DE69838207T2 - Uv/blau emittierende phosphor-vorrichtung mit effizienter umwandlung von uv/blauem licht in sichtbares licht - Google Patents

Uv/blau emittierende phosphor-vorrichtung mit effizienter umwandlung von uv/blauem licht in sichtbares licht Download PDF

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    • Y10S362/00—Illumination
    • Y10S362/80—Light emitting diode

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Licht emittierende Anordnungen mit einer UV/Blau Licht emittierenden Diode (LED) und einem mit UV/Blau-anregbaren, sichtbares Licht emittierenden Leuchtstoff. Licht emittierende Anordnungen dieser Art sind in Japanese Kokai Nr. 5-152609 und in WO 97/48138 , hinterlegt im Namen der Anmelderin, offenbart.
  • Unter dem Begriff "UV/Blau-LED", wie hier verwendet, wird eine in dem UV-Bereich oder in dem Blau-Bereich oder aber sowohl in dem UV- als auch in dem Blau-Bereich des elektromagnetischen Spektrums emittierende LED verstanden.
  • Sichtbare Leuchtdioden (LEDs) sind allgemein bekannt. Dieses sind epitaxiale Mehrschichtstrukturen, die in der Hauptsache auf AlGaAs und InGaAlP als Grundmaterialien basieren. In diesen LEDs wird in einem aktiven Bereich mit einem Brechungsindex n von etwa 3,5 Licht erzeugt und bei einer isotropen Winkelverteilung emittiert. Das Licht muss dann Grenzflächen passieren, um aus der LED auszutreten. Solche LEDs sind typischerweise in einem Epoxidharz mit Brechungsindex n von etwa 1,5 gekapselt. Die Anwendung des Snelliusschen Brechungsgesetzes zeigt, dass lediglich Licht, welches von dem aktiven Bereich innerhalb eines Winkels Theta von etwa 0,443 Radiant zu der Normalen der Grenzschicht mit dem Epoxidharz emittiert wird, von der Oberseite des LED-Stapels austreten kann. Bei größeren Winkeln erfolgt eine innere Totalreflexion. Dieses heißt, dass lediglich ein Teil (1 – cos(theta)), folglich 9,6%, des Lichts verwendet werden kann.
  • Dieses Problem wurde erkannt, und die Effizienz sichtbarer LEDs wurde durch Reflektieren von sichtbarem, von den Seiten des LED-Stapels reflektiertem Licht, so genanntem Randlicht, zu der Betrachtungsseite hin signifikant verbessert. Die Randemission von LEDs ist besonders wichtig, wenn innere Verluste gering sind, so dass Licht, welches von der Oberseite oder unteren Fläche des LED-Stapels innen reflektiert wird, von den Rändern ohne zuviel Absorption entweichen kann. Das anschließende Entweichen sichtbaren Lichts von dem Epoxidharz in Luft findet auf relativ effiziente Weise statt, indem das Epoxidharz 11 in Form einer Kuppel 12 mit relativ großen Dimensionen im Vergleich zu den Dimensionen des LED-Stapels 13 und des schalenförmigen Kopfes 14, in welchem, wie in 1 dargestellt, die LED platziert ist, ausgebildet wird.
  • Auf Grund dieser großen Dimensionen bildet der Großteil des von der LED kommenden Ober- und Randlichts bei Ankommen an der Kuppel-Luft-Grenzfläche einen kleinen Winkel mit der Normalen, und der Großteil dieses Lichts wird somit durchgelassen.
  • Durch neuere Verbesserungen von epitaxialen Anordnungen auf GaN-Basis bot sich die Möglichkeit, UV/Blau-Laser sowie UV/Blau-LEDs vorzusehen. Bei einigen Anwendungen kann die Umwandlung von UV/blauem Licht von einer LED in sichtbares (z.B. rotes, grünes, blaues oder weißes) Licht unter Einsatz von Leuchtstoffen attraktiver als die direkte Anwendung von sichtbaren LEDs sein. Solche UV/Blau LED-Leuchtstoffanordnungen bieten zum Beispiel die Möglichkeit, einen breiteren Farbbereich zu umfassen, was sowohl für Anzeige- als auch Beleuchtungsanwendungen wichtig ist.
  • JP 07 099 345 A (Nichia Chem. Ind. Ltd.) beschreibt eine LED mit einem in einer Schale angeordneten, Licht emittierenden Element, wobei das Licht emittierende Element von einem, eine Wellenumformungsverbindung enthaltenden Kapselungsmaterial bedeckt ist.
  • GB 1 332 462 (RCA) beschreibt eine Elektrolumineszenzanordnung mit einem Elektrolumineszenz-Halbleiterelement, welches in einem eine Wellenumformungsverbindung enthaltenden Kapselungsmaterial gekapselt ist.
  • Eine erfolgreiche Implementierung solcher Anwendungen in einer Anordnung ist selbstverständlich von der effizienten Umwandlung von UV/blauem Licht in sichtbares Lichts und der nachfolgenden, effizienten Extraktion des erzeugten, sichtbaren Lichts aus der Anordnung abhängig.
  • AUFGABEN UND ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Infolgedessen liegt der Erfindung aus Aufgabe zugrunde, diese effiziente Umwandlung und Extraktion von Licht aus einer UV/Blau-LED-Leuchtstoffanordnung zu verbessern.
  • Weiterhin liegt der Erfindung als Aufgabe zugrunde, die spektrale Verteilung des von einer solchen Anordnung emittierten Lichts zu modifizieren.
  • Bei UV/Blau-LEDs auf GaN-Basis wird das UV/Blau-Licht in einem aktiven Bereich mit einem Brechungsindex von etwa 2,5, signifikant unterhalb des früher angegebenen Wertes von 3,5 für sichtbare LEDs auf GaAs-Basis, erzeugt. Die Winkelverteilung dieses Lichts ist ebenfalls isotrop. Auf Grund dieses niedrigeren Brechungsindex könnte man annehmen, dass ein wesentlich größerer Teil von UV/Blau-Licht durch die Oberseite des Stapels in das Epoxidharz emittiert wird, und dass Randlicht somit von wesentlich geringerer Bedeutung ist.
  • Die Anwendung des Snelliusschen Brechungsgesetzes zeigt jedoch, dass lediglich Licht, welches in dem aktiven Bereich innerhalb eines Winkels Theta = 0,644 Radiant zu der Normalen der Grenzfläche mit dem Epoxidharz emittiert wird, schließlich von der Oberseite der LED in das Epoxidharz austreten kann. Bei größeren Winkeln findet noch immer innere Totalreflexion statt. Dieses heißt, dass in diesem Fall ein Teil (1 – cos(theta)), folglich noch immer nur etwa 20%, des Lichts verwendet werden kann. Somit gehen etwa 80% des erzeugten UV/Blau-Lichts verloren, so dass Randlicht noch immer wichtig sein kann, wenn die Absorption von UV/Blau-Licht in dem LED-Stapel relativ gering ist.
  • Folglich ist nach einem ersten Aspekt der Erfindung die Verwendung eines Hauptteils des Randlichts in einer solchen Anordnung durch den Einsatz und die geeignete Positionierung von Reflektoren und Leuchtstoff vorgesehen.
  • Nach einem zweiten Aspekt der Erfindung ist die Beeinflussung der Winkelemission und der Farbe des von der UV/Blau-LED-Leuchtstoffanordnung emittierten, sichtbaren Lichts durch den Einsatz von einem oder mehreren dielektrischen Filtern in der Anordnung vorgesehen.
  • Gemäß der Erfindung umfasst eine Licht emittierende Anordnung zur Lichtanwendung und/oder zu Displayzwecken eine UV/Blau-LED, welche in einer Vertiefung mit reflektierenden Seitenwänden angeordnet ist, wobei ein Lichtleitmaterial die LED umgibt und die Vertiefung ausfüllt und ein Leuchtstoff in Form von Teilchen entweder in dem Lichtleitmaterial verteilt ist oder an der Oberfläche der LED haftet. Die Seitenwände reflektieren UV/Blau- sowie sichtbares Licht, wodurch die Effizienz der Anordnung verbessert wird.
  • Optische Filter, welche auf der Oberseite der LED und/oder der unteren Fläche einer die Vertiefung bedeckenden, UV/Blau-absorbierenden Glasplatte angeordnet sind, verbessern die Effizienz und/oder spektralen Charakteristiken des emittierten Lichts weiter. Zum Beispiel kann in einem zweidimensionalen Array solcher LEDs ein zugeordnetes Array von Farbfiltern verwendet werden, um weißes Licht in Farblicht umzuwandeln oder die Farbreinheit von Farblicht zu verbessern.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im Folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
  • 1A – eine schematische Darstellung einer bekannten, sichtbares Licht emittierenden Anordnung mit einer sichtbaren LED;
  • 1B – eine detaillierte Ansicht der LED in der Anordnung von 1A;
  • 2 – eine schematische Darstellung eines Teils einer UV/Blau-LED-Leuchtstoffanordnung, welche dazu dienen soll, die Erfindung besser zu verstehen; sowie
  • 3 bis 5 – schematische Darstellungen wie diese von 2, welche die Ausführungsbeispiele der Erfindung zeigen.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
  • Die in den Licht emittierenden Anordnungen der Erfindung verwendeten UV/Blau-LEDs gleichen von der Struktur her diesen sichtbarer LEDs der in 1B dargestellten Art, d.h. solche Strukturen umfassen mindestens eine untere, ohmsche Kontaktschicht 1, ein Substrat 2, eine aktive Schicht 4, welche zwischen einer unteren und oberen Begrenzungsschicht 3 und 5 mit breitem Bandabstand angeordnet ist, eine Injektions-/Fensterschicht 5 mit breitem Bandabstand sowie eine obere, ohmsche Kontaktschicht 6. Jedoch basieren UV/Blau-LEDs statt auf GaAs und Legierungen desselben auf GaN und Legierungen desselben. Solche LEDs können eine oder mehrere zusätzliche Schichten, wie z.B. Führungsschichten und Pufferschichten, umfassen. Darüber hinaus kann die Injektions-/Fensterschicht selbst durch eine Mehrschichtstruktur mit einem gradierten Bandabstand dargestellt sein.
  • Eine nähere Beschreibung solcher LEDs auf GaN-Basis kann aus WO 97/48138 ersehen werden.
  • Anordnung 1
  • Bezug nehmend auf 2 umfasst eine Anordnung 20 einen UV/Blau-LED-Stapel 21, welcher sich in einem schalenförmigen Kopf 22 (z.B. aus Kunststoff), ähnlich dem in 1A dargestellten Kopf, befindet. Auf der Innenseite der Schale ist ein Spiegel 23 vorgesehen, welcher sowohl das von der LED 21 erzeugte UV/Blau-Licht sowie das von dem Leuchtstoff 24 erzeugte sichtbare Licht reflektiert. Wird die Betrachtungsseite als Vorderseite bezeichnet, können die Durchführungen mit elektrischen Anschlüssen, ähnlich wie in 1 dargestellt, auf der Rückseite vorgesehen sein.
  • Der Kopf in 1 ist eigens durch Isolationsbereich 17 in zwei leitende Teile 14a und 14b unterteilt, von denen Zuleitungen 15 und 16 ausgehen. LED-Stapel 13 stellt mit Teil 14a über die untere, ohmsche Kontaktschicht 1 Kontakt her, während Zuleitungsdraht 7 Teil 14b mit der oberen, ohmschen Kontaktschicht 6 verbindet.
  • Die Schale ist mit transparentem Material 25, vorzugsweise einem UV/Blau-Licht beständigen Epoxidharz, wie z.B. einem cycloaliphatischen Epoxidharz, gefüllt, durch welches der Leuchtstoff 24 homogen gemischt wird. Das Produkt der Leuchtstoffkorndichte und -korngröße sollte groß genug sein, um sicherzustellen, dass der Großteil des UV/Blau-Lichts in sichtbares Licht umgewandelt wird. Um zu verhindern, dass UV/Blau-Licht, welches von den Leuchtstoffkörnern nicht absorbiert wird, in Luft austritt, kann Absorber 26, eine kleine, ebene Glasplatte, auf der Oberseite des schalenförmigen Kopfes platziert werden. Randlicht, welches von den Leuchtstoffkörnern 24 nicht absorbiert wird, wird von Spiegel 26 rückreflektiert, um bei anderer Gelegenheit absorbiert zu werden. Somit wird die Effizienz der Anordnung verbessert.
  • Ein Vorteil des Mischens der Leuchtstoffkörner durch das Epoxidharz ist, dass die Anzahl Verfahrensschritte im Vergleich zu dem Fall, in dem Leuchtstoffschichten getrennt aufgebracht werden, reduziert wird. Letzteres würde das Auftragen mit einem Bindemittel und einem separaten Härtungsschritt zur Beseitigung des Bindematerials umfassen. Wenn erforderlich, können die Leuchtstoffkörner mit einer Schutzschicht versehen werden, um mögliche Reaktionen zwischen Leuchtstoffkörnern und dem Epoxidharz zu verhindern.
  • Bei den Leuchtstoffkörnern in dem Ausführungsbeispiel von 2 kann es sich entweder um einen Leuchtstoff, der eine Farbe emittiert (Breitband, Schmalband oder Multiline, z.B. rot, grün, blau, gelb oder weiß) oder eine Mischung aus verschiedene Farben emittierenden Leuchtstoffkörnern handeln, um eine gute Farbwiedergabe zu erzielen.
  • Das sichtbare Licht wird in dem Epoxidharz isotrop emittiert. Bei Austreten aus dem Epoxidharz in Luft findet ein Übergang von n = 1,5 auf n = 1,0 statt. Bei erneuter Anwendung des Snelliusschen Brechungsgesetzes ergibt sich, dass nur sichtbares Licht, welches in dem n = 1,5 Material innerhalb eines Winkels Theta = 0,730 Radiant zu der Normalen der Grenzschicht emittiert wird, bei n = 1,0 in die Luft austreten kann. Bei größeren Winkeln erfolgt eine innere Totalreflexion. Das heißt, dass ein Teil (1 – cos(theta), folglich noch immer nur 25,6% des Lichts, herausgeführt werden kann.
  • Die meisten Leuchtstoffe weisen jedoch einen Brechungsindex von 2 oder größer auf. Bei einem Epoxidharz, welches hoch transparent ist und einen signifikant kleineren Brechungsindex als die Leuchtstoffkörner aufweist, bedeutet dieses, dass das rückreflektierte Licht durch die Leuchtstoffkörner (mehrfach) gestreut wird. Ein Teil davon wird auf Winkel innerhalb 0,730 Radiant zu der Normalen neu verteilt und kann dann in Luft austreten. Die Emission von sichtbarem Licht in Luft wird durch diese Winkelneuverteilung verbessert, da somit ein hinreichend unterschiedlicher Brechungsindex von Epoxidharz und Leuchtstoff sichergestellt ist. Ein Aufrauen der Außenfläche des Epoxidharzes kann ebenfalls von Nutzen sein, um die Einfallswinkel des Lichts auf die Epoxid-Luft-Grenzschicht zu verändern und die Gesamtlichtemission zu verbessern.
  • 2 zeigt somit eine Anordnung 1, bei welcher ein effizienter Einsatz von UV/Blau-Randlicht erfolgt und bei welcher das erzeugte, sichtbare Licht ebenfalls auf effiziente Weise aufgefangen wird. Der das UV/sichtbare Licht reflektierende Spiegel auf der Innenseite der Schale leistet einen wesentlichen Beitrag zu dem effizienten Einsatz von sowohl UV- als auch sichtbarem Licht.
  • Die in 2 dargestellte UV/Blau-LED-Leuchtstoffanordnung mit einer einzelnen LED kann allein oder zusammen mit weiteren solchen Anordnungen verwendet werden. Zum Beispiel können solche Anordnungen in 1- oder 2-dimensionalen Arrays mit jeweils separater LED in einer Schale, mit Spiegel auf der Innenseite sowie mit Epoxidharz und Leuchtstoff gefüllt, angeordnet sein. Des Weiteren kann ebenfalls ein LED-Stapel vorgesehen sein, welcher in einer Richtung, zum Beispiel der y-Richtung (senkrecht zu der Ebene der Figur), wesentlich länger als in der anderen (der x-) Richtung ist. In diesem Fall würde die Schale zu einem Kanal werden, der eine ausreichende Länge besitzt, um die längliche LED aufzunehmen. Eine solche längliche Anordnung kann allein oder in einem Array, zum Beispiel in Kombination mit einer transparenten Platte als UV/Blau- Hintergrundbeleuchtung für eine der von Vriens in US 4 822 144 beschriebenen LCD-Anzeigen, verwendet werden.
  • Es wird davon ausgegangen, dass eine solche längliche LED mit zum Beispiel einem Längen-Breiten-Verhältnis von 2 oder mehr eine effizientere Lichtextraktion und thermische Leitfähigkeit als eine LED der gleichen Fläche mit einem Verhältnis von nahezu Eins aufweist.
  • Anordnung 2
  • Anordnung 2 gleich Anordnung 1 mit dem Unterschied, dass die LED-Schalen-Kombination, wobei die Schale mit der Leuchtstoff-Epoxidharz-Mischung gefüllt ist, in einem transparenten Epoxidharz mit wesentlich größeren Dimensionen und mit einer kuppelförmigen Oberseite auf die gleiche Weise, wie in 1 dargestellt, gekapselt ist. Hierdurch entsteht eine Epoxid-Luft-Grenzfläche, welche wesentlich weiter von dem Bereich entfernt ist, in dem das sichtbare Licht erzeugt wird, und in wesentlich kleineren Einfallswinkeln des Lichts zu der Senkrechten auf der Epoxid-Luft-Grenzfläche resultiert. Diese kleineren Winkel führen wiederum zu einer wesentlich verbesserten Transmission des Lichts durch diese Grenzfläche und zu einer wesentlich engeren Winkelverteilung des emittierten Lichts.
  • Das zur Kapselung verwendete Epoxidharz enthält kein Leuchtstoffmaterial und muss nicht vom gleichen Typ wie das zum Füllen der Schale eingesetzte Epoxidharz sein. Die zum UV-Schutz verwendete, kleine Glasplatte kann zwischen den beiden Epoxidharzen positioniert sein.
  • Anordnung 2 kann entweder bei Verwendung einer Einzel-LED oder mehrerer LEDs in 1- oder 2-dimensionalen Arrays eingesetzt werden, wenn die Anwendung einen relativ großen Abstand zwischen den einzelnen LEDs erlaubt. Die Verwendung größerer Abstände zwischen den einzelnen LEDs ist zur Reduzierung von Erwärmungsproblemen von Vorteil.
  • Ausführungsbeispiel 1
  • 3 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel 30 der vorliegenden Erfindung. 3 gleicht 2 mit der Ausnahme, dass zusätzlich ein Filter 27 mit langwelligem Durchlassbereich (LWP) angeordnet und auf der Vorder-(Betrachtungs-) Seite des LED-Stapels 21 positioniert ist. Dieses LWP-Filter kann zum Beispiel durch Aufdampfung oder Aufsputtern auf die Glasplatte 26 vorgesehen werden, die dann, wie im vorherigen Fall, zum zusätzlichen UV-Schutz dient. Die bevorzugten LWP-Filter sind dielektrische Mehrschichtstapel mit abwechselnd hohem und niedrigem Brechungsindex. Die Funktionen des LWP-Filters sind: (1) UV/Blau-Licht zu dem Leuchtstoff zurück zu reflektieren, und (2) sichtbares, von dem Leuchtstoff emittiertes Licht durchzulassen. Auf diese Weise wird eine bessere Absorption des UV/Blau-Lichts durch den Leuchtstoff gewährleistet, und es besteht ebenfalls die Möglichkeit, die Leuchtstoffkorndichte zu reduzieren. Hierdurch wird wiederum die Transmission des sichtbaren Lichts verbessert. Ferner bietet die Reflexion von UV/Blau-Licht einen Schutz für das Epoxidharz, welches zur Kapselung eingesetzt werden kann, und stellt ebenfalls einen Schutz für die Betrachter dar. Das Gesamtergebnis ist ein effektiverer Einsatz von sowohl dem UV- als auch dem sichtbaren Licht sowie ein besserer UV-Schutz.
  • Ausführungsbeispiel 2
  • Ausführungsbeispiel 2 gleicht Ausführungsbeispiel 1 mit dem Unterschied, dass die LED-Schalen-Kombination, wobei die Schale mit der Leuchtstoff-Epoxidharz-Mischung gefüllt und auf der Oberseite der Glasplatte das LWP-Filter vorgesehen ist, in einem transparenten Epoxidharz mit wesentlich größeren Dimensionen und mit der Kuppel auf der Oberseite in der gleichen Weise, wie in 1 dargestellt, gekapselt ist. Hierdurch entsteht auch in diesem Fall eine Grenzfläche gegen Luft, welche wesentlich weiter von dem Bereich entfernt ist, in dem das sichtbare Licht erzeugt wird, und somit erneut in wesentlich kleineren Einfallswinkeln des Lichts zu der Senkrechten auf der Grenzfläche gegen Licht resultiert.
  • Diese kleineren Einfallswinkel führen zu einer wesentlich verbesserten Transmission des Lichts durch diese Grenzfläche und zu einer wesentlich engeren Gesamtwinkelverteilung des emittierten Lichts.
  • Ausführungsbeispiel 3
  • Ausführungsbeispiel 3 gleicht Ausführungsbeispiel 1 mit der Ausnahme, dass an Stelle eines Filters mit langwelligem Durchlassbereich ein Filter 27 mit kurzwelligem Durchlassbereich (SWP) auf der Vorder-(Betrachtungs-) Seite des LED-Stapels 21 zusätzlich angeordnet ist. Dieses SWP-Filter kann ebenfalls zum Beispiel durch Aufdampfung oder Aufsputtern auf die zuvor erwähnte Glasplatte vorgesehen werden. Die Glasplatte 26 wird dann wie zuvor zum UV-Schutz verwendet.
  • Die bevorzugten SWP-Filter sind dielektrische Mehrschichtstapel mit abwechselnd hohem und niedrigem Brechungsindex und mit vorzugsweise mindestens 12 Schichten, größtenteils vom so genannten Viertelwellen-Typ. Hinsichtlich anderer Anordnungen, insbesondere Projektions-TV-Röhren, wurden solche Filter in US 4 634 926 , 4 647 812 und 4 882 617 von Vriens et al beschrieben. Diese Filter können für UV/Blau-LED-Leuchtstoffanordnungen verwendet werden, die mit einem Einfarben-(zum Beispiel rot, grün oder blau) Leuchtstoff versehen sind, welcher Breitband- oder Multiline-Licht, wie für Leuchtstoffe üblich, emittiert. Die Funktionen des SWP-Filters sind: (1) Licht zu langer Wellenlänge zu reflektieren und (2) einen Teil des Lichts der erwünschten Wellenlängen zu reflektieren. Ohne dieses Filter tritt letzteres in sowohl kleinen als auch großen Winkeln zu der Normalen (mit der so genannten Lambertschen oder Kosinus-Verteilung) in Luft aus. Mit dem Filter wird das Großwinkellicht von dem Filter reflektiert und anschließend mehrfach gestreut, winkelneuverteilt und von den Leuchtstoffkörnern zu dem Filter rückreflektiert. Ein signifikanter Teil dieses Lichts kann dann in kleinen Winkeln zu der Normalen auf der Oberfläche in Luft austreten. Das Gesamtergebnis ist eine engere Winkelverteilung mit einer Verstärkung der Lichtintensität in Vorwärtsrichtung bis zu einem Faktor 2 sowie eine gesättigtere (d.h. reinere) Farbe. Bei Anwendungen, bei denen ein mehr gerichteter Lichtstrahl erforderlich ist, wie z.B. bei optischen Systemen mit einem relativ kleinen Auffangwinkel, ist dieses von Vorteil. Gesättigtere Farben verbessern die Sichtbarkeit. Bei Anwendungen, wie z.B. Verkehrslichtern, können beide diese Vorteile von Bedeutung sein. Bei einer anderen Anwendung, Projektion, TV, wird das Funktionieren dieser Interferenzfilter mit kurzwelligem Durchlassbereich in Kombination mit einer Leuchtstoffschicht von Vriens et al in Philips Technical Review, Band 44, Nr. 7, 1989, näher erläutert.
  • Ausführungsbeispiel 4
  • Ausführungsbeispiel 4 gleicht Ausführungsbeispiel 3 mit der Ausnahme, dass die LED-Schalen-Kombination in einem transparenten Epoxidharz mit wesentlich größeren Dimensionen und mit einer kuppelförmigen Oberseite auf die gleiche Weise, wie in 1 dargestellt, gekapselt ist.
  • Ausführungsbeispiel 5
  • Ausführungsbeispiel 5 ist ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel, welches die Vorteile der Ausführungsbeispiele 1 und 3 miteinander verbindet. Dieses wird durch Einsatz eines Bandpass-(BP)-Interferenzfilters auf der Vorder-(Betrachtungs-) Seite des LED-Stapels 21 erreicht. Auf der kurzwelligen Seite weist dieses BP-Filter die Charakteristiken des LWP-Filters auf, d.h. es reflektiert UV/Blau-Licht und lässt sichtbares Licht durch. Auf der langwelligen Seite besitzt es die Charakteristiken des SWP-Filters, d.h. es reflektiert sichtbares Licht zu langer Wellenlängen in sämtlichen Winkeln und reflektiert sichtbares Licht kurzer Wellenlängen in großen Winkeln.
  • Die bevorzugten Bandpassfilter sind ebenfalls dielektrische Mehrschichtstapel mit abwechselnd hohem und niedrigem Brechungsindex, ebenfalls mit vorzugsweise mindestens 12 Schichten, bei einer Dickenverteilung, die von dieser des SWP-Filters leicht abweicht.
  • Ausführungsbeispiel 6
  • Ausführungsbeispiel 6 ist das gleiche wie Ausführungsbeispiel 5 mit der Ausnahme, dass die LED-Schalen-Kombination in einem transparenten Epoxidharz mit wesentlich größeren Dimensionen und mit einer kuppelförmigen Oberseite auf die gleiche Weise, wie in 1 dargestellt, gekapselt ist.
  • Ausführungsbeispiel 7
  • 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel 40 der vorliegenden Erfindung. 4 ist identisch mit 2 mit der Ausnahme, dass zusätzlich ein UV/Blauübertragendes und sichtbares Licht reflektierendes Filter 47 unmittelbar auf der Oberseite des LED-Stapels 21 angeordnet ist. Dieses ist ebenfalls ein Filter mit kurzwelligem Durchlassbereich (SWP), obgleich es an einer anderen Stelle angeordnet ist und eine andere Funktion als das in Ausführungsbeispiel 3 beschriebene SWP-Filter 27 hat. Die Verwendung des SWP-Filters unmittelbar auf der Oberseite des LED-Stapels hat den Vorteil, dass sichtbares Licht, welches von den Leuchtstoffkörnern in Richtung des LED-Stapels emittiert wird, von diesem Filter zu der Betrachtungsseite hin reflektiert wird. Dieses sichtbare Licht muss somit den LED-Stapel nicht zweimal passieren, was immer zu erhöhten Verlusten führen würde.
  • Die Gesamtintensität wird somit durch eine geringfügig kompliziertere Struktur erhöht.
  • Ausführungsbeispiele 8 bis 10
  • Diese Ausführungsbeispiele sind die Kombinationen von Ausführungsbeispiel 7 mit der UV/Blau-absorbierenden Glasplatte auf der Oberseite, wobei diese Glasplatte mit einem Filter versehen ist, bei dem es sich entweder um ein LWP-Filter, ein SWP-Filter oder ein Bandpassfilter handeln kann.
  • Ausführungsbeispiele 11 bis 13
  • Dieses sind die Ausführungsbeispiele 8 bis 10, wobei die Kapselung in Epoxidharz mit größeren Dimensionen und eine kuppelförmige Oberseite vorgesehen ist.
  • Ausführungsbeispiel 14
  • Die zuvor beschriebenen, bevorzugten Ausführungsbeispiele der Erfindung sind besonders dann geeignet, wenn die Wellenlänge des UV/Blau-Lichts nicht zu kurz ist, zum Beispiel über 390 nm. Werden kürzere Wellenlängen verwendet, im Bereich von 360 bis 390 nm, insbesondere nahe an 360 nm, ist es schwieriger, ein UV-beständiges Epoxidharz zu finden. In diesem Fall kann es von Vorteil sein, die Leuchtstoffkörner 54, wie aus dem in 5 dargestellten, bevorzugten Ausführungsbeispiel ersichtlich, so nah wie möglich an dem LED-Stapel aufzubringen. Der schalenförmige Kopf 22 kann dann mit Epoxidharz 25 gefüllt werden, welches noch immer so beständig wie möglich gegen UV/Blau-Licht ist. Sodann können alle weiteren zusätzlichen Anordnungen, wie in den Ausführungsbeispielen 1 bis 13 beschrieben, vorgenommen werden.
  • Die Erfindung wurde notwendigerweise in Bezug auf eine begrenzte Anzahl Ausführungsbeispiele und Variationen derselben beschrieben. Weitere Ausführungsbeispiele und Variationen von Ausführungsbeispielen ergeben sich für Fachkundige und sollen in dem Anwendungsbereich der beigefügten Ansprüche enthalten sein.

Claims (13)

  1. Sichtbares Licht emittierende Anordnung (30; 40; 50), welche aufweist: einen Stützkörper (22), welcher eine Oberseite mit einer Vertiefung mit einer Öffnung in der Oberseite aufweist, eine UV/Blau- und sichtbares Licht reflektierende Schicht (23) auf der Oberfläche der Vertiefung, eine auf der Licht reflektierenden Schicht (23) zentral angeordnete, UV/Blau-Licht emittierende Diode (21), wobei die LED (21) einen aktiven Bereich mit einem ersten Brechungsindex aufweist, Teilchen (24; 54) eines sichtbares Licht emittierenden Leuchtstoffs, welche die Seiten und die Oberseite der LED (21) umgeben, sowie ein UV/Blau- und sichtbares Licht übertragendes Material (25), welches die LED (21) umgibt und die Vertiefung ausfüllt, wobei das UV/Blau- und sichtbare Licht übertragende Material (25) einen zweiten Brechungsindex aufweist, welcher niedriger als der erste Brechungsindex ist, dadurch gekennzeichnet, dass ein Filter (27), welches aus der Gruppe, der ein Filter mit langwelligem Durchlassbereich, ein Filter mit kurzwelligem Durchlassbereich und ein Bandpassfilter angehören, ausgewählt wird, über der Oberseite der LED (21) angeordnet ist.
  2. Sichtbares Licht emittierende Anordnung nach Anspruch 1, wobei das Filter (27) ein Filter mit langwelligem Durchlassbereich ist.
  3. Sichtbares Licht emittierende Anordnung nach Anspruch 1, wobei das Filter (27) ein Filter mit kurzwelligem Durchlassbereich ist.
  4. Sichtbares Licht emittierende Anordnung nach Anspruch 1, wobei das Filter (27) ein Bandpassfilter ist.
  5. Sichtbares Licht emittierende Anordnung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die UV/Blau-Licht absorbierende, sichtbares Licht übertragende Platte (26) die Öffnung der Vertiefung bedeckt.
  6. Sichtbares Licht emittierende Anordnung nach Anspruch 5, wobei das Filter (27) auf der unteren Fläche der Platte (26) angeordnet ist.
  7. Sichtbares Licht emittierende Anordnung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei das Filter (27) einen dielektrischen Mehrschichtstapel mit abwechselnd hohem und niedrigem Brechungsindex aufweist.
  8. Sichtbares Licht emittierende Anordnung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die Leuchtstoffteilchen (24) in dem UV- und sichtbares Licht übertragenden Material dispergiert sind.
  9. Sichtbares Licht emittierende Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Leuchtstoffteilchen (54) an den Seiten und der Oberseite der LED (21) haften.
  10. Sichtbares Licht emittierende Anordnung nach Anspruch 6, wobei ein weiteres SWP-Filter (47) unmittelbar auf der Oberseite der LED (21) angeordnet ist.
  11. Sichtbares Licht emittierende Anordnung nach Anspruch 1, wobei die LED (21) in einer Richtung parallel zu der Ebene der Oberseite der LED (21) verlängert ist, und wobei die Vertiefung mit einer zur Aufnahme der LED ausreichenden Länge kanalförmig ist.
  12. Anzeigeanordnung mit einer Lichtquelle und einem elektrooptischen Lichtmodulator, wobei die Lichtquelle ein Array aus sichtbares Licht emittierenden Anordnungen nach Anspruch 1 umfasst.
  13. Sichtbares Licht emittierende Anordnung (30; 40; 50), welche aufweist: einen Stützkörper (22), welcher eine Oberseite mit einer Vertiefung mit einer Öffnung in der Oberseite aufweist, eine UV/Blau- und sichtbares Licht reflektierende Schicht (23) auf der Oberfläche der Vertiefung, eine auf der Licht reflektierenden Schicht (23) zentral angeordnete, UV/Blau-Licht emittierende Diode (21), wobei die LED (21) einen aktiven Bereich mit einem ersten Brechungsindex aufweist, Teilchen (24; 54) eines sichtbares Licht emittierenden Leuchtstoffs, welche die Seiten und die Oberseite der LED (21) umgeben, sowie ein UV/Blau- und sichtbares Licht übertragendes Material (25), welches die LED (21) umgibt und die Vertiefung ausfült, wobei das UV/Blau- und sichtbare Licht übertragende Material (25) einen zweiten Brechungsindex aufweist, welcher niedriger als der erste Brechungsindex ist, dadurch gekennzeichnet, dass ein SWP-Filter (47) unmittelbar auf der Oberseite der LED (21) angeordnet ist.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015104237B4 (de) 2015-03-20 2022-10-06 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement

Families Citing this family (551)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6041345A (en) * 1996-03-08 2000-03-21 Microsoft Corporation Active stream format for holding multiple media streams
EP1993152B1 (de) 1996-06-26 2014-05-21 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
EP0907970B1 (de) * 1997-03-03 2007-11-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Weisse lumineszenzdiode
US6623670B2 (en) 1997-07-07 2003-09-23 Asahi Rubber Inc. Method of molding a transparent coating member for light-emitting diodes
US7014336B1 (en) 1999-11-18 2006-03-21 Color Kinetics Incorporated Systems and methods for generating and modulating illumination conditions
US20030133292A1 (en) 1999-11-18 2003-07-17 Mueller George G. Methods and apparatus for generating and modulating white light illumination conditions
US5962971A (en) * 1997-08-29 1999-10-05 Chen; Hsing LED structure with ultraviolet-light emission chip and multilayered resins to generate various colored lights
US5982092A (en) * 1997-10-06 1999-11-09 Chen; Hsing Light Emitting Diode planar light source with blue light or ultraviolet ray-emitting luminescent crystal with optional UV filter
US6469322B1 (en) 1998-02-06 2002-10-22 General Electric Company Green emitting phosphor for use in UV light emitting diodes
US6252254B1 (en) 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6294800B1 (en) * 1998-02-06 2001-09-25 General Electric Company Phosphors for white light generation from UV emitting diodes
US6068383A (en) * 1998-03-02 2000-05-30 Robertson; Roger Phosphorous fluorescent light assembly excited by light emitting diodes
JPH11321455A (ja) * 1998-05-12 1999-11-24 Toyoda Gosei Co Ltd 車内照明装置
JP3410024B2 (ja) * 1998-06-18 2003-05-26 富士通株式会社 ガス放電表示装置
JP2000036201A (ja) * 1998-07-06 2000-02-02 Fukukoku Ko 被覆層分子内の電子を励起して異なる可視電磁波波長を発生する発光方法及び発光装置
US6160273A (en) * 1998-07-15 2000-12-12 Xerox Corporation Diode pumped solid state edge emitting light source
JP3785820B2 (ja) * 1998-08-03 2006-06-14 豊田合成株式会社 発光装置
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6404125B1 (en) * 1998-10-21 2002-06-11 Sarnoff Corporation Method and apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
US6366018B1 (en) * 1998-10-21 2002-04-02 Sarnoff Corporation Apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
US6204523B1 (en) * 1998-11-06 2001-03-20 Lumileds Lighting, U.S., Llc High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range
US6429583B1 (en) 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
US6299338B1 (en) 1998-11-30 2001-10-09 General Electric Company Decorative lighting apparatus with light source and luminescent material
US6373188B1 (en) * 1998-12-22 2002-04-16 Honeywell International Inc. Efficient solid-state light emitting device with excited phosphors for producing a visible light output
US6329676B1 (en) * 1999-03-01 2001-12-11 Toru Takayama Flat panel solid state light source
US6155699A (en) * 1999-03-15 2000-12-05 Agilent Technologies, Inc. Efficient phosphor-conversion led structure
JP2000269551A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Rohm Co Ltd チップ型発光装置
KR100556475B1 (ko) * 1999-04-01 2006-03-03 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
TW455908B (en) * 1999-04-20 2001-09-21 Koninkl Philips Electronics Nv Lighting system
JP2001144331A (ja) 1999-09-02 2001-05-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US6504301B1 (en) 1999-09-03 2003-01-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Non-incandescent lightbulb package using light emitting diodes
WO2001024284A1 (en) 1999-09-27 2001-04-05 Lumileds Lighting, U.S., Llc A light emitting diode device that produces white light by performing complete phosphor conversion
US6696703B2 (en) 1999-09-27 2004-02-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Thin film phosphor-converted light emitting diode device
US6686691B1 (en) 1999-09-27 2004-02-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Tri-color, white light LED lamps
IE20000790A1 (en) * 1999-10-01 2001-04-18 Stockeryale Irl Ltd Linear illumination
US6676279B1 (en) 1999-10-04 2004-01-13 David A. Hubbell Area lighting device using discrete light sources, such as LEDs
DE19952932C1 (de) * 1999-11-03 2001-05-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit breitbandiger Anregung
US20020176259A1 (en) 1999-11-18 2002-11-28 Ducharme Alfred D. Systems and methods for converting illumination
US7202506B1 (en) * 1999-11-19 2007-04-10 Cree, Inc. Multi element, multi color solid state LED/laser
US8829546B2 (en) * 1999-11-19 2014-09-09 Cree, Inc. Rare earth doped layer or substrate for light conversion
US6357889B1 (en) * 1999-12-01 2002-03-19 General Electric Company Color tunable light source
US6513949B1 (en) * 1999-12-02 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED/phosphor-LED hybrid lighting systems
US6666567B1 (en) * 1999-12-28 2003-12-23 Honeywell International Inc. Methods and apparatus for a light source with a raised LED structure
DE19963805B4 (de) 1999-12-30 2005-01-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Weißlichtquelle auf der Basis nichtlinear-optischer Prozesse
DE19964252A1 (de) * 1999-12-30 2002-06-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares Bauelement für eine LED-Weißlichtquelle
US7049761B2 (en) 2000-02-11 2006-05-23 Altair Engineering, Inc. Light tube and power supply circuit
US8093823B1 (en) 2000-02-11 2012-01-10 Altair Engineering, Inc. Light sources incorporating light emitting diodes
EP1264353A2 (de) 2000-03-06 2002-12-11 Teledyne Lighting and Display Products, Inc. Beleuchtungsvorrichtung mit einer quantenpunkt-schicht
JP2003526121A (ja) * 2000-03-06 2003-09-02 テレダイン ライティング アンド ディスプレイ プロダクツ， インコーポレイテッド 視界調節光学系を有するｌｅｄ光源
US6522065B1 (en) * 2000-03-27 2003-02-18 General Electric Company Single phosphor for creating white light with high luminosity and high CRI in a UV led device
US6538371B1 (en) 2000-03-27 2003-03-25 The General Electric Company White light illumination system with improved color output
US6409938B1 (en) 2000-03-27 2002-06-25 The General Electric Company Aluminum fluoride flux synthesis method for producing cerium doped YAG
US6867542B1 (en) * 2000-03-29 2005-03-15 General Electric Company Floating chip photonic device and method of manufacture
US6466135B1 (en) 2000-05-15 2002-10-15 General Electric Company Phosphors for down converting ultraviolet light of LEDs to blue-green light
US6621211B1 (en) 2000-05-15 2003-09-16 General Electric Company White light emitting phosphor blends for LED devices
US6501100B1 (en) * 2000-05-15 2002-12-31 General Electric Company White light emitting phosphor blend for LED devices
US6555958B1 (en) 2000-05-15 2003-04-29 General Electric Company Phosphor for down converting ultraviolet light of LEDs to blue-green light
US6648496B1 (en) 2000-06-27 2003-11-18 General Electric Company Nightlight with light emitting diode source
EP1228540B1 (de) 2000-06-29 2010-09-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optoelektrisches element
DE10036940A1 (de) * 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Lumineszenz-Konversions-LED
US6747406B1 (en) * 2000-08-07 2004-06-08 General Electric Company LED cross-linkable phospor coating
US7129638B2 (en) * 2000-08-09 2006-10-31 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting devices with a phosphor coating having evenly dispersed phosphor particles and constant thickness
US6614103B1 (en) * 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays
JP2002141556A (ja) 2000-09-12 2002-05-17 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
JP4077170B2 (ja) * 2000-09-21 2008-04-16 シャープ株式会社 半導体発光装置
JP3609709B2 (ja) * 2000-09-29 2005-01-12 株式会社シチズン電子 発光ダイオード
US6998281B2 (en) * 2000-10-12 2006-02-14 General Electric Company Solid state lighting device with reduced form factor including LED with directional emission and package with microoptics
US6650044B1 (en) 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
US6637924B2 (en) 2000-11-15 2003-10-28 Teledyne Lighting And Display Products, Inc. Strip lighting apparatus and method
US6515314B1 (en) * 2000-11-16 2003-02-04 General Electric Company Light-emitting device with organic layer doped with photoluminescent material
US6518600B1 (en) 2000-11-17 2003-02-11 General Electric Company Dual encapsulation for an LED
US20020063520A1 (en) * 2000-11-29 2002-05-30 Huei-Che Yu Pre-formed fluorescent plate - LED device
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
MY145695A (en) * 2001-01-24 2012-03-30 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
DE10105802A1 (de) 2001-02-07 2002-08-08 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Reflektorbehaftetes Halbleiterbauelement
US6541800B2 (en) 2001-02-22 2003-04-01 Weldon Technologies, Inc. High power LED
JP2002261333A (ja) * 2001-03-05 2002-09-13 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
WO2002084750A1 (en) * 2001-04-12 2002-10-24 Matsushita Electric Works, Ltd. Light source device using led, and method of producing same
US6686676B2 (en) 2001-04-30 2004-02-03 General Electric Company UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same
EP1419341A4 (de) 2001-05-03 2005-12-14 Luminary Logic Ltd Ultraviolette beleuchtung von angaben
JP3940596B2 (ja) * 2001-05-24 2007-07-04 松下電器産業株式会社 照明光源
US6989412B2 (en) * 2001-06-06 2006-01-24 Henkel Corporation Epoxy molding compounds containing phosphor and process for preparing such compositions
US6576488B2 (en) * 2001-06-11 2003-06-10 Lumileds Lighting U.S., Llc Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor
US6642652B2 (en) 2001-06-11 2003-11-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor-converted light emitting device
US6798136B2 (en) * 2001-06-19 2004-09-28 Gelcore Llc Phosphor embedded die epoxy and lead frame modifications
DE10131698A1 (de) 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2003029654A (ja) * 2001-07-11 2003-01-31 Sony Corp 表示装置
US6784603B2 (en) * 2001-07-20 2004-08-31 Teledyne Lighting And Display Products, Inc. Fluorescent lighting apparatus
DE10137042A1 (de) * 2001-07-31 2003-02-20 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Planare Lichtquelle auf LED-Basis
DE10142009B4 (de) * 2001-08-28 2010-04-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED - Lichtquelle mit einem Konversionsmittel und mit einer UV-absorbierenden Schicht
US6806642B2 (en) 2001-09-04 2004-10-19 Durel Corporation Light source with cascading dyes and BEF
US6599000B2 (en) * 2001-10-15 2003-07-29 Steven T. Nolan Interior lamp for producing white light using bright white LEDs
DE10153259A1 (de) 2001-10-31 2003-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP2003152227A (ja) * 2001-11-14 2003-05-23 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄの色補正手段および色補正方法
JP2003227884A (ja) * 2001-11-29 2003-08-15 Casio Comput Co Ltd 発光表示装置及び電子機器
US6979105B2 (en) * 2002-01-18 2005-12-27 Leysath Joseph A Light device with photonic band pass filter
JP4191937B2 (ja) * 2002-02-15 2008-12-03 株式会社日立製作所 白色光源及びそれを用いた画像表示装置
US6641284B2 (en) 2002-02-21 2003-11-04 Whelen Engineering Company, Inc. LED light assembly
JP2003255344A (ja) * 2002-03-05 2003-09-10 Citizen Electronics Co Ltd カラー液晶表示装置のフロントライト
US6635557B2 (en) * 2002-03-15 2003-10-21 Neumann Information Systems, Inc Halogen doped solid state materials
US6762432B2 (en) * 2002-04-01 2004-07-13 Micrel, Inc. Electrical field alignment vernier
US6641283B1 (en) 2002-04-12 2003-11-04 Gelcore, Llc LED puck light with detachable base
US6870311B2 (en) * 2002-06-07 2005-03-22 Lumileds Lighting U.S., Llc Light-emitting devices utilizing nanoparticles
TWI329367B (en) * 2002-06-13 2010-08-21 Cree Inc Saturated phosphor solid state emitter
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
JP2004047748A (ja) 2002-07-12 2004-02-12 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード
KR20050044894A (ko) * 2002-07-16 2005-05-13 쉐프네커 비젼 시스템즈 유에스에이 인코포레이티드 백색 발광 다이오드 헤드라이트
WO2004010472A2 (en) * 2002-07-19 2004-01-29 Microsemi Corporation Process for fabricating, and light emitting device resulting from, a homogenously mixed powder/pelletized compound
JP2004083653A (ja) * 2002-08-23 2004-03-18 Sharp Corp 発光装置ならびに蛍光体およびその製造方法
US7800121B2 (en) * 2002-08-30 2010-09-21 Lumination Llc Light emitting diode component
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
EP1540390A1 (de) * 2002-09-12 2005-06-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Beleuchtungseinrichtung
CN1682384B (zh) * 2002-09-19 2010-06-09 克里公司 包括锥形侧壁的涂有磷光体的发光二极管及其制造方法
US6744077B2 (en) * 2002-09-27 2004-06-01 Lumileds Lighting U.S., Llc Selective filtering of wavelength-converted semiconductor light emitting devices
JP3910517B2 (ja) * 2002-10-07 2007-04-25 シャープ株式会社 Ｌｅｄデバイス
JP4294295B2 (ja) * 2002-11-06 2009-07-08 株式会社小糸製作所 車両用前照灯
US6717362B1 (en) * 2002-11-14 2004-04-06 Agilent Technologies, Inc. Light emitting diode with gradient index layering
DE10256383A1 (de) * 2002-12-02 2004-06-09 Der Kluth: Decke Und Licht Gmbh Transparente Fläche mit Fluoreszenzmitteln und Beleuchtungsvorrichtung mit einer derartigen Fläche
US6744196B1 (en) * 2002-12-11 2004-06-01 Oriol, Inc. Thin film LED
TW569479B (en) * 2002-12-20 2004-01-01 Ind Tech Res Inst White-light LED applying omnidirectional reflector
DE10261908B4 (de) * 2002-12-27 2010-12-30 Osa Opto Light Gmbh Verfahren zur Herstellung eines konversionslichtemittierenden Elementes auf der Basis von Halbleiterlichtquellen
US20040136179A1 (en) * 2003-01-13 2004-07-15 Lewis Edward D. Necklace with ultraviolet illuminated fluorescent pendant
US20040145312A1 (en) * 2003-01-27 2004-07-29 3M Innovative Properties Company Phosphor based light source having a flexible short pass reflector
JP2006516828A (ja) * 2003-01-27 2006-07-06 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 蛍燐光体系光源素子および作製方法
US7091653B2 (en) 2003-01-27 2006-08-15 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector
US7245072B2 (en) * 2003-01-27 2007-07-17 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a polymeric long pass reflector
US7312560B2 (en) * 2003-01-27 2007-12-25 3M Innovative Properties Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector and method of making
US7091661B2 (en) * 2003-01-27 2006-08-15 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a reflective polarizer
US7210977B2 (en) 2003-01-27 2007-05-01 3M Innovative Properties Comapny Phosphor based light source component and method of making
US7157839B2 (en) * 2003-01-27 2007-01-02 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources utilizing total internal reflection
CN100373643C (zh) * 2003-01-27 2008-03-05 3M创新有限公司 具有聚合物长通反射器的基于荧光粉的光源
US7118438B2 (en) * 2003-01-27 2006-10-10 3M Innovative Properties Company Methods of making phosphor based light sources having an interference reflector
US6936857B2 (en) * 2003-02-18 2005-08-30 Gelcore, Llc White light LED device
US20040166234A1 (en) * 2003-02-26 2004-08-26 Chua Bee Yin Janet Apparatus and method for coating a light source to provide a modified output spectrum
EP1597777B1 (de) * 2003-02-26 2013-04-24 Cree, Inc. WEISSLICHTQUELLE MIT LEUCHTDIODE UND LEUCHTSTOFFE und Herstellungsverfahren dafür
US6885033B2 (en) * 2003-03-10 2005-04-26 Cree, Inc. Light emitting devices for light conversion and methods and semiconductor chips for fabricating the same
FR2852533B1 (fr) * 2003-03-20 2006-10-06 Arck Electronique Dispositif de detection de trous dans des materiaux defilant en bandes continues
US6994453B2 (en) * 2003-03-21 2006-02-07 Blanchard Randall D Illumination device having a dichroic mirror
US7279832B2 (en) * 2003-04-01 2007-10-09 Innovalight, Inc. Phosphor materials and illumination devices made therefrom
US20040252488A1 (en) * 2003-04-01 2004-12-16 Innovalight Light-emitting ceiling tile
CN101740560B (zh) * 2003-04-01 2012-11-21 夏普株式会社 发光装置、背侧光照射装置、显示装置
US6903380B2 (en) 2003-04-11 2005-06-07 Weldon Technologies, Inc. High power light emitting diode
KR100691143B1 (ko) * 2003-04-30 2007-03-09 삼성전기주식회사 다층 형광층을 가진 발광 다이오드 소자
US7108386B2 (en) 2003-05-12 2006-09-19 Illumitech Inc. High-brightness LED-phosphor coupling
US6869812B1 (en) 2003-05-13 2005-03-22 Heng Liu High power AllnGaN based multi-chip light emitting diode
US7367691B2 (en) * 2003-06-16 2008-05-06 Industrial Technology Research Institute Omnidirectional one-dimensional photonic crystal and light emitting device made from the same
US7075225B2 (en) * 2003-06-27 2006-07-11 Tajul Arosh Baroky White light emitting device
US7462983B2 (en) * 2003-06-27 2008-12-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. White light emitting device
DE10361661A1 (de) * 2003-07-14 2005-03-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Bauelement mit einem Lumineszenz-Konversionselement
US20050104072A1 (en) 2003-08-14 2005-05-19 Slater David B.Jr. Localized annealing of metal-silicon carbide ohmic contacts and devices so formed
US7029935B2 (en) * 2003-09-09 2006-04-18 Cree, Inc. Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same
US7183587B2 (en) * 2003-09-09 2007-02-27 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices
US7915085B2 (en) * 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
JP4378242B2 (ja) * 2003-09-25 2009-12-02 株式会社小糸製作所 車両用灯具
DE10345410A1 (de) * 2003-09-30 2005-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsdetektor
US6995402B2 (en) * 2003-10-03 2006-02-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Integrated reflector cup for a light emitting device mount
US20050077535A1 (en) * 2003-10-08 2005-04-14 Joinscan Electronics Co., Ltd LED and its manufacturing process
US7045975B2 (en) * 2003-10-14 2006-05-16 Cyberlux Corporation Apparatus and methods for providing emergency safety lighting
DE102004002101A1 (de) * 2003-10-17 2005-05-25 Han Shin Company Ltd. Omnidirektionaler eindimensionaler photonischer Kristall und aus demselben hergestelltes lichtemittierendes Bauelement
US20050099808A1 (en) * 2003-11-12 2005-05-12 Cheng Tzu C. Light-emitting device
JP4784966B2 (ja) * 2003-11-18 2011-10-05 シャープ株式会社 半導体レーザ装置および照明装置
WO2005067066A1 (ja) * 2004-01-07 2005-07-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Ｌｅｄ照明光源
US20050174801A1 (en) * 2004-02-05 2005-08-11 Densen Cao Backlight
US20050174753A1 (en) * 2004-02-06 2005-08-11 Densen Cao Mining light
US7675231B2 (en) * 2004-02-13 2010-03-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting diode display device comprising a high temperature resistant overlay
TWI288277B (en) * 2004-02-20 2007-10-11 Jr-Yung Liou Flat light source with high brightness and high uniformity
US6924233B1 (en) * 2004-03-19 2005-08-02 Agilent Technologies, Inc. Phosphor deposition methods
US7355284B2 (en) * 2004-03-29 2008-04-08 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element
US7327078B2 (en) * 2004-03-30 2008-02-05 Lumination Llc LED illumination device with layered phosphor pattern
US7517728B2 (en) * 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
US8212285B2 (en) * 2004-03-31 2012-07-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation detector
JP4317478B2 (ja) * 2004-03-31 2009-08-19 三菱化学株式会社 蛍光体型発光装置及びそれを照明源とする内視鏡装置
US7380962B2 (en) * 2004-04-23 2008-06-03 Light Prescriptions Innovators, Llc Optical manifold for light-emitting diodes
EP1738107A4 (de) * 2004-04-23 2008-12-31 Light Prescriptions Innovators Optischer verteiler für lichtemittierende dioden
US7819549B2 (en) * 2004-05-05 2010-10-26 Rensselaer Polytechnic Institute High efficiency light source using solid-state emitter and down-conversion material
US7837348B2 (en) 2004-05-05 2010-11-23 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting system using multiple colored light emitting sources and diffuser element
US11158768B2 (en) 2004-05-07 2021-10-26 Bruce H. Baretz Vacuum light emitting diode
US20060255349A1 (en) * 2004-05-11 2006-11-16 Heng Liu High power AllnGaN based multi-chip light emitting diode
JP4689190B2 (ja) * 2004-05-18 2011-05-25 オリンパス株式会社 内視鏡装置および内視鏡用アダプタ
US7339332B2 (en) * 2004-05-24 2008-03-04 Honeywell International, Inc. Chroma compensated backlit display
US6956247B1 (en) * 2004-05-26 2005-10-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Semiconductor light emitting device including photonic band gap material and luminescent material
US7070300B2 (en) * 2004-06-04 2006-07-04 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Remote wavelength conversion in an illumination device
US7553683B2 (en) * 2004-06-09 2009-06-30 Philips Lumiled Lighting Co., Llc Method of forming pre-fabricated wavelength converting elements for semiconductor light emitting devices
WO2006014364A2 (en) * 2004-07-02 2006-02-09 Discus Dental Impressions, Inc. Curing light having a detachable tip
ATE383661T1 (de) * 2004-08-06 2008-01-15 Koninkl Philips Electronics Nv Hochleistungs-led-lampen-system
US7750352B2 (en) 2004-08-10 2010-07-06 Pinion Technologies, Inc. Light strips for lighting and backlighting applications
US7471040B2 (en) * 2004-08-13 2008-12-30 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Mixed-color light emitting diode apparatus, and method for making same
US7217583B2 (en) * 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
US7309144B2 (en) * 2004-09-21 2007-12-18 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd Stacked light source
KR101214134B1 (ko) * 2004-09-23 2012-12-21 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 발광 소자
US7372198B2 (en) * 2004-09-23 2008-05-13 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including patternable films comprising transparent silicone and phosphor
US7370993B2 (en) * 2004-09-28 2008-05-13 Goldeneye, Inc. Light recycling illumination systems having restricted angular output
US20080247172A1 (en) * 2004-09-28 2008-10-09 Goldeneye, Inc. Light recycling illumination systems having restricted angular output
JP2008515216A (ja) * 2004-09-30 2008-05-08 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 選択光線角度的再利用を用いたｌｅｄの輝度増大
DE102005028748A1 (de) * 2004-10-25 2006-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement und Bauelementgehäuse
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US7675079B1 (en) * 2004-10-28 2010-03-09 Kley Victor B Diamond coating of silicon-carbide LEDs
US7322732B2 (en) 2004-12-23 2008-01-29 Cree, Inc. Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays
TWI239671B (en) * 2004-12-30 2005-09-11 Ind Tech Res Inst LED applied with omnidirectional reflector
TWI245440B (en) * 2004-12-30 2005-12-11 Ind Tech Res Inst Light emitting diode
JP2006190764A (ja) * 2005-01-05 2006-07-20 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型ｌｅｄ
US7821023B2 (en) * 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US7304694B2 (en) * 2005-01-12 2007-12-04 Cree, Inc. Solid colloidal dispersions for backlighting of liquid crystal displays
US20060171152A1 (en) * 2005-01-20 2006-08-03 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and method of making the same
JP5109226B2 (ja) * 2005-01-20 2012-12-26 豊田合成株式会社 発光装置
TW201403859A (zh) 2005-02-18 2014-01-16 Nichia Corp 具備控制配光特性用之透鏡之發光裝置
JP2006261540A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Stanley Electric Co Ltd 発光デバイス
US20080296589A1 (en) * 2005-03-24 2008-12-04 Ingo Speier Solid-State Lighting Device Package
KR20070112411A (ko) * 2005-03-29 2007-11-23 쿄세라 코포레이션 반사 부재, 이것을 이용한 발광 장치 및 조명 장치
CA2614803C (en) * 2005-04-05 2015-08-25 Tir Technology Lp Electronic device package with an integrated evaporator
US7234820B2 (en) * 2005-04-11 2007-06-26 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Illuminators using reflective optics with recycling and color mixing
KR20060116479A (ko) * 2005-05-10 2006-11-15 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
WO2007103310A2 (en) 2006-03-07 2007-09-13 Qd Vision, Inc. An article including semiconductor nanocrystals
US8718437B2 (en) 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8215815B2 (en) 2005-06-07 2012-07-10 Oree, Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
US8272758B2 (en) 2005-06-07 2012-09-25 Oree, Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
US8128272B2 (en) 2005-06-07 2012-03-06 Oree, Inc. Illumination apparatus
US8669572B2 (en) * 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
EP1894257A1 (de) * 2005-06-23 2008-03-05 Rensselaer Polytechnic Institute Verpackungsentwurf zur herstellung weissen lichts mit leds von kurzer wellenlänge und abwärtsumsetzungsmaterialien
KR101161383B1 (ko) * 2005-07-04 2012-07-02 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법
US7382091B2 (en) * 2005-07-27 2008-06-03 Lung-Chien Chen White light emitting diode using phosphor excitation
US20070045800A1 (en) * 2005-08-19 2007-03-01 Brian King Opto-coupler with high reverse breakdown voltage and high isolation potential
US8563339B2 (en) * 2005-08-25 2013-10-22 Cree, Inc. System for and method for closed loop electrophoretic deposition of phosphor materials on semiconductor devices
TWI261378B (en) * 2005-09-19 2006-09-01 Ind Tech Res Inst Polarized light emitting device
DE102005062514A1 (de) * 2005-09-28 2007-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP3863169B2 (ja) * 2005-10-03 2006-12-27 東芝電子エンジニアリング株式会社 発光装置
US20070117450A1 (en) * 2005-11-18 2007-05-24 Truxes William W Novel jack form LED lamp package and caddy
US7943946B2 (en) * 2005-11-21 2011-05-17 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device
US20070128745A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Brukilacchio Thomas J Phosphor deposition method and apparatus for making light emitting diodes
WO2007075742A2 (en) 2005-12-21 2007-07-05 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
JP2007173083A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Canon Inc 発光装置
TWI396814B (zh) 2005-12-22 2013-05-21 克里公司 照明裝置
US7798678B2 (en) * 2005-12-30 2010-09-21 3M Innovative Properties Company LED with compound encapsulant lens
CN101385145B (zh) 2006-01-05 2011-06-08 伊鲁米特克斯公司 用于引导来自led的光的分立光学装置
EP2002488A4 (de) 2006-01-20 2012-05-30 Cree Inc Verschiebung von spektralen inhalten in festkörperlichtsender mittels räumlicher trennung von lumiphorfilmen
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
US8101961B2 (en) * 2006-01-25 2012-01-24 Cree, Inc. Transparent ohmic contacts on light emitting diodes with growth substrates
US8124957B2 (en) 2006-02-22 2012-02-28 Cree, Inc. Low resistance tunnel junctions in wide band gap materials and method of making same
US7737451B2 (en) * 2006-02-23 2010-06-15 Cree, Inc. High efficiency LED with tunnel junction layer
US9874674B2 (en) 2006-03-07 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
EP1995834B1 (de) * 2006-03-10 2017-08-30 Nichia Corporation Lichtemittierende vorrichtung
JP2007258486A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 白色発光ダイオード
US7675145B2 (en) * 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US7766531B2 (en) * 2006-03-29 2010-08-03 3M Innovative Properties Company Edge-lit optical display with fluted optical plate
US8969908B2 (en) * 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
US8748915B2 (en) 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US11210971B2 (en) 2009-07-06 2021-12-28 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Light emitting diode display with tilted peak emission pattern
EP2013530B1 (de) * 2006-04-25 2009-08-26 Koninklijke Philips Electronics N.V. Einbau-led
WO2007122543A2 (en) * 2006-04-26 2007-11-01 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Light delivery device with improved conversion element
US7635915B2 (en) * 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
EA200870494A1 (ru) 2006-05-02 2009-06-30 Супербалбс, Инк. Пластмассовая светодиодная лампа
JP2009535851A (ja) 2006-05-02 2009-10-01 スーパーバルブス・インコーポレイテッド 発光ダイオード用の光分散及び光の所定波長の優先的散乱の方法並びにこれにより構成される電球
US20070259576A1 (en) * 2006-05-03 2007-11-08 Brandt Bruce B Metal carrier for LEDs in composite lamps
JP3863174B2 (ja) * 2006-05-08 2006-12-27 東芝電子エンジニアリング株式会社 発光装置
US7718991B2 (en) * 2006-05-23 2010-05-18 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and method of making
JP2009538532A (ja) 2006-05-23 2009-11-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明装置
US20070274093A1 (en) * 2006-05-25 2007-11-29 Honeywell International, Inc. LED backlight system for LCD displays
US20070295956A1 (en) * 2006-06-27 2007-12-27 Gelcore Llc Optoelectronic device
US20070299162A1 (en) * 2006-06-27 2007-12-27 Gelcore Llc Optoelectronic device
US20070298268A1 (en) * 2006-06-27 2007-12-27 Gelcore Llc Encapsulated optoelectronic device
US7703945B2 (en) * 2006-06-27 2010-04-27 Cree, Inc. Efficient emitting LED package and method for efficiently emitting light
US7906794B2 (en) 2006-07-05 2011-03-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device package with frame and optically transmissive element
WO2008003176A1 (en) * 2006-07-06 2008-01-10 Tir Technology Lp Lighting device package
DE102007021042A1 (de) 2006-07-24 2008-01-31 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd., Suwon Leuchtdiodenmodul für Lichtquellenreihe
US8735920B2 (en) * 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US7943952B2 (en) * 2006-07-31 2011-05-17 Cree, Inc. Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method
JP2008041739A (ja) * 2006-08-02 2008-02-21 Tokai Kogaku Kk 蛍光発光装置
US8367945B2 (en) * 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
TWI317562B (en) * 2006-08-16 2009-11-21 Ind Tech Res Inst Light-emitting device
US7763478B2 (en) * 2006-08-21 2010-07-27 Cree, Inc. Methods of forming semiconductor light emitting device packages by liquid injection molding
WO2008025723A1 (en) * 2006-08-29 2008-03-06 Osram Sylvania Inc. Enhanced emission from phosphor-converted leds using interferometric filters
US7703942B2 (en) * 2006-08-31 2010-04-27 Rensselaer Polytechnic Institute High-efficient light engines using light emitting diodes
US20080064131A1 (en) * 2006-09-12 2008-03-13 Mutual-Tek Industries Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for the same
TWI306677B (en) * 2006-09-14 2009-02-21 Ind Tech Res Inst Light emitting apparatus and screen
TW200815787A (en) * 2006-09-20 2008-04-01 Ind Tech Res Inst Polarization light source
DE102006046199A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US7789531B2 (en) 2006-10-02 2010-09-07 Illumitex, Inc. LED system and method
GB2442505A (en) * 2006-10-04 2008-04-09 Sharp Kk A display with a primary light source for illuminating a nanophosphor re-emission material
US9018619B2 (en) 2006-10-09 2015-04-28 Cree, Inc. Quantum wells for light conversion
JP2010506348A (ja) * 2006-10-19 2010-02-25 パナソニック株式会社 発光装置とこれを用いた表示装置及び照明装置
BRPI0718086A2 (pt) * 2006-10-31 2013-11-05 Tir Technology Lp Acondicionamento de dispositivo de iluminação
KR20090082449A (ko) * 2006-10-31 2009-07-30 티아이알 테크놀로지 엘피 광원
US10295147B2 (en) * 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US7889421B2 (en) * 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
JP5171841B2 (ja) * 2006-11-30 2013-03-27 クリー インコーポレイテッド 照明デバイス及び照明方法
JP2008166782A (ja) * 2006-12-26 2008-07-17 Seoul Semiconductor Co Ltd 発光素子
RU2009129973A (ru) * 2007-01-05 2011-02-10 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl) Быстродействующий детектор излучения
US8836212B2 (en) 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
US8232564B2 (en) * 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9024349B2 (en) * 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
DE102007010244A1 (de) * 2007-02-02 2008-08-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung und Verfahren zur Erzeugung von Mischlicht
ITTO20070099A1 (it) * 2007-02-09 2008-08-10 St Microelectronics Srl Procedimento per la realizzazione di un'interfaccia tra carburo di silicio e ossido di silicio con bassa densita' di stati
US9711703B2 (en) * 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US7709853B2 (en) * 2007-02-12 2010-05-04 Cree, Inc. Packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements
US9061450B2 (en) 2007-02-12 2015-06-23 Cree, Inc. Methods of forming packaged semiconductor light emitting devices having front contacts by compression molding
JP4536077B2 (ja) * 2007-03-01 2010-09-01 株式会社沖データ Ｌｅｄバックライト装置及び液晶表示装置
JP2008218691A (ja) * 2007-03-05 2008-09-18 Oki Data Corp Ｌｅｄバックライト装置及び液晶表示装置
TW200837982A (en) * 2007-03-07 2008-09-16 Everlight Electronics Co Ltd Semiconductor light emitting apparatus and the manufacturing method thereof
US7687816B2 (en) * 2007-03-20 2010-03-30 International Business Machines Corporation Light emitting diode
US7864381B2 (en) 2007-03-20 2011-01-04 Xerox Corporation Document illuminator with LED-driven phosphor
US7910944B2 (en) 2007-05-04 2011-03-22 Cree, Inc. Side mountable semiconductor light emitting device packages and panels
EP2142843B1 (de) * 2007-05-08 2016-12-14 Cree, Inc. Beleuchtungsvorrichtung und beleuchtungsverfahren
WO2008146290A2 (en) * 2007-05-29 2008-12-04 Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. Method and device for providing circumferential illumination
US20090008662A1 (en) * 2007-07-05 2009-01-08 Ian Ashdown Lighting device package
US10505083B2 (en) * 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
US9401461B2 (en) 2007-07-11 2016-07-26 Cree, Inc. LED chip design for white conversion
JP5431320B2 (ja) 2007-07-17 2014-03-05 クリー インコーポレイテッド 内部光学機能を備えた光学素子およびその製造方法
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
WO2009017117A1 (ja) * 2007-07-30 2009-02-05 Sharp Kabushiki Kaisha 発光装置、照明装置及び照明装置を備えたクリーンルーム
US8128249B2 (en) 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
DE202007019100U1 (de) 2007-09-12 2010-09-02 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh LED-Modul, LED-Leuchtmittel und LED-Leuchte für die energieeffiziente Wiedergabe von weißem Licht
JP4381439B2 (ja) * 2007-09-18 2009-12-09 株式会社沖データ Ｌｅｄバックライト装置及び液晶表示装置
JP2011501464A (ja) 2007-10-24 2011-01-06 テオス・インコーポレイテッド Ｌｅｄ光源用拡散器
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
USD615504S1 (en) 2007-10-31 2010-05-11 Cree, Inc. Emitter package
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
WO2009059454A1 (fr) * 2007-11-05 2009-05-14 Lite-On It Corporation Dispositif d'éclairage dont la couleur et la température de couleur sont changées
DE102007057669A1 (de) * 2007-11-30 2009-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbige Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement
US8167674B2 (en) * 2007-12-14 2012-05-01 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
USD633631S1 (en) 2007-12-14 2011-03-01 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US20090161369A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Keren Regev Waveguide sheet and methods for manufacturing the same
US8172447B2 (en) 2007-12-19 2012-05-08 Oree, Inc. Discrete lighting elements and planar assembly thereof
CN101463966A (zh) * 2007-12-19 2009-06-24 富准精密工业(深圳)有限公司 白光照明装置及使用该装置的台灯
US20090159915A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Shaul Branchevsky Led insert module and multi-layer lens
US8118447B2 (en) 2007-12-20 2012-02-21 Altair Engineering, Inc. LED lighting apparatus with swivel connection
CN101465395A (zh) * 2007-12-21 2009-06-24 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 发光二极管
US7712918B2 (en) 2007-12-21 2010-05-11 Altair Engineering , Inc. Light distribution using a light emitting diode assembly
USD634863S1 (en) 2008-01-10 2011-03-22 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
US8878219B2 (en) * 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US20090189513A1 (en) * 2008-01-28 2009-07-30 Ocean Optics, Inc. LED using thin film dichroic filters
DE102008017071A1 (de) * 2008-01-31 2009-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul und Projektionsvorrichtung mit dem optoelektronischen Modul
JP2011512037A (ja) 2008-02-08 2011-04-14 イルミテックス， インコーポレイテッド エミッタ層成形のためのシステムおよび方法
DE202008005509U1 (de) * 2008-02-26 2009-07-09 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit anwendungsspezifischer Farbeinstellung
JP2011513964A (ja) 2008-02-28 2011-04-28 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光ダイオードデバイス
EP2260341A2 (de) * 2008-03-05 2010-12-15 Oree, Advanced Illumination Solutions INC. Beleuchtungsvorrichtung und verfahren zu ihrer bildung
CL2009000560A1 (es) 2008-03-11 2010-02-19 Univ Duke Un metodo para endurecer un medio endurecible por radiacion que comprende colocar una composicion dentro de un objeto para ser endurecido, la aplicacion de al menos uno elegido entre rayos x, rayos gama o haz de electrones a traves del objeto y dentro de la composicion.
TW200939534A (en) * 2008-03-14 2009-09-16 Forhouse Corp LED light source module
US8916890B2 (en) * 2008-03-19 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitting diodes with light filters
US8637883B2 (en) * 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
US8877524B2 (en) * 2008-03-31 2014-11-04 Cree, Inc. Emission tuning methods and devices fabricated utilizing methods
TW200945620A (en) * 2008-04-25 2009-11-01 Formosa Epitaxy Inc Light-emitting device with reflection layer and structure of the reflection layer
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
JP2011524064A (ja) 2008-05-06 2011-08-25 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 量子閉じ込め半導体ナノ粒子を含有する固体照明装置
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
US8049230B2 (en) * 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
US8360599B2 (en) 2008-05-23 2013-01-29 Ilumisys, Inc. Electric shock resistant L.E.D. based light
AT506709B1 (de) * 2008-05-30 2009-11-15 Kuster Martin Leuchtmittel
EP2289114A1 (de) * 2008-06-10 2011-03-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led-modul
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
US7976196B2 (en) 2008-07-09 2011-07-12 Altair Engineering, Inc. Method of forming LED-based light and resulting LED-based light
US8297786B2 (en) 2008-07-10 2012-10-30 Oree, Inc. Slim waveguide coupling apparatus and method
US8301002B2 (en) 2008-07-10 2012-10-30 Oree, Inc. Slim waveguide coupling apparatus and method
JP2008291272A (ja) * 2008-07-22 2008-12-04 Nitto Denko Corp 感圧接着部材および光源装置
US7946729B2 (en) 2008-07-31 2011-05-24 Altair Engineering, Inc. Fluorescent tube replacement having longitudinally oriented LEDs
US8471445B2 (en) 2008-08-18 2013-06-25 Switch Bulb Company, Inc. Anti-reflective coatings for light bulbs
US7888691B2 (en) 2008-08-29 2011-02-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source including a wavelength-converted semiconductor light emitting device and a filter
US8674626B2 (en) 2008-09-02 2014-03-18 Ilumisys, Inc. LED lamp failure alerting system
US8256924B2 (en) 2008-09-15 2012-09-04 Ilumisys, Inc. LED-based light having rapidly oscillating LEDs
WO2010034159A1 (zh) * 2008-09-26 2010-04-01 Hsu Chen 具有光调变功能之半导体发光组件及其制造方法
US8653984B2 (en) 2008-10-24 2014-02-18 Ilumisys, Inc. Integration of LED lighting control with emergency notification systems
US8324817B2 (en) 2008-10-24 2012-12-04 Ilumisys, Inc. Light and light sensor
US8444292B2 (en) 2008-10-24 2013-05-21 Ilumisys, Inc. End cap substitute for LED-based tube replacement light
US8214084B2 (en) 2008-10-24 2012-07-03 Ilumisys, Inc. Integration of LED lighting with building controls
US8901823B2 (en) 2008-10-24 2014-12-02 Ilumisys, Inc. Light and light sensor
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
US7938562B2 (en) 2008-10-24 2011-05-10 Altair Engineering, Inc. Lighting including integral communication apparatus
EP2340391A1 (de) * 2008-10-31 2011-07-06 Code 3, Inc. Leuchte mit trogförmigen innen- und aussenreflektoren
US8791471B2 (en) * 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
JP4868427B2 (ja) * 2008-11-13 2012-02-01 国立大学法人名古屋大学 半導体発光装置
RU2512091C2 (ru) * 2008-12-02 2014-04-10 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Блок светодиода
US9711688B2 (en) 2008-12-02 2017-07-18 Koninklijke Philips N.V. Controlling LED emission pattern using optically active materials
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
JP5382849B2 (ja) * 2008-12-19 2014-01-08 パナソニック株式会社 光源装置
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US8556452B2 (en) 2009-01-15 2013-10-15 Ilumisys, Inc. LED lens
US8362710B2 (en) 2009-01-21 2013-01-29 Ilumisys, Inc. Direct AC-to-DC converter for passive component minimization and universal operation of LED arrays
US8664880B2 (en) 2009-01-21 2014-03-04 Ilumisys, Inc. Ballast/line detection circuit for fluorescent replacement lamps
US8247886B1 (en) 2009-03-09 2012-08-21 Soraa, Inc. Polarization direction of optical devices using selected spatial configurations
US8624527B1 (en) 2009-03-27 2014-01-07 Oree, Inc. Independently controllable illumination device
JP5343831B2 (ja) * 2009-04-16 2013-11-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
US8337030B2 (en) 2009-05-13 2012-12-25 Cree, Inc. Solid state lighting devices having remote luminescent material-containing element, and lighting methods
US8328406B2 (en) 2009-05-13 2012-12-11 Oree, Inc. Low-profile illumination device
US8330381B2 (en) 2009-05-14 2012-12-11 Ilumisys, Inc. Electronic circuit for DC conversion of fluorescent lighting ballast
US8791499B1 (en) 2009-05-27 2014-07-29 Soraa, Inc. GaN containing optical devices and method with ESD stability
US8299695B2 (en) 2009-06-02 2012-10-30 Ilumisys, Inc. Screw-in LED bulb comprising a base having outwardly projecting nodes
US8426871B2 (en) * 2009-06-19 2013-04-23 Honeywell International Inc. Phosphor converting IR LEDs
WO2011005579A2 (en) 2009-06-23 2011-01-13 Altair Engineering, Inc. Illumination device including leds and a switching power control system
WO2010150202A2 (en) 2009-06-24 2010-12-29 Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. Illumination apparatus with high conversion efficiency and methods of forming the same
US8094323B2 (en) * 2009-06-26 2012-01-10 Mitutoyo Corporation Displacement encoder including phosphor illumination source
US8415692B2 (en) * 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
JPWO2011004795A1 (ja) * 2009-07-07 2012-12-20 シーシーエス株式会社 発光装置
US8598809B2 (en) 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US9000466B1 (en) 2010-08-23 2015-04-07 Soraa, Inc. Methods and devices for light extraction from a group III-nitride volumetric LED using surface and sidewall roughening
US9293667B2 (en) 2010-08-19 2016-03-22 Soraa, Inc. System and method for selected pump LEDs with multiple phosphors
US9583678B2 (en) 2009-09-18 2017-02-28 Soraa, Inc. High-performance LED fabrication
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
US9293644B2 (en) 2009-09-18 2016-03-22 Soraa, Inc. Power light emitting diode and method with uniform current density operation
US8502465B2 (en) 2009-09-18 2013-08-06 Soraa, Inc. Power light emitting diode and method with current density operation
WO2011037877A1 (en) 2009-09-25 2011-03-31 Cree, Inc. Lighting device with low glare and high light level uniformity
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
KR101619832B1 (ko) * 2009-11-30 2016-05-13 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지, 이를 구비한 발광다이오드 패키지 모듈과 그 제조 방법, 및 이를 구비한 헤드 램프 모듈과 그 제어 방법
US8466611B2 (en) 2009-12-14 2013-06-18 Cree, Inc. Lighting device with shaped remote phosphor
US20110164430A1 (en) * 2010-01-07 2011-07-07 Kenneth Li Illuminator using light emitting diode light recycling with collimation
US10147850B1 (en) 2010-02-03 2018-12-04 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US8740413B1 (en) 2010-02-03 2014-06-03 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US20110215348A1 (en) * 2010-02-03 2011-09-08 Soraa, Inc. Reflection Mode Package for Optical Devices Using Gallium and Nitrogen Containing Materials
US8905588B2 (en) 2010-02-03 2014-12-09 Sorra, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
KR100969100B1 (ko) 2010-02-12 2010-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지
EP2363749B1 (de) * 2010-03-05 2015-08-19 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Verfahren zur Formung photolithographischer Strukturen
WO2011119907A2 (en) 2010-03-26 2011-09-29 Altair Engineering, Inc. Led light tube with dual sided light distribution
US8540401B2 (en) 2010-03-26 2013-09-24 Ilumisys, Inc. LED bulb with internal heat dissipating structures
EP2553320A4 (de) 2010-03-26 2014-06-18 Ilumisys Inc Led-licht mit thermoelektrischem generator
EP2555260A1 (de) * 2010-03-30 2013-02-06 Mitsubishi Chemical Corporation Lichtemittierende vorrichtung
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
KR101490233B1 (ko) * 2010-04-15 2015-02-06 피에스아이 주식회사 장파장 투과필터를 포함하는 형광체 전환 단색 ｌｅｄ
DE102010028246A1 (de) 2010-04-27 2011-10-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
US8459814B2 (en) * 2010-05-12 2013-06-11 National Taiwan University Of Science And Technology White-light emitting devices with stabilized dominant wavelength
WO2011145794A1 (ko) 2010-05-18 2011-11-24 서울반도체 주식회사 파장변환층을 갖는 발광 다이오드 칩과 그 제조 방법, 및 그것을 포함하는 패키지 및 그 제조 방법
CN103003966B (zh) * 2010-05-18 2016-08-10 首尔半导体株式会社 具有波长变换层的发光二级管芯片及其制造方法，以及包括其的封装件及其制造方法
US8461609B2 (en) 2010-05-26 2013-06-11 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
US9450143B2 (en) 2010-06-18 2016-09-20 Soraa, Inc. Gallium and nitrogen containing triangular or diamond-shaped configuration for optical devices
US8454193B2 (en) 2010-07-08 2013-06-04 Ilumisys, Inc. Independent modules for LED fluorescent light tube replacement
US8596813B2 (en) 2010-07-12 2013-12-03 Ilumisys, Inc. Circuit board mount for LED light tube
CN102339935B (zh) * 2010-07-15 2015-07-08 展晶科技(深圳)有限公司 覆晶式led封装结构
US8820981B2 (en) 2010-07-19 2014-09-02 Greenwave Reality Pte Ltd Electrically controlled glass in a lamp
TWI557875B (zh) * 2010-07-19 2016-11-11 晶元光電股份有限公司 多維度發光裝置
US8764210B2 (en) 2010-07-19 2014-07-01 Greenwave Reality Pte Ltd. Emitting light using multiple phosphors
US9024536B2 (en) 2011-12-05 2015-05-05 Biological Illumination, Llc Tunable LED lamp for producing biologically-adjusted light and associated methods
US9532423B2 (en) 2010-07-23 2016-12-27 Lighting Science Group Corporation System and methods for operating a lighting device
US8760370B2 (en) 2011-05-15 2014-06-24 Lighting Science Group Corporation System for generating non-homogenous light and associated methods
US9681522B2 (en) 2012-05-06 2017-06-13 Lighting Science Group Corporation Adaptive light system and associated methods
US8465167B2 (en) 2011-09-16 2013-06-18 Lighting Science Group Corporation Color conversion occlusion and associated methods
US9827439B2 (en) 2010-07-23 2017-11-28 Biological Illumination, Llc System for dynamically adjusting circadian rhythm responsive to scheduled events and associated methods
US8743023B2 (en) 2010-07-23 2014-06-03 Biological Illumination, Llc System for generating non-homogenous biologically-adjusted light and associated methods
US8841864B2 (en) 2011-12-05 2014-09-23 Biological Illumination, Llc Tunable LED lamp for producing biologically-adjusted light
US8686641B2 (en) 2011-12-05 2014-04-01 Biological Illumination, Llc Tunable LED lamp for producing biologically-adjusted light
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
US9024335B2 (en) 2010-08-23 2015-05-05 Psi Co., Ltd. Multi-package white LED device
US8944632B2 (en) * 2010-10-15 2015-02-03 Douglas Tveit LED lighting system and method for external surfaces
US8455882B2 (en) 2010-10-15 2013-06-04 Cree, Inc. High efficiency LEDs
JP5877992B2 (ja) * 2010-10-25 2016-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US8523394B2 (en) 2010-10-29 2013-09-03 Ilumisys, Inc. Mechanisms for reducing risk of shock during installation of light tube
US9648673B2 (en) 2010-11-05 2017-05-09 Cree, Inc. Lighting device with spatially segregated primary and secondary emitters
US8401231B2 (en) 2010-11-09 2013-03-19 Biological Illumination, Llc Sustainable outdoor lighting system for use in environmentally photo-sensitive area
US9091399B2 (en) 2010-11-11 2015-07-28 Bridgelux, Inc. Driver-free light-emitting device
US8597967B1 (en) 2010-11-17 2013-12-03 Soraa, Inc. Method and system for dicing substrates containing gallium and nitrogen material
US8870415B2 (en) 2010-12-09 2014-10-28 Ilumisys, Inc. LED fluorescent tube replacement light with reduced shock hazard
US8772817B2 (en) 2010-12-22 2014-07-08 Cree, Inc. Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias
US8786053B2 (en) 2011-01-24 2014-07-22 Soraa, Inc. Gallium-nitride-on-handle substrate materials and devices and method of manufacture
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
TW201238085A (en) * 2011-03-15 2012-09-16 Lextar Electronics Corp Light emitting diode package structure
US8384984B2 (en) 2011-03-28 2013-02-26 Lighting Science Group Corporation MEMS wavelength converting lighting device and associated methods
KR101822537B1 (ko) 2011-03-31 2018-01-29 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지, 이의 제조 방법, 및 이를 갖는 표시 장치
US8754832B2 (en) 2011-05-15 2014-06-17 Lighting Science Group Corporation Lighting system for accenting regions of a layer and associated methods
US8901850B2 (en) 2012-05-06 2014-12-02 Lighting Science Group Corporation Adaptive anti-glare light system and associated methods
US9173269B2 (en) 2011-05-15 2015-10-27 Lighting Science Group Corporation Lighting system for accentuating regions of a layer and associated methods
JP2012243701A (ja) * 2011-05-24 2012-12-10 Stanley Electric Co Ltd 光源装置および照明装置
CN103608920B (zh) * 2011-06-10 2016-08-17 皇家飞利浦有限公司 包括位于led上的散射部分的led阵列及其制作方法
KR20130009524A (ko) * 2011-07-15 2013-01-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US8928240B2 (en) 2011-08-16 2015-01-06 Abl Ip Holding Llc Method and system for driving organic LED's
US8686431B2 (en) 2011-08-22 2014-04-01 Soraa, Inc. Gallium and nitrogen containing trilateral configuration for optical devices
US9646827B1 (en) 2011-08-23 2017-05-09 Soraa, Inc. Method for smoothing surface of a substrate containing gallium and nitrogen
US9072171B2 (en) 2011-08-24 2015-06-30 Ilumisys, Inc. Circuit board mount for LED light
US8558252B2 (en) 2011-08-26 2013-10-15 Cree, Inc. White LEDs with emission wavelength correction
US9134595B2 (en) * 2011-09-29 2015-09-15 Casio Computer Co., Ltd. Phosphor device, illumination apparatus and projector apparatus
US9046241B2 (en) 2011-11-12 2015-06-02 Jingqun Xi High efficiency directional light source using lens optics
US8591072B2 (en) 2011-11-16 2013-11-26 Oree, Inc. Illumination apparatus confining light by total internal reflection and methods of forming the same
US8912025B2 (en) 2011-11-23 2014-12-16 Soraa, Inc. Method for manufacture of bright GaN LEDs using a selective removal process
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
US8866414B2 (en) 2011-12-05 2014-10-21 Biological Illumination, Llc Tunable LED lamp for producing biologically-adjusted light
US9289574B2 (en) 2011-12-05 2016-03-22 Biological Illumination, Llc Three-channel tuned LED lamp for producing biologically-adjusted light
US9913341B2 (en) 2011-12-05 2018-03-06 Biological Illumination, Llc LED lamp for producing biologically-adjusted light including a cyan LED
US8963450B2 (en) 2011-12-05 2015-02-24 Biological Illumination, Llc Adaptable biologically-adjusted indirect lighting device and associated methods
US9220202B2 (en) 2011-12-05 2015-12-29 Biological Illumination, Llc Lighting system to control the circadian rhythm of agricultural products and associated methods
CN102518964A (zh) * 2011-12-11 2012-06-27 深圳市光峰光电技术有限公司 光源和照明装置
FR2986056B1 (fr) * 2012-01-23 2016-12-30 Stephane Ruaud Filtre de protection et de confort visuel permettant la diffusion homogene de lumiere sans emission d'uv, annulant les effets nocifs de la lumiere bleue emise par les appareils d'eclairage artificiel
US8545034B2 (en) 2012-01-24 2013-10-01 Lighting Science Group Corporation Dual characteristic color conversion enclosure and associated methods
WO2013131002A1 (en) 2012-03-02 2013-09-06 Ilumisys, Inc. Electrical connector header for an led-based light
WO2013134432A1 (en) * 2012-03-06 2013-09-12 Soraa, Inc. Light emitting diodes with low refractive index material layers to reduce light guiding effects
US9581311B2 (en) * 2012-03-12 2017-02-28 L-3 Communications Corporation Backlight display using photoluminescent material tuned to improve NVIS compatibility
US9068717B2 (en) * 2012-03-12 2015-06-30 L-3 Communications Corporation Backlight display using photoluminescent material tuned to improve NVIS compatibility
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
US9402294B2 (en) 2012-05-08 2016-07-26 Lighting Science Group Corporation Self-calibrating multi-directional security luminaire and associated methods
US9006987B2 (en) 2012-05-07 2015-04-14 Lighting Science Group, Inc. Wall-mountable luminaire and associated systems and methods
US8680457B2 (en) 2012-05-07 2014-03-25 Lighting Science Group Corporation Motion detection system and associated methods having at least one LED of second set of LEDs to vary its voltage
CN102664230A (zh) * 2012-05-29 2012-09-12 邓崛 Led发光装置及其制造方法
US10145026B2 (en) 2012-06-04 2018-12-04 Slt Technologies, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of semipolar gallium nitride boules
US9685585B2 (en) 2012-06-25 2017-06-20 Cree, Inc. Quantum dot narrow-band downconverters for high efficiency LEDs
US9857519B2 (en) 2012-07-03 2018-01-02 Oree Advanced Illumination Solutions Ltd. Planar remote phosphor illumination apparatus
US9163794B2 (en) 2012-07-06 2015-10-20 Ilumisys, Inc. Power supply assembly for LED-based light tube
US9271367B2 (en) 2012-07-09 2016-02-23 Ilumisys, Inc. System and method for controlling operation of an LED-based light
MX344101B (es) 2012-07-10 2016-12-05 Emergency Tech Inc Accesorio de lampara de emergencia para vehiculo.
US8971368B1 (en) 2012-08-16 2015-03-03 Soraa Laser Diode, Inc. Laser devices having a gallium and nitrogen containing semipolar surface orientation
JP6058948B2 (ja) * 2012-08-28 2017-01-11 日東光学株式会社 光学フィルタ、光源装置、照明装置
CN103700749A (zh) * 2012-09-28 2014-04-02 上海蓝光科技有限公司 一种发光二极管及其制作方法
US9127818B2 (en) 2012-10-03 2015-09-08 Lighting Science Group Corporation Elongated LED luminaire and associated methods
US9174067B2 (en) 2012-10-15 2015-11-03 Biological Illumination, Llc System for treating light treatable conditions and associated methods
US9978904B2 (en) 2012-10-16 2018-05-22 Soraa, Inc. Indium gallium nitride light emitting devices
US9322516B2 (en) 2012-11-07 2016-04-26 Lighting Science Group Corporation Luminaire having vented optical chamber and associated methods
KR101596653B1 (ko) * 2012-11-13 2016-02-22 바이올렛 디펜스 테크놀로지, 인크. 자외선 광 방출용 장치
US8802471B1 (en) 2012-12-21 2014-08-12 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
US9761763B2 (en) 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
US9347655B2 (en) 2013-03-11 2016-05-24 Lighting Science Group Corporation Rotatable lighting device
US9285084B2 (en) 2013-03-14 2016-03-15 Ilumisys, Inc. Diffusers for LED-based lights
US20140268731A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Lighting Science Group Corpporation Low bay lighting system and associated methods
JP2014222705A (ja) * 2013-05-13 2014-11-27 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置
US8994033B2 (en) 2013-07-09 2015-03-31 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
US9267650B2 (en) 2013-10-09 2016-02-23 Ilumisys, Inc. Lens for an LED-based light
US9419189B1 (en) 2013-11-04 2016-08-16 Soraa, Inc. Small LED source with high brightness and high efficiency
EP3097748A1 (de) 2014-01-22 2016-11-30 iLumisys, Inc. Beleuchtung auf led-basis mit adressierten leds
CN103928451A (zh) * 2014-04-25 2014-07-16 南京琦光光电科技有限公司 一种基于紫光芯片的低光衰、高显指白光led光源模组
US9510400B2 (en) 2014-05-13 2016-11-29 Ilumisys, Inc. User input systems for an LED-based light
US9997676B2 (en) 2014-05-14 2018-06-12 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
CN105185894B (zh) * 2014-06-05 2018-09-04 昆山科技大学 发光装置及其滤光方法
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
TWI641285B (zh) 2014-07-14 2018-11-11 新世紀光電股份有限公司 發光模組與發光單元的製作方法
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
US9698315B2 (en) 2014-10-31 2017-07-04 Nichia Corporation Light emitting device
US9401468B2 (en) 2014-12-24 2016-07-26 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with LED chips cooled by a phase transformation loop
US9943042B2 (en) 2015-05-18 2018-04-17 Biological Innovation & Optimization Systems, LLC Grow light embodying power delivery and data communications features
US10161568B2 (en) 2015-06-01 2018-12-25 Ilumisys, Inc. LED-based light with canted outer walls
JP2017027019A (ja) * 2015-07-22 2017-02-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光源装置
US9844116B2 (en) 2015-09-15 2017-12-12 Biological Innovation & Optimization Systems, LLC Systems and methods for controlling the spectral content of LED lighting devices
US9788387B2 (en) 2015-09-15 2017-10-10 Biological Innovation & Optimization Systems, LLC Systems and methods for controlling the spectral content of LED lighting devices
US10150352B2 (en) 2016-02-11 2018-12-11 Ford Global Technologies, Llc Illuminated window assemblies having light-diffusing elements
US10193031B2 (en) 2016-03-11 2019-01-29 Rohinni, LLC Method for applying phosphor to light emitting diodes and apparatus thereof
DE102016106851A1 (de) * 2016-04-13 2017-10-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauelement
US10595376B2 (en) 2016-09-13 2020-03-17 Biological Innovation & Optimization Systems, LLC Systems and methods for controlling the spectral content of LED lighting devices
MX2016015395A (es) * 2016-11-24 2018-05-23 Optical Saver Tech S A P I De C V Dispositivo optico para incrementar la emision de luz util en fuentes electro-luminiscentes, mediante la retroreflexion selectiva de las longitudes de onda de alta energia de dicha luz emitida.
JP6959502B2 (ja) * 2016-12-26 2021-11-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN106524011A (zh) * 2016-12-31 2017-03-22 厦门视贝科技有限公司 一种反射发光可防蓝光危害的led吸顶灯
US10465879B2 (en) * 2017-03-27 2019-11-05 Ford Global Technologies, Llc Vehicular light assemblies with LED-excited photoluminescent lightguide
DE102017113549A1 (de) * 2017-06-20 2018-12-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US10396121B2 (en) 2017-08-18 2019-08-27 Globalfoundries Inc. FinFETs for light emitting diode displays
US10263151B2 (en) 2017-08-18 2019-04-16 Globalfoundries Inc. Light emitting diodes
EP3457444A1 (de) * 2017-09-19 2019-03-20 ams AG Phosphor-konvertierte lichtemittierende vorrichtung
US10837607B2 (en) 2017-09-26 2020-11-17 Lumileds Llc Light emitting device with improved warm-white color point
WO2019185390A1 (en) * 2018-03-29 2019-10-03 Signify Holding B.V. Single-sided illumination of high lumen density lamps
TW202017209A (zh) * 2018-10-22 2020-05-01 隆達電子股份有限公司 具提升量子點信賴性的發光二極體封裝
KR20200114055A (ko) * 2019-03-27 2020-10-07 주식회사 엘지화학 투명 발광소자 디스플레이
US11313671B2 (en) 2019-05-28 2022-04-26 Mitutoyo Corporation Chromatic confocal range sensing system with enhanced spectrum light source configuration
US11628234B2 (en) 2020-06-01 2023-04-18 Know Labs, Inc. White light LED light bulbs for ambient lighting and pathogen inactivation

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA932474A (en) * 1969-12-12 1973-08-21 Kressel Henry Electroluminescent device
NL8402304A (nl) * 1984-07-20 1986-02-17 Philips Nv Beeldbuis.
US4822144A (en) * 1986-12-24 1989-04-18 U.S. Philips Corporation Electro-optic color display including luminescent layer and interference filter
US4882617A (en) * 1986-12-24 1989-11-21 U.S. Philips Corporation Projection device and associated electro-optic monochrome display device with phosphor layer and interference filters
JPH05152609A (ja) * 1991-11-25 1993-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JPH0623195U (ja) * 1992-07-29 1994-03-25 シンロイヒ株式会社 Ｅｌ発光素子
JPH0799345A (ja) * 1993-09-28 1995-04-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
US5557115A (en) * 1994-08-11 1996-09-17 Rohm Co. Ltd. Light emitting semiconductor device with sub-mount
JPH08138559A (ja) * 1994-11-11 1996-05-31 Hitachi Ltd プラズマディスプレイ装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015104237B4 (de) 2015-03-20 2022-10-06 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement

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Publication number Publication date
DE69838207D1 (de) 2007-09-20
JP4173556B2 (ja) 2008-10-29
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EP0922305B1 (de) 2007-08-08
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EP0922305A2 (de) 1999-06-16
WO1998054929A3 (en) 2000-08-24

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