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Die Erfindung betrifft eine teilchenoptische Vorrichtung,
die aufweist:
eine Teilchenquelle zum Erzeugen eines Primärstrahls
elektrisch geladener Teilchen, die sich entlang einer optischen
Achse der Vorrichtung bewegen,
einen Probenhalter für eine mittels
der Vorrichtung zu bestrahlende Probe,
eine Fokussiervorrichtung
zum Erzeugen eines Brennpunkts des Primärstrahls nahe bei dem Probenhalter
mittels elektrostatischer Elektroden,
ein Strahlablenksystem
zum Ablenken des Primärstrahls,
eine
Detektionseinrichtung zum Detektieren elektrisch geladener Teilchen,
die als Reaktion auf den Einfall des Primärstrahls von der Probe ausgehen, wobei
die Detektionseinrichtung vor der Fokussiervorrichtung im Blick
in Ausbreitungsrichtung der elektrisch geladenen Teilchen im Primärstrahl
angeordnet ist.
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Bekannt ist eine teilchenoptische
Vorrichtung dieser Art aus einem Beitrag mit dem Titel "Design of a high-resolution
low-voltage scanning electron microscope" von J. Zach in der Zeitschrift "Optik", Band 83, Nr. 1
(1989), Seiten 30 bis 40.
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Vorrichtungen dieser Art sind als
Rasterelektronenmikroskope (REM) bekannt. In einem REM wird ein
Bereich einer zu untersuchenden Probe mittels eines fokussierten
Primärstrahls
elektrisch geladener Teilchen, gewöhnlich Elektronen, abgetastet, die
sich entlang einer optischen Achse der Vorrichtung bewegen. Die
Beschleunigungsspannung für den
Elektronenstrahl im REM ist vorzugsweise so gewählt, daß sie vergleichsweise hoch
ist (z. B. in der Größenordnung
von 30 kV), um zu gewährleisten, daß es nur
zu geringer Elektronenwechselwirkung auf ihrem Weg durch die elektronenoptische
Säule kommt,
damit nur eine geringe Energiestreuung im Elektronenstrahl aufgrund
dieses Effekts auftritt. Natürlich
hängt die
Wahl der Be schleunigungsspannung aber auch von der Art der zu untersuchenden
Probe ab. Diese Beschleunigungsspannung sollte einen vergleichsweise
niedrigen Wert haben (in der Größenordnung
von 1 kV), um Aufladen der Probe durch den Primärelektronenstrahl zu minimieren.
Dazu könnte
es z. B. bei der Untersuchung elektrisch isolierender Schichten
in integrierten Elektronikschaltkreisen oder bei bestimmten biologischen
Proben kommen. Zudem ist es für
einige Untersuchungen erwünscht,
daß die
Elektronen des Primärstrahls
nur in einer kleinen Tiefe in die Probe eindringen, was zu einem
besseren Kontrast des erzeugten Bilds führt. Somit ist oft erwünscht, daß der Elektronenstrahl
die elektronenoptische Säule
mit einer vergleichsweise hohen Spannung durchquert, anschließend aber
auf eine vergleichsweise niedrige Spannung kurz vor der Probe abgebremst
wird.
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Durch Bestrahlung der zu untersuchenden Probe
werden elektrisch geladene Teilchen (allgemein Sekundärelektronen)
freigesetzt, die eine Energie haben, die wesentlich geringer ist,
z. B. in der Größenordnung
von 1 bis 50 eV. Die Energie und/oder die Energieverteilung dieser
Sekundärelektronen
liefert Informationen über
die Art und Zusammensetzung der Probe. Daher ist ein REM vorteilhaft mit
einem Detektor für
Sekundärelektronen
versehen. Diese Elektronen werden auf der Seite der Probe freigesetzt,
auf die der Primärstrahl
fällt,
wonach sie sich in Gegenrichtung zum Einfall der Primärelektronen
zurück
bewegen. Ist daher ein Detektor (der z. B. mit einer Elektrode versehen
ist, die eine positive Spannung führt) im Weg der so zurücklaufenden
Sekundärelektronen
angeordnet, werden die Sekundärelektronen
durch diese Elektrode aufgefangen, und der Detektor gibt ein elektrisches
Signal aus, das proportional zum so detektierten elektrischen Strom
ist. Das (Sekundärelektronen-)
Bild der Probe wird dadurch auf bekannte Weise erzeugt. Im Hinblick
auf die Qualität
des Bilds, insbesondere die Geschwindigkeit, mit der das Bild erzeugt
wird und das Signal-Rausch-Verhältnis,
ist der detektierte Strom vorzugsweise möglichst groß.
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Der zitierte Beitrag von Zach offenbart
(z. B. gemäß 3 und 4 darin)
eine teilchenoptische Vorrichtung in Form eines REM, wobei die Fokussiervorrichtung
zum Erzeugen des Brennpunkts des Primärstrahls in der Umgebung des
Probenhalters durch drei elektrostatische Elektroden gebildet ist,
wobei die erste Elektrode (im Blick in Ausbreitungsrichtung der
Elektronen im Primärstrahl)
mit einem Detektor zusammenfällt.
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Derzeit tendiert man dazu, REMs möglichst klein
zu bauen. Neben wirtschaftlichen Beweggründen (allgemein können kleinere
Vorrichtungen wirtschaftlicher hergestellt werden) bieten solche
kleinen Vorrichtungen den Vorteil, daß sie aufgrund ihrer Mobilität und des
geringen Platzbedarfs nicht nur als Laborinstrument, sondern auch
als Werkzeug zur Erzeugung kleiner Strukturen verwendet werden können, z.
B. bei der Produktion integrierter Schaltkreise. Auf diesem Gebiet
läßt sich
ein miniaturisiertes REM zur direkten Herstellung wie auch zur Kontrolle
von Produkten einsetzen. Bei der direkten Herstellung kann das REM
genutzt werden, mit Elektronen ein Muster auf den herzustellenden
IC zu schreiben. Bei der Kontrolle kann das REM dazu dienen, das
relevante Verfahren beim Schreiben mittels eines weiteren Teilchenstrahls
zu beobachten (z. B. eines Ionenstrahls zur Implantation im herzustellenden
IC), wobei es auch möglich
ist, das REM zur prozeßgekoppelten
Kontrolle eines IC nach Ausführung
eines Schritts im Herstellungsverfahren zu nutzen.
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Zur Miniaturisierung eines REM ist
es vorteilhaft, ein elektrostatisches Objektiv einzusetzen, da ein
solches Objektiv kleiner als eine Magnetlinse aufgebaut sein kann.
Dies liegt daran, daß man
auf Kühleinrichtungen
(speziell auf Kühlkanäle für die Linsenspule)
verzichten kann und daß die
magnetische (Eisen-) Schaltung der Linse ein bestimmtes Mindestvolumen
erfordert, um magnetische Sättigung
zu verhindern. Aufgrund der zeitweiligen Anforderungen an ein hohes
Vakuum im Probenraum sind elektrostatische Elektroden (die als glatte
Metalloberflächen aufgebaut
sind) zudem vorteilhafter als die Oberflächen einer Magnetlinse, die
oft mit Spulen, Drähten und/oder
Vakuumringen versehen sind. Wie in der Teilchenoptik allgemein bekannt,
ist schließlich
ein elektrisches Feld eine besser geeignete Linse für schwere
Teilchen (Ionen) als ein Magnetfeld.
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Die Anordnung des Detektors für die Sekundärelektronen
vor der Fokussiervorrichtung gemäß der Offenbarung
im angeführten
Beitrag bietet den Vorteil, daß es
bei Verwendung des REM zur Beobachtung von ICs auch leichter ist,
in grübchenförmige Unregelmäßigkeiten
zu blicken; Grund dafür
ist, daß die
Beobach tung entlang der gleichen Linie erfolgt, auf der der Primärstrahl
einfällt.
Außerdem
würde eine
Anordnung des Detektors an der Seite des Objektivs und direkt über der
Probe den Nachteil haben, daß es
der Detektor dann unmöglich
machen würde, den
Abstand zwischen dem Objektiv und der Probe im Hinblick auf die
starke Verkleinerung der Elektronenquelle so klein wie gewünscht zu
machen, um eine Größe des Elektronenabtastflecks
zu erreichen, die für
die erforderliche Auflösung
ausreichend gering ist. Bei Gebrauch eines elektrostatischen Objektivs
in einem REM geschieht es weiterhin häufig, daß sich das elektrostatische
Linsenfeld des Objektivs geringfügig über die
körperlichen
Grenzen des Objektivs hinaus erstreckt, eventuell sogar bis zur
Probe. Dies würde
bewirken, daß von
der Probe ausgehende Sekundärelektronen
durch das Feld angezogen werden. Dann würde z. B. ein neben dem Objektiv
angeordneter Detektor eine viel stärkere Anziehungswirkung erfordern,
was den Primärstrahl
unzulässig
beeinflussen würde.
Dieser schädliche
Effekt wird durch Anordnen des Detektors über dem Objektiv vermieden.
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Obwohl der o. g. Beitrag von Zach
ein REM beschreibt, enthält
er keine weiteren Einzelheiten zur Art, zum Aussehen und zur Anordnung
des Strahlablenksystems, durch das die Abtastbewegung des Primärstrahls über die
Probe realisiert wird. Dagegen enthält der zitierte Beitrag einige
Angaben zum Detektionswirkungsgrad für die Sekundärelektronen, der
durch die darin beschriebene Konfiguration erreicht wird. Zur Bestimmung
dieses Detektionswirkungsgrads gemäß dem Beitrag (siehe insbesondere dessen
Abschnitt 3.6) erfolgt eine Integration über alle Energien der Sekundärelektronen.
Für einen
im wesentlichen punktförmigen
Bereich der Probe um die optische Achse ist ein Wert von 61% für den so bestimmten
Detektionswirkungsgrad ermittelt.
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Eine Aufgabe der Erfindung besteht
darin, eine teilchenoptische Vorrichtung gemäß dem Oberbegriff von Anspruch
1 bereitzustellen, wobei ein verbesserter Detektionswirkungsgrad
für die
Sekundärelektronen
erreicht ist und dennoch ein ausreichendes Sichtfeld der zu untersuchenden
oder zu bearbeitenden Probe gewahrt bleibt. Um dies zu erreichen,
ist die erfindungsgemäße teilchenoptische
Vorrichtung dadurch gekennzeichnet, daß das Strahlablenksystem zwischen
der Detektions einrichtung und den elektrostatischen Elektroden der
Fokussiervorrichtung angeordnet ist und daß das Strahlablenksystem so
angeordnet ist, daß sie
den Primärstrahl mittels
mindestens zweier aufeinanderfolgender elektrischer Ablenkfelder
ablenkt, die eine zueinander entgegengesetzte Richtungskomponente
haben.
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Als Ergebnis der beschriebenen Anordnung und
der Realisierung des Strahlablenksystems mit zwei entgegengesetzten
Feldern läßt sich
erreichen, daß der
Primärstrahl
so gekippt wird, daß der
Kippunkt in der Mitte der Objektivlinse liegt, d. h. in der Mitte
des Bereichs, in dem man annehmen kann, daß die Linsenwirkung des elektrischen
Objektivfelds lokalisiert ist. Dies bedeutet, daß beim Kippen des Primärstrahls
durch die Abtastbewegung der Strahl die optische Achse des Linsenfelds
nicht verläßt oder
nur geringfügig
verläßt, so daß keine
zusätzlichen
Linsenfehler (d. h. Fehler höherer
Ordnung) von Bedeutung auftreten und somit die Kippverschiebung
des Strahls auch nicht durch die begrenzten Maße der Apertur der Objektivelektroden
behindert ist. Dies führt
zu einem großen
Sichtfeld ohne Auflösungsverlust.
Ferner hat das Strahlablenksystem mit zwei entgegengesetzten Feldern
eine solche Wirkung auf die Sekundärelektronen, daß die Wege
der sich zum Detektor bewegenden Elektronen so geformt sind, daß ein größerer Teil
von ihnen (d. h. größer als
bei Fehlen dieses Schritts) die Detektoroberfläche erreicht, so daß der gewünschte hohe
Detektionswirkungsgrad erreicht wird.
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In einer Ausführungsform der erfindungsgemäßen teilchenoptischen
Vorrichtung ist die Fokussiervorrichtung so angeordnet, daß es einen
Brennpunkt des Primärstrahls
ausschließlich
mittels elektrostatischer Elektroden erzeugt. Möglich ist, das Fokussiervorrichtung
(d. h. das Objektiv) so aufzubauen, daß es sowohl ein magnetisches
als auch ein elektrisches Linsenfeld hat. Jedoch gibt es Umstände, unter
denen die völlige
Abwesenheit einer magnetischen Einrichtung erwünscht ist; in diesen Situationen,
z. B. bei extremer Miniaturisierung, ist ein ausschließlich elektrisch
aufgebautes Objektiv erwünscht.
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In einer weiteren Ausführungsform
der erfindungsgemäßen teilchenoptischen
Vorrichtung ist das Strahlablenksystem so angeordnet, daß es die
elektrischen Ablenkfelder ausschließlich mittels elektrischer
Elektroden erzeugt. Wie im Fall des Objektivs ist es möglich, das
Strahlablenksystem so aufzubauen, daß es sowohl ein magnetisches
als auch ein elektrisches Ablenkfeld hat. Wiederum können Umstände vorliegen,
unter denen ein völliges
Fehlen einer magnetischen Einrichtung erwünscht ist; daher ist in solchen
Situationen ein Strahlablenksystem vorteilhaft, das ausschließlich als
elektrisches System aufgebaut ist.
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In einer weiteren Ausführungsform
der erfindungsgemäßen teilchenoptischen
Vorrichtung weist die Detektionseinrichtung ein Detektionsmaterial
mit einer Detektionsoberfläche
auf, die mit einer Bohrung für
den Primärstrahl
versehen ist, wobei die Oberfläche
einen Außendurchmesser
hat, der mindestens gleich dem größten Durchmesser der Bohrung
des Strahlablenksystems ist. Dieser Schritt bietet eine weitere
Optimierung des Detektionswirkungsgrads. Ist die Detektionsoberfläche nahe
der nächstgelegenen
Elektrode angeordnet, wird der Raumwinkel, in dem die Detektionsoberfläche durch
die zu detektierenden Elektronen wahrgenommen wird, und damit auch
der Wert des detektierten Elektrodenstroms maximal.
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In einer weiteren Ausführungsform
der erfindungsgemäßen teilchenoptischen
Vorrichtung ist das Detektionsmaterial mit einer weiteren elektrostatischen
Beschleunigungselektrode versehen. Wie bereits erwähnt, ist
es oft erwünscht,
daß der
Elektronenstrahl die elektronenoptische Säule mit einer vergleichsweise
hohen Spannung durchquert und daß er kurz vor der Probe auf
eine vergleichsweise niedrige Spannung abgebremst wird. Ist z. B.
erwünscht, daß der Primärstrahl
an der (an Masse gelegten) Probe mit einer Energie von 1 kV eintrifft,
kann die Elektronenquelle auf eine massebezogene Spannung von –1 kV eingestellt
werden. Durch Anlegen einer Spannung von z. B. 9 kV an der weiteren
elektrostatischen Beschleunigungselektrode erreicht man, daß der Primärstrahl
die elektronenoptische Säule
mit einer Spannung von 10 kV durchläuft und nur am Ende auf 1 kV
abgebremst wird.
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Im folgenden wird die Erfindung anhand
der Zeichnungen näher
beschrieben, in denen entsprechende Bezugszahlen entsprechende Elemente
bezeichnen. Es zeigen:
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1 eine
schematische Darstellung eines relevanten Teils eines erfindungsgemäßen teilchenoptischen
Instruments;
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2 den
Verlauf einiger Elektronenwege in einem erfindungsgemäßen teilchenoptischen
Instrument;
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3 eine
grafische Darstellung des Detektionswirkungsgrads in einem erfindungsgemäßen teilchenoptischen
Instrument.
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1 zeigt
einen relevanten Teil eines erfindungsgemäßen REM. Soweit sie für die Erfindung
irrelevant sind, sind die Elektronenquelle und alle weiteren Elemente,
die Teil der elektronenoptischen Säule bilden und zur Beschleunigung
und Steuerung des Primärstrahls
dienen, nicht gezeigt. Der Primärstrahl,
der in 1 nicht gezeigt
ist, läuft
entlang der optischen Achse 4 des REM. Danach durchquert
der Primärstrahl
nacheinander einen Detektorkristall 6, eine elektrostatische
Beschleunigungselektrode 8, eine erste elektrische Ablenkelektrode 10,
eine zweite elektrische Ablenkelektrode 12, eine erste
elektrostatische Elektrode 14, die Teil des Objektivs bildet, und
eine zweite elektrostatische Elektrode 16, die ebenfalls
Teil des Objektivs bildet. Schließlich erreichen die Elektronen
des Primärstrahls
die zu untersuchende oder zu bearbeitende Probe 18.
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Der Detektorkristall 6 bildet
Teil einer Detektionseinrichtung zur Detektion von Elektronen, die
als Reaktion auf den Einfall des Primärstrahls von der Probe abgestrahlt
werden. Dieser Detektorkristall besteht aus einem Stoff (z. B. Cerium-dotierter
Yttrium-Aluminium-Granat oder YAG), der einen Lichtimpuls als Reaktion
auf das Einfangen eines Elektrons ausreichender Energie erzeugt;
dieser Lichtimpuls wird mittels einer optischen Leitereinrichtung
(nicht gezeigt) weitergeleitet und in einem optoelektrischen Wandler
in ein elektrisches Signal umgewandelt, aus dem sich bei Bedarf
ein Bild der Probe ableiten läßt. Die
letztgenannten Elemente bilden auch Teil der Detektionseinrichtung.
Der Detektorkristall 6 ist mit einer Bohrung zum Durchgang
des Primärstrahls
versehen.
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Die elektrostatische Beschleunigungselektrode 8 bildet
Teil des Elektrodensystems 8, 14, 16, dessen
Elektroden 14 und 16 das Objektiv des REM bilden,
das zum Fokussieren des Primärstrahls
dient. Die Elektrode 8 ist als flache Platte geformt, die
mit einer Bohrung für
den Primärstrahl
versehen und auf das Detektionsmaterial in Form eines leitenden Oxids,
z. B. Indium- und/oder Zinnoxid, abgeschieden ist, insbesonde re
auf die Detektionsoberfläche des
Szintillationskristalls 6. Die Elektrode 8 kann
auf eine gewünschte
Spannung, z. B. 9 kV, mit Hilfe einer Stromversorgungseinheit (nicht
gezeigt) eingestellt werden.
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Die erste elektrische Ablenkelektrode 10 und die
zweite elektrische Ablenkelektrode 12 bilden Teil eines
Strahlablenksystems zum Ablenken des Primärstrahls. Jede dieser beiden
Elektroden ist als rohrförmiger
Abschnitt mit einer Außenform
in der Form eines geraden Kreiszylinders und einer Innenform in
der Form eines Kegels aufgebaut, der sich in Richtung des Strahls
verjüngt.
Durch zwei Sägeschnitte
in zueinander lotrechten Ebenen durch die optische Achse ist jede
der Elektroden 10 und 12 in vier gleiche Teile
unterteilt, so daß jede
der Elektroden 10 und 12 elektrische Dipolfelder
in x-Richtung sowie in y-Richtung durch Anlegen geeigneter Spannungsdifferenzen
zwischen den Abschnitten erzeugen kann, damit der Primärstrahl über die
Probe 18 abgelenkt werden kann und sich der Weg der in
Richtung des Detektorkristalls bewegenden Sekundärelektronen beeinflussen läßt. Statt
die Elektroden 10 und 12 in vier Teile aufzuteilen,
können
sie auch in eine größere Anzahl
von Teilen, z. B. acht gleiche Teile, mit Hilfe von vier Sägeschnitten
in einer Ebene durch die optische Achse unterteilt sein. Durch Anlegen
der geeigneten Spannungen an die verschiedenen Teile jeder der Elektroden
kann das so gebildete System nicht nur zum Ablenken des Strahls,
sondern auch als Stigmator verwendet werden.
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Die erste Elektrode 14 und
die zweite Elektrode 16 stellen das Elektrodensystem dar,
das das Objektiv des REM bildet. Innen wie außen ist die Elektrode 14 als
Kegel geformt, der sich nach unten verjüngt, so daß sich diese Elektrode in die
Elektrode 16 einpaßt.
Innen wie außen
ist die Elektrode 16 auch als Kegel geformt, der sich nach
unten verjüngt; die äußere Kegelform
bietet optimalen Raum für
die Behandlung vergleichsweise großer Proben, z. B. kreisförmiger Wafer,
die zur Herstellung von ICs verwendet werden und einen Durchmesser
von 300 mm haben können.
Aufgrund der äußeren Kegelform
der Elektrode 16 kann der Primärstrahl veranlaßt werden,
in einem vergleichsweise großen
Winkel auf den Wafer zu treffen, indem der Wafer unterhalb des Objektivs
gekippt wird, ohne daß der
Wafer durch Teile behindert wird, die aus dem Objektiv vorstehen.
Eine Strichlinie 20 in der Zeichnung zeigt den Bereich,
in dem man davon ausgehen kann, daß der Linseneffekt des elektrischen
Objektivfelds (also die paraxiale Mitte des Objektivs) lokalisiert
ist.
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Das Objektiv 14, 16 fokussiert
den Primärstrahl
so, daß die
Elektronenquelle auf der (an Masse gelegten) Probe mit einer allgemein
sehr starken Verkleinerung abgebildet wird; aufgrund dieser starken Verkleinerung
ist der Abstand zwischen der Oberfläche der Probe 18 und
der Mitte der Linse 20 (die Brennweite) sehr klein, was – wie bereits
erwähnt – die Kippmöglichkeit
stark einschränken
würde,
wäre die
Form der Elektrode 16 nicht kegelförmig.
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2 zeigt
den Verlauf einiger Elektronenwege im teilchenoptischen Instrument
von 1. Der Verlauf dieser
Wege wurde durch Computersimulation erhalten; die folgenden Annahmen
wurden für
diese Simulation getroffen: Die Spannung, durch die der Primärstrahl
beschleunigt wird, beträgt
10 kV; die Energie der Sekundärelektronen
beträgt
1 eV; das Sekundärelektron
tritt aus der Probe parallel zur Oberfläche aus; die Probe ist an Masse
gelegt; die Spannung Vd am Detektor beträgt 9 kV;
die Spannungen an der Elektrode 10 betragen 9 + 2 = 11
kV und 9 – 2
= 7 kV; die Spannungen an der Elektrode 12 betragen 9 – 1,8 =
7,2 kV und 9 + 1,8 = 10,8 kV.
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Der Primärstrahl 22 (in dieser
Zeichnung nur schematisch als Strichlinie gezeigt), der in die Anordnung
eintritt, die durch den Detektor, die Ablenkelektroden und das Objektiv
gebildet ist, bewegt sich anfangs entlang der optischen Achse 4.
Unter dem Einfluß des
durch die Elektrode 10 erzeugten elektrischen Ablenkfelds
wird der Strahl von der Achse abgelenkt, wonach er unter dem Einfluß des durch
die Elektrode 12 erzeugten entgegengesetzten Ablenkfelds
wieder zur Achse abgelenkt wird. Dadurch schneidet der Primärstrahl
die optische Achse weit unter den Ablenkelektroden 10 und 12.
Wie bereits erwähnt,
erreicht man als Ergebnis der Anordnung des Strahlablenksystems
und der Tatsache, daß es mit
zwei entgegengesetzten Feldern arbeitet, daß der Kippunkt in der Mittelebene 20 des
Objektivs liegt, so daß ein
größeres Sichtfeld
und ein minimaler Abbildungsfehler unabhängig von der Größe der Abtastbewegung
des Primärstrahls
erreicht werden. Diese Erscheinung läßt sich deutlich in 2 ablesen, die zeigt, daß nach Ab lenkung
durch die Ablenkfelder der Primärstrahl
die optische Achse 4 in der Mittelebene 20 schneidet.
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Der Einfall des Primärstrahls 22 auf
die Probe 18 setzt Sekundärelektronen aus der Probe frei, die
sich unter dem Einfluß des
elektrischen Felds des Objektivs, des Ablenksystems und der Detektorspannung
nach oben bewegen. Die Zeichnung zeigt einen Weg 24 eines
solchen Sekundärelektrons.
Anfangs bewegt sich das Elektron parallel zur Probenoberfläche und
wird in die Bohrung des Objektivs gezogen, wonach es den Ablenkfeldern
ausgesetzt ist. Die Darstellung zeigt den Effekt der elektrischen
Ablenkfelder durch den Weg 26 und zum Vergleich den Effekt
magnetischer Ablenkfelder durch den Weg 28. 2 zeigt klar, daß auch ein
Sekundärelektron,
das aus der Probe im ungünstigsten
Winkel austritt, durch die elektrischen Ablenkfelder trotzdem so
abgelenkt wird, daß es
durch den Detektorkristall immer noch eingefangen wird. Dieser Effekt
wird mit Hilfe magnetischer Ablenkfelder nicht erreicht.
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3 ist
eine grafische Darstellung des Detektionswirkungsgrads als Funktion
des Abstands zwischen der optischen Achse und der Stelle, an der das
Sekundärelektron
die Probe verläßt. Diese
Situation ist für
drei Werte der Energie des Sekundärelektrons gezeigt, d. h. 1
eV, 2 eV und 5 eV. Das obere Diagramm veranschaulicht die Situation
für den
Fall mit elektrischen Ablenkfeldern, und zum Vergleich veranschaulicht
das untere Diagramm die Situation für den Fall mit magnetischen
Ablenkfeldern. Deutlich zeigt diese grafische Darstellung, daß bei elektrischen
Ablenkfeldern ein Detektionswirkungsgrad von über 90% bis zur Kante des auf
der Probe beobachteten Bereichs (d. h. bis zu einer Entfernung von
etwa 1,1 mm von der optischen Achse) erreicht wird und daß dieser
Wert auf etwa 50% sinkt, wenn magnetische Ablenkfelder zum Einsatz
kommen.