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Fachgebiet der Erfindung
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Diese
Erfindung bezieht sich generell auf das Nassätzen von dünnen Metallschichten und insbesondere
auf ein Ätzverfahren
zur Erzeugung von Metallschichtstrukturen mit in einem vorgegebenen
Winkel schräg
abfallenden Rändern.
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Hintergrund der Erfindung
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Diese
Erfindung wurde im Kontext der Herstellung von Dünnschicht-Transistoranordnungen (TFT
arrays von thin film transistor arrays) für aktive Matrix-Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen (AMLCDs
von active matrix liquid crystal displays) gemacht. Eine typische
AMLCD umfasst ein Flüssigkristallmedium,
angeordnet zwischen einem Substrat, das eine TFT-Anordnung enthält, und
einem Substrat, das eine Gemeinschaftselektrode enthält. Die TFT-Anordnung
schafft die Steuerelemente der AMLCDs. Eine typische TFT-Anordnung
umfasst TFT-Vorrichtungen, Speicherkondensatoren, eine Matrix von
Pixel-Elektroden und periphere Schaltungen zur Verbindung mit Treiberelektronik.
Die Transistoren steuern die Spannung an jeder Pixel-Elektrode und
jede Pixel-Elektrode steuert wiederum den optischen Status eines
Flüssigkristallpixels.
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Herkömmlicherweise
wird eine TFT-Anordnung durch Niederschlagung einer ersten Metallschicht
auf einem Substrat hergestellt. Die Metallschicht, die üblicherweise
Chrom ist, wird dann naßgeätzt, um
eine leitende Matrix aus Metallschichtstrukturen, wie z. B. den
leitenden Gate-Leitungen, Datenleitungen, Elektroden und peripheren Schaltungsleiterbahnen,
zu definieren. Nach dem Ätzen
wird ein Stapel von Isolator- und Halbleiterschichten wie z. B.
Siliziumnitrid/amorphes Silizium/Siliziumnitridstapel über der
Leitermatrix niedergeschlagen. Danach wird eine zweite Metallschicht aufgebracht
und in ein Muster ge
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[TEXT
FEHLT]
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Eine
Schwierigkeit bei diesem herkömmlichen
Prozess entsteht daraus, dass herkömmliches Nassätzen von
Chromschichten steile, fast vertikale Seitenwände erzeugt. Wenn anschließend Isolator- oder
Halbleiterschichten aufgebracht werden, erzeugen diese steilen Seitenwände Unregelmäßigkeiten oder
minderwertige Bereiche in den niedergeschlagenen Schichten. Die
defekten Schichten können wiederum
zu Kurzschlüssen,
hohem Leckstrom und niedriger Durchbruchspannung führen, besonders
an den Transistoren, den Speicherkondensatoren und den Überkreuzungen.
Die steilen Seitenwände
können
auch die anschließende
Niederschlagung der zweiten Metallschicht nachteilig beeinflussen
und dabei offene Schaltungsdefekte in der zweiten Metallschicht,
besonders an Überkreuzungen
wesentlich vermehren. Die scharfen Seitenwandränder können außerdem elektrostatische Entladungsschäden (ESD
von electrostatic discharge damage) verschlimmern.
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Frühere Bemühungen zur
Beseitigung dieser steilen Seitenwände haben sich als mehr als
unbefriedigend herausgestellt; U.S.-Patent Nr. 5, 007, 984 beschreibt
zwei Verfahren zur Bildung von schräg abfallenden Wänden. Im
ersten Verfahren werden schräg
abfallende Seitenwände
durch Zufügen
von Salpetersäure
zu einem herkömmlichen
Cerammoniumnitrat(CAN)-Ätzmittel
erhalten. Der daraus resultierende Schrägenwinkel hängt hauptsächlich von der Temperatur des Ätzmittels
und der Salpetersäurekonzentration
ab. Es ist jedoch schwierig, Schrägenwinkel von weniger als 40
Grad zu erhalten. Außerdem
ist dieser Prozess in der Serienherstellung von Natur aus schwer
zu steuern.
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Im
zweiten Verfahren wird eine zweite Metallschicht, wie z. B. Aluminium,
auf das Chrom niedergeschlagen und darüber wird Fotolack gebildet.
Danach werden drei Ätzmittel
verwendet, um schräg
abfallende Linien zu bilden. Das erste, auf Phosphorsäure basierende Ätzmittel ätzt sowohl
die Aluminium- als auch die Chromschichten. Da die Ätzrate von Aluminium
höher ist
als die von Chrom, werden die Seitenwände schräg abfallend. Das zweite Ätzmittel entfernt
die Chromrückstände. Nach
der Entfernung des Fotolacks entfernt das dritte Ätzmittel
die Aluminiumschicht. Es ist jedoch schwierig, den Schrägen winkel
zu steuern. Außerdem
ist das zweite Verfahren sowohl zeit- als auch kostenaufwendig,
weil drei getrennte Ätzschritte
notwendig sind.
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Zusammenfassung der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Ätzen einer
Metallschicht, das in einem vorgegebenen Winkel schräg abfallende
Ränder
erzeugt. Es ist besonders nützlich
für die
Herstellung der Leitermatrix (Gate-Leitungen und Datenleitungen)
einer TFT-Anordnung.
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Gemäß der Erfindung,
wie in Anspruch 1 definiert, werden mindestens zwei Schichten verschiedener
Metalle auf einem Substrat gebildet. Die zwei Metallschichten interagieren,
so dass die Seitenätzrate
der oberen Metallschicht beim Vorhandensein der anderen Metallschicht
größer ist,
als sie es beim Nichtvorhandensein der anderen Metallschicht wäre. Die
Seitenätzrate
der oberen Metallschicht ist schneller als die vertikale Ätzrate der
auf das Substrat aufgebrachten Metallschicht. In einer Ausführungsform wird
eine dünne
Schicht Molybdän,
Mo, auf einer ersten Schicht Chrom, Cr, gebildet, die auf einem
Substrat gebildet wird. Eine Schicht von einem in ein Muster gebrachten
Fotolack wird über
der Mo-Schicht gebildet. Die resultierende Struktur wird in einer Ätzlösung geätzt, um
die darunterliegenden Materialschichten in ein Muster zu bringen.
In einer weiteren Ausführungsform
wird eine zweite dünne
Schicht Cr oder Zink (Zn) vorzugsweise auf der Mo-Schicht gebildet,
um die Haftung des Fotolacks an der Struktur zu verbessern. In einer
anderen Ausführungsform wird
eine Schicht Kobalt (Co) oder Nickel (Ni) auf einer ersten Schicht
Zink (Zn) gebildet, das auf dem Substrat niedergeschlagen wird.
Die Seitenätzrate des
Co oder Ni erhöht
sich beim Vorhandensein von Zn gegenüber dem, wie sie sonst in dem
Zinkätzmittel
wäre. Es
ist vorteilhaft, wenn eine zweite Schicht Zn über dem Co oder Ni niedergeschlagen
wird.
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Um
die unter dem Fotolackmaterial liegenden Metallschichten in ein
Muster zu bringen, wird ein übliches Ätzmittel
verwendet. In einer Ausführungsform
wird ein Cr-Ätzmittel,
wie z. B. Cerammoniumnitrat (CAN) verwendet, um die Metallschichten
aus Cr und Mo in ein Muster zu bringen. Die Seitenätzrate der
Mo-Schicht über
einer Cr-Schicht mit einer Dicke von mehr als 100 Angström (1 Angström = 0,1
nm) ist mehr als 100 mal größer als
die Ätzrate
einer Mo-Schicht
in dem gleichen Ätzmittel
bei Abwesenheit einer Chromschicht. Die Seitenätzrate der Mo-Schicht steuert
die Rate, mit der die Cr-Schicht unter dem Mo dem Ätzmittel
ausgesetzt wird. Das erlaubt eine sacht abfallende Seitenwand an
den Metallmerkmalen, die erhalten werden sollen, und ermöglicht eine
verbesserte Bedeckung der Seitenwände von einer anschließend aufgebrachten Schicht.
Die Folge ist eine Reduktion von TFT- und AMLCD-Defekten.
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Das
Verfahren kann ferner folgenden Schritt umfassen: Bildung einer
dritten Materialschicht auf besagter zweiter Materialschicht, wobei
besagte dritte Materialschicht die Haftung des besagten Fotolacks
schafft. Die erste Schicht und die dritte Schicht können Cr
sein und die zweite Schicht kann Mo sein. Die dritte Schicht kann
eine Dicke im Bereich von ca. 50 Angström bis ca. 150 Angström haben.
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Das
Muster kann Gate-Leitungen und Gate-Elektroden für eine Dünnschich-Transistor-Anordnung umfassen. Die Interaktion
zwischen besagter erster Metallschicht und besagter zweiter Metallschicht
ist elektrochemisch. Das Verfahren kann den Schritt der Entfernung
besagten Fotolackes von besagter Struktur umfassen und das Material
besagter zweiter Schicht kann Metall sein.
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Gemäß eines
weiteren Aspektes der Erfindung wird eine Dünnschicht-Matrix-Anordnung
einschließlich
einer Leitermatrix geschaffen, die durch folgende Schritte entsteht:
Schaffen eines Substrates mit mehreren Metallschichten darauf, wobei
die auf besagtem Substrat gebildete Metallschicht Cr oder Zn ist
und mindestens eine Schicht ein aus einem zweiten Metall aus Mo,
Cr oder N, das in einem Ätzmittel
mit besagtem erstem Metall interagiert, um die Seitenätzrate des
zweiten Metalls zu erhöhen,
um schneller zu sein als das erste Metall; Bilden einer Schicht
aus Fotolackmaterial auf besagten mehreren Metallschichten; Bilden
eines Musters von besagter Leitermatrix in dem Fotolackmaterial; Ätzen der
resultierenden Struktur mit besagtem Ätzmittel, um besagte Leitermatrix mit
schräg
abfallenden Seitenwänden
herzustellen; und Entfernen von besagtem Fotolack von besagter Struktur.
Die erste Schicht kann Cr sein und die zweite Schicht kann Mo sein,
wobei die Cr-Schicht auf dem Substrat gebildet wird und die Mo-Schicht über der
Cr-Schicht gebildet wird. Die Struktur kann ferner eine dritte Cr-Schicht
umfassen, die auf der Mo-Schicht gebildet wird.
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Kurze Beschreibung der
Zeichnungen
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Die
Vorteile, die Natur und die verschiedenen zusätzlichen Eigenschaften der
Erfindung werden unter Betrachtung der erläuternden Ausführungsformen,
die jetzt in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen detailliert
beschrieben werden, vollständiger
sichtbar werden. In den Zeichnungen ist:
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1 ein
Blockdiagramm, das Schritte der Bildung einer schräg abfallenden
Linie auf einem Substrat darstellt.
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2A ein
schematischer Querschnitt eines Substrates, der einen Zustand nach
der Niederschlagung mehrerer Schichten auf einem Substrat zur Bildung
einer Dreischichtenstruktur zeigt.
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2B ein
schematischer Querschnitt des Substrates mit der Dreischichtenstruktur,
der einen Zustand zeigt, in dem ein Fotolackmuster auf der Dreischichtenstruktur
gebildet ist.
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2C ein
schematischer Querschnitt des Substrates mit der Dreischichtenstruktur,
der einen Zustand nach dem Ätzen
der Dreischichtenstruktur zeigt.
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2D ein
schematischer Querschnitt des Substrates mit der Dreischichtenstruktur,
der einen Zustand nach der Entfernung des Fotolackes von der geätzten Dreischichtenstruktur
zeigt.
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3 ein
schematischer Querschnitt einer schräg abfallenden Seitenwand, die
durch den Prozess von 1 hergestellt wurde, und beschreibt den
Schrägenwinkel
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4 ein
Diagramm, das die Beziehung zwischen der Dicke einer Mo-Schicht und dem resultierenden
Schrägenwinkel
in einer Cr/Mo/Cr-Dreischichtenstruktur zeigt.
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5 eine
Darstellung der Verwendung von schräg abfallenden Linien in einer
aktiven Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung.
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Es
versteht sich, dass diese Zeichnungen die Veranschaulichung der
Konzepte der Erfindung bezwecken und nicht maßstabsgetreu sind.
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Detaillierte Beschreibung
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Im
Laufe dieser Beschreibung werden gleiche Zahlen zur Identifizierung
gleicher Elemente in den verschiedenen Figuren verwendet, die die
Erfindung veranschaulichen.
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1 zeigt
ein Verfahren zur Herstellung von schräg abfallenden Linien 10 gemäß der Lehren der
vorliegenden Erfindung. 2A–2D sind schematische
Querschnitte der Strukturen entsprechend der in 1 gezeigten
Schritte. Der erste in Block 12 und in 2A gezeigte
Schritt besteht darin, mehrere Metallschichten auf Substrat 31 aufzubringen.
Die untere auf das Substrat aufgebrachte Metallschicht ist Cr oder
Zn und mindestens eine darüberliegende
Schicht ist aus Mo, Co oder Ni gemacht. Die Seitenätzrate des
zweiten Metalls in einem Ätzmittel
für das
erste Metall wird vom Vorhandensein des ersten Metalls beeinflusst.
Vorzugsweise reagieren die zwei Metalle elektrochemisch in einem
gemeinsamen Ätzmittel,
um die Seitenätzrate des
zweiten Metalls um einen mindestens 100fachen Faktor der Ätzrate beim
Nichtvorhandensein des ersten Metalls zu erhöhen. (Wir gehen von der gleichen Dicke
des zweiten Metalls und der Verwendung des gleichen Ätzmittels
aus.) Vorzugsweise wird eine dritte Materialschicht über der
ersten und zweiten Metallschicht aufgebracht. Die dritte Schicht
schafft eine verbesserte Haftung an dem darüber liegenden Fotolack und
verhindert, dass das Ätzmittel
die zweite Metallschicht durch die Fotolack-Metallschicht-Grenzfläche angreift.
Das Substrat kann Glas, geschmolzene Silica, Plastik oder ein Halbleiter,
wie z. B. monokristallines Silizium, sein.
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In
einer Ausführungsform
wird eine Mo-Schicht zwischen zwei Cr-Schichten eingebettet. Die
Struktur wird z. B. durch Aufstäuben
einer Cr-Schicht 32 auf Substrat 31 gebildet.
Dann wird eine Mo-Schicht 34 auf Schicht 32 aufgestäubt. Danach
wird eine Cr-Schicht 36 auf Schicht 34 aufgestäubt. Alternativ
ist Schicht 34 entweder aus Co oder Ni und Schicht 32 und
Schicht 36 aus Chrom. Alternativ sind Schicht 32 und
Schicht 36 aus Zn und Schicht 34 ist entweder
aus Mo, Co oder Ni. Ein handelsübliches
Aufstäubungsgerät, wie z.
B. Leybold ZV6000 (Deutschland), kann verwendet werden, um die Schichten
aufzustäuben,
um die Struktur in einem Vakuumabpumpvorgang zu bilden. Andere herkömmliche
zweckdienliche Verfahren wie z. B. Aufdampfen, chemische Dampfniederschlagung
oder Elektroplatieren werden als genauso nützlich für die Bildung der Metallschichten
betrachtet. Der Einfachheit halber wird die Erfindung bezüglich der
Ausführungsform
erörtert,
in der Schicht 32 aus Cr, Schicht 34 aus Mo und
Schicht 36 aus Cr ist.
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In
Block 18 und in 2B wird
Struktur 30 auf eine herkömmliche Weise, die üblicherweise
die Schleuderniederschlagung einer Schicht Fotolack auf das Substrat
einschließt,
mit Fotolackschicht 38 beschichtet. Fotolackschicht 38 wird
dann belichtet und so entwickelt, dass ein Muster zur Verwendung als Ätzmaske
gebildet wird. Ein handelsüblicher
Fotolack, wie z. B. S1808 von Shipley (Marlborough, MA), und eine
handelsübliche
integrierte Photolithographie-Linie
wie z. B. Convac LCD-600 Spin Cleaner/Coater (Schleuderreiniger/-beschichter) (Deutschland),
MRS 5000 Panelprinter (Chelmsford, MA) und Convac LCD-600 Spin Developer
(Schleuderentwickler) (Deutschland) kann zur Bildung des Fotolackmusters
verwendet werden. Die Bildung des Fotolackmusters kann auch unter
Verwendung von anderen herkömmlichen
photolithographischen Verarbeitungsverfahren, wie z. B. eine Rollen-
oder Meniscus-Beschichtung, Exposition mit oder ohne Kontakt, erreicht
werden. Der Fotolack wird auf herkömmliche Weise entwickelt und
erhitzt. Es kann ein auf TMAH (Tetra-Methyl-Ammonium-Hydroxid) basierender Entwickler,
wie z. B. MF-319 von Shipley, verwendet werden.
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Die
resultierende geschichtete, auf dem Substrat gebildete Struktur
wird in Block 20 und in 2C in
einer ätzenden
Lösung
geätzt,
um Bereiche wegzuätzen,
die nicht vom Fotolack 38 maskiert wurden, und um ein Muster
auf dem Substrat zu bilden, das dem Fotolackmuster entspricht. Mit
der ätzenden
Lösung
kann eine handelsübliche Ätzvorrichtung,
wie z. B. ein Hamatech Spin Etcher (Drehätzvorrichtung) (Deutschland),
verwendet werden. Alternativ kann eine herkömmliche Sprüh- oder Tauchätzvorrichtung
verwendet werden. Die ätzende
Lösung kann
eine Lösung
aus einem auf Cerammoniumnitrat (CAN) basierenden Ätzmittel
von Foto Chemical System, Wayne, NJ sein. Das Ätzen der Struktur kann bei
Umgebungstemperatur ausgeführt
werden. Wenn das Ätzen
der in ein Muster gebrachten Linie beginnt, ist die Seitenätzrate von
Schicht 34 schneller als die vertikale Ätzrate von Schicht 32.
Danach wird, während
die Seitenätzung
von Schicht 34 andauert, die zusätzliche Oberfläche von
Schicht 32 belichtet, um eine schräg abfallende Seitenwand zu
schaffen, wenn die Ätzung
vollendet ist.
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Die
Fotolackschicht 38 kann in Block 21 und in 2D entfernt
werden. Ein herkömmlicher
Abstreifer, wie z. B. PRS-1000, hergestellt von J. T. Baker (Phillipsbury,
NJ), kann zur Entfernung der Fotolackschicht 38 verwendet
werden.
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Das
Substrat 31 kann Corning 7059-Glas mit einer Dicke von
ca. 0,7 mm bis ca. 1.1 mm sein. Schicht 32 hat üblicherweise
eine Dicke im Größenbereich
von ca. 2000 Angström
zur Verwendung als eine herkömmliche
Metallschicht in einer TFT-Anordnung. Schicht 34 hat eine
weitaus geringere Dicke, im Bereich von ca. 100 mal bis 300 mal
dünner
als die Dicke von Schicht 32. Genauer wurde festgestellt, dass
die Seitenätzung
des Mo für
Schicht 34, die aus Mo gebildet ist und in einem unverdünnten CAN-Ätzmittel
bei Umgebungstemperatur eine Dicke von mehr als 100 Angström hat, beim
Vorhandensein von Cr extrem schnell ist. Genauer ist die Seitenätzrate des
Mo beim Vorhandensein von Cr im Größenbereich von mehr als 100
mal so groß wie
die Seitenätzrate
von Mo im gleichen Ätzmittel
beim Nichtvorhandensein von Cr. Die Ätzrate von purem Mo ist 2,5
mal so groß wie
die Ätzrate
von Cr. Die extrem schnelle Seitenätzrate der Mo-Schicht beim
Vorhandensein von Cr ist auf einen elektrochemischen Effekt zurückzuführen.
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Um
Cr-Linien mit der erwünschten
Schräge zu
erhalten, muss die Dicke der drüberliegenden Mo-Schicht
gesteuert werden. Eine Dicke der Schicht 34 aus Mo, die
in einem unverdünnten Ätzmittel
in Struktur 30 aus Cr/Mo/Cr größer als 100 Angström ist, führt dazu,
dass die Mo-Schicht vollkommen unterschnitten ist, und ermöglicht es
dem Fotolack, von der Metallschicht getrennt zu werden, bevor die Schaltungsleitungen
definiert werden können.
Um Struktur 30 bei der Bildung von schräg abfallenden Linien nützlich zu
machen, wird das Seitenätzen
von Schicht 34 auf eine akzeptable Rate gesteuert. Es wurde
festgestellt, dass die Seitenätzrate
der Mo-Schicht in einer Drei-Schicht-Struktur 30 aus Cr/Mo/Cr
erheblich geringer ist, wenn die Dicke der Mo-Schicht weniger als
ca. 100 Angström
ist, als wenn die Schichtdicke größer als 100 Angström ist. Genauer
wird die Dicke der Mo-Schicht zum Bemessen der Seitenätzrate und
des resultierenden Schrägenwinkels
verwendet. Es wurde außerdem
festgestellt, dass die Seitenätzrate
einer Mittelschicht aus Mo, Co oder Ni von der Wahl des Ätzmittels
beeinflußt
wird. Mit einer 1 : 1-entionisierten Wasserlösung des CAN-Ätzmittels
in einer Cr/Mo/Cr-Struktur bleibt z. B. die Metallätzrate des
Cr im Wesentlichen die gleiche, die Seitenätzrate der Mittelschicht aus
Mo nimmt jedoch bedeutend ab.
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Schicht 36 wird
auf Schicht 34 aufgebracht, um die Haftung von Struktur 30 am
Fotolack 38 zu fördern
und um Schicht 34 vor einer Fotolack-Metall-Grenzfläche zu schützen. Eine
1,2 Mikrometer dicke Schicht S1808 Fotolack haftet z. B. besser
an Cr als an Mo. Die Anmelder haben festgestellt, dass der Fotolack 38 ohne
die obere Schicht Cr in einer Struktur 30 aus Cr/Mo/Cr
die Mo-Schicht abhebt, bevor das Muster voll geätzt ist.
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Obwohl
die Anmelder nicht auf eine bestimmte Theorie festgelegt werden
wollen, besteht ein möglicher
Mechanismus zum Abheben des Fotolacks von der Mo-Schicht darin,
dass die Fotolack-Metall-Grenzfläche
nicht fest auf atomarer Ebene ist und erlaubt, dass das Ätzmittel
somit von einem Mo-Bereich auf die unterliegende Cr-Schicht und
auf einen anderen Mo-Bereich in einer mikroskopisch nicht kontinuierlichen
Mo-Schicht springt. Dementsprechend ver hält sich die dünne Mo-Schicht,
die mit der darunterliegenden Cr-Schicht interagiert, ohne die obere
Cr-Schicht wie eine viel dickere, mikroskopisch kontinuierliche
Mo-Schicht in der Drei-Schichten-Struktur. Schicht 36 sollte
so dünn wie
möglich
sein. Die Dicke von Schicht 36 ist vorzugsweise im Bereich
von ca. 50 Angström
bis ca. 100 Angström,
um den erwünschten
Schrägenwinkel in
der Drei-Schichten-Struktur zu schaffen. Übermäßige Dicke von Schicht 36 kann
einen negativen Schrägenwinkel
und einen Überhang
in Schicht 36 bewirken, was unvorteilhaft für die nachfolgenden Niederschlagungen
von Schichten ist. Schicht 32, Schicht 34 und
Schicht 36 können
mit einem herkömmlichen
Aufstäubungsgerät, wie z.
B. dem Leybold ZV6000, bei unterschiedlicher Energie und Laufgeschwindigkeit
durch das Aufstäubungstarget
aufgebracht werden, um die erwünschte
Dicke der Schichten zu erzeugen. Alle drei Schichten werden aufgestäubt, ohne
das Vakuum zu unterbrechen.
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3 stellt
einen Querschnitt einer Schrägenlinie 50 dar,
die durch das Verfahren der vorliegenden Erfindung unter Verwendung
von Struktur 30 aus Cr/Mo/Cr-Schichten erzeugt wurde. Schrägenwinkel
A1 wird durch die Gleichung A1 =
tan–1 (t/d)
definiert, wobei t die Dicke von Schicht 32 aus Cr und
d die Schrägenbreite
der Linie ist. Schrägenwinkel
A1 wird durch die Steuerung der Dicke von
Schicht 34 aus Mo gesteuert. Die Erhöhung der Dicke der Mo-Schicht 34 verringert
den Schrägenwinkel
A1, was zu einer Verringerung der Steigung
von Seitenwand 52 führt.
Mit dem unverdünnten
CAN-Ätzmittel von
Foto Chemical Systems werden unter Verwendung von Hamatech Spin
Etcher (Schleuderätzvorrichtung)
z. B. Schrägenwinkel
von 25°,
15°, 8° und 5° von entsprechenden
Mo-Schicht-Dicken von 30 Angström,
50 Angström,
60 Angström
und 70 Angström
erzeugt. Die Beziehung zwischen dem Schrägenwinkel und der Dicke der
Schicht aus Mo ist in 4 gezeigt.
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5 ist
eine schematische Wiedergabe eines Teils der AMLCD-Anzeigevorrichtung,
die zeigt, wie die Struktur von 3 verwendet
werden kann, um eine Anzeigevorrichtung mit besserer Funktionssicherheit
zu machen. Ein Flüssigkristallmedium (nicht
gezeigt) wird zwischen einer transparenten Gemein schaftselektrode 60 und
einer Anordnung von Pixelelektroden 62 angeordnet, von
denen jede mit einem auf einem Substrat 63 angeordneten TFT-Transistor 61 verbunden
ist. Reihen von TFT-Transitor-Gates 67 sind durch leitfähige Gate-Leitungen 64 miteinander
verbunden. Transistor-Gate-Elektrode 67 und verbindende
Gate-Leitungen 64 können
im gleichen Schritt gebildet werden, so dass beide Spalten schräg abfallende
Seitenwände
haben. Datenleitungen 66 werden mit Spalten von Transistordrains 68 verbunden,
die wiederum mit Sources 65 und Pixelelektroden 62 durch
Transistoren zum schaltbaren Steuern einer jeden Pixelelektrode 62,
die mit einem Speicherkondensator 69 verbunden ist, verbunden
sind. Isolator und Halbleiterschichten (nicht gezeigt) bedecken
Gate-Leitungen 64 und
Transistor-Gate-Elektroden 67.
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Zusammenfassend
besteht der Vorteil von schräg
abfallenden Seitenwänden
von Gate-Leitungen 64 und Transistor-Gate-Elektroden 67 darin,
eine glatte Topographie für
die einheitliche Niederschlagung des Isolators und Halbleiterschichten
zu schaffen. Das reduziert Kurzschlüsse und Leckstrompfade in den
Seitenwandregionen der Leiter, wo sich zwei Leiterlagen kreuzen,
wie z. B. in dem Transistor, dem Speicherkondensator und an Kreuzungen
von Gate-Datenleitungen. Es reduziert ebenfalls die Fehler in Form
von offenen Stromkreisen von Datenleitungen an den Überkreuzungen.