WO2001019148A1 - Carte de circuit imprime et procede de fabrication associe - Google Patents

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WO2001019148A1
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resin
capacitor
wiring board
printed wiring
substrate
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PCT/JP2000/005970
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Yasushi Inagaki
Motoo Asai
Dongdong Wang
Hideo Yabashi
Seiji Shirai
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Ibiden Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to a printed circuit board on which an electronic component such as an IC chip is mounted and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a printed wiring board having a built-in capacitor and a method for manufacturing the same.
  • chip capacitors are sometimes mounted on the surface of printed wiring boards for package substrates for the purpose of smooth power supply to IC chips. Since the reactance of the wiring from the chip capacitor to the IC chip depends on the frequency, sufficient effects could not be obtained even if the chip capacitor was surface-mounted as the driving frequency of the IC chip increased. For this reason, the applicant of the present application has proposed in Japanese Patent Application No. 11-24831, a technique in which a recess is formed in a core substrate and a chip capacitor is accommodated in the recess. In addition, as a technique for embedding a capacitor in a substrate, Japanese Patent Application Laid-Open Nos.
  • the capacitor can be accommodated in the core substrate, and the distance between the IC chip and the capacitor is shortened, so that the live inductance of the printed wiring board can be reduced.
  • an opening is formed in the metal film of the first and third resin substrates having a metal film formed on one side by etching or the like, and the position of the opening is irradiated with laser so that the resin insulating layer exposed from the opening is exposed. It has been removed to provide openings for via holes.
  • the opening diameter of the via hole depends on the opening diameter of the metal film. Therefore, the via hole can be formed with an appropriate opening diameter.
  • the via hole can be formed at an appropriate position even if the irradiation position accuracy of the laser is low.
  • the adhesion between the chip capacitor made of ceramic, the adhesive layer made of resin, and the interlayer insulating layer is high, and even when a heat cycle test is performed, the peeling of the adhesive layer and the interlayer resin insulating layer at the interface occurs. Does not occur.
  • a space between the core substrate and the capacitor is filled with a shelf, and the coefficient of thermal expansion of the resin is set to be smaller than that of the core substrate, that is, close to that of a capacitor made of ceramic. For this reason, in the heat cycle test, even if internal stress is generated due to a difference in the coefficient of thermal expansion between the core substrate and the capacitor, cracks, peeling, and the like hardly occur on the core substrate, and high reliability can be achieved.
  • a capacitor is built in the core substrate, and a relatively large lower via connected to a terminal of the capacitor is formed on the capacitor.
  • a through hole is formed in a resin material containing a resin serving as a core material, and a resin material is attached to the resin material having the through hole to form a core substrate having a concave portion.
  • a core substrate having a concave portion with a flat bottom can be formed.
  • FIG. 10 is a manufacturing process diagram of a printed wiring board according to a first modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a graph showing changes in supply voltage to the IC chip and time.
  • FIG. 13 is a sectional view of a chip capacitor housed in a printed wiring board according to a first modification of the first embodiment.
  • FIG. 14 is a plan view of a chip capacitor housed in a printed wiring board according to a second modification of the first embodiment.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view showing a state in which an IC chip is mounted on a printed wiring board according to a modification of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 32 is a cross-sectional view showing a state in which an IC chip is mounted on a printed wiring board according to a modification of the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 33 is a process chart of manufacturing a printed wiring board according to a first modification of the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 49 is a process chart of manufacturing a printed wiring board according to a first modification of the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 50 is a process drawing of manufacturing a printed wiring board according to a first modification of the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 53 is a cross-sectional view showing a state in which an IC chip is mounted on a printed wiring board according to a second modification of the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 shows a cross section of the printed wiring board 10.
  • FIG. 8 shows an IC chip 90 mounted on the printed wiring board 10 shown in FIG. The state is shown.
  • the printed wiring board 10 includes a core substrate 30 accommodating a plurality of chip capacitors 20 and build-up wiring layers 80A and 80B.
  • the build-off self-line layers 80 A and 80 B are composed of a resin layer 40 and interlayer resin insulating layers 140 and 141.
  • a conductor circuit 58 and a via hole 60 are formed, and in the upper and lower interlayer resin! & ⁇ layer 140, a conductor circuit 158 and a via hole 160
  • a conductor circuit 159 and a via hole 164 are formed in the upper and lower interlayer resin insulation layers 144.
  • a solder resist layer 70 is formed on the interlayer resin layer 141.
  • the build-up wiring layer 80A and the build-up self-wiring layer 80B are connected via a through hole 56 formed in the core substrate 30.
  • solder bumps 76 U for connecting to pads 92 P 1 and 92 P 2 of IC chip 90 are arranged on upper build-up wiring layer 80 A.
  • Solder bumps 76D for connection to pads 94P1 and 94P2 of a dough pad 95 are provided on the S-line layer 80B.
  • the power supply pad 9 2 P 2 of the IC chip 90 is connected to a bump 76 U—via hole 16 4 4 conductor circuit 1 5 8 1 via hole 16 0—conductor circuit 5 8 1 via hole 6 0 via chip capacitor 20 Is connected to the second electrode 22.
  • the power supply pad 94 P 2 of the diode board 95 is connected to the bump 76 D—via hole 16 4 —conductor circuit 15 8 _via hole 16 0 —through hole 56 —via hole 60.
  • the signal pads of the IC chip are connected to the signal pads of the board via conductor circuits, via holes, and through holes on the printed wiring board.
  • the core substrate 30 of the present embodiment includes a first resin substrate 30 a having a conductive pad portion 34 for connecting the chip capacitor 20 formed on one side, and a first resin substrate 3.
  • the second resin substrate 30b is connected to 0a via the bonding resin layer (bonding plate) 38a, and the bonding resin layer (bonding plate) 38b is connected to the second resin substrate 30b.
  • a third resin substrate 30c connected to the third resin substrate 30c.
  • the second resin substrate 3 Ob has an opening 30B capable of accommodating the chip capacitor 20.
  • a substrate made of ceramic, AIN, or the like could not be used as the core substrate. This is because the substrate has poor external formability, and may not be able to accommodate a capacitor, and even if filled with a resin, a void is generated.
  • a via hole opening 42 is formed in the interlayer resin insulating layer 40 on the first resin substrate 30a side and the first resin substrate 30a by laser to reach the conductor pad portion 34 (FIG. 3 (A )).
  • Benzophenone (Kanto Chemical Co., Ltd.) 2.0 parts by weight, 0.2 part by weight of Michler's ketone as a photosensitizer (manufactured by Kanto Kagaku Co., Ltd.) and a viscosity of 25. 2.
  • a solder resist composition (organic) adjusted to OPas. (Resin insulating material).
  • solder resist composition is applied to both sides of the substrate 30 at a thickness of 20 zzm, and dried at 70 for 20 minutes and 70 for 30 minutes.
  • photomask thickness 5mm the pattern of openings are rendered in close contact to the source Ruda resist layer 70 is exposed at 1 000m J / cm 2 of ultraviolet light, and developed with D MTG solution, opening 7 1U, 7 ID (See Fig. 6 (A)).
  • soluble particles may be used alone or in combination of two or more.
  • the shape of the soluble particles is not particularly limited, and examples thereof include a spherical shape and a crushed shape. Further, the shape of the soluble particles is desirably a uniform shape. This is because a roughened surface having unevenness with a uniform roughness can be formed.
  • the soluble resin particles include those made of a thermosetting resin, a thermoplastic resin, and the like.
  • the dissolution rate is higher than that of the hardly soluble resin. If it is, there is no particular limitation.
  • the soluble resin particles include, for example, those composed of epoxy resin, phenol resin, phenoxy resin, polyimide resin, polyphenylene resin, polyolefin resin, fluororesin, and the like. Or a mixture of two or more resins.
  • Examples of the aluminum compound include alumina and aluminum hydroxide.
  • Examples of the calcium compound include calcium carbonate and calcium hydroxide.
  • Examples of the potassium compound include potassium carbonate.
  • Examples of the magnesium compound include magnesia, dolomite, and basic magnesium carbonate, and examples of the silicon compound include silica and zeolite. These may be used alone or in combination of two or more.
  • Examples of the soluble metal particles include particles made of at least one selected from the group consisting of copper, nickel, iron, zinc, lead, gold, silver, aluminum, magnesium, calcium, and silicon. These soluble metal particles may have a surface layer coated with a resin or the like in order to ensure insulation.
  • the combination of the two types of soluble particles to be mixed is preferably a combination of resin particles and inorganic particles. It is possible to both the conductivity even to secure an insulating resin film fried low, easily achieving the adjustment of thermal expansion between the insoluble resin, cracks occur in the interlayer Kitsuki 1 Lu layer made of a resin film This is because no peeling occurs between the eyebrow resin insulating layer and the conductor circuit.
  • the hardly soluble resin examples include, for example, an epoxy resin, a phenol resin, a phenoxy resin, a polyimide resin, a polyphenylene resin, a polyolefin resin, and a fluorine resin. These resins may be used alone or in combination of two or more.
  • an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is more desirable.
  • it is also excellent in heat resistance and the like, so that stress concentration does not occur in the metal layer even under heat cycle conditions. This is because peeling of the metal layer hardly occurs.
  • the curing agent examples include an imidazole-based curing agent, an amine-based curing agent, a guanidine-based curing agent, an epoxy-duct of these hardening agents, and a microcapsule-encapsulation of these hardening agents.
  • organic phosphine compounds such as triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium and tetraphenylporate.
  • the content of the curing agent is preferably 0.05 to 10% by weight based on the resin film. If the content is less than 0.05% by weight, the resin film is insufficiently cured, so that the degree of penetration of acid or oxidizing agent into the resin film increases, and the durability of the resin film may be impaired. On the other hand, if it exceeds 10% by weight, an excessive curing agent component may modify the composition of the resin, which may lead to a decrease in reliability.
  • Examples of the other components include inorganic compounds that do not affect the formation of the roughened surface, and fillers such as resins.
  • examples of the inorganic compound include silicic acid, alumina, and dolomite.
  • examples of the resin include polyimide resin, polyacrylic resin, polyamideimide resin, polyphenylene resin, melanin resin, and olefin resin. And the like. By including these fillers, the performance of the printed wiring board can be improved by matching the thermal expansion coefficient, improving heat resistance and chemical resistance, and the like.
  • a printed wiring board according to a first alternative example of the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
  • the printed wiring board of the first alternative example of the first embodiment is almost the same as the above-described first embodiment.
  • the conductive connection pins 96 are provided, and are formed so as to be connected to the dough board via the conductive connection pins 96.
  • the IC chip consumes large power instantaneously and performs complicated arithmetic processing.
  • the copper plating film 29 is peeled off at the stage of mounting on a printed wiring board by removing the nickel Z tin layer (coating layer) coated on the surface of the metal layer 26 at the stage of manufacturing the chip capacitor.
  • the metal layer 26 it is also possible to cover the metal layer 26 directly with the copper plating film 29 at the stage of manufacturing the chip capacitor 20. That is, in the first modified example, as in the first embodiment, an opening to the copper-plated film 29 of the electrode is provided by a laser, and then desmearing is performed to form a via hole by copper-plated. I do. Therefore, even if an acid film is formed on the surface of the copper plating film 29, the oxide film can be removed by the above laser and desmear treatment, so that proper connection can be established.
  • thermosetting epoxy resin sheet was vacuum crimped laminated at a pressure 5 k gZ cm 2, the interlayer resin insulation layer 4 0 (See Fig. 10 (D)).
  • the degree of vacuum during vacuum compression is 1 OmmHg.
  • via hole openings 42 connected to the conductor pad portions 34 and the conductor circuits 35, 37 by laser are formed on the upper and lower surfaces of the substrate 30 (see FIG. 10E). .
  • FIG. 15 is a plan view of a chip capacitor 20 housed in a core substrate of a printed wiring board according to the first alternative example.
  • a plurality of small-capacity chip capacitors are housed in the core substrate.
  • a large-capacity large-format chip capacitor 20 is housed in the core substrate.
  • the chip capacitor 20 includes a first electrode 21, a second electrode 22, a dielectric 23, a first conductive film 24 connected to the first electrode 21, and a second electrode 22.
  • the second conductive film 25 connected to the first conductive film 24 and the first conductive film 24 (2) connecting electrodes 27 on the upper and lower surfaces of the chip capacitor not connected to the conductive film 25; Through this electrode 27, the IC chip side is connected to the dome-side.
  • the printed wiring board of this first modification is a large-format chip. Since the capacitor 20 is used, a large-capacity chip capacitor can be used. Further, since the large-sized chip capacitor 20 is used, the printed wiring board does not warp even if the heat cycle is repeated.
  • FIG. 16 (A) shows the chip capacitor before cutting for multi-cavity production.
  • the dashed line shows the normal cutting line
  • Fig. 16 (B) shows the plan view of the chip capacitor. Is shown.
  • a large number of chip capacitors for multi-cavity connection (three in the example in the figure) are used.
  • FIG. 19 shows a cross section of the printed wiring board 210.
  • FIG. 20 shows an IC chip 290 mounted on the printed wiring board 210 shown in FIG. 9 shows a state attached to the 5 side.
  • the printed wiring board 210 includes a core substrate 230 accommodating a chip capacitor 220, and build-up self-line layers 280A and 280B.
  • the build-up self-layer 280 A and the build-up self-layer 280 B are connected via a through hole J 256.
  • the build-up wiring layers 280 A and 280 B are composed of interlayer resin layers 240 and 340.
  • a via hole 260 connected to the first electrode 2 21 and the second electrode 222 of the conductor circuit 358 and the chip capacitor 220 is formed in the layer 240, and an interlayer resin insulation layer is formed.
  • a conductor circuit 358 and a via hole 360 are formed in 340.
  • the conductor circuit 258 is formed on the interlayer resin insulation layer 240 on the B-side, and the conductor circuit 358 and the via hole 360 are formed on the interlayer resin edge layer 340. Are formed.
  • a solder resist layer 270 is formed on the interlayer resin insulation layer 340 of the build-up self-line layers 280A and 280B.
  • the chip capacitor 220 includes a first electrode 221, a second electrode 222, and a dielectric material 23 sandwiched between the first and second electrodes, as shown in FIG. In 23, a plurality of first conductive films 222 connected to the first electrode 222 side and a plurality of second conductive films 222 connected to the second electrode 222 side are arranged. Have been.
  • the upper build-up self-layer 28 OA has solder bumps 2 for connecting to the pads 29 2 E, 29 2 P, 29 2 S of the IC chip 29. 7 6 U are provided.
  • the lower build-up self-wiring layer 280 B has solder bumps 276 for connection to pads 294 E, 294 P and 294 S on the board 295. D is provided.
  • the grounding pad 292 E of the IC chip 290 is connected to the bump 276 U—via hole 370—conductor circuit 258—via hole 260 through the first electrode of the chip capacitor 220. Connected to 2 2 1 On the other hand, the ground pad 294 E of the dobo board 295 is connected to the chip capacitor 225 via the bump 276 D—via hole 370—through hole 265—via hole 265. Is connected to the first electrode 222 of the first electrode.
  • the power supply pad 292 P of the IC chip 290 is connected to the bump 276 U—via hole 366 _conductor circuit 258—via electrode 262 via the second electrode 2 2 of the chip capacitor 220. Connected to 2.
  • the power supply pad 294 P of the board 295 is connected to the bump capacitor 276 D via hole 366 through hole 265 through via hole 260. It is connected to the second electrode 222.
  • the core substrate 230 of the present embodiment includes a first resin substrate 230a and an adhesive resin layer (adhesion plate) 238 on the first resin substrate 230a.
  • Conductor circuits 235 are formed on both sides of the substrate 30a, the second resin substrate 230b, and the third resin substrate 230c.
  • a concave portion 334 capable of accommodating the chip capacitor 220 is formed in the core substrate 230 by a dulling process, and the concave portion 334 accommodates the chip capacitor 220.
  • the chip capacitor 220 can be accommodated in the core substrate 230, so that the distance between the IC chip 290 and the chip capacitor 220 is shortened, and The loop inductance of the printed wiring board 210 can be reduced.
  • the first, second, and third resin substrates 230a, 230b, and 230c having the conductor circuits 235 disposed on both surfaces are laminated to form a core substrate 230. Therefore, the wiring density within the core substrate 23.0 is increased, and the number of interlayer resin insulating layers can be reduced.
  • an adhesive agent 236 is interposed between the lower surface of the through hole 34 of the core substrate 230 and the chip capacitor 220, A resin filler 233 is filled between the side surface of the through hole 337 and the chip capacitor 220.
  • the coefficients of thermal expansion of the adhesive 236 and the resin filler 233 are set to be smaller than that of the core substrate 230, that is, close to the ceramic chip capacitor 220. For this reason, in the heat cycle test, even if internal stress is generated due to a difference in thermal expansion coefficient between the core substrate 230 and the chip capacitor 220, cracks, peeling, etc. are unlikely to occur on the core substrate 230, High reliability can be achieved. In addition, migration can be prevented.
  • a copper substrate 2 3 2 is laminated on both sides of a resin substrate 2 3 1a in which a core material such as a 0.3 mm thick glass cloth is impregnated with BT (bismaleimide triazine) resin and cured.
  • the starting material is the copper-clad laminate 23.1M (Fig. 17 (A)).
  • the first, second, and third resin substrates 230a, 2b having conductor circuits 235 on both sides are obtained by etching the copper-clad laminate 231M copper foil 233 in a pattern. 30 b and 230 c are formed (FIG. 17 (B)).
  • the third resin substrate 230c and the second resin substrate 230b are laminated via a bonding resin layer 238b in which a core material such as glass cloth is impregnated with epoxy resin.
  • the second resin substrate 230b and the first resin substrate 230a are laminated via the bonding resin layer 238a (FIG. 17 (C)).
  • the substrate has poor external formability and may not be able to accommodate a capacitor, and voids are created even when filled with resin.
  • a concave portion 334 for accommodating the chip capacitor 220 is formed in the core substrate 230 by zigzag processing (FIG. 17 (E)).
  • the concave portion for accommodating the capacitor is provided by zigzag processing, but the insulating resin substrate having the opening and the resin substrate having no opening are laminated to form the core substrate having the accommodating portion. It is also possible.
  • a chemical or UV-hardening adhesive material 236 is applied to the bottom surface of the concave portion 334 using a printing machine (FIG. 18 (A)). At this time, potting may be performed in addition to coating.
  • the chip capacitor 220 is placed on the adhesive material 236 (FIG. 18 (B)).
  • One or a plurality of chip capacitors 220 may be used, but by using a plurality of chip capacitors 220, high integration of the capacitors becomes possible.
  • thermosetting resin epoxy, phenol, polyimide, and triazine are preferable.
  • the chip capacitor 220 in the recess 334 is fixed, and the gap between the chip capacitor 220 and the wall surface of the recess 334 is filled.
  • a first resin substrate 230a including 35 is formed (FIG. 21 (B)). Then, the third resin substrate 230c and the second resin substrate 230b are laminated via a bonding resin layer (bonding plate) 238b in which a core material such as glass cloth is impregnated with epoxy resin. . Similarly, the second resin substrate 230b and the first resin substrate 230a having the through holes 23OA formed therein and the bonding resin layer (bonding plate) 2 having the through holes 238A formed therein Lamination through 3 8a (No.
  • the superimposed substrates are pressed using a hot press! ]
  • the first, second and third resin substrates 230a, 230b and 230c are integrated in a multi-layered shape, and a recess 335 for accommodating the chip capacitor 220 is formed.
  • a core substrate 230 having the same is formed (FIG. 21 (D)).
  • the resin layer for bonding 2 38 a the resin layer for bonding 2 38 a,
  • thermosetting or UV curing adhesive material 236 is applied to the bottom surface of the concave portion 335 using a printing machine (FIG. 21 (E)). At this time, potting may be performed in addition to coating.
  • a plurality of chip capacitors 220 are mounted on the adhesive material 236 (see FIG. 22). By accommodating a plurality of chip capacitors 220 in the core substrate, high integration of the condenser is possible.
  • a via hole opening 4 reaching the first terminal 2 2 1 and the second terminal 2 2 2 of the chip capacitor 2 0 2 is formed on the interlayer resin insulating layer 2 4 0 on the resin substrate 2 3 0 a side by a laser.
  • Form 2 (Fig. 22 (D)).
  • the printed wiring board of the first alternative example is substantially the same as the above-described first modified example of the second embodiment.
  • the large-capacity chip capacitors are provided on the front and back surfaces. 286 is implemented.
  • the IC chip consumes large power instantaneously and performs complicated arithmetic processing.
  • a chip capacitor 220 and a chip capacitor 286 for power supply are provided on the printed wiring board. The effect of this chip capacitor will be described with reference to FIG.
  • FIG. 12 shows the voltage supplied to the IC chip on the vertical axis and the time on the horizontal axis.
  • the two-dot chain line C indicates the voltage fluctuation of the printed wiring board without the power supply capacitor. If a power supply capacitor is not provided, the voltage will greatly attenuate.
  • the dashed line A shows the voltage fluctuation of the printed wiring board with the chip capacitor mounted on the surface. The voltage does not drop much compared to the two-dot chain line C, but the loop length is long, and the rate-limiting power supply is not sufficient. That is, the voltage drops at the start of power supply.
  • a two-dot chain line B indicates the voltage drop of the printed wiring board having the chip capacitor described above with reference to FIG.
  • the loop length can be shortened, the voltage fluctuates because a large-capacity chip capacitor cannot be accommodated in the core substrate 230.
  • the solid line E indicates the chip capacitor 220 in the core substrate described above with reference to FIG. 7 shows a voltage variation of a printed wiring board of a modified example in which the capacitor 286 is mounted.
  • the chip capacitor 220 has a coating layer of the first and second electrodes 22 1, 22 2 (shown in FIG. 13A). ) was completely stripped off and covered with a copper plating film 29.
  • the first and second electrodes 22 1 and 22 2 covered with the copper plating film 29 are electrically connected to each other through via holes 260 made of copper plating.
  • the electrodes 22 1 and 22 2 of the chip capacitor are made of metallization and have irregularities on the surface. For this reason, if the metal layer is used in a state where the metal layer is bare, in the step of forming the non-through hole 242 in the connection layer 240, the resin may be drawn on the unevenness.
  • the via holes 260 are formed by plating on the electrodes 22 1 and 22 2 on which the copper plating film 29 is formed, the connection between the electrodes 22 1 and 22 and the via holes 260 is performed. Therefore, even when a heat cycle test is performed, there is no disconnection between the electrodes 22 1 and 22 2 and the via holes 260. No migration occurred and no inconveniences occurred at the via connection of the capacitor.
  • the copper plating film 29 is peeled off at the stage of mounting on a printed wiring board by removing the nickel Z tin layer (coating layer) coated on the surface of the metal layer 26 at the stage of manufacturing the chip capacitor. Before installing. Alternatively, it is possible to cover the metal layer 26 directly with the copper plating film 29 at the stage of manufacturing the chip capacitor 220. That is, in the first alternative example, as in the second embodiment, after forming an opening to the copper plating film 29 of the electrode with a laser, desmearing or the like is performed, and a no hole is formed by copper plating. . Therefore, even if an oxide film is formed on the surface of the copper plating film 29, the laser and the Since the oxidation film can be removed by the smearing treatment, the connection can be properly established.
  • a roughened layer 23 is provided on the surface of the dielectric 23 made of ceramic of the chip capacitor 220. For this reason, the adhesion between the chip capacitor 220 made of ceramic and the interlayer resin insulation layer 240 made of resin is high, and even when the heat cycle test is performed, the separation of the interlayer resin insulation layer 240 at the interface occurs. Does not occur.
  • This assembled layer 23 ⁇ can be subjected to a roughening treatment by polishing the surface of the chip capacitor 220 after firing, or before firing. In the first alternative example, the surface of the capacitor was subjected to a roughening treatment to improve the adhesion to the resin, but instead, the surface of the capacitor may be subjected to a silane coupling treatment.
  • FIG. 14 shows a plan view of the chip capacitor.
  • Fig. 14 ( ⁇ ) shows the chip capacitor before cutting for multi-cavity production, and the dashed line in the figure shows the cutting line.
  • the first electrode 21 and the second electrode 22 are arranged on the side edges of the chip capacitor as shown in the plan view of FIG. .
  • Fig. 14 (C) shows the chip capacitor for multi-cavity before cutting in the second modification, and the dashed line in the figure shows the cutting line.
  • the first electrode 21 and the second electrode 22 are arranged inside the side edge of the chip capacitor.
  • FIG. 15 is a plan view of a chip capacitor 20 housed in a core substrate of a printed wiring board according to the first alternative example.
  • a plurality of small-capacity chip capacitors are housed in the core substrate.
  • a large-capacity large-format chip capacitor 20 is housed in the core substrate.
  • the chip capacitor 20 includes a first electrode 21, a second electrode 22, a dielectric 23, a first conductive film 24 connected to the first electrode 21, and a second electrode 22.
  • the second conductive film 25 is connected to the first conductive film 24 and the connection electrodes 27 on the upper and lower surfaces of the chip capacitor which are not connected to the first conductive film 24 and the second conductive film 25.
  • the IC chip side and the dough board side are force-connected via the electrodes 27.
  • the printed wiring board of the first modified example since a large-sized chip capacitor 20 is used, a large-capacity chip capacitor can be used. Further, since the large-sized chip capacitor 20 is used, the printed wiring board does not warp even if the heat cycle is repeated.
  • FIG. 16 (A) shows the chip capacitor before cutting for multi-cavity production.
  • the dashed line shows the normal cutting line
  • Fig. 16 (B) shows the plan view of the chip capacitor. Is shown.
  • a large number of chip capacitors for multi-cavity connection (three in the example in the figure) are used.
  • a large-sized chip capacitor 20 since a large-sized chip capacitor 20 is used, a large-capacity chip capacitor can be used. Also, the use of large chip capacitors 20 prevents the printed wiring board from warping even after repeated heat cycles.
  • the chip capacitor is built in the printed wiring board.
  • a plate-like capacitor in which a conductor film is provided on a ceramic plate can be used.
  • FIG. 30 shows a cross section of the printed wiring board 410
  • FIG. 31 shows a printed wiring board 410 shown in FIG. The state attached to the 5 side is shown.
  • the upper build-up wiring layer 48OA is provided with solder bumps 4 for connecting to the pads 492E, 492P and 492S of the IC chip 49. There are 7 6 U.
  • the lower build-up layer 480 B has pads 4 94 E 1, 4 94 E 2, 4 94 P 1, 4 94 P 2, 4 9 4 P 2 of the data board 4 95, Solder bumps 476D for connection to 494S are provided.
  • the signal pad 49 2 S of the IC chip 49 0 is a bump 47 6 U—a conductor circuit 5 59 9 one via hole 5 6 4—a conductor circuit 5 58 8—a via hole 560—through hole
  • the power supply pad 492P of the IC chip 490 is connected to the bump 476 U—via hole 5 6 4—conductor circuit 5 5 8—via hole 560—conductor circuit 4 5 8—via hole 460 It is connected to the second electrode 422 of the chip capacitor 420.
  • the power supply pad 4 9 4 P 1 of the board 4 9 5 is a bump 4 7 6 D-via hole 5 6 4-conductor circuit 5 5 8-via hole 5 6 0-through hole 4 5 6- Conductor circuit 4 5 8—Second electrode of chip capacitor 4 2 0 via via 4 6 0 Connected to 4 2 2.
  • the power supply pad 4 9 4 P 2 is connected to the bump 4 7 6 D-via hole 5 6 4 single conductor circuit 5 5 8-via hole 5 6 0-conductor circuit 4 5 8-via hole 4 6 0 It is connected to the first electrode 420 of 220.
  • the first and second electrodes 4 2 1 and 4 2 2 of the chip capacitor 4 20 are connected to the first and second electrodes 4 2 1 and 4 2 2 through the through holes 4 5 6 from the side of the dough board 4 9 It is also possible to omit the connection.
  • the chip capacitor 420 can be accommodated in the core substrate 430, so that the distance between the IC chip 490 and the chip capacitor 420 becomes shorter, and the printed circuit board 410 becomes smaller. Loop inductance can be reduced. Further, since the first resin substrate 4300a, the second resin substrate 4300b, and the third resin substrate 4300c are laminated, sufficient strength can be obtained for the core substrate 4300. Furthermore, since the first resin substrate 430a and the third resin substrate 430c are disposed on both sides of the core substrate 430, the core substrate 430 is configured to be smooth. Resin layers 540, 541, conductive circuits 558, 559, and via holes 560, 564 can be properly formed on the substrate. Can be reduced.
  • the via holes 460 are provided on both sides of the core substrate 430, the IC chip 490 and the chip capacitor 430 are provided, and 5 and the chip capacitor 420 can be connected with the shortest distance, and instantaneous large power supply from the board to the IC chip becomes possible.
  • a thread rising adhesive 436 is interposed between the first resin substrate 4300a and the chip capacitor 4200.
  • the coefficient of thermal expansion of the adhesive 436 is set to be smaller than that of the core substrate 430, that is, close to that of the chip capacitor 420 made of ceramic. For this reason, heat In the chip test, even if internal stress is generated due to the difference in coefficient of thermal expansion between the core substrate and the adhesive layer 436 and the chip capacitor 420, the core substrate is unlikely to crack, peel, etc., and has high reliability. Can be achieved. In addition, migration can be prevented.
  • a via hole forming opening 432a is formed in the copper foil 432 by etching the copper foil 432 of the copper-clad laminate 4340M into a pattern (FIG. 25). (See (B)).
  • an adhesive resin layer (bonding resin layer) in which core material such as glass cloth is impregnated with epoxy gauze (bonding resin layer) and core material such as glass cloth are impregnated with BT resin.
  • a second resin substrate 43 Ob (4 mm in thickness) is prepared. Openings 36A and 430B capable of accommodating the chip capacitor 420 are formed in the bonding resin layer 438a and the second resin substrate 4300b.
  • the second resin substrate 4340b is placed on the third resin substrate 4300c with the surface on which the copper foil 432 is laminated facing down, via the bonding resin layer 438b. I do.
  • the first resin substrate 430a is inverted and placed on the second resin substrate 430b via the bonding resin layer 438a.
  • the first tree The chip capacitor 4 2 0 connected to the resin substrate 4 3 0 a faces the bonding resin layer 4 3 8 a side, and the chip capacitor 4 2 in the opening 4 3 0 B formed in the second resin substrate 4 3 0 b. Overlap so that 0 can be accommodated (see Fig. 26 (A)). As a result, the chip capacitor 420 can be accommodated in the core substrate 430, and a printed wiring board with reduced loop inductance can be provided.
  • a substrate made of ceramic, AIN, or the like could not be used as the core substrate. This is because the substrate has poor external formability, and may not be able to accommodate a capacitor, and even if filled with a resin, a void is generated.
  • the first, second, and third resin substrates 4a, 4b, and 4c are multilayered by force-pressing the superposed substrates using a hot press. Then, a core substrate 430 having a plurality of chip capacitors 420 is formed (see FIG. 26 (B)).
  • the epoxy resin (insulating resin) is extruded from the adhesive resin layers 438a and 438b to the surroundings by being pressed, and the opening 430B and the chip capacitor 420 are formed.
  • the epoxy resin is cured by being heated at the same time as the pressurization, and the first resin substrate 4 is formed by interposing the bonding resin layers 438a and 438b as the bonding resin (bonding plate).
  • the second resin substrate 430b, and the third resin substrate 430c are firmly bonded.
  • the gap in the opening 430B is filled with the epoxy resin coming out of the bonding resin layer. Instead, a filler is disposed in the opening 430B. It is also possible.
  • the smooth first shelf board 4300a and the third resin board 4300c are arranged on both sides of the core board 4300, the smoothness of the core board 4300 is not impaired, and will be described later.
  • the interlayer resin yarn hidden layers 540, 541, the conductor circuits 558, 559, and the via holes 560, 564 are appropriately formed on the core substrate 430. This can reduce the rate of defective printed wiring boards. In addition, sufficient strength can be obtained for the core substrate 430.
  • the laser is irradiated to remove the exposed portions of the copper foil 432 via hole forming openings 432a, and the first electrode 421 and the second electrode of the chip capacitor 420 are removed. Via hole openings 4 4 2 leading to 4 2 2 are formed. That is, copper foil 4 3 2 A via hole opening 442 is formed in the core substrate 430 by using a laser as a uniform mask. Then, a similar process is performed on the other surface of the substrate (see FIG. 26 (C)).
  • the opening diameter of the via hole depends on the opening diameter of the via hole forming opening 432a of the copper foil 432. Therefore, the via hole can be formed with an appropriate opening diameter.
  • the accuracy of the opening position of the via hole also depends on the opening position S of the via hole forming opening 4 32 a of the copper foil 4 32. It can be formed at an appropriate position.
  • through holes 444 for through holes are formed in the core substrate 430 with a drill or a laser (see FIG. 26 (D)). Thereafter, desmearing is performed using oxygen plasma. Alternatively, desmear treatment with a chemical such as permanganate may be performed.
  • sputtering is performed using Ni and Cu as targets to form a Ni-Cu metal layer 448 on the surface of the core substrate 430 (see FIG. 27 (A)).
  • a sputter is used, but a metal layer such as copper or nickel may be formed by electroless plating. In some cases, an electroless plating film may be formed after the formation by sputtering.
  • the roughening treatment may be performed with an acid or an oxidizing agent.
  • the roughened layer is preferably 0.1 to 5 // m.
  • a photosensitive dry film is stuck on the surface of the 1-CU metal layer 448, a mask is placed, and exposure and development are performed to form a resist 450 having a predetermined pattern. Then, the core substrate 430 is immersed in the electroplating solution, an electric current is passed through the 1 ⁇ -1 ⁇ 1 metal layer 448, and electroplating is performed on the resist 450 non-formed portion under the following conditions. To form an electroplating film 452 (see FIG. 27 (B)).
  • the Ni-Cu metal layer 448 and the copper foil 432 under the resist 450 are dissolved by etching using a mixed solution of nitric acid, sulfuric acid and hydrogen peroxide.
  • the conductor circuit 458 including the via hole 460
  • the conductor circuit 458 including the copper foil 432 and the Ni-Cu metal layer 448, the electrolytic plating film 452, and the through hole 456 are formed.
  • an etching solution is sprayed onto both surfaces of the substrate by spraying to etch the surfaces of the conductor circuit 458 (including the via hole 460) and the through hole 456, thereby forming the conductor circuit 458.
  • a roughened surface 462 is formed on the entire surface (including the via hole 460) and the through hole 456 (see FIG. 27 (C)).
  • a mixture of 10 parts by weight of imidazole copper (II) complex, 7 parts by weight of glycolic acid, 5 parts by weight of potassium chloride, and 78 parts by weight of ion-exchanged water is used.
  • One surface of the substrate 430 that has been subjected to the processing of the above (10) is subjected to belt sanding using a belt polishing paper (manufactured by Sankyo Rikagaku Co., Ltd.) to form the surface of the conductor circuit 458.
  • polish so that the resin filler 464 does not remain on the land surface 456a of the hole 456, and then perform buff polishing to remove the scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing is similarly performed on the other surface of the substrate 430. Then, the filled resin filler 464 is cured by heating. In this way, the through hole 4 The surface layer of the resin filler 464 filled into 56 etc. and the roughened surface 462 on the upper surface of the conductor circuit 458 are removed to smooth both surfaces of the substrate 430, and the resin filler 464 and the conductor circuit 458 form the roughened surface 462.
  • a wiring board in which the inner wall surface of the through hole 456 and the resin filler 464 are firmly adhered through the roughened surface 462 is obtained.
  • the same etching liquid as the etching liquid used in the above (9) is sprayed on both surfaces of the substrate 430 by spraying, and the surface of the conductor circuit 458 once flattened and the land surface 456a of the through hole 456 are formed. Is etched to form a rough surface 458 ⁇ on the entire surface of the conductor circuit 458 (see FIG. 28 ( ⁇ )).
  • a via hole opening 542 is formed in the interlayer resin insulating layer 540 by a laser (see FIG. 28 (C)).
  • a photosensitive dry film is attached to the surface of the Ni—Cu metal layer 548, a mask is placed, and exposure and development are performed, and a predetermined pattern is formed.
  • a resist 544 is formed.
  • the substrate is immersed in an electrolytic plating solution, a current is passed through the Ni_Cu metal layer 548, and electrolytic plating is applied to a portion where the resist 544 is not formed to form an electrolytic plating film 552 (No. 29). (See Figure (B)).
  • the mounting of the IC chip 490 on the printed wiring board 410 completed in the above-described process and the mounting of the IC chip 490 on the dough board 495 are the same as those in the first embodiment. Is omitted.
  • the IC chip consumes large power instantaneously and performs complicated arithmetic processing.
  • a chip capacitor 420 and a chip capacitor 486 for power supply are provided on the printed wiring board. The effect of this chip capacitor will be described with reference to FIG.
  • FIG. 12 shows the voltage supplied to the IC chip on the vertical axis and the time on the horizontal axis.
  • the two-dot chain line C indicates the voltage fluctuation of the printed wiring board without the power supply capacitor. If a power supply capacitor is not provided, the voltage will greatly attenuate.
  • the broken line ⁇ indicates the voltage fluctuation of the printed wiring board with the chip capacitor mounted on the surface. ing. The voltage does not drop much compared to the two-dot chain line C, but the loop length is long, and the rate-limiting power supply is not sufficient. That is, the voltage drops at the start of power supply.
  • the two-dot chain line B indicates the voltage drop of the printed wiring board including the chip capacitor described above with reference to FIG.
  • the loop length can be shortened, the voltage fluctuates because a large-capacity chip capacitor cannot be accommodated in the core substrate 430.
  • the solid line E represents the modified example of the printed wiring board in which the chip capacitor 420 in the core substrate described above with reference to FIG. 32 and the large-capacity chip capacitor 486 are mounted on the surface. This shows a voltage fluctuation.
  • the printed circuit board 414 of the first modification of the third embodiment is provided on both sides of the second resin substrate 430 b provided with the opening 430 B for accommodating the chip capacitor 420. Body circuit 4 3 5 force is formed.
  • the conductor circuits 435 are formed on both surfaces of the second resin substrate 430b, the wiring density in the core substrate 430 can be increased, It is possible to reduce the number of interlayer resin layers to be built up.
  • the electrodes 4 2 1 and 4 2 2 of the chip capacitor are made of metallization and have irregularities on the surface. Therefore, if the metal layer is used in a state where the metal layer is exposed, the resin may remain on the irregularities in the process of forming the non-through-holes 442 in the first resin substrate 430a.
  • via holes 460 are formed by plating on the electrodes 421 and 422 on which the copper plating film 229 is formed, the connection between the electrodes 421 and 422 and the via hole 460 is performed. Therefore, even when the heat cycle test is performed, there is no disconnection between the electrodes 421 and 422 and the via hole 460. No migration occurred and no inconveniences occurred at the via hole connection in the condenser.
  • the copper plating film 29 is obtained by peeling off the nickel tin layer (coating layer) coated on the surface of the metal layer 26 at the stage of manufacturing the chip capacitor at the stage of mounting on the printed wiring board.
  • a roughening layer 23a is provided on the surface of the dielectric material 423 made of ceramic of the chip capacitor 420. For this reason, the adhesion between the chip capacitor 420 made of ceramic and the adhesive layers 438a and 438b made of wood is high, Even if a cycle test is performed, the first resin substrate 4430a does not peel off at the interface.
  • the roughened layer 23a can be formed by polishing the surface of the chip capacitor 420 after firing, or by performing a roughening treatment before firing.
  • the surface of the capacitor is subjected to a roughening treatment to improve the adhesion to the resin.
  • the surface of the capacitor may be subjected to a silane coupling treatment. It is.
  • the first electrode 21 of the capacitor 420 and the coating 28 of the second electrode 22 can be partially removed for use.
  • the reason for this is that by exposing the first electrode 21 and the second electrode 22, the connectivity with the via hole formed by plating can be improved.
  • the opening diameter of the via hole depends on the opening diameter of the via hole forming opening 432a of the copper foil 432, so that the via hole can be formed with an appropriate opening diameter.
  • the accuracy of the via hole opening position also depends on the opening position of the via hole forming opening 432a of the copper foil 432, so that even if the laser irradiation position accuracy is low, the via hole can be properly positioned. It can be formed at the position.
  • FIG. 15 is a plan view of a chip capacitor 20 housed in a core substrate of a printed wiring board according to the first alternative example.
  • a plurality of small-capacity chip capacitors are housed in the core substrate.
  • a large-capacity large-format chip capacitor 20 is housed in the core substrate.
  • the chip capacitor 20 includes a first electrode 21, a second electrode 22, a dielectric 23, a first conductive film 24 connected to the first electrode 21, and a second electrode 22.
  • the second conductive film 25 is connected to the first conductive film 24 and the connection electrodes 27 on the upper and lower surfaces of the chip capacitor that are not connected to the first conductive film 24 and the second conductive film 25.
  • the IC chip side and the dough board side are connected via this electrode 27.
  • FIG. 16 (A) shows the chip capacitor before cutting for multi-cavity production.
  • the dashed line shows the normal cutting line
  • Fig. 16 (B) shows the plan view of the chip capacitor. Is shown.
  • a large number of chip capacitors for multi-cavity connection (three in the example in the figure) are used.
  • the chip capacitor is built in the printed wiring board.
  • the chip capacitor it is also possible to use a plate-like capacitor in which a conductor film is provided on a ceramic plate.
  • the capacitor can be accommodated in the core substrate, and the distance between the IC chip and the capacitor is shortened, so that the live inductance of the printed wiring board can be reduced.
  • the resin substrate is laminated, sufficient strength can be obtained for the core substrate.
  • the first resin substrate and the third resin substrate are arranged on both sides of the core substrate to make the core substrate smooth, so that the interlayer resin, layers and conductor circuits are appropriately formed on the core substrate. And the occurrence rate of defective products of the printed wiring board can be reduced.
  • the printed wiring board 610 is composed of a core substrate 630 for accommodating a plurality of chip capacitors 620, and a build-up self-wiring layer 680A and 680B.
  • a relatively large via hole 660 is connected to the electrodes 62 1, 62 2 of the plurality of chip capacitors 62 accommodated in the core substrate 63 0.
  • Also build at. @ Self-layer 680 A and 680 B are interlayer resins! It consists of & roku layer 7400 and 741.
  • a conductive circuit 758 and a relatively small via hole 760 are formed in the interlayer resin insulating layer 740, and a conductive circuit 759 and a relatively small via hole 760 are formed in the interlayer resin insulating layer 741. Via hole 7 6 4 force is formed.
  • a solder resist layer 670 is provided on the interlayer resin insulating layer 741.
  • the adhesive material 636 is applied to the concave portion 734 using a printing machine (see FIG. 37 (C)).
  • the recess can be coated with an adhesive material by a method such as potting, die bonding, or bonding an adhesive sheet.
  • the adhesive material 636 used has a smaller coefficient of thermal expansion than the core substrate.
  • a plurality of ceramic chip capacitors 620 are bonded to the concave portions 735 via an adhesive material 636. (See Fig. 37 (D)).
  • the plurality of chip capacitors 620 are bonded to the concave portions 735 via an adhesive material 636.
  • the resin insulating layer 640 can be formed with a uniform thickness on the core substrate 630 in a step described later, and the via hole 660 can be appropriately formed. Then, the upper surfaces of the chip capacitors 620 are pushed or struck so that the upper surfaces of the plurality of chip capacitors 620 are at the same height (see FIG. 37 (E)). By this process, when a plurality of chip capacitors 620 are arranged in the recess 735, even if the sizes of the plurality of chip capacitors 620 vary, the heights can be completely aligned. Thus, the core substrate 630 can be made smooth.
  • thermosetting resin is filled between the chip capacitors 620 in the concave portions 733, and the resin is formed to form a resin layer 633 (see FIG. 38 (A)).
  • the resin layer 633 one having a smaller coefficient of thermal expansion than the core substrate is used.
  • a resin such as a thermoplastic resin may be used.
  • a filler may be impregnated in the resin in order to match the coefficient of thermal expansion. Examples of such fillers include inorganic fillers, ceramic fillers, and metal fillers.
  • thermosetting resin such as a thermosetting resin, a thermoplastic resin, a photosensitive resin, a composite of a thermosetting resin and a thermoplastic resin, or a composite of a photosensitive resin and a thermoplastic resin.
  • a thermosetting resin such as a thermosetting resin, a thermoplastic resin, a photosensitive resin, a composite of a thermosetting resin and a thermoplastic resin, or a composite of a photosensitive resin and a thermoplastic resin.
  • a thermoplastic resin such as a thermoplastic resin, a photosensitive resin, a composite of a thermosetting resin and a thermoplastic resin, or a composite of a photosensitive resin and a thermoplastic resin.
  • a thermoplastic resin such as a thermosetting resin, a thermoplastic resin, a photosensitive resin, a composite of a thermosetting resin and a thermoplastic resin, or a composite of a photosensitive resin and a thermoplastic resin.
  • They may have a two-layer structure.
  • a relatively large via hole opening 639 is formed in the resin insulating layer 640 by laser (see FIG. 38 (C)). After that, a desmear process is performed. Exposure and development can also be used in place of the laser. Then, through holes 644 for through holes are formed in the resin layer 633 by means of a drill or a laser, and heat-cured (see FIG. 38 (D)). In some cases, a roughening treatment using an acid, an oxidizing agent, or a chemical solution, or a roughening treatment using a plasma treatment may be performed. Thereby, roughening The adhesion of the layer is ensured.
  • a copper plating film 729 is formed on the surface of the resin insulating layer 640 by electroless copper plating (see FIG. 39 (A)).
  • a Ni-Cu metal layer may be formed by performing sputtering with Ni and Cu as targets.
  • an electroless plating film may be formed after forming by sputtering.
  • the copper plating film 729 under the plating resist 649 is dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide.
  • a relatively large via hole 660 and a through hole 656 having a field via hole structure composed of the plating film 729 and the electrolytic copper plating 651 are formed.
  • the large via hole diameter should be in the range of 100-600 zm. In particular, it is desirable to be 125 to 350 m. In this case, it was formed at 165 m.
  • the through hole was formed at 250 m.
  • the Ni-Cu metal layer 648 under the plating resist is mixed with nitric acid, sulfuric acid and hydrogen peroxide.
  • the conductor circuit 758 consisting of the Ni--Cu metal layer 648 and the electrolytic plating film 652 and the plurality of via holes 660
  • a small via hole 760 is formed (see FIG. 41 (B)).
  • the via hole 660 by forming the via hole 660 with a filled via hole structure, a plurality of via holes 760 can be directly connected to the via hole 660. Subsequent steps are the same as (16) to (19) in the first embodiment described above, and thus description thereof is omitted.
  • the IC chip 69 is placed so that the solder pad 692 of the IC chip 69 corresponds to the solder bump 67,6 U of the completed printed wiring board 61, and reflow is performed. Attach chip 690. Similarly, the printed circuit board 695 is reflowed so that the pad 695 of the board 695 corresponds to the solder bump 676 6D of the printed circuit board 610. 6 Attach 0.
  • the epoxy resin described above contains a hardly soluble resin, soluble particles, a curing agent, and other components. Since each is the same as in the first embodiment, the description is omitted.
  • the above-mentioned epoxy or polyolefin resin is applied thereon using a printing machine to form a resin insulating layer 640 (see FIG. 46 (B)).
  • a resin film may be attached.
  • a relatively large via hole opening 639 is formed in the resin insulating layer 640 by exposure / development processing or laser (see FIG. 46 (C)).
  • the large via hole diameter is desirably in the range of 100 to 600 zzm. In particular, it is desirable to be 125 to 350 m. In this case, it was formed at 165 m.
  • a through hole 644 for a through hole having a diameter of 250 is formed in the resin layer 633 with a drill or a laser, and is cured by heating (see FIG. 46 (D)).
  • the core substrate is immersed in an electroless plating solution to uniformly deposit an electroless plating film 745 (see FIG. 47 (A)).
  • a resin filler is filled in the opening 639 in which the electroless plating film 745 is formed, and dried.
  • a resin layer 747 is formed inside the opening 639 (see FIG. 47 (B)).
  • a photosensitive dry film is attached to the surface of the electroless plating film 745, a mask is placed, and exposure and development are performed to form a resist 649 having a predetermined pattern. Then, the core substrate 630 is immersed in an electroless plating solution to form a cover plating 751 made of an electroless plating film (see FIG. 47 (C)).
  • the resist 649 is stripped with 5% Na ⁇ H, and the electroless plating film 745 under the resist 649 is removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and the Relatively large via holes 661 and through holes 656 having a via hole structure are formed (see FIG. 47 (D)).
  • the via hole 661 With a filled via hole structure, a plurality of via holes 760 can be directly connected to one via hole 661 in a process described later.
  • the resin filler 664 is filled in the through hole 656 and dried (see FIG. 48 (B)).
  • phenol novolak 20 parts by weight of ethyl diglycol acetate Heated and dissolved in 20 parts by weight of solvent naphtha while stirring, and 15 parts by weight of epoxidized polybutadiene rubber (Denalex R-45 EPT manufactured by Nagase Kasei Kogyo Co., Ltd.) and 2-phenyl-4,5-bis (hydroxymethyl 1.5 parts by weight of imidazole pulverized product, 2 parts by weight of finely pulverized silica, 0.5 part by weight of silicone defoamer To prepare the Narubutsu.
  • epoxidized polybutadiene rubber Disalex R-45 EPT manufactured by Nagase Kasei Kogyo Co., Ltd.
  • 2-phenyl-4,5-bis hydroxymethyl 1.5 parts by weight of imidazole pulverized product, 2 parts by weight of finely pulverized silica, 0.5 part by weight of silicone defoamer
  • the obtained epoxy resin composition was applied on a 38-m-thick PET film using a mouth coater so that the thickness after drying became 50 m, and then 80 to 12 O: for 10 minutes. By drying, a film for shelf between layers is prepared.
  • Substrate 630 with via hole openings 642 formed is immersed in a solution of 80 g containing 1 g of permanganic acid at 60 gZ for 10 minutes to dissolve and remove the epoxy resin particles present on the surface of interlayer resin insulation layer 740 By doing so, the surface of the interlayer resin insulating layer 740 including the inner wall of the via hole opening 642 becomes a roughened surface 646 (FIG. 49).
  • Roughening treatment may be performed with an acid or an oxidizing agent. Also, the thickness of the rough layer is preferably 0.1 to 5 mm.
  • the substrate 630 after the above treatment is immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley) and then washed with water. Further, by applying a palladium catalyst to the surface of the substrate 630 subjected to the surface roughening treatment (roughening depth 3 // m), the surface of the interlayer resin insulating layer 740 and the inner wall surface of the via hole opening 642 are formed. Attach catalyst nuclei.
  • the substrate 630 is immersed in an electroless copper plating aqueous solution having the following composition to form an electroless copper plating film 763 having a thickness of 0.6 to 3.0 over the roughened surface 646. (See Fig. 49 (B)).
  • PEG Polyethylene glycol
  • the electroless copper plating film 763 under the plating resist 650 is dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide. Then, a conductor circuit 758 having a thickness of 18 m composed of the electroless copper plating film 763 and the electrolytic copper plating film 652 and a relatively small via hole 760 are formed (see FIG. 49 (D)). Thereafter, the same treatment as in (10) is performed, and a roughened surface 662 is formed with an etching solution containing a cupric complex and an organic acid (see FIG. 50 (A)).
  • solder-resist composition prepared in (21) is applied to both sides of the multilayer wiring board in a thickness of 20 m. Then, after performing a drying process under the conditions of 70 for 20 minutes and 70 for 30 minutes, a 5 mm-thick photomask on which the pattern of the solder resist opening is drawn is brought into close contact with the solder resist composition and 100 OmJ / Exposure to UV light of c ⁇ and development with DMTG solution to form openings 671U and 671D.
  • solder resist compositions were hardened by performing a heat treatment under the condition of 50 for 3 hours, and a 20 / m thick solder resist layer 670 having openings 671 U and 671 D was formed. (See FIG. 51 (A)).
  • solder resist composition a commercially available solder resist composition can also be used.
  • the substrate on which the solder-resist layer 670 has been formed is immersed in the same electroless nickel plating solution as in the first embodiment to form openings 671U and 671D.
  • a nickel plating layer 672 having a thickness of 5 nm is formed.
  • the substrate is immersed in the same electroless plating solution as in the first embodiment, and a 0.03; m-thick plating layer 674 is formed on the nickel plating layer 672. (See Fig. 51 (B)).
  • a tin-lead-containing solder paste is printed in the opening 671U of the solder resist layer 670 on the surface of the substrate on which the IC chip is to be mounted. Further, a solder paste is printed as a conductive adhesive 697 in the opening 671D on the other surface.
  • the conductive connecting pins 696 are attached to and supported by a suitable pin holding device, and the fixing portions 698 of the conductive connecting pins 696 are opened 671 1
  • the conductive adhesive 6 in the D 9 Make contact with 7. Then, a riff opening is performed to fix the conductive connection pins 696 to the conductive adhesive 697.
  • a conductive adhesive 699 formed in a ball shape or the like is inserted into the opening 670D, or the fixing portion 696 is fixed.
  • a conductive adhesive 699 may be bonded to the conductive member, and the conductive connecting pin 696 may be attached to the conductive adhesive 696. Thereafter, reflow may be performed.
  • the IC chip 6900 is placed so that the solder pad 692 of the IC chip 6900 corresponds to the opening 67.1 U of the printed wiring board 6 1 2 Then, the IC chip 690 is attached by reflow (see Fig. 53).
  • FIG. 14 shows a plan view of the chip capacitor.
  • Fig. 14 (A) shows the chip capacitor before cutting for multi-cavity production, and the chain line in the figure shows the cutting line.
  • the first electrode 21 and the second electrode 22 are arranged on the side edges of the chip capacitor as shown in the plan view of FIG. 14 (B).
  • Fig. 14 (C) shows the chip capacitor for multi-cavity before cutting in the third modified example, and the chain line in the figure shows the cutting line.
  • the first electrode 21 and the second electrode 22 are disposed inside the side edge of the chip condenser as shown in the plan view of FIG. 14 (D). .
  • a chip capacitor 20 having an electrode formed inside the outer edge is used, so that a chip capacitor having a large capacity can be used.
  • the bow I will now be described with reference to FIG. 15 of a printed wiring board according to a first modification of the third modification.
  • FIG. 15 is a plan view of a chip capacitor 20 housed in a core substrate of a printed wiring board according to the first alternative example.
  • a plurality of small-capacity chip capacitors are accommodated in the core substrate.
  • a large-capacity large-format chip capacitor 20 is accommodated in the core substrate.
  • the chip capacitor 20 includes a first electrode 21, a second electrode 22, a dielectric 23, a first conductive film 24 connected to the first electrode 21, and a second electrode 22.
  • the second conductive film 25 is connected to the first conductive film 25 and the connection electrodes 27 on the upper and lower surfaces of the chip capacitor which are not connected to the first conductive film 4 and the second conductive film 25.
  • the IC chip side and the dough board side are connected via this electrode 27.
  • a large-sized chip capacitor 20 was used in the printed wiring board of the first modification. Therefore, a chip capacitor having a large capacity can be used. Further, since the large-sized chip capacitor 20 is used, the printed wiring board does not warp even if the heat cycle is repeated.
  • FIG. 16 (A) shows the chip capacitor before cutting for multi-cavity production.
  • the dashed line shows the normal cutting line
  • Fig. 16 (B) shows the plan view of the chip capacitor. Is shown.
  • a large number of chip capacitors for multi-cavity connection (three in the example in the figure) are used.
  • a large-sized chip capacitor 20 since a large-sized chip capacitor 20 is used, a large-capacity chip capacitor can be used. Further, since the large-sized chip capacitor 20 is used, the printed wiring board does not warp even if the heat cycle is repeated.
  • the chip capacitors accommodated in the core substrate are provided.
  • the chip capacitors having large capacitances are provided on the front surface and the Z or back surface. Can also be implemented.
  • the built-in chip capacitor can reduce the inductance.
  • the humidity was kept at 100% by applying steam.
  • the sample was left for 100 hours at a relative humidity of 100%, an applied voltage of 1.3 V, and a temperature of 121.
  • the test was repeated for 1 minute, leaving 30 minutes at 125 and 30 minutes at 55.

Description

明 細 書 プリント配線板及びその製造方法 技術分野
この発明は、 I Cチップなどの電子部品を載置するプリント基板及びその製造 方法に関し、 特にコンデンサを内蔵するプリント配線板及びその製造方法に関す るものである。 背景技術
現在、 パッケージ基板用のプリント配線板では、 I Cチップへの電力の供給を 円滑にする等の目的のため、 チップコンデンサを表面実装することがある。 チップコンデンサから I Cチップまでの配線のリアクタンス分は周波数に依存 するため、 I Cチップの駆動周波数の増加に伴い、 チップコンデンサを表面実装 させても十分な効果を得ることができなかった。 このため、 本出願人は、 特願平 1 1 - 2 4 8 3 1 1号にて、 コア基板に凹部を形成し、 凹部にチップコンデンサ を収容させる技術を提案した。また、コンデンサを基板に埋め込む技術としては、 特開平 6— 3 2 6 4 7 2号、 特開平 7— 2 6 3 6 1 9号、 特開平 1 0— 2 5 6 4 2 9号、 特開平 1 1 _ 4 5 9 5 5号、 特開平 1 1— 1 2 6 9 7 8号、 特開平 1 1 — 3 1 2 8 6 8号等がある。
特開平 6— 3 2 6 4 7 2号には、 ガラスエポキシからなる樹脂基板に、 コンデ ンサを埋め込む技術が開示されている。 この構成により、 電源ノイズを低減し、 かつ、 チップコンデンサを実装するスペースが不要になり、 絶縁性基板を小型化 できる。 また、 特開平 7— 2 6 3 6 1 9号には、 セラミック、 アルミナなどの基 板にコンデンサを埋め込む技術が開示されている。 この構成により、 電源層 ¾び 接地層の間に接続することで、 配線長を短くし、 配線のインダク夕ンスを低減レ ている。
しかしながら、 上述した特開平 6— 3 2 6 4 7 2号、 特開平 7— 2 6 3 6 1 9 号は、 I Cチップからコンデンサの距離をあまり短くできず、 I Cチップの更な る高周波数領域においては、 現在必要とされるようにィンダクタンスを低減する ことができなかった。 特に、 樹脂製の多層ビルドアップ配線板においては、 セラ ミックから成るコンデンサと、 樹脂からなるコア基板及び層間樹脂騰層の熱膨 張率の違いから、 チップコンデンサの端子とビアとの間に断線、 チップコンデン ザと層間樹脂 禄層との間で剥離、 層間樹脂絶縁層にクラックが発生し、 長期に 渡り高い信頼性を達成することができなかった。
一方、 特願平 1 1— 2 4 8 3 1 1号の発明では、 コンデンサの配設位置ずれが あつたとき、 コンデンサの端子とビアとの接続が正確にできず、 コンデンサから I Cチップへの電力供給ができなくなる恐れがあつた。
本発明は、 上述した課題を解決するためになされたものであり、 その目的は、 コンデンサを内蔵し、 接続信頼性を高めたプリント配線板及びプリント配線板の 製造方法を提供することにある。 発明の開示
上記した目的を達成するため、 請求項 1のプリント配線板は、 コンデンサを収 容するコア基板に、 層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互に積層してなるプリント 配線板であって、
前記コンデンサを収容するコア基板が、 第 1の樹脂基板と、 コンデンサを収容 する開口を有する第 2の樹脂基板と、 第 3の樹脂基板とを、 接着板を介在させて 積層してなることを技術的特徴とする。
また、請求項 1 6のプリント配線板の製造方法は、少なくとも以下（a )〜（d) の工程を備えることを技術的特徴とする：
( a) 第 1の樹脂基板に、 導体パッド部を形成する工程；
(b) 前記第 1の樹脂基板の前記導体パッド部に、 導電性接着剤を介してコンデ ンサを接続する工程；
( c ) 第 3の樹脂基板と、 前記コンデンサを収容する開口を有する第 2の樹脂基 板と、 前記第 1の樹脂基板とを、 前記第 1の樹脂基板の前記コンデンサを前記第 2の樹旨基板の前記開口に収容させ、 且つ、 第 3の樹脂基板にて前記第 2め樹脂 基板の前記開口を塞ぐように、 接着板を介在させて積層する工程； ( d) 前記第 1の樹脂基板、 前記第 2の樹脂基板、 及び、 前記第 3の樹脂基板を 加熱加圧してコア基板とする工程。
請求項 1のプリント配線板、 及び、 請求項 1 6のプリント配線板の製造方法で は、 コア基板内にコンデン廿を収容することが可能となり、 I Cチップとコンデ ンサとの距離が短くなるため、 プリント配線板のループィンダク夕ンスを低減で きる。 また、 樹脂基板を積層してなるためコア基板に十分な強度を得ること力で きる。 更に、 コア基板の両面に第 1樹脂基板、 第 3樹脂基板を配設することでコ ァ基板を平滑に構成するため、 コア基板の上に層間樹脂絶縁層および導体回路を 適切に形成することができ、 プリント配線板の不良品発生率を低下させることが できる。
コア基板上に層間棚旨絶縁層を設けて、 該層間樹脂絶縁層にバイァホールもし くはスルーホールを施して、 導電層である導体回路を形成するビルドアップ法に よって形成する回路を意味している。 それらには、 セミアディティブ法、 フルァ ディティブ法のいずれかを用いることができる。
空隙には、 樹脂を充填させることが望ましい。 コンデンサ、 コア基板間の空隙 をなくすことによって、内蔵されたコンデンザが、挙動することが小さくなるし、 コンデンサを起点とする応力が発生したとしても、 該充填された樹脂により緩和 すること力 きる。 また、 該樹脂には、 コンデンサとコア基板との接着やマイグ レーションの低下させるという効果も有する。
請求項 2では、 接着板が心材に熱硬化性樹脂を含浸させてなるため、 コア基板 に高い強度を持たせることができる。
請求項 3では、 第 1、 第 2、 第 3樹脂基板は、 心材に樹脂を含浸させてなるた め、 コア基板に高い強度を持たせることができる。
請求項 4では、 コア基板内に複数個のコンデンサを収容するため、 コンデンサ の高集積化が可能となる。
請求項 5では、 第 2の樹脂基板に導体回路が形成されているため、 基板の配線 密度を高め、 層間樹脂絶縁層の層数を減らすことができる。
請求項 6では、 基板内に収容したコンデンサに加えて表面にコンデンサを配設 してある。 プリント配線板内にコンデンサが収容してあるために、 I Cチップと コンデンサとの距離が短くなり、 ループインダク夕ンスを低減し、 瞬時に電源を 供給することができ、 一方、 プリント配線板の表面にもコンデンサが配設してあ るので、 大容量のコンデンサを取り付けることができ、 I Cチップに大電力を容 易に供給すること力河能となる。
請求項 7では、 表面のコンデンサの静電容量は、 内層のコンデンサの静電容量 以上であるため、 高周波領域における電源供給の不足がなく、 所望の I Cチップ の動作が確保される。
請求項 8では、 表面のコンデンサのインダクタンスは、 内層のコンデンサのィ ンダク夕ンス以上であるため、 高周波領域における電源供給の不足がなく、 所望 の I Cチップの動作が確保される。
請求項 9、 1 0では、 金属膜を形成したチップコンデンサの電極へめっきによ りなるバイァホールで電気的接続を取ってある。 ここで、 チップコンデンサの電 極は、メタライズからなり表面に凹凸があるが、金属膜により表面が平滑になり、 ヒートサイクル試験を実施しても、電極や接着板などで断線が生じることがない。 コンデンサの電極の金属膜には、 銅、 ニッケル、 貴金属のいずれかの金属が配 設されているものが望ましい。 内蔵したコンデンサにスズゃ亜鉛などの層は、 マ ィグレーシヨンを誘発しやすいからである。 故に、 マイグレーションの発生を防 止することも出来る。
また、 チップコンデンサの表面に粗化処理を施してもよい。 これにより、 セラ ミックから成るチップコンデンサと樹脂からなる接着層、 層間樹脂 椽層との密 着性が高く、 ヒートサイクル試験を実施しても界面での接着層、 層間樹脂絶縁層 の剥離が発生することがない。
請求項 1 1では、 チップコンデンサの電極の被覆層から、 少なくとも一部が露 出してプリント配線板に収容し、 被覆層から露出した電極に電気的接続を取って ある。 このとき、 被覆層から露出した金属は、 主成分が C uであることが望まし レ^ 接続抵抗を低減することができるからである。
請求項 1 2では、 外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサを用いるた め、 バイァホールを経て導通を取っても外部電極が大きく琅れ、 ァライメントの 許容範囲が広がるために、 接続不良がなくなる。
請求項 1 3では、 マトリクス状に電極が形成されたコンデンサを用いるので、 大判のチップコンデンサをコア基板に収容すること力容易になる。 そのため、 静 電容量を大きくできるので、電気的な問題を解決することができる。さらに、種々 の熱履歴などを経てもプリント配線板に反りが発生し難くなる。
請求項 1 4では、 コンデンサに多数個取り用のチップコンデンサを複数連結さ せてもよい。 それによつて、 静電容量を適宜調整することができ、 適切に I Cチ ップを動作させることができる。
請求項 1 5では、 絶縁性接着剤の熱膨張率を、 収容層よりも小さく、 即ち、 セ ラミックからなるコンデンサに近いように設定してある。 このため、 ヒートサイ クル試験において、 コア基板とコンデンサとの間に熱膨張率差から内応力が発生 しても、 コア基板にクラック、 剥離等が生じ難く、 高い信頼性を達成できる。 上記した目的を達成するため、 請求項 1 7の発明では、 コア基板上に、 樹脂絶 縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板であって、
前記コア基板は、 導体回路を形成した複数枚の樹脂基板を貼り合わせてなり、 前記コア基板内に、 コンデンサが収容されていることを技術的特徴とする。 請求項 1 8の発明では、 コア基板上に、 樹脂絶縁層と導体回路とを積層してな るプリント配線板であって、
前記コァ基板は、 導体回路を形成した複数枚の樹脂基板を貼り合わせてなり、 前記コア基板内に形成された凹部中にコンデンサが収容されていることを技術 的特徴とする。
請求項 1 7および請求項 1 8では、 コア基板内にコンデンサを収容することが 可能となり、 I Cチップとコンデンサとの距離力短くなるため、 プリント配線板 のループインダク夕ンスを低減できる。 また、 導体回路が形成された樹脂基板を 複数枚積層してコア基板を形成しているため、 コア基板内の配線密度が高まり、 層間樹脂絶縁層の層数を減らすことが可能となる。
コァ基板上に層間樹脂絶縁層を設けて、 該層間樹脂絶縁層にバイァホールもし くはスルーホールを施して、 導電層である導体回路を形成するビルドアツプ法に よって形成する回路を意味している。 それらには、 セミアディティブ法、 フルァ ディティブ法のいずれかを用いることができる。
空隙には、 棚旨を充填させること力望ましい。 コンデンサ、 コア基板間の空隙 をなくすことによって、内蔵されたコンデンザが、挙動することが小さくなるし、 コンデンサを起点とする応力が発生したとしても、 該充填された樹脂により緩和 することができる。 また、 該樹脂には、 コンデンサとコア基板との接着やマイグ レ一シヨンの低下させるという効果も有する。
請求項 1 9では、複数枚の樹脂基板を、接着板を介在させて貼り合わせるため、 強固に接着させることができる。
請求項 2 0では、 接着板が心材に熱硬化性樹脂を含浸させてなるため、 コア基 板に高い強度を持たせることができる。
請求項 2 1では、 樹脂基板は、 心材に樹脂を含浸させてなるため、 コア基板に 高い強度を持たせることができる。
請求項 2 2では、 コア基板内に複数個のコンデンサを収容するため、 コンデン ザの高集積ィヒが可能となる。
請求項 2 3では、 基板内に収容したコンデンサに加えて表面にコンデンサを配 設してある。 プリント配線板内にコンデンサが収容してあるために、 I Cチップ とコンデンサとの距離が短くなり、 ループインダク夕ンスを低減し、 瞬時に電源 を供給することができ、 一方、 プリント配線板の表面にもコンデンサが配設して あるので、 大容量のコンデンサを取り付けることができ、 I Cチップに大電力を 容易に供給することカ^！能となる。
請求項 2 4では、 表面のコンデンサの静電容量は、 内層のコンデンサの静電容 量以上であるため、 高周波領域における電源供給の不足がなく、 所望の I Cチッ プの動作が確保される。
請求項 2 5では、 表面のコンデンサのインダク夕ンスは、 内層のコンデンサの インダク夕ンス以上であるため、 高周波領域における電源供給の不足がなく、 所 望の I Cチップの動作が確保される。
請求項 2 6、 請求項 2 7では、 金属膜を形成したチップコンデンサの電極へめ つきによりなるバイァホールで電気的接続を取ってある。 ここで、 チップコンデ ンサの電極は、 メタライズからなり表面に凹凸があるが、 金属膜により表面が平 滑になり、 バイァホールを形成するため、 電極上に被覆された樹脂に通孔を形成 した際に、 樹脂残さが残らず、 ノ ァホールと電極との接続信頼性を高めること ができる。 更に、 めっきの形成された電極に、 めっきによりバイァホールを形成 するため、 電極とバイァホールとの接続性が高く、 ヒートサイクル試験を実施し ても、 電極とバイァホール間の断線が生じることがない。
コンデンサの電極の金属膜には、 銅、 ニッケル、 貴金属のいずれかの金属が己 設されているものが望ましい。 内蔵したコンデンサにスズゃ亜鉛などの層は、 バ ィァホールとの接続部におけるマイグレーションを誘発しやすいからである。 故. に、 マイグレーションの発生を防止することも出来る。
また、 チップコンデンサの表面に粗化処理を施してもよい。 これにより、 セラ ミックから成るチップコンデンザと樹脂からなる層間樹脂絶縁層との密着性が高 く、 ヒートサイクル試験を実施しても界面での層間樹脂絶縁層の剥離が発生する ことがない。
請求項 2 8では、 チップコンデンサの電極の被覆層から、 少なくとも一部が露 出してプリント配線板に収容し、 被覆層から露出した電極にめっきにより電気的 接続を取ってある。 このとき、 被覆層から露出した金属は、 主成分が C uである ことが望ましい。 その理由としては露出した金属に、 めっきで金属層を形成して も接続性が高くなり、 接続抵抗を低減することができる。
請求項 2 9では、 外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサを用いるた め、 バイァホールを経て導通を取っても外部電極が大きく取れ、 ァライメントの 許容範囲が広がるために、 接続不良がなくなる。
請求項 3 0では、 マトリクス状に電極力形成されたコンデンサを用いるので、 大判のチップコンデンサをコア基板に収容すること力溶易になる。 そのため、 静 電容量を大きくできるので、電気的な問題を解決することができる。さらに、種々 の熱履歴などを経てもプリント配線板に反りが発生し難くなる。
請求項 3 1では、 コンデンザに多数個取り用のチップコンデンサを複数連結さ せてもよい。 それによつて、 静電容量を適宜調整することができ、 適切に I Cチ ップを動作させることができる。
請求項 3 2では、 絶縁性接着剤の熱膨張率を、 コア基板よりも小さく、 即ち、 セラミックからなるコンデンサに近いように設定してある。 このため、 ヒートサ ィクル試験において、 コア基板とコンデンサとの間に熱膨張率差から内応力が発 生しても、 コア基板にクラック、 剥離等が生じ難く、 高い信頼性を達成できる。 請求項 3 3のプリント配線板の製造方法は、 少なくとも以下 （a ) 〜 （e ) の 工程を備えることを技術的特徴とする：
( a) 複数枚の樹脂基板に、 導体回路を形成する工程；
( b) 接着板を介して複数枚の前記樹脂基板を積層する工程；
( c ) 前記樹脂基板同士を、 前記接着板を介して接着しコア基板とする工程；
( d ) 前記コア基板に、 凹部を形成する工程；
( e ) 前記凹部にコンデンサを収容する工程。
請求項 3 4のプリント配線板の製造方法は、 少なくとも以下 （a ) 〜 （e ) の 工程を備えることを技術的特徴とする：
( a ) 通孔を備え、 表面に導体回路を配設した樹脂基板を形成する工程；
( b) 通孔を備えず、 表面に導体回路を配設した樹脂基板を形成する工程：
( c ) 前記通孔を備える樹脂基板と前記通孔を備えない樹脂基板とを接肴板を介 して積層する工程；
( d) 前記樹脂基板同士を、 前記接着板を介して接着しコア基板とする工程； ( e ) 前記通孔にコンデンサを収容する工程。
請求項 3 3および請求項 3 4では、 コァ基板内にコンデンサを収容することが 可能となり、 I Cチップとコンデンサとの距離が短くなるため、 プリント配線板 のループインダクタンスを低減できる。 また、 導体回路が形成された樹脂基板を 複数枚積層してコア基板を形成しているため、 コア基板内の配線密度が高まり、 層間樹脂絶縁層の層数を減らすことが可能となる。
上記した目的を達成するため、 請求項 3 5のプリント配線板は、 コンデンサを 収容するコア基板に、 層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互に積層してなるプリン 卜配線板であって、
前記コンデンサを収容するコア基板が、 第 1の樹脂基板と、 コンデンサを収容 する開口を有する第 2の樹脂基板と、 第 3の樹脂基板とを、 接着板を介在させて 積層してなり、
前記コア基板の両面に、 前記コンデンサの端子と接続するバイァホールを配設 したことを技術的特徴とする。
請求項 3 5のプリント配線板では、 コア基板内にコンデンサを収容することが 可能となり、 I Cチップとコンデンサとの距離が短くなるため、 プリント配線板 のループインダク夕ンスを低減できる。 また、 樹脂基板を積層してなるためコア 基板に十分な強度を得ることができる。 更に、 コア基板の両面に第 1樹脂基板、 第 3樹脂基板を配設することでコァ基板を平滑に構成するため、 コァ基板の上に 層間樹脂絶縁層および導体回路を適切に形成することができ、 プリン卜配線板の 不良品発生率を低下させることができる。 更に、 コア基板の両面にバイァホール を設けてあるため、 I Cチップとコンデンサとを、 また、 外部接続基板とコンデ ンサとを最短の距離で接続することができ、 外部接続基板から I Cチップへの瞬 時的な大電力供給が可能になる。
コア基板上に層間測旨 縁層を設けて、 該層間樹脂縫層にバイァホールもし くはスルーホールを施して、 導電層である導体回路を形成するビルドアップ法に よって形成する回路を意味している。 それらには、 セミアディティブ法、 フルァ ディティブ法のいずれかを用いることができる。
また、 接続用配線を配設することにより、 コンデンサの下部にも、 配線を施す ことが可能となる。 そのために配線の自由度が増して、 高密度化、 小型化をする ことができる。
コンデンサと基板との間には樹脂が充填されることが望ましい。 コンデンサと ' 基板間の空隙をなくすことによって、 内蔵されたコンデンザが挙動することが小 さくなるし、 コンデンサを起点とする応力が発生しても、 該充填された樹脂によ り緩和することができる。また、該樹脂にはコンデンサとコア基板とを接着させ、 マイグレーションを低下させるという効果も有する。
請求項 3 6では、 接着板が心材に熱硬化性樹脂を含浸させてなるため、 コア基 板に高い強度を持たせることができる。
請求項 3 7では、 第 1、 第 2、 第 3樹脂基板は、 心材に樹脂を含浸させてなる ため、 コア基板に高い強度を持たせることができる。 具体例としてガラスェポキ シ、 ガラスフエノルなどの補強材が含浸されているものを用いることができる。 請求項 3 8では、 コア基板内に複数個のコンデンサを収容するため、 コンデン サの高集積化が可能となる。 そのために、 より多くの静電容量を確保することが できる。
請求項 3 9では、 第 2の樹脂基板に導体回路が形成されているため、 基板の配 線密度を高め、 層間樹脂絶縁層の層数を減らすことができる。
請求項 4 0では、 基板内に収容したコンデンサに加えて表面にコンデンサを配 設してある。 プリント配線板内にコンデンサが収容してあるために、 I Cチップ とコンデンサとの距離が短くなり、 ループインダクタンスを低減し、 瞬時に電源 を供給することができ、 一方、 プリント配線板の表面にもコンデンサが配設して あるので、 大容量のコンデンサを取り付けることができ、. I Cチップに大電力を 容易に供給することが可能となる。
請求項 4 1では'、 表面のコンデンサの静電容量は、 内層のコンデンサの静電容 量以上であるため、 高周波領域における電源供給の不足がなく、 所望の I Cチッ プの動作が確保される。
請求項 4 2では、 表面のコンデンサのインダク夕ンスは、 内層のコンデンサの インダクタンス以上であるため、 高周波領域における電源供給の不足力なく、 所 望の I Cチップの動作力確保される。
請求項 4 3、 4 4では、 金属膜を形成したチップコンデンサの電極へめっきに よりなるバイァホールで電気的接続を取ってある。 ここで、 チップコンデンサの 電極は、 メタライズからなり表面に凹凸があるが、 金属膜により表面が平滑にな り、 バイァホールを形成するため、 電極上に被覆された樹脂に通孔を形成した際 に、 樹脂残さが残らず、 ノ ィァホールと電極との接続信頼性を高めることができ る。 更に、 めっきの形成された電極に、 めっきによりバイァホールを形成するた め、 電極とバイァホールとの接続性が高く、 ヒートサイクル試験を実施しても、 電極とバイァホール間の断線が生じることがない。
コンデンサの電極の金属膜には、 銅、 ニッケル、 貴金属のいずれかの金属が配 設されているものが望ましい。 内蔵したコンデンサにスズゃ亜鉛などの層は、 ノ ィァホールとの接続部におけるマイグレーションを誘発しやすいからである。 故 に、 マイグレーションの発生を防止することも出来る。
また、 チップコンデンサの表面に粗ィ匕処理を施してもよい。 これにより、 セラ ミックから成るチップコンデンザと樹脂からなる接着層、 層間樹脂 «層との密 着性が高く、 ヒートサイクル試験を実施しても界面での接着層、 層間樹脂絶縁層 の剥離が発生することがない。
請求項 4 5では、 チップコンデンサの電極の被覆層から、 少なくとも一部が露 出してプリント配線板に収容し、 被覆層から露出した電極にめっきにより電気的 接続を取ってある。 このとき、 被覆層から露出した金属は、 主成分が C uである ことが望ましい。 その理由としては露出した金属に、 めっきで金属層を形成して も接続性が高くなり、 接続抵抗を低減することができる。
請求項 4 6では、 外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサを用いるた め、 バイァホールを経て導通を取っても外部電極が大きく取れ、 ァライメントの 許容範囲が広がるために、 接続不良がなくなる。
請求項 4 7では、 マトリクス状に電極が形成されたコンデンサを用いるので、 大判のチップコンデンサをコア基板に収容することが容易になる。 そのため、 静 電容量を大きくできるので、電気的な問題を解決することができる。さらに、種々 の熱履歴などを経てもプリント配線板に反りが発生し難くなる。
請求項 4 8では、 コンデンサに多数個取り用のチップコンデンサを複数連結さ せてもよい。 それによつて、 静電容量を適宜調整することができ、 適切に I Cチ ップを動作させることができる。
請求項 4 9では、 絶縁性接着剤の熱膨張率を、 収容層よりも小さく、 即ち、 セ ラミックからなるコンデンサに近いように設定してある。 このため、 ヒートサイ クル試験において、 コア基板とコンデンサとの間に熱膨張率差から内応力が発生 しても、 コア基板にクラック、 剥離等が生じ難く、 高い信頼性を達成できる。 請求項 5 0のプリント配線板の製造方法では、 少なくとも以下 （a) 〜 （d) の工程を備えることを技術的特徴とする：
( a ) 第 1の樹脂基板に接着材料を介してコンデンサを取り付ける工程； ( b) 第 3の樹脂基板と、 前記コンデンサを収容する開口を有する第 2の樹脂基 板と、 前記第 1の棚旨基板とを、 前記第 1の樹脂基板の前記コンデンサを前記第 2の樹脂基板の前記開口に収容させ、 且つ、 前記第 3の樹脂基板を前記第 2の樹 脂基板の前記開口を塞ぐように積層してコア基板とする工程；
( c ) レーザを照射して、 前記コア基板に前記コンデンサへ至るバイァホール用 開口を形成する工程；
( d ) 前記バイァホール用開口にバイァホールを形成する工程。
請求項 5 0では、 コア基板内にコンデンサを収容すること力可能となり、 I C チップとコンデンサとの距離が短くなるため、 プリン卜配線板のループィンダク タンスを低減できる。
請求項 5 1のプリント配線板の製造方法では、 少なくとも以下 ( a) 〜 （f ) の工程を備えることを技術的特徴とする：
( a )第 1の樹脂基板の片面の金属膜にバイァホール形成用開口を形成する工程；
( b) 前記第 1の樹脂基板の金属膜非形成面に、 接着材料を介してコンデンサを 取り付ける工程；
( c ) 第 3の樹脂基板と、 前記コンデンサを収容する開口を有する第 2の樹脂基 板と、 前記第 1の樹脂基板とを、 前記第 1の樹脂基板の前記コンデンサを前記第 2の樹脂基板の前記開口に収容させ、 且つ、 前記第 3の樹脂基板を前記第 2の樹 脂基板の前記開口を塞ぐように、 接着板を介在させて積層する工程；
(d) 前記第 1の樹脂基板、 前記第 2の樹脂基板、 及び、 前記第 3の樹脂基板を 加熱加圧してコア基板とする工程；
( e ) 前記第 1の樹脂基板の前記金属膜に形成された前記バイァホール形成用開 口にレーザを照射して、 前記コンデンサへ至るバイァホール用開口を形成するェ 程；
( f ) 前記バイァホール用開口に、 バイァホールを形成する工程。
請求項 5 1では、 コア基板内にコンデンサを収容することが可能となり、 I C チップとコンデンサとの距離が短くなるため、 プリント配線板のループィンダク 夕ンスを低減できる。 また、 片面に金属膜が形成された第 1の樹脂基板の金属膜 に、 エッチングなどにより開口を設け、 開口の位置にレーザを照射することによ り、 開口から露出した樹脂絶縁層を除去して、 バイァホ ル用の開口を設けてい る。 これにより、 バイァホールの開口径は、 金属膜の開口径に依存することにな るため ィァホールを適切な開口径で形成することが可能となる。また同様に、 ノ ィァホールの開口位置精度も、 金属膜の開口位置に依存することになるため、 レーザの照射位置精度は低くてもバイァホールを適切な位置に形成すること力可 能となる。
請求項 5 2のプリント配線板の製造方法では、 少なくとも以下 （a) 〜 （f ) の工程を備えることを技術的特徴とする：
( a ) 片面に金属膜を貼り付けた第 1の測旨基板および第 3の榭脂基板の、 金属 膜にバイァホール形成用開口を形成する工程；
( b) 前記第 1の樹脂基板の金属膜非形成面に、 接着材料を介してコンデンサを 取り付ける工程；
( c ) 前記第 3の樹脂基板と、 前記コンデンサを収容する開口を有する第 2の樹 脂基板と、 前記第 1の樹脂基板とを、 前記第 1の樹脂基板の前記コンデンサを前 記第 2の樹脂基板の前記開口に収容させ、 且つ、 前記第 3の樹脂基板を前記第 2 の樹脂基板の前記開口を塞ぐように、 前記金属膜非形成面に接着板を介在させて 積層する工程；
( d ) 前記第 1の樹脂基板、 前記第 2の樹脂基板、 及び、 前記第 3の樹脂基板を 加熱加圧してコア基板とする工程；
( e ) 前記第 1の樹脂基板および前記第 3め樹脂基板に形成された前記バイァホ —ル形成用開口にレーザを照射して、 前記コンデンサへ至るバイァホール用開口 を形成する工程；
( f ) 前記バイァホーリレ用開口に、 バイァホールを形成する工程。
請求項 5 2では、 コア基板内にコンデンサを収容することが可能となり、 I C チップとコンデンサとの距離が短くなるため、 プリント配線板のル一ブインダク タンスを低減できる。 また、 片面に金属膜が形成された第 1、 第 3の樹脂基板の 金属膜に、 エッチングなどにより開口を設け、 開口の位置にレーザを照射するこ とにより、 開口から露出した樹脂絶縁層を除去して、 バイァホール用の開口を設 けている。 これにより、 バイァホールの開口径は、 金属膜の開口径に依存するこ とになるため、 バイァホールを適切な開口径で形成することが可能となる。 また 同様に、 ノ 'ィァホールの開口位置精度も、 金属膜の開口位置に依存することにな るため、 レーザの照射位置精度は低くてもバイァホールを適切な位置に形成する ことが可能となる。
その上、 樹脂基板を積層してなるためコア基板に十分な強度を得ることができ る。 更に、 コア基板の両面に第 1樹脂基板、 第 3樹脂基板を配設することでコア 基板を平滑に構成するため、 コア基板の上に層間樹脂 镓層および導体回路を適 切に形成することができ、 プリント配線板の不良品発生率を低下させることがで きる。 更に、 コア基板の両面にバイァホールを設けてあるため、 I Cチップとコ ンデンザとを、 また、 外部接続基板とコンデンサとを最短の距離で接続すること ができ、 外部接続基板から I Cチップへの瞬時的な大電力供給が可能になる。 請求項 5 3のプリン卜配線板の製造方法では、 少なくとも以下 ( a) 〜 （g) の工程を備えることを技術的特徴とする：
( a) 片面に金属膜を貼り付けた第 1の樹脂基板および第 3の樹脂基板の、 金属 膜に通孔を形成する工程；
( b ) 前記第 1の樹脂基板の金属膜非形成面に、 接着材料を介してコンデンサを 取り付ける工程；
( c ) 前記第 3の樹脂基板と、 前記コンデンサを収容する開口を有する第 2の樹 脂基板と、 前記第 1の樹脂基板とを、 前記第 1の樹脂基板の前記コンデンサを前 記第 2の樹脂基板の前記開口に収容させ、 且つ、 前記第 3の樹脂基板を前記第 2 の樹脂基板の前記開口を塞ぐように、 前記金属膜非形成面に接着板を介在させて 積層する工程；
( d) 前記第 1の樹脂基板、 前記第 2の樹脂基板、 及び、 前記第 3の樹脂基板を 加熱加圧してコア基板とする工程；
( e ) 前記第 1の樹脂基板および前記第 3の樹脂基板に形成された前記通孔にレ 一ザを照射して、 前記コア基板の両面にコンデンサへ至るバイァホール用開口を 形成する工程；
( f ) 前記金属膜を除去、 又は、 薄くする工程；
( g) 前記コア基板に、 導体回路およびバイァホールを形成する工程。 請求項 5 3では、 コア基板内にコンデンサを収容することが可能となり、 I C チップとコンデンサとの距離が短くなるため、 プリント配線板のループィンダク 夕ンスを低減できる。 また、 片面に金属膜が形成された第 1、 第 3の樹脂基板の 金属膜に、 エッチングなどにより開口を設け、 開口の位置にレーザを照射するこ とにより、 開口から露出した樹脂絶縁層を除去して、 バイァホール用の開口を設 けている。 その後、 金属膜をエッチングなどにより除去する。 これにより、 バイ ァホールの開口径は、 金属膜の開口径に依存することになるため、 バイァホール を適切な開口径で形成することが可能となる。 また同様に、 バイァホールの開口 位置精度も、 金属膜の開口位置に依存することになるため、 レーザの照射位置精 度は低くてもバイァホールを適切な位置に形成することが可能となる。 また、 金 属膜をエッチングなどにより除去することにより、 配線の厚さを薄く形成するこ とができるので、 フアインピッチな配線を形成することが可能となる。
その上、 棚旨基板を積層してなるためコア基板に十分な強度を得ることができ る。 更に、 コア基板の両面に第 1樹脂基板、 第 3樹脂基板を配設することでコア 基板を平滑に構成するため、 コア基板の上に層間樹脂絶縁層および導体回路を適 切に形成することができ、 プリント配線板の不良品発生率を低下させることがで さる。
上記目的を達成するため、 請求項 5 4の発明では、 コア基板に樹脂絶縁層と導 体回路を積層してなるプリント配線板であって、
前記コア基板にコンデンサを内蔵させ、 前記コンデンサの端子と接続する相対 的に大きな下層ビアを形成し、
前記コァ基板の上面の層間樹脂絶縁層に、 1の前記下層ビアと接続された複数 個の相対的に小さな上層ビアを配設したことを技術的特徴とする。
請求項 5 4では、 コア基板にコンデンサを内蔵させ、 コンデンサ上にコンデン ザの端子と接続する相対的に大きな下層ビアを形成し、 コア基板の上面の層間樹 脂絶縁層に、 1の下層ビアと接続された複数個の相対的に小さな上層ビアを配設 している。 これにより、 コンデンサの配設位置ずれに対応して、 コンデンサの端 子と下層ビアとを接続することが可能となり、 コンデンサから I Cチップへの電 力供給を確実に行うことができる。 また、 相対的に小さな上層ビアを複数個配設 したことにより、 インダク夕ンス分を並列接続したと同様な効果を得れるため、 電源線及び接地線の高周波数特性が高まり、 電力供給不足或いはアースレベルの 変動による I Cチップの誤動作を防止することが可能となる。 さらに、 配線長を 短縮することができるので、ループィンダク夕ンスを低減することが可能となる。 凹部内には、 樹脂を充填させることが ましい。 コンデンサ、 コア基板間の空 隙をなくすことによって、 内蔵されたコンデンサが、 挙動することが小さくなる し、 コンデンサを起点とする応力が発生したとしても、 該充填された樹脂により 緩和することができる。 また、 該樹脂には、 コンデンサとコア基板との接着やマ ィグレーシヨンの低下させるという効果も有する。
請求項 5 5、 請求項 5 6では、 下層ビアとして表面が平坦なフィルドビアが用 レ^れている。 これにより、 1の下層ビアに複数個の上層ビアを直接接続するこ とが可能となる。 よって、 下層ビアと上層ビアとの接続性を高めることができ、 コンデンサから I Cチップへの電力供給を確実に行うことが可能となる。
請求項 5 7では、 コア基板に形成された凹部の中に 1個のコンデンサを収容し ている。 これにより、 コア基板内にコンデンサを配置するため、 I Cチップとコ ンデンサとの距離が短くなり、 ル一ブインダク夕ンスを低減することが可能とな る。
請求項 5 8では、 凹部に多数個のコンデンサを収容させれるため、 コンデンサ の高集積化が可能となる。
請求項 5 9、 請求項 6 0では、 金属膜を形成したチップコンデンサの電極へめ つきによりなるビアで電気的接続を取ってある。 ここで、 チップコンデンサの電 極は、メタライズからなり表面に凹凸があるが、金属膜により表面が平滑になり、 ビアを形成するため、 電極上に被覆された樹脂に通孔を形成した際に、 樹脂残さ が残らず、 ビアと電極との接続信頼性を高めること力できる。 更に、 めっきの形 成された電極に、 めっきによりビアを形成するため、 電極とビアとの接続性が高 く、ヒートサイクル試験を実施しても、電極とビア間の断線が生じることがない。 チップコンデンサの表面は粗化処理を施すとよい。 これにより、 セラミックか ら成るチップコンデンサと樹脂からなる接着層、 層間棚旨絶縁層との密着性が高 く、 ヒートサイクル試験を実施しても界面での接着層、 層間樹脂絶縁層の剥離が 発生することがない。
請求項 6 1では、 チップコンデンサの電極の被覆層から、 少なくとも一部力 S露 出してプリント配線板に収容し、 被覆層から露出した電極にめっきにより電気的 接続を取ってある。 このとき、 被覆層から露出した金属は、 主成分が C uである ことが望ましい。 その理由としては露出した金属に、 めっきで金属層を形成して も接続性が高くなり、 接続抵抗を低減することができる。
請求項 6 2では、 外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサを用いるた め、 バイァホールを経て導通を取っても外部電極が大きく取れ、 ァライメントの 許容範囲が広がるために、 接続不良がなくなる。
請求項 6 3では、 マトリクス状に電極が形成されたコンデンサを用いるので、 大判のチップコンデンサをコア基板に収容することが容易になる。 そのため、 静 電容量を大きくできるので、電気的な問題を解決することができる。さらに、種々 の熱履歴などを経てもプリント配線板に反りが発生し難くなる。
請求項 6 4では、 コンデンサに多数個取り用のチップコンデンサを複数連結さ せてもよい。 それによつて、 静電容量を適宜調整することができ、 適切に I Cチ ップを動作させることがで-きる。
請求項 6 5では、 コア基板とコンデンサとの間に、 棚旨を充填し、 樹脂の熱膨 張率を、 コア基板よりも小さく、 即ち、 セラミックからなるコンデンサに近いよ うに設定してある。 このため、 ヒートサイクル試験において、 コア基板とコンデ ンサとの間に熱膨張率差から内応力が発生しても、 コア基板にクラック、 剥離等 が生じ難く、 高い信頼性を達成できる。
請求項 6 6のプリント配線板の製造方法では、 少なくとも以下 （a ) 〜 （e ) の工程を備えることを技術的特徴とする：
( a ) コア基板に、 コンデンサを内蔵する工程；
( b ) 前記コンデンサの上面に樹脂絶縁層を形成する工程；
( c ) 前記樹脂絶縁層に、 前記コンデンサの端子と接続する相対的に大きな下層 ビアを形成する工程；
( d ) 前記コア基板の上面に、 層間樹脂絶縁層を形成する工程； ( e ) 前記層間樹脂絶縁層に、 1の前記下層ビアと接続された複数個の相対的に 小さな上層ビアを配設する工程。
請求項 6 6では、 コア基板にコンデンサを内蔵させ、 コンデンサ上にコンデン ザの端子と接続する相対的に大きな下層ビアを形成し、 コア基板の上面の層間樹 脂糸觸層に、 1の下層ビアと接続された複数個の相対的に小さな上層ビアを配設 している。 これにより、 コンデンサの配設位置ずれに対応して、 コンデンサの端 子と下層ビアとを接続することが可能となり、 コンデンサから I Cチップへの電 力供給を確実に行うことができる。 また、 相対的に小さな上層ビアを複数個配設 したことにより、 インダク夕ンス分を並列接続したと同様な効果を得れるため、 電源線及び接地線の高周波数特性が高まり、 電力供給不足或いはアースレベルの 変動による I Cチップの誤動作を防止することが可能となる。 さらに、 配線長を 短縮することができるので、ループィンダク夕ンスを低減することが可能となる。 請求項 6 7では、 コア基板に形成された凹部の中に 1個のコンデンサを収容し ている。 これにより、 コア基板内にコンデンサを配置するため、 I Cチップとコ ンデンサとの距離が短くなり、 ル一ブインダク夕ンスを低減することが可能とな 請求項 6 8では、 凹部に多数個のコンデンサを収容させれるため、 コンデンサ の高集積ィ匕が可能となる。
請求項 6 9では、 心材となる樹脂を含有させてなる樹脂材料に通孔を形成し、 通孔を形成した樹脂材料に、 樹脂材料を貼り付けて、 凹部を有するコア基板を形 成している。 これにより、 底部が平坦な凹部を有するコア基板を形成することが できる。
請求項 7 0、 請求項 7 1では、 下層ビアとして表面が平坦なフィルドビア力用 レ れている。 これにより、 1の下層ビアに複数個の上層ビアを直接接続するこ とが可能となる。 よって、 下層ビアと上層ビアとの接続性を高めることができ、 コンデンサから I Cチップへの電力供給を確実に行うことが可能となる。
請求項 7 2の発明では、 凹部内の複数個のコンデンサの上面に圧力を加え、 も しくは叩くことによりコンデンサの上面の高さを揃えている。 それにより、 凹部 内にコンデンサを配設した際に、 複数個のコンデンサの大きさに、 ばらつきがあ つても高さを揃えることができ、 コア基板を平滑にすることができる。 よって、 コァ基板の平滑性が損なわれず、 上層の層間樹脂絶縁層および導体回路を適切に 形成することができるので、 プリン卜配線板の不良品発生率を低下させることが できる。 図面の簡単な説明
第 1図は、 本発明の第 1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。 第 2図は、 本発明の第 1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。 第 3図は、 本発明の第 1実施形態に係るプリン卜配線板の製造工程図である。 第 4図は、 本発明の第 1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。 第 5図は、 本発明の第 1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。 第 6図は、 本発明の第 1実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。 第 7図は、 本発明の第 1実施形態に係るプリン卜配線板の断面図である。 第 8図は、 第 7図中のプリント配線板に I Cチップを搭載し、 ドー夕ボードへ 取り付けた状態を示す断面図である。
第 9図は、 本発明の第 1実施形態の第 1別例に係るプリン卜配線板に I Cチッ プを搭載した状態を示す断面図である。
第 1 0図は、 本発明の第 1実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板の製造 工程図である。
第 1 1図は、 本発明の第 1実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板の断面 図である。
第 1 2図は、 I Cチップへの供給電圧と時間との変化を表すグラフである。 第 1 3図は、 第 1実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板に収容されるチ ップコンデンサの断面図である。
第 1 4図は、 第 1実施形態の第 2改変例に係るプリント配線板に収容されるチ ップコンデンサの平面図である。
第 1 5図は、 第 1実施形態の第 2改変例に係るプリント配線板に収容されるチ ップコンデンサの平面図である。
第 1 6図は、 第 1実施形態の第 2改変例に係るプリント配線板に収容されるチ ップコンデンサの平面図である。 ' 第 1 7図は、本発明の第 2実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。 第 1 8図は、本発明の第 2実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。 第 1 9図は、 本発明の第 2実施形態に係るプリント配線板の断面図である。 第 2 0図は、 第 1 9図に示すプリント配線板に I Cチップを搭載し、 ドー夕ボ —ドへ取り付けた状態を示す断面図である。
第 2 1図は、本発明の第 2実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。 第 2 2図は、本発明の第 2実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。 第 2 3図は、 本発明の第 2実施形態に係るプリント配線板に I Cチップを搭載 した状態を示す断面図である。
第 2 4図は、 本発明の第 2実施形態の改変例に係るプリント配線板に I Cチッ プを搭載した状態を示す断面図である。
第 2 5図は、本発明の第 3実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。 第 2 6図は、本発明の第 3実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。 第 2 7図は、本発明の第 3実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。 第 2 8図は、本発明の第 3実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。 第 2 9図は、本発明の第 3実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。 第 3 0図は、 本発明の第 3実施形態に係るプリント配線板の断面図である。 第 3 1図は、 第 3 0図中のプリント配線板に I Cチップを搭載し、 ドー夕ポー ドへ取り付けた状態を示す断面図である。
第 3 2図は、 本発明の第 3実施形態の改変例に係るプリント配線板に I Cチッ プを搭載した状態を示す断面図である。
第 3 3図は、 本発明の第 3実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板の製造 工程図である。
第 3 4図は、 本発明の第 3実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板の製造 工程図である。
第 3 5図は、 本発明の第 3実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板の製造 工程図である。
第 3 6図は、 本発明の第 3実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板の断面 図である。 第 3 7図は、本発明の第 4実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。 第 3 8図は、本発明の第 4実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。 第 3 9図は、本発明の第 4実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。 第 4 0図は、本発明の第 4実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。 第 4 1図は、本発明の第 4実施形態に係るプリント配線板の製造工程図である。 第 4 2図は、 本発明の第 4実施形態に係るプリント配線板の断面図である。 第 4 3図は、 本発明の第 4実施形態に係るプリント配線板に I Cチップを搭載 した状態を示す断面図である。
第 4 4図 （A) は、 第 4 2図中のバイァホール 6 6 0の拡大図であり、 第 4 4 図 （B) は、 第 4 4図 （A) の B矢印図である。
第 4 5図は、 本発明の第 4実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板の製造 工程図である。
第 4 6図は、 本発明の第 4実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板の製造 工程図である。
第 4 7図は、 本発明の第 4実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板の製造 工程図である。
第 4 8図は、 本発明の第 4実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板の製造 工程図である。
第 4 9図は、 本発明の第 4実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板の製造 工程図である。
第 5 0図は、 本発明の第 4実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板の製造 工程図である。
第 5 1図は、 本発明の第 4実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板の製造 工程図である。
第 5 2図は、 本発明の第 4実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板に I C チップを搭載した状態を示す断面図である。
第 5 3図は、 本発明の第 4実施形態の第 2改変例に係るプリント配線板に I C チップを搭載した状態を示す断面図である。 発明を実施するための最良の形態
(第 1実施形態）
以下、 本発明の実施形態について図を参照して説明する。
先ず、 本発明の第 1実施形態に係るプリント配線板の構成について、 第 7図及 び第 8図を参照して説明する。 第 7図は、 プリント配線板 1 0の断面を示し、 第 8図は、 第 7図に示すプリント配線板 1 0に I Cチップ 9 0を搭載し、 ドー夕ポ —ド 9 5側へ取り付けた状態を示している。
第 7図に示すように、 プリント配線板 1 0は、 複数個のチップコンデンサ 2 0 を収容するコア基板 3 0と、 ビルドアップ配線層 8 0 A、 8 0 Bとからなる。 ビ ルドァッフ¾己線層 8 0 A、 8 0 Bは、 樹脂層 4 0及び層間樹脂絶縁層 1 4 0、 1 4 1からなる。 上側の樹脂層 4 0には、 導体回路 5 8及びバイァホール 6 0が形 成され、 上側及び下側の層間樹脂! &镓層 1 4 0には、 導体回路 1 5 8及びバイァ ホール 1 6 0が形成され、 上側及び下側の層間樹脂絶縁層 1 4 1には、 導体回路 1 5 9及びバイァホール 1 6 4が形成されている。 層間樹脂絶禄層 1 4 1の上に は、 ソルダーレジス卜層 7 0力形成されている。 ビルドアップ配線層 8 O Aとビ ルドアツフ¾己線層 8 0 Bとは、 コア基板 3 0に形成されたスルーホール 5 6を介 して接続されている。
チップコンデンサ 2 0は、第 7図に示すように第 1電極 2 1と第 2電極 2 2と、 第 1、 第 2電極に挟まれた誘電体 2 3とから成り、 誘電体 2 3には、 第 1電極 2 1側に接続された第 1導電膜 2 4と、 第 2電極 2 2側に接続された第 2導電膜 2 5とが複数枚対向配置されている。
第 8図に示すように、 上側のビルドァップ配線層 8 0 Aには、 I Cチップ 9 0のパッド 9 2 P 1 , 9 2 P 2へ接続するための半田バンプ 7 6 Uが配設されて いる。 一方、 下側のピルドァッフ。 S己線層 8 0 Bには、 ドー夕ポ一ド 9 5のパッド 9 4 P 1、 9 4 P 2へ接続するための半田バンプ 7 6 Dが配設されている。
I Cチップ 9 0の接地用パッド 9 2 P 1は、 ノ ンプ 7 6 U—導体回路 1 5 9— バイァホール 1 6 4—導体回路 1 5 8—バイァホール 1 6 0—導体回路 5 8—バ ィァホール 6 0を介してチップコンデンサ 2 0の第 1電極 2 1へ接続されている。 一方、 ドー夕ポード 9 5の接地用パッド 9 4 P 1は、 バンプ 7 6 D—バイァホー ル 1 6 4—導体回路 1 5 8—バイァホール 1 6 0—スルーホール 5 6—導体回路 5 8 _バイァホール 6 0を介してチップコンデンサ 2 0の第 1電極 2 1へ接続さ れている。
I Cチップ 9 0の電源用パッド 9 2 P 2は、 バンプ 7 6 U—バイァホール 1 6 4一導体回路 1 5 8一バイァホール 1 6 0—導体回路 5 8一バイァホール 6 0を 介してチップコンデンサ 2 0の第 2電極 2 2へ接続されている。 一方、 ドー夕ボ —ド 9 5の電源用パッド 9 4 P 2は、 バンプ 7 6 D—バイァホール 1 6 4—導体 回路 1 5 8 _バイァホール 1 6 0—スルーホール 5 6—バイァホール 6 0を介し てチップコンデンサ 2 0の第 2電極 2 2へ接続されている。なお、図示しないが、 I Cチップの信号用パッドは、プリント配線板の導体回路、バイァホール、及び、 スルーホールを介して、 ドー夕ボードの信号用パッドに接続されている。
第 7図に示すように、 本実施形態のコア基板 3 0は、 チップコンデンサ 2 0を 接続する導電パッド部 3 4が片面に形成された第 1樹脂基板 3 0 aと、 第 1樹脂 基板 3 0 aに接着用樹脂層 （接着板） 3 8 aを介して接続された第 2樹脂基板 3 0 bと、 第 2樹脂基板 3 0 bに接着用樹脂層 （接着板） 3 8 bを介して接続され た第 3樹脂基板 3 0 cとからなる。 第 2樹脂基板 3 O bには、 チップコンデンサ 2 0を収容可能な開口 3 0 Bが形成されている。
これにより、 コァ基板 3 0内にチップコンデンサ 2 0を収容することができる ため、 I Cチップ 9 0とチップコンデンサ 2 0との距離が短くなるため、 プリン ト配線板 1 0のループインダクタンスを低減できる。また、第 1樹脂基板 3 0 a、 第 2樹脂基板 3 0 b、 第 3樹脂基板 3 0 cを積層してなるので、 コア基板 3 0に 十分な強度を得ることができる。 更に、 コア基板 3 0の両面に第 1樹脂基板 3 0 a、 第 3樹脂基板 3 0 cを配設することでコア基板 3 0を平滑に構成するため、 コア基板 3 0の上に樹脂層 4 0， 1 4 0、 1 4 1および導体回路 5 8、 1 5 8、 1 5 9を適切に形成することができ、 プリント配線板の不良品発生率を低下させ ることができる。
更に、 本実施形態では、 第 1図 （D) に示すように第 1樹脂基板 3 0 aとチッ プコンデンサ 2 0との間に絶縁性接着剤 3 3を介在させてある。 ここで、 接着剤 3 6の熱膨張率を、 コア基板 3 0よりも小さく、 即ち、 セラミックからなるチッ プコンデンサ 2 0に近いように設定してある。 このため、 ヒートサイクル試験に おいて、 コァ基板及び接着層 4 0とチップコンデンサ 2 0との間に熱膨張率差か ら内応力が発生しても、 コア基板にクラック、 剥離等が生じ難く、 高い信頼性を 達成できる。 また、 マイグレーションの発生を防止することも出来る。
引き続き、 第 7図を参照して上述したプリント配線板の製造方法について、 第 1図〜第 7図を参照して説明する。
( 1 ) 厚さ 0. 1 mmのガラスクロス等の心材に B T (ビスマレイミドトリアジ ン） 樹脂を含浸させて硬化させた第 1樹脂基板 3 0 aの片面に銅箔 3 2がラミネ 一卜されている銅張積層板を出発材料とする （第 1図 （A) 参照)。
次に、 この銅貼積層板の銅箔 3 2側を、 パ夕一ン状にエッチングすることによ り、 第 1樹脂基板 3 0 aの片面に導電パッド部 3 4を形成する （第 1図 （B) 参 照 )。
なお、コア基板をセラミックや A I Nなどの基板を用いることはできなかった。 該基板は外形加工性が悪く、 コンデンサを収容することができないことがあり、 樹脂で充填させても空隙が生じてしまうためである。
( 2 ) その後、 導電パッド部 3 4に、 印刷機を用いて半田ペースト、 導電性べ一 スト等の接着材料 3 6を塗布する（第 1図（C)参照)。このとき、塗布以外にも、 ポッティングなどをしてもよい。 半田ペーストとしては、 S nZP b、 S n /S b、 S nZA g、 S n/A g/C uのいずれかを用いること できる。 そして、 導電パッド 3 4間に樹脂充填剤 3 3を配設する（第 1図（D)参照)。これにより、 後述するようにチップコンデンサ 2 0と第 1樹脂基板 3 0 aとの隙間を充填する ことが可能となる。 次に、 導電パッド部 3 4に複数個のセラミックから成るチッ プコンデンサ 2 0を載置し、 接着材料 3 6を介して、 導電パッド部 3 4にチップ コンデンサ 2 0を接続する （第 2図（A)参照)。 チップコンデンサ 2 0は、 1個 でも複数個でもよいが、 複数個のチップコンデンサ 2 0を用いることにより、 コ ンデンサの高集積ィ匕が可能となる。
( 3 )次に、ガラスクロス等の心材にエポキシ樹脂を含浸させた接着用樹脂層（接 着用樹脂層） 3 8 a、 3 8 b及びガラスクロス等の心材に B T樹脂を含浸させて 硬化させた第 2樹脂基板 3 0 b (厚さ 0 . 4mm)、第 3の樹脂基板 3 0 c (厚さ 0 . l mm) を用意する。 接着用樹脂層 3 8 a及び第 2樹脂基板 3 O bには、 チ ップコンデンサ 2 0を収容可能な通孔 3 .8 A、 3 0 Bを形成しておく。 まず、 第 3樹脂基板 3 0 cの上に接着用樹脂層 3 8 bを介して第 2樹脂基板 3 0 bを載置 する。 次に、 第 2翻旨基板 3 O bの上に接着用測旨層 3 8 aを介して、 第 1樹脂 基板 3 0 aを反転して載置する。 即ち、 第 1樹脂基板 3 0 aに接続されたチップ コンデンサ 2 0が接着用樹脂層 3 8 a側を向き、 第 2樹脂基板 3 0 bに形成され た通孔にチップコンデンサ 2 0が収容できるように重ね合わせる （第 2図 （B) 参照)。これにより、コア基板 3 0内にチップコンデンサ 2 0を収容することが可' 能となり、 ループィンダク夕ンスを低減させたプリント配線板を提供することが できる。
( 4 )そして、重ね合わせた基板を熱プレスを用いて力 Π圧プレスすることにより、 第 1、 第 2、 第 3樹脂基板 3 0 a、 3 0 b、 3 0 cを多層状に一体化し、 複数個 のチップコンデンサ 2 0を有するコア基板 3 0を形成する （第 2図 （C) 参照)。 ここでは、 先ず、 加圧されることで接着用樹脂層 3 8 a、 3 8 bからエポキシ樹 脂 （絶縁性樹脂） を周囲に押し出し、 開口 3 0 Bとチップコンデンサ 2 0との間 の隙間を充填させる。 更に、 加圧と同時に加熱されることで、 エポキシ樹脂が 化し、 接着用樹脂層 3 8 a、 3 8 bを接着用樹脂として介在させることで、 第 1 樹脂基板 3 0 aと第 2樹脂基板 3 0 bと第 3樹脂基板 3 0 cとを強固に接着させ 'る。 なお、 本実施形態では、 接着用樹脂層から出るエポキシ樹脂により、 開口 3 0 B内の隙間を充填したが、 この代わりに、 開口 3 0 B内に充填材を配置してお くことも可能である。
ここで、 コァ基板 3 0の両面が平滑な第 1樹脂基板 3 0 a、 第 3樹脂基板 3 0 cなので、 コア基板 3 0の平滑性が損なわれず、 後述する工程で、 コア基板 3 0 の上に樹脂層 4 0および導体回路 5 8を適切に形成することができ、 プリント配 線板の不良品発生率を低下させることができる。 また、 コア基板 3 0に十分な強 度を得ることができる。
( 5 ) 上記工程を経た基板 3 0に、 後述する熱硬化型エポキシ系樹脂シートを温 度 5 0〜： I 5 0 °Cまで昇温しながら圧力 5 k g Z c m2で真空圧着ラミネートし、 層間樹脂絶縁層 4 0を設ける （第 2図（D)参照)。真空圧着時の真空度は、 1 0 mmH gである。
(6) 次いで、 第 1樹脂基板 30 a側の層間樹脂絶縁層 40及び第 1樹脂基板 3 0 aに、 レーザにより導体パッド部 34へ至るバイァホール用開口 42を形成す る （第 3図 （A) 参照)。
(7) そして、 コア基板 30にドリル又はレーザにより、 スルーホール用貫通孔 44を形成する （第 3図（B)参照)。 この後、 酸素プラズマを用いてデスミア処 理を行う。 あるいは、 過マンガン酸などの薬液によるデスミア処理を行ってもよ い。
(8) 次に、 日本真空技術株式会社製の SV— 4540を用いてプラズマ処理を 行い、 コア基板 30の全表面に粗ィ匕面 46を形成する。 この際、 不活性ガスとし てはアルゴンガスを使用し、 電力 200W、 ガス圧 0. 6Pa、 温度 70 の条 件で、 2分間プラズマ処理を実施する。 その後、 N i及び Cuをターゲットにし たスパッ夕リングを行い、 N i— C u金属層 48を層間樹脂絶縁層 40の表面に 形成する （第 3図 （C)参照)。 ここでは、 スパッ夕を用いているが、 無電解めつ きにより、 銅、 ニッケル等の金属層を形成してもよい。 また、 場合によってはス パッ夕で形成した後に、 無電解めつき膜を形成させてもよい。 酸あるいは酸化剤 によって粗化処理を施してもよい。また、粗化層は、 0. l〜5 zmが ましい。
(9) 次に、 N i—Cii金属層 48の表面に感光性ドライフィルムを貼り付け、 マスクを載置して、 露光 ·現像処理し、 所定パターンのレジスト 50を形成する (第 3図（D)参照)。そして、電解めつき液にコア基板 30を浸漬し、 N i— C u金属層 48を介して電流を流し、 レジスト 50非形成部に以下の条件で電解め つきを施し、 電解めつき膜 52を形成する （第 4図 （A) 参照)。
〔電解めつき水溶液〕
硫酸 2. 24 mo 1 / 1
硫酸銅 0. 26 mo 1 / 1
添加剤 （アトテックジャパン製、 カパラシド HL)
19. 5 m 1 / 1
〔電解めつき条件〕
1 A/dm2 時間 120分
温度 22±2で
(10) レジスト 50を 5%NaOHで剥離除去した後、 そのレジスト 50下の N i一 Cu金属層 48を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエツチン グにて溶解除去し、 N i—Cu金属層 48と電解めつき膜 52からなる厚さ 16 mのスルーホール 56及び導体回路 58 (バイァホール 60を含む） を形成す る。 そして、 基板を水洗いし、 乾燥した後、 エッチング液を基板の両面にスプレ ィで吹きつけて、スルーホール 56及び導体回路 58 (バイァホール 60を含む） の表面をエッチングすることにより、 スルーホール 56及び導体回路 58 (バイ ァホール 60を含む） の全表面に粗ィ匕面 62を形成する （第 4図（B)参照)。 ェ ツチング液として、 ィミダゾ一ル銅 (I I ) 錯体 10重量部、 グリコール酸 7重 量部、 塩化カリウム 5重量部およびイオン交換水 78重量部を混合したものを使 用する。
(11) エポキシ系樹脂を主成分とする樹脂充填剤 64を、 スルーホール 56内 に充填し、 加熱乾燥を行う。 （第 4図 （C) 参照)。
(12)その後、 (5)の工程で用いた熱硬ィ匕型エポキシ系樹脂シートを温度 50 〜150°Cまで昇温しながら圧力 5kgZcm2で真空圧着ラミネートし、 層間 樹脂絶縁層 140を設ける （第 4図 （D)参照)。真空圧着時の真空度は、 10m mHgである。
(13) 次いで、 層間樹脂絶縁層 140にレーザによりバイァホール用開口 14 2を形成する （第 5図 （A) 参照)。
(14)その後、 (8)〜（10) の工程を繰り返すことにより、 層間樹脂腿層 140上に、 N i—Cu金属層 148と電解めつき膜 152からなる厚さ 1ら mの導体回路 158 (バイァホール 160を含む） 及び粗化面 158ひを形成す る （第 5図 （B) 参照)。
(15) さらに （12) 〜 （14) の工程を繰り返すことにより、 上層に層間樹 脂糸緣層 141及び導体回路 159 (バイァホール 164を含む）、粗化面 159 ひを形成する （第 5図 （C) 参照)。
(16)次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（DMDG)に 60重量％ の濃度になるように溶解させた、 クレゾールノポラック型エポキシ樹脂 （日本化 薬社製） のエポキシ基 50%をアクリル化した感光性付与のオリゴマー （分子量 4000) 46. 67重量部、 メチルェチルケトンに溶解させた 80重量％のビ スフエノール A型エポキシ樹脂（油化シェル社製、 商品名：ェピコート 1 00 1) 1 5重量部、 イミダゾール硬化剤 （四国化成社製、 商品名： 2E4MZ— CN) 1. 6重量部、 感光性モノマーである多官能アクリルモノマ一 （共栄化学社製、 商品名： R604) 3重量部、 同じく ^アクリルモノマー （共栄化学社製、 商 品名： DPE6A) 1. 5重量部、 分散系消泡剤 （サンノプコ社製、 商品名： S -65) 0. 7 1重量部を容器にとり、 攪拌、 混合して混合組成物を調整し、 こ の混合組成物に対して光重量開始剤としてべンゾフエノン （関東化 製） 2. 0重量部、 光増感剤としてのミヒラ一ケトン （関東化学社製） 0. 2重量部を加 えて、 粘度を 25 で 2. O P a · sに調整したソルダーレジスト組成物 （有機 樹脂絶縁材料） を得る。
なお、 粘度測定は、 B型粘度計 （東京計器社製、 DVL— B型） で 60 r pm の場合は No.4、 6 r pmの場合はローター No.3によった。
(1 7) 次に、 基板 30の両面に、 上記ソルダ一レジスト組成物を 20 zzmの厚 さで塗布し、 70 で 20分間、 70 で 30分間の条件で乾燥処理を行った後、 ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ 5mmのフォトマスクをソ ルダーレジスト層 70に密着させて 1 000m J /cm2の紫外線で露光し、 D MTG溶液で現像処理し、 開口 7 1U、 7 IDを形成する （第 6図 （A) 参照)。
(1 8) 次に、 ソルダーレジスト層 （有機樹脂絶縁層） 70を形成した基板を、 塩化ニッケル （2. 3 X 1 O—imo 1ノ1)、 次亞リン酸ナトリウム （2. 8 X 1 0— 1 Z 1)、 クェン酸ナトリウム （1. exi O mo l/ ) を含む ρΗ=4. 5の無電解ニッケルめっき液に 20分間浸漬して、 開口部 7 1 U、 7 IDに厚さ 5 mのニッケルめっき層 72を形成する。 さらに、 その基板を、 シ アン化金カリウム （7. 6 X 1 0一3 mo 1ノ 1)、 塩ィ匕アンモニゥム （1. 9 X 10一1 mo 1 Z 1 )、'クェン酸ナトリウム （1. 2 X 1 0一1 mo 1 / 1 ), 次亜リ ン酸ナトリウム （1. 7 X 1 O-'mo 1/ 1) を含む無電解めつき液に 80 の 条件で 7. 5分間浸漬して、 ニッケルめっき層 72上に厚さ 0. 03 mの金め つき層 7 4を形成する （第 6図 （B) 参照)。
( 1 9 ) この後、 ソルダ一レジスト層 7 0の開口部 7 1 U、 7 I Dに、 はんだべ —ストを印刷して、 2 0 0 でリフ口一することにより、 はんだバンプ（半田体） 7 6 U、 7 6 Dを形成する。 これにより、 半田バンプ 7 6 U、 7 6 Dを有するプ リント配線板 1 0を得ることができる （第 7図参照)。
次に、 上述した工程で完成したプリント配線板 1 0への I Cチップ 9 0の載置 および、 ド一夕ボード 9 5への取り付けについて、 第 8図を参照して説明する。 完成したプリント配線板 1 0の半田バンプ 7 6 Uに I Cチップ 9 0の半田パッド 9 2 P 1、 9 2 P 2が対応するように、 I Cチップ 9 0を載置し、 リフローを行 うことで I Cチップ 9 0の取り付けを行う。 同様に、 プリント配線板 1 0の半田 バンプ 7 6 Dにドー夕ポ一ド 9 5のパッド 9 4 P 1、 9 4 P 2が対応するように、 リフローすることで、 ドー夕ボード 9 5ヘプリント配線板 1 0を取り付ける。 上述した樹脂フィルムには、 難溶性樹脂、 可溶性粒子、 硬化剤、 その他の成分 が含有されている。 それぞれについて以下に説明する。
本発明の製造方法において使用する樹脂フィルムは、 酸または酸化剤に可溶性 の粒子 （以下、 可溶性粒子という） 力獺または酸化剤に難溶性の樹脂 （以下、 難 溶性樹脂という） 中に分散したものである。
なお、 本発明で使用する 「難溶性」 「可溶性」 という語は、 同一の酸または酸化剤 からなる溶液に同一時間浸漬した場合に、 相対的に溶解速度の早いものを便宜上 「可溶性」 と呼び、 相対的に溶解速度の遅いものを便宜上 「難溶性」 と呼ぶ。 上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、 可溶性樹脂粒子)、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子)、 酸または酸ィ匕剤に可溶性の金属粒子 （以下、 可溶性金属粒子） 等が挙げられる。 これらの可溶性粒子は、 単独で用いても良いし、 2種以上併用してもよい。 上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、 上記可溶性粒子の形状は、 一様な形状であることが望ましい。 均一な粗さの凹凸 を有する粗化面を形成することができるからである。
上記可溶性粒子の平均粒径としては、 0 . ：!〜 1 0 mが望ましい。 この粒径 の範囲であれば、 2種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。 すなわち、 平均粒径が 0. ：!〜 0. 5 mの可溶性粒子と平均粒径が 1〜 3 ^ mの可溶性粒 子とを含有する等である。これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、 導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明において、可溶性粒子の粒径とは、 可溶性粒子の一番長い部分の長さである。
上記可溶性樹脂粒子としては、 熱硬化性樹脂、 熱可塑性樹脂等からなるものが 挙げられ、 酸あるいは酸ィ匕剤からなる溶液に浸漬した場合に、 上記難溶性樹脂よ りも溶解速度が速いものであれば特に限定されない。
上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フエノール樹脂、 フエノキシ樹脂、 ポリイミド樹脂、 ポリフエ二レン樹 Λ旨、 ポリオレフ ン樹月旨、 フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、 これらの樹脂の一種からなるものであつ てもよいし、 2種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。
また、 上記可溶性樹脂粒子としては、 ゴムからなる樹脂粒子を用いることもで きる。 上記ゴムとしては、 例えば、 ポリブタジエンゴム、 エポキシ変性、 ウレタ ン変性、 （メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボ キシル基を含有した（メタ）ァクリロニトリル 'ブタジエンゴム等が挙げられる。 これらのゴムを使用することにより、 可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解 しゃすくなる。 つまり、 酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、 強酸以外 の酸でも溶解することができ、酸ィ匕剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、 比較的酸化力の弱い過マンガン酸塩でも溶解することができる。 また、 クロム酸 を用いた場合でも、 低濃度で溶解することができる。 そのため、 酸や酸化剤が樹 脂表面に残留することがなく、 後述するように、 粗化面形成後、 塩化パラジウム 等の触媒を付与する際に、 触媒が付与されなたかったり、 触媒が酸化されたりす ることがない。
上記可溶性無機粒子としては、 例えば、 アルミニウム化合物、 カルシウム化合 物、 カリウム化合物、 マグネシウム化合物およびケィ素化合物からなる群より選 択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。
上記アルミニウム化合物としては、 例えば、 アルミナ、 水酸ィ匕アルミニウム等 力挙げられ、 上記カルシウム化合物としては、 例えば、 炭酸カルシウム、 水酸化 カルシウム等が挙げられ、 上記カリウム化合物としては、 炭酸カリウム等が挙げ られ 上記マグネシウム化合物としては、 マグネシア、 ドロマイト、 塩基性炭酸 マグネシウム等が挙げられ、 上記ケィ素化合物としては、 シリカ、 ゼォライト等 が挙げられる。 これらは単独で用いても良いし、 2種以上併用してもよい。 上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、 ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、 金、銀、 アルミニウム、 マグネシウム、 カルシウムおよびケィ素からなる群より選択され る少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。 また、 これらの可溶性金属粒子 は、 絶縁性を確保するために、 表層が樹脂等により被覆されていてもよい。 上記可溶性粒子を、 2種以上混合して用いる場合、 混合する 2種の可溶性粒子 の組み合わせとしては、 樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。 両者と も導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保することができるとともに、 難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、 樹脂フィルムからなる層間樹月1 禄層にクラックが発生せず、 眉間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生し ないからである。
上記難溶性樹脂としては、 層間樹脂！ &緣層に酸または酸ィ匕剤を用いて粗化面を 形成する際に、粗ィ匕面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例えば、 化性樹脂、 熱可塑性樹脂、 これらの複合体等が挙げられる。 また、 これらの 樹脂に感光性を付与した感光性棚旨であってもよい。 感光性樹脂を用いることに より、 眉間樹脂絶縁層に露光、 現像処理を用いてビア用開口を形成することでき る。
これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有しているものが ましい。それにより、 めつき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持することができ るからである。
上記難溶性樹脂の具体例としては、 例えば、 エポキシ樹脂、 フエノール樹脂、 フエノキシ樹旨、 ポリイミド樹脂、 ポリフエ二レン樹脂、 ポリオレフイン樹脂、 フッ素樹脂等が挙げられる。 これらの樹脂は単独で用いてもよいし、 2種以上を 併用してもよい。
さらには、 1分子中に、 2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ま しい。 前述の粗ィ匕面を形成することができるばかりでなく、 耐熱性等にも優れて るため、 ヒートサイクル条件下においても、 金属層に応力の集中が発生せず、 金 属層の剥離などが起きにくいからである。
上記エポキシ樹脂としては、 例えば、 クレゾ一ルノポラック型エポキシ樹脂、 ビスフエノール A型エポキシ樹脂、 ビスフエノール F型エポキシ樹月旨、 フエノー ルノボラック型エポキシ樹脂、 アルキルフエノールノボラック型エポキシ樹脂、 ビフエノール F型エポキシ樹脂、 ナフ夕レン型エポキシ樹脂、 ジシクロペン夕ジ ェン型エポキシ樹脂、 フエノール類とフェノ一ル性水酸基を有する芳香族アルデ ヒドとの縮合物のエポキシ化物、 トリグリシジルイソシァヌレート、 脂環式ェポ キシ樹脂等力挙げられる。 これらは、 単独で用いてもよく、 2種以上を併用して もよい。 それにより、 耐熱性等に優れるものとなる。
本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、 上記可溶性粒子は、 上記難溶性樹脂中 にほぼ均一に分散されていることが望ましい。 均一な粗さの凹凸を有する粗化面 を形成することができ、 樹脂フィルムにビアやスルーホールを形成しても、 その 上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。 ま た、 粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂フィルムを用いて もよい。 それによつて、 樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされ ることがないため、 層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれ る。
上記樹脂フィルムにおいて、 難溶性樹脂中に分散している可溶性粒子の配合量 は、 樹脂フィルムに対して、 3〜4 0重量％が ましい。 可溶性粒子の配合量が 3重量％未満では、 所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合が あり、 4 0重量％を超えると、 酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際 に、 樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、 樹脂フィルムからなる層間樹脂絶 縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、 短絡の原因となる場合がある。 上記樹脂フィルムは、 上記可溶性粒子、 上記難溶性樹脂以外に、 硬化剤、 その 他の成分等を含有していることが望ましい。
上記硬化剤としては、 例えば、 イミダゾ一ル系硬化剤、 アミン系硬化剤、 グァ 二ジン系硬化 、 これらの硬ィ匕剤のエポキシァダクトゃこれらの硬ィ匕剤をマイク 口カプセル化したもの、 トリフエニルホスフィン、 テトラフエニルホスフォニゥ ム ·テトラフエ二ルポレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。 上記硬化剤の含有量は、 樹脂フィルムに対して 0 . 0 5〜： 1 0重量％であるこ と力 ましい。 0. 0 5重量％未満では、 樹脂フィルムの硬化が不十分であるた め、 酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、 樹脂フィルムの 緣性が損なわれることがある。 一方、 1 0重量％を超えると、 過剰な硬化剤成 分が樹脂の組成を変性させることがあり、 信頼性の低下を招いたりしてしまうこ とがある。
上記その他の成分としては、 例えば、 粗化面の形成に影響しない無機化合物あ るいは樹脂等のフイラ一力挙げられる。 上記無機化合物としては、 例えば、 シリ 力、 アルミナ、 ドロマイト等が挙げられ、 上記樹脂としては、 例えば、 ポリイミ ド樹脂、 ポリアクリル樹脂、 ポリアミドイミド樹脂、 ポリフエ二レン樹脂、 メラ ニン樹脂、 ォレフィン系樹脂等が挙げられる。 これらのフィラーを含有させるこ とによって、 熱膨脹係数の整合や耐熱性、 耐薬品性の向上などを図りプリント配 線板の性能を向上させることができる。
また、 上記樹脂フィルムは、 溶剤を含有していてもよい。 上記溶剤としては、 例えば、 アセトン、 メチルェチルケトン、 シクロへキサノン等のケトン類、 酢酸 ェチル、 酢酸プチル、 セロソルブアセテートやトルエン、 キシレン等の芳香族炭 化水素等が挙げられる。 これらは単独で用いてもよいし、 2種類以上併用しても よい。
(第 1実施形態の第 1別例）
本発明の第 1実施形態の第 1別例に係るプリント配線板について、 第.9図を参 照して説明する。 第 1実施形態の第 1別例のプリント配線板は、 上述した第 1実 施形態とほぼ同様である。 但し、 この第 1別例のプリント配線板では、 導電性接 続ピン 9 6が配設され、 該導電性接続ピン 9 6を介してドー夕ボードとの接続を 取るように形成されている。
また、 上述した第 1実施形態では、 コア基板 3 0に収容されるチップコンデン サ 2 0のみを備えていたが、 第 1別例では、 表面及び裏面に大容量のチップコン デンサ 8 6が実装されている。
I Cチップは、 瞬時的に大電力を消費して複雑な演算処理を行う。 ここで、 I
Cチップ側に大電力を供給するために、 第 1別 では、 プリント配線板に電源用 のチップコンデンサ 2 0及びチップコンデンサ 8 6を備えてある。 このチップコ ンデンサによる効果について、 第 1 2図を参照して説明する。
第 1 2図は、縦軸に I Cチップへ供給される電圧を、横軸に時間を取ってある。 ここで、 二点鎖線 Cは、 電源用コンデンサを備えないプリント配線板の電圧変動 を示している。 電源用コンデンサを備えない場合には、 大きく電圧が減衰する。 破線 Aは、 表面にチップコンデンサを実装したプリント配線板の電圧変動を示し ている。 上記二点鎖線 Cと比較して電圧は大きく落ち込まないが、 ループ長さが 長くなるので、 律速の電源供給が十分に行えていない。 即ち、 電力の供給開始時 に電圧が降下している。 また、 二点鎖線 Bは、 第 8図を参照して上述したチップ コンデンサを内蔵するプリント配線板の電圧降下を示している。 ループ長さは短 縮できているが、 コア基板 3 0に容量の大きなチップコンデンサを収容すること ができないため、 電圧が変動している。 ここで、 実線 Eは、 第 9図を参照して上 述したコア基板内のチップコンデンサ 2 0を、 また表面に大容量のチップコンデ ンサ 8 6を実装する第 1別例のプリント配線板の電圧変動を示している。 I Cチ ップの近傍にチップコンデンサ 2 0を、 また、 大容量 （及び相対的に大きなイン ダク夕ンス） のチップコンデンサ 8 6を備えることで、 電圧変勳を最小に押さえ ている。
(第 1実施形態の第 1改変例）
次に、 本発明の第 1実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板について、 第 1 1図を参照して説明する。
この第 1改変例のプリント配線板の構成は、 上述した第 1実施形態とほぼ同様 である。 但し、 第 1改変例のプリント配線板 1 4では、 第 1樹脂基板 3 0 a、 第 3樹脂基板 3 0 cの片面に導体回路 3 5が形成され、 チップコンデンサ 2 0を収 容する開口 3 0 Bを設けた第 2樹脂基板 3 0 bの両面に、 導体回路 3 7が形成さ れている。 この第 1実施形態では、 第 1樹脂基板 3 0 a、 第 3樹脂基板 3 0 cの 片面に導体回路 3 5が形成され、 第 2樹脂基板 3 0 bの両面に導体回路 3 7が形 成されているため、 配線密度を高めることができ、 ビルドアップする層間樹脂絶 縁層の層数を減らすことができる利点がある。
また、 第 1改変例のプリント配線板では、 チップコンデンサ 2 0が、 第 1 3図 (A) に示すように第 1、 第 2電極 2 1 , 2 2の被覆層 （図示せず） を完全に剥 離した後、 銅めつき膜 2 9により被覆してある。 そして、 銅めつき膜 2 9で被覆 した第 1、 第 2電極 2 1， 2 2に銅めつきよりなるバイァホール 5 0で電気的接 続を取ってある。 ここで、 チップコンデンサの電極 2 1 , 2 2は、 メタライズか らなり表面に凹凸がある。 これに対して、 第 1改変例では、 銅めつき膜 2 9によ つて第 1、 第 2電極 2 1 , 2 2の表面が平滑になり、 マイグレーションの発生も なく、 コンデンサの電極での不都合を引き起こさない。
なお、 上記銅めつき膜 2 9は、 チップコンデンサの製造段階で金属層 2 6の表 面に被覆されたニッケル Zスズ層 （被覆層） を、 プリント配線板への搭載の段階 で剥離してから設ける。 この代わりに、 チップコンデンサ 2 0の製造段階で、 金 属層 2 6の上に直接銅めつき膜 2 9を被覆することも可能である。 即ち、 第 1改 変例では、 第 1実施形態と同様に、 レーザにて電極の銅めつき膜 2 9へ至る開口 を設けた後、 デスミヤ処理等を行い、 ノ ィァホールを銅めつきにより形成する。 従って、 銅めつき膜 2 9の表面に酸ィヒ膜が形成されていても、 上記レーザ及びデ スミヤ処理で酸化膜を除去できるため、 適正に接続を取ることができる。
なお、 第 1 3図 （B) に示すようにコンデンサ 2 0の第 1電極 2 1、 第 2電極 2 2の被覆 2 8の一部を除去して用いることも可能である。 第 1電極 2 1、 第 2 電極 2 2を露出させることで接続性を高めることができるからである。
更に、 チップコンデンサ 2 0のセラミックから成る誘電体 2 3の表面には粗化 層 2 3 αが設けられている。 このため、 セラミックから成るチップコンデンサ 2 0と樹脂からなる第 1樹脂基板 3 0 aとの密着性が高く、 ヒートサイクル試験を 実施しても界面での第 1樹脂基板 3 0 aの剥離が発生することがない。 この粗化 層 2 3 ひは、 焼成後に、 チップコンデンサ 2 0の表面を研磨することにより、 ま た、 焼成前に、 粗化処理を施すことにより形成できる。 なお、 第 1改変例では、 コンデンサの表面に粗化処理を施し、樹脂との密着性を高めたが、この代わりに、 コンデンサの表面にシランカップリング処理を施すことも可能である。
本発明の第 1改変例に係るプリント配線板の製造工程について、 第 1 0図及び 第 1 1図を参照して説明する。
( 1 ) 厚さ 1 mmのガラスクロス等の心材に B T (ビスマレイミドトリアジ ン） 樹脂を含浸させて硬ィ匕させた第 1樹脂基板 3 0 aを用意する。 第 1樹脂基板 3 0 aには、.片面に導電パッド部 3 4、 もう一方の面に導体回路 3 5が形成され ている。 次に、 導電パッド部 3 4に複数個のチップコンデンサ 2 0を半田、 導電 性ペースト等の接着材料 3 6を介して載置し、 チップコンデンサ 2 0を導電パッ ド部 3 4に接続する （第 1 0図 （A) 参照)。
( 2 )次に、ガラスクロス等の心材にエポキシ樹脂を含浸させた接着用樹脂層（接 着用樹脂層） 3 8 a、 3 8 b及びガラスクロス等の心材に B T樹脂を含浸させて 硬化させた第 2樹脂基板 3 0 b (厚さ 0. 4 mm)、第 3樹脂基板 3.0 c (厚さ 0. l mm) を用意する。 接着用樹脂層 3 8 a及び第 2樹脂基板 3 O bには、 チップ コンデンサ 2 0を収容可能な通孔 3 8 A、 3 0 Bを形成しておく。 また、 第 2樹 月旨基板 3 0 bの両面に導体回路 3 7を形成し、 第 3樹脂基板 3 0 cの片面に導体 回路 3 5を形成しておく。 まず、 第 3樹脂基板 3 0 cの導体回路 3 5が形成され ていない面に、 接着用樹脂層 3 8 bを介して第 2樹脂基板 3 O bを載置する。 第 2樹脂基板 3 0 bの上に接着用樹脂層 3 8 aを介して、 第 1樹脂基板 3 0 aを反 転して載置する。 即ち、 第 1樹脂基板 3 0 aに接続されたチップコンデンサ 2 0 力第 2樹脂基板 3 0 bに形成された開口 3 0 Bへ収容されるように重ね合わせる (第 1 0図 （B) 参照)。
( 3 )そして、重ね合わせた基板を熱プレスを用いて力 Π圧プレスすることにより、 第 1、 第 2、 第 3樹脂基板 3 0 a、 3 0 b、 3 0 cを多層状に一体化し、 複数個 のチップコンデンサ 2 0を有するコア基板 3 0を形成する（第 1 0図（C)参照)。 先ず、 力！]圧されることで接着用樹脂層 3 8 a、 3 8 bからエポキシ樹脂 （ ¾ 性 樹脂） を周囲に押し出し、 開口 3 0 Bとチップコンデンサ 2 0との間の隙間を充 填させる。 更に、 加圧と同時に加熱されることで、 エポキシ樹脂が硬化し、 接着 用樹脂層 3 8 a、 3 8 bを接着用樹脂として介在させることで、 第 1樹脂基板 3 0 aと第 2樹脂基板 3 0 bと第 3樹脂基板 3 0 cとを強固に接着させる。
( 4) 上記工程を経た基板に、 熱硬化型エポキシ系樹脂シートを温度 5 0〜 1 5 0 まで昇温しながら圧力 5 k gZ c m2で真空圧着ラミネートし、 層間樹脂絶 縁層 4 0を設ける （第 1 0図（D)参照)。真空圧着時の真空度は、 1 O mmH g である。 ( 5 ) 次いで、 基板 3 0の上面及び下面に、 レーザにより導体パッド部 3 4及び 導体回路 3 5、 3 7に接続するバイァホール用開口 4 2を形成する (第 1 0図（E) 参照)。
以降の工程は、 上述した第 1実施形態の （7 ) 〜 （1 9 ) と同様であるため説 明を省略する。
(第 1実施形態の第 2改変例）
引き続き、第 1実施形態の第 2改変例に係るプリント配線板の構成について第 1 4図を参照して説明する。
この第 2改変例のプリント配線板の構成は、上述した第 1実施形態とほぼ同様で ある。但し、 コア基板 3 0への収容されるチップコンデンサ 2 0が異なる。第 1 4 図は、 チップコンデンサの平面図を示している。 第 1 4図（A) は、 多数個取り用 の裁断前のチップコンデンサを示し、 図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上 述した第 1実施形態のプリント配線板では、第 1 4図（B) に平面図を示すように チップコンデンサの側縁に第 1電極 2 1及び第 2電極 2 2を配設してある。第 1 4 図 （C) は、 第 2改変例の多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、 図中 で一点鎖線は、裁断線を示している。第 2改変例のプリント配線板では、第 1 4図 (D)に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁の内側に第 1電極 2 1及び第 2電極 2 2を配設してある。
この第 2改変例のプリント配線板では、外縁の内側に電極の形成されたチップコ ンデンサ 2 0を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いること力できる。 引き続き、第 2改変例の第 1別例に係るプリント配線板第 1 5図を参照して説明 する。
第 1 5図は、第 1別例に係るプリント配線板のコア基板に収容されるチップコン デンサ 2 0の平面図を示している。上述した第 1実施形態では、複数個の小容量の チップコンデンサをコア基板に収容したが、第 1別例では、大容量の大判のチップ コンデンサ 2 0をコア基板に収容してある。 ここで、 チップコンデンサ 2 0は、第 1電極 2 1と第 2電極 2 2と、誘電体 2 3と、第 1電極 2 1へ接続された第 1導電 膜 2 4と、第 2電極 2 2側に接続された第 2導電膜 2 5と、第 1導電膜 2 4及び第 2導電膜 2 5へ接続されていないチップコンデンサの上下面の接続用の電極 2 7 とから成る。この電極 2 7を介して I Cチップ側とドー夕ポ一ド側とが接続されて いる。
この第 1改変例のプリント配線板では、大判のチッフ。コンデンサ 2 0を用いるた め、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。 また、大判のチップコ ンデンサ 2 0を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反り が発生することがない。
' 第 1 6図を参照して第 2別例に係るプリント配線板について説明する。第 1 6図 (A) は、 多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、 図中で一点鎖線は、 通常の裁断線を示し、第 1 6図（B)は、チップコンデンサの平面図を示している。 第 1 6図（B) に示すように、 この第 2別例では、 多数個取り用のチップコンデン サを複数個 （図中の例では 3枚） 連結させて大判で用いている。
この第 2別例では、大判のチップコンデンサ 2 0を用いるため、容量の大きなチ ップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ 2 0を用い るため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがな い。
上述した実施形態では、チップコンデンサをプリント配線板に内蔵させたが、チ ップコンデンサの代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板状のコンデン サを用いることも可能である。
第 1実施形態の製造方法により、 コア基板内にコンデンサを収容することが可 能となり、 I Cチップとコンデンサとの距離が短くなるため、 プリント配線板の ループインダク夕ンスを低減できる。 また、 樹脂基板を積層してなるためコア基 板に十分な強度を得ることができる。 更に、 コア基板の両面に第 1樹脂基板、 第 3樹脂基板を配設することでコア基板を平滑に構成するため、 コァ基板の上に層 間樹脂絶縁層および導体回路を適切に形成することができ、 プリント配線板の不 良品発生率を低下させることができる。
また、 コア基板とコンデンサの間に樹脂が充填されているので、 コンデンサな どが起因する応力が発生しても緩和されるし、 マイグレーションの発生がない。 そのために、 コンデンサの電極とバイァホールの接続部への剥離や溶解などの影 響がない。 そのために、 信頼性試験を実施しても所望の性能を保つことができる のである。
また、 コンデンサを銅によって被覆されている場合にも、 マイグレーションの 発生を防止することができる。
(第 2実施形態）
本発明の第 2実施形態に係るブリント配線板の構成について、 第 1 9図及び第 2 0図を参照して説明する。 第 1 9図は、 プリント配線板 2 1 0の断面を示し、 第 2 0図は、第 1 9図に示すプリント配線板 2 1 0に I Cチップ 2 9 0を搭載し、 ド一夕ボード 2 9 5側へ取り付けた状態を示している。
第 1 9図に示すように、 プリント配線板 2 1 0は、 チップコンデンサ 2 2 0を 収容するコア基板 2 3 0と、ビルドアッフ ¾己線層 2 8 0 A、 2 8 0 Bとからなる。 ビルドァッフ¾己線層 2 8 0 Aとビルドアッフ 己線層 2 8 0 Bとは、 スルーホー Jレ 2 5 6を介して接続されている。 ビルドアップ配線層 2 8 0 A、 2 8 0 Bは、 層 間樹脂 镓層 2 4 0、 3 4 0からなる。 上側のビルドアッフ 線層 2 8 0 A側の 層間樹脂！ &椽層 2 4 0には、 導体回路 3 5 8及びチップコンデンサ 2 2 0の第 1 電極 2 2 1と第 2電極 2 2 2に接続されたバイァホール 2 6 0が形成され、 層間 樹脂絶縁層 3 4 0には、 導体回路 3 5 8及びバイァホール 3 6 0が形成されてい る。 一方、 下側のビルドァッフ。 @己線層 2 8 0 B側の層間樹脂絶縁層 2 4 0には、 導体回路 2 5 8が形成され、 層間樹脂 縁層 3 4 0には、 導体回路 3 5 8及びバ ィァホール 3 6 0が形成されている。 ビルドアッフ 己線層 2 8 0 A、 2 8 0 Bの 層間樹脂絶縁層 3 4 0の上には、 ソルダーレジスト層 2 7 0が形成されている。 チップコンデンサ 2 2 0は、 第 1 9図に示すように第 1電極 2 2 1と第 2電極 2 2 2と、 第 1、 第 2電極に挟まれた誘電体 2 3とから成り、 誘電体 2 3には、 第 1電極 2 2 1側に接続された第 1導電膜 2 2 4と、 第 2電極 2 2 2側に接続さ れた第 2導電膜 2 2 5とが複数枚対向配置されている。
第 2 0図に示すように、 上側のビルドアッフ 己線層 2 8 O Aには、 I Cチップ 2 9 0のパッド 2 9 2 E, 2 9 2 P、 2 9 2 Sへ接続するための半田バンプ 2 7 6 Uが配設されている。 一方、 下側のビルドアツフ 己線層 2 8 0 Bには、 ド一夕 ボード 2 9 5のパッド 2 9 4 E、 2 9 4 P、 2 9 4 Sへ接続するための半田バン プ 2 7 6 Dが配設されている。
第 2 0図中に示す I Cチップ 2 9 0の信号用のパッド 2 9 2 Sは、 ) ノづ 2 7 6 U—導体回路 3 5 8—バイァホール 3 6 0—スルーホール 2 5 6 _バイァホー ル 3 6 0—バンプ 2 7 6 Dを介して、 ドー夕ボード 2 9 5の信号用のパッド 2 9 4 Sに接続されている。
I Cチップ 2 9 0の接地用パッド 2 9 2 Eは、 バンプ 2 7 6 U—バイァホール 3 6 0—導体回路 2 5 8—バイァホ一ル 2 6 0を介してチップコンデンサ 2 2 0 の第 1電極 2 2 1へ接続されている。 一方、 ドー夕ボ一ド 2 9 5の接地用パッド 2 9 4 Eは、 バンプ 2 7 6 D—バイァホール 3 6 0—スルーホール 2 5 6—バイ ァホール 2 6 0を介してチップコンデンサ 2 2 0の第 1電極 2 2 1へ接続されて いる。
I Cチップ 2 9 0の電源用パッド 2 9 2 Pは、 バンプ 2 7 6 U—バイァホール 3 6 0 _導体回路 2 5 8—バイァホール 2 6 0を介してチップコンデンサ 2 2 0 の第 2電極 2 2 2へ接続されている。 一方、 ド一夕ボード 2 9 5の電源用パッド 2 9 4 Pは、 バンプ 2 7 6 D—バイァホール 3 6 0—スルーホール 2 5 6—バイ ァホール 2 6 0を介してチップコンデンサ 2 2 0の第 2電極 2 2 2へ接続されて いる。
第 1 9図に示すように、 本実施形態のコア基板 2 3 0は、 第 1樹脂基板 2 3 0 aと、 第 1樹脂基板 2 3 0 aに接着用樹脂層 （接着板） 2 3 8 aを介して接続さ れた第 2樹脂基板 2 3 0 bと、 第 2樹脂基板 2 3 0 bに接着用樹脂層 （接着板）
2 3 8 bを介して接続された第 3樹脂基板 2 3 0 cとからなる。 第 1樹脂基板 2
3 0 a , 第 2樹脂基板 2 3 0 b , 第 3樹脂基板 2 3 0 cの両面には、 導体回路 2 3 5が形成されている。 また、 コア基板 2 3 0にはザダリ加工によってチップコ ンデンサ 2 2 0を収容可能な凹部 3 3 4が形成され、 凹部 3 3 4にはチップコン デンサ 2 2 0が収容されている。
これにより、 コア基板 2 3 0内にチップコンデンサ 2 2 0を収容することがで きるため、 I Cチップ 2 9 0とチップコンデンサ 2 2 0との距離が短くなり、 プ リント配線板 2 1 0のループインダク夕ンスを低減させれる。 また、 両面に導体 回路 2 3 5が配設された第 1、 第 2、 第 3樹脂基板 2 3 0 a、 2 3 0 b , 2 3 0 cを積層してコア基板 2 3 0を形成しているため、 コア基板 2 3. 0内での配線密 度が高まり、 層間樹脂絶縁層の層数を減らすことが可能となる。
更に、 第 2実施形態では、 第 1 8図 （A) に示すようにコア基板 2 3 0の通孔 3 4の下面とチップコンデンサ 2 2 0との間に接着剤 2 3 6を介在させ、 通孔 3 3 7の側面とチップコンデンサ 2 2 0との間に樹脂充填剤 2 3 3を充填してある。 ここで、 接着剤 2 3 6及び樹脂充填剤 2 3 3の熱膨張率を、 コア基板 2 3 0より も小さく、 即ち、 セラミックからなるチップコンデンサ 2 2 0に近いように設定 してある。 このため、 ヒートサイクル試験において、 コア基板 2 3 0とチップコ ンデンサ 2 2 0との間に熱膨張率差から内応力が発生しても、 コア基板 2 3 0に クラック、 剥離等が生じ難く、 高い信頼性を達成できる。 また、 マイグレーショ ンの発生を防止することも出来る。
引き続き、 第 1 9図を参照して上述したプリント配線板の製造方法について、 第 1 7図〜第 1 9図を参照して説明する。
( 1 ) 厚さ 0. 3 mmのガラスクロス等の心材に B T (ビスマレイミドトリアジ ン） 樹脂を含浸させ硬化させた樹脂基板 2 3 1 aの両面に銅箔 2 3 2がラミネ一 トされている銅張積層板 2 3 1 Mを出発材料とする （第 1 7図 （A))。 この銅貼 積層板 2 3 1 Mの銅箔 2 3 2を、 パターン状にエッチングすることにより、 両面 に導体回路 2 3 5を備える第 1、 第 2、 第 3樹脂基板 2 3 0 a、 2 3 0 b , 2 3 0 cを形成する （第 1 7図 （B))。 そして、 第 3樹脂基板 2 3 0 cと第 2樹脂基 板 2 3 0 bとをガラスクロス等の心材にエポキシ樹脂を含浸させた接着用樹脂層 2 3 8 bを介して積層する。 同様に、 第 2樹脂基板 2 3 0 bと第 1樹脂基板 2 3 0 aとを接着用樹脂層 2 3 8 aを介して積層する （第 1 7図 （C))。
なお、 コア基板として、 セラミックや A I Nなどの基板を用いることはできな かった。 該基板は外形加工性が悪く、 コンデンサを収容することができないこと があり、 樹脂で充填させても空隙が生じてしまうためである。
( 2 )そして、重ね合わせた基板を熱プレスを用いてカロ圧プレスすることにより、 第 1、 第 2、 第 3樹脂基板 2 3 0 a、 2 3 0 b , 2 3 0 cを多層状に一体化し、 コア基板 230を形成する （第 17図 （D))。 ここでは先ず、 加圧されることで 接着用樹脂層 238 a, 238 bのエポキシ樹脂 （絶縁性樹脂） を周囲に押し出 し、 エポキシ樹脂を第 1、 第 2、 第 3樹脂基板 230 a、 230 b, 230 cに 密着させる。 更に、 力 Π圧と同時に加熱されることで、 エポキシ樹脂が硬化し、 接 着用樹脂層 238 a、 238 bを接着板として介在させることで、 第 1樹脂基板
230 aと第 2樹脂基板 230 bと第 3樹脂基板 230 cとを強固に接着させる。
(3) 次に、 コア基板 230に、 ザダリ加工でチップコンデンサ 220収容用の 凹部 334を形成する （第 17図 （E))。 ここでは、 ザダリ加工によりコンデン サ収容用の凹部を設けているが、 開口を設けた絶縁樹脂基板と開口を設けない榭 脂 椽基板とを張り合わせることで、 収容部を備えるコア基板を形成することも 可能である。
(4) その後、 凹部 334の底面に、 印刷機を用いて 化系もしくは UV硬ィ匕 系の接着材料 236を塗布する （第 18図 （A))。 このとき、 塗布以外にも、 ポ ッティングなどをしてもよい。
次に、チップコンデンサ 220を接着材料 236上に載置する（第 18図（B))。 チップコンデンサ 220は、 1個でも複数個でもよいが、 複数個のチップコンデ ンサ 220を用いることにより、 コンデンサの高集積化が可能となる。
(5) その後、 凹部 334内に、 熱硬化性樹脂を充填し、 加舰化して樹脂層 2
33を形成する（第 18図（C))。 このとき、熱硬化性樹脂としては、エポキシ、 フエノール、 ポリイミド、 トリアジンが好ましい。 これにより、 凹部 334内の チップコンデンサ 220を固定し、 チップコンデンサ 220と凹部 334の壁面 との隙間を充填する。
(6) 上記工程を経た基板 230に、 後述する熱硬化型エポキシ系樹脂シートを 温度 50〜150 まで昇温しながら圧力 5 kg/ cm2で真空圧着ラミネート し、 層間樹脂絶縁層 240を設ける （第 18図 （D))。 真空圧着時の真空度は、 1 OmmHgである。
以降の工程は、 上述した第 1実施形態の （7) 〜 （9) と同様であるため、 説 明を省略する。
次に、 上述した工程で完成したプリン卜配線板 210への I Cチップ 290の 載置および、 ドー夕ボード 2 9 5への取り付けについて、 第 2 0図を参照して説 明する。 完成したプリント配線板 2 1 0の半田バンプ 2 7 6 Uに I Cチップ 2 9 0の半田パッド 2 9 2 E、 2 9 2 P、 2 9 2 Sが対応するように、 I Cチップ 2 9 0を載置し、 リフ口一を行うことで I Cチップ 2 9 0の取り付けを行う。 同様 に、 プリント配線板 2 1 0の半田バンプ 2 7 6 Dにドー夕ボード 2 9 5のパッド 2 9 4 E、 2 9 4 P、 2 9 4 S力対応するように、 リフローすることで、 ドー夕 ボード 2 9 5ヘプリント配線板 2 1 0を取り付ける。
上述した層間樹脂絶縁層 2 4 0、 3 4 0を形成する熱硬化型エポキシ系樹脂シ —卜には、 難溶性樹脂、 可溶性粒子、 硬化剤、 その他の成分が含有されている。 それぞれについては、上述した第 1実施形態と同様であるため、説明を省略する。
(第 2実施形態の第 1改変例）
次に、 本発明の第 2実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板 2 1 2につい て、 第 2 3図を参照して説明する。 上述した第 2実施形態では、 B GA (ポール グリッドアレー） を配設した。 この第 2実施形態の第 1改変例のプリント配線板 の構成は、 第 2 3図に示すように導電性接続ピン 2 9 6を介して接続を取る P G A方式に構成されている。
また、 上述した第 2実施形態では、 コア基板 2 3 0にザダリ加工によりチップ コンデンサ 2 2 0を収容する凹部 3 3 4を設け、 チップコンデンサ 2 2 0を収容 した。 第 2実施形態の第 1改変例では、 通孔 2 3 O Aを設けた第 1樹脂基板 2 3 0 aおよび通孔を設けない第 2、 第 3樹脂基板 2 3 0 b、 2 3 0 cとを接着用樹 脂層 （接着板） 2 3 8 a、 2 3 8 bを介して貼り合わせることで、 チップコンデ ンサ 2 2 0を収容する凹部 3 3 5を備えるコア基板 2 3 0を形成し、 凹部 3 3 5 内に複数個のチップコンデンサ 2 2 0を収容する。
本発明の第 2実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板の製造工程について、 第 2 1図及び第 2 2図を参照して説明する。
( 1 ) 厚さ 0. 3 mmのガラスクロス等の心材に B T (ビスマレイミドトリアジ ン） 樹脂を含浸させ硬化させた樹脂基板 2 3 1 aの両面に銅箔 2 3 2がラミネ一 卜されている銅張積層板 2 3 1 Mを出発材料とする （第 2 1図 （A) )。 この銅貼 積層板 2 3 1 Mの銅箔 2 3 2をパターン状にエッチングすることにより両面に導 体回路 2 3 5を備える第 2、第 3樹脂基板 2 3 0 b、 2 3 0 cを形成する。また、 パターン状にエッチングすると共に、 通孔 2 3 O Aを形成することで導体回路 2
3 5を備える第 1樹脂基板 2 3 0 aを形成する （第 2 1図 （B))。 そして、 第 3 樹脂基板 2 3 0 cと第 2樹脂基板 2 3 0 bとをガラスクロス等の心材にエポキシ 樹脂を含浸させた接着用樹脂層 （接着板） 2 3 8 bを介して積層する。 同様に、 第 2樹脂基板 2 3 0 bと通孔 2 3 O Aが形成された第 1樹脂基板 2 3 0 aとを通 孔 2 3 8 Aの形成された接着用樹脂層 （接着板） 2 3 8 aを介して積層する （第
2 1図 （C))。
( 2 )そして、重ね合わせた基板を熱プレスを用いて力！]圧プレスすることにより、 第 1、 第 2、 第 3樹脂基板 2 3 0 a、 2 3 0 b , 2 3 0 cを多層状に一体化し、 チップコンデンサ 2 2 0を収容する凹部 3 3 5を備えるコア基板 2 3 0を形成す る（第 2 1図（D))。 ここでは、先ず、加圧されることで接着用樹脂層 2 3 8 a ,
2 3 8 bのエポキシ樹脂 0&縁性樹脂）を周囲に押し出し、エポキシ樹脂を第 1、 第 2、 第 3樹脂基板 2 3 0 a、 2 3 0 b , 2 3 0 cに密着させる。 更に、 カロ圧と 同時に加熱されることで、 エポキシ樹脂が硬化し、 接着用樹脂層 2 3 8 a、 2 3 8 bを接着板として介在させることで、 第 1樹脂基板 2 3 0 aと第 2樹脂基板 2
3 0 bと第 3樹脂基板 2 3 0 cとを強固に接着させる。
( 3 ) その後、 凹部 3 3 5の底面に、 印刷機を用いて熱硬化系もしくは UV硬ィ匕 系の接着材料 2 3 6を塗布する （第 2 1図 （E))。 このとき、 塗布以外にも、 ポ ッティングなどをしてもよい。
(4 )次に、複数個のチップコンデンサ 2 2 0を接着材料 2 3 6上に載置する（第 2 2図参照)。コア基板に複数個のチップコンデンサ 2 2 0を収容することにより、 コンデンザの高集積化が可能となる。
( 5 ) その後、 凹部 3 3 5内のチップコンデンサ 2 2 0間に、 熱硬化性樹脂を充 填し、 加讀化して樹脂層 2 3 3を形成する （第 2 2図 （B参照)。 このとき、 熱 硬化性樹脂としては、 エポキシ、 フエノール、 ポリイミド、 トリァジンが好まし レ^ これにより、 凹部 3 3 5内のチップコンデンサ 2 2 0を固定し、 チップコン デンサ 2 2 0と凹部 3 3 5の壁面との隙間を充填する。
( 6 ) 上記工程を経た基板 2 3 0に、 熱硬化型エポキシ系樹脂シートを温度 5 0 〜1 5 0 °Cまで昇温しながら圧力 5 k g / c m2で真空圧着ラミネートし、 ェポ キシ系樹脂からなる層間樹脂絶縁層 2 4 0を設ける （第 2 2図 （C))。
( 7 ) 次いで、 樹脂基板 2 3 0 a側の層間樹脂絶縁層 2 4 0に、 レーザにより、 チップコンデンサ 2 2 0の第 1端子 2 2 1 , 第 2端子 2 2 2へ至るバイァホール 用開口 4 2を形成する （第 2 2図 （D))。
以降の工程は、 上述した第 1実施形態の （8 ) 〜 （2 1 ) と同様であるため、 説明を省略する。
(第 2実施形態の第 1改変例の第 1別例）
引き続き、 本発明の第 2実施形態の第 1改変例の第 1別例に係るプリント配線 板について、 第 2 4図を参照して説明する。 第 1別例のプリント配線板は、 上述 した第 2実施形態の第 1改変例とほぼ同様である。 但し、 第 2実施形態の第 1改 変例では、 コア基板 2 3 0に収容されるチップコンデンサ 2 2 0のみを備えてい たが、 第 1別例では、 表面及び裏面に大容量のチップコンデンサ 2 8 6が実装さ れている。
I Cチップは、 瞬時的に大電力を消費して複雑な演算処理を行う。 ここで、 I Cチップ側に大電力を供給するために、 改変例では、 プリント配線板に電源用の チップコンデンサ 2 2 0及びチップコンデンサ 2 8 6を備えてある。 このチップ コンデンサによる効果について、 第 1 2図を参照して説明する。
第 1 2図は、縦軸に I Cチップへ供給される電圧を、横軸に時間を取ってある。 ここで、 二点鎖線 Cは、 電源用コンデンサを備えないプリント配線板の電圧変動 を示している。 電源用コンデンサを備えない場合には、 大きく電圧が減衰する。 破線 Aは、 表面にチップコンデンサを実装したプリント配線板の電圧変動を示し ている。 上記二点鎖線 Cと比較して電圧は大きく落ち込まないが、 ループ長さが 長くなるので、 律速の電源供給が十分に行えていない。 即ち、 電力の供給開始時 に電圧が降下している。 また、 二点鎖線 Bは、 第 2 3図を参照して上述したチッ プコンデンサを内蔵するプリント配線板の電圧降下を示している。 ループ長さは 短縮できているが、 コア基板 2 3 0に容量の大きなチップコンデンサを収容する ことができないため、 電圧が変動している。 ここで、 実線 Eは、 第 2 4図を参照 して上述したコア基板内のチップコンデンサ 2 2 0を、 また表面に大容量のチッ プコンデンサ 2 8 6を実装する改変例のプリント配線板の電圧変動を示している。 I Cチップの近傍にチップコンデンサ 2 2 0を、 また、 大容量 （及び相対的に大 きなインダク夕ンス） のチップコンデンサ 2 8 6を備えることで、 電圧変動を最 小に押さえている。
また、第 2実施形態の第 1別例では、チップコンデンサ 2 2 0が、第 1 3図（A) に示すように第 1、 第 2電極 2 2 1 , 2 2 2の被覆層 （図示せず） を完全に剥離 した後、 銅めつき膜 2 9により被覆してある。 そして、 銅めつき膜 2 9で被覆し た第 1、 第 2電極 2 2 1 , 2 2 2に銅めつきよりなるバイァホール 2 6 0で電気 的接続を取ってある。 ここで、 チップコンデンサの電極 2 2 1， 2 2 2は、 メタ ライズからなり表面に凹凸がある。 このため、 金属層を剥き出した状態で用いる と、 接続層 2 4 0に非貫通孔 2 4 2を穿設する工程において、 該凹凸に樹脂が曳 ることがある。 この際には、 当該樹脂残さにより第 1、 第 2電極 2 2 1， 2 2 2 とバイァホール 2 6 0との接続不良が発生することがある。 これに対して、 改変 例では、 銅めつき膜 2 9によって第 1、 第 2電極 2 2 1 , 2 2 2の表面が平滑に なり、電極上に被覆された層間 ¾脂 椽層 2 4 0に非貫通孔 4 2を穿設した際に、 樹脂残さが残らず、 バイァホール 2 6 0を形成した際の電極 2 2 1， 2 2 2との 接続信頼性を高めることができる。
更に、 銅めつき膜 2 9の形成された電極 2 2 1、 2 2 2に、 めっきによりバイ ァホール 2 6 0を形成するため、 電極 2 2 1、 2 2 2とバイァホール 2 6 0との 接続性が高く、 ヒートサイクル試験を実施しても、 電極 2 2 1、 2 2 2とバイァ ホール 2 6 0との間で断線が生じることがない。マイグレーションの発生もなく、 コンデンサのバイァホールの接続部での不都合を引き起こさなかった。
なお、 上記銅めつき膜 2 9は、 チップコンデンサの製造段階で金属層 2 6の表 面に被 Sされたニッケル Zスズ層 （被覆層） を、 プリント配線板への搭載の段階 で剥離してから設ける。 この代わりに、 チップコンデンサ 2 2 0の製造段階で、 金属層 2 6の上に直接銅めつき膜 2 9を被覆することも可能である。 即ち、 第 1 別例では、 第 2実施形態と同様に、 レーザにて電極の銅めつき膜 2 9へ至る開口 を設けた後、 デスミヤ処理等を行い、 ノ ィァホールを銅めつきにより形成する。 従って、 銅めつき膜 2 9の表面に酸化膜が形成されていても、 上記レーザ及びデ スミヤ処理で酸ィ匕膜を除去できるため、 適正に接続を取ることができる。
更に、 チップコンデンサ 2 2 0のセラミックから成る誘電体 2 3の表面には粗 化層 2 3 ひ力設けられている。 このため、 セラミックから成るチップコンデンサ 2 2 0と樹脂からなる層間樹脂絶縁層 2 4 0との密着性が高く、 ヒートサイクル 試験を実施しても界面での層間樹脂絶縁層 2 4 0の剥離が発生することがない。 この組化層 2 3 αは、 焼成後に、 チップコンデンサ 2 2 0の表面を研磨すること により、 また、 焼成前に、 粗化処理を施すこともできる。 なお、 第 1別例では、 コンデンサの表面に粗化処理を施し、樹脂との密着性を高めたが、この代わりに、 コンデンサの表面にシランカップリング処理を施すことも可能である。
なお、 第 1 3図 （Β) に示すようにコンデンサ 2 2 0の第 1電極 2 1、 第 2電 極 2 2の被覆 2 8の一部を除去して用いることも可能である。 第 1電極 2 1、 第 2電極 2 2を露出させることでめっきからなるバイァホールとの接続性を高める ことができるからである。
(第 2実施形態の第 2改変例）
引き続き、第 2実施形態の第 2改変例に係るプリント配線板の構成について第 1 4図を参照して説明する。
この第 2改変例のプリント配線板の構成は、上述した第 1実施形態とほぼ同様で ある。但し、 コア基板 3 0への収容されるチップコンデンサ 2 0が異なる。第 1 4 図は、 チップコンデンサの平面図を示している。第 1 4図 （Α) は、 多数個取り用 の裁断前のチップコンデンサを示し、 図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上 述した第 1実施形態のプリント配線板では、第 1 4図（Β) に平面図を示すように チップコンデンサの側縁に第 1電極 2 1及び第 2電極 2 2を配設してある。第 1 4 図 （C) は、 第 2改変例の多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、 図中 で一点鎖線は、裁断線を示している。第 2改変例のプリント配線板では、第 1 4図 (D)に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁の内側に第 1電極 2 1及び第 2電極 2 2を配設してある。
この第 2改変例のプリント配線板では、外縁の内側に電極の形成されたチップコ ンデンサ 2 0を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。 引き続き、第 2改変例の第 1別例に係るプリント配線板第 1 5図を参照して説明 する。
第 1 5図は、第 1別例に係るプリント配線板のコア基板に収容されるチップコン デンサ 2 0の平面図を示している。上述した第 1実施形態では、複数個の小容量の チップコンデンサをコア基板に収容したが、第 1別例では、大容量の大判のチップ コンデンサ 2 0をコア基板に収容してある。 ここで、 チップコンデンサ 2 0は、第 1電極 2 1と第 2電極 2 2と、誘電体 2 3と、第 1電極 2 1へ接続された第 1導電 膜 2 4と、第 2電極 2 2側に接続された第 2導電膜 2 5と、第 1導電膜 2 4及び第 2導電膜 2 5へ接続されていないチップコンデンサの上下面の接続用の電極 2 7 とから成る。この電極 2 7を介して I Cチップ側とドー夕ボード側と力接続されて いる。
この第 1改変例のプリント配線板では、大判のチップコンデンサ 2 0を用いるた め、容量の大きなチップコンデンサを用いること力できる。 また、大判のチップコ ンデンサ 2 0を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反り が発生することがない。
第 1 6図を参照して第 2別例に係るプリント配線板について説明する。第 1 6図 (A) は、 多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、 図中で一点鎖線は、 通常の裁断線を示し、第 1 6図（B)は、チップコンデンサの平面図を示している。 第 1 6図（B) に示すように、 この第 2別例では、 多数個取り用のチップコンデン サを複数個 （図中の例では 3枚） 連結させて大判で用いている。
この第 2別例では、大判のチップコンデンサ 2 0を用いるため、容量の大きなチ ップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ 2 0を用い るため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがな レ^
上述した実施形態では、チッブコンデンサをプリント配線板に内蔵させたが、チ ップコンデンザの代わりに、セラミツク板に導電体膜を設けてなる板状のコンデン サを用いることも可能である。
以上説明したように、 第 2実施形態によれば、 コア基板内にコンデンサを収容 することが可能となり、 I Cチップとコンデンサとの距離が短くなるため、 プリ ント配線板のループインダク夕ンスを低減できる。 また、 導体回路が形成された 樹脂基板を複数個積層してコア基板を形成しているため、 コア基板内の配線密度 が高まり、 層間樹脂絶縁層の層数を減らすことが可能となる。
また、 コア基板とコンデンサの間に樹脂が充填されているので、 コンデンサな どが起因する応力が発生しても緩和されるし、 マイグレーションの発生がない。 そのために、 コンデンザの電極とバイァホールの接続部への剥離や溶解などの影 響がない。 そのために、 信頼性試験を実施しても所望の性能を保つことができる のである。
また、 コンデンサを銅によって被覆されている場合にも、 マイグレーションの 発生を防止することができる。
(第 3実施形態）
本発明の第 3実施形態に係るプリント配線板の構成について、 第 3 0図及び第 3 1図き参照して説明する。 第 3 0図は、 プリント配線板 4 1 0の断面を示し、 第 3 1図は、第 3 0図に示すプリント配線板 4 1 0に I Cチップ 4 9 0を搭載し、 ドー夕ボード 4 9 5側へ取り付けた状態を示している。
第 3 0図に示すように、 プリント配線板 4 1 0は、 複数個のチップコンデンサ
4 2 0を収容するコア基板 4 3 0と、 ビルドアップ配線層 4 8 0 A、 4 8 O Bと からなる。 ビルドアツフ 己線層 4 8 0 A、 4 8 0 Bは、 層間樹脂fe椽層 5 4 0、
5 4 1からなる。 ビルドアツフ。 @己線層 4 8 0 A、 4 8 0 Bの層間樹脂騰層 5 4 0には、 導体回路 5 5 8及びバイァホール 5 6 0力 S形成され、 層間樹脂,層 5 4 1には、 導体回路 5 5 9及びバイァホール 5 6 4が形成されている。 層間樹脂
5 4 1の上には、 ソルダーレジスト層 4 7 0が形成されている。 コア基板 4 3 0には、 チップコンデンサ 4 2 0と接続するバイァホール 4 6 0及び導体回 路 4 5 8が配設されている。 ビルドアップ配線層 4 8 O Aとビルドアップ配線層 4 8 0 Bとは、 コア基板 4 3 0に形成されたスルーホール 4 5 6を介して接続さ れている。
チップコンデンサ 4 2 0は、 第 3 0図に示すように第 1電極 4 2 1と第 2電極 4 2 2と、 第 1、 第 2電極に挟まれた誘電体 4 2 3とから成り、 誘電体 4 2 3に は、 第 1電極 4 2 1側に接続された第 1導電膜 4 2 4と、 第 2電極 4 2 2側に接 続された第 2導電膜 4 2 5とが複数枚対向配置されている。
第 3 1図に示すように、 上側のビルドアップ配線層 4 8 O Aには、 I Cチップ 4 9 0のパッド 4 9 2 E， 4 9 2 P、 4 9 2 Sへ接続するための半田バンプ 4 7 6 Uが配設されている。 一方、 下側のビルドアッフ ¾己線層 4 8 0 Bには、 ド一タ ボード 4 9 5のパッド 4 9 4 E 1， 4 9 4 E 2 , 4 9 4 P 1、 4 9 4 P 2、 4 9 4 Sへ接続するための半田バンプ 4 7 6 Dが配設されている。
I Cチップ 4 9 0の信号用パッド 4 9 2 Sは、 バンプ 4 7 6 U—導体回路 5 5 9一バイァホール 5 6 4—導体回路 5 5 8—バイァホール 5 6 0—スルーホール
4 5 6一バイァホール 5 6 0—導体回路 5 5 8—バイァホール 5 6 4—導体回路
5 5 9—バンプ 4 7 6 Dを介して、 ド一夕ボード 4 9 5の信号用パッド 4 9 4 S へ接続されている。
I Cチップ 4 9 0の接地用パッド 4 9 2 Eは、 バンプ 4 7 6 U—バイァホール 5 6 4 _導体回路 5 5 8—バイァホール 5 6 0 _導体回路 4 5 8—バイァホール 4 6 0を介してチップコンデンサ 4 2 0の第 1電極 4 2 1へ接続されている。 一 方、 ド一夕ボ一ド 4 9 5の接地用パッド 4 9 4 E 1は、 バンプ 4 7 6 D—バイァ ホール 5 6 4—導体回路 5 5 8—バイァホール 5 6 0—スルーホール 4 5 6—導 体回路 4 5 8 _バイァホール 4 6 0を介してチップコンデンサ 4 2 0の第 1電極 4 2 1へ接続されている。 また、 接地用パッド 4 9 4 E 2は、 バンプ 4 7 6 D— バイァホール 5 6 4—導体回路 5 5 8—バイァホール 5 6 0 _導体回路 4 5 8 - バイァホール 4 6 0を介してチップコンデンサ 4 2 0の第 1電極 4 2 1へ接続さ れている。
I Cチップ 4 9 0の電源用パッド 4 9 2 Pは、 バンプ 4 7 6 U—バイァホール 5 6 4—導体回路 5 5 8—バイァホール 5 6 0—導体回路 4 5 8—バイァホール 4 6 0を介してチップコンデンサ 4 2 0の第 2電極 4 2 2へ接続されている。 一 方、 ド一夕ボード 4 9 5の電源用パッド 4 9 4 P 1は、 バンプ 4 7 6 D—バイァ ホール 5 6 4—導体回路 5 5 8—バイァホール 5 6 0—スルーホール 4 5 6—導 体回路 4 5 8—バイァホール 4 6 0を介してチップコンデンサ 4 2 0の第 2電極 4 2 2へ接続されている。 また、 電源用パッド 4 9 4 P 2は、 バンプ 4 7 6 D - バイァホール 5 6 4一導体回路 5 5 8—バイァホール 5 6 0—導体回路 4 5 8 - バイァホール 4 6 0を介してチップコンデンサ 4 2 0の第 1電極 4 2 2へ接続さ れている。 この実施形態では、 スルーホール 4 5 6を介してチップコンデンサ 4 2 0の第 1、 第 2電極 4 2 1、 4 2 2へドー夕ボード 4 9 5側から接続したが、 スルーホールを介しての接続を省略することも可能である。
第 3 0図に示すように、 本実施形態のコア基板 4 3 0は、 チップコンデンサ 4 2 0が接着材料を介して接続された第 1樹脂基板 4 3 0 aと、 第 1樹脂基板 4 3 0 aに接着用樹脂層 （接着板） 4 3 8 aを介して接続された第 2樹脂基板 4 3 0 bと、 第 2樹脂基板 4 3 0 bに接着用棚旨層 （接着板) 4 3 8 bを介して接続さ れた第 3樹脂基板 4 3 0 cとからなる。 第 2樹脂基板 4 3 0 bには、 チップコン デンサ 4 2 0を収容可能な開口 4 3 0 Bが形成されている。
これにより、 コア基板 4 3 0内にチップコンデンサ 4 2 0を収容することがで きるため、 I Cチップ 4 9 0とチップコンデンサ 4 2 0との距離力短くなり、 プ リント配線板 4 1 0のループィンダク夕ンスを低減できる。 また、 第 1樹脂基板 4 3 0 a , 第 2樹脂基板 4 3 0 b、 第 3樹脂基板 4 3 0 cを積層してなるので、 コア基板 4 3 0に十分な強度を得ることができる。 更に、 コア基板 4 3 0の両面 に第 1樹脂基板 4 3 0 a、 第 3樹脂基板 4 3 0 cを配設することでコア基板 4 3 0を平滑に構成するため、 コア基板 4 3 0の上に層間樹脂絶縁層 5 4 0、 5 4 1 および導体回路 5 5 8、 5 5 9、 バイァホール 5 6 0、 5 6 4を適切に形成する ことができ、 プリント配線板の不良品発生率を低下させることができる。
また、 この実施形態では、 コア基板 4 3 0の両面にノ ィァホール 4 6 0を設け てあるため、 I Cチップ 4 9 0とチップコンデンサ 4 2 0とを、 また、 ド一夕ボ ード 4 9 5とチップコンデンサ 4 2 0とを最短の距離で接続することができ、 ド 一夕ボードから I Cチップへの瞬時的な大電力供給が可能になる。
更に、 本実施形態では、 第 2 5図 （D) に示すように第 1樹脂基板 4 3 0 aと チップコンデンサ 4 2 0との間に糸騰性接着剤 4 3 6を介在させてある。ここで、 接着剤 4 3 6の熱膨張率を、 コア基板 4 3 0よりも小さく、 即ち、 セラミックか らなるチップコンデンサ 4 2 0に近いように設定してある。 このため、 ヒートサ ィクル試験において、 コア基板及び接着層 4 3 6とチップコンデンサ 4 2 0との 間に熱膨張率差から内応力が発生しても、 コア基板にクラック、 剥離等が生じ難 く、 高い信頼性を達成できる。 また、 マイグレーションの発生を防止することも 出来る。
引き続き、 第 3 0図を参照して上述したプリント配線板の製造方法について、 第 2 5図〜第 3 0図を参照して説明する。
( 1 ) 厚さ 0. 1 mmのガラスクロス等の心材に B T (ビスマレイミドトリアジ ン） 樹脂を含浸させて硬化させた樹脂基板の片面に銅箔 4 3 2がラミネートされ ている片面銅張積層板 4 3 0 M (第 1樹脂基板 4 3 0 aおよび第 3樹脂基板 4 3 0 c ) を出発材料とする （第 2 5図 （A) 参照)。
次に、 この銅貼積層板 4 3 0 Mの銅箔 4 3 2をパターン状にエッチングするこ とにより、 銅箔 4 3 2にバイァホール形成用開口 4 3 2 aを形成する （第 2 5図 (B) 参照)。
( 2 ) その後、 第 1樹脂基板 4 3 0 aの銅箔 4 3 2がラミネートされていない面 に、 印刷機を用いて «ィ匕系または UV硬化系の接着材料 4 3 6を塗布する （第
2 5図 （C) 参照)。 このとき、 塗布以外にも、 ポッティングなどをしてもよい。 次に、 接着材料 4 3 6上に複数個のセラミックから成るチップコンデンサ 4 2 0を載置し、 接着材料 4 3 6を介して、 第 1樹脂基板 4 3 0 aにチップコンデン サ 4 2 0を接着する （第 2 5図（D)参照)。 チップコンデンサ 4 2 0は、 1個で も複数個でもよいが、 複数個のチップコンデンサ 4 2 0を用いることにより、 コ ンデンザの高集積化が可能となる。
( 3 )次に、ガラスクロス等の心材にエポキシ測旨を含浸させた接着用樹脂層（接 着用樹脂層） 4 3 8 a、 4 3 8 b及びガラスクロス等の心材に B T樹脂を含浸さ せて硬ィ匕させた第 2樹脂基板 4 3 O b (厚さ 4 mm) を用意する。 接着用樹 脂層 4 3 8 a及び第 2樹脂基板 4 3 0 bには、 チップコンデンサ 4 2 0を収容可 能な開口 3 6 A、 4 3 0 Bを形成しておく。 まず、 銅箔 4 3 2がラミネートされ た面を下にした第 3樹脂基板 4 3 0 cの上に、 接着用樹脂層 4 3 8 bを介して第 2樹脂基板 4 3 0 bを載置する。 次に、 第 2樹脂基板 4 3 0 bの上に接着用樹脂 層 4 3 8 aを介して、 第 1樹脂基板 4 3 0 aを反転して載置する。 即ち、 第 1樹 脂基板 4 3 0 aに接続されたチップコンデンサ 4 2 0が接着用樹脂層 4 3 8 a側 を向き、 第 2樹脂基板 4 3 0 bに形成された開口 4 3 0 Bにチップコンデンサ 4 2 0を収容できるように重ね合わせる （第 2 6図 （A)参照)。 これにより、 コア 基板 4 3 0内にチップコンデンサ 4 2 0を収容することが可能となり、 ループィ ンダクタンスを低減させたプリント配線板を提供することができる。
なお、コア基板をセラミックや A I Nなどの基板を用いることはできなかった。 該基板は外形加工性が悪く、 コンデンサを収容することができないことがあり、 樹脂で充填させても空隙が生じてしまうためである。
( 4 )そして、重ね合わせた基板を熱プレスを用いて力 Π圧プレスすることにより、 第 1、 第 2、 第 3樹脂基板 4 3 0 a、 4 3 0 b , 4 3 0 cを多層状に一体化し、 複数個のチップコンデンサ 4 2 0を有するコア基板 4 3 0を形成する （第 2 6図 (B) 参照)。
ここでは、 先ず、 加圧されることで接着用樹脂層 4 3 8 a、 4 3 8 bからェポキ シ樹脂 （絶縁性樹脂） を周囲に押し出し、 開口 4 3 0 Bとチップコンデンサ 4 2 0との間の隙間を充填させる。 更に、 加圧と同時に加熱されることで、 エポキシ 樹脂が硬化し、 接着用樹脂層 4 3 8 a、 4 3 8 bを接着用樹脂 （接着板） として 介在させることで、 第 1樹脂基板 4 3 0 aと第 2樹脂基板 4 3 0 bと第 3樹脂基 板 4 3 0 cとを強固に接着させる。 なお、 本実施形態では、 接着用樹脂層から出 るエポキシ樹脂により、 開口 4 3 0 B内の隙間を充填したが、 この代わりに、 開 口 4 3 0 B内に充填材を配置しておくことも可能である。
ここで、 コア基板 4 3 0の両面に平滑な第 1棚旨基板 4 3 0 a、 第 3樹脂基板 4 3 0 cが配置されるので、 コア基板 4 3 0の平滑性が損なわれず、 後述するェ 程で、 コア基板 4 3 0の上に層間樹脂糸隠層 5 4 0、 5 4 1および導体回路 5 5 8、 5 5 9、 バイァホール 5 6 0、 5 6 4を適切に形成することができ、 プリン 卜配線板の不良品発生率を低下させること力できる。 また、 コア基板 4 3 0に十 分な強度を得ることができる。
( 5 ) 次いで、 レーザを照射して銅箔 4 3 2のバイァホール形成用開口 4 3 2 a 力、ら露出する部位を除去し、 チップコンデンサ 4 2 0の第 1電極 4 2 1及び第 2 電極 4 2 2へ至るバイァホール用開口 4 4 2を形成する。 即ち、 銅箔 4 3 2をコ ンフオマルマスクとして用い、 レーザによりコア基板 4 3 0にバイァホール用開 口 4 4 2を形成する。 その後、 同様の工程を基板の他方の面にも行う （第 2 6図 (C) 参照)。
これにより、 バイァホールの開口径は、 銅箔 4 3 2のバイァホール形成用開口 4 3 2 aの開口径に依存することになるため、 バイァホールを適切な開口径で形 成することが可能となる。 また同様に、 ノ 'ィァホールの開口位置精度も、 銅箔 4 3 2のバイァホール形成用開口 4 3 2 aの開口位 Sに依存することになるため、 レーザの照射位置精度は低くてもバイァホールを適切な位置に形成することが可 能となる。
( 6 ) そして、 コア基板 4 3 0にドリル又はレーザにより、 スルーホール用貫通 孔 4 4 4を形成する （第 2 6図（D)参照)。 この後、 酸素プラズマを用いてデス ミア処理を行う。 あるいは、 過マンガン酸などの薬液によるデスミヤ処理を行つ てもよい。
( 7 ) 次に、 日本真空技術株式会社製の S V— 4 5 4 0を用いてプラズマ処理を 行い、 コア基板 4 3 0の全表面に粗化面を形成する。 この際、 不活性ガスとして はアルゴンガスを使用し、 電力 2 0 0 W、 ガス圧 0 . 6 P a、 温度 7 0 の条件 で、 2分間プラズマ処理を実施する。 その後、 N i及び C uをターゲットにした スパッタリングを行い、 N i一 C u金属層 4 4 8をコア基板 4 3 0の表面に形成 する （第 2 7図 （A)参照)。 ここでは、 スパッ夕を用いているが、 無電解めつき により、 銅、 ニッケル等の金属層を形成してもよい。 また、 場合によってはスパ ッ夕で形成した後に、 無電解めつき膜を形成させてもよい。 酸あるいは酸化剤に よって粗ィ匕処理を施してもよい。 また、 粗化層は、 0 . l〜5 //mが ましい。
( 8 )次に、 1—C U金属層 4 4 8の表面に感光性ドライフィルムを貼り付け、 マスクを載置して、 露光'現像処理し、 所定パターンのレジスト 4 5 0を形成す る。 そして、 電解めつき液にコア基板 4 3 0を浸漬し、 1^ 1ー〇1金属層4 4 8 を介して電流を流し、レジスト 4 5 0非形成部に以下の条件で電解めつきを施し、 電解めつき膜 4 5 2を形成する （第 2 7図 （B) 参照)。
〔電解めつき水溶液〕
硫酸 2. 2 4 m o 1 / 1 硫酸銅 0. 26 mo 1 / 1
添加剤 （アトテックジャパン製、 カバラシド HL) '
19. 5 m 1 / 1
〔電解めつき条件〕
電流密度 lA/dm2
時間 120分
温度 22 ± 21:
(9) レジスト 450を 5%Na〇Hで剥離除去した後、 そのレジスト 450下 の N i— Cu金属層 448及び銅箔 432を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合 液を用いるエッチングにて溶解除去し、銅箔 432及び N i— Cu金属層 448、 電解めつき膜 452からなる導体回路 458 (バイァホール 460を含む） 及び スルーホール 456を形成する。 そして、 基板を水洗いし、 乾燥した後、 エッチ ング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、 導体回路 458 (バイァホール 4 60を含む） 及びスルーホール 456の表面をエッチングすることにより、 導体 回路 458 (バイァホール 460を含む） 及びスルーホール 456の全表面に粗 化面 462を形成する （第 27図 （C)参照)。 エッチング液として、 イミダゾー ル銅 （I I) 錯体 10重量部、 グリコール酸 7重量部、 塩化カリウム 5重量部お よびイオン交換水 78重量部を混合したものを使用する。
(10) エポキシ系樹脂を主成分とする樹脂充填剤 464を、 基板 430の両面 に印刷機を用いて塗布することにより、 導体回路 458間またはスルーホール 4
56内に充填し、 加熱乾燥を行う。 即ち、 この工程により、 樹脂充填剤 464が 導体回路 458の間、 バイァホール 460、 スルーホール 456内に充填される (第 27図 （D) 参照)。
(11) 上記 （10) の処理を終えた基板 430の片面を、 ベルト研磨紙 （三共 理化学社製） を用いたベルトサンダー研磨により、 導体回路 458の表面ゃスル
—ホール 456のランド表面 456 aに樹脂充填剤 464が残らないように研磨 し、ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行う。 このような一連の研磨を基板 430の他方の面についても同様に行う。 そして、 充填した樹脂充填剤 464を加熱硬化させる。 このようにして、 スルーホ一ル 4 56等に充填された樹脂充填剤 464の表層部および導体回路 458上面の粗化 面 462を除去して基板 430両面を平滑化し、 樹脂充填剤 464と導体回路 4 58とが粗化面 462を介して強固に密着し、 またスルーホール 456の内壁面 と樹脂充填剤 464とが粗化面 462を介して強固に密着した配線基板を得る。 次に、 基板 430の両面に、 上記 （9) で用いたエッチング液と同じエツチン グ液をスプレイで吹きつけ、 一旦平坦化された導体回路 458の表面とスルーホ ール 456のランド表面 456 aとをエッチングすることにより、 導体回路 45 8の全表面に粗ィヒ面 458 αを形成する （第 28図 （Α) 参照)。
(1.2) 上記工程を経た基板 430に、 後述する熱硬化型エポキシ系樹脂シ一ト を温度 50〜150 まで昇温しながら圧力 5 k cm2で真空圧着ラミネー 卜し、 層間樹脂 縁層 540を設ける （第 28図 （B)参照)。真空圧着時の真空 度は、 l OmmHgである。
(13) 次いで、 層間樹脂絶縁層 540にレーザによりバイァホール用開口 54 2を形成する （第 28図 （C) 参照)。
(14)次に、 (7)の工程で用いた、 日本真空技術株式会社製の SV— 4540 を用いてプラズマ処理を行い、 眉間樹脂絶縁層 540の表面に粗化面 540 αを 形成する （第 28図（D)参照)。 ここでも酸あるいは酸化剤によって粗化処理を 施してもよい。 また、 粗化層は、 0. 1〜5 ΓΠが望ましい。
(15)その後、 （7)の工程と同様に、 N i及び Cuを夕ーゲッ卜にしたスパッ 夕リングを行い、 N i - C u金属層 548を層間樹脂絶縁層 540の表面に形成 する （第 29図 （A)参照)。 ここでは、 スパッタを用いているが、 無電解めつき により、 銅、 ニッケル等の金属層を形成してもよい。 また、 場合によってはスパ ッ夕で形成した後に、 無電解めつき膜を形成させてもよい。
(16)次に、 （8) の工程と同様に、 N i— Cu金属層 548の表面に感光性ド ライフイルムを貼り付け、 マスクを載置して、 露光 ·現像処理し、 所定パターン のレジスト 544を形成する。 そして、 電解めつき液に基板を浸漬し、 N i _C u金属層 548を介して電流を流し、 レジスト 544非形成部に電解めつきを施 し、 電解めつき膜 552を形成する （第 29図 （B) 参照)。
(17) その後 （9) の工程と同様の処理をして、 N i _Cu金属層 548及び 電解めつき膜 5 5 2からなる導体回路 5 5 8 (バイァホール 5 6 0を含む） を形 成する。 そして、 基板を水洗いし、 乾燥した後、 エッチング液を基板の両面にス プレイで吹きつけてエッチングすることにより、 導体回路 5 5 8 (バイァホール 5 6 0を含む） の全表面に粗化面 1 5 4を形成する （第 2 9図 （C) 参照)。 ( 1 8 ) さらに （1 2 ) 〜 （1 7 ) の工程を繰り返すことにより、 上層に層間樹 月旨 縁層 5 4 1及び導体回路 5 5 9 ひ'ィァホール 5. 6 4を含む)、粗化面 5 6 5 を形成する （第 2 9図 （D) 参照)。
以降の工程は、上述した第 1実施形態の（1 6 )〜（1 9 ) と同様であるため、 説明を省略する。
また、 上述した工程で完成したプリント配線板 4 1 0への I Cチップ 4 9 0の 載置および、 ドー夕ボード 4 9 5への取り付けについては、 第 1 ^施形態と同様 であるため、 説明を省略する。
(第 3実施形態の第 1別例）
本発明の第 3実施形態の第 1別例に係るプリント配線板について、 第 3 2図を 参照して説明する。 第 1別例のプリント配線板は、 上述した第 3実施形態とほぼ 同様である。 但し、 この第 1別例のプリント配線板では、 導電性ピン 4 9 6が ΐ己 設され、 該導電性ピン 4 9 6を介してドー夕ボードとの接続を取るように形成さ れている。
また、 上述した第 3実施形態では、 コア基板 4 3 0に収容されるチップコンデ ンサ 4 2 0のみを備えていたが、 第 1別例では、 表面及び裏面に大容量のチップ コンデンサ 4 8 6が実装されている。
I Cチップは、 瞬時的に大電力を消費して複雑な演算処理を行う。 ここで、 I Cチップ側に大電力を供給するために、 改変例では、 プリント配線板に電源用の チップコンデンサ 4 2 0及びチップコンデンサ 4 8 6を備えてある。 このチップ コンデンサによる効果について、 第 1 2図を参照して説明する。
第 1 2図は、縦軸に I Cチップへ供給される電圧を、横軸に時間を取ってある。 ここで、 二点鎖線 Cは、 電源用コンデンサを備えないプリント配線板の電圧変動 を示している。 電源用コンデンサを備えない場合には、 大きく電圧が減衰する。 破線 Αは、 表面にチップコンデンサを実装したプリン卜配線板の電圧変動を示し ている。 上記二点鎖線 Cと比較して電圧は大きく落ち込まないが、 ループ長さが 長くなるので、 律速の電源供給が十分に行えていない。 即ち、 電力の供給開始時 に電圧が降下している。 また、 二点鎖線 Bは、 第 3 1図を参照して上述したチッ プコンデンサを内蔵するプリント配線板の電圧降下を示している。 ループ長さは 短縮できているが、 コア基板 4 3 0に容量の大きなチップコンデンサを収容する ことができないため、 電圧が変動している。 ここで、 実線 Eは、 第 3 2図を参照 して上述したコア基板内のチップコンデンサ 4 2 0を、 また表面に大容量のチッ プコンデンサ 4 8 6を実装する改変例のプリント配線板の電圧変動を示している。
1 Cチップの近傍にチップコンデンサ 4 2 0を、 また、 大容量 （及び相対的に大 きなインダク夕ンス） のチップコンデンサ 4 8 6を備えることで、 電圧変動を最 小に押さえている。
(第 3実施形態の第 1改変例）
引き続き、 本発明の第 3実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板 4 1 4に ついて、 第 3 6図を参照して説明する。 この第 3実施形態の第 1改変例のプリン ト配線板の構成は、 上述した第 3実施形態とほぼ同様である。 第 3 0図を参照し て上述した第 3実施形態では、 導体回路 4 5 8が銅箔 4 3 2及び N i— C u金属 層 4 4 8、 電解めつき膜 4 5 2の 3層で構成されていた。 これに対して、 第 3実 施形態の第 1改変例のプリント配線板 4 1 2では、 導体回路 4 5 8が無電解めつ き膜 4 4 3と電解めつき膜 4 5 2との 2層で構成されている。 即ち、 銅箔 4 3 2 を除去し、 厚さを薄くすることで、 導体回路 4 5 8をファインピッチに形成して ある。
また、 第 3実施形態の第 1改変例のプリント配線板 4 1 4では、 チップコンデ ンサ 4 2 0を収容する開口 4 3 0 Bを設けた第 2樹脂基板 4 3 0 bの両面に、 導 体回路 4 3 5力形成されている。 この第 3実施形態の第 1改変例では、 第 2樹脂 基板 4 3 0 bの両面に導体回路 4 3 5が形成されているため、 コア基板 4 3 0内 の配線密度を高めることができ、 ビルドアツプする層間樹脂 緣層の層数を減ら すことが可能となる。
また、 第 3実施形態の第 1改変例のプリント配線板では、 チップコンデンサ 4
2 0が、第 1 3図 (A)に示すように第 1、第 2電極 4 2 1 , 4 2 2の被覆層（図 示せず） を完全に剥離した後、 銅めつき膜 2 9により被覆してある e そして、 銅 めっき膜 2 9で被覆した第 1、 第 2電極 4 2 1 , 4 2 2に銅めつきよりなるバイ ァホール 4 6 0で電気的接続を取ってある。 ここで、 チップコンデンサの電極 4 2 1 , 4 2 2は、 メタライズからなり表面に凹凸がある。 このため、 金属層を剥 き出した状態で用いると、 第 1樹脂基板 4 3 0 aに非貫通孔 4 4 2を穿設するェ 程において、 該凹凸に樹脂が残ることがある。 この際には、 当該樹脂残さにより 第 1、 第 2電極 4 2 1 , 4 2 2とバイァホール 4 6 0との接続不良が発生するこ とがある。 これに対して、 第 3実施形態の第 1改変例では、 銅めつき膜 2 9によ つて第 1、 第 2電極 4 2 1 , 4 2 2の表面が平滑になり、 電極上に被覆された第 1樹脂基板 4 3 0 aに開口 4 4 2を穿設した際に、 樹脂残さが残らず、 ノ ィァホ ール 4 6 0を形成した際の電極 4 2 1 , 4 2 2との接続信頼性を高めることがで さる。
更に、 銅めつき膜 2 9の形成された電極 4 2 1、 4 2 2に、 めっきによりバイ ァホール 4 6 0を形成するため、 電極 4 2 1、 4 2 2とバイァホール 4 6 0との 接続性が高く、 ヒートサイクル試験を実施しても、 電極 4 2 1、 4 2 2とバイァ ホール 4 6 0との間で断線が生じることがない。マイグレーションの発生もなく、 コンデンザのバイァホールの接続部での不都合を引き起こさなかった。
なお、 上記銅めつき膜 2 9は、 チップコンデンサの製造段階で金属層 2 6の表 面に被覆されたニッケル スズ層 （被覆層） を、 プリント配線板への搭載の段階 で剥離してから設ける。 この代わりに、 チップコンデンサ 4 2 0の製造段階で、 金属層 2 6の上に直接銅めつき膜 2 9を被覆することも可能である。 即ち、 第 3 実施形態の第 1改変例では、 第 3実施形態と同様に、 レーザにて電極の銅めつき 膜 2 9へ至る開口を設けた後、 デスミヤ処理等を行い、 バイァホールを銅めつき により形成する。 従って、 銅めつき膜 2 9の表面に酸化膜力形成されていても、 上記レーザ及びデスミヤ処理で酸化膜を除去できるため、 適正に接続を取ること ができる。
更に、 チップコンデンサ 4 2 0のセラミックから成る誘電体 4 2 3の表面には 粗ィ匕層 2 3 aが設けられている。 このため、 セラミックから成るチップコンデン サ 4 2 0と樹 からなる接着層 4 3 8 a、 4 3 8 bとの密着性が高く、 ヒートサ ィクル試験を実施しても界面での第 1樹脂基板 4 3 0 aの剥離が発生することが ない。 この粗化層 2 3 aは、 焼成後に、 チップコンデンサ 4 2 0の表面を研磨す ることにより、 また、 焼成前に、 粗化処理を施すことにより形成できる。 なお、 第 3実施形態の第 1改変例では、 コンデンサの表面に粗化処理を施し、 樹脂との 密着性を高めたが、 この代わりに、 コンデンサの表面にシランカップリング処理 を施すことも可能である。
なお、 第 1 3図 （B) に示すようにコンデンサ 4 2 0の第 1電極 2 1、 第 2電 極 2 2の被覆 2 8の一部を除去して用いることも可能である。 第 1電極 2 1、 第 2電極 2 2を露出させることでめっきからなるバイァホールとの接続性を高める ことができるからである。
本発明の第 3実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板の製造工程について、 第 3 3図〜第 3 5図を参照して説明する。
( 1 ) 厚さ 0 . 1 mmのガラスクロス等の心材に B T (ビスマレイミドトリアジ ン） 樹脂を含浸させて硬化させた樹脂基板の片面に銅箔 4 3 2がラミネートされ ている片面銅張積層板 4 3 0 M (第 1樹脂基板 4 3 0 aおよび第 3樹脂基板 4 3 0 c ) を用意する。 また、 厚さ 0. 4 mmのガラスクロス等の心材に B T (ビス マレイミドトリアジン） 樹脂を含浸させて硬化させた樹脂基板の両面に銅箔 4 3 2がラミネートされている両面銅張積層板 4 3 O N (第 2樹脂基板 4 3 O b) を 用意する （第 3 3図 （A) 参照)。
( 2 ) 次に、 この銅貼積層板 4 3 0 Mの銅箔 4 3 2をパターン状にエッチングす ることにより、 銅箔 4 3 2にバイァホ一ル形成用開口 4 3 2 aを形成する。 同様 に、 両面銅張積層板 4 3 O Nの銅箔 4 3 2をパターン状にエッチングし、 導体回 路 4 3 5を形成する （第 3 3図 （B)参照)。第 3実施形態の第 1改変例では、 第 2樹脂基板 4 3 0 bの両面に導体回路 4 3 5が形成されているため、 コア基板の 配線密度を高めることができ、 ビルドアップする層間樹脂fe縁層の層数を減らす ことができる利点がある。
( 3 ) その後、 第 1樹脂基板 4 3 0 aの銅箔 4 3 2がラミネートされていない面 に、 印刷機を用いて熱硬ィ匕系または UV硬化系の接着材料 4 3 6を塗布する （第 3 3図 （C) 参照)。 このとき、 塗布以外にも、 ポッティングなどをしてもよい。 次に、 接着材料 4 3 6上に複数個のセラミックから成るチップコンデンサ 4 2 0を載置し、 接着材料 4 3 6を介して、 第 1樹脂基板 4 3 0 aにチップコンデン サ 4 2 0を接着する （第 3 3図（D)参照)。 チップコンデンサ 4 2 0は、 1個で も複数個でもよいが、 複数個のチップコンデンサ 4 2 0を用いることにより、 コ ンデンサの高集積化が可能となる。
(4 )次に、ガラスクロス等の心材にエポキシ樹脂を含浸させた接着用樹脂層（接 着用樹脂層） 4 3 8 a、 4 3 8 bおよび第 2樹脂基板 4 3 0 bを用意する。 接着 用樹脂層 4 3 8 a及び第 2樹脂基板 4 3 0 bには、 チップコンデンサ 4 2 0を収 容可能な開口 3 6 A、 4 3 O Bを形成しておく。 まず、 銅箔 4 3 2がラミネート された面を下にした第 3樹脂基板 4 3 0 cの上に、 接着用樹脂層 4 3 8 を介し て第 2樹脂基板 4 3 0 bを載置する。 次に、 第 2樹脂基板 4 3 0 bの上に接着用 樹脂層 4 3 8 aを介して、 第 1樹脂基板 4 3 0 aを反転して載置する。 即ち、 第 2樹脂基板 4 3 0 bに形成された開口 4 3 0 Bにチップコンデンサ 4 2 0が収容 できるように重ね合わせる （第 3 4図（A)参照)。 これにより、 コア基板 4 3 0 内にチップコンデンサ 4 2 0を収容することが可能となり、 ル一ブインダクタン スを低減させたプリント配線板を提供することができる。
( 5 )そして、重ね合わせた基板を熱プレスを用いて加圧プレスすることにより、 第 1、 第 2、 第 3樹脂基板 4 3 0 a、 4 3 0 b , 4 3 0 cを多層状に一体ィ匕し、 複数個のチップコンデンサ 4 2 0を有するコア基板 4 3 0を形成する （第 3 4図 (B) 参照)。
なお、 本実施形態では、 接着用樹脂層から出るエポキシ樹脂により、 開口 4 3 0 B内の隙間を充填したが、 この代わりに、 開口 4 3 0 B内に充填材を配置してお くことも可能である。
ここで、 コァ基板 4 3 0の両面が平滑な第 1樹脂基板 4 3 0 a , 第 3樹脂基板 4 3 0 cなので、 コア基板 4 3 0の平滑性力 S損なわれず、 後述する工程で、 コア 基板 4 3 0の上に層間樹脂絶縁層 5 4 0 , 5 4 1および導体回路 5 5 8、 5 5 9、 バイァホール 5 6 0、 5 6 4を適切に形成することができ、 プリント配線板の不 良品発生率を低下させることができる。 また、 コア基板 4 3 0に十分な強度を得 ることができる。 ( 6 ) 次いで、 基板上からレーザを照射して銅箔 4 3 2のバイァホール形成用開 口 4 3 2 aから露出する部位を除去し、 チップコンデンサ 4 2 0の第 1電極 4 2 1及び第 2電極 4 2 2へ至るバイァホール用開口 4 4 2を形成する。 即ち、 銅箔 4 3 2をコンフオマルマスクとして用い、 レーザによりコア基板 4 3 0にバイァ ホール用開口 4 4 2を形成する。 その後、 同様の工程を基板の他方の面にも行う
(第 3 4図（C)参照)。 これにより、 バイァホールの開口径は、 銅箔 4 3 2のバ ィァホール形成用開口 4 3 2 aの開口径に依存することになるため、 バイァホ一 ルを適切な開口径で形成することが可能となる。 また同様に、 バイァホールの開 口位置精度も、 銅箔 4 3 2のバイァホール形成用開口 4 3 2 aの開口位置に依存 することになるため、 レーザの照射位置精度は低くてもバイァホールを適切な位 置に形成することが可能となる。
( 7 ) その後、 コア基板 4 3 0の両面の銅箔 4 3 2を、 エッチング液を用いてェ ツチングすることにより除去する。 これにより、 後述する工程で導体回路 4 5 8 の厚さを薄く形成することができ、ファインピッチに形成することが可能となる。 次に、 コア基板 4 3 0にドリル又はレーザにより、 スルーホール用貫通孔 4 4 4を形成する （第 3 4図 （D)参照)。 この後、 酸素プラズマを用いてデスミア処 理を行う。 あるいは、 過マンガン酸などの薬液によるデスミヤ処理を行ってもよ い。
( 8 ) 次に、 日本真空技術株式会社製の S V— 4 5 4 0を用いてプラズマ処理を 行い、コア基板 4 3 0の全表面に粗化面 4 4 6を形成する（第 3 5図（A)参照)。 この際、 不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、 電力 2 0 0 W、 ガス圧 0. 6 P a、 温度 7 の条件で、 2分間プラズマ処理を実施する。 酸あるいは酸ィ匕 剤によって粗化処理を施してもよい。 また、 粗化層は、 0. l〜5 /mが望まし い。
( 9 ) 次に、 以下の組成の無電解銅めつき水溶液中に基板 4 3 0を浸漬して、 粗 化面 4 4 6全体に厚さ 0. 6〜3. 0 mの無電解銅めつき膜 4 4 3を形成する
(第 3 5図 （B) 参照)。
〔無電解めつき水溶液〕
N i S〇4 0. 0 0 3 m o 1 / 1 酒石酸 0. 200 mo 1 /
硫酸銅 0. 043 OMo 1 /
HCHO 0. 050 mo 1 /
NaOH 0. 100 mo 1 /
, a' ービピリジル 40 mg/
ポリエチレングリコール （PEG) 0. 10 g/
〔無電解めつき条件〕
351:の液温度で 40分
ここでは、 無電解めつきを用いているが、 スパッ夕により、 銅、 ニッケル等の 金属層を形成してもよい。 また、 場合によってはスパッ夕で形成した後に、 無電 解めつき膜を形成させてもよい。
(10) 市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めつき膜 443に貼り付け、 マ スクを載置して、 10 OmJZcmaで露光し、 0. 8%炭酸ナトリウム水溶液 で現像処理すること より、 厚さ 30 mのめつきレジスト 450を設ける。 次 に、 基板 430を 50 の水で洗浄して脱脂し、 25 の水で水洗後、 さらに硫 酸で洗浄してから、 以下の条件で電解銅めつきを施し、 厚さ 20 mの電解銅め つき膜 452を形成する （第 35図 （C) 参照)。
〔電解めつき水溶液〕
硫酸 2. 24 mo 1/1
硫酸銅 0. 26 mo 1 / 1
添加剤 19. 5 m 1 / 1 '
(アトテックジャパン社製、 カパラシド HL)
〔電解めつき条件〕
電流密度 1 AZdm2
時間 65 分
温度 22 ± 2 °C
(1 1) めっきレジスト 450を 5%Na〇Hで剥離除去した後、 そのめつきレ ジスト 450下の無電解めつき膜 443を硫酸と過酸化水素の混合液でエツチン グ処理して溶解除去し、 無電解銅めつき膜 443と電解銅めつき膜 452からな る厚さ 1 8 mの導体回路 4 5 8 (バイァホール 4 6 0を含む） 及びスルーホー ル 4 5 6を形成する （第 3 5図（D)参照)。第 3実施形態の第 1改変例では、 上 述したように予め銅箔 4 3 2を除去することで、 導体回路 4 5 8の厚さを薄くす ることができ、 ファインピッチに形成することが可能となる。 なお、 ここでは、 銅箔 4 3 2を完全に除去を剥離したが、 ライトエッチングにより銅箔 4 3 2を薄 くすることでも、 導体回路 4 5 8の厚さを薄くでき、 ファインピッチに形成する ことが可能となる。
以降の工程は、 上述した第 3実施形態の （1 0 ) 〜 （1 8 ) と同様であるため 説明を省略する。 - 上述した実施形態の第 1改変例では、 コア基板の両面にバイァホールを設けた が、 片面のみにバイァホールを形成することも可能である。 また、 コア基板 4 3 0の表面の銅箔 4 3 2の開口 4 3 2 aをコンフオマルマスクとして用いたが、 コ ァ基板 4 3 0のコンフオマルマスクを用いることなくレーザを照射してコンデン サへ至る開口を設けることもできる。
(第 3実施形態の第 2改変例）
引き続き、第 1実施形態の第 2改変例に係るプリン卜配線板の構成について第 1 4図を参照して説明する。
この第 2改変例のプリント配線板の構成は、上述した第 1実施形態とほぼ同様で ある。但し、 コア基板 3 0への収容されるチップコンデンサ 2 0が異なる。第 1 4 図は、 チップコンデンサの平面図を示している。第 1 4図 （A) は、 多数個取り用 の裁断前のチップコンデンサを示し、 図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上 述した第 1実施形態のプリント配線板では、第 1 4図（B) に平面図を示すように チップコンデンサの側縁に第 1電極 2 1及び第 2電極 2 2を配設してある。第 1 4 図（C) は、 第 2改変例の多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、 図中 で一点鎖線は、裁断線を示している。第 2改変例のプリント配線板では、第 1 4図 (D)に平面図を示すようにチップコンデンザの側縁の内側に第 1電極 2 1及び第 2電極 2 2を配設してある。
この第 2改変例のプリント配線板では、外縁の内側に電極の形成されたチップコ ンデンサ 2 0を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。 引き続き、第 2改変例の第 1別例に係るプリント配線板第 1 5図を参照して説明 する。
第 1 5図は、第 1別例に係るプリント配線板のコア基板に収容されるチップコン デンサ 2 0の平面図を示している。上述した第 1実施形態では、複数個の小容量の チップコンデンサをコア基板に収容したが、第 1別例では、大容量の大判のチップ コンデンサ 2 0をコア基板に収容してある。 ここで、 チップコンデンサ 2 0は、第 1電極 2 1と第 2電極 2 2と、誘電体 2 3と、第 1電極 2 1へ接続された第 1導電 膜 2 4と、第 2電極 2 2側に接続された第 2導電膜 2 5と、第 1導電膜 2 4及び第 2導電膜 2 5へ接続されていないチップコンデンサの上下面の接続用の電極 2 7 と力 ^ら成る。この電極 2 7を介して I Cチップ側とドー夕ボード側とが接続されて いる。
この第 1改変例のプリント配線板では、大判のチップコンデンサ 2 0を用いるた め、 容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。 また、大判のチップコ ンデンサ 2 0を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反り が発生することがない。
第 1 6図を参照して第 2別例に係るプリント配線板について説明する。第 1 6図 (A) は、 多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、 図中で一点鎖線は、 通常の裁断線を示し、第 1 6図（B)は、チップコンデンサの平面図を示している。 第 1 6図（B) に示すように、 この第 2別例では、 多数個取り用のチップコンデン サを複数個 （図中の例では 3枚） 連結させて大判で用いている。
この第 2別例では、大判のチップコンデンサ 2 0を用いるため、容量の大きなチ ップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ 2 0を用い るため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがな レ >
上述した実施形態では、チップコンデンサをプリント配線板に内蔵させたが、チ ップコンデンサの代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板状のコンデン サを用いることも可能である。 第 3実施形態の構造により、 コァ基板内にコンデンサを収容することが可能と なり、 I Cチップとコンデンサとの距離が短くなるため、 プリント配線板のル一 ブインダクタンスを低減できる。 また、 樹脂基板を積層してなるためコア基板に 十分な強度を得ることができる。 更に、 コア基板の両面に第 1樹脂基板、 第 3樹 脂基板を配設することでコア基板を平滑に構成するため、 コア基板の上に層間樹 月旨,層および導体回路を適切に形成することができ、 プリント配線板の不良品 発生率を低下させることができる。
また第 3実施形態の製造方法により、 バイァホールの開口径は、 金属膜の開口 径に依存することになるため、 バイァホールを適切な開口径で形成することが可 能となる。 また同様に、 ノィァホールの開口位置精度も、 金属膜の開口位置に依 存することになるため、 レーザの照射位置精度は低くてもバイァホールを適切な 位置に形成することが可能となる。
コンデンザの下部からも接続することが可能となるので、 ループィンダク夕ン スの距離を短くし、 配設する自由度を増す構造であるといえる。
また、 コア基板とコンデンサの間に樹脂が充填されているので、 コンデンサな ど力起因する応力が発生しても緩和されるし、 マイグレーションの発生がない。 そのために、 コンデンサの電極とバイァホールの接続部への剥離や溶解などの影 響がない。 そのために、 信頼性試験を実施しても所望の性能を保つことができる のである。
また、 コンデンサを銅によって被覆されている場合にも、 マイグレーションの 発生を防止することができる。
(第 4実施形態）
本発明の第 4実施形態に係るプリント配線板の構成について、 第 4 2図〜第 4 4図を参照して説明する。 第 4 2図は、 プリント配線板 6 1 0の断面を示し、 第 4 3図は、 第 4 2図に示すプリント配線板 6 1 0に I Cチップ 6 9 0を搭載し、 ドー夕ポ一ド 6 9 4側へ取り付けた状態を示している。 第 4 4図 （A) は、 第 4 2図中のバイァホール 6 6 0の拡大図であり、 第 4 4図 （B) は、 第 4 4図 （A) 中のバイァホール 6 6 0に複数個のバイァホール 7 6 0を配設した状態を矢印 B 側からた見た状態を示す模式図である。
第 4 2図に示すようにプリント配線板 6 1 0は、 複数個のチップコンデンサ 6 2 0を収容するコア基板 6 3 0と、 ビルドアッフ 己線層 6 8 0 A、 6 8 0 Bとか らなる。 コア基板 6 3 0に収容された複数個のチップコンデンサ 6 2 0の電極 6 2 1 , 6 2 2には、相対的に大きなバイァホール 6 6 0が接続されている。また、 ビルドアツフ。 @己線層 6 8 0 A、 6 8 0 Bは、 層間樹脂！ &禄層 7 4 0、 7 4 1から なる。 層間樹脂絶縁層 7 4 0には、 導体回路 7 5 8および相対的に小さなバイァ ホール 7 6 0が形成され、 層間樹脂絶縁層 7 4 1には、 導体回路 7 5 9および相 対的に小さなバイァホール 7 6 4力形成されている。 層間樹脂絶縁層 7 4 1の上 には、 ソルダーレジス卜層 6 7 0が配設されている。
チップコンデンサ 6 2 0は、 第 1 3図 （A) に示すように第 1電極 6 2 1と第 2電極 6 2 2と、 第 1、 第 2電極に挟まれた誘電体 2 3とから成り、 誘電体 2 3 には、 第 1電極 6 2 1側に接続された第 1導電膜 2 4と、 第 2電極 6 2 2側に接 続された第 2導電膜 2 5とが複数枚対向配置されている。 なお、 第 1 3図 （B) に示すようにコンデンサ 6 2 0の第 1電極 2 1、 第 2電極 2 2の被覆 2 8の一部 を除去して用いることも可能である。 第 1電極 2 1、 第 2電極 2 2を露出させる ことでめっきからなるバイァホールとの接続性を高めることができるからである。 第 4 3図に示すように、 上側のビルドアッフ 己線層 6 8 O Aのバイァホール 7
6 4には、 I Cチップ 6 9 0のパッド 6 9 2へ接続するための半田バンプ 6 7 6 Uが形成されている。 一方、 下側のビルドアップ配線層 6 8 0 Bのバイァホール
7 6 4には、 ドー夕ボード 6 9 5のパッド 6 9 4へ接続するための半田バンプ 6 7 6 Dが形成されている。
コア基板としては、 樹脂からなるものを用いた。 例えば、 ガラスエポキシ樹脂 含浸基材、 フエノール樹脂含浸基材などの一般的なプリント配線板で用いられる 樹脂材料を用いることができる。 しかし、 コア基板をセラミックや A I Nなどの 基板を用いることはできなかった。 該基板は外形加工性が悪く、 コンデンサを収 容することができないことがあり、 樹脂で充填させても空隙が生じてしまうから である。
また、 チップコンデンサ 6 2 0を、 コア基板 6 3 0に形成された凹部 7 3 4に 複数個収容するため、チップコンデンサ 6 2 0の高密度に配置することができる。 さらに、 凹部 7 3 4に複数個のチップコンデンサ 6 2 0を収容するため、 チップ コンデンサ 6 2 0の高さを揃えることができる。 このため、 チップコンデンサ 6 2 0上の樹脂層 6 4 0を均一の厚さにできるため、 バイァホール 6 6 0を適切に 形成することが可能となる。 その上、 I Cチップ 6 9 0とチップコンデンサ 6 2 0との距離が短くなるため、 ループインダクタンスを低減することができる。 また、 第 4 2図及び、 第 4 3図のバイァホール 6 6 0の拡大図である第 4 4図 (A)に示すように上側のビルドアッフ 己線層 6 8 O Aのバイァホール 7 6 0は、 1のバイァホール 6 6 0に複数個接続している。 第 4 4図 （B) に示すよう大き なバイァホール 6 6 0は、 内径 1 2 5 xm、 ランド径 1 6 5 に、 小さなバイ ァホール 7 6 0は、 内径 2 5 m、 ランド径 6 5 mに形成してある。 一方、 チ ップコンデンサ 6 2 0は、 矩形に形成されており、 第 1電極 6 2 1及び第 2電極 6 2 1も一辺 2 5 0 z mの矩形に形成されている。 このため、 チップコンデンサ 6 2 0の配設位置力数十 mずれていても、 チップコンデンサ 6 2 0の第 1電極 6 2 1及び第 2電極 6 2 2とバイァホール 6 6 0との接続を取ることが可能とな り、 チップコンデンサ 6 2 0から I Cチップ 6 9 0への電力供給を確実に行うこ とができる。 また、 ノ ィァホール 7 6 0を複数個配設したことにより、 インダク 夕ンス分を並列接続したと同様な効果を得れるため、 電源線及び接地線の高周波 数特性が高まり、 電力供給不足或いはアースレベルの変動による I Cチップの誤 動作を防止すること力可能となる。 さらに、 I Cチップからチップコンデンサ 6 2 0までの配線長を短縮することができるので、 ル一ブインダク夕ンスを低減す ることが可能となる。
第 4 2図に示すように、 バイァホール 6 6 0には、 めっきを充填して表面が平 坦なフィルドバイァホールとして形成されている。 これにより、 バイァホール 6 6 0上に複数個のバイァホール 7 6 0を直接接続することが可能となる。よって、 バイァホール 6 6 0とバイァホール 7 6 0との接続性を高めることができ、 チッ プコンデンサ 6 2 0力、ら I Cチップ 6 9 0への電力供給を確実に行うことが可能 となる。 なお、 本実施形態では、 めっき充填でフィルドバイァホールを形成した が、 この代わりに、 バイァホール 6 6 0としては、 内部に樹脂を充填した後、 表 面に金属膜が配設されたフィルドバイァホールを用いてもよい。
なお、 樹脂充填剤 6 3 3及びチップコンデンサ 6 2 0下部の接着材料 6 3 6の 熱膨張率を、 コア基板 6 3 0及び樹脂絶縁層 6 4 0よりも小さく、 即ち、 セラミ ックからなるチップコンデンサ 6 2 0に近いように設定してある。 このため、 ヒ 一トサイクル試験において、 コア基板 6 3 0及び樹脂絶縁層 6 4 0とチップコン デンサ 6 2 0との間に熱膨張率差から内応力が発生しても、 コア基板 6 3 0及び 樹脂絶縁層 6 4 0にクラック、 剥離等が生じ難く、 高い信頼性を達成できる。 また、 チップコンデンサ 6 2 0間の樹脂層 6 3 3に、 スルーホール 6 5 6を形 成してあるため、 セラミックから成るチップコンデンサ 6 2 0を信号線が通過し ないので、 高誘電体によるインピーダンス不連続による反射及び高誘電体通過に よる伝搬遅延が発生しない。
チップコンデンサ 6 2 0は、 第 1 3図 （A) に示すように第 1電極 6 2 1及び 第 2電極 6 2 2を構成する金属層 2 6の表面に銅めつき膜 2 9を被覆してある。 めっき膜の被覆は、 電解めつき、 無電解めつきなどのめつきで形成されている。 そして、第 4 2図に示すように銅めつき膜 2 9を被覆した第 1、第 2電極 6 2 1， 6 2 2に銅めつきよりなるバイァホール 6 6 0で電気的接続を取ってある。 ここ で、 チップコンデンサの電極 6 2 1 , 6 2 2は、 メタライズからなり表面に凹凸 がある。 このため、 金属層 2 6を剥き出した状態で用いると、 後述する樹脂, 層 6 4 0に開口 6 3 9を穿設する工程において、該凹凸に樹脂が残ることがある。 この際には、 当該樹脂残さにより第 1、 第 2電極 6 2 1， 6 2 2とバイァホール 6 6 0との接続不良が発生することがある。 これに対して、 本実施形態では、 銅 めっき膜 2 9によって第 1、 第 2電極 6 2 1 , 6 2 2の表面が平滑になり、 電極 上に被覆された樹脂絶縁層 6 4 0に開口 6 3 9を穿設した際に、 樹脂残さが残ら ず、 バイァホール 6 6 0を形成した際の電極 6 2 1， 6 2 2との接続信頼性を高 めることができる。
更に、 銅めつき膜 2 9の形成された電極 6 2 1、 6 2 2に、 めっきによりバイ ァホ一ル 6 6 0を形成するため、 電極 6 2 1 , 6 2 2とバイァホール 6 6 0との 接続性が高く、 ヒートサイクル試験を実施しても、 電極 6 2 1、 6 2 2とバイァ ホール 6 6 0との間で断線が生じることがない。 なお、 上記銅めつき膜 2 9は、 チップコンデンサの製造段階で金属層 2 6の表 面に被覆されたニッケル スズ層を、 プリント配線板への搭載の段階で剥離して から設ける。 この代わりに、 チップコンデンサ 6 2 0の製造段階で、 金属層 2 6 の上に直接銅めつき膜 2 9を被覆することも可能である。即ち、本実施形態では、 レーザにて電極の銅めつき膜 2 9へ至る開口を設けた後、デスミヤ処理等を行い、 ノ イァホールを銅めつきにより形成する。 従って、 銅めつき膜 2 9の表面に酸化 膜が形成されていても、上記レーザ及びデスミャ処理で酸化膜を除去できるため、 適正に接続を取ることができる。
更に、 チップコンデンサ 6 2 0のセラミックから成る誘電体 2 3の表面には粗 化層 2 3 α力設けられてもよい。 これにより、 セラミックから成るチップコンデ ンサ 6 2 0と樹脂からなる樹脂絶縁層 6 4 0との密着性が高く、 ヒートサイクル 試験を実施しても界面での樹脂絶縁層 6 4 0の剥離が発生することがない。 この 粗ィ匕層 2 3 αは、 焼成後に、 チップコンデンサ 6 2 0の表面を研磨することによ り、 また、 焼成前に、 粗化処理を施すことにより形成できる。 なお、 本実施形態 では、 コンデンサの表面に粗化処理を施し、 樹脂との密着性を高めたが、 この代 わりに、 コンデンサの表面にシラン力ップリング処理を施すことも可能である。 引き続き、 第 4 2図を参照して上述したプリント配線板の製造方法について、 第 3 7図〜第 4 2図を参照して説明する。
( 1 ) 先ず、 絶縁樹脂基板からなるコア基板 6 3 0を出発材料とする （第 3 7図 (Α)参照)。 次に、 コア基板 6 3 0の片面に、 ザグリ加工、 もしくは纖樹脂に 通孔を設けてプレス、 貼り合わせによって、 コンデンサ配設用の凹部 7 3 4を形 成する （第 3 7図 （Β)参照)。 このとき、 凹部 7 3 4は複数個のコンデンサを配 設できるエリアよりも、 広く大きく形成する。 これにより、 複数個のコンデンサ をコア基板 6 3 0へ確実に配設できるようにする。
( 2 ) その後、 凹部 7 3 4に、 印刷機を用いて接着材料 6 3 6を塗布する （第 3 7図 （C)参照)。 あるいは、 ポッティング、 ダイボンディング、 接着シートを貼 り付けるなどの方法によって凹部に接着材料を塗ることができる。 接着材料 6 3 6は、 熱膨張率がコア基板よりも小さいものを用いる。 次に、 凹部 7 3 4にセラ ミックから成る複数個のチップコンデンサ 6 2 0を接着材料 6 3 6を介して接着 する （第 3 7図（D)参照)。 ここで、 底部が平滑な凹部 7 3 4に複数個のチップ コンデンサ 6 2 0を配設することにより、 複数個のチップコンデンサ 6 2 0の高 さが揃う。 よって、 後述する工程で、 コア基板 6 3 0の上に樹脂絶縁層 6 4 0を 均一の厚みに形成でき、バイァホール 6 6 0を適切に形成することが可能となる。 そして、 複数個のチップコンデンサ 6 2 0の上面が同じ高さになるように、 チ ップコンデンサ 6 2 0の上面を押す、もしくは叩いて高さを揃える（第 3 7図（E) 参照)。この工程により、凹部 7 3 4内に複数個のチップコンデンサ 6 2 0を配設 した際に、 複数個のチップコンデンサ 6 2 0の大きさにばらつきがあっても、 高 さを完全に揃えることができ、 コア基板 6 3 0を平滑にすることができる。 ( 3 ) その後、 凹部 7 3 4内のチップコンデンサ 6 2 0間に、 熱硬化性樹脂を充 填し、 加 ィ匕して樹脂層 6 3 3を形成する （第 3 8図 （A) 参照)。 このとき、 讀化性樹脂としては、 エポキシ、 フエノール、 ポリイミド、 トリァジンが好ま しい。 これにより、 凹部 7 3 4内のチップコンデンサ 6 2 0を固定すること力で きる。 樹脂層 6 3 3は、 熱膨張率がコア基板よりも小さいものを用いる。
それ以外にも熱可塑性樹脂などの樹脂を用いてもよい。 また、 樹脂中に熱膨脹 率を整合させるために、 フイラ一を含浸させてもよい。 そのフイラ一の例として は、 無機フイラ一、 セラミックフィラー、 金属フィラーなどがある。
( 4 ) さらに、 その上から後述するェポキシ系樹脂もしくはポリオレフィン系樹 脂を印刷機を用いて塗布し樹脂絶縁層 6 4 0を形成する （第 3 8図 （B) 参照)。 なお、 樹脂を塗布する代わりに、 樹脂フィルムを貼り付けてもよい。
それ以外には、 熱硬化性樹脂、 熱可塑性樹脂、 感光性樹脂熱硬化性樹脂と熱可 塑性樹脂の複合体、 感光性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体などの樹脂を 1種以上用 いることができる。 それらを 2層構成にしてもよい。
( 5 ) 次に、 レーザにより樹脂絶縁層 6 4 0に相対的に大きなバイァホール用開 口 6 3 9を形成する （第 3 8図 （C)参照)。 その後、 デスミア処理を行う。 レー ザの代わりに、 露光 ·現像処理を用いることもできる。 そして、 樹脂層 6 3 3に ドリルまたはレーザにより、 スル一ホール用の通孔 6 4 4を形成し、 加熱硬化す る （第 3 8図（D)参照)。場合によっては、酸あるいは酸化剤もしくは薬液によ る粗化処理、 プラズマ処理による粗化処理を施してもよい。 それによつて、 粗化 層の密着性が確保される。
(6) その後、 無電解銅めつきにより銅めつき膜 729を樹脂絶縁層 640の表 面に形成する （第 39図 （A)参照)。無電解めつきの代わりに、 N i及び Cuを 夕ーゲットにしたスパッタリングを行い、 N i一 Cu金属層を形成してもよい。 また、 場合によってはスパッ夕で形成した後に、 無電解めつき膜を形成させても よい。
(7) 次に、 銅めつき膜 729の表面に感光性ドライフィルムを貼り付け、 マス クを載置して、 露光 ·現像処理し、 所定パターンのレジスト 649を形成する。 そして、 電解めつき液にコア基板 630を浸潰し、 銅めつき膜 729を介して電 流を流し、レジスト 649非形成部に電解めつき 651を充填する（第 390(B) 参照)。
(8) ついで、 めっきレジスト 649を 5%NaOHで剥離除去した後、 そのめ つきレジスト 649下の銅めつき膜 729を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチ ング処理して溶解除去し、 銅めつき膜 729と電解銅めつき 651からなるフィ ルドバイァホール構造である相対的に大きなバイァホ一リレ 660及びスルーホー ル 656を形成する。 その大きなバイァホール径は、 100~600 zmの範囲 であること力 ましい。 特に、 125〜350 mであることが望ましい。 この 場合は、 165 mで形成させた。 スルーホールは、 250 mで形成させた。 そして、 基板 630の両面にエッチング液をスプレイで吹きつけ、 ノ'ィァホール 660の表面及びスル一ホール 656のランド表面とをエッチングすることによ り、 バイァホール 660及びスルーホール 656の全表面に粗化面 660 αを形 成する （第 39図 （C) 参照)。
(9) その後、 スルーホール 656内にエポキシ系樹脂を主成分とする樹脂充填 剤 664を充填して、 乾燥する （第 39図 （D) 参照)。
(10) 上記工程を経た基板 630の両面に、 厚さ 50 mの熱硬化型エポキシ 系樹脂シートを温度 50〜150でまで昇温しながら圧力 5kgZcm2で真空圧着 ラミネートし、 エポキシ系樹脂からなる層間樹脂絶縁層 740を設ける （第 40 図 （A)参照)。真空圧着時の真空度は、 1 OmmHgである。 エポキシ系樹脂の 代わりにシクロォレフイン系樹脂を用いることもできる。 (11) 次に、 C〇2ガスレーザにて、 層間樹脂絶縁層 740に 65 /zmの相対 的に小さなバイァホール用開口 642を設ける （第 40図（B)参照)。相対的に 小さなバイァホール径は、 25〜100 mの範囲であることが望ましい。 この 後、 酸素プラズマを用いてデスミア処理を行う。
(12) 次に、 日本真空技術株式会社製の SV— 4540を用いてプラズマ処理 を行い、 層間樹脂絶縁層 740の表面を粗化し、 粗化面 646を形成する （第 4 0図 （C)参照)。 この際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力 20 0W、ガス圧 0. 6 P a、温度 70°Cの条件で、 2分間プラズマ処理を実施する。 酸あるいは酸化剤によって粗化処理を施してもよい。 また、 粗化層は、 0. 1〜 5 mが望ましい。
(13) 次に、 同じ装置を用い、 内部のアルゴンガスを交換した後、 N i及び C uをターゲットにしたスパッタリングを、 気圧 0. 6 P a、 温度 80 、 電力 2 00 W、 時間 5分間の条件で行い、 i _ C u金属層 648を眉間樹脂絶縁層 7 40の表面に形成する。 このとき、 形成された N i— Cu金属層 648の厚さは 0. である （第 40図 （D)参照)。 無電解めつきなどのめつき膜、 あるい はスパッ夕上にめっき膜を施してもよい。
(14) 上記処理を終えた基板 630の両面に、 市販の感光性ドライフィルムを 貼り付け、 フォトマスクフィルムを載置して、 10 OmJZcm2で露光した後、 0. 8%炭酸ナトリウムで現像処理し、 厚さ 15 mのめつきレジスト 650を 設ける。 次に、 以下の条件で電解めつきを施して、 厚さ 15 mの電解めつき膜 652を形成する（第 41図（A)参照)。なお、電解めつき水溶液中の添加剤は、 アトテックジャパン社製のカパラシド H Lである。
〔電解めつき水溶液〕
硫酸 2. 24 mo 1 / 1
硫酸銅 0. 26 mo 1 1
添加剤 （アトテックジャパン製、 カパラシド HL)
19. 5 m 1 / 1
〔電解めつき条件〕
1 A/dm 2 時間 6 5分
温度 2 2 ± 2 °C
( 1 5 ) めっきレジスト 6 5 0を 5 %N a〇Hで剥離除去した後、 そのめつきレ ジスト下の N i— C u金属層 6 4 8を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を用 いるエッチングにて溶解除去し、 N i—C u金属層 6 4 8と電解めつき膜 6 5 2 からなる導体回路 7 5 8およびバイァホール 6 6 0上に接続した複数個の相対的 に小さなバイァホール 7 6 0を形成する（第 4 1図（B)参照)。本実施形態では、 バイァホール 6 6 0をフィルドバイァホール構造にすることにより、 バイァホ一 ル 6 6 0に複数個のバイァホール 7 6 0を直接接続することが可能となる。 以降の工程は、 上述した第 1実施形態の （1 6 ) 〜 （1 9 ) と同様であるため 説明を省略する。
次に、 上述した工程で完成したプリント配線板 6 1 0 (第 4 2図参照） への I Cチップの載置および、 ドー夕ボードへの取り付けについて、 第 4 3図を参照し て説明する。 完成したプリント配線板 6 1 0の半田バンプ 6 7 6 Uに I Cチップ 6 9 0の半田パッド 6 9 2が対応するように、 I Cチップ 6 9 0を載置し、 リフ ローを行うことで I Cチップ 6 9 0の取り付けを行う。 同様に、 プリント配線板 6 1 0の半田バンプ 6 7 6 Dにドー夕ボ一ド 6 9 5のパッド 6 9 4が対応するよ うに、 リフローすることで、 ドー夕ボード 6 9 5ヘプリント配線板 6 1 0を取り 付ける。
上述したエポキシ系樹脂には、 難溶性樹脂、 可溶性粒子、 硬化剤、 その他の成 分が含有されている。 それぞれについては、 第 1実施形態と同様であるため、 説 明を省略する。
(第 4実施形態の第 1改変例）
引き続き、 本発明の第 4実施形態の第 1改変例に係るプリント配線板 6 1 2に ついて、 第 5 2図を参照して説明する。 上述した第 4実施形態では、 B GAを配 設した場合で説明した。 第 4実施形態の第 1改変例では、 第 4実施形態とほぼ同 様であるが、 第 5 2図に示すように導電性接続ピン 6 9 6を介して接続を取る P GA方式に構成されている。
続いて、 第 3 2図を参照して上述したプリント配線板の製造方法について、 第 4 5図〜第 5 2図を参照して説明する。
( 1 ) 先ず、 エポキシ樹脂を含浸させた接着用樹脂層 6 3 8を 4枚積層してなる 積層板 7 3 0 αに、 チップコンデンサ収容用の通孔 7 3 3 aを形成する。 また、 その一方で、 接着用樹脂層 6 3 8を 2枚積層してなる積層板 7 3 0 i3を用意する (第 4 5図 （A)参照)。 ここで、 接着用樹脂層 6 3 8としては、 エポキシ以外に も、 B T、 フエノール樹脂、 あるいはガラスクロスなどの補強材を含有したもの を用い得る。
( 2 ) 次に、 積層板 7 3 0ひと積層板 7 3 0 i3とを圧着し、 加熱して硬化させる ことで、 複数個のチップコンデンサ 6 2 0を収容可能な凹部 7 3 5を備えた、 コ ァ基板 6 3 0を形成する （第 4 5図 （B) 参照)。
( 3 )そして、 凹部 7 3 5のコンデンサ配設位置にポッテング（ディスペンサー） を用いて接着材料 6 3 6を塗布する （第 4 5図 （C) 参照)。 あるいは、 印刷、 ダ ィボンディグ、 接着シートを貼り付けるなどの方法によって凹部に接着材料を塗 ることができる。 その後、 凹部 7 3 5内にセラミックから成る複数個のチップコ ンデンサ 6 2 0を接着材料 6 3 6を介して収容する （第 4 5図 （D) 参照)。
(4) その後、 凹部 7 3 5内のチップユンデンサ 6 2 0間に、 化性樹脂を充 填し、 加鞭化して樹脂層 6 3 3を形成する （第 4 6図 （A) 参照)。 このとき、 齊鞭ィ匕性樹脂としては、 エポキシ、 フエノール、 ポリイミド、 トリァジンが好ま しい。 これにより、 凹部 7 3 5内のチップコンデンサ 6 2 0を固定することがで きる。
( 5 ) さらに、 その上から前述したエポキシ系もしくはポリオレフイン系からな る樹脂を印刷機を用いて塗布し樹脂絶縁層 6 4 0を形成する （第 4 6図 （B) 参 照)。 なお、 樹脂を塗布する代わりに、 樹脂フィルムを貼り付けてもよい。
( 6 ) 次に、 露光 ·現像処理又はレーザにより樹脂絶縁層 6 4 0に相対的に大き なバイァホール用開口 6 3 9を形成する （第 4 6図（C)参照)。その大きなバイ ァホール径は、 1 0 0〜6 0 0 zzmの範囲であることが望ましい。 特に、 1 2 5 〜3 5 0 mであることが望ましい。 この場合は、 1 6 5 mで形成させた。 そ して、 樹脂層 6 3 3にドリルまたはレーザにより、 2 5 0 径のスルーホール 用の通孔 6 4 4を形成し、 加熱硬化する （第 4 6図 （D) 参照)。 (7) そして、 基板 630にパラジウム触媒を付与してから、 無電解めつき液に コア基板を浸潰し、 均一に無電解めつき膜 745を析出させる （第 47図 （A) 参照)。 ,
その後、 無電解めつき膜 745を形成した開口 639の内部に樹脂充填剤を充填 し、 乾燥する。 これにより、 開口 639の内部に樹脂層 747を形成する （第 4 7図 （B) 参照)。
( 8 )その後、無電解めつき膜 745の表面に感光性ドライフィルムを貼り付け、 マスクを載置して、 露光'現像処理し、 所定パターンのレジスト 649を形成す る。 そして、 無電解めつき液にコア基板 630を浸漬し、 無電解めつき膜から成 る蓋めつき 751を形成する （第 47図 （C) 参照)。
(9) 上記工程の後、 レジスト 649を 5%の Na〇Hで剥離した後、 レジスト 649下の無電解めつき膜 745を硫酸と過酸化水素混合液でエッチングをして 除去し、 フィルドバイァホール構造である相対的に大きなバイァホール 661及 びスルーホール 656を形成する （第 47図（D)参照)。バイァホール 661を フィルドバイァホール構造にすることにより、 後述する工程で 1のバイァホール 661に複数個のバイァホール 760を直接接続することが可能となる。
(10) そして、 基板 630を水洗、 酸性脱脂した後、 ソフトエッチングし、 次 いで、 エッチング液を基板 630の両面にスプレイで吹きつけて、 バイァホール 661の表面とスルーホール 656のランド表面と内壁とをエッチングして、 ィァホール 661及びスルーホール 656の全表面に粗化面 663を形成する (第 48図 （A)参照)。 エッチング液としては、 イミダゾール銅（I I) 錯体 1 0重量部、 グリコール酸 7重量部、 塩化カリウム 5重量部からなるエッチング液 (メック社製、 メッグエッチボンド） を使用する。
(11)次に、 ビスフエノール F型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量： 310、 YL983U) 100重量部、 表面にシランカツプリング剤がコ一ティ ングされた平均粒径が 1.6 mで、最大粒子の直径が 15 m以下の S i〇2球 状粒子 （アドテック社製、 CRS 1101 -CE) 170重量部およびレペリ ング剤 （サンノプコ社製 ペレノール S 4) 1. 5重量部を容器にとり、 攪拌混 合することにより、 その粘度が 23土 1°Cで 45〜49Pa · sの樹脂充填剤 6 64を調製する。 なお、 硬ィ匕剤として、 イミダゾール硬化剤 （四国化成社製、 2 E4MZ-CN) 6. 5重量部を用いた。
その後、 スル一ホール 656内に樹脂充填剤 664を充填して、 乾燥する （第 48図 （B) 参照）。
(12) 次に、 ビスフエノール A型エポキシ樹脂 （エポキシ当量 469, 油化シ エルエポキシ社製ェピコート 1001) 30重量部、 クレゾ一ルノポラック型ェ ポキシ樹脂 （エポキシ当量 215, 大日本インキ化学工業社製 ェピクロン N— 673) 40重量部、 トリアジン構造含有フエノールノポラック樹脂 （フエノー ル性水酸基当量 120, 大日本インキ化学工業社製 フエノライト KA— 705 2) 30童量部をェチルジグリコールアセテート 20重量部、 ソルベントナフサ 20重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、 そこへ末端エポキシ化ポリブタジエン ゴム （ナガセ化成工業社製 デナレックス R— 45 E P T) 15重量部と 2—フ ェニル—4、 5—ビス （ヒドロキシメチル） イミダゾール粉砕品 1. 5重量部、 微粉砕シリカ 2重量部、 シリコン系消泡剤 0. 5重量部を添カ卩しエポキシ樹脂組 成物を調製する。
得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ 38 mの P ETフィルム上に乾燥後の厚 さが 50 mとなるように口一ルコ一ターを用いて塗布した後、 80〜12 O : で 10分間乾燥させることにより、 層間棚旨 禄層用棚旨フィルムを作製する。
(13)基板の両面に、 （12)で作製した基板 630より少し大きめの層間樹脂 絶縁層用樹脂フィルムを基板 630上に載置し、 圧力 4kg fZcm2、 温度 8
0 、 圧着時間 10秒の条件で仮圧着して裁断した後、 さらに、 以下の方法によ り真空ラミネ一夕一装置を用いて貼り付けることにより層間樹脂絶縁層 740を 形成する （第 48図 （C) 参照)。 すなわち、 層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基 板 630上に、 真空度 0. 5To r r、 圧力 4kg f/cm^ 、 温度 8 O ：、 圧 着時間 60秒の条件で本圧着し、 その後、 170°Cで 30分間^ィヒさせる。.
(14) 次に、 層間樹脂糸 緣層 740上に、 厚さ 1. 2 mmの貫通孔 757 &カ 形成されたマスク 757を介して、 C02ガスレーザで層間樹脂絶縁層 740に、 65 mの相対的に小さなバイァホール用開口 642を形成する（第 48図（D) 参照)。相対的に小さなバイァホール径は、 25〜100 mの範囲であることが 望ましい。
(15) バイァホール用開口 642を形成した基板 630を、 60 gZ 1の過マ ンガン酸を含む 80での溶液に 10分間浸漬し、 層間樹脂絶縁層 740の表面に 存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、 バイァホール用開口 64 2の内壁を含む層間樹脂絶縁層 740の表面を粗ィ匕面 646とする （第 49図
(A)参照)。酸あるいは酸化剤によって粗化処理を施してもよい。 また、 粗ィ匕層 は、 0. 1〜5 ΠΊが望ましい。
(16) 次に、 上記処理を終えた基板 630を、 中和溶液 （シプレイ社製） に浸 漬してから水洗いする。 さらに、 粗面化処理 （粗化深さ 3 //m) した該基板 63 0の表面に、 パラジウム触媒を付与することにより、 層間樹脂絶縁層 740の表 面およびバイァホール用開口 642の内壁面に触媒核を付着させる。
(17) 次に、 以下の組成の無電解銅めつき水溶液中に基板 630を浸漬して、 粗化面 646全体に厚さ 0. 6〜3. 0 の無電解銅めつき膜 763を形成す る （第 49図 （B) 参照)。
〔無電解めつき水溶液〕
N i S04 0. 003 mo 1 /
酒石酸 0. 200 mo 1 /
硫酸銅 0. 030 mo 1 /
HCHO 0. 050 mo 1 /
NaOH 0. 100 mo 1 /
ひ、 -ビビリジル 40 mg/
ポリエチレングリコ一ル （PEG) 0. 10 g/
〔無電解めつき条件〕
35 の液温度で 40分
(18) 市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めつき膜 763に貼り付け、 マ スクを載置して、 100mJ/cm2で露光し、 0. 8%炭酸ナトリウム水溶液 で現像処理することにより、 厚さ 30 zmのめつきレジスト 650を設ける。 次 いで、 基板 630を 50°Cの水で洗浄して脱脂し、 25 の水で水洗後、 さらに 硫酸で洗浄してから、 以下の条件で電解めつきを施し、 厚さ 20 の電解銅め つき膜 652を形成する （第 49図 （C) 参照)。
〔電解めつき水溶液〕
硫酸 2. 24 mo 1 1
硫酸銅 0. 26 mo 1ノ1
添加剤 19. 5 ml/1
(アトテックジャパン社製、 カパラシド HL)
〔電解めつき条件〕
電流密度 1 A/dm2
時間 65 分
温度 22 ± 2 。C.
(19) めっきレジスト 650を 5%Na OHで剥離除去した後、 そのめつきレ ジスト 650下の無電解銅めつき膜 763を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチ ング処理して溶解除去し、 無電解銅めつき膜 763と電解銅めつき膜 652から なる厚さ 18 mの導体回路 758および相対的に小さなバイァホール 760を 形成する （第 49図 （D) 参照)。 その後、 （10.) と同様の処理を行い、 第二銅 錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって、 粗化面 662を形成する （第 50図 （A) 参照)。
(20) 続いて、 上記 （13) 〜 （19) の工程を繰り返すことにより、 さらに 上層の層間樹脂絶縁層 741及び導体回路 759およびバイァホール 764を形 成する （第 50図 （B) 参照)。
(21) 次に、 第 1実施形態と同様にソルダーレジスト組成物 （有機樹脂絶縁材 料） を得る。
(22)次に、多層配線基板の両面に、 (21)で調製じたソルダ一レジスト組成 物を 20 mの厚さで塗布する。 その後、 70 で 20分間、 70 で 30分間 の条件で乾燥処理を行った後、 ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された 厚さ 5mmのフォ卜マスクをソルダーレジスト組成物に密着させて 100 OmJ /c ^の紫外線で露光し、 DMTG溶液で現像処理し、 開口 671U、 671 Dを形成する。
そして、 さらに、 80°Cで 1時間、 100 で1時間、 120 で1時間、 1 5 0 で 3時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物を硬 化させ、 開口 6 7 1 U、 6 7 1 Dを有する、 厚さ 2 0 /mのソルダーレジスト層 6 7 0を形成する（第 5 1図（A)参照)。上記ソルダーレジスト組成物としては、 市販のソルダーレジスト組成物を使用することもできる。
( 2 3 ) 次に、 ソルダ一レジスト層 6 7 0を形成した基板を、 第 1実施形態と同 様の無電解ニッケルめっき液に浸潰して、 開口部 6 7 1 U、 6 7 1 Dに厚さ 5 n mのニッケルめっき層 6 7 2を形成する。 さらに、 その基板を第 1実施形態と同 様の無電解金めつき液に浸漬して、 ニッケルめっき層 6 7 2上に、 厚さ 0 . 0 3 ； mの金めつき層 6 7 4を形成する （第 5 1図 （B) 参照)。
( 2 4 ) この後、 基板の I Cチップを載置する面のソルダーレジスト層 6 7 0の 開口 6 7 1 Uにスズ—鉛を含有する半田ペーストを印刷する。 さらに、 他方の面 の開口部 6 7 1 D内に導電性接着剤 6 9 7として半田ペーストを印刷する。次に、 導電性接続ピン 6 9 6を適当なピン保持装置に取り付けて支持し、 導電性接続ピ ン 6 9 6の固定部 6 9 8を開口部 6 7 1 D内の導電性接着剤 6 9 7に当接させる。 そしてリフ口一を行い、導電性接続ピン 6 9 6を導電性接着剤 6 9 7に固定する。 また、 導電性接続ピン 6 9 6の取り付け方法としては、 導電性接着剤 6 9 7をボ —ル状等に形成したものを開口部 6 7 1 D内に入れる、 あるいは、 固定部 6 9 8 に導電性接着剤 6 9 7を接合させて導電性接続ピン 6 9 6を取り付け、 その後に リフローさせてもよい。
その後、 プリント配線板 6 1 2の開口 6 7 .1 U側の半田バンプ 6 7 6 Uに I C チップ 6 9 0の半田パッド 6 9 2が対応するように、 I Cチップ 6 9 0を載置し、 リフローを行うことで I Cチップ 6 9 0の取り付けを行う （第 5 3図参照)。
(第 4実施形態の第 2改変例）
弓 Iき続き、本発明の第 4実施形態の第 2改変例に係るプリント配線板について、 第 5 3図を参照して説明する。 第 4実施形態の第 2改変例のプリント配線板 6 1 4は、 上述した第 4実施形態とほぼ同様である。 但し、 この第 4実施形態の第 2 改変例のプリント配線板 6 1 4では、 コア基板 6 3 0に形成された凹部 7 3 6に 一個のチップコンデンサ 6 2 0が収容されている。 コア基板 6 3 0内にチップコ ンデンサ 6 2 0を配置するため、 I Cチップ 6 9 0とチップコンデンサ 6 2 0と 一 8ト の距離が短くなり、 ループィンダク夕ンスを低減することが可能となる。
(第 4実施形態の第 3改変例）
引き続き、第 4実施形態の第 3改変例に係るプリント配線板の構成について第 1 4図を参照して説明する。
この第 3改変例のプリント配線板の構成は、上述した第 1実施形態とほぼ同様で ある。但し、 コア基板 3 0への収容されるチップコンデンサ 2 0が異なる。第 1 4 図は、 チップコンデンサの平面図を示している。第 1 4図 （A) は、 多数個取り用 の裁断前のチップコンデンサを示し、 図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上 述した第 1実施形態のプリント配線板では、第 1 4図（B) に平面図を示すように チップコンデンサの側縁に第 1電極 2 1及び第 2電極 2 2を配設してある。第 1 4 図 （C) は、 第 3改変例の多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、 図中 で一点鎖線は、裁断線を示している。第 3改変例のプリント配線板では、第 1 4図 (D)に平面図を示すようにチップコンデンザの側縁の内側に第 1電極 2 1及び第 2電極 2 2を配設してある。
この第 3改変例のプリント配線板では、外縁の内側に電極の形成されたチップコ ンデンサ 2 0を用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。 弓 Iき続き、第 3改変例の第 1別例に係るプリント配線板第 1 5図を参照して説明 する。
第 1 5図は、第 1別例に係るプリント配線板のコア基板に収容されるチップコン デンサ 2 0の平面図を示している。上述した第 1実施形態では、複数個の小容量の チップコンデンサをコァ基板に収容したが、第 1別例では、大容量の大判のチップ コンデンサ 2 0をコア基板に収容してある。 ここで、 チップコンデンサ 2 0は、第 1電極 2 1と第 2電極 2 2と、誘電体 2 3と、第 1電極 2 1へ接続された第 1導電 膜 2 4と、第 2電極 2 2側に接続された第 2導電膜 2 5と、第 1導 4及び第 2導電膜 2 5へ接続されていないチップコンデンサの上下面の接続用の電極 2 7 とから成る。この電極 2 7を介して I Cチップ側とドー夕ボード側とが接続されて いる。
この第 1改変例のプリント配線板では、大判のチップコンデンサ 2 0を用いるた め、容量の大きなチップコンデンサを用いることができる。 また、大判のチップコ ンデンサ 2 0を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反り が発生することがない。
第 1 6図を参照して第 2別例に係るプリント配線板について説明する。第 1 6図 (A) は、 多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを示し、 図中で一点鎖線は、 通常の裁断線を示し、第 1 6図（B)は、チップコンデンサの平面図を示している。 第 1 6図（B) に示すように、 この第 2別例では、 多数個取り用のチップコンデン サを複数個 （図中の例では 3枚） 連結させて大判で用いている。
この第 2別例では、大判のチップコンデンサ 2 0を用いるため、容量の大きなチ ップコンデンサを用いることができる。また、大判のチップコンデンサ 2 0を用い るため、ヒートサイクルを繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがな い。
上述した実施形態では、チップコンデンサをプリント配線板に内蔵させたが、チ ップコンデンザの代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板状のコンデン サを用いることも可能である。
また、 上述した第 4実施形態では、 コア基板に収容されるチップコンデンサの みを備えていたが、 第 1実施形態の第 1別例と同様に、 表面及び Z又は裏面に大 容量のチップコンデンサが実装することもできる。
第 1 2図を参照して上述したように、 コア基板内、 即ち、 I Cチップの近傍に チップコンデンサ 2 0を、 また、 大容量 （及び相対的に大きなインダクタンス） のチップコンデンサを表面及び裏面に備えることで、 電圧変動を最小に押さえる ことができる。
ここで、 第 4実施形態のプリント配線板について、 コア基板内に埋め込んだチ ップコンデンサ 6 2 0のインダクタンスと、 プリント配線板の裏面 （ドー夕ポー ド側の面） に実装したチップコンデンサのインダク夕ンスとを測定した値を以下 に示す。
コンデンサ単体の場合
埋め込み形 1 3 7 pH 2 8 7 pH コンデンサを 8個並列に接続した場合
埋め込み形 6 OpH
裏面実装形 7 2pH 以上のように、 コンデンサを単体で用いても、 容量を増大させるため並列に接 続した場合にも、 チップコンデンサを内蔵することでィンダク夕ンスを低減でき る。
次に、 信頼性試験を行った結果について説明する。 ここでは、 第 4実施形態の プリント配線板において、 1個のチップコンデンサの静電容量の変化率を測定し た。
(測定周波数 100Hz) (測定周波数 1kHz)
Steam 168時間： 0.3% 0.4%
HAST 100時間： -0.9% -0.9%
TS lOOOcycles: 1.1% 1.3%
Steam試験は、 蒸気に当て湿度 1 0 0 %に保った。 また、 HA S T試験では、 相対湿度 1 0 0 %、 印加電圧 1 . 3 V、 温度 1 2 1 で 1 0 0時間放置した。 T S試験では、 一 1 2 5 で 3 0分、 5 5 で 3 0分放置する試験を 1 0 0 0回線 り返した。
上記信頼性試験において、 チップコンデンサを内蔵するプリント配線板におい ても、 既存のコンデンサ表面実装形と同等の信頼性が達成できていることが分か つた。 また、 上述したように、 T S試験において、 セラミックから成るコンデン ザと、 樹脂からなるコア基板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の違いから、 内部応 力が発生しても、 チップコンデンサの電極とバイァホールとの間に断線、 チップ コンデンザと層間樹脂絍緣層との間で剥離、 層間樹脂絶禄層にクラックが発生せ ず、 長期に渡り高い信頼性を達成できることが判明した。 第 4実施形態の構成では、 導体回路とコンデンサの間に、 第 4実施形態のバイ ァホールが形成されているので、 電源供給不足による動作の遅延をすることがな く、 所望の性能を保つことができ、 信頼性試験を行っても問題を弓 Iき起こさなか つた。
また、 該バィァホールにより、 層間絶縁層のバイァホールを形成しても、 位置 ずれを引き起こしても、 その許容範囲が広くなるために、 電気接続性が確保され る。

Claims

請 求 の 範 囲
I . コンデンサを収容するコア基板に、 層間樹脂纖層と導体回路とを交互に 積層してなるプリント配線板であって、
前記コンデンサを収容するコア基板が、 第 1の樹脂基板と、 コンデンサを収容 する開口を有する第 2の樹脂基板と、 第 3の樹脂基板とを、 接着板を介在させて 積層してなることを特徴とするプリント配線板。
2. . 前記接着板は、 心材に熱硬化性樹脂を含浸させてなることを特徴とする請 求項 1のプリント配線板。
3 . 前記第 1、 第 2、 第 3樹脂基板は、 心材に樹脂を含浸させてなることを特 徴とする請求項 1又は請求項 2のプリント配線板。
4. 前記コンデンサは、 複数個であることを特徴とする請求項 1〜請求項 3の いずれか 1に記載のプリント配線板。
5. 前記第 2の樹脂基板に導体回路が形成されていることを特徵とする請求項 1〜 4のいずれか 1に記載のプリン卜配線板の製造方法。
6 . 前記プリント配線板の表面にコンデンサを実装したことを特徵とする請求 項 1〜 5の内 1に記載のプリント配線板。
7 . 前記表面のチップコンデンサの静電容量は、 内層のチップコンデンサの静 電容量以上であることを特徴とする請求項 6に記載のプリント配線板。
8 . 前記表面のチップコンデンサのインダク夕ンスは、 内層のチップコンデン サのインダク夕ンス以上であることを特徴とする請求項 6に記載のプリント配線 板
9 - 前記コンデンザの電極に金属膜を形成したことを特徴とする請求項 1〜 8 のいずれか 1のプリント配線板。
1 0 . 前記コンデンサの電極に形成した金属膜は、 銅を主とするめつき膜であ ることを特徴とする請求項 9に記載のプリント配線板。
I I . 前記コンデンサの電極の被覆層の少なくとも一部を露出させて、 前記被 覆層から露出した電極に電気接続を取つたことをことを特徴とする請求項 1〜 8のプリント配線板。
1 2. 前記コンデンサとして、 外縁の内側に電極が形成されたチップコンデン サを用いたことを特徴とする請求項 1〜 1 1の内 1に記載のプリント配線板。
1 3. 前記コンデンサとして、 マトリクス状に電極を形成されたチップコンデ ンサを用いたことを特徴とする請求項 1〜 1 2の内 1に記載のプリント配線板
1 4. 前記コンデンサとして、 多数個取り用のチップコンデンサを複数個連結 させて用いたことを特徴とする請求項 1〜1 3の内 1に記載のプリント配線板。
1 5 . 前記第 1の樹脂基板と、前記コンデンザとは、絶縁性接着剤で接合され、 糸 禄性接着剤は、 前記第 1の樹脂基板よりも熱膨張率が小さいことを特徴とする 請求項 1に記載のプリント配線板。
1 6. 少なくとも以下 （a) 〜 （d) の工程を備えることを特徵とするプリン ト配線板の製造方法：
( a) 第 1の樹脂基板に、 導体パッド部を形成する工程；
( b) 前記第 1の樹脂基板の前記導体パッド部に、 導電性接着剤を介してコンデ ンサを接続する工程；
( c ) 第 3の樹脂基板と、 前記コンデンサを収容する開口を有する第 2の樹脂基 板と、 前記第 1の樹脂基板とを、 前記第 1の樹脂基板の前記コンデンサを前記第 2の樹脂基板の前記開口に収容させ、 且つ、 第 3の樹脂基板にて前記第 2の樹脂 基板の Ιϋ記開口を塞ぐように、 接着板を介在させて積層する工程；
( d) 前記第 1の樹脂基板、 前記第 2の樹脂基板、 及び、 前記第 3の樹脂基板を 加熱加圧してコア基板とする工程。
1 7 . コア基板上に、 棚旨絶縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板 であって、
前記コァ基板は、 導体回路を形成した複数枚の樹脂基板を貼り合わせてなり、 前記コア基板内に、 コンデンサが収容されていることを特徴とするプリント配 線板。
1 8. コア基板上に、 樹脂絶縁層と導体回路とを積層してなるプリント配線板 であって、
前記コア基板は、 導体回路を形成した複数枚の t脂基板を貼り合わせてなり、 前記コア基板内に形成された凹部中にコンデンサが収容されていることを特徵 とするプリント配線板。
1 9 . 前記複数枚の樹脂基板は、 接着板を介在させて貼り合わせてあることを 特徴とする請求項 1 7又は請求項 1 8のプリント配線板。
2 0 . 前記接着板は、 心材に熱硬化性樹脂を含浸させてなることを特徴とする 請求項 1 9のプリント配線板。
2 1 . 前記樹脂基板は、 心材に樹脂を含浸させてなることを特徴とする請求項 1 7〜請求項 2 0のいずれか 1に記載のプリント配線板。
2 2. 前記コンデンサは、 複数個であることを特徴とする請求項 1 7〜請求項 2 1のいずれか 1に記載のプリント配線板。
2 3. 前記プリント配線板の表面にコンデンサを実装したことを特徴とする請 求項 1 7〜請求項 2 1の内 1に記載のプリント配線板。
2 4. 前記表面のチップコンデンサの静電容量は、 内層のチップコンデンサの 静電容量以上であることを特徴とする請求項 2 3に記載のプリント配線板。
2 5 . 前記表面のチップコンデンサのインダク夕ンスは、 内層のチップコンデ ンサのインダク夕ンス以上であることを特徴とする請求項 2 3に記載のプリント 配線板。
2 6 . 前記コンデンサの電極に金属膜を形成し、 前記金属膜を形成させた電極 へめつきにより電気的接続を取ったことを特徴とする請求項 1 7〜請求項 2 5の いずれか 1のプリント配線板。
2 7 . 前記コンデンサの電極に形成した金属膜は、 銅を主とするめつき膜であ ることを特徴とする請求項 2 6に記載のプリント配線板。
2 8. 前記コンデンサの電極の被覆層の少なくとも一部を露出させて、 前記被 覆層から露出した電極にめっきにより電気接続を取ったことをことを特徴とす る請求項 1 7〜請求項 2 7のプリント配線板。
2 9. 前記コンデンサとして、 外縁の内側に電極が形成されたチップコンデン サを用いたことを特徴とする請求項 1 7〜請求項 2 8の内 1に記載のプリント 配線板。
3 0 . 前記コンデンサとして、 マトリクス状に電極を形成されたチップコンデ ンサを用いたことを特徴とする請求項 17〜請求項の内 29に記載のプリント 配線板
31. 前記コンデンサとして、 多数個取り用のチップコンデンサを複数個連結 させて用いたことを特徴とする請求項 17〜請求項 30の内 1に記載のプリン 卜配線板。
32. 前記コア基板にコンデンサは絶縁性接着剤により接合され、 絶縁性接着 剤は、 前記コア基板よりも熱膨張率が小さいことを特徴とする請求項 17又は請 求項 18に記載のプリント配線板。
33. 少なくとも以下 （a) 〜 （e) の工程を備えることを特徴とするプリン ト配線板の製造方法：
(a) 複数枚の樹脂基板に、 導体回路を形成する工程：
(b) 接着板を介して複数枚の前記樹脂基板を積層する工程；
(c) 前記樹脂基板同士を、 前記接着板を介して接着しコア基板とする工程；
(d) 前記コア基板に、 凹部を形成する工程；
(e) 前記凹部にコンデンサを収容する工程。
34. 少なくとも以下 （a) 〜 （e) の工程を備えることを特徴とするプリン ト配線板の製造方法：
(a) 通孔を備え、 表面に導体回路を配設した樹脂基板を形成する工程；
(b) 通孔を備えず、 表面に導体回路を配設した樹脂基板を形成する工程； (c) 前記通孔を備える樹脂基板と前記通孔を備えない樹脂基板とを接着板を介 して積層する工程；
(d) 前記樹脂基板同士を、 前記接着板を介して接着しコア基板とする工程；
(e) 前記通孔にコンデンサを収容する工程。
35. コンデンサを収容するコア基板に、 層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互 に積層してなるプリント配線板であって、
前記コンデンサを収容するコア基板が、 第 1の樹脂基板と、 コンデンサを収容 する開口を有する第 2の樹脂基板と、 第 3の樹脂基板とを、 接着板を介在させて 積層してなり、
前記コア基板の両面に、 前記コンデンサの端子と接続するバイァホールを配設 したことを特徴とするプリント配線板。
3 6. 前記接着板は、 心材に熱硬化性樹脂を含浸させてなることを特徵とする 請求項 3 5のプリント配線板。
3 7 . 前記第 1、 第 2、 第 3樹脂基板は、 心材に樹脂を含浸させてなることを 特徵とする請求項 3 5又は請求項 3 6のプリン卜配線板。
3 8. 前記コンデンサは、 複数個であることを特徴とする請求項 3 5〜請求項
3 7のいずれか 1に記載のプリント配線板。
3 9. 前記第 2の樹脂基板に導体回路力 S形成されていることを特徴とする請求 項 3 5〜請求項 3 8のいずれか 1に記載のプリン卜配線板の製造方法。
4 0. 前記プリント配線板の表面にコンデンサを実装したことを特徵とする請 求項 3 5〜請求項 3 9の内 1に記載のプリント配線板。
4 1 . 前記表面のチップコンデンサの静電容量は、 内層のチップコンデンサの 静電容量以上であることを特徴とする請求項 4 0に記載のプリント 2線板。
4 2. 前記表面のチップコンデンサのインダク夕ンスは、 内層のチップコンデ ンサのィンダク夕ンス以上であることを特徴とする請求項 4 0に記載のプリント 配線板。
4 3. 前記コンデンサの電極に金属膜を形成し、 前記金属膜を形成させた電極 へめつきにより電気的接続を取ったことを特徴とする請求項 3 5〜請求項 4 2の いずれか 1のプリント配線板。
4 4. 前記コンデンサの電極に形成した金属膜は、 銅を主とするめつき膜であ ることを特徴とする請求項 4 3に記載のプリン卜配線板。
4 5. 前記コンデンサの電極の被覆層の少なくとも一部を露出させて、 前記被 覆層から露出した電極にめっきにより電気接続を取ったことをことを特徴とす る請求項 3 5〜請求項 4 2のプリント配線板。
4 6 . 前記コンデンサとして、 外縁の内側に電極が形成されたチップコンデン サを用いたことを特徴とする請求項 3 5〜請求項 4 5の内 1に記載のプリント 配線板。
4 7 . 前記コンデンサとして、 マトリクス状に電極を形成されたチップコンデ ンサを用いたことを特徴とする請求項 3 5〜請求項 4 6の内 1に記載のプリン ト配線板
4 8. 前記コンデンサとして、 多数個取り用のチップコンデンサを複数個連結 させて用いたことを特徴とする請求項 3 5〜請求項 4 7の内 1に記載のプリン ト配線板。
4 9. 前記第 1の樹脂基板と、前記コンデンザとは、絶縁性接着剤で接合され、 緣性接着剤は、 前記第 1の樹脂基板よりも熱膨張率が小さいことを特徴とする 請求項 3 5に記載のプリント配線板。
5 0. 少なくとも以下 ( a ) 〜 （d ) の工程を備えることを特徵とするプリン ト配線板の製造方法：
( a ) 第 1の樹脂基板に接着材料を介してコンデンサを取り付ける工程；
(b) 第 3の樹脂基板と、 前記コンデンサを収容する開口を有する第 2の樹脂基 板と、 前記第 1の樹脂基板とを、 前記第 1の樹脂基板の前記コンデンサを前記第 2の樹脂基板の前記開口に収容させ、 且つ、 前記第 3の樹脂基板を前記第 2の樹 脂基板の前記開口を塞ぐように積層してコア基板とする工程；
( c ) レーザを照射して、 前記コア基板に前記コンデンサへ至るバイァホール用 開口を形成する工程；
( d ) 前記バイァホール用開口にバイァホールを形成する工程。
5 1 . 少なくとも以下 （a) 〜 （f ) の工程を備えることを特徴とするプリン ト配線板の製造方法：
( a)第 1の樹脂基板の片面の金属膜にバイァホール形成用開口を形成する工程；
( b) 前記第 1の樹脂基板の金属膜非形成面に、 接着材料を介してコンデンサを 取り付ける工程；
( c ) 第 3の樹脂基板と、 前記コンデンサを収容する開口を有する第 2の樹脂基 板と、 前記第 1の樹脂基板とを、 前記第 1の樹脂基板の前記コンデンサを前記第
2の樹脂基板の前記開口に収容させ、 且つ、 前記第 3の樹脂基板を前記第 2の樹 脂基板の前記開口を塞ぐように、 接着板を介在させて積層する工程；
(d) 前記第 1の樹脂基板、 前記第 2の樹脂基板、 及び、 前記第 3の樹脂基板を 加熱加圧してコア基板とする工程； ( e ) 前記第 1の樹脂基板の前記金属膜に形成された前記バイァホール形成用開 口にレーザを照射して、 前記コンデンザへ至るバイァホール用開口を形成するェ 程；
( f ) 前記バイァホール用開口に、 バイァホールを形成する工程。
5 2. 少なくとも以下 ( a ) 〜 （f ) の工程を備えることを特徴とするプリン ト配線板の製造方法：
( a) 片面に金属膜を貼り付けた第 1の樹脂基板および第 3の樹脂基板の、 金属 膜にバイァホール形成用開口を形成する工程；
( b) 前記第 1の樹脂基板の金属膜非形成面に、 接着材料を介してコンデンサを 取り付ける工程；
( c ) 前記第 3の樹脂基板と、 前記コンデンサを収容する開口を有する第 2の樹 脂基板と、 前記第 1の樹脂基板とを、 前記第 1の樹脂基板の前記コンデンサを前 記第 2の樹脂基板の前記開口に収容させ、 且つ、 前記第 3の樹脂基板を前記第 2 の樹脂基板の前記開口を塞ぐように、 前記金属膜非形成面に接着板を介在させて 積層する工程；
( d ) 前記第 1の樹脂基板、 前記第 2の樹脂基板、 及び、 前記第 3の樹脂基板を 加熱加圧してコア基板とする工程；
( e ) 前記第 1の樹脂基板および前記第 3の樹脂基板に形成された前記バイァホ —ル形成用開口にレーザを照射して、 前記コンデンサへ至るバイァホール用開口 を形成する工程；
( f ) 前記バイァホール用開口に、 バイァホールを形成する工程。
5 3.. 少なくとも以下 （a ) 〜 （g) の工程を備えることを特徴とするプリン 卜配線板の製造方法：
( a ) 片面に金属膜を貼り付けた第 1の棚旨基板および第 3の樹脂基板の、 金属 膜に通孔を形成する工程；
( b) 前記第 1の樹脂基板の金属膜非形成面に、 接着材料を介してコンデンサを 取り付ける工程；
( c ) 前記第 3の樹脂基板と、 前記コンデンサを収容する開口を有する第 2の樹 脂基板と、 前記第 1の棚旨基板とを、 前記第 1の棚旨基板の前記コンデンサを前 記第 2の樹脂基板の前記開口に収容させ、 且つ、 前記第 3の樹脂基板を前記第 2 の樹脂基板の前記開口を塞ぐように、 前記金属膜非形成面に接着板を介在させて 積層する工程；
(d ) 前記第 1の樹脂基板、 前記第 2の樹脂基板、 及び、 前記第 3の樹脂基板を 加熱加圧してコア基板とする工程；
( e ) 前記第 1の樹脂基板および前記第 3の樹脂基板に形成された前記通孔にレ —ザを照射して、 前記コア基板の両面にコンデンサへ至るバイァホ一ル用開口を 形成する工程；
( f ) 前記金属膜を除去、 又は、 薄くする工程；
( g) 前記コア基板に、 導体回路およびバイァホールを形成する工程。
5 4. コア基板に樹脂絶縁層と導体回路を積層してなるプリント配線板であつ て、 '
前記コア基板にコンデンサを内蔵させ、 前記コンデンサの電極と接続する相対 的に大きな下層バイァホールを形成し、
前記コア基板の上面の層間樹脂絶縁層に、 1の前記下層バイァホールと接続さ れた複数個の相対的に小さな上層バイァホールを配設したことを特徵とするプリ ント配線板。
5 5. 前記下層バイァホールは、 めっきが充填されてなる表面が平坦なフィル ドバイァホールであることを特徴とする請求項 5 4に記載のプリント配線板。
5 6. 前記下層バイァホールは、 内部に樹脂が充填されて表面に金属膜が形成 されてなるフィルドバイァホールであることを特徴とする請求項 5 4に記載のプ リント配線板。
5 7. 前記コンデンサは、 前記コア基板に形成された凹部の中に 1個収容され ていることを特徴とする請求項 5 4に記載のプリン卜配線板。
5 8. 前記コンデンサは、 前記コア基板に形成された凹部の中に複数個収容さ れていることを特徴とする請求項 5 4に記載のプリント配線板。
5 9. 前記コンデンサの電極に金属膜を形成し、 前記金属膜を形成させた電極 へめつきにより電気的接続を取つたことを特徴とする請求項 5 4のプリント配線 板。
60. 前記チップコンデンサの電極に形成した金属膜は、 銅を主とするめつき 膜であることを特徴とする請求項 59に記載のプリント配線板。
61. 前記コンデンサの電極の被覆層の少なくとも一部を露出させて、 前記被 覆層から露出した電極にめっきにより電気接続を取ったことをことを特徴とす る請求項 54〜請求項 58のプリント配線板。
62. 前記コンデンサとして、 外縁の内側に電極が形成されたチップコンデン サを用いたことを特徴とする請求項 54〜請求項 61の内 1に記載のプリント 配線板。
63. 前記コンデンサとして、 マトリクス状に電極を形成されたチップコンデ ンサを用いたことを特徴とする請求項 54〜請求項 62の内 1に記載のプリン 卜配線板
64. 前記コンデンサとして、 多数個取り用のチップコンデンサを複数個連結 させて用いたことを特徴とする請求項 54〜請求項 63の内 1に記載のプリン ト配線板。
65. 前記コア基板とコンデンサとの間に、 コア基板よりも熱膨張率の小さい 樹脂を充填したことを特徴とする請求項 54に記載のプリン卜配線板。
66. 少なくとも以下 （a) 〜 （e) の工程を備えることを特徴とするプリン ト配線板の製造方法：
(a) コア基板に、 コンデンサを内蔵する工程；
(b) 前記コンデンサの上面に樹脂絶縁層を形成する工程；
(c) 前記樹脂絶縁層に、 前記コンデンサの電極と接続する相対的に大きな下層 バイァホールを形成する工程；
(d) 前記コア基板の上面に、 層間樹脂絶縁層を形成する工程；
(e) 前記層間樹脂絶縁層に、 1の前記下層バイァホールと接続された複数個の 相対的に小さな上層バイァホールを配設する工程。
67. 前記 (a) 工程の前に、 前記コア基板に凹部を形成し、 前記凹部の中に 前記コンデンサを 1個収容する工程を備えることを特徴とする請求項 66に記載 のプリント配線板の製造方法。
6 8. 前記 （a) 工程の前に、 前記コア基板に凹部を形成し、 前記凹部の中に 前記コンデンサを複数個収容する工程を備えることを特徴とする請求項 6 6に記 載のプリント配線板の製造方法。
6 9. 前記 （a) 工程の前に、 樹脂板に通孔を形成し、 前記通孔を形成した樹 脂板に、 樹脂板を貼り付けて、 凹部を有するコア基板を形成する工程を備えるこ とを特徴とする請求項 6 6に記載のプリント配線板の製造方法。
7 0. 前記下層バイァホールを形成する際に、 めっきを充填して表面の平坦な フィルドバイァホールを形成することを特徴とする請求項 6 6に記載のプリント 配線板の製造方法。
7 1 . 前記下層バイァホールを形成する際に、 内部に樹脂を充填した後、 表面 に金属膜が配設してなるフィルドバイァホールを形成することを特徵とする請求 項 6 6に記載のプリント配線板の製造方法。
7 2. 前記（a)工程の後に、前記凹部内の前記複数個のコンデンサの上面に、 上から圧力を加え、 前記コンデンザの上面の高さを揃える工程を備えることを特 徴とする請求項 6 8に記載のプリント配線板の製造方法。
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