WO1998049375A2 - Vorrichtung zum elektrolytischen behandeln von plattenförmigem behandlungsgut und verfahren zum elektrischen abschirmen von randbereichen des behandlungsgutes bei der elektrolytischen behandlung - Google Patents

Vorrichtung zum elektrolytischen behandeln von plattenförmigem behandlungsgut und verfahren zum elektrischen abschirmen von randbereichen des behandlungsgutes bei der elektrolytischen behandlung Download PDF

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Wolfgang PLÖSE
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Atotech Deutschland Gmbh
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/241Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/007Current directing devices

Definitions

  • Device for the electrolytic treatment of plate-like items to be treated and method for electrically shielding edge areas of the items to be treated during the electrolytic treatment
  • the invention relates to a device for the electrolytic treatment of plate-like items to be treated and to a method for electrically shielding edge areas of the items to be treated.
  • the device and the method are preferably used in the electroplating or in the etching of
  • Printed circuit boards and foils are used in continuous systems with horizontal or vertical alignment of the material to be treated.
  • DE-P 39 37 926 C2 describes devices for imaging field lines in a galvanic system for treating printed circuit boards in particular.
  • diaphragms which consist of several sub-diaphragms which are individually adjustable in themselves.
  • the glare effect of each individual diaphragm can be increased or decreased by rotating the partial diaphragms about an axis.
  • the edge cover can be optimally adjusted if the individual panels are narrow enough and the number of these panels is large enough.
  • diaphragms reduce the field line concentration in the edge area of the item to be treated as a function of the coverage of the item to be treated by the diaphragm and the distance from the diaphragm from the anode or from the surface of the material to be treated.
  • the distance between the anodes and the material to be treated as well as the anodic and cathodic current density during electrolytic treatment are also important.
  • the aperture position during electrolytic treatment represents a compromise between these parameters, so that the optimal bending must be determined in complex tests.
  • the aim is to achieve a large usable area within the permissible tolerance range without burning edges at high current densities. In the case of fine circuit boards and medium current densities, the edge that cannot be used is in practice about 30 mm wide. At current densities up to 15 A / dm 2 , the unusable edge with this aperture is already about 50 mm wide.
  • US Pat. No. 3,862,891 describes a galvanizing device which has an electroplating frame and anodes and an electrically non-conductive shielding screen for uniformizing the field line concentration on the electroplated material fastened to a product carrier.
  • the shielding panel consists of several panel parts, which are firmly connected to the device by being fixed to the side walls and screwed into suitable guides. The panel parts are aligned parallel to each other and parallel to the plating material and the anodes. The screen parts partially protrude into the space between the electroplating material and the anodes, the screen parts closer to the anodes projecting further than the screen parts closer to the electroplating material. It is stated that a uniform plating layer thickness can be achieved in the plane of the plating frame with this device.
  • the present invention is therefore based on the problem of avoiding the disadvantages of the prior art and, in particular, of finding a device for the electrolytic treatment of plate-like items to be treated, with which the plates or foils can be continuously electrolytically treated, and the device at the same time at any time can be adapted quickly and automatically or, if necessary, manually to changing formats / widths of the plates or foils to be treated, in order to achieve an equalization of the metal layer thickness on the plate or foil surfaces.
  • the edge area of the plates or foils in which predetermined layer thickness tolerances cannot be maintained should be as small as possible.
  • the thickness of the metal layer on the material to be treated should always be as uniform as possible up to the edge area.
  • the device according to the invention essentially represents a continuous system through which the material to be treated can be passed in a transport plane in a substantially horizontal transport direction.
  • counter electrodes are arranged essentially parallel to the transport plane and screens arranged between the transport plane and the counter electrodes for shielding increased current density fields in the edge region of the material to be treated.
  • the screens are each designed in the form of at least two flat parts arranged essentially parallel to one another, one part of the screens of the transport plane and the other part being arranged opposite the counter electrodes.
  • the diaphragms are slidably mounted in a direction which is essentially parallel to the transport plane and essentially perpendicular to the transport direction.
  • the continuous system has the further features required for the electrolytic treatment, for example containers for holding the treatment liquid, possibly nozzles, pumps and pipelines for transferring liquid to the individual units, drive units for transporting the material to be treated through the system and guide elements for mounting in the system as well as power sources, contacting elements for the electrodes and the material to be treated and power supplies.
  • the method according to the invention is used for the electrical shielding of edge areas of plate-like material to be treated during its electrolytic treatment in the continuous system.
  • the device and the method are suitable for the electrolytic treatment, in particular of printed circuit boards and foil.
  • the material to be treated can either be electrolytically metallized or etched. In one case the material to be treated is used as the cathode and the counter electrodes are switched as anodes, while in the other case the material to be treated and the counter electrodes are switched with reversed polarity.
  • the part of the diaphragms which is directly opposite the transport plane is set back in relation to the other part of the diaphragms by a distance b from the edge of the material to be treated. This enables a very effective shielding of the edge areas of the material to be treated against a concentration of the field lines. Without such staggering of the aperture parts, an optimal equalization of the metal layer thicknesses would not be achievable.
  • the flat parts of the diaphragms can be slidably mounted independently of one another.
  • the aperture parts By previously determined positions of the aperture parts relative to the position of the anodes and the respective positions of the panel parts are determined and set during the passage of such formats.
  • the above-mentioned distance b can be adjustable by means of suitable construction elements.
  • the distances of the flat parts to the counter electrode and to the transport plane can preferably also be set independently of one another.
  • a controlled motor drive can be provided with which the screens can be moved.
  • the flat parts have edge areas which can be covered with the material to be treated and the counter electrodes, these edge areas having openings and / or cutouts at the edges.
  • the flat parts In order to be able to treat even narrow benefits effectively, the flat parts, viewed perpendicular to the direction of transport, must be so wide that even narrow items to be treated can be reliably dimmed in the edge area.
  • the counter electrodes which are preferably arranged on both sides of the transport plane, are divided into a plurality of sub-segments in the case of longer continuous systems in the transport direction, in order to ensure that the electrodes are switched off separately. This is necessary in order to avoid a current flow over counter electrodes, which are not facing any material to be treated. If the current flow at these sub-segments could not be switched off, the current density would be increased in the edge areas at the front edges of the plates and foils, so that a metal layer with a thickness lying outside the required tolerance would be deposited there.
  • the screens according to the invention preferably point in the direction of transport a length that corresponds to the length of the sub-segments of the counter electrodes.
  • Figure 1a Double diaphragm in cross section and thus obtained layer thickness curve
  • Figure 1b double diaphragm in plan view
  • Figure 2 edge areas of different flat parts of panels in plan view
  • Figure 3a schematic representation of the electroplating arrangement in
  • Figures 3b and 3c schematic representations of diaphragm arrangements in cross section according to the prior art and thus obtained layer thickness curves.
  • FIG. 3a The course of the layer thickness usually obtained on a plate-like material to be treated in a galvanizing arrangement without shielding screens according to the prior art is shown in FIG. 3a.
  • Corresponding courses when using known diaphragm arrangements with only one diaphragm part are shown in FIGS. 3b and 3c.
  • FIG. 3a shows the layer thickness d of an edge not dimmed, for example a printed circuit board, after the galvanization.
  • a relative layer thickness of d 1, in practice with a layer thickness of 0.03 mm, for example, is achieved.
  • This layer thickness also represents the desired layer thickness.
  • the position of the material to be treated 1, for example a printed circuit board, relative to the anode 2 is shown in cross section transverse to the direction of transport. In the area 3 lying outside the figure is the electrical contacting of the printed circuit board, not shown. Transport and guide elements for the printed circuit boards in the continuous galvanizing system are also not shown in the figure.
  • the layer thickness profiles on the underside of the circuit board are mirror images of the profiles on the top side, only one anode is shown on one side.
  • the anode / cathode distance ie the distance from the anode surface to the surface of the material to be treated, is in practice about 60 mm to about 120 mm in continuous electroplating systems.
  • the electrical field lines are not only concentrated on the lateral printed circuit board edge, but at the expense of those projecting beyond the printed circuit boards Field line density emanating from the anode surface, but also at the expense of the local current density which arises in an area on the printed circuit board.
  • the greatest layer thickness is formed directly on the side edge of the printed circuit board.
  • scorching prowdery metal layer, which usually forms when the cathodic current density is too high
  • this peak current density must be below a limiting current density at which such scorching occurs.
  • a correspondingly lower average current density must therefore be set for the galvanization.
  • FIG. 3b schematically shows an electroplating arrangement which has a flat screen 8 which is arranged displaceably in the vicinity of the anode 2.
  • the usable area is approximately the same size as in the case of the arrangement according to FIG. 3b.
  • the aperture 8 is arranged close to the surface of the material 1 to be treated.
  • the diaphragm edge 9 has an increasing field line concentration on the printed circuit board. A layer thickness increase 10 therefore occurs at this point. This elevation continues up to the side te 5 continued.
  • the usable area of the printed circuit board is also not greater at this distance of the screen from the printed circuit board than in the arrangement according to FIG. 3b.
  • the double diaphragm 11 is shown in cross section in the upper part of FIG. 1a.
  • This consists of a flat part 12 directly opposite the anode (near the anode) and a flat part 13 directly opposite the material to be treated (near the cathode) 13.
  • Both flat parts are connected to one another by means of construction elements 14 which are preferably made of plastic.
  • construction elements 14 which are preferably made of plastic.
  • These construction elements allow the positions of the screen parts 12 and 13 to be changed relative to one another and in their position relative to the anode and cathode. This means that the distance 15 between the two flat parts and the position of the front edges 16 and 17 of the two panel parts are adjustable.
  • the projection 18 (distance b) of the diaphragm part 12 over the part 13 can thus be adjusted.
  • the double diaphragm 11 is mounted in bearings 19 which can be moved transversely to the transport direction.
  • Adjustable aperture parameters are the distance 15, the projection 18 (distance b) and the position of the double aperture in the space between the anode and the material to be treated.
  • the adjustment of the distance 15 and the overhang 18 usually only has to be done manually once commissioning.
  • a controllable drive causes the movement 20 of the double ends 11 and / or 12 transversely to the transport direction. If only printed circuit board blanks with a constant width are processed, the diaphragms only need to be adjusted once by hand in order to obtain a specific overlap 21 in the edge region of the printed circuit boards.
  • the printed circuit board coverage is preferably set with a motor drive using known means of control and drive technology.
  • the length of the panels transverse to the direction of transport must be at least large enough to allow sufficient edge bending even with the narrowest printed circuit board panels.
  • the anodes should be segmented and electrically insulated from each other so that they can be individually switched on when the material to be treated enters the conveyor system in the direction of transport and can be switched off when the material to be treated leaves the system. This function is described in the publication DE-P 39 39 681 A1. Reference is made to this publication.
  • the required width 22 of the double diaphragm expediently depends on the width of an anode segment.
  • the direction of transport of the material to be treated is indicated by arrow 23.

Abstract

Die erfindungsgemäße Vorrichtung dient zum elektrolytischen Behandeln von plattenförmigem Behandlungsgut, vorzugsweise Leiterplatten, in einer Durchlaufanlage, durch die das Behandlungsgut in einer Transportebene in im wesentlichen horizontaler Transportrichtung hindurchführbar ist, wobei die Vorrichtung der Transportebene im wesentlichen parallel gegenüberliegende Gegenelektroden (2) sowie zwischen der Transportebene und den Gegenelektroden angeordnete Blenden (11) zum Abschirmen erhöhter Stromdichtefelder im Randbereich des Behandlungsgutes (1) aufweist, wobei die Blenden jeweils in Form von mindestens zwei im wesentlichen parallel zueinander angeordneten Flachteilen (12, 13) ausgebildet sind und der eine Teil (13) der Blenden der Transportebene und der andere Teil (12) den Gegenelektroden gegenüberliegend angeordnet ist, und wobei die Blenden in einer Richtung (20) verschiebbar gelagert sind, die im wesentlichen parallel zur Transportebene und im wesentlichen senkrecht zur Transportrichtung (23) verläuft. Mit dieser Vorrichtung kann der nutzbare Bereich von Leiterplattennutzen bis auf einen Rand, in dem die geforderte Toleranz der Schichtdicke des abgeschiedenen Metalls nicht eingehalten werden kann, von etwa 12 mm ausgedehnt werden.

Description

Vorrichtung zum elektrolytischen Behandeln von plattenförmigem Behandlungsgut und Verfahren zum elektrischen Abschirmen von Randbereichen des Behandlungsgutes bei der elektrolytischen Behandlung
Beschreibung:
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum elektrolytischen Behandeln von plattenförmigem Behandlungsgut sowie ein Verfahren zum elektrischen Abschirmen von Randbereichen des Behandlungsgutes. Vorzugsweise werden die Vorrichtung und das Verfahren bei der Galvanisierung oder beim Ätzen von
Leiterplatten und Leiterfolien in Durchlaufanlagen mit beim Durchlauf horizontaler oder vertikaler Ausrichtung des Behandlungsgutes angewendet.
In Durchlaufgalvanisieranlagen wird im allgemeinen unterschiedlich breites Behandlungsgut produziert. Die Anoden in den Anlagen müssen so dimensioniert sein, daß auch die breitesten Platten und Folien problemlos behandelt werden können. Werden unter diesen Umständen in der Anlage quer zur Transportrichtung des Behandlungsgutes schmalere Platten oder Folien galvanisiert, so werden in deren Randbereichen erheblich dickere Metallschichten als in der Mitte erzeugt, weil sich die elektrischen Feldlinien in diesen Randbereichen konzentrieren. Üblicherweise wird eine bestimmte Toleranz für die Metallschichtdicke vorgegeben, so daß der praktisch nutzbare Bereich auf den metallisierten Platten und Folien gegenüber deren Gesamtbreite verringert wird. Bei der Herstellung von Leiterplatten und Leiterfolien ist nur eine geringe Toleranz für die Metallschichtdicken zulässig, die sich aus Anforderungen bei der nachfolgenden Bearbeitung der Platten und Folien ergeben. Des weiteren handelt es sich bei Leiterplatten in der Regel um teure Werkstoffe. Deshalb wird eine maximale Ausnutzung der galvanisierten Rohleiterplatten, die auch als Nutzen be- zeichnet werden, angestrebt. Daher soll eine gleichmäßige Schichtdicke bis in den Randbereich der Leiterplatten bzw. -folien erzielt werden. Eine bekannte Maßnahme zur Beeinflussung der Schichtdicke im Randbereich des Galvanisiergutes besteht im elektrischen Abblenden dieser Randbereiche mit elektrisch nichtleitenden Blenden.
In DE-P 39 37 926 C2 sind Vorrichtungen zum Abbienden von Feldlinien in einer Galvanikanlage zur Behandlung insbesondere von Leiterplatten beschrieben. In den dort enthaltenen Figuren 2 und 3 sind Blenden dargestellt, die aus mehreren Teilblenden bestehen, die in sich individuell einstellbar sind. Durch Drehung der Teilblenden um eine Achse kann die Blendwirkung jeder einzelnen Teilblende vergrößert oder verkleinert werden. Bei genügend schmalen Einzelblenden und damit einer ausreichend großen Anzahl dieser Blenden kann die Randabdeckung optimal eingestellt werden.
Als Nachteil ist jedoch in Kauf zu nehmen, daß eine Restabbiendung über dem eigentlich nicht abzuschirmenden Bereich der Leiterplatten verbleibt. Ferner ist der konstruktive Realisierungsaufwand für diese Vorrichtung beträchtlich. Deshalb wird in der Praxis eine ebene Blende zwischen den Anoden und dem Randbereich des Behandlungsgutes bevorzugt, so wie in Figur 4 in der vor- genannten Druckschrift dargestellt ist. Eine optimale profilartige Abbiendung ist bei dieser Anordnung der Blenden jedoch nicht möglich, so daß die geforderten Schichtdickentoleranzen in einem größeren Randbereich auf dem Nutzen nicht erreicht werden können. Außerdem ist auch bei dieser Anordnung der große technische Realisierungsaufwand nachteilig.
Der Galvanisierbetrieb erfordert robuste Konstruktionen. Deshalb hat sich in der Praxis eine flache verschiebbare Blende durchgesetzt, ähnlich wie sie aus JP-A-62/151 593 bekannt ist. Die dort verwendeten Blenden werden von einem linear wirkenden Antrieb zwischen die Anoden und den Randbereich des Be- handlungsgutes geschoben.
Diese und ähnlich flach ausgebildete Blenden reduzieren die Feldlinienkonzentration im Randbereich des Behandlungsgutes in Abhängigkeit von der Überdeckung des Behandlungsgutes durch die Blende und vom Abstand der Blende von der Anode bzw. von der Oberfläche des Behandlungsgutes. Von Bedeutung ist auch der Abstand der Anoden vom Behandlungsgut sowie die anodische und die kathodische Stromdichte beim elektrolytischen Behandeln. Die Blendenstellung beim elektrolytischen Behandeln stellt einen Kompromiß aus diesen Parametern dar, so daß die optimale Abbiendung in aufwendigen Versuchen ermittelt werden muß. Ziel ist es, eine große nutzbare Fläche innerhalb des zulässigen Toleranzbereiches ohne Kantenanbrennungen bei hohen Stromdichten zu erreichen. Bei Feinleiterplatten und mittleren Stromdichten ist der nicht nutzbare Rand in der Praxis etwa 30 mm breit. Bei Stromdichten bis zu 15 A/dm2 ist der nicht nutzbare Rand mit dieser Blende bereits etwa 50 mm breit.
In US-A-3,862,891 ist eine Galvanisiereinrichtung beschrieben, die ein Galvanisiergestell und Anoden sowie eine elektrisch nichtleitende Abschirmblende zur Vergleichmäßigung der Feldlinienkonzentration an dem an einem Warenträger befestigten Galvanisiergut aufweist. Die Abschirmblende besteht aus mehreren Blendenteilen, die mit der Einrichtung fest verbunden sind, indem sie an den Seitenwänden fixiert und in geeigneten Führungen verschraubt sind. Die Blendenteile sind parallel zueinander und parallel zum Galvanisiergut und den Ano- den ausgerichtet. Die Blendenteile ragen in den Raum zwischen dem Galvanisiergut und den Anoden teilweise hinein, wobei die den Anoden näher gelegenen Blendenteile weiter hineinragen als die dem Gaivanisiergut näher gelegenen Blendenteile. Es wird angegeben, daß mit dieser Einrichtung eine gleichmäßige Galvanisierschichtdicke in der Ebene des Galvanisiergestells erreicht werden kann.
Mit dieser Einrichtung ist es nicht möglich, Behandlungsgut mit unterschiedlichen Außenabmessungen elektrolytisch optimal zu behandeln, wobei eine vorgegebene Toleranz der Metallschichtdicke nur auf einem möglichst schmalen Randbereich des Behandlungsgutes nicht erreicht wird, während die übrige Oberfläche des Behandlungsgutes an allen Stellen den Anforderungen an die Gleichmäßigkeit der Metallschichtdicke genügt. Insbesondere ist ein kontinuierlicher Betrieb gewünscht, um eine geringe Rüstzeit zu ermöglichen. Der vorliegenden Erfindung liegt von daher das Problem zugrunde, die Nachteile des Standes der Technik zu vermeiden und insbesondere eine Vorrichtung zum elektrolytischen Behandeln von plattenförmigem Behandlungsgut zu finden, mit der die Platten bzw. Folien kontinuierlich elektrolytisch behandelt wer- den können und die Vorrichtung gleichzeitig jederzeit schnell automatisch oder gegebenenfalls manuell an wechselnde Formate/Breiten der zu behandelnden Platten oder Folien angepaßt werden kann, um eine Vergleichmäßigung der Metallschichtdicke auf den Platten- bzw. Folienoberflächen zu erreichen. Beim kontinuierlichen Betrieb soll der Randbereich der Platten bzw. Folien, in dem vorgegebene Schichtdickentoleranzen nicht eingehalten werden können, möglichst gering sein. Zusätzlich wird aber auch gefordert, einen möglichst hohen Elektrolysestrom anzuwenden, um die Platten bzw. Folien mit kurzer Behandlungszeit elektroiysieren zu können, damit ein hoher Durchsatz des Behandlungsgutes pro Zeiteinheit mit der Einrichtung möglich wird. Auch bei großem Elektrolysestrom soll die Dicke der Metallschicht auf dem Behandlungsgut bis in den Randbereich immer möglichst gleichmäßig sein.
Gelöst wird dieses Problem durch die elektrolytische Behandlungsvorrichtung gemäß Anspruch 1 und das elektrische Abschirmverfahren gemäß Anspruch 10.
Die er indungsgemäße Vorrichtung stellt im wesentlichen eine Durchlaufanlage dar, durch die das Behandlungsgut in einer Transportebene in im wesentlichen horizontaler Transportrichtung hindurchführbar ist. In dieser Durchlaufanlage sind der Transportebene im wesentlichen parallel gegenüberliegende Gegenelektroden angeordnet sowie zwischen der Transportebene und den Gegenelektroden angeordnete Blenden zum Abschirmen erhöhter Stromdichtefelder im Randbereich des Behandlungsgutes. Die Blenden sind jeweils in Form von mindestens zwei im wesentlichen parallel zueinander angeordneten Fiachteilen ausgebildet, wobei der eine Teil der Blenden der Transportebene und der andere Teil den Gegenelektroden gegenüberliegend angeordnet ist. Die Blenden sind in einer Richtung verschiebbar gelagert, die im wesentlichen parallel zur Transportebene und im wesentlichen senkrecht zur Transportrichtung verläuft. Im übrigen weist die Durchlaufanlage die für die elektrolytische Behandlung weiteren erforderlichen Merkmale auf, beispielsweise Behälter zur Aufnahme der Behandlungsflüssigkeit, gegebenenfalls Düsen, Pumpen und Rohrleitungen zur Überführung von Flüssigkeit zu den einzelnen Aggregaten, Antriebsaggre- gate für den Transport des Behandlungsgutes durch die Anlage und Führungselemente zur Halterung in der Anlage sowie Stromquellen, Kontaktierelemente für die Elektroden und das Behandlungsgut und Stromzuführungen.
Das erfindungsgemäße Verfahren dient zum elektrischen Abschirmen von Randbereichen von plattenförmigem Behandlungsgut bei dessen elektrolytischer Behandlung in der Durchlaufanlage.
Die Vorrichtung und das Verfahren sind zur elektrolytischen Behandlung insbesondere von Leiterplatten und Leiterfolien geeignet. Das Behandlungsgut kann entweder elektrolytisch metallisiert oder geätzt werden. Im einen Fall wird das Behandlungsgut als Kathode, und die Gegenelektroden werden als Anoden geschaltet, während das Behandlungsgut und die Gegenelektroden im anderen Fall mit vertauschter Polung geschaltet werden.
Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Der der Transportebene unmittelbar gegenüberliegende Teil der Blenden ist gegenüber dem anderen Teil der Blenden um einen Abstand b zur Kante des Behandlungsgutes hin zurückspringend angeordnet. Dadurch wird eine sehr wirksame Abschirmung der Randbereiche des Behandlungsgutes gegen eine Konzentrierung der Feldlinien ermöglicht. Ohne eine derartige Staffelung der Blendenteiie wäre eine optimale Vergleichmäßigung der Metallschichtdicken nicht erreichbar.
Um die Blendeneinrichtung an wechselnde Formate der jeweils zu behandelnden Platten oder Folien besonders gut anzupassen, können die Flachteile der Blenden unabhängig voneinander verschiebbar gelagert sein. Durch vorher zu ermittelnde Positionen der Blendenteile relativ zur Lage der Anoden und des durchlaufenden Behandlungsgutes werden die jeweiligen Positionen der Blendenteile ermittelt und beim Durchlauf derartiger Formate eingestellt.
Insbesondere kann der vorstehend erwähnte Abstand b durch geeignete Kon- struktionselemente einstellbar sein. Vorzugsweise sind auch die Abstände der Flachteile zur Gegenelektrode und zur Transportebene unabhängig voneinander einstellbar.
Zur automatischen Einstellung des Abstandes b sowie der Abstände der Flach- teile zur Gegenelektrode und zur Transportebene kann beispielsweise ein gesteuerter Motorantrieb vorgesehen sein, mit dem die Blenden verschoben werden können.
In einer bevorzugten Ausführungsform weisen die Flachteile Randbereiche auf, die mit dem Behandlungsgut und den Gegenelektroden zur Überdeckung bringbar sind, wobei diese Randbereiche Durchbrechungen und/oder an den Kanten Aussparungen aufweisen.
Um auch schmalere Nutzen wirksam behandeln zu können, sind die Flachteile senkrecht zur Transportrichtung gesehen so breit auszuführen, daß auch schmales Behandlungsgut im Randbereich sicher abgeblendet werden kann.
Im allgemeinen werden die Gegenelektroden, die vorzugsweise an beiden Seiten der Transportebene angeordnet sind, bei längeren Durchlaufanlagen in Transportrichtung gesehen in mehrere Teilsegmente unterteilt, um eine separate Abschaltung der Elektroden zu gewährleisten. Dies ist erforderlich, um einen Stromfluß über Gegenelektroden, denen sich kein Behandlungsgut gegenüber befindet, zu vermeiden. Falls der Stromfluß an diesen Teilsegmenten nicht abgeschaltet werden könnte, würde die Stromdichte in den Randbereichen an den Stirnkanten der Platten und Folien erhöht sein, so daß dort eine Metallschicht mit einer außerhalb der geforderten Toleranz liegenden Dicke abgeschieden werden würde. Vorzugsweise weisen die erfindungsgemäßen Blenden bei einer derartigen Segmentierung der Gegenelektroden in Transportrichtung gesehen eine Länge auf, die der Länge der Teilsegmente der Gegenelektroden entspricht.
Die Erfindung wird nachfolgend an Hand der Figuren 1 bis 3 näher beschrieben. Es zeigen:
Figur 1a: Doppelblende im Querschnitt und damit erhaltener Schichtdickenverlauf; Figur 1b: Doppelblende in Draufsicht;
Figur 2: Randbereiche von verschiedenen Flachteilen von Blenden in Draufsicht;
Figur 3a: schematische Darstellung der Galvanisieranordnung im
Querschnitt ohne Abschirmblende nach dem Stand der Technik und damit erhaltener Schichtdickenverlauf; Figur 3b und 3c: schematische Darstellungen von Blendenanordnungen im Querschnitt nach dem Stand der Technik und damit erhaltene Schichtdickenverläufe.
Der üblicherweise erhaltene Schichtdickenverlauf auf einem plattenförmigen Behandlungsgut bei einer Galvanisieranordnung ohne Abschirmblenden nach dem Stand der Technik ist in Figur 3a dargestellt. Entsprechende Verläufe bei Verwendung bekannter Blendenanordnungen mit nur einem Blendenteil sind in den Figuren 3b und 3c wiedergegeben.
Figur 3a zeigt die Schichtdicke d einer nicht abgeblendeten Kante, beispiels- weise einer Leiterplatte, nach der Galvanisierung. Im mittleren Bereich des Nutzens wird eine relative Schichtdicke von d = 1 , in der Praxis mit einer Schichtdicke von beispielsweise 0,03 mm, erreicht. Diese Schichtdicke stellt zugleich die Soll-Schichtdicke dar. Die Position des Behandlungsgutes 1 , beispielsweise einer Leiterplatte, zur Anode 2 ist im Querschnitt quer zur Transportrichtung dargestellt. Im außerhalb der Figur liegenden Bereich 3 befindet sich die nicht dargestellte elektrische Kontaktierung der Leiterplatte. Auch Transport- und Führungselemente für die Leiterplatten in der Durchlaufgalvanisieranlage sind in der Figur nicht wiedergegeben. Weil sich die Schichtdickenveriäufe an der Unterseite der Leiterplatte spiegelbildlich zu den Verläufen an der Oberseite verhalten, ist nur eine Anode an einer Seite dargestellt. Der Anoden/Kathodenabstand, d.h. die Entfernung der Anodenoberfläche zur Oberfläche des Behandlungsgutes, beträgt bei Durch- laufgalvanisieranlagen in der Praxis etwa 60 mm bis etwa 120 mm. Der hier schematisch skizzierte Schichtdickenverlauf 4 erreicht erst bei einem relativen Abstand a = 1 von der seitlichen Leiterplattenkante 5 die relative Soll-Schichtdicke d = 1. An der seitlichen Leiterplattenkante konzentrieren sich die elektrischen Feldlinien nicht nur zu Lasten der von der über die Leiterplatten hinaus überstehenden Anodenoberfläche ausgehenden Feldliniendichte sondern auch zu Lasten der sich in einem Bereich auf der Leiterplatte einstellenden lokalen Stromdichte. Deshalb bildet sich dort ein störender "Schichtdickengraben" 7 mit einer relativen Dicke von weniger als d = 1 aus. Die größte Schichtdicke bildet sich im vorliegenden Fall unmittelbar an der seitlichen Leiterplattenkante. Um sogenannte Anbrennungen (pulverförmige Metallschicht, die sich in der Regel bei zu hoher kathodischer Stromdichte bildet) zu vermeiden, muß diese Spit- zenstromdichte unterhalb einer Grenzstromdichte liegen, bei der derartige Anbrennungen entstehen. Daher muß eine entsprechend niedrigere mittlere Stromdichte bei der Galvanisierung eingestellt werden.
In Figur 3b ist eine Galvanisieranordnung schematisch wiedergegeben, die eine flache, in der Nähe der Anode 2 verschiebbar angeordnete Blende 8 aufweist. Durch Nutzung dieser Blende wird am grundsätzlichen Verlauf der Schichtdicke jedoch nichts geändert. Auch in diesem Fall bildet sich ein "Schichtdickengra- ben" aus, wenn auch schwächer als ohne Anwendung der Blende. Durch die schwächere Ausbildung dieses Grabens wird der nutzbare Bereich des Leiterplattennutzens allerdings größer.
im Fall der Anordnung gemäß Figur 3c ist der nutzbare Bereich etwa genauso groß wie im Fall der Anordnung nach Figur 3b. Hier ist die Blende 8 nahe an der Oberfläche des Behandlungsgutes 1 angeordnet. Mit geringer werdendem Abstand zur Leiterplatte wirkt die Blendenkante 9 zunehmend feldlinienkonzentrierend auf die Leiterplatte. An dieser Stelle tritt daher eine Schichtdickenüberhöhung 10 auf. Diese Überhöhung setzt sich bis zur seitlichen Leiterplattenkan- te 5 fort. Der nutzbare Bereich der Leiterplatte ist auch bei diesem Abstand der Blende von der Leiterplatte nicht größer als bei der Anordnung nach Figur 3b.
Im Gegensatz dazu ist im oberen Teil der Figur 1a die erfindungsgemäße Dop- pelblende 11 im Querschnitt gezeigt. Diese besteht aus einem der Gegenelektrode unmittelbar gegenüberliegenden (anodennahen) Flachteil 12 und einem dem Behandiungsgut unmittelbar gegenüberliegenden (kathodennahen) Flachteil 13. Beide Flachteile sind mittels vorzugsweise aus Kunststoff bestehenden Konstruktionselementen 14 miteinander verbunden. Diese Konstruktionsele- mente erlauben das Verändern der Positionen der Blendenteile 12 und 13 zueinander und in ihrer Lage zur Anode und Kathode. Das bedeutet, daß der Abstand 15 zwischen den beiden Flachteilen sowie die Lage der Vorderkanten 16 und 17 der beiden Blendenteile justierbar sind. Somit ist der Überstand 18 (Abstand b) des Blendenteils 12 über dem Teil 13 einstellbar. Die Doppelblende 11 ist quer zur Transportrichtung verschiebbar in Lagern 19 gelagert.
Selbstverständlich kann auch eine andere konstruktive Lösung zur relativen Einstellung der Blendenteile zueinander gewählt werden.
Die Doppelblende 11 kompensiert bei richtig eingestelllten Blendenparametern den "Schichtdickengraben" 7 und die Schichtdickenüberhöhung 10 (siehe unterer Abbildungsteil in Figur 1a) nahezu vollständig. Justierbare Blendenparameter sind der Abstand 15, der Überstand 18 (Abstand b) und die Lage der Doppelblende im Raum zwischen der Anode und dem Behandlungsgut.
Da der Abstand des anodennahen Blendenteils 12 zur Anode und der Abstand des kathodennahen Blendenteils 13 zum Behandlungsgut nach der Montage der Durchlaufanlage zweckmäßigerweise nicht mehr verändert werden, muß die Justierung des Abstandes 15 und des Überstands 18 (Abstand b) in der Regel nur einmal manuell bei der Inbetriebnahme durchgeführt werden. Ein nicht dargestellter steuerbarer Antrieb bewirkt die Bewegung 20 der Doppel- biende 11 und/oder 12 quer zur Transportrichtung. Wenn nur Leiterplattennutzen mit konstanter Breite bearbeitet werden, brauchen die Blenden nur einmalig von Hand eingestellt zu werden, um eine bestimmte Überdeckung 21 im Randbereich der Leiterplatten zu erhalten.
Bei ständig wechselnden Breiten der Leiterplatten wird die Leiterplattenüber- deckung dagegen vorzugsweise mit einem Motorantrieb mit bekannten Mitteln der Steuerungs- und Antriebstechnik eingestellt.
Die Länge der Blenden quer zur Transportrichtung muß mindestens so groß sein, daß auch bei den schmälsten Leiterplattennutzen eine ausreichende Randabbiendung ermöglicht wird.
Grundsätzlich ist es auch möglich, die Blenden 12 und 13 nicht fest miteinander zu verbinden, sondern individuell einzeln quer zur Transportrichtung zu ver- schieben. Dies ist besonders dann vorteilhaft, wenn in einer Galvanoanlage mit großen Stromdichteunterschieden von einem Behandlungsgut zum anderen produziert wird. Die kathodennahe Blende 13 kann dann zur Vermeidung von Kantenanbrennungen optimal eingestellt werden.
In Figur 1 b sind ferner Doppelblenden 11 in Draufsicht mit Blickrichtung zu den
Anoden 1 gezeigt. Zwischen den Doppelblenden sind Lager 19 zur Halterung der Blenden angeordnet, die zugleich die Anoden tragen. Die Anoden sollten segmentiert und gegeneinander elektrisch isoliert sein, damit diese beim Einlaufen des Behandlungsgutes in Transportrichtung in die Durchlaufanlage indivi- duell zu- und beim Auslaufen des Behandlungsgutes aus der Anlage abgeschaltet werden können. Diese Funktion ist in der Druckschrift DE-P 39 39 681 A1 beschrieben. Auf diese Druckschrift wird verwiesen. Die erforderliche Breite 22 der Doppelblende richtet sich zweckmäßigerweise nach der Breite eines Anodensegments. Die Transportrichtung des Behandlungsgutes ist durch den Pfeil 23 angezeigt.
In Figur 2 sind Beispiele für bestimmte Ausführungsformen der Flachteile 12 und 13 wiedergegeben. Durch Perforieren der Vorderbereiche der Blendenteile wird der Kanteneffekt etwas verringert. Auch die Ausbildung von Aussparungen an den Vorderkanten 16,17 führt zur Vergleichmäßigung der Metailschicht. Zur Feinjustierung ist eine derartige Perforation und/oder das Anbringen von Aussparungen gut geeignet.
Alle erfindungsgemäßen Maßnahmen bewirken zusammen, daß der nutzbare Bereich eines Leiterplattennutzens auch bei der Feinleitertechnik in der Praxis mindestens bis zu 12 mm an die Leiterplattenkante heranreicht. Eine weitere Feinjustierung kann durch Anordnung eines dritten Blendenteils zwischen den beiden Flachblenden 12 und 13 erreicht werden. Das Anbringen dieses zusätzli- chen Blendenteils ist insbesondere vorteilhaft und mit geringem Aufwand verbunden, wenn Leiterplattennutzen mit nur einer einheitlichen Breite in der Durchlaufanlage bearbeitet werden. Ein motorischer Antrieb zur Anpassung der Lage der Blendenteile an wechselnde Formate entfällt in diesem Fall.
Alle offenbarten Merkmale sowie Kombinationen der offenbarten Merkmale sind Gegenstand dieser Erfindung, soweit diese nicht ausdrücklich als bekannt bezeichnet werden.
Bezugszeichenliste:
1 Behandlungsgut (beispielsweise Leiterplatte)
2 Gegenelektrode (beispielsweise Anode) 3 Kontaktierbereich
4 Schichtdickenverlauf
5 Leiterplattenkante
6 überstehender Gegenelektrodenbereich
7 "Schichtdickengraben" 8 Einfachblende nach dem Stand der Technik
9 Vorderkante der Einfachblende 8
10 Schichtdickenüberhöhung
11 Doppelblende
12 der Gegenelektrode unmittelbar gegenüberliegendes (anodennahes) Blendenteil
13 dem Behandlungsgut unmittelbar gegenüberliegendes (kathodennahes) Blendenteil
14 Konstruktionselemente zur Justierung der Blendenteile 12 und 13
15 Abstand der Blendenteile 12 und 13 voneinander 16 Vorderkante des Blendenteils 12
17 Vorderkante des Blendenteils 13
18 Überstand der der Gegenelektrode gegenüberliegenden Blende 12 über die dem Behandlungsgut gegenüberliegende Blende 13 (Abstand b)
19 Lager zur Halterung der Doppelblende 20 Blendenbewegung
21 Leiterpiattenüberdeckung
22 Blendenbreite
23 Transportrichtung

Claims

Patentansprüche:
1. Vorrichtung zum elektrolytischen Behandeln von plattenförmigem Behandlungsgut in einer Durchlaufanlage, durch die das Behandlungsgut in einer Transportebene in im wesentlichen horizontaler Transportrichtung hindurchführbar ist, wobei die Vorrichtung
a. der Transportebene im wesentlichen parallel gegenüberliegende Gegenelektroden (2) sowie b. zwischen der Transpcrtebene und den Gegenelektroden angeordnete Blenden (11 ) zum Abschirmen erhöhter Stromdichtefelder im Randbereich des Behandlungsgutes (1 ) aufweist, c. wobei die Blenden jeweils in Form von mindestens zwei im wesentlichen parallel zueinander angeordneten Flachteilen (12,13) ausgebildet sind und der eine Teil (13) der Blenden der Transportebene und der andere Teil (12) den Gegenelektroden gegenüberliegend angeordnet ist und d. wobei die Blenden in einer Richtung (20) verschiebbar gelagert sind, die im wesentlichen parallel zur Transportebene und im we- sentlichen senkrecht zur Transportrichtung (23) verläuft.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß der der Transportebene unmittelbar gegenüberliegende Teil (13) der Blenden (11 ) gegenüber dem anderen Teil (12) um einen Abstand b zur Kante des Behandlungsgutes (1 ) hin zurückspringend angeordnet ist.
3. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Flachteile (12,13) unabhängig voneinander verschiebbar gelagert sind.
4. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand b durch geeignete Konstruktionselemente (14) einstellbar ist.
5. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Abstände der Flachteile (12,13) zur Gegenelektrode (2) und zur Transportebene unabhängig voneinander einstellbar sind.
6. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich- net, daß ein steuerbarer Motorantrieb vorgesehen ist, mit dem die Blenden (11 ) verschiebbar sind.
7. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Flachteile (12,13) Randbereiche aufweisen, die mit dem Behand- lungsgut (1 ) und den Gegenelektroden (2) zur Überdeckung bringbar sind, wobei diese Randbereiche Durchbrechungen und/oder an den Kanten Aussparungen aufweisen.
8. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich- net, daß die Flachteile (12,13) senkrecht zur Transportrichtung (23) gesehen so breit sind, daß schmales Behandlungsgut (1 ) im Randbereich sicher abgeblendet werden kann.
9. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeich- net, daß die Gegenelektroden (2) in Transportrichtung (23) gesehen in mehrere
Teiisegmente unterteilt sind und die Blenden (11 ) eine Länge in Transportrichtung aufweisen, die der Länge der Teilsegmente der Gegenelektroden (11 ) entspricht.
10. Verfahren zum elektrischen Abschirmen von Randbereichen von plattenförmigem Behandlungsgut bei dessen elektrolytischer Behandlung in einer Durchlaufanlage, durch die das Behandlungsgut in einer Transportebene in im wesentlichen horizontaler Transportrichtung hindurchgeführt wird, a. wobei zwischen der Transportebene und Gegenelektroden (2), die der Transportebene im wesentlichen parallel gegenüberliegen, Blenden (11 ) zum Abschirmen erhöhter Stromdichtefelder im Randbereich des Behandlungsgutes (1 ) angeordnet werden, b. wobei ferner die Blenden jeweils in Form von mindestens zwei im wesentlichen parallel zueinander angeordneten Flachteilen (12,13) ausgebildet werden und der eine Teil (13) der Blenden der Transportebene und der andere Teil (12) den Gegenelektroden gegenüberliegend angeordnet wird und c. wobei die Blenden in einer Richtung (20) verschiebbar gelagert sind, die im wesentlichen parallel zur Transportebene und senkrecht zur Transportrichtung (23) verläuft.
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JP54649398A JP4177902B2 (ja) 1998-04-23 1998-04-23 プレート形状の被処理物を電気分解的に処理するための装置と電気分解的処理の際に被処理物のエッジ範囲を電気的に遮蔽するための方法
US09/403,397 US6217736B1 (en) 1997-04-25 1998-04-23 Method and apparatus for electrolytically treating a board-shaped substrate comprising shielding edge regions of the substrate during electrolytic treatment
CA002287251A CA2287251A1 (en) 1997-04-25 1998-04-23 Apparatus for electrolytically treating a board-like item to be treated and method of electrically shielding edge regions of the item to be treated during the electrolytic treatment
EP98932000A EP0978224B1 (de) 1997-04-25 1998-04-23 Vorrichtung zum elektrolytischen behandeln von plattenförmigem behandlungsgut und verfahren zum elektrischen abschirmen von randbereichen des behandlungsgutes bei der electrolytischen behandlung
DE59802800T DE59802800D1 (de) 1997-04-25 1998-04-23 Vorrichtung zum elektrolytischen behandeln von plattenförmigem behandlungsgut und verfahren zum elektrischen abschirmen von randbereichen des behandlungsgutes bei der electrolytischen behandlung

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1325699C (zh) * 2001-10-27 2007-07-11 埃托特克德国有限公司 用于电解处理工件的方法和传送系统
EP2105521A1 (de) * 2008-02-26 2009-09-30 Serme Flexible Abdeckung für galvanischen Träger, Träger und Einbauverfahren

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10210538B4 (de) * 2002-03-05 2004-11-18 Atotech Deutschland Gmbh Horizontal-Durchlaufanlage und Verfahren zum galvanotechnischen Behandeln von Behandlungsgut
US6811669B2 (en) * 2002-08-08 2004-11-02 Texas Instruments Incorporated Methods and apparatus for improved current density and feature fill control in ECD reactors
CN101343771B (zh) * 2007-07-13 2010-10-06 富葵精密组件(深圳)有限公司 电镀装置
CN101368284B (zh) * 2007-08-15 2010-10-06 富葵精密组件(深圳)有限公司 电镀装置
DE102008026946B4 (de) * 2007-08-29 2017-05-04 Sms Group Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Positionieren einer Bandkantenmaske in einer Galvanisierungsanlage
JP5457010B2 (ja) * 2007-11-01 2014-04-02 アルメックスPe株式会社 連続めっき処理装置
EP2476784A1 (de) * 2011-01-18 2012-07-18 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung durch Elektroablagerung aus einer Ionenflüssigkeit
DE102011113976A1 (de) * 2011-09-21 2013-04-25 Charlotte Schade Elektronische Formanode zur galvanischen Metallabscheidung
KR101495419B1 (ko) * 2013-04-10 2015-02-24 주식회사 포스코 에지 과도금을 방지하기 위한 전기도금장치
DE102014210008A1 (de) * 2014-05-26 2015-11-26 Muhr Und Bender Kg Verfahren und Anlage zum Herstellen eines gehärteten Formteils
CN104562168B (zh) * 2015-01-07 2017-02-22 中冶南方工程技术有限公司 电镀槽阳极板位置调整装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3862891A (en) * 1973-09-24 1975-01-28 Gte Automatic Electric Lab Inc Uniform plating current apparatus and method
US4879007A (en) * 1988-12-12 1989-11-07 Process Automation Int'l Ltd. Shield for plating bath

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3962047A (en) * 1975-03-31 1976-06-08 Motorola, Inc. Method for selectively controlling plating thicknesses
US4534832A (en) * 1984-08-27 1985-08-13 Emtek, Inc. Arrangement and method for current density control in electroplating
JPS62151593A (ja) 1985-12-25 1987-07-06 Nippon Kokan Kk <Nkk> 金属ストリツプの連続電気メツキ装置
DE3937926A1 (de) 1989-11-15 1991-05-16 Schering Ag Vorrichtung zum abblenden von feldlinien in einer galvanikanlage
DE3939681A1 (de) * 1989-12-01 1991-06-06 Schering Ag Verfahren zur steuerung des ablaufes von galvanischen anlagen, sowie zur durchfuehrung des verfahrens dienender anordnung
JPH0675562A (ja) 1992-08-28 1994-03-18 Brother Ind Ltd 自動採譜装置
JP2901488B2 (ja) * 1994-04-14 1999-06-07 川崎製鉄株式会社 連続電解処理方法
US6027631A (en) * 1997-11-13 2000-02-22 Novellus Systems, Inc. Electroplating system with shields for varying thickness profile of deposited layer

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3862891A (en) * 1973-09-24 1975-01-28 Gte Automatic Electric Lab Inc Uniform plating current apparatus and method
US4879007A (en) * 1988-12-12 1989-11-07 Process Automation Int'l Ltd. Shield for plating bath
US4879007B1 (en) * 1988-12-12 1999-05-25 Process Automation Int L Ltd Shield for plating bath

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"THIEVING BLOCK" IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN, Bd. 33, Nr. 3B, 1. August 1990, Seite 401/402 XP000124404 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1325699C (zh) * 2001-10-27 2007-07-11 埃托特克德国有限公司 用于电解处理工件的方法和传送系统
US7563352B2 (en) 2001-10-27 2009-07-21 Atotech Deutschland Gmbh Method and conveyorized system for electorlytically processing work pieces
EP2105521A1 (de) * 2008-02-26 2009-09-30 Serme Flexible Abdeckung für galvanischen Träger, Träger und Einbauverfahren

Also Published As

Publication number Publication date
DE59802800D1 (de) 2002-02-28
US6217736B1 (en) 2001-04-17
ES2169530T3 (es) 2002-07-01
WO1998049375A3 (de) 1999-02-11
ATE211602T1 (de) 2002-01-15
DE19717510C1 (de) 1998-10-01
EP0978224B1 (de) 2002-01-02
CA2287251A1 (en) 1998-11-05
EP0978224A2 (de) 2000-02-09

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