WO1994028569A1 - Microtips diplay device and method of manufacture using heavy ion lithography - Google Patents

Microtips diplay device and method of manufacture using heavy ion lithography Download PDF

Info

Publication number
WO1994028569A1
WO1994028569A1 PCT/FR1994/000619 FR9400619W WO9428569A1 WO 1994028569 A1 WO1994028569 A1 WO 1994028569A1 FR 9400619 W FR9400619 W FR 9400619W WO 9428569 A1 WO9428569 A1 WO 9428569A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
holes
layer
surface layer
microtips
ions
Prior art date
Application number
PCT/FR1994/000619
Other languages
French (fr)
Inventor
Jean-Claude Bassiere
Claude Bieth
Hugues Delagrange
Marcel Toulemonde
Original Assignee
Commissariat A L'energie Atomique
Centre National De La Recherche Scientifique
Md Prospective
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat A L'energie Atomique, Centre National De La Recherche Scientifique, Md Prospective filed Critical Commissariat A L'energie Atomique
Publication of WO1994028569A1 publication Critical patent/WO1994028569A1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes

Definitions

  • microtip display device in publications in English
  • a microtip display device also called a "microtip cathodoluminescent flat screen"
  • a microtip display device comprises a source of electrons with emissive microtip cathodes and an incescing cathodolu anode which are assembled together and between which vacuum is made.
  • FIG. 1 A known example of such a device is schematically and partially shown in FIG. 1 where the electron source is seen.
  • a microtip display there is a set of parallel cathode conductors and a set of grids parallels which are perpendicular to the cathode conductors, from where a matrix whose cathode conductors form the lines and the grids the columns.
  • Each intersection of the rows and columns of the matrix defines an emissive surface which is made up of a large number of microtips (generally of the order of 10,000 per mm 2 or approximately one million per cm 2 ) and which is associated with a pixel of the screen.
  • the cathodoluminescent anode of the device which comprises an insulating and transparent support 14 covered, opposite the microtips, with a conductive and transparent layer 16, itself covered with a phosphor 18 which, under the impact of electrons, emits light towards an observer.
  • the method of manufacturing these devices uses a multilayer assembly of the kind which is schematically and partially shown in FIG. 2 and which successively comprises an insulating support 20 for example made of glass, a conductive layer 22 for example made of ITO (that is to say indium tin oxide, "Indium Tin Oxide” in publications in the English language), an insulating layer 24 for example made of silica and a conductive grid layer 26.
  • an insulating support 20 for example made of glass
  • a conductive layer 22 for example made of ITO (that is to say indium tin oxide, "Indium Tin Oxide” in publications in the English language)
  • an insulating layer 24 for example made of silica
  • a conductive grid layer 26 for example made of silica
  • the layer 22 is discontinuous and forms parallel strips which constitute the cathode conductors of the devices.
  • the main phase of the manufacturing process which limits the size of the display devices, is the lithography of the holes mentioned above, in layers 24 and 26, holes in which the microtips are then deposited.
  • a film of photosensitive product is deposited on the grid layer 26 and this film is then photosensitized (by ultraviolet radiation), selectively, using a glass-metal "reticle”, also called “mask”, which defines the frame of the holes to be hollowed out before the evaporation of the microtips.
  • reticle also called “mask”
  • the small diameter of the latter (which is of the order of 1 ⁇ m), and therefore the small diameter of the holes in the layers 24 and 26, requires the use of very precise photosensitization systems, called “photo-repeaters”, which have an optical very precise image reduction which is therefore very slow and can only cover a small area.
  • the present invention aims first of all at a device which is easier to manufacture than the known microdot display devices mentioned above, the microdots of which are distributed very regularly.
  • the invention firstly relates to a microtip display device, this device comprising a source of electrons with emissive cathodes with microtips and a cathodoluminescent anode opposite this source, this source comprising an electrically layer insulation and microtips housed in holes formed in this layer, the device being characterized in that the holes and therefore the microtips are distributed randomly in this layer.
  • the present invention also aims to remedy the drawbacks mentioned above with regard to the known method of manufacturing microtip display devices, namely the small area of the devices manufactured and the lack of speed. To remedy this drawback, the present invention uses heavy ion lithography.
  • the present invention also relates to a method of manufacturing a microtip display device, a method according to which an electron source is produced with microtip emissive cathodes and a cathodoluminescent anode and this source is assembled.
  • the fabrication of the electron source comprising the formation of a stack of layers, the formation of holes in this stack and the formation of microtips in these holes, this process being characterized in that it comprises the following steps: - latent traces are simultaneously formed in a surface layer of the stack, these latent traces being distributed randomly, by irradiating this surface layer with heavy ions, perpendicular to this surface layer, the latter being sensitive to the effects of irradiation by heavy ions, the energy of heavy ions being at least equal to the threshold for creation of the lantent traces, each latent trace being formed from a single ion, and - These latent traces are revealed by chemical attack until the appearance of holes in this surface layer.
  • a heavy ion is an ion of an element whose atomic number is at least equal to 5.
  • Random distribution of holes has proven to be quite usable for the manufacture of microtip display devices given the large number of microtips per pixel (several tens of thousands per mm 2 ) present in such devices: that the distribution microdots either regular or random in a pixel, the electronic emission efficiency does not change as long as the average number of microdots per pixel is identical. It should be noted that the density homogeneity of the latent traces from pixel to pixel obtained by the process which is the subject of the invention is greater than that which is required for the proper functioning of the microtip display devices and which must exceed 5% .
  • each latent trace (and therefore each hole) is produced from a single ion (of very high energy), then this latent trace is revealed chemically.
  • the invention thus makes it possible to quickly, simply and inexpensively produce several billion microdots in an area of 1 m 2 .
  • the doses of ions required for ion implantation are of the order of 10 16 to 10 18 ions per cm 2 whereas the present invention can be implemented with significantly lower doses of in the order of 10 5 to 10 7 ions per cm 2 .
  • the stack formed comprises an electrically insulating support, a first discontinuous electrically conductive layer, forming parallel strips called cathode conductors, an electrically insulating layer, a second layer electrically conductive intended for the formation of parallel bands called grids, and, on this second conductive layer, a layer which constitutes said surface layer and which is made of a material sensitive to the effects of irradiation by heavy ions, holes through the second conductive layer and the insulating layer by chemically attacking them through the holes formed in the surface layer after the irradiation of the latter and the revealing of the latent traces, this surface layer thus serving as a mask for the chemical attack of the second conductive layer and the iso layer lante, this surface layer is eliminated after this chemical attack and the microtips are formed in the holes resulting from this chemical attack.
  • the material sensitive to the effects of irradiation by heavy ions is for example polycarbonate or polyamide (Kapton).
  • Silica can also be used, but irradiated with heavy ions with a strong stopping power such as the Pb and U ions.
  • the stack formed comprises an electrically insulating support, a first discontinuous electrically conductive layer, forming parallel strips called cathode conductors and an electrically insulating layer which constitutes said surface layer, and after the formation of the holes in the latter, a second electrically conductive layer is formed on the insulating layer intended for the formation of parallel strips called grids and the microtips are formed in the holes.
  • the hole revealed can be cylindrical (when VB is much greater than VT) or conical (in this case the half-angle at the top of the cone whose hole matches the shape is little different from Arcos (VB / VT)).
  • the appearance of the latent trace corresponds to a loss of energy, or a release of energy, within the material, loss of energy which is higher than a certain threshold (approximately 10 MeV).
  • a continuous trace along the path of the ion through the penetrated material also corresponds to a certain threshold (around 20 MeV).
  • the ions are chosen so as to form continuous latent traces in said surface layer.
  • continuous latent traces it is possible to use heavy ions such as the ions of Kr or the ions of elements whose atomic number is greater than that of Kr (ions of Xe or ions of Pb for example).
  • heavy ions such as the ions of Kr or the ions of elements whose atomic number is greater than that of Kr (ions of Xe or ions of Pb for example).
  • the threshold in energy loss for obtaining continuous latent traces is easily reached by such heavy ions.
  • a heavy ion accelerator such as the GANIL accelerator located in Caen, France has a range of ions perfectly suited to satisfying the criterion of continuous traces.
  • the irradiation of said surface layer could be carried out by displacement of the stack carrying this layer with respect to a beam of heavy ions but, preferably, this irradiation is carried out by scanning of this layer by means of the beam of heavy ions .
  • Electrical and / or magnetic scanning devices make it possible to distribute the impacts of a beam of small heavy ions over large areas, with good homogeneity and for a short time (for example 1 second per 1 m 2 ).
  • the pore densities obtained are of the order of 10 5 to 10 7 pores per cm 2 .
  • the irradiation of said surface layer can take place in a vacuum.
  • this irradiation takes place in air.
  • the method which is the subject of the present invention makes it possible to solve the problem of large-scale lithography for the manufacture of large-area microtip display devices.
  • This method also makes it possible to reduce the control voltage of the grids of these devices, by increasing the density of the microtips (by increasing the density of the holes) and / or by reducing the diameter of the base of these microtips (by decreasing the diameter of the microtips). holes).
  • the rectilinear trajectories of heavy ions mean that the holes have a good spatial definition unlike the holes made by the known technique of photolithography which was mentioned above.
  • FIG. 1 is a schematic and partial view of a known example of a microtip display device and has already been described
  • FIG. 2 is a diagrammatic and partial view of a multilayer assembly which can be used for the manufacture of a device of the type which is shown in FIG. 1 and has already been described,
  • FIG. 3A is a schematic and partial view of a multilayer assembly usable for the implementation of the method object of the present invention and comprising a surface layer of a material sensitive to heavy ions
  • Figure 3B schematically illustrates the irradiation of this surface layer by heavy ions, with a view to creating latent traces in this surface layer
  • FIG. 3C schematically illustrates the obtaining of holes by chemical revelation of these latent traces
  • FIG. 4A is a schematic and partial view of another multilayer stack usable in the present invention
  • Figure 4B schematically illustrates the irradiation, by heavy ions, of a surface layer of this stack of FIG. 4A, with a view to creating latent traces in this surface layer
  • FIG. 4C schematically illustrates the chemical development of these latent traces, which creates holes in the surface layer
  • FIG. 5 is a schematic and partial view of a display device according to the invention.
  • FIGS. 3A to 3B relate to a particular mode of implementation of the method which is the subject of the present invention.
  • polycarbonate is used as a material
  • the thickness of the layer 28 is of the order of 2 ⁇ m and this layer 28 is deposited for example by the "spinning" deposition technique ("spin coating" in English language publications), a classic technique for producing thin layers.
  • This layer 28 will subsequently make it possible to define the location and the size of the holes to be etched within the electrically conductive layer
  • the multilayer stack thus obtained which comprises the layer 28, is then irradiated by a beam 30 of heavy ions (FIG. 3B) whose energy is greater than or equal to the threshold for creating latent traces.
  • the beam 30 can come from an ion implanter if the irradiation takes place in a vacuum. If irradiation is carried out in air, this beam is obtained from a heavy ion accelerator capable of providing beams of sufficient energy to overcome a barrier between vacuum and air. This irradiation is carried out perpendicular to the surface of the multilayer stack (that is to say the surface of the layer 28). In addition, as we have already seen, this irradiation is of the random type. The irradiation with heavy ions causes the appearance of latent traces 32 in the layer 28 (these traces corresponding to damage caused to the sensitive material).
  • these latent traces 32 are chemically revealed until the appearance of pores or holes 34, which are cylindrical or conical and whose diameter (diameter of the cylinders or base diameter of the cones) and close to 1 ⁇ m (fig.3C).
  • the irradiated substrate is immersed in a 6N NaOH bath at 50 ° C for 1 hour.
  • microtip display One thus obtains a multilayer micro-perforated stack on the surface which is then used to complete the fabrication of the microtip emissive source forming part of the display device which one wishes to produce. To do this, we chemically attack the layers 24 and 26 (fig.3C), through the holes 34.
  • the layer 28 of material sensitive to heavy ions (which served as a "mask") is dissolved by an appropriate solvent, for example trichlorethylene.
  • FIGS. 4A to 4C Another embodiment of the method which is the subject of the invention is schematically illustrated by FIGS. 4A to 4C.
  • a multilayer stack of the kind which is schematically and partially shown in FIG. 2 is prepared except that the layer 26 is absent (FIG. 4A).
  • the stack used does not include the grid layer.
  • the mode of implementation schematically illustrated by FIGS. 4A to 4C does not use additional sensitive material.
  • latent traces 32 are directly formed in this layer 24, perpendicular to the surface of the multilayer stack.
  • the holes or chimneys 36 are then formed in this layer 24, chemically revealing these latent traces (FIG. 4C).
  • the grid layer is deposited on the layer 24.
  • the grid layer is deposited, for example, by direct evaporation.
  • FIG. 5 there is shown schematically and partially a microtip display device according to the invention.
  • This device comprises a source of microtip electrons S and, opposite the latter, a cathodoluminescent anode A.
  • This cathodoluminescent anode is identical to that of FIG. 1.
  • the source S comprises the stack of FIG. 4C.
  • Microtips 38 are located in the holes 36.
  • Conductive layers such as layer 40 (grids) surmount the insulating layer 24 of the stack.
  • the structure of this device is comparable to that of the known device of FIG. 1 but, in the case of FIG. 5, the holes and therefore the microtips are distributed randomly whereas, in the case of FIG. 1, the distribution holes and therefore microtips is very regular.

Abstract

Microtips display device and method of manufacture using heavy ion lithography. According to the invention, a microtips electron source and a cathodoluminescent anode are produced and then assembled. The source is manufactured by forming a stack of layers (20, 22, 24), forming holes therein and then forming microtips in said holes. In order to form the holes, latent traces (32) randomly distributed in a superficial layer (24) of the stack are formed by irradiating the layer with heavy ions (30). The traces are then exposed by etching until holes appear in said layer. Application in the production of flat screens.

Description

DISPOSITIF D'AFFICHAGE A MICROPOINTES ET PROCEDE DE MICROPOINT DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR
FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF, UTILISANT LAMANUFACTURE OF SUCH A DEVICE USING THE
LITHOGRAPHIE PAR IONS LOURDSHEAVY ION LITHOGRAPHY
La présente invention concerne un dispositif d'affichage à micropointes ("microtips" dans les publications en langue anglaise) ainsi qu'un procédé de fabrication d'un tel dispositif. Elle s'applique à la réalisation d'écrans de télévision de haute définition de grande dimension, à la fabrication d'écrans pour ordinateurs portables et de caméscopes ainsi qu'à la réalisation d'écrans de dispositifs d'assistance à la navigation automobile ou aérienne- Un dispositif d'affichage à micropointes, encore appelé "écran plat cathodoluminescent à micropointes", comprend une source d'électrons à cathodes é issives à micropointes et une anode cathodolu inescente qui sont assemblées l'une à l'autre et entre lesquelles est fait le vide- Un exemple connu d'un tel dispositif est schématiquement et partiellement représenté sur la figure 1 où l'on voit la source d'électrons. Celle-ci comprend un support isolant 2 qui porte des couches conductrices telles que la couche 4The present invention relates to a microtip display device ("microtips" in publications in English) and a method of manufacturing such a device. It applies to the production of large high definition television screens, to the manufacture of screens for portable computers and camcorders as well as to the production of screens for assistance devices for car navigation or aerial - A microtip display device, also called a "microtip cathodoluminescent flat screen", comprises a source of electrons with emissive microtip cathodes and an incescing cathodolu anode which are assembled together and between which vacuum is made. A known example of such a device is schematically and partially shown in FIG. 1 where the electron source is seen. This includes an insulating support 2 which carries conductive layers such as layer 4
(conducteurs cathodiques), surmontées d'une couche isolante 6, elle-même surmontée d'autres couches conductrices telles que la couche 8 (grilles) . Des trous 10 sont réalisés dans les couches(cathode conductors), surmounted by an insulating layer 6, itself surmounted by other conductive layers such as layer 8 (grids). Holes 10 are made in the layers
6 et 8 et des micropointes 12 sont formées dans ces trous.6 and 8 and microtips 12 are formed in these holes.
Dans un dispositif d'affichage à micropointes, on a un ensemble de conducteurs cathodiques parallèles et un ensemble de grilles parallèles qui sont perpendiculaires aux conducteurs cathodiques, d'où une matrice dont les conducteurs cathodiques forment les lignes et les grilles les colonnes. Chaque intersection des lignes et des colonnes de la matrice définit une surface émissive qui est constituée d'un grand nombre de micropointes (généralement de l'ordre de 10000 par mm2 soit environ un million par cm2) et qui est associée à un pixel de l'écran.In a microtip display, there is a set of parallel cathode conductors and a set of grids parallels which are perpendicular to the cathode conductors, from where a matrix whose cathode conductors form the lines and the grids the columns. Each intersection of the rows and columns of the matrix defines an emissive surface which is made up of a large number of microtips (generally of the order of 10,000 per mm 2 or approximately one million per cm 2 ) and which is associated with a pixel of the screen.
On voit également sur la figure 1 l'anode cathodoluminescente du dispositif, qui comprend un support isolant et transparent 14 recouvert, en regard des micropointes, d'une couche conductrice et transparente 16, elle-même recouverte d'un luminophore 18 qui, sous l'impact des électrons, émet de la lumière en direction d'un observateur.We also see in Figure 1 the cathodoluminescent anode of the device, which comprises an insulating and transparent support 14 covered, opposite the microtips, with a conductive and transparent layer 16, itself covered with a phosphor 18 which, under the impact of electrons, emits light towards an observer.
Au sujet des écrans plats cathodolu inescents, on consultera les documents suivants :Regarding cathescoles flat screens, we will consult the following documents:
Th. Leroux, F. Levy, R. Meyer, F. Muller et P. Vaudaine, VISU 91, Microtips Fluorescent displayTh. Leroux, F. Levy, R. Meyer, F. Muller and P. Vaudaine, VISU 91, Microtips Fluorescent display
R. Meyer, A. Ghis, Ph. Rambaud et F. Muller, Japan Display 86, 513 (1990), Physique des cathodes à micropointes. Comparaison avec les autres approches de tubes cathodiques plats.R. Meyer, A. Ghis, Ph. Rambaud and F. Muller, Japan Display 86, 513 (1990), Physics of microtip cathodes. Comparison with other approaches to flat cathode ray tubes.
R. Baptist et R. Meyer, VISU 90, Sealed vacuum devices : Microtips Fluorescent DisplayR. Baptist and R. Meyer, VISU 90, Sealed vacuum devices: Microtips Fluorescent Display
A. Ghis, R. Meyer, Ph. Rambaud, F. Levy et Th. Leroux, Third International Vacuum Microelectonic Conférence, Monterey, USA, July 1990. Ces dispositifs d'affichage à micropointes ont fait l'objet de nombreux travaux de recherche et développement mais leur taille reste faible.A. Ghis, R. Meyer, Ph. Rambaud, F. Levy and Th. Leroux, Third International Vacuum Microelectonic Conférence, Monterey, USA, July 1990. These microtip display devices have been the subject of numerous research and development works but their size remains small.
En effet, le procédé de fabrication de ces dispositifs utilise un ensemble multicouche du genre de celui qui est schématiquement et partiellement représenté sur la figure 2 et qui comprend successivement un support isolant 20 par exemple en verre, une couche conductrice 22 par exemple en ITO (c'est-à-dire Oxyde d'indium étain, "Indium Tin Oxyde" dans les publications en langue anglaise) , une couche isolante 24 par exemple en silice et une couche conductrice de grille 26.In fact, the method of manufacturing these devices uses a multilayer assembly of the kind which is schematically and partially shown in FIG. 2 and which successively comprises an insulating support 20 for example made of glass, a conductive layer 22 for example made of ITO ( that is to say indium tin oxide, "Indium Tin Oxide" in publications in the English language), an insulating layer 24 for example made of silica and a conductive grid layer 26.
La couche 22 est discontinue et forme des bandes parallèles qui constituent les conducteurs cathodiques des dispositifs.The layer 22 is discontinuous and forms parallel strips which constitute the cathode conductors of the devices.
La principale phase du procédé de fabrication, qui limite la taille des dispositifs d'affichage, est la lithographie des trous dont il a été question plus haut, dans les couches 24 et 26, trous dans lesquels sont ensuite déposées les micropointes.The main phase of the manufacturing process, which limits the size of the display devices, is the lithography of the holes mentioned above, in layers 24 and 26, holes in which the microtips are then deposited.
Pour la mise en oeuvre de cette lithographie, une pellicule de produit photosensible est déposée sur la couche de grille 26 et cette pellicule est ensuite photosensibilisée (par un rayonnement ultraviolet) , de façon sélective, grâce à un "réticule" verre-métal, également appelé "masque", qui définit la trame des trous à évider avant 1'évaporation des micropointes.For the implementation of this lithography, a film of photosensitive product is deposited on the grid layer 26 and this film is then photosensitized (by ultraviolet radiation), selectively, using a glass-metal "reticle", also called "mask", which defines the frame of the holes to be hollowed out before the evaporation of the microtips.
Le faible diamètre de ces dernières (qui est de l'ordre de 1 μm) , et donc le faible diamètre des trous dans les couches 24 et 26, impose l'usage de systèmes de photosensibilisation très précis, appelés "photo-répéteurs", qui sont dotés d'une optique de réduction d'image très précise et qui, en conséquence, sont très lents et ne peuvent que couvrir une faible surface.The small diameter of the latter (which is of the order of 1 μm), and therefore the small diameter of the holes in the layers 24 and 26, requires the use of very precise photosensitization systems, called "photo-repeaters", which have an optical very precise image reduction which is therefore very slow and can only cover a small area.
La photosensibilisation de l'ensemble d'un écran nécessite d'utiliser un grand nombre de fois un photo-répéteur.Photosensitization of an entire screen requires using a photo-repeater a large number of times.
On est ainsi conduit à insoler des écrans de faibles dimensions (pas plus de 40 cmx40 cm) pour que cette insolation ne prenne pas un temps trop important (il est tout de même de plusieurs minutes) .We are thus led to insulate screens of small dimensions (not more than 40 cmx40 cm) so that this insolation does not take too long a time (it is still several minutes).
De plus, si l'on cherche à réduire le diamètre de base des micropointes (coniques) et/ou à augmenter la densité de celles-ci en vue de diminuer la différence de potentiel qu'il convient d'appliquer entre une grille et des micropointes correspondant à celle-ci pour que des électrons soient émis par les micropointes, il faut améliorer la précision des photo¬ répéteurs et donc la qualité de leurs optiques et, en conséquence, augmenter la durée de l'insolation globale.In addition, if one seeks to reduce the base diameter of the microtips (conical) and / or to increase the density thereof in order to reduce the potential difference that should be applied between a grid and microtips corresponding to this so that electrons are emitted by the microtips, it is necessary to improve the precision of the photo¬ repeaters and therefore the quality of their optics and, consequently, increase the duration of the overall exposure.
Il est cependant à noter que le procédé de lithographie utilisé conduit à une disposition très régulière des trous et donc des micropointes.It should however be noted that the lithography process used leads to a very regular arrangement of the holes and therefore of the microtips.
La présente invention vise tout d'abord un dispositif plus facile à fabriquer que les dispositifs connus d'affichage à micropointes mentionnés plus haut dont les micropointes sont réparties très régulièrement.The present invention aims first of all at a device which is easier to manufacture than the known microdot display devices mentioned above, the microdots of which are distributed very regularly.
Plus précisément, l'invention a tout d'abord pour objet un dispositif d'affichage à micropointes, ce dispositif comprenant une source d'électrons à cathodes émissives à micropointes et une anode cathodoluminescente en regard de cette source, cette source comprenant une couche électriquement isolante et des micropointes logées dans des trous formés dans cette couche, le dispositif étant caractérisé en ce que les trous et donc les micropointes sont répartis de manière aléatoire dans cette couche. La présente invention a également pour but de remédier aux inconvénients mentionnés plus haut à propos du procédé connu de fabrication de dispositifs d'affichage à micropointes, à savoir la faible surface des dispositifs fabriqués et le manque de rapidité. Pour remédier à cet inconvénient, la présente invention utilise la lithographie par ions lourds.More specifically, the invention firstly relates to a microtip display device, this device comprising a source of electrons with emissive cathodes with microtips and a cathodoluminescent anode opposite this source, this source comprising an electrically layer insulation and microtips housed in holes formed in this layer, the device being characterized in that the holes and therefore the microtips are distributed randomly in this layer. The present invention also aims to remedy the drawbacks mentioned above with regard to the known method of manufacturing microtip display devices, namely the small area of the devices manufactured and the lack of speed. To remedy this drawback, the present invention uses heavy ion lithography.
De façon précise, la présente invention a également pour objet un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à micropointes, procédé selon lequel on fabrique une source d'électrons à cathodes émissives à micropointes et une anode cathodoluminescente et on assemble cette source d'électrons et cette anode cathodoluminescente, la fabrication de la source d'électrons comprenant la formation d'un empilement de couches, la formation de trous dans cet empilement et la formation de micropointes dans ces trous, ce procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - on forme simultanément des traces latentes dans une couche superficielle de l'empilement, ces traces latentes étant réparties de manière aléatoire, en irradiant cette couche superficielle par des ions lourds, perpendiculairement à cette couche superficielle, cette dernière étant sensible aux effets de l'irradiation par les ions lourds, l'énergie des ions lourds étant au moins égale au seuil de création des traces lantentes, chaque trace latente étant formée à partir d'un seul ion, et - on révèle par attaque chimique ces traces latentes jusqu'à l'apparition de trous dans cette couche superficielle.Specifically, the present invention also relates to a method of manufacturing a microtip display device, a method according to which an electron source is produced with microtip emissive cathodes and a cathodoluminescent anode and this source is assembled. electrons and this cathodoluminescent anode, the fabrication of the electron source comprising the formation of a stack of layers, the formation of holes in this stack and the formation of microtips in these holes, this process being characterized in that it comprises the following steps: - latent traces are simultaneously formed in a surface layer of the stack, these latent traces being distributed randomly, by irradiating this surface layer with heavy ions, perpendicular to this surface layer, the latter being sensitive to the effects of irradiation by heavy ions, the energy of heavy ions being at least equal to the threshold for creation of the lantent traces, each latent trace being formed from a single ion, and - These latent traces are revealed by chemical attack until the appearance of holes in this surface layer.
On rappelle qu'un ion lourd est un ion d'un élément dont le numéro atomique est au moins égal à 5.It is recalled that a heavy ion is an ion of an element whose atomic number is at least equal to 5.
Certes, on a déjà utilisé des ions lourds pour réaliser des trous mais dans un tout autre domaine que celui de la fabrication de dispositifs d'affichage à micropointes, à savoir l'élaboration de membranes microporeuses pour l'ultrafiltration.Admittedly, heavy ions have already been used to make holes, but in a completely different field from that of the manufacture of microtip display devices, namely the development of microporous membranes for ultrafiltration.
Des procédés d'élaboration de telles membranes sont décrits dans les documents WO-A-87/05850 (voir aussi US-A-4596219) et EP-A-0317399 (voir aussi US-A-4855049) auxquels on se reportera. L'homme du métier des dispositifs d'affichage à micropointes était incité à rechercher, pour fabriquer ces dispositifs, des techniques conduisant à des répartitions très régulières de trous. Or, dans la présente invention on utilise, au contraire, une répartition aléatoire des traces latentes et donc des trous.Methods of making such membranes are described in documents WO-A-87/05850 (see also US-A-4596219) and EP-A-0317399 (see also US-A-4855049) to which reference will be made. Those skilled in the art of microtip display devices were encouraged to seek, to manufacture these devices, techniques leading to very regular distribution of holes. However, in the present invention, on the contrary, a random distribution of the latent traces and therefore of the holes is used.
Il est à noter que le balayage de la surface de la couche superficielle de l'empilement utilisé dans l'invention par un faisceau desdits ions lourds permet d'aboutir à cette répartition aléatoire des traces latentes.It should be noted that the scanning of the surface of the surface layer of the stack used in the invention by a beam of said heavy ions makes it possible to achieve this random distribution of the latent traces.
Une répartition aléatoire des trous s'est avérée tout à fait utilisable pour la fabrication de dispositifs d'affichage à micropointes étant donné le grand nombre de micropointes par pixel (plusieurs dizaines de milliers au mm2) présent dans de tels dispositifs : que la distribution des micropointes soit régulière ou aléatoire dans un pixel, l'efficacité d'émission électronique ne change pas du moment que le nombre moyen de micropointes par pixel est identique. Il est à noter que l'homogénéité de densité des traces latentes de pixel à pixel obtenue par le procédé objet de l'invention est supérieure à celle qui est exigée pour un bon fonctionnement des dispositifs d'affichage à micropointes et qui doit dépasser 5%.Random distribution of holes has proven to be quite usable for the manufacture of microtip display devices given the large number of microtips per pixel (several tens of thousands per mm 2 ) present in such devices: that the distribution microdots either regular or random in a pixel, the electronic emission efficiency does not change as long as the average number of microdots per pixel is identical. It should be noted that the density homogeneity of the latent traces from pixel to pixel obtained by the process which is the subject of the invention is greater than that which is required for the proper functioning of the microtip display devices and which must exceed 5% .
De plus, les coûts de production des dispositifs d'affichage à micropointes sont grandement réduits par le fait que l'on réalise des trous répartis de façon aléatoire, sans utiliser un masque du genre de celui qui est utilisé dans le procédé connu de fabrication, qui a été mentionné plus haut.In addition, the production costs of microtip display devices are greatly reduced by the fact that holes are distributed randomly, without using a mask of the kind used in the known manufacturing process, which was mentioned above.
Certes, on connaît par le document EP-A- 0416625 (CANON KABUSHIKI KAISHA) un procédé de fabrication d'une source d'électrons à micropointes. Ce procédé utilise un faisceau d'ions focalisé c'est-à- dire un micro-faisceau d'ions ("focused ion bea " dans les articles en langue anglaise) pour la formation de trous les uns après les autres (trous dans lesquels on réalise ultérieurement les micropointes) . Les ions utilisés dans ce procédé connu ont une faible énergie (au plus 200 eV) et l'intensité du microfaisceau est très élevée pour réaliser des implantations ioniques dans des substrats de faible épaisseur (de l'ordre de 0,5 μ ) . Ces implantations conduisent à une modification physico-chimique des zones irradiées. Ces modifications permettent une dissolution chimique sélective de ces zones irradiées, au moyen de réactifs appropriés, en laissant intactes les zones non irradiées. Ce procédé connu est lent et nécessite un équipement complexe et coûteux pour sa mise en oeuvre.Certainly, document EP-A-0416625 (CANON KABUSHIKI KAISHA) discloses a process for manufacturing a source of microtip electrons. This process uses a focused ion beam, that is to say a micro ion beam ("focused ion bea" in articles in English) for the formation of holes one after the other (holes in which microtips are subsequently produced). The ions used in this known process have a low energy (at most 200 eV) and the intensity of the microbeam is very high for carrying out ion implantations in thin substrates (of the order of 0.5 μ). These implantations lead to a physico-chemical modification of the irradiated areas. These modifications allow a selective chemical dissolution of these irradiated zones, by means of suitable reagents, leaving intact the non-irradiated zones. This known method is slow and requires complex and costly equipment for its implementation.
Dans la présente invention, on réalise simultanément un grand nombre de traces latentes, ce que ne permet pas ce procédé connu qui est beaucoup plus lent et d'ailleurs dans lequel l'énergie des ions utilisés en vue d'une implantation est nettement inférieure au seuil de création de traces latentes qui vaut environ 10 MeV. Dans l'invention, chaque trace latente (et donc chaque trou) est réalisée à partir d'un seul ion (de très haute énergie) puis cette trace latente est révélée chimiquement. L'invention permet ainsi de réaliser de façon rapide, simple et peu coûteuse plusieurs milliards de micropointes dans une surface de 1 m2. II faut également noter que les doses d'ions nécessaires à une implantation ionique sont de l'ordre de 1016 à 1018 ions par cm2 alors que la présente invention peut être mise en oeuvre avec des doses nettement plus faibles, de l'ordre de 105 à 107 ions par cm2.In the present invention, a large number of latent traces are produced simultaneously, which this known method, which is much slower and moreover in which the energy of the ions, does not allow. used for implantation is much lower than the threshold for the creation of latent traces which is around 10 MeV. In the invention, each latent trace (and therefore each hole) is produced from a single ion (of very high energy), then this latent trace is revealed chemically. The invention thus makes it possible to quickly, simply and inexpensively produce several billion microdots in an area of 1 m 2 . It should also be noted that the doses of ions required for ion implantation are of the order of 10 16 to 10 18 ions per cm 2 whereas the present invention can be implemented with significantly lower doses of in the order of 10 5 to 10 7 ions per cm 2 .
Selon un premier mode de mise en oeuvre particulier du procédé objet de l'invention, l'empilement formé comprend un support électriquement isolant, une première couche électriquement conductrice discontinue, formant des bandes parallèles appelées conducteurs cathodiques, une couche électriquement isolante, une deuxième couche électriquement conductrice destinée à la formation de bandes parallèles appelées grilles, et, sur cette deuxième couche conductrice, une couche qui constitue ladite couche superficielle et qui est faite d'un matériau sensible aux effets de l'irradiation par les ions lourds, on forme des trous à travers la deuxième couche conductrice et la couche isolante en attaquant chimiquement celles-ci à travers les trous formés dans la couche superficielle après l'irradiation de celle-ci et la révélation des traces latentes, cette couche superficielle servant ainsi de masque pour l'attaque chimique de la deuxième couche conductrice et de la couche isolante, cette couche superficielle est éliminée après cette attaque chimique et les micropointes sont formées dans les trous résultant de cette attaque chimique.According to a first particular embodiment of the process which is the subject of the invention, the stack formed comprises an electrically insulating support, a first discontinuous electrically conductive layer, forming parallel strips called cathode conductors, an electrically insulating layer, a second layer electrically conductive intended for the formation of parallel bands called grids, and, on this second conductive layer, a layer which constitutes said surface layer and which is made of a material sensitive to the effects of irradiation by heavy ions, holes through the second conductive layer and the insulating layer by chemically attacking them through the holes formed in the surface layer after the irradiation of the latter and the revealing of the latent traces, this surface layer thus serving as a mask for the chemical attack of the second conductive layer and the iso layer lante, this surface layer is eliminated after this chemical attack and the microtips are formed in the holes resulting from this chemical attack.
Le matériau sensible aux effets de l'irradiation par les ions lourds est par exemple du polycarbonate ou du polyamide (Kapton) .The material sensitive to the effects of irradiation by heavy ions is for example polycarbonate or polyamide (Kapton).
Un grand nombre d'autres polymères sont également utilisables.A large number of other polymers can also be used.
On peut aussi utiliser de la silice, mais irradiée par des ions lourds à fort pouvoir d'arrêt tels que les ions Pb et U.Silica can also be used, but irradiated with heavy ions with a strong stopping power such as the Pb and U ions.
Selon un deuxième mode de mise en oeuvre particulier, l'empilement formé comprend un support électriquement isolant, une première couche électriquement conductrice discontinue, formant des bandes parallèles appelées conducteurs cathodiques et une couche électriquement isolante qui constitue ladite couche superficielle, et après la formation des trous dans cette dernière, on forme sur la couche isolante une deuxième couche électriquement conductrice destinée à la formation de bandes parallèles appelées grilles et l'on forme les micropointes dans les trous.According to a second particular embodiment, the stack formed comprises an electrically insulating support, a first discontinuous electrically conductive layer, forming parallel strips called cathode conductors and an electrically insulating layer which constitutes said surface layer, and after the formation of the holes in the latter, a second electrically conductive layer is formed on the insulating layer intended for the formation of parallel strips called grids and the microtips are formed in the holes.
L'interaction d'un ion lourd d'énergie au moins égale à 10 MeV, lors de la traversée d'un matériau sensible aux ions lourds ou d'un film de matière plastique (par exemple en polycarbonate ou en PET ou encore en résine photosensible par exemple) , crée une trace latente (zone de dommages ou de dégâts) de l'ordre de 10 nm de diamètre. La révélation chimique de cette trace latente, par un réactif approprié comme NaOH, 6N pour le polycarbonate par exemple, conduit à un trou ou pore, dont le diamètre est fonction du temps de l'attaque chimique permettant la révélation de cette trace latente. En effet, la vitesse d'attaque chimique est grandement augmentée le long de telles traces latentes. En fonction du rapport entre la vitesse VT d'attaque chimique le long d'une trace latente et de la vitesse VB d'attaque chimique de la matière dans son ensemble, le trou révélé peut être cylindrique (lorsque VB est très supérieur à VT) ou conique (dans ce cas le demi-angle au sommet du cône dont le trou épouse la forme est peu différent de Arcos (VB/VT) ) . L'apparition de la trace latente correspond à une perte d'énergie, ou à une libération d'énergie, au sein du matériau, perte d'énergie qui est supérieure à un certain seuil (environ 10 MeV) .The interaction of a heavy ion with energy at least equal to 10 MeV, when passing through a material sensitive to heavy ions or a plastic film (for example polycarbonate or PET or resin photosensitive for example), creates a latent trace (damage or damage area) of the order of 10 nm in diameter. The chemical revelation of this latent trace, by a suitable reagent such as NaOH, 6N for polycarbonate for example, leads to a hole or pore, the diameter of which is a function of the time of the chemical attack allowing the revelation of this latent trace. Indeed, the chemical attack speed is greatly increased along such latent traces. Depending on the ratio between the speed VT of chemical attack along a latent trace and the speed VB of chemical attack of the material as a whole, the hole revealed can be cylindrical (when VB is much greater than VT) or conical (in this case the half-angle at the top of the cone whose hole matches the shape is little different from Arcos (VB / VT)). The appearance of the latent trace corresponds to a loss of energy, or a release of energy, within the material, loss of energy which is higher than a certain threshold (approximately 10 MeV).
Une trace continue le long du trajet de l'ion à travers la matière pénétrée correspond également à un certain seuil (environ 20 MeV) .A continuous trace along the path of the ion through the penetrated material also corresponds to a certain threshold (around 20 MeV).
Selon un mode de mise en oeuvre préféré du procédé objet de l'invention, les ions sont choisis de façon à former des traces latentes continues dans ladite couche superficielle.According to a preferred embodiment of the process which is the subject of the invention, the ions are chosen so as to form continuous latent traces in said surface layer.
Il est en effet préférable de créer des traces latentes continues pour avoir une faible dispersion de la taille des trous obtenus après révélation chimique. Pour obtenir des traces latentes continues, on peut utiliser des ions lourds tels que les ions de Kr ou les ions d'éléments dont le numéro atomique est supérieure à celui de Kr (des ions de Xe ou des ions de Pb par exemple) . Pour la mise en oeuvre de l'invention, le seuil en perte d'énergie pour l'obtention de traces latentes continues est facilement atteint par de tels ions lourds.It is indeed preferable to create continuous latent traces to have a small dispersion of the size of the holes obtained after chemical development. To obtain continuous latent traces, it is possible to use heavy ions such as the ions of Kr or the ions of elements whose atomic number is greater than that of Kr (ions of Xe or ions of Pb for example). For the implementation of the invention, the threshold in energy loss for obtaining continuous latent traces is easily reached by such heavy ions.
Un accélérateur d'ions lourds tel que l'accélérateur GANIL (situé à Caen, France) possède une gamme d'ions tout à fait adaptée à la satisfaction du critère de traces continues.A heavy ion accelerator such as the GANIL accelerator (located in Caen, France) has a range of ions perfectly suited to satisfying the criterion of continuous traces.
Les énergies disponibles permettent de réaliser les irradiations soit dans l'air soit dans le vide, de façon à libérer le maximum d'énergie.The available energies make it possible to carry out the irradiations either in air or in vacuum, so as to release the maximum of energy.
On est capable de réaliser des trous dont le diamètre est compris dans l'intervalle allant de 0,1 μm à 10 μm.We are able to make holes whose diameter is in the range from 0.1 μm to 10 μm.
L'irradiation de ladite couche superficielle pourrait être réalisée par déplacement de l'empilement portant cette couche par rapport à un faisceau d'ions lourds mais, de préférence, cette irradiation est réalisée par balayage de cette couche au moyen du faisceau d'ions lourds. Des dispositifs de balayage électrique et/ou magnétique permettent de répartir les impacts d'un faisceau d'ions lourds de faible dimension sur des surfaces importantes, avec une bonne homogénéité et pendant une faible durée (par exemple 1 seconde pour 1 m2) .The irradiation of said surface layer could be carried out by displacement of the stack carrying this layer with respect to a beam of heavy ions but, preferably, this irradiation is carried out by scanning of this layer by means of the beam of heavy ions . Electrical and / or magnetic scanning devices make it possible to distribute the impacts of a beam of small heavy ions over large areas, with good homogeneity and for a short time (for example 1 second per 1 m 2 ).
Les densités de pores obtenues sont de l'ordre de 105 à 107 pores par cm2.The pore densities obtained are of the order of 10 5 to 10 7 pores per cm 2 .
Dans la présente invention, l'irradiation de ladite couche superficielle peut avoir lieu dans le vide.In the present invention, the irradiation of said surface layer can take place in a vacuum.
De préférence, cette irradiation a lieu dans l'air.Preferably, this irradiation takes place in air.
On est ainsi en mesure de disposer d'équipements mécaniques permettant de présenter, en face du faisceau d'ions lourds qui est soumis à un balayage, des substrats à irradier de grande surface.It is thus able to have mechanical equipment making it possible to present, in front of the beam of heavy ions which is subjected to a scanning, substrates to be irradiated over a large area.
Le procédé objet de la présente invention permet de résoudre le problème de la lithographie de grande dimension, pour la fabrication de dispositifs d'affichage à micropointes de grande surface. Ce procédé permet également de réduire la tension de commande des grilles de ces dispositifs, en augmentant la densité des micropointes (par augmentation de la densité des trous) et/ou en diminuant le diamètre de la base de ces micropointes (en diminuant le diamètre des trous) .The method which is the subject of the present invention makes it possible to solve the problem of large-scale lithography for the manufacture of large-area microtip display devices. This method also makes it possible to reduce the control voltage of the grids of these devices, by increasing the density of the microtips (by increasing the density of the holes) and / or by reducing the diameter of the base of these microtips (by decreasing the diameter of the microtips). holes).
Les trajectoires rectilignes des ions lourds font que les trous ont une bonne définition spatiale contrairement aux trous réalisés par la technique connue de photolithographie qui a été mentionnée plus haut.The rectilinear trajectories of heavy ions mean that the holes have a good spatial definition unlike the holes made by the known technique of photolithography which was mentioned above.
Avec cette technique connue, les aberrations optiques sont telles qu'elles ne permettent pas une bonne définition des trous sur de grandes surfaces.With this known technique, the optical aberrations are such that they do not allow a good definition of the holes on large surfaces.
La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés ci-après à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels :The present invention will be better understood on reading the description of exemplary embodiments given below by way of purely indicative and in no way limiting, with reference to the appended drawings in which:
- la figure 1 est une vue schématique et partielle d'un exemple connu de dispositif d'affichage à micropointes et a déjà été décrite,FIG. 1 is a schematic and partial view of a known example of a microtip display device and has already been described,
- la figure 2 est une vue schématique et partielle d'un ensemble multicouche utilisable pour la fabrication d'un dispositif du genre de celui qui est représenté sur la figure 1 et a déjà été décrite,FIG. 2 is a diagrammatic and partial view of a multilayer assembly which can be used for the manufacture of a device of the type which is shown in FIG. 1 and has already been described,
- la figure 3A est une vue schématique et partielle d'un ensemble multicouche utilisable pour la mise en oeuvre du procédé objet de la présente invention et comprenant une couche superficielle d'un matériau sensible aux ions lourds, la figure 3B illustre schématiquement l'irradiation de cette couche superficielle par des ions lourds, en vue de créer des traces latentes dans cette couche superficielle, la figure 3C illustre schématiquement l'obtention de trous par révélation chimique de ces traces latentes, la figure 3D illustre schématiquement l'utilisation de ces trous pour en créer d'autres dans l'empilement multicouches, conformément à la présente invention, - la figure 4A est une vue schématique et partielle d'un autre empilement multicouche utilisable dans la présente invention, la figure 4B illustre schématiquement l'irradiation, par des ions lourds, d'une couche superficielle de cet empilement de la figure 4A, en vue de créer des traces latentes dans cette couche superficielle,- Figure 3A is a schematic and partial view of a multilayer assembly usable for the implementation of the method object of the present invention and comprising a surface layer of a material sensitive to heavy ions, Figure 3B schematically illustrates the irradiation of this surface layer by heavy ions, with a view to creating latent traces in this surface layer, FIG. 3C schematically illustrates the obtaining of holes by chemical revelation of these latent traces, FIG. 3D diagrammatically illustrates the use of these holes to create others in the multilayer stack, in accordance with the present invention, - Figure 4A is a schematic and partial view of another multilayer stack usable in the present invention, Figure 4B schematically illustrates the irradiation, by heavy ions, of a surface layer of this stack of FIG. 4A, with a view to creating latent traces in this surface layer,
- la figure 4C illustre schématiquement la révélation chimique de ces traces latentes, ce qui crée des trous dans la couche superficielle, etFIG. 4C schematically illustrates the chemical development of these latent traces, which creates holes in the surface layer, and
- la figure 5 est une vue schématique et partielle d'un dispositif d'affichage conforme à l'invention.- Figure 5 is a schematic and partial view of a display device according to the invention.
Les figures 3A à 3B se rapportent à un mode de mise en oeuvre particulier du procédé objet de la présente invention.FIGS. 3A to 3B relate to a particular mode of implementation of the method which is the subject of the present invention.
Pour réaliser un dispositif d'affichage à micropointes, on utilise encore un empilement multicouches du genre de celui qui est représenté sur la figure 2 déjà décrite.To make a microtip display device, a multilayer stack of the type shown in FIG. 2 already described is also used.
Conformément à l'invention, une couche 28 de faible épaisseur d'un matériau électriquement isolant, sensible aux effets de l'irradiation par les ions lourds, est déposée sur l'empilement multicouche considéré (fig.3A) . A titre purement indicatif et nullement limitatif, on utilise du polycarbonate en tant que matériau, l'épaisseur de la couche 28 est de l'ordre de 2 μm et cette couche 28 est déposée par exemple par la technique de dépôt "à la tournette" ("spin coating" dans les publications en langue anglaise) , technique classique de réalisation de couches minces.According to the invention, a thin layer 28 of an electrically insulating material, sensitive to the effects of irradiation by heavy ions, is deposited on the multilayer stack considered (FIG. 3A). As a purely indicative and in no way limitative, polycarbonate is used as a material, the thickness of the layer 28 is of the order of 2 μm and this layer 28 is deposited for example by the "spinning" deposition technique ("spin coating" in English language publications), a classic technique for producing thin layers.
Cette couche 28 permettra ultérieurement de définir la localisation et la dimension des trous à graver au sein de la couche électriquement conductriceThis layer 28 will subsequently make it possible to define the location and the size of the holes to be etched within the electrically conductive layer
26 et de la couche électriquement isolante 24, où seront ultérieurement déposées les micropointes.26 and the electrically insulating layer 24, where the microtips will later be deposited.
L'empilement multicouche ainsi obtenu, qui comporte la couche 28, est ensuite irradié par un faisceau 30 d'ions lourds (fig.3B) dont l'énergie est supérieure ou égale au seuil de création de traces latentes.The multilayer stack thus obtained, which comprises the layer 28, is then irradiated by a beam 30 of heavy ions (FIG. 3B) whose energy is greater than or equal to the threshold for creating latent traces.
Le faisceau 30 peut provenir d'un implanteur d'ions si l'irradiation a lieu dans le vide. Si l'irradiation est réalisée dans l'air, ce faisceau est obtenu auprès d'un accélérateur d'ions lourds capable de fournir des faisceaux d'énergie suffisante pour vaincre une barrière entre le vide et l'air. Cette irradiation est réalisée perpendiculairement à la surface de l'empilement multicouches (c'est-à-dire la surface de la couche 28) . De plus, comme on l'a déjà vu, cette irradiation est de type aléatoire. L'irradiation par les ions lourds provoque l'apparition de traces latentes 32 dans la couche 28 (ces traces correspondant à des dégâts causés au matériau sensible) .The beam 30 can come from an ion implanter if the irradiation takes place in a vacuum. If irradiation is carried out in air, this beam is obtained from a heavy ion accelerator capable of providing beams of sufficient energy to overcome a barrier between vacuum and air. This irradiation is carried out perpendicular to the surface of the multilayer stack (that is to say the surface of the layer 28). In addition, as we have already seen, this irradiation is of the random type. The irradiation with heavy ions causes the appearance of latent traces 32 in the layer 28 (these traces corresponding to damage caused to the sensitive material).
Après irradiation, on révèle chimiquement ces traces latentes 32 jusqu'à l'apparition de pores ou trous 34, qui sont cylindriques ou coniques et dont le diamètre (diamètre des cylindres ou diamètre de base des cônes) et voisin de 1 μm (fig.3C).After irradiation, these latent traces 32 are chemically revealed until the appearance of pores or holes 34, which are cylindrical or conical and whose diameter (diameter of the cylinders or base diameter of the cones) and close to 1 μm (fig.3C).
Pour révéler chimiquement les traces latentes on procède par exemple de la façon suivante : on plonge le substrat irradié dans un bain de NaOH, 6N à 50°C pendant 1 heure.To reveal the latent traces chemically, we proceed for example as follows: the irradiated substrate is immersed in a 6N NaOH bath at 50 ° C for 1 hour.
Le diamètre exact que l'on veut atteindre pour les trous est qui peut varier entre quelques dizaines de nanomètres jusqu'à quelques micromètres, dépend des conditions d'attaque chimique et il est choisi pour être adapté aux conditions techniques du procédé de fabrication des dispositifs d'affichage à micropointes. On obtient ainsi un empilement multicouches micro-perforé en surface que l'on utilise ensuite pour terminer la fabrication de la source émissive à micropointes faisant partie du dispositif d'affichage que l'on veut réaliser. Pour ce faire, on attaque chimiquement les couches 24 et 26 (fig.3C), à travers les trous 34.The exact diameter that we want to reach for the holes is which can vary between a few tens of nanometers up to a few micrometers, depends on the chemical attack conditions and it is chosen to be adapted to the technical conditions of the device manufacturing process. microtip display. One thus obtains a multilayer micro-perforated stack on the surface which is then used to complete the fabrication of the microtip emissive source forming part of the display device which one wishes to produce. To do this, we chemically attack the layers 24 and 26 (fig.3C), through the holes 34.
Du fait de cette attaque chimique, d'autres trous 36 ou cheminées sont créés dans ces couches 24 et 26, au droit des trous 34 révélés dans la couche 28. Pour réaliser cette attaque chimique des couches 24 et 26, on procède par exemple par gravure ionique réactive.Because of this chemical attack, other holes 36 or chimneys are created in these layers 24 and 26, in line with the holes 34 revealed in the layer 28. To carry out this chemical attack on the layers 24 and 26, one proceeds for example by reactive ion etching.
Après avoir formé les trous 36 (fig.3D) dans les couches 24 et 26, la couche 28 de matériau sensible aux ions lourds (qui a servi de "masque") est dissoute par un solvant approprié, par exemple le trichloréthylène.After having formed the holes 36 (fig.3D) in the layers 24 and 26, the layer 28 of material sensitive to heavy ions (which served as a "mask") is dissolved by an appropriate solvent, for example trichlorethylene.
Ensuite, l'empilement multicouche obtenu est lavé, par exemple à l'eau, et séché. On termine ensuite la fabrication du dispositif d'affichage à micropointes, notamment en formant les micropointes dans les trous 36 de l'empilement multicouches. Un autre mode de mise en oeuvre du procédé objet de l'invention est schématiquement illustré par les figures 4A à 4C.Then, the multilayer stack obtained is washed, for example with water, and dried. The fabrication of the microtip display device is then completed, in particular by forming the microtips in the holes 36 of the multilayer stack. Another embodiment of the method which is the subject of the invention is schematically illustrated by FIGS. 4A to 4C.
Selon cet autre mode de mise en oeuvre particulier, on prépare un empilement multicouche du genre de celui qui est schématiquement et partiellement représenté sur la figure 2 excepté que la couche 26 est absente (fig.4A) .According to this other particular implementation mode, a multilayer stack of the kind which is schematically and partially shown in FIG. 2 is prepared except that the layer 26 is absent (FIG. 4A).
Ainsi l'empilement utilisé ne comporte pas la couche de grille. Le mode de mise en oeuvre schématiquement illustré par les figures 4A à 4C n'utilise pas de matériau sensible supplémentaire.Thus the stack used does not include the grid layer. The mode of implementation schematically illustrated by FIGS. 4A to 4C does not use additional sensitive material.
C'est la couche électriquement isolante 24 qui est directement irradiée par le faisceau d'ions lourds 30 (figure 4B) .It is the electrically insulating layer 24 which is directly irradiated by the beam of heavy ions 30 (FIG. 4B).
Ainsi des traces latentes 32 sont directement formées dans cette couche 24, perpendiculairement à la surface de l'empilement multicouches. On forme ensuite les trous ou cheminées 36, dans cette couche 24, en révélant chimiquement ces traces latentes (fig.4C) .Thus latent traces 32 are directly formed in this layer 24, perpendicular to the surface of the multilayer stack. The holes or chimneys 36 are then formed in this layer 24, chemically revealing these latent traces (FIG. 4C).
Ensuite, on dépose la couche de grille sur la couche 24. Le dépôt de cette couche de grille est par exemple réalisé par évaporation directe.Next, the grid layer is deposited on the layer 24. The grid layer is deposited, for example, by direct evaporation.
On termine ensuite la fabrication du dispositif d'affichage à micropointes, notamment en formant les micropointes dans les trous 36. Sur la figure 5, on a représenté de façon schématique et partielle un dispositif d'affichage à micropointes conforme à l'invention. Ce dispositif comprend une source d'électrons à micropointes S et, en regard de celle-ci, une anode cathodoluminescente A. Cette anode cathodoluminescente est identique à celle de la figure 1. La source S comprend l'empilement de la figure 4C. Des micropointes 38 se trouvent dans les trous 36. Des couches conductrices telles que la couche 40 (grilles) surmontent la couche isolante 24 de l'empilement. La structure de ce dispositif est comparable à celle du dispositif connu de la figure 1 mais, dans le cas de la figure 5, les trous et donc les micropointes sont répartis de manière aléatoire alors que, dans le cas de la figure 1, la répartition des trous et donc des micropointes est très régulière. The manufacturing of the microtip display device is then completed, in particular by forming the microtips in the holes 36. In Figure 5, there is shown schematically and partially a microtip display device according to the invention. This device comprises a source of microtip electrons S and, opposite the latter, a cathodoluminescent anode A. This cathodoluminescent anode is identical to that of FIG. 1. The source S comprises the stack of FIG. 4C. Microtips 38 are located in the holes 36. Conductive layers such as layer 40 (grids) surmount the insulating layer 24 of the stack. The structure of this device is comparable to that of the known device of FIG. 1 but, in the case of FIG. 5, the holes and therefore the microtips are distributed randomly whereas, in the case of FIG. 1, the distribution holes and therefore microtips is very regular.

Claims

REVENDICATIONS
1. Dispositif d'affichage à micropointes, ce dispositif comprenant une source (S) d'électrons à cathodes émissives à micropointes et une anode cathodoluminescente (A) en regard de cette source, cette source comprenant une couche électriquement isolante (24) et des micropointes (38) logées dans des trous (36) formés dans cette couche, le dispositif étant caractérisé en ce que les trous et donc les micropointes sont répartis de manière aléatoire dans cette couche.1. A microtip display device, this device comprising a source (S) of electrons with emissive cathodes with microtips and a cathodoluminescent anode (A) opposite this source, this source comprising an electrically insulating layer (24) and microtips (38) housed in holes (36) formed in this layer, the device being characterized in that the holes and therefore the microtips are distributed randomly in this layer.
2. Procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à micropointes, procédé selon lequel on fabrique une source d'électrons à cathodes émissives à micropointes et une anode cathodoluminescente et on assemble cette source d'électrons et cette anode cathodoluminescente, la fabrication de la source d'électrons comprenant la formation d'un empilement de couches (20, 22, 24, 26, 28 ou 20, 22, 24), la formation de trous dans cet empilement et la formation de micropointes dans ces trous, ce procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : on forme simultanément des traces latentes (32) dans une couche superficielle (28 ou 24) de l'empilement, ces traces latentes étant réparties de manière aléatoire, en irradiant cette couche superficielle par des ions lourds (30), perpendiculairement à cette couche superficielle, cette dernière étant sensible aux effets de l'irradiation par les ions lourds, l'énergie des ions lourds étant au moins égale au seuil de création des traces latentes, chaque trace latente étant formée à partir d'un seul ion, et - on révèle par attaque chimique ces traces latentes jusqu'à l'apparition de trous (34 ou 36) dans cette couche superficielle.2. Method of manufacturing a microtip display device, method according to which an electron source is produced with emissive microtip cathodes and a cathodoluminescent anode and this electron source and this cathodoluminescent anode are assembled, the manufacture of the electron source comprising the formation of a stack of layers (20, 22, 24, 26, 28 or 20, 22, 24), the formation of holes in this stack and the formation of microtips in these holes, this method being characterized in that it comprises the following stages: simultaneously forming latent traces (32) in a surface layer (28 or 24) of the stack, these latent traces being distributed randomly, by irradiating this surface layer by heavy ions (30), perpendicular to this surface layer, the latter being sensitive to the effects of irradiation by heavy ions, the energy of the heavy ions being at least equal to uil for creating latent traces, each latent trace being formed from a single ion, and - These latent traces are revealed by chemical attack until the appearance of holes (34 or 36) in this surface layer.
3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'empilement formé comprend un support électriquement isolant (20), une première couche électriquement conductrice (22) discontinue, formant des bandes parallèles appelées conducteurs cathodiques, une couche électriquement isolante (24); une deuxième couche électriquement conductrice (26) destinée à la formation de bandes parallèles appelées grilles, et, sur cette deuxième couche conductrice, une couche (28) qui constitue ladite couche superficielle et qui est faite d'un matériau sensible aux effets de l'irradiation par les ions lourds, en ce que l'on forme des trous (36) à travers la deuxième couche conductrice (26) et la couche isolante (24) en attaquant chimiquement celles-ci à travers les trous (34) formés dans la couche superficielle (28) après l'irradiation de celle-ci et la révélation des traces latentes (32), cette couche superficielle servant ainsi de masque pour 1'attaque chimique de la deuxième couche conductrice et de la couche isolante, en ce que cette couche superficielle (28) est éliminée après cette attaque chimique et en ce que les micropointes sont formées dans les trous (36) résultant de cette attaque chimique.3. Method according to claim 2, characterized in that the stack formed comprises an electrically insulating support (20), a first electrically conductive layer (22) discontinuous, forming parallel strips called cathode conductors, an electrically insulating layer (24) ; a second electrically conductive layer (26) intended for the formation of parallel strips called grids, and, on this second conductive layer, a layer (28) which constitutes said surface layer and which is made of a material sensitive to the effects of irradiation by heavy ions, in that holes (36) are formed through the second conductive layer (26) and the insulating layer (24) by chemically attacking them through the holes (34) formed in the surface layer (28) after the irradiation thereof and the revelation of the latent traces (32), this surface layer thus serving as a mask for the chemical attack of the second conductive layer and of the insulating layer, in that this surface layer (28) is removed after this chemical attack and in that the microtips are formed in the holes (36) resulting from this chemical attack.
4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que le matériau sensible aux effets de l'irradiation par les ions lourds est le polycarbonate ou le polyamide.4. Method according to claim 3, characterized in that the material sensitive to the effects of irradiation by heavy ions is polycarbonate or polyamide.
5. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que les ions lourds ont un fort pouvoir d'arrêt et en ce que le matériau sensible aux effets de l'irradiation par les ions lourds est de la silice.5. Method according to claim 3, characterized in that the heavy ions have a strong stopping power and in that the material sensitive to effects of heavy ion irradiation is silica.
6. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'empilement formé comprend un support électriquement isolant (20) , une première couche électriquement conductrice (22) discontinue, formant des bandes parallèles appelées conducteurs cathodiques et une couche électriquement isolante (24) qui constitue ladite couche superficielle, et en ce que, après la formation des trous (36) dans cette dernière, on forme sur la couche isolante une deuxième couche électriquement conductrice destinée à la formation de bandes parallèles appelées grilles et l'on forme les micropointes dans les trous. 6. Method according to claim 2, characterized in that the stack formed comprises an electrically insulating support (20), a first electrically conductive layer (22) discontinuous, forming parallel strips called cathode conductors and an electrically insulating layer (24) which constitutes said surface layer, and in that, after the formation of the holes (36) in the latter, a second electrically conductive layer is formed on the insulating layer intended for the formation of parallel strips called grids and the microtips are formed in the holes.
7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 6, caractérisé en ce que les ions sont choisis de façon à former des traces latentes continues (32) dans ladite couche superficielle (28 ou 24) . 7. Method according to any one of claims 2 to 6, characterized in that the ions are chosen so as to form continuous latent traces (32) in said surface layer (28 or 24).
8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 7, caractérisé en ce que les ions sont choisis dans le groupe comprenant les ions de Kr et les ions d'éléments dont le numéro atomique est supérieur à celui de Kr. 8. Method according to any one of claims 2 to 7, characterized in that the ions are chosen from the group comprising the ions of Kr and the ions of elements whose atomic number is greater than that of Kr.
9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 8, caractérisé en ce que l'irradiation de ladite couche superficielle (28 ou 24) a lieu dans le vide.9. Method according to any one of claims 2 to 8, characterized in that the irradiation of said surface layer (28 or 24) takes place in a vacuum.
10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 8, caractérisé en ce que l'irradiation de ladite couche superficielle (28 ou 24) a lieu dans l'air.10. Method according to any one of claims 2 to 8, characterized in that the irradiation of said surface layer (28 or 24) takes place in air.
11. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 10, caractérisé en ce que l'irradiation est réalisée avec une dose de l'ordre de 105 à 107 ions par cm2.11. Method according to any one of claims 2 to 10, characterized in that irradiation is carried out with a dose of the order of 10 5 to 10 7 ions per cm 2 .
12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 11, caractérisé en ce que l'irradiation de ladite couche superficielle est réalisée par balayage de cette couche superficielle au moyen d'un faisceau des ions lourds. 12. Method according to any one of claims 2 to 11, characterized in that the irradiation of said surface layer is carried out by scanning this surface layer by means of a beam of heavy ions.
PCT/FR1994/000619 1993-05-27 1994-05-26 Microtips diplay device and method of manufacture using heavy ion lithography WO1994028569A1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR93/06373 1993-05-27
FR9306373A FR2705830B1 (en) 1993-05-27 1993-05-27 A method of manufacturing microtip display devices using heavy ion lithography.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1994028569A1 true WO1994028569A1 (en) 1994-12-08

Family

ID=9447513

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/FR1994/000619 WO1994028569A1 (en) 1993-05-27 1994-05-26 Microtips diplay device and method of manufacture using heavy ion lithography

Country Status (2)

Country Link
FR (1) FR2705830B1 (en)
WO (1) WO1994028569A1 (en)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0700066A1 (en) * 1994-08-31 1996-03-06 AT&T Corp. Spaced-gate emission device and method for making same
EP0700065A1 (en) * 1994-08-31 1996-03-06 AT&T Corp. Field emission device and method for making same
WO1996024152A1 (en) * 1995-01-31 1996-08-08 Candescent Technologies Corporation Gated filament structures for a field emission display
WO1997027607A1 (en) * 1996-01-25 1997-07-31 Robert Bosch Gmbh Process for producing cold emission points
WO1998038837A1 (en) * 1997-02-28 1998-09-03 Candescent Technologies Corporation Plasma etching using polycarbonate etch mask
US5914150A (en) * 1997-02-28 1999-06-22 Candescent Technologies Corporation Formation of polycarbonate film with apertures determined by etching charged-particle tracks
DE19910156A1 (en) * 1999-02-26 2000-09-07 Hahn Meitner Inst Berlin Gmbh Electron emitter and method for its production
WO2000067281A1 (en) * 1999-04-29 2000-11-09 Candescent Intellectual Property Services, Inc. Plasma etching
US6174449B1 (en) 1998-05-14 2001-01-16 Micron Technology, Inc. Magnetically patterned etch mask
US6180698B1 (en) 1997-02-28 2001-01-30 Candescent Technologies Corporation Polycarbonate-containing liquid chemical formulation and method for making polycarbonate film
US6500885B1 (en) 1997-02-28 2002-12-31 Candescent Technologies Corporation Polycarbonate-containing liquid chemical formulation and methods for making and using polycarbonate film

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998038239A1 (en) * 1997-02-28 1998-09-03 Candescent Technologies Corporation Polycarbonate-containing liquid chemical formulation and method for making polycarbonate film

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0351110A1 (en) * 1988-07-13 1990-01-17 THORN EMI plc Method of manifacturing a cold cathode, field emission device and a field emission device manufactured by the method
EP0416625A2 (en) * 1989-09-07 1991-03-13 Canon Kabushiki Kaisha Electron emitting device, method for producing the same, and display apparatus and electron scribing apparatus utilizing same.
WO1991005361A1 (en) * 1989-09-29 1991-04-18 Motorola, Inc. Field emission device having preformed emitters
EP0520780A1 (en) * 1991-06-27 1992-12-30 Raytheon Company Fabrication method for field emission arrays

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0351110A1 (en) * 1988-07-13 1990-01-17 THORN EMI plc Method of manifacturing a cold cathode, field emission device and a field emission device manufactured by the method
EP0416625A2 (en) * 1989-09-07 1991-03-13 Canon Kabushiki Kaisha Electron emitting device, method for producing the same, and display apparatus and electron scribing apparatus utilizing same.
WO1991005361A1 (en) * 1989-09-29 1991-04-18 Motorola, Inc. Field emission device having preformed emitters
EP0520780A1 (en) * 1991-06-27 1992-12-30 Raytheon Company Fabrication method for field emission arrays

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0700066A1 (en) * 1994-08-31 1996-03-06 AT&T Corp. Spaced-gate emission device and method for making same
EP0700065A1 (en) * 1994-08-31 1996-03-06 AT&T Corp. Field emission device and method for making same
US5681196A (en) * 1994-08-31 1997-10-28 Lucent Technologies Inc. Spaced-gate emission device and method for making same
US5698934A (en) * 1994-08-31 1997-12-16 Lucent Technologies Inc. Field emission device with randomly distributed gate apertures
WO1996024152A1 (en) * 1995-01-31 1996-08-08 Candescent Technologies Corporation Gated filament structures for a field emission display
WO1997027607A1 (en) * 1996-01-25 1997-07-31 Robert Bosch Gmbh Process for producing cold emission points
US5972235A (en) * 1997-02-28 1999-10-26 Candescent Technologies Corporation Plasma etching using polycarbonate mask and low pressure-high density plasma
US5914150A (en) * 1997-02-28 1999-06-22 Candescent Technologies Corporation Formation of polycarbonate film with apertures determined by etching charged-particle tracks
WO1998038837A1 (en) * 1997-02-28 1998-09-03 Candescent Technologies Corporation Plasma etching using polycarbonate etch mask
US6180698B1 (en) 1997-02-28 2001-01-30 Candescent Technologies Corporation Polycarbonate-containing liquid chemical formulation and method for making polycarbonate film
US6500885B1 (en) 1997-02-28 2002-12-31 Candescent Technologies Corporation Polycarbonate-containing liquid chemical formulation and methods for making and using polycarbonate film
US6582617B1 (en) * 1997-02-28 2003-06-24 Candescent Technologies Corporation Plasma etching using polycarbonate mask and low-pressure high density plasma
US6174449B1 (en) 1998-05-14 2001-01-16 Micron Technology, Inc. Magnetically patterned etch mask
DE19910156A1 (en) * 1999-02-26 2000-09-07 Hahn Meitner Inst Berlin Gmbh Electron emitter and method for its production
DE19910156C2 (en) * 1999-02-26 2002-07-18 Hahn Meitner Inst Berlin Gmbh Electron emitter and method for its production
WO2000067281A1 (en) * 1999-04-29 2000-11-09 Candescent Intellectual Property Services, Inc. Plasma etching

Also Published As

Publication number Publication date
FR2705830B1 (en) 1995-06-30
FR2705830A1 (en) 1994-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0001030B1 (en) Process for manufacturing a mask according to a given pattern on a support
WO1994028569A1 (en) Microtips diplay device and method of manufacture using heavy ion lithography
EP0112230B1 (en) Method and apparatus for obtaining particle beams the density of which is spatially modulated, application to etching and to ion implantation
FR2547111A1 (en) METHOD FOR CORRECTING LITHOGRAPHIC MASKS
EP0272178A1 (en) Spin-polarized electron source using a multiple microtip emission cathode, use in electron matter or electron particle interaction physics, plasma physics, electron microscopy
EP0634769B1 (en) Manufacturing method for micropoint electron sources
FR2751785A1 (en) METHOD AND DEVICE FOR FORMING PATTERNS IN A PHOTOSENSITIVE RESIN LAYER BY CONTINUOUS LASER INSOLATION, APPLICATION TO THE MANUFACTURE OF EMISSIVE MICROPOINT CATHODE ELECTRON SOURCES AND FLAT SCREENS
EP0707237B1 (en) Process for the fabrication of holes in photoresist layers, use for the fabrication of electron sources comprising emissive cathodes with microtips and flat display screens
FR2652423A1 (en) METHOD OF MICROLITHOGRAPHY FOR MAKING SUBMICROMETRIC SURFACE STRUCTURES ON A SUBSTRATE OF THE TYPE OF A SILICON PLATEBOARD, AND A DEVICE FOR IMPLEMENTING IT.
EP3152786B1 (en) Method for the random texturing of a semiconductor substrate
FR2737928A1 (en) DEVICE FOR INSOLATING MICROMETRIC AND / OR SUBMITROMETRIC AREAS IN A PHOTOSENSITIVE LAYER AND METHOD OF MAKING PATTERNS IN SUCH A LAYER
EP0697710B1 (en) Manufacturing method for a micropoint-electron source
FR2736203A1 (en) Horizontal field effect type electron emitting element for planar image display unit such as field emission display unit used in wall mounted type TV and HDTV
FR2779271A1 (en) METHOD FOR MANUFACTURING A MICROPOINT ELECTRON SOURCE WITH A SELF-ALIGNED FOCUSING GRID
EP0759631B1 (en) Process and apparatus for the fabrication of holes in a layer of photosensitive material, especially for the fabrication of electron sources
EP2883110A1 (en) Substrate for high-resolution electronic lithography and corresponding lithography method
EP0709741B1 (en) Photolithographic process for circular dense patterns
EP3358631B1 (en) Formation of raised patterns on the surface of a substrate
US20100237763A1 (en) Cold Cathode Electron Emission Source and Method for Manufacture of the Same
WO1999023680A1 (en) Method for making an electron source with microtips
Azhdast et al. Optimization Parameters for Laser-induced Forward Transfer of Al and Cu on Si-wafer Substrate.
EP2005465A1 (en) Method of producing multilayer structures having controlled properties
EP0918254A2 (en) Process for forming images in a layer of photosensitive resin, hologram for performing said process, and application of said process for fabricating microtip sources and screens
FR2779243A1 (en) METHOD FOR REALIZING SELF-ALIGNED OPENINGS ON A STRUCTURE BY PHOTOLITHOGRAPHY, PARTICULARLY FOR MICROPOINT FLAT SCREEN
US20070161133A1 (en) Method for implanting carbon nanotube

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): JP KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
122 Ep: pct application non-entry in european phase