EP0062550A1 - Procédé de traitements thermochimiques de métaux par bombardement ionique - Google Patents

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EP0062550A1 EP82400407A EP82400407A EP0062550A1 EP 0062550 A1 EP0062550 A1 EP 0062550A1 EP 82400407 A EP82400407 A EP 82400407A EP 82400407 A EP82400407 A EP 82400407A EP 0062550 A1 EP0062550 A1 EP 0062550A1
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
    • C23C8/36—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases using ionised gases, e.g. ionitriding

Definitions

  • the present invention relates to a process for thermochemical treatments of metals such as nitriding, carbonitriding, carburizing, metallic deposits under vacuum, etc. by ion bombardment.
  • the treatment medium can be obtained by passing a stream of ammonia gas over the parts, which, when decomposed, releases active nitrogen atoms.
  • the treatment temperature which is of the order of 570 ° C. is then obtained by placing the parts in an electric oven.
  • the parts to be treated are placed in an enclosure containing a gas (NH 3 , molecular nitrogen, H 2 CH 4 ) at low pressure (0.1 to 10 torr).
  • a gas NH 3 , molecular nitrogen, H 2 CH 4
  • This enclosure is equipped with an anode and a cathode, connected to a high voltage electric current generator (between 300 and 1500 V).
  • the cathode is designed so as to support the parts to be treated which are therefore brought to the cathode.
  • the treatment is obtained by creating, between the cathode and the anode, a luminescent discharge which is maintained at the limit of the arc regime.
  • a plasma is created around the part to be treated, composed of nitrogen ions which in fact constitutes the treatment medium.
  • the treatment temperature is then obtained by the heat dissipation generated by the bombardment of the ions on the part (kinetic energy).
  • thermochemical treatment methods by ion bombardment compared to other conventional methods are well known.
  • Another solution envisaged for obtaining an operation free from the risk of arcing consists in using, instead of direct current, high-voltage current pulses, but the total energy of which is maintained at a predetermined value, of so that it is not possible to reach, in the voltage / current discharge curve, the zone corresponding to the arc speed.
  • the invention proposes to make the 2 parameters of the treatment completely independent, namely the production of the treatment medium, that is to say the plasma, and the heating to the treatment temperature of the parts. .
  • a cold plasma is obtained continuously, that is to say a plasma in which the heat energy dissipated during the dissociation remains at a very low level and cannot affect the temperature characteristics of the treatment in progress, in the case of a thermochemical treatment.
  • the heat treatment method involves an oven with a structure similar to that of a conventional heat or thermochemical treatment oven with a rarefied atmosphere equipped with its own heating and control means and comprising furthermore at least one anode and one cathode supporting the parts to be treated. It consists in generating on the workpieces a cold plasma as defined above by establishing between the anode and the cathode a succession of voltage pulses at relatively high frequency and duration very brief and to heat the parts using the above heating means, so as to bring them then to maintain them at the processing temperature.
  • This method also makes it possible to remove the temperature heterogeneities as a function of the parameters linked to the parts such as the shape, the state, the hollow cathode phenomena during the rise in temperature, the dimensions of different parts, etc.
  • the invention also relates to an installation for thermochemical treatment by ion bombardment applying the method according to the invention.
  • this installation involves an oven having a structure similar to that of a conventional heat or thermochemical treatment oven with a rarefied atmosphere, this oven comprising its own heating means, by convection, by radiation, coherent or not, or by induction, its own regulation means, a generator of process gas and current passages passing through the wall of the furnace and connected to the electrodes (anodes-cathodes) used for the generation of the plasma.
  • the supply of these electrodes can be provided from the three-phase or single-phase industrial reed by means of a generator comprising a controlled rectifier making it possible to obtain a variable DC voltage between 0 and the mains voltage, an inverter making it possible to transform this direct voltage in particular alternating voltage with variable amplitude and duty cycle, then rectified to obtain monopolar pulses at high voltage of the order of 300 to 1500 V and at high frequency of the order of 100 Hz to 10 K Hertz which supply the oven.
  • a generator comprising a controlled rectifier making it possible to obtain a variable DC voltage between 0 and the mains voltage, an inverter making it possible to transform this direct voltage in particular alternating voltage with variable amplitude and duty cycle, then rectified to obtain monopolar pulses at high voltage of the order of 300 to 1500 V and at high frequency of the order of 100 Hz to 10 K Hertz which supply the oven.
  • the two types of heating can be used independently, alternately or even simultaneously during the treatment (heating means specific to the oven and operation in hot plasma mode).

Abstract

Le procédé de traitement thermochimique de métaux selon l'invention fait intervenir un four de structure analogue à celle d'un four classique de traitement thermique ou thermochimique à atmosphère raréfiée, équipé de ses propres moyens de chauffage et de contrôle et, éventuellement, de refroidissement et comprenant en outre au moins une anode et une cathode supportant les pièces à traiter. Il consiste à générer sur les pièces à traiter un plasma froid en établissant entre l'anode et la cathode une succession d'impulsions de courant de fréquence relativement élevée et de durée très brève par rapport à la période. Le chauffage est obtenu par lesdits moyens de chauffage. L'invention permet d'obtenir une bonne homogénéité de température.

Description

  • La présente invention concerne un procédé de traitements thermochimiques de métaux tels que la nitruration, la carbonitruration, la cémentation, les dépôts métalliques sous vide, etc... par bombardement ionique.
  • D'une manière générale, on sait que ces traitements font intervenir deux facteurs principaux, à savoir le milieu de traitement et la température de traitement.
  • Ainsi, par exemple, dans le cas d'un traitement classique de nitruration, le milieu de traitement peut être obtenu en faisant passer sur les pièces un courant de gaz ammoniac, qui, en se décomposant, libère des atomes d'azote actifs. La température de traitement qui est de l'ordre de 570°C est alors obtenue en disposant les pièces dans un four électrique.
  • Dans le cas d'un traitement de nitruration par bombardement ionique, les pièces à traiter sont disposées dans une enceinte contenant un gaz (NH3, azote moléculaire, H2 CH4) à basse pression (0,1 à 10 torrs). Cette enceinte est équipée d'une anode et d'une cathode, reliées à un générateur de courant électrique à haute tension (entre 300 et 1500 V). La cathode est conçue de manière à supporter les pièces à traiter qui se trouvent, par conséquent, portées au cathodique.
  • Le traitement s'obtient en créant, entre la cathode et l'anode, une décharge luminescente que l'on entretient à la limite du régime d'arc.
  • Au cours de ce traitement, il se crée, autour de la pièce à traiter, un plasma composé d'ions azote qui constitue en fait le milieu de traitement.
  • La température de traitement est alors obtenue par la dissipation calorifique engendrée par le bombardement des ions sur la pièce (énergie cinétique).
  • Les avantages des procédés de traitement thermochimique par bombardement ionique par rapport aux autres procédés classiques sont bien connus.
  • Par contre, cette technique se heurte à de nombreuses difficultés parmi lesquelles on mentionnera :
    • L'imposibilité d'obtenir une bonne homogénéité de la température des pièces à traiter du fait que l'on utilise le plasma comme moyen de chauffage
      • - la difficulté de réaliser des systèmes de rupture d'arc dans le cas de générateurs de haute puissance ;
      • - la difficulté de contrôler la température des pièces en raison du fait que c'est le plasma lui-même qui effectue le chauffage des pièces ;
      • - la nécessité de ne nitrurer simultanément que des pièces de géométrie très voisines, la température n'étant pas homogène dans le cas de pièces de formes différentes.
  • Pour supprimer tous ces inconvénients, de nombreuses solutions ont été étudiées.
  • Ainsi, pour tenter de résoudre ces problèmes, on a proposé d'inclure dans l'enceinte du four un dispositif de chauffage destiné à préchauffer la pièce ou pour fournir un apport calorifique au cours du traitement. Toutefois, une telle solution ne permet pas, dans le cas d'une alimentation classique des électrodes du four, le contrôle efficace de la température des pièces, et une bonne homogénéité de leur température.
  • Une autre solution envisagée pour obtenir un fonctionnement exempt du risque de formation d'arcs consiste à utiliser, au lieu d'un courant continu, des impulsions de courant à haute tension, mais dont l'énergie totale est maintenue à une valeur prédéterminée, de manière à ce qu'il ne soit pas possible d'atteindre, dans la courbe de décharge tension/intensité, la zone correspondant au régime d'arc.
  • Selon cette technique, pour parvenir à élever la température des pièces jusqu'à la température de traitement ou même pour assurer le maintien de cette température dans le cas où les pièces ont été préchauffées, il est nécessaire de prévoir des impulsions relativement larges par rapport à la période.
  • Il a'avère toutefois que cette solution ne permet pas elle non plus d'obtenir une bonne homogénéité de température des pièces.
  • Dans le but de supprimer tous ces inconvénients l'invention propose de rendre totalement indépendant les 2 paramètres du traitement à savoir la réalisation du milieu de traitement, c'est-à-dire du plasma, et le chauffage à la température de traitement des pièces.
  • A cet effet, elle utilise les propriétés relatives au temps de génération du plasma et à sa durée de vie (rémanence). On sait qu'un plasma généré par une impulsion de courant à haute tension se maintient pendant un temps relativement long (quelques centaines de microsecondes à quelques millisecondes) par rapport au temps de génération de ce plasma (quelques microsecondes).
  • En conséquence, en créant une succession d'impulsions à fréquence élevée (la période de ces impulsions pouvant avoisiner la durée de vie du plasma, c'est-à-dire de 100 microsecondes à 10 millisecondes), et de durée très brève, entre 1 à 100 microsecondes (supérieure au temps de création du plasma, on obtient de façon continue un plasma froid, c'est-à-dire un plasma dans lequel l'énergie calorifique dissipée au cours de la dissociation demeure à un niveau très bas et ne peut pas affecter les caractéristiques de température du traitement en cours, dans le cas d'un traitement thermochimique.
  • D'une façon plus précise, le procédé de traitement thermique selon l'invention fait intervenir un four de structure analogue à celle d'un four classique de traitement thermique ou thermochimique à atmosphère raréfiée équipé de ses propres moyens de chauffage et de contrôle et comprenant en outre au moins une anode et une cathode supportant les pièces à traiter. Il consiste à générer sur les pièces à traiter un plasma froid tel que précédemment défini en établissant entre l'anode et la cathode une succession d'impulsions de tension à fréquence relativement élevée et de durée très brève et, à chauffer les pièces à l'aide des susdits moyens de chauffage, de manière à les porter puis à les maintenir à la température de traitement.
  • Ce procédé présente de multiple avantages :
    • - Du fait que le chauffage des pièces est indépendant de la génération du plasma, il est possible d'utiliser des générateurs d'impulsion de puissance très faible par rapport à celle qui serait autrement nécessaire.
    • - La température de traitement peut être facilement contrôlée et de façon précise, en utilisant les équipements éprouvés des fours de traitement thermique ou thermochimiques classiques.
    • - Le contrôle des autres paramètres de traitement est facilité du fait que l'on peut jouer simultanément sur le rapport cyclique, l'amplitude et la fréquence des impulsions ; et
    • - Le risque de détérioration des pièces par formation d'arc est totalement supprimé du fait que le plasma est généré par des impulsions de courte durée.
  • Ce procédé permet en outre de supprimer les hétérogénéités de température en fonction des paramètres liés aux pièces tels que la forme, l'état, les phénomènes de cathode creuse pendant la montée en température, les dimensions de pièces différentes, etc...
  • L'invention concerne également une installation pour le traitement thermochimique par bombardement ionique appliquant le procédé selon l'invention.
  • Comme précédemment mentionné, cette installation fait intervenir un four présentant une structure analogue à celle d'un four classique de traitement thermique ou thermochimique à atmosphère raréfiée, ce four comprenant ses propres moyens de chauffage, par convexion,par rayonnement, cohérent ou non,ou par induction, ses propres moyens de régulation, un générateur de gaz de traitement et des passages de courant traversant la paroi du four et connectés aux électrodes (anodes- cathodes) servant à la génération du plasma.
  • L'alimentation de ces électrodes peut-8tre assurée à partir du roseau triphasé ou monophasé industriel au moyen d'un générateur comprenant un redresseur contrôlé permettant d'obtenir une tension continue variable entre O et la tension du secteur, un onduleur permettant de transformer cette tension continue en tension alternative particulière à amplitude et à rapport cyclique variables, puis redressée pour obtenir des impulsions monopolaires à haute tension de l'ordre de 300 à 1500 V et à fréquence élevée de l'ordre de 100 Hz à 10 K Hertz qui alimentent le four.
  • On notera que l'adoption d'un générateur de plasma de grande puissance et basé sur un même principe permet d'obtenir un fonctionnement mixte, plasma chaud, plasma froid.
  • De même, dans ce cas, on peut utiliser indépendamment, alternativement ou même simultanément au cours du traitement, les deux types de chauffage (moyens de chauffage propres au four et fonctionnement en mode plasma chaud).

Claims (8)

1.- Procédé de traitements thermochimiques de métaux par bombardement ionique faisant intervenir un four de structure analogue à celle d'un four classique de traitement thermique ou thermochimique à atmosphère raréfiée, équipé de ses propres moyens de chauffage et de contrôle et, éventuellement, de refroidissement et comprenant en outre au moins une anode et une cathode supportant les pièces à traiter, caractérisé en ce qu'il consiste à générer sur les pièces à traiter un plasma froid en établissant entre l'anode et la cathode une succession d'impulsions de courant de fréquence relativement élevée (période inférieure à la durée de vie du plasma) et de durée très brève par rapport à la période, (durée supérieure à la durée de génération du plasma) et à chauffer les pièces à l'aide des susdits moyens de chauffage, de manière à les porter puis à les maintenir à la température de traitement.
2.- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'amplitude, la fréquence et la durée des impulsions sont variables.
3.- Procédé selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'il utilise un générateur d'impulsions permettant, en jouant sur l'amplitude, la fréquence et/ou la durée des impulsions, d'obtenir un fonctionnement mixte, plasma froid, plasma chaud.
4.- Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'on utilise indépendamment, alternativement, ou même simultanément, au cours du traitement, le chauffage obtenu par les susdits moyens de chauffage et le chauffage obtenu par le fonctionnement en mode plasma chaud.
5.- Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la fréquence des susdites impulsions est comprise entre 100 Hz et 10 K Hertz.
6.- Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'en fonctionnement en mode plasma froid, la durée des impulsions peut varier entre 1 à 100 microsecondes, et en ce que la période des impulsions varie de 100 microsecondes à 10 millisecondes.
7.- Installation pour le traitement thermochimique par bombardement ionique conformément au procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce qu'elle comprend un four présentant une structure analogue à celle d'un four classique de traitement thermique ou thermochimique à atmosphère raréfiée, ce four comportant ses propres moyens de chauffage par convexion ou par rayonnement, ses propres moyens de régulation, un générateur de gaz de traitement et des passages de courant traversant la paroi du four et prévus pour relier les électrodes servant à la génération du plasma à un générateur délivrant des impulsions à haute tension, à une fréquence réglable de 100 Hz à 10 K Hertz et à largeur d'impulsions réglable de 1 à 100 microsecondes.
8.- Installation selon la revendication 7, caractérisée en ce que le susdit générateur fonctionne à partir du réseau triphasé ou monophasé industriel et comprend un redresseur contrôlé permettant d'obtenir une tension continue variable entre O et la tension du secteur, un onduleur permettant de transformer cette tension continue en une tension alternative à amplitude et rapport cyclique variables puis redressée pour obtenir des impulsions monopolaires à une tension de l'ordre de 300 à 1500 Volts et une fréquence de l'ordre de 100 Hz à 10 K Hz.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3322341A1 (de) * 1983-06-22 1985-01-03 Siegfried Dr.-Ing. 5135 Selfkant Strämke Verfahren und vorrichtung zur oberflaechenbehandlung von werkstuecken durch glimmentladung
WO1987001738A1 (fr) * 1985-09-24 1987-03-26 Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs Procede et dispositif de traitement chimique, notamment de traitement thermochimique et de depot chimique dans un plasma homogene de grand volume
FR2600082A1 (fr) * 1986-06-13 1987-12-18 Balzers Hochvakuum Procede thermochimique de traitement de surface dans un plasma de gaz reactif, et pieces traitees par ce procede
DE3700633C1 (de) * 1987-01-12 1988-05-26 Reinar Dr Gruen Verfahren und Vorrichtung zum schonenden Beschichten elektrisch leitender Gegenstaends mittels Plasma
EP0269251A1 (fr) * 1986-10-29 1988-06-01 The Electricity Council Procédé et appareil de traitement thermochimique
EP0552460A1 (fr) * 1992-01-20 1993-07-28 Leybold Durferrit GmbH Procédé de traitement thermochimique de pièces par des impulsions à plasma
FR2689976A1 (fr) * 1992-04-14 1993-10-15 Innovatique Sa Procédé et dispositif pour la détermination et le contrôle de la composition du mélange gazeux réactif utilisé au cours d'un traitement thermochimique sous atmosphère raréfiée.
US5346560A (en) * 1991-07-16 1994-09-13 Centre Stephanois De Recherches Mecaniques Hydromecanique Et Frottement Process for the treatment of ferrous metal parts to improve their corrosion resistance and friction properties simultaneously
US5833918A (en) * 1993-08-27 1998-11-10 Hughes Electronics Corporation Heat treatment by plasma electron heating and solid/gas jet cooling
US5948224A (en) * 1992-03-24 1999-09-07 Balzers Aktiengsellschaft Method of controlling a treatment process and vacuum treatment apparatus
US6504690B2 (en) 1998-04-30 2003-01-07 Hitachi, Ltd. Spin-tunnel magneto-resistance type magnetic sensor

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4700315A (en) * 1983-08-29 1987-10-13 Wellman Thermal Systems Corporation Method and apparatus for controlling the glow discharge process
US4568396A (en) * 1984-10-03 1986-02-04 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Wear improvement in titanium alloys by ion implantation
US4693760A (en) * 1986-05-12 1987-09-15 Spire Corporation Ion implanation of titanium workpieces without surface discoloration
JPS6333553A (ja) * 1986-07-24 1988-02-13 Masanobu Nunogaki プラズマ源窒化法
US4764394A (en) * 1987-01-20 1988-08-16 Wisconsin Alumni Research Foundation Method and apparatus for plasma source ion implantation
US4777109A (en) * 1987-05-11 1988-10-11 Robert Gumbinner RF plasma treated photosensitive lithographic printing plates
US5127967A (en) * 1987-09-04 1992-07-07 Surface Combustion, Inc. Ion carburizing
US4853046A (en) * 1987-09-04 1989-08-01 Surface Combustion, Inc. Ion carburizing
US4872922A (en) * 1988-03-11 1989-10-10 Spire Corporation Method and apparatus for the ion implantation of spherical surfaces
US5025365A (en) * 1988-11-14 1991-06-18 Unisys Corporation Hardware implemented cache coherency protocol with duplicated distributed directories for high-performance multiprocessors
US5079032A (en) * 1989-07-21 1992-01-07 Spire Corporation Ion implantation of spherical surfaces
US4968006A (en) * 1989-07-21 1990-11-06 Spire Corporation Ion implantation of spherical surfaces
US5152795A (en) * 1990-04-25 1992-10-06 Spire Corporation Surgical implants and method
US5123924A (en) * 1990-04-25 1992-06-23 Spire Corporation Surgical implants and method
US5226975A (en) * 1991-03-20 1993-07-13 Cummins Engine Company, Inc. Plasma nitride chromium plated coating method
FR2681472B1 (fr) 1991-09-18 1993-10-29 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur.
DE4427902C1 (de) * 1994-08-06 1995-03-30 Leybold Durferrit Gmbh Verfahren zum Aufkohlen von Bauteilen aus kohlungsfähigen Werkstoffen mittels einer impulsförmig betriebenen Plasmaentladung
FR2748851B1 (fr) * 1996-05-15 1998-08-07 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une couche mince de materiau semiconducteur
US20070122997A1 (en) 1998-02-19 2007-05-31 Silicon Genesis Corporation Controlled process and resulting device
US6291313B1 (en) 1997-05-12 2001-09-18 Silicon Genesis Corporation Method and device for controlled cleaving process
US5985742A (en) * 1997-05-12 1999-11-16 Silicon Genesis Corporation Controlled cleavage process and device for patterned films
US6033974A (en) 1997-05-12 2000-03-07 Silicon Genesis Corporation Method for controlled cleaving process
US6027988A (en) * 1997-05-28 2000-02-22 The Regents Of The University Of California Method of separating films from bulk substrates by plasma immersion ion implantation
US6548382B1 (en) 1997-07-18 2003-04-15 Silicon Genesis Corporation Gettering technique for wafers made using a controlled cleaving process
FR2773261B1 (fr) 1997-12-30 2000-01-28 Commissariat Energie Atomique Procede pour le transfert d'un film mince comportant une etape de creation d'inclusions
US6291326B1 (en) 1998-06-23 2001-09-18 Silicon Genesis Corporation Pre-semiconductor process implant and post-process film separation
EP1212787B1 (fr) 1999-08-10 2014-10-08 Silicon Genesis Corporation Procede de clivage permettant de fabriquer des substrats multicouche a l'aide de faibles doses d'implantation
US6500732B1 (en) 1999-08-10 2002-12-31 Silicon Genesis Corporation Cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses
US6263941B1 (en) 1999-08-10 2001-07-24 Silicon Genesis Corporation Nozzle for cleaving substrates
US6221740B1 (en) 1999-08-10 2001-04-24 Silicon Genesis Corporation Substrate cleaving tool and method
FR2823599B1 (fr) 2001-04-13 2004-12-17 Commissariat Energie Atomique Substrat demomtable a tenue mecanique controlee et procede de realisation
US8187377B2 (en) 2002-10-04 2012-05-29 Silicon Genesis Corporation Non-contact etch annealing of strained layers
FR2848336B1 (fr) 2002-12-09 2005-10-28 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une structure contrainte destinee a etre dissociee
JP4257157B2 (ja) * 2003-06-13 2009-04-22 本田技研工業株式会社 窒化処理方法及び装置
FR2856844B1 (fr) 2003-06-24 2006-02-17 Commissariat Energie Atomique Circuit integre sur puce de hautes performances
FR2857953B1 (fr) 2003-07-21 2006-01-13 Commissariat Energie Atomique Structure empilee, et procede pour la fabriquer
FR2861497B1 (fr) 2003-10-28 2006-02-10 Soitec Silicon On Insulator Procede de transfert catastrophique d'une couche fine apres co-implantation
FR2889887B1 (fr) 2005-08-16 2007-11-09 Commissariat Energie Atomique Procede de report d'une couche mince sur un support
US8993410B2 (en) 2006-09-08 2015-03-31 Silicon Genesis Corporation Substrate cleaving under controlled stress conditions
US9362439B2 (en) 2008-05-07 2016-06-07 Silicon Genesis Corporation Layer transfer of films utilizing controlled shear region
US8293619B2 (en) 2008-08-28 2012-10-23 Silicon Genesis Corporation Layer transfer of films utilizing controlled propagation
US7811900B2 (en) 2006-09-08 2010-10-12 Silicon Genesis Corporation Method and structure for fabricating solar cells using a thick layer transfer process
FR2910179B1 (fr) 2006-12-19 2009-03-13 Commissariat Energie Atomique PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES DE GaN PAR IMPLANTATION ET RECYCLAGE D'UN SUBSTRAT DE DEPART
FR2925221B1 (fr) 2007-12-17 2010-02-19 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert d'une couche mince
US8330126B2 (en) 2008-08-25 2012-12-11 Silicon Genesis Corporation Race track configuration and method for wafering silicon solar substrates
US8329557B2 (en) 2009-05-13 2012-12-11 Silicon Genesis Corporation Techniques for forming thin films by implantation with reduced channeling
US20100294751A1 (en) * 2009-05-22 2010-11-25 Innovative Engineering & Product Development, Inc. Variable frequency heating controller
FR2947098A1 (fr) 2009-06-18 2010-12-24 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert d'une couche mince sur un substrat cible ayant un coefficient de dilatation thermique different de celui de la couche mince
BR102014026134B1 (pt) * 2014-10-20 2022-09-27 Universidade Federal De Santa Catarina Processo e reator de plasma para tratamento termoquímico de superfície de peças metálicas

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1053916A (fr) * 1950-08-03 1954-02-05 Berghaus Elektrophysik Anst Procédé pour la commande de décharges dans des gaz servant à effectuer des opérations industrielles et dispositif pour l'application de ce procédé
US3108900A (en) * 1959-04-13 1963-10-29 Cornelius A Papp Apparatus and process for producing coatings on metals
FR2003632A1 (fr) * 1968-03-11 1969-11-14 Lucas Industries Ltd
FR2332337A1 (fr) * 1975-11-21 1977-06-17 Vide & Traitement Sa Four de traitement thermique ou thermochimique par bombardement ionique
FR2332336A1 (fr) * 1975-11-21 1977-06-17 Vide & Traitement Sa Procede et four pour la realisation de traitements de metaux par bombardement ionique
FR2379615A1 (fr) * 1977-02-08 1978-09-01 Vide & Traitement Sa Procede de traitement thermochimique de metaux

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3228809A (en) * 1953-12-09 1966-01-11 Berghaus Elektrophysik Anst Method of regulating an electric glow discharge and discharge vessel therefor
US3190772A (en) * 1960-02-10 1965-06-22 Berghaus Bernhard Method of hardening work in an electric glow discharge
FR2324755A1 (fr) * 1975-09-19 1977-04-15 Anvar Dispositif de pulverisation cathodique de grande vitesse de depot
CH611938A5 (fr) * 1976-05-19 1979-06-29 Battelle Memorial Institute
JPS5429845A (en) * 1977-08-10 1979-03-06 Kawasaki Heavy Ind Ltd Ion nitriding treatment method
US4331856A (en) * 1978-10-06 1982-05-25 Wellman Thermal Systems Corporation Control system and method of controlling ion nitriding apparatus
US4253907A (en) * 1979-03-28 1981-03-03 Western Electric Company, Inc. Anisotropic plasma etching
JPS5813625B2 (ja) * 1979-12-12 1983-03-15 超エル・エス・アイ技術研究組合 ガスプラズマ食刻法
US4297387A (en) * 1980-06-04 1981-10-27 Battelle Development Corporation Cubic boron nitride preparation
US4342631A (en) * 1980-06-16 1982-08-03 Illinois Tool Works Inc. Gasless ion plating process and apparatus

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1053916A (fr) * 1950-08-03 1954-02-05 Berghaus Elektrophysik Anst Procédé pour la commande de décharges dans des gaz servant à effectuer des opérations industrielles et dispositif pour l'application de ce procédé
US3108900A (en) * 1959-04-13 1963-10-29 Cornelius A Papp Apparatus and process for producing coatings on metals
FR2003632A1 (fr) * 1968-03-11 1969-11-14 Lucas Industries Ltd
FR2332337A1 (fr) * 1975-11-21 1977-06-17 Vide & Traitement Sa Four de traitement thermique ou thermochimique par bombardement ionique
FR2332336A1 (fr) * 1975-11-21 1977-06-17 Vide & Traitement Sa Procede et four pour la realisation de traitements de metaux par bombardement ionique
FR2379615A1 (fr) * 1977-02-08 1978-09-01 Vide & Traitement Sa Procede de traitement thermochimique de metaux

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3322341A1 (de) * 1983-06-22 1985-01-03 Siegfried Dr.-Ing. 5135 Selfkant Strämke Verfahren und vorrichtung zur oberflaechenbehandlung von werkstuecken durch glimmentladung
WO1987001738A1 (fr) * 1985-09-24 1987-03-26 Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs Procede et dispositif de traitement chimique, notamment de traitement thermochimique et de depot chimique dans un plasma homogene de grand volume
FR2587729A1 (fr) * 1985-09-24 1987-03-27 Centre Nat Rech Scient Procede et dispositif de traitement chimique, notamment de traitement thermochimique et de depot chimique dans un plasma homogene de grand volume
FR2600082A1 (fr) * 1986-06-13 1987-12-18 Balzers Hochvakuum Procede thermochimique de traitement de surface dans un plasma de gaz reactif, et pieces traitees par ce procede
EP0269251A1 (fr) * 1986-10-29 1988-06-01 The Electricity Council Procédé et appareil de traitement thermochimique
DE3700633C1 (de) * 1987-01-12 1988-05-26 Reinar Dr Gruen Verfahren und Vorrichtung zum schonenden Beschichten elektrisch leitender Gegenstaends mittels Plasma
US5346560A (en) * 1991-07-16 1994-09-13 Centre Stephanois De Recherches Mecaniques Hydromecanique Et Frottement Process for the treatment of ferrous metal parts to improve their corrosion resistance and friction properties simultaneously
EP0552460A1 (fr) * 1992-01-20 1993-07-28 Leybold Durferrit GmbH Procédé de traitement thermochimique de pièces par des impulsions à plasma
US5948224A (en) * 1992-03-24 1999-09-07 Balzers Aktiengsellschaft Method of controlling a treatment process and vacuum treatment apparatus
US6878248B2 (en) 1992-03-24 2005-04-12 Hans Signer Method of manufacturing an object in a vacuum recipient
FR2689976A1 (fr) * 1992-04-14 1993-10-15 Innovatique Sa Procédé et dispositif pour la détermination et le contrôle de la composition du mélange gazeux réactif utilisé au cours d'un traitement thermochimique sous atmosphère raréfiée.
US5833918A (en) * 1993-08-27 1998-11-10 Hughes Electronics Corporation Heat treatment by plasma electron heating and solid/gas jet cooling
US5868878A (en) * 1993-08-27 1999-02-09 Hughes Electronics Corporation Heat treatment by plasma electron heating and solid/gas jet cooling
US6504690B2 (en) 1998-04-30 2003-01-07 Hitachi, Ltd. Spin-tunnel magneto-resistance type magnetic sensor

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