OPTISCHER SENSOR UND OPTISCHES VERFAHREN ZUR OPTICAL SENSOR AND OPTICAL METHOD FOR
CHARAKTERISIERUNG EINER CHEMISCHEN UND/ODERCHARACTERIZATION OF A CHEMICAL AND / OR
BIOCHEMISCHEN SUBSTANZBIOCHEMICAL SUBSTANCE
Die Erfindung bezieht sich auf einen optischen Sensor und ein optisches Verfahren zur Charakterisierung einer chemischen und/oder biochemischen Substanz.The invention relates to an optical sensor and an optical method for characterizing a chemical and / or biochemical substance.
Wellenleitergitterstrukturen mit und ohne chemoempfindlicher Schicht sind in der Literatur beschrieben (siehe z.B. EP 0 226 604 Bl, EP 0 482 377 A2, PCT WO 95/03538, SPIE Vol. 1141, 192-200, PCT WO 97/09594, Advances in Biosensors 2 (1992), 261-289, USP 5'479'260, SPIE Vol. 2836, 221-234).Waveguide grating structures with and without a chemo-sensitive layer are described in the literature (see, for example, EP 0 226 604 B1, EP 0 482 377 A2, PCT WO 95/03538, SPIE Vol. 1141, 192-200, PCT WO 97/09594, advances in biosensors 2 (1992), 261-289, USP 5'479'260, SPIE Vol. 2836, 221-234).
In EP 0 226 604 Bl und EP 0 482 377 AI wird gezeigt, wie die effektive Brechzahl (bzw. der Kopplungswinkel) eines chemosensitiven Gitterkopplers als Sensor-Signal gemessen werden kann. Das Sensor Signal "effektive Brechzahl" bzw. "Kopplungswinkel" ist eine Grosse, die eine starke Temperaturabhängigkeit aufweist.EP 0 226 604 B1 and EP 0 482 377 AI show how the effective refractive index (or the coupling angle) of a chemosensitive grating coupler can be measured as a sensor signal. The sensor signal "effective refractive index" or "coupling angle" is a variable that has a strong temperature dependence.
Stirnseitiges Einkoppeln von Licht in einen Wellenleiter (siehe SPIE Vol. 1141, 192- 200) sind unpraktisch, da eine hohe Positionierungsgenauigkeit erforderlich ist. Zu- dem muss die Stirnseite des Wellenleiters optische Qualität aufweisen. In PCT WO 95/03538 wird gezeigt, wie der absolute Auskopplungswinkel eines Modes gemessen wird. Diese Grosse zeigt jedoch ohne Referenzierung eine starke Temperaturabhängigkeit. In PCT WO 97/09594 werden chirped Wellenleitergitter vorgestellt, die jedoch ebenfalls eine Abhängigkeit von der Temperatur zeigen.
In Advances in Biosensors 2 (1992), 261-289 wird gezeigt, wie die Störung "Poren- difiusion" mit dem Dreischichtwellenleitermodell wegreferenziert werden kann. Die Brechzahl des wellenleitenden Films zeigt Drift, während die Schichtdicke des wel- lenleitenden Films (=Sensor-Signal) stabil bleibt. Die Anordnung ist mit beweglicher Mechanik aufgebaut, was keine schnellen Messungen zulässt. Zudem wird das Sensor-Signal bzw. das aus der Wellenleitergitterstruktur austretende Licht stirnseitig er- fasst. Stirnseitige Detektion ist für eine zweidimensionale Anordnung von Wellenleitergitterstruktureinheiten ungeeignet. Weiters werden die effektiven Brechzahlen N(TE) und N(TM) für die beiden Polarisationen TE und TM nicht gleichzeitig erfasst, da für die Erfassung der winkelmässig voneinander getrennten Resonanzeinkopp- lungskurven ein mechanischer Winkelscan durchgeführt wird.Front coupling of light into a waveguide (see SPIE Vol. 1141, 192-200) is impractical because high positioning accuracy is required. In addition, the end face of the waveguide must have optical quality. PCT WO 95/03538 shows how the absolute coupling angle of a mode is measured. However, this size shows a strong temperature dependence without referencing. PCT WO 97/09594 presents chirped waveguide gratings, which, however, also show a dependence on the temperature. In Advances in Biosensors 2 (1992), 261-289 it is shown how the "pore diffusion" disturbance can be referenced away with the three-layer waveguide model. The refractive index of the waveguiding film shows drift, while the layer thickness of the waveguiding film (= sensor signal) remains stable. The arrangement is constructed with movable mechanics, which does not allow quick measurements. In addition, the sensor signal or the light emerging from the waveguide grating structure is detected on the end face. Frontal detection is unsuitable for a two-dimensional arrangement of waveguide grating structure units. Furthermore, the effective refractive indices N (TE) and N (TM) for the two polarizations TE and TM are not recorded simultaneously, since a mechanical angle scan is carried out to record the angularly separated resonance coupling curves.
In USP 5'479'260 wird ein bidifFraktiver bzw. multidififraktiver Gitterkoppler be- schrieben, wobei das Sensor-Signal durch Interferometrie zweier ausgekoppelter Strahlen gleicher oder unterschiedlicher Polarisation (unter Verwendung eines Polarisators) zustandekommt. Interferometrische Messungen sind kompliziert, da die Intensitäten der beiden Strahlen aufeinander abgestimmt werden müssen. Zudem werden Temperaturschwankungen durch das durch unterschiedliche Polarisationen (unter Verwendung eines Polarisators) generierte interferometrische Signal nur teilweise kompensiert.USP 5'479'260 describes a bidif fractional or multidifractive grating coupler, the sensor signal being obtained by interferometry of two outcoupled beams of the same or different polarization (using a polarizer). Interferometric measurements are complicated because the intensities of the two beams have to be coordinated. In addition, temperature fluctuations are only partially compensated for by the interferometric signal generated by different polarizations (using a polarizer).
In SPIE Vol. 2836, 221-234 wird eine Anordnung für eine Wellenleitergitterstruktur in Zusammenhang mit Fluoreszenz- bzw. Lumineszenzmessungen beschrieben. Diese Anordnung eignet sich jedoch nicht für eine (gegebenenfalls gleichzeitige) (absolute) temperaturkompensierte Messung auf der Basis eines Direktnachweises. Zudem ist die Wellenleitergitterstruktur auf einem Drehtisch montiert.An arrangement for a waveguide grating structure in connection with fluorescence or luminescence measurements is described in SPIE Vol. 2836, 221-234. However, this arrangement is not suitable for a (possibly simultaneous) (absolute) temperature-compensated measurement based on direct verification. In addition, the waveguide grating structure is mounted on a turntable.
In Applied Optics 20 (1981), 2280-2283 wird über einen temperaturunabhängigen optischen Wellenleiter berichtet, wobei das Substrat aus Silizium ist. Silizium ist im sichtbaren Spektralbereich absorbierend. Bei chemosensitiven Wellenleitergitter-
strukturen wird Licht jedoch bevorzugt von der Substratseite her eingekoppelt. In Applied Optics 20 (1981), 2280-2283 werden zudem nicht temperaturunabhängige Gitterkoppler behandelt.Applied Optics 20 (1981), 2280-2283 reports on a temperature-independent optical waveguide, the substrate being made of silicon. Silicon is absorbent in the visible spectral range. With chemosensitive waveguide gratings However, structures are preferably coupled in from the substrate side. Applied Optics 20 (1981), 2280-2283 also deals with grid couplers that are not temperature-independent.
Die vorliegende Erfindung hat die Aufgabe, einen (bio)chemoempfindliche optischen Sensor zu schaffen und ein optisches Verfahren zur Charakterisierung einer (bio)chemischen Substanz anzugeben, welche die obigen Nachteile nicht aufweisen. Insbesondere sollen mit der Erfindung:The object of the present invention is to create a (bio) chemo-sensitive optical sensor and to provide an optical method for characterizing a (bio) chemical substance which does not have the above disadvantages. In particular, the invention is intended to:
(1) Sensor-Signale, welche eine geringe Temperaturabhängigkeit und/oder eine gerin- ge Abhängigkeit von der Difϊusion der Probenflüssigkeit in die Mikroporen eines wellenleitenden Films aufweisen, erzeugt werden können,(1) sensor signals which have a low temperature dependency and / or a slight dependence on the diffusion of the sample liquid into the micropores of a waveguiding film can be generated,
(2) sowohl die Messung von (absoluten) Sensor-Signalen bezüglich eines Direktnachweises (absolute Auskopplungswinkel α(TE) und α(TM) für die TE- bzw. TM-Welle, effektive Brechzahlen N(TE) und N(TM) für die TE- bzw. TM-Welle, Schichtdicke tF des wellenleitenden Films etc.) als auch die Messung von (absoluten) Sensor-Signalen bezüglich eines Markierungsnachweises (referenzierte Fluoreszenz-, Lumineszenz-, Phosphoreszenz-Signale etc.) möglich sein und(2) both the measurement of (absolute) sensor signals with regard to direct detection (absolute coupling angle α (TE) and α (TM) for the TE and TM wave, effective refractive indices N (TE) and N (TM) for the TE or TM wave, layer thickness t F of the wave-guiding film etc.) and also the measurement of (absolute) sensor signals with respect to a marking detection (referenced fluorescence, luminescence, phosphorescence signals etc.) are possible and
(3) Sensor-Signale bezüglich einer leichten Verkippung und/oder Verschiebung der Wellenleitergitterstruktur stabil bleiben, da (örtliche und winkelmässige) Differenzen von Sensor-Signalen bzw. referenzierte Sensorsignale gemessen werden.(3) Sensor signals remain stable with respect to a slight tilting and / or shifting of the waveguide grating structure, since (local and angular) differences of sensor signals or referenced sensor signals are measured.
Die Aufgabe wird gelöst durch die Erfindung, wie sie in den unabhängigen Patentansprüchen definiert ist.The object is achieved by the invention as defined in the independent patent claims.
Der erfidnungsgemässe optische Sensor beinhaltet mindestens einen optischen Wel- lenleiter mit einem Substrat, wellenleitendem Material, einem Covermedium und mindestens einer Wellenleitergitterstruktur, mindestens eine Lichtquelle, mittels welcher Licht von der Substraseite und/oder von der Covermediumseite her auf zumindest einen Teil der Wellenleitergitterstruktur sendbar ist, und Mittel zur Detektion von mindestens zwei unterschiedlichen Lichtanteilen, wovon mit mindestens einem Detekti- onsmittel ins Substrat und/oder ins Covermedium abgestrahltes Licht detektierbar ist,
wobei zur Durchführung einer Messung der Wellenleiter bezüglich der mindestens einen Lichtquelle und der Detektionsmittel unbeweglich fixierbar ist.The optical sensor according to the invention contains at least one optical waveguide with a substrate, waveguiding material, a cover medium and at least one waveguide grating structure, at least one light source, by means of which light can be transmitted from the substrate side and / or from the cover medium side to at least part of the waveguide grating structure , and means for the detection of at least two different light components, of which light emitted into the substrate and / or the cover medium can be detected with at least one detection means, the waveguide being immovably fixable with respect to the at least one light source and the detection means for carrying out a measurement.
Beim erfindungsgemässen optischen Verfahren zur Charakterisierung einer chemi- sehen und/oder biochemischen Substanz in einer Probe mittels eines mindestens eine Wellenleitergitterstruktur beinhaltenden optischen Wellenleiters wird die Probe in mindestens einer Kontaktzone mit dem Wellenleiter in Kontakt gebracht, im Wellenleiter im Bereich der mindestens einen Kontaktzone mindestens eine Lichtwelle über die Wellenleitergitterstruktur angeregt, die mindestens eine Lichtwelle mit der Probe in Wechselwirkung gebracht, Licht in mindestens zwei unterschiedlichen Anteilen, wovon mindestens ein Anteil vom Bereich der Kontaktzone herkommt, detektiert, und mindestens ein absolutes Messsignal durch Auswertung des detektierten Lichtes erzeugt.In the optical method according to the invention for characterizing a chemical and / or biochemical substance in a sample by means of an optical waveguide containing at least one waveguide grating structure, the sample is brought into contact with the waveguide in at least one contact zone, at least one in the waveguide in the region of the at least one contact zone Light wave excited via the waveguide grating structure, which interacts at least one light wave with the sample, detects light in at least two different proportions, at least a portion of which comes from the area of the contact zone, and generates at least one absolute measurement signal by evaluating the detected light.
Die Wellenleitergitterstruktur besteht aus einer oder mehreren Wellenleitergitterstruktureinheiten, welche eindimensional oder zweidimensional (z.B. matrixfbrmig oder kreisförmig) angeordnet sind.The waveguide grating structure consists of one or more waveguide grating structure units which are arranged one-dimensionally or two-dimensionally (e.g. matrix-shaped or circular).
Eine eventuelle xy- Verschiebung (oder nur x- Verschiebung) des Lesekopfs (der Lese- köpfe) von einer Wellenleitergitterstruktureinheit zur anderen bzw. eine eventuelle xy- Verschiebung (oder nur x- Verschiebung) der Wellenleitergitterstruktur kann durchaus zur Anwendung kommen.A possible xy shift (or only x shift) of the read head (the read heads) from one waveguide grating structure unit to another or a possible xy shift (or only x shift) of the waveguide grating structure can certainly be used.
Eine Wellenleitergitterstruktureinheit besteht aus zumindest zwei 'sensing pads' (Sen- sor-Plattformen, Sensor-Pfaden), die sich zumindest durch eines der folgenden Merkmale voneinander unterscheiden:A waveguide grating structure unit consists of at least two sensing pads (sensor platforms, sensor paths), which differ from one another by at least one of the following features:
(a) Die in den 'sensing pads' geführten Lichtwellen unterscheiden sich in der Polarisation (TE-Welle bzw. TM-Welle), wobei das erzeugte Sensor-Signal nicht durch interferometrische Messung zustandekommt (b) Die in den 'sensing pads' geführten Lichtwellen unterscheiden sich in der Modenzahl.
(c) Die beiden den 'sensing pads' zugeordneten chemoempfindlichen Schichten zeigen unterschiedliche Spezifität (Ligand 1 bindet (im Innern oder an der Oberfläche) selektiv an die den 'sensing pad 1' bedeckende, chemoempfindliche Schicht 1; Ligand 2 bindet (im Innern oder an der Oberfläche) selektiv an die den 'sensing pad 2' bedek- kende, chemoempfindliche Schicht 2)(a) The light waves guided in the 'sensing pads' differ in polarization (TE wave or TM wave), whereby the sensor signal generated does not come about through interferometric measurement (b) those in the 'sensing pads' Light waves differ in the number of modes. (c) The two chemo-sensitive layers assigned to the 'sensing pads' show different specificity (ligand 1 binds (inside or on the surface) selectively to the chemosensitive layer 1; ligand 2 which covers the 'sensing pad 1' (inside or on the surface) selectively to the chemosensitive layer 2 covering the 'sensing pad 2')
(d) Die dem ersten 'sensing pad' zugeordnete chemoempfindliche Schicht zeigt Spezifität für einen Liganden (mit oder ohne 'non-specific binding'), während die dem zweiten 'sensing pad' zugeordnete (chemoempfindliche) Schicht keine Spezifität (mit oder ohne 'non-specific binding') aufweist (Beispiel: Dextran-Schicht, an die kein Er- kennungsmolekül (z.B ein Antikörper) gebunden ist).(d) The chemosensitive layer assigned to the first 'sensing pad' shows specificity for a ligand (with or without 'non-specific binding'), while the (chemosensitive) layer assigned to the second 'sensing pad' shows no specificity (with or without ' non-specific binding ') (example: dextran layer to which no recognition molecule (eg an antibody) is bound).
(e) Die in den 'sensing pads' geführten Lichtwellen unterscheiden sich in der Wellenlänge.(e) The light waves in the 'sensing pads' differ in wavelength.
Ein 'sensing pad', in dem geführte Lichtwellen unterschiedlicher Polarisation (TE- Welle bzw. TM- Welle) angeregt werden, zählt als zwei 'sensing pads' (Unterschied in der Polarisation!), sofern das erzeugte Sensor-Signal nicht durch interferometrische Messung zustandekommt.A 'sensing pad' in which guided light waves of different polarization (TE wave or TM wave) are excited counts as two 'sensing pads' (difference in polarization!), Provided that the sensor signal generated is not by interferometric measurement comes about.
Ein 'sensing pad', in dem geführte Lichtwellen unterschiedlicher Modenzahl angeregt werden, zählt als zwei 'sensing pads' (Unterschied in der Modenzahl!).A 'sensing pad' in which guided light waves of different mode numbers are excited counts as two 'sensing pads' (difference in mode number!).
Ein 'sensing pad', in dem geführte Lichtwellen unterschiedlicher Wellenlänge angeregt werden, zählt als zwei 'sensing pads' (Unterschied in der Wellenlänge!).A 'sensing pad' in which guided light waves of different wavelengths are excited counts as two 'sensing pads' (difference in wavelength!).
Erster und zweiter 'sensing pad' können auch als Signal- und Referenzpfad aufgefasst werden. Die beiden 'sensing pads' können (müssen aber nicht) die gleiche Struktur aufweisen.The first and second 'sensing pad' can also be understood as a signal and reference path. The two 'sensing pads' can (but do not have to) have the same structure.
Die (bio)chemoempfindliche Schicht kontaktiert den wellenleitenden Film in einer Kontaktzone. Diese Kontaktzone beinhaltet normalerweise beim Direktnachweis zumindest ein Gitter (Bei interferometrischen Messungen mit gleicher Polarisation kann
für einen Direktnachweis die (bio)chemoempfindliche Schicht auch nur zwischen zwei Gittern liegen (siehe auch EP 0 226 604)) (Bei interferometrischen Messungen mit zwei unterschiedlichen Polarisationen (unter Verwendung eines Polarisators) kann die (bio)chemoempfindliche Schicht auch auf einem multidiffraktiven (bidiffraktiven) Gitter liegen (siehe USP 5'479'260)).The (bio) chemo-sensitive layer contacts the waveguiding film in a contact zone. For direct detection, this contact zone normally contains at least one grating (for interferometric measurements with the same polarization, for a direct detection the (bio) chemo-sensitive layer is only between two grids (see also EP 0 226 604)) (for interferometric measurements with two different polarizations (using a polarizer) the (bio) chemo-sensitive layer can also be placed on a multidiffractive ( bidiffractive) grid (see USP 5'479'260)).
Grundsätzlich kann als mögliches referenziertes Sensor-Signal beispielsweise die Grosse S(Signalpfad) - cS(Referenzpfad) dienen, wobei S(Signalpfad) und S(Referenzpfad) die Sensor-Signale im ersten 'sensing pad' (Signalpfad) bzw. im zweiten 'sensing pad' (Referenzpfad) und c ein Kalibrierungsfaktor sind. Bei gleicher Polarisation ist vernünftigerweise c=l. Bei verschiedenen Polarisationen können mit c die unterschiedlichen Sensitivitäten der beiden Polarisationen berücksichtigt werden. Bei verschiedenen Wellenlängen bzw. Modenzahlen können mit c die unterschiedlichen Sensitivitäten der Wellenlängen bzw. der Modenzahlen berücksichtigt werden. Vorteilhafterweise liegen Signalpfad und Referenzpfad möglichst nahe zusammen.In principle, the size S (signal path) - cS (reference path) can serve as a possible referenced sensor signal, with S (signal path) and S (reference path) the sensor signals in the first 'sensing pad' (signal path) and in the second ' sensing pad 'and c are a calibration factor. With the same polarization, c = 1 is reasonably. For different polarizations, the different sensitivities of the two polarizations can be taken into account with c. With different wavelengths or mode numbers, the different sensitivities of the wavelengths or mode numbers can be taken into account with c. The signal path and reference path are advantageously as close as possible.
Das referenzierte Sensor-Signal bei gleicher Polarisation hat weiters den Vorteil, dass Störungen δ wie z.B. solche verursacht durch Temperaturschwankung, Lichtwellenlängenschwankung, unerwünschte Diffusion von Molekülen in den Wellenleiter bzw. in die chemoempfindliche Schicht, unspezifische Bindungen, Schwankung der Konzentration in den nicht nachzuweisenden Molekülen etc. oder Kombinationen davon wegreferenziert werden können, d.h. das referenzierte Sensor-Signal ist unabhängig von δ, da S(Signalpfad)+δ - (S(Referenzρfad)+δ) = S(Signalpfad)-S(Referenzpfad) ist.The referenced sensor signal with the same polarization also has the advantage that interference δ such as those caused by temperature fluctuations, light wavelength fluctuations, undesired diffusion of molecules into the waveguide or into the chemosensitive layer, non-specific bonds, fluctuation in the concentration in the undetectable molecules etc. or combinations thereof can be referenced, i.e. the referenced sensor signal is independent of δ, since S (signal path) + δ - (S (reference path) + δ) = S (signal path) -S (reference path).
Vorzugsweise werden Monomode- Wellenleiter verwendet, welche nur den fundamentalen TE-Mode oder nur den fundamentalen TE-Mode und den fundamentalen TM-Mode tragen. Der wellenleitende Film soll vorzugsweise aus einem hochbrechenden Material bestehen, was die Erzeugung hoher Sensitivitäten garantiert. Es kann der wellenleitende Film mit einer chemoempfindlichen Schicht (z.B einer Antikörperschicht (z.B. geeignet für den Nachweis eines entsprechenden Antigens), einer Dex-
tran-Schicht mit Erkennungsmolekül (z.B. Antikörper), Rezeptoren, DNA- Abschnitte, einer Silikon-Schicht zum Nachweis von Kohlenwasserstoffen, etc.) belegt sein. Es kann jedoch auch der wellenleitende Film selbst eine chemoempfindliche Schicht darstellen. Es können auch Streifenwellenleiter zum Einsatz kommen.Monomode waveguides are preferably used which carry only the fundamental TE mode or only the fundamental TE mode and the fundamental TM mode. The wave-guiding film should preferably consist of a highly refractive material, which guarantees the production of high sensitivities. The waveguiding film can be coated with a chemo-sensitive layer (eg an antibody layer (eg suitable for the detection of a corresponding antigen), a dex- tran layer with a recognition molecule (eg antibodies), receptors, DNA sections, a silicone layer for the detection of hydrocarbons, etc.). However, the waveguiding film itself can also be a chemo-sensitive layer. Strip waveguides can also be used.
Ein 'sensing pad' umfasst zumindest ein Gitter, kann aber auch zumindest ein (eventuell stärker moduliertes) Einkopplungsgitter und zumindest ein Auskopplungsgitter umfassen. Die Gitterperioden der beiden 'sensing pads' können (müssen aber nicht) unterschiedlich sein. Die Gitterperioden von Einkopplungsgitter und Auskopplungs- gitter können unterschiedlich sein (sind meistens unterschiedlich).A 'sensing pad' comprises at least one grating, but can also comprise at least one (possibly more modulated) coupling grating and at least one coupling grating. The grating periods of the two sensing pads can (but do not have to) be different. The grating periods of the coupling-in grating and the coupling-out grating can be different (in most cases they are different).
Einkopplungsgitter und Auskopplungsgitter können unidiffraktive oder multidiSrakti- ve Gitterstrukturen (bidiöraktive Gitter, Gitter mit sich ändernder Gitterperiode und/oder mit sich änderndem Gitterbeugungsvektor, etc. ) sein.The coupling grating and the coupling grating can be unidiffractive or multidirectional grating structures (bidioactive grating, grating with changing grating period and / or with changing grating diffraction vector, etc.).
Eine bevorzugte 'sensing pad' Anordnung besteht aus drei Gittern, wobei das mittlere Gitter das Einkopplungsgitter und die beiden äusseren Gitter zwei Auskopplunsgitter darstellen. Mit einem stark modulierten Einkopplungsgitter gelingt es zum Beispiel, mit einem einzigen (bzw. mit zwei) einfallenden (gegebenenfalls leicht fokussierten) Lichtstrahl(en), Moden in Vorwärts- und Rückwärtsrichtung anzuregen. Eine leichte Verschiebung des einfallenden Lichtstrahls in Modenausbreitungsrichtung oder eine leichte Verkippung der Wellenleitergitterstruktur bezüglich des einfallenden Lichtstrahls (in der Einfallsebene) ändern zwar die Intensität der (in Vorwärts- und/oder Rückwärtsrichtung laufenden) Moden infolge geänderter Kopplungsgeometrie, nicht aber den (die) Auskopplunswinkel bzw. die Differenz der Auskopplungswinkel (= doppelter absoluter Auskopplungswinkel), welche mögliche Sensor-Signale darstellen.A preferred 'sensing pad' arrangement consists of three gratings, the central grating representing the coupling-in grating and the two outer gratings representing two coupling-out gratings. With a strongly modulated coupling grating, for example, it is possible to excite modes in the forward and backward directions with a single (or with two) incident (possibly slightly focused) light beam (s). A slight shift of the incident light beam in the direction of mode propagation or a slight tilting of the waveguide grating structure with respect to the incident light beam (in the plane of incidence) change the intensity of the modes (running in the forward and / or backward direction) as a result of changed coupling geometry, but not the (the) decoupling angle or the difference of the coupling angle (= double absolute coupling angle), which represent possible sensor signals.
Figur 1 zeigt obige bevorzugte 'sensing pad '-Anordnung sowohl für den TE-Mode als auch für den TM-Mode, wobei die beiden 'sensing pads' nebeneinander liegen.
Figur 2 zeigt weitere Wellenleitergitterstruktureinheiten.FIG. 1 shows the above preferred 'sensing pad' arrangement both for the TE mode and for the TM mode, the two 'sensing pads' lying next to one another. FIG. 2 shows further waveguide grating structure units.
Figur 3 zeigt einen erfindungsgemässen optischen Sensor.FIG. 3 shows an optical sensor according to the invention.
Eine weitere bevorzugte 'sensing pad' Anordnung besteht aus ebenfalls drei Gittern, wobei die beiden äusseren Gitter (eventuell stärker modulierte) Einkopplungsgitter und das mittlere Gitter das Auskopplungsgitter bilden.Another preferred 'sensing pad' arrangement also consists of three gratings, the two outer gratings (possibly more modulated) coupling gratings and the middle grid forming the coupling gratings.
Bei der Detektion von (bio)molekularen Interaktionen mit der Anordnung gemäss Fi- gur 1 (oder äquivalenten Anordnungen) wird die Wellenleiterstruktureinheit mit einer (bio)chemoempfindlichen Schicht belegt, an die dann im Experiment ein spezifischer Bindungspartner bindet, was zu einer Aenderung der Auskopplungswinkel α(TE) = (α(TE+) - α(TE-)) 2 und α(TM) = (α(TM+) - α(TM-))/2 (Notation: z.B.α(TE+): Auskopplungswinkel des in -b -Richtung laufenden TE-Modes) bzw. zu einer Aende- rung der effektiven Brechzahlen N(TE) und N(TM) und der daraus ableitbaren integriert optischen Grossen - wie z.B. der Schichtdicke tF des wellenleitenden Films im Dreischichtwellenleitermodell (siehe weiter unten) - führt. Verschiedene Wellenleitergitterstruktureinheiten können mit verschiedenen chemoempfindlichen Schichten belegt werden.In the detection of (bio) molecular interactions with the arrangement according to FIG. 1 (or equivalent arrangements), the waveguide structure unit is coated with a (bio) chemo-sensitive layer, to which a specific binding partner then binds in the experiment, which leads to a change in the coupling angle α (TE) = (α (TE +) - α (TE-)) 2 and α (TM) = (α (TM +) - α (TM -)) / 2 (notation: e.g. α (TE +): decoupling angle of the in -b -Direction of running TE modes) or to a change in the effective refractive indices N (TE) and N (TM) and the derivable integrated optical parameters - such as the layer thickness tF of the waveguiding film in the three-layer waveguide model (see below). Different waveguide grating structure units can be covered with different chemo-sensitive layers.
Die Auskopplungswinkel der beiden Auskopplungsgitter (bzw. des Auskopplungsgitters) der bevorzugten 'sensing pad' Anordnung erlauben eine Absolutbestimmung des Auskopplungswinkels (bzw. der effektiven Brechzahl), obwohl die Auskopplung der beiden Lichtstrahlen nicht an ein und demselben Ort geschieht.The decoupling angles of the two decoupling gratings (or the decoupling grating) of the preferred 'sensing pad' arrangement allow an absolute determination of the decoupling angle (or the effective refractive index), although the decoupling of the two light beams does not take place at the same location.
Bei zwei benachbarten 'sensing pads' für den TE- und den TM-Mode gemäss bevorzugter 'sensing pad' Anordnung (siehe Figur 1) erfolgt die Auskopplung sogar an vier verschiedenen Stellen.In the case of two adjacent sensing pads for the TE and TM modes according to the preferred sensing pad arrangement (see FIG. 1), the coupling is even carried out at four different locations.
Der 'sensing pad' für den TE-Mode erlaubt die Bestimmung der effektiven Brechzahl N(TE) des TE-Modes. Der 'sensing pad' für den TM-Mode erlaubt die Bestimmung
der effektiven Brechzahl N(TM) des TM-Modes. Bei gleichzeitiger Beleuchtung der beiden 'sensing pads' (mit z.B. einem einzigen Lichtfeld mit 45° linear polarisiertem Licht oder zirkulär (oder elliptisch) polarisiertem Licht) kann die Bestimmung des Auskopplungswinkels (der effektiven Brechzahl) für den TE- und TM-Mode gleich- zeitig erfolgen.The sensing pad for the TE mode allows the effective refractive index N (TE) of the TE mode to be determined. The 'sensing pad' for the TM mode allows the determination the effective refractive index N (TM) of the TM mode. With simultaneous illumination of the two 'sensing pads' (e.g. with a single light field with 45 ° linearly polarized light or circular (or elliptically) polarized light) the determination of the decoupling angle (the effective refractive index) for the TE and TM modes can done early.
Figur 1 zeigt eine vorteilhafte Ausführungsform einer Wellenleitergitterstruktureinheit. Der 'sensing pad' für den TE-Mode besteht aus dem Einkopplungsgitter Gi(TE) und den beiden links und rechts vom Einkopplungsgitter gelegenen Auskopplungs- gittern Go+(TE) und Go-(TE). Der 'sensing pad' für den TM-Mode besteht aus dem Einkopplungsgitter Gi(TM) und den beiden links und rechts vom Einkopplungsgitter gelegenen Auskopplungsgittern Go+(TM) und Go-(TM) und liegt neben dem 'sensing pad' für den TE-Mode. Um den Einfluss von Störungen (z.B. Temperaturschwankungen) gering zu halten, sollten die beiden 'sensing pads' möglichst nahe nebeneinander liegen. Die Gitterstriche sind parallel zur y-Achse ausgerichtet.FIG. 1 shows an advantageous embodiment of a waveguide grating structure unit. The 'sensing pad' for the TE mode consists of the coupling grating Gi (TE) and the two coupling grids Go + (TE) and G o - (TE) located on the left and right of the coupling grid. The 'sensing pad' for the TM mode consists of the coupling grid Gi (TM) and the two coupling grids Go + (TM) and Go- (TM) located to the left and right of the coupling grid and is located next to the 'sensing pad' for the TE- Fashion. In order to keep the influence of disturbances (eg temperature fluctuations) low, the two 'sensing pads' should be as close as possible to each other. The grid lines are aligned parallel to the y-axis.
Es ist vorteilhaft, wenn die Auskopplungsgitter Go+(TE), Go-(TE), Go+(TM), Go-(TM) von den geführten Lichtwellen vollständig beleuchtet werden, wodurch gewährleistet ist, dass beim jeweiligen Auskopplungsgitter die Sensorfläche mit der Fläche des Aus- kopplungsgitters übereinstimmt. Dies wird dadurch erreicht, indem (a) die Breite des Auskopplungsgitters in y-Richtung kleiner/gleich als die Breite des Einkopplungsgit- ters in y-Richtung gewählt wird und (b) der Beleuchtungsfleck auf dem Einkopplungsgitter eine y-Breite aufweist, die grösser/gleich als die y-Breite der Auskopplungsgitter ist, und der Beleuchtungsfleck die gesamte y-Breite eines Auskopplungs- gitters einschliesst.It is advantageous if the coupling grids G o + (TE), G o - (TE), G o + (TM), G o - (TM) are completely illuminated by the guided light waves, which ensures that the respective coupling grating the sensor surface corresponds to the surface of the decoupling grid. This is achieved in that (a) the width of the coupling grating in the y direction is chosen to be smaller / equal than the width of the coupling grating in the y direction and (b) the illumination spot on the coupling grating has a y width that is greater / is equal to the y-width of the coupling-out grating, and the illumination spot includes the entire y-width of a coupling-out grating.
Eine vorteilhafte Ausführungsform ist jene, bei der die beiden Einkopplungsgitter Gi(TE) und Gi(TM) mit einem (oder zwei) (keilförmigen) unter 45° linear polarisierten Lichtfeld(ern) simultan beleuchtet werden. Damit können gleichzeitig der TE- Mode und der TM-Mode (in Vorwärts- und Rückwärtsrichtung) angeregt werden und es können auch gleichzeitig alle (im vorliegenden Fall: vier) Auskopplungswinkel ge-
messen werden. Gi(TE) und Gi(TM) weisen vorzugsweise unterschiedliche Gitterperioden auf.An advantageous embodiment is that in which the two coupling gratings Gi (TE) and Gi (TM) are simultaneously illuminated with one (or two) (wedge-shaped) light field (s) linearly polarized at 45 °. This enables the TE mode and the TM mode (in the forward and backward direction) to be excited at the same time and all (in the present case: four) decoupling angles can also be will measure. Gi (TE) and Gi (TM) preferably have different grating periods.
Es ist jedoch auch möglich, dass ein 'sensing pad' für sich die Funktion eines 'sensing pads' für den TE-Mode und die Funktion eines 'sensing pads' für den TM-Mode ausübt. Der zweite (daneben liegende) 'sensing pad' ist dann entweder nicht vorhanden oder wird als Kontrolle bzw. Referenz verwendet (Dieser Referenz- 'sensing pad' kann z.B. mit einer zweiten chemoempfindlichen Schicht oder einer nichtspezifischen Schicht, d.h. einer Schicht, die keine Spezifität (mit oder ohne 'non-specific binding') aufweist, belegt sein). Wird das Einkopplungsgitter eines 'sensing pads' unter den entsprechenden Einkopplungswinkeln mit TE-Licht als auch mit TM-Licht (z.B. mit 45° linear polarisiertem Licht) beleuchtet, so werden in dem einen 'sensing pad' sowohl der TE-Mode als auch der TM-Mode (gegebenenfalls sowohl in Vorwärts- als auch in Rückwärtsrichtung) angeregt.However, it is also possible for a sensing pad to perform the function of a sensing pad for the TE mode and the function of a sensing pad for the TM mode. The second (adjacent) 'sensing pad' is then either not available or is used as a control or reference (this reference 'sensing pad' can, for example, with a second chemo-sensitive layer or a non-specific layer, ie a layer that has no specificity (with or without 'non-specific binding'). If the coupling grating of a 'sensing pad' is illuminated with TE light as well as with TM light (for example with 45 ° linearly polarized light) under the corresponding coupling angles, then in one sensing pad both the TE mode and the TM mode (possibly in both the forward and reverse directions).
Es ist auch möglich, den TE-Mode nur in Vorwärtsrichtung und den TM-Mode nur in Rückwärtsrichtung (oder umgekehrt) oder den TE-Mode und den TM-Mode nur in Vorwärtsrichtung (oder umgekehrt) anzuregen. Es werden dann die entsprechenden zwei Auskopplungswinkel bzw. deren Differenz gemessen.It is also possible to excite the TE mode only in the forward direction and the TM mode only in the reverse direction (or vice versa) or the TE mode and the TM mode only in the forward direction (or vice versa). The corresponding two decoupling angles or their difference are then measured.
Als Detektoren werden vorteilhafterweise 1- oder 2-dimensionale (digitale oder analoge) positionssensitive Detektoren (PSD), Photodiodenarrays, CCD Zeilen- oder Flächenkamera(s) etc. eingesetzt. Die ausgekoppelten Lichtstrahlen werden vorteil- haftweise mit einer Linse fokussiert, wobei der Fokus sich nicht unbedingt exakt auf der Detektorfläche befinden muss. Die Auskopplungsgitter können auch fokussieren- de Gitter sein. Dies hat den Vorteil, dass die Linsenwirkung bereits in das Auskopplungsgitter integriert ist.1 or 2-dimensional (digital or analog) position-sensitive detectors (PSD), photodiode arrays, CCD line or area cameras (s) etc. are advantageously used as detectors. The outcoupled light beams are advantageously focused with a lens, the focus not necessarily having to be exactly on the detector surface. The decoupling gratings can also be focusing gratings. This has the advantage that the lens effect is already integrated in the decoupling grating.
Es ist auch möglich, die Richtung der Gitterstriche des Auskopplungsgitters derart zu wählen, dass die Gitterstriche nicht senkrecht zur Ausbreitungsrichtung des Modes stehen. Vorteilhafterweise hat die Verkippung der Gitterstriche (bzw. der Gitterbeu-
gungsvektoren) der Auskopplungsgitter zweier benachbarter 'sensing pads' umgekehrtes Vorzeichen. Damit kann eine bessere Separation der ausgekoppelten Lichtwellen erreicht werden.It is also possible to choose the direction of the grating lines of the coupling-out grating such that the grating lines are not perpendicular to the direction of propagation of the mode. Advantageously, the tilting of the grating lines (or the grating tion vectors) of the decoupling grating of two adjacent 'sensing pads' reversed sign. This enables a better separation of the outcoupled light waves.
Das Einkopplungsgitter kann auch derart gewählt werden, dass die Gitterperiode in x- Richtung oder y-Richtung oder x- und y-Richtung nicht konstant bleibt bzw. verlaufend ist. Die Anforderungen an die Genauigkeit der Einstellung des Einfallswinkels werden dadurch relaxiert.The coupling grating can also be selected such that the grating period in the x direction or y direction or x and y direction does not remain constant or is continuous. This relaxes the requirements for the accuracy of the setting of the angle of incidence.
Die in Figur 1 gezeichneten Einkopplungsgitter weisen vorteilhafterweise eine starke Modulation auf und zeichnen sich durch eine kurze Breite in x-Richtung aus. Dadurch werden die Anforderungen an die Genauigkeit der Einstellung des Einfallswinkels relaxiert, da nun Licht aus einem grösseren Winkelsegment einkoppeln kann.The coupling grids shown in FIG. 1 advantageously have a strong modulation and are distinguished by a short width in the x direction. As a result, the requirements for the accuracy of the setting of the angle of incidence are relaxed, since light can now be coupled in from a larger angle segment.
Figuren 2a) und 2b) zeigen zwei weitere
von Wellenleitergitter Strukturen, wobei hier die Ausdehnung der Einkopplungsgitter in y-Richtung kleiner ist als jene der Auskopplungsgitter. In Figur 2b) sind ein einheitliches Auskopplungsgitter Go- für die in (-x)-Richtung laufende TE- und TM- Welle und ein einheitliches Auskopplungsgitter Go+ für die in (+χ)-Richtung laufende TE- und TM- Welle gezeichnet.Figures 2a) and 2b) show two more of waveguide grating structures, the extension of the coupling grating in the y direction being smaller than that of the coupling grating. FIG. 2b) shows a uniform decoupling grating Go- for the TE and TM waves running in the (-x) direction and a uniform decoupling grating Go + for the TE and TM waves running in the (+ χ) direction.
Figur 3 zeigt eine Ausführungsform eines erfindungsgemässen Sensors. Der Sensor beinhaltet einen Wellenleiter 1 mit einem Substrat 104, einem wellenleitenden Material 105 und einem Covermedium 106 sowie mit einer Wellenleitergitterstruktur gemäss Fig. 1. Eine Lichtquelle 2 erzeugt bspw. 45° linear polarisiertes Licht; zu diesem Zweck kann ein linear polarisierter Laser mit zur Zeichenebene um 45° verkippter Polarisationsebene verwendet werden. Über einen Strahlteiler 3 bzw. einen Spiegel 4 werden zwei einfallende Lichtstrahlen 5, 6 erzeugt. Die Lichtstrahlen 5, 6 fallen durch das Substrat 104 auf die beiden Einkopplungsgitter 101 (von denen in der Seitenansicht von Fig. 3 nur eines sichtbar ist) der zwei , sensing pads' (vgl. Fig. 1) und erzeu- gen im ersten , sensing pad'eine TE-Welle in Vorwärts- und Rückwärtsrichtung und im zweiten , sensing pad' eine TM- Welle in Vorwärts- und Rückwärtsrichtung. Die
Lichtwellen werden über vier Auskopplungsgitter 102, 103 (von denen in der Seitenansicht von Fig. 3 nur zwei sichtbar sind) aus der Wellenleitergitterstruktur ausgekoppelt und ins Substrat 104 abgestrahlt. Nach dem Durchlaufen des Substrates 104 breiten sie sich als Lichtfelder 7-10 aus und fallen auf einen zweidimensionalen CCD- Detektor 11. Gegebenenfalls kann sich zwischen dem Wellenleiter 1 und dem Detektor 11 ein (nicht dargestelltes) Linsensystem befinden.FIG. 3 shows an embodiment of a sensor according to the invention. The sensor contains a waveguide 1 with a substrate 104, a waveguiding material 105 and a cover medium 106 and with a waveguide grating structure according to FIG. 1. A light source 2 generates, for example, 45 ° linearly polarized light; For this purpose, a linearly polarized laser with a polarization plane tilted by 45 ° to the drawing plane can be used. Two incident light beams 5, 6 are generated via a beam splitter 3 or a mirror 4. The light rays 5, 6 fall through the substrate 104 onto the two coupling grids 101 (only one of which is visible in the side view of FIG. 3) of the two sensing pads (cf. FIG. 1) and produce in the first, sensing pad 'is a TE wave in the forward and reverse directions and in the second, sensing pad' is a TM wave in the forward and reverse directions. The Light waves are coupled out of the waveguide grating structure via four decoupling gratings 102, 103 (only two of which are visible in the side view of FIG. 3) and emitted into the substrate 104. After passing through the substrate 104, they spread out as light fields 7-10 and fall onto a two-dimensional CCD detector 11. A lens system (not shown) can optionally be located between the waveguide 1 and the detector 11.
Wird in den beiden 'sensing pads' mit unterschiedlicher Polarisation und einer der Wellenleitergitterstruktureinheit zugeordneten chemoempfindlichen Schicht gearbei- tet, so kann beispielsweise das Sensor-Signal S=tF (=Schichtdicke des wellenleitenden Films im Dreischichtwellenleitermodell) generiert werden (siehe auch weiter unten). Wird nun eine zweite Wellenleitergitterstruktureinheit, die ebenfalls die Generierung des Sensor-Signals S=tF zulässt, neben die erste Wellenleitergitterstrukrureinheit (nun gesamtheitlich als Signalpfad aufzufassen) gelegt und die zweite Wellenleitergitter- Struktureinheit (nun gesamtheitlich als Referenzpfad aufzufassen) beispielsweise mit einer chemoempfindlichen Schicht unterschiedlicher Spezifität bzw. mit einer nichtspezifischen chemoempfindlichen Schicht mit oder ohne 'non-specific binding' (z.B. einer Dextran- Schicht, an die kein Erkennungsmolekül gebunden ist) belegt, so kann beispielsweise als Sensor-Signal die Grosse tF(gemessen im Signalpfad) - tF(gemessen im Referenzpfad) dienen.If work is carried out in the two 'sensing pads' with different polarization and a chemosensitive layer assigned to the waveguide grating structure unit, then the sensor signal S = t F (= layer thickness of the waveguiding film in the three-layer waveguide model) can be generated (see also below) . If a second waveguide grating structure unit, which also permits the generation of the sensor signal S = tF, is now placed next to the first waveguide grating structure unit (now to be considered as a signal path in its entirety) and the second waveguide grating structure unit (now to be considered as a whole as a reference path), for example with a chemo-sensitive layer of different Specificity or with a non-specific chemo-sensitive layer with or without 'non-specific binding' (eg a dextran layer to which no recognition molecule is bound), for example, the size tF (measured in the signal path) - t can be used as the sensor signal F (measured in the reference path).
Obwohl die effektiven Brechzahlen N(TE) und N(TM) des TE- bzw. TM-Modes eventuell nicht am gleichen Ort gemessen werden (die beiden 'sensing pads' sind jedoch im Fall eines chemoempfindlichen Sensors mit derselben chemoempfindlichen Schicht bedeckt), können mit der Wellenleitergitterstruktureinheit die interessanten Sensor-Signale S und/oder ΔS mitAlthough the effective refractive indices N (TE) and N (TM) of the TE or TM mode may not be measured at the same location (however, the two sensing pads are covered with the same chemo-sensitive layer in the case of a chemo-sensitive sensor) with the waveguide grating structure unit with the interesting sensor signals S and / or ΔS
ΔS = Δα(TM) - Δα(TE) = Δ(α(TM) - α(TE)) (ΔS = Δ(α(TE) - α(TM))) (α=Auskopplungswinkel)
ΔS = ΔN(TM) - ΔN(TE) (ΔS = ΔN(TE) - ΔN(TM)),ΔS = Δα (TM) - Δα (TE) = Δ (α (TM) - α (TE)) (ΔS = Δ (α (TE) - α (TM))) (α = decoupling angle) ΔS = ΔN (TM) - ΔN (TE) (ΔS = ΔN (TE) - ΔN (TM)),
wobei die Schichtdicke des wellenleitenden Films vorzugsweise derart gewählt sein soll, dass für die Sensitivität der Brechzahl des Covermediums öN(TE)/δnc = 5N(TM)/öric gilt, was zumindest den Einfluss von durch Temperaturänderungen hervorgerufenen Brechzahländerungen des Cover-Mediums auf das Sensor-Signal eliminiert (die Brechzahl nc des Cover-Mediums hängt von der Temperatur ab, d.h. nc = nc(T), wobei T die Temperatur ist),the layer thickness of the waveguiding film should preferably be chosen such that the sensitivity of the refractive index of the cover medium is ÖN (TE) / δnc = 5N (TM) / öric, which at least affects the influence of changes in the refractive index caused by temperature changes on the cover medium Sensor signal eliminated (the refractive index nc of the cover medium depends on the temperature, ie nc = nc (T), where T is the temperature),
ΔS = ΔtF = const ((δN(TE)/r3T)-1ΔN(TE) - (f3N(TM)/aT)"1ΔN(TM))ΔS = Δt F = const ((δN (TE) / r3T) - 1 ΔN (TE) - (f3N (TM) / aT) "1 ΔN (TM))
wobei const =
und die Aenderung der Schichtdicke ΔtF aus dem Gleichungssystemwhere const = and the change in the layer thickness Δt F from the system of equations
ΔN(TE) = (öN(TE)/cτtF)ΔtF + (r3N(TE)/f3T)ΔT ( 1 )ΔN (TE) = (öN (TE) / cτtF) ΔtF + (r3N (TE) / f3T) ΔT (1)
ΔN(TM) = (r3N(TM)/r3tF)ΔtF + (δN(TM)/5T)ΔTΔN (TM) = (r3N (TM) / r3t F ) ΔtF + (δN (TM) / 5T) ΔT
berechnet wird und 5N/5T der Temperaturkoefϊizient des Wellenleiters samt Cover (=Probe) für den entsprechenden Mode ist (SN/dT wird unter Berücksichtigung des Temperaturkoeffizienten (dN/dT)GRAτiNG des Gitters experimentell (oder nach Theorie) bestimmt (siehe auch weiter unten)),is calculated and 5N / 5T is the temperature coefficient of the waveguide including cover (= sample) for the corresponding mode (SN / dT is determined experimentally (or according to theory) taking into account the temperature coefficient (dN / dT) G RAτiNG of the grating (see also further below)),
ΔS = ΔtF , wobei die Schichtdicke tF mit dem Drei-Schicht-Wellenleitermodell (mit N(TE) und oder N(TM) als Input-Parameter) berechnet wird,ΔS = Δt F , the layer thickness t F being calculated using the three-layer waveguide model (with N (TE) and or N (TM) as an input parameter),
ΔS = ΔtA , wobei die Aenderung der Zusatzschichdicke ΔtA aus dem GleichungssytemΔS = Δt A , the change in the additional layer thickness Δt A from the equation system
ΔN(TE) = (dN(TE)/&A)ΔtA + (3N(TE)/f3T)ΔT (2)ΔN (TE) = (dN (TE) / & A ) Δt A + (3N (TE) / f3T) ΔT (2)
ΔN(TM) = (f3N(TM)/ÖtA)ΔtA + (dN(TM)/5T)ΔT
berechnet wird,ΔN (TM) = (f3N (TM) / Öt A ) Δt A + (dN (TM) / 5T) ΔT is calculated,
ΔS = ΔtA , wobei die Zusatzschichtdicke tA mit dem Vier-Schicht-Wellenleitermodell (bzw. Fünf-Schicht- Wellenleitermodell) berechnet wird,ΔS = Δt A , the additional layer thickness t A being calculated using the four-layer waveguide model (or five-layer waveguide model),
ΔS = Δr, wobei die Massenbelegung T (siehe Chem. Commun. 1997, 1683-1684) mit dem Vier- Schicht- Wellenleitermodell (oder auch mit dem Drei-Schicht- Wellenleitermodell unter Verwendung von Approximationen (siehe J. Opt. Soc. Am. B, Vol. 6, No.2, 209-220)) berechnet wird,ΔS = Δr, the mass assignment T (see Chem. Commun. 1997, 1683-1684) with the four-layer waveguide model (or also with the three-layer waveguide model using approximations (see J. Opt. Soc. Am . B, Vol. 6, No.2, 209-220)) is calculated,
etc. gemessen werden. Die obigen Sensor-Signale sind deshalb interessant, weil sie eine geringe Temperaturabhängigkeit aufweisen. Grundsätzlich ist jedoch bei der Messung noch zu berücksichtigen, dass auch die Gitterperiode eine Temperaturabhängigkeit infolge des thermischen Ausdehnungskoeffizienten des Sensor Chips auf- weist. Es gilt ΔΛ = αΛΔT, wobei ΔΛ die Aenderung der Gitterperiode Λ, ΔT die Aenderung der Temperatur T und α der thermische Ausdehnungskoeffizient (typisch 4.5 10"6 K"1 für Glas und 6.1 10'5 K'1 für Polykarbonat) sind. Das durch das Gitter verursachte
= l(λ/Λ)α, wobei 1 die Beugungsordnung und λ die Wellenlänge sind, trägt wie folgt zum Temperaturkoeffizienten (dN/dT)cHip (=experimentelle Messgrösse) des kompletten Sensor Chips bei: (dN/dT)cHπ> = (dN/dT) AvEGuiDE +
+ (dN/dT)GRAτiNG, wobei (dN/dT) AvEGuiDE + SAMPLE der Temperaturkoeffizient des Wellenleiters samt Cover (=Probe) ist.etc. are measured. The above sensor signals are interesting because they have a low temperature dependency. Basically, however, it must also be taken into account during the measurement that the grating period also exhibits a temperature dependency as a result of the thermal expansion coefficient of the sensor chip. ΔΛ = αΛΔT, where ΔΛ is the change in the grating period Gitter, ΔT is the change in temperature T and α is the coefficient of thermal expansion (typically 4.5 10 "6 K " 1 for glass and 6.1 10 '5 K ' 1 for polycarbonate). That caused by the grid = l (λ / Λ) α, where 1 is the diffraction order and λ is the wavelength, contributes to the temperature coefficient (dN / dT) c H ip (= experimental measurement) of the complete sensor chip as follows: (dN / dT) cHπ> = (dN / dT) A vEGuiDE + + (dN / dT) G RAτiNG, where (dN / dT) A vEGuiDE + SAMPLE is the temperature coefficient of the waveguide including the cover (= sample).
Die Sensor-Signale S und ΔS können in Funktion der Zeit aufgenommen werden. Aber es kann auch nur ein Anfangs- und Endzustand auf einer Wellenleitergitterstruktureinheit gemessen und verglichen werden, wobei beispielsweise zwischendurch andere Wellenleitergitterstruktureinheiten ausgewertet werden können oder die Wellenleitergitterstruktur gar zwischendurch von der Messeinheit entfernt werden kann, da absolute Winkel bzw. Differenzen von Winkeln (bzw. Abstände (Differenzen von Abständen) von Lichtpunkten) gemessen werden und diese Grossen bezüglich einer
Verkippung bzw. Verschiebung stabil bleiben. Die Bestimmung eines Messwerts kann durch eine Einzelmessung, aber auch durch statistische Auswertung (z.B. Mittelung) mehrerer Einzelmessungen erfolgen.The sensor signals S and ΔS can be recorded as a function of time. But it is also possible to measure and compare only an initial and final state on a waveguide grating structure unit, for example, other waveguide grating structure units can be evaluated in between or the waveguide grating structure can even be removed from the measuring unit in between, since absolute angles or differences in angles (or distances) (Differences of distances) of light points) and these sizes with respect to a Tilt or shift remain stable. A measured value can be determined by a single measurement, but also by statistical evaluation (eg averaging) of several individual measurements.
Falls neben Temperaturänderungen ΔT noch andere Störungen wie z.B. Diffusion von Probenflüssigkeit in die Mikroporen eines porösen wellenleitenden Films (was zu einer Brechzahländerung ΔnF des wellenleitenden Films führt) oder Spannungen (wie z.B. Druckspannung oder Zugspannung) bzw. Spannungsänderungen vorhanden sind oder falls überhaupt nur Porendifϊusion vorhanden ist, kann (im ersten Fall unter be- stimmten Voraussetzungen (es ist z.B. der zeitliche Verlauf der Porendifϊüsion mit Temperatur T als Kurvenscharparameter bekannt)) (approximativ) eine (gemeinsame) Störungsgrösse ξ mit N(tF,ξ) = N (tF, nF(ξ), ns(ξ), nc(ξ)) bzw. N(tA, ξ) = N (tF, tA, nA(ξ), nF(ξ), ns(ξ), nc(ξ)) eingeführt werden. Gleichung (1) bzw. (2) nimmt dann die FormIf there are other disturbances besides temperature changes ΔT such as diffusion of sample liquid into the micropores of a porous waveguiding film (which leads to a change in refractive index Δn F of the waveguiding film) or stresses (such as compressive stress or tensile stress) or stress changes or if at all only pore diffusion is present (in the first case under certain conditions (for example the temporal course of the pore diffusion with temperature T is known as a family of curve parameters)) (approximate) a (common) disturbance variable ξ with N (t F , ξ) = N ( t F , n F (ξ), n s (ξ), nc (ξ)) or N (t A , ξ) = N (t F , t A , n A (ξ), nF (ξ), n s (ξ), nc (ξ)) are introduced. Equation (1) or (2) then takes the form
ΔN(TE) = (5N(TE)/r3S)ΔS + (öN(TE)/aξ)Δξ (3)ΔN (TE) = (5N (TE) / r3S) ΔS + (öN (TE) / aξ) Δξ (3)
ΔN(TM) = (cN(TM)/dS)ΔS + (5N(TM)/öξ)ΔξΔN (TM) = (cN (TM) / dS) ΔS + (5N (TM) / öξ) Δξ
an, wobei ΔS das Sensor-Signal ΔtF (oder ΔtA) und, beispielsweise im Fall des Drei- Schicht-WeUenleitermodells oN/δξ = (r3N/f3nF)( δnF/δξ) + (r3N/δns)(δns/r3ξ) + (aN/r3nc)(c δξ) (+(cN/dtF) (dtF /dζ), falls tF = tF(ξ)) ist. Logischerweise folgt unmittelbar aus ξ = T Formel (1) bzw. Formel (2). ξ = nF beschreibt z.B. die Diffusion bei konstanter Temperatur.where ΔS is the sensor signal ΔtF (or Δt A ) and, for example in the case of the three-layer optical fiber model oN / δξ = (r3N / f3n F ) (δn F / δξ) + (r3N / δns) (δns / r3ξ) + (aN / r3nc) (c δξ) (+ (cN / dt F ) (dt F / dζ) if t F = t F (ξ)). Logically follows directly from ξ = T formula (1) or formula (2). ξ = n F describes, for example, diffusion at constant temperature.
Auch im Fall vom Vorliegen mehrerer Störungen kann mit dem Drei-Schicht- Wellenleitermodell gearbeitet werden und die Modengleichung gelöst werden (Beispiel: Input: N(TE), N(TM), Output: tF, nF (=Brechzahl des wellenleitenden Films) oder tF, nc (=Brechzahl des Covermediums) oder tF, ns (=Brechzahl des Substrats)). Im Drei- Schicht- Wellenleitermodell werden wellenleitender Film, chemoempfindliche Schicht und spezifischer Bindungspartner als eine Schicht mit einer Brechzahl be-
trachtet. Obwohl ΠF und nc (und gegebenenfalls ns) nicht exakt bekannt sind und sich gegebenenfalls während des Experiments aufgrund der Störung ändern, ist die Mess- grösse tF relativ unabhängig von der Störung, hingegen abhängig vom Bindungsvorgang. Die Störung wird sozusagen in die zweite Outputgrösse, den Parameter "Brechzahl", verpackt.Even if there are several faults, the three-layer waveguide model can be used and the mode equation can be solved (example: input: N (TE), N (TM), output: tF, n F (= refractive index of the waveguiding film) or t F , nc (= refractive index of the cover medium) or tF, n s (= refractive index of the substrate)). In the three-layer waveguide model, waveguiding film, chemo-sensitive layer and specific binding partner are treated as one layer with a refractive index seeks. Although ΠF and nc (and possibly ns) are not exactly known and may change during the experiment due to the perturbation, the measured variable tF is relatively independent of the perturbation, but depends on the binding process. The disturbance is, so to speak, packed into the second output variable, the "refractive index" parameter.
Grundsätzlich sind Porendiöusion und Temperaturschwankungen unabhängige Erscheinungen und sollten durch zwei Störungsgrössen ξi und ξ2 beschrieben werden (Verallgemeinerung: k unabhängige Störungen werden durch k unabhängige Stö- rungsgrössen ξι,...,ξk beschrieben). Aus N(tF, ξl ..,ξk) folgt für beide Polarisationen, für eine gegebene Modenzahl und für eine gegebene WellenlängeBasically, pore diöusion and temperature fluctuations are independent phenomena and should be described by two disturbance variables ξi and ξ 2 (generalization: k independent disturbances are described by k independent disturbance variables ξι, ..., ξk). From N (t F , ξ l .., ξk) it follows for both polarizations, for a given mode number and for a given wavelength
ΔN = (3N/&F)ΔtF + (cN/δξι)Δξ, + ... +(δN/aξk)Δξt (4)ΔN = (3N / & F ) Δt F + (cN / δξι) Δξ, + ... + (δN / aξ k ) Δξ t (4)
Da die Störungsgrössen die Wellenleiterparameter tF, ΠF, ns, nc beeinflussen können, gilt:Since the disturbance variables can influence the waveguide parameters tF, ΠF, ns, nc, the following applies:
öN/δξi = (r3N/r3tF)( F/δξi) + (δN/ nF)(δnF/öξi) + (t5N/r3ns)(r3ns/r3ξi) +(aN/σ c)(δnc/δξi)öN / δξi = (r3N / r3t F ) ( F / δξi) + (δN / n F ) (δn F / öξi) + (t5N / r3n s ) (r3n s / r3ξ i ) + (aN / σ c) ( δnc / δξi)
(5)(5)
(l<=i<=k)( Analoges gilt auch für N(tA, ξι,...,ξk))- Für die Porendifϊüsion (ξι=nF) und die Temperaturänderung (ξ2=T) ergibt sich aus (4)(l <= i <= k) (The same applies to N (t A , ξι, ..., ξk)) - For the pore diffusion (ξι = n F ) and the temperature change (ξ 2 = T) it follows (4)
ΔN = (dN/δtF)ΔtF + (SN/δnF)ΔnF + (dN/dT)ΔT (6)ΔN = (dN / δt F ) Δt F + (SN / δnF) Δn F + (dN / dT) ΔT (6)
für beide Polarisationen, gegebener Modenzahl und gegebener Wellenlänge. δ /f5T kann z.B. experimentell bestimmt werden. Werden z.B beide Polarisationen gemessen, so stellt (6) zwei Gleichungen mit drei Unbekannten dar. Werden jedoch Messungen bei mehreren Wellenlängen (unter Berücksichtigung der Brechzahldispersionen) und/oder Modenzahlen durchgeführt, so können mehrere Gleichungssysteme beste-
hend jeweils aus drei Gleichungen und drei Unbekannten zusammengestellt und gelöst werden. Wird die Dispersion in Δnp(λ) als Unbekannte berücksichtigt (λ=Wellenlänge), so erhält man z.B. mit zwei Wellenlängen λi und λ2 und zwei Polarisationen vier Gleichungen mit vier Unbekannten ΔtF, ΔnF(λι), Δnp(λ2), ΔT und be- stimmt daraus die Unbekannten. Die Grosse ΔtF bildet das Sensor-Signal.for both polarizations, given mode number and given wavelength. δ / f5T can be determined experimentally, for example. For example, if both polarizations are measured, (6) represents two equations with three unknowns. However, if measurements are carried out at several wavelengths (taking into account the refractive index dispersions) and / or mode numbers, several systems of equations can be used. based on three equations and three unknowns. If the dispersion in Δnp (λ) is taken into account as an unknown (λ = wavelength), four equations with four unknowns Δt F , Δn F (λι), Δnp (λ 2 ) are obtained, for example, with two wavelengths λi and λ 2 and two polarizations. , ΔT and determines the unknowns from them. The size ΔtF forms the sensor signal.
Analog zu weiter oben können aber auch das Sensor-Signal tF und die Störungsgrössen aus den (Dreischicht bzw. Vierschicht)Modengleichungen für die beiden Polarisationen und für mehrere Wellenlängen und Modenzahlen bestimmt werden, voraus- gesetzt, dass das Gleichungssystem numerisch lösbar ist.Analogous to the above, the sensor signal t F and the disturbance variables can also be determined from the (three-layer or four-layer) mode equations for the two polarizations and for several wavelengths and mode numbers, provided that the system of equations can be solved numerically.
Grundsätzlich hängen auch die Schichtdicken in einem bestimmten Masse von der Temperatur ab (siehe auch Applied Optics 20 (1981), 2280-2283), was jedoch in den Formeln (1),(2) und (3) in der Approximation vernachlässigt wurde. Es ist jedoch auch möglich, bezüglich mindestens einer Probe eine derartige Kombination von (mehreren) Schichten und Substrat zu wählen, dass der Temperaturkoefϊϊzient des Wellenleiters bzw. des Gitterkopplers (bzw. der Wellenleitergitterstruktur) bezüglich mindestens eines Sensor-Signals S (=α(TE), α(TM), α(TM) - α(TE), N(TE),N(TM), N(TM) - N(TE), tF, tA etc.) nahezu null ist (Die Sensitivität bleibt aber nach wie vor hoch). Dabei kann z.B. eine der involvierten Schichten eine SiO2-Schicht sein.In principle, the layer thicknesses to a certain extent also depend on the temperature (see also Applied Optics 20 (1981), 2280-2283), but this has been neglected in the approximation in formulas (1), (2) and (3). However, it is also possible to select such a combination of (several) layers and substrate with respect to at least one sample that the temperature coefficient of the waveguide or the grating coupler (or the waveguide grating structure) with respect to at least one sensor signal S (= α (TE ), α (TM), α (TM) - α (TE), N (TE), N (TM), N (TM) - N (TE), t F , t A etc.) is almost zero (Die However, sensitivity remains high). For example, one of the layers involved can be an SiO 2 layer.
Der absolute Temperaturkoeffizient bezüglich eines Sensor-Signals S ist dS/dT, der entsprechende relative Temperaturkoefϊϊzient ist (l/S)(dS/dT). Mit dN(TE)/dT=0 bzw. dN(TM)/dT=0 werden auch S=N(TE) bzw. S=N(TM) zu interessanten tempe- raturunabhängigen Sensor-Signalen.The absolute temperature coefficient with respect to a sensor signal S is dS / dT, the corresponding relative temperature coefficient is (l / S) (dS / dT). With dN (TE) / dT = 0 or dN (TM) / dT = 0, S = N (TE) or S = N (TM) also become interesting temperature-independent sensor signals.
Ist in einem 'sensing pad' nur ein Gitter vorhanden, kann beispielsweise mit der in derIf there is only one grid in a 'sensing pad', you can use the grid in the
Europäischen Patentanmeldung 0 482 377 A2 beschriebenen ReflexionsanordnungEuropean patent application 0 482 377 A2 described reflection arrangement
(eventuell mit einem Sensor Chip mit Verkippung der Gitterebene zur unteren Sub- stratebene) gemessen werden. Die Messung mit der Reflexionsanordnung an schwach
oder stärker modulierten (monodiffraktiven oder multidiffraktiven) Wellenleitergittern (homogene Gitter, überlagerte Gitter mit verschiedenen Gitterperioden und/oder Gitterorientierungen, chirped Gitter etc.) kann für TE- wie auch für TM-Wellen durchgeführt werden. Die Modenanregung kann von links, die Auslesung von rechts erfol- gen oder auch umgekehrt. Beispielsweise kann in einem 'sensing pad' die Anregung der TE-Welle von links und die Anregung der TM-Welle von rechts erfolgen. In einem zweiten 'sensing pad' (eventuell mit unterschiedlicher Gitterperiode und/oder Gitterorientierung) kann die Anregung umgekehrt zum ersten 'sensing pad' erfolgen. Die Auslesung kann im reflektierten und transmittierten Lichtfeld in nullter oder höhe- rer Beugungsordnung erfolgen. Damit ist es auch mit der Reflexionsanordnung möglich, absolute Kopplungswinkel zu bestimmen. Der gemessene absolute Kopplungswinkel, der im wesentlichen bei gleicher Gitterperiode (und gleicher Beugungsordnung) der halben Winkeldifferenz zwischen den beiden entsprechenden Resona zmi- nima entspricht, ändert nicht, auch wenn der Sensor Chip leicht verkippt wird. Aus den absoluten Kopplungswinkeln für die TE-Welle bzw. die TM-Welle können die entsprechenden effektiven Brechzahlen und weitere integriert optische Messgrössen wie z.B. die Schichtdicke tF des wellenleitenden Films im Dreischichtwellenleitermodell etc. bestimmt werden.(possibly with a sensor chip with tilting of the grating level to the lower substrate level). The measurement with the reflection arrangement on weak or more modulated (monodiffractive or multidiffractive) waveguide gratings (homogeneous gratings, superimposed gratings with different grating periods and / or grating orientations, chirped gratings etc.) can be carried out for TE as well as for TM waves. The mode can be excited from the left, the reading from the right or vice versa. For example, the excitation of the TE wave can take place from the left and the excitation of the TM wave from the right in a sensing pad. In a second sensing pad (possibly with a different grating period and / or grating orientation), the excitation can take place in reverse to the first sensing pad. The reading can take place in the reflected and transmitted light field in zero or higher diffraction orders. It is thus also possible with the reflection arrangement to determine absolute coupling angles. The measured absolute coupling angle, which for the same grating period (and the same diffraction order) essentially corresponds to half the angular difference between the two corresponding resonances, does not change, even if the sensor chip is tilted slightly. From the absolute coupling angles for the TE wave or the TM wave, the corresponding effective refractive indices and other integrated optical measurement parameters such as the layer thickness t F of the waveguiding film in the three-layer waveguide model etc. can be determined.
Es ist natürlich auch möglich, dass im ersten 'sensing pad' die Anregung der TE- und TM- Welle von links und die Auslesung von rechts (gegebenenfalls nur mit einem CCD) und im zweiten 'sensing pad' (eventuell mit unterschiedlicher Gitterperiode) Anregung und Auslesung umgekehrt erfolgt.It is of course also possible that the excitation of the TE and TM waves from the left and the reading from the right (possibly only with a CCD) in the first 'sensing pad' and excitation in the second 'sensing pad' (possibly with a different grating period) and reading takes place in reverse.
Es ist auch möglich, dass die Einfallsebene der Strahlführung verantwortlich für den Referenzpfad (zweiter 'sensing pad') gegenüber der Einfallsebene der Strahlführung verantwortlich für den Signalpfad (erster 'sensing pad') verdreht bzw. verkippt bzw. verdreht und verkippt ist. Erster und zweiter 'sensing pad' können auch zusammenfallen. Es können die Kopplungswinkel für die TE-Welle und die TM- Welle auch bei verschiedenen Wellenlängen und/oder Modenzahlen gemessen werden.
Eine weitere 'sensing pad' Anordnung besteht aus zwei (gleichen) chirped Gitter (Gitter mit verlaufender Gitterperiode), wobei ein Gitter als Einkopplungsgitter und ein Gitter als Auskopplungsgitter dient. Chirped Gitter sind aus der Literatur bekannt (siehe z.B. die Patentanmeldung WO 97/09594). Der Signal- 'sensing pad' und der Referenz-' sensing-pad' können gleiche oder auch entgegengesetzte Chiφ-Richtung (Richtung, in die die Gitterperiode sich ändert (z.B. grösser wird), ist senkrecht zur Richtung der Modenausbreitung) aufweisen. Die 'sensing pads' können mit derselben (bio)chemoempfindlichen Schicht belegt sein (siehe unten) oder unterschiedliche ((bio)chemoempfindliche) Schichten aufweisen, wobei die ((bio)chemoempfindliche) Schicht des zweiten 'sensing pads' (Referenz- 'sensing pads') eine andere (bio)chemoempfindliche Schicht oder eine nichtspezifische ((bio)chemoempfindliche) Schicht mit oder ohne 'nonspecific binding' (z.B. Dextran ohne Erkennungsmolekül) oder eine reine Schutzschicht ist.It is also possible that the plane of incidence of the beam guide responsible for the reference path (second 'sensing pad') is rotated or tilted or rotated or tilted relative to the plane of incidence of the beam guide responsible for the signal path (first 'sensing pad'). The first and second 'sensing pad' can also coincide. The coupling angles for the TE wave and the TM wave can also be measured at different wavelengths and / or mode numbers. Another 'sensing pad' arrangement consists of two (identical) chirped grids (grids with a running grating period), one grating serving as the coupling grating and one grating serving as the coupling grating. Chirped gratings are known from the literature (see, for example, patent application WO 97/09594). The signal 'sensing pad' and the reference 'sensing pad' can have the same or opposite Chiφ direction (direction in which the grating period changes (eg increases) is perpendicular to the direction of the mode propagation). The 'sensing pads' can be covered with the same (bio) chemo-sensitive layer (see below) or have different ((bio) chemo-sensitive) layers, the ((bio) chemo-sensitive) layer of the second 'sensing pads' (reference 'sensing') pads') is another (bio) chemo-sensitive layer or a non-specific ((bio) chemo-sensitive) layer with or without 'nonspecific binding' (e.g. dextran without a recognition molecule) or a pure protective layer.
Das chirped Gitter, das für die Einkopplung zuständig ist, wird mit einem (nichtkeilförmigen oder gegebenenfalls (leicht) keilförmigen) Lichtband beleuchtet, wovon ein bestimmter Anteil, bei dem die Einkopplungsbedingung erfüllt ist, in den Wellenleiter eingekoppelt wird. Es können die Einkopplungs-chirped-Gitter von Signal- 'sensing pad' und Referenz- 'sensing pad' auch gleichzeitig (gegebenenfalls mit einem einzigen längeren Lichtband) (gegebenenfalls mit 45° linear polarisiertem oder zirkulär (oder elliptisch) polarisiertem Licht (zur Anregung von Moden beider Polarisationen)) beleuchtet werden. Bei Anregung von Moden unterschiedlicher Polarisation unter einem festen Einfallswinkel sind die entsprechenden Gitterperioden der beiden 'sensing pads' verschieden.The chirped grating, which is responsible for the coupling, is illuminated with a (non-wedge-shaped or possibly (slightly) wedge-shaped) light band, of which a certain proportion, for which the coupling condition is fulfilled, is coupled into the waveguide. The coupling-chirped grating of signal 'sensing pad' and reference 'sensing pad' can also be used simultaneously (if necessary with a single longer light band) (if necessary with 45 ° linearly polarized or circularly (or elliptically) polarized light (for excitation of modes of both polarizations)) are illuminated. When modes of different polarization are excited at a fixed angle of incidence, the corresponding grating periods of the two sensing pads are different.
Bei gleicher Polarisation und entgegengesetzter Chirp-Richtung von Signal-' sensing pad' und Referenz- 'sensing pad' (beide 'sensing pads' sind mit derselben (bio)chemoempfindlichen Schicht belegt) wandern die beiden ausgekoppelten Lichtpunkte aufgrund der (bio)chemischen Bindung (praktisch) senkrecht zur Ausbrei- tungsrichtung der Moden aufeinander zu oder voneinander weg (je nach Chirp- Richtung bzw. Chirp-Orientierung). Die Position der Lichtpunkte wird mit PSDs oder
(einem) l-(oder 2) dimensionalen CCD gemessen. Ueber die Aenderung des Abstan- des der beiden Lichtpunkte kann die Aenderung der effektiven Brechzahl der entsprechenden Polarisation berechnet werden. Der Abstand der beiden Lichtpunkte ist eine absolute Grosse, da der Abstand der beiden Lichtpunkte unabhängig von Verschie- bungen bzw. von kleinen Verkippungen ist. (Haben Signal- und Referenzpfad unterschiedliche Polarisation, kann das Mess- Signal ΔN(TM) - ΔN(TE) bestimmt werden).With the same polarization and opposite chirp direction of the signal 'sensing pad' and reference 'sensing pad' (both 'sensing pads' are coated with the same (bio) chemo-sensitive layer), the two out-coupled light points migrate due to the (bio) chemical bond (Practically) perpendicular to the direction of propagation of the modes towards or away from each other (depending on the chirp direction or chirp orientation). The position of the light points is with PSDs or (a) l- (or 2) dimensional CCD measured. The change in the effective refractive index of the corresponding polarization can be calculated by changing the distance between the two light points. The distance between the two light points is an absolute size, since the distance between the two light points is independent of shifts or small tilting. (If the signal and reference path have different polarization, the measurement signal ΔN (TM) - ΔN (TE) can be determined).
Bei gleicher Polarisation, gleicher Chiφ-Richtung der beiden 'sensing pads', aber unterschiedlicher (bio)chemoempfindlicher Schicht (z.B. auf Signalpfad: spezifische Schicht, auf Referenzpfad: nichtspezifische Schicht) bildet der Abstand der beiden Lichtpunkte ein referenziertes (absolutes) Sensor-Signal.With the same polarization, the same Chiφ direction of the two 'sensing pads', but different (bio) chemo-sensitive layers (e.g. on signal path: specific layer, on reference path: non-specific layer), the distance between the two light points forms a referenced (absolute) sensor signal .
Die Anordnung vom vorletzten Absatz kann wiederum für die andere Polarisation (unter Anpassung der Gitteφeriode) dupliziert werden und kann wiederum gesamt- heitlich als Referenzpfad zur gesamten Anordnung des vorletzten Absatzes (jetzt als Signalpfad zu inteφretieren) aufgefasst werden. Es kann hier die Aenderung der effektiven Brechzahl der anderen Polarisation gemessen werden. (Bleibt (bleiben) jedoch die Polarisation(en) gleich und kommt dafür eine andere chemoempfindliche Schicht (mit oder ohne nonspecific binding) oder eine nichtspezifische Schicht mit oder ohne non-specific binding (z:B. Dextran-Schicht ohne Erkennungsmolekül) zum Einsatz, so können die referenzierten Messgrössen (Messgrösse (erste Anordnung) - Messgrösse (zweite Anordnung)) von den Messgrössen ΔN (TE) oder ΔN(TM) oder ΔN(TM) - ΔN(TE) ermittelt werden).The arrangement of the penultimate paragraph can in turn be duplicated for the other polarization (by adapting the Gitteφeriode) and can in turn be understood as a reference path for the entire arrangement of the penultimate paragraph (now to be integrated as a signal path). The change in the effective refractive index of the other polarization can be measured here. (However, the polarization (s) remain the same and another chemo-sensitive layer (with or without nonspecific binding) or a non-specific layer with or without non-specific binding (e.g. dextran layer without recognition molecule) is used , the referenced measured variables (measured variable (first arrangement) - measured variable (second arrangement)) can be determined from the measured variables ΔN (TE) or ΔN (TM) or ΔN (TM) - ΔN (TE).
Es ist auch möglich, dass nur das Einkopplungsgitter als chiφed Gitter vorliegt, das Auskopplungsgitter jedoch z.B. monodiffraktiv (oder multidiffraktiv) ist. Die beiden Lichtflecke vom vorvorletzten Absatz wandern aufgrund der (bio)chemischen Bindung nicht mehr senkrecht zur Richtung der Modenausbreitung, da das Auskopplungsgitter auch in der Einfallsebene (vielleicht besser Ausfallsebene genannt) ablenkt (d.h. es ändert der Auskopplungswinkel).
Wird wiederum für Signal-' sensing pad' und Referenz- 'sensing pad' mit je drei Gittern (ein Einkopplungsgitter und zwei Auskopplungsgitter oder zwei Einkopplungsgitter und ein Auskopplungsgitter) gearbeitet, wobei Moden in Vorwärts- und Rück- wärtsrichtung angeregt werden, ist das Einkopplungsgitter ein chiφed Gitter (mit gleicher oder umgekehrter Chiφ-Orientierung zwischen den beiden 'sensing pads') und sind die Auskopplungsgitter z.B. monodiffiraktiv (oder multidifiraktiv), so können Verschiebungen bzw. Verkippungen der x- und y- Achse (Orientierung der Achsen wie in Figur 1) identifiziert und aufgrund der Absolutmessung eliminiert werden. Für die chemoempfindliche(n) Schicht(en) gelten die gleichen Bemerkungen wie beim 'sensing pad', der aus zwei chiφed Gitter besteht. Wird beispielsweise nur der (absolute) Auskopplungswinkel (und/oder daraus ableitbare Messgrössen) als Sensor-Signal betrachtet, so kann das chiφed Einkopplungsgitter auch mit einem keilförmig einfallenden Lichtband beleuchtet werden. Auch hier kann obige Anordnung (Signal- u. Refe- renzpfad) dupliziert werden und als neuer Referenzpfad (mit oder ohne unterschiedlicher chemoempfindlicher Schicht oder mit nichtspezifischer Schicht) zur obigen Anordnung (jetzt gesamtheitlich als Signalpfad aufzufassen) aufgefasst werden.It is also possible that only the coupling-in grating is present as a chiφed grating, but the coupling-out grating is, for example, monodiffractive (or multi-diffractive). Due to the (bio) chemical bond, the two light spots from the penultimate paragraph no longer move perpendicular to the direction of the mode propagation, since the decoupling grating also deflects in the plane of incidence (perhaps better called the plane of the decay) (ie it changes the decoupling angle). If, in turn, work is carried out for signal 'sensing pad' and reference 'sensing pad' with three grids each (one coupling grating and two coupling grids or two coupling grids and one coupling grating), with modes being excited in the forward and reverse directions, is the coupling grating a chiφed grating (with the same or reversed Chiφ orientation between the two 'sensing pads') and the decoupling grids are, for example, monodiffiractive (or multidifiraactive), then shifts or tilting of the x and y axes (orientation of the axes as in Figure 1) identified and eliminated based on the absolute measurement. The same remarks apply to the chemo-sensitive layer (s) as to the 'sensing pad', which consists of two chiφed gratings. If, for example, only the (absolute) decoupling angle (and / or measurement variables derived from it) is considered as a sensor signal, the chiφed coupling grating can also be illuminated with a wedge-shaped incident light band. Here, too, the above arrangement (signal and reference path) can be duplicated and interpreted as a new reference path (with or without a different chemo-sensitive layer or with a non-specific layer) to the above arrangement (now to be understood collectively as a signal path).
Die Probenflüssigkeit(en) wird (werden) durch eine 'well' bzw. eine Matrix von 'wells', eine Durchflusszelle bzw. eine Matrix von Durchflusszellen, eine Kapillarkü- vette bzw. eine Matrix von Kapillarküvetten etc. in Kontakt mit dem Wellenleiter bzw. der (den) chemoempfindlichen Substanz(en) gebracht.The sample liquid (s) is (are) brought into contact with the waveguide or through a 'well' or a matrix of 'wells', a flow cell or a matrix of flow cells, a capillary cell or a matrix of capillary cells etc. brought the chemo-sensitive substance (s).
Zweidimensionale Anordnungen führen z.B. zu einer 'microplate' mit 96, 384, 1536 'wells' etc. (Aber auch andere zweidimensionale Formate (z.B. Scheiben) sind möglich). Aber auch die Herstellung einzelner Streifen (eindimensionale Anordnung) ist möglich. Die Streifen können z.B. auch in den Rahmen einer Microplate eingesetzt werden. Die 'wells' können als separate Probenzelle (bzw. Probenzellenplatte) auf die Sensorchip-Platte, welche die Wellenleitergitterstruktureinheiten enthält, aufgebracht werden. Es ist jedoch auch möglich, das Substrat selbst derart mit Vertiefungen zu versehen, dass diese Vertiefungen bereits die Funktion der 'wells' bzw. der Durch-
flussküvetten bzw. der Kapillarküvetten übernehmen. In den letzteren beiden Fällen muss die Sensorchip-Platte mit einer mit Bohrungen versehenen Deckplatte abgedeckt werden. Im ersten Fall kann die Sensorchip-Platte mit einer Deckplatte (ohne Bohrungen) abgedeckt werden, um z. B. Verdunstung zu vermeiden. Die Bohrungen diene der Zu- bzw. Abführ der Probe bzw. der Entlüftung. Vorteilhafterweise wird mit Kunststoffsubstraten und Spritzgusstechniken oder Hot-Embossing-Techniken gearbeitet. Aber auch Sol-Gel-Techniken, UV-Härtetechniken für organisch/anorganische Komposite, Glasprägetechniken (Hot-Embossing oder (Injection) Molding), Aetz- techniken, Laserabtragung etc. bilden eine Alternative.Two-dimensional arrangements lead, for example, to a 'microplate' with 96, 384, 1536 'wells' etc. (But other two-dimensional formats (eg disks) are also possible). The production of individual strips (one-dimensional arrangement) is also possible. The strips can also be used in the frame of a microplate, for example. The 'wells' can be applied as a separate sample cell (or sample cell plate) to the sensor chip plate which contains the waveguide grating structure units. However, it is also possible to provide the substrate itself with depressions in such a way that these depressions already function as the 'wells' or take over the flow cuvettes or the capillary cuvettes. In the latter two cases, the sensor chip plate must be covered with a cover plate provided with holes. In the first case, the sensor chip plate can be covered with a cover plate (without holes) in order, for. B. to avoid evaporation. The holes are used for supplying and removing the sample or for venting. Plastic substrates and injection molding techniques or hot embossing techniques are advantageously used. But sol-gel techniques, UV hardening techniques for organic / inorganic composites, glass embossing techniques (hot embossing or (injection) molding), etching techniques, laser ablation etc. also form an alternative.
Die Gitterstrukturen können mit Prägetechniken (Heissprägung, Kaltprägung, UV- Härtung) oder Spritzgusstechnik in Kunststoff, Sol-Gel, Glas, UN-härtbaren organischen oder anorganische Materialien oder organisch/anorganischen Kompositen, Or- moceren oder Νanomeren, mit Laserabtragung gepaart mit Interferometrie, Hologra- phie und/oder Phasenmaskentechnik, Photolithographie gepaart mit Νass- oder Trok- kenätzung, mit Photopolymerisation (siehe z.B. P. Coudray et al., Crit. Rev. Opt. Sei. Tech. (SPIE) CR68 (1997), 286-303) oder mit Gusstechniken (z:B in Sol-Gel) etc. hergestellt werden. Kunststoffspritzgusstechniken, wie sie bei der Herstellung von Compact Disc Scheiben (z.B. in Polykarbonat) eingesetzt werden, sind besonders ge- eignet. Die Gitterstruktur kann im (bzw. auf dem) Substrat oder in (bzw. auf) einer Schicht sein oder in Kombinationen davon vorliegen. Die Gitterstrukturen können Oberflächenreliefgitter (bzw. Interface-Reliefgitter) oder Brechzahlgitter (bzw. Volumengitter) oder Kombinationen davon sein. Der wellenleitende Film kann eine Sol- Gel-Schicht (SiO2-TiO2, TiO2, (nichtporöses) hochbrechendes Bleisilikatglas etc.) , eine organisch/anorganische Kompositschicht, eine Polymerschicht, eine PVD-, eine CVD-, eine PE-CND-, eine PI-CVD-Schicht, eine photopolymerisierbare hochbrechende Schicht (z.B. photopolymerisierbares TiO2) etc. oder Kombinationen davon sein. Es ist auch möglich, dass eine Schicht (mit vorzugsweise niedriger Brechzahl, z.B. aus SiO2 Sol Gel , SiO2-TiO2 Sol Gel (mit niedrigem TiO2-Gehalt), Bleisilikatglas Sol Gel (mit niedrigem Bleigehalt), floatglasähnlichem Sol-Gel etc.) die Gitterstruktur enthält und eine zweite Schicht (z.B. aus SiO2-TiO2, TiO , Ta2Os, HfO2, ZrO2, Νb2O5,
Si3N4, Bleisilikatglas etc.) den wellenleitenden Film bildet. Dadurch, dass der Erweichungspunkt von Bleisilikatglas deutlich unter dem Erweichungspunkt von Glas liegt, kann das Bleisilikatglas zum Schmelzen gebracht werden, ohne dabei das Glas zu beschädigen. Der Schmelzvorgang führt zu nahezu porenfreiem Bleisilikatglas. Haben Substrat und die Schicht(en) ähnliche thermische Ausdehnungskoeffizienten, kann die Bildung von Mikrorissen verhindert werden (Mikrorisse erhöhen die Dämpfüngswerte der Moden). PVD- und CVD-Prozesse erlauben die Herstellung von sehr kompakten wellenleitenden Filmen.The lattice structures can be made with embossing techniques (hot stamping, cold stamping, UV curing) or injection molding in plastic, sol-gel, glass, UN-curable organic or inorganic materials or organic / inorganic composites, ormocers or Νanomers, with laser ablation paired with interferometry, Holography and / or phase mask technology, photolithography paired with Νass or dry etching, with photopolymerization (see, for example, P. Coudray et al., Crit. Rev. Opt. Sei. Tech. (SPIE) CR68 (1997), 286- 303) or with casting techniques (e.g. in sol-gel) etc. Plastic injection molding techniques, such as those used in the production of compact disc discs (eg in polycarbonate), are particularly suitable. The lattice structure can be in (or on) the substrate or in (or on) a layer or in combinations thereof. The grating structures can be surface relief gratings (or interface relief gratings) or refractive index gratings (or volume gratings) or combinations thereof. The wave-guiding film can be a sol-gel layer (SiO 2 -TiO 2 , TiO 2 , (non-porous) high-index lead silicate glass etc.), an organic / inorganic composite layer, a polymer layer, a PVD, a CVD, a PE-CND -, a PI-CVD layer, a photopolymerizable high-index layer (eg photopolymerizable TiO 2 ) etc. or combinations thereof. It is also possible that a layer (preferably with a low refractive index, for example made of SiO 2 sol gel, SiO 2 -TiO 2 sol gel (with a low TiO 2 content), lead silicate glass sol gel (with a low lead content), float glass-like sol gel etc.) contains the lattice structure and a second layer (e.g. made of SiO 2 -TiO 2 , TiO, Ta 2 Os, HfO 2 , ZrO 2 , Νb 2 O 5 , Si 3 N 4 , lead silicate glass etc.) forms the waveguiding film. Because the softening point of lead silicate glass is significantly below the softening point of glass, the lead silicate glass can be melted without damaging the glass. The melting process leads to almost pore-free lead silicate glass. If the substrate and the layer (s) have similar thermal expansion coefficients, the formation of microcracks can be prevented (microcracks increase the damping values of the modes). PVD and CVD processes allow the production of very compact waveguiding films.
Das Substrat kann aus Kunststoff (z.B. Polykarbonat, PMMA, Polystyrol etc.), Sol- Gel oder aus Glas (Floatglas, Objektträger, Natronkalkglas, Borosilikatglas, alkalifreies Glas, Quartz etc.) sein. Es kann aber auch das Gittermaterial als Substratmaterial verwendet werden (z.B. Ormocer, UV härtbares Material).The substrate can be made of plastic (e.g. polycarbonate, PMMA, polystyrene etc.), sol-gel or glass (float glass, slides, soda-lime glass, borosilicate glass, alkali-free glass, quartz etc.). However, the grid material can also be used as substrate material (e.g. Ormocer, UV curable material).
Die Probenzelle kann aus Vertiefungen (Löchern, Bohrungen), aber auch aus Durchflusszellen bestehen. Diese Durchflusszellen können auch derart konfiguriert sein, dass die Probenflüssigkeit mit der Nadel eines Pipettierungsroboters zugeführt werden kann. Es ist auch möglich, dass eine zweite Probenzelle bestehend aus Durchflusskü- vetten in eine erste Probenzelle mit Vertiefungen (Löchern) eingesetzt wird.The sample cell can consist of depressions (holes, bores), but also of flow cells. These flow cells can also be configured such that the sample liquid can be supplied with the needle of a pipetting robot. It is also possible for a second sample cell consisting of flow-through cuvettes to be inserted into a first sample cell with depressions (holes).
In das Substrat bzw. irgendwo auf der Sensorchip-Platte können Positionierungsmarken (Löcher, Vertiefungen, Stifte, Ueberhöhungen etc.) ein- bzw. aufgebracht sein. Diese Positionierungsmarken garantieren, dass der einfallende Lichtstrahl das (die) Einkopplungsgitter trifft. Die Identifizierung der Positionierungsmarke erfolgt über die Messeinheit.Positioning marks (holes, depressions, pins, peaks, etc.) can be inserted or applied into the substrate or anywhere on the sensor chip plate. These positioning marks guarantee that the incident light beam hits the coupling grating (s). The positioning mark is identified via the measuring unit.
Für die Separation der das Sensorsignal tragenden Lichtwelle von anderen Lichwellen (z.B. von der an der Unterseite des Substrats reflektierten Lichtwelle) ist es auch vorteilhaft, wenn der wellenleitende Film nicht planparallel zur Unterseite des Sub- strates ist. Diese Nichtplanparallelität kann unter anderem in Form von Keilen, Prismen, Zylindeφrismen, sphärischen Linsen, Zylinderlinsen etc. vorliegen.
Mit der chemosensitiven Wellenleiterstruktur können nicht nur ein Direktnachweis sondern auch Markierungsnachweise durchgeführt werden. Die Verwendung eines 'refractive index labeis' (z.B. ein Kunststoffkügelchen (z.B. Latex-Kügelchen), bio- chemische und biologische Fragmente etc.) kann bereits als Markierungsnachweis aufgefasst werden. Es lassen sich damit beispielsweise Sandwich-Assays oder Com- petition-Assays realisieren.For the separation of the light wave carrying the sensor signal from other light waves (for example from the light wave reflected on the underside of the substrate), it is also advantageous if the wave-guiding film is not plane-parallel to the underside of the substrate. This non-plane parallelism can be in the form of wedges, prisms, cylindrical indices, spherical lenses, cylindrical lenses, etc. With the chemosensitive waveguide structure, not only direct detection but also marking detection can be carried out. The use of a 'refractive index label' (eg a plastic ball (eg latex ball), bio-chemical and biological fragments etc.) can already be seen as a proof of marking. It can be used to implement sandwich assays or competence assays, for example.
Als Lichtquelle wird vorteilhafterweise eine monochromatische Lichtquelle wie z.B ein (gepulster) Laser, eine (gepulste) Laserdiode, eine (gepulste) LED mit oder ohne Filter im (infra)roten bzw. blau-grünen bzw. ultravioletten Spektralbereich verwendet. Aber auch thermische Lichtquellen mit einem Filter können zur Anwendung kommen. Rot-blau-grüne bzw. ultraviolette Wellenlängen haben den Vorteil, dass (a) die Sensitivität für den Direktnachweis steigt und (b) mit derselben Lichtquelle neben 'direct sensing' auch Fluoreszenz-, Phosphoreszenz- und Lurnineszenztests durchgeführt werden können, wobei die Anregung der Fluoreszenz, Phosphoreszenz oder Lumineszenz über die evaneszente Welle (in Form einer TE-Welle oder TM- Welle oder TE- und TM- Welle) geschieht. Das Fluoreszenz-, Phosphoreszenz- und Lumineszenzlicht kann als ebene oder auch als geführte Lichtwelle beobachtet werden. Das durch die TE-Anregungswelle verursachte Fluoreszenzlicht (bzw. dessen Intensität) kann mit dem durch die TM-Anregungswelle verursachten Fluoreszenzlicht (bzw. dessen Intensität) referenziert bzw. verglichen werden, wobei vorteilhafterweise die Intensität der Anregungswelle mitberücksichtigt wird und eventuell die Detektoren durch den Einsatz von Polarisatoren polarisationsempfindlich gemacht werden. Die geführte Fluoreszenz-, Phosphoreszenz- und Lumineszenzlichtwelle kann über ein Gitter ausgekoppelt und einem Detektor zugeführt werden. Es können Sandwich- Assays, Competition-Assays etc. durchgeführt werden, wobei zumindest ein beteiligter Bindungspartner fluoreszenz (phosphoreszenz, lumineszenz)-markiert ist. Die (bio)chemosensitive Schicht kann auf dem Gitter, kann aber auch nur zwischen den Gittern bzw. ausserhalb des Gitters vorhanden sein.
Fluoreszenz-, Lumineszenz- und Phosphoreszenzmessungen zeigen eine geringe Temperaturabhängigkeit. Für Fluoreszenz-, Lumineszenz- und Phosphoreszenzmessungen sind rein anorganische Wellenleitergitterstrukturen besonders geeignet (Gitter wird in Glas oder Sol-Gel (z.B. SiO2) oder im anorganischen wellenleitenden Film, wellenleitender Film aus anorganischem Material (z.B. Si3N oder Oxidschichten wie z.B. TiO2 oder Ta2Os oder Bleisilikatschichten etc.) hergestellt). Anorganische Materialien zeigen z.B. eine geringe Eigenfluoreszenz. Wird mit einem Kunststoffsubstrat gearbeitet, so empfiehlt es sich, eine anorganische tiefbrechende Zwischenschicht (z.B. SiO2) auf das Kunststoffsubstrat aufzubringen. Die Schichtdicke dieser Zwi- schenschicht ist so gross zu wählen, dass die darin laufende evaneszente Welle das Kunststoffsubstrat praktisch nicht mehr "sieht". Dadurch wird zumindest die durch die geführte Lichtwelle erzeugte Eigenfluoreszenz stark reduziert.A monochromatic light source such as a (pulsed) laser, a (pulsed) laser diode, a (pulsed) LED with or without filter in the (infra) red, blue-green or ultraviolet spectral range is advantageously used as the light source. Thermal light sources with a filter can also be used. Red-blue-green or ultraviolet wavelengths have the advantage that (a) the sensitivity for direct detection increases and (b) in addition to 'direct sensing', fluorescence, phosphorescence and lurninescence tests can be carried out with the same light source, whereby the excitation the fluorescence, phosphorescence or luminescence occurs via the evanescent wave (in the form of a TE wave or TM wave or TE and TM wave). The fluorescent, phosphorescent and luminescent light can be observed as a plane or as a guided light wave. The fluorescence light (or its intensity) caused by the TE excitation wave can be referenced or compared with the fluorescence light (or its intensity) caused by the TM excitation wave, advantageously taking into account the intensity of the excitation wave and possibly the detectors by the Use of polarizers can be made sensitive to polarization. The guided fluorescence, phosphorescence and luminescence light wave can be coupled out via a grating and fed to a detector. Sandwich assays, competition assays etc. can be carried out, with at least one binding partner involved being fluorescence (phosphorescence, luminescence) -labeled. The (bio) chemosensitive layer can be on the grid, but can also only be present between the grids or outside the grid. Fluorescence, luminescence and phosphorescence measurements show a low temperature dependence. Purely inorganic waveguide grating structures are particularly suitable for fluorescence, luminescence and phosphorescence measurements (grating is made in glass or sol-gel (e.g. SiO 2 ) or in inorganic waveguiding film, waveguiding film made of inorganic material (e.g. Si 3 N or oxide layers such as TiO 2 or Ta 2 Os or lead silicate layers etc.). Inorganic materials, for example, show little inherent fluorescence. If you are working with a plastic substrate, it is advisable to apply an inorganic deep-refractive intermediate layer (eg SiO 2 ) to the plastic substrate. The layer thickness of this intermediate layer is to be chosen so large that the evanescent wave running in it practically no longer "sees" the plastic substrate. As a result, at least the inherent fluorescence generated by the guided light wave is greatly reduced.
Werden die Intensität der (eventuell ausgekoppelten) Anregungswelle als auch jene der (eventuell ausgekoppelten) Emissionswelle gemessen, so können verschiedene Störfaktoren (wie z.B. solche, die durch Intensitätsschwankungen der Anregungswelle verursacht werden) durch Referenzierung eliminiert werden. Das referenzierte Sensor-Signal ist dann beispielsweise die Intensität der Fluoreszenz (Lumineszenz, Phosphoreszenz) geteilt durch die Intensität der Anregungslichtwelle. Die Intensität der Anregungswelle kann vor dem Eindringen der Anregungswelle in die chemoempfindliche Schicht oder nach dem Austritt der Anregungswelle aus der chemoempfindlichen Schicht oder an beiden Stellen gemessen werden. Mit referenzierten Markierungsnachweisen können absolute kinetische Messungen als auch absolute Endpunktsmessungen durchgeführt werden. Bei absoluten (Endpunkts)Messungen kann die (bio)chemische Interaktion auf der Wellenleitergitterstruktur auch ausserhalb des Messinstruments erfolgen.If the intensity of the (possibly decoupled) excitation wave as well as that of the (possibly decoupled) emission wave is measured, various interference factors (such as those caused by fluctuations in the intensity of the excitation wave) can be eliminated by referencing. The referenced sensor signal is then, for example, the intensity of the fluorescence (luminescence, phosphorescence) divided by the intensity of the excitation light wave. The intensity of the excitation wave can be measured before the excitation wave penetrates the chemo-sensitive layer or after the excitation wave emerges from the chemo-sensitive layer or at both points. With referenced markings, absolute kinetic measurements as well as absolute end point measurements can be carried out. In the case of absolute (end point) measurements, the (bio) chemical interaction on the waveguide grating structure can also take place outside the measuring instrument.
Zu beachten ist auch, dass mit einem (digitalen oder analogen) PSD (position sensitive detector) (1-dimensional oder 2-dimensional), einem Photodiodenarray (PDA) (1- dimensional oder 2-dimensional) oder einem CCD-Array (1-dimensional oder 2-
dimensional) nicht nur (Positionen von) Lichtfeldverteilungen sondern auch Intensitäten gemessen werden können.It should also be noted that with a (digital or analog) PSD (position sensitive detector) (1-dimensional or 2-dimensional), a photodiode array (PDA) (1-dimensional or 2-dimensional) or a CCD array (1 -dimensional or 2- dimensionally) not only (positions of) light field distributions but also intensities can be measured.
Es können (müssen aber nicht) zum Teil mit denselben Detektoren ein Direktnachweis wie auch ein Markierungsnachweis (auf Fluoreszenz-, Lumineszenz-, Phosphoreszenzbasis) durchgeführt werden. Evaneszenzfeldanregung kann auch mit zeitaufgelösten Messtechniken (z.B. Time resolved fluorescence oder luminescence) kombiniert werden. Bei zeitaufgelösten Messtechniken wird mit einer gepulsten Lichtwelle (vorwiegend im sichtbaren bzw. ultravioletten Wellenlängenbereich) die Markierung ange- regt. Die Abklingzeiten für die Fluoreszenz (Lumineszenz, Phosphoreszenz) von freien und gebundenen Markierungsmolekülen (mit oder ohne Energie-Transfer zwischen zwei verschiedenen Fluoreszenzmolekülen (siehe z.B. Förster-Theorie in CIS Bio International, November 1995, Number 3)) ist unterschiedlich. Die Eindringtiefe der geführten Anregungswelle in die Probe legt das "Beobachtungsvolumen" fest.Direct detection as well as marking detection (on the basis of fluorescence, luminescence, phosphorescence) can (but need not) be carried out in part with the same detectors. Evanescence field excitation can also be combined with time-resolved measurement techniques (e.g. time resolved fluorescence or luminescence). In the case of time-resolved measurement techniques, the marking is stimulated with a pulsed light wave (predominantly in the visible or ultraviolet wavelength range). The decay times for the fluorescence (luminescence, phosphorescence) of free and bound marker molecules (with or without energy transfer between two different fluorescence molecules (see e.g. Förster theory in CIS Bio International, November 1995, Number 3)) are different. The depth of penetration of the guided excitation wave into the sample determines the "observation volume".
Interessant ist es, dass mit den vorliegenden Wellenleitergitterstrukturen Absolutmessungen sowohl markierungsfrei als auch fluoreszenz (phosphoreszenz, lumineszenz)- markiert (gegebenenfalls auch gleichzeitig) durchgeführt werden können. In beiden Fällen kann für die Lichteinkopplung auf eine bewegliche Mechanik verzichtet wer- den. Natürlich können auch (kontinuierliche) kinetische Messungen bzw. Echtzeitmessungen auf nicht absoluter Basis durchgeführt werden.It is interesting that with the present waveguide grating structures, absolute measurements can be carried out both label-free and fluorescence (phosphorescence, luminescence) - labeled (if necessary also simultaneously). In both cases, there is no need for a moving mechanism for the light coupling. Of course, (continuous) kinetic measurements or real-time measurements can also be carried out on a non-absolute basis.
Mit einem 'sensing pad' (Signalpfad) (mit oder ohne chemoempfindlicher Schicht) können auch Lichtabsoφtionsmessungen durchgeführt werden, indem die Intensitäten der (über Gitter, Prisma, Taper oder Stirnseite) ausgekoppelten Lichtstrahlen (gegebenenfalls mit denselben Detektoren) eventuell auch bei verschiedenen Wellenlängen gemessen werden. Die Lichtabsoφtionsänderung kann direkt oder indirekt (z.B. durch Enzyme) durch die (bio)chemische Interaktion der Probe mit der chemoempfindlichen Schicht oder durch die Probe selbst oder durch die in der Probe ablaufen- den Reaktionen (mit oder ohne zusätzlichem Reaktionspartner) Zustandekommen. Die chemoempfindliche Schicht kann auf dem Gitter, zwischen den Gittern bzw. ausser-
halb des Gitters vorhanden sein. Lichtintensitätsschwankungen der Lichtquelle können durch Referenzierung (z.B. mit einem Strahlteiler und einem Referenzdetektor oder über eine nicht eingekoppelte Beugungsordnung und einem Referenzdetektor) eliminiert werden. Referenzierung kann auch dadurch erfolgen, dass der zweite 'sensing pad' (Referenzpfad) mit einer Schutzschicht bedeckt ist und deshalb nicht mit der Probe interagieren kann. Das referenzierte Sensorsignal ist dann die Intensität des Signalpfaddetektors geteilt durch die Intensität des Referenzpfaddetektors.With a 'sensing pad' (signal path) (with or without a chemo-sensitive layer), light absorption measurements can also be carried out by measuring the intensities of the light beams (via grating, prism, taper or face) (possibly with the same detectors) even at different wavelengths become. The light absorption change can occur directly or indirectly (eg through enzymes) through the (bio) chemical interaction of the sample with the chemosensitive layer or through the sample itself or through the reactions taking place in the sample (with or without an additional reaction partner). The chemo-sensitive layer can be on the grid, between the grids or outside half of the grid. Fluctuations in the light intensity of the light source can be eliminated by referencing (eg with a beam splitter and a reference detector or via a non-coupled diffraction order and a reference detector). Referencing can also be done by covering the second 'sensing pad' with a protective layer and therefore not being able to interact with the sample. The referenced sensor signal is then the intensity of the signal path detector divided by the intensity of the reference path detector.
Die Schutzschicht kann jedoch auch eine (poröse) (chemoempfindliche) Schicht sein, die keine Spezifität (mit oder ohne 'non-specific binding') oder Spezifität für einen anderen Liganden aufweist.However, the protective layer can also be a (porous) (chemo-sensitive) layer which has no specificity (with or without 'non-specific binding') or specificity for another ligand.
Referenzierung kann auch (muss aber nicht) über eine Hälfte eines 'sensing pads' erfolgen (z.B. Signal-Pfad: Mode in Vorwärtsrichtung, Referenz-Pfad: Mode in Rück- wärtsrichtung).
Referencing can also (but does not have to) be done via half of a 'sensing pad' (e.g. signal path: mode in the forward direction, reference path: mode in the reverse direction).