DE69917069T2 - Plasmaunterstützte gasphasenausscheidung von konjugierten polymeren - Google Patents

Plasmaunterstützte gasphasenausscheidung von konjugierten polymeren Download PDF

Info

Publication number
DE69917069T2
DE69917069T2 DE69917069T DE69917069T DE69917069T2 DE 69917069 T2 DE69917069 T2 DE 69917069T2 DE 69917069 T DE69917069 T DE 69917069T DE 69917069 T DE69917069 T DE 69917069T DE 69917069 T2 DE69917069 T2 DE 69917069T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
conjugated
glow discharge
monomer
plasma
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69917069T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69917069D1 (de
Inventor
D. John AFFINITO
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Battelle Memorial Institute Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Battelle Memorial Institute Inc filed Critical Battelle Memorial Institute Inc
Application granted granted Critical
Publication of DE69917069D1 publication Critical patent/DE69917069D1/de
Publication of DE69917069T2 publication Critical patent/DE69917069T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/513Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/62Plasma-deposition of organic layers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/52Multiple coating or impregnating multiple coating or impregnating with the same composition or with compositions only differing in the concentration of the constituents, is classified as single coating or impregnation

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ganz allgemein ein Verfahren zur Herstellung von plasmapolymerisierten Filmen aus konjugierten Polymeren. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung die Herstellung einer Folie aus plasmapolymerisierten, konjugierten Polymeren mittels plasmaunterstützter chemischer Abscheidung mit einer Flashverdampfungs-Beschickungsquelle einer Verbindung mit niedrigem Dampfdruck.
  • Vorliegend wird der Begriff "(Meth)acryl" als "Acryl oder Methacryl" definiert. (Meth)acrylat wird ebenfalls als "Acrylat oder Methacrylat" definiert.
  • Vorliegend bezieht sich der Begriff "cryokondensieren" und dessen Formen auf das physikalische Phänomen einer Phasenänderung aus einer Gasphase in eine Flüssigphase, wenn das Gas eine Oberfläche kontaktiert, deren Temperatur niedriger als ein Taupunkt des Gases ist.
  • Vorliegend bezieht sich der Begriff "konjugiert" auf eine chemische Struktur mit alternierenden Einfach- und Doppelbindungen zwischen Kohlenstoffatomen in einer Kohlenstoffatomkette.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Das grundlegende Verfahren der plasmaunterstützten chemischen Dampfabscheidung (PECVD) ist in THIN FILM PROCESSES, J. L. Vossen, W. Kern, Herausgeber, Academic Press, 1978, Teil IV, Kapitel IV-I Plasma Deposition of Inorganic Compounds, Kapitel IV-2 Glow Discharge Polymerization beschrieben. Kurz gesagt wird ein Glimmentladungsplasma an einer Elektrode erzeugt, die glatt sein oder zugespitzte Vorsprünge haben kann. Herkömmlicherweise werden monomere Gase mit einem hohen Dampfdruck durch einen Gaseinlass in den Plasmabereich eingeleitet, wo sich Radikale bilden, sodass sich bei nachfolgenden Kollisionen mit dem Substrat einige der Radikale in den Monomeren auf dem Substrat chemisch binden oder vernetzen (härten). Die monomeren Gase mit hohem Dampfdruck umfassen Gase von CH4, SiH4, C2H6, C2H2 oder Gase, die aus einer Flüssigkeit mit hohem Dampfdruck erzeugt wurden, beispielsweise Styrol (10 Torr bei 87,4°F (30,8°C)), Hexan (100 Torr bei 60,4°F (15,8°C)), Tetramethyldisiloxan (10 Torr bei 82,9°F (28,3°C) 1,3-Dichlortetramethyldisiloxan) und Kombinationen davon, die unter mildem, gesteuerten Erwärmen verdampft werden können. Da diese monomeren Gase mit hohem Dampfdruck bei Umgebungs- oder erhöhten Temperaturen nicht leicht cryokondensieren, sind die Abscheidungsraten niedrig (maximal einige wenige Zehntel eines Mikrometers/Min.), was auf einer chemischen Bindung der Radikale an die interessierende Oberfläche statt der Cryokondensation beruht. Eine Remission aufgrund von Ätzen der interessierenden Oberfläche durch das Plasma kompetitiert mit der reaktiven Abscheidung. Spezies mit geringerem Dampfdruck hat man bei der PECVD nicht verwendet, weil das Erwärmen von Monomeren mit einem höheren Molekulargewicht auf eine Temperatur, die für deren Verdampfen ausreicht, im Allgemeinen eine Reaktion vor der Verdampfung verursacht, oder weil es schwierig wird, das Dosieren des Gases zu steuern, wobei beides jeweils nicht praktikabel ist.
  • Das grundlegende Verfahren der Flash-Verdampfung ist in US-A-4,954,371 beschrieben. Dieses grundlegende Verfahren kann auch als Polymer-Mehrschichten-(PML-) Flash-Verdampfung bezeichnet werden. Kurz gesagt wird ein strahlungspolymerisierbares und/oder vernetzbares Material bei einer Temperatur unterhalb der Zersetzungstemperatur und der Polymerisationstemperatur des Materials zur Verfügung gestellt. Das Material wird zu Tröpfchen mit einer Tröpfchengröße im Bereich von etwa 1 bis etwa 50 μm verstäubt. Üblicherweise wird eine Ultraschall-Verstäubungsvorrichtung verwendet. Die Tröpfchen werden dann unter Vakuum durch den Kontakt mit einer Oberfläche, die auf oberhalb des Siedepunkts des Materials, jedoch unterhalb der Temperatur, die eine Pyrolyse bewirken würde, erwärmt wurde, flash-verdampft. Der Dampf wird auf einem Substrat cryokondensiert, dann als sehr dünne Polymerschicht strahlungspolymerisiert oder vernetzt.
  • Das Material kann ein Basismonomer oder eine Mischung davon, Vernetzungsmittel und/oder Initiatoren umfassen. Ein Nachteil der Flash-Verdampfung ist, dass sie zwei aufeinanderfolgende Schritte erfordert, nämlich eine Cryokondensation und nachfolgendes Härten oder Vernetzen, die beide, was den Raum und die Zeit anbetrifft, getrennt sind.
  • Gemäß dem Stand der Technik der Herstellung von plasmapolymerisierten Folien wurden PECVD und Flash-Verdampfung oder Glimmentladungs-Plasmaabscheidung und Flash-Verdampfung nie in Kombination verwendet. Die Plasmabehandlung eines Substrats unter Verwendung eines Glimmentladungs-Plasmagenerators mit anorganischen Verbindungen wurde jedoch in Kombination mit Flash-Verdampfung unter einer Atmosphäre mit geringem Druck (Vakuum) verwendet, wie in J. D. Affinito, M. E. Gross, C. A. Coronado und P. M. Martin, A Vacuum Deposition Of Polymer Electrolytes On Flexible Substrates, "Paper for Plenary talk in A Proceedings of the Ninth International Conference on Vacuum Web Coating", November 1995, Herausgeber R. Bakish, Bakish Press 1995, Seiten 20–36 berichtet und in 1a gezeigt ist. In diesem System wird der Plasmagenerator 100 verwendet, um die Oberfläche 102 eines sich bewegenden Substrats 104 zur Vorbereitung des Empfangens des monomeren, gasförmigen Materials aus der Flash-Verdampfung 106 zu ätzen, das auf der geätzten Oberfläche 102 cryokondensiert und dann an einer ersten Härtungsstation (nicht gezeigt), beispielsweise einer Elektronenstrahl- oder Ultraviolett-Bestrahlung, vorbeigeleitet wird, um das Vernetzen und Härten zu initiieren. Der Plasmagenerator 100 besitzt ein Gehäuse 108 mit einem Gaseinlass 110. Das Gas kann Sauerstoff, Stickstoff, Wasser oder ein inertes Gas, beispielsweise Argon, oder Kombinationen hiervon sein. Innen erzeugt eine Elektrode 112, die glatt ist oder eine oder mehrere zugespitzte Vorsprünge 114 aufweist, eine Glimmentladung und erzeugt mit dem Gas ein Plasma, das die Oberfläche 102 ätzt. Der Flash-Verdampfer 106 weist ein Gehäuse 116 mit einem Einlass 118 für Monomere und einer Sprühdüse 120, beispielsweise einen Ultraschallverstäuber, auf. Die Strömung durch die Düse 120 wird zu Teilchen oder Tröpfchen 122 verstäubt, die auf die erwärmte Oberfläche 124 auftreffen, woraufhin die Teilchen oder Tröpfchen 122 in ein Gas flash-verdampft werden, das an einer Reihe von Prallblechen 126 (wahlweise) vorbei zu einem Auslass 128 strömt und auf der Oberfläche 102 cryokondensiert. Obgleich auch andere Gasströmungsverteilungsanordnungen verwendet worden sind, hat sich herausgestellt, dass die Prallbleche 126 für eine angemessene Gasströmungsverteilung oder -gleichmäßigkeit sorgen, wobei sie es leicht machen, die Dimensionen an große Oberflächen 102 anzupassen. Eine Härtungsstation (nicht gezeigt) befindet sich stromabwärts des Flash-Verdampfers 106.
  • Wird ein Flash-Verdampfungsverfahren mit Acrylat und/oder Methacrylat verwendet, ist das Ausgangsmonomer ein (Meth)acrylat-Monomer (1b). Wenn R1 Wasserstoff (H) ist, ist die Verbindung ein Acrylat, und wenn R1 eine Methylgruppe (CH3) ist, ist die Verbindung ein Methacrylat. Wenn die Gruppe R2, die an der (Meth)acrylatgruppe hängt, vollständig konjugiert ist, unterbricht die O-C-Bindung die Konjugation und macht das Monomer nichtleitend. Wird das Monomer einer Elektronenstrahlbestrahlung oder UV in Gegenwart eines Photoinitiators ausgesetzt, initiiert dies die Polymerisation des Monomeren durch die Erzeugung freier Radikale an der (C=C)-Doppelbindung in der (Meth)acrylat-Bindung. Nach der Polymerisation sind die beiden (Meth)acrylat-Doppel-(C=C-) Bindungen dort, wo das Vernetzen stattfand, in Einzel-(C-C)-Bindungen umgewandelt. So unterbricht der Vernetzungsschritt die Konjugation weiter und macht eine Leitfähigkeit unmöglich.
  • Deshalb besteht ein Bedarf an einer Vorrichtung und einem Verfahren zur Herstellung von Schichten aus plasmapolymerisierten, konjugierten Polymeren mit großer Geschwindigkeit, die auch selbsthärtend sind, wobei die Konjugation aufrechterhalten wird.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung ist ein verbessertes Verfahren der Plasmapolymerisation, wobei ein konjugiertes Monomer während der Plasmapolymerisation gehärtet wird.
  • Die vorliegende Erfindung kann von zwei Standpunkten aus betrachtet werden, nämlich (1) einer Vorrichtung und eines Verfahrens für die plasmaunterstützte, chemische Dampfabscheidung von konjugierten Monomeren mit niedrigem Dampfdruck oder einer Mischung von Monomeren mit teilchenförmigen Materialien auf ein Substrat und (2) einer Vorrichtung und eines Verfahrens zur Herstellung von selbsthärtenden, konjugierten oder leitfähigen Polymerschichten, insbesondere selbsthärtenden PLM-Polymerschichten. Vorliegend gilt der Begriff "konjugiertes Polymer" oder "vollständig konjugiertes Polymer" als die Definition eines Polymeren, das einen ausreichenden Grad an Konjugation aufweist, um bei Dotierung elektrisch leitfähig zu sein. So ist entweder das Monomer vollständig konjugiert, oder die Teilchen werden mit dem Monomer entweder kombiniert oder vernetzt, derart, dass ein "vollständig konjugiertes Polymer" geschaffen wird.
  • Unter beiden Gesichtspunkten ist die Erfindung eine Kombination von Flash-Verdampfung mit plasmaunterstützter chemischer Dampfabscheidung (PECVD), die die unerwarteten Verbesserungen ergibt, dass es möglich ist, konjugierte Monomer-Materialien mit niedrigem Dampfdruck in einem PECVD-Verfahren zu verwenden, und die eine Selbsthärtung aufgrund eines Flash-Verdampfungsverfahrens mit einer Geschwindigkeit ergibt, die überraschenderweise schneller als die übliche PECVD-Abscheidungsgeschwindigkeit ist.
  • Allgemein gesagt ist die erfindungsgemäße Vorrichtung (a) ein Flash-Verdampfungsgehäuse mit einem Monomer-Verstäuber zur Herstellung von Monomertröpfchen, einer erwärmten Verdampfungsoberfläche zur Herstellung eines verdampften Materials aus den Monomertröpfchen und einem Auslass für das verdampfte Material, (b) eine Glimmentladungselektrode stromabwärts des Auslasses für das verdampfte Material zur Schaffung eines Glimmentladungsplasmas aus dem verdampften Material, worin (c) sich das Substrat in der Nähe des Glimmentladungsplasmas befindet, um das Glimmentladungsplasma darauf aufzunehmen und zu cryokondensieren. Alle Komponenten befinden sich vorzugsweise innerhalb einer Niederdruck-(Vakuum-)Kammer.
  • Das erfindungsgemäß Verfahren umfasst die Schritte: (a) Verstäuben eines konjugierten Materials; (b) Flash-Verdampfen des konjugierten Materials unter Bildung eines verdampften Materials; (c) Führen des verdampften Materials zu einer Glimmentladungs-Elektrode, wobei ein Glimmentladungsplasma konjugierter Monomere erzeugt wird; und (d) Kondensieren dieses Glimmentladungsplasmas konjugierter Monomere auf einem Substrat als kondensiertes, konjugiertes Monomer und Vernetzen des kondensierten, konjugierten Monomers darauf, wobei die Vernetzung eine Folge davon ist, dass Radikale im Glimmentladungsplasma konjugierter Monomere gebildet werden; wobei das konjugierte Material ausgewählt ist unter einem flüssigen, konjugierten Monomer, einem flüssigen, unkonjugierten Monomer, das konjugierte Teilchen enthält, und einem flüssigen, konjugierten Monomer, das konjugierte Teilchen enthält.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung eines konjugierten oder leitfähigen Polymers zu schaffen.
  • Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung ist es, dass sie gegenüber einer Bewegungsrichtung des Substrats unempfindlich ist, da die abgeschiedene konjugierte Monomerschicht selbsthärtend ist. Ein weiterer Vorteil liegt darin, dass die Konjugation während des Härtens erhalten bleibt. Im Stand der Technik benötigte die abgeschiedene Monomerschicht eine Bestrahlungshärtungsvorrichtung, sodass die Bewegung des Substrats vom Ort der Abscheidung in Richtung auf die Bestrahlungsvorrichtung erfolgen musste, was die Konjugation wie vorstehend erörtert störte. Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung ist es, dass mehrere Schichten von Materialien kombiniert werden können. Beispielsweise können, wie in US-A-5,547,508 und US-A-5,395,644, US-A-5,260,095 angegeben, mehrfache Polymerschichten, alternierende Schichten von Polymer und Metall und andere Schichten mit der vorliegenden Erfindung in der Vakuumumgebung hergestellt werden.
  • Der Gegenstand der vorliegenden Erfindung wird im abschließenden Teil dieser Schrift im Einzelnen dargelegt und eindeutig beansprucht. Jedoch sind sowohl die Organisation als auch das Verfahren der Arbeitsweise, zusammen mit weiteren Vorteilen und Aufgaben, am besten unter Bezugnahme auf die nachfolgende detaillierte Beschreibung in Kombination mit den Zeichnungen zu verstehen, in denen sich gleiche Bezugszeichen auf gleiche Elemente beziehen.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1a ist ein Schnitt durch eine Kombination eines Glimmentladungs-Plasmagenerators des Stands der Technik für anorganische Verbindungen mit Flash-Verdampfung.
  • 1b ist ein chemisches Diagramm von (Meth)acrylat.
  • 1c ist ein chemisches Diagramm von Phenylacetylen und zwei Plasmapolymerisationswegen von Phenylacetylen zu konjugiertem Polymer.
  • 1d ist ein chemisches Diagramm eines Triphenyldiamin-Derivats.
  • 1e ist ein chemisches Diagramm von Chinacridon.
  • 2 ist ein Schnitt durch die erfindungsgemäße Vorrichtung der kombinierten Flash-Verdampfung und Glimmentladungs-Plasmaabscheidung.
  • 2a ist eine endseitige Schnittansicht der erfindungsgemäßen Vorrichtung.
  • 3 ist ein Schnitt durch die vorliegende Erfindung, bei der das Substrat die Elektrode ist.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM(EN)
  • Die Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ist in 2 gezeigt. Die Vorrichtung und das Verfahren der vorliegenden Erfindung finden vorzugsweise innerhalb einer Niederdruck- (Vakuum-) Umgebung oder -Kammer statt. Die Drücke liegen vorzugsweise im Bereich von etwa 10–1 Torr bis 10–6 Torr. Der Flash-Verdampfer 106 besitzt ein Gehäuse 116 mit einem Monomereinlass 118 und einer Verstäubungsdüse 120. Die Strömung durch die Düse 120 wird zu Teilchen oder Tröpfchen 122 verstäubt, die auf die erwärmte Oberfläche 124 auftreffen, woraufhin die Teilchen oder Tröpfchen 122 zu einem Gas oder dampfförmigen Material flash-verdampft werden, das an einer Reihe von Prallblechen 126 vorbei zu einem Auslass 128 für das verdampfte Material strömt und auf der Oberfläche 102 cryokondensiert. Eine Cryokondensation an den Prallblechen 126 und anderen Innenflächen wird durch Erwärmen der Prallbleche 126 und der anderen Oberflächen auf eine Temperatur oberhalb der Cryokondensationstemperatur oder des Taupunkts des verdampften Materials verhindert. Obgleich man auch andere Gasströmungsverteilungsanordnungen verwendet hat, wurde gefunden, dass die Prallbleche 126 für eine angemessene Gasströmungsverteilung oder -gleichmäßigkeit sorgen, wobei sie es leicht machen, die Dimensionen an großen Oberflächen 102 anzupassen. Der Auslass 128 für das verdampfte Material lenkt Gas in Richtung einer Glimmentladungs-Elektrode 204, die aus dem verdampften Material ein Glimmentladungsplasma erzeugt. Bei der in 2 gezeigten Ausführungsform ist die Glimmentladungs-Elektrode 204 in einem Glimmentladungs-Gehäuse 200 mit einem Einlass 202 für das verdampfte Material in der Nähe des Auslasses 128 für das verdampfte Material angeordnet. Bei dieser Ausführungsform werden das Glimmentladungs-Gehäuse 200 und die Glimmentladungs-Elektrode 204 auf einer Temperatur oberhalb des Taupunkts des verdampften Materials gehalten. Das Glimmentladungsplasma tritt aus dem Glimmentladungs-Gehäuse 200 aus und cryokondensiert auf der Oberfläche 102 des Substrats 104. Es ist bevorzugt, dass das Substrat 104 auf einer Temperatur unterhalb des Taupunkts des verdampften Materials, vorzugsweise bei Umgebungstemperatur gehalten oder unter die Umgebungstemperatur abgekühlt wird, um die Cryokondensationsgeschwindigkeit zu erhöhen. Bei dieser Ausführungsform bewegt sich das Substrat 104 und kann elektrisch geerdet, elektrisch nicht geerdet (elektrisch schwebend) oder elektrisch auf eine aufgebrachte Spannung vorgeladen sein, um geladene Spezies aus dem Glimmentladungsplasma zu ziehen. Falls das Substrat 104 elektrisch vorgeladen ist, kann es sogar die Elektrode 204 ersetzen und selbst die Elektrode sein, die das Glimmentladungsplasma aus dem Monomergas erzeugt. Elektrisch schwebend bzw. nicht geerdet bedeutet, dass es keine angelegte Spannung gibt, während sich jedoch eine Ladung aufgrund von statischer Elektrizität oder aufgrund von Wechselwirkung mit dem Plasma aufbauen kann.
  • Eine bevorzugte Gestalt der Glimmentladungs-Elektrode 204 ist in 2a gezeigt. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform ist die Glimmentladungs-Elektrode 204 vom Substrat 104 getrennt und derart gestaltet, dass der Strom des verdampften Materials von dem Einlass 202 für das verdampfte Material im Wesentlichen durch eine Elektrodenöffnung 206 strömt. Eine beliebige Elektrodenform kann verwendet werden, um die Glimmentladung zu erzeugen; die bevorzugte Gestalt der Elektrode 204 schirmt das Plasma gegenüber dem verdampften Material, das aus dem Auslass 202 austritt, jedoch nicht ab, und seine Symmetrie im Verhältnis zum Monomeraustrittsschlitz 202 und dem Substrat 104 sorgt für eine Gleichmäßigkeit der Gasströmung des verdampften Materials zu dem Plasma über die Breite des Substrats hinweg, während sich die Gleichmäßigkeit quer zur Breite aus der Substratbewegung ergibt.
  • Der Abstand der Elektrode 204 vom Substrat 104 ist ein Spalt oder Abstand, der es gestattet, dass das Plasma auf dem Substrat auftrifft. Dieser Abstand, um den sich das Plasma von der Elektrode ausgehend erstreckt, hängt standardmäßig von der zu verdampfenden Spezies, der Geometrie der Elektrode 204 und des Substrats 104, der elektrischen Spannung und Frequenz und dem Druck ab, wie dies detailliert in ELECTRICAL DISCHARGES IN GASSES, F. M. Penning, Gordon and Breach Science Publishers, 965, beschrieben und in THIN FILM PR1OCESSES, J. L. Vossen, W. Kern, Herausgeber, Academic Press, 1978, Teil II, Kapitel II-1, Glow Discharge Sputter Deposition, zusammengefasst ist.
  • Eine Vorrichtung, die für den Chargenbetrieb geeignet ist, ist in 3 gezeigt. Bei dieser Ausführungsform ist die Glimmentladungs-Elektrode 204 einem Teil 300 (Substrat) ausreichend nahe, sodass das Teil 300 eine Verlängerung oder ein Teil der Elektrode 204 ist. Des weiteren befindet sich das Teil unterhalb des Taupunkts, um die Cryokondensation des Glimmentladungsplasmas auf dem Teil 300 zu gestatten und dadurch das Teil 300 mit dem Monomerkondensat zu beschichten und eine Selbsthärtung der Polymerschicht zu bewirken. Ausreichend nahe kann bedeuten: damit verbunden, darauf ruhend, in direktem Kontakt damit oder durch einen Spalt oder Abstand getrennt, der es möglich macht, dass das Plasma auf dem Substrat auftreffen kann. Dieser Abstand, um den sich das Plasma von der Elektrode ausgehend erstreckt, hängt standardmäßig von der zu verdampfenden Spezies, der Geometrie der Elektrode 204 und des Substrats 104, der elektrischen Spannung und Frequenz und dem Druck ab, wie in ELECTRICAL DISCHARGES IN GASSES, F. M. Penning, Gordon and Breach Science Publishers, 1965, beschrieben. Das Substrat 300 kann während der Cryokondensation ortsfest sein oder sich bewegen. Eine Bewegung umfasst Drehung und Längsbewegung und kann zur Steuerung der Dicke und Gleichmäßigkeit der Monomerschicht, die darauf cryokondensiert wird, eingesetzt werden. Da die Cryokondensation schnell stattfindet, innerhalb von Millisekunden bis Sekunden, kann das Teil nach dem Beschichten und bevor es eine Beschichtungstemperaturgrenze übersteigt, entfernt werden.
  • Im Betrieb umfasst das erfindungsgemäße Verfahren entweder als Verfahren für die plasmaunterstützte chemische Dampfabscheidung von konjugierten Niederdampfdruckmaterialien auf einem Substrat oder als Verfahren zur Herstellung von selbsthärtenden, konjugierten Polymerschichten (insbesondere PML) die Schritte des (a) Flash-Verdampfens eines konjugierten Materials, das ein verdampftes Material bildet; (b) Führen des verdampften Materials zu einer Glimmentladungs-Elektrode, wobei ein Glimmentladungsplasma konjugierter Monomere aus dem verdampften Material gebildet wird; und (c) Cryokondensieren des Glimmentladungsplasmas konjugierter Monomere auf einem Substrat und Vernetzen des Glimmentladungsplasmas konjugierter Monomere darauf. Das Vernetzen ist eine Folge davon, dass Radikale in dem Glimmentladungsplasma gebildet werden, wodurch ein Selbsthärten möglich ist.
  • Das Flash-Verdampfen umfasst die Schritte des Strömenlassens eines konjugierten Materials zu einem Einlass, Verstäuben des konjugierten Materials durch eine Düse und Bilden einer Vielzahl von Tröpfchen aus konjugiertem Monomer aus der Flüssigkeit des konjugierten Monomers als Sprühnebel. Der Sprühnebel wird auf eine erwärmte Verdampfungsoberfläche gerichtet, woraufhin er verdampft wird und durch einen Auslass für das verdampfte Material hindurch ausgetragen wird.
  • Das flüssige, konjugierte Material kann jedes flüssige, konjugierte Monomer sein. Es ist jedoch bevorzugt, dass das flüssige, konjugierte Monomer oder die Flüssigkeit einen niedrigen Dampfdruck bei Umgebungstemperaturen besitzen, sodass sie leicht cryokondensieren. Vorzugsweise beträgt der Dampfdruck des flüssigen, konjugierten Monomermaterials weniger als etwa 10 Torr bei 83°F (28,3°C), stärker bevorzugt weniger als etwa 1 Torr bei 83°F (28,3°C) und am stärksten bevorzugt weniger als etwa 10 Millitorr bei 83°F (28,3°C). Für konjugierte Monomere der gleichen chemischen Familie haben konjugierte Monomere mit niedrigen Dampfdrücken üblicherweise auch ein höheres Molekulargewicht und sind leichter cryokondensierbar als konjugierte Monomere mit einem höheren Dampfdruck und geringerem Molekulargewicht. Flüssige, konjugierte Monomere umfassen, sind jedoch nicht beschränkt auf, Phenylacetylen (1c).
  • Alternativ kann das konjugierte Material ein unkonjugiertes Monomer sein, das konjugierte Teilchen enthält, oder ein konjugiertes Monomer mit konjugierten Teilchen. Unkonjugierte Monomere umfassen, ohne darauf beschränkt zu sein, (Meth)acrylat(e) und Kombinationen davon.
  • Das bzw. die konjugierte(n) Teilchen kann/können Teilchen eines beliebigen unlöslichen oder teilweise unlöslichen Typs konjugierter Teilchen mit einem Siedepunkt unterhalb der Temperatur der erwärmten Oberfläche in dem Flash-Verdampfungsverfahren sein. Unlösliche, konjugierte Teilchen umfassen, ohne darauf beschränkt zu sein, ein Derivat von Phenylacetylentriphenyldiamin (TPD, 1d), Chinacridon (QA, 1e) und Kombinationen davon. Um ein leitfähiges Polymer zu erhalten, ist es notwendig, dass ein konjugiertes Polymer dotiert ist. Das Dotieren erfolgt mit einem Salz einschließlich Lithiumtrifluormethansulfonat (CF3SO3Li), anderen Salze von Lithium, Salzen von Iod, Iod und Kombinationen davon, ohne jedoch hierauf beschränkt zu sein.
  • Die unlöslichen, konjugierten Teilchen besitzen vorzugsweise ein Volumen von viel weniger als oder gleich etwa 5000 Kubikmikrometer (Durchmesser etwa 21 Mikrometer), vorzugsweise weniger als oder gleich etwa 4 Kubikmikrometer (Durchmesser etwa 2 Mikrometer). Bei einer bevorzugten Ausführungsform sind die unlöslichen, konjugierten Teilchen hinsichtlich der Teilchendichte und der Dichte und Viskosität des flüssigen Monomeren ausreichend klein, derart, dass die Absetzgeschwindigkeit der konjugierten Teilchen innerhalb des flüssigen Monomeren mehrfach größer ist als die Zeit, die zum Transportieren eines Teils der Mischung aus Teilchen und flüssigem Monomer aus einem Vorratsgefäß zu der Verstäubungsdüse benötigt wird. Es ist festzustellen, dass es notwendig sein kann, die Mischung aus konjugierten Teilchen und flüssigem Monomer im Vorratsgefäß zu rühren, um die Suspension der konjugierten Teilchen aufrechtzuerhalten und ein Absetzen zu vermeiden.
  • Die Mischung aus Monomer und unlöslichen oder teilweise löslichen, konjugierten Teilchen kann als Aufschlämmung, Suspension oder Emulsion angesehen werden, und die konjugierten Teilchen können fest oder flüssig sein. Die Mischung kann mittels mehrerer Verfahren erhalten werden. Ein Verfahren ist das Mischen der unlöslichen, konjugierten Teilchen einer spezifizierten Größe in das Monomer. Die unlöslichen, konjugierten Teilchen eines Feststoffs einer spezifizierten Größe können durch direk ten Kauf oder durch ihre Herstellung mittels irgendeiner der Standardtechniken erhalten werden, einschließlich, jedoch nicht beschränkt auf, das Mahlen aus großen konjugierten Teilchen, Ausfällen aus einer Lösung, Schmelzen, Verstäuben unter gesteuerten Atmosphären, schnellem thermischen Zersetzen von Vorläufern aus einer Lösung, wie in US-A-5,652,192 beschrieben. Die Schritte der US-A-5,652,192 sind das Herstellen einer Lösung eines löslichen Vorläufers in einem Lösungsmittel und Strömenlassen der Lösung durch ein Reaktionsgefäß, Unter-Druck-Setzen und Erwärmen der strömenden Lösung und Bilden von im Wesentlichen unlöslichen, konjugierten Teilchen, dann Abschrecken der erwärmten, strömenden Lösung und Hemmen des Wachstums der konjugierten Teilchen. Alternativ können größere Größen von festem, konjugiertem Material in das flüssige Monomer gemischt und dann beispielsweise mittels Ultraschall in Bewegung versetzt werden, um das feste, konjugierte Material in konjugierte Teilchen einer ausreichenden Größe zu zerbrechen.
  • Flüssige, konjugierte Teilchen können durch Mischen einer nichtmischbaren, konjugierten Flüssigkeit mit der Monomerflüssigkeit und Bewegen mittels Ultraschall oder mechanischem Mischen erhalten werden, um flüssige, konjugierte Teilchen innerhalb der flüssigen Monomermischung zu erzeugen. Nichtmischbare, konjugierte Flüssigkeiten umfassen beispielsweise Phenylacetylen.
  • Beim Verstäuben können die Tröpfchen konjugierte Teilchen allein, konjugierte Teilchen, die von flüssigem Monomer umgeben sind, und flüssiges Monomer allein sein. Da sowohl das flüssige Monomer als auch die konjugierten Teilchen verdampft werden, kommt es auf die Methode nicht an. Es ist jedoch wichtig, dass die Tröpfchen ausreichend klein sind, sodass sie vollständig verdampft werden. Dementsprechend kann die Tröpfchengröße bei einer bevorzugten Ausführungsform im Bereich von etwa 1 Mikrometer bis etwa 50 Mikrometer liegen.
  • Durch die Verwendung der Flash-Verdampfung wird das konjugierte Material so schnell verdampft, dass Reaktionen, die im Allgemeinen beim Erwärmen eines flüssigen, konjugierten Materials auf eine Verdampfungstemperatur stattfinden, einfach nicht ablaufen. Des weiteren wird die Steuerung der Geschwindigkeit der Zuführung des verdampften Materials streng durch die Geschwindigkeit der Zuführung des konjugierten Materials zu dem Einlass 118 des Flash-Verdampfers 106 gesteuert.
  • Zusätzlich zu dem verdampften Material aus dem konjugierten Material können weitere Gase innerhalb des Flash-Verdampfers 106 durch einen Gaseinlass 130 hindurch zugegeben werden, der sich stromaufwärts des Auslasses 128 für das verdampfte Material, vorzugsweise zwischen der erwärmten Oberfläche 124 und dem ersten Prallblech 126, das der erwärmten Oberfläche 124 am nächsten ist, befindet. Zusätzliche Gase können organisch oder anorganisch sein, für Zwecke, die Ballast, Reaktion und Kombinationen hiervon umfassen, ohne hierauf beschränkt zu sein. Ballast bezieht sich auf das Vorsehen einer ausreichenden Menge von Molekülen, um das Plasma unter den Umständen einer geringen Strömungsgeschwindigkeit des verdampften Materials gezündet zu halten. Reaktion bezieht sich auf die chemische Reaktion zur Bildung einer Verbindung, die sich von dem verdampften Material unterscheidet. Zusätzliche Gase umfassen, sind jedoch nicht beschränkt auf, die Gruppe VII des Periodensystems, Wasserstoff, Sauerstoff, Stickstoff, Chlor, Brom, mehratomige Gase, einschließlich beispielsweise Kohlendioxid, Kohlenmonoxid, Wasserdampf und Kombinationen hiervon.
  • Das konjugierte Polymer ist leitfähig, wenn es mit einem Dotierungsmittel, beispielsweise einem Salz von Iod, Lithium oder einer Kombination hiervon, dotiert wird. Das Dotierungsmittel wird vorzugsweise dem konjugierten Monomer zugesetzt und geht mit dem konjugierten Monomer während der Flash-Verdampfung über.
  • Alternative Ausführungsformen
  • Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren kann eine Polymerschicht entweder durch Strahlungshärten oder Selbsthärten erhalten werden. Bei dem Strahlungshärten (1) kann die Monomerflüssigkeit einen Photoinitiator enthalten. Beim Selbsthärten wird eine Kombination aus einem Flash-Verdampfer und einem Glimmentladungs-Plasmagenerator ohne Elektronenstrahlquelle oder ultraviolettes Licht verwendet.

Claims (16)

  1. Verfahren zum Herstellen von Schichten konjugierter Polymere in einer Vakuumkammer, umfassend: (a) Verstäuben eines konjugierten Materials; (b) Flash-Verdampfen des konjugierten Materials unter Ausbildung eines verdampften Materials; (c) Führen dieses verdampften Materials zu einer Glimmentladungs-Elektrode, wobei aus dem genannten verdampften Material ein Glimmentladungsplasma konjugierter Monomere erzeugt wird, und (d) Kondensieren dieses Glimmentladungsplasmas konjugierter Monomere auf einem Substrat als kondensiertes konjugiertes Monomer und Vernetzen dieses kondensierten konjugierten Monomer darauf, wobei die Vernetzung eine Folge davon ist, dass Radikale im genannten Glimmentladungsplasma konjugierter Monomere gebildet werden; worin das konjugierte Material ausgewählt ist unter einem flüssigen konjugierten Monomer, einem flüssigen unkonjugierten Monomer, das konjugierte Partikel enthält, und einem flüssigen konjugierten Monomer, das konjugierte Partikel enthält.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, worin das Flash-Verdampfen des konjugierten Materials unter Ausbildung eines verdampften Materials das Erzeugen dieses verdampften Materials durch die Aufnahme des genannten verstäubten konjugierten Materials in eine Flash-Verdampfungskammer, das Verdampfen des konjugierten Materials auf einer Verdampfungsoberfläche und das Austragen des verdampften konjugierten Materials durch einen Verdampfungsauslass umfasst.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, worin sich das Substrat nahe der Glimmentladungselektrode befindet und mit einer aufgeprägten Spannung elektrisch aufgeladen ist, und worin das Monomerplasma auf diesem Substrat cryokondensiert.
  4. Verfahren nach Anspruch 2, worin die Glimmentladungs-Elektrode innerhalb einer Glimmentladungskammer angeordnet ist, die nahe dem Auslass für das verdampfte Material einen Einlass für dieses Material aufweist, wobei die Glimmentladungskammer und die Glimmentladungs-Elektrode bei einer Temperatur oberhalb eines Taupunkts des verdampften Materials gehalten werden und das Substrat sich stromabwärts vom Monomer-Plasma befindet, elektrisch schwebt, und worin das Monomerplasma auf diesem Substrat cryokondensiert.
  5. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, worin sich das Substrat nahe der Glimmentladungs-Elektrode befindet und elektrisch geerdet ist, und worin das Monomer-Plasma auf diesem Substrat cryokondensiert.
  6. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, worin das konjugierte Monomer Phenylacetylen ist.
  7. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, worin das Substrat gekühlt wird.
  8. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, weiterhin umfassend das Zusetzen eines weiteren Gases innerhalb der Flash-Verdampfungskammer.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, worin das zusätzliche Gas ein Ballastgas ist.
  10. Verfahren nach Anspruch 8, worin das zusätzliche Gas ein Reaktionsgas ist.
  11. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, weiterhin umfassend das Zugeben eines Dotanden zu dem genannten konjugierten Material.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, worin der Dotand ausgewählt ist aus der aus Jod, Jodsalzen, Lithiumsalzen und Kombinationen hiervon bestehenden Gruppe.
  13. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, worin die konjugierten Partikel ausgewählt sind aus der aus organischen Feststoffen, organischen Flüssigkeiten und Kombinationen hiervon bestehenden Gruppe.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, worin die organischen Feststoffe ausgewählt sind aus der aus Triphenyldiamin-Derivaten, Chinacridon und Kombinationen hiervon bestehenden Gruppe.
  15. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, weiterhin umfassend den Schritt des Zusetzens eines Dotanden zum konjugierten Material derart, dass die konjugierte Polymerschicht eine elektrisch leitendes Polymer ist.
  16. Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin umfassend den Schritt des Aufbringen eines elektrischen Feldes auf das Substrat zum Polen des genannten Glimmentladungs-Monomerplasmas.
DE69917069T 1998-12-16 1999-12-15 Plasmaunterstützte gasphasenausscheidung von konjugierten polymeren Expired - Lifetime DE69917069T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US212781 1998-12-16
US09/212,781 US6207239B1 (en) 1998-12-16 1998-12-16 Plasma enhanced chemical deposition of conjugated polymer
PCT/US1999/030069 WO2000035602A1 (en) 1998-12-16 1999-12-15 Plasma enhanced chemical deposition of conjugated polymer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69917069D1 DE69917069D1 (de) 2004-06-09
DE69917069T2 true DE69917069T2 (de) 2005-01-27

Family

ID=22792397

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69917069T Expired - Lifetime DE69917069T2 (de) 1998-12-16 1999-12-15 Plasmaunterstützte gasphasenausscheidung von konjugierten polymeren

Country Status (8)

Country Link
US (3) US6207239B1 (de)
EP (1) EP1144131B1 (de)
JP (1) JP2002532576A (de)
KR (1) KR20010101253A (de)
AT (1) ATE265898T1 (de)
DE (1) DE69917069T2 (de)
TW (1) TW467771B (de)
WO (1) WO2000035602A1 (de)

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6224948B1 (en) * 1997-09-29 2001-05-01 Battelle Memorial Institute Plasma enhanced chemical deposition with low vapor pressure compounds
US6207239B1 (en) * 1998-12-16 2001-03-27 Battelle Memorial Institute Plasma enhanced chemical deposition of conjugated polymer
US6228436B1 (en) * 1998-12-16 2001-05-08 Battelle Memorial Institute Method of making light emitting polymer composite material
US6228434B1 (en) 1998-12-16 2001-05-08 Battelle Memorial Institute Method of making a conformal coating of a microtextured surface
US6207238B1 (en) * 1998-12-16 2001-03-27 Battelle Memorial Institute Plasma enhanced chemical deposition for high and/or low index of refraction polymers
US6866901B2 (en) 1999-10-25 2005-03-15 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US20100330748A1 (en) * 1999-10-25 2010-12-30 Xi Chu Method of encapsulating an environmentally sensitive device
US20090191342A1 (en) * 1999-10-25 2009-07-30 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US6623861B2 (en) * 2001-04-16 2003-09-23 Battelle Memorial Institute Multilayer plastic substrates
US7198832B2 (en) 1999-10-25 2007-04-03 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US6413645B1 (en) 2000-04-20 2002-07-02 Battelle Memorial Institute Ultrabarrier substrates
US20070196682A1 (en) * 1999-10-25 2007-08-23 Visser Robert J Three dimensional multilayer barrier and method of making
US6734038B2 (en) * 2001-09-04 2004-05-11 The Trustees Of Princeton University Method of manufacturing high-mobility organic thin films using organic vapor phase deposition
US20090208754A1 (en) * 2001-09-28 2009-08-20 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
GB0207350D0 (en) * 2002-03-28 2002-05-08 Univ Sheffield Surface
US8900366B2 (en) * 2002-04-15 2014-12-02 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US8808457B2 (en) 2002-04-15 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
KR100475849B1 (ko) * 2002-04-17 2005-03-10 한국전자통신연구원 습식 공정에 의하여 형성된 엔캡슐레이션 박막을 갖춘유기 전기발광 소자 및 그 제조 방법
EP1354640A1 (de) * 2002-04-19 2003-10-22 Dürr Systems GmbH Verfahren und Vorrichtung zum Härten einer Beschichtung
US20040028931A1 (en) 2002-06-26 2004-02-12 Bletsos Ioannis V. Coated sheet materials and packages made therewith
US7648925B2 (en) * 2003-04-11 2010-01-19 Vitex Systems, Inc. Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks
US7510913B2 (en) * 2003-04-11 2009-03-31 Vitex Systems, Inc. Method of making an encapsulated plasma sensitive device
ATE519886T1 (de) * 2003-04-25 2011-08-15 Sigma Lab Arizona Inc Durch vakuumablagerung funtionalisierte poröse materialien
JP4185015B2 (ja) * 2003-05-12 2008-11-19 東京エレクトロン株式会社 気化原料の供給構造、原料気化器及び反応処理装置
JP4513956B2 (ja) * 2003-07-30 2010-07-28 日本電気株式会社 有機高分子膜及びその製造方法
GB0423685D0 (en) * 2004-10-26 2004-11-24 Dow Corning Ireland Ltd Improved method for coating a substrate
US7767498B2 (en) 2005-08-25 2010-08-03 Vitex Systems, Inc. Encapsulated devices and method of making
EP1785198A1 (de) * 2005-11-14 2007-05-16 Vlaamse Instelling voor Technologisch Onderzoek Verfahren zur Plasmaabscheidung unter atmosphärischem Druck von konjugierten polymeren Beschichtungen
KR100729097B1 (ko) * 2005-12-28 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 증발원 및 이를 이용한 박막 증착방법
KR20080080154A (ko) * 2005-12-29 2008-09-02 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 코팅 공정을 위한 물질의 분무화 방법
US8088502B2 (en) * 2006-09-20 2012-01-03 Battelle Memorial Institute Nanostructured thin film optical coatings
DE102006055077A1 (de) * 2006-11-22 2008-05-29 Eos Gmbh Electro Optical Systems Vorrichtung zum schichtweisen Herstellen eines dreidimensionalen Objekts und Verfahren zum Einsetzen bzw. Entnehmen eines Behälters
EP2168644B1 (de) * 2008-09-29 2014-11-05 Applied Materials, Inc. Verdampfer für organische Materialien und Verfahren zum Verdampfen organischer Materialien
US9337446B2 (en) * 2008-12-22 2016-05-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated RGB OLEDs having enhanced optical output
US9184410B2 (en) 2008-12-22 2015-11-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output
US20100167002A1 (en) * 2008-12-30 2010-07-01 Vitex Systems, Inc. Method for encapsulating environmentally sensitive devices
KR100946598B1 (ko) 2009-04-24 2010-03-09 주식회사 엘파니 플라스마 처리를 이용한 전도성 고분자용 고체 도판트, 그의 제조 방법 및 장치, 및 전도성 고분자의 고상 도핑 방법
CN102473854B (zh) * 2009-07-31 2013-04-17 Udc爱尔兰有限责任公司 用于有机器件的沉积材料以及用于制备有机器件的方法
US8590338B2 (en) * 2009-12-31 2013-11-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Evaporator with internal restriction
US20110162705A1 (en) * 2010-01-06 2011-07-07 Popa Paul J Moisture resistant photovoltaic devices with elastomeric, polysiloxane protection layer
TWI560919B (en) * 2011-08-25 2016-12-01 Univ Nat Tsing Hua Method for enhancing optoelectronic properties of conjugated polymers
US9144623B2 (en) * 2013-11-06 2015-09-29 Chung-Ping Lai Refrigerator with plasma device

Family Cites Families (77)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3475307A (en) * 1965-02-04 1969-10-28 Continental Can Co Condensation of monomer vapors to increase polymerization rates in a glow discharge
FR1393629A (fr) 1965-09-13 1965-03-26 Continental Oil Co Procédé et appareil pour enduire des feuilles en matières solides
US3607365A (en) 1969-05-12 1971-09-21 Minnesota Mining & Mfg Vapor phase method of coating substrates with polymeric coating
US4098965A (en) 1977-01-24 1978-07-04 Polaroid Corporation Flat batteries and method of making the same
JPS55129345A (en) * 1979-03-29 1980-10-07 Ulvac Corp Electron beam plate making method by vapor phase film formation and vapor phase development
US4581337A (en) 1983-07-07 1986-04-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Polyether polyamines as linking agents for particle reagents useful in immunoassays
US5032461A (en) 1983-12-19 1991-07-16 Spectrum Control, Inc. Method of making a multi-layered article
US4842893A (en) 1983-12-19 1989-06-27 Spectrum Control, Inc. High speed process for coating substrates
EP0155823B1 (de) 1984-03-21 1989-07-26 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Beschichtung von Gegenständen mit Kunststoffilmen
US4695618A (en) 1986-05-23 1987-09-22 Ameron, Inc. Solventless polyurethane spray compositions and method for applying them
JP2530350B2 (ja) 1986-06-23 1996-09-04 スペクトラム コントロール,インコーポレイテッド モノマ―流体のフラッシュ蒸発
US4954371A (en) * 1986-06-23 1990-09-04 Spectrum Control, Inc. Flash evaporation of monomer fluids
JPS6316316A (ja) 1986-07-08 1988-01-23 Matsushita Graphic Commun Syst Inc リセツト装置
JPH07105034B2 (ja) 1986-11-28 1995-11-13 株式会社日立製作所 磁気記録体
JP2627619B2 (ja) 1987-07-13 1997-07-09 日本電信電話株式会社 有機非晶質膜作製方法
US4847469A (en) 1987-07-15 1989-07-11 The Boc Group, Inc. Controlled flow vaporizer
JPH02183230A (ja) 1989-01-09 1990-07-17 Sharp Corp 有機非線形光学材料及びその製造方法
JP2678055B2 (ja) 1989-03-30 1997-11-17 シャープ株式会社 有機化合物薄膜の製法
US5792550A (en) 1989-10-24 1998-08-11 Flex Products, Inc. Barrier film having high colorless transparency and method
US5204314A (en) 1990-07-06 1993-04-20 Advanced Technology Materials, Inc. Method for delivering an involatile reagent in vapor form to a CVD reactor
US5711816A (en) 1990-07-06 1998-01-27 Advanced Technolgy Materials, Inc. Source reagent liquid delivery apparatus, and chemical vapor deposition system comprising same
US5362328A (en) 1990-07-06 1994-11-08 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and method for delivering reagents in vapor form to a CVD reactor, incorporating a cleaning subsystem
JP2755844B2 (ja) 1991-09-30 1998-05-25 シャープ株式会社 プラスチック基板液晶表示素子
US5372851A (en) 1991-12-16 1994-12-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing a chemically adsorbed film
US5759329A (en) 1992-01-06 1998-06-02 Pilot Industries, Inc. Fluoropolymer composite tube and method of preparation
JP2958186B2 (ja) 1992-04-20 1999-10-06 シャープ株式会社 プラスチック基板液晶表示素子
US5427638A (en) 1992-06-04 1995-06-27 Alliedsignal Inc. Low temperature reaction bonding
US5652192A (en) 1992-07-10 1997-07-29 Battelle Memorial Institute Catalyst material and method of making
GB9215928D0 (en) 1992-07-27 1992-09-09 Cambridge Display Tech Ltd Manufacture of electroluminescent devices
US5260095A (en) 1992-08-21 1993-11-09 Battelle Memorial Institute Vacuum deposition and curing of liquid monomers
DE4232390A1 (de) 1992-09-26 1994-03-31 Roehm Gmbh Verfahren zum Erzeugen von siliciumoxidischen kratzfesten Schichten auf Kunststoffen durch Plasmabeschichtung
JPH06182935A (ja) 1992-12-18 1994-07-05 Bridgestone Corp ガスバリア性ゴム積層物及びその製造方法
KR100241470B1 (ko) 1993-10-04 2000-02-01 지. 쇼 데이비드 커패시터 유전체 및 산소 배리어의 형성에 유용한 가교 결합된 아크릴레이트 코팅 물질
US5440446A (en) 1993-10-04 1995-08-08 Catalina Coatings, Inc. Acrylate coating material
US5654084A (en) 1994-07-22 1997-08-05 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Protective coatings for sensitive materials
US6083628A (en) 1994-11-04 2000-07-04 Sigma Laboratories Of Arizona, Inc. Hybrid polymer film
US5607789A (en) 1995-01-23 1997-03-04 Duracell Inc. Light transparent multilayer moisture barrier for electrochemical cell tester and cell employing same
US5620524A (en) 1995-02-27 1997-04-15 Fan; Chiko Apparatus for fluid delivery in chemical vapor deposition systems
US5811183A (en) 1995-04-06 1998-09-22 Shaw; David G. Acrylate polymer release coated sheet materials and method of production thereof
US5554220A (en) 1995-05-19 1996-09-10 The Trustees Of Princeton University Method and apparatus using organic vapor phase deposition for the growth of organic thin films with large optical non-linearities
JPH08325713A (ja) 1995-05-30 1996-12-10 Matsushita Electric Works Ltd 有機質基材表面への金属膜形成方法
US5629389A (en) 1995-06-06 1997-05-13 Hewlett-Packard Company Polymer-based electroluminescent device with improved stability
EP0835279B1 (de) 1995-06-30 2003-12-17 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Verbesserte oberflächenbehandlung von polymeren
US5681615A (en) * 1995-07-27 1997-10-28 Battelle Memorial Institute Vacuum flash evaporated polymer composites
JPH0959763A (ja) 1995-08-25 1997-03-04 Matsushita Electric Works Ltd 有機質基材表面への金属膜形成方法
US5723219A (en) 1995-12-19 1998-03-03 Talison Research Plasma deposited film networks
DE19603746A1 (de) 1995-10-20 1997-04-24 Bosch Gmbh Robert Elektrolumineszierendes Schichtsystem
US5811177A (en) 1995-11-30 1998-09-22 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
US5686360A (en) 1995-11-30 1997-11-11 Motorola Passivation of organic devices
US5684084A (en) 1995-12-21 1997-11-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Coating containing acrylosilane polymer to improve mar and acid etch resistance
US5716683A (en) 1996-01-30 1998-02-10 Becton, Dickinson And Company Blood collection tube assembly
US5955161A (en) 1996-01-30 1999-09-21 Becton Dickinson And Company Blood collection tube assembly
US5683771A (en) 1996-01-30 1997-11-04 Becton, Dickinson And Company Blood collection tube assembly
US5763033A (en) 1996-01-30 1998-06-09 Becton, Dickinson And Company Blood collection tube assembly
US5738920A (en) 1996-01-30 1998-04-14 Becton, Dickinson And Company Blood collection tube assembly
US6106627A (en) 1996-04-04 2000-08-22 Sigma Laboratories Of Arizona, Inc. Apparatus for producing metal coated polymers
US5731948A (en) 1996-04-04 1998-03-24 Sigma Labs Inc. High energy density capacitor
US5731661A (en) 1996-07-15 1998-03-24 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
US5902688A (en) 1996-07-16 1999-05-11 Hewlett-Packard Company Electroluminescent display device
US5693956A (en) 1996-07-29 1997-12-02 Motorola Inverted oleds on hard plastic substrate
US5844363A (en) 1997-01-23 1998-12-01 The Trustees Of Princeton Univ. Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices
US5948552A (en) 1996-08-27 1999-09-07 Hewlett-Packard Company Heat-resistant organic electroluminescent device
WO1998010116A1 (en) 1996-09-05 1998-03-12 Talison Research Ultrasonic nozzle feed for plasma deposited film networks
KR19980033213A (ko) 1996-10-31 1998-07-25 조셉제이.스위니 스퍼터링 챔버내의 미립자 물질 발생 감소 방법
US5821692A (en) 1996-11-26 1998-10-13 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device hermetic encapsulation package
US5912069A (en) 1996-12-19 1999-06-15 Sigma Laboratories Of Arizona Metal nanolaminate composite
US5872355A (en) 1997-04-09 1999-02-16 Hewlett-Packard Company Electroluminescent device and fabrication method for a light detection system
US5965907A (en) 1997-09-29 1999-10-12 Motorola, Inc. Full color organic light emitting backlight device for liquid crystal display applications
US5902641A (en) * 1997-09-29 1999-05-11 Battelle Memorial Institute Flash evaporation of liquid monomer particle mixture
US6224948B1 (en) 1997-09-29 2001-05-01 Battelle Memorial Institute Plasma enhanced chemical deposition with low vapor pressure compounds
EP0916394B1 (de) 1997-11-14 2004-03-10 Sharp Kabushiki Kaisha Verfahren und Einrichtung zur Hertellung von modifizierten Partikeln
US6045864A (en) 1997-12-01 2000-04-04 3M Innovative Properties Company Vapor coating method
DE19802740A1 (de) 1998-01-26 1999-07-29 Leybold Systems Gmbh Verfahren zur Behandlung von Oberflächen von Substraten aus Kunststoff
US5996498A (en) 1998-03-12 1999-12-07 Presstek, Inc. Method of lithographic imaging with reduced debris-generated performance degradation and related constructions
US5904958A (en) 1998-03-20 1999-05-18 Rexam Industries Corp. Adjustable nozzle for evaporation or organic monomers
US6146225A (en) 1998-07-30 2000-11-14 Agilent Technologies, Inc. Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices
US6207239B1 (en) * 1998-12-16 2001-03-27 Battelle Memorial Institute Plasma enhanced chemical deposition of conjugated polymer

Also Published As

Publication number Publication date
DE69917069D1 (de) 2004-06-09
JP2002532576A (ja) 2002-10-02
TW467771B (en) 2001-12-11
WO2000035602A1 (en) 2000-06-22
US6207239B1 (en) 2001-03-27
KR20010101253A (ko) 2001-11-14
US6544600B2 (en) 2003-04-08
US20010033901A1 (en) 2001-10-25
US6509065B2 (en) 2003-01-21
EP1144131A1 (de) 2001-10-17
EP1144131B1 (de) 2004-05-06
US20020071911A1 (en) 2002-06-13
ATE265898T1 (de) 2004-05-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69917069T2 (de) Plasmaunterstützte gasphasenausscheidung von konjugierten polymeren
DE69918173T2 (de) Verfahren zum herstellen von polymeren mit nichtlinearen optischen eigenschaften
DE69823532T2 (de) Plasma unterstützte chemische dampfabscheidung aus rohstoffen mit niedrigem damfdruck
US6228436B1 (en) Method of making light emitting polymer composite material
US6228434B1 (en) Method of making a conformal coating of a microtextured surface
Cemel et al. Polymerization of vinyl stearate multilayers
US6207238B1 (en) Plasma enhanced chemical deposition for high and/or low index of refraction polymers
EP0133621B1 (de) Verfahren zum Trockenätzen von Kupfer und seine Verwendung
DE2359535A1 (de) Durch plasmapolymerisation von allylamin hergestelltes polymerisat und verfahren zu seiner herstellung
DE3521318A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum behandeln, insbesondere zum beschichten, von substraten mittels einer plasmaentladung
DE2445433A1 (de) Elektronenstrahl-aufzeichnungstraeger
EP0132684B1 (de) Verfahren zum Erzeugen von Glimmpolymerisat-Schichten
EP0299678B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines superlangen konjugierten Polymers
DE2625448C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Schutzschicht auf der Oberfläche optischer Reflektoren
DE2835625A1 (de) Polymerisationsverfahren
EP0604596A1 (de) Verfahren zur erzeugung dünner, mikroporenfreier, leitender polymerschichten.
EP0312099A2 (de) Verfahren zur Herstellung von Polyacetylen
DE2537416B2 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer schutzschicht auf der oberflaeche optischer reflektoren
DE102011001642B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer Polymerschicht
Han Synthesis and applications of thin film materials obtained via pulsed plasma polymerizations of cyclic organic monomers
JPS6333557A (ja) 分子性結晶薄膜製造方法及び製造装置
JPH0731398B2 (ja) 累積膜およびそれを利用したレジスト
DE4336082A1 (de) Verfahren zur Plasmabeschichtung von festen Substraten mittels eines abscheidbaren Gases

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
R082 Change of representative

Ref document number: 1144131

Country of ref document: EP

Representative=s name: VOLLMANN & HEMMER, DE

R081 Change of applicant/patentee

Ref document number: 1144131

Country of ref document: EP

Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD., KR

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD., YONGIN-CITY, KR

Effective date: 20121017

R082 Change of representative

Ref document number: 1144131

Country of ref document: EP

Representative=s name: VOLLMANN & HEMMER, DE

Effective date: 20121017