WO1999066286A1 - Procede ellipsometrique et dispositif de commande de la fabrication d'un composant en couche mince - Google Patents

Procede ellipsometrique et dispositif de commande de la fabrication d'un composant en couche mince Download PDF

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WO1999066286A1
WO1999066286A1 PCT/FR1999/001394 FR9901394W WO9966286A1 WO 1999066286 A1 WO1999066286 A1 WO 1999066286A1 FR 9901394 W FR9901394 W FR 9901394W WO 9966286 A1 WO9966286 A1 WO 9966286A1
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Bernard Drevillon
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Centre National De La Recherche Scientifique
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/21—Polarisation-affecting properties
    • G01N21/211—Ellipsometry

Definitions

  • the present invention relates to a method and a device for controlling the production of a thin-film component.
  • This manufacture is preferably made from a gas dissociation.
  • the system is then generally characterized by the angles ⁇ and ⁇ which are connected to the ratios (R p / R s ) by the relation
  • EP-0.663.590 which relates to a modulated spectroscopic ellipsometer. They give satisfaction during measurements on isotropic layers having
  • R ps R sp are zero when the system is isotropic and at least one of them is not when it is anisotropic. Consequently, an anisotropic system is insufficiently characterized by the ratio R p / R s .
  • Mueller ellipsometry is known, which starts from the observation that the polarimetric state of a light flux is completely
  • u represented by a vector of dimension 4 called Stokes vector and that v w of the modifications, introduced by a system, are represented by a matrix, known as Mueller matrix, of dimension 4 x 4 therefore having 16 coefficients.
  • the Mueller matrix being generally represented as follows:
  • N cos (2 ⁇ )
  • S sin (2 ⁇ ) sin ⁇
  • C sin (2 ⁇ ) cos ⁇ .
  • a non-depolarizing system is one that does not change the rate of
  • u polarization p 1 which is defined for a Stokes vector by v w
  • a link is thus established between the parameters ⁇ and ⁇ used in the first category of simplified ellipsometric measurements presented above and the parameters of the Mueller matrix presented in this second category of measurement method.
  • the object of the invention is to propose a method and a device for controlling the manufacture of a thin layer component applicable in situations where conventional ellipsometric measurements are not possible.
  • the invention therefore relates to a method and control the manufacture of a thin film component device wherein: - one makes a ellipsometric measurement on the object represented by its Mueller matrix,
  • the production is checked in real time according to the ellipsometric measurement.
  • At least certain parameters are determined beforehand, linked to the Mueller matrix, adapted to the characterization of the manufacturing, and only these parameters are extracted from the ellipsometric measurement.
  • These parameters adapted to the characterization of the manufacturing are at least two different parameters of the ellipsometric angles ⁇ and ⁇ and of the trigonometric functions of these. Indeed, it has been imagined and verified that even when conventional ellipsometry is not applicable because the measurements of the angles ⁇ and ⁇ lead to inaccuracies and do not allow the control of a process for controlling the manufacture of a particular object, it remains possible to determine certain parameters related to the Mueller matrix, which can be used for the characterization of manufacturing.
  • the method of the invention has the following characteristics, each having their particular advantages and capable of being used in numerous technically possible combinations: - the manufacture is carried out by dissociation of gas and is controlled by a gas panel;
  • the object is anisotropic and / or depolarizing
  • the parameters adapted to the characterization of the manufacturing are a linear combination of the lines of the Mueller matrix;
  • the parameters adapted to the characterization of the manufacturing are a linear combination of the columns of the Mueller matrix;
  • the manufactured object is a semiconductor component
  • the gas panel controls gas flows; - the gases, the flow rates of which are controlled, are part of the set consisting of nitrogen N 2 , ammonia NH 3 , hydrogen H 2 , methane CH 4 , helium He, silane SiH, l 0 2 , nitrogen oxide N 2 0.
  • the invention also relates to an installation allowing the implementation of these different methods.
  • this installation comprises:
  • Figure 1 is a simplified representation of a manufacturing installation implementing the invention. It includes a plasma reactor, a gas injection system and a phase modulation ellipsometer;
  • FIG. 2 shows schematically an input arm usable in certain embodiments of the invention
  • FIG. 3 shows the embodiment of an input arm of Figure 2;
  • FIG. 4 shows an output arm usable in certain embodiments of the invention.
  • control is considered on an anisotropic system which does not introduce depolarization.
  • the effect of the sample is then represented by a Jones matrix of the form:
  • phase modulation ellipsometry can then be implemented.
  • a modulator generally photoelastic
  • phase shift ⁇ (t) is:
  • I I 0 + I c cos ⁇ (t) + I s sin ⁇ (t)
  • I s -2 tan ⁇ 'tan ⁇ sin ⁇ ' A and Mo respectively represent the orientations of the analyzer and of the modulator with respect to the incidence plane.
  • coefficients can be measured at one fixed wavelength or several.
  • the control is carried out in real time by comparing the trajectories of the parameters or combination of parameters measured with reference values previously recorded or simulated using theoretical models.
  • the measurement of the system can be carried out using a phase modulation ellipsometer represented in FIG. 1. It comprises a phase modulator (input arm) and a polarizer (output arm) .
  • a phase modulator input arm
  • a polarizer output arm
  • the control on a depolarizing system is considered. The representation of the system by a Jones matrix is then insufficient and it is necessary to have recourse to the Mueller matrix.
  • the ellipsometer comprises a generator of polarization state at the input and / or a polarimeter at the output.
  • the input arm of the ellipsometer is shown diagrammatically in FIG. 2. It comprises a linear polarizer 120 and a coupled modulator 106 comprising two phase modulators 121 and 122 and a coupling system 123 of the partial polarizer and phase shifter type.
  • the two phase modulators 121 and 122 have the same orientation and the coupling system 123 is interposed between them and transmits the incident beam 110 from the first phase modulator 121 to the second phase modulator 122.
  • the orientations of the different elements are The following.
  • the incident beam 110 having a direction and a direction of propagation and an incident plane being defined from this direction of propagation and from the sample 2, a reference mark is formed comprising a first axis x perpendicular to the direction of propagation and in the plane of incidence, a second axis y perpendicular to the plane of incidence and a third axis parallel to the direction propagation and oriented in the same direction, this reference being direct.
  • the polarizer 120 is then a perfect polarizer oriented along the y axis.
  • the two phase modulators 121 and 122 are identical and oriented in the xy plane in directions forming, respectively with the y axis, angles ⁇ l and ⁇ 2.
  • the angles ⁇ l and ⁇ 2 are advantageously identical and preferably equal to ⁇ / 4.
  • the coupling system 123 is oriented along the x axis.
  • the incident beam 110 is linearly polarized by the polarizer 120, then undergoes a coupled double modulation due to the phase modulators 121, 122 and the coupling system 123.
  • the coupling system 123 performs two functions: partial polarization ( imperfect polarizer) and a phase shift, which modulate the four components of the Stokes S vector.
  • a polarizer 120 such as that marketed under the name of "Glan Thomson polarizer” linearly polarizing the incident beam 110 and a coupled modulator 106 comprising a single modulator phase 121 and a coupling system 161 of the partial polarizer and phase shifter type operating in reflection.
  • the phase modulator 121 is interposed between the polarizer 120 and the coupling system 161, so that it produces a first modulation of the polarized incident beam 110 and sends it to the coupling system 161, the latter returning the incident beam 110 to the phase modulator 121 which produces a second modulation.
  • the coupled modulator 106 also comprises a mirror 162 disposed between the polarizer 120 and the modulator 121 which reflects the beam 11 1 modulated twice towards the sample.
  • the polarizer 120 is oriented along an axis y and the modulator 121 is oriented in a plane x-y along a direction forming an angle ⁇ 3 with the axis x, ⁇ 3 being equal to 45 °.
  • the coupling system 161 is in turn oriented along the x axis, so as to allow a return of the incident beam 110 parallel to the outward journey.
  • the mirror 162 advantageously returns the beam 111 along the axis y perpendicular to x.
  • the modulator 121 is advantageously an electro-optical modulator (Pockels cell). Such a modulator 121 allows an external phase shift control and authorizes a bandwidth exceeding 100 MHz.
  • the phase modulator 121 can also be a photoelastic modulator, a range of extended wavelengths and a large optical window is then obtained.
  • the light source emits laser beams 113, 114 at several wavelengths.
  • the ellipsometer then comprises a movable mirror 126 making it possible to select the desired wavelength.
  • the output arm shown in FIG. 4 advantageously comprises a beam splitter 130 separating the measurement beam into at least four secondary beams 116-119. It also includes polarization analyzers 136-139 giving each of these secondary beams 116-119, a separate polarization state and photodetectors 131-134 respectively detecting the intensities II to 14 of the secondary beams 116-119.
  • the secondary beams 116-119 being four in number
  • the associated polarization analyzers 136-139 are respectively nothing, a linear polarizer at 90 °, a linear polarizer at - 45 ° and the association of a quarter wave plate at 45 ° and a polarizer at 90 °.
  • This Mueller ellipsometer allows the control of the processes according to the invention.
  • many processes can be controlled with a simplified, so-called intermediate ellipsometric assembly.
  • We can thus, for example, use a modulator coupled in the input arm or a single phase modulator at input and a polarimeter at output, each of these configurations allowing the measurement of more than two coefficients linked to the Mueller matrix .
  • the proposed control method can be applied to other production processes using gases or metallorganic compounds (CVD: Chemical Vapor Deposition and MOCVD) or can be generalized to processes based on the use of sources or solid targets (sputtering, vacuum evaporation, molecular beam epitaxy ). In the latter case, the feedback from ellipsometric measurements is not performed on a gas management, but on other control parameters (currents, temperature, etc.).
  • CVD Chemical Vapor Deposition and MOCVD
  • the manufacturing installation comprises a plasma chamber 1 in which is placed the substrate 2 which is, for example, the original element of the semiconductor wafer to be manufactured.
  • This substrate is fixed on a support 3.
  • the pressure in the plasma chamber 1 is obtained by the effect of the pump 4, connected to the latter by the pipe 5.
  • the gas panel 6 feeds through the pipe 7, the plasma chamber 1. It is connected to gas supplies, respectively 61 of nitrogen N 2 , 62 of ammonia NH 3 , 63 of hydrogen H 2 , 64 of methane CH, 65 of helium He, 66 of silane SiH 4 , 67 in oxygen 0 2 or in nitrogen oxide N 2 0.
  • the inputs 62 to 65 are each connected to the pipe 7 via a flow meter 621, 631, 641, 651 and a valve 622, 632, 642, 652.
  • the silane supply 66 is connected to two flow meters 661 and 671 and two valves 662 and 672.
  • An outlet 8 to the sewers ensures the proper functioning of this gas panel.
  • the development of the layers on the substrate 2 in the plasma chamber 1 is controlled using an ellipsometer 9 composed of an emission head 91 and a reception assembly 92.
  • the emission head 91 comprises a source 911 connected to an optical fiber 912 to an assembly consisting of a polarizer 913 and a phase modulator 914.
  • the reception assembly 92 comprises a polarizer-analyzer 921 connected by an optical fiber 922 to a monochromator 923 followed by a photodetector 924.
  • the ellipsometer 9 is controlled by a processing unit 93 controlled by a computer 94.
  • the processing unit 93 controls the polarizer 913 and the modulator 914, respectively by the electrical connections 931 and 932, and receives the signal from the detector 924 by the electrical connection 934. Its connection with the computer 94 is ensured by the electrical connection 95.
  • the gas panel 6 is controlled by a processing unit 10 to which it is connected by the connections 11. This processing unit 10 also controls, via the link 12, the pump 4 and / or the power of the plasma generator. It is controlled by a microcomputer 13 which is itself connected to the microcomputer 94 by a link 14.
  • the ellipsometer 9 makes it possible to obtain through the processing unit 93 and the microcomputer 94 , the physical and chemical characteristics of the layer being deposited on the substrate 2. These information are compared with the characteristics of the product to be manufactured (and possibly their variation as a function of time) which have been previously stored in the computer. 94.
  • the processing unit 93 and the computer 94 are programmed so that the control of the properties of the layer deposited on the sample 2 can be carried out by a small number of parameters previously determined.

Abstract

La présente invention concerne un procédé de commande de la fabrication d'un objet contrôlée par un panneau de gaz, dans lequel: on fait une mesure ellipsométrique sur l'objet représenté par sa matrice de Mueller; on commande, à l'aide du panneau de gaz, la fabrication en fonction de la mesure ellipsométrique. Selon l'invention, on détermine préalablement certains paramètres de la matrice de Mueller, adaptés à la caractérisation de la fabrication, et que seuls ces paramètres sont extraits de la mesure ellipsométrique pendant la fabrication, lesdits paramètres étant deux paramètres différents des angles ellipsométriques γ et Δ et des fonctions trigonométriques de celle-ci. La présente invention concerne également une installation de fabrication d'un objet contrôlée par un panneau de gaz comportant un ellipsomètre permettant la réalisation d'une mesure sur l'objet qui est représenté par sa matrice de Mueller.

Description

PROCEDE ELLIPSOMETRIQUE ET DISPOSITIF DE COMMANDE DE LA FABRICAΗON D'UN COMPOSANT EN COUCHE MINCE
La présente invention concerne un procédé et un dispositif de commande de la fabrication d'un composant en couche mince. Cette fabrication est 5 préférentiellement faite à partir d'une dissociation de gaz.
On connaît de tels procédés et dispositifs qui sont utilisés en particulier pour la fabrication des composants semi-conducteurs. De nombreux composants semi-conducteurs impliquent le dépôt, sur un substrat, de couches, souvent nombreuses, dont la composition et l'épaisseur sont essentielles pour assurer la
10 qualité des produits fabriqués.
On a déjà proposé et mis en oeuvre des procédés de contrôle, en temps réel, au cours de leur fabrication, de ces couches par ellipsométrie. Jusqu'à présent, les mesures ellipsométriques mises en œuvre font appel à F ellipsométrie simplifiée, encore appelée classique, visent à mesurer les 15 « paramètres ψ et Δ » caractéristiques de l'échantillon. La surface de l'objet constitue un système, il est éclairé par un faisceau lumineux qui est réfléchi et l'état de polarisation du faisceau réfléchi (éventuellement transmis) est comparé à celui du faisceau incident. La variation du vecteur de polarisation est décrite à partir des coefficients de réflexion Rs et Rp, respectivement perpendiculaires et 20 parallèles au plan d* incidence (Rs et Rp sont des amplitudes complexes).
Le système est alors généralement caractérisé par les angles ψ et Δ qui sont reliés aux rapports (Rp/Rs) par la relation
tgψ.exp (iΔ) = (Rp/Rs)
25
Ces méthodes ellipsométriques classiques ont été régulièrement améliorées. On peut, en particulier, se référer au brevet européen
EP-0.663.590 qui a pour objet un ellipsomètre spectroscopique modulé. Elles donnent satisfaction lors de mesures sur des couches isotropes présentant des
30 interfaces planes.
Toutefois, dans de nombreux cas, il s'est avéré que ces mesures sont insuffisantes pour caractériser un procédé de fabrication. En particulier, quand le système est anisotrope. on peut constater des couplages entre les modes de polarisation. Cela provient de ce que, la matrice de Jones représentant les paramètres pris en ccoommppttee ggéι néralement en ellipsométrie classique étant de la forme :
Figure imgf000004_0001
Rps Rsp sont nuls lorsque le système est isotrope et l'un d'eux au moins ne l'est pas lorsqu'il est anisotrope. Dès lors, un système anisotrope est insuffisamment caractérisé par le rapport Rp/Rs.
On connaît plus généralement l' ellipsométrie de Mueller, qui part de la constatation que l'état polarimétrique d'un flux lumineux est complètement
u représenté par un vecteur de dimension 4 appelé vecteur de Stokes et que v w des modifications, introduites par un système, sont représentées par une matrice, dite matrice de Mueller, de dimension 4 x 4 ayant donc 16 coefficients.
Des procédés et appareils visant à la mesure des 16 coefficients de la matrice de Mueller permettent la caractérisation d'un système de manière générale. Toutefois, on comprend aisément que l'extraction de 16 paramètres lors de mesures ellipsométriques implique le recours à des dispositifs sophistiqués et à un traitement lourd des données, ce qui implique des dispositifs coûteux et des traitements souvent relativement lents. Jusqu'à présent, ces appareils, trop lents et trop lourds n'ont pas pu être utilisés pour le contrôle, en temps réel, de procédés de fabrication ou d'élaboration.
La matrice de Mueller étant représentée de manière générale de la façon suivante :
Figure imgf000004_0002
Il est connu que cette matrice dans le cadre d'un système simple, isotrope, se présente de la façon suivante (à une constante multiplicative près):
1 -N 0 0
-N 1 0 0
M
0 0 C S
0 o -s c
où N = cos (2ψ), S = sin (2ψ) sin Δ et C = sin (2ψ) cos Δ.
De même, dans le cas d'un système anisotrope non dépolarisant, il est également possible d'extraire les paramètres de la matrice de Jones à partir de ceux de la matrice de Mueller.
Un système non dépolarisant est un système qui ne modifie pas le taux de
u polarisation p = 1 qui est défini pour un vecteur de Stokes par v w
Vu2 + v2 + w2
P = I
Un lien est ainsi établi entre les paramètres ψ et Δ utilisés dans la première catégorie de mesures ellipsométriques simplifiées présentées plus haut et les paramètres de la matrice de Mueller présentés dans cette deuxième catégorie de méthode de mesures.
L'utilisation de la mesure cinétique des angles ellipsométriques ψ et Δ pour contrôler en temps réel un procédé d'élaboration est connue et par exemple décrite dans les brevets américains 5.277.747 du 11/01/94 et 5.131.752 du 21/07/92. Toutefois, cette méthode ne peut être utilisée en dehors du champ d'application de l' ellipsométrie conventionnelle qui est définie par l'absence de phénomènes de dépolarisation ou d'anisotropie au niveau de l'objet mesuré ou contrôlé. En particulier, il a été constaté que certains systèmes ne permettent pas la réalisation de mesures ellipsométriques significatives simplifiées, telles que celles correspondant à des systèmes isotropes présentant des interfaces planes, caractérisés simplement par les paramètres ψ et Δ.
Or, beaucoup de procédés d'élaboration de couches minces rendent inévitable la prise en compte de phénomènes de dépolarisation de la lumière, par exemple le dépôt de structures optiques sur des substrats transparents épais (verre, polymères) induisant des pertes de cohérence. Les circuits microélectroniques actuels présentent systématiquement des motifs anisotropes à l'échelle submicronique et induisent des phénomènes de diffraction (comparables à un réseau) et de dépolarisation (rugosités de surface de l'ordre de grandeur de la longueur d'onde).
L'extension des méthodes ellipsométriques conventionnelles au contrôle des procédés de gravure en micro-électronique a été tentée, de manière essentiellement empirique, sans tenir compte des phénomènes de diffraction et de dépolarisation (brevet européen 0.653.621 Al ; S. Vallon et al., J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1997, p. 865 ; H. L. MAYNARD et al, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 1997, p. 109). De telles méthodes, même si elles peuvent apparaître satisfaisantes dans des cas très particuliers, ne peuvent en aucun cas être généralisées. D'ailleurs, elles visent souvent à identifier une fin d'attaque au moyen d'une variation brutale des angles ellipsométriques (liée à l'apparition d'une couche sous-jacente). De telles signatures ne peuvent être généralisées à d'autres procédés de gravure. En particulier, de telles méthodes empiriques ne sont pas utilisables dans le cas de procédés de gravure homogène qui ne donnent pas lieu à V apparition de couches sous-jacentes. C'est par exemple le cas lors de la constitution de tranchées d'isolation entre transistors. Le but de l'invention est de proposer un procédé et un dispositif de commande de fabrication d'un composant en couche mince applicable dans des situations où les mesures ellipsométriques classiques ne sont pas possibles.
L'invention concerne donc un procédé et un dispositif de commande de la fabrication d'un composant en couche mince dans lequel : - on fait une mesure ellipsométrique sur l'objet représenté par sa matrice de Mueller,
- on contrôle en temps réel la fabrication en fonction de la mesure ellipsométrique.
Selon l'invention, on détermine préalablement certains paramètres au moins, liés à la matrice de Mueller, adaptés à la caractérisation de la fabrication, et seuls ces paramètres sont extraits de la mesure ellipsométrique. Ces paramètres adaptés à la caractérisation de la fabrication sont au moins deux paramètres différents des angles ellipsométriques ψ et Δ et des fonctions trigonométriques de ceux-ci. En effet, il a été imaginé et vérifié que même lorsque l' ellipsométrie classique n'est pas applicable car les mesures des angles ψ et Δ conduisent à des imprécisions et ne permettent pas le contrôle d'un procédé de commande de la fabrication d'un objet particulier, il reste possible de déterminer certains paramètres liés à la matrice de Mueller, utilisables pour la caractérisation de la fabrication.
A cet effet, selon l'invention, on peut utiliser l'ensemble des paramètres de la matrice de Mueller, pour contrôler la fabrication.
Dans d'autres cas, on étudiera tout d'abord le procédé de fabrication en mesurant l'ensemble des paramètres de la matrice de Mueller à l'aide d'un ellipsomètre de Mueller. L'examen des résultats ainsi obtenus permet d'extraire certains paramètres de cette matrice qui peuvent être soit directement des coefficients de celle-ci, soit des combinaisons de ces coefficients qui sont adaptées à la caractérisation de la fabrication, sont en nombre inférieur aux coefficients de la matrice elle-même, et sont plus facilement accessibles que l'ensemble de ces coefficients de la matrice de Mueller. Une fois, ces paramètres déterminés, eux seuls sont alors utilisés pour la caractérisation de la fabrication dans son utilisation courante.
La détermination de ces paramètres peut également résulter du savoir- faire des opérateurs, sans qu'il leur soit nécessaire de recourir à une mesure préalable de l'ensemble des coefficients de la matrice de Mueller.
Dans différents modes de réalisation préférés, le procédé de l'invention présente les caractéristiques suivantes ayant chacune leurs avantages particuliers et susceptibles d'être utilisées selon de nombreuses combinaisons techniquement possibles: - on fait la fabrication par dissociation de gaz et on la contrôle par un panneau de gaz;
- l'objet est anisotrope et/ou dépolarisant;
- les paramètres adaptés à la caractérisation de la fabrication sont une combinaison linéaire des lignes de la matrice de Mueller ; - les paramètres adaptés à la caractérisation de la fabrication sont une combinaison linéaire des colonnes de la matrice de Mueller ;
- l'objet fabriqué est un composant semi-conducteur ;
- on contrôle le dépôt d'une couche ; - on contrôle la gravure d'une couche ;
- on contrôle la composition de la couche ;
- on contrôle l'épaisseur de la couche ;
- le panneau de gaz alimente un réacteur à plasma ;
- le panneau de gaz contrôle des débits de gaz ; - les gaz dont les débits sont contrôlés, font partie de l'ensemble constitué par l'azote N2, l'ammoniaque NH3, l'hydrogène H2, le méthane CH4, l'hélium He, le silane SiH , l'oxygène 02, l'oxyde d'azote N20.
L'invention concerne également une installation permettant la mise en œuvre de ces différents procédés. De préférence, cette installation comporte :
- un modulateur couplé en entrée et/ou
- un polarimètre en sortie.
L'invention sera décrite ci-après plus en détail, en référence aux dessins dans lesquels : - la Figure 1 est une représentation simplifiée d'une installation de fabrication mettant en œuvre l'invention. Elle comprend un réacteur à plasma, un système d'injection de gaz et un ellipsomètre à modulation de phase ;
- la Figure 2 schématise un bras d'entrée utilisable dans certains modes de réalisation de l'invention ; - la Figure 3 montre la concrétisation d'un bras d'entrée de la Figure 2 ;
- la Figure 4 représente un bras de sortie utilisable dans certains modes de réalisation de l'invention.
Dans un premier mode de réalisation de l'invention, on considère le contrôle sur un système anisotrope n'introduisant pas de dépolarisation. L'effet de l'échantillon est alors représenté par une matrice de Jones de la forme :
Figure imgf000008_0001
L' ellipsométrie à modulation de phase classique peut alors être mise en œuvre. On sait que l'intensité mesurée, en présence d'un modulateur (généralement photoélastique) produisant un déphasage δ(t) est :
I = I0 + Ic cos δ(t) + Is sin δ(t)
avec δ(t) = a sin cot au 1er ordre
et que
^ = tan ΨeiΔ , ^ = tan ψ* eiΔ' , ^ = tanΨ"eiΔ"
Rs Rs Rs
on obtient alors :
avec A = 90°, M0 = 0°
I0 = 1 + tan2 ψ" Ic *-*- 2 tan ψ" cos Δ" Is = 2 tan ψ" sin Δ"
avec A = 90°, M0 = 90°
I0 = 1 + tan2 ψ"
Ic = -2 tan ψ" cos Δ"
Is = -2 tan ψ" sin Δ"
avec A = 0°, M0 = 0°
I0 = tan2 ψ + tan2 ψ'
Ic = 2 tan ψ' tan ψ cos Δ'
Is = 2 tan ψ' tan ψ sin Δ'
avec A = 0°, M0 = 90°
I0 = tan2 ψ + tan2 ψ'
Ic = -2 tan ψ' tan ψ cos Δ'
Is = -2 tan ψ' tan ψ sin Δ' A et Mo représentent respectivement les orientations de l'analyseur et du modulateur par rapport au plan d'incidence.
Ces coefficients peuvent être mesurés à une longueur d'onde fixe ou à plusieurs. Le contrôle s'effectue en temps réel en comparant les trajectoires des paramètres ou combinaison de paramètres mesurés à des valeurs de consigne préalablement enregistrées ou simulées à l'aide de modèles théoriques.
Dans ce premier mode de réalisation, la mesure du système peut être effectuée à partir d'un ellipsomètre à modulation de phase représenté sur la Figure 1. Il comprend un modulateur de phase (bras d'entrée) et un polariseur (bras de sortie). On propose, alors, de contrôler en temps réel un procédé d'élaboration de couches minces (dépôt ou gravure) à partir de la mesure cinétique de composants de la matrice de Mueller du système, ou de combinaisons ou fonctions de ces éléments. Il permet également de caractériser un milieu anisotrope non-dépolarisant selon la méthode décrite plus haut. Dans un deuxième mode de réalisation de l'invention, on considère le contrôle sur un système dépolarisant. La représentation du système par une matrice de Jones est alors insuffisante et il faut recourir à la matrice de Mueller.
Dans la mise en œuvre du deuxième mode de réalisation, à la différence d'un ellipsomètre à modulation de phase « conventionnel » comprenant un modulateur de phase simple en entrée et un analyseur en sortie, l' ellipsomètre comporte un générateur d'état de polarisation en entrée et/ou un polarimètre en sortie.
Le bras d'entrée de l' ellipsomètre est schématisé sur la Figure 2. Il comprend un polariseur linéaire 120 et un modulateur couplé 106 comportant deux modulateurs de phase 121 et 122 et un système de couplage 123 du type polariseur partiel et déphaseur. Les deux modulateurs de phase 121 et 122 ont une même orientation et le système de couplage 123 est interposé entre eux et transmet le faisceau incident 110 du premier modulateur de phase 121 vers le second modulateur de phase 122. Préférentiellement, les orientations des différents éléments sont les suivants. Le faisceau incident 110 ayant une direction et un sens de propagation et un plan incident étant défini à partir de cette direction de propagation et de l'échantillon 2, on forme un repère comportant un premier axe x perpendiculaire à la direction de propagation et dans le plan d'incidence, un deuxième axe y perpendiculaire au plan d'incidence et un troisième axe parallèle à la direction de propagation et orienté dans le même sens, ce repère étant direct. Le polariseur 120 est alors un polariseur parfait orienté selon l'axe y. Les deux modulateurs de phase 121 et 122 sont identiques et orientés dans le plan x-y selon des directions formant respectivement avec l'axe y, des angles αl et α2. Les angles αl et α2 sont avantageusement identiques et préférentiellement égaux à π/4. Le système de couplage 123 est orienté selon l'axe x.
En fonctionnement, le faisceau incident 110 est polarisé linéairement par le polariseur 120, puis subit une double modulation couplée du fait des modulateurs de phase 121, 122 et du système de couplage 123. Le système de couplage 123 assure deux fonctions : une polarisation partielle (polariseur imparfait) et un déphasage, qui modulent les quatre composantes du vecteur de Stokes S.
Selon une réalisation particulière de ce bras d'entrée, représentée sur la Figure 3, un polariseur 120 tel que celui commercialisé sous le nom de « polariseur de Glan Thomson » polarisant linéairement le faisceau incident 110 et un modulateur couplé 106 comportant un unique modulateur de phase 121 et un système de couplage 161 du type polariseur partiel et déphaseur fonctionnant en réflexion. Le modulateur de phase 121 est interposé entre le polariseur 120 et le système de couplage 161, de telle sorte qu'il produit une première modulation du faisceau incident 110 polarisé et l'envoie vers le système de couplage 161, ce dernier renvoyant le faisceau incident 110 vers le modulateur de phase 121 qui produit une seconde modulation. Le modulateur couplé 106 comprend également un miroir 162 disposé entre le polariseur 120 et le modulateur 121 qui réfléchit le faisceau 11 1 modulé deux fois vers l'échantillon. Ainsi, le polariseur 120 est orienté selon un axe y et le modulateur 121 est orienté dans un plan x-y selon une direction formant un angle α3 avec l'axe x, α3 étant égal à 45°. Le système de couplage 161 est quant à lui orienté selon l'axe x, de manière à permettre un retour du faisceau incident 110 parallèlement à l'aller. Le miroir 162 renvoie avantageusement le faisceau 111 selon l'axe y perpendiculaire à x.
Le modulateur 121 est avantageusement un modulateur électro-optique (cellule de Pockels). Un tel modulateur 121 permet une commande externe de déphasage et autorise une bande passante dépassant 100 MHz. Le modulateur de phase 121 peut également être un modulateur photoélastique, on obtient alors une gamine de longueurs d'onde étendue et une grande fenêtre optique.
Avantageusement, la source lumineuse émet des faisceaux laser 113, 114 à plusieurs longueurs d'onde. L' ellipsomètre comprend alors un miroir 126 mobile permettant de sélectionner la longueur d'onde désirée.
Le bras de sortie représenté à la Figure 4 comprend avantageusement un séparateur 130 de faisceaux séparant le faisceau de mesure en au moins quatre faisceaux secondaires 116-119. Il comprend également des analyseurs de polarisation 136-139 donnant à chacun de ces faisceaux secondaires 116-119, un état de polarisation distinct et des photodétecteurs 131-134 détectant respectivement les intensités II à 14 des faisceaux secondaires 116-119. A titre d'exemple, les faisceaux secondaires 116-119 étant au nombre de quatre, les analyseurs de polarisation 136-139 associés sont respectivement rien, un polariseur linéaire à 90°, un polariseur linéaire à - 45° et l'association d'une lame quart d'onde à 45° et d'un polariseur à 90°.
Cet ellipsomètre de Mueller permet le contrôle des procédés selon l'invention. Toutefois, comme cela a été indiqué plus haut, de nombreux procédés peuvent être contrôlés avec un montage ellipsométrique simplifié, dit intermédiaire. On peut ainsi, par exemple, utiliser un modulateur couplé dans le bras d'entrée ou encore un modulateur de phase unique en entrée et un polarimètre en sortie, chacune de ces configurations permettant la mesure de plus de deux coefficients liés à la matrice de Mueller.
On propose alors de contrôler en temps réel un procédé d'élaboration de couches minces (dépôt ou gravure) à partir de la mesure cinétique de combinaisons ou fonctions de ces éléments, autres que les deux angles ellipsométriques « conventionnels » ψ et Δ (ou de combinaisons ou fonctions trigonométriques de ceux-ci).
On peut ainsi, dans ce deuxième mode de réalisation, en utilisant des configurations intermédiaires, obtenir les mesures suivantes :
- avec seulement un modulateur couplé en entrée, c'est-à-dire en mesurant directement l'énergie du flux lumineux réfléchi par l'échantillon, on obtient les coefficients de la lere ligne de la matrice de Mueller M ;
- avec un modulateur couplé en entrée et un analyseur en sortie, on peut obtenir des combinaisons linéaires des lignes de la matrice de Mueller M, par exemple, la somme des deux premières lignes lorsque l'analyseur est orienté sous l'angle A = 0, et la somme de la première et de la troisième lorsque son orientation est A = 45° ;
- avec un modulateur simple en entrée et un polarimètre en sortie, on obtient des combinaisons linéaires des colonnes de la matrice de Mueller M dépendant de l'orientation du modulateur d'entrée.
Dans le deuxième mode de réalisation de l'invention, on peut aussi utiliser un ellipsomètre à modulation de phase classique qui peut permettre la mesure simultanée de deux éléments de la matrice de Mueller de la manière suivante : la mesure de la matrice de Mueller normalisée (m00 = 1, les 15 autres paramètres de la matrice sont inconnus) par ellipsométrie conventionnelle (on suppose partout que l'orientation du polariseur est P = 45°), on obtient :
1. Dans la configuration classique Polariseur-Modulateur-Echantillon- Analyseur (AMSP), on peut mesurer les trois premières lignes de la matrice (donc 12-1 = 11 paramètres), en combinant les orientations du modulateur M0 = 0° (ou M0 = 90°) avec les quatre orientations de l'analyseur (A = 0°, 90°, 45°, - 45°) d'une part, et M0 = 45° (ou - 45°) d'autre part. Cela fait donc 8 configurations de mesure au total (chaque configuration nous apporte deux grandeurs mesurées). 2. En inversant le sens de propagation de la lumière, ce qui correspond à de très nombreuses réalisations actuelles des ellipsomètres (Polariseur- Echantillon-Modulateur-Analyseur), on est dans la configuration ASMP dans laquelle on est capable de mesurer le transpose de la matrice M, c'est-à-dire les trois premières colonnes ( 11 éléments) par le même nombre de configurations de mesure (8). Cependant, si on a déjà fait les mesures dans L, il suffira de 4 configurations supplémentaires (et non plus huit), par exemple à M0 = 0° (ou 90°) pour compléter la matrice jusqu'à 14 éléments mesurés. En conclusion, on peut mesurer tous les éléments sauf un (14 au total) de la matrice M normalisée en passant par 12 configurations et en inversant une fois le sens du faisceau (bien sûr, si l'on pouvait mesurer la réflectivité en plus, on aurait pu ne pas normaliser la matrice et ainsi déterminer 15 des 16 éléments, mais il y aura toujours un élément manquant m33). La surdétermination des paramètres (24 grandeurs mesurées pour 14 éléments) peut être utilisée pour former des moyennes. Les procédés d'élaboration visés ici sont essentiellement le dépôt plasma de couches minces et de structures multicouches ou à gradients de composition (filtres optiques), ou bien la gravure (plasma) de composants microélectroniques. Plus généralement, la méthode de contrôle proposée peut s'appliquer à d'autres procédés d'élaboration utilisant des gaz ou des composés métallorganiques (CVD : Chemical Vapor Déposition et MOCVD) ou se généraliser à des procédés basés sur l'utilisation de sources ou cibles solides (pulvérisation cathodique, évaporation sous vide, épitaxie par jet moléculaire...). Dans ce dernier cas, la contre-réaction à partir des mesures ellipsométriques n'est pas effectuée sur une gestion de gaz, mais sur d'autres paramètres de contrôle (courants, température...).
L'installation de fabrication comprend une chambre à plasma 1 dans laquelle est placé le substrat 2 qui est, par exemple, l'élément d'origine de la plaquette de semi-conducteurs à fabriquer. Ce substrat est fixé sur un support 3. La pression dans la chambre à plasma 1 est obtenue par l'effet de la pompe 4, reliée à celle-ci par la canalisation 5. Le panneau de gaz 6 alimente par la canalisation 7, la chambre à plasma 1. Il est relié à des alimentations de gaz, respectivement 61 en azote N2, 62 en ammoniaque NH3, 63 en hydrogène H2, 64 en méthane CH , 65 en hélium He, 66 en silane SiH4, 67 en oxygène 02 ou en oxyde d'azote N20.
Les entrées 62 à 65 sont chacune reliées à la canalisation 7 par l'intermédiaire d'un débitmètre 621, 631, 641, 651 et d'une vanne 622, 632, 642, 652.
L'alimentation en silane 66 est reliée à deux débitmètres 661 et 671 et deux vannes 662 et 672.
Une évacuation 8 vers les égouts permet d'assurer le bon fonctionnement de ce panneau de gaz.
L'élaboration des couches sur le substrat 2 dans la chambre à plasma 1 est contrôlée à l'aide d'un ellipsomètre 9 composé d'une tête d'émission 91 et d'un ensemble de réception 92.
La tête d'émission 91 comporte une source 911 reliée à une fibre optique 912 à un ensemble constitué d'un polariseur 913 et d'un modulateur de phase 914. L'ensemble de réception 92 comporte un polariseur-analyseur 921 relié par une fibre optique 922 à un monochromateur 923 suivi d'un photodétecteur 924.
L' ellipsomètre 9 est contrôlé par une unité de traitement 93 commandée par un ordinateur 94.
L'unité de traitement 93 commande le polariseur 913 et le modulateur 914, respectivement par les liaisons électriques 931 et 932, et reçoit le signal du détecteur 924 par la liaison électrique 934. Sa liaison avec l'ordinateur 94 est assurée par la connexion électrique 95. Le panneau de gaz 6 est contrôlé par une unité de traitement 10 à laquelle elle est reliée par les connexions 11. Cette unité de traitement 10 commande également par l'intermédiaire de la liaison 12, la pompe 4 et/ou la puissance du générateur de plasma. Elle est commandée par un micro-ordinateur 13 qui est lui-même relié au micro-ordinateur 94 par une liaison 14. Ainsi, l' ellipsomètre 9 permet d'obtenir au travers de l'unité de traitement 93 et du micro-ordinateur 94, les caractéristiques physiques et chimiques de la couche en cours de dépôt sur le substrat 2. Ces infoπnations sont comparées aux caractéristiques du produit à fabriquer (et éventuellement à leur variation en fonction du temps) qui ont été préalablement mises en mémoire dans l'ordinateur 94.
Le résultat de cette comparaison commande par l'intermédiaire de la connexion 14, les instructions fournies par l'ordinateur 13 à l'unité de traitement 10 qui détermine la nature et la concentration des gaz introduits par le panneau de contrôle 6 dans la chambre à plasma 2. On réalise ainsi un contrôle complet du processus de fabrication et donc une optimisation des produits ainsi fabriqués.
Comme il a été indiqué plus haut, la mesure des paramètres ψ et Δ traditionnellement accessible par les mesures ellipsométriques simplifiées se révèle souvent insuffisante ou mal adaptée, de telle sorte qu'il a été souvent nécessaire de prévoir dans les dispositifs de l'art antérieur, sur le substrat 2, un emplacement spécialement destiné à des mesures de contrôle et perdu pour la fabrication.
L'unité de traitement 93 et l'ordinateur 94 sont programmés de telle sorte que le contrôle des propriétés de la couche déposée sur l'échantillon 2 puisse être réalisé par un petit nombre de paramètres préalablement déterminés.

Claims

REVENDICATIONS
1. Procédé de commande de la fabrication d'un objet dans lequel:
- on fait une mesure ellipsométrique sur l'objet représenté par sa matrice de Mueller, - on contrôle en temps réel la fabrication en fonction de la mesure ellipsométrique, caractérisé en ce qu'on détermine préalablement certains paramètres de la matrice de Mueller, adaptés à la caractérisation de la fabrication, et que seuls ces paramètres sont extraits de la mesure ellipsométrique pendant la fabrication, lesdits paramètres étant au moins deux paramètres différents des angles ellipsométriques ψ et Δ et des fonctions trigonométriques de ceux-ci.
2. Procédé de commande selon la revendication 1, caractérisé en ce que la fabrication est faite par dissociation de gaz et on la contrôle par un panneau de gaz.
3. Procédé de commande selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que ledit objet est anisotrope.
4. Procédé de commande selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ledit objet est dépolarisant.
5. Procédé de commande de la fabrication d'un objet selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que les paramètres adaptés à la caractérisation de la fabrication sont une combinaison linéaire des lignes de la matrice de Mueller.
6. Procédé de commande de la fabrication d'un objet selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que les paramètres adaptés à la caractérisation de la fabrication sont une combinaison linéaire des colonnes de la matrice de Mueller.
7. Procédé de commande de la fabrication d'un objet selon Lune quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que l'objet fabriqué est un composant semi-conducteur.
8. Procédé de commande de la fabrication d'un objet selon la revendication 7, caractérisé en ce que la mesure ellipsométrique caractérise une couche pendant son dépôt.
9. Procédé de commande de la fabrication d'un objet selon la revendication 7, caractérisé en ce que la mesure ellipsométrique caractérise une couche pendant sa gravure.
10. Procédé de commande de la fabrication d'un objet selon l'une des revendications 8 et 9, caractérisé en ce que la mesure ellipsométrique caractérise la composition de la couche.
11. Procédé de commande de la fabrication d'un objet selon l'une des revendications 8 et 9, caractérisé en ce que la mesure ellipsométrique caractérise l'épaisseur de la couche.
12. Procédé de commande de la fabrication d'un objet selon la revendication 2 et l'une quelconque des revendications 2 à 11, caractérisé en ce que le panneau de gaz alimente un réacteur à plasma. 13. Procédé de commande de la fabrication d'un objet selon la revendication 2 et l'une quelconque des revendications 2 à 11, caractérisé en ce que le panneau de gaz contrôle des débits de gaz.
14. Installation de fabrication d'un objet au moyen comportant un ellipsomètre permettant la réalisation d'une mesure sur l'objet qui est représenté par sa matrice de Mueller, caractérisée en ce que l' ellipsomètre mesure, en temps réel, des paramètres préalablement déterminés, adaptés à la caractérisation de la fabrication, lesdits paramètres étant au moins deux paramètres différents des angles ellipsométriques ψ et Δ et des fonctions trigonométriques de ceux-ci. 15. Installation de fabrication d'un objet selon la revendication 14, caractérisée en ce qu'elle est faite par dissociation de gaz.
16. Installation de fabrication d'un objet selon l'une des revendications 14 et 15, caractérisée en ce qu'il comporte un modulateur couplé en entrée.
17. Installation de fabrication d'un objet selon l'une des revendications 14 à 16, caractérisée en ce qu'il comporte un polarimètre en sortie.
18. Installation de fabrication d'un objet selon l'une quelconque des revendications 14 à 17, caractérisée en ce qu'il est adapté à la mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 13. REVENDICATIONS MODIFIEES
[reçues par le Bureau international le 03 novembre 1999 (03.11.99) revendications 1-18 remplacées par les nouvelles revendications 1-20 modifiées (3 pages)]
1 Procédé de onmrπande de la fabrication d'un objet anisotrope et/ou dépolarisant dans lequel:
• on fait une mesure ellipsométrique sur l'objet représenté 5 par sa matrice de Mueller,
• on contrôle en temps réel la fabrication en fonction de la mesure ellipsométrique, caractérisé en ce qu'on détermine préalablement certains paramètres de la matrice de Mueller, adaptés à la
10 caractérisation de la fabrication, et que seuls ces paramètres sont extraits de la mesure ellipsométrique pendant la fabrication , lesdits paramètres étant au moins deux paramètres différents des angles ellipsométriques ψ et Δ et des fonctions trigonométriques de ceux-ci
15 2. Procédé de commande de la fabrication d'un objet dans lequel:
• on fait une mesure ellipsométrique sur l'objet représenté par sa matrice de Mueller,
• on contrôle en temps réel la fabrication en fonction de la 20 mesure ellipsométrique,
• on mesure préalablement au moins trois coefficients liés à la matrice de Mueller,
• on détermine au moins deux paramètres constitués de combinaisons ou de fonctions desdits coefficients adaptes à
25 la caractérisation de la fabrication , lesdits paramètres étant autres que les angles ellipsométriques ^/ et Δ et que les fonctions trigonométriques de ceux-ci, et
• on extrait seulement lesdits paramètres de la mesure ellipsométrique pendant la fabrication.
30 3. Procédé de commande selon la revendication 2 , caractérisé en ce que ledit objet est anisotrope .
4. Procédé de commande selon l'une des revendications 2 ou 3, caractérisé en ce que ledit objet est dépolarisant.
5. Procédé de commande selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que ledit objet induit des phénomènes de diffraction.
6. Procédé de commande de la fabrication d'un objet selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les paramètres adaptés à la caractérisation de la fabrication sont une combinaison linéairu des lignes de la matrice de Mueller.
7. Procédé de commande de la fabrication d'un objet selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que les paramètres adaptés à la caractérisation de la fabrication sont une combinaison linéaire des colonnes de la matrice de Mueller.
8. Procédé de commande de la fabrication d'un objet selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que l'objet fabriqué est un composant semi-conducteur.
9. Procédé de commande de la fabrication d'un objet selon la revendication 8, caractérisé en ce que la mesure ellipsométrique caractérise une couche pendant son dépôt. 10. Procédé de commande de la fabrication d'un objet selon la revendication 8, caractérisé en ce que la mesure ellipsométrique caractérise une couche pendant sa gravure.
11. Procédé de commande de la fabrication d'un objet selon l'une des revendications 9 ou 10, caractérisé en ce que la mesure ellipsométrique caractérisé la composition de la couche.
12. Procédé de commande de la fabrication d'un objet selon l'une des revendications 9 ou 10, caractérisé en ce que la mesure ellipsométrique caractérise l'épaisseur de la couche.
13. Procédé de commande selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que la fabrication est faite par dissociation de gaz et on la contrôle par un panneau de gaz.
14. Procédé de commande de la fabrication d'un -objet selon la revendication 13, caractérisé en ce que le panneau de gaz alimente un réacteur à plasma.
15. Procédé de commande de la fabrication d'un objet selon l'une des revendications 13 ou 14, caractérisé en ce que le panneau de gaz contrôle des débits de gaz.
16. Installation de fabrication d'un objet anisotrope et/ou dépolarisant comportant un ellipsomètre permettant la réalisation d'une mesure sur l'objet qui est représenté par sa matrice de Mueller, caractérisé en ce que l ellipsomètre mesure, en temps réel, des paramètres préalablement déterminés, adaptés à la caractérisation de la fabrication, lesdits paramètres étant au moins deux paramètres différents des angles ellipsométriques */et Δ et des fonctions trigonométriques de ceux-ci.
17. Installation de fabrication d'un objet selon la revendication 16, caractérisée en ce qu'elle est faite par dissociation de gaz.
18. Installation de fabrication d'un objet selon l'une quelconque des revendications 16 et 17, caractérisé en ce qu'elle comporte un modulateur couplé en entrée.
19. Installation de fabrication d'un objet selon l'une quelconque des revendications 16 à 18, caractérisée en ce qu'elle comporte un polarimètre en sortie.
20. Installation de fabrication d'un objet selon l'une quelconque des revendications 16 à 19, caractérisée en ce qu'elle est adaptée à la mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 15.
DECLARATION SELON L'ARΗCLE 19
I Revendication 1 modifiée
Cette revendication diffère de l'ancienne revendication 1 en ce qu'il est spécifié que l'objet considéré est anisotrope et/ou dépolarisant Le procédé de commande ainsi modifié est supporté par l'ensemble de la description, et en particulier page 5, ligne 32.
Il Nouvelle revendication 2
Cette revendication spécifie le procédé utilisé, en distinguant trois étapes. Ainsi, le procédé de commande est caractérisé en ce que:
• on mesure préalablement au moins trois coefficients liés à la matrice de Mueller,
• on détermine au moins deux paramètres constitués de combinaisons de fonctions de ces coefficients, adaptés à la caractérisation de la fabrication, ces paramètres étant autres que les deux angles
ellipsométriques ψ et A et que les fonctions trigonométriques de ceux- ci, et
• on extrait seulement lesdits paramètres de la mesure ellipsométrique pendant la fabrication.
Cette revendication est supportée par l'ensemble de la description, et l'on renvoie en particulier aux passages suivants:
a) La technique de mesure préalable de coefficients liés à la matrice de Mueller, suivie de la détermination de paramètres adaptés à la caractérisation de la fabrication et de l'utilisation exclusive de ces paramètres pendant la fabrication, est exposée dans toute la description; on peut se référer notamment aux passages page 4, ligne 34 à page 5, ligne 5, page 5, lignes 13-22 et page 10, lignes 24-28.
b) Le fait qu'on mesure préalablement au moins trois coefficients liés à la matrice de Mueller apparaît explicitement page 10, lignes 20-23 (« plus de deux coefficients liés à la matrice de Mueller »); les exemples donnés dans la description divulgue ainsi la mesure préalable de tous les coefficients de la matrice de Mueller (page 5, lignes 13-15, page 8, lignes 15-17), d'une partie seulement de ces coefficients grâce au savoir-faire des opérateurs (page 5, lignes 23- 25), de cinq de ces coefficients (page 7, ligne 1 à page 8, ligne 2), de quatorze d'entre eux (page 11 , lignes 27-29) ou de quinze d'entre eux (page 11 , lignes 30-32).
c) Le fait que les paramètres utilisés en temps réel pendant la fabrication soient au moins deux paramètres constitués de combinaisons ou de fonctions des coefficients mesurés préalablement est énoncé dans la description page 4, ligne 34 à page 5, ligne 4, page 5, lignes 13-22, page 8, lignes 10-13 et page 10, lignes 24-28; les exemples divulgués exposent ainsi les cas où les paramètres utilisés sont en nombre inférieur aux coefficients de la matrice de Mueller (page 5, lignes 15-20), sont au nombre de quatre (page 10, lignes 31-33 à page 11 , ligne 6) ou de deux (page 11 , lignes 7-34).
La revendication 2 est donc bien supportée par la description.
III Revendication 5
Celle-ci spécifie que l'objet induit des phénomènes de diffraction, cette caractéristique étant mentionnée page 4, lignes 6 à 10.
IV Revendication 16
Cette revendication diffère de l'ancienne revendication 14 par la précision selon laquelle l'objet considéré est anisotrope et/ou dépolarisant. Cette caractéristique est énoncée dans la description, comme indiqué pour la revendication 1.
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