磁区を形成することによって磁気記録を行なう。かかる垂直磁気記録方式では記録層に微細な磁区を形成できるため磁気記録媒体の記録密度を高めることができる。かかる垂直磁気記録方式に従う磁気記録媒体の記録層の材料としては、従来、

C o— C r系の多結晶膜が用いられてきた。この多結晶膜は、強磁性を有する C oリツチな領域と非磁性の C rリツチな領域とが互いに分離された構造を有し、非磁性領域が、隣り合う強磁性領域の間で働く磁気的相互作用を断ち切つているこれにより高密度化と低ノイズを実現している。また、垂直磁気記録方式においては、磁気へ、ソドからの磁界を効率よく記録層に印加させるために、軟磁性材料からなる軟磁性層と、硬磁性材料からなり、情報を記録するための記録層とを組み合わせた 2層の磁性膜を備える磁気記録媒体が提案されている。磁気記録媒体の面記録密度を更に向上させるためには、媒体ノイズを低減させる必要がある。そのためには、磁ィ匕反転単位の微細化や読み取りへヅドの高感度化が有効なことがわかっている。このうち、磁化反転単位を微細化するには、磁性結晶粒を微細化すればよいことがわかっている。しかし、磁性結晶粒をあまり微細化してしまうと、磁性結晶粒の磁化状態が熱的に不安定になる、いわゆる熱減磁を起こしてしまう。これを防ぐために、例えば、特開平 8— 3 0 9 5 1号公報には、非磁性基板上に、軟磁性層、炭素からなる第 1中間層、第 2中間層及び人工格子構造を持つ記録膜を順に積層した磁気記録媒体が開示されている。ところで、磁気記録媒体の記録層として、上述の C o— C r系の多結晶膜よりも高い磁気異方性を有し、熱擾乱に対する耐性に優れる磁性層の研究が進められており、かかる磁性層として、例えば、 C oと P dもしくは C oと P tを交互に積層した人工格子多層膜（交互積層多層膜ともいう）や、 F eとP tもしくはC oと P tなどの合金膜を高温で熱処理することによって得られる規則格子合金膜などが知られている。これら人工格子多層膜や規則格子合金膜は、高い磁気異方性を有するため、熱擾乱に対しては高い耐性が期待される。しかしながら、これらの膜は C o— C r系多結晶膜と異なり、面内方向（基板表面に対して平行な方向）の磁気的相互作用が強いために小さな磁区が形成できず、転移性の媒体ノイズが大きいという欠点があった。前述の特開平 8— 3 0 9 5 1号公報に開示されている磁気記録媒体では、軟磁性層上に形成した炭素からなる第 1中間層の上に P tまたは P dからなる第 2中間層を設け、その上に C o / P tあるいは C o/ P d人工格子膜を形成することにより、人工格子膜の結晶配向を向上させ、垂直磁気異方性を高くして保磁力を向上させている。しかしながら、かかる磁気記録媒体では、記録層の面内方向の磁気的交換結合力が強くなり、線記録密度が高くなつたときにジッターとして現れる遷移ノイズが高くなつてしまい、高記録密度の記録再生は困難であった。また、第 1中間層と第 2中間層の 2つの中間層を用いているため、磁気へッドからの書き込み磁界カ軟磁性層まで有効に到達せず、飽和記録特性が劣るという問題があつた。特許公報第 2 7 2 7 5 8 2号には、耐蝕性、耐久性等の実用特性に優れるとともに、垂直磁気特性、磁気光学特性に優れる垂直磁気記録膜として、 F e、 C o、 N iのいずれかの酸ィ匕物あるいは任意の組み合わせによる複合酸ィ匕物からなる下地膜の上に C o - P t人工格子膜が積層されてなる垂直磁化膜が開示されている c 本発明は、上記従来技術の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、記録層の面内方向の磁気的交換結合力が低く、遷移ノイズが低減され、高 S/Nで情報を再生できる磁気記録媒体及びその製造方法を提供することにある c 本発明の別の目的は、優れた耐熱擾乱特性を備え、高い面記録密度で情報を記録してもその情報を高 S/ Nで再生できる磁気記憶装置を提供することにある。発明の開示本発明の第 1の態様に従えば、磁気記録媒体であって、

基板と；軟磁性層と；

F e酸化物を含む第 1シ一ド層と；

P d及び P tの一方と S と Nとを含む第 2シ一ド層と；

記録層と；を備える磁気記録媒体が提供される。本発明の第 1の態様の磁気記録媒体は、記録層の下地として、及び？セの一方と S i と Nとを含む第 2シード層を備え、更に、第 2シ一ド層の下地として F e酸化物を含む第 1シ一ド層を備えている。かかる第 1シ一ド層及び第 2シ一ド層は、例えば記録層を白金族元素と C oの人工格子膜から構成した場合に、その人工格子膜の結晶配向性及び結晶粒子の磁気的交換結合力を最適に制御することができる。本発明者らの研究によると、第 2シード層を例えば P d結晶のみから形成した場合、記録層に形成される記録磁区のサイズが大き〈なってしまい、微細な記録磁区を形成することができなかった。これは、第 2シード層を P d結晶のみから形成した場合、第 2シード層上には粒界が不明瞭な人工格子構造の記録層が形成され、記録層の結晶粒子間で働く面内方向における磁気的交換結合力が強くなつているためであると考えられる。本発明者らは、第 2シ一ド層を、 P d及び P t の一方と S iと Nとから構成したところ、記録層に微細な磁区を形成することができるとともにノイズも低減できることを見出した。これは以下の理由によると考れ第 2シード層を、 P d及び P tの一方と S i と Nとから構成すると、 P dまたは P tが S i N (或いは S i N網構造）中に微結晶或いは部分的非晶質構造として分散して存在すると考えられる。しかも、このような第 2シード層の S i N中の P dまたは P tの分散は、 F e酸化物を含む第 1シード層を下地として用いていることにより、後述する原理により一層促進されている。第 2シード層上に形成される人工格子構造を有する記録層は、分散した P dまたは P tを核として成長するため、第 2シード層上には、粒界が明瞭な人工格子膜が形成されると考えられる。したがって、人工格子構造の記録層の結晶粒子間で働く面内方向の磁気的交換結合力が低減され、遷移性ノイズが低減する。特に第 2シード層中の微量の Nは、 S iと結合することにより、 Pdまたは P tの分散を更に促進させることができるため、記録層の面内方向の磁気的交換結合力を更に弱めることができる。これにより遷移性ノイズをより一層低減することができる。ここで、 F e酸化物を含む第 1シ一ド層を第 2シード層の下地として用いることにより、第 2シード層の Si N中の Pdまたは Ptの分散が一層促進される理由について説明する。本発明者らの知見によると、第 2シ一ド層を構成する元素のうち金属元素である Pdまたは P tは、第 1シード層を構成する Fe酸化物に対して濡れ性が低い _c このため、 F e酸化物を含む第 1シ一ド層上に P dまたは P tを含む第 2シード層を形成したときに、 Fe酸化物に対して濡れ性の低い Pdまたは Ptは、表面張力により Fe酸化物の層上で一層分散して形成されると考えられる。このため、 Si N (或いは S i N網構造）中に微結晶或いは部分的非晶質構造として存在する Pdまたは P tの分散が一層促進されていると考えられる。このように、 Fe 酸ィ匕物を含む第 1シード層上に、 Pd及び P tの一方と S iと Nとを含む第 2シ —ド層を形成し、かかる第 2シード層上に記録層を形成することにより、上述の原理に従って、記録層には極めて微細な結晶粒子の集合体が形成される。微細な結晶粒子の集合体から構成された記録層には、微小な記録磁区を形成することができるとともに磁化遷移領域も極めて明瞭になるため、従来よりもノィズを低減することができる。本発明の第 1の態様の磁気記録媒体において、第 2シード層中の S i及び Nの含有量は、 S iが 10at%〜35at%、より望ましくは 20at%〜30&1:%の範囲内であり、 Nが 0. 1 at%〜5at%、より望ましくは 0. 5at%〜5at%の範囲内にあることが望ましい。第 2シード層中の S iと Nの含有量をかかる範囲に制御することにより、記録層の結晶配向と面内方向の磁気的交換結合力とを最適化することができる。これにより、記録層に微細な記録磁区を確実に形成することができるとともに、磁化遷移領域も明瞭となるためノィズを低減することができる。すなわち、ノイズの低減と分解能の向上を実現することができる。また、更に、第 2シード層は微量の C oを含み得る。この場合、第 2シード層中の S i 及び Nの含有量が上記範囲を満たしつつ、 C oの含有量が 1 at%〜1 03セ％の範囲内にあることが好ましい。また、第 2シ一ド層は、微結晶構造あるいは微結晶の構造内に部分的に非晶質が存在するような構造を有することが好ましい。本発明の第 1の態様の磁気記録媒体において、第 1シード層は F e酸化物に加え、金属として存在する F e (以下、 F e金属という）を含むことが好ましく、かかるシード層を備える磁気記録媒体は一層媒体ノイズを低減することができるその理由について以下に説明する。

F e酸ィ匕物に加えて F e金属を含んでいる第 1シード層は、 F e酸化物中に極めて微小な F e金属粒子が分散した状態であると考えられる。上述したように、 F e酸化物は、例えば第 2シ一ド層を構成する P dまたは P tに対して濡れ性が低い。一方、 F e金属は P dまたは P tに対して濡れ性が高い。そのため、 F e 金属粒子が F e酸ィ匕物中で分散した第 1シ一ド層上に P dまたは P tを堆積すると、 P dまたは P tは金属に選択的に吸着する。このとき、第 1シード層中の F e金属は極めて微小であるため、 F e金属に吸着した P dまたは P tは、前述の F e酸化物からなるシ一ド層上に形成した場合よりも一層微小となる。しかも、 F e金属の周囲には、 P dまたは P tに対して濡れ生の低い F e酸化物が存在するため、第 1シード層上に堆積された P dまたは P tは、二次元的に、すなわち面内方向に広がることが制限され、微小な状態を維持したまま所定の間隔で個別に分散すると考えられる。したがって、第 2シード層の S i N (或いは S i N網構造）中における P dまたは P tは極めて微小な状態で分散して存在していると考えられる。かかる第 2シード層上に記録層を形成すると、微小に分散した P dまたは P tを単位として記録層の磁性粒子が成長するため、微小な磁性粒子から形成された記録層が得られる。これにより、記録層に形成される磁区もまた微細化し、ノィズを一層低減することが可能となる。また、本発明においては、第 1シ一ド層中に金属として存在する F eの原子数を F e_Metとし、酸化物として存在する F eの原子数を F e。_xiとしたときに、それらの原子数比（Fe_Met/Fe。_xi) が 0· 02く ( F e_Met/F e_0xi ) く 0. 2を満足することが好ましい。上記原子数比が 0. 02よりも大きいときに、記録層に高密度に情報を記録することができるとともに高 S/Nでその情報を再生することができる。しかし、上記原子数比が 0. 2よりも大き〈なると、シード層中の F e金属が多くなりすぎて白金族元素の吸着に選択性がなくなって記録層に微小な磁性粒子を形成できなくなるおそれがある。本発明の第 1の態様の磁気記録媒体において、 F e酸化物を含む第 1シード層は、全体として 80 vol %以上の F e酸化物を含むことが好ましい。本発明の第 1の態様の磁気記録媒体において、第 1及び第 2シード層の膜厚は、ともに 1 nm~30 nmの範囲内にあることが望ましい。第 1及び第 2シード層の膜厚がともに 1 nm未満であると、その上の人工格子構造の記録層の結晶配向を制御できな〈なるおそれがある。また、第 1及び第 2シード層の膜厚がともに 30 nmよりも厚くなると記録用磁気へッドの磁極と軟磁性層との距離が増加して、記録用磁気へヅドからの記録磁界が記録層に十分に印加されなくなるおそれがある。また、記録層に、記録用磁気へッドからの磁界が広がった状態で印加されてしまい分解能が低下したり、磁ィ匕遷移領域の乱れ力《増加してジヅ夕一性のノィズの原因となるおそれがある。本発明の第 2の態様に従えば、磁気記録媒体であって、

基板と；

軟磁性層と；

? 0)及び？1;のー方と3 と Nとを含むシード層と；

記録層と；を備える磁気記録媒体が提供される。本発明の磁気記録媒体は、記録層の下地として、？01及び 1:の一方と、 S i と Nとを含むシード層を備えている。かかるシード層は、本発明の第 1の態様の第 2シード層と同様の機能を有するため、その上に形成される人工格子構造の結晶配向と結晶粒子間の磁気的交換結合力とを最適に制御することができる。すなわち、シード層を、 P d及び P tの一方と S iと Nとから構成することにより、 P dまたは P tは、 S i N (或いは S i N網構造）中に微結晶或いは部分的非晶質構造として分散して存在すると考えられる。そして、シード層上に成長する人工格子構造を有する記録層は、分散した P dまたは P tを核として成長するため粒界の明瞭な人工格子膜が形成されると考えられる。このため人工格子構造の記録層の結晶粒子間で働く面内方向の磁気的交換結合力が低減される。特にシード層中の微量の Nは、 S iと結合することにより、 01または 1:の分散を更に促進させることができるため、記彔層の面内方向の磁気的交換結合力を更に弱めることができる。これにより遷移性ノイズをより一層低減することができる _c 本発明の第 2の態様の磁気記録媒体において、シード層中の S i及び Nの含有量は、 S iが 1 0 at%〜 3 5 at%、より望ましくは 2 0 at%〜 3 0 at%の範囲内であり、 Nが 0 . 1 at%〜5 at%、より望ましくは 0 . 5 at%〜5 at%の範囲内にあることが望ましい。シード層中の S と Nの含有量をかかる範囲に制御することにより、記録層の結晶配向と面内方向の磁気的交換結合力とを最適化することができる。これにより、記録層に微細な記録磁区を確実に形成することができるとともに、磁化遷移領域も明瞭となるためノイズを低減することができる。すなわち、ノイズの低減と分解能の向上を実現することができる。また、更に、シ一ド層は微量の C oを含み得る。この場合、シード層中の S "i及び Nの含有量が上記範囲を満たしつつ、 C oの含有量が 1 at%〜1 0 at%の範囲内にあることが好ましい。また、シード層は、微結晶構造あるいは微結晶の構造内に部分的に非晶質が存在するような構造を有することが好ましい。本発明の第 2の態様の磁気記録媒体において、シード層の膜厚は 1 nm〜30 nmの範囲内にあることが望ましい。シード層の膜厚が 1 nm未満では、その上の人工格子構造の記録層の結晶配向を制御できなくなるおそれがある。また、シ一ド層の膜厚が 30 nmよりも厚くなると記録用磁気へッドの磁極と軟磁性層との距離が増加して、記録用磁気へッドからの記録磁界が記録層に十分に印加されなくなるおそれがある。また、記録層に、記録用磁気へッドからの磁界が広がつた状態で印加されてしまい分解能が低下したり、磁化遷移領域の乱れが増加してジッ夕一性のノィズの原因となるおそれがある。本発明の第 1及び第 2の態様の磁気記録媒体において、記録層は、人工格子構造を有する記録層にし得る。かかる人工格子構造を有する記録層は、主として白金族元素と C oとから構成されることが好ましく、白金族元素と C oとを数原子程度または単原子程度の厚みで交互に積層した交互積層多層膜であることが好ましい。白金族元素は例えば P t及び P dの少なくとも一方を用い得る。かかる交互積層多層膜は室温または比較的低い基板温度で成膜することができ、しかも大きな磁気異方性を有するため、高密度記録用の記録層として最適である。本明細書において、用語「人工格子構造」とは、複数の異なる物質を単原子或いは数原子の厚さで一方向に互いに周期的に積層して得られる構造を意味する。かかる人工格子構造を有する膜のことを人工格子膜或いは交互積層多層膜とも呼ぶ。人工格子構造を有する記録層としては、 0. 05 nm〜0. 5 nmの範囲から選択された膜厚を有する C o層と、 0. 5 nm〜2 nmの範囲内から選択された膜厚を有する Pd層とを交互に積層した Co/Pd人工格子膜、あるいは、 0. 05 nm~0. 5 n mの範囲内から選択された膜厚を有する C o層と、 0. 1 n m〜 2 nmの範囲内から選択された膜厚を有する P t層とを交互に積層した Co /P t人工格子膜であることが望ましい。かかる構造の人工格子膜は最も垂直磁気異方性が発現しやすい。本発明の第 1及び第 2の態様の磁気記録媒体において、上述の C o.

格子膜、または Co/Pt人工格子膜を用いて記録層を形成した場合、 Pd層あるいは P t層に添加元素を含んでもよい。このように、 €1層ぁるぃは 1:層中に添加元素を含ませることによって組成の揺らぎが発生し、記録層の面内方向の磁気的交換結合力を低減することができる。添加元素は、 S i、 A 1、 Z r、丁 iまたは Bが望ましく、特に Bが好ましい。 Pd層あるいは Pt層への添加であれば C o層への添加に比べて磁気特性の劣化が少ない。また、 Co/Pd人工格子膜、あるいは Co/Pt人工格子膜中の Coは面内方向において不連続に分布していることが好ましい。ここで、「人工格子 J3奠中の Coは面内方向において不連続に分布している」とは、人工格子膜の断面構造を観察したときに、 Co層の断面は実質的に層状であるように観察されるが、平面観察をすると C oからなる領域が平面上でァイランド状に分散したような構造を有していることを意味する。すなわち、人工格子膜中の Co層が連続膜として形成されておらず、 Coからなる複数の領域がァイランド状に分散している状態である。このように人工格子膜中で不連続に分布している C oは磁気的交換結合力を部分的に切断するので、記録層の面内方向の磁気的交換結合力を低減することができる。また、人工格子構造の記録層は、例えば、円柱形状（カラム状）の結晶粒子の集合体から形成され得る。カラム状の結晶粒子の回転軸に対して垂直な断面における直径は 2nm~15nmにし得、結晶粒子の表面の最上部と、最下部（結晶粒子の境界部の高さ位置）との差は 1 nm~1 Onmにし得る。かかる構造を有する記録層は面内方向の磁気的交換結合力が低減しており、記録層に微細な記録磁区を形成しても、その磁区は安定に存在し、また、磁化遷移領域の直線性も高い。それゆえ、再生時にノイズを一層低減することができる。本発明の第 1及び第 2の態様の磁気記録媒体において、人工格子構造を有する記録層は、例えば、交互に膜を形成することが可能なスパッタ装置を用いて形成することができる。例えば、異なる材料から構成された 2つ以上のターゲッ卜を並設し、それぞれのタ一ゲヅ卜に対して基板キャリアを交互に相対移動させることによっても形成することができる。或いは、直径の異なる少なくとも 2種類のリング型ターゲヅ卜を同一平面で且つ同軸上に配置し、それらターゲヅ卜に対向するように基板を配置させ、リング型ターゲッ卜を交互に放電させることにより成膜することも可能である。人工格子構造の記録膜の膜厚としては、磁気特性の点から 5 n m〜60 n mが好適である。記録層は、基板表面に対して垂直な方向で測定したときの保磁力が 1. 5 CkOe (キロエルステヅド）〕〜1 0 〔kOe〕であることが望ましく、記録層の膜厚 tと残留磁化 Mrの積である（M r · t) が、 0. 3〜1. 0 〔m em uZcm²〕の範囲にあることが望ましい。保磁力が 1. 5 〔kOe〕よりも小さくなると、高記録密度（600 k FC I以上）で記録した情報を再生したときの出力が小さ〈なるおそれがある。また、磁気異方性エネルギーが小さくなり、熱減磁しゃすくなるおそれがある。また、 Mr ■ tの値が 1. 0 〔memu /cm²) より大き〈なると分解能が低下し、 0. 3 〔memu/cm²〕よりも小さくなると出力が小さくなりすぎるため、 1 50ギガビット/平方インチ以上の高記録密度を行つたときに十分な記録再生特性を得ることが困難となるおそれがある。本発明の第 3の態様に従えば、磁気記録媒体であって、

軟磁性層と；

硬磁性材料から形成され、垂直磁化を示す記録層と；

上記軟磁性層と記録層との間に位置し、 F e酸化物を含むシ一ド層と；を備える磁気記録媒体が提供される。本発明の第 3の態様の磁気記録媒体は、垂直磁化を示す硬磁性材料から形成され、情報を記録するための記録層と、軟磁性材料から形成された軟磁性層との間に、 F e酸化物を含むシード層を備える。シード層は、その表面に記録層を構成する磁性粒子の核を所定の間隔で成長させることができる。記録層は、白金族元素を含むことが好ましく、特に、白金族元素と C o元素とを交互に積層した交互積層多層膜であることが好ましい。かかる記録層の下地として、 F e酸化物を含むシード層を形成することにより、微小な磁性粒子の集合体からなる記録層を形成することができる。その理由を以下に説明する。シード層に含まれる F e酸化物は、記録層を構成する白金族元素、例えば、 P tや P dに対して濡れ性が低い。それゆえ、かかるシード層上に、 P tまたは P dを例えばスパヅタ法を用いて堆積すると、 1:または 01は、その表面張力によりシード層上で面内方向に微細に分散して形成される。このように、シード層上で微細に分散して存在する P tまたは P dは、記録層の磁性粒子が成長する核となるため、その上に C oと P tまたは P dとを交互に堆積させることにより、それらの核から磁性粒子は個別に且つ孤立した状態で成長する。こうして成長した磁性粒子は、かかる微細に分散した核を単位としているので比較的微小な磁性粒子がシード層上に得られることになる。記録層は、このような微小な磁性粒子の集合体から構成されるので、微小な記録磁区を形成することができるとともに、記録層の磁性粒子の磁気的相互作用も低減され、しかも記録磁区同士の境界部分が明瞭になるため、ノイズを低減することができる。本発明の第 3の態様の磁気記録媒体において、シ一ド層は F e酸化物に加え、金属として存在する F e ( F e金属）を含むことが好ましく、かかるシード層を備える磁気記録媒体は媒体ノイズを一層低減することができる。その理由について以下に説明する。

F e酸ィ匕物に加えて F e金属を含んでいるシ一ド層は、 F e酸ィ匕物中に極めて微小な F e金属粒子が分散した状態であると考えられる。上述したように、 F e 酸化物は、例えば記録層を構成する元素である白金族元素例えば P dや P tとの濡れ性が低い。一方、 F e金属は P dや P tと濡れ性が高い。そのため、 F e金属粒子が F e酸化物中で分散して存在するシード層上に P dまたは P tを堆積すると、 Pdまたは Ptは Fe金属に選択的に吸着する。このとき、シード層中の F e金属は極めて微小であるため、 Fe金属に吸着した Pdまたは Ptは、前述の F e酸化物からなるシード層上に形成した場合よりも一層微小となる。しかも、 F e金属の周囲には、 P dまたは P tに対して濡れ性の悪い F e酸化物が存在するため、シード層上に堆積された Pdまたは Ptは、二次元的に、すなわち面内方向に広がることが制限され、微小な状態を維持したまま所定の間隔で個別に分散すると考えられる。このように、極めて微小に分散した Pdまたは P tは、記録層の磁性粒子が成長する核となるため、その上に C oと P dまたは P tとを交互に堆積させることにより、それら微小な核から、記録層の磁性粒子が成長するすなわち、 F e酸化物と F e金属とを含むシ一ド層を記録層の下地として用いた場合は、シード層中の Fe金属が、記録層に極めて微細な磁性粒子を成長させるための核としての役割を果たしている。そして、かかる微小な核を単位に磁性粒子が成長するため、微小な磁性粒子から形成された記録層が得られる。これにより、記録層に形成される磁区もまた微細化し、ノイズを一層低減することが可能となる。また、本発明の第 3の態様の磁気記録媒体においては、シード層中に金属として存在する F eの原子数を F e_Metとし、酸化物として存在する F eの原子数を Fe_0xiとしたときに、それらの原子数比（Fe_Met/Fe_0xi) が 0. 02く (FeM_et/Fe_0xi) <0. 2を満足することが好ましい。後述する実施例に示すように、上記原子数比が 0. 02よりも大きいときに、記録層に高密度に情報を記録することができるとともに高 S / Nでその情報を再生することができる _c しかし、上記原子数比が 0. 2よりも大きくなると、シード層中の Fe金属が多くなりすぎて白金族元素の吸着に選択性がなくなつて記録層に微小な磁性粒子を形成できなくなるおそれがある。本発明の第 3の態様の磁気記録媒体において、 F e酸化物を含むシード層は、全体として 80 vol %以上の F e酸化物を含むことが好ましく、後述するように軟磁性層を高温で酸化させることによりシード層を形成した場合には、 F e酸化物或いは F e金属以外に不純物を 1 Oat。/。程度含んでいてもよい。本発明の第 3の態様の磁気記録媒体において、シ―ド層の膜厚は、磁気スぺ一シングとなつて記録効率が低下しないようにするために 30nm以下であることが好ましい。本発明の第 3の態様の磁気記録媒体において、硬磁性材料を用いて形成される記録層は膜面に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁化膜にし得る。かかる記録層には、第 1及び第 2の態様で用いた人工格子多層膜（交互積層多層膜）に加えて、規則格子合金膜を用いることができる。硬磁性材料としては、主として白金族元素と Coとから構成される材料であることが好ましい。白金族元素は P t及び P dの少なくとも一方の元素が好適であり、かかる白金族元素と Coとを交互に積層した交互積層多層膜を用いて記録層を形成することが好ましい。交互積層多層膜や規則格子合金膜は、室温または比較的低い基板温度で成膜することができるため生産性に優れ、しかも、高い磁気異方性を有するため耐熱擾乱特性に優れている。それゆえ、高密度記録用の記録層として極めて最適である。本発明の第 1〜第 3の態様の磁気記録媒体において、軟磁性層は、磁気へヅドからの磁界を記録層に効率的に印加するという観点から、「 6中に丁3、 Nb、

Z rのうちより選ばれる少なくとも 1種類の元素の窒化物あるいは炭化物を均一に分散させた微結晶構造を有する軟磁性膜が好適である。また、かかる材料以外に、例えば、 Co_Z rを主体とし、これに Ta、 Nb、 Tiのうちより選ばれる少な〈とも 1種類の元素を含んだ非晶質合金であってもよい。これらの軟磁性膜は 1. 5 T以上の大きな飽和磁束密度を有するため高密度記録に適している。具体的な材料としては、高透磁率を有する Ni Fe、 CoTaZ r CoNbZ r、 FeTaC等を用いることができ、これらの材料からなるな磁性層は、膜厚 1000 nm以下でスパヅ夕法や蒸着法等によって形成することができる。本発明の第 2の態様の磁気記録媒体においては、軟磁性層の表面が平坦であることが好ましく、軟磁性層の表面の表面粗さ R aは 0 . 2 0 n m〜0 . 4 0 n m であることが好ましい。このように、表面が平坦な軟磁性層を用いると、後述する実施例に示すように、記録層の磁性結晶粒子の境界すなわち結晶粒界は極めて明瞭となり、記録層の磁性結晶粒子の孤立化が一層促進される。かかる記録層の磁性結晶粒子は結晶粒界によって磁気的に分断されているため、面内方向の磁気的交換結合力が低減している。これにより記録層には微小な磁区を形成することが可能となるとともに磁化遷移領域の直線性が高くなる。軟磁性層の表面を平坦にすることにより、記録層の結晶粒界が明瞭となるのは以下の原理によるものと ¾ "えられる。軟磁性層上にシード層を成膜するとき、軟磁性層表面に凹凸が存在すると、スパッ夕粒子が凹凸部に捕獲されてしまうと考えられる。このため、軟磁性層上には、シ一ド層を構成する粒子が十分な間隔で隔てられることなく成長した初期成長層が形成されると考えられる。一方、軟磁性層の表面が平坦であると、軟磁性層表面に到達したスパッ夕粒子はその面方向に十分拡散するため、シード層を形成する粒子が互いに十分に隔てられた状態で成長した初期成長層が成膜される。このように十分な間隔で隔てられた初期成長層に基づいて形成されたシ一ド層は、 S i N (或いは S i N網構造）中において微結晶或いは部分的非晶質構造として存在する P dまたは P tも十分な間隔で隔てられ、分散が一層促進されているものと考えられる。このように P dまたは P tの分散が一層促進されたシード層上に記録層を成膜することにより、記録層に極めて明瞭な結晶粒界が得られていると考えられる。軟磁性層の表面を平坦にするには、例えば、軟磁性層の成膜後、表面をドライエッチングすればよい。本発明の第 1〜第 3の態様の磁気記録媒体において、基板には、例えば、アルミニゥ厶■マグネシウム合金基板、ガラス基板、グラフアイ卜基板などの非磁性基板を用い得る。アルミニウム■マグネシウム合金基板には、表面をニッケル - リンでメツキしてもよい。基板を回転させながら、基板表面にダイヤモンド砥粒や研磨用テープを押し当てることにより基板表面を平坦に処理してもよい。これにより、磁気記録媒体上を磁気へッドを浮上させたときに、磁気へッドの走行特性を向上させることができる。基板表面の中心線粗さ R aは、基板上に形成される保護膜の中心線粗さが 1 n m以下となるように望ましい。ガラス基板においては、強酸などの薬品により表面を化学的にエッチングして平坦化してもよい。また、化学的に表面に微細な高さ、例えば、 1 n m以下の突起を形成することにより、負圧スライダーを用いた場合に安定な低浮上量を実現することができる。磁気記録媒体の基板上には、上記軟磁性層を成膜する前に密着性を向上させるために T iなどの接着層を形成しても良い。本発明の第 1〜第 3の態様の磁気記録媒体は記録層上に保護層を備え得る。保護膜としては、例えば、非晶質炭素、ケィ素含有非晶質炭素、窒素含有非晶質炭素、ホウ素含有非晶質炭素、酸化ケィ素、酸化ジルコニウム及び立方晶窒化ホウ素のうちのいずれか一種を好適に用いることができる。これら非晶質炭素保護膜の形成方法としては、例えば、グラフアイ卜を夕一ゲットとした不活性ガス中、あるいは不活性ガスとメタンなどの炭化水素ガスの混合ガス中のスパッタリングによって形成する方法や、炭化水素ガス、アルコール、ァセトン、ァダマンタンなどの有機化合物を単独あるいは水素ガス、不活性ガスなどを混合してプラズマ C V Dにより形成する方法、あるいは有機ィ匕合物をイオン化して電圧をかけて加速し、基板に衝突させて形成する方法などがある。更には、高出力のレーザ—光をレンズで集光し、グラフアイト等のターゲットに照射するアブレーション法によつて保護膜を形成してもよい。保護膜の上には、耐摺動特性を良好なものにするために、潤滑剤を塗布することができる。潤滑剤としては、主鎖構造が炭素、フッ素、酸素の 3つの元素からなるパ一フル才ロポリエ一テル系高分子潤滑剤が用いられる。或いは、フッ素置換アルキル化合物を潤滑剤として用いることもできる。安定な摺動と耐久性を有する材料であれば、他の有機系潤滑剤や無機系潤滑剤を用いてもよい。これらの潤滑剤の形成方法としては溶液塗布法が一般的である。また、地球温暖化を防ぐため、あるいは工程を簡略化するために、溶剤を使わない光 C V D法によって潤滑膜を形成してもよい。光 C V D法は、フッ化才レフインと酸素の気体原料に紫外光を照射することによつて行われる。潤滑剤の膜厚としては、平均値として 0 . 5 n m〜3 n mが適当である。 0 . 5 n mより薄いと潤滑特性が低下し、 3 n mよりも厚くなるとメニスカスカが大きくなり、磁気へッドと磁気ディスクの静摩擦力（スティクシヨン）が大きくなるため好ましくない。これら潤滑膜を形成した後に 1 0 0 °C前後の熱を 1〜2時間窒素中あるいは空気中で与えてもよい。これにより、余分な溶剤や低分子量成分を飛ばして潤滑膜と保護膜の密着性を向上させることができる。かかる後処理以外に、例えば、潤滑膜形成後に紫外線ランプにより紫外線を短時間照射させる方法を用いてもよく、かかる方法によっても同様の効果が得られる。本発明の第 4の態様に従えば、磁気記録媒体の製造方法であって、

基板を用意し、

上記基板上に軟磁性層を形成し；

上記軟磁性層上に、 F e酸ィ匕物を含む第 1シ一ド層を形成し；

第 1シ一ド層上に、 P d及び P tの一方と S i と Nとを含む第 2シード層を形成し；

第 2シ一ド層上に記録層を形成することを含む磁気記録媒体の製造方法が提供される。本発明の第 4の態様の製造方法においては、例えば、 F eを主体とするタ一ゲヅ卜を、酸素を含むスパウタガスを用いて反応性スパッタすることによって第 1 シ一ド層を形成することができる。かかる方法により形成された第 1シ一ド層は F e酸化物を含んでいる。かかる製造方法によれば本発明の第 1の態様の磁気記録媒体を製造することができる。本発明の第 4の態様の製造方法において、第 1シード層上に、 P d及び P tの一方と S iと Nとを含む第 2シ一ド層を形成するには、例えば、 P dタ一ゲッ卜と S i Nターゲッ卜の 2種類のタ一ゲッ卜を用いてスパウタを行なえばよい。本発明の第 4の製造方法において、人工格子構造を有する記録層として、例えば、白金族元素と C o元素の人工格子膜を第 2シ一ド層上に形成するには、白金族元素を用いて形成された夕一ゲッ卜と C oを用いて形成されたターゲッ卜とを用い、それらタ一ゲッ卜のシャッターを交互に開閉しながらスパッタすることにより形成することができる。また、本発明の第 4の態様の製造方法では、スパツタガス中の酸素ガスの流量を制御することによって、 F e酸化物に加えて F e金属を含んだシ一ド層を形成することができる。 F e酸化物と F e金属とを含むシード層は、前述したように、記録層の下地として用いた場合に、記録層に微小な磁性粒子の集合体を形成することができるので、かかるシ一ド層を備える磁気記録媒体は媒体ノイズを一層低減することができる。本発明の第 5の態様に従えば、磁気記録媒体の製造方法であって、

基板を用意し、

上記基板上に軟磁性層を形成し；

上記軟磁性層上に、 01及び 1;の一方と3 と Nとを含むシード層を形成し；

上記シード層上に記録層を形成することを含む磁気記録媒体の製造方法が提供される。かかる製造方法によれば、本発明の第 2の態様に従う磁気記録媒体を製造することができる。また、本発明の第 5の態様の製造方法では、基板上に軟磁性層を成膜した後、軟磁性層の表面を例えばブラズマエツチングなどによりエツチング処理することが好ましい。これにより、平坦な表面を有する軟磁性層を得ることができる。表面が平坦な軟磁性層上に、 P d及び P tの一方と S iと Nとを含むシード層を形成し、かかるシード層上に記録層を形成すると、記録層の結晶粒界が極めて明瞭になり、結晶粒子の孤立化が促進される。本発明の製造方法により製造された磁気記録媒体は、記録層の面内方向の磁気的交換結合力が一層低減されるため、磁化遷移領域の直線性が高まりノィズを低減することが可能である。本発明の第 6の態様に従えば、磁気記録媒体の製造方法であって、

基板を用意し、

上記基板上に軟磁性層を形成し；

上記軟磁性層上に、 F e酸化物を含むシード層を形成し；

上記シード層上に記録層を形成することを含む磁気記録媒体の製造方法が提供される。本発明の第 6の態様の製造方法においては、例えば、 F eを主体とするタ一ゲッ卜を、酸素を含むスパッタガスを用いて反応性スパッ夕することによってシ一ド層を形成することができる。かかる方法により形成されたシード層は F e酸ィ匕物を含んでいる。かかる製造方法によれば、本発明の第 3の態様の磁気記録媒体を製造することができる。また、本発明の第 6の態様の製造方法では、スパッ夕ガス中の酸素ガスの流量を制御することによって、 F e酸化物に加えて F e金属を含んだシ一ド層を形成することができる。 F e酸化物と F e金属とを含むシード層は、前述したように、記録層の下地として用いた場合に、記録層に微小な磁性粒子の集合体を形成することができるので、かかるシ一ド層を備える磁気記録媒体は媒体ノイズを一層低減することができる。また、上述のように、酸素ガスの流量を制御してシード層中に F e金属を形成する場合は、シ一ド層を形成してからシ一ド層上に記録層を形成するまでの間に、シード層の表面をスパッタエッチングすることが望ましい c その理由について以下に説明する。酸素ガスを含有するスパッタガスを用いて反応性スパッ夕によりシ一ド層を形成した後は、成膜チャンバ一内には酸素ガスが残留している。この酸素ガスを完全に排気するには一定の時間を要するため、その間、チャンバ一内に残留する酸素ガスによってシ一ド層中の F e金属の表面に酸化皮膜が薄く形成されてしまう c かかる酸ィ匕被膜は、例えばシ—ド層上に白金族元素を含む記録層を形成するときに、記録層中の白金族元素が F e金属に吸着することを阻害するため、白金族元素の吸着選択性が低下するおそれがある。そこで、上述のように、シード層の成膜後に、シ一ド層の表面をスパッタエッチングして F e金属の表面に形成された酸化皮膜を除去することにより、記録層を構成する P dや P tなどの白金族元素をシード層表面の F e金属に確実に吸着させることができるため、記録層に微小な磁性粒子を形成することができる。スパウタエッチングに用いるガスは A r , K r , X eなどの不活性ガス、もしくはこれらの不活性ガスと水素ガスとの混合ガスが好適である。また、本発明の第 6の態様の製造方法において、例えば、軟磁性層として F e を含む軟磁性層を用いた場合には、 F eを含む軟磁性層を形成した後に、軟磁性層の表面を高温で酸ィ匕させることによつても F e酸化物を含むシ一ド層を形成することができる。本発明の第 4〜第 6の態様の製造方法において、軟磁性層、第 1シード層、第 2シード層及び記録層の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、 M B E法、スパヅタ法、イオンビーム法、分子層エピタキシー法、プラズマ C V D等を用いることができる。スパッタ法としては、例えば、 E C Rスパヅタ法、 D Cスパッタ法、 R Fスパウタ法など既に知られたスパヅタ法を用いることができる。本発明の第 7の態様に従えば、第 1〜第 3のいずれかの態様の磁気記録媒体と；

情報を記録または再生するための磁気へッドと；上記磁気記録媒体を上記磁気へッドに対して駆動するための駆動装置と；を備える磁気記憶装置が提供される。本発明の磁気記憶装置は、本発明の第 1〜第 3のいずれかの態様の磁気記録媒体を備えるので、高い面記録密度で情報を記録してもその情報を高 S/Nで再生できるとともに、優れた耐熱擾乱特性を備えている。本発明の磁気記憶装置において、磁気へッドは、磁気記録媒体に情報を記録するための記録用磁気へッドと、磁気記録媒体に記録された情報を再生するための再生用磁気へッドとから構成され得る。記録用磁気へッドのギャップ長は、 0. 2μΐΎΐ~0. 0 2^mが望ましい。ギャップ長が 0. 2 μΓτιを越えると、 400 kFC I以上の高い線記録密度で記録することが困難になる。また、ギャップ長が 0. 02μπιより小さい記録へッドは製造が困難であり、静電気誘起による素子破壊が起こりやす〈なる。再生用磁気へッドは、磁気抵抗効果素子を用いて構成することができる。再生用磁気ヘッドの再生シールド間隔は、 0. 2 m〜0. 02^ 171が望ましい。再生シールド間隔は、再生分解能に直接関係し、短いぼど分解能が高くなる。再生シールド間隔の下限値は、素子の安定†生、信頼性、耐電気特性、出力等に応じて上記範囲内で適宜選択することが望ましい。本発明の磁気記憶装置において、駆動装置は、磁気記録媒体を回転駆動させるスピンドルを用いて構成することができ、スピンドルの回転速度は毎分 3000 回転〜 20000回転が望ましい。スピンドルの回転速度が毎分 3000回転より遅いとデータ転送速度が低くなるため好ましくない。また、毎分 20000回転を越えると、スピンドルの騒音や発熱が大きくなるため望まし〈ない。これらの回転速度を勘案すると、磁気記録媒体と磁気へッドの最適な相対速度は 2m/ 秒〜 3 Om/秒となる。図面の簡単な説明

図 1は、実施例 1で製造した本発明に従う磁気記録媒体の概略断面図である。図 2は、磁気記録媒体の記録層の断面構造を模式的に示した図である。

図 3は、本発明に従う磁気記憶装置の平面模式図である。

図 4は、実施例 1で製造した磁気記録媒体の電磁変換特性の測定結果である。図 5は、実施例 7で製造した磁気記録媒体の概略断面図である。

図 6は、軟磁性層の表面をプラズマエッチングして作製した磁気記録媒体の外部磁界に対するカー回転角曲線である。

図 7は、磁気記録媒体の記録層の T E Mによる観察像を示し、図 7 ( a ) は、軟磁性層の表面をブラズマエツチングして作製した磁気記録媒体の記録層の T E

Mによる観察像であり、図 7 ( b ) は、軟磁性層の表面のプラズマエッチングを行なわずに作製した磁気記録媒体の記録層の T E Mによる観察像である。

図 8は、磁気記録媒体の記録層の結晶粒子の直径と粒子数のヒス卜グラムであり、図 8 ( a ) は、軟磁性層の表面をプラズマエッチングして作製した磁気記録媒体の場合であり、図 8 ( b ) は軟磁性層の表面のプラズマエッチングを行なわずに作製した磁気記録媒体の場合である。

図 9は、 A F Mによる観察像を示し、図 9 ( a ) は、プラズマエッチングする前の軟磁性層表面の A F Mによる観察像であり、図 9 ( b ) は、プラズマエッチングした後の軟磁性層表面の A F Mによる観察像である。

図 1 0は、軟磁性層をプラズマエッチングして作製した磁気記録媒体の記録層に記録した繰り返しパターンの M F Mによる観察像である。

図 1 1は、軟磁性層をプラズマエッチングして作製した磁気記録媒体の記録層に互いに異なる線記録密度で繰り返しパターンを重ね書きしたときの M F Mによる観察像である。

図 1 2は、実施例 1 0で作製した本発明に従う磁気ディスクの断面構造を模式的に示す図である。

図 1 3は、実施例 1 0 - 1 4及び比較例 4〜 7の磁気デイスクの記録再生特性の結果を示す表である。

図 1 4は、実施例 1 5〜 2 3の磁気ディスクの記録再生特性の結果を示す表である。

図 1 5は、実施例 24で製造した本発明に従う磁気記録媒体の概略断面図であ o 発明を実施するための最良の形態以下、本発明に従う磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記憶装置の実施例について図面を用いて具体的に説明する。以下の実施例では、磁気記録媒体として、磁気ディスク（ハードディスク）を作製したが、本発明は、フロッピーディスク、磁気テープ、磁気カードなどのように、記録または再生時に磁気へッドと磁気記録媒体が接触するタイプの記録媒体にも適用できる。実施例 1

図 1に、本発明の磁気記録媒体の概略断面図を示す。磁気記録媒体 1 00は、密着層 2を有する基板 1上に、軟磁性層 3、シード層 4、記録層 5、保護層 6及び潤滑層 7を備える。かかる積層構造を有する磁気記録媒体 1 00の製造方法を以下に説明する。まず、直径 65mmのガラス基板 1を用意し、ガラス基板 1上に連続スパッ夕装置により、密着層 2として厚さ 5 nmの T を成膜した。次いで、密着層 2上に、軟磁性層 3として、 Fe₇₉Ta₉C₁₂を膜厚 400 n mにて成膜した。更に、成膜された F e₇₉Ta₉C₁₂を真空中でカーボンヒータ —により 450°Cの温度で 30秒間加熱した後、徐冷した。こうして F eの微結晶を含有する軟磁性層 3を形成した。次いで、基板 1を交互スパッ夕装置のチャンバ一に移送し、軟磁性層 3上にシード層 4を成膜した。シード層 4の成膜では、チャンバ一内にアルゴンガスを導入しながら、 P dターゲットを DCスパヅ夕し、 S i Nターゲットを R Fスパッ夕することにより、軟磁性層 3上に、 7331:%の €1と、 26at%の S i と、 1 &1:%の[\1からなるシード層 4を月奠厚 5 nmで成膜した。つぎに、シード層 4上に人工格子構造の記録層 5を成膜した。記録層 5の成膜では、 A rガス中で、 Coターゲットと Pdターゲットのシャッターを交互に開閉しながら D Cスパウタして、 C o層と P d層とが交互に積層された人工格子構造の記録層 5を形成した。 Co層の 1層あたりの膜厚は 0. 1 2 nm、 P d層の

1層あたりの膜厚は 0. 85 nmであり、 P d層と C o層の積層数はそれぞれ 2

6層であった。次いで、記録層 5上に、アモルファス力一ボンからなる保護層 6をプラズマ C VD法により膜厚 3 nmにて形成した。保護層 6の形成後、基板を成膜装置から取り出した。最後に、保護層 6上にパーフル才口ポリエーテル系潤滑剤を 1 nm の厚さで塗布して潤滑層 7を形成した。こうして図 1に示す積層構造を有する磁気記録媒体 1 00を作製した。実施例 2

シード層に更に Coを含有させた以外は、実施例 1 と同様にして磁気記録媒体を作製した。シード層の成膜では、 A rガスをチャンバ一内に導入しながら Co 夕一ゲヅ卜と P d夕ーゲヅ卜を DCスパヅ夕し、 S i N夕一ゲヅ卜を R Fスパヅ夕した。これにより、軟磁性層上に、 6at%の Coと、 703"1%の 01と、 23 at%の S iと、 1&1;%の1\|からなるシード層を成膜した。実施例 3

本実施例では、人工格子構造の記録層を、交互スパヅタ法 (こより、膜厚 0. 1 5 (1 の00層と膜厚0. 85 nmの P t層とを 1 5周期繰り返して成膜した。また、かかる人工格子構造の記録層の結晶成長を良好に制御するために、シード層として 73&セ％の？ t、 26&七％の3 "1、 1 at°/₀の Nからなるシード層を膜厚 5 n mにて形成した。これ以外は、実施例 1 と同様にして磁気記録媒体を作製し o 実施例 4

図 3に、本発明に従う磁気記憶装置 2 0 0の概略構成図を示す。磁気記憶装置

2 0 0は、磁気記録媒体 1 0 0と、磁気記録媒体 1 0 0を回転駆動するための回転駆動部 1 8と、磁気へヅド 1 0と、磁気へッド 1 0を磁気記録媒体上で所望の位置に移動させるへッド駆動装置 1 1 と、記録再生信号処理装置 1 2を備える。磁気記録媒体 1 0 0には実施例 1で作製した磁気記録媒体を用いた。磁気へッド

1 0は、単磁極型書き込み素子と G M R ( Giant Magneto-Resistive ) 読み込み素子を備え、へッド駆動装置 1 1のアームの先端に設けられている。磁気へヅド

1 0の単磁極型書き込み素子は、情報記録時に磁気記録媒体に記録するデータに応じた磁界を印加して磁気記録媒体に情報を記録することができる。磁気へッド

1 0の G M R読み込み素子は、磁気記録媒体からの漏洩磁界の変化を検出して磁気記録媒体に記録されている情報を再生することができる。記録再生信号処理装置 1 2は、磁気記録媒体 1 0 0に記録するデータを符号化して磁気へッド 1 0の単磁極型書き込み素子に記録信号を送信することができる。また、記録再生信号処理装置 1 2は、磁気へッド 1 0の G M R読み込み素子により検出された磁気記録媒体 1 0 0からの再生信号を復号することができる。かかる磁気記憶装置 2 0 0を駆動し、磁気的スペーシング（磁気へヅド 1 0の主磁極表面と磁気記録媒体 1 0 0の記録層表面との距離）を 1 3 n mに維持しながら、線記録密度 1 0 0 0 k B P I、卜ラヅク密度 1 5 O k T P Iの条件にて情報を記録し、記録した情報を再生して記録再生特性を評価したところ、トータル S /Nとして 2 4 . 5 d Bを得た。更に、面記録密度 1 5 0ギガビッ卜/平方ィンチの記録密度にて記録再生することができた。また、ヘッドシーク試験として、磁気へッドを磁気記録媒体上の内周から外周まで 1 0万回シークさせ、かかるへヅドシーク試験後に磁気記録媒体のビヅ卜エラーを測定したところビヅトエラ一数は 1 0ビット/面以下であり、 3 0万時間の平均故障間隔を達成することができた。なお、上記 S/Nは下記式を用いて求めた。

S/N-201 og (S₀-_P/N_rms)

式中、 S。- _pは、ゼロ点からピークまで（zei'otopeak)の再生信号振幅の半分の値であり、 N_rmsはスぺクトルアナライザ一により測定したノイズの振幅の平方自乗平均値である。比較例 1

シード層として Pdからなる層を膜厚 5 nmで形成した以外は、実施例 1と同様にして磁気記録媒体を作製した。比較例 2

シード層として P tからなる層を膜厚 5 n mで形成した以外は、実施例 3と同様にして磁気記録媒体を作製した。比較例 3

比較例 1の磁気記録媒体を実施例 4に示した磁気記憶装置 200に搭載して記録再生特性を評価した。磁気的スペーシング 13 nm、線記録密度 1000 k B PI、トラック密度 1 50 kT PIの条件で記録再生特性を評価したところ、ト一タル S/Nは 18. 5dBであり、十分な S録再生を行なうことができなかつた。更に、面記録密度 50ギガビッ卜/平方インチの記録密度で記録した後、へッドシーク試験として、磁気へヅドを磁気記録媒体上の内周から外周まで 10万回シークさせ、かかるへヅドシーク試験後に磁気記録媒体のビヅ卜エラ一を測定したところビットエラ一数は 1 50ビット/面以下であり、 19万時間の平均故障間隔であった。

〔電磁変換特性の測定〕

つぎに、実施例 1〜3及び比較例 1、 2の磁気記録媒体の電磁変換特性を、スピンスタンドの記録再生試験機を用いて測定した。記録再生試験機の磁気へヅドとしては単磁極型書き込み素子と G M R読み取り素子の複合型へッドを使用した c 単磁極型書き込み素子のメインポール（主磁極）の実効書き込みトラック幅は 1 1 0 n m、 B sは 2 . 1 Tであった。また、 G M R素子の実効トラック幅は 9 7 n m、シールド間隔は 4 5 n mであった。記録再生試験の際、磁気へヅドの単磁極型書き込み素子の主磁極表面と磁気記録媒体の記録層表面との間隔を 1 3 n m とした。電磁変換特性の測定結果を図 4に示す。図 4において、 S / N dは 5 0 0 k F C Iにおける S / Nであり、 R eは孤立波出力で割った出力分解能である _c また、熱減磁率は、 2 4°Cの環境下において、線記録密度 1 0 0 k F C Iにて記録した信号を再生したときの再生信号振幅の時間に対する変化の割合とした。図 4から明らかなように、実施例 1 ~ 3で作製した磁気記録媒体は、良好な S/ N が得られており、分解能も 1 8 %以上と高いのに対し、比較例の磁気記録媒体では 1 0 %に満たなかった。このことから、実施例 1〜3の磁気記録媒体は、高域でも遷移性ノィズが低減しており、高分解能と高 S / Nが両立されていることがわかる。

〔記録層の断面構造の観察〕

つぎに、実施例 1〜3の磁気記録媒体の記録層の断面構造を、高分解能透過型電子顕微鏡を用いて観察した。図 2に、人工格子構造の記録層 5の断面構造の観察結果を模式的に示した。図 2に示すように、記録層 5は、円柱形状の結晶粒子 3 1の集合体から構成されており、それぞれの結晶粒子 3 1の上面は半球状であつた。円柱形状の結晶粒子の回転軸に対して垂直な断面の直径 dは約 8 n mであり、結晶粒子の表面の半球の最上部 Aと最下部 Bの差 hは 2 n mであった。記録層 5は、かかる円柱形状の結晶粒子から構成されているために面内方向の磁気的結合力が低減され、微細な記録ビヅ卜が安定になり、磁化遷移領域の直線性がよ <なると考えられる。更に、図 4の 2 4°Cにおける熱減磁率の結果からわかるように、実施例 1〜3 の磁気記録媒体においては熱減磁が認められなかったのに対し、比較例 1及び 2 の磁気記録媒体においては熱揺らぎによる減磁が顕著に見られた。この結果は、実施例 1〜 3の磁気記録媒体においては記録層の磁化遷移領域が明瞭で直線性が高いのに対し、比較例 1及び 2の磁気記録媒体においては磁化遷移領域が乱れて熱的に外乱を受けやすいことを示していると考えられる。また、オントラックで 1 O OO k B P Iにてエラ一レ一卜を測定したところ、実施例 1〜3の磁気記録媒体はいずれも 1 x1 0— ⁵以下であつたのに対し、比較例 1及び 2の磁気記録媒体は 1x1 0_⁴以上であった。実施例 5

この実施例では、シ一ド層の組成を下記表に示す値に変更した以外は、実施例 1と同様にして 9種類の磁気記録媒体（試料 1〜9) を作製した。得られた 9種類の磁気記録媒体について、前述の電磁変換特性の測定と同様にスピンスタンドの記録再生試験機を用いて、 SZNcU Re及び熱減磁率を測定した。下記表に測定結果を示した。表 1

上記表 1からわかるように、試料 1〜7の磁気記録媒体において 14. 6%以上の極めて良好な S/N dが得られており、分解能も 1 9%以上と極めて高かつた。すなわち、高 S/Nと高分解能が実現されていた。また、試料 1〜7のいずれの磁気記録媒体も熱減磁は認められておらず、熱的安定性が高いことがわかる一方、試料 8及び 9の磁気記録媒体は、 S/Ndと分解能のどちらも低かった。また熱減磁が認められていた。以上の結果からすると、磁気記録媒体の Pd S i Nのシ一ド層の組成が、 P dが 50at%〜80at%、 S iが 10at%〜35at%、 Nが 0. 1at〜10at°/_oのときに、比較的高い S/Nと分解能が得られ、熱的安定性に優れると考えられる。 ' 実施例 6

この実施例では、シード層の組成を下記表 2に示す値に変更した以外は、実施例 3と同様にして 9種類の磁気記録媒体（試料 10〜18) を作製した。得られた 9種類の磁気記録媒体について、前述の電磁変換特性の測定と同様にスピンスタンドの記録再生試験機を用いて、 S/Nd、 Re及び熱減磁率を測定した。下記表 2に測定結果を示した。表 2

表 2からわかるように、試料 10〜16の磁気記録媒体では 14. 6%以上の極めて良好な S/Ndが得られており、分解能も 19%以上と極めて高かった。すなわち、高 S/Nと高分解能が実現されていた。また、試料 10〜16の磁気記録媒体では熱減磁は認められておらず、熱的安定性が高いことがわかる。一方、試料 17及び 18の磁気記録媒体は、 S/Ndと分解能のどちらも低かった。また熱減磁が認められていた。以上の結果からすると、磁気記録媒体の P t S i N のシ一ド層の組成が、 P tが 50at%〜8 Oat%、 S iが 1 Oat%〜35at%、 Nが 0. 1at〜10₃七％のときに、比較的高い S/Nと分解能が得られ、熱的安定性に優れることがわかる。実施例 7

図 5に、本実施例の磁気記録媒体の概略断面図を示す。磁気記録媒体 500は、基板上 1に、軟磁性層 53、シード層 54、記録層 55、保護層 56及び潤滑層 57を備える。かかる磁気記録媒体を以下のようにして製造した。まず、直径 65mmのガラス基板 1を用意し、ガラス基板 1上に、軟磁性層 5 3として、 6₇₉丁3₉〇₁₂を膜厚400 |^ 171で成膜した。更に、成膜された F e ₇₉T a₉C₁₂の飽和磁化を高めるために、真空中でカーボンヒーターにより 4 00°Cの温度で 30秒間加熱した後、徐冷した。かかる加熱処理後、軟磁性層 5 3の表面をプラズマエッチング処理した。プラズマエッチング処理は、 A「ガス圧 0. 9 Pa、パワー 500Wで 1 20秒間行なった。次いで、基板 1を交互スパッ夕装置のスパッ夕チャンバ一に移送し、軟磁性層 53上にシード層 54を成膜した。シード層 54の成膜では、チャンバ一内にァルゴンガスを導入しながら、 Pdターゲットを DCスパッ夕し、 S i Nタ一ゲッ卜を R Fスパヅ夕することにより、軟磁性層 53上に、 70&1%の €1と、 20

&1%の3 iと、 1 0&七％の1\1からなるシード層 54を膜厚 3 nmで成膜した。つぎに、シード層 54上に人工格子構造の記録層 55を成膜した。記録層 55 の成膜では、 A rガス中で、 Coターゲットと P dターゲットのシャッターを交互に開閉しながら DCスパッ夕して、 Co層と P d層とが交互に積層された人工格子構造の記録層 55を形成した。 Co層の 1層あたりの膜厚は 0. 2nm、 P d層の 1層あたりの膜厚は 0. 8 nmであり、 P d層と C o層の積層数はそれぞれ 26層であった。次いで、記録層 55上に、アモルファスカーボンからなる保護層 56をプラズマ CVD法により膜厚 3 nmにて形成した。保護層 56の形成後、基板を成膜装置から取り出した。最後に、保護層 56上にパーフルォ口ポリエーテル系潤滑剤を 1 n mの厚さで溶液塗布して潤滑層 57を形成した。こうして図 5に示す積層構造を有する磁気記録媒体 500を作製した。また、軟磁性層の表面をプラズマエッチングすることによる効果を調べるために、軟磁性層の表面をブラズマエツチングしなかつた以外は、上記と同様に磁気記録媒体を作製した。軟磁性層の表面をェヅチング処理した磁気記録媒体とエツチング処理しない磁気記録媒体について、膜面に対して垂直方向に外部磁界を印加しながら記録層のカー回転角の変化を測定した。図 6に、エッチング処理した磁気記録媒体の外部磁界に対する力一回転角曲線を示す。記録層のカー回転角は、記録層の磁化の大きさに比例するので、カー回転角と外部磁界との関係を表すカー回転角曲線は、通常の磁化測定で求めた磁化曲線と実質的に同等の形状であり、ヒステリシスを示す。本実施例では、力一回転角曲線から記録層の保磁力、ニュークリエーション磁界、外部磁界 H = H cにおける曲線の傾き 4ττ (dM/d H) _H=Hcを見積もった。ここで、ニュークリエーション磁界とは、所定の方向に外部磁界を印加して磁化を一旦飽和させた後に、逆方向の外部磁界を印加させ、逆磁区（飽和された磁区の磁化に対して逆方向に向いた磁区）が発生するときの磁界である。図 6のグラフにおいては、カー回転角曲線の第 2象限の肩の部分（降下開始点）に相当する。エッチング処理した磁気記録媒体では、保磁力 H cは 3. 9 kOe、負のニュ一クリエーション磁界は一2. 1 kOe、外部磁界 H=H cにおける曲線の傾き 4ΤΓ (dM/d H) _H=Hcは 1. 4であった。一方、エッチング処理しない磁気記録媒体は、保磁力 H cは 2. 6 kOe、ニュークリエーション磁界は— 1. 6 kOe、外部磁界 H = H cにおける曲線の傾き 4ττ (dM/d H) _H=_Hcは 1. 8であった。つぎに、軟磁性層にエツチング処理した磁気記録媒体とエツチング処理しない磁気記録媒体の記録層の表面を透過型電子顕微鏡 (TEM) により観察した。図 7 (a) 及び（b) に、それぞれ、エッチング処理した磁気記録媒体とエツチング処理しない磁気記録媒体の記録層の表面の T EMによる観察像を示す。図 7 (a) に示すように、エッチング処理した磁気記録媒体の記録層は、孤立した円柱状の結晶粒子の集合体が形成され、結晶粒子同士の境界すなわち結晶粒界は極めて明瞭であることがわかる。一方、図 7 (b) に示すように、エッチング処理しない磁気記録媒体の記録層は、エツチング処理した磁気記録媒体の記録層に比ベて、結晶粒界は不明瞭であった。また、記録層の表面の T EM像から結晶粒子の平均粒径と分散度（標準偏差を平均値で割った値）を求めた。図 8に、記録層の 61 0個の結晶粒子の直径と結晶粒子の個数との関係をヒストグラムにして示した。図 8 (a) は、エッチング処理した磁気記録媒体のヒストグラムであり、図 8 (b) はエッチング処理しない磁気記録媒体のヒス卜グラムである。エッチング処理した磁気記録媒体では、平均粒子径は 1 3. 7 nmであり、分散度は 21. 7%であった。一方、エッチング処理しない磁気記録媒体では、平均粒子径は 1 1. 3 nmであり、分散度は 21 . 0%であった。ここで、エッチング処理した磁気記録媒体のシード層の断面を T EMにより観察したところ、シード層は無秩序構造を有していた。このような無秩序構造を有するシード層は、その表面上に、 CoZPd初期化層を分散して形成することができ、かかる C o/P d初期化層を単位に柱状の結晶粒子が孤立した状態で成長するものと考えられる。つぎに、エツチング処理した磁気記録媒体とエツチング処理しない磁気記録媒体について、実施例 1で用いたスピンスタンドの記録再生試験機を用いて記録再生試験を行なつたところ、エツチング処理した磁気記録媒体のほうがェッチング処理しない磁気記録媒体よりも S/Nが 1. 6 d Bだけ高かった。原子間力顕微鏡（AFM) を用いて、軟磁性層の成膜直後の表面粗さと、ブラズマエッチング後の表面粗さを測定した。図 9 (a)及び（b) に、軟磁性層の成膜直後の表面と、プラズマェヅチング後の表面の A F Mによる観察像をそれぞれ示す。かかる観察像から、軟磁性層の表面粗さを見積もったところ、軟磁性層の成膜直後の表面粗さは 0. 46 nmであったのに対し、プラズマエッチングを行なった軟磁性層の表面粗さは 0. 39nmであり、プラズマエッチングを行なうことによって軟磁性層の表面が平坦になっていることがわかる。このような軟磁性層の表面のプラズマエッチングによる平坦化が、記録再生特性における S/ Nの向上に寄与しているものと考えられる。つぎに、エッチング処理した磁気記録媒体に 100kFCI、 200kFCI、 300kFCI及び 400kFCIの線記録密度で繰り返しバタ一ンを記録し、記録層に記録された記録マークを磁気力顕微鏡（MFM) を用いて観察した。図 10に、 MFMによる観察像を示す。図 10からわかるように、線記録密度が 4 00 k FC Iであっても磁化遷移領域は極めて明瞭である。次いで、記録層に 250 k FC Iの線記録密度で繰り返しパターンを記録した後、かかる繰り返しパターンに隣接するように、記録へッドをへッド幅の分だけオフ卜ラックして同じ線記録密度で繰り返しパターンを記録した。そして、得られた 2列の繰り返しパターンのトラック幅方向のぼぼ中央に、 1 OOkFCIの線記録密度で繰り返しパターンを重ね書きした。また、同様に、記録層に 100 k F C Iの線記録密度で繰り返しパターンを記録しすこ後、かかる繰り返しパターンに瞵接するように、記録へヅドをへヅド幅の分だけオフ卜ラヅクして同じ線記録密度で繰り返しパターンを記録し、得られた 2列の繰り返しパターンのトラック幅方向のほぼ中央に、 250 k FC Iの線記録密度で繰り返しパターンを重ね書きした。このように、繰り返しパターン上に異なる線記録密度で繰り返しパ夕ーンを重ね書きした記録層の MFMによる観察像を図 1 1に示す。図 1 1からわかるように、重ね書きした繰り返しパターン（オーバ一ライ卜パターン）は明瞭であり、この才一バーライ卜パターンのすぐ両側に存在する重ね書き前の繰り返しパターンは消去されずに残っており、いわゆる、ィレースバンドは殆ど認められていない。このことから、本発明の磁気記録媒体は、トラックピッチを狭めて記録することが可能であり、高卜ラック密度に対応した記録媒体であることがわかる。以上の結果から、軟磁性層の表面をプラズマエッチングして平坦化し、平坦化された軟磁性層上に P d— S i Nのシード層を形成することにより、シード層上に、結晶粒子の境界すなわち結晶粒界は極めて明瞭な記録層を形成することができる。かかる明瞭な結晶粒界により、結晶粒子は、面内方向の磁気的結合力がより一層低減されるため、微小な記録ビヅ卜を形成することが可能となるとともに磁化遷移領域の直線性が高くなる。これにより高密度記録が可能になるとともに、高密度記録された情報を低ノイズで再生することが可能となる。実施例 8

この実施例では、軟磁性層の表面のプラズマエッチング処理として、 A「ガス圧 0 . 9 P a、パワー 4 0 0 W、エッチング時間 1 0秒間でプラズマエッチングした以外は、実施例 5と同様にして磁気記録媒体を作製した。プラズマエツチング後の軟磁性層の表面粗さを実施例 5と同様に A F Mにより測定したところ、 0 . 4 0 n mであった。また、実施例 1 と同様にスピンスタンドで記録再生試験を行なったところ、エツチング処理しないで作製した磁気記録媒体に比べて S / Nが 0 . 5 d B高くなつていた。実施例 9

この実施例では、軟磁性層の表面のプラズマエッチング処理として、 A「ガス圧 0 . 9 P a、パワー 6 0 0 W、エッチング時間 3 0 0秒間でプラズマエツチングした以外は、実施例 5と同様にして磁気記録媒体を作製した。プラズマエッチング後の軟磁性層の表面粗さを実施例 5と同様に A F Mにより測定したところ、 0 . 2 0 n mであった。また、実施例 1と同様にスピンスタンドで記録再生試験を行なったところ、エツチング処理しないで作製した磁気記録媒体に比べて S / Nが 2. Od B高くなつていた。上述の実施例 7及び 8の結果とあわせて考えると、軟磁性層の表面が平坦化されるほど S/Nが向上することがわかる。実施例 1 0

図 1 2に、本発明に従う磁気ディスクの概略断面図を示す。磁気ディスク 60 0は、基板 1上に、軟磁性材料から形成された軟磁性層 63、 Fe酸化物からなるシ一ド層 64、硬磁性材料から形成された記録層 65及び保護層 66を備える _c 本実施例の磁気記録媒体 600は、軟磁性層 63として FeTa C膜を用い、記録層 65として Coと Pdを交互に積層した Co/Pd交互積層膜（人工格子膜）を用い、 F e酸化物からなるシード層 64を反応性スパッタ法により形成した場合である。磁気ディスク 600を以下のような方法により製造した。

[軟磁性層の成膜]

磁気ディスク用の基板 1として 2. 5インチ（約 6. 25 cm) 直径のガラス基板を用いた。このガラス基板 1上に、軟磁性層 63として FeTa C膜を D C マグネ卜ロンスパヅ夕法により形成した。ターゲットには F e ₇₉ T a ₉ C， ₂組成の合金を用いた。膜厚は 400 nmとした。成膜後の膜に真空中でランプ加熱処理を施した。加熱温度は 450°Cとした。この加熱処理によって、 FeTaC膜中に F e微結晶が析出し、軟磁気特性が出現する。

[シ一ド層の成膜]

次いで、軟磁性層 63の上にシ一ド層 64を反応性スパッタ法により形成した c シ一ド層 64の成膜では、 A rと酸素の混合ガス（ A rに対する酸素の流量比 = 20%) を導入しながら F e夕一ゲヅ卜を DCスパヅ夕することによって、膜厚 5 nmで Fe酸化物を堆積させた。

[記録層の成膜]

つぎに、記録層 65として Co/Pd交互多層膜を D Cスパッタ法により作製した。まず、シード層上に Pdを 5 nmの厚さで堆積させ、その上に Coと Pd を交互に堆積した。 Co/Pd交互多層膜の成膜では、 Pdターゲットと Co夕一ゲットのシャッターを開閉することによって、 0. 1 1 nm厚の Coと 0. 7 6 nm厚のPdを交互に積層し、 C o層と P d層の積層数は各 26層とした。 C o/Pd交互多層膜の成膜時には基板加熱は行わなかった。

[保護層の成膜]

最後に保護層 66として C (力一ボン）膜を R Fスパッ夕法により膜厚 8 nm にて形成して磁気ディスクとした。実施例 1 1

この実施例では、シ一ド層を高温酸化法により形成した以外は、実施例 1 0と同様にして磁気ディスクを作製した。以下に、高温酸化法によるシード層の形成方法を説明する。なお、シ一ド層以外の層の成膜方法は、実施例 1 0と同様であるので、その説明については省略する。実施例 1 0と同様に、ガラス基板上に、 F eTaCからなる軟磁性層を形成し、ランプ加熱処理を施した。加熱終了後、そのまま真空中で 1分間保持し、その後、酸素ガスを流量 200 s c cmで 3分間導入した。このように F e T a C膜が加熱処理の余熱でまだ高温状態にあるうちに酸素ガスに曝すことによって FeTa C膜表面に F e酸化物の膜、すなわちシード層を形成した。シード層の膜厚は 5 n mとした。かかるシ一ド層上に記録層及び保護層を実施例 1 0と同様に形成することにより磁気ディスクを作製した。実施例 1 2

この実施例では、軟磁性層を C o Z r T a膜を用いて形成した以外は、実施例 1 0と同様にして磁気ディスクを作製した。軟磁性層の成膜では、 DCマグネ卜ロンスパタ法を用い、ターゲッ卜には Co ₈₀ Z r ₁₂T a₈組成の合金を用いた。層厚は 400 n mとした。軟磁性層以外の層の形成方法は実施例 1 0と同様である o 実施例 1 3

この実施例では、記録層として C oと P tを交互に積層した C o/P t交互多層膜を用いた以外は、実施例 1 0と同様にして磁気ディスクを作製した。 Co/ Pt交互多層膜の成膜には DCスパッタ法を用い、シード層上に、まず P tを 5 nmの厚さで堆積させ、その上に 0. 1 2 nm厚の Coと 0. 80 nm厚の Pt を交互に積層した。 P t層と Co層の積層数はともに 23層とした。 Co/Pt 交互多層膜の成膜時の基板温度は 250°Cとした。記録層以外の層の形成方法は実施例 1 0と同様である。実施例 14

この実施例では、シ一ド層の膜厚を 30 n mとした以外は、実施例 10と同様にして磁気デイスクを作製した。参考例 1

ここでは、シード層の膜厚を 40 nmとした以外は、実施例 1 0と同様にして磁気ディスクを作製した。参考例 2

ここでは、シード層の膜厚を 50 nmとした以外は、実施例 1 0と同様にして磁気ディスクを作製した。比較例 4

シード層を設けなかった以外は、実施例 1 0と同様にして磁気ディスクを作製した。比較例 5

シード層を設けなかった以外は、実施例 1 2と同様にして磁気ディスクを作製した。比較例 6

シード層を設けなかった以外は、実施例 1 3と同様にして磁気ディスクを作製した。比較例 7

軟磁性層を設けなかった以外は、実施例 1 0と同様にして磁気ディスクを作製した。

[媒体の評価]

上記実施例 1 0〜1 4、比較例 4〜7及び参考例 1、 2の磁気ディスクの保護層上に潤滑剤を塗布した後、各磁気ディスクの記録再生特性を評価した。記録再生特性の評価にはスピンスタンド式の記録再生装置を用いた。記録には 1 . 6 T の飽和磁束密度を有する軟磁性膜を用いた薄膜磁気へッドを用い、再生にはスピンバルブ型 GMR磁気へヅドを用いた。磁気へッドのギャップ長は 0. 1 Zyam である。へヅド面とディスク面との距離は 20 nmに保った。実施例、参考例及び比較例の磁気ディスクの評価結果を図 1 3の表に示す。ここで L F o p/N dは、線記録密度 1 0 k F C Iの信号を記録したとき再生出力 L F o pと、 400 k FC Iを記録した時のノイズである Ndとの比であり、媒体の SZNの指標とした。また、 D 50は再生出力が L F o pの 1/2に低下する線記録密度であり、記録分解能の指標とした。シード層を膜厚 5 nmで反応性スパヅ夕で形成した実施例 1 0、 1 2及び 1 3 の磁気ディスクでは、高い L F o p/N dと良好な D 50が得られていることがわかる。またシード層を高温酸化法によって形成した実施例 1 1の磁気ディスクにおいても優れた L F o p/ dと D 50が得られている。シ一ド層の膜厚を 3 Onmとした実施例 14の磁気ディスクにおいては、高い LFop/Ndが得られているものの D 50の低下が見られた。これに対し、シード層を設けなかった比較例 4〜7の磁気ディスクでは、 D50は若干高いものの、 LFop/Ndが明らかに低い。特に軟磁性層を設けていない比較例 7の磁気ディスクではし F o p/Ndが極端に低かった。参考例 1及び 2の磁気ディスクにおいては、 LFo p/N dが 20 dB以上で良好であつたが、 D 50が若干低下していた。これは、シード層を厚くしたことにより、磁気へッドと軟磁性層との距離が増したためであると考えられる。作製した磁気ディスクの構造と組成を、高分解能透過型電子顕微鏡 (TEM) およびォ一ジェ電子分光法（AES) によって分析したところ、実施例 10〜1 3および比較例 7のそれぞれの磁気デイスクにおいて、軟磁性層上またはガラス基板の上に、 F eと酸素を主成分とする F e酸化物からなる層が約 5 n mの厚さで形成されていることを確認した。また、実施例 14の磁気ディスクにおいて、 F e酸化物からなる層が約 30 nmの膜厚で形成されていることを確認した。つぎに、実施例 1 1の磁気ディスクを、実施例 4と同様に図 3に示す磁気ディスク装置に組み込んで記録再生特性を評価した。実施例 1 1で作製した磁気ディスクに面密度 40Gb/i nch²に相当する信号（700 kFCI) を記録してディスクの S/Nを評価したところ、 34d Bの値を得た。またエラ一レ一卜を測定したところ、信号処理を行わない場合の値で 1x1 0 5以下であった。実施例 1 5

この実施例では、 F e酸化物及び F e金属が含まれるようにシ一ド層を形成した以外は、実施例 10と同様にして磁気ディスクを作製した。シード層の成膜には、反応性スパッタ法を用い、 A rガスに対して 6%の流量比の酸素ガスを導入しながら F eターゲッ卜を D Cスパヅタした。かかるスパッ夕により F e酸化物と F e金属とを含むシード層を膜厚 5 n mにて形成した。実施例 1 6

この実施例では、シード層を反応性スパッタ法により形成する際に、 A「ガスに対する酸素ガスの流量比を 2 . 5 %とした以外は、実施例 1 5と同様にして磁気ディスクを作製した。実施例 1 7

記録層として C oと P tを交互に積層した C o/P t多層膜を用いた以外は、実施例 1 5と同様にして磁気ディスクを作製した。 C o/ P t交互多層膜の成膜には D Cスパヅタ法を用い、シード層上に、まず P tを 5 n mの厚さで堆積させ、その上に 0 . 1 2门171厚の〇0と0 . 8 0 n m厚の P tを交互に積層した。 C o 層と P t層の積層数はともに 2 3層とした。 C oZP t交互多層膜の成膜時の基板温度は 2 0 0°Cとした。実施例 1 8

この実施例では、シード層を形成した後、シード層の表面をスパッタエヅチングした以外は、実施例 1 5と同様にして磁気ディスクを作製した。シード層表面のエッチング処理として、実施例 1 0と同じ方法でシード層を形成した後、真空度が 0 . 9 P aになる流量の A rガスを導入してシード層の表面を R Fスパヅ夕エッチングした。スパッタエッチング時間は 3 0秒とした。かかるスパヅタエツチング後、実施例 1 5と同じ方法で記録層と保護層を形成して磁気ディスクを作製した。実施例 1 9

この実施例では、シード層を反応性スパッタ法により形成する際に、 A「ガスに対する酸素ガスの流量比を 8 %とした以外は、実施例 1 5と同様にして磁気デイスクを作製した。実施例 20

この実施例では、シード層を反応性スパヅタ法により形成する際に、 Arガスに対する酸素ガスの流量比を 1. 5°/₀とした以外は、実施例 1 5と同様にして磁気ディスクを作製した。実施例 21

この実施例では、シード層を膜厚 30 nmで形成した以外は、実施例 1 5と同様にして磁気デイスクを作製した。実施例 22

この実施例では、シード層を反応性スパッタ法により形成する際に、 A rガスに対する酸素ガスの流量比を 8%とした以外は、実施例 1 7と同様にして磁気デイスクを作製した。実施例 23

この実施例では、シード層を反応性スパッタ法により形成する際に、 A「ガスに対する酸素ガスの流量比を 1. 5%とした以外は、実施例 1 7と同様にして磁気ディスクを作製した。以上のようにして作製した磁気ディスクの保護層上に潤滑剤を塗布した後、各磁気ディスクの記録再生特性を上述の「媒体の評価」と同様の方法により評価した。図 1 4に、実施例 1 5〜23のそれぞれの磁気ディスクの記録再生特性を示す。また、図 1 4には、シード層中に酸化物として存在する Feの原子数 Fe。_xi と、金属として存在する F eの原子数 Fe_Metの原子数との比（Fe_Met/Fe oxi ) を示した。原子数比（Fe_Met/F e_0x1) は、作製した磁気ディスクのシード層の化学状態を X線光電子分光法（X P S ) を用いた深さ方向分析により分析し、 Fe酸化物と Fe金属からなるシード層の Feスぺクトルを、酸化物由来のピークと金属由来のピークの 2種類のピークに分離することにより求めた。実施例 15〜"！ 9、 22及び 23の磁気ディスクでは、 21. 5-27. 1 d Bの高い L F o p/N dが得られている。特に、実施例 1 5〜19の磁気ディスクは、 LFo p/N d及び D 50ともに良好であることがわかる。これら実施例 1 5—19の磁気ディスクの F e_Met/F e。_xiの値は、 0. 02<F e_Met/ F e_Oxi<0. 2の範囲内にあった。シード層の表面をスパッタエッチングした実施例 18の磁気ディスクにおいては、 L F o p/N dの値が 27. 1と極めて高かった。また、シード層成膜時の酸素ガスを 1. 5%とした実施例 20と実施例 24の磁気ディスクは、 L F o pZN dはそれぞれ 1 5. 7dB、 14. 8 d Bと低くなつていた。実施例 20及び 24の磁気ディスクのシード層の Fe_Met e_0xi値はそれぞれ 0. 22、 0. 21であった。すなわち、実施例 20及び 24の磁気ディスクは、他の実施例の磁気ディスクに比べてシ一ド層中に F e 金属が多く含まれていた。このことから、シード層中に F e金属を比較的多く含ねために、シード層上に記録層を形成したときに、記録層を構成する白金族元素の F e金属への吸着が増大し、微小な磁性粒子が形成されにくくなつていたものと考えられる。また、シード層の厚さを 30 nmとした実施例 22の磁気ディスクでは D 50が 144kFCIと低くなつていた。これは、シード層の奠厚を厚 <したために磁気へッドと軟磁性層との間隔が厚くなり、磁気へッドからの磁界が記録層に十分な磁界強度で印加されなかったものと考えられる。つぎに、実施例 15の磁気ディスクを、実施例 4と同様に、図 3に示す磁気デイスク装置に組み込んで記録再生特性を評価した。実施例 1 5の磁気ディスクに面密度 40Gb/i nch²に相当する信号（700 kFCI) を記録して磁気ディスクめ S/Nを評価したところ、 36dBの値を得た。またエラーレー卜を測定したところ、信号処理を行わない場合の値で 1x10一⁵以下であった。実施例 24

図 1 5に、本実施例の磁気記録媒体の概略断面図を示す。磁気記録媒体 700 は、基板 1上に、軟磁性材料から形成された軟磁性層 73、 Fe酸化物からなる第 1シード層 74、 Pd-S i Nからなる第 2シード層 75、硬磁性材料から形成された記録層 76及び保護層 77を備える。磁気記録媒体 700の製造方法を以下に説明する。

[基板の準備]

まず、直径 65 mmのガラス基板 1を用意し、ガラス基板 1上に連続スパヅタ装置により、密着層 72として厚さ 5 n mの T iを成膜した。

[軟磁性層の成膜]

次いで、密着層 72上に、軟磁性層 73として FeTa C膜を D Cマグネト口ンスパッタ法により形成した。夕一ゲットには 6₇₉丁3₉〇₁₂組成の合金を用いた。膜厚は 400 nmとした。更に、成膜された F e ₇₉ T a ₉ C， ₂を真空中で力一ボンヒータ一により 450°Cの温度で 30秒間加熱した後、徐冷した。こうして F eの微結晶を含有する軟磁性層 73を形成した。

[第 1シード層の成膜]

次いで、軟磁性層 73の上に第 1シード層 74を反応性スパッ夕法により形成した。第 1シ一ド層 74の成膜では、 A rと酸素の混合ガス（A rに対する酸素の流量比 = 20%) を導入しながら F eターゲッ卜を DCスパッ夕することによつて、膜厚 5 nmで Fe酸化物を堆積させた。

[第 2シ一ド層の成膜]

次いで、基板 1を交互スパッ夕装置のチャンバ一に移送し、第 1シード層 74 上に第 2シ一ド層 75を成膜した。第 2シード層 75の成膜では、チャンバ一内にアルゴンガスを導入しながら、 P dターゲットを DCスパッ夕し、 S i Nタ一ゲヅ卜を R Fスパヅ夕した。これにより、第 1シード層 74上に、 73&セ％の dと、 26at%の Siと、 1 &1%の1\1からなる第 2シード層 75を膜厚 5 n mで成膜した。

[記録層の成膜]

つぎに、記録層 76として C o/Pd交互多層膜を D Cスパウタ法により作製した。 Co/Pd交互多層膜の成膜では、 Pdターゲットと Coタ一ゲヅ卜のシャッターを開閉することによって、 0. 1 2 nm厚の Coと 0. 85nm厚の P dを交互に積層した。〇0層と 0!層の積層数は各26層とした。

[保護層及び潤滑層の成膜]

次いで、記録層 76上に、アモルファスカーボンからなる保護層 77をプラズマ CVD法により膜厚 3 nmにて形成した。保護層 77の形成後、基板を成膜装置から取り出した。最後に、保護層 77上にパーフル才ロポリエ一テル系潤滑剤を 1 nmの厚さで塗布して潤滑層 78を形成した。こうして図 1 5に示す積層構造を有する磁気記録媒体 700を作製した。かかる磁気記録媒体 700を実施例 4と同様に図 3に示す磁気記憶装置に装着した。そして、磁気記憶装置を駆動して、実施例 4と同様の条件で記録再生特性を評価したところ、トータル S/Nとして 24. 5 d Bを得た。更に、面記録密度 150Gb/i nch²の記録密度にて記録再生することができた。また、へッドシーク試験として、磁気へヅドを磁気記録媒体上の内周から外周まで 10万回シークさせ、かかるへヅドシーク試験後に磁気記録媒体のビヅトエラ一を測定したところビッ卜エラー数は 10ビヅ卜/面以下であり、 30万時間の平均故障間隔を達成することができた。つぎに、磁気記録媒体 700について、前述の電磁変換特性の測定と同様の条件にてスピンスタンドの記録再生試験機を用いて電磁変換特性を測定した。測定結果を下記表 3に示す。表 3において、 S/N dは 500 k FC Iにおける SZ Nであり、 R eは孤立波出力で割った出力分解能である。また、熱減磁率は、 2 4°Cの環境下において、線記録密度 1 0 0 k F C Iにて記録した信号を再生したときの再生信号振幅の時間に対する変化の割合とした。表 3

表 3からわかるように、本実施例においては良好な S/ Nが得られている。また、分解能も 1 8 %以上と極めて高い。このことから、本実施例の磁気ディスクは、高域でも遷移性ノイズが低減しており、高分解能と高 SZNが両立されていることがわかる。また、磁気ディスクの記録層の断面構造を、高分解能透過型電子顕微鏡を用いて観察したところ、前述の実施例 1〜3の磁気記録媒体と同様に図 2に示すような構造を有していた。図 2における円柱形状の結晶粒子の回転軸に対して垂直な断面の直径 dは約 8 n mであり、結晶粒子の表面の半球の最上部 Aと最下部 Bの差 hは 2 n mであった。本実施例の磁気記録媒体の記録層は、かかる円柱形状の結晶粒子から構成されているために面内方向の磁気的結合力が低減され、微細な記録ピヅ卜が安定になり、磁化遷移領域の直線性がよくなると考えられる。また、上記表 3の熱減磁率の結果からわかるように、本実施例の磁気記録媒体においては熱減磁が認められなかった。このように、本実施例の磁気記録媒体において熱減磁が認められなかったのは、記録層の磁化遷移領域が明瞭で直線性が高くなつていることに起因すると考えられる。また、オン卜ラックで 1 0 0 0 k B P Iにてエラーレ一卜を測定したところ、本実施例の磁気記録媒体はいずれも 1 x 1 0— ⁵以下であった。実施例 2 5

この実施例では、図 1 5に示す磁気記録媒体と同様の積層構造を有する磁気記録媒体を作製した。第 1シード層 7 4として、実施例 1 8で用いた F e酸化物と F e金属を含むシ一ド層を用い、第 2シ一ド層 7 5として、実施例 1で用いた P d S Nから構成されたシード層を用いた。基板 1上の軟磁性層 7 3と第 1シード層 7 4は実施例 1 8と同様の方法を用いて形成した。第 2シード層 7 5、記録層 7 6、保護層 7 7及び潤滑層 7 8は、実施例 1と同様の方法を用いて形成した _c 本実施例では、第 2シード層を種々の組成に変更して 7種類の磁気記録媒体（試料 1 5〜2 1 ) を作製した。それぞれの磁気記録媒体の第 2シード層の組成を下記表 4に示した。作製したそれぞれの磁気記録媒体について、前述の電磁変換特性の測定と同様にスピンスタンドの記録再生試験機を用いて、 S/N d、 R e及び熱減磁率を測定した。下記表 4に測定結果を示した。表 4

上記表からわかるように、全てに試料において 1 4 . 7 d B以上の良好な S/ N dが得られた。また R eも 1 9 %以上と極めて高かった。すなわち、本実施例の磁気記録媒体は高分解能と高 S/Nが実現されていることがわかる。また熱減磁も認められなかったことから、熱的安定性に優れていることがわかる。

以上、本発明の磁気記録媒体について具体的に説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、種々の変形例及び改良例を含み得る。產業上の利用可能性

本発明の第 1の態様の磁気記録媒体は、 F e酸化物を含む第 1シード層を、 P d及び P tの一方と、 S と Nとを含む第 2シード層の下地として用いているので、第 2シード層の P dまたは P tの S i N中の分散が促進されている。更に、 P dまたは P tの分散が促進された第 2シード層上に記録層を備えるので、記録層には粒界の明瞭な微細な結晶粒子が形成される。このため記録層の面内方向の磁気的結合力が低減されるので、線記録密度を高めても低ノイズで情報を再生することができる。本発明の第 2の態様の磁気記録媒体は、人工格子構造を有する記録層の下地として、 01及び？ 1:の一方と、 S iと Nとを含むシード層を用いているので、記録層の面内方向の磁気的結合力を低減することができる。これにより、記録層の磁化遷移領域の乱れが低減するため、線記録密度を高めても低ノイズで情報を再生することができる。また。磁気異方性の高い人工格子膜を記録層として用いているため、高い熱安定性を有している。本発明の第 3の態様の磁気記録媒体は、 F e酸化物を主成分とするシ一ド層を、軟磁性材料からなる軟磁性層と硬磁性材料からなる記録層との間に備えるので、例えば、記録層として高い磁気異方性を有する C o/P t人工格子膜を用いた場合であっても、記録層の磁性粒子を微小化する'ことができ、記録層に微小な磁区を形成することが可能である。このため、媒体ノイズが低減され、高 S/Nで情報を再生することができる。また、高い磁気異方性を有する人工格子膜を用いて記録層を形成することができるので、熱擾乱に対して高い耐性を有し、高密度に ft報を記録することができる。本発明の製造方法によれば、面内方向の磁気的交換結合力が低減された記録層を備える磁気記録媒体を製造することができるので、高密度記録された情報を低ノィズで再生可能な磁気記録媒体を提供することができる。本発明の磁気記憶装置は、本発明の第 1〜第 3のいずれかの磁気記録媒体を備えるため、 150G b n c h² (約 23, 25 G b/cm²) の高い面記録密度で情報を記録しても高 SZNで情報を再生することができるとともに、高い耐熱減磁特性を有している。

Claims

請求の範囲

1. 磁気記録媒体であって、

基板と；

軟磁性層と；

F e酸化物を含む第 1シ一ド層と；

？及びのー方と iと Nとを含む第 2シード層と；

記録層と；を備える磁気記録媒体。

2. 上記記録層は、 Pt及び Pdの少なくとも一方から構成された白金族層と、 Coから構成された Co層とを交互に積層して形成された人工格子膜である請求項 1に記載の磁気記録媒体。

3. 第 1シ一ド層は金属として存在する F eを含む請求項 1に記載の磁気記録媒体。

4. 第 2シード層における S iの含有量が 1 0at%〜35at%の範囲内にあり、且つ、 Nの含有量が 0. 1 at%〜1 0at%の範囲内にある請求項 1に記載の磁気記録媒体。

5. 第 2シード層は更に C oを含む請求項 4に記載の磁気記録媒体。

6. 第 1シード層及び第 2シード層が、いずれも 1 nm〜30 nmの範囲内の膜厚を有する請求項 1に記載の磁気記録媒体。

7. 上記軟磁性層は、 F e中に、 Ta、 N b及び Z rからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素の窒化物または炭化物を分散させてなる構造を有する請求項 1に記載の磁気記録媒体。

8. 上記軟磁性層は、 00— 2「を主体とし、これに Ta、！^ 及び！^からなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を含む非晶質合金から形成される請求項 1に記載の磁気記録媒体。

9. 上記記録層が結晶粒子の集合体から構成され、各結晶粒子は上記基板の表面に対して垂直な方向に円柱状に延び且つその先端が記録層表面において隆起しており、該円柱状の結晶粒子の回転軸に対して垂直な断面における直径が 2 n m〜 1 5 nmの範囲内にあり、該結晶粒子の隆起の高さが 1 nm~1 O nmの範囲内にある請求項 1に記載の磁気記録媒体。

1 0. 磁気記録媒体であって、

基板と；

軟磁性層と；

P d及び P tの一方と S iと Nとを含むシ一ド層と；

記録層と；を備える磁気記録媒体。

1 1. 上記記録層が結晶粒子の集合体から構成され、各結晶粒子は上記基板の表面に対して垂直な方向に円柱状に延び且つその先端が記録層表面において隆起しており、該円柱状の結晶粒子の回転軸に対して垂直な断面における直径が 2 nm 〜1 5 nmの範囲内にあり、該結晶粒子の隆起の高さが 1 nm〜1 O nmの範囲内にあることを特徴とする請求項 1 0に記載の磁気記録媒体。

1 2. 上記記録層は、 0. 05 nm〜0. 5 n mの範囲内の膜厚を有する C o層と、 0. 5 nm〜2 nmの範囲内の膜厚を有する Pd層とを交互に積層して形成された Co/P d人工格子膜である請求項 1 0に記載の磁気記録媒体。

1 3. 上記記録層が、 0. 05 nm〜0. 5 n mの範囲内の膜厚を有する C o層と、 0. 1 nm〜 2 nmの範囲内の膜厚を有する P t層とを交互に積層して形成された C o / P t人工格子膜である請求項 1 0に記載の磁気記録媒体。

1 4. 上記シード層における S iの含有量が 1 0at%〜35at%の範囲内にあり、 Nの含有量が 0. 1at%~1 0at%の範囲内にある請求項 1 0に記載の磁気記録媒体。

1 5. 上記シード層は更に Coを含む請求項 1 4に記載の磁気記録媒体。

1 6. 上記人工格子膜を構成する Co層は、 Coが基板面に平行な方向に不連続に分布して構成されている請求項 1 2または 1 3に記載の磁気記録媒体。

1 7. 上記シード層の膜厚が 1 nm〜30 nmの範囲内にある請求項 1 0に記載の磁気記録媒体。

1 8. 上記軟磁性層の表面粗さが 0. 20n rr！〜 0. 40 n mの範囲内にある請求項 1 0に記載の磁気記録媒体。

1 9. 磁気記録媒体であって、

軟磁性層と；

硬磁性材料から形成され、垂直磁化を示す記録層と；

上記軟磁性層と記録層との間に位置し、 F e酸化物を含むシード層と；を備える磁気記録媒体。

20. 上記記録層は、 Pt及び Pdの少なくとも一方の白金族元素と Coとを交互に積層して形成された人工格子膜である請求項 1 9に記載の磁気記録媒体。

21 . 上記シード層は、金属として存在する Feを含む請求項 1 9に記載の磁気目己録媒体。

22. 上記シ一ド層中に金属として存在する F eの原子数を F e_Metとし、酸化物として存在する Feの原子数を Fe。_xiとするとき、それらの原子数比 Fe_Me _t/Fe_0xiが、 0. 02く (Fe_Met/Fe_0xi) <0. 2の関係を満たすことを特徴とする請求項 21に記載の磁気記録媒体。

23. 上記シード層の厚さが 30 nm以下である請求項 19に記載の磁気記録媒体。

24. 上記軟磁性層は、 Fe中に、 Ta、 N b及び Z rからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素の窒化物または炭化物を分散させてなる構造を有する請求項 1 9に記載の磁気記録媒体。

25. 上記軟磁性層は、 Co— Zrを主体とし、これに Ta、 N b及び T iからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を含む非晶質合金から形成されている請求項 19に記載の磁気記録媒体。

26. 上記シ一ド層は、上記軟磁性層の表面を酸化させることによって形成されることを特徴とする請求項 24に記載の磁気記録媒体。

27. 磁気記録媒体の製造方法であって、

¾板を用思し、

上記基板上に軟磁性層を形成し；

上記軟磁性層上に、 F e酸化物を含む第 1シード層を形成し；

第 1シード層上に、 Pd及び Ptの一方と S と Nとを含む第 2シード層を形成し；

第 2シード層上に人工格子構造を有する記録層を形成することを含む磁気記録媒体の製造方法。

28. 酸素を含むスパッタガスを用い、 F eを含むターゲットを反応性スパッタすることにより第 1シ一ド層を形成することを含む請求項 2 7に記載の磁気記録媒体の製造方法。

2 9 . 上記スパヅ夕ガス中の酸素の量を制御して、第 1シード層中に金属として存在する F eを含有させることを含む請求項 2 8に記載の磁気記録媒体の製造方

3 0 . 更に、第 1シード層の表面をスパッ夕エッチングすることを含む請求項 2 9に記載の磁気記録媒体の製造方法。

3 1 . 磁気記録媒体の製造方法であって、

を用思し、

上記基板上に軟磁性層を形成し；

上記軟磁性層上に、卩€1及び？ 1;の一方と3 と Nとを含むシード層を形成し；

上記シード層上に人工格子構造を有する記録層を形成することを含む磁気記録媒体の製造方法。

3 2 . 更に、上記軟磁性層を形成した後、軟磁性層の表面をエッチング処理することを含む請求項 3 1に記載の磁気記録媒体の製造方法。

3 3 . 磁気記録媒体の製造方法であって、

板を用思し、

上記基板上に軟磁性層を形成し；

上記軟磁性層上に、 F e酸化物を含むシード層を形成し；

上記シード層上に記録層を形成することを含む磁気記録媒体の製造方法。

3 4 . 上記シード層を、酸素を含むスパッタガスを用いて F eを含むタ一ゲヅ卜を反応性スパッ夕することにより形成することを含む請求項 3 3に記載の磁気記録媒体の製造方法。

3 5 . 上記スパヅ夕ガス中の酸素の量を制御して、上記シード層中に金属として存在する F eを含有させることを含む請求項 3 4に記載の磁気記録媒体の製造方

3 6 · 更に、上記シード層の表面をスパウタエッチングすることを含む請求項 3 5に記載の磁気記録媒体の製造方法。 .

3 7 . 上記軟磁性層は F eを含み、

F eを含む軟磁性層を形成した後、該軟磁性層の表面を高温で酸化させることによって上記シ一ド層を形成することを含む請求項 3 3に記載の磁気記録媒体の製造方法。

3 8 . 請求項 1、 1 0または 1 9の磁気記録媒体と；

情報を記録または再生するための磁気へッドと；

上記磁気記録媒体を上記磁気へッドに対して駆動するための駆動装置と；を備 X.る磁気 §己'慮装 Λ。