WO2002023619A2 - Method and device for the detection of layers applied to a wafer - Google Patents

Method and device for the detection of layers applied to a wafer Download PDF

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WO2002023619A2
WO2002023619A2 PCT/DE2001/003465 DE0103465W WO0223619A2 WO 2002023619 A2 WO2002023619 A2 WO 2002023619A2 DE 0103465 W DE0103465 W DE 0103465W WO 0223619 A2 WO0223619 A2 WO 0223619A2
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layer
receiver
transmitters
different wavelengths
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Ernst Biedermann
Stefan Ellinger
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Infineon Technologies Ag
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry

Definitions

  • the invention relates to a method and a device for detecting layers applied to a wafer.
  • Such wafers are preferably formed from silicon wafers and are used in particular for the production of integrated circuits.
  • predetermined processing processes are carried out on the wafers in different production units.
  • processing processes include, in particular, applying different layers to the surface of the wafer.
  • the layers can in particular consist of metal, such as tungsten or aluminum.
  • Conductive structures are preferably produced from these layers. These can be separated by further non-metallic layers, such as silicon oxide or silicon nitride.
  • Auxiliary layers, such as, for example, photoresist layers, which are required for carrying out photolithography processes, can also be applied to such wafers.
  • Such machining processes take place in different production units that are connected via a transport system.
  • the production systems for processing such wafers comprise a large number of production units, to which a large number of wafers, each with a defined process state, have to be fed.
  • the object of the invention is to avoid incorrect processing of the wafers by recognizing layers applied to wafers.
  • the respective layer is subjected to transmitted light beams of different wavelengths for the automatic detection of layers applied to a wafer.
  • the transmitted light beams are guided from the layer onto at least one receiver, the transmitted light beams preferably being reflected from the layer as received light beams onto the receiver.
  • the amplitudes of the received light beams of different wavelengths are selectively evaluated for the classification of different layers.
  • Different transmitters formed by light-emitting diodes or laser diodes are preferably provided, which transmit light beams of different wavelengths, preferably in the red, blue or green wavelength range.
  • the recipient is preferably formed by a photodiode or a phototransistor.
  • the basic idea of the invention is therefore to recognize different layers on wafers on the basis of their different colors. Different layers can be differentiated quickly and reliably by means of the color recognition according to the invention. In this way, incorrect processing of the wafers can be avoided with great certainty.
  • the amplitude values of received light beams, which are reflected on predetermined reference layers, are preferably stored in an evaluation unit as target values, which are compared with the actual values emitted during the color detection.
  • the layers applied to the wafers can be classified in a simple manner.
  • Another advantage is that a device is used for color detection of the layers, which has a simple and space-saving structure. Such sensor arrangements can therefore be installed flexibly at the test locations of the production plant required in each case.
  • FIG. 1 Schematic representation of the device according to the invention for detecting layers applied to a wafer.
  • FIG. 2 Pulse diagrams of the transmitted light pulses of different wavelengths emitted by transmitters of the device according to FIG. 1.
  • FIG. 3 Schematic representation of target values and tolerance bands assigned to them for evaluating received signals of different wavelengths generated with the device according to FIG. 1.
  • FIG. 1 shows an exemplary embodiment of the device 1 according to the invention for detecting layers 3 applied to a wafer 2.
  • Such wafers 2 are preferably designed as silicon wafers which are used for the production of semiconductor products, in particular integrated circuits.
  • a layer 2 is applied to the wafer surface.
  • several layers 3 can also be applied to the wafer 2.
  • the device 1 detects and classifies the top layer 3 on the wafer 2 by means of a color recognition method.
  • the different layers 3, which consist, for example, of silicon oxide, silicon nitride, tungsten, aluminum or a photoresist, can be reliably distinguished in this way.
  • the device 1 comprises a transmitting unit with a plurality of transmitting light beams 4, 4 ', 4' 'emitting transmitters 5, 5', 5 '' and a receiving light beam 6, 6 ', 6' 'receiving receiver 7.
  • the transmitted light beams 4, 4 ', 4''emitted by the transmitters 5, 5', 5 '' are directed onto the layer 3 on the wafer 2 and from there are received light beams 6, 6 ', 6''on the receiver 7 reflected.
  • the transmitters 5, 5', 5 '' can be followed by transmission optics, not shown.
  • the transmitters 5, 5 ', 5' 'and the receiver 7 are connected to a common evaluation unit, not shown.
  • the evaluation unit is formed by a computer unit, for example a personal computer.
  • the evaluation of the received signals at the output of the receiver 7 takes place in the evaluation unit.
  • the control of the individual transmitters 5, 5 ', 5' ' takes place via the evaluation unit.
  • the layer 3 to be examined is exposed to transmitted light beams 5, 5 ', 5' 'of different wavelengths.
  • the corresponding received signals of different wavelengths are then selectively evaluated in the evaluation unit for color detection of layer 3.
  • the transmitters 5, 5', 5 '' are followed by optical means, such as color filters.
  • First transmitters 5 transmit light rays 4 in the red wavelength range
  • first reception light beams 6 in the red wavelength range, second reception light beams 6 'in the blue wavelength range and third reception light beams 6''in the green wavelength range are obtained.
  • three transmitters 5, 5 ', 5' ' are arranged on each side of the receiver 7.
  • one of these three transmitters 5, 5 ', 5' ' emits transmission light beams 4, 4', 4 '' in the red, blue or green wavelength range.
  • the beam axes of the transmitted and received light beams 5, 5 ', 5' ', 6, 6', 6 '' preferably run in a vertical plane running perpendicular to the wafer surface.
  • the beam axes of the first group with three transmitters 5, 5 ', 5' 'and the beam axes of the second group with three transmitters 5, 5', 5 '' run in a V-shape towards the wafer surface.
  • the spacing ratios are selected such that the reflected light rays 6, 6 ', 6' 'reflected back hit the receiving optics 8.
  • the received signals generated by the received light beams 6, 6 ', 6' 'of different wavelengths are evaluated separately in the evaluation unit.
  • the transmitted light beams 4, 4', 4 '' are modulated with predetermined modulation frequencies.
  • An amplitude modulation which is in the range of approximately 3 kHz is preferably selected as the modulation.
  • the transmitters 5, 5 ', 5' ' are fed with corresponding sinusoidal AC voltages.
  • the transmitters 5, 5 ', 5'', the transmission light beams 4, 4', 4 '' of different wavelengths emit, emit with different modulation frequencies.
  • a filter unit is arranged downstream of the receiver 7, in which the received signals with different modulation frequencies are separated.
  • the transmitters 5, 5 ', 5' 'are operated in pulse mode.
  • the transmitters 5, 5 ', 5' 'are preferably controlled via oscillators integrated in the evaluation unit.
  • the transmitters 5, 5 ', 5' ' which emit transmission light pulses of the same wavelength are operated synchronously.
  • the transmission light pulses emitted in the red, blue or green wavelength range are emitted in the transmission pauses of the transmission light pulses with the respective different wavelengths.
  • the received light pulses of different wavelengths can then be registered with a time delay in the evaluation unit and evaluated separately.
  • the modulation of the transmitted light beams 4, 4 ', 4''or the pulsed operation of the transmitters 5, 5', 5 '' also advantageously means that the device 1 is insensitive to external interference, such as constant light.
  • the evaluation unit uses the wavelength-selective evaluation of the received signals to differentiate between different layers 3 applied to the wafer 2. The fact that the amplitudes of the received light beams 6, 6 'reflected on the different colors of the individual layers 3 is used, Differentiate 6 '' of different wavelengths in a characteristic way.
  • a layer 3 is classified during a
  • a separate setpoint value Si-S 3 is stored for each wavelength of the light beams 6, 6 ', 6''.
  • the setpoints Si-S 3 are expediently determined during a teach-in process which is carried out before the measurement processes.
  • a wafer 2 with a reference layer arranged thereon is introduced into the beam path of the device 1 according to FIG. 1.
  • the received signals obtained for the transmitted light beams 4, 4 ', 4''of different wavelengths are stored in the evaluation unit as target values Si-S 3 .
  • tolerance bands with upper tolerance limits Tio, T 20 , T 30 and lower tolerance limits ⁇ u , T 2u , T 3u are calculated in the evaluation unit for all target values S x - S 3 .
  • the target values Si - S 3 lie within the respective tolerance bands, the widths of which are either freely specified or are adapted to the spreading widths of the measuring system or different layer thicknesses of the reference layer.
  • several reference layers are measured during the learning process, which preferably include all layers 3 to be applied to the wafer 2.
  • the corresponding setpoints Si - S 3 and tolerance bands are recorded for each reference layer.
  • Layer 3 with a reference layer is only recognized as corresponding if the corresponding actual value for each wavelength matches the corresponding target value Si - S 3 for the same wavelength within the accuracy specified by the respective tolerance band.

Abstract

The invention relates to a method and device for the detection of layers applied to a wafer. A layer (3) is irradiated with transmission light beams of various wavelengths, whereby the transmission light beams (4, 4', 4'') are guided from the layer (3) to at least one receiver as received light beams (6, 6', 6''). In an analytical unit a selective analysis of the amplitudes of the received light beams (6, 6', 6'') of various wavelengths occurs for the classification of various layers (3).

Description

Beschreibungdescription
Verfahren und Vorrichtung zur Erfassung von auf einem Wafer aufgebrachten Schichten.Method and device for detecting layers deposited on a wafer.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Erfassung von auf einen Wafer aufgebrachten Schichten.The invention relates to a method and a device for detecting layers applied to a wafer.
Derartige Wafer sind vorzugsweise von Silizium-Wafern gebil- det und werden insbesondere zur Herstellung integrierter Schaltkreise verwendet.Such wafers are preferably formed from silicon wafers and are used in particular for the production of integrated circuits.
Hierzu werden an den Wafern in unterschiedlichen Fertigungseinheiten vorgegebene Bearbeitungsprozesse durchgeführt. Der- artige Bearbeitungsprozesse umfassen insbesondere das Aufbringen unterschiedlicher Schichten auf die Oberfläche des Wafers. Die Schichten können insbesondere aus Metall, wie beispielsweise Wolfram oder Aluminium, bestehen. Aus diesen Schichten werden vorzugsweise leitende Strukturen herge- stellt. Diese können durch weitere nicht metallische Schichten, wie zum Beispiel Silizium-Oxid oder Silizium-Nitrid, getrennt sein. Weiterhin können auf derartige Wafer Hilfsschichten, wie zum Beispiel Photolackschichten, aufgebracht werden, die zur Durchführung von Photolithographieprozessen benötigt werden.For this purpose, predetermined processing processes are carried out on the wafers in different production units. Such processing processes include, in particular, applying different layers to the surface of the wafer. The layers can in particular consist of metal, such as tungsten or aluminum. Conductive structures are preferably produced from these layers. These can be separated by further non-metallic layers, such as silicon oxide or silicon nitride. Auxiliary layers, such as, for example, photoresist layers, which are required for carrying out photolithography processes, can also be applied to such wafers.
Derartige Bearbeitungsprozesse erfolgen in unterschiedlichen Fertigungseinheiten, die über ein Transportsystem verbunden sind.Such machining processes take place in different production units that are connected via a transport system.
Die Fertigungsanlagen zur Bearbeitung derartiger Wafer umfassen eine Vielzahl von Fertigungseinheiten, welchen eine große Anzahl von Wafern mit jeweils einem definierten Prozesszu- stand zugeführt werden müssen.The production systems for processing such wafers comprise a large number of production units, to which a large number of wafers, each with a defined process state, have to be fed.
Insbesondere muss gewährleistet sein, dass zur Bearbeitung von Schichten auf den Wafern in hierfür vorgesehenen Ferti- gungseinheiten die entsprechenden Schichten tatsächlich zuvor ordnungsgemäß auf den Wafer aufgebracht wurden. Aufgrund von Fehlbearbeitungen oder Fehlleitungen über das Transportsystem ist dies jedoch nicht immer der Fall.In particular, it must be ensured that for processing layers on the wafers in the intended the corresponding layers were actually properly applied to the wafer beforehand. However, this is not always the case due to incorrect processing or incorrect routing via the transport system.
Werden derartige Wafer trotzdem in der jeweiligen Fertigungseinheit bearbeitet, so fallen diese als Ausschuss an oder müssen in aufwendigen Nachbearbeitungsprozessen nachbehandelt werden. Dies bedeutet einerseits unerwünscht hohe Ausbeute- Verluste bei der Bearbeitung der Wafer und andererseits eine ebenfalls nachteilige Erhöhung der Durchlaufzeiten der Wafer durch die Fertigungsanläge.If such wafers are nevertheless processed in the respective production unit, they are rejected or have to be post-processed in complex post-processing processes. This means, on the one hand, undesirably high losses in yield when processing the wafers and, on the other hand, an likewise disadvantageous increase in the throughput times of the wafers through the production facilities.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, durch eine Erken- nung von auf Wafern aufgebrachten Schichten eine Fehlprozes- sierung der Wafer zu vermeiden.The object of the invention is to avoid incorrect processing of the wafers by recognizing layers applied to wafers.
Zur Lösung dieser Aufgabe sind die Merkmale der Ansprüche 1 und 10 vorgesehen. Vorteilhafte Ausführungsformen und zweck- mäßige Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen beschrieben.The features of claims 1 and 10 are provided to achieve this object. Advantageous embodiments and expedient developments of the invention are described in the subclaims.
Erfindungsgemäß wird zur automatischen Erfassung von auf einem Wafer aufgebrachten Schichten die jeweilige Schicht mit Sendelichtstrahlen unterschiedlicher Wellenlängen beaufschlagt. Die Sendelichtstrahlen werden von der Schicht auf wenigstens einen Empfänger geführt, wobei vorzugsweise die Sendelichtstrahlen von der Schicht als Empfangslichtstrahlen auf den Empfänger reflektiert werden. Die Amplituden der Emp- fangslichtstrahlen verschiedener Wellenlänge werden zur Klassifikation unterschiedlicher Schichten selektiv ausgewertet.According to the invention, the respective layer is subjected to transmitted light beams of different wavelengths for the automatic detection of layers applied to a wafer. The transmitted light beams are guided from the layer onto at least one receiver, the transmitted light beams preferably being reflected from the layer as received light beams onto the receiver. The amplitudes of the received light beams of different wavelengths are selectively evaluated for the classification of different layers.
Vorzugsweise sind verschiedene, von Leuchtdioden oder Laserdioden gebildete Sender vorgesehen, welche Sendelichtstrahlen unterschiedlicher Wellenlängen, vorzugsweise im roten, blauen oder grünen Wellenlängenbereich, emittieren. Der Empfänger ist vorzugsweise von einer Photodiode oder einem Phototransistor gebildet.Different transmitters formed by light-emitting diodes or laser diodes are preferably provided, which transmit light beams of different wavelengths, preferably in the red, blue or green wavelength range. The recipient is preferably formed by a photodiode or a phototransistor.
Der Grundgedanke der Erfindung liegt somit darin, unterschiedliche Schichten auf Wafern anhand ihrer verschiedenen Farben zu erkennen. Mittels der erfindungsgemäßen Farberkennung können unterschiedliche Schichten schnell und zuverlässig unterschieden werden. Damit können Fehlprozessierungen der Wafer mit großer Sicherheit vermieden werden.The basic idea of the invention is therefore to recognize different layers on wafers on the basis of their different colors. Different layers can be differentiated quickly and reliably by means of the color recognition according to the invention. In this way, incorrect processing of the wafers can be avoided with great certainty.
Vorzugsweise sind dabei in einer Auswerteeinheit die Amplitudenwerte von Empfangslichtstrahlen, die an vorgegebenen Referenz-Schichten reflektiert werden, als Sollwerte abgespeichert, die mit den während der Farbdetektion emittierten Ist- werten verglichen werden.In this case, the amplitude values of received light beams, which are reflected on predetermined reference layers, are preferably stored in an evaluation unit as target values, which are compared with the actual values emitted during the color detection.
Auf diese Weise können die auf den Wafern aufgebrachten Schichten auf einfache Weise klassifiziert werden.In this way, the layers applied to the wafers can be classified in a simple manner.
Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass zur Farberkennung der Schichten eine Vorrichtung eingesetzt wird, die einen einfachen und platzsparenden Aufbau aufweist. Derartige Sensoranordnungen können daher flexibel an den jeweils benötigten Testorten der Fertigungsanlage installiert werden.Another advantage is that a device is used for color detection of the layers, which has a simple and space-saving structure. Such sensor arrangements can therefore be installed flexibly at the test locations of the production plant required in each case.
Die Erfindung wird im nachstehenden anhand der Zeichnungen erläutert. Es zeigen:The invention is explained below with reference to the drawings. Show it:
Figur 1 : Schematische Darstellung der erfindungsgemäßen Vor- richtung zur Erfassung von auf einen Wafer aufgebrachten Schichten.FIG. 1: Schematic representation of the device according to the invention for detecting layers applied to a wafer.
Figur 2 : Impulsdiagramme der von Sendern der Vorrichtung gemäß Figur 1 emittierten Sendelichtimpulse unter- schiedlicher Wellenlänge. Figur 3 : Schematische Darstellung von Sollwerten und diesen zugeordneten Toleranzbändern zur Auswertung von mit der Vorrichtung gemäß Figur 1 generierten, Istwerte bildenden Empfangssignalen verschiedener Wellenlängen.FIG. 2: Pulse diagrams of the transmitted light pulses of different wavelengths emitted by transmitters of the device according to FIG. 1. FIG. 3: Schematic representation of target values and tolerance bands assigned to them for evaluating received signals of different wavelengths generated with the device according to FIG. 1.
Figur 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Vorrichtung 1 zur Erfassung von auf einen Wafer 2 aufgebrachten Schichten 3.FIG. 1 shows an exemplary embodiment of the device 1 according to the invention for detecting layers 3 applied to a wafer 2.
Derartige Wafer 2 sind vorzugsweise als Silizium-Wafer ausgebildet, die zur Herstellung von Halbleiterprodukten, insbesondere integrierten Schaltkreisen, dienen.Such wafers 2 are preferably designed as silicon wafers which are used for the production of semiconductor products, in particular integrated circuits.
Hierzu werden unter anderem während des Bearbeitungsprozesses unterschiedliche Schichten 3 auf den jeweiligen Wafer 2 aufgebracht. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist eine Schicht 2 auf der Waferoberflache aufgebracht. Generell können auch mehrere Schichten 3 auf den Wafer 2 aufgebracht sein.For this purpose, different layers 3 are applied to the respective wafer 2, inter alia, during the processing process. In the present exemplary embodiment, a layer 2 is applied to the wafer surface. In general, several layers 3 can also be applied to the wafer 2.
Mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung 1 wird mittels eines Farberkennungsverfahrens jeweils die oberste Schicht 3 auf dem Wafer 2 erfasst und klassifiziert. Die unterschiedlichen Schichten 3, die beispielsweise aus Silizium-Oxid, Silizium- Nitrid, Wolfram, Aluminium oder einem Photolack bestehen, können auf diese Weise sicher unterschieden werden.The device 1 according to the invention detects and classifies the top layer 3 on the wafer 2 by means of a color recognition method. The different layers 3, which consist, for example, of silicon oxide, silicon nitride, tungsten, aluminum or a photoresist, can be reliably distinguished in this way.
Die Vorrichtung 1 umfasst eine Sendeeinheit mit mehreren Sen- delichtstrahlen 4, 4', 4'' emittierenden Sendern 5, 5', 5'' sowie einen Empfangslichtstrahlen 6, 6', 6'' empfangenden Empfänger 7.The device 1 comprises a transmitting unit with a plurality of transmitting light beams 4, 4 ', 4' 'emitting transmitters 5, 5', 5 '' and a receiving light beam 6, 6 ', 6' 'receiving receiver 7.
Die Sender 5, 5', 5'' sind von Leuchtdioden oder Laserdioden gebildet, der Empfänger 7 besteht aus einer Photodiode oder einem Phototransistor. Die von den Sendern 5, 5', 5'' emittierten Sendelichtstrahlen 4, 4', 4 ' ' sind auf die Schicht 3 auf dem Wafer 2 gerichtet und werden von dort als Empfangslichtstrahlen 6, 6', 6'' auf den Empfänger 7 reflektiert. Dabei werden die Empfangslicht- strahlen 6, 6', 6'' über eine Empfangsoptik 8 auf den Empfänger 7 fokussiert. Zur Strahlformung der Sendelichtstrahlen 4, 4', 4'' können den Sendern 5, 5', 5'' nicht dargestellte Sendeoptiken nachgeordnet sein.The transmitters 5, 5 ', 5''are formed by light-emitting diodes or laser diodes, the receiver 7 consists of a photodiode or a phototransistor. The transmitted light beams 4, 4 ', 4''emitted by the transmitters 5, 5', 5 '' are directed onto the layer 3 on the wafer 2 and from there are received light beams 6, 6 ', 6''on the receiver 7 reflected. The received light beams 6, 6 ', 6''are focused on the receiver 7 via an optical receiving system 8. For the beam shaping of the transmission light beams 4, 4 ', 4'', the transmitters 5, 5', 5 '' can be followed by transmission optics, not shown.
Anstelle von Reflexionsmessungen sind prinzipiell auch andere Messanordnungen denkbar, bei welchen beispielsweise die Sendelichtstrahlen 4, 4', 4'' in die jeweilige Schicht 3 eingekoppelt und dort geführt werden.Instead of reflection measurements, other measuring arrangements are also conceivable in principle, in which, for example, the transmitted light beams 4, 4 ', 4' 'are coupled into the respective layer 3 and guided there.
Die Sender 5, 5', 5'' und der Empfänger 7 sind an eine gemeinsame, nicht dargestellte Auswerteeinheit angeschlossen. Die Auswerteeinheit ist von einer Rechnereinheit, beispielsweise einem Personalcomputer, gebildet. In der Auswerteeinheit erfolgt die Auswertung der am Ausgang des Empfängers 7 anstehenden Empfangssignale. Zudem erfolgt über die Auswerteeinheit die Ansteuerung der einzelnen Sender 5, 5', 5''.The transmitters 5, 5 ', 5' 'and the receiver 7 are connected to a common evaluation unit, not shown. The evaluation unit is formed by a computer unit, for example a personal computer. The evaluation of the received signals at the output of the receiver 7 takes place in the evaluation unit. In addition, the control of the individual transmitters 5, 5 ', 5' 'takes place via the evaluation unit.
Erfindungsgemäß wird die zu untersuchende Schicht 3 mit Sendelichtstrahlen 5, 5', 5'' unterschiedlicher Wellenlängen be- aufschlagt. Die entsprechenden Empfangssignale unterschiedlicher Wellenlänge werden dann in der Auswerteeinheit zur Farberkennung der Schicht 3 selektiv ausgewertet.According to the invention, the layer 3 to be examined is exposed to transmitted light beams 5, 5 ', 5' 'of different wavelengths. The corresponding received signals of different wavelengths are then selectively evaluated in the evaluation unit for color detection of layer 3.
Zur Generierung unterschiedlicher Wellenlängen der einzelnen Sendelichtstrahlen 4, 4', 4'' können beispielsweise Leuchtdioden eingesetzt werden, die weißes Licht emittieren. Zur Erzeugung unterschiedlicher Wellenlängen der Sendelichtstrah- len 4, 4', 4 ' ' sind dann den Sendern 5, 5', 5'' optische Mittel, wie zum Beispiel Farbfilter, nachgeordnet.To generate different wavelengths of the individual transmitted light beams 4, 4 ', 4' ', for example light-emitting diodes can be used which emit white light. To generate different wavelengths of the transmitted light beams 4, 4 ', 4' ', the transmitters 5, 5', 5 '' are followed by optical means, such as color filters.
Im vorliegenden Ausführungsbeispiel sind mehrere Sender 5, 5', 5'' vorgesehen, welche Sendelichtstrahlen 4, 4', 4'' un- terschiedlicher Wellenlänge emittieren. Dabei emittieren erste Sender 5 Sendelichtstrahlen 4 im roten Wellenlängenbereich, zweite Sender 5' Sendelichtstrahlen 4 'im blauen Wellenlängenbereich und dritte Sender 5 ' ' Sendelichtstrahlen 4 ' im grünen Wellenlängenbereich. Dementsprechend werden erste Empfangslichtstrahlen 6 im roten Wellenlängenbereich, zweite Empfangslichtstrahlen 6 ' im blauen Wellenlängenbereich und dritte Empfangslichtstrahlen 6 ' ' im grünen Wellenlängenbereich erhalten.In the present exemplary embodiment, a plurality of transmitters 5, 5 ', 5''are provided, which transmit light beams 4, 4', 4 '' and emit different wavelength. First transmitters 5 transmit light rays 4 in the red wavelength range, second transmitters 5 'transmit light rays 4' in the blue wavelength range and third transmitters 5 '' transmit light rays 4 'in the green wavelength range. Accordingly, first reception light beams 6 in the red wavelength range, second reception light beams 6 'in the blue wavelength range and third reception light beams 6''in the green wavelength range are obtained.
Bei der in Figur 1 dargestellten Vorrichtung sind beidseits des Empfängers 7 jeweils drei Sender 5, 5', 5'' angeordnet. Jeweils einer dieser drei Sender 5, 5', 5'' emittiert Sendelichtstrahlen 4, 4', 4'' im roten, blauen oder grünen Wellen- längenbereich. Die Strahlachsen der Sende- und Empfangslichtstrahlen 5, 5', 5'', 6, 6', 6'' verlaufen vorzugsweise in einer senkrecht zur Waferoberflache verlaufenden, vertikalen Ebene. Dabei verlaufen die Strahlachsen der ersten Gruppe mit drei Sendern 5, 5', 5'' und die Strahlachsen der zweiten Gruppe mit drei Sendern 5, 5', 5'' v-förmig auf die Waferoberflache zu. Die Abstandsverhältnisse sind so gewählt, dass die zurückreflektierten Empfangslichtstrahlen 6, 6', 6'' auf die Empfangsoptik 8 treffen.In the device shown in Figure 1, three transmitters 5, 5 ', 5' 'are arranged on each side of the receiver 7. In each case one of these three transmitters 5, 5 ', 5' 'emits transmission light beams 4, 4', 4 '' in the red, blue or green wavelength range. The beam axes of the transmitted and received light beams 5, 5 ', 5' ', 6, 6', 6 '' preferably run in a vertical plane running perpendicular to the wafer surface. The beam axes of the first group with three transmitters 5, 5 ', 5' 'and the beam axes of the second group with three transmitters 5, 5', 5 '' run in a V-shape towards the wafer surface. The spacing ratios are selected such that the reflected light rays 6, 6 ', 6' 'reflected back hit the receiving optics 8.
Erfindungsgemäß werden in der Auswerteeinheit die durch die Empfangslichtstrahlen 6, 6', 6'' unterschiedlicher Wellenlängen generierten Empfangssignale getrennt ausgewertet.According to the invention, the received signals generated by the received light beams 6, 6 ', 6' 'of different wavelengths are evaluated separately in the evaluation unit.
Bei im Dauerlichtbetrieb betriebenen Sendern 5, 5', 5'' sind die Sendelichtstrahlen 4, 4', 4'' mit vorgegebenen Modulationsfrequenzen moduliert. Vorzugsweise wird als Modulation eine Amplitudenmodulation gewählt, die im Bereich von etwa 3 kHz liegt. Die Sender 5, 5', 5'' werden hierzu mit entsprechenden sinusförmigen Wechselspannungen gespeist.In transmitters 5, 5 ', 5' 'operated in continuous light mode, the transmitted light beams 4, 4', 4 '' are modulated with predetermined modulation frequencies. An amplitude modulation which is in the range of approximately 3 kHz is preferably selected as the modulation. For this purpose, the transmitters 5, 5 ', 5' 'are fed with corresponding sinusoidal AC voltages.
Wesentlich hierbei ist, dass die Sender 5, 5', 5'', die Sen- delichtstrahlen 4, 4', 4'' unterschiedlicher Wellenlänge emittieren, mit verschiedenen Modulationsfrequenzen emittieren.It is essential here that the transmitters 5, 5 ', 5'', the transmission light beams 4, 4', 4 '' of different wavelengths emit, emit with different modulation frequencies.
Zur selektiven Auswertung der Empfangslichtstrahlen 6, 6', 6 " unterschiedlicher Wellenlängen ist dem Empfänger 7 eine Filtereinheit nachgeordnet, in welcher die Empfangssignale mit unterschiedlichen Modulationsfrequenzen getrennt werden.For the selective evaluation of the received light beams 6, 6 ', 6 "of different wavelengths, a filter unit is arranged downstream of the receiver 7, in which the received signals with different modulation frequencies are separated.
Bei dem in Figur 2 dargestellten Ausführungsbeispiel werden die Sender 5, 5', 5'' im Pulsbetrieb betrieben. Hierzu werden die Sender 5, 5', 5'' vorzugsweise über in der Auswerteeinheit integrierte Oszillatoren angesteuert. Die Sender 5, 5', 5 ' ' emittieren dabei Sendelichtimpulse mit derselben Pulsfrequenz .In the embodiment shown in Figure 2, the transmitters 5, 5 ', 5' 'are operated in pulse mode. For this purpose, the transmitters 5, 5 ', 5' 'are preferably controlled via oscillators integrated in the evaluation unit. The transmitters 5, 5 ', 5' 'emit transmission light pulses with the same pulse frequency.
Zur wellenlängenselektiven Auswertung der Empfangssignale werden dabei jeweils die Sender 5, 5', 5'', die Sendelichtimpulse gleicher Wellenlänge emittieren, synchron betrieben. Dabei erfolgt der Betrieb der Sender 5, 5', 5'' derart, dass die Sendelichtimpulse einer Wellenlänge jeweils in den Pausen der Sender 5, 5', 5'', die Sendelichtimpulse der jeweils anderen Wellenlängen emittieren, ausgesendet werden. Dies ist in Figur 2 schematisch dargestellt. Die Emission der im roten, blauen oder grünen Wellenlängebereich emittierten Sende- lichtimpulse erfolgt in den Sendepausen der Sendelichtimpulse mit den jeweils hierzu verschiedenen Wellenlängen.For the wavelength-selective evaluation of the received signals, the transmitters 5, 5 ', 5' 'which emit transmission light pulses of the same wavelength are operated synchronously. The transmitters 5, 5 ', 5' 'are operated in such a way that the transmitted light pulses of one wavelength are emitted in the pauses of the transmitters 5, 5', 5 '', which emit the transmitted light pulses of the other wavelengths. This is shown schematically in FIG. 2. The transmission light pulses emitted in the red, blue or green wavelength range are emitted in the transmission pauses of the transmission light pulses with the respective different wavelengths.
Die Empfangslichtimpulse unterschiedlicher Wellenlängen können dann in der Auswerteeinheit zeitversetzt registriert und getrennt ausgewertet werden.The received light pulses of different wavelengths can then be registered with a time delay in the evaluation unit and evaluated separately.
Durch die Modulation der Sendelichtstrahlen 4, 4', 4'' oder durch den Pulsbetrieb der Sender 5, 5', 5'' wird zudem vorteilhafterweise erreicht, dass die Vorrichtung 1 gegen äußere Störeinflüsse, wie zum Beispiel Gleichlicht, unempfindlich ist. In der Auswerteeinheit erfolgt durch die wellenlängenselektive Auswertung der Empfangssignale eine Unterscheidung verschiedener auf dem Wafer 2 aufgebrachten Schichten 3. Dabei wird der Umstand ausgenutzt, dass sich aufgrund der verschie- denen Farben der einzelnen Schichten 3 die Amplituden der daran reflektierten Empfangslichtstrahlen 6, 6', 6'' unterschiedlicher Wellenlängen in charakteristischer Weise unterscheiden.The modulation of the transmitted light beams 4, 4 ', 4''or the pulsed operation of the transmitters 5, 5', 5 '' also advantageously means that the device 1 is insensitive to external interference, such as constant light. The evaluation unit uses the wavelength-selective evaluation of the received signals to differentiate between different layers 3 applied to the wafer 2. The fact that the amplitudes of the received light beams 6, 6 'reflected on the different colors of the individual layers 3 is used, Differentiate 6 '' of different wavelengths in a characteristic way.
Die Klassifikation einer Schicht 3 erfolgt während einesA layer 3 is classified during a
Messvorganges, bei welchem die Schicht 3 mit den verschiedenen Sendelichtstrahlen 4, 4', 4'' beaufschlagt wird. Die durch die an der Schicht 3 reflektierten Empfangslichtstrahlen 6, 6', 6'' generierten Empfangssignale bilden Istwerte, die zur Klassifikation der Schicht 3 mit in der Auswerteeinheit abgespeicherten Sollwerten S_ - S3 verglichen werden.Measuring process in which the layer 3 is acted upon by the various transmitted light beams 4, 4 ', 4''. The received signals generated by the received light beams 6, 6 ', 6''reflected on the layer 3 form actual values which are compared with the target values S_ - S 3 stored in the evaluation unit for the classification of the layer 3.
Wie aus Figur 3 ersichtlich, ist für jede Wellenlänge der E pfangslichtstrahlen 6, 6', 6 ' ' ein separater Sollwert Si - S3 abgespeichert. Die Ermittlung der Sollwerte Si - S3 erfolgt zweckmäßigerweise während eines Einlernvorgangs, der vor den Messvorgängen durchgeführt wird.As can be seen from FIG. 3, a separate setpoint value Si-S 3 is stored for each wavelength of the light beams 6, 6 ', 6''. The setpoints Si-S 3 are expediently determined during a teach-in process which is carried out before the measurement processes.
Bei dem Einlernvorgang wird ein Wafer 2 mit einer darauf an- geordneten Referenz-Schicht in den Strahlengang der Vorrichtung 1 gemäß Figur 1 eingebracht. Die für die Sendelichtstrahlen 4, 4', 4 ' 'unterschiedlicher Wellenlängen erhaltenen Empfangssignale werden in der Auswerteeinheit als Sollwerte Si - S3 abgespeichert. Dann werden in der Auswerteeinheit für sämtliche Sollwerte Sx - S3 Toleranzbänder mit oberen Toleranzgrenzen Tio, T20, T30 und unteren Toleranzgrenzen ιu, T2u, T3u berechnet. Die Sollwerte Si - S3 liegen dabei innerhalb den jeweiligen Toleranzbändern, deren Breiten entweder frei vorgegeben sind oder an Streubreiten des Messsystems oder un- terschiedlicher Schichtdicken der Referenz-Schicht angepasst sind. Zweckmäßigerweise werden während des Einlernvorgangs mehrere Referenz-Schichten vermessen, die vorzugsweise sämtliche auf den Wafer 2 aufzubringende Schichten 3 umfassen. Dabei werden für jede Referenz-Schicht die entsprechenden Sollwerte Si - S3 und Toleranzbänder erfasst.During the teaching process, a wafer 2 with a reference layer arranged thereon is introduced into the beam path of the device 1 according to FIG. 1. The received signals obtained for the transmitted light beams 4, 4 ', 4''of different wavelengths are stored in the evaluation unit as target values Si-S 3 . Then tolerance bands with upper tolerance limits Tio, T 20 , T 30 and lower tolerance limits ι u , T 2u , T 3u are calculated in the evaluation unit for all target values S x - S 3 . The target values Si - S 3 lie within the respective tolerance bands, the widths of which are either freely specified or are adapted to the spreading widths of the measuring system or different layer thicknesses of the reference layer. Advantageously, several reference layers are measured during the learning process, which preferably include all layers 3 to be applied to the wafer 2. The corresponding setpoints Si - S 3 and tolerance bands are recorded for each reference layer.
Nach Abschluss des Einlernvorganges können während der Messvorgänge unterschiedliche Schichten 3 klassifiziert werden. Bei der Untersuchung einer Schicht 3 werden die Empfangs- signale als Istwerte mit den entsprechenden Sollwerten der Referenz-Schichten nacheinander verglichen.After completion of the teach-in process, different layers 3 can be classified during the measurement processes. When examining a layer 3, the received signals are compared successively as actual values with the corresponding target values of the reference layers.
Dabei wird die Schicht 3 mit einer Referenz-Schicht nur dann als übereinstimmend erkannt, wenn für jede Wellenlänge der entsprechende Istwert innerhalb der durch das jeweilige Toleranzband vorgegebenen Genauigkeit mit dem entsprechenden Sollwert Si - S3 für dieselbe Wellenlänge übereinstimmt. Layer 3 with a reference layer is only recognized as corresponding if the corresponding actual value for each wavelength matches the corresponding target value Si - S 3 for the same wavelength within the accuracy specified by the respective tolerance band.

Claims

Patentansprüche claims
1. Verfahren zur Erfassung von auf einen Wafer aufgebrachten Schichten, umfassend folgende Verfahrensschritte:1. A method for detecting layers applied to a wafer, comprising the following method steps:
Beaufschlagen der Schicht (3) mit Sendelichtstrahlen (4, 4', 4'') unterschiedlicher Wellenlänge, wobei die Sendelichtstrahlen (4, 4', 4'') als Empfangslichtstrahlen (6, 6', 6'') von der Schicht (3) auf wenigstens einen Empfänger (7) ge- führt sind.Exposing the layer (3) with transmitted light beams (4, 4 ', 4' ') of different wavelengths, the transmitted light beams (4, 4', 4 '') being received light beams (6, 6 ', 6' ') from the layer ( 3) are led to at least one receiver (7).
Selektive Auswertung der Amplituden der Empfangslichtstrahlen (6, 6', 6'') verschiedener Wellenlängen zur Klassifikation unterschiedlicher Schichten (3).Selective evaluation of the amplitudes of the received light beams (6, 6 ', 6' ') of different wavelengths for the classification of different layers (3).
2. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s jeweils wenigstens ein Sender (5, 5', 5'') zur Emission von Sendelichtstrahlen (4, 4', 4'') einer Wellenlänge vorgesehen ist, wobei die Sendelichtstrah- len (4, 4', 4'') von der Schicht (3) als Empfangslichtstrahlen (6, 6', 6'') in Richtung des Empfängers (7) reflektiert werden.2. The method according to claim 1, characterized in that at least one transmitter (5, 5 ', 5' ') is provided for the emission of transmission light beams (4, 4', 4 '') of a wavelength, the transmission light beams (4 , 4 ', 4' ') are reflected by the layer (3) as received light beams (6, 6', 6 '') in the direction of the receiver (7).
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s die Schicht (3) mit im sichtbaren Wellenbereich liegenden Sendelichtstrahlen (4, 4', 4'') beaufschlagt wird.3. The method according to claim 1, wherein the layer (3) is acted upon with transmitted light beams (4, 4 ', 4' ') lying in the visible wave range.
4. Verfahren nach Anspruch 3, d a d u r c h g e k e n n - z e i c h n e t , d a s s die Wellenlänge erster Sendelichtstrahlen (4) im roten Wellenlängenbereich liegt, dass die Wellenlänge zweiter Sendelichtstrahlen (4') im blauen Wellenbereich liegt, und dass die Wellenlänge dritter Sendelichtstrahlen (4'') im grünen Wellenlängenbereich liegt.4. The method according to claim 3, characterized in that the wavelength of the first transmission light beams (4) lies in the red wavelength range, that the wavelength of second transmission light beams (4 ') lies in the blue wavelength range, and that the wavelength of third transmission light beams (4' ') is in the green wavelength range.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 - 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s die durch die Emp- fangslichtstrahlen (6, 6', 6'') unterschiedlicher Wellenlänge am Ausgang des Empfängers (7) generierten Empfangssignale selektiv als Istwerte erfasst werden und zur Klassifikation der Schichten (3) mit vorgegebenen Sollwerten Si - S3 verglichen werden.5. The method according to any one of claims 1-4, characterized in that by the Emp- Catch light beams (6, 6 ', 6'') of different wavelengths at the output of the receiver (7) are selectively recorded as actual values and compared with the specified target values Si - S 3 for the classification of the layers (3).
6. Verfahren nach Anspruch 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s zur Ermittlung der Sollwerte wenigstens eine Referenz-Schicht in einem Einlernvorgang mit den Sendelichtstrahlen (4, 4', 4'') beaufschlagt wird, und dass die dabei registrierten Empfangssignale für die einzelnen Wellenlängen als Sollwerte Si - S3 abgespeichert werden.6. The method according to claim 5, characterized in that for determining the setpoints, at least one reference layer is subjected to the transmit light beams (4, 4 ', 4'') in a teach-in process, and that the received signals registered for the individual wavelengths as setpoints Si - S 3 can be saved.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 oder 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s eine Schicht (3) einer vorgegebenen Referenz-Schicht zugeordnet wird, falls die bei der Beaufschlagung der Schicht (3) mit den Sendelichtstrahlen (4, 4', 4'') generierten, die Istwerte bildenden Empfangssignale innerhalb vorgegebener Toleranzgrenzen mit den Sollwerten übereinstimmen.7. The method according to any one of claims 5 or 6, characterized in that a layer (3) is assigned to a predetermined reference layer, if the when the layer (3) with the transmitted light beams (4, 4 ', 4' ') generated received signals forming the actual values agree with the target values within predetermined tolerance limits.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 oder 7, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s die Sollwerte Si -8. The method according to any one of claims 6 or 7, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, d a s s the target values Si -
S3 zur Charakterisierung unterschiedlicher Schichtsorten die- nen.S 3 are used to characterize different types of layers.
9. Verfahren nach Anspruch 8, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s die Schichten (3) aus Silizium- Oxid, Silizium-Nitrid, Wolfram, Aluminium oder einem Photo- lack bestehen.9. The method according to claim 8, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, that the layers (3) consist of silicon oxide, silicon nitride, tungsten, aluminum or a photoresist.
10. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 - 9, mit einer Sendeeinheit zur Emission von Sendelichtstrahlen (4, 4', 4'') unterschiedlicher Wellenlän- gen, mit wenigstens einem Empfänger (7), auf welchen die Sendelichtstrahlen (4, 4', 4'') als Empfangslichtstrahlen (6, 6', 6'') von einer Schicht (3) auf einem Wafer (2) geführt sind, und mit einer Auswerteeinheit zur selektiven Auswertung der Amplituden der Empfangslichtstrahlen (6, 6', 6'') verschiedener Wellenlänge und zur Klassifikation unterschiedlicher Schichten (3) .10. Device for carrying out the method according to one of claims 1-9, with a transmitter unit for emitting transmitted light beams (4, 4 ', 4'') of different wavelengths, with at least one receiver (7) on which the transmitted light beams ( 4, 4 ', 4'') as reception light beams (6, 6', 6 '') from a layer (3) on a wafer (2) and with an evaluation unit for the selective evaluation of the amplitudes of the received light beams (6, 6 ', 6'') of different wavelengths and for the classification of different layers (3).
11. Vorrichtung nach Anspruch 10, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s die Sendeeinheit mehrere Sender (5, 5', 5'') umfasst, wobei die Sender (5, 5', 5'') Sendelichtstrahlen (4, 4', 4'') unterschiedlicher Wellenlän- gen emittieren.11. The device according to claim 10, characterized in that the transmitter unit comprises a plurality of transmitters (5, 5 ', 5' '), the transmitters (5, 5', 5 '') transmitting light beams (4, 4 ', 4' ') emit different wavelengths.
12. Vorrichtung nach Anspruch 10, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s die Sendeeinheit mehrere Sender (5, 5', 5'') umfasst, die weißes Licht emittieren, und dass diesen zur Generierung von Sendelichtstrahlen (4, 4', 4'') unterschiedlicher Wellenlängen optische Mittel nachgeordnet sind.12. The apparatus according to claim 10, characterized in that the transmission unit comprises a plurality of transmitters (5, 5 ', 5' ') which emit white light, and that these for generating transmission light beams (4, 4', 4 '') of different wavelengths optical means are subordinate.
13. Vorrichtung nach Anspruch 12, d a d u r c h g e - k e n n z e i c h n e t , d a s s die optischen Mittel von Farbfiltern gebildet sind.13. The apparatus of claim 12, d a d u r c h g e - k e n n z e i c h n e t, that the optical means are formed by color filters.
14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 - 13, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s die Sen- der (5, 5', 5'') und der Empfänger (7) oberhalb des Wafers14. Device according to one of claims 11 - 13, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, d a s s the transmitter (5, 5 ', 5' ') and the receiver (7) above the wafer
(2) angeordnet sind, so dass die von den Sendern (5, 5', 5'') emittierten Sendelichtstrahlen (4, 4', 4'') von einer auf dem Wafer (2) aufgebrachten Schicht (3) vom Empfänger (7) zurückreflektiert werden.(2) are arranged so that the transmission light beams (4, 4 ', 4' ') emitted by the transmitters (5, 5', 5 '') from a layer (3) applied to the wafer (2) by the receiver ( 7) be reflected back.
15. Vorrichtung nach Anspruch 14, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s beidseits des Empfängers (7) jeweils drei Sender (5, 5', 5'') angeordnet sind, von welchen jeweils ein Sender (5, 5', 5'') Sendelichtstrahlen (4, 4', 4'') im roten, blauen oder grünen Wellenlängenbereich emittiert. 15. The apparatus according to claim 14, characterized in that three transmitters (5, 5 ', 5'') are arranged on each side of the receiver (7), of which one transmitter (5, 5', 5 '') each transmit light beams (4th , 4 ', 4'') in the red, blue or green wavelength range.
16. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 - 15, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s die Sender (5, 5', 5'') von Leuchtdioden gebildet sind.16. The device according to any one of claims 11 - 15, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, that the transmitter (5, 5 ', 5' ') are formed by light-emitting diodes.
17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 - 16, d a - d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s die Sender (5, 5', 5'') im Pulsbetrieb betrieben werden, so dass Sendelichtimpulse unterschiedlicher Wellenlängen zeitversetzt emittiert werden.17. Device according to one of claims 11 - 16, d a - d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, d a s s the transmitters (5, 5 ', 5' ') are operated in pulse mode, so that transmitted light pulses of different wavelengths are emitted with a time delay.
18. Vorrichtung nach Anspruch 17, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s die von der Schicht (3) als Empfanglichtimpulse zurückreflektierten Sendelichtimpulse in der Auswerteeinheit zeitaufgelöst ausgewertet werden.18. The apparatus of claim 17, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, that the transmitted light pulses reflected back by the layer (3) as received light pulses are evaluated in a time-resolved manner in the evaluation unit.
19. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 11 - 16, d a du r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s die Sendelichtstrahlen (4, 4', 4'') unterschiedlicher Wellenlängen mit unterschiedlichen Modulationsfrequenzen moduliert sind, und dass dem Empfänger (7) eine Filtereinheit zur Trennung der mit den unterschiedlichen Modulationsfrequenzen modulierten Empfangslichtstrahlen (6, 6', 6'') nachgeordnet ist.19. Device according to one of claims 11 - 16, since you rchgek characterized that the transmitted light beams (4, 4 ', 4' ') are modulated different wavelengths with different modulation frequencies, and that the receiver (7) has a filter unit for separating the with different modulation frequencies modulated received light beams (6, 6 ', 6' ') is arranged.
20. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 - 19, d a - du r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s der Empfänger (7) von einer Photodiode oder einem Phototransistor gebildet ist.20. Device according to one of claims 10 - 19, d a - du r c h g e k e n n z e i c h n e t, that the receiver (7) is formed by a photodiode or a phototransistor.
21. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 - 20, d a - du r c h g e k e n n z e i c h n e t , d a s s die Auswerteeinheit von einer Rechnereinheit gebildet ist. 21. Device according to one of claims 10 to 20, where the evaluation unit is formed by a computer unit.
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