DE69629297T2 - Verfahren und vorrichtung zur thermischen konditionierung von substraten mit passivem gas - Google Patents

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Description

  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Heizen oder Kühlen eines Substrats und insbesondere eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Anwendung bei planaren Gegenständen, wie Halbleiter, Wafern und flachen Panels.
  • 2. Stand der Technik
  • Die US-Patente US 5 060 354 , US 5 252 807 und US 4 597 736 offenbaren Einrichtungen zur thermischen Behandlung von Halbleiterwafern. Das US-Patent US 4 534 816 offenbart einen Plasmätzreaktor für einen einzelnen Wafer. Das US-Patent US 5 013 385 offenbart ein System mit mehreren Plasmareaktoren für einzelne Wafer.
  • WO 90/13687 offenbart eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Behandlung flacher Substrate unter vermindertem Druck. Die Vorrichtung umfasst eine Vakuumkammer mit einem Träger und einer Einrichtung zur Halterung eines Substrats in einem Abstand vom Träger sowie eine Einrichtung zur Einführung oder Ableitung von Gas, das zur Wärmeübertragung zwischen dem Träger und dem Substrat dient. Die 8 und 9 dieses Dokuments enthalten weitere Details bezüglich des Trägers, der eine Platte aufweist, in deren Oberfläche auf der Oberseite kreisförmige Rillen vorgesehen sind, die durch Verbindungsabschnitte miteinander in Verbindung stehen. Die Platte ist mit einer Deckplatte abgedeckt, die mehrere Einführungsöffnungen aufweist, durch die in die Rillen eingeführtes Gas in den Raum zwischen der Trägeroberfläche und dem Substrat eingeführt wird und dazwischen ein dem Wärmeaustausch dienendes Gaskissen bildet. Unter Aufrechterhaltung des Gaskissens wird über die Einführungsöffnungen eingeleitetes Gas durch benachbarte Auslassöffnungen abgeführt.
  • Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe besteht darin, eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Heizen oder Kühlen eines Substrats ohne Anwendung einer Vakuumansaugung des Substrats auf der Rückseite oder der Bodenseite anzugeben.
  • Die obige Aufgabe wird gemäß den unabhängigen Ansprüchen gelöst. Die abhängigen Ansprüche beziehen sich auf bevorzugte Ausführungsformen.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die obigen Aspekte und weitere Merkmale der Erfindung werden in der nachfolgenden Beschreibung anhand der beigefügten Zeichnungen erläutert, worin zeigen:
  • 1 eine teilweise im Querschnitt dargestellte schematische Ansicht einer thermischen Konditioniervorrichtung, bei der Merkmale der vorliegenden Erfindung verwirklicht sind;
  • 2 eine Draufsicht auf die beheizte/gekühlte Platte der in 1 dargestellten Vorrichtung von oben;
  • 3 eine teilweise in der Draufsicht von oben dargestellte alternative Ausführungsform der in 2 dargestellten Platte;
  • 4 eine graphische Darstellung der Abhängigkeit der Wärmeleitfähigkeit vom Druck und
  • 5 eine teilweise im Querschnitt dargestellte schematische Ansicht einer alternativen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Detaillierte Beschreibung der Erfindung
  • In 2 ist eine zum Teil im Querschnitt dargestellte schematische Ansicht einer thermischen Konditioniervorrichtung 10 in der angehobenen oder offenen Stellung gezeigt, bei der Merkmale der vorliegenden Erfindung verwirklicht sind. Obgleich die vorliegende Erfindung unter Bezug auf in den Zeichnungen dargestellte Ausführungsformen beschrieben wird, ist festzuhalten, dass die vorliegende Erfindung bei verschiedenen unterschiedlichen Typen und Arten alternativer Ausführungsformen realisiert werden kann. Hinzu kommt, dass eine beliebige geeignete Größe oder Form oder beliebige geeignete Arten von Bauteilen oder Materialien verwendet werden können.
  • Die Vorrichtung 10 umfasst allgemein eine Kammer 12, eine Gasversorgung 14 und eine Vakuumquelle 16. Die Kammer 12 kann an ein Substratbearbeitungssystem angeschlossen werden, wie es z. B. in dem US-Patent US 5 013 385 beschrieben ist. Die Vorrichtung 10 kann jedoch auch bei beliebigen anderen geeigneten Typen von Substratbearbeitungssystemen eingesetzt werden.
  • Eine Deckplatte 22 ist über zwei Tragsäulen 26, 27 mit einer Grundplatte 24 verbunden. Die Deckplatte 22 weist Träger 18 zur Halterung des Substrats S auf, wenn das Substrat in den Aufnahmebereich 20 der Kammer 12 eingeführt und wenn es daraus entnommen wird. Die Träger 18 erstrecken sich von der Deckplatte 22 nach unten. Eine thermische Einheit 28 bildet einen unteren Bereich der Kammer 12. Die thermische Einheit 28 weist allgemein ein Wärmeübertragungselement 30 und eine Wärmeübertragungsplatte 32 auf. Das Wärmeübertragungselement 30 besitzt zwei Löcher 34, 35, in denen die Tragsäulen 26, 27 angeordnet sind. Das Wärmeübertragungselement 30 kann entweder als Heizer vorgesehen sein und beispielsweise Heizlampen oder Heizwicklungen aufweisen oder als Kühler ausgebildet sein und z. B. Kühlmittelleitungen aufweisen, die durch das Wärmeübertragungselement hindurchgehen. Ein Mechanismus 36 zum senkrechten Antrieb ist mit der Grundplatte 24 verbunden. Der Mechanismus 36 zum senkrechten Antrieb dient zur Auf- und Abbewegung der Grundplatte 24 relativ zur Kammer 12 und zur Wärmeübertragungsplatte 32. Da die Tragsäulen 26, 27 mit der Grundplatte 24 verbunden sind, werden die Tragsäulen 26, 27 mit der Grundplatte 24 auf- und abbewegt. Da die Deckplatte 22 mit den Tragsäulen 26, 27 verbunden ist, wird die Deckplatte 22 mit der Grundplatte 24 auf- und abbewegt. Die Deckplatte 22 kann ferner einen Heizer oder einen Kühler aufweisen. Die Tragsäulen 26, 27 sind von Balgendichtungen 38, 39 umgeben, die sich zwischen der Grundplatte 24 und der Kammer 12 befinden.
  • Die Wärmeübertragungsplatte 32 ist auf der Oberseite des Wärmeübertragungselements 30 befestigt. Wie ferner aus 2 hervorgeht, ist die Wärmeübertragungsplatte 32 auf ihrer Oberfläche 40 der Oberseite mit drei Abstandshaltern 41 versehen, die so ausgebildet sind, dass sie mit der Unterseite des Substrats S in Kontakt kommen und das Substrat tragen können. Die Abstandshalter 41 sind sehr klein, um den Kontakt mit dem Substrat S zu begrenzen. Die Abstandshalter 41 sind so ausge bildet, dass sie das Substrat S in einem Abstand oder mit einem Spalt von etwa 0,1 mm oberhalb der Oberfläche 40 der Oberseite halten können. Es können allerdings auch beliebige geeignete Arten von Abstandshaltern in einer beliebigen Anzahl vorgesehen werden. Der Spalt beträgt ferner, je nach der Größe des Substrats, 0,05 bis 0,5 mm, um ein viskoses Verhalten des Gases zu erzielen, das sich während des Heizens oder Kühlens in dem Spalt befindet. Die Oberfläche 40 der Oberseite weist Längsrillen 42 auf. Bei der dargestellten Ausführungsform sind die Rillen 42 parallele längliche schlitzförmige Vertiefungen. Die Rillen 42 besitzen eine Breite W von etwa 3 mm und eine Tiefe von etwa 2 mm. Es können jedoch auch andere Abmessungen vorgesehen werden. Die Rillen 42 sind mit einem Abstand X von etwa 15 mm voneinander beabstandet. Es können jedoch auch andere Abstände vorgesehen werden. Die Wärmeübertragungsplatte 32 weist ferner Sitze 19 auf, um die Träger 18 an der Deckplatte 22 aufzunehmen, wenn die Deckplatte 22 in ihre untere Stellung bewegt wird. Längs des Umfangs der Oberfläche 40 der Oberseite ist eine Dichtung 43 vorgesehen, die mit der Deckplatte 22 in Kontakt kommt, wenn diese in ihre untere Stellung bewegt wird, und eine Abdichtung zwischen der Deckplatte 22 und der Wärmeübertragungsplatte 32 bildet. 3 zeigt eine Teildarstellung einer alternativen Ausführungsform der Wärmeübertragungsplatte 32a in Teilansicht von oben. Die Wärmeübertragungsplatte 32a besitzt zwei Sätze von Rillen, einen ersten Satz von kreisförmigen Rillen 42a und einen zweiten Satz von geraden Rillen 42b. Die beiden Sätze von Rillen 42a, 42b schneiden einander mit allgemein rechten Winkeln. Der Durchmesser D der zentralen kreisförmigen Vertiefung beträgt etwa 50 mm. Die Zunahme des Radius R1, R2, etc., von der zentralen kreisförmigen Vertiefung in Richtung der aufeinander folgenden kreisförmigen Rillen beträgt etwa 25 mm. Die geradlinigen Rillen bilden einen Winkel A von etwa 30° miteinander. Die Breite W der Rillen in den beiden Sätzen von Rillen 42a, 42b beträgt 3 mm; ihre Tiefe ist 2 mm. Bei alternativen Ausführungsformen können beliebige Arten oder Formen von Rillen vorgesehen werden.
  • Die Vorrichtung 10 kann so ausgebildet werden, dass sie das Substrat S entweder heizt oder kühlt. Das Substrat S wird mit einer geeigneten Substrattransportvorrichtung (nicht dargestellt) in den Aufnahmebereich 20 auf die Träger 18 eingebracht. Eine Eintrittsöffnung zu der Kammer 12 wird geschlossen, wenn die Transportvorrichtung die Kammer 12 verlässt. Der Antriebsmechanismus 36 bewegt dann die Deckplatte 22 in Richtung auf die Wärmeübertragungsplatte 32 nach unten. Die Abstandshalter 41 kommen mit der Unterseite des Substrats S in Kontakt und heben das Substrat S von den Trägern 18 ab. Die Unterseiten der Träger 18 werden in den Sitzen 19 in der Platte 32 aufgenommen. Die Deckplatte 22 kommt mit der Dichtung 43 in Kontakt und dichtet so das Substrat S zwischen der Deckplatte 22 und der Wärmeübertragungsplatte 32 ab. Hierdurch wird eine Unterkammer innerhalb des Aufnahmebereichs 20 gebildet. In die Unterkammer innerhalb des Aufnahmebereichs 20 wird ein Inertgas, wie Argon, von einer Gasversorgung 14 eingeleitet. Das Wärmeübertragungselement 30 liefert entweder Wärme an die Platte 32 oder führt Wärme von der Platte 32 ab.
  • Bei der Ausführungsform, bei der das Wärmeübertragungselement 30 ein Heizer ist, wird Wärme vom Heizer erzeugt und direkt auf die Platte 32 geleitet. Die Platte 32 überträgt Wärme durch Leitung durch das Gas auf das Substrat. Im Einzelnen ermöglichen der sehr kleine Spalt zwischen der oberen Oberfläche 40 und dem Substrat S und der niedere Gasdruck ein viskoses Verhalten des Gases ähnlich einer Flüssigkeit.
  • Nachdem das Substrat S auf seine erwünschte Temperatur aufgeheizt wurde, wird das Inertgas durch die Vakuumquelle 16 aus der Kammer 12 abgezogen, und der Antriebsmechanismus 36 hebt die Deckplatte 32 an. Das Substrat S liegt beim Anheben der Deckplatte wieder auf den Trägern 18 auf. Der Eintritt in die Kammer 12 wird dann geöffnet, und die Transportvorrichtung (nicht dargestellt) entnimmt das Substrat aus der Kammer 12. Die Gasumgebung wird zur Förderung der Wärmeübertragung verwendet. Die Vakuumumgebung dient dazu, dass das Substrat seine Temperatur beibehält. Die Vakuumumgebung ist auch hinsichtlich der Beschleunigung der Füllung der Unterkammer des Aufnahmebereichs 20 mit dem Gas günstig.
  • Bei der Ausführungsform, bei welcher das Wärmeübertragungselement 30 ein Kühler ist, ist der Wärmeübertragungsprozess einfach umgekehrt, wobei Wärme vom Substrat S durch Leitung durch das Gas direkt auf die Oberfläche 40 der Platte 32 übertragen wird. Kühlkanäle im Wärmeübertragungselement 30 würden dann mit einem geeigneten Wärmeaustauscher, einem Kompressor oder einer Wärmepumpe (nicht dargestellt) verbunden werden, die sich außerhalb der Kammer 12 befinden.
  • Einer der Vorteile der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass kein Vakuumansaugen an der Rückseite oder Unterseite des Substrats S stattfindet. Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass die Vorrichtung 10, obgleich der Druck des Gases in der Unterkammer des Aufnahmebereichs 20 verringert ist, dennoch den Wärmeaustausch im gleichen Ausmaß und innerhalb der gleichen Zeit wie bei Vorrichtungen nach dem Stand der Technik ermöglicht. Die Wärmeübertragungsrate (Wärmeleitfähigkeit) in Richtung zu einem Substrat oder von einem Substrat weg steigt bekanntlich an, wenn der Druck des Substrats gegen die beheizte/gekühlte Platte in der Vorrichtung erhöht wird. Es wurde allerdings festgestellt, dass die Anwendung eines erhöhten Gasdrucks auf das Substrat im Aufnahmebereich und die Vakuumhalterung auf der erhitzten/gekühlten Platte ungünstig ist. Bei der vorliegenden Erfindung wird weder ein Unterdruck an der Rückseite (Vakuumhalterung) noch ein Druck an der Vorderseite (durch Druckgas) angewandt, um das Substrat gegen die Platte 32 zu drücken. Bei einer bevorzugten Ausführungsform herrscht in der Unterkammer des Aufnahmebereichs 20 ein Druck von etwa 50 Torr (etwa 67 mbar), wenn das Gas eingeführt ist und die Wärmeübertragung stattfindet. Wie aus 4 ersichtlich ist, wurde festgestellt, dass die Wärmeleitfähigkeit in der Vorrichtung 10 dann, wenn der Gasdruck etwa 50 Torr (67 mbar) erreicht, einen Grenzwert von etwa 80% der Wärmeleitfähigkeit für 750 Torr (1 bar) erreicht. Dieser niedere Druck ermöglicht es, dass die Unterkammer des Aufnahmebereichs 20 relativ schnell sowohl gefüllt als auch evakuiert werden kann.
  • Die Rillen 42 sind vorgesehen, um einen raschen Transport des Gases in den Spalt zwischen dem Substrat S und der oberen Oberfläche 40 zu ermöglichen. Im Einzelnen würde es, da der Spalt so klein ist, z. B. etwa 0,1 mm, und der Gasdruck so niedrig ist (etwa 50 Torr (67 mbar)), eine relativ lange Zeit erfordern, bis das Gas zum Mittelpunkt des Substrats gelangt, wenn das Gas lediglich im Spalt transportiert würde. Das Gas muss, damit Wärmeleitung durch das Gas eintritt und Gastaschen verhindert werden, die eine Bewegung des Substrats hervorrufen würden, geeignet verteilt werden. Daher sind die Rillen 42 vorgesehen, die als Gasverteiler wirken und einen sehr schnellen Transport des Gases über die gesamte Fläche zwischen dem Substrat und der oberen Oberflä che 40 ergeben. Da das Gas rasch in den Spalt hinein verteilt wird, kann das Erhitzen des Substrats früher beginnen, und es besteht ein geringeres Risiko einer Beschädigung des Substrats. Zur Erzielung einer optimalen Wärmeübertragung nehmen die Rillen 42 allerdings höchstens 5% der Gesamtfläche der oberen Oberfläche 40 ein.
  • Eine individualisierte Kontrolle des Heiz-/Kühlsystems ist schwierig, da manchmal unterschiedliche Typen und Größen von Substraten in der gleichen Vorrichtung konditioniert werden, wobei es schwierig ist, die individuellen Substrattemperaturen genau zu messen, während das Substrat erhitzt oder gekühlt wird. Substrate sind ferner sehr empfindlich gegen Überhitzung. Die vorliegende Erfindung ermöglicht ein gleichmäßig wirkendes und zuverlässiges Wärmeübertragungssystem, das es erlaubt, das Heiz-/Kühlsystem auf einer relativ konstanten Temperatur zu halten. Da die Wärmeübertragung im Vakuum auf Strahlung beschränkt ist und daher für Temperaturdifferenzen von weniger als 300 bis 400°C sehr langsam ist, tritt keine signifikante Wärmeübertragung zwischen dem Substrat und der Platte 32 auf, bis das Gas in die Unterkammer eingeführt wird. Aufgrund der Rillen 42 wird das Gas rasch über die gesamte Fläche zwischen dem Substrat und der oberen Oberfläche 40 verteilt. Dies verhindert eine ungleiche oder ungleichmäßige Wärmeübertragung. Daher wird das Substrat gleichmäßig erhitzt/gekühlt, wobei ein geringeres Risiko einer Beschädigung der Substrate wegen ihrer Empfindlichkeit gegen Überhitzung besteht.
  • In 5 ist eine alternative Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt. Die Vorrichtung 110 weist eine Kammer 112, eine Gasversorgung 114, eine Vakuumquelle 116, einen Mechanismus 136 zum senkrechten Antrieb, zwei Platten 122, 124, zwei Tragsäulen 126, 127 sowie zwei Wärmeaustauscherplatten 121, 132 auf. Die Grundplatte 124 ist mit dem Antriebsmechanismus 136 verbunden. Die Deckplatte 122 ist über die Tragsäulen 126, 127 mit der Grundplatte 124 verbunden. Die Tragsäulen 126, 127 erstrecken sich durch Löcher in die Kammer 112. Um die Tragsäulen 126, 127 herum sind Balgendichtungen 138, 139 zwischen der Grundplatte 124 und der Kammer 112 vorgesehen. Die obere Wärmeaustauscherplatte 121 ist an der Unterseite der Deckplatte 122 durch thermisch isolierende Verbindungen 129 befestigt. Träger 118 erstrecken sich von der Unterseite der oberen Wärmeaustauscherplatte 121 nach unten und dienen dazu, das Substrat S zu tragen. Die obere Wärmeaustauscherplatte 121 kann über die Leitung 133 mit Wärme oder mit Kühlmittel versorgt werden.
  • Die Grundplatte 124 ist im Wesentlichen gleich ausgebildet wie die in 2 dargestellte Grundplatte 24. Bei dieser Ausführungsform ist allerdings eine Kammer 133 vorgesehen, welche die Grundplatte 124 umgibt. Das untere Ende der Kammer 133 ist mit der Kammer 112 verbunden; das obere Ende weist eine Dichtung 143 auf. Die Grundplatte 132 ist auf der Oberseite des unteren Wärmeübertragungselements 130 angebracht. Das untere Wärmeübertragungselement 130 ist über die Leitung 131 mit einer geeigneten Heiz- oder Kühlquelle verbunden. Das untere Wärmeübertragungselement 130 wird auf der Kammer 112 über thermisch isolierende Verbindungen 129 gehaltert.
  • Wenn der Antriebsmechanismus 136 die Deckplatte 122 von ihrer in 5 dargestellten offenen Stellung in eine geschlossene Stellung nach unten bewegt, wird die Dichtung 143 zwischen der Deckplatte 122 und der Kammer 133 eingeklemmt. Hierdurch wird die Unterkammer innerhalb der Kammer 112 gebildet. Das Substrat S befindet sich auf Ab standshaltern auf der Platte 132, wobei ein kleiner Spalt von beispielsweise etwa 0,1 mm zwischen der oberen Oberfläche der Platte 132 und der Unterseite des Substrats S vorliegt. Bei der Vorrichtung 110 können beide Wärmeaustauscher 121, 132 verwendet werden, um das Substrat S zu heizen oder zu kühlen. Diese doppelseitige Wärmeübertragung kann die Wärmeübertragungsrate erhöhen. Die doppelseitige Wärmeübertragung verringert ferner die Wahrscheinlichkeit eines thermischen Verziehens des Substrats S im Gegensatz zu einer einseitigen Wärmeübertragung. Der resultierende Temperaturgradient bei einem System mit einseitiger Wärmeübertragung könnte wegen der ungleichen thermischen Belastung zwischen den beiden Seiten des Substrats S zu einem Verziehen des Substrats führen. Daher verringert das doppelseitige Wärmeübertragungssystem der vorliegenden Erfindung die Wahrscheinlichkeit einer Beschädigung des Substrats S aufgrund von ungleichmäßigem Heizen oder Kühlen.
  • Die untere Oberfläche des oberen Wärmeaustauschers 121 ist vorzugsweise sehr nahe an der oberen Oberfläche des Substrats S angeordnet, beispielsweise mit einem Spalt von etwa 0,1 mm. Auf diese Weise kann eine Wärmeübertragung durch Leitung durch das Gas durch die obere Wärmeübertragungsanordnung sowie auch die untere Wärmeübertragungsanordnung erzielt werden. Die obere Wärmeaustauscherplatte 121 kann Rillen 142 ähnlich den in den 2 und 3 dargestellten Rillen aufweisen, die als Gasverteiler zum Gastransport wirken. Die Gasversorgung 114 kann ferner mit der oberen Wärmeaustauscherplatte 122 verbunden sein, wie durch die Linie 114a dargestellt ist, um Gas oberhalb des Substrats S einzuführen.
  • Bei alternativen Ausführungsformen können andere Drucke angewandt werden. Es können beliebige Arten der Ausgestaltung der Rillen vorgesehen sein. Ferner können beliebige geeignete Arten von Heiz- und/oder Kühlsystemen vorgesehen sein. Ferner können beliebige geeignete Arten von Gasversorgungen und Vakuumquellen vorgesehen sein. Darüber hinaus können beliebige Arten von Antriebsmechanismen oder Bewegungsmechanismen vorgesehen werden.
  • Es ist festzuhalten, dass die obige Beschreibung die Erfindung lediglich erläutert. Dementsprechend soll die vorliegende Erfindung auch alle solchen Alternativen, Modifizierungen und Varianten umfassen, die unter den Umfang der beigefügten Ansprüche fallen.

Claims (12)

  1. Verfahren zur Wärmeübertragung zwischen einem im wesentlichen planaren Substrat (S) und einer Wärmeübertragungsplatte (32), die sich in der Substrataufnahmekammer (12) einer thermischen Konditioniervorrichtung (10) befindet, das folgende Schritte umfasst: – Plazieren des Substrats (S) auf der Oberfläche (40) der Oberseite der Wärmeübertragungsplatte (32), wobei die Oberfläche (40) der Oberseite der Wärmeübertragungsplatte (32) – mit einer Substrattrageinrichtung (41) ausgerüstet ist, die so ausgebildet ist, dass sie mit der Unterseite des Substrats (S) in Kontakt kommen und das Substrat (S) auf dessen Unterseite tragen kann, wobei ein Spalt von 0,05 bis 0,5 mm zwischen der Unterseite des Substrats (S) und der Oberfläche (40) der Oberseite der Wärmeübertragungsplatte (32) vorliegt, und – mit Rillen (42) versehen ist, die zum Substrat (S) hin offen sind und als Gasverteiler wirken und einen schnellen Gastransport in den Spalt zwischen dem Substrat (S) und der Oberfläche (40) der Oberseite hinein erlauben, – Einleiten von Gas in die Substrataufnahmekammer (12), wobei das Gas durch die Rillen (42) rasch über die gesamte Fläche zwischen dem Substrat (S) und der Oberfläche (40) der Oberseite der Wärmeübertragungsplatte (32) verteilt wird, und – Übertragen von Wärme zwischen dem Substrat (S) und der Wärmeübertragungsplatte (32) durch Wärmeleitung durch das Gas.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine obere Wärmeaustauscherplatte (121) oberhalb des Substrats (S) angeordnet ist, die Rillen (142) aufweist, die den Rillen (42) der Wärmeübertragungsplatte (32) ähnlich sind, und als Gastransportverteiler wirkt.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (S) durch die Wärmeübertragungsplatte (32) erwärmt wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Wärmeübertragungsplatte (32) durch das Substrat (S) erwärmt wird.
  5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Gas aus der Substrataufnahmekammer (12) der thermischen Konditioniervorrichtung (10) abgezogen wird.
  6. Thermische Konditioniervorrichtung (10) zur Änderung der Temperatur eines im wesentlichen planaren Substrats (S) durch Wärmeübertragung mittels Wärmeleitung durch das Gas, die aufweist: – eine Substrataufnahmekammer (12), – eine Einrichtung (14) zur Einleitung eines Gases in die Substrataufnahmekammer (12), – eine Wärmeübertragungsplatte (32), die in der Substrataufnahmekammer (12) angeordnet ist, wobei die Oberfläche (40) der Oberseite der Wärmeübertragungsplatte (32) – mit einer Substrattrageinrichtung (41) ausgerüstet ist, die so ausgebildet ist, dass sie mit der Unterseite des Substrats (S) in Kontakt kommen und das Substrat (S) auf dessen Unterseite tragen kann, wobei ein Spalt von 0,05 bis 0,5 mm zwischen der Unterseite des Substrats (S) und der Oberfläche (40) der Oberseite der Wärmeübertragungsplatte (32) vorliegt, um eine Wärmeübertragung durch Wärmeleitung durch das Gas zu ermöglichen, und – mit Rillen (42) versehen ist, die zum Substrat (S) hin offen sind und als Gasverteiler wirken und einen schnellen Gastransport in den Spalt zwischen dem Substrat (S) und der Oberfläche (40) der Oberseite hinein erlauben, so dass Gas, das in die Substrataufnahmekammer (12) eingeleitet wird, durch die Rillen (42) rasch über die gesamte Fläche zwischen dem Substrat (S) und der Oberfläche (40) der Oberseite der Wärmeübertragungsplatte (32) verteilt wird, und – eine Einrichtung zur Kontrolle der Temperatur der Wärmeübertragungsplatte (32).
  7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Spalt zwischen der Unterseite des Substrats (S) und der Oberfläche (40) der Oberseite der Wärmeübertragungsplatte (32) 0,1 mm beträgt.
  8. Vorrichtung nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Rillen (42) längliche Rillen und kreisförmige Rillen einschließen, welche die länglichen Rillen schneiden.
  9. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Rillen (42) 3 mm breit und 2 mm tief sind.
  10. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass eine Einrichtung (16) zum Abziehen des Gases aus der Substrataufnahmekammer (12) vorgesehen ist.
  11. Vorrichtung nach einem oder mehreren der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass sie eine obere Wärmeaustauscherplatte (121) aufweist, die oberhalb des Substrats (S) angeordnet ist und Rillen (142) aufweist, die den Rillen (42) der Wärmeübertragungsplatte (32) ähnlich sind, und als Gastransportverteiler wirkt.
  12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Bodenfläche der oberen Wärmeaustauscherplatte (121) sehr nahe an der Oberfläche der Oberseite des Substrats (S) angeordnet ist, vorzugsweise in einem Abstand von 0,1 mm.
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