WO1997043461A1 - Procede de realisation d'un film mince de materiau solide et applications de ce procede - Google Patents

Procede de realisation d'un film mince de materiau solide et applications de ce procede Download PDF

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WO1997043461A1
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Michel Bruel
Bernard Aspar
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Definitions

  • the present invention relates to a process for producing a thin film of solid material, this material possibly being a dielectric, a conductor or a semi-insulator. It can be crystalline or not. It may be an amorphous or polycrystalline semiconductor whose crystallographic planes are of any orientation. This material may have
  • a particularly interesting application of the method according to the invention relates to the production of ferroelectric capacitor memories.
  • j _5 Numerous processes are known for producing thin films of solid material. These methods depend on the nature of the material and the thickness of the desired film. It is thus possible to deposit thin films of a solid material on the surface of a part by
  • a thin film can also be obtained by thinning a wafer of the desired material by mechanical or chemical abrasion, the thin film obtained then being glued or fixed to a part serving as a support.
  • the fixing of a thin film 25 on the surface of a part is intended to modify the properties of the part superficially.
  • a first implantation step by bombardment of the flat face of the wafer by means of ions creating, in the volume of the wafer and at a depth close to the depth of penetration of the ions, a layer of "gaseous microbubble" separating the wafer in a lower region constituting the mass of the substrate and an upper region constituting the thin film, the ions being chosen from ions of rare gas or hydrogen gas;
  • a second step of bringing the planar face of the wafer into intimate contact with a support made up of at least one layer of rigid material can be achieved for example using an adhesive substance or by the effect of a prior preparation of the surfaces and optionally a heat and / or electrostatic treatment to promote interatomic connections between the support and the brochure;
  • This temperature is greater than or equal to about 400 ° C for silicon.
  • This implantation is capable of creating a layer of gaseous microbubbles which will end at the end of the heat treatment in a fracture zone.
  • the heat treatment is carried out at a temperature sufficient to create, by crystalline rearrangement effect in the semiconductor material such as for example by the growth effect of the microcavities and / or by the pressure effect of the microbubbles, the zone fracture and separation between the two regions.
  • cavities or microbubbles can be observed or not by transmission electron microscopy.
  • a gas such as, for example, hydrogen
  • microbubbles can be observed or not by transmission electron microscopy.
  • silicon In the case of silicon, one can have microcavities whose size can vary from a few nm to a few hundred nm.
  • these cavities can only be observed during the heat treatment step, step during which nucleation is then carried out to allow the end of the heat treatment to be achieved. the fracture between the thin film and the rest of the substrate.
  • the first ion implantation step is carried out by presenting a plane face of a wafer of semiconductor material to an ion beam, the plane of this plane face being either substantially parallel to a main crystallographic plane in the case where the semiconductor material is perfectly monocrystalline, or slightly inclined with respect to a main crystallographic plane of the same indices for all the grains in the case where the material is polycrystalline.
  • gas microbubbles means any cavity or microcavity generated by the implantation of ions of hydrogen gas or of rare gases in the material.
  • the cavities can be in very flattened form, that is to say of low height, for example of the order of a few inter-atomic distances, as well as in substantially spherical form or in any other form different from the two forms. previous.
  • cavities may or may not contain a free gas phase and / or gas atoms from the implanted ions fixed on atoms of the material forming the walls of the cavities. These cavities are generally called in Anglo-Saxon terminology “platelets”, “microblisters” or even “bubbles”.
  • the heat treatment is carried out at a sufficient temperature (for the duration of the treatment applied) to create the separation between the two regions. The time and temperature pair of the heat treatment depends on the dose of implanted ions.
  • the process described in document FR-A-2 681 472 relates to the production of a thin film from a substrate of semiconductor material with a crystalline structure.
  • the progress of the different stages of the process has been explained as resulting from the interaction between implanted ions and the crystal lattice of the semiconductor material.
  • the inventors of the present invention were surprised to find that the implantation of hydrogen gas ions or rare gases can also cause the formation of microcavities in solid materials other than a crystalline semiconductor material, and that a treatment subsequent heat can cause the mass of the material to be separated into two parts at the level of the microcavities. Indeed, the heat treatment leads, whatever the type of solid material, to the coalescence of the microcavities which bring weakening of the structure at the level of the microcavity layer. This embrittlement allows the separation of the material under the effect of internal stresses and / or pressure in the microcavities, this separation being able to be natural or assisted by application of external stresses.
  • microcavity layer is meant an area containing microcavities which may be located at different depths and may or may not be adjacent to each other.
  • the subject of the invention is therefore a process for producing a thin film of solid material, crystalline or not, chosen from a dielectric material, a conductive material, a semi-insulating material, an unordered semiconductor material, characterized in that 'It consists in subjecting a substrate of said solid material to the following steps:
  • an ion implantation step during which one face of the substrate is bombarded with ions chosen from ions of rare gases and hydrogen gas, in order to create, in the volume of the substrate and at a depth close to the average depth of ion penetration, a layer of microcavities separating the substrate into two regions, - a heat treatment step intended to bring the layer of microcavities to a temperature sufficient to cause separation between the two regions of the substrate either naturally or with the using an applied constraint.
  • a step of fixing said face of the substrate to a support This step may be necessary in case the thin layer is not rigid enough by itself. She may be desired since, generally, the thin layer is intended to be placed on a support. In this case, the support must be able to withstand the final heat treatment step.
  • the fixing of said face of the substrate to the support can be done by means of an adhesive substance or by means of a treatment promoting interatomic bonds.
  • This method according to the invention applies in particular to obtaining a thin film of ferroelectric material, from a substrate of ferroelectric material, and to its fixing on a support.
  • the support being made of semiconductor material
  • at least one electronic control circuit is produced on one face of this support, the thin film of ferroelectric material is fixed on the support so as to serve as a dielectric for a memory capacity controlled by said circuit of electronic control to thus constitute a memory point.
  • the electronic control circuit is of the MOS transistor type.
  • the method according to the invention can also be applied to obtain a thin film of sapphire on a support, a thin film of corrosion-resistant metal on a support or a thin film of magnetic material on a support.
  • FIG. 1 is a partial view in cross section of an integrated circuit produced on one face of a semiconductor substrate
  • FIG. 2 illustrates the step of ion implantation carried out through one face of a substrate made of ferroelectric material, according to the present invention
  • FIG. 3 illustrates the fixing step according to the present invention, consisting in adhering the face of the semiconductor substrate where the integrated circuit has been produced on the face of the substrate of ferroelectric material having been bombarded with ions, 10.
  • FIG. 4 illustrates the step of the method according to the invention leading to the separation of the thin film from the rest of the substrate made of ferroelectric material,
  • FIG. 5 is a partial sectional view of a memory point with ferroelectric capacitor
  • the electronic circuit shown in section in Figure 1 was produced using current microelectronics techniques.
  • the so-called “plug” technique, the mechanochemical oxidation planarization technique and the so-called “Damascene” technique have been used to make connections buried in an oxide but flush with the surface thereof.
  • the circuit was developed on one side 2 of a P-type silicon substrate 1. From side 2, boxes were made, only boxes N, 31 and 32 and type N + being represented in this figure, and field oxide was grown to obtain isolation zones 41 and 42 to the left of the box 31 and to the right of the box 33.
  • the boxes 31 and 33 are intended to constitute the drains of two MOS type transistors , the box 32 constituting their common source.
  • word lines 51 and 52 of polycrystalline silicon have been deposited, with the interposition of thin oxide layers 61 and 62.
  • Word lines 51 and 52 have been covered with layers of insulating material 65 and 66. This insulating material also covers the zones 41 and 42 in the form of layers 63 and 64.
  • a line of bits 8 made of aluminum provides electrical contact with the source 32.
  • An oxide layer 7 has been deposited to cover all of the elements described previously. In the oxide layer 7 are deposited flush electrodes 91 and 92 made of platinum and provided with TiN barrier sublayers. The electrodes 91 and 92 are connected by "plugs" 11 and 12 to the drains 31 and 33 of the transistors. They are buried, the circuit then having an external planar face 15.
  • a thin film of ferroelectric material according to the method of the present invention, this thin film being intended to form. the capacitor dielectric.
  • FIG. 2 represents, seen from the side, a substrate 100 made of ferroelectric material, for example 5 made of PbZrTi ⁇ 3 (PZT).
  • the flat face 101 of the substrate 100 is bombarded with ions, for example hydrogen ions of energy 200 keV and at a dose equal to ÎO-L 'cm ⁇ 2.
  • the ion bombardment is shown by arrows in Figure 2.
  • the implanted ions Q induce microcavities which are distributed in a layer 102 in the vicinity of a plane parallel to the planar face 101, this plane being located at a distance from the planar face 101 corresponding to the average depth of penetration of the ions.
  • the thickness of region 103 is about 800 nm.
  • Layer 102 is formed by a layer of microcavities.
  • planar face 101 of the substrate made of f-irroelectric material 100 and the planar face 15 of the electronic circuit 5 produced on the semiconductor substrate 1 are treated for example chemically so as to make them adherent to one another by simple contacting.
  • FIG. 3 represents the two associated substrates 100 and 1, the planar face 15 of the semiconductor substrate 1 adhering to the planar face 101 of the substrate 100 made of ferroelectric material.
  • the assembly is then heat treated at approximately 500 ° C., which has the consequence of inducing a separation of the two regions 103 and 104 of the substrate 100 made of ferroelectric material at the level of the layer.
  • the external face 105 of the thin film 103 is possibly finely polished.
  • the device shown in FIG. 5 is obtained where a memory point with two capacitors is formed by the deposition on the flat face 105 of the thin film 103 of a common electrode 16.
  • a final encapsulation can be added to protect the entire circuit.
  • Such a ferroelectric thin film can also be used to form a layer of ferroelectric material deposited directly on the silicon to produce MOS transistors where the control gate is replaced by this ferroelectric layer whose state of polarization determines the blocked or passing state. of the transistor.
  • the application of the process according to the invention to dielectric materials makes it possible in particular to produce anti-wear layers of sapphire ( ⁇ > -alumina) on glass or silica supports.
  • a thin layer of alumina makes it possible to protect the glass or the silica serving as a support, for example for optical components, from wear and scratches.
  • An implantation of hydrogen ions of approximately 8.10 ⁇ atoms / cm ⁇ and 110 keV of energy makes it possible to obtain a thin layer or sapphire of approximately 1 ⁇ m in thickness. This small thickness is compatible with any subsequent shaping of the glass or of the silica serving as a support for producing optics, for example.
  • the method according to the invention also applies to metallic materials. It makes it possible to produce anti-corrosion layers and diffusion barriers.
  • metallic monocrystalline layers instead of polycrystalline layers brings a significant advantage in terms of efficiency as diffusion barrier to chemical attack and corrosion in particular. Indeed, the existence of significant diffusion phenomena at grain boundaries, in polycrystalline materials, limits the effectiveness of the thin layers produced in these materials.
  • Another example of application relates to the production of memories using, for the storage of information, magnetic domains (bubbles) and the walls of magnetic domains (Bloch walls).
  • magnetic domains bubbles
  • Bloch walls the walls of magnetic domains
  • the method according to the invention makes it possible to transfer a thin layer of ferrimagnetic garnet material onto a silicon substrate serving as a support and comprising integrated circuits.
  • integrated circuits combine electronic, logic and analog devices, integrated micro-windings capable of generating localized magnetic fields so as to drive, move and detect the magnetic domains or the walls of the domains in the thin layer of ferrimagnetic garnet.

Abstract

L'invention concerne un procédé de réalisation d'un film mince de matériau solide, cristallin ou non, choisi parmi un matériau diélectrique, un matériau conducteur, un matériau semi-isolant, un matériau semiconducteur non ordonné. Le procédé consiste à soumettre un substrat dudit matériau solide aux étapes suivantes: une étape d'implantation ionique au cours de laquelle une face du substrat est bombardée par des ions choisis parmi les ions de gaz rares et de gaz hydrogène, afin de créer, dans le volume du substrat et à un profondeur voisine de la profondeur moyenne de pénétration des ions, une couche de microcavités séparant le substrat en deux régions, une étape de traitement thermique destinée à porter la couche de microcavités à une température suffisante pour provoquer une séparation entre les deux régions du substrat soit naturellement, soit avec l'aide d'une contrainte appliquée. Application à la réalisation de mémoires à condensateurs ferroélectriques.

Description

PROCEDE DE REALISATION D'UN FILM MINCE DE MATERIAU SOLIDE ET APPLICATIONS DE CE PROCEDE
La présente invention concerne un procédé de réalisation d'un film mince de matériau solide, 5 ce matériau pouvant être un diélectrique, un conducteur ou un semi-isolant. Il peut être cristallin ou non. Il peut s'agir d'un semiconducteur amorphe ou polycristallin dont les plans cristallographiques sont d'orientation quelconque. Ce matériau peut posséder
10 des propriétés ferroélectriques, piézoélectriques, magnétiques, électro-optiques, etc.
Une application particulièrement intéressante du procédé selon l'invention concerne la réalisation de mémoires à condensateurs ferroélectriques . j_5 On connaît de nombreux procédés de réalisation de films minces de matériau solide. Ces procédés dépendent de la nature du matériau et de l'épaisseur du film désiré. On peut ainsi déposer des films minces d'un matériau solide sur la surface d'une pièce par
-,„ projection, pulvérisation, électrodéposition, etc.
On peut aussi obtenir un film mince en amincissant une plaquette du matériau désiré par abrasion mecanochimique ou chimique, le film mince obtenu étant ensuite collé ou fixé sur une pièce servant de support.
Généralement, la fixation d'un film mince 25 sur la surface d'une pièce est destinée à modifier superficiellement les propriétés de la pièce.
Dans le domaine des semiconducteurs, on est aussi quelquefois amené à réaliser des films minces semiconducteurs, par exemple pour fabriquer des substrats dits "Silicium Sur Isolant". Différentes méthodes de réalisation de films minces semiconducteurs ont été développées. L'une des méthodes les plus récentes est basée sur le fait que l'implantation d'ions d'un gaz rare ou d'hydrogène dans un matériau 35 semiconducteur induit la formation de zones fragilisées à une profondeur voisine de la profondeur moyenne de pénétration des ions. Le document FR-A-2 681 472 divulgue un procédé qui utilise cette propriété pour obtenir un film mince de matériau semiconducteur. Ce procédé consiste à soumettre une plaquette du matériau semiconducteur désiré et comportant une face plane aux étapes suivantes :
- une première étape d ' implantation par bombardement de la face plane de la plaquette au moyen d'ions créant, dans le volume de la plaquette et à une profondeur voisine de la profondeur de pénétration des ions, une couche de "microbulle gazeuse" séparant la plaquette en une région inférieure constituant la masse du substrat et une région supérieure constituant le film mince, les ions étant choisis parmi les ions de gaz rares ou de gaz hydrogène ;
- une deuxième étape de mise en contact intime de la face plane de la plaquette avec un support constitué au moins d'une couche de matériau rigide. Ce contact intime pouvant être réalisé par exemple à l'aide d'une substance adhésive ou par l'effet d'une préparation préalable des surfaces et éventuellement d'un traitement thermique ou/et électrostatique pour favoriser les liaisons interatomiques entre le support et la plaquette ;
- une troisième étape de traitement thermique de l'ensemble plaquette et support à une température supérieure à la température durant laquelle l'implantation a été effectuée et suffisante pour créer une séparation entre le film mince et la masse du substrat. Cette température est supérieure ou égale à environ 400°C pour le silicium. Cette implantation est apte à créer une couche de microbulles gazeuses qui aboutira en fin de traitement thermique à une zone de fracture. Cette couche de microbulles créée ainsi dans le volume de la plaquette, à une profondeur voisine de la profondeur moyenne de pénétration des ions, délimite dans le volume de la plaquette deux régions séparées par cette couche : une région destinée à constituer le film mince et une région formant le reste du substrat. Au cours de la troisième étape, le traitement thermique est réalisé à une température suffisante pour créer, par effet de réarrangement cristallin dans le matériau semiconducteur tel que par exemple par effet de croissance des microcavités et/ou par effet de pression des microbulles, la zone de fracture et la séparation entre les deux régions.
Suivant les conditions d'implantation, après implantation d'un gaz comme par exemple l'hydrogène, des cavités ou microbulles sont observables ou non en microscopie électronique à transmission. Dans le cas du silicium, on peut avoir des microcavités dont la taille peut varier de quelques nm à quelques centaines de nm. Ainsi, en particulier lorsque la température d'implantation est faible, ces cavités ne sont observables qu'au cours de l'étape de traitement thermique, étape au cours de laquelle on réalise alors une nucléation pour permettre d'aboutir en fin de traitement thermique à la fracture entre le film mince et le reste du substrat. Jusqu'à présent on pensait que le procédé divulgué par le document FR-A-2 681 472 ne pouvait s'appliquer qu'à la réalisation d'un film mince à partir d'un substrat de matériau semiconducteur. Dans ce document, on propose l'explication suivante aux différents phénomènes constatés par l'expérience. Tout d'abord, la première étape d'implantation ionique est menée en présentant à un faisceau d'ions une face plane d'une plaquette de matériau semiconducteur, le plan de cette face plane étant soit sensiblement parallèle à un plan cristallographique principal dans le cas où le matériau semiconducteur est parfaitement monocristallin, soit faiblement incliné par rapport à un plan cristallographique principal de mêmes indices pour tous les grains dans le cas où le matériau est polycristallin. On crée ainsi dans le volume de la plaquette, à une profondeur voisine de la profondeur moyenne de pénétration des ions, une couche de "microbulles gazeuses" correspondant à des zones de fragilisation et délimitant, dans le volume de la plaquette deux régions séparées par cette couche : une région destinée à constituer le film mince et une région formant le reste du substrat. Par l'expression "microbulles gazeuses" on entend toute cavité ou microcavité générée par l'implantation d'ions de gaz hydrogène ou de gaz rares dans le matériau. Les cavités peuvent se présenter sous forme très aplatie, c'est-à-dire de faible hauteur, par exemple de l'ordre de quelques distances inter-atomiques, aussi bien que sous forme sensiblement sphérique ou sous tout autre forme différente des deux formes précédentes. Ces cavités peuvent ou non contenir une phase gazeuse libre et/ou des atomes de gaz issus des ions implantés fixés sur des atomes du matériau formant les parois des cavités. Ces cavités sont généralement appelées en terminologie anglo-saxonne "platelets", "microblisters" ou même "bubbles". Au cours de la troisième étape, le traitement thermique est réalisé à une température suffisante (pour la durée du traitement appliqué) pour créer la séparation entre les deux régions . Le couple temps et température du traitement thermique dépend de la dose d'ions implantés.
Le procédé décrit dans le document FR-A-2 681 472 se rapporte à la réalisation d'un film mince à partir d'un substrat en matériau semiconducteur de structure cristalline. Le déroulement des différentes étapes du procédé a été expliqué comme résultant de l'interaction entre des ions implantés et la maille cristalline du matériau semiconducteur.
Cependant, les inventeurs de la présente invention ont eu la surprise de constater que ce procédé pouvait s'appliquer à tous les types de matériaux solides, cristallins ou non. Il est possible d'appliquer ce procédé à des matériaux diélectriques, conducteurs, semi-isolants, ainsi qu'à des matériaux semiconducteurs amorphes et même aux semiconducteurs polycristallins dont les grains n'ont pas de plans cristallographiques principaux sensiblement parallèles à la face plane de la plaquette. Ces derniers, ainsi que les semiconducteurs amorphes seront désignés dans la suite de la description par l'expression semiconducteurs non ordonnés. En outre, ce procédé ne modifie pas fondamentalement les propriétés du matériau auquel il s'applique.
Les inventeurs de la présente invention ont eu la surprise de constater que l'implantation d'ions de gaz hydrogène ou de gaz rares peut aussi provoquer la formation de microcavités dans des matériaux solides autres qu'un matériau semiconducteur cristallin, et qu'un traitement thermique subséquent peut provoquer la séparation, au niveau des microcavités, de la masse du matériau en deux parties. En effet, le traitement thermique conduit, quel que soit le type de matériau solide, à la coalescence des microcavités qui amènent une fragilisation de la structure au niveau de la couche de microcavités. Cette fragilisation permet la séparation du matériau sous l'effet de contraintes internes et/ou de pression dans les microcavités, cette séparation pouvant être naturelle ou assistée par application de contraintes externes.
On entend par couche de microcavités une zone contenant des microcavités pouvant être situées à différentes profondeurs et pouvant être adjacentes ou non entre elles.
L'invention a donc pour objet un procédé de réalisation d'un film mince de matériau solide, cristallin ou non, choisi parmi un matériau diélectrique, un matériau conducteur, un matériau semi-isolant, un matériau semiconducteur non ordonné, caractérisé en ce qu'il consiste à soumettre un substrat dudit matériau solide aux étapes suivantes :
- une étape d'implantation ionique au cours de laquelle une face du substrat est bombardée par des ions choisis parmi les ions de gaz rares et de gaz hydrogène, afin de créer, dans le volume du substrat et à une profondeur voisine de la profondeur moyenne de pénétration des ions, une couche de microcavités séparant le substrat en deux régions, - une étape de traitement thermique destinée à porter la couche de microcavités à une température suffisante pour provoquer une séparation entre les deux régions du substrat soit naturellement, soit avec l'aide d'une contrainte appliquée. II peut être prévu, entre l'étape d'implantation ionique et l'étape de traitement thermique, une étape de fixation de ladite face du substrat sur un support. Cette étape peut être nécessaire au cas où la couche mince n'est pas suffisamment rigide par elle-même. Elle peut être désirée puisque, généralement, la couche mince est destinée à être placée sur un support. Dans ce cas, le support doit pouvoir supporter l'étape de traitement thermique finale. La fixation de ladite face du substrat sur le support peut se faire au moyen d'une substance adhésive ou au moyen d'un traitement favorisant les liaisons interatomiques.
Ce procédé selon l'invention s'applique notamment à l'obtention d'un film mince de matériau ferroélectrique, à partir d'un substrat en matériau ferroélectrique, et à sa fixation sur un support.
Avantageusement, le support étant en matériau semiconducteur, au moins un circuit de commande électronique est élaboré sur une face de ce support, le film mince de matériau ferroélectrique est fixé sur le support de façon à servir de diélectrique à une capacité mémoire commandée par ledit circuit de commande électronique pour constituer ainsi un point mémoire.
De préférence, le circuit de commande électronique est du type à transistor MOS .
Le procédé selon l'invention peut aussi être appliqué pour obtenir un film mince de saphir sur un support, un film mince de métal résistant à la corrosion sur un support ou un film mince de matériau magnétique sur un support.
L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages et particularités apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif, accompagnée des dessins annexés parmi lesquels :
- la figure 1 est une vue partielle en coupe transversale d'un circuit intégré réalisé sur une face d'un substrat semiconducteur, - la figure 2 illustre l'étape d'implantation ionique effectuée au travers d'une face d'un substrat en matériau ferroélectrique, selon la présente invention,
5 - la figure 3 illustre l'étape de fixation selon la présente invention, consistant à faire adhérer la face du substrat semiconducteur où le circuit intégré a été réalisé sur la face du substrat en matériau ferroélectrique ayant été bombardée par les ions, 10 . - la figure 4 illustre l'étape du procédé selon l'invention conduisant à la séparation du film mince du reste du substrat en matériau ferroélectrique,
- la figure 5 est une vue partielle en coupe d'un point mémoire à condensateur ferroélectrique
15 réalisé selon la présente invention.
Le procédé selon l'invention s'applique aux matériaux solides, cristallins ou non, suivants :
- les matériaux isolants ou diélectriques,
- les matériaux conducteurs,
20 - les matériaux semiconducteurs non ordonnés,
- les matériaux semi-isolants, principalement ceux dont la résistivité à température ambiante est supérieure à environ 10'_π..cm,
- les métaux monocristallins et les 25 supraconducteurs de façon générale.
Il est ainsi possible selon l'invention de réaliser des films minces de quartz monocristallin à partir de quartz monocristallin massif. On peut également obtenir des films minces de matériaux
30 magnétiques, piézoélectriques, ferroélectriques , pyroélectriques, des matériaux présentant des propriétés d'optique non linéaire ou des effets électro-optiques, acousto-optiques .
On va décrire maintenant un exemple
-,<- particulier : la réalisation de mémoires à condensateurs ferroélectriques sur un circuit intégré.
Le circuit électronique représenté en coupe à la figure 1 a été réalisé selon les techniques actuelles de la micro-électronique. On a mis en oeuvre la technique dite "plug", la technique de planarisation mecanochimique des oxydes et la technique dite "Damascene" permettant de réaliser des connexions enterrées dans un oxyde mais affleurant à la surface de celui-ci. Le circuit a été élaboré sur une face 2 d'un substrat 1 en silicium de type P. A partir de la face 2 on a réalisé des caissons, seuls les caissons 31, 32 et 33 de type N+ étant représentés sur cette figure, et on a fait croître de l'oxyde de champ pour obtenir des zones d'isolation 41 et 42 à gauche du caisson 31 et à droite du caisson 33. Les caissons 31 et 33 sont destinés à constituer les drains de deux transistors de type MOS, le caisson 32 constituant leur source commune. Sur la face 2, des lignes de mots 51 et 52 en silicium polycristallin ont été déposées, avec interposition de couches d'oxyde mince 61 et 62. Les lignes de mots 51 et 52 ont été recouvertes de couches de matériau isolant 65 et 66. Ce matériau isolant recouvre aussi les zones 41 et 42 sous forme de couches 63 et 64. Une ligne de bits 8 en aluminium assure le contact électrique avec la source 32. Une couche d'oxyde 7 a été déposée pour recouvrir l'ensemble des éléments décrits précédemment. Dans la couche d'oxyde 7 sont déposées des électrodes affleurantes 91 et 92 en platine et pourvues de sous-couches barrière en TiN. Les électrodes 91 et 92 sont connectées par des "plugs" 11 et 12 aux drains 31 et 33 des transistors. Elles sont enterrées, le circuit présentant alors une face plane externe 15. On va maintenant décrire la réalisation d'un film mince en matériau ferroélectrique selon le procédé de la présente invention, ce film mince étant destiné à former. le diélectrique de condensateurs.
La figure 2 représente, vu latéralement, un substrat 100 en matériau ferroélectrique, par exemple 5 en PbZrTiθ3 (PZT). La face plane 101 du substrat 100 est bombardée par des ions, par exemple des ions hydrogène d'énergie 200 keV et selon une dose égale à ÎO-L' cm~2. Le bombardement ionique est figuré par des flèches sur la figure 2. Les ions implantés Q induisent des microcavités qui se répartissent dans une couche 102 au voisinage d'un plan parallèle à la face plane 101, ce plan étant situé à une distance de la face plane 101 correspondant à la profondeur moyenne de pénétration des ions. La couche 102 de $ matériau implanté à une épaisseur très faible, de l'ordre de quelques dizaines de nm, par exemple de 50 à 100 nm. Elle sépare le substrat 100 en deux régions : une première région 103, située du côté de la face plane 101 et destinée à former le film mince, 0 et une seconde région 104 formant le reste du substrat. L'épaisseur de la région 103 est d'environ 800 nm. La couche 102 est formée d'une couche de microcavités.
La face plane 101 du substrat en matériau f-irroélectrique 100 et la face plane 15 du circuit 5 électronique réalisé sur le substrat semiconducteur 1 sont traitées par exemple par voie chimique de façon à les rendre adhérentes entre elles par simple mise en contact. La figure 3 représente les deux substrats 100 et 1 associés, la face plane 15 du substrat semiconducteur 1 adhérant à la face plane 101 du substrat 100 en matériau ferroélectrique.
L'ensemble est alors traité thermiquement à environ 500°C, ce qui a pour conséquence d'induire une séparation des deux régions 103 et 104 du substrat 100 en matériau ferroélectrique au niveau de la couche
102 comme le montre la figure 4. On obtient un substrat semiconducteur pourvu d'un circuit électronique auquel est fixé un film i ince en matériau ferroélectrique.
La face externe 105 du film mince 103 est éventuellement polie finement. On obtient le dispositif représenté à la figure 5 où un point mémoire à deux condensateurs est constitué par le dépôt sur la face plane 105 du film mince 103 d'une électrode commune 16.
Une encapsulation finale peut être ajoutée pour protéger l'ensemble du circuit.
Un tel film mince ferroélectrique peut également être utilisé pour constituer une couche de matériau ferroélectrique déposée directement sur le silicium pour réaliser des transistors MOS où la grille de commande est remplacée par cette couche ferroélectrique dont l'état de polarisation détermine l'état bloqué ou passant du transistor.
L'application du procédé selon l'invention aux matériaux diélectriques permet notamment de réaliser des couches anti-usure en saphir (β>-alumιne) sur des supports en verre ou en silice. Une telle couche mince d'alumine permet de protéger le verre ou la silice servant de support par exemple à des composants optiques de l'usure et des rayures. Une implantation d'ions hydrogène d'environ 8.10^^ atomes/cm^ et de 110 keV d'énergie permet d'obtenir une couche mince ou saphir d'environ 1 um d'épaisseur. Cette faible épaisseur est compatible avec une mise en forme ultérieure éventuelle du verre ou de la silice servant de support pour réaliser des optiques par exemple.
Le procédé selon l'invention s'applique aussi aux matériaux métalliques. Il permet de réaliser des couches anti-corrosion et des barrières de diffusion. La possibilité de réaliser des couches monocristallines métalliques au lieu de couches polycristallines apporte un avantage significatif en termes d'efficacité comme barrière de diffusion aux agressions chimiques et à la corrosion en particulier. En effet, l'existence de phénomènes de diffusions importantes aux joints de grains, dans les matériaux polycristallins, limite l'efficacité des couches minces réalisées en ces matériaux. A titre d'exemple, on peut citer le dépôt d'un film mince de niobium monocristallin de 500 nm d'épaisseur sur un substrat d'acier pour la réalisation d'objets devant résister à des températures élevées en milieu corrosif. Pour obtenir ce film mince, on peut mettre en oeuvre une implantation d'ions H+ d'environ 2.10-'-^ atomes/cm^ à 200 keV d'énergie.
Un autre exemple d'application concerne la réalisation de mémoires utilisant, pour le stockage de l'information, des domaines magnétiques (bulles) et les parois de domaines magnétiques (parois de Bloch). Pour cela, on peut partir d'un substrat massif de grenat non magnétique sur lequel on a fait croître par épitaxie une couche de grenat ferrimagnétique. Le procédé selon l'invention permet de reporter une couche mince de matériau en grenat ferrimagnétique sur un substrat en silicium servant de support et comportant des circuits intégrés. Ces circuits intégrés combinent des dispositifs électroniques, logiques et analogiques, des microbobinages intégrés aptes à générer des champs magnétiques localisés de façon à piloter, déplacer et détecter les domaines magnétiques ou les parois des domaines dans la couche mince de grenat ferrimagnétique.

Claims

REVENDICATIONS
1. Procédé de réalisation d'un film mince de matériau solide (103), cristallin ou non, choisi parmi un matériau diélectrique, un matériau conducteur, un matériau semi-isolant, un matériau semiconducteur non ordonné, caractérisé en ce qu'il consiste à soumettre un substrat (100) dudit matériau solide aux étapes suivantes :
- une étape d'implantation ionique au cours de laquelle une face (101) du substrat (100) est bombardée par des ions choisis parmi les ions de gaz rares et de gaz hydrogène, afin de créer, dans le volume du substrat (100) et à une profondeur voisine de la profondeur moyenne de pénétration des ions, une couche de microcavités (102) séparant le substrat en deux régions (103, 104),
- une étape de traitement thermique destinée à porter la couche de microcavités (102) à une température suffisante pour provoquer une séparation entre les deux régions (103, 104) du substrat soit naturellement, soit avec l'aide d'une contrainte appliquée.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que, entre l'étape d'implantation ionique et l'étape de traitement thermique, il est prévu une étape de fixation de ladite face (101) du substrat (100) sur un support (1).
3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite face (101) du substrat (100) est fixée sur le support (1) au moyen d'une substance adhésive.
4. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite face (101) du substrat (100) est fixée sur le support (1) par un traitement favorisant les liaisons interatomiques.
5.Application du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4 pour obtenir un film mince (103) de matériau ferroélectrique, à partir d'un substrat (100) en matériau ferroélectrique, et sa fixation sur un support (1).
6. Application selon la revendication 5, caractérisée en ce que, le support (1) étant en matériau semiconducteur, au moins un circuit de commande électronique est élaboré sur une face (15) de ce support (1), le film mince (103) de matériau ferroélectrique est fixé sur le support (1) de façon à servir de diélectrique à une capacité mémoire commandée par ledit circuit de commande électronique pour constituer ainsi un point mémoire.
7. Application selon la revendication 6, caractérisée en ce que le circuit de commande électronique est du type à transistor MOS.
8. Application du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4 pour obtenir un film mince de saphir sur un support.
9. Application du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4 pour obtenir un film mince de métal résistant à la corrosion sur un support.
10. Application du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4 pour obtenir un film mince de matériau magnétique sur un support.
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