DE69533304T2 - Festkörperbildaufnahmevorrichtung - Google Patents

Festkörperbildaufnahmevorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE69533304T2
DE69533304T2 DE69533304T DE69533304T DE69533304T2 DE 69533304 T2 DE69533304 T2 DE 69533304T2 DE 69533304 T DE69533304 T DE 69533304T DE 69533304 T DE69533304 T DE 69533304T DE 69533304 T2 DE69533304 T2 DE 69533304T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
sensors
conductive
switching device
photoconductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69533304T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69533304D1 (de
Inventor
Danny Lap Yen West Chester Lee
William Wilmington Bindloss
Lothar Siegfried Newark Jeromin
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sterling Diagnostic Imaging Inc
Original Assignee
Sterling Diagnostic Imaging Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sterling Diagnostic Imaging Inc filed Critical Sterling Diagnostic Imaging Inc
Publication of DE69533304D1 publication Critical patent/DE69533304D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69533304T2 publication Critical patent/DE69533304T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
    • H01L27/14676—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers

Description

  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Aufnehmen digitaler röntgenographischer Bilder. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung eine Sensorplatte zum Aufnehmen und Auslesen elektrischer Ladungen, die ein latentes röntgenographisches Bild repräsentieren, wobei ein Sensorarray verwendet wird, das ein erweitertes Ladungskollektorelement aufweist, um ein ein Röntgenbild repräsentierendes elektrisches Signal zu erhalten.
  • 2. Beschreibung des Standes der Technik
  • Im Gegensatz zur traditionellen Radiographie, die einen lichtempfindlichen Silberhalidfilm verwendet, werden Röntgenbilder unter Verwendung einer strahlungsempfindlichen Schicht zur Aufnahme eines latenten röntgenographischen Bildes erzeugt. Abhängig von der Intensität der einfallenden Strahlung werden innerhalb eines die kleinste auflösbare Bildfläche definierenden Pixels (Bildelement) entweder elektrisch oder optisch durch die Röntgenstrahlung Ladungen erzeugt und unter Verwendung eines regelmäßig angeordneten Arrays diskreter Sensoren quantisiert, die zum Auslesen jeweils eine Schaltvorrichtung aufweisen. Das an Lee et al. am 7. Juni 1994 erteilte und an E. I. du Pont de Nemours and Company abgetretene U.S.-Patent Nr. 5 319 206 beschreibt ein System, das eine photoleitfähige Schicht zur Schaffung einer bildweise modulierten Flächenverteilung von Elektron-Loch-Paaren verwendet, die anschließend von einer elektroempfindlichen Vorrichtung, wie einem Dünnfilmtransistor, in entsprechende analoge Pixelwerte umgewandelt werden. Das am 16. November 1993 an Antonuk et al. erteilte und an die Universität von Michigan abgetretene U.S.-Patent Nr. 5 262 649 beschreibt ein System, das eine Phosphor- oder Szintillationsschicht zur Schaffung einer Verteilung von Photonen verwendet, die anschließend mittels einer lichtempfindlichen Vorrichtung, wie beispielsweise einer Diode aus amorphem Silizium, in eine ent sprechende bildweise modulierte Verteilung elektrischer Ladungen umgewandelt werden. Das am 19. Oktober 1993 an Tran erteilte und an die 3M Company abgetretene U.S.-Patent Nr. 5 254 480 beschreibt ein System, das eine lumineszierende Schicht zur Schaffung einer Photonenverteilung mit einer benachbarten photoleitfähigen Schicht kombiniert, um eine entsprechende bildweise modulierte Verteilung elektrischer Ladungen zu schaffen, die anschließend von einer elektroempfindlichen Vorrichtung in entsprechende analoge Pixelwerte umgewandelt werden.
  • Eine all diesen Systemen gemeinsame Eigenschaft ist, daß die elektroempfindlichen oder lichtempfindlichen Vorrichtungen Signalladungen innerhalb diskreter Pixelflächen aufnehmen, die durch üblicherweise sich orthogonal kreuzende Spalten und Reihen von Nicht-Pixel-Zwischenräumen begrenzt sind. Dieses Merkmal tut der bildweisen modulierten Flächenverteilung der für das Auslesen verfügbaren elektrischen Ladungen Abbruch. Ein anderes Merkmal dieser Systeme besteht darin, daß die Schaltvorrichtung selbst negativ durch elektrische Ladungen beeinflußt werden kann, die nicht von dem Ladungskollektorteil des Sensors beseitigt werden und damit in der Nähe des aktiven Teils der Schaltvorrichtung bleiben. Ein weiteres Merkmal dieser Systeme besteht darin, daß die innerhalb jeder Pixelfläche aufgenommenen Signalladungen teilweise durch die von der Schaltvorrichtung besetzte Fläche begrenzt werden. In ihrer Kombination verringern all diese Eigenschaften den Rauschabstand der aufgenommenen Pixelwerte, wodurch sich die Qualität des Abbildungsvorgangs verringert oder der untersuchte Patient möglicherweise einer längeren Bestrahlung ausgesetzt werden muß.
  • DE 42 27 096 A offenbart eine Bildaufnahmeplatte, von der der erste Teil des Anspruchs 1 ausgeht. Die Bildaufnahmeplatte weist mehrere Sensoren auf, die durch Zwischenräume voneinander getrennt sind, wobei jeder Sensor eine Schaltvorrichtung und ein Sensorelement aufweist. Über den Sensoren ist eine photoleitfähige Schicht und eine obere Leitschicht vorgesehen. Diese Schichten sind durch eine Halbleiterschicht voneinander getrennt, welche dotiert ist, so daß sie keine Träger positiver Ladung, d. h. Löcher, leitet, sondern die Träger negativer Ladung (Elektronen) um so besser leitet. Eine weitere Halbleiterschicht ist zwischen dem leitfähigen Ladungskollektorelement und der photoleitfähigen Schicht vorgesehen.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die Bildaufnahmeplatte der vorliegenden Erfindung ist durch Anspruch 1 definiert.
  • Die vorliegende Erfindung sieht eine Bildaufnahmeplatte vor, die eine Substratschicht aus dielektrischem Material mit einer Ober- und einer Unterseite aufweist. Nahe der Oberseite der Substratschicht sind mehrere Sensoren in einer Matrix aus Reihen und Spalten angeordnet. Die Sensoren weisen jeweils eine Schaltvorrichtung und ein Sensorelement auf. Ein Teil des Sensorelements bedeckt die Schaltvorrichtung flächenmäßig so, daß er im wesentlichen deckungsgleich damit ist. Vorzugsweise erstreckt sich das Sensorelement auch über wenigstens einen Teil des horizontalen Zwischenraums und/oder des vertikalen Zwischenraums, der die Sensorreihen bzw. Sensorspalten voneinander trennt.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine schematische geschnittene Ansicht einer Bildaufnahmeplatte gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • 2 ist eine schematische Draufsicht der in 1 gezeigten Bildaufnahmeplatte.
  • 3 ist eine andere schematische Draufsicht der die vorliegende Erfindung darstellenden, in 1 gezeigten Bildaufnahmeplatte.
  • 4 ist eine schematische geschnittene Teilansicht der die vorliegende Erfindung darstellenden Bildaufnahmeplatte.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DES BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELS
  • 1 zeigt eine Bildaufnahmeplatte 16 mit einer Substratschicht 12 mit einer Oberseite 2 und einer Unterseite 7. Die Stärke des dielektrischen Materials der Substratschicht 12 reicht aus, um die Handhabung der Platte 16 zu ermöglichen.
  • Über der Substratschicht 12 sind mehrere Sensoren 17 (d. h. 17a, 17b, 17c, ... 17n) angeordnet, die hier als Sensoren 17n bezeichnet werden, die in einer zweidimensionalen Matrix aus Reihen und Spalten in der Nähe der Oberseite 2 der Substratschicht 12 angeordnet sind. Die Sensorreihen 17n sind jeweils durch einen horizontalen Zwischenraum 41 und die Sensorspalten 17n jeweils durch einen vertikalen Zwischenraum 43 (in 3 gezeigt) voneinander getrennt. Jeder Sensor 17n weist mindestens eine einer ersten Vielzahl diskreter winziger leitfähiger Elektroden 18 (d. h. 18a, 18b, 18c, ... 18n) auf, die hier als Mikroplatten 18n bezeichnet werden. Vorzugsweise bestehen die Mikroplatten 18n aus Aluminium. In der Regel, allerdings nicht zwangsläufig, werden sie unter Verwendung von auf dem Gebiet bekannten thermischen Aufbring- oder Sputtertechniken auf der Substratschicht 12 aufgebracht und können aus einem sehr dünnen Film aus Metall, wie beispielsweise Gold, Silber, Kupfer, Chrom, Indium-Zinnoxid, Titan, Platin oder dergleichen bestehen. Über dieser ersten Vielzahl von Mikroplatten 18n ist ein kapazitives dielektrisches Material 19 aufgetragen, das vorzugsweise aus Siliziumdioxid besteht; es können auch andere Materialien, wie Siliziumnitrid, verwendet werden. Auf der Substratschicht 12 sind auch mehrere Schaltvorrichtung 5, vorzugsweise Transistoren, mit zwei Elektroden 23 und 14 und einem Gate 21 aufgebracht. Jede Schaltvorrichtung 5 ist von einer Passivierungsschicht 98 bedeckt.
  • 1 zeigt ferner eine zweite Vielzahl von Mikroplatten 4 (d. h. 4a, 4b, 4c, ... 4n), die hier als Mikroplatten 4n bezeichnet werden, wobei jede Mikroplatte 4n auch Teil jedes Sensors 17n ist. In der Regel sind die Mikroplatten 4n unter Verwendung von thermischen Vakuumaufbring- oder Sputtertechniken über der Substratschicht 12 aufgebracht und können aus einem sehr dünnen Film aus Metall, wie beispielsweise Gold, Silber, Kupfer, Chrom, Titan, Platin oder dergleichen bestehen. Vorzugsweise bestehen die Mikroplatten 4n aus Aluminium oder Indium-Zinnoxid.
  • Ein wichtiges Merkmal der vorliegenden Erfindung besteht in einer Vielzahl diskreter leichtfähiger Kollektorelemente 3 (d. h., 3a, 3b, 3c, ... 3n), die hier als leitfähige Kollektorelemente 3n bezeichnet und mit den Mikroplatten 4n verbunden sind. Die leitfähigen Kollektorelemente 3n sind jeweils über den Schaltvorrichtungen 5 und der Passivierungsschicht 98 aufgebracht. Das Vorhandensein des leitfähigen Kollektorelements 3n über der Schaltvorrichtung 5 dient als wichtige Funktion des Leitens elektrischer Ladungen, die in dem Sensor 17n entstehen können, indem die Bildaufnahmeplatte 16 wiederholt einfallender Strahlung ausgesetzt wird, weg von der darunterliegenden Schaltvorrichtung 5. Das elektrische Feld von diesen ungewollten elektrischen Ladungen kann die Schalteigenschaften der Schaltvorrichtung 5 negativ beeinflussen. Da die leitfähigen Kollektorelemente 3n mit den Mikroplatten 4n verbunden sind, werden die über den Schaltvorrichtungen 5 angesammelten Ladungen von der Platte 16 während eines Ausleseschritts entfernt und stehen zur Erzeugung eines schädlichen elektrischen Felds nicht zur Verfügung.
  • 2 zeigt wenigstens eine Schaltvorrichtung 5, die mit jeder Mikroplatte 4n verbunden ist. Das Gate 21 jeder Schaltvorrichtung 5 ist mit einer Xn-Leitung 11 und ihre Source oder ihr Drain mit einer Yn-Leitung 13 verbunden. Aus den Mikroplatten 4n und 18n und dem kapazitiven dielektrischen Material 19 ist ein Ladungsspeicherkondensator 6 gebildet. Jede Mikroplatte 4n ist auch mit der Elektrode 14 der Schaltvorrichtung 5 gebildet. Jede Mikroplatte 18n ist unter Verwendung einer nicht gezeigten Leitung mit elektrischer Masse verbunden. Jede Schaltvorrichtung 5 dient als bidirektionaler Schalter, der den Stromfluß zwischen den Yn-Leseleitungen 13 und dem Ladungsspeicherkondensator 6 in Abhängigkeit davon erlaubt, ob durch die Xn-Adreßleitungen 11 eine Vorspannung an ihr Gate 21 angelegt wird. Die Schaltvorrichtung 5 ist vorzugsweise ein Dünnfilmfeldeffekttransistor (FET) mit einer Schicht 15 aus hydriertem amorphem Silizium 15, einer Isolierschicht 99, einem leitfähigen Gate 21 und den beiden leitfähigen Elektroden, wobei eine Elektrode 23 mit den Yn-Leseleitungen 13 und die andere Elektrode 14 mit den Mikroplatten 4n verbunden ist, wie in 1 gezeigt. Die Transistoren könnten auch jeweils kristallines Silizium, polykristallines Silizium oder Kadmiumselenid verwenden. Die Transistoren sind auch jeweils von einer Passivierungsschicht 98 bedeckt, deren Dicke vorzugsweise größer als die Dicke des dielektrischen Materials 19 ist. Die Technologie zur Schaffung der Transistoren und Ladungsspeicherkondensatoren 6 ist auf dem Gebiet bekannt und nicht Gegenstand der vorliegenden Erfindung. Siehe hierzu beispielsweise "Modular Series on Solid State Devices", Band 5 der "Introduction to Microelectronics Fabrication" von R. C. Jaeger, veröffentlicht von Addison-Wesley im Jahre 1988.
  • Einrichtungen zum einzelnen elektronischen Zugreifen auf jede Schaltvorrichtung 5 sind in der Nähe der Oberseite 2 der Substratschicht 12 angeordnet. Vorzugsweise sind leitfähige Elektroden oder X1-, X2-, ... Xn-Adreßleitungen 11 und leitfähige Elektroden oder Y1-, Y2-, ... Yn-Leseleitungen 13 in horizontalen Zwischenräumen 41 und vertikalen Zwischenräumen 43 zwischen den Sensoren 17n ausgelegt. Die Xn-Adreßleitungen 11 sind über Anschlüsse oder Verbinder, die nicht speziell in den Zeichnungen dargestellt sind, einzeln entlang der Seiten oder Ränder der Platte 16 zugänglich. Die Xn-Leitungen 11 und Yn-Leitungen 13 können aus derselben Aluminiumschicht gebildet sein, die zur Herstellung der Mikroplatten 4n verwendet wird. Die Yn-Leitungen 13 können nach Plazieren einer nicht gezeigten Isolierschicht über den Xn-Leitungen 11 erzeugt werden, da die Xn-Leitungen 11 und die Yn-Leitungen 13 einander nicht elektrisch kontaktieren sollten.
  • Über der Oberseite der leitfähigen Kollektorelemente 3n ist eine Ladung blockierende Schicht 10 aufgebracht, die eine solche Dicke aufweist, daß ein Auslecken von Ladung verhindert wird. Vorzugsweise wird die Ladung blockierende Schicht 10 von einer auf den leitfähigen Kollektorelementen 3n ausgebildeten Aluminiumoxidschicht gestellt, obwohl auch andere blockierende Grenzschichten, wie beispielsweise Indium-Zinnoxid, verwendet werden können.
  • Auf die Ladung blockierende Schicht 10, die Adreß- und Leseleitungen 11 und 13 und die horizontalen Zwischenräume 41 und die vertikalen Zwischenräume 43 ist eine photoleitfähige Schicht 8 aufgebracht, wodurch eine Röntgenstrahlabsorptionsschichterzeugt wird. Die Kombination aus den Schichten 3n, 10 und 8 verhält sich wie eine Sperrdiode, wobei sie einen Typus von Ladungsfluß in einer Richtung verhindert. Vorzugsweise zeigt die photoleitfähige Schicht 8 einen sehr hohen spezifischen Dunkelwiderstand und kann amorphes Selen, Bleioxid, Thalliumbromid, Kadmiumtellurid, Kadmiumsulfid, Quecksilberjodid oder ein anderes derartiges Material, einschließlich organischer Materialien wie photoleitfähige Polymere, denen vorzugsweise photoleitfähige röntgenstrahlabsorbierende Verbindungen zugesetzt sind, aufweisen. In einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung weist die photoleitfähige Schicht 8 etwa 300 bis 500 Mikrometer Selen auf, wodurch eine hohe Effizienz bei der Strahlungserfassung gegeben ist, und die Ladung blockierende Schicht 10 weist eine Stärke von über 100 Ångström auf. Im Kontext der vorliegenden Erfindung bedeutet Photoleitfähigkeit, daß, wenn das photoleitfähige Material Röntgenstrahlung ausgesetzt ist, sein spezifischer Widerstand geringer ist als wenn dieses Ausgesetztsein nicht gegeben ist. Der verringerte spezifische Widerstand ergibt sich aus den Elektron-Loch-Paaren, die durch die einfallende Strahlung in dem Material erzeugt werden. Vorzugsweise sind die sich über die photoleitfähige Schicht 8 bewegenden Ladungen direkt proportional zu der Intensität der einfallenden Strahlung.
  • Oben auf die Vorderseite der photoleitfähigen Schicht 8 wird eine dielektrische Schicht 20 mit einer Dicke von mehr als einem Mikrometer hinzugefügt. Als Schicht 20 kann Mylar®-(d. h. Polyethylenterephthalat-)Folie mit einer Dicke von 25 Mikrometer auflaminiert werden oder ein dielektrisches Material wie Pyralen kann als Schicht 20 aufgebracht werden. Über der dielektrischen Schicht 20 kann eine abschließende Deckschicht 9 aus gegenüber Röntgenstrahlung durchlässigem leitfähigem Material ausgebildet sein.
  • 3 zeigt die in der Nähe der Oberseite 2 der Substratschicht 12 in einer zweidimensionalen Matrix aus Reihen und Spalten angeordneten Sensoren 17n, wobei die Reihen der Sensoren 17n jeweils durch einen horizontalen Zwischenraum 41 und die Spalten von Sensoren 17n jeweils durch einen vertikalen Zwischenraum 43 voneinander getrennt sind. Jeder Sensor 17n weist eine Schaltvorrichtung 5 und einen Ladungsspeicherkondensator 6 auf. Zur Erleichterung der Darstellung der vorliegenden Erfindung sind die Mikroplatten 4n gestrichelt und die leitfähigen Kollektorelemente 3n in durchgezogenen Linien dargestellt. Der übliche Mittenabstand zwischen den Sensoren 17n beträgt etwa 100 bis 200 Mikrometer, und die Breite des Spaltes 45 bei den horizontalen Zwischenräumen 41 und vertikalen Zwischenräumen 43 beträgt üblicherweise etwa 25 bis 30 Mikrometer. Die Adreßleitungen 11 und die Leseleitungen 13 weisen üblicherweise eine Breite von 15 Mikrometer auf.
  • 3 zeigt ein weiteres wichtiges Merkmal der vorliegenden Erfindung, wobei das leitfähige Kollektorelement 3n so angeordnet ist, daß es sich über die von der Schaltvorrichtung 5 besetzten Bereich, wie zuvor beschrieben, hinaus erstreckt, so daß es wenigstens einen Teil des angrenzenden horizontalen Zwischenraums 41 und/oder einen Teil des angrenzenden vertikalen Zwischenraums 43 abdeckt. Infolge der Positionierung des leitfähigen Kollektorelements 3n über der Schaltvorrichtung 5 und über wenigstens einem Teil des horizontalen und/oder vertikalen Zwischenraums 41 und 43 wird auch die physische Bildaufnahmefläche vergrößert, so daß die geometrische Fülldichte erhöht wird. Füllfaktor ist ein Ausdruck, der zur Darstellung des Verhältnisses zwischen der aktiven Fläche in einem Pixel und der Gesamtfläche des Pixels verwendet wird. Bei der vorliegenden Platte 16 ist dies der Bruchteil der Fläche in jedem Sensor 17n, der zum Sammeln der von den Röntgenstrahlen erzeugten Ladungen wirksam ist.
  • 4 zeigt den unerwarteten Vorteil der Positionierung der leitfähigen Kollektorelemente 3n über einen Teil der horizontalen Zwischenräume 41 und/oder vertikalen Zwischenräume 43, die keine elektronische Struktur, beispielsweise die Adreßleitungen 11 und/oder Leseleitungen 13, enthalten. Bei diesem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung nimmt das elektrische Randfeld 60 die in 4 gezeigte Form an. Ungefähr eine Hälfte der von der auf die photoleitfähige Schicht 8 über dem Spalt 45 in der Nähe jedes Sensors 17n einfallenden Strahlung erzeugten Ladungen wird von den diesen Sensor 17n abdeckenden leitfähigen Kollektorelementen 3n aufgenommen. Der effektive "Füllfaktor", wie er durch das Verhältnis der effektiven Ladungskollektorfläche zu der Fläche zwischen den Mittellinien des horizontalen Zwischenraums 41 und des vertikalen Zwischenraums 43 bestimmt wird, wird dadurch über denjenigen, der lediglich von den geometrischen Abmessungen her zu erwarten ist, erhöht, und die sich ergebende Signal-Rausch-Leistung der Sensoren 17n wird gleichzeitig in unerwarteter Weise erhöht. Der effektive Füllfaktor nimmt beispielsweise von etwa 50–60% auf etwa 90% für den Fall zu, daß das leitfähige Kollektorelement 3n in einem Sensor von 129 Quadratmikrometer so ausgeweitet wird, daß es ein Schaltelement von 30 mal 50 Quadratmikrometer abdeckt, wobei das leitfähige Kollektorelement 3n auch um etwa die Hälfte der Breite eines angrenzenden horizontalen Zwischenraums von 10 Mikrometer und eines angrenzenden vertikalen Zwischenraums von 10 Mikrometer, die den Sensor von 129 Quadratmikrometer umgeben, ausgedehnt wird.
  • Die gesamte Platte 16 kann durch Aufbringen der Sensoren 17n, der Ladung blockierenden Schichten 10, der photoleitfähigen Schicht 8, der dielektrischen Schicht 20 und der oberen Leitschicht 9 auf eine dielektrische Substratschicht 12 hergestellt werden. Die Schaltvorrichtungen 5 sind in die Zwischenräume zwischen den Mikroplatten 18n auf der Substratschicht 12 eingebaut. Die Herstellung kann beispielsweise durch plasmagestützte chemische Dampfabscheidung, Vakuumaufdampfung, Laminierung oder Sputtern erfolgen.
  • Wie in 2 gezeigt, ist jede Yn-Leitung 13 mit einem Ladungsverstärkungsdetektor 36, üblicherweise einem Operationsverstärker, verbunden, um die Ladung von den Kondensatoren 6 zu messen. Jeder Detektor 36 erzeugt einen Spannungsausgang, der proportional zu dieser Ladung und folglich zu der Intensität der auf diesen Sensor 17n einfallenden Strahlung ist. Der Ausgang der Detektoren 36 kann sequentiell abgetastet werden, um ein Ausgangssignal zu erhalten, und die Technologie zur Ausführung desselben ist auf dem Gebiet wohlbekannt. Ferner ist in 1 zusätzlich zu der oben beschriebenen, mit der Platte 16 und den Xn-Leitungen 11 und Yn-Leitungen 13 verbundenen Schaltungsanordnung ein zusätzlicher Anschluß zum Zugriff auf die obere Leitschicht 9 und die erste Vielzahl von Mikroplatten 18n vorgesehen, um die obere Leitschicht 9 und die erste Vielzahl von Mikroplatten 18n mit einer (nicht gezeigten) Energiequelle zu verbinden, die imstande ist, die Betriebsspannungen zu liefern.
  • Während der Bestrahlung durch Röntgenstrahlen trifft die bildweise modulierte Röntgenstrahlung auf die Platte 16 auf. Die Röntgenstrahlen erzeugen überschüssige Elektron-Loch-Paare innerhalb der photoleitfähigen Schicht 8 und bei Vorhandensein des durch die Spannungsdifferenz zwischen der oberen Leitschicht 9 und den Mikroplatten 18n verursachten elektrischen Felds wandern die Löcher zu der Grenzfläche zwischen der photoleitfähigen Schicht 8 und den Ladung blockierenden Schichten 10 in dem Bereich über den leitfähigen Kollektorelementen 3n. Die Menge der in der photoleitfähigen Schicht 8 erzeugten Elektron-Loch-Paare hängt von der Intensität der bildweise modulierten Röntgenstrahlung ab, die auf die Bildaufnahmeplatte 16 auftrifft. Die Ladung blockierenden Schichten 10 und die dielektrische Sperrschicht 20 verhindern in Kombination einen Ladungsaufbau auf den Ladungsspeicherkondensatoren 6 aufgrund von Kriechstrom. Wenn an die obere Leitschicht 9 eine positive Betriebsspannung angelegt wird, verhindert die dielektrische Sperrschicht 20, daß Löcher aus der oberen Leitschicht 9 in die photoleitfähige Schicht 8 injiziert werden, und die Ladung blockierenden Schichten 10 verhindern, daß Elektronen von den Ladungskollektorelementen 3n in die photoleitfähige Schicht 8 injiziert werden, wodurch verhindert wird, daß jeglicher sich ergebende Kriechstrom über der photoleitfähigen Schicht 8 einen zusätzlichen Ladungsaufbau, der nicht auf das Röntgenstrahlbild zurückgeht, auf den Speicherkondensatoren 6 verursacht.
  • Nach einem vorbestimmten Zeitraum wird die Strahlung gestoppt und es treffen keine Röntgenstrahlen mehr auf die Bildaufnahmeplatte 16 auf. Das Anlegen der Betriebsspannung an die obere Leitschicht 9 entfällt dann, wodurch ein röntgenografisches Bild in der Platte 16 in Form einer bildweise modulierten Ladungsverteilung in den von den Mikroplatten 4n und 18n und dem dielektrischen Material 19 gebildeten Kondensatoren 6 aufgenommen wird. Die Schaltvorrichtungen 5 werden sequentiell adressiert und leitend gemacht, indem eine entsprechende Triggerspannung an die Xn-Leitungen 11 und damit an die Gates 21 der Schaltvorrichtungen 5 angelegt wird. Dies bewirkt, daß die in den entsprechenden Ladungsspeicherkondensatoren 6 gespeicherten Ladungen durch die Yn-Leitungen 13 zum Eingang der Ladungsdetektoren 36 strömen. Die Ladungsdetektoren 36 erzeugen einen Spannungsausgang, der proportional zu der an der jeweiligen Yn-Leitung 13 erkannten Ladung ist. Der Ausgang der Ladungsverstärkungsdetektoren 36 wird sequentiell abgetastet, um ein elektrisches Signal zu erhalten, das die Ladungsverteilung in den Ladungsspeicherkondensatoren 6 repräsentiert, wobei jeder Kondensator ein Pixel des Bildes repräsentiert. Nachdem die Signale von einer Reihe Pixel entlang einer Xn-Leitung 11 ausgelesen sind, wird die nächste Xn-Leitung 11 adressiert und der Vorgang wiederholt, bis sämtliche Ladungsspeicherkondensatoren 6 abgetastet worden sind und das komplette Bild ausgelesen worden ist.
  • Bei der vorliegenden Erfindung wahrt die von den leitfähigen Kollektorelementen 3n über den Schaltvorrichtungen 5 vorgesehene elektronische Abschirmabdeckung die Unversehrtheit der Schalteigenschaften der Schaltvorrichtungen 5. In Abwesenheit der leitfähigen Kollektorelemente 3n über den Schaltvorrichtungen 5 könnten elektrische Ladungen, die dadurch, daß sie wiederholt der Strahlung ausgesetzt sind, erzeugt werden und sich ansammeln und in der photoleitfähigen Schicht 8 an der Grenzfläche zwischen den Ladung blockierenden Schichten 10 und der photoleitfähigen Schicht 8 eingeschlossen werden, ein ungewolltes elektrisches Feld erzeugen und die Schaltvorrichtungen 5 nachteilig beeinflussen, wodurch die Auflösung des sich ergebenden Röntgenbilds verschlechtert wird. Durch das Wegleiten von in der Nähe der Schaltvorrichtungen 5 vorhandener elektrischer Ladungen zu den mit den Sourceelektroden 14 der Schaltvorrichtungen 5 verbundenen Mikroplatten 4 wird dieser nachteilige Effekt beseitigt.
  • Ferner steigert die vorliegende Erfindung des Ausdehnens eines leitfähigen Kollektorelements 3n über die von der Schaltvorrichtung 5 besetzte Fläche hinaus derart, daß wenigstens ein Teil des angrenzenden horizontalen Zwischenraums 41 und/oder ein Teil des angrenzenden vertikalen Zwischenraums 43 abgedeckt ist, den elektrisch wirksamen "Füllfaktor" über den geometrischen "Füllfaktor" hinaus, wie zuvor in 3 dargestellt. Die sich ergebende Steigerung bei der Bildaufnahmeeffizienz ist von Vorteil dahingehend, daß ein zu untersuchender Patient reduzierter Strahlung ausgesetzt wird.

Claims (5)

  1. Bildaufnahmeplatte mit einer Substratschicht (12) aus dielektrischem Material, die eine Ober- und einer Unterseite aufweist, und mehreren strahlungsempfindlichen Sensoren (17n), die nahe der Oberseite der Substratschicht in einer Matrix aus Reihen und Spalten angeordnet sind, wobei die Sensoren voneinander durch Zwischenräume (41, 43) beabstandet sind, wobei jeder der Sensoren (17) aufweist: eine Schaltvorrichtung (5) und ein Sensorelement mit einer ersten Mikroplatte (18n), die über der Substratschicht (12) angeordnet und mit mindestens einer der Schaltvorrichtungen verbunden ist, eine über der ersten Mikroplatte (18n) angeordnete erste dielektrische Schicht (19), eine über der ersten dielektrischen Schicht (19) angeordnete und elektrisch mit der Schaltvorrichtung (5) verbundene zweite Mikroplatte (4n), ein leitfähiges Ladungskollektorelement (3n), das über der zweiten Mikroplatte (4n) angeordnet und elektrisch mit dieser verbunden ist und sich in die das Sensorelement umgebenden Zwischenräume erstreckt, eine photoleitfähige Schicht (8), die über dem leitfähigen Ladungskollektorelement (3n) angeordnet ist, und eine obere leitfähige Schicht (9), die über der photoleitfähigen Schicht (8) angeordnet ist, gekennzeichnet durch die Kombination von einer isolierenden dielektrischen Schicht (20) zwischen der photoleitfähigen Schicht (8) und der oberen leitfähigen Schicht (9), und einer elektrisch isolierenden Schicht, die eine Ladung blockierende Grenzschicht (10) zwischen dem leitfähigen Ladungskollektorelement (3n) und der photoleitfähigen Schicht (8) bildet, wobei die elektrisch isolierende Schicht aus Aluminiumoxid, Indium-Zinn-Oxid oder dergleichen besteht und das Injizieren von Elektronen in die photoleitfähige Schicht (8) aus den Ladungskollektorelementen (3n) verhindert, wobei das leitfähige Ladungskollektorelement das Schaltelement so bedeckt, daß es im wesentlichen deckungsgleich mit diesem ist.
  2. Bildaufnahmeplatte nach Anspruch 1, bei der die dielektrische Schicht (20) im wesentlichen aus Polyethylenterephthalat oder Parylen besteht.
  3. Platte nach Anspruch 1 oder 2, ferner mit einer nahe der Oberseite der Substratschicht (12) angeordneten Einrichtung zum elektronischen Zugreifen auf jede einzelne der Schaltvorrichtungen (5).
  4. Platte nach einem der Ansprüche 1–3, bei der jede Schaltvorrichtung (5) einen Dünnfilm-Feldeffekttransistor (FET) aufweist, dessen Source mit dem Sensorelement verbunden ist und dessen Drain und Gate jeweils mit der Zugriffseinrichtung verbunden sind.
  5. Platte nach einem der Ansprüche 1–4, bei der die photoleitfähige Schicht (8), die dielektrische Sperrschicht (19) und die obere leitfähige Schicht (9) jeweils als durchgehende Schichten über dem leitfähigen Ladungskollektorelement (3n) angeordnet sind.
DE69533304T 1995-01-12 1995-10-30 Festkörperbildaufnahmevorrichtung Expired - Fee Related DE69533304T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US371904 1995-01-12
US08/371,904 US5498880A (en) 1995-01-12 1995-01-12 Image capture panel using a solid state device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69533304D1 DE69533304D1 (de) 2004-09-02
DE69533304T2 true DE69533304T2 (de) 2005-07-21

Family

ID=23465887

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69533304T Expired - Fee Related DE69533304T2 (de) 1995-01-12 1995-10-30 Festkörperbildaufnahmevorrichtung

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5498880A (de)
EP (1) EP0722188B1 (de)
JP (1) JPH08236800A (de)
AT (1) ATE272251T1 (de)
DE (1) DE69533304T2 (de)

Families Citing this family (132)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5500534A (en) * 1994-03-31 1996-03-19 Iowa State University Research Foundation Integrated energy-sensitive and position-sensitive x-ray detection system
GB9414639D0 (en) * 1994-07-20 1994-09-07 Philips Electronics Uk Ltd An image detector
BR9510290A (pt) * 1994-12-23 1997-11-11 Digirad Câmera de raios gama semicondutores e sistema médico de formação de imagens
US6124606A (en) * 1995-06-06 2000-09-26 Ois Optical Imaging Systems, Inc. Method of making a large area imager with improved signal-to-noise ratio
US5641974A (en) * 1995-06-06 1997-06-24 Ois Optical Imaging Systems, Inc. LCD with bus lines overlapped by pixel electrodes and photo-imageable insulating layer therebetween
EP0791230B1 (de) * 1995-09-12 2008-08-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Röntgenbildsensor
US5827757A (en) * 1996-07-16 1998-10-27 Direct Radiography Corp. Fabrication of large area x-ray image capturing element
US6207944B1 (en) * 1997-02-18 2001-03-27 Simage, O.Y. Semiconductor imaging device
US5895936A (en) * 1997-07-09 1999-04-20 Direct Radiography Co. Image capture device using a secondary electrode
US6013916A (en) * 1997-07-23 2000-01-11 The Regents Of The University Of Michigan Flat panel dosimeter
US5969360A (en) * 1997-11-26 1999-10-19 Direct Radiography Corp. Readout sequence for residual image elimination in a radiation detection panel
US6025599A (en) * 1997-12-09 2000-02-15 Direct Radiography Corp. Image capture element
US5994157A (en) * 1998-01-22 1999-11-30 Ois Optical Imaging Systems, Inc. Method of making a large area imager with UV Blocking layer, and corresponding imager
US6020590A (en) * 1998-01-22 2000-02-01 Ois Optical Imaging Systems, Inc. Large area imager with UV blocking layer
US6060714A (en) * 1998-01-23 2000-05-09 Ois Optical Imaging Systems, Inc. Large area imager with photo-imageable interface barrier layer
US6180529B1 (en) 1998-01-27 2001-01-30 Ois Optical Imaging Systems, Inc. Method of making an image sensor or LCD including switching pin diodes
US6229192B1 (en) 1998-01-27 2001-05-08 Ois Optical Imaging Systems, Inc. Image sensor or LCD including switching pin diodes
JPH11307756A (ja) 1998-02-20 1999-11-05 Canon Inc 光電変換装置および放射線読取装置
KR100463337B1 (ko) * 1998-09-16 2005-06-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 엑스레이영상감지소자및그제조방법
KR100524081B1 (ko) 1999-03-25 2005-10-26 엘지.필립스 엘시디 주식회사 엑스레이 영상 감지소자
KR100443902B1 (ko) 1999-03-25 2004-08-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법
KR100310179B1 (ko) 1999-04-01 2001-10-29 구본준, 론 위라하디락사 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법
WO2000068710A2 (en) 1999-05-10 2000-11-16 Lippens Francois Energy-selective x-ray radiation detection system
US6486522B1 (en) * 1999-09-28 2002-11-26 Pictos Technologies, Inc. Light sensing system with high pixel fill factor
US6507026B2 (en) * 2000-01-12 2003-01-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Planar X-ray detector
EP1488454B1 (de) * 2001-02-16 2013-01-16 Ignis Innovation Inc. Pixeltreiberschaltung für eine organische leuchtdiode
US7569849B2 (en) * 2001-02-16 2009-08-04 Ignis Innovation Inc. Pixel driver circuit and pixel circuit having the pixel driver circuit
US6895077B2 (en) * 2001-11-21 2005-05-17 University Of Massachusetts Medical Center System and method for x-ray fluoroscopic imaging
EP1388740B1 (de) * 2002-08-09 2014-11-05 Canon Kabushiki Kaisha Vorrichtung und Verfahren zur Strahlungsabbildung
US7148487B2 (en) * 2002-08-27 2006-12-12 Canon Kabushiki Kaisha Image sensing apparatus and method using radiation
DE60336291D1 (de) * 2002-11-13 2011-04-21 Canon Kk Bildaufnahmevorrichtung, Strahlungsbildaufnahmevorrichtung und Strahlungsbildaufnahmesystem
WO2004073068A1 (en) 2003-02-14 2004-08-26 Canon Kabushiki Kaisha Radiation image pickup device
JP4323827B2 (ja) * 2003-02-14 2009-09-02 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び放射線撮像装置
CA2419704A1 (en) 2003-02-24 2004-08-24 Ignis Innovation Inc. Method of manufacturing a pixel with organic light-emitting diode
DE10323584B4 (de) * 2003-05-20 2006-05-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Anordnung zur Detektion von Röntgenstrahlung und Verfahren zu deren Herstellung
US20050056829A1 (en) * 2003-09-17 2005-03-17 Green Michael C. Reducing dark current of photoconductor using heterojunction that maintains high x-ray sensitivity
CA2443206A1 (en) 2003-09-23 2005-03-23 Ignis Innovation Inc. Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation
JP4067055B2 (ja) * 2003-10-02 2008-03-26 キヤノン株式会社 撮像装置及びその製造方法、放射線撮像装置、放射線撮像システム
CA2472671A1 (en) 2004-06-29 2005-12-29 Ignis Innovation Inc. Voltage-programming scheme for current-driven amoled displays
CA2490858A1 (en) 2004-12-07 2006-06-07 Ignis Innovation Inc. Driving method for compensated voltage-programming of amoled displays
WO2006063448A1 (en) 2004-12-15 2006-06-22 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and driving a light emitting device display
US9275579B2 (en) 2004-12-15 2016-03-01 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US10012678B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
US9280933B2 (en) 2004-12-15 2016-03-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US9799246B2 (en) 2011-05-20 2017-10-24 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US8576217B2 (en) 2011-05-20 2013-11-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US10013907B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
US20140111567A1 (en) 2005-04-12 2014-04-24 Ignis Innovation Inc. System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays
US9171500B2 (en) 2011-05-20 2015-10-27 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of parasitic parameters in AMOLED displays
CA2495726A1 (en) 2005-01-28 2006-07-28 Ignis Innovation Inc. Locally referenced voltage programmed pixel for amoled displays
CA2496642A1 (en) 2005-02-10 2006-08-10 Ignis Innovation Inc. Fast settling time driving method for organic light-emitting diode (oled) displays based on current programming
CN102663977B (zh) 2005-06-08 2015-11-18 伊格尼斯创新有限公司 用于驱动发光器件显示器的方法和系统
CA2518276A1 (en) 2005-09-13 2007-03-13 Ignis Innovation Inc. Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices
DE102005060794B3 (de) * 2005-12-16 2007-06-14 Siemens Ag Flachbilddetektor
DE102005060795A1 (de) * 2005-12-16 2007-07-12 Siemens Ag Flachbilddetektor
US9269322B2 (en) 2006-01-09 2016-02-23 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
EP2458579B1 (de) 2006-01-09 2017-09-20 Ignis Innovation Inc. Verfahren und System zur Ansteuerung einer Aktivmatrixanzeigeschaltung
US9489891B2 (en) 2006-01-09 2016-11-08 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
TW200746022A (en) 2006-04-19 2007-12-16 Ignis Innovation Inc Stable driving scheme for active matrix displays
CA2556961A1 (en) 2006-08-15 2008-02-15 Ignis Innovation Inc. Oled compensation technique based on oled capacitance
JP4861789B2 (ja) * 2006-10-18 2012-01-25 サニーブルック・ホスピタル アクティブマトリックスｘ線撮像アレイ
US8232531B2 (en) * 2007-03-29 2012-07-31 Varian Medical Systems, Inc. Corrosion barrier layer for photoconductive X-ray imagers
CA2660598A1 (en) 2008-04-18 2009-06-22 Ignis Innovation Inc. System and driving method for light emitting device display
CA2637343A1 (en) 2008-07-29 2010-01-29 Ignis Innovation Inc. Improving the display source driver
US9370075B2 (en) 2008-12-09 2016-06-14 Ignis Innovation Inc. System and method for fast compensation programming of pixels in a display
CA2688870A1 (en) 2009-11-30 2011-05-30 Ignis Innovation Inc. Methode and techniques for improving display uniformity
US9311859B2 (en) 2009-11-30 2016-04-12 Ignis Innovation Inc. Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays
US10319307B2 (en) 2009-06-16 2019-06-11 Ignis Innovation Inc. Display system with compensation techniques and/or shared level resources
US9384698B2 (en) 2009-11-30 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for aging compensation in AMOLED displays
CA2669367A1 (en) 2009-06-16 2010-12-16 Ignis Innovation Inc Compensation technique for color shift in displays
US8633873B2 (en) 2009-11-12 2014-01-21 Ignis Innovation Inc. Stable fast programming scheme for displays
US10996258B2 (en) 2009-11-30 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Defect detection and correction of pixel circuits for AMOLED displays
US8803417B2 (en) 2009-12-01 2014-08-12 Ignis Innovation Inc. High resolution pixel architecture
CA2687631A1 (en) * 2009-12-06 2011-06-06 Ignis Innovation Inc Low power driving scheme for display applications
US9881532B2 (en) 2010-02-04 2018-01-30 Ignis Innovation Inc. System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10163401B2 (en) 2010-02-04 2018-12-25 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
CA2692097A1 (en) 2010-02-04 2011-08-04 Ignis Innovation Inc. Extracting correlation curves for light emitting device
US10089921B2 (en) 2010-02-04 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US20140313111A1 (en) 2010-02-04 2014-10-23 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10176736B2 (en) 2010-02-04 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
CA2696778A1 (en) * 2010-03-17 2011-09-17 Ignis Innovation Inc. Lifetime, uniformity, parameter extraction methods
US8907991B2 (en) 2010-12-02 2014-12-09 Ignis Innovation Inc. System and methods for thermal compensation in AMOLED displays
US20140368491A1 (en) 2013-03-08 2014-12-18 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for amoled displays
US9351368B2 (en) 2013-03-08 2016-05-24 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9886899B2 (en) 2011-05-17 2018-02-06 Ignis Innovation Inc. Pixel Circuits for AMOLED displays
US9606607B2 (en) 2011-05-17 2017-03-28 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for display systems with dynamic power control
CN103688302B (zh) 2011-05-17 2016-06-29 伊格尼斯创新公司 用于显示系统的使用动态功率控制的系统和方法
US9530349B2 (en) 2011-05-20 2016-12-27 Ignis Innovations Inc. Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays
US9466240B2 (en) 2011-05-26 2016-10-11 Ignis Innovation Inc. Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed
WO2012164475A2 (en) 2011-05-27 2012-12-06 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for aging compensation in amoled displays
EP2715711A4 (de) 2011-05-28 2014-12-24 Ignis Innovation Inc System und verfahren zur schnellen kompensationsprogrammierung von pixeln auf einer anzeige
US9070775B2 (en) 2011-08-03 2015-06-30 Ignis Innovations Inc. Thin film transistor
US8901579B2 (en) 2011-08-03 2014-12-02 Ignis Innovation Inc. Organic light emitting diode and method of manufacturing
US10089924B2 (en) 2011-11-29 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. Structural and low-frequency non-uniformity compensation
US9385169B2 (en) 2011-11-29 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display
US9324268B2 (en) 2013-03-15 2016-04-26 Ignis Innovation Inc. Amoled displays with multiple readout circuits
US8937632B2 (en) 2012-02-03 2015-01-20 Ignis Innovation Inc. Driving system for active-matrix displays
US9747834B2 (en) 2012-05-11 2017-08-29 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits including feedback capacitors and reset capacitors, and display systems therefore
US8922544B2 (en) 2012-05-23 2014-12-30 Ignis Innovation Inc. Display systems with compensation for line propagation delay
US9786223B2 (en) 2012-12-11 2017-10-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9336717B2 (en) 2012-12-11 2016-05-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
WO2014108879A1 (en) 2013-01-14 2014-07-17 Ignis Innovation Inc. Driving scheme for emissive displays providing compensation for driving transistor variations
US9830857B2 (en) 2013-01-14 2017-11-28 Ignis Innovation Inc. Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays
CA2894717A1 (en) 2015-06-19 2016-12-19 Ignis Innovation Inc. Optoelectronic device characterization in array with shared sense line
US9721505B2 (en) 2013-03-08 2017-08-01 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
EP3043338A1 (de) 2013-03-14 2016-07-13 Ignis Innovation Inc. Neuinterpolation mit kantendetektion zur extraktion eines alterungsmusters für amoled-anzeigen
WO2014140992A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Ignis Innovation Inc. Dynamic adjustment of touch resolutions on an amoled display
WO2014174427A1 (en) 2013-04-22 2014-10-30 Ignis Innovation Inc. Inspection system for oled display panels
CN107452314B (zh) 2013-08-12 2021-08-24 伊格尼斯创新公司 用于要被显示器显示的图像的补偿图像数据的方法和装置
US9741282B2 (en) 2013-12-06 2017-08-22 Ignis Innovation Inc. OLED display system and method
US9761170B2 (en) 2013-12-06 2017-09-12 Ignis Innovation Inc. Correction for localized phenomena in an image array
US9502653B2 (en) 2013-12-25 2016-11-22 Ignis Innovation Inc. Electrode contacts
US10997901B2 (en) 2014-02-28 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Display system
US10176752B2 (en) 2014-03-24 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. Integrated gate driver
US10192479B2 (en) 2014-04-08 2019-01-29 Ignis Innovation Inc. Display system using system level resources to calculate compensation parameters for a display module in a portable device
CA2872563A1 (en) 2014-11-28 2016-05-28 Ignis Innovation Inc. High pixel density array architecture
CA2873476A1 (en) 2014-12-08 2016-06-08 Ignis Innovation Inc. Smart-pixel display architecture
CA2879462A1 (en) 2015-01-23 2016-07-23 Ignis Innovation Inc. Compensation for color variation in emissive devices
CA2886862A1 (en) 2015-04-01 2016-10-01 Ignis Innovation Inc. Adjusting display brightness for avoiding overheating and/or accelerated aging
CA2889870A1 (en) 2015-05-04 2016-11-04 Ignis Innovation Inc. Optical feedback system
CA2892714A1 (en) 2015-05-27 2016-11-27 Ignis Innovation Inc Memory bandwidth reduction in compensation system
CN105093256B (zh) * 2015-06-29 2017-12-01 京东方科技集团股份有限公司 一种射线检测基板及其制造方法和射线探测器
CA2898282A1 (en) 2015-07-24 2017-01-24 Ignis Innovation Inc. Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays
US10657895B2 (en) 2015-07-24 2020-05-19 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
US10373554B2 (en) 2015-07-24 2019-08-06 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CA2900170A1 (en) 2015-08-07 2017-02-07 Gholamreza Chaji Calibration of pixel based on improved reference values
CA2908285A1 (en) 2015-10-14 2017-04-14 Ignis Innovation Inc. Driver with multiple color pixel structure
CA2909813A1 (en) 2015-10-26 2017-04-26 Ignis Innovation Inc High ppi pattern orientation
DE102017222059A1 (de) 2016-12-06 2018-06-07 Ignis Innovation Inc. Pixelschaltungen zur Minderung von Hysterese
US10714018B2 (en) 2017-05-17 2020-07-14 Ignis Innovation Inc. System and method for loading image correction data for displays
US11025899B2 (en) 2017-08-11 2021-06-01 Ignis Innovation Inc. Optical correction systems and methods for correcting non-uniformity of emissive display devices
US10971078B2 (en) 2018-02-12 2021-04-06 Ignis Innovation Inc. Pixel measurement through data line

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3973146A (en) * 1974-03-18 1976-08-03 North American Philips Corporation Signal detector comprising field effect transistors
US4467342A (en) * 1982-07-15 1984-08-21 Rca Corporation Multi-chip imager
DE3484804D1 (de) * 1983-05-16 1991-08-22 Fuji Photo Film Co Ltd Verfahren zur entdeckung eines strahlungsbildes.
US4670765A (en) * 1984-04-02 1987-06-02 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor photodetector element
US4672454A (en) * 1984-05-04 1987-06-09 Energy Conversion Devices, Inc. X-ray image scanner and method
US4694317A (en) * 1984-10-22 1987-09-15 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid state imaging device and process for fabricating the same
US5220170A (en) * 1985-12-11 1993-06-15 General Imaging Corporation X-ray imaging system and solid state detector therefor
US5043582A (en) * 1985-12-11 1991-08-27 General Imagining Corporation X-ray imaging system and solid state detector therefor
JP2609590B2 (ja) * 1986-09-04 1997-05-14 株式会社東芝 二次元放射線検出器
FR2598250B1 (fr) * 1986-04-30 1988-07-08 Thomson Csf Panneau de prise de vue radiologique, et procede de fabrication
JPS633454A (ja) * 1986-06-24 1988-01-08 Seiko Epson Corp 固体撮像装置及びその製造方法
US4755681A (en) * 1986-09-30 1988-07-05 Shimadzu Corporation Radiation image detecting apparatus with IC modules stacked stepwise
US4770965A (en) * 1986-12-23 1988-09-13 Xerox Corporation Selenium alloy imaging member
JPH0670702B2 (ja) * 1987-03-24 1994-09-07 富士写真フイルム株式会社 放射線画像情報読取装置
US4873708A (en) * 1987-05-11 1989-10-10 General Electric Company Digital radiographic imaging system and method therefor
US4857723A (en) * 1987-09-14 1989-08-15 Texas Medical Instruments, Inc. Segmented imaging plate structure
DE8717526U1 (de) * 1987-11-17 1989-04-06 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen, De
CA1276320C (en) * 1987-12-01 1990-11-13 John Allan Rowlands System for measuring the charge distribution on a photoreceptor surface
JPH01163690A (ja) * 1987-12-21 1989-06-27 Hitachi Ltd 放射線検出器
DE3842525A1 (de) * 1988-12-17 1990-06-21 Philips Patentverwaltung Verfahren zur erzeugung einer roentgenaufnahme mittels eines photoleiters und anordnung zur durchfuehrung des verfahrens
IT1230335B (it) * 1989-07-12 1991-10-18 Minnesota Mining & Mfg Cassetta con schermi di rinforzo per uso con un film radiografico.
US5262649A (en) * 1989-09-06 1993-11-16 The Regents Of The University Of Michigan Thin-film, flat panel, pixelated detector array for real-time digital imaging and dosimetry of ionizing radiation
JP2890553B2 (ja) * 1989-11-24 1999-05-17 株式会社島津製作所 Ｘ線像撮像装置
CA2034118A1 (en) * 1990-02-09 1991-08-10 Nang Tri Tran Solid state radiation detector
US5182624A (en) * 1990-08-08 1993-01-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company Solid state electromagnetic radiation detector fet array
US5105087A (en) * 1990-11-28 1992-04-14 Eastman Kodak Company Large solid state sensor assembly formed from smaller sensors
US5166524A (en) * 1991-06-28 1992-11-24 E. I. Du Pont De Nemours & Company Element, device and associated method for capturing a latent radiographic image
US5127038A (en) * 1991-06-28 1992-06-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for capturing and displaying a latent radiographic image
GB9202693D0 (en) * 1992-02-08 1992-03-25 Philips Electronics Uk Ltd A method of manufacturing a large area active matrix array
US5254480A (en) * 1992-02-20 1993-10-19 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process for producing a large area solid state radiation detector
US5331179A (en) * 1993-04-07 1994-07-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method and apparatus for acquiring an X-ray image using a thin film transistor array
DE4227096A1 (de) * 1992-08-17 1994-02-24 Philips Patentverwaltung Röntgenbilddetektor
US5319206A (en) * 1992-12-16 1994-06-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method and apparatus for acquiring an X-ray image using a solid state device

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08236800A (ja) 1996-09-13
EP0722188A3 (de) 1997-12-29
EP0722188A2 (de) 1996-07-17
DE69533304D1 (de) 2004-09-02
EP0722188B1 (de) 2004-07-28
US5498880A (en) 1996-03-12
ATE272251T1 (de) 2004-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69533304T2 (de) Festkörperbildaufnahmevorrichtung
DE69635303T2 (de) Röntgenstrahlungs-bildsensor
DE69634025T2 (de) Vorrichtung für die Ableitung einer Restladung in einem Bildaufnahmesystem
US5396072A (en) X-ray image detector
US6021173A (en) X-ray apparatus with sensor matrix
EP0437041B1 (de) Festkörperstrahlungsdetektor
DE69738147T2 (de) Photoelektrische Umwandlungsvorrichtung
US5729021A (en) X-ray image sensor
DE102006035005A1 (de) Megavolt-Bildgebung mit einem Photoleiter-basiertem Sensor
DE2736878C2 (de) Photoelektrisches Element fpr eine monolithische Bildaufnahmeeinrichtung
DE19521075A1 (de) CT-Anordnung mit verbesserter Photosensor-Linearität und verringertem Übersprechen
WO1994025878A1 (en) Radiation detectors
DE2741226B2 (de) Festkörper-Farbbildaufnahmeeinrichtung
DE10142531A1 (de) Sensoranordnung aus licht- und/oder röntgenstrahlungsempfindlichen Sensoren
DE60033894T2 (de) Strahlungsdetektor
DE2623541A1 (de) Bildaufnahmeanordnung
DE60319905T2 (de) Röntgenstrahlungsdetektor
DE2804466C3 (de) Festkörper-Bildaufnahmeeinrichtung
DE4422928A1 (de) Zweidimensionaler Strahlungsdetektor
WO1995022176A1 (en) Electromagnetic radiation imaging device using dual gate thin film transistors
EP0523784A1 (de) Bildgebender Detektor und Methode seiner Herstellung
DE3910462A1 (de) Radiographische bildaufnahmevorrichtung
DE3345044A1 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiter-fotodetektors
EP1192660B1 (de) Halbleitersensor mit einer pixelstruktur sowie verwendung des sensors in einem vakuumsystem
EP1059671B1 (de) Röntgenstrahlbildsensor

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee