DE69829356T2 - Anzeige - Google Patents

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Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix, die Lichtemissionselemente, wie EL (Elektrolumineszenz-) Elemente, die Licht emittieren, wenn ein Antriebsstrom durch einen organischen Halbleiter fließt, oder LED (Leuchtdioden-) Elemente, und Dünnfilmtransistoren (in der Folge als "TFT" bezeichnet), die den Lichtemissionsbetrieb dieses Lichtemissionselements steuern, verwendet. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung eine Anordnungsoptimierungstechnik zur Verbesserung deren Anzeigeeigenschaften.
  • STAND DER TECHNIK
  • Anzeigevorrichtungen mit aktiver Matrix, die Lichtemissionselemente mit Stromsteuerung verwenden, wie EL-Elemente oder LED-Elemente, wurden bereits vorgeschlagen. Da jedes der Lichtemissionselemente, die in dieser Art von Anzeigevorrichtung verwendet werden, im Gegensatz zu einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung selbst Licht emittieren kann, ist kein Gegenlicht erforderlich, und es gibt Vorteile, da die Abhängigkeit vom Betrachtungswinkel gering ist.
  • Die Europäische Patentschrift Nr. 0717446A2 mit dem Titel "TFT EL display panel using organic electroluminescent media" offenbart eine flache Feldanzeige, die Dünnfilmtransistor-Elektrolumineszenz- (TFT-EL) Pixel verwendet. Ein Adressierschema, das zwei TFTs und einen Speicherkondensator enthält, wird verwendet, um dem EL-Pixel auf dem Feld zu ermöglichen bei einer relativen Einschaltdauer von annähernd 100% zu arbeiten.
  • Die Europäische Patentanmeldung Nr. 9829803.9 mit dem Titel "Display Device" offenbart eine Anzeigevorrichtung, in eine parasitäre Kapazität, die den Datenleitungen und Antriebs schaltungen zugeordnet ist, unter Verwendung einer Bankschicht verhindert wird, deren primärer Zweck darin besteht, Flächen auf einem Substrat zu definieren, in welchen ein organischer Halbleiterfilm gebildet wird.
  • Die Europäische Patentanmeldung Nr. 9837856.7 mit dem Titel "Active Matrix Display Device" offenbart eine Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix, in der eine parasitäre Kapazität oder dergleichen unterdrückt wird, indem ein dicker Isolierfilm um einen organischen Halbleiterfilm gebildet wird, und eine Trennung oder dergleichen in der Gegenelektrode nicht auftritt, die auf der oberen Schicht des Isolierfilms gebildet ist. Beide obengenannten Anmeldungen sind gleichzeitig mit der vorliegenden Anmeldung anhängig.
  • 22 zeigt ein Beispiel einer solchen Anzeigevorrichtung, ein Blockdiagramm einer Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix, die organische Dünnfilm-EL-Elemente vom Ladungsinjektionstyp verwendet. In einer Anzeigevorrichtung 1A, die in dieser Figur dargestellt ist, sind auf einem transparenten Substrat eine Vielzahl von Abtastleitungen "gate", eine Vielzahl von Datenleitungen "sig", die sich in eine Richtung erstrecken, die die Verlaufsrichtung der Abtastleitungen (gate) schneidet, eine Vielzahl von allgemeinen Stromversorgungsleitungen (com) parallel zu diesen Datenleitungen (sig), und Pixel (7), die den Schnittpunkten der Datenleitungen "sig" und der Abtastleitungen "gate" entsprechen, gebildet. In Bezug auf die Datenleitungen "sig" ist eine datenseitige Treiberschaltung 3 gebildet, die ein Schieberegister, einen Pegelverschieber, einen Video-Eingang und einen analoger Schalter umfasst. In Bezug auf die Abtastleitungen ist eine abtastseitige Treiberschaltung 4 gebildet, die ein Schieberegister und einen Pegelverschieber umfasst. Außerdem ist jedes der Pixel 7 mit einem ersten TFT 20, in dem ein Abtastsignal zu seiner Torelektrode über die Abtastleitungen geleitet wird, einem Haltekondensator "cap" zum Halten eines Bildsignals, das von den Datenleitungen "sig" über diesen ersten TFT 20 zugeleitet wird, einem zweiten TFT 30, in dem ein Bildsignal, das von diesem Haltekondensator "cap" gehalten wird, zu seiner Torelektrode geleitet wird, und Lichtemissionselementen 40 gebildet, zu welchen ein Antriebsstrom von den allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" fließt, wenn diese über den zweiten TFT 30 an die allgemeinen Stromversorgungsleitungen elektrisch angeschlossen sind.
  • Wie in 23(A) und 23(B) dargestellt, sind insbesondere in allen Pixeln 7 der erste TFT 20 und der zweite TFT 30 unter Verwendung von zwei inselförmigen Halbleiterfilmen gebildet, eine Relais-Elektrode 35 ist elektrisch an die Source- und Drain-Bereiche des zweiten TFT 30 durch ein Kontaktloch eines ersten Zwischenschicht-Isolierfilms 51 angeschlossen, und eine Pixelelektrode 41 ist elektrisch an die Relais-Elektrode 35 durch ein Kontaktloch eines zweiten Zwischenschicht-Isolierfilms 52 angeschlossen. An der Seite der oberen Schichten dieser Pixelelektrode 41 sind eine positive Löcherinjektionsschicht 42, ein organischer Halbleiterfilm 43 und eine Gegenelektrode "op" in mehrschichtig angeordnet. Hier ist die Gegenelektrode "op" über eine Vielzahl von Pixeln 7 derart gebildet, dass sie sich über die Datenleitungen "sig" und dergleichen erstreckt. Ferner sind die allgemeinen Stromversorgungsleitungen com elektrisch an die Source- und Drain-Bereiche des zweiten TFT 30 durch das Kontaktloch angeschlossen.
  • Im Gegensatz dazu ist in dem ersten TFT 20 eine Potenzialhalteelektrode "st", die elektrisch an die Source- und Drain-Bereiche angeschlossen ist, elektrisch an einen verlängerten Abschnitt 310 einer Torelektrode 31 angeschlossen. An der Seite der unteren Schichten liegt ein Halbleiterfilm 400 diesem verlängertem Abschnitt 310 durch einen Torisolierfilm 50 gegenüber, und da dieser Halbleiterfilm 400 durch eingefügte Störstellen leitend gemacht wird, bildet dieser Halbleiterfilm 400 gemeinsam mit dem verlängerten Abschnitt 310 und dem Torisolierfilm 50 den Haltekondensator "cap". Hier ist die allgemeine Stromversorgungsleitung "com" elektrisch an den Halbleiterfilm 400 durch das Kontaktloch des ersten Zwischenschicht-Isolierfilms 51 angeschlossen. Da der Haltekondensator "cap" ein Bildsignal hält, das von den Datenleitungen "sig" über den ersten TFT 20 zugeleitet wird, wird daher die Torelektrode 31 des zweiten TFT 30 bei einem Potenzial gehalten, das dem Bildsignal entspricht, selbst wenn der erste TFT 20 abgeschaltet wird. Da der Antriebsstrom weiter von den allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" zu dem Lichtemissionselement 40 fließt, emittiert daher das Lichtemissionselement 40 weiterhin Licht.
  • Im Vergleich zu der Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung jedoch besteht in der Anzeigevorrichtung 1A das Problem, dass die Anzeigequalität nicht verbessert werden kann, da die Pixel 7 um ein Maß, das dem Bedarf des zweiten TFT 30 und der allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" entspricht, schmäler sind.
  • Daher ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Anzeigevorrichtung bereitzustellen, die die Anzeigequalität verbessern kann, indem die Lichtemissionsfläche von Pixeln durch Verbesserung der Anordnung von Pixeln und der allge meinen Stromversorgungsleitungen, die auf einem Substrat gebildet sind, vergrößert wird.
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • Zur Lösung der zuvor beschriebenen Probleme stellt die vorliegende Erfindung eine Anzeigevorrichtung bereit, umfassend auf einem Substrat: eine Vielzahl von Abtastleitungen; eine Vielzahl von Datenleitungen, die sich in eine Richtung erstrecken, die die Verlaufsrichtung der Abtastleitungen schneidet; eine Vielzahl von allgemeinen Stromversorgungsleitungen parallel zu den Datenleitungen; und Pixel, die in einer Matrix durch die Datenleitungen und die Abtastleitungen gebildet sind, wobei jedes der Pixel umfasst: einen ersten Dünnfilmtransistor, in dem ein Abtastsignal über die Abtastleitungen zu seiner ersten Torelektrode geleitet wird; einen Haltekondensator zum Halten eines Bildsignals, das von den Datenleitungen über den ersten Dünnfilmtransistor zugeleitet wird; und einen zweiten Dünnfilmtransistor, in dem das Bildsignal, das von dem Haltekondensator gehalten wird, zu seiner zweiten Torelektrode geleitet wird; und ein Lichtemissionselement mit einem organischen Halbleiterfilm, das Licht durch einen Antriebsstrom emittiert, der, wenn die Pixelelektrode elektrisch an die allgemeine Stromversorgungsleitung angeschlossen ist, über den zweiten Dünnfilmtransistor in einem Abschnitt zwischen den Schichten der Pixelelektroden, die für jedes der Pixel ausgebildet sind, und der Gegenelektroden, die den Pixelelektrode gegenüberliegen, zwischen einer Pixelelektrode und einer Gegenelektrode fließt; wobei Pixel, in welchen der Antriebsstrom durch den Abschnitt zwischen den Pixeln und den allgemeinen Stromversorgungsleitungen geleitet wird, an beiden Seiten der allgemeinen Stromversorgungsleitungen angeordnet sind, und die Datenleitungen auf einer Seite gegenüber den allgemeinen Stromversorgungsleitungen in Bezug auf die Pixel verlaufen.
  • Da in der vorliegenden Erfindung insbesondere eine Datenleitung, eine daran angeschlossene Gruppe von Pixeln, eine allgemeine Stromversorgungsleitung, eine daran angeschlossene Gruppe von Pixeln, und eine Datenleitung zum Zuleiten eines Pixelsignals zu der Gruppe von Pixeln als eine Einheit angenommen werden und diese in die Verlaufsrichtung von Abtastleitungen wiederholt wird, werden Pixel für zwei Reihen durch eine allgemeine Stromversorgungsleitung angetrieben. Daher kann der Bildungsbereich von allgemeinen Stromversorgungsleitungen schmäler gestaltet werden als in einem Fall, in dem eine allgemeine Stromversorgungsleitung für jede Gruppe von Pixeln für eine Reihe gebildet ist, und die Lichtemissionsfläche der Pixel kann entsprechend erweitert werden. Daher ist es möglich, die Anzeigeleistung, wie Luminanz, Kontrastverhältnis und so weiter, zu verbessern.
  • Wenn die Konstruktion auf diese Weise gebildet wird, ist bevorzugt, dass zum Beispiel in einem Abschnitt zwischen zwei Pixeln, die derart angeordnet sind, dass die gemeinsame Stromversorgungsleitung dazwischen liegt, der erste Dünnfilmtransistor, der zweite Dünnfilmtransistor und die Lichtemissionselemente in linearer Symmetrie um die gemeinsamen Stromversorgungsleitungen angeordnet sind.
  • In der vorliegenden Erfindung ist auch bevorzugt, dass der mittige Abstand der Bildungsbereiche der organischen Halbleiterfilme gleich jedem Intervall zwischen benachbarten Pixeln entlang der Verlaufsrichtung der Abtastleitungen ist. Wenn die Konstruktion auf diese Weise gebildet ist, ist es zweckdienlich, ein Material für einen organischen Halbleiterfilm von einem Tintenstrahlkopf abzugeben und einen organischen Halbleiterfilm zu bilden. Das heißt, da der mittige Abstand der Bildungsbereiche der organischen Halbleiterfilme gleich ist, kann das Material für einen organischen Halbleiterfilm vom Tintenstrahlkopf in gleichmäßigen Intervallen abgegeben werden. Dies vereinfacht den Bewegungssteuermechanismus des Tintenstrahlkopfs und die Positionsgenauigkeit wird verbessert.
  • Ferner ist bevorzugt, dass der Bildungsbereich des organischen Halbleiterfilms von einer Bankschicht umgeben ist, die aus einem Isolierfilm gebildet ist, der dicker als der organische Halbleiterfilm ist, und die Bankschicht derart gebildet ist, dass sie die Datenleitungen und die allgemeinen Stromversorgungsleitungen bei derselben Breitendimension bedeckt. Wenn die Konstruktion auf diese Weise gebildet wird, kann der organische Halbleiterfilm in einem vorbestimmten Bereich gebildet werden, da die Bankschicht die Extrusion des organischen Halbleiterfilms in seine Peripherie verhindert, wenn der organische Halbleiterfilm durch ein Tintenstrahlverfahren gebildet wird. Da die Bankschicht die Datenleitungen und die allgemeine Stromversorgungsleitung bei derselben Breitendimension bedeckt, ist dies ferner geeignet, den mittigen Abstand der Bildungsbereiche des organischen Halbleiterfilms bei jedem Intervall der benachbarten Pixeln entlang der Verlaufsrichtung der Abtastleitungen gleich zu machen. Hier sind die Gegenelektroden zumindest auf annähernd der gesamten Oberfläche der Pixelfläche oder über eine breite Fläche in Streifenform gebildet und befinden sich in einem gegenüberliegenden Zustand zu den Datenleitungen. Wenn sie in diesem Zustand gehalten werden, parasitiert daher eine große Kapazität die Datenleitungen. Da jedoch in der vorliegenden Erfindung eine Bankschicht zwischen den Datenleitungen und Gegenelektroden liegt, ist es möglich, eine Parasitierung der Kapazität, die in einem Abschnitt neben den Gegenelektroden gebildet wird, in die Datenleitungen zu verhindern. Da die Last in der datenseitigen Treiberschaltung verringert werden kann, kann infolgedessen der Energieverbrauch verringert oder ein Anzeigebetrieb mit höherer Geschwindigkeit erreicht werden.
  • In der vorliegenden Erfindung ist bevorzugt, dass eine Verdrahtungsschicht an einer Position gebildet ist, die einem Abschnitt zwischen zwei Datenleitungen entspricht, die auf einer Seite gegenüber der allgemeinen Stromversorgungsleitung in Bezug auf die Pixel verlaufen. Wenn zwei Datenleitungen parallel zueinander liegen, besteht ein Risiko, dass. eine Kreuzkopplung zwischen diesen Datenleitungen eintreten kann. Da jedoch in der vorliegenden Erfindung eine andere Verdrahtungsschicht, die sich von diesen unterscheidet, zwischen zwei Datenleitungen verläuft, kann die Kreuzkopplung verhindert werden, indem einfach eine solche Verdrahtungsschicht zumindest in einer horizontalen Abtastperiode des Bildes bei einem unveränderlichen Potenzial gehalten wird.
  • In diesem Fall ist zwischen zwei benachbarten Datenleitungen der Vielzahl von Datenleitungen bevorzugt, dass das Abtasten eines Bildsignals bei gleicher Zeitsteuerung ausgeführt wird. Wenn die Konstruktion auf diese Weise gebildet wird, ist es möglich, ein Auftreten einer Kreuzkopplung zwischen diesen Datenleitungen zuverlässiger zu verhindern, da Potenzialschwankungen während der Abtastung gleichzeitig in einem Abschnitt zwischen zwei Datenleitungen erfolgen.
  • In der vorliegenden Erfindung ist bevorzugt, dass sich nahezu dieselbe Anzahl von zwei Arten von Pixeln, in welchen die Lichtemissionselemente von einem Antriebsstrom angetrieben werden, dessen Polarität umgekehrt ist, unter der Vielzahl von Pixeln befindet, in welchen der Antriebsstrom in einem Abschnitt zwischen den Pixeln und den allgemeinen Stromversorgungsleitungen geleitet wird.
  • Wenn die Konstruktion auf diese Weise gebildet wird, löscht der Antriebsstrom, der von der allgemeinen Stromversorgungsleitung zu den Pixeln fließt, den Antriebsstrom, der von den Pixeln zu der allgemeinen Stromversorgungsleitung fließt, wodurch eine geringere Menge des Antriebsstroms, der durch die allgemeine Stromversorgungsleitung fließt, erforderlich ist. Da die allgemeinen Stromversorgungsleitungen entsprechend schmäler gestaltet sein können, ist es daher möglich, die Anzeigefläche in Bezug auf das Außenfeld zu erweitern. Es ist auch möglich, Luminanzschwankungen zu beseitigen, die aufgrund einer Differenz zwischen Antriebsströmen auftreten.
  • Zum Beispiel ist die Konstruktion derart gebildet, dass die Polarität des Antriebsstroms in jedem Pixel in die Ver laufsrichtung der Datenleitungen dieselbe ist, und dass in die Verlaufsrichtung der Abtastleitungen die Polarität des Antriebsstroms in jedem Pixel für jedes Pixel oder jedes zweite Pixel umgekehrt ist. Die Konstruktion kann auch derart sein, dass die Polarität des Antriebsstroms in jedem Pixel in die Verlaufsrichtung der Abtastleitungen dieselbe ist, und dass in die Verlaufsrichtung der Datenleitungen die Polarität des Antriebsstroms in jedem Pixel für jedes Pixel oder jedes zweite Pixel umgekehrt ist. Von diesen Konstruktionen kann in Fall der Konstruktion, in der die Polarität des Antriebsstroms alle zwei Pixel umgekehrt ist, für die Pixel, durch welche der Antriebsstrom derselben Polarität fließt, eine Gegenelektrode zwischen benachbarten Pixeln gemeinsam verwendet werden, wodurch die Anzahl von Schlitzen der Gegenelektrode verringert werden kann. Das heißt, die Polaritätsumkehr kann ausgeführt werden, ohne den Widerstandswert der Gegenelektroden zu erhöhen, durch die ein großer Strom fließt.
  • Ferner kann die Konstruktion derart gebildet sein, dass die Polarität des Antriebsstroms in jedem Pixel für jedes Pixel sowohl in die Verlaufsrichtung der Abtastleitungen als auch in die Verlaufsrichtung der Datenleitungen umgekehrt ist.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine Darstellung, die schematisch eine Anzeigevorrichtung der vorliegenden Erfindung und den Bildungsbereich einer darin gebildeten Bankschicht zeigt.
  • 2 ist ein Blockdiagramm, das die Grundkonstruktion der Anzeigevorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 3 ist eine Draufsicht, in der Pixel der Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung vergrößert sind.
  • 4 ist eine Schnittansicht entlang der Linie A-A' von 3.
  • 5 ist eine Schnittansicht entlang der Linie B-B' von 3.
  • 6(A) ist eine Schnittansicht entlang der Linie C-C' von 3; und 6(B) ist eine Schnittansicht der Konstruktion, in der der Bildungsbereich einer Bankschicht nicht verlängert ist, bis er eine Relais-Elektrode bedeckt.
  • 7 ist eine Graphik, die die I-V-Eigenschaften eines Lichtemissionselements zeigt, das in der in 1 dargestellten Anzeigevorrichtung verwendet wird.
  • 8 enthält Schrittschnittansichten, die ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zeigen.
  • 9 ist ein Blockdiagramm, das ein Beispiel einer Verbesserung der in 1 dargestellten Anzeigevorrichtung. zeigt.
  • 10(A) ist eine Schnittansicht, die eine Blindverdrahtungsschicht zeigt, die in der in 9 dargestellten Anzeigevorrichtung ausgebildet ist; und 10(B) ist eine Draufsicht auf diese.
  • 11 ist ein Blockdiagramm, das eine Modifizierung der in 3 dargestellten Anzeigevorrichtung zeigt.
  • 12(A) ist eine Draufsicht, in der ein Pixel, das in der in 11 dargestellten Anzeigevorrichtung gebildet ist, vergrößert ist; 12(B) ist eine Schnittansicht davon.
  • 13 ist ein äquivalentes Schaltungsdiagramm, das die Konstruktion von zwei Pixeln zeigt, in welchen der Antriebsstrom umgekehrt ist, die in einer Anzeigevorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gebildet sind.
  • 14 ist ein Wellenformdiagramm jedes Signals zum Antreiben eines der zwei in 13 dargestellten Pixel.
  • 15 ist ein Wellenformdiagramm jedes Signals zum Antreiben des anderen der zwei in 13 dargestellten Pixel.
  • 16 ist eine Schnittansicht, die die Konstruktion von Lichtemissionselementen zeigt, die in den zwei in 13 dargestellten Pixeln ausgebildet sind.
  • 17 enthält Darstellungen, die die Anordnung von Pixeln in der in 13 dargestellten Anzeigevorrichtung zeigen.
  • 18 ist eine Darstellung, die die Anordnung von Pixeln in einer Anzeigevorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 19 ist eine Darstellung, die die Anordnung von Pixeln in einer Anzeigevorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 20 ist eine Darstellung, die die Anordnung von Pixeln in einer Anzeigevorrichtung gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 21 ist eine Darstellung, die die Anordnung von Pixeln in einer Anzeigevorrichtung gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 22 ist ein Blockdiagramm einer herkömmlichen Anzeigevorrichtung.
  • 23(A) ist eine Draufsicht, in der ein Pixel, das in der in 22 dargestellten Anzeigevorrichtung gebildet ist, vergrößert ist; 23(B) ist eine Schnittansicht davon.
  • 1
    Anzeigevorrichtung
    2
    Anzeigeabschnitt
    3
    Datenseitige Treiberschaltung
    4
    Abtastseitige Treiberschaltung
    5
    Prüfschaltung
    6
    Anschlusselement
    7, 7A, 7B
    Pixel
    10
    Transparentes Substrat
    20
    Erster TFT
    21
    Torelektrode des ersten TFT
    30
    Zweiter TFT
    31
    Torelektrode des zweiten TFT
    40, 40A, 40B
    Lichtemissionselemente
    41
    Pixelelektrode
    42
    Positive Löcherinjektionsschicht
    43
    Organischer Halbleiter
    45
    Dünne lithiumhaltige
    Aluminiumelektrode
    46
    ITO-Filmschicht
    50
    Torisolierfilm
    51
    Erster Zwischenschicht-Isolierfilm
    52
    Zweiter Zwischenschicht-Isolierfilm
    DA
    Blindverdrahtungsschicht
    bank
    Bankschicht
    cap
    Haltekondensator
    cline
    Kapazitätsleitung
    com
    allgemeine Stromversorgungsleitung
    gate, gateA, gateB
    Abtastleitungen
    op, opA, opB
    Gegenelektroden
    sig, sigA, sigB
    Datenleitungen
    st, stA, stB
    Potenzialhalteelektroden
  • BESTE AUSFÜHRUNGSFORM DER ERFINDUNG
  • De Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden in der Folge unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben.
  • [Erste Ausführungsform]
  • (Gesamtkonstruktion des Substrats mit aktiver Matrix)
  • 1 ist ein Blockdiagramm, das schematisch die gesamte Anordnung einer Anzeigevorrichtung zeigt. 2 ist ein äquivalentes Schaltungsdiagramm einer darin ausgebildeten aktiven Matrix.
  • Wie in dieser Figur dargestellt, ist in einer Anzeigevorrichtung 1 dieser Ausführungsform der mittlere Abschnitt eines transparenten Substrats 10, das deren Grundkörper ist, zu einem Anzeigeabschnitt 2 ausgebildet. An beiden Endseiten der Datenleitungen "sig" des peripheren Abschnitts des transparenten Substrats 10 sind eine datenseitige Treiberschaltung 3 zum Ausgeben eines Bildsignals und eine Prüfschaltung 5 gebildet, und an beiden Endseiten der Abtastleitungen "gate" ist eine abtastseitige Treiberschaltung 4 zum Ausgeben eines Abtastsignals gebildet. In diesen Treiberschaltungen 3 und 4 ist ein komplementärer TFT durch einen n-Typ-TFT und einen p-Typ-TFT gebildet. Dieser komplementäre TFT bildet ein Schieberegister, einen Pegelverschieber, einen Analogschalter, usw.. Auf dem transparenten Substrat 10 ist ein Anschlusselement 6, das eine Gruppe von Anschlüssen zum Eingeben eines Bildsignals, verschiedener Potenziale und eines Pulssignals ist, in dem peripheren Bereich zu der Außenseite von der datenseitigen Treiberschaltung 3 gebildet.
  • (Anordnung der allgemeinen Stromversorgungsleitungen und Pixel)
  • In der Anzeigevorrichtung 1 sind ähnlich wie bei einem Substrat mit aktiver Matrix einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung auf dem transparenten Substrat 10 eine Vielzahl von Abtastleitungen "gate" und eine Vielzahl von von Datenleitungen "sig, die sich in eine Richtung erstrecken, die die Verlaufsrichtung der Abtastleitungen "gate" schneidet, ausgebildet. Wie in 2 dargestellt, bilden diese Datenleitungen "sig" und Abtastleitungen "gate" die Pixel 7, die in einer Matrix (ebildet sind.
  • Jedes dieser Pixel 7 ist mit einem ersten TFT 20 gebildet, in dem ein Abtastsignal zu seiner Torelektrode 21 (ersten Torelektrode) über die Abtastleitungen "gate" geleitet wird. Einer von den Source- und Drain-Bereichen des zweiten TFT 20 ist elektrisch an die Datenleitung "sig" angeschlossen und der andere ist elektrisch an eine Potenzialhalteelektrode "st" angeschlossen. In Bezug auf die Abtastleitungen "gate" sind Kapazitätsleitungen "cline" parallel angeordnet, wobei ein Haltekondensator "cap" zwischen der Kapazitätsleitung "cline" und der Potenzialhalteelektrode "st" gebildet ist. Wenn daher der erste TFT 20 durch das Abtastsignal gewählt und eingeschaltet wird, wird das Bildsignal von der Datenleitung "sig" über den ersten TFT 20 in den Haltekondensator "cap" geschrieben.
  • Eine Torelektrode 31 (zweite Torelektrode) des zweiten TFT 30 ist elektrisch an . die Potenzialhalteelektrode "st" angeschlossen. Einer von den Source- und Drain-Bereichen des zweiten TFT 30 ist elektrisch an die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" angeschlossen und der andere ist elektrisch an eine der Elektroden (Pixelelektrode, die später beschrieben wird) eines Lichtemissionselements 40 angeschlossen. Die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" werden bei einem unveränderlichen Potenzial gehalten. Wenn daher der zweite TFT 30 eingeschaltet wird, fließt der Strom in der allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" über diesen TFT zu dem Lichtemissionselement 40, wodurch das. Lichtemissionselement 40 veranlasst wird, Licht zu emittieren.
  • In dieser Ausführungsform sind an beiden Seiten der allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" eine Vielzahl von Pixeln 7 angeordnet, zu welchen Antriebsstrom durch die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" geleitet wird, und. zwei Datenleitungen "sig" verlaufen auf einer Seite, die den allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" in Bezug auf diese Pixel 7 gegenüberliegt. Das heißt, eine Datenleitung "sig", eine daran angeschlossene Gruppe von Pixeln, eine allgemeine Stromversorgungsleitung "com, eine daran angeschlossene Gruppe von Pixeln, und eine Datenleitung "sig" zum Zuleiten eines Pixelsignals zu der Gruppe von Pixeln, werden als eine Einheit angenommen, und diese wird in die Verlaufsrichtung von Abtastleitungen "gate" wiederholt, und eine allgemeine Stromversorgungsleitung "com" wird zum Zuleiten eines Antriebsstroms zu den Pixeln 7 für zwei Reihen verwendet. Daher sind in dieser Ausführungsform in einem Abschnitt zwischen zwei Pixeln 7, die derart angeordnet sind, dass die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" dazwischen liegen, der erste TFT 20, der zweite TFT 30 und die Lichtemissionselemente 40 in linearer Symmetrie um die allgemeine Stromversorgungsleitung "com" angeordnet, wodurch die elektrische Verbindung zwischen diesen Elementen und jeder Verdrahtungsschicht vereinfacht wird.
  • Da in dieser Ausführungsform, wie zuvor beschrieben, Pixel für zwei Reihen von einer allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" angetrieben werden, im Vergleich zu einem Fall, in dem die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" für jede Gruppe von Pixeln einer Reihe gebildet sind, ist die halbe Anzahl von allgemeinen Anzeigevorrichtungen "com" notwendig, und der Spalt, der zwischen den allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" und den Datenleitungen "sig" entsteht, der in demselben Abschnitt zwischen den Schichten gebildet ist, ist nicht erforderlich. Da eine Fläche für eine Verdrahtung auf dem transparenten Substrat 10 schmäler gestaltet werden kann, kann daher das Verhältnis der Lichtemissionsfläche in jedem Pixelbereich entsprechend vergrößert werden, wodurch die Anzeigeleistung, wie Luminanz, Kontrastverhältnis, und so weiter, verbessert werden kann.
  • Da die Konstruktion derart gebildet ist, dass die Pixel für zwei Reihen auf diese Weise an eine allgemeine Anzeigevorrichtung "com" angeschlossen sind, leiten die Datenleitungen "sig", die parallel in Gruppen von zwei liegen, ein Bildsignal zu der Gruppe von Pixeln für jede Reihe zuleiten.
  • (Struktur der Pixel)
  • Die Struktur jedes Pixels 7 der Anzeigevorrichtung 1, die wie zuvor beschrieben konstruiert ist, wird unter Bezugnahme auf 3 bis 6(A) ausführlich beschrieben.
  • 3 ist eine Draufsicht, in der drei Pixel 7 der Vielzahl von Pixeln 7, die in der Anzeigevorrichtung 1 dieser Ausführungsform gebildet sind, vergrößert sind. 4, 5 und 6(A) sind eine Schnittansicht entlang der Linie A-A' von 3, eine Schnittansicht entlang der Linie B-B' von 3 und eine Schnittansicht entlang der Linie C-C' von 3.
  • Zunächst wird an einer Position, die der Linie A-A' von 3 entspricht, wie in 4 dargestellt, in, jedem der Pixel 7 auf dem transparenten Substrat 10 ein inselförmiger Siliziumfilm 200 zur Bildung des ersten TFT 20 gebildet, wobei ein Torisolierfilm 50 an dessen Oberfläche gebildet wird. Ferner wird eine Torelektrode 21 (ein Teil der Abtastleitungen "gate") auf der Oberfläche des Torisolierfilms 50 gebildet, und Source- und Drain-Bereiche 22 und 23 werden so gebildet, dass sie in Bezug auf die Torelektrode 21 selbstausrichtend sind. Eine erster Zwischenschicht-Isolierfilm 51 wird auf der Oberfläche des Torisolierfilms 50 gebildet, und die Datenleitungen "sig" und die Potenzialhalteelektroden "st" werden elektrisch an die Source- und Drain-Bereiche 22 und 23 über Kontaktlöcher 61 beziehungsweise 62 angeschlossen, die auf diesem Zwischenschicht-Isolierfilm gebildet sind.
  • In jedem Pixel 7 werden Kapazitätsleitungen "cline" in demselben Abschnitt zwischen den Schichten der Abtastleitungen "gate" und der Torelektroden 21 (zwischen dem Torisolierfilm 50 und dem ersten Zwischenschicht-Isolierfilm 51) derart gebildet, dass sie parallel zu den Abtastleitungen "gate" liegen, und ein verlängerter Abschnitt "st1" der Potenzialhalteelektrode "st" überlappt diese Kapazitätsleitung "cline" über den ersten Zwischenschicht-Isolierfilm 51. Aus diesem Grund bilden die Kapazitätsleitung "cline" und der verlängerte Abschnitt "st1" der Potenzialhalteelektrode "st" einen Haltekondensator "cap", in dem der erste Zwischenschicht-Isolierfilm 51 ein dielektrischer Film ist. Ein zweiter Zwischenschicht-Isolierfilm 52 ist auf der Oberfläche der Potenzialhalteelektroden "st" und der Datenleitungen "sig" gebildet.
  • An einer Position, die der Linie B-B' in 3 entspricht, wie in 5 dargestellt, liegen zwei Datenleitungen "sig", die jedem Pixel 7 entsprechen, parallel auf der Oberfläche des ersten Zwischenschicht-Isolierfilms 51 und des zweiten Zwischenschicht-Isolierfilms 52, die auf dem transparenten Substrat 10 gebildet sind.
  • An einer Position, die der Linie C-C' in 3 entspricht, wie in 6(A) dargestellt, ist ein inselförmiger Siliziumfilm 300 zur Bildung des zweiten TFT 30 auf dem transparenten Substrat 10 derart gebildet, dass er sich über zwei Pixel 7 erstreckt, zwischen welchen die allgemeine Stromversorgungsleitung "com" liegt, wobei der Torisolierfilm 50 auf dessen Oberfläche gebildet ist. Auf der Oberfläche des Torisolierfilms 50 ist die Torelektrode 31 in jeweils in jedem der Pixel 7 derart gebildet, dass die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" dazwischen liegen, wobei Source- und Drain-Bereiche 32 und 33 so gebildet sind, dass sie in dieser Torelektrode 31 selbstausrichtend sind. Der erste Zwischenschicht-Isolierfilm 51 ist auf der Oberfläche des Torisolierfilms 50 gebildet, und die Relais-Elektrode 35 ist elektrisch an einen Source- und Drain-Bereich 62 über ein Kontaktloch 63 angeschlossen, dass in diesem Zwischenschicht-Isolierfilm gebildet ist. Im Gegensatz dazu sind die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "co" elektrisch an einen Abschnitt, der ein allgemeiner Source- und Drain-Bereich 33 in zwei Pixel 7 im mittleren Abschnitt des Siliziumfilms 300 ist, über ein Kontaktloch 64 des ersten Zwischenschicht-Isolierfilms 51 angeschlossen. Ein zweiter Zwischenschicht-Isolierfilm 52 ist auf der Oberfläche der allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" und der Relais-Elektrode 35 gebildet. Eine Pixelelektrode 41, die aus einem ITO-Film gebildet ist, ist auf der Oberfläche des zweiten Zwischenschicht-Isolierfilms 52 gebildet. Diese Pixelelektrode 41 ist elektrisch an die Relais-Elektrode 35 über ein Kontaktloch 65 angeschlossen, das in dem zweiten Zwischenschicht-Isolierfilm 52 gebildet ist, und ist an die Source- und Drain-Bereiche 32 des zweiten TFT 30 über diese Relais-Elektrode 35 elektrisch angeschlossen.
  • Hier bildet die Pixelelektrode 41 eine der Elektroden des Lichtemissionselements 40. Das heißt, eine positive Löcherinjektionsschicht 42 und ein organischer Halbleiterfilm 43 sind mehrschichtig auf der Oberfläche der Pixelelektrode 41 gebildet, und eine Gegenelektrode "op", die aus einem lithiumhaltigen Metallfilm, wie Aluminium oder Kalzium, gebildet ist, ist auf der Oberfläche des organischen Halbleiterfilms 43 gebildet. Diese Gegenelektrode "op" ist eine gemeinsame Elektrode, die zumindest auf einer Pixelfläche oder in Streifenform gebildet ist, und bei einem unveränderlichen Potenzial gehalten wird.
  • In dem Lichtemissionselement 40, das wie zuvor beschrieben konstruiert ist, wird eine Spannung durch Festlegen der Gegenelektrode "op" und der Pixelelektrode 41 als positiven Pol beziehungsweise negativen Pol angelegt. Wie in 7 dargestellt, steigt der Strom (Antriebsstrom), der durch den organischen Halbleiterfilm 43 strömt, in einem Bereich, wo die angelegte Spannung eine Schwellenspannung überschreitet, heftig an. Infolgedessen emittiert das Lichtemissionselement 40 Licht als Elektrolumineszenz-Element oder LED-Element. Das Licht von dem Lichtemissionselement 40 wird von der Gegenelektrode "op" reflektiert, geht durch die transparente Pixelelektrode 41 und das tränsparente Substrat 10 und wird ausgegeben.
  • Ein solcher Antriebsstrom, der zur Lichtemission verwendet wird, fließt durch eine Strompfad, der aus der Gegenelektrode "op", dem organischen Halbleiterfilm 43, der positiven Löcherinjektionsschicht 42, der Pixelelektrode 41, dem zweiten TFT 30 und den allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" besteht. Wenn der zweite TFT 30 abgeschaltet wird, fließt daher der Antriebsstrom nicht. Wenn in der Anzeigevorrichtung 1 dieser Ausführungsform der erste TFT 20 eingeschaltet wird, da er von einem Abtastsignal gewählt wird, wird das Bildsignal von den Datenleitungen "sig" über den ersten TFT 20 in die Haltekondensatoren "cap" geschrieben. Selbst wenn daher der erste TFT 20 ausgeschaltet wird, wird die Torelektrode des zweiten TFT 30 bei einem Potenzial entsprechend dem Bild signal durch den Haltekondensator "cap" gehalten, und daher bleibt der zweite TFT 30 in einem eingeschalteten Zustand. Daher fließt der Antriebsstrom weiter durch das Lichtemissionselement 40 und diese Pixel wird in einem eingeschalteten Zustand gehalten. Dieser Zustand wird aufrechterhalten, bis neue Bilddaten in den Haltekondensator "cap" geschrieben werden und der zweite TFT 30 abgeschaltet wird.
  • (Verfahren zur Herstellung der Anzeigevorrichtung)
  • In einem Verfahren zur Herstellung der Anzeigevorrichtung 1, die wie zuvor beschrieben konstruiert ist, sind die Schritte bis zur Herstellung des ersten TFT 20 und des zweiten TFT 30 auf dem transparenten Substrat 10 annähernd dieselben wie die Schritte zur Herstellung eines aktiven Matrixsubstrates der Anzeigevorrichtung 1 und werden daher allgemein unter Bezugnahme auf 8 beschrieben.
  • 8 enthält Schrittschnittansichten, die schematisch den Prozess zur Bildung jeder Komponente der Anzeigevorrichtung 1 zeigen.
  • Insbesondere, wie in 8(A) dargestellt wird unter Verwendung von TEOS (Tetraethoxysilan), Sauerstoffgas und dergleichen als Ausgangsmaterialgas ein Basisschutzfilm (nicht dargestellt) aus einem Siliziumoxidfilm mit einer Dicke von etwa 2000 bis 5000 Ångström auf dem transparenten Substrat 10 durch eine Plasma-CVD-Methode gebildet. Danach wird die Temperatur des Substrats auf etwa 350°C eingestellt und ein Halbleiterfilm 100 aus einem amorphen Siliziumfilm mit einer Dicke von etwa 300 bis 700 Ångström auf der Oberfläche des Basisschutzfilms durch eine Plasma-CVD-Methode gebildet. Danach wird ein Kristallisierungsschritt, wie Laserglühen oder ein Festphasenwachstumsverfahren, auf dem Halbleiterfilm 100 ausgeführt, der aus einem amorphen Siliziumfilm gebildet ist, so dass der Halb leiterfilm 100 zu einem Polysiliziumfilm kristallisiert wird. Bei der Laserglühmethode wird zum Beispiel ein punktbildender Linienstrahl mit einer Hauptachse von 400 mm im Exzimerlaser verwendet, und seine Ausgangsstärke ist zum Beispiel 200 mJ/cm2. Der Linienstrahl wird derart geführt, dass für den Linienstrahl ein Teil, der 90% des Spitzenwertes der Laserstärke in dessen Nebenachse entspricht, in jeder Fläche überlappt.
  • Anschließend wird der Halbleiterfilm 100, wie in 8(B) dargestellt, zu inselförmigen Siliziumfilmen 200 und 300 strukturiert und ein Torisolierfilm 50 aus einem Siliziumoxidfilm oder einem Nitridfilm mit einer Dicke von etwa 600 bis 1500 Ångström wird auf der Oberfläche der Siliziumfilme 200 und 300 durch eine Plasma-CVD-Methode unter Verwendung von TEOS (Tetraethoxysilan) oder Sauerstoffgas als Ausgangsmaterialgas gebildet.
  • Wie in 8(C) dargestellt, wird anschließend ein leitender Film aus einem Metallfilm, wie Aluminium, Tantal, Molybdän, Titan oder Wolfram, durch eine Sputtermethode gebildet, wonach er strukturiert wird, um Torelektroden 21 und 31 als Teil der Abtastleitungen "gate" zu bilden. In diesem Schritt werden auch die Kapazitätsleitungen "cline" gebildet. In der Figur bezeichnet das Bezugszeichen 310 einen verlängerten Abschnitt der Torelektrode 31.
  • In diesem Zustand werden Phosphorionen oder -Borionen in hohen Konzentrationen implantiert, um Source- und Drain-Bereiche 22, 23, 32 und 33 in selbstausrichtender Weise in Bezug auf die Torelektroden 21 und 31 in den Silizium-Dünnfilmen 200 und 300 zu bilden. Die Abschnitte, wo keine Störstellen eingeführt werden, werden zu den Kanalbereichen 27 und 37.
  • Wie in 8(D) dargestellt, werden nach der Bildung des ersten Zwischenschicht-Isolierfilms 51 anschließend Kontaktlöcher 61, 62, 63, 64 und 69 gebildet, und eine Potenzialhalteelektrode "st", die einen verlängerten Abschnitt "st1" umfasst, der die Datenleitungen "sig", die Kapazitätsleitungen "cline" und den verlängerten Abschnitt 310 der Torelektrode 31 überlappt, eine allgemeine Stromversorgungsleitung "com und die Relais-Elektrode 35 werden gebildet. Infolgedessen ist die Potenzialhalteelektrode "st" an die Torelektrode 31 über ein Kontaktloch 69 und den verlängerten Abschnitt 31 elektrisch angeschlossen. Auf diese Weise werden der erste TFT 20 und der zweite TFT 30 gebildet. Ferner wird der Haltekondensator "cap" durch die Kapazitätsleitung "cline" und den verlängerten Abschnitt "st1" der Potenzialhalteelektrcde "st" gebildet.
  • Wie in 8(E) dargestellt, wird anschließend der zweite Zwischenschicht-Isolierfilm 52 gebildet und in diesem Zwischenschicht-Isolierfilm wird ein Kontaktloch 65 in einem Abschnitt gebildet, der der Relais-Elektrode 35 entspricht. Nach der Bildung des ITO-Films über der gesamten Oberfläche des zweiten Zwischenschicht-Isolierfilms 52 wird der Film strukturiert, wodurch eine Pixelelektrode 41 gebildet wird, die an die Source- und Drain-Bereiche 32 des zweiten TFT 30 über das Kontaktloch 65 elektrisch angeschlossen ist.
  • Wie in 8(F) dargestellt, wird nach der Bildung einer schwarzen Resistschicht auf dem zweiten Zwischenschicht-Isolierfilm 52 dieser Resist derart belassen, dass er eine Fläche umgibt, wo die positive Löcherinjektionsschicht 42 und der organische Halbleiterfilm 43 des Lichtemissionselements 40 gebildet werden sollten, indem eine Bankschicht "bank" gebildet wird. Hier kann für den organischen Halbleiterfilm 43 beliebiger Form in einem Fall, in dem der Film unabhängig für jedes Pixel gebildet wird, oder in einem Fall, in dem der Film in Streifenform entlang den Datenleitungen "sig" gebildet wird, ein Herstellungsverfahren gemäß dieser Ausführungsform angewendet werden, indem einfach die Bankschicht "bank" in einer entsprechenden Form gebildet wird.
  • Anschließend wird ein flüssiges Material (Vorläufer) zur Bildung der positiven Löcherinjektionsschicht 42 von einem Tintenstrahlkopf IJ in Bezug auf die innere Fläche der Bankschicht "bank" abgegeben und die positive Löcherinjektionsschicht 42 wird in der inneren Fläche der Bankschicht "bank" gebildet. Auf gleiche Weise wird ein flüssiges Material (Vorläufer) zur Bildung des organischen Halbleiterfilms 43 von dem Tintenstrahlkopf IJ in Bezug auf die innere Fläche der Bankschicht "bank" abgegeben und der organische Halbleiterfilm 43 wird in der inneren Fläche der Bankschicht "bank" gebildet. Da die Bankschicht "bank" aus einem Resist gebildet ist, ist sie hier wasserabstoßend. Da der Vorläufer des organischen Halbleiterfilms 43 vorwiegend ein hydrophiles Lösemittel verwendet, ist hier die Beschichtungsfläche des organischen Halbleiterfilms 43 zuverlässig durch die Bankschicht "bank" definiert und eine Extrusion in benachbarte Pixel findet nicht statt.
  • Wenn der organische Halbleiterfilm 43 und die positive Löcherinjektionsschicht 42 durch ein Tintenstrahlverfahren auf diese Weise gebildet werden, wird in dieser Ausführungsform zur Verbesserung der Betriebseffizienz und der Injektionspositionsgenauigkeit, wie in 3 dargestellt, der Abstand P der Mitten der Bildungsbereiche der organischen Halbleiterfilme 43 für jedes Intervall benachbarter Pixel 7 entlang der Verlaufsrichtung der Abtastleitungen "gate" gleich gemacht. Da ein Material für den organischen Halbleiterfilm 43 von dem Tintenstrahlkopf IJ an Positionen in gleichen Abständen entlang der Verlaufsrichtung der Abtastleitungen "gate" abgegeben werden kann, wie durch den Pfeil Q angezeigt, besteht daher der Vorteil, dass die Betriebseffizienz besser ist. Ferner wird der Bewegungssteuermechanismus des Tintenstrahlkopfs IJ vereinfacht und die Implantationspositionsgenauigkeit verbessert.
  • Wie in 8(G) dargestellt, wird anschließend die Gegenelektrode "op" auf der Oberfläche des transparenten Substrats 10 gebildet. Hier werden die Gegenelektroden "op" zumindest über der gesamten Oberfläche der Pixelfläche oder in Streifenform gebildet. Wenn die Gegenelektroden "op" in Streifenform gebildet werden, wird ein Metallfilm, nachdem er über der gesamten Oberfläche des transparenten Substrats 10 gebildet wurde, in Streifenform strukturiert.
  • Da die Bankschicht "bank" aus einem Resist gebildet ist, bleibt sie intakt, und wie in der Folge beschrieben wird, wird die Schicht als schwarze Matrix BM und Isolierschicht zur Verringerung einer parasitären Kapazität verwendet.
  • TFTs werden auch in der. datenseitigen Treiberschaltungen 3 und der abtastseitigen Treiberschaltung 4 gebildet, wie in 1 dargestellt. Diese TFTs werden durch Verwendung aller oder eines Teils der Schritte zur Bildung des TFT in den Pixeln 7 gebildet. Daher wird der TFT, der eine Treiberschaltung bildet, auch in demselben Abschnitt zwischen den Schichten gebildet, wie jenem der TFTs der Pixel 7.
  • Ferner können sowohl der erste TFT 20 als auch der zweite TFt 30 vom n-Typ oder p-Typ sein, oder einer kann vom n-Typ und der andere vom p-Typ sein. In jeder Kombination dieser Fälle können TFTs durch ein allgemein bekanntes Verfahren gebildet werden und daher wird deren Beschreibung unterlassen.
  • (Bildungsbereich der Bankschicht)
  • In dieser Ausführungsform wird in Bezug auf die Gesamtheit der peripheren Fläche des transparenten Substrats 10, wie in 1 dargestellt, die Bankschicht "bank" (der Bildungsbereich ist schraffiert) gebildet. Daher sind sowohl die datenseitige Treiberschaltung 3 als auch die abtastseitige Treiberschaltung 4 mit der Bankschicht "bank" bedeckt. Selbst wenn sich die Gegenelektroden "op" in einem überlappenden Zustand in Bezug auf den Bildungsbereich dieser Treiberschaltungen befinden, liegt daher die Bankschicht "bank" zwischen den Verdrahtungsschichten und den Gegenelektroden "op" der Treiberschaltungen. Da die Parasitierung einer Kapazität in die Treiberschaltungen 2 und 3 verhindert werden kann, kann somit die Last der Treiberschaltungen 2 und 3 verringert werden, wodurch es möglich wird, den Energieverbrauch zu senken oder eine höhere Geschwindigkeit des Anzeigevorgangs zu erreichen.
  • Wie in 3 bis 5 dargestellt, ist ferner in dieser Ausführungsform die Bankschicht "bank" so gebildet, dass sie die Datenleitungen "sig" überlappt. Da die Bankschicht "bank" zwischen den Datenleitungen "sig" und den Gegenelektroden "op" liegt, kann daher verhindert werden, dass die Kapazität die Datenleitungen "sig" parasitiert. Da die Last der datenseitigen Treiberschaltung 3 verringert werden kann, ist somit möglich, den Energieverbrauch zu senken oder eine höhere Geschwindigkeit des Anzeigevorgangs zu erreichen.
  • Im Gegensatz zu den Datenleitungen "sig" fließt hier ein großer Strom zum Antreiben der Lichtemissionselemente 40 durch die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com", und der Antriebsstrom wird den Pixeln für zwei Reihen zugeleitet. Aus diesem Grund wird die Leitungsbreite für die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" breiter als die Leitungsbreite der Datenleitungen "sig" eingestellt und der Widerstandswert pro Einheit Länge der allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" wird kleiner als der Widerstandswert pro Einheit Länge der Datenleitungen "sig" eingestellt. Selbst wenn unter solchen Konstruktionsbedingungen in dieser Ausführungsform die Bankschicht "bank" so gebildet ist, dass sie die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" überlappt, und der Bildungsbereich des organischen Halbleiterfilms 43 definiert ist, wird die Breite der hier gebildeten Bankschicht "bank" mit derselben Breitendimension wie jener der Bankschicht "bank" geformt, die zwei Datenleitungen "sig" überlappt, wodurch eine Konstruktion erhalten wird, die geeignet ist, den Abstand P der Mitten der Bildungsbereiche der organischen Halbleiterfilme 43 für jedes Intervall zwischen den benachbarten Pixeln 7 entlang der Verlaufsrichtung der Abtastleitungen "gate" gleich zu machen.
  • Wie in 3, 4, und 6(A) dargestellt, wird ferner in dieser Ausführungsform die Bankschicht "bank" auch in einem Bereich gebildet, der den Bildungsbereich des ersten TFT 20 und den Bildungsbereich des zweiten TFT 30 aus dem Bildungsbereich der Pixelelektrode 41 überlappt. Das heißt, wie in 6(B) dargestellt, wenn die Bankschicht "bank" nicht in einem Bereich gebildet wird, der die Relais-Elektrode 35 überlappt, wird, selbst wenn Antriebsstrom zu einem Abschnitt fließt, der an die Gegenelektrode "op" angrenzt, und der organische Halbleiterfilm 43 Licht emittiert, dieses Licht nicht ausgegeben, da es zwischen der Relais-Elektrode 35 und der Gegenelektrode "op" liegt und nicht zur Anzeige beiträgt. Ein solcher Antriebsstrom, der in einem Abschnitt fließt, der nicht zur Anzeige beiträgt, kann vom Standpunkt der Anzeige als reaktiver Strom bezeichnet werden. In dieser Ausführungsform jedoch ist die Bankschicht "bank" in einem Abschnitt gebildet, wo ein solcher reaktiver Strom so fließen sollte, dass der Fluss des Antriebsstrom in diese verhindert wird, wodurch verhindert werden kann, dass nutzloser Strom in die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" fließt. Daher kann die Breite der allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" entsprechend schmäler sein.
  • Wenn die Bankschicht "bank" verbleibt, die durch einen schwarzen Resist wie zuvor beschrieben gebildet wird, dient die Bankschicht "bank" auch als schwarze Matrix, wodurch die Anzeigequalität, wie Luminanz, Kontrastverhältnis, usw. verbessert wird. Das heißt, da in der Anzeigevorrichtung 1 gemäß dieser Ausführungsform die Gegenelektroden "op" auf der gesamten Oberfläche des transparenten Substrats 10 oder in Streifenform über eine breite Fläche desselben gebildet sind, bewirkt Licht, das von den Gegenelektroden "op" reflektiert wird, eine Abnahme des Kontrastverhältnisses. Da in dieser Ausführungsform jedoch die Bankschicht "bank" mit der Funktion der Hemmung der parasitären Kapazität durch einen schwarzen Resist gebildet ist, dient die Bankschicht "bank", während sie den Bildungsbereich des organischen Halbleiterfilms 43 definiert, auch als schwarze Matrix und blockiert reflektiertes Licht von den Gegenelektroden "op", wodurch der Vorteil eines hohen Kontrastverhältnisses erreicht wird. Da die Lichtemissionsfläche in selbstausrichtender Weise durch die Verwendung der Bankschicht "bank" definiert werden kann, ist ferner keine Ausrichtungstoleranz bei der Lichtemissionsfläche erforderlich, die ein Problem darstellt, wenn die Bankschicht "bank" nicht als schwarze Matrix verwendet wird und eine andere Metallschicht als schwarze Matrix verwendet wird.
  • [Beispiel einer Verbesserung der zuvor beschriebenen Ausführungsform]
  • In der zuvor beschriebenen Ausführungsform sind Pixel 7, zu welchen Antriebsstrom in einem Abschnitt zwischen den Pixeln und den allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" fließt, an jeder von beiden Seiten der allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" angeordnet, und zwei Datenleitungen "sig" verlaufen parallel an einer Seite, die den allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" in Bezug auf die Pixel 7 gegenüberliegt. Daher besteht ein Risiko, dass eine Kreuzkopplung zwischen den zwei Datenleitungen "sig" eintreten könnte. Wie in 9, 10(A) und 10(B) dargestellt, wird daher in dieser Ausführungsform eine Blindverdrahtungsschicht DA an einer Position gebildet, die einem Abschnitt zwischen den zwei Datenleitungen "sig" entspricht. Als diese Blindverdrahtungsschicht DA kann zum Beispiel ein ITO-Film DA1 verwendet werden, der gleichzeitig mit der Pixelelektrode 41 gebildet wird. Als Blindverdrahtungsschicht DA kann ferner ein verlängerter Abschnitt DA2 von den Kapazitätsleitungen "cline" zwischen zwei Datenleitungen "sig" gebildet werden. Beide von diesen können als Blindverdrahtungsschicht DA verwendet werden.
  • Wenn die Konstruktion auf diese Weise gebildet wird, kann die obengenannte Kreuzkopplung verhindert werden, da eine Verdrahtungsschicht DA, die sich von der obengenannten unterscheidet, zwischen zwei parallelen Datenleitungen "sig" verläuft, indem einfach eine solche Verdrahtungsschicht DA (DA1, DA2) innerhalb mindestens einer horizontalen Abtastperiode des Bildes bei einem unveränderlichen Potenzial gehalten wird. Das heißt, während die Filmdicke des ersten Zwischenschicht-Isolierfilms 51 und des zweiten Zwischenschicht-Isolierfilms 52 annähernd 1 μm ist, ist der Abstand zwischen zwei Datenleitungen "sig" etwa 2 μm oder mehr. Daher wird im Vergleich zu der Kapazität, die zwischen jeder Datenleitung "sig" und der Blindverdrahtungsschicht DA (DA1, DA2) gebildet wird, die Kapazität, die zwischen den zwei Datenleitungen "sig" gebildet wird, klein genug, dass sie effektiv vernachlässigt werden kann. Da ein Signal hoher Frequenz, das aus den Datenleitungen "sig" leckt, in den Blindverdrahtungsschichten DA und DA2 absorbiert wird, kann somit eine Kreuzkopplung zwischen den zwei Datenleitungen "sig" verhindert werden.
  • Zwischen zwei benachbarten Datenleitungen "sig" einer Vielzahl von Datenleitungen "sig" ist ferner bevorzugt, dass. die Abtastung eines Bildsignals bei der gleichen Zeitsteuerung. vorgenommen wird. Wenn die Konstruktion auf diese Weise gebildet ist, ist es möglich, da Potenzialschwankungen während der Abtastung gleichzeitig zwischen zwei Datenleitungen "sig" auftreten, eine Kreuzkopplung zwischen diesen zwei Datenleitungen "sig" zuverlässiger zu verhindern.
  • [Anderes Konstruktionsbeispiel eines Haltekondensators]
  • Obwohl in der zuvor beschriebenen Ausführungsform die Kapazitätsleitungen "cline" so gebildet sind, dass sie einen Haltekondensator "cap" bilden, wie in der Beschreibung der verwandten Technik dargelegt, kann der Haltekondensator "cap" unter Verwendung eines Polysiliziumfilms zur Bildung eines TFT gebildet werden.
  • Wie in 11 dargestellt, kann der Haltekondensator "cap" auch zwischen der allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" und der Potenzialhalteelektrode "st" gebildet werden. Wie in 12(A) und 12(B) dargestellt, kann in diesem Fall der verlängerte Abschnitt 310 der Torelektrode 31 zum elektrischen Verbinden der Potenzialhalteelektrode "st" mit der Torelektrode 31 zu der Seite der unteren Schichten der allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" verlängert werden, und der Haltekondensator "cap" kann unter Verwendung des ersten Zwischenschicht-Isolierfilms 51, der zwischen diesem verlängerten Abschnitt 310 und der allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" liegt, als dielektrischer Film gebildet werden.
  • [Zweite Ausführungsform]
  • Obwohl in der zuvor beschriebenen ersten Ausführungsform die Konstruktion derart ist, dass die Lichtemissionselemente 90 von einem Antriebsstrom derselben Polarität in jedem Pixel 7 angetrieben werden, kann die Konstruktion derart gebildet sein, wie in der Folge beschrieben ist, dass dieselbe Anzahl von zwei Arten von Pixeln 7, in welchen die Lichtemissionselemente 40 von einem Antriebsstrom angetrieben werden, dessen Polarität umgekehrt ist, unter einer Vielzahl von Pixeln 7 sind, zu welchen ein Antriebsstrom in einem Abschnitt zwischen den Pixeln und derselben allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" geleitet wird.
  • Beispiele für solche Konstruktionen sind unter Bezugnahme auf 13 bis 17 beschrieben. 13 ist ein Blockdiagramm einer Ausführungsform von zwei Arten von Pixeln, in welchen die Lichtemissionselemente 40 von einem Antriebsstrom angetrieben werden, dessen Polarität umgekehrt ist. 14 und 15 sind jeweils eine Darstellung eines Abtastsignals, eines Bildsignals, des Potenzials der allgemeinen Stromversorgungsleitungen und eines Potenzials einer Potenzialhalteelektrode, wenn das Lichtemissionselement 40 von einem Antriebsstrom angetrieben wird, dessen Polarität umgekehrt ist.
  • Wenn in dieser Ausführungsform und den Ausführungsformen, die später beschrieben werden, wie in 13 dargestellt, das Lichtemissionselement 40 von einem Antriebsstrom i angetrieben wird, dessen Polarität umgekehrt ist, ist in einem Pixel 7A, zu dem der Antriebsstrom von den allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" fließt, wie durch. einen Pfeil E angezeigt, der erste TFT 20 vom n-Kanaltyp, und in einem Pixel 7B, von dem Antriebsstrom zu den allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" fließt, wie durch einen Pfeil F dargestellt, ist der erste TFT 20 vom p-Kanaltyp. Aus diesem Grund werden eine Abtastleitung "gateA" und eine Abtastleitung "gateB" in diesen zwei Arten von Pixeln 7A beziehungsweise 7B gebildet. Während auch in dieser Ausführungsform der zweite TFT 30 des Pixel 7A vom p-Kanaltyp ist, ist der zweite TFT 30 des Pixel 7B vom n-Kanaltyp, wobei der erste TFT 20 und der zweite TFT 30 in jedem der Pixel 7A und 7B so gebildet sind, dass sie vom Umkehrleitungstyp sind. Für die Bildsignale, die jeweils über eine Datenleitung "sigA", entsprechend Pixel 7A, und eine Datenleitung "sigB", entsprechend Pixel 7B, zugeleitet werden, ist deren Polarität umgekehrt, wie später beschrieben wird.
  • Da das Lichtemissionselement 40 in jedem der Pixel 7A und 7B von dem Antriebsstrom i angetrieben wird, dessen Polarität umgekehrt ist, wie später beschrieben wird, muss ferner die Konstruktion derart gebildet sein, dass das Potenzial der Gegenelektrode "op" auch eine entgegengesetzte Polarität hat, wenn das Potenzial der allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" als Bezug genommen wird. Daher ist die Gegenelektrode "op" derart gebildet, dass die Pixel 7A und 7B, zu welchen der Antriebsstrom i derselben Polarität fließt, miteinander verbunden sind und ein vorbestimmtes Potenzial an jedes von ihnen angelegt wird.
  • Wie in 14 und 15 dargestellt, sind daher für die Pixel 7A und 7B Wellenformen von Abtastsignalen, die über die Abtastleitungen "gateA" und "gateB" zugeleitet werden, Wellenformen von Bildsignalen, die über die Datenleitungen "sigA" und "sigB" zugeleitet werden, das Potenzial der Gegenelektrode "op", die Potenziale der Potenzialhalteelektroden "stA" und "stB" jeweils unter Verwendung des Potenzial der allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" als Bezug dargestellt. Zwischen den Pixeln 7A und 7B ist jedes Signal so eingestellt, dass es eine entgegengesetzte Polarität sowohl in. der eingeschalteten Periode als auch in der ausgeschalteten Periode hat.
  • Wie in 16(A) und 16(B) dargestellt, sind auch Lichtemissionselemente 40A und 40B verschiedener Konstruktionen in den Pixeln 7A beziehungsweise 7B gebildet. Das heißt, in dem Lichtemissionselement 40A, das in dem Pixel 7A gebildet ist, sind von der Seite der unteren Schichten zu der Seite der oberen Schichten die Pixelelektrode 41, die aus einem ITO-Film gebildet ist, die positive Löcherinjektionsschicht 42, der organische Halbleiterfilm 43 und die Gegenelektrode "opA" in mehrschichtig in dieser Reihenfolge gebildet. Im Gegensatz dazu sind in dem Lichtemissionselement 40B, das in dem Pixel 7B gebildet ist, von der Seite der unteren Schichten zu der Seite der oberen Schichten die Pixelelektrode 41, die aus einem ITO-Film gebildet ist, eine lithiumhaltige Aluminiumelektrode 45, die so dünn ist, dass sie Lichtdurchlässigkeitseigenschaften aufweist, der organische Halbleiterfilm 43, die positive Löcherinjektionsschicht 42, eine ITO-Filmschicht 96 und eine Gegenelektrode "opB" in mehrschichtig in dieser Reihenfolge gebildet. Selbst wenn ein Antriebsstrom entgegengesetzter Polarität durch die Lichtemissionselemente 40A beziehungsweise 40B fließt, sind daher die Lichtemissionseigenschaften der Lichtemissionselemente 40A und 40B identisch, da die Strukturen der Elektrodenschichten, mit welchen die positive Löcherinjektionsschicht 42 und der organische Halbleiterfilm 43 in direktem Kontakt stehen, dieselben sind.
  • Wenn solche zwei Arten von Lichtemissionselementen 40A oral 40B gebildet werden, sind die Herstellungsschritte nicht komplex, selbst wenn die oberen und unteren Positionen umgekehrt werden, da sowohl der organische Halbleiterfilm 43 als auch die positive Löcherinjektionsschicht 42 im Inneren der Bankschicht "bank" durch ein Tintenstrahlverfahren gebildet sind. Ferner sind in dem Lichtemissionselement 40B im Vergleich zu dem Lichtemissionselement 40A die lithiumhaltige Aluminiumelektrode 45, die so dünn ist, dass sie Lichtdurchlässigkeitseigenschaften aufweist, und die ITO-Filmschicht 46 hinzugefügt. Selbst wenn die lithiumhaltige Aluminiumelektrode 45 so strukturiert ist, dass sie in demselben Bereich wie die Pixelelektrode 41 mehrschichtig ist, entsteht dennoch kein Problem für die Anzeige, und selbst wenn die ITO-Filmschicht 46 auch so strukturiert ist, dass sie in demselben Bereich mehrschichtig ist wie die Gegenelektrode "opB", entsteht kein Problem für die Anzeige. Daher können die lithiumhaltige Aluminiumelektrode 45 und die Pixelelektrode 41 unabhängig voneinander strukturiert werden, können aber auch gemeinsam mit derselben Resistmaske strukturiert werden. Auf gleiche Weise können die ITO-Filmschicht 46 und die Gegenelektrode "opB" unabhängig voneinander strukturiert werden, können aber auch gemeinsam mit derselben Resistmaske strukturiert werden. Natürlich können die lithiumhaltige Aluminiumelektrode 45 und die ITO-Filmschicht 46 nur in dem inneren Bereich der Bankschicht "bank" gebildet werden.
  • Nachdem die Lichtemissionselemente 40A und 40B auf diese Weise dazu befähigt wurden, von einem Antriebsstrom angetrieben zu werden, dessen Polarität in jedem der Pixel 7A und 7B umgekehrt ist, werden die zwei Arten von Pixeln 7A und 7B wie in 17 dargestellt angeordnet. In dieser Figur entspricht das Pixel mit dem Zeichen (–) dem Pixel 7A, das unter Bezugnahme auf 13, 14 und 16 beschrieben wurde, und das Pixel mit dem Zeichen (+) entspricht dem Pixel 7B, das unter Bezugnahme auf 13, 15 und 16 beschrieben wurde. In 17 fehlt die Darstellung der Abtastleitungen "gateA" und "gate" und der Datenleitungen "sigA" und "sigB".
  • Wie in 17 dargestellt, ist in dieser Ausführungsform die Polarität des Antriebsstroms in jedem Pixel dieselbe entlang der Verlaufsrichtung der Datenleitungen "sigA" und "sigB" und entlang der Verlaufsrichtung der Abtastleitungen "gateA" und "gateB" ist die Polarität des Antriebsstroms in jedem Pixel für jedes Pixel umgekehrt. Die Bildungsbereiche der Gegenelektroden "opA" und "opB", die jedem Pixel entsprechen, sind jeweils durch eine Strichpunktlinie angegeben, wobei jede der Gegenelektroden "opA" und "opB" so konstruiert ist, dass sie die Pixel 7A und 7B verbindet, zu welchen Antriebsstrom mit derselben Polarität fließt. Das heißt, die Gegenelektroden "opA" und "opB" sind in Streifenform unabhängig voneinander entlang der Verlaufsrichtung der Datenleitungen "sigA" und "sigB" gebildet, und ein negatives Potenzial und ein positives Potenzial, wenn das Potenzial der allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" als Bezug verwendet wird, werden zu den Gegenelektroden "opA" beziehungsweise "opB" geleitet.
  • Daher fließen zwischen jedem der Pixel 7A und 7B und der allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" Antriebsströme i in eine Richtung, die durch Pfeile E beziehungsweise F in 13 dargestellt sind. Da der Strom, der im Wesentlichen durch die allgemeine Stromversorgungsleitung "com" fließt, durch den Antriebsstrom i anderer Polarität gelöscht wird, ist aus diesem Grund eine geringere Menge des Antriebsstroms, der durch die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" fließt, erforderlich. Da die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" entsprechend schmäler gebildet werden können, ist es daher möglich; das Verhältnis der Lichtemissionsfläche der Pixelfläche in den Pixeln 7A und 7B zu vergrößern, und die Anzeigeleistung, wie Luminanz, Kontrastverhältnis und so weiter, zu verbessern.
  • [Dritte Ausführungsform]
  • Angesichts der Tatsache, dass Pixel derart angeordnet sind, dass der Antriebsstrom bei entgegengesetzter Polarität in einem Abschnitt zwischen den Pixeln und derselben. allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" fließt, kann jedes Pixel wie in 18 angeordnet sein. Da in dieser Ausführungsform die Konstruktion jedes der Pixel 7A und 7B ähnlich jener der zweiten Ausführungsform ist, wird deren Beschreibung unterlassen, und in 18 und 19 bis 21 ist zur Beschreibung jeder Ausführungsform, die in der Folge beschrieben wird, ein Pixel, das dem Pixel 7A entspricht, das unter Bezugnahme auf 13, 14 und 16 beschrieben ist, mit dem Zeichen (–) dargestellt, und ein Pixel, das dem Pixel 7B entspricht, das unter Bezugnahme auf 13, 15 und 16 beschrieben ist, mit dem Zeichen (+) dargestellt.
  • Wie in 18 dargestellt, ist in dieser Ausführungsform die Konstruktion derart gebildet, dass die Polarität des Antriebsstroms in jedem der Pixel 7A und 7B dieselbe entlang der Verlaufsrichtung der Datenleitungen "sigA" und "sigB" ist, und dass entlang der Verlaufsrichtung der Abtastleitungen "gateA" und "gateB" die Polarität des Antriebsstroms in jedem der Pixel 7A und 7B alle zwei Pixel umgekehrt ist.
  • Auch wenn die Konstruktion auf diese Weise gebildet ist, fließt der Antriebsstrom i in eine Richtung, die durch Pfeile E und F in 13 angezeigt ist, zwischen jedem der Pixel 7A und 7B und der allgemeinen Stromversorgungsleitung "com". Da der Strom, der im Wesentlichen durch die allgemeine Stromversorgungsleitung "com" fließt, durch den Antriebsstrom i anderer Polarität gelöscht wird, ist aus diesem Grund eine geringere Menge des Antriebsstroms, der durch die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" fließt, erforderlich. Da die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" entsprechend schmäler gebildet werden können, ist es daher möglich, das Verhältnis der Lichtemissionsfläche der Pixelfläche in den Pixeln 7A und 7B zu erhöhen, und die Anzeigeleistung, wie Luminanz, Kontrastverhältnis und so weiter, zu verbessern. Zusätzlich können in dieser Ausführungsform, da die Polarität des Antriebstroms alle zwei Pixel entlang der Verlaufsrichtung der Abtastleitungen "gateA" und "gateB" für die Pixel umgekehrt ist, die von dem Antriebsstrom derselben Polarität angetrieben werden, die Gegenelektroden "opA" und "opB", die den benachbarten Pixeln für zwei Reihen gemein sind, in Streifenform gebildet werden. Daher kann die Anzahl von Streifen der Gegenelektroden "opA" und "opB" um die Hälfte verringert werden. Da der Widerstand der Gegenelektroden "opA" und "opB" im Vergleich zu dem Streifen für jedes Pixel gesenkt werden kann, kann ein Einfluss eines Spannungsabfalls der Gegenelektroden "opA" und "opB" verringert werden.
  • [Vierte Ausführungsform]
  • Angesichts der Tatsache, dass Pixel derart angeordnet sind, dass ein Antriebsstrom bei entgegengesetzter Polarität in einem Abschnitt zwischen den Pixeln und derselben allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" fließt, kann jedes Pixel wie in 19 angeordnet sein.
  • Wie in 19 dargestellt, ist in dieser Ausführungsform die Konstruktion derart gebildet, dass die Polarität des Antriebsstroms in jedem der Pixel 7A und 7B dieselbe entlang der Verlaufsrichtung der Abtastleitungen "gateA" und "gateB" ist, und dass entlang der Verlaufsrichtung der Datenleitungen "sigA" und "sigB" die Polarität des Antriebsstroms in jedem der Pixel 7A und 7B für jedes Pixel umgekehrt ist.
  • Da der Strom, der durch die allgemeine Stromversorgungsleitung "com" fließt, wenn die Konstruktion auf diese Weise, ähnlich wie in der zweiten Ausführungsform oder der dritten Ausführungsform, gebildet ist, durch den Antriebsstrom anderer Polarität gelöscht wird, ist eine geringere Menge des Antriebsstroms, der durch die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" fließt, erforderlich. Da die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" entsprechend schmäler gebildet werden können, ist es daher möglich, das Verhältnis der Lichtemissionsfläche der Pixelfläche in den Pixeln 7A und 7B zu erhöhen, und die Anzeigeleistung, wie Luminanz, Kontrastverhältnis und so weiter, zu verbessern.
  • [Fünfte Ausführungsform]
  • Angesichts der Tatsache, dass Pixel derart angeordnet sind, dass der Antriebsstrom bei entgegengesetzter Polarität in einem Abschnitt zwischen den Pixeln und derselben allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" fließt, kann ferner jedes Pixel wie in 20 angeordnet sein.
  • Wie in 20 dargestellt, ist in dieser Ausführungsform die Konstruktion derart gebildet, dass die Polarität des Antriebsstroms in jedem der Pixel 7A und 7B dieselbe entlang der Verlaufsrichtung der Abtastleitungen "gateA" und "gateB" ist, und dass entlang der Verlaufsrichtung der Datenleitungen "sigA" und "sigB" die Polarität des Antriebsstroms in jedem der Pixel 7A und 7B alle zwei Pixel umgekehrt ist.
  • Da der Strom, der durch die allgemeine Stromversorgungsleitung "com" fließt, wenn die Konstruktion auf diese Weise, ähnlich wie in der dritten Ausführungsform, gebildet ist, durch den Antriebsstrom anderer Polarität gelöscht wird, ist eine geringere Menge des Antriebsstroms, der durch die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" fließt, erforderlich. Da die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" entsprechend schmäler gebildet werden können, ist es daher möglich, das Verhältnis der Lichtemissionsfläche der Pixelfläche in den Pixeln 7A und 7B zu erhöhen, und die Anzeigeleistung, wie Luminanz, Kontrastverhältnis und so weiter, zu verbessern. Zusätzlich- können in dieser Ausführungsform, da die Polarität des Antriebsstroms alle zwei Pixel entlang der Verlaufsrichtung der Datenleitungen "sigA" und "sigB" für die Pixel umgekehrt ist, die von dem Antriebsstrom derselben Polarität angerieben werden, die Gegenelektroden "opA" und "opB", die den benachbarten Pixeln für zwei Reihen gemein sind, in Streifenform gebildet werden. Daher kann die Anzahl von Streifen der Gegenelektroden "opA" und "opB" um die Hälfte verringert werden. Da der Widerstand der Gegenelektroden "opA" und "opB" im Vergleich zu dem Streifen für jedes Pixel gesenkt werden kann, kann ferner ein Einfluss eines Spannungsabfalls der Gegenelektroden "opA" und "opB" verringert werden.
  • [Sechste Ausführungsform]
  • Angesichts der Tatsache, dass Pixel derart angeordnet sind, dass der Antriebsstrom bei entgegengesetzter Polarität in einem Abschnitt zwischen den Pixeln und derselben allgemeinen Stromversorgungsleitung "com" fließt, kann ferner jedes Pixel wie in 21 angeordnet sein.
  • Wie in 21 dargestellt, ist in dieser Ausführungsform die Konstruktion derart gebildet, dass die Polarität des Antriebsstroms in jedem der Pixel 7A und 7B für jedes Pixel sowohl entlang der Verlaufsrichtung der Abtastleitungen "gateA" und "gateB" als auch entlang der Verlaufsrichtung der Datenleitungen "sigA" und "sigB" umgekehrt ist.
  • Da auch der Antriebsstrom, der durch die allgemeine Stromversorgungsleitungen "com" fließt, wenn die Konstruktion auf diese Weise, ähnlich wie in der zweiten bis vierten Ausführungsform, gebildet ist, durch den Antriebsstrom anderer Polarität gelöscht wird, ist eine geringere Menge des Antriebsstroms, der durch die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" fließt, erforderlich. Da die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" entsprechend schmäler gebildet werden können, ist es daher möglich, das Verhältnis der Lichtemissionsfläche in den Pixeln 7A und 7B zu erhöhen, und die Anzeigeleistung, wie Luminanz, Kontrastverhältnis und so weiter, zu verbessern.
  • Wenn die Pixel 7A und 7B auf diese Weise angeordnet sind, können die Gegenelektroden "opA" und "opB" in Streifenform ihre Aufgabe nicht bewältigen. Dennoch kann die Konstruktion derart gebildet werden, dass die Gegenelektroden "opA" und "opB" für jedes der Pixel 7A beziehungsweise 7B gebildet sind, und dass die Gegenelektroden "opA" und "opB" durch eine Verdrahtungsschicht verbunden sind.
  • INDUSTRIELLE ANWENDBARKEIT
  • Da, wie bisher beschrieben wurde, in der Anzeigevorrichtung der vorliegenden Erfindung Pixel, zu welchen ein Antriebsstrom in einem Abschnitt zwischen den Pixeln und der allgemeinen Stromversorgungsleitung geleitet wird, an beiden Seiten der allgemeinen Stromversorgungsleitung angeordnet sind, ist nur eine allgemeine Stromversorgungsleitung für Pixel für zwei Reihen erforderlich. Da der Bildungsbereich der allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" daher im Vergleich zu dem Fall, in dem die allgemeine Stromversorgungsleitung für jede Gruppe von Pixeln für eine Reihe gebildet ist, schmäler gestaltet werden kann, ist es möglich, das Verhältnis der Lichtemissionsfläche in den Pixeln entsprechend zu erhöhen, und die Anzeigeleistung, wie Luminanz, Kontrastverhältnis und so weiter, zu verbessern.
  • Wenn zwei Arten von Pixeln, in welchen die Lichtemissionselemente von einem Antriebsstrom angetrieben werden, dessen Polarität umgekehrt ist, sich in der Vielzahl von Pixeln befinden, zu welchen der Antriebsstrom in einem Abschnitt zwischen den Pixeln und derselben allgemeinen Stromversorgungsleitung in einer allgemeinen Stromversorgungsleitung geleitet wird, ist eine geringere Menge des Antriebsstroms notwendig, der durch die allgemeine Stromversorgungsleitung fließt, da der Antriebsstrom, der von der allgemeinen Stromversorgungsleitung zu dem Lichtemissionselement fließt, den Antriebsstrom löscht, der in eine entgegengesetzte Richtung von dem Lichtemissionselement zu der allgemeinen Stromversorgungsleitung fließt. Da die allgemeinen Stromversorgungsleitungen "com" entsprechend schmäler gestaltet werden können, ist es daher möglich, das Verhältnis der Lichtemissionsfläche in den Pixeln entsprechend zu erhöhen, und die Anzeigeleistung, wie Luminanz, Kontrastverhältnis und so weiter, zu verbessern.

Claims (13)

  1. Anzeigevorrichtung (1), umfassend auf einem Substrat (10): eine Vielzahl von Abtastleitungen (gate); eine Vielzahl von Datenleitungen (sig), die sich in eine Richtung erstrecken, die die Verlaufsrichtung der Abtastleitungen (gate) schneidet; eine Vielzahl von allgemeinen Stromversorgungsleitungen (com) parallel zu den Datenleitungen (sig); und Pixel (7), die in einer Matrix durch die Datenleitungen (sig) und die Abtastleitungen (gate) gebildet sind, wobei jedes der Pixel (7) umfasst: einen ersten Dünnfilmtransistor (20), in dem ein Abtastsignal über die Abtastleitungen (gate) zu seiner Torelektrode (21) geleitet wird; einen Haltekondensator (cap) zum Halten eines Bildsignals, das von den Datenleitungen (sig) über den ersten Dünnfilmtransistor (20) zugeleitet wird; und einen zweiten Dünnfilmtransistor (30), in dem das Bildsignal, das von dem Haltekondensator (cap) gehalten wird, zu seiner Torelektrode (31) geleitet wird; und ein Lichtemissionselement (40) mit einem organischen Halbleiterfilm (43), das Licht durch einen Antriebsstrom emittiert, der, wenn die Pixelelektrode (41) elektrisch an die allgemeine Stromversorgungsleitung (com) angeschlossen ist, über den zweiten Dünnfilmtransistor (30) in einem Abschnitt zwischen den Schichten der Pixelelektroden (41), die für jedes der Pixel (7) ausgebildet sind, und der Gegenelektroden (op), die den Pixelelektrode (41) gegenüberliegen, zwischen einer Pixelelektrode (41) und einer Gegenelektrode (op) fließt; dadurch gekennzeichnet, dass Pixel (7), zu welchen der Antriebsstrom durch den Abschnitt zwischen den Pixeln (7) und der allgemeinen Stromversorgungsleitung (com) geleitet wird, an beiden Seiten der allgemeinen Stromversorgungsleitungen (com) angeordnet sind, und die Datenleitungen (sig) auf einer Seite gegenüber den allgemeinen Stromversorgungsleitungen (com) in Bezug auf die Pixel (7) verlaufen.
  2. Anzeigevorrichtung (1) nach Anspruch 1, wobei zwischen zwei Pixeln (7), die so angeordnet sind, dass die gemeinsame Stromversorgungsleitung (com) dazwischen liegt, der erste Dünnfilmtransistor (20), der zweite Dünnfilmtransistor (30) und die Lichtemissionselemente (40) in linearer Symmetrie in Bezug auf die gemeinsamen Stromversorgungsleitungen (com) angeordnet sind.
  3. Anzeigevorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 1 und 2, wobei der mittige Abstand der Bildungsbereiche der organischen Halbleiterfilme (43) gleich jedem Intervall zwischen benachbarten Pixeln (7) entlang der Verlaufsrichtung der Abtastleitungen (gate) ist.
  4. Anzeigevorrichtung (1) nach Anspruch 2, wobei der Bildungsbereich des organischen Halbleiterfilms (43) von einer Bankschicht (bank) umgeben ist, die aus einem Isolierfilm gebildet ist, der dicker als der organische Halbleiterfilm (93) ist, und die Bankschicht (bank) derart gebildet ist, dass sie die Datenleitungen (sig) und die allgemeinen Stromversorgungsleitungen (com) bei derselben Breitendimension bedeckt.
  5. Anzeigevorrichtung (1) nach Anspruch 4, wobei der organische Halbleiterfilm (43) ein Film ist, der in einem Bereich, der von der Bankschicht (bank) umgeben ist, durch ein Tintenstrahlverfahren gebildet wird, und die Bankschicht (bank) ein Film zum Verhindern der Extrusion des organischen Halbleiterfilms (43) ist, wenn der organische Halbleiterfilm (43) durch das Tintenstrahlverfahren gebildet wird.
  6. Anzeigevorrichtung (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei eine Verdrahtungsschicht (DA) an einer Position gebildet ist, die einem Abschnitt zwischen zwei Datenleitungen (sig) entspricht, die auf einer Seite gegenüber den allgemeinen Stromversorgungsleitungen (com) in Bezug auf die Pixel verlaufen.
  7. Anzeigevorrichtung (1) nach Anspruch 6, wobei das Abtasten eines Bildsignals bei gleicher Zeitsteuerung in einem Abschnitt zwischen zwei benachbarten Datenleitungen (sig) der Vielzahl von Datenleitungen (sig) ausgeführt wird.
  8. Anzeigevorrichtung (1) nach Anspruch 1, wobei sich zwei Arten von Pixeln (7), in welchen das Lichtemissionselement (40) von einem Antriebsstrom angetrieben wird, dessen Polarität umgekehrt ist, unter einer Vielzahl von Pixeln (7) befinden, in welchen der Antriebsstrom in einem Abschnitt zwischen den Pixeln (7) und der allgemeinen Stromversorgungsleitung (com) geleitet wird.
  9. Anzeigevorrichtung (1) nach Anspruch 8, wobei die Polarität des Antriebsstroms in jedem Pixel (7) in die Verlaufsrichtung der Datenleitungen (sig) dieselbe ist, und in die Verlaufsrichtung der Abtastleitungen (gate) die Polarität des Antriebsstroms in jedem Pixel (7) für jedes Pixel (7) umgekehrt ist.
  10. Anzeigevorrichtung (1) nach Anspruch 8, wobei die Polarität des Antriebsstroms in jedem Pixel (7) in die Verlaufsrichtung der Datenleitungen (sig) dieselbe ist, und in die Verlaufsrichtung der Abtastleitungen (gate) die Polarität des Antriebsstroms in jedem Pixel (7) alle zwei Pixel (7) umgekehrt ist.
  11. Anzeigevorrichtung (1) nach Anspruch 8, wobei die Polarität des Antriebsstroms in jedem Pixel (7) in die Verlaufsrichtung der Abtastleitungen (gate) dieselbe ist, und in die Verlaufsrichtung der Datenleitungen (sig) die Polarität des Antriebsstroms in jedem Pixel (7) für jedes Pixel (7) umgekehrt ist.
  12. Anzeigevorrichtung (1) nach Anspruch 8, wobei die Polarität des Antriebsstroms in jedem Pixel (7) in die Verlaufsrichtung der Abtastleitungen (gate) dieselbe ist, und in die. Verlaufsrichtung der Datenleitungen (sig) die Polarität des Antriebsstroms in jedem Pixel (7) alle zwei Pixel (7) umgekehrt ist.
  13. Anzeigevorrichtung (1) nach Ansprüch 8, wobei die Polarität des Antriebsstroms in jedem Pixel (7) für jedes Pixel (7) sowohl in die Verlaufsrichtung der Abtastleitungen (gate) als auch in die Verlaufsrichtung der Datenleitungen (sig) umgekehrt ist.
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