WO1985004529A1 - Procede de realisation d'un miroir de laser a semiconducteur, par usinage ionique - Google Patents

Procede de realisation d'un miroir de laser a semiconducteur, par usinage ionique Download PDF

Info

Publication number
WO1985004529A1
WO1985004529A1 PCT/FR1985/000072 FR8500072W WO8504529A1 WO 1985004529 A1 WO1985004529 A1 WO 1985004529A1 FR 8500072 W FR8500072 W FR 8500072W WO 8504529 A1 WO8504529 A1 WO 8504529A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
mask
laser
layer
machining
plane
Prior art date
Application number
PCT/FR1985/000072
Other languages
English (en)
Inventor
Noureddine Bouadma
Original Assignee
Noureddine Bouadma
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Noureddine Bouadma filed Critical Noureddine Bouadma
Publication of WO1985004529A1 publication Critical patent/WO1985004529A1/fr

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers

Definitions

  • the present invention relates to a process for producing a semiconductor laser mirror, by ion machining.
  • a double heterostructure consists of a stack of thin layers of different semiconductor alloys, these layers being deposited on a monocrystalline substrate Lin, either by epitaxy in liquid or gas phase, or by molecular beam.
  • the active region where the light radiation and the electron-hole pairs are con ⁇ fined has the form of a ribbon, the width of which is around ten microns and the length between 100 and 300 ⁇ . This length is that which separates the two cleaved faces of the crystal, faces which form the mirrors of the resonant cavity of the La ⁇ ser.
  • the privileged field of semiconductor lasers is that of optical telecommunications.
  • the materials constituting the layers of the double heterostructure are taken from the family of ternary solid solutions of general formula a. AL As where x is between 0 and 1.
  • the layers are epitaxied on a GaAs substrate.
  • the materials constituting the layers are taken from the family of quaternary soli ⁇ solutions of general formula Ga 1 In ⁇ As P
  • RIE critical reactive chemical attack
  • the minimum distance obtained so far is prohibitive (about 140 ⁇ m).
  • the signal detected by the photodiode is then very weak (less than 5 ⁇ A / mW).
  • the object of the invention is to overcome the
  • the invention recommends the use of ionic machining for the production of one or more mirrors of the laser, and this under particular masking conditions.
  • Ion machining is a technique of engraving widely used in the realization of current electronic devices (integrated circuits). This is a dry etching using ions (argon for example) accelerated by an electric field in an ion gun, in particular of the KAUFMAN type. These accelerated ions fall on a target from where they drive out the atoms by a mechanism of transfer of momentum.
  • Ion machining has an essential characteristic which is the directivity of the ion beam used. This directivity makes it possible to precisely control the slope of the etched wall.
  • the interest of ionic machining to produce laser mirrors was described by the applicant during the conference entitled "Second European Conference on Integrated Optics” which was held in Florence (Italy) on the 17th and October 18, 1983 (Conference Publication No. 227, pages 24-26).
  • the present invention relates to the conditions for implementing this technique and aims to improve the quality of the mirrors obtained.
  • the improvement provided by the present invention relates mainly to the masking step occurring during the ion bombardment operation.
  • the use of the usual mask materials photosensitive resin, silicon dioxide, titanium
  • has proved unsatisfactory for deep ion machining of the order of 4-5 ⁇ m.
  • the faces obtained are rough and their mediocre pla ⁇ éity.
  • the applicant proposed using, as a mask, a layer of opaque crystalline material to the ion beam, said layer being delimited laterally by at least one face constituting the sidewall of the mask, cet ⁇ you face being a c ri sta l Lographic plan of the material used.
  • the side of the mask is perfectly defined and the ionic machining operation, which is carried out through this mask, leads to perfect etching:
  • the engraved face is smooth and flat.
  • the subject of the invention is therefore a method for machining a semiconductor laser mirror, in which a semiconductor structure is subjected to ion bombardment through a mask, the side of which determines the location of the mirror to be machined, this process being characterized by the fact that this mask is constituted by a crystalline layer the side of which is a crystalLographic plane.
  • the mask is obtained by epitaxy of a crystalline layer on the semi-conductive structure, then by chemical attack on this layer to form the cristalLograph ⁇ plane.
  • the mask consists of a thin strip with cleaved faces placed • and preferably bonded to the semiconductive structure.
  • the ion bombardment takes place in a direction inclined relative to the plane perpendicular to the semiconductor structure. It has been observed, in fact, by the applicant, that with a normal incidence, an etching plan was obtained Slightly inclined relative to the plane normal to the structure (angle of The order of 27 °). By increasing the angle of incidence of the beam compared to normal, the obliquity of the machined face decreases.
  • the inclination of the incident ion beam relative to the sample llon to be machined can be carried out in two different ways: either by directly tilting the rotating substrate holder on which the sample is placed, or by placing the sample furrow on a wedge at an angle “with the substrate holder that remains. Him, horizontal. A perfectly vertical face can be obtained for an angle of incidence close to 23 ° using the first technique and 12 ° using the second technique.
  • FIG. 1 illustrates a first variant of the method, using, as a mask, an epitaxial layer with a plane cr sta llog raphic obtained by chemical attack,
  • FIGS. 2a, 2b and 2c illustrate a variant in which the mask used consists of a thin strip with cleaved faces bonded to the structure to be engraved,
  • FIGS. 3a to 3f illustrate various stages of a method for producing a short-cavity laser obtained only by ionic machining
  • FIGS. 4a to 4g illustrate various stages of a method for producing a short-cavity laser obtained by combined use of ion machining and chemical attack
  • FIG. 5 illustrates a mask seen from above, making it possible to obtain a laser with a stripped face and a cleaved face.
  • FIG. 6 illustrates a laser and photodetector device integrated on the same substrate,
  • FIG. 7 shows a detail, seen in section, of the preceding device
  • FIG. 8 illustrates a longitudinal multimode laser with mirrors inclined relative to the ribbon
  • FIG. 9 illustrates a monofréquen ⁇ laser formed of two coupled cavities integrated on the same substrate.
  • the basic structure constituting the laser will not be described in detail since it is widely known. It suffices to recall that it is a double heterostructure generally comprising a first confinement layer, an active layer, a second confinement layer, a contact layer and a metalli ⁇ layer.
  • the semi-conductive layers undergo a proton bombardment intended to delimit an active ribbon.
  • FIG. 1 shows such a heterostructure 10 on which an epitaxial layer 12 has been deposited serving as a mask for an etching operation ymbo- Lized by the arrows 14.
  • the ear layer ⁇ taxed 12 has a flank 16 which is a crystal geographic plane for the crystal constituting the layer 12. This plane is obtained by chemical attack of the layer 12. This chemical attack is carried out in a conventional manner by protecting the layer epitaxial 12 by a mask, the edge of which defines the sidewall 16.
  • FIG. 2a illustrates another variant in which the mask is a thin strip 20, cleaved along two faces 21, 22 and bonded to a heterostructure 24.
  • the strip can be in GaAs for example and Cree sta l Log raph cleavage planes can correspond, for example, to crystal orientations (1T0) or (110).
  • FIG. 2b illustrates the step of optical machining with an ion beam 30 whose direction makes an angle ⁇ with the normal to the structure. This angle can be around twenty degrees.
  • ⁇ can be around twenty degrees.
  • FIG. 2c illustrates the mesa 32 obtained after elimination of the mask 20.
  • the face 34 constitutes the reflecting face forming a mirror. .
  • the manufacturing process which has just been described allows the production of structures which can only be very diffi cultly obtained by conventional cleavage processes. Three examples of these structures will be described, relating respectively to a short-cavity laser, a laser structure and photodetector or laser and optical guide integrated on the same substrate and an integrated Longitudi ⁇ nal multimode laser.
  • FIGS. 3a to 3f illustrate respectively: FIG.
  • the bar 46 forming the mask consists of a thin layer of Ga x A - * - j - x As with x greater than about 0.5 epitaxially grown on the substrate.
  • Tests carried out by the Applicant have made it possible to obtain lasers with a cleaved face and a machined face for which the threshold currents measured were typically 120 mA for ribbons of * • > 12 ⁇ m wide and lengths of 380 ⁇ m and 18 mA cavity for buried ribbons of 5.5 ⁇ m wide and cavity lengths of 60 ⁇ m. These threshold current values are equivalent to those obtained with lasers of the same , length and two
  • Such a laser can only be produced using a GaInAsP double heterostructure on InP because
  • InP has chemical attack properties different from those of other III-V materials. Indeed, there are chemical solutions such as pure hydrochloric acid (HC1) or the acid-clilorhy- d ⁇ ' that-acid mixture. orthophosphorique (HC1 -H-, P0,), for the-
  • the planes (1 ⁇ " ⁇ ) and (110) are perpendicular to the planes (001) of the substrate and have an almost zero attack speed.
  • GaInAsP on InP with a substrate 62 in InP, a first confinement layer 64 in n-type InP, an active layer 66 in GaInAsP, a second confinement layer 68 in p-type InP, and a contact layer 70 in GalnAs or GaInAsP type P.
  • HC1 or an HC1-H-P0 solution do not attack GaInAsP; it is this chemical attack which forms the Cree sta ILog raphic 81 plane, in the second confinement layer 68 in InP;
  • Figure 4e ionic machining of the active layer 66 in GaInAsP by a beam of argon ions 84 of 23 ° incidence; the Cree plan sta l Perfect raphi ⁇ log formed in the second layer of confinement in InP serves as a mask for this machining, as described with reference to FIG. 1; this ionic machining forms the two reflecting faces 86 and 88 of the laser;
  • Figure 4f selective chemical attack on the first confinement layer 64, in the same way as for the second confinement layer 68, then light chemical attack for 5 to 10 seconds of all the layers of the double heterostructure with a solution not selective formed of a bromine-methanoL mixture at 5 ° /
  • Figure 4g removal of the resin mask 80, making contacts 90, 91 and mounting.
  • the p side being arranged on the top.
  • the laser obtained has two reflective faces 86, 88 which are naked by ionic machining.
  • This structure poses the delicate problem of S on connection to an optical fiber. Indeed, as the edge of the laser (which is at the level of the active layer 86) does not coincide with the edge of the substrate 62, it is difficult to put an optical fiber of a few tens of microns in diameter in immediate contact with the laser. For this reason, it is possible to prefer a structure with only one side stripped by io ⁇ logical usfnage, the other side being cleaved.
  • the stages of realization are identical to those of the laser described above, except that instead of using a U-shaped mask, a shaped mask is used. of H. This mask is represented in top view in FIG. 5. It bears the reference 100. The active ribbon bears the reference 102.
  • the structure is cleaved in its middle, along a cleavage plane 104.
  • the method of the invention also makes it possible to produce structures more complex than those which have just been described. These are structures comprising not only a laser but also an optical guide or a photodetector (for example a photo ⁇ diode). This is included in a feedback loop used to adjust the laser supply current according to the detected power.
  • Such a device is shown in FIG. 6. It comprises a laser formed by a double heterostructure 110 deposited on a substrate 111, this heterostructure including in particular an active layer 112.
  • a another heterostructure 114 operates as a photodetector; it has an active layer 116 located in the plane of the layer 120 and which receives part 118 of the radiation emitted by the Laser.
  • the assembly also carries ohmic contacts 115, 117 and 119.
  • the groove separating the laser 110 and the photo ⁇ detector 114 is obtained in the case of a double InP heterostructure, by the method of the invention, that is to say by ionic machining through a mask. fla cri cri staL log raphique.
  • the mask has an opening corresponding to the groove to be engraved.
  • an ion beam 120 inclined with respect to the normal is used (to obtain, as explained above, a reflecting face 122 perpendicular to the plane of the layers of heterostucture 122) one obtains, on the side of the photodiode, etched face 123 which is substantially inclined relative to the normal plane.
  • this provision eliminates any risk of feedback due to reflection of the beam 118 on the face 123 with reinjection into the laser 110.
  • the production of the groove by ionic machining makes it possible to obtain a very small width of the order of 10 ⁇ m, which strengthens the coupling between the Laser 110 and the photodiode 114.
  • Figure 7 shows, in section, the previous elements during the ion machining operation.
  • the laser 110 the photodiode 114, the ion beam 120, the health prisons ⁇ 122 face perpendicular 'to the plane of the structure and the inclined face 123.
  • the mask 125 has flanks 126 and 127 which are, according to the essential characteristic of the invention, Cree Stal Lographic plans.
  • the index-guided ribbon lasers have made it possible to improve the performance of the lasers compared to the gain-guided structures (reduction in current of only 1, * improvement in power-current linearity, in stability modes and above all the possibility of operating on a single longitudinal mode).
  • a longitudinal longitudinal laser is not suitable as a light source for transmissions by mu It modes fibers.
  • Longitudinal multimode operation is preferable. Such an operation can be obtained in structures guided by the index, provided that the ribbon is inclined relative to the direction perpendicular to the plane of the cleaved faces.
  • This arrangement can be easily obtained by machining the two faces of the laser in two directions parallel to each other but making an ange of a few degrees relative to the direction of the ribbon. This is what is illustrated in FIG. 8 where we see a structure 130 of the buried ribbon type, bounded by faces 131, 132 inclined by an angle ⁇ relative to the plane perpendicular to the direction of the ribbon.
  • one of the two diodes operates in laser, the other in frequency modulator, which makes it possible to stabilize the mode of oscillation.
  • Such a device has made it possible to obtain very long longitudinal monomode specs, even at high modulation frequencies.
  • FIG. 9 shows a device of this type, obtained by a very simple production method which uses the technique of the invention described above.
  • a heterostructure 140 having an active ribbon * 142, and bounded by two cleaved faces 144 and 145.
  • a mask is placed having an opening of approximately 5 ⁇ m, this opening being perpendicular to the direction of the active strip.
  • the sides of this mask are rap Cree sta Llog planes.
  • an ionic machining is carried out which has the effect of digging a groove 146 delimited by two faces 148, 149.
  • On one side one obtains an emitting Laser 150 and On the other a device available modulator 152.
  • the two devices are integrated on the same support.
  • the machining process which has just been described with the aid of these different examples is essentially based on removal of material by ion bombardment.
  • the incident ions transfer significant amounts of movement to the atoms of the crystalline network and thus cause them to be uprooted. But these shocks also induce cris ⁇ tallins defects.
  • the degree of disturbance of the bombarded surface depends on the acceleration voltage of the ions: • the lower this voltage the less significant the faults created. But the speed of engraving decreases with tension. A compromise must therefore be found in order to obtain a satisfactory etching speed while limiting the disturbance of the machined surface.
  • Residual defects can be definitively eliminated by immersing the sample for a few seconds in a chemical solution composed of 1 volume of H-, S0., 8 volumes of H_0_ and 1 volume of H_0 at ⁇ - - "* + i. vs

Abstract

On soumet une structure semiconductrice (10) à un bombardement ionique (14) à travers un masque dont un flanc détermine l'emplacement du miroir. Ce masque est constitué par une couche cristalline (12) dont le flanc (16) est un plan cristallographique. Application à la réalisation de diverses structures lasers.

Description

PROCEDE DE REALISATION D'UN MIROIR DE LASER A SEMICONDUCTEUR, PAR USINAGE IONIQUE.
La présente invention a pour objet un procé¬ dé de réalisation d'un miroir de laser à semiconduc- teur, par usinage ionique.
Le domaine technique de l'invention est ce¬ lui des lasers à semiconducteurs dits à double hétéro- structure et à géométrie en ruban. Une double hétéro- structure est constituée d'un empilement de couches minces d'alliages semiconducteurs, différents, ces couches étant déposées sur un substrat monocri sta l Lin, soit par épitaxie en phase liquide ou gazeuse, soit par jet moléculaire.
Pour permettre le fonctionnement en continu à température ambiante, la région active où sont con¬ finés à la fois le rayonnement lumineux et les paires électron-trous, présente La forme d'un ruban dont La largeur es d'une dizaine de microns et la longueur comprise entre 100 et 300 μ . Cette longueur est celle qui sépare les deux faces clivées du cristal, faces qui forment les miroirs de la cavité résonante du La¬ ser.
Le domaine privilégié des lasers à semicon¬ ducteurs est celui des télécommunications optiques. Pour Les lasers émettant entre 0,8 et 0,9 μm, les ma¬ tériaux constituant les couches de la double hétéro- structure sont pris dans La famille des solutions so¬ lides ternaires de formule générale a. AL As où x est compris entre 0 et 1. Les couches sont épitaxiées sur un substrat en GaAs. Pour Les longueurs d'ondes supérieures à 1 μm, les matériaux constituant les couches sont pris dans La famille des solutions soli¬ des quaternaires de formule générale Ga1 In^As P
' "X X 1 —y y où y est compris entre 0 et 1. Les couches sont épi¬ taxiées sur un substrat en InP. Dans le but de réaliser une intégration mo¬ nolithique du laser et de fabriquer divers composants optiques et électroniques, des travaux ont été entre¬ pris pour tenter de réaliser la cavité résonnante du laser sans recours a la technique du clivage des faces du cristal. Différentes solutions ont été proposées, qui consistent soit à utiliser des réseaux de diffrac¬ tion de haute résolution (lasers à réaction distribuée dits DBF, ou à diffraction de Bragg distribuée, dit DBR), soit à usiner les faces réfléchissantes par at¬ taque chimique ou par plasma réactif.
Cet art antérieur concernant La réalisation de miroirs par un procédé autre que le clivage des faces du cristal, a fait L'objet de nombreuses publi¬ cations. On peut classer les diverses techniques con¬ nues en trois catégories :
- celle où les miroirs du laser sont obtenus par atta¬ que chimique humide ; c'est le cas des travaux pu¬ bliés par J.L. Merz et R.A. Logan dans "Journal of Applied Physics", vol. 7, page 3503, 1976, concei— nant les lasers en GaAs, et par K. Iga et B.I. Miller dans "IEEE Journal of Quantum Electro¬ nics", vol. QE-28, page 22, 1983 concernant Les la¬ sers en InP ;
- celle où les miroirs sont réalisés par attaque chi¬ mique sèche (RIE) ; c'est le cas des travaux publiés par L.A. Coldren et al dans "Applied Physics Let- ters", vol 37, page 681, 1980 et par 0. Ni ami dans "Electronics Letters", vol.19, page 213, 1983 ;
- ceLle, enfin, où Les miroirs sont réalisés par mi- crocLivage des faces, par creusement au moyen d'une attaque chimique sélective, d'un canal entre le substrat et la. double hétérostructure et par appli¬ cation d'une pression ultrasonique ou manuelle pro¬ voquant le clivage des différentes couches de la double hétérostructure, sans qu'il y ait clivage du substrat ; cette technique a été décrite notamment par H. Blauvelt et al dans "Applied Physics Let- ters", vol. 40, page 289, 1981.
Ces techniques antérieures présentent tou¬ tes des 'inconvénients.
La technique utilisant l'attaque chimique humide conduit généralement à La formation de plans qui n'ont pas l'orientation requise mais sont inclinés
10 par rapport à celle-ci de quelques degrés. Il en ré¬ sulte une augmentation sensible du courant de seuil (50 à 100%). Par ailleurs, Les résultats obtenus sont peut reproductibles et dépendent largement du masque uti lise.
15 L'attaque chimique réactive sècrie (RIE), qui agit à la fois par enlèvement chimique et par en¬ lèvement physique du matériau à graver, entaîne des effets de redéposition et de contamina ion rendant les surfaces gravées rugueuses et non planes. En outre, le
20 profil des parois gravées dépend de plusieurs paramè¬ tres (composition et pression du gaz réactif utilisé, épaisseur et caractéris iques du matériau de masqua¬ ge), ce qui donne au résultat obtenu un caractère a Léatoi re.
25 Quant à la technique utilisant le microcli¬ vage, elle pose le problème de l'intégration du Laser avec une photodiode de réaction située sur le même substrat. L'efficacité du couplage entre Le Laser et La photodiode dépend essentiellement de la distance
30 entre ces deux composants. Or, la distance minimale .obtenue jusqu'à présent est prohibitive (environ 140 μm). Le signal détecté par la photodiode est alors très faible (inférieur à 5μA/mW).
Le but de l'invention est de surmonter les
35 difficultés recontrées dans ces différentes techni-
B 8112. C RS ques. A cette fin. L'invention préconise l'utilisation de L'usinage ionique pour la réalisation d'un ou des miroirs du laser, et ceci dans des conditions de mas¬ quage particulières. L'usinage ionique est une technique de gra¬ vure utilisée Largement dans La réalisation des dispo¬ sitifs électroniques actuels (circuits intégrés). Il s'agit d'une gravure par voie sèche au moyen d'ions (d'argon par exemple) accélérés par un champ électri- que dans un canon à ions, notamment du type KAUFMAN. Ces ions accélérés tombent sur une cible d'où ils chassent les atomes par un mécanisme de transfert de quantité de mouvement.
L'usinage ionique présente une caractéris- tique essentielle qui est la directivité du faisceau d'ions utilisé. Cette directivité permet de commander avec précision la pente de La paroi gravée. L'intérêt de l'usinage ionique pour réaliser des miroirs de la¬ ser a été décrit par Le demandeur lors de la Conféren- ce intitulée "Second European Conférence on Integrated Optics" qui s'est tenue à Florence (Italie) les 17 et 18 Octobre 1983 (Conférence Publication n°227, pages 24-26).
La présente invention porte sur les condi- tions de mise en oeuvre de cette technique et a pour but d'améliorer La qualité des miroirs obtenus. Le perfectionnement apporté par La présente invention concerne principalement l'étape de masquage interve¬ nant lors de l'opération de bombardement ionique. L'ut lisation des matériaux habituels en matière de masque (résine photosensible, dioxyde de silciium, titane) s'est révélée peu satisfaisante pour un usinage ionique profond '(de L'ordre de 4-5 μm) . Dans tous les cas, les faces obtenues sont rugueuses et Leur plaπéité médiocre. Le demandeur a trouvé que l'origine de ces défauts tenait à La mauvaise défini¬ tion du masque utilisé. Pour résoudre ce problème, le demandeur propose alors d'utiliser, comme masque, une couche de matériau cristallin opaque au faisceau d'ions, cette couche étant délimitée latéralement par au moins' une face constituant le flanc du masque, cet¬ te face étant un plan c ri sta l Lographique du matériau utilisé. De cette manière, Le flanc du masque est par¬ faitement défini et l'opération d'usinage ionique, qui s'effectue à travers ce masque, conduit à une gravure parfaite : La face gravée est Lisse et plane.
De façon précise, l'invention a donc pour objet un procédé d'usinage de miroir de laser à semi¬ conducteurs, dans lequel on soumet une structure semi- conductrice à un bombardement ionique à travers un masque dont un flanc détermine l'emplacement du miroir à usiner, ce procédé étant caractérisé par le fait que ce masque est constitué par une couche cristalline dont le flanc est un plan cristalLographique.
Selon une première variante, Le masque est obtenu par épitaxie d'une couche cristalline sur la structure semi conductri ce, puis par attaque chimique de cette couche pour former le plan cristalLograph ¬ que.
Selon une seconde variante, le masque est constitué par une barrette mince à faces clivées posée • et de préférence collée sur la structure semiconduc- tri ce.
Selon une autre caractéristique de l'inven¬ tion, le bombardement ionique s'effectue selon une direction inclinée par rapport au plan perpend culaire à la structure semi conductri ce. IL a été observé, en effet, par le demandeur, qu'avec une incidence norma¬ le, on btenait un pLan de gravure Légèrement incliné par rapport au plan normal à la structure (angle de L'ordre de 27°). En augmentant L'angle d'incidence du faisceau par rapport à la normale, -l'obliquité de la face usinée diminue. L'inclinaison du faisceau d'ions incident par rapport à l'échant llon à usiner peut être effectuée de deux façons différentes : soit en inclinant directement Le porte-substrat tournant sur lequel est posé l'échantillon, soit en posant l'échan¬ tillon sur une cale faisant un angle « avec Le porte- substrat qui reste. Lui, horizontal. Une face parfai- tement verticale peut être obtenue pour un angle d'in¬ cidence voisin de 23° en utilisant La première techni¬ que et 12° en utilisant La deuxième technique.
De toutes façons, Les caractéristiques de L'invention apparaîtront mieux après La description qui suit, d'exemples de réalisation donnés à titre ex¬ plicatif et nullement Limitatif. Cette description se réfère à des dessins annexés sur Lesquels :
- La figure 1 illustre une première variante du procédé, utilisant, comme masque, une couche épi- taxiée à plan cr sta llog raphique obtenu par attaque chi ique,
- Les figures 2a, 2b et 2c illustrent une variante dans laquelle le masque utilisé est constitué par une mince barrette à faces clivées collée sur la structure à graver,
- Les figures 3a à 3f illustrent diverses étapes d'un procédé de réalisation d'un laser à cavité courte obtenu uniquement par usinage ionique,
- les figures 4a à 4g illustrent diverses étapes d'un procédé de réalisation d'un laser à cavité courte obtenu par emploi combiné d'un usinage ionique et d'une attaque chimique,
- la figure 5 illustre un masque en vue de dessus permettant d'obtenir un laser à une face déca- pée et une face clivée. - la figure 6 illustre un dispositif à laser et à photodétecteur intégrés sur un même substrat,
- la figure 7 montre un détail, vu en coupe, du dispositif précédent, - La figure 8 illustre un laser multimode longitudinal à miroirs inclinés par rapport au ruban,
- la figure 9 illustre un laser monofréquen¬ ce formé de deux cavités couplées intégrées sur un même substrat. Dans la description qui suit, La structure de base constituant Le laser ne sera pas décrite en détail car elle est largement connue. IL suffit de rappeler qu'il s'agit d'une double hétérostructure comprenant généralement une première couche de confi- nement, une couche active, une seconde couche de con¬ finement, une couche de contact et une couche métalli¬ que. Les couches semi conduct ri ces subissent un bombar- • dément protonique destiné à délimiter un ruban actif. La figure 1 montre une telle hétérostructure 10 sur laquelle a été déposée une couche épitaxiée 12 servant de masque pour une opération de gravure ymbo- Lisée par les flèches 14. Selon l'une des caractéris¬ tiques essentielles de l'invention, La couche épi¬ taxiée 12 présente un flanc 16 qui est un plan cris- tal lographique pour Le cristal constituant la couche 12. Ce plan est obtenu par attaque chimique de La couche 12. Cette attaque chimique s'effectue de maniè¬ re classique en protégeant la couche épitaxiée 12 par un masque dont Le bord définit Le flanc 16. La figure 2a illustre une autre variante dans Laquelle le masque est une mince barrette 20, clivée le long de deux faces 21, 22 et collée sur une hétérostructure 24. La barrette peut être en GaAs par exemple et Les plans cri sta l Log raph iques de clivage peuvent correspondre, par exemple, aux orientations cristallines (1T0) ou (110). S
La figure 2b illustre L'étape d'usinage io¬ nique avec un faisceau d'ions 30 dont la direction fait un angle α avec la normale à la structure. Cet angle peut être d'une vingtaine de degrés. On-obtient alors une marche 32 dont le flanc 34 est vertical et parfaitement Lisse et plan.
La figure 2c illustre la mésa 32 obtenue après élimination du masque 20. La face 34 constitue La face réfléchissante formant miroir. . Le procédé de fabrication qui vient d'être décrit permet la réalisation de structures qui ne peu¬ vent être que très diff c lement obtenues par Les pro¬ cédés de clivage classiques. Trois exemples de ces structures vont être décrits, concernant respective- ment un laser à cavité courte, une structure à laser et photodétecteur ou laser et guide optique intégrés sur un même substrat et un Laser multimode Longitudi¬ nal intégré.
Il est connu que certaines propriétés des lasers sont étroitement liées à * la longueur de la ca¬ vité. C'est le cas notamment du courant de seu l, du rendement quantique externe, de l'espacement entre mo¬ des longitudinaux, de la fréquence de modulation, etc.. En général, ces propriétés sont d'autant meil- Leures que la Longueur de la cavité est faible. D'où l'intérêt des Lasers courts. Cependant, en raison même de Leurs dimensions réduites, une difficulté surgit Lors du montage de ces lasers sur des dissipateurs thermiques et Lors de la réalisation des connexions électriques.
Le procédé de l'invention permet d'éviter ces difficultés comme on va le voir sur les deux exem¬ ples suivants, a - Laser court réalisé sans attaque chimique. Un tel Laser peut être réalisé à l'aide d'une double hétérostructure GaAlAs sur GaAs ou GalnAsP sur InP. Les différentes opérations- technologiques conduisant à un tel Laser sont décrites sur Les figu¬ res 3a à 3f qui illustrent respectivement : Figure 3a : la réalisation d'une structure en ruban 40 sur une double hétérostructure 42 et de con¬ tacts ohmiques sur les deux faces '43 et 44 ; Figure 3b : le masquage par une barrette 46 en GaAs à deux faces clivées 47 et 48 ; Figure 3c : L'usinage ionique par un faisceau d'ions d'argon 50 de 23° d'angle d'incidence ; l'échantillon étant directement posé sur le porte-substrat incliné et tournant, c'est au cours de cette étape que sont formées Les deux faces réfléchissantes 49 et 51 ; Figure 3d : le dépôt d'une couche de diélectrique 52 d'épaisseur T où λ est la longueur d'onde de fonctionnement du Laser ; Figure 3e : le retrait du. masque et le dépôt d'une couche métallique (d'or par exemple) 54 sur toute la surface ; Figure 3f : enfin, le clivage de la structure Le Long du plan 56 pour former deux lasers, et la prise des contacts 58 et 60. La cavité du laser possède une face clivée (selon l'art antérieur et une face usinée (selon l'in¬ vention) .
On observera que, du fait de La forme en escalier de la structure obtenue, le problème de prise de contact sur le laser ne se pose pas, vu la possibi¬ lité de prendre ce contact sur la partie du substrat couverte d'or.
Comme la vitesse d'attaque ionique de GaAs est plus faible que celle de GaAlAs, la barrette 46 formant Le masque est constituée d'une couche fine de GaxA--*-j -x As avec x supérieur à environ 0,5 épitaxiée sur Le substrat. Des essais effectués par Le demandeur ont permis d'obtenir des lasers à une face clivée et une face usinée pour lesquels les courants de seuil mesu¬ rés étaient typiquement de 120 mA pour des rubans de *•> 12 μm de large et des longueurs de cavité de 380 μm et de 18 mA pour des rubans -enterrés de 5,5 μm de large et des longueurs de cavité de 60 μm. Ces valeurs de courant de seuil sont équivalentes à celles qui sont obtenues avec des lasers de même, longueur et à deux
•0 faces clivées. b - Laser court réalisé par une combinaison usinage ionique-attaque chimique.
Un tel laser ne peut être réalisé qu'à l'ai¬ de d'une double hétérostructure GaInAsP sur InP car
" InP présente des propriétés d'attaque chimique diffé¬ rentes de celles des autres matériaux III-V. En effet, il existe des solutions chimiques telles que l'acide chlorhydrique pur (HC1) ou le mélange acide clilorhy- dπ'que-acide orthophosphorique (HC1 -H-,P0, ) , pour les-
20 quelles certains plans cri sta Llograph ques de InP pré¬ sentent des vitesses d'attaque très faibles par rap¬ port aux autres plans. Cette différence dans les vi¬ tesses d'attaque a pour conséquence de faire apparaî¬ tre les plans pour lesquels les vitesses sont les plus
25 faibles. Ces plans forment ainsi les profils des ésas obtenues.
Dans le cas de InP, les plans (1ï"θ) et (110) sont perpendiculaires aux plans (001) du substrat et présentent une vitesse d'attaque quasi-nulle. Après
30 attaque chimique dans une solution de HC1 pur, des mésas rectangulaires avec des bords droits peuvent alors être formées. Cependant, aucune autre solution n'a montré d'effets analogues sur GaAs ou sur GaInAsP.
Dans Le cas d'une double hétéros ructure, un
35 usinage ionique des couches en GaInAsP suivi d'une at- taque chimique des couches en InP par des solutions de HC1 ou de HC1-H,P0,, entraîne la formation de faces réfléchissantes planes. Lisses et verticales. Les dif¬ férentes opérations sont décrites sur les figures 4a à 4g :
Figure 4a -: définition d'une double hétérostructure
GaInAsP sur InP avec un substrat 62 en InP, une première couche de confinement 64 en InP de type n, une couche active 66 en GaInAsP, une seconde couche de confinement 68 en InP de type p, et une couche de contact 70 en GalnAs ou GaInAsP de type P. La structure se complète par des meta L Li sations 72 et 74 formant contacts oh iques après avoir réa- lise le ruban laser (par bombardement ou par enterrement) ; • Figure 4b : définition d'un masque 80 en résine ou en diélectrique (Al_0 ) en forme de "U", sur La surface de la double hétérostructure ; ce type de masque peut convenir pour cette éta¬ pe car la profondeur de L'attaque est faible (inférieure à 0,5 μm) ; Figuré 4c : attaque ionique de la couche métallique supérieure 74 et de la couche de contact 70 en GaInAsP, jusqu'à la deuxième couche de confinement 68 en InP ;
Figure 4d : attaque chimique de la deuxième couche de confinement 68 en InP, par une solution de
HC1 concentré ou une solution HC1-H-P0, ; ces solutions n'attaquent pas GaInAsP ; c'est cette attaque chimique qui forme le plan cri sta ILog raphique 81, dans la seconde couche de confinement 68 en InP ;
Figure 4e : usinage ionique de la couche active 66 en GaInAsP par un faisceau d'ions d'argon 84 d'incidence 23° ; le plan cri sta l Log raphi¬ que parfait formé dans la seconde couche de confinement en InP sert de masque pour cet usinage, comme décrit à propos de la figure 1 ; cet usinage ionique forme les deux faces réfléchissantes 86 et 88 du Laser ; Figure 4f : attaque chimique sélective de la première couche de confinement 64, de la même manière que pour la seconde couche de confinement 68, puis légère attaque chimique durant 5 à 10 secondes de toutes les couches de La dou- ble hétérostructure par une solution non sé¬ lective formée d'un mélange brome-méthanoL à 5°/
Figure 4g : retrait du masque en résine 80, prise de contacts 90, 91 et montage. Le côté p étant disposé sur Le dessus.
Dans cette variante du procédé, le laser ob¬ tenu présente deux faces réfléchissantes 86, 88 Obte¬ nues par usinage ionique.
Cette structure pose le problème délicat de Son raccordement à une fibre optique. En effet, comme le bord du laser (qui est au niveau de la couche acti¬ ve 86) ne coïncide pas avec le bord du substrat 62, il est difficile de mettre une fibre optique de quelques dizaines de microns de diamètre en contact immédiat avec le laser. Pour cette raison, on peut préférer une structure à seulement une face décapée par usfnage io¬ nique, l'autre face étant clivée. Les étapes de réali¬ sation sont identiques à celles du laser décrit plus haut, si ne c'est qu'au lieu d'utiliser un masque en forme de U, on utilise un masque en forme. de H. Ce masque est représenté en vue de dessus sur La figure 5. Il porte la référence 100. Le ruban actif porte la référence 102. Après que les opérations illustrées sur Les figures 4a à 4g ont été réalisées, la structure est clivée en son milieu, Le long d'un plan de clivage 104. La place de ce plan par rapport aux deux faces 104 et 105 obtenues par usinage ionique, détermine les longueurs respectives des cavités des deux Lasers.
Le procédé de L'invention permet aussi de réaliser des structures pLus complexes que celles qui viennent d'être décrites. Il s'agit de structures com¬ prenant non seulement un laser mais encore un guide optique ou un photodétecteur (par exemple une photo¬ diode). Celui-ci est inclus dans une boucle de contre- réaction servant à régler le courant d'alimentation du laser en fonction de la puissance détectée.
Un tel dispositif est représenté sur la fi¬ gure 6. Il comprend un laser formé d'une double hété¬ rostructure 110 déposée sur un substrat 111, cette hé- térostrue ture comprenant notamment une couche active 112. En regard de ce laser, une autre hétérostructure 114 fonctionne en photodétecteur ; elle possède une couche active 116 située dans le plan de la couche 120 et qui reçoit une partie 118 du rayonnement émis par le Laser. L'ensemble co porte encore des contacts oh- miques 115, 117 et 119.
Le sillon séparant le laser 110 et le photo¬ détecteur 114 est obtenu dans le cas d'une double hé¬ térostructure en InP, par Le procédé de l'invention, c'est-à-dire par usinage ionique à travers un masque à flanc cri staL log raphique. Le masque est percé d'une ouverture correspondant au sillon à graver. Comme on utilise un faisceau d'ions 120 incliné par rapport à la normale (pour obtenir, comme expliqué plus haut, une face réfléchissante 122 perpendiculaire au plan des couches de l ' hétérost ructure 122) on obtient, du côté de la photodiode, une face gravée 123 qui est sensiblement inclinée par rapport au plan normal. Loin d'être un défaut, cette disposition permet de suppri- mer tout risque de contre-réaction dû à une réflexion du faisceau 118 sur la face 123 avec réinjection dans le laser 110.
La réalisation du sillon par usinage ionique permet d'obtenir une largeur très faible de l'ordre de 10 μm, ce qui renforce le couplage entre Le Laser 110 et la photodiode 114.
La figure 7 montre, en coupe, les éléments précédents pendant L'opération d'usinage ionique. On retrouve, sur Le substrat 111, Le Laser 110, La photo- diode 114, le faisceau d'ions 120, la face réfléchis¬ sante 122 perpendiculaire' au plan de La structure et la face inclinée 123. Le masque 125 possède des flancs 126 et 127 qui sont, selon la caractéristique essen¬ tielle de l'invention, des plans cri stal Lographiques. Les lasers en ruban à guidage par L'indice, ont permis une amélioration des performances des la¬ sers par rapport aux structures à guidage par le gain (diminution de courant de seui l, * amélioration de la linéarité puissance-courant, de la stabilité des modes et surtout possibilité de fonctionner sur un seul mode longitudinal). Cependant, iL est connu qu'un Laser mo¬ nomode Longitudinal ne convient pas comme source de lumière pour les transmissions par fibres mu It modes. Un fonctionnement multimode longitudinal est préféra- ble. Un tel fonctionnement peut être obtenu dans des structures à guidage par l'indice, à condition d'in¬ cliner Le ruban par rapport à la direction perpendicu¬ laire au plan des faces clivées.
Cette disposition peut être facilement ob- tenue par usinage des deux faces du laser suivant deux directions parallèles entre elles mais faisant un an¬ gle de quelques degrés par rapport à la direction du ruban. C'est ce qui est illustré sur la figure 8 où l'on voit une structure 130 du type à ruban enterré, Limitée par des faces 131, 132 inclinées d'un angle θ par rapport au plan perpendiculaire à La direction du ruban.
Malgré les réserves formulées plus haut sur le fonctionnement en mode Longitudinal unique, ce type de régime reste d'une grande importance pour les sys¬ tèmes de communications à haut débit. Mais il faut alors stabiliser le spectre du Laser. Pour cela plu¬ sieurs solutions ont été proposées : lasers courts, lasers à réaction distribuée, lasers à réseau distri- bué, etc ...
Dans un article intitulé "High-speed direct si ngle-frequency modulation with Large tuning rate and frequency excursion in c leaved-coup led-cavi ty semi¬ conductor Lasers" publié dans la revue "Applied Phy- sics Letters" 42(8), 15 avril 1983, par W.T. TSANG et al, il est décrit un dispositif formé de deux diodes Lasers clivées et couplées optiquement par alignement de leurs rubans actifs. Les longueurs des deux. cavités sont sensiblement égales (200-400 μm) et la distance les séparant est inférieure à 5 μm.
Dans un tel dispositif, l'une des deux dio¬ des fonctionne en laser, l'autre en modulateur de fré¬ quence, ce qui permet de stabiliser le mode d'oscilla¬ tion. Un tel dispositif a permis d'obtenir des spec- très monomodes Longitudinaux stables, même à des fré¬ quences de modulation élevées.
Cependant, ces dispositifs posent Le pro¬ blème délicat de leur positionnement l'un par rapport à l'autre à une distance inférieure à 5 μm, ainsi que celui de l'alignement des deux cavités.
La figure 9 montre un dispositif de ce type, obtenu par un procédé de réalisation très simple qui fait appel à La technique de l'invention décrite plus haut. On part d'une hétérostructure 140 possédant un ruban actif* 142, et limitée par deux faces clivées 144 et 145. Sur cette structure on pose un masque ayant une ouverture d'environ 5 μm, cette, ouverture étant perpendiculaire à la direction du ruban actif. Les flancs de ce masque sont des plans cri sta Llog raphi - ques. A travers L'ouverture du masque, on effectue un usinage ionique qui a pour effet de creuser un sillon 146 délimité par deux faces 148, 149. D'un côté, on obtient un Laser émetteur 150 et de L'autre un dispo¬ sitif modulateur 152. Les deux disposi i fs se trouvent intégrés sur Le même support.
Le procédé d'usinage qui vient d'être décrit à l'aide de ces différents exemples, est essentielle¬ ment basé sur un enlèvement de matière par bombarde¬ ment ionique. Lors du choc élastique des ions avec Les atomes de la cible, les ions incidents transfèrent des quantités de mouvement importantes aux atomes du ré¬ seau cristallin et provoquent ainsi leur arrachage. Mais ces chocs induisent également des défauts cris¬ tallins. Le degré de perturbation de la surface bom- bardée dépend de la tension d'accélération des ions :• plus cette tension est faible moins les défauts créés sont importants. Mais La vitesse de gravure décroît avec la tension. Un compromis doit donc être trouvé pour obtenir une vitesse de gravure satisfaisante tout en limitant la perturbation de la surface usinée.
La photoluminescence des matériaux bombar¬ dés étant sensible aux défauts cristallins, une étude des variations de l'intensité de cette Luminescence permet de suivre L'évolution du nombre des défauts. Le demandeur a montré qu'une première gravure peut être réalisée avec une tension de 500 Volts et une densité
2 de courant d'ions de 0,5 mA/cm durant une heure, sui¬ vie immédiatement d'une seconde gravure à une tension de 300 Volts et une densité d'ions de 0,2 mA/cm du- rant quelques dizaines de minutes. Pour des tensions d'accélération inférieure à 300 Volts, la divergence du faisceau d'ions augmen¬ terait, ce qui altérerait la directivité de l'usinage. La première gravure à forte tension d'accé- lération et à forte pression d'argon, permet d'attein- dre une ' profondeur d'environ 5 μm, ce qui correspond généralement à L'épaisseur totale des couches d'une double hétérostructure classique. La deuxième gravu¬ re, à faible tension d'accélération et à faible pres- sion d'argon, permet de décaper la surface obtenue après la première attaque en créant une surface fai¬ blement perturbée.
On peut définitivement éliminer Les défauts résiduels par immersion de l'échantillon durant quel- ques secondes dans une solution chimique composée de 1 volume de H-,S0., 8 volumes de H_0_ et 1 volume de H_0 à <-- - «*+ i. c
0°C, dans le cas de GaAs ou dans un mélange de brome- méthanol à 5°/00 dans Le cas d'InP.

Claims

REVENDICATIONS
1. Procédé de réalisation d'un miroir de La¬ ser à semiconducteurs, dans lequel on soumet une structure semi conductri ce (10) à un bombardement ioni- que (14) à travers un masque dont un flanc détermine l'emplacement de ce- miroir, caractérisé par Le fait que ce masque est constitué par une couche cristalline (12) dont le flanc (16) est un plan cri sta l log raphi¬ que.
2. Procédé selon la revendication 1, carac¬ térisé par Le fait qu'on réalise le masque par épi¬ taxie d'une couche cristalline sur la structure semi- conductrice, puis par attaque chimique de cette couche le long d'un plan cri sta l lographique.
3. Procédé selon la revendication 1, carac¬ térisé par le fait qu'on réalise le masque en collant une barrette mince à faces, clivées sur la structure semîconductrice.
4. Procédé selon La revendication 1, carac- térisé par le fait que le bombardement ionique s'ef¬ fectue seLon une direction qui est inclinée par rap¬ port au plan perpendiculaire à la structure se icon- ductrice, cette inclinaison pouvant être obtenue soit en inclinant le porte-substrat tournant, soit en po- sant L'échantillon sur une cale d'angle α et en gai— dant le porte-substrat horizontal.
PCT/FR1985/000072 1984-04-03 1985-04-01 Procede de realisation d'un miroir de laser a semiconducteur, par usinage ionique WO1985004529A1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8405223A FR2562339B1 (fr) 1984-04-03 1984-04-03 Procede de realisation d'un miroir de laser a semi-conducteur, par usinage ionique
FR84/05223 1984-04-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1985004529A1 true WO1985004529A1 (fr) 1985-10-10

Family

ID=9302778

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/FR1985/000072 WO1985004529A1 (fr) 1984-04-03 1985-04-01 Procede de realisation d'un miroir de laser a semiconducteur, par usinage ionique

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4865684A (fr)
EP (1) EP0158565B1 (fr)
JP (1) JPS61501739A (fr)
DE (1) DE3563285D1 (fr)
FR (1) FR2562339B1 (fr)
WO (1) WO1985004529A1 (fr)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3738053A1 (de) * 1987-11-09 1989-05-18 Siemens Ag Laseranordnung mit mindestens einem laserresonator und einem damit verkoppelten passiven resonator
KR900009229B1 (ko) * 1988-04-28 1990-12-24 한국 과학기술원 선택적 에피택시법에 의한 표면 방출형 AlGaAs/GaAs 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
JP2991716B2 (ja) * 1988-08-16 1999-12-20 三菱化学株式会社 エッチトミラー型化合物半導体レーザー装置及び集積素子
US5259925A (en) * 1992-06-05 1993-11-09 Mcdonnell Douglas Corporation Method of cleaning a plurality of semiconductor devices
JPH0677181A (ja) * 1992-08-26 1994-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 化合物半導体の微細構造形成方法
KR0178492B1 (ko) * 1995-12-21 1999-04-15 양승택 기울어진 공진기로 편광특성이 제어된 표면방출 레이저 다이오드 제조방법
JPH09298339A (ja) * 1996-04-30 1997-11-18 Rohm Co Ltd 半導体レーザの製法
US6781099B2 (en) * 2001-03-12 2004-08-24 Karl-Heinz Krah Gmbh Electrofusion socket forming system

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0073548A1 (fr) * 1981-09-02 1983-03-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Laser à semiconducteur et son procédé de fabrication

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4248688A (en) * 1979-09-04 1981-02-03 International Business Machines Corporation Ion milling of thin metal films
US4354898A (en) * 1981-06-24 1982-10-19 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of preferentially etching optically flat mirror facets in InGaAsP/InP heterostructures
DE3138704A1 (de) * 1981-09-29 1983-04-21 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung von laserdioden-resonatorspiegeln
FR2525033B1 (fr) * 1982-04-08 1986-01-17 Bouadma Noureddine Laser a semi-conducteur a plusieurs longueurs d'onde independantes et son procede de realisation
US4397711A (en) * 1982-10-01 1983-08-09 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Crystallographic etching of III-V semiconductor materials
JPS59219974A (ja) * 1983-05-27 1984-12-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レ−ザの製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0073548A1 (fr) * 1981-09-02 1983-03-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Laser à semiconducteur et son procédé de fabrication

Also Published As

Publication number Publication date
FR2562339B1 (fr) 1986-06-20
EP0158565A1 (fr) 1985-10-16
FR2562339A1 (fr) 1985-10-04
EP0158565B1 (fr) 1988-06-08
JPS61501739A (ja) 1986-08-14
US4865684A (en) 1989-09-12
DE3563285D1 (en) 1988-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0829934B1 (fr) Procédé de fabrication d&#39;un composant optoélectronique à semiconducteur et composant ou matrice de composants fabriqués selon ce procédé
EP0159258B1 (fr) Procédé de fabrication d&#39;un dispositif optique intégré monolithique comprenant un laser à semiconducteur et dispositif obtenu par ce procédé
US6277696B1 (en) Surface emitting laser using two wafer bonded mirrors
EP0091859B1 (fr) Procédé de réalisation d&#39;un laser à semi-conducteur à plusieurs longueurs d&#39;onde indépendantes
EP0566494B1 (fr) Cavité laser à hétérostructure semi-conductrice dissymétrique à pompage électronique
EP0887668A1 (fr) Réflecteur de bragg en semi-conducteur et procédé de fabrication
FR2743945A1 (fr) Laser a semi-conducteur et procede de fabrication d&#39;un tel laser
FR2681191A1 (fr) Composant integre laser-modulateur a super-reseau tres couple.
EP0752743A1 (fr) Dispositif laser à structure enterrée pour circuit photonique intégré et procédé de fabrication
EP0158565B1 (fr) Procédé de réalisation d&#39;un miroir de laser à semi-conducteur, par usinage ionique
EP0817337B1 (fr) Procédé de fabrication d&#39;un laser à émission par la surface
EP0776075B1 (fr) Dispositif laser, notamment pour pompage optique
JPH1056234A (ja) 改善された半導体レーザおよびそれを製造する方法
FR2625036A1 (fr) Procede de realisation d&#39;un reseau de diffraction sur un materiau semi-conducteur, et dispositif opto-electronique comportant un reseau de diffraction realise selon ce procede
EP0501862B1 (fr) Procédé de réalisation d&#39;un laser à semiconducteur à ruban enterré, utilisant une gravure sèche pour former ce ruban et laser obtenu par ce procédé
EP0580495A1 (fr) Procédé pour former une structure à guide de lumière et miroir intégrés, et structure ainsi réalisée
EP0664588B1 (fr) Structure semiconductrice à réseau de diffraction virtuel
FR2731302A1 (fr) Laser a semi-conducteur et procede de fabrication de celui-ci
KR100634217B1 (ko) 전기 광학 반도체 장치 및 그 제조 방법
FR2502847A1 (fr) Dispositif emetteur de lumiere a semi-conducteurs comportant une structure de canalisation du courant
FR2675634A1 (fr) Dispositif optoelectronique a tres faible capacite parasite.
EP0096613B1 (fr) Dispositif semi-conducteur photoémetteur de type laser à guidage par gradient d&#39;indice, et procédé de réalisation d&#39;un tel dispositif
EP0480780A1 (fr) Dispositif optoélectronique et application à la réalisation d&#39;un laser et d&#39;un photodétecteur
EP1233494A1 (fr) Laser semi conducteur a ruban enterré et procédé de fabrication
FR2683392A1 (fr) Procede de realisation de composants optoelectroniques par epitaxie selective dans un sillon.

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Designated state(s): JP US