WO2001091195A1 - Lumineszenzdiodenchip mit einer auf gan basierenden strahlungsemittierenden epitaxieschichtenfolge und verfahren zu dessen herstellung - Google Patents

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reflective
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luminescence diode
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Berthold Hahn
Ulrich Jacob
Hans-Jürgen LUGAUER
Manfred Mundbrod-Vangerow
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Definitions

  • Luminescent diode chip with a GaN-based radiation-emitting epitaxial layer sequence method for its production and luminescent diode component
  • the invention relates to a luminescence diode chip with a GaN-based radiation-emitting epitaxial layer sequence, to a method for its production and to a luminescence diode component with such a luminescence diode chip.
  • GaN-based includes in particular all ternary and quaternary mixed crystals based on GaN, such as AlN, InN, AlGaN, InGaN, I AlN and AlInGaN and on gallium nitride itself.
  • a contact layer which is permeable to the radiation or an additional electrically well-conductive layer for current expansion, which is provided with a bond contact is applied over the entire surface to the side of the p-type layer facing away from the substrate.
  • the former proposal has the disadvantage that a considerable part of the radiation is absorbed in the contact layer.
  • an additional process step is required which significantly increases the manufacturing effort.
  • the object of the invention is first of all to develop a luminescence diode chip of the type mentioned at the outset with an improved current expansion, the additional manufacturing expenditure of which is kept low. Furthermore, a luminescence diode component with improved heat dissipation from the active zone is to be made available.
  • the first-mentioned object is achieved with a luminescent diode component with the features of patent claim 1.
  • Advantageous further developments are the subject of claims 2 to 14.
  • the second object is achieved by a luminescent diode component with the features of claim 15 or 16.
  • Processes for producing luminescence diode chips according to the invention are the subject of claims 17 and 18.
  • the p-doped layer is on that facing away from the active layer Main surface with a reflective contact metallization.
  • a suitable reflective metal layer is, for example, an Ag-based metal layer.
  • Ag-based includes all metals whose electrical and optical properties are largely determined by Ag. These are, in particular, those which largely have Ag.
  • the contact metallization advantageously brings about good ohmic contact with a low electrical contact resistance to the epitaxial layer sequence.
  • it advantageously has a high reflectivity and low absorption in the spectral range mentioned. This results in a high back reflection of the electromagnetic radiation striking them into the chip. This back-reflected radiation can then be coupled out of the chip via free side surfaces of the chip.
  • the reflective contact metallization consists at least partially of a PtAg and / or PdAg alloy.
  • the reflective contact metallization preferably covers more than 50%, particularly preferably 100%, of the main surface of the p-doped layer facing away from the active layer. This provides power to the entire lateral cross-section of the active zone.
  • Contact layer is provided, which for example essentially has at least one metal from the group Pt, Pd, Cr.
  • the reflective contact metallization can be optimized in a simple manner both with regard to its electrical properties and its reflection properties.
  • the thickness of a contact layer of the type mentioned above is advantageously less than or equal to 10 nm. As a result, the optical losses in this layer can advantageously be kept particularly low.
  • the contact layer particularly preferably has a non-closed, in particular island-like and / or network-like structure.
  • the Ag-based reflective layer at least partially has direct contact with the p-doped layer, which has a positive influence on the electrical and optical properties.
  • the contact layer consists essentially of indium tin oxide (ITO - indium tin oxide) and / or ZnO and preferably has a thickness> 10 nm.
  • a bondable layer on the reflective layer which in particular essentially consists of a diffusion barrier made of Ti / Pt or TiWN and made of Au or Al, which improves the bondability of the reflective contact metallization.
  • the chip has exclusively epitaxial layers, the total thickness of which is less than or equal to 30 ⁇ m.
  • a growth substrate is removed after the epitaxial growth of the epitaxial layer sequence.
  • the p-doped epitaxial layer is provided on its main surface facing away from the n-doped epitaxial layer with the reflective contact metallization essentially over the entire surface.
  • the Light is decoupled from the chip via the free area of the main area of the n-type epitaxial layer and via the chip flanks.
  • the growth substrate can be both electrically insulating and radiation-impermeable and can therefore advantageously be selected solely with regard to optimal growth conditions.
  • the particular advantage of such a so-called thin-film luminescence diode chip is that no light losses occur in a substrate and an improved coupling-out of radiation is achieved.
  • the luminescence diode chip according to the invention has the further advantage that it is possible to bring the radiation-emitting active zone, in which a large part of the electrical energy conducted into the chip is converted into thermal energy, very close to a heat sink; the epitaxial layer sequence is practically immediate - only the p-doped epitaxial layer is temporarily stored - can be thermally coupled to a heat sink. As a result, the chip can be cooled very effectively, which increases the stability of the wavelength of the emitted radiation.
  • the forward voltage is advantageously reduced due to the contact across the entire surface.
  • the chip with the p-side that is to say with the reflective contact metallization, is mounted lying on a chip mounting surface of an LED housing, in particular an electrical lead frame or a conductor track of the LED housing.
  • Figure la is a schematic representation of a section through a first embodiment
  • Figure lb is a schematic representation of a preferred reflective contact metallization
  • Figure 2 is a schematic representation of a section through a second embodiment.
  • SiC substrate 2 applied a radiation-emitting epitaxial layer sequence 3.
  • This consists of an n-type doped GaN or AIGaN epitaxial layer 4 and a p-type doped GaN or AlGaN epitaxial layer 5.
  • SQW quantum well
  • MQW multi-quantum structure
  • the SiC substrate 2 is electrically conductive and transparent to the radiation emitted by an active zone 19 of the epitaxial layer sequence 3.
  • a reflective, bondable Ag-based contact metallization 6 is applied to the epitaxial layer sequence 3 essentially over the entire surface.
  • this essentially consists of Ag, a PtAg and / or a PdAg alloy.
  • the contact metallization 6 can also be composed of a radiation-permeable first layer 15 and a reflecting second layer 16, starting from the epitaxial layer sequence 3.
  • the first layer 15 consists for example essentially of Pt, Pd and / or Cr and has a thickness of less than or equal to 10 nm in order to keep the radiation absorption low. It can alternatively consist of indium tin oxide (ITO) and / or ZnO exist. It then preferably has a thickness of greater than or equal to 10 nm because these materials show only very low radiation absorption. The greater thickness is advantageous for the current preparation.
  • ITO indium tin oxide
  • ZnO ZnO
  • the second layer 16 consists essentially of Ag, for example, of a PtAg and / or a PdAg alloy.
  • a further metal layer 20 is applied to the Ag-based layer.
  • This consists, for example, of Au or AI.
  • a layer made of Ti / Pt or TiWN can be provided as the diffusion barrier 24 between the second layer 16 and the further metal layer 20.
  • the SiC substrate 2 On its main surface 10 facing away from the epitaxial layer sequence 3, the SiC substrate 2 is provided with a contact metallization 7, which is only a part of this main surface
  • the contact metallization 7 consists, for example, of a Ni layer applied to the SiC substrate 2, followed by an Au layer.
  • the chip 1 is die-bonded with its p-side, that is, with the reflective contact metallization 6 on a chip mounting surface 12 of an electrical lead frame
  • the N-contact metallization 7 is connected to a connecting part 18 of the lead frame 11 via a bonding wire 17.
  • the decoupling of light from the chip 1 takes place via the free area of the main surface 10 of the SiC substrate 2 and via the chip flanks 14.
  • the chip 1 has a SiC substrate 2 thinned after the epitaxial layer sequence 3 has been grown in order to optimize the thickness of the substrate 2 with regard to radiation absorption and radiation coupling-out.
  • the exemplary embodiment shown in FIG. 2 differs from that in FIG. 1 a in that the chip 1 has only epitaxial layers, that is to say the epitaxial layer sequence 3 and no substrate layer. The latter was removed after the epitaxial layers had been grown, for example by means of etching and / or grinding.
  • the chip height is approx. 25 / im.
  • the epitaxial layer sequence 3 has a double heterostructure, a single quantum well (SQW) structure or a multi-quantum well11 (MQW) structure with one or more undoped layer (s) 19, for example made of InGaN or InGaAlN.
  • SQW single quantum well
  • MQW multi-quantum well11
  • the chip 1 is mounted by means of die bonding with its p-side, that is to say with the reflective contact metallization 6, on a chip mounting area 12 of a conductor track 22 of a light-emitting diode (LED) housing 21.
  • the n-contact metallization 7 is connected to a further conductor track 23 via a bonding wire 17.

Abstract

Lumineszenzdiodenchip (1) mit einer auf GaN basierenden strahlungsemittierenden Epitaxieschichtenfolge (3), die eine aktive Zone (19), eine n-dotierte (4) und eine p-dotierte Schicht (5) aufweist. Die p-dotierte Schicht (5) ist auf der von der aktiven Zone (19) abgewandten Hauptfläche (9) mit einer reflektierenden Kontaktmetallisierung (6) versehen, die eine strahlungsdurchlässige Kontaktschicht (15) und eine reflektierende Schicht (16) aufweist. Es sind Verfahren zum Herstellen solcher Lumineszenzdiodenchips in Dünnfilmtechnik angegeben, sowie Lumineszenzdiodenbauelemente mit solchen Lumineszenzdiodenchips.

Description

Lumineszenzdiodenchip mit einer auf GaN basierenden strah- lungsemittierenden Epitaxieschichtenfolge, Verfahren zu des- sen Herstellung und Lumineszenzdiodenbauelement
Die Erfindung bezieht sich auf einen Lumineszenzdiodenchip mit einer auf GaN basierenden Strahlungsemittierenden Epitaxieschichtenfolge, auf ein Verfahren zu dessen Herstellung und auf ein Lumineszenzdiodenbauelement mit einem derartigen Lumineszenzdiodenchip .
Unter „auf GaN basierend" fallen im Folgenden insbesondere alle ternären und quaternären auf GaN basierdenden Mischkri- stalle, wie AlN, InN, AlGaN, InGaN, I AlN und AlInGaN und auf Galliumnitrid selbst.
Bei der Herstellung von Lumineszenzdiodenchips auf der Basis von GaN besteht das grundlegende Problem, daß die maximal er- zielbare elektrische Leitfähigkeit von p-dotierten Schichten, insbesondere von p-dotierten GaN- oder AlGaN-Schichten, nicht ausreicht, um mit einer herkömmlichen Vorderseiten-Kontaktmetallisierung, die von Lumineszenzdiodenchips anderer Materialsystemen bekannt ist (eine solche überdeckt zwecks mög- liehst hofier Strahlungsauskopplung nur einen Bruchteil der
Vorderseite) , eine Stromaufweitung über den gesamten lateralen Querschnitt des Chips zu erzielen.
Ein Aufwachsen der p-leitenden Schicht auf ein elektrisch leitendes Substrat, wodurch eine Stromeinprägung über den gesamten lateralen Querschnitt der p-leitenden Schicht möglich wäre, führt zu keinem wirtschaftlich vertretbaren Ergebnis. Die Gründe hierfür lassen sich folgendermaßen darstellen. Erstens ist die Herstellung von elektrisch leitenden gitteran- gepaßten Substraten (z.B. GaN-Substraten) für das Aufwachsen von GaN-basierten Schichten mit hohem technischen Aufwand verbunden; zweitens führt das Aufwachsen von p-dotierten GaN- basierten Schichten auf für undotierte und n-dotierte GaN- Verbindungen geeignete nicht gitterangepaßten Substrate zu keiner für eine Lumineszenzdiode hinreichenden Kristallqualität.
Bei einem bekannten Ansatz zur Bekämpfung des oben genannten Problems wird auf die vom Substrat abgewandte Seite der p- leitenden Schicht ganzflächig eine für die Strahlung durchlässige Kontaktschicht oder eine zusätzliche elektrisch gut leitfähige Schicht zur Stromaufweitung aufgebracht, die mit einem Bondkontakt versehen ist.
Der erstgenannte Vorschlag ist jedoch mit dem Nachteil verbunden, daß ein erheblicher Teil der Strahlung in der Kon- taktschicht absorbiert wird. Beim zweitgenannten Vorschlag ist ein zusätzlicher Prozessschritt erforderlich, der den Fertigungsaufwand wesentlich erhöht.
Die Aufgabe der Erfindung besteht zunächst darin, einen Lumi- neszenzdiodenchip der eingangs genannten Art mit einer verbesserten Stromaufweitung zu entwickeln, dessen zusätzlicher Herstellungsaufwand gering gehalten ist. Weiterhin soll ein Lumineszenzdiodenbauelement mit einer verbesserten Wärmeableitung von der aktiven Zone zur Verfügung gestellt wer- den.
Die erstgenannte Aufgabe wird mit einem Lumineszendiodenbau- element mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 gelöst . Vorteilhafte Weiterbildungen sind Gegenstand der Patentansprüche 2 bis 14. Die zweitgenannte Aufgabe wird durch ein Lumineszenzdiodenbauelement mit den Merkmalen des Patentanspruches 15 oder 16 gelöst. Verfahren zum Herstellen von erfindungsgemäßen Lumineszenzdiodenchips sind Gegenstand der Patentansprüche 17 und 18.
Bei einer Lumineszenzdiode gemäß der Erfindung ist die p-dotierte Schicht auf der von der aktiven Schicht abgewandten Hauptfläche mit einer reflektierenden Kontakmetallisierung versehen. Eine geeignete reflektierende Metallschicht ist beispielsweise eine auf Ag basierende Metallschicht. Unter „auf Ag basierend" fallen alle Metalle, deren elektrische und optische Eigenschaften wesentlich von Ag bestimmt sind. Das sind insbesondere solche, die zum größten Teil Ag aufweisen.
Die Kontaktmetallisierung bewirkt vorteilhafterweise einerseits einen guten ohmschen Kontakt mit einem geringen elek- trischen Übergangswiderstand zur Epitaxieschichtenfolge. Andererseits weist sie vorteilhafterweise ein hohes Reflexionsvermögen und geringe Absorption im genannten Spektralbereich auf. Daraus ergibt sich eine hohe Rückreflexion der auf sie treffenden elektromagnetischen Strahlung in den Chip. Diese rückreflektierte Strahlung kann dann über freie Seitenflächen des Chips aus diesem ausgekoppelt werden.
Die reflektierende Kontaktmetallisierung besteht bei einer bevorzugten Ausführungsform zumindest teilweise aus einer PtAg- und/oder PdAg-Legierung.
Die reflektierende Kontaktmetallisierung überdeckt vorzugsweise mehr als 50%, besonders bevorzugt 100% der von der aktiven Schicht abgewandten Hauptfläche der p-dotierten Schicht. Dadurch wird eine Stromversorgung des gesamten lateralen Querschnitts der aktiven Zone erreicht.
Um die Haftfestigkeit der reflektierenden Kontaktmetallisierung auf der p-dotierten Schicht zu fördern, ist vorzugsweise zwischen diesen beiden Schichten eine strahlungsdurchlässige
Kontaktschicht vorgesehen, die beispielsweise im Wesentlichen mindestens ein Metall aus der Gruppe Pt, Pd, Cr aufweist.
Dadurch kann die reflektierende Kontaktmetallisierung auf einfache Weise sowohl hinsichtlich ihrer elektrischen Eigenschaften als auch ihrer Reflexionseigenschaften optimiert werden. Die Dicke einer KontaktSchicht der oben genannten Art ist vorteilhafterweise kleiner oder gleich lOnm. Die optischen Verluste in dieser Schicht können dadurch vorteilhafterweise besonders gering gehalten werden.
Besonders bevorzugt weist die Kontaktschicht eine nicht geschlossene, insbesondere inselartige und/oder netzartige Struktur auf. Hierdurch wird vorteilhafterweise erreicht, daß die auf Ag basierende reflektierende Schicht zumindest teil- weise unmittelbar Kontakt mit der p-dotierten Schicht aufweist, wodurch die elektrischen und optischen Eigenschaften positiv beeinflußt werden.
Bei einer anderen vorteilhaften Ausführungsform besteht die Kontaktschicht im Wesentlichen aus Indium-Zinn-Oxid (ITO - Indium Tin Oxide) und/oder ZnO und weist vorzugsweise ein Dicke > 10 nm auf. Mit einer solchen Kontaktschicht kann vorteilhafterweise eine sehr gute Stromaufweitung bei gleichzeitig sehr geringer Strahlungsabsorption erreicht werden.
Weiterhin bevorzugt befindet sich auf der reflektierenden Schicht eine bondfähige Schicht, die insbesondere im Wesentlichen aus einer Diffusionssperre aus Ti/Pt oder TiWN und aus Au oder AI besteht, wodurch eine Verbesserung der Bondbarkeit der reflektierenden Kontaktmetallisierung erzielt wird.
Bei einem weiteren Lumineszenzdiodenchip gemäß der Erfindung weist der Chip ausschließlich Epitaxieschichten auf, derern Gesamtdicke zusammen kleiner oder gleich 30μm ist. Dazu ist ein Aufwachssubstrat nach dem epitaktischen Aufwachsen der Epitaxieschichtenfolge entfernt. Die p-dotierte Epitaxieschicht ist auf ihrer von der n-dotierten Epitaxieschicht abgewandten Hauptfläche im Wesentlichen ganzflächig mit der reflektierenden Kontaktmetallisierung versehen. Auf der von der p-dotierten Epitaxieschicht abgewandten Hauptfläche der n-dotierten Epitaxieschicht befindet sich eine n-Kontaktmetalli- sierung, die nur einen Teil dieser Hauptfläche bedeckt. Die Lichtauskopplung aus dem Chip erfolgt über den freien Bereich der Hauptfläche der n-leitenden Epitaxieschicht und über die Chipflanken.
Das Aufwachssubstrat kann bei dieser Art von Lumineszenzdiodenchip sowohl elektrisch isolierend als auch strahlungsundurchlässig sein und demzufolge vorteilhafterweise allein hinsichtlich optimaler Aufwachsbedingungen ausgewählt werden. Der besondere Vorteil eines derartigen sogenannten Dünnfilm- Lumineszenzdiodenchips besteht darin, daß keine Lichtverluste in einem Substrat auftreten und eine verbesserte Strahlungsauskopplung erzielt wird.
Mit dem erfindungsgemäßen Lumineszenzdiodenchip ist der wei- tere Vorteil verbunden, daß die Möglichkeit besteht, die strahlungsemittierende aktive Zone, in der im Betrieb ein Großteil der in den Chip geleiteten elektrischen Energie in Wärmeenergie umgewandelt wird, sehr nah an eine Wärmesenke zu bringen; die Epitaxieschichtenfolge ist praktisch unmittelbar - nur die p-dotierte Epitaxieschicht ist zwischengelagert - an eine Wärmesenke thermisch ankoppelbar. Dadurch kann der Chip sehr effektiv gekühlt werden, wodurch die Stabilität der Wellenlänge der ausgesandten Strahlung erhöht ist.
Bei dem erfindungsgemäßen Lumineszenzdiodenchip ist aufgrund der ganzflächigen Kontaktierung vorteilhafterweise die Flußspannung reduziert .
Bei dem erfindungsgemäßen Lumineszenzdiodenbauelement mit ei- nem Lumineszenzdiodenchip gemäß der Erfindung wird der Chip mit der p-Seite, das heißt mit der reflektierenden Kontaktmetallisierung auf einer Chipmontagefläche eines LED-Gehäuses, insbesondere eines elektrischen Leiterrahmens oder einer Leiterbahn des LED-Gehäuses aufliegend montiert. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren la bis 2 beschriebenen Ausführungsbeispielen. Es zeigen:
Figur la eine schematische Darstellung eines Schnittes durch ein erstes Ausführungsbeispiel; Figur lb eine schematische Darstellung einer bevorzugten reflektierenden Kontaktmetallisierung; Figur 2 eine schematische Darstellung eines Schnittes durch ein zweites Ausführungsbeispiel.
In den Figuren der verschiedenen Ausführungsbeispiele sind gleiche oder gleichwirkende Bestandteile jeweils mit denselben Bezugszeichen versehen.
Bei dem Lumineszenzdiodenchip 1 von Figur la ist auf einem
SiC-Substrat 2 eine Strahlungsemittierende Epitaxieschichtenfolge 3 aufgebracht. Diese besteht aus einer n-leitend dotierten GaN- oder AIGaN-Epitaxieschicht 4 und einer p-leitend dotierten GaN- oder AlGaN-Epitaxieschicht 5. Ebenso kann bei- spielsweise eine auf GaN basierende Epitaxieschichtenfolge 3 mit einer Doppelheterostruktur, einer Ein ach-Quanten- well (SQW) -Struktur oder einer Multi-Quantenwe11 (MQW) -Struktur mit einer bzw. mehreren undotierten Schich (en) 19, beispielsweise aus InGaN oder InGaAlN, vorgesehen sein.
Das SiC-Substrat 2 ist elektrisch leitfähig und für die von einer aktiven Zone 19 der Epitaxieschichtenfolge 3 ausgesandte Strahlung durchlässig.
Auf ihrer vom SiC-Substrat 2 abgewandten p-Seite 9 ist auf die Epitaxieschichtenfolge 3 im Wesentlichen ganzflächig eine reflektierende, bondfähige auf Ag basierende Kontaktmetallisierung 6 aufgebracht. Diese besteht beispielsweise im Wesentlichen aus Ag, aus einer PtAg- und/oder einer PdAg-Legie- rung . Die Kontaktmetallisierung 6 kann aber auch, wie in Figur 1b schematisch dargestellt, ausgehend von der Epitaxieschichtenfolge 3 aus einer strahlungsdurchlässigen ersten Schicht 15 und einer reflektierenden zweiten Schicht 16 zusammengesetzt sein.
Die erste Schicht 15 besteht beispielsweise im Wesentlichen aus Pt, Pd und/oder Cr und weist eine Dicke von kleiner oder gleich lOnm auf, um die Strahlungsabsorption gering zu hal- ten. Sie kann alternativ aus Indium-Zinn-Oxid (ITO) und/oder ZnO bestehen. Vorzugsweise weist sie dann eine Dicke von größer oder gleich lOnm auf, weil diese Materialien nur sehr geringe Strahlungsabsorption zeigen. Die größere Dicke ist vorteilhaft für die Stromauf eitung.
Die zweite Schicht 16 besteht beispielsweise im Wesentlichen aus Ag, aus einer PtAg- und/oder einer PdAg-Legierung.
Zur Verbesserung der Bondbarkeit wird auf die auf Ag basie- rende Schicht eine weitere Metallschicht 20 aufgebracht.
Diese besteht beispielsweise aus Au oder AI. Als Diffusionssperre 24 zwischen der zweiten Schicht 16 und der weiteren Metallschicht 20 kann eine Schicht aus Ti/Pt oder TiWN vorgesehen sein.
An seiner von der Epitaxieschichtenfolge 3 abgewandten Hauptfläche 10 ist das SiC-Substrat 2 mit einer Kontaktmetallisierung 7 versehen, die nur einen Teil dieser Hauptfläche
10 bedeckt und als Bondpad zum Drahtbonden ausgebildet ist. Die Kontaktmetallisierung 7 besteht beispielsweise aus einer auf das SiC-Substrat 2 aufgebrachten Ni-Schicht, gefolgt von einer Au-Schicht.
Der Chip 1 ist mittels Die-Bonden mit seiner p-Seite, das heißt mit der reflektierenden Kontaktmetallisierung 6 auf eine Chipmontagefläche 12 eines elektrischen Anschlußrahmens
11 (Leadframe) eines Leuchtdioden (LED) -Gehäuses montiert. Die n-Kontaktmetallisierung 7 ist über einen Bonddraht 17 mit einem Anschlußteil 18 des Anschlußrahmens 11 verbunden.
Die Lichtauskopplung aus dem Chip 1 erfolgt über den freien Bereich der Hauptfläche 10 des SiC-Substrats 2 und über die Chipflanken 14.
Optional weist der Chip 1 ein nach dem Aufwachsen der Epitaxieschichtenfolge 3 gedünntes SiC-Substrat 2 auf, um die Dicke des Substrats 2 hinsichtlich Strahlungsabsorption und Strahlungsauskopplung zu optimieren.
Das in Figur 2 dargestellte Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem der Figur la zum einen dadurch, daß der Chip 1 ausschließlich Epitaxieschichten, also die Epitaxieschichtenfolge 3 und keine Substratschicht aufweist. Letztere wurde nach dem Aufwachsen der Epitaxieschichten beispielsweise mittels Ätzen und/oder Schleifen entfernt. Die Chip-Höhe beträgt ca. 25 /im.
Hinsichtlich der Vorteile eines derartigen sogenannten Dünnfilm-LED-Chips wird auf den allgemeinen Teil der Beschreibung verwiesen. Zum anderen weist die Epitaxieschichtenfolge 3 eine Doppelheterostruktur, eine Einfach-Quantenwell (SQW) - Struktur oder eine Multi-Quantenwe11 (MQW) -Struktur mit einer bzw. mehreren undotierten Schicht (en) 19, beispielsweise aus InGaN oder InGaAlN auf.
Der Chip 1 ist mittels Die-Bonden mit seiner p-Seite, das heißt mit der reflektierenden Kontaktmetallisierung 6 auf eine Chipmontagefläche 12 einer Leiterbahn 22 eines Leuchtdioden (LED) -Gehäuses 21 montiert. Die n-Kontaktmetallisierung 7 ist über einen Bonddraht 17 mit einer weiteren Leiterbahn 23 verbunden.
Die Erläuterung der Erfindung anhand der obigen Ausführungs- beispiele ist selbstverständlich nicht als Einschränkung auf diese zu verstehen. Die Erfindung ist vielmehr insbesondere bei allen Lumineszenzdiodenchips nutzbar, bei denen die von einem Aufwachssubstrat entfernt liegende Epitaxieschicht eine unzureichende elektrische Leitfähigkeit aufweist.

Claims

Patentansprüche
1. Lumineszenzdiodenchip (1) mit
- einer auf GaN basierenden Strahlungsemittierenden Epitaxie- schichtenfolge (3) , die eine aktive Zone (19) , eine n-do- tierte (4) und eine p-dotierte Schicht (5) aufweist, und
- einer der p-dotierten Schicht (5) zugeordnete reflektierende Kontaktmetallisierung (6) , die eine strahlungsdurchlässige Kontaktschicht (15) und eine reflektierende Schicht (16) aufweist und bei der die strahlungsdurchlässige Kontakt- schicht (15) zwischen der p-dotierten Schicht (5) und der reflektierenden Schicht (16) angeordnet ist.
2. Lumineszenzdiodenchip (1) nach Anspruch 1, bei dem die Kontaktschicht (15) mindestens eines der Metalle Pt, Pd und Cr aufweist, aus einem dieser Metalle besteht oder aus einer Legierung aus mindestens zwei dieser Metalle besteht .
3. Lumineszenzdiodenchip (1) nach Anspruch 1, bei dem die Dicke der Kontaktschicht (15) kleiner oder gleich lOnm ist .
4. Lumineszenzdiodenchip nach mindestens einem der vorange- henden Patentansprüche, bei dem die Kontaktschicht (15) eine nicht geschlossene Schicht ist, die insbesondere eine inselartige oder netzartige Struktur oder eine aus derartigen Strukturen kombinierte Struktur aufweist .
5. Lumineszenzdiodenchip (1) nach mindestens einem der vorangehenden Patentansprüche, bei dem die Kontaktschicht (15) im Wesentlichen mindestens ein Material aus der die Materialien Indium-Zinn-Oxid (ITO) und ZnO umfassenden Materialgruppe aufweist.
6. Lumineszenzdiodenchip (1) nach Anspruch 5, bei dem die Dicke der Kontaktschicht größer oder gleich lOnm ist .
7. Lumineszenzdiodenchip nach mindestens einem der vorangehenden Patentansprüche, bei dem die reflektierende Schicht (16) Ag enthält.
8. Lumineszenzdiodenchip (1) nach Anspruch 7, bei dem die reflektierende Schicht (16) zumindest teilweise aus einem Material aus der die Materialien PtAg-Legierung und PdAg-Legierung umfassenden Materialgruppe besteht .
9. Lumineszenzdiodenchip (1) nach mindestens einem der vor- angehenden Ansprüche, bei dem die reflektierende Schicht (16) mehr als 50% der von der aktiven Zone (19) abgewandten Hauptfläche (9) der p-dotierten Schicht (5) überdeckt.
10. Lumineszenzdiodenchip (1) nach Anspruch 9, bei dem die reflektierende Schicht (16) die gesamte von der aktiven Zone (19) abgewandte Hauptfläche (9) der p-dotierten Schicht (5) überdeckt.
11. Lumineszenzdiodenchip nach mindestens einem der vorangehenden Patentansprüche, bei dem die reflektierende Kontaktmetallisierung (6) auf ihrer von der strahlungsemittierenden Epitaxieschichtenfolge (3) abgewandten Seite eine weitere Metallschicht (20) auf- weist, die insbesondere im Wesentlichen Au oder AI aufweist.
12. Lumineszenzdiodenchip nach mindestens einem der vorangehenden Patentansprüche, bei dem eine n-dotierte Schicht (4) auf ihrer von einer p- leitenden Schicht (5) abgewandten Hauptfläche (8) mit einer n-Kontaktschicht (7) versehen ist, die nur einen Teil dieser Hauptfläche bedeckt, und daß die Lichtauskopplung aus dem Chip (1) über den freien Bereich der Hauptfläche (8) der n- leitenden Schicht (4) und über die Chipflanken (14) erfolgt.
13. Lumineszenzdiodenchip nach mindestens einem der vorangehenden Patentansprüche, bei dem der Chip (1) ausschließlich eine Epitaxieschichtenfolge (4,5,19) mit einer reflektierenden Kontaktmetallisierung (6) und einer weiteren Kontaktmetallisierung (7) aufweist .
14. Lumineszenzdiodenchip (1) nach Anspruch 13, bei dem die Dicke der Epitaxieschichtenfolge kleiner oder gleich 30μm ist.
15. Lumineszenzdiodenbauelement mit einem Lumineszenzdiodenchip gemäß mindestens einem der vorangehenden Patentansprüche, bei dem die Epitaxieschichtenfolge (3; 4,5,19) über die reflektierende Kontaktmetallisierung (6) an eine Wärmesenke thermisch leitend angeschlossen ist.
16. Lumineszenzdiodenbauelement mit einem Lumineszenzdiodenchip gemäß mindestens einem der Patentansprüche 1 bis 14, bei dem der Chip (1) auf einem thermisch leitenden Chipmontagebe- reich (12) eines LED-Gehäuses (21) , insbesondere auf einem
Leiterrahmen (11) oder einer Leiterbahn (22) des LED-Gehäuses
(22) , montiert ist, bei dem die reflektierende Kontaktmetallisierung (6) auf der
Chipmontagefläche (12) aufliegt.
17. Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenchips gemäß einem der Patentansprüche 1 bis 12, bei dem:
(a) auf einem Aufwachssubstrat (2) die Epitaxieschichtenfolge (4,5,19) aufgewachsen wird, derart, dass die p-dotierte Schicht (5) von dem Aufwachssubstrat (2) abgewandt ist, (b) auf der p-dotierten Schicht (5) die reflektierende Kontaktmetallisierung (6) aufgebracht wird, und
(c) das Auf achssubstrat (2) gedünnt wird.
18. Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenchips gemäß einem der Patentansprüche 13 und 14, bei dem: (a) auf einem Auf achssubstrat (2) die Epitaxieschichtenfolge (4,5,19) aufgewachsen wird, derart, dass die p-dotierte Schicht (5) von dem AufwachsSubstrat (2) abgewandt ist, (b) auf der p-dotierten Schicht (5) die reflektierende Kontaktmetallisierung (6) aufgebracht wird, und (c) das Aufwachssubstrat (2) entfernt wird.
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EP01953777A EP1284026A1 (de) 2000-05-26 2001-05-28 Lumineszenzdiodenchip mit einer auf gan basierenden strahlungsemittierenden epitaxieschichtenfolge und verfahren zu dessen herstellung
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004146539A (ja) * 2002-10-23 2004-05-20 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子の製造方法及び発光素子
JP2004260178A (ja) * 2003-02-26 2004-09-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh 光電子半導体チップに用いられる電気的なコンタクトならびに該電気的なコンタクトを製造するための方法
JP2005051255A (ja) * 2003-07-29 2005-02-24 Gelcore Llc 薄くされたまたは除去された基板を有するフリップチップ発光ダイオード・デバイス
FR2859312A1 (fr) * 2003-09-02 2005-03-04 Soitec Silicon On Insulator Scellement metallique multifonction
JP2006121084A (ja) * 2004-10-20 2006-05-11 Arima Optoelectronics Corp 多層の複合金属コーティング層をフリップチップ電極とする発光ユニット
DE102005013894B4 (de) * 2004-06-30 2010-06-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung erzeugender Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
US9281454B2 (en) 2002-06-26 2016-03-08 Lg Innotek Co., Ltd. Thin film light emitting diode

Families Citing this family (105)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1277241B1 (de) * 2000-04-26 2017-12-13 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Lumineszenzdiodenchip auf der basis von gan
DE10051465A1 (de) * 2000-10-17 2002-05-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf GaN-Basis
EP1277240B1 (de) * 2000-04-26 2015-05-20 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Verfahren zur Herstellung eines lichtmittierenden Halbleiterbauelements
TWI289944B (en) * 2000-05-26 2007-11-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting-diode-element with a light-emitting-diode-chip
US6794684B2 (en) * 2001-02-01 2004-09-21 Cree, Inc. Reflective ohmic contacts for silicon carbide including a layer consisting essentially of nickel, methods of fabricating same, and light emitting devices including the same
US7067849B2 (en) 2001-07-17 2006-06-27 Lg Electronics Inc. Diode having high brightness and method thereof
US6949395B2 (en) 2001-10-22 2005-09-27 Oriol, Inc. Method of making diode having reflective layer
US7148520B2 (en) 2001-10-26 2006-12-12 Lg Electronics Inc. Diode having vertical structure and method of manufacturing the same
US7659547B2 (en) * 2002-05-22 2010-02-09 Phoseon Technology, Inc. LED array
US7928455B2 (en) * 2002-07-15 2011-04-19 Epistar Corporation Semiconductor light-emitting device and method for forming the same
TW567618B (en) * 2002-07-15 2003-12-21 Epistar Corp Light emitting diode with adhesive reflection layer and manufacturing method thereof
CN103396933B (zh) 2003-02-26 2016-04-20 凯利达基因组股份有限公司 通过杂交进行的随机阵列dna分析
DE10308866A1 (de) 2003-02-28 2004-09-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungsmodul und Verfahren zu dessen Herstellung
US7274043B2 (en) * 2003-04-15 2007-09-25 Luminus Devices, Inc. Light emitting diode systems
US8999736B2 (en) * 2003-07-04 2015-04-07 Epistar Corporation Optoelectronic system
US7172909B2 (en) * 2003-07-04 2007-02-06 Epistar Corporation Light emitting diode having an adhesive layer and a reflective layer and manufacturing method thereof
EP1521312A3 (de) * 2003-09-30 2008-01-16 Osram Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches Bauelement mit einem metallisierten Träger
EP1690300B1 (de) * 2003-11-04 2012-06-13 Panasonic Corporation Herstellungsverfahren für eine halbleiter-lichtemissionseinrichtung
JP3979378B2 (ja) * 2003-11-06 2007-09-19 住友電気工業株式会社 半導体発光素子
JP4653804B2 (ja) * 2004-04-29 2011-03-16 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 発光半導体チップの製造方法および半導体チップ
KR100623024B1 (ko) 2004-06-10 2006-09-19 엘지전자 주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지
TWI374552B (en) * 2004-07-27 2012-10-11 Cree Inc Ultra-thin ohmic contacts for p-type nitride light emitting devices and methods of forming
US8728937B2 (en) * 2004-07-30 2014-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing semiconductor chips using thin film technology
KR101158601B1 (ko) * 2004-07-30 2012-06-22 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 박막기술을 사용하여 반도체 칩을 제조하는 방법 및박막기술을 사용하여 제조된 반도체 칩
JP4807983B2 (ja) * 2004-08-24 2011-11-02 昭和電工株式会社 化合物半導体発光素子用正極、該正極を用いた発光素子およびランプ
WO2006022399A1 (en) * 2004-08-24 2006-03-02 Showa Denko K.K. Positive electrode for compound semiconductor light-emitting device
KR100895453B1 (ko) * 2004-08-24 2009-05-07 쇼와 덴코 가부시키가이샤 화합물 반도체 발광소자용 양전극
US20060054919A1 (en) * 2004-08-27 2006-03-16 Kyocera Corporation Light-emitting element, method for manufacturing the same and lighting equipment using the same
DE102004045950A1 (de) * 2004-09-22 2006-03-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
EP2426743B1 (de) * 2004-10-22 2019-02-20 Seoul Viosys Co., Ltd Lichtemittierendes Halbleiterbauelement mit GaN-Verbindung und Verfahren zu dessen Herstellung
US7256483B2 (en) * 2004-10-28 2007-08-14 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Package-integrated thin film LED
TWI352437B (en) * 2007-08-27 2011-11-11 Epistar Corp Optoelectronic semiconductor device
KR100638813B1 (ko) * 2005-04-15 2006-10-27 삼성전기주식회사 플립칩형 질화물 반도체 발광소자
JP2006344925A (ja) * 2005-05-11 2006-12-21 Sharp Corp 発光素子搭載用フレームおよび発光装置
DE102005055293A1 (de) * 2005-08-05 2007-02-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips und Dünnfilm-Halbleiterchip
US7544974B2 (en) * 2005-08-23 2009-06-09 Showa Denko K.K. Positive electrode for compound semiconductor light-emitting device
EP1974389A4 (de) 2006-01-05 2010-12-29 Illumitex Inc Separate optische vorrichtung zur lichtorientierung von einer led
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
DE102007004303A1 (de) 2006-08-04 2008-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-Halbleiterbauelement und Bauelement-Verbund
JP2010506402A (ja) 2006-10-02 2010-02-25 イルミテックス， インコーポレイテッド Ｌｅｄのシステムおよび方法
DE102007004304A1 (de) * 2007-01-29 2008-07-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnfilm-Leuchtdioden-Chip und Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Leuchtdioden-Chips
DE102007022947B4 (de) 2007-04-26 2022-05-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE102007029391A1 (de) 2007-06-26 2009-01-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
US20090173956A1 (en) * 2007-12-14 2009-07-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Contact for a semiconductor light emitting device
US7985979B2 (en) 2007-12-19 2011-07-26 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Semiconductor light emitting device with light extraction structures
DE102008014121A1 (de) * 2007-12-20 2009-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips und Halbleiterchip
EP2240968A1 (de) 2008-02-08 2010-10-20 Illumitex, Inc. System und verfahren zur bildung einer emitterschicht
JP5236344B2 (ja) * 2008-04-24 2013-07-17 パナソニック株式会社 半導体発光装置
US8664747B2 (en) * 2008-04-28 2014-03-04 Toshiba Techno Center Inc. Trenched substrate for crystal growth and wafer bonding
DE102008021659A1 (de) * 2008-04-30 2009-11-05 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED-Element mit Dünnschicht-Halbleiterbauelement auf Galliumnitrid-Basis
DE102008024327A1 (de) * 2008-05-20 2009-11-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip mit einer reflektierenden Schicht
DE102008038725B4 (de) 2008-08-12 2022-05-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102008049535A1 (de) * 2008-09-29 2010-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul und Herstellungsverfahren
TWI379443B (en) * 2008-11-28 2012-12-11 Univ Nat Taiwan A lighting device having high efficiency and a method for fabricating the same
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8642369B2 (en) * 2009-03-03 2014-02-04 Zn Technology, Inc. Vertically structured LED by integrating nitride semiconductors with Zn(Mg,Cd,Be)O(S,Se) and method for making same
US8143778B2 (en) * 2009-05-11 2012-03-27 National Taiwan University Organic-inorganic lighting device and a method for fabricating the same
US8207547B2 (en) 2009-06-10 2012-06-26 Brudgelux, Inc. Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate
DE102009030549A1 (de) 2009-06-25 2010-12-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisches Projektionsgerät
CN101604717B (zh) * 2009-07-15 2010-12-29 山东华光光电子有限公司 一种垂直GaN基LED芯片及其制作方法
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
TWI405409B (zh) * 2009-08-27 2013-08-11 Novatek Microelectronics Corp 低電壓差動訊號輸出級
US8580593B2 (en) 2009-09-10 2013-11-12 Micron Technology, Inc. Epitaxial formation structures and associated methods of manufacturing solid state lighting devices
DE102009051746A1 (de) 2009-09-30 2011-03-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US8525221B2 (en) 2009-11-25 2013-09-03 Toshiba Techno Center, Inc. LED with improved injection efficiency
US20110180855A1 (en) * 2010-01-28 2011-07-28 Gm Global Technology Operations, Inc. Non-direct bond copper isolated lateral wide band gap semiconductor device
DE102010012602B4 (de) 2010-03-24 2023-02-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil sowie Anzeigevorrichtung und Herstellungsverfahren
KR101034144B1 (ko) * 2010-04-28 2011-05-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
DE102010024079A1 (de) 2010-06-17 2011-12-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
DE102010046089A1 (de) * 2010-09-20 2012-03-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102010048159B4 (de) 2010-10-11 2023-10-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtdiodenchip
US8395165B2 (en) 2011-07-08 2013-03-12 Bridelux, Inc. Laterally contacted blue LED with superlattice current spreading layer
US20130026480A1 (en) 2011-07-25 2013-01-31 Bridgelux, Inc. Nucleation of Aluminum Nitride on a Silicon Substrate Using an Ammonia Preflow
US8916906B2 (en) 2011-07-29 2014-12-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Boron-containing buffer layer for growing gallium nitride on silicon
US9142743B2 (en) 2011-08-02 2015-09-22 Kabushiki Kaisha Toshiba High temperature gold-free wafer bonding for light emitting diodes
US9343641B2 (en) 2011-08-02 2016-05-17 Manutius Ip, Inc. Non-reactive barrier metal for eutectic bonding process
US9012939B2 (en) 2011-08-02 2015-04-21 Kabushiki Kaisha Toshiba N-type gallium-nitride layer having multiple conductive intervening layers
US8865565B2 (en) 2011-08-02 2014-10-21 Kabushiki Kaisha Toshiba LED having a low defect N-type layer that has grown on a silicon substrate
US20130032810A1 (en) 2011-08-03 2013-02-07 Bridgelux, Inc. Led on silicon substrate using zinc-sulfide as buffer layer
US8564010B2 (en) 2011-08-04 2013-10-22 Toshiba Techno Center Inc. Distributed current blocking structures for light emitting diodes
DE102011112000B4 (de) 2011-08-31 2023-11-30 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtdiodenchip
US8624482B2 (en) 2011-09-01 2014-01-07 Toshiba Techno Center Inc. Distributed bragg reflector for reflecting light of multiple wavelengths from an LED
US8669585B1 (en) 2011-09-03 2014-03-11 Toshiba Techno Center Inc. LED that has bounding silicon-doped regions on either side of a strain release layer
US8558247B2 (en) 2011-09-06 2013-10-15 Toshiba Techno Center Inc. GaN LEDs with improved area and method for making the same
US8686430B2 (en) 2011-09-07 2014-04-01 Toshiba Techno Center Inc. Buffer layer for GaN-on-Si LED
US20130082274A1 (en) 2011-09-29 2013-04-04 Bridgelux, Inc. Light emitting devices having dislocation density maintaining buffer layers
US8664679B2 (en) 2011-09-29 2014-03-04 Toshiba Techno Center Inc. Light emitting devices having light coupling layers with recessed electrodes
US8853668B2 (en) 2011-09-29 2014-10-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting regions for use with light emitting devices
US8698163B2 (en) 2011-09-29 2014-04-15 Toshiba Techno Center Inc. P-type doping layers for use with light emitting devices
US9178114B2 (en) 2011-09-29 2015-11-03 Manutius Ip, Inc. P-type doping layers for use with light emitting devices
US9012921B2 (en) 2011-09-29 2015-04-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting devices having light coupling layers
DE102011116232B4 (de) 2011-10-17 2020-04-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
US8581267B2 (en) 2011-11-09 2013-11-12 Toshiba Techno Center Inc. Series connected segmented LED
US8552465B2 (en) 2011-11-09 2013-10-08 Toshiba Techno Center Inc. Method for reducing stress in epitaxial growth
US8598611B2 (en) 2012-01-09 2013-12-03 Micron Technology, Inc. Vertical solid-state transducers and solid-state transducer arrays having backside terminals and associated systems and methods
DE102012101463A1 (de) 2012-02-23 2013-08-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und derart hergestelltes optoelektronisches Bauelement
DE102012112988A1 (de) 2012-12-21 2014-07-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und Scheinwerfer
DE102013100818B4 (de) 2013-01-28 2023-07-27 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
TW201432949A (zh) * 2013-02-05 2014-08-16 Lextar Electronics Corp 發光模組及其製造方法
DE102013103216A1 (de) * 2013-03-28 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlung emittierender Halbleiterchip
DE102013107531A1 (de) 2013-07-16 2015-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102014102461A1 (de) 2014-02-25 2015-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge und optoelektronisches Halbleiterbauteil
TWI565098B (zh) 2015-06-10 2017-01-01 隆達電子股份有限公司 發光元件
DE102015113310B4 (de) 2015-08-12 2022-08-04 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterchip

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0051172A1 (de) * 1980-11-03 1982-05-12 Siemens Aktiengesellschaft Ohmscher Kontakt auf einem lichtdurchlässigen Substrat eines Bauelements
JPH0645651A (ja) * 1992-05-22 1994-02-18 Sanyo Electric Co Ltd ｎ型ＳｉＣ用電極とその形成方法
WO1995000974A1 (en) * 1993-06-23 1995-01-05 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency
JPH10150220A (ja) * 1996-11-15 1998-06-02 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光素子
EP0905797A2 (de) * 1997-09-29 1999-03-31 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiterlichtquelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
US5917202A (en) * 1995-12-21 1999-06-29 Hewlett-Packard Company Highly reflective contacts for light emitting semiconductor devices
JPH11191641A (ja) * 1997-10-14 1999-07-13 Matsushita Electron Corp 半導体発光素子とこれを用いた半導体発光装置及びその製造方法
JPH11220168A (ja) * 1998-02-02 1999-08-10 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
US6060730A (en) * 1997-07-10 2000-05-09 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
WO2001041223A1 (en) * 1999-12-01 2001-06-07 Cree Lighting Company Scalable led with improved current spreading structures
WO2001047038A1 (en) * 1999-12-22 2001-06-28 Lumileds Lighting U.S., Llc Multi-layer highly reflective ohmic contacts for light-emitting semiconductor devices
WO2001047039A1 (en) * 1999-12-22 2001-06-28 Lumileds Lighting, U.S., Llc Method of making a iii-nitride light-emitting device with increased light generating capability

Family Cites Families (126)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3864819A (en) * 1970-12-07 1975-02-11 Hughes Aircraft Co Method for fabricating semiconductor devices
DE2716143A1 (de) 1977-04-12 1978-10-19 Siemens Ag Lichtemittierendes halbleiterbauelement
FR2423869A1 (fr) * 1978-04-21 1979-11-16 Radiotechnique Compelec Dispositif semiconducteur electroluminescent a recyclage de photons
US4232440A (en) 1979-02-27 1980-11-11 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Contact structure for light emitting device
JPS57166088A (en) * 1981-04-07 1982-10-13 Nec Corp Electrode of luminus diode
US4448636A (en) 1982-06-02 1984-05-15 Texas Instruments Incorporated Laser assisted lift-off
DE3508469A1 (de) 1985-03-09 1986-09-11 Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8012 Ottobrunn Verfahren zum strukturieren von auf einem transparenten substrat aufgebrachten schichtfolgen
US5373171A (en) 1987-03-12 1994-12-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Thin film single crystal substrate
US4982538A (en) 1987-08-07 1991-01-08 Horstketter Eugene A Concrete panels, concrete decks, parts thereof, and apparatus and methods for their fabrication and use
JPH067594B2 (ja) * 1987-11-20 1994-01-26 富士通株式会社 半導体基板の製造方法
US4912532A (en) 1988-08-26 1990-03-27 Hewlett-Packard Company Electro-optical device with inverted transparent substrate and method for making same
US4918497A (en) * 1988-12-14 1990-04-17 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
JP2953468B2 (ja) 1989-06-21 1999-09-27 三菱化学株式会社 化合物半導体装置及びその表面処理加工方法
DE4038216A1 (de) 1990-01-20 1991-07-25 Telefunken Electronic Gmbh Verfahren zur herstellung von leuchtdioden
US5362667A (en) * 1992-07-28 1994-11-08 Harris Corporation Bonded wafer processing
US5210051A (en) * 1990-03-27 1993-05-11 Cree Research, Inc. High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride
JPH04132274A (ja) * 1990-09-21 1992-05-06 Eastman Kodak Japan Kk 発光ダイオード
US5102821A (en) * 1990-12-20 1992-04-07 Texas Instruments Incorporated SOI/semiconductor heterostructure fabrication by wafer bonding of polysilicon to titanium
JPH0831419B2 (ja) 1990-12-25 1996-03-27 名古屋大学長 単結晶珪素基板上への化合物半導体単結晶の作製方法
FR2681472B1 (fr) * 1991-09-18 1993-10-29 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur.
US5578839A (en) 1992-11-20 1996-11-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device
DE4305296C3 (de) 1993-02-20 1999-07-15 Vishay Semiconductor Gmbh Verfahren zum Herstellen einer strahlungsemittierenden Diode
US5376580A (en) * 1993-03-19 1994-12-27 Hewlett-Packard Company Wafer bonding of light emitting diode layers
US5965698A (en) 1993-04-23 1999-10-12 Virginia Commonwealth University Polypeptides that include conformation-constraining groups which flank a protein--protein interaction site
US5385632A (en) 1993-06-25 1995-01-31 At&T Laboratories Method for manufacturing integrated semiconductor devices
US5753134A (en) * 1994-01-04 1998-05-19 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing a layer with reduced mechanical stresses
JP3344056B2 (ja) 1994-02-08 2002-11-11 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
JP2669368B2 (ja) * 1994-03-16 1997-10-27 日本電気株式会社 Ｓｉ基板上化合物半導体積層構造の製造方法
JP3717196B2 (ja) * 1994-07-19 2005-11-16 豊田合成株式会社 発光素子
JP3974667B2 (ja) 1994-08-22 2007-09-12 ローム株式会社 半導体発光素子の製法
JP3561536B2 (ja) 1994-08-23 2004-09-02 三洋電機株式会社 半導体発光素子
US5523589A (en) * 1994-09-20 1996-06-04 Cree Research, Inc. Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime
US5661074A (en) * 1995-02-03 1997-08-26 Advanced Technology Materials, Inc. High brightness electroluminescent device emitting in the green to ultraviolet spectrum and method of making the same
DE19506323A1 (de) * 1995-02-23 1996-08-29 Siemens Ag Halbleitervorrichtung mit aufgerauhter Halbleiteroberfläche
JPH08250687A (ja) * 1995-03-08 1996-09-27 Komatsu Electron Metals Co Ltd Ｓｏｉ基板の製造方法およびｓｏｉ基板
US5670798A (en) 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
JPH08307001A (ja) 1995-04-28 1996-11-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザダイオ−ドおよびその製造方法
US5739554A (en) 1995-05-08 1998-04-14 Cree Research, Inc. Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer
US5625202A (en) * 1995-06-08 1997-04-29 University Of Central Florida Modified wurtzite structure oxide compounds as substrates for III-V nitride compound semiconductor epitaxial thin film growth
JP3259811B2 (ja) 1995-06-15 2002-02-25 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
US6046840A (en) * 1995-06-19 2000-04-04 Reflectivity, Inc. Double substrate reflective spatial light modulator with self-limiting micro-mechanical elements
JP3905935B2 (ja) * 1995-09-01 2007-04-18 株式会社東芝 半導体素子及び半導体素子の製造方法
DE69636088T2 (de) * 1995-11-06 2006-11-23 Nichia Corp., Anan Halbleitervorrichtung aus einer Nitridverbindung
JP3409958B2 (ja) * 1995-12-15 2003-05-26 株式会社東芝 半導体発光素子
US6165812A (en) 1996-01-19 2000-12-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Gallium nitride compound semiconductor light emitting device and process for producing gallium nitride compound semiconductor
US5874747A (en) * 1996-02-05 1999-02-23 Advanced Technology Materials, Inc. High brightness electroluminescent device emitting in the green to ultraviolet spectrum and method of making the same
US5889295A (en) * 1996-02-26 1999-03-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
US5985687A (en) 1996-04-12 1999-11-16 The Regents Of The University Of California Method for making cleaved facets for lasers fabricated with gallium nitride and other noncubic materials
JP3164016B2 (ja) 1996-05-31 2001-05-08 住友電気工業株式会社 発光素子および発光素子用ウエハの製造方法
JP3746569B2 (ja) * 1996-06-21 2006-02-15 ローム株式会社 発光半導体素子
US5684309A (en) 1996-07-11 1997-11-04 North Carolina State University Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes
JP3214367B2 (ja) 1996-08-12 2001-10-02 豊田合成株式会社 半導体発光素子の製造方法
JP3179346B2 (ja) * 1996-08-27 2001-06-25 松下電子工業株式会社 窒化ガリウム結晶の製造方法
DE19640594B4 (de) 1996-10-01 2016-08-04 Osram Gmbh Bauelement
US5836257A (en) 1996-12-03 1998-11-17 Mcdermott Technology, Inc. Circulating fluidized bed furnace/reactor with an integral secondary air plenum
JPH10209494A (ja) 1997-01-24 1998-08-07 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
US5880491A (en) * 1997-01-31 1999-03-09 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force SiC/111-V-nitride heterostructures on SiC/SiO2 /Si for optoelectronic devices
JP3679914B2 (ja) 1997-02-12 2005-08-03 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JPH10223496A (ja) 1997-02-12 1998-08-21 Ion Kogaku Kenkyusho:Kk 単結晶ウエハおよびその製造方法
JP3394678B2 (ja) * 1997-02-14 2003-04-07 シャープ株式会社 半導体発光素子
TW353202B (en) 1997-02-28 1999-02-21 Hewlett Packard Co Scribe and break of hard-to-scribe materials
WO1998042030A1 (fr) * 1997-03-19 1998-09-24 Sharp Kabushiki Kaisha Element emetteur de lumiere semi-conducteur
US6069394A (en) 1997-04-09 2000-05-30 Matsushita Electronics Corporation Semiconductor substrate, semiconductor device and method of manufacturing the same
US6239033B1 (en) * 1998-05-28 2001-05-29 Sony Corporation Manufacturing method of semiconductor device
US5955756A (en) 1997-05-29 1999-09-21 International Business Machines Corporation Trench separator for self-defining discontinuous film
US5877070A (en) * 1997-05-31 1999-03-02 Max-Planck Society Method for the transfer of thin layers of monocrystalline material to a desirable substrate
JP3083783B2 (ja) * 1997-06-25 2000-09-04 株式会社東芝 窒化ガリウム系半導体発光素子および発光装置
JPH11154774A (ja) 1997-08-05 1999-06-08 Canon Inc 面発光半導体デバイスの製造方法、この方法によって製造された面発光半導体デバイス及びこのデバイスを用いた表示装置
JP3457516B2 (ja) 1997-08-27 2003-10-20 株式会社東芝 窒化ガリウム系化合物半導体素子
DE19741442A1 (de) 1997-09-19 1999-04-01 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE19838810B4 (de) 1998-08-26 2006-02-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Ga(In,Al)N-Leuchtdiodenchips
TW393785B (en) * 1997-09-19 2000-06-11 Siemens Ag Method to produce many semiconductor-bodies
US5972781A (en) * 1997-09-30 1999-10-26 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing semiconductor chips
DE19743349C2 (de) 1997-09-30 2000-05-18 Siemens Ag Verfahren zum Trennen von Halbleiterchips und Verwendung dieses Verfahrens
DE69839300T2 (de) 1997-12-15 2009-04-16 Philips Lumileds Lighting Company, LLC, San Jose Licht-emittierende Vorrichtung
US6071795A (en) * 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
US6347101B1 (en) * 1998-04-16 2002-02-12 3D Systems, Inc. Laser with absorption optimized pumping of a gain medium
US6936859B1 (en) 1998-05-13 2005-08-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound
DE19921987B4 (de) 1998-05-13 2007-05-16 Toyoda Gosei Kk Licht-Abstrahlende Halbleitervorrichtung mit Gruppe-III-Element-Nitrid-Verbindungen
JP3540605B2 (ja) * 1998-05-15 2004-07-07 三洋電機株式会社 発光素子
TW369731B (en) 1998-05-29 1999-09-11 Visual Photonics Epitaxy Co Ltd Light-emitting diode (LED) with transparent glass or quartz as permanent substrate and process for the same
JP3287458B2 (ja) * 1998-06-24 2002-06-04 日本電気株式会社 超高速・低電圧駆動アバランシェ増倍型半導体受光素子
DE19829197C2 (de) * 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
US6319742B1 (en) * 1998-07-29 2001-11-20 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of forming nitride based semiconductor layer
JP2000077713A (ja) 1998-08-27 2000-03-14 Sanyo Electric Co Ltd 半導体発光素子
US6291839B1 (en) * 1998-09-11 2001-09-18 Lulileds Lighting, U.S. Llc Light emitting device having a finely-patterned reflective contact
JP3201475B2 (ja) * 1998-09-14 2001-08-20 松下電器産業株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3525061B2 (ja) 1998-09-25 2004-05-10 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
JP3469484B2 (ja) 1998-12-24 2003-11-25 株式会社東芝 半導体発光素子およびその製造方法
US6744800B1 (en) * 1998-12-30 2004-06-01 Xerox Corporation Method and structure for nitride based laser diode arrays on an insulating substrate
US6328796B1 (en) * 1999-02-01 2001-12-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Single-crystal material on non-single-crystalline substrate
US6320206B1 (en) 1999-02-05 2001-11-20 Lumileds Lighting, U.S., Llc Light emitting devices having wafer bonded aluminum gallium indium nitride structures and mirror stacks
US20010042866A1 (en) 1999-02-05 2001-11-22 Carrie Carter Coman Inxalygazn optical emitters fabricated via substrate removal
EP1035621B1 (de) * 1999-02-11 2001-05-02 Avalon Photonics Ltd Halbleiterlaser und Herstellungsverfahren
JP2000323797A (ja) * 1999-05-10 2000-11-24 Pioneer Electronic Corp 窒化物半導体レーザ及びその製造方法
US6222207B1 (en) * 1999-05-24 2001-04-24 Lumileds Lighting, U.S. Llc Diffusion barrier for increased mirror reflectivity in reflective solderable contacts on high power LED chip
US6133589A (en) * 1999-06-08 2000-10-17 Lumileds Lighting, U.S., Llc AlGaInN-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction
JP3675234B2 (ja) * 1999-06-28 2005-07-27 豊田合成株式会社 半導体発光素子の製造方法
JP2001053336A (ja) * 1999-08-05 2001-02-23 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
JP2001111109A (ja) * 1999-10-07 2001-04-20 Sharp Corp 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US6812502B1 (en) * 1999-11-04 2004-11-02 Uni Light Technology Incorporation Flip-chip light-emitting device
JP3068914U (ja) 1999-11-11 2000-05-26 洲磊科技股▲ふん▼有限公司 フリップ―チップ発光デバイス
US6355497B1 (en) 2000-01-18 2002-03-12 Xerox Corporation Removable large area, low defect density films for led and laser diode growth
DE10008583A1 (de) * 2000-02-24 2001-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optisch transparenten Substrates und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Halbleiterchips
JP4060511B2 (ja) * 2000-03-28 2008-03-12 パイオニア株式会社 窒化物半導体素子の分離方法
TW441859U (en) 2000-04-12 2001-06-16 Uni Light Technology Inc Flip-chip light emitting diode device
EP1277241B1 (de) * 2000-04-26 2017-12-13 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Lumineszenzdiodenchip auf der basis von gan
DE10051465A1 (de) * 2000-10-17 2002-05-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf GaN-Basis
EP1277240B1 (de) * 2000-04-26 2015-05-20 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Verfahren zur Herstellung eines lichtmittierenden Halbleiterbauelements
TWI289944B (en) 2000-05-26 2007-11-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting-diode-element with a light-emitting-diode-chip
US6380564B1 (en) * 2000-08-16 2002-04-30 United Epitaxy Company, Ltd. Semiconductor light emitting device
DE10042947A1 (de) * 2000-08-31 2002-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement auf GaN-Basis
DE10054184C1 (de) * 2000-11-02 2002-04-04 Infineon Technologies Ag Transistor mit ESD-Schutz
US6518079B2 (en) * 2000-12-20 2003-02-11 Lumileds Lighting, U.S., Llc Separation method for gallium nitride devices on lattice-mismatched substrates
US6446571B1 (en) * 2001-01-25 2002-09-10 Printmark Industries, Inc. Light reflecting warning kit for vehicles
US6468824B2 (en) * 2001-03-22 2002-10-22 Uni Light Technology Inc. Method for forming a semiconductor device having a metallic substrate
US6555405B2 (en) * 2001-03-22 2003-04-29 Uni Light Technology, Inc. Method for forming a semiconductor device having a metal substrate
US6562701B2 (en) * 2001-03-23 2003-05-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing nitride semiconductor substrate
US6746889B1 (en) * 2001-03-27 2004-06-08 Emcore Corporation Optoelectronic device with improved light extraction
US6861130B2 (en) * 2001-11-02 2005-03-01 General Electric Company Sintered polycrystalline gallium nitride and its production
US6881261B2 (en) * 2001-11-13 2005-04-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor device
US6617261B2 (en) * 2001-12-18 2003-09-09 Xerox Corporation Structure and method for fabricating GaN substrates from trench patterned GaN layers on sapphire substrates
US6869820B2 (en) * 2002-01-30 2005-03-22 United Epitaxy Co., Ltd. High efficiency light emitting diode and method of making the same
US20040104395A1 (en) 2002-11-28 2004-06-03 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Light-emitting device, method of fabricating the same, and OHMIC electrode structure for semiconductor device
JP4217093B2 (ja) * 2003-03-27 2009-01-28 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
CN1218997C (zh) 2004-02-04 2005-09-14 安徽大维新材有限责任公司 高吸水聚乙烯醇发泡体及其制备方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0051172A1 (de) * 1980-11-03 1982-05-12 Siemens Aktiengesellschaft Ohmscher Kontakt auf einem lichtdurchlässigen Substrat eines Bauelements
JPH0645651A (ja) * 1992-05-22 1994-02-18 Sanyo Electric Co Ltd ｎ型ＳｉＣ用電極とその形成方法
WO1995000974A1 (en) * 1993-06-23 1995-01-05 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency
US5917202A (en) * 1995-12-21 1999-06-29 Hewlett-Packard Company Highly reflective contacts for light emitting semiconductor devices
JPH10150220A (ja) * 1996-11-15 1998-06-02 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光素子
US6060730A (en) * 1997-07-10 2000-05-09 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
EP0905797A2 (de) * 1997-09-29 1999-03-31 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiterlichtquelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
JPH11191641A (ja) * 1997-10-14 1999-07-13 Matsushita Electron Corp 半導体発光素子とこれを用いた半導体発光装置及びその製造方法
JPH11220168A (ja) * 1998-02-02 1999-08-10 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
WO2001041223A1 (en) * 1999-12-01 2001-06-07 Cree Lighting Company Scalable led with improved current spreading structures
WO2001047038A1 (en) * 1999-12-22 2001-06-28 Lumileds Lighting U.S., Llc Multi-layer highly reflective ohmic contacts for light-emitting semiconductor devices
WO2001047039A1 (en) * 1999-12-22 2001-06-28 Lumileds Lighting, U.S., Llc Method of making a iii-nitride light-emitting device with increased light generating capability

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MENSZ P ET AL: "InGaN/AlGaN violet LEDs with reflective p-contacts", ELECTRONICS LETTERS, 1997, vol. 33, pages 2066 - 2068, XP000734311, ISSN: 0013-5194 *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 018, no. 270 (E - 1552) 23 May 1994 (1994-05-23) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1998, no. 11 30 September 1998 (1998-09-30) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1999, no. 12 29 October 1999 (1999-10-29) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1999, no. 13 30 November 1999 (1999-11-30) *

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9281454B2 (en) 2002-06-26 2016-03-08 Lg Innotek Co., Ltd. Thin film light emitting diode
US10825962B2 (en) 2002-06-26 2020-11-03 Lg Innotek Co., Ltd. Thin film light emitting diode
US10326059B2 (en) 2002-06-26 2019-06-18 Lg Innotek Co., Ltd. Thin film light emitting diode
US9716213B2 (en) 2002-06-26 2017-07-25 Lg Innotek Co., Ltd. Thin film light emitting diode
JP2004146539A (ja) * 2002-10-23 2004-05-20 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子の製造方法及び発光素子
JP2004260178A (ja) * 2003-02-26 2004-09-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh 光電子半導体チップに用いられる電気的なコンタクトならびに該電気的なコンタクトを製造するための方法
JP2005051255A (ja) * 2003-07-29 2005-02-24 Gelcore Llc 薄くされたまたは除去された基板を有するフリップチップ発光ダイオード・デバイス
US7189632B2 (en) 2003-09-02 2007-03-13 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. Multifunctional metallic bonding
KR100878915B1 (ko) * 2003-09-02 2009-01-15 에스. 오. 이. 떼끄 씰리꽁 오 냉쉴라또흐 떼끄놀로지 다목적 금속 실링
US7232739B2 (en) 2003-09-02 2007-06-19 S.O.I. Tec Silicon On Insulator Technologies Multifunctional metallic bonding
WO2005024934A1 (fr) * 2003-09-02 2005-03-17 S.O.I. Tec Silicon On Insulator Technologies Scellement metallique multifonction
FR2859312A1 (fr) * 2003-09-02 2005-03-04 Soitec Silicon On Insulator Scellement metallique multifonction
DE102005013894B4 (de) * 2004-06-30 2010-06-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung erzeugender Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
US8330175B2 (en) 2004-06-30 2012-12-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Electromagnetic radiation generating semiconductor chip and method for making same
JP2006121084A (ja) * 2004-10-20 2006-05-11 Arima Optoelectronics Corp 多層の複合金属コーティング層をフリップチップ電極とする発光ユニット

Also Published As

Publication number Publication date
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