DE69305800T3 - Reinigung mittels Kavitation in Flüssiggas - Google Patents

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Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft die Verwendung von Kavitation zur Reinigung von Substraten und insbesondere ein Verfahren, das Flüssiggas wie etwa flüssiges Kohlendioxid in Verbindung mit der Kavitation verwendet, um die Reinigung von verschiedenen Substraten, einschließlich komplexer Materialien und Metallwaren, zu verbessern.
  • 2. Beschreibung des Standes der Technik
  • Ultraschallreinigung wird von der Industrie seit einigen Jahren verwendet. In den herkömmlichen Verfahren sind Ultraschall-Reinigungsmedien organische Lösemittel, Wasser oder wässrige Lösungen, und auf das Medium wird Ultraschallenergie übertragen, um eine Kavitation, d. h. die Bildung von Blasen und deren anschließendes Kollabieren bzw. Implodieren, zu induzieren. Obwohl dies zur Reinigung mit Hilfe einer Behandlung mit Ultraschall ausreichend ist, haben beide Arten von Lösemitteln Nachteile. Viele Substrate erfordern einen gründlichen Trocknungsprozess, nachdem sie einem flüssigen Medium ausgesetzt wurden, und dies ist häufig ein zeitaufwendiger thermischer Prozess. Die Verwendung organischer Lösemittel als Ultraschall-Reinigungsmedium bringt das Problem der Entsorgung chemischer Stoffe mit sich und unterliegt strengen regulativen Kontrollen. Ein weiterer Nachteil betrifft die Handhabung der entfernten Verunreinigungen, seien diese organisch oder in Form von Partikeln vorliegend. Wenn die Verunreinigung eine kontrollierte Substanz ist, wie etwa ein radioaktives Teilchen, wird deren Volu men beträchtlich vergrößert, sobald sie gelöst oder als Suspension vorliegt; und dies bringt ein weiteres Problem, nämlich das der Vorbehandlung bzw. Entsorgung, mit sich.
  • In diesen herkömmlichen Ultraschallreinigungsverfahren werden häufig Sonotroden verwendet, um die Schallenergie zu erzeugen. In anderen Verfahren kann eine Kavitationsdüse verwendet werden. Zum Beispiel werden in dem am 6. März 1990 an J. Pisani für „Method for Removing Oxidizable Contaminants in Cooling Water Used in Conjunction with a Cooling Tower" erteilten US-Patent Nr. 4 906 387 und in dem am 5. Februar 1991 an J. Pisani für „Method and Apparatus for Removing Oxidizable Contaminants in Water to Achieve High Purity Water for Industrial Use" erteilten US-Patent Nr. 4 990 260 Verfahren zur Entfernung von Verunreinigungen aus Wasser durch in dem Wasser induzierte Kavitation offenbart, mit der bewirkt wird, dass das Wasser dissoziiert, so dass hydroxylfreie Radikale erzeugt werden, die als Oxidationsmittel wirken. In den Verfahren von Pisani wird Ultraviolettstrahlung in Verbindung mit Kavitation verwendet, um den Oxidationsprozess, der durch die hydroxylfreien Radikale in Gang gebracht wurde, fortzusetzen. Die Kavitation in den Pisani-Verfahren wird durch eine Düse induziert, die eine kritische Strömung erzeugt.
  • Eine weitere Art eines Reinigungsverfahrens, bei der eine Phasenverschiebung in Gasen dichter Phase verwendet wird, ist in dem US-Patent Nr. 5 013 366 (korrespondierend zu WO-A-90 06189), erteilt an D. P. Jackson et al. und übertragen auf den gleichen Anmelder wie derjenige dieser Anmeldung, offenbart und beansprucht. Das Verfahren verwendet ein Gas dichter Phase bei oder über dem kritischen Druck. Die Phase des Gases mit einer dichten Phase wird dann zwischen dem flüssigen Zustand und dem überkritischen Zustand durch Verändern der Temperatur des dichten Fluids in einer Reihe von Schritten zwischen Temperaturen oberhalb und unterhalb der kritischen Temperatur des dichten Fluids verschoben, wobei der Druck oberhalb des kritischen Werts gehalten wird. Beispiele von Fluiden sind (1) Kohlenwasserstoffe wie Methan, Ethan, Propan, Butan, Pentan, Hexan, Ethylen und Propylen, (2) halogenierte Kohlenwasserstoffe wie Tetrafluormethan, Chlordifluormethan und Perfluorpropan, (3) anorganische Stoffe wie Kohlendioxid, Ammoniak, Helium, Krypton, Argon, Schwefelhexafluorid und Stickoxid, und (4) Mischungen daraus. In alternativen Ausführungsformen kann das Gas dichter Phase während der Reinigung einer ultravioletten (UV) Strahlung ausgesetzt sein, oder eine Schallenergie kann während des Reinigungsprozesses übertragen werden, um das Gas dichter Phase und die Substratoberfläche zu Schwingungen anzuregen.
  • Obwohl dieses Verfahren für seinen bestimmten Zweck gut geeignet ist, ist es wünschenswert, weitere Verbesserungen für einen solchen Reinigungsprozess bereitzustellen, der kostengünstige, nicht toxische Reinigungsmedien in einem vereinfachten Prozess verwenden.
  • Die WO-A-92/14558 betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Reinigung von Werkstücken, die mit organischen Substanzen kontaminiert sind, wobei ein komprimiertes Gas verwendet wird, das unter Druck in Druckbehälter eingebracht wird, die mit den Werkstücken beladen sind, wobei während des Vorgangs ein verflüssigtes oder überkritisches Gas mit Hilfe eines Flügelrades in dem Druckbehälter in Zirkulation versetzt wird. Die Reinigungsvorrichtung umfasst zwei Druckzylinder, die jeweils mit einem das Fluid umwälzendes Flügelrad ausgestattet und über Rohrleitungen mit Ventilen zu einer Pumpe und einem Wärmetauscher verbunden sind. Der Druck wird auf einem konstanten Niveau und oberhalb des entsprechenden Dampfdrucks gehalten.
  • Die WO-A-90/06189 offenbart ein Reinigungsverfahren zum Entfernen von zwei oder mehreren Verunreinigungen von einem Substrat in einem einzigen Prozess mit Hilfe einer Phasenverschiebung von Gasen dichter Phase. Das zu reinigende Substrat wird mit einem Gas dichter Phase bei oder oberhalb von dessen kritischem Druck in Kontakt gebracht. Die Phase des Gases dichter Phase wird anschließend zwischen dem flüssigen Zustand und dem überkritischen Zustand durch Verändern der Temperatur des dichten Fluids in einer Reihe von Schritten zwischen Temperaturen oberhalb und unterhalb der kritischen Temperatur des dichten Fluids verschoben. Nach Beendigung jedes Schritts der Temperaturveränderung, wird die Temperatur während einer vorbestimmten Zeitspanne gehalten, um einen Kontakt mit dem Substrat und den Verunreinigungen sowie ein Entfernen der Verunreinigungen zu ermöglichen. Bei jedem Schritt der Temperaturänderung besitzt das Gas dichter Phase eine unterschiedliche Bindeenergiedichte oder unterschiedliche Löslichkeitseigenschaften. Somit liefert diese Phasenverschiebung des dichten Fluids ein Entfernen von verschiedenen Verunreinigungen von der Oberfläche, ohne die Notwendigkeit, verschiedene Lösemittel zu verwenden. In alternativen Ausführungsformen kann zusätzlich Ultraschallenergie verwendet werden, um den Reinigungseffekt zu verstärken.
  • Die EP-A-0 391 035 offenbart ein Verfahren zum Entfernen eines unerwünschten Materials von einem ausgewählten Substrat, das die Schritte umfasst: a) Anordnen des Substrats, das das unerwünschte Material enthält, in einem Reinigungsbehälter, b) In-Kontakt-Bringen des Substrats, das das unerwünschte Material enthält, mit einem ausgewählten dichten Fluid, das aus einer Flüssigkeit, vorzugsweise ultrareinem Wasser, und einem ausgewählten Gas mit einem Druck bei oder oberhalb des kritischen Drucks und einer Temperatur bei oder oberhalb der kritischen Temperatur des Gases besteht, und c) Aussetzen des Substrats und des dichten Fluids einer ultravioletten Strahlung. Diese Offenbarung betrifft daher einen unterschiedlichen Reinigungsprozess.
  • Die DE-A-36 11 422 betrifft ein Verfahren zum Reinigen eines verschmutzten, festen Formteils in einer wässrigen, tensidischen Waschflotte unter wenigstens zeitweiser Einwirkung von Ultraschall, wodurch Kavitation erzeugt wird. Das Waschbad wird mit einem Schmutzfängerkomplex, der wenigstens im Wesentlichen unlöslich ist oder an einem Festkörper anhaftet, der im Wesentlichen in der Waschflotte unlöslich ist, in Kontakt gebracht, um aus der Waschflotte wenigstens einen Teil des von dem Formteil abgelösten Schmutzes zu sammeln.
  • KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Gemäß der Erfindung wie sie in Anspruch 1 definiert ist, wird ein unerwünschtes Material von einem ausgewählten Substrat durch ein Verfahren entfernt, das die folgenden Schritte umfasst: (a) Platzieren des Substrats, das mit dem unerwünschten Material kontaminiert ist, in einer Reinigungskammer, die mit einer Kavitationserzeugungseinrichtung ausgestattet ist, (b) Einführen eines Flüssiggases in die Reinigungskammer, das durch Beaufschlagen eines ausgewählten Gases, das leicht verflüssigbar, vorzugsweise nicht toxisch, kostengünstig und nicht entzündlich ist, mit einem Druck von ungefähr 101,33 × 105 Pa (100 Atmosphären (103,3 kg/cm2)) oder weniger bei einer Temperatur von weniger als ungefähr 50°C gebildet wurde, und In-Kontakt-Bringen des Substrats, das mit dem unerwünschten Material kontaminiert ist, mit dem Flüssig gas bei einer Temperatur unterhalb seiner kritischen Temperatur und bei einem Druck unterhalb des kritischen Drucks, und (c) Aussetzen des Flüssiggases dem Kavitationserzeugungsmittel während einer Zeitspanne, die ausreichend ist, um das unerwünschte Material von dem Substrat zu entfernen.
  • Flüssiges Kohlendioxid (CO2) ist eine kostengünstiges, nicht toxische Substanz. Der Reinigungsprozess, der flüssiges CO2 verwendet, ist vergleichsweise einfach, und Verunreinigungen, die in flüssigem CO2 aufgenommen werden, werden leicht daraus entfernt, beispielsweise durch Dekompression der Flüssigkeit oder durch Filtration oder durch eine Kombination aus diesen beiden. Andere geeignete verflüssigbare Gase können ebenso verwendet werden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist ein Schnittbild eines Reinigungsbehälters, der bei der Anwendung der Erfindung eingesetzt wird und in dem das Kavitationsmittel ein Sonotrode ist, die oben an der Reinigungskammer angeordnet ist;
  • 2 ist eine Schnittansicht eines alternativen Reinigungsbehälters, der bei der Anwendung der Erfindung eingesetzt werden kann und in dem ein Sonotrode sowohl oben als auch unten an der Reinigungskammer angeordnet ist; und
  • 3 ist eine Schnittansicht eines Abschnitts eines zweiten alternativen Reinigungsbehälters, der bei der Anwendung der Erfindung verwendet werden kann und in dem das Kavitationsmittel mehrere Kaviatationsdüsen umfasst.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung können Partikel und organische Filme bzw. dünne Schichten von festen Oberflächen durch Ausnutzen der Kavitation entfernt werden, wobei darunter hier die Bildung von Blasen oder Kavitäten bzw. Hohlräumen in einer Flüssigkeit, gefolgt von dem Implodieren bzw. Kollabieren dieser Blasen verstanden wird. Der neue Aspekt des Verfahrens ist die Art bzw. Eigenschaft des verwendeten Mediums: Ein ausgewähltes Flüssiggas, das bei einer Temperatur verwendet wird, die unterhalb seiner kritischen Temperatur liegt.
  • Als das bei der Anwendung der vorliegenden Erfindung verwendete Flüssiggas wird ein Gas gewählt, das unter moderaten Bedingungen von Temperatur und Druck, d. h. für praktische Zwecke ein Druck von weniger als etwa 101,33 × 105 Pa (100 Atmosphären (103,3 kg/cm2)) und eine Temperatur von ungefähr 50°C oder weniger, verflüssigt werden kann. Aus praktischen Gründen ist es darüber hinaus wünschenswert, dass das Gas ferner nicht toxisch, nicht entflammbar und umweltverträglich ist. Gase, die für die Anwendung der vorliegenden Erfindung geeignet sind, umfassen Kohlendioxid, Stickoxid (N2O), Schwefelhexafluorid (SF6) und Xenon, wobei Kohlendioxid das bevorzugteste Gas ist, sind jedoch nicht darauf begrenzt. In den nachfolgenden Diskussionen wird Kohlendioxid als Beispiel eines Gases verwendet, das für die Anwendung der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann, es ist jedoch klar, dass die Erfindung nicht darauf begrenzt ist.
  • Kohlendioxid ist eine in unbegrenzten Mengen vorhandene, kostengünstige, nicht toxische und leicht verflüssigbare natürliche Resource. Sobald es verflüssigt ist, liefert es bei relativ niedrigen Drücken (etwa 41,4 × 105 Pa bis 71,7 × 105 Pa (600 bis 1040 Pfund pro Quadratinch oder etwa 42,2 bis 73,1 kg/cm2)) und gemäßigten Temperaturen (etwa 10° bis 30°C) ein gutes Ultraschall-Reinigungsmittel niedriger Viskosität. Diese Werte liegen unterhalb des kritischen Drucks von 73,8 × 105 Pa (75,3 kg/cm2) und der kritischen Temperatur von 32°C von CO2.
  • Der zur Anwendung der vorliegenden Erfindung erforderliche Kavitationseffekt kann mit Hilfe eines Wandlers erzeugt werden, der Energie mit einer Frequenz von vorzugsweise 5 bis 100 Kilohertz erzeugt. Ein Beispiel eines solchen Wandlers ist eine Sonotrode (Schwinger), die (der) mit Bezug auf die 1 und 2 ausführlich beschrieben ist. In der alternativen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann die Kavitation mit Hilfe einer bekannten Kavitatonsdüse erzeugt werden, die eine „kritische Strömung" erzeugt, wie sie zum Beispiel in dem US-Patent Nr. 4 990 260 an J. Pisani offenbart ist, dessen Inhalt hierin durch Bezugnahme enthalten ist. Mit einer solchen Kavitationsdüse wird in der Flüssigkeit durch Absenken des hydrodynamischen Drucks der Flüssigkeit unter den Dampfdruck der Flüssigkeit eine Blase erzeugt. Die so gebildete Blase kollabiert dann, wenn sich die Drücke ausgleichen. Dieses Kollabieren erzeugt sehr hohe Drücke, die wiederum Stoßwellen erzeugen. Diese alternative Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ausführlich mit Bezug auf 3 beschrieben, die ein Feld von Kavitationsdüsen zeigt. Alternativ kann der zur Anwendung der vorliegenden Erfindung erforderliche Kavitationseffekt durch Propellermittel oder Blätter erzeugt werden, wie es im Stand der Technik bekannt ist.
  • 1, zeigt einen Extraktor/Reinigungs-Behälter 10, der in geeigneter Weise zur Anwendung der Erfindung verwendet wird. Der Reinigungsbehälter 10 umfasst eine umwandete Reinigungskammer 12, die aus einem geeigneten Material wie etwa rostfreiem Stahl gebildet ist und Wände mit einer ausreichenden Dicke aufweist, um den in dem Verfahren verwendeten Drücken standzuhalten. Die Reinigungskammer 12 umfasst einen Deckel 14, ebenfalls in einer ausreichenden Dicke. Die Reinigungskammer 12 umfasst darüber hinaus ein Kavitationsmittel, das eine Ultraschallreinigungs-Sonotrode 16 aufweist, die durch einen Wandler (transducer) 18 (mit oder ohne Leistungsverstärker) aktiviert wird. Die Ultraschallreinigungs-Sonotrode 16 ist in der Reinigungskammer 12 an deren Knotenpunkt angebracht, um eine wirkungsvolle Übertragung von Schallenergie auf das flüssige CO2 zu ermöglichen. Die Sonotrode 16 kann im Deckel, wie es in 1 gezeigt ist, sowohl im Deckel als auch im Boden, wie es in 2 gezeigt ist, im Boden oder an der Seite bzw. den Seiten der Reinigungskammer 12 angebracht sein. Alternativ können die Sonotrode(n) 16 und der (die) Wandler 18 vollständig innerhalb der Reinigungskammer 12 angeordnet sein. Der Wandler wird von einem Generator 20 mit Energie versorgt, welcher über ein (nicht gezeigtes) Energiemittel betrieben wird.
  • Der Oberflächenbereich der Sonotrode 16 (oder des Feldes von Sonotroden), der Abstand der Sonotrode von dem Substrat sowie die Leistung des Generators und die Betriebsfrequenzen des Wandlers hängen von den jeweiligen Verunreinigungen und zu behandelnden Substraten ab. Allgemein resultiert eine Platzierung der Sonotrode 16 nähe an dem Substrat und eine Verringerung des Sonotrodenbereichs in einer intensiveren Schallanregeung. Eine Erhöhung des Sonotrodenbereichs hat einen niedrigen Bewegungspegel zur Folge, der sich über einen größeren Bereich ausbreitet.
  • Die Reinigungskammer 12 ist ferner mit einem CO2-Einlassmittel 22 und einem CO2-Auslassmittel 24 versehen. Wahlweise kann ein Rührer 26 verwendet werden, um das flüssige CO2 während des Ultraschall-Reinigungsprozesses umzuwälzen, um eine im Wesentlichen einheitliche Temperatur und, da der Druck im Gleichgewichtszustand durch die Temperatur bestimmt wird, einen im Wesentlichen einheitlichen Druck aufrecht zu erhalten.
  • Die zu reinigende Probe ist, wie es mit 28 gekennzeichnet ist, in einem Substrathalter wie etwa einem Korb 30 aufgehängt und kann somit mit CO2 in Kontakt gelangen, um unerwünschtes Material zu entfernen.
  • Ferner kann die Reinigungskammer 12 ein internes Widerstandsheizelement 31, einen externen Kühlmantel 32 und ein Thermoelementloch 33 umfassen, die verwendet werden, um die erforderliche Temperatur in der Reinigungskammer aufrecht zu erhalten. Darüber hinaus kann ein Druckmesser (oder Druckwandler) 34 verwendet werden, um den Druck in der Reinigungskammer 12 zu bestimmen und zu steuern. Die Reinigungskammer 12 kann wahlweise (nicht gezeigte) Anschlüsse umfassen, um einen externen (nicht gezeigten) Flüssigkeitsstandanzeiger aufzunehmen, um den Pegel des flüssigen CO2 in der Kammer 12 anzuzeigen.
  • Die Parameter der Ultraschallreinigung umfassen die Temperatur und den Druck des flüssigen CO2 und die Ultraschallreinigungs-Bedingungen (Frequenz, Zeit der Ulltraschallreinigung, etc.). Das Kohlendioxid oder das andere Gas muss im flüssigen Zustand vorliegen. Daher müssen die Temperatur und der Druck oberhalb des Tripelpunktes liegen (z. B. –57°C und 5,2 × 105 Pa (75 Pfund pro Quadratinch oder 5,3 kg/cm2) für CO2). Ferner muss die Temperatur unterhalb der kritischen Temperatur liegen. Der Druck liegt unterhalb des kritischen Drucks, jedoch nicht so hoch, dass eine Ultraschall induzierte Kavitation verhindert wird. Kavitation würde bei Drücken oberhalb etwa 13,8 × 105 Pa (200 psi (14,1 kg/cm2)) oberhalb des natür lichen Dampfdrucks bei einer gegebenen Temperatur unterdrückt werden.
  • Die Temperatur liegt vorzugsweise in einem Bereich von etwa 18°C bis gerade unterhalb des kritischen Werts, da die Reinigungsleistung unterhalb 18°C und oberhalb des kritischen Werts abnimmt. Unter Gleichtgewichtsbedingungen wird der Druck durch die Temperatur festgelegt und liegt daher in dem Bereich von ungefähr 56,5 × 105 Pa (820 Pfund pro Quadratinch (ungefähr 57,7 kg/cm2)) bis gerade unterhalb des kritischen Werts für Kohlendioxid.
  • Es scheint, als hinge das vorliegende Verfahren nicht von der speziellen Ultraschallfrequenz ab, und irgendeines der im Handel erhältlichen Vorrichtung kann verwendet werden. Kommerzielle Ultraschallgeneratoren arbeiten typischerweise mit einer Frequenz von ca. 20 bis 90 Kilohertz, und vorteilhafterweise werden diese Generatoren zur Anwendung der vorliegenden Erfindung verwendet.
  • Die Amplitude der Ultraschallwelle kann in einem Bereich von etwa 10 bis 220 Mikrometer liegen. Höher Amplituden haben eine höhere Schruppleistung für schwer zu entfernende Partikel. Niedrige Amplituden können erforderlich sein, um ein Brechen fragiler Substrate zu verhindern.
  • Im Betrieb wird die zu reinigende Probe 28 in die Reinigungskammer 12 eingesetzt. Anschließend wird flüssiges CO2 durch den Einlass 22 von einer (nicht gezeigten) Quelle unter kontrollierten Bedingungen der Strömungsrate, der Temperatur und des Drucks in die Reinigungskammer 12 eingeführt, wie es aus dem Stand der Technik bekannt ist. Das flüssige CO2 wird mit einer Temperatur eingeführt, die unterhalb des kritischen Werts für CO2 liegt, wie oben ausgeführt ist. Die Temperatur kann entweder durch Füllen der Kammer mit vorgewärmtem oder gekühltem flüssigen CO2 oder durch Heizen oder Kühlen der Kammer gesteuert werden. Normalerweise wird der Druck durch den Dampfdruck von CO2 bei einer gegebenen Temperatur festgelegt. Es kann in einigen Fällen wünschenswert sein, einen erhöhten Druck bereitzustellen, um eine intensivere Kavitation zu erzeugen. Um diesen zusätzlichen Druck bereitzustellen, kann ein nicht kondensierbares Gas (d. h. ein Gas, das bei der Temperatur, bei der das Verfahren der Erfindung ausgeführt wird, nicht verflüssigt ist) wie etwa Stickstoff mit Hilfe eines Kompressors oder eines Hochdruckgaszylinders in die Kammer eingebracht werden. Zusätzlicher Druck kann auch durch vollständiges Füllen der Kammer mit flüssigem CO2 und Steuern des Drucks des Einlass- oder Auslassstroms bereitgestellt werden.
  • Anschließend wird mit der oben angegebenen Frequenz und Amplitude eine Ultraschall-Reinigung bzw. -Beschallung ausgeführt. Die Zeit der Beschallung hängt von der jeweiligen Probe, die gereinigt wird, und von der Art des unerwünschten Materials oder der Verunreinigung, das bzw. die entfernt werden soll, ab. Einige Proben können nicht über einen längeren Zeitraum der Beschallung ausgesetzt werden. Andererseits benötigen manche unerwünschte Materialien länger als andere zur Entfernung. Ein einfaches Experimentieren wird optimale Zeiten für die Beschallung zur Entfernung von im Wesentlichen allen Verunreinigungen bestimmen. Allgemein wird eine Beschallung von wenigstens 30 Sekunden zur Entfernung einen nennenswerten Betrages der Verunreinigungen erwartet, mit möglicherweise in einigen Fällen einem Maximum von 5 Minuten. Jedoch kann aus den oben genannten Gründen selbst eine noch längere Beschallung erforderlich sein.
  • Nach Beenden des Beschallungs- bzw. Ultraschallreinigungszyklus wird eine Spülung des flüssigen CO2 eingelei tet. Im Anschluss an den Spülschritt kann die Kammer zur Entnahme der Probe dekomprimiert werden, oder der Reinigungsschritt kann wiederholt werden, wenn dies erforderlich ist. Um zu bestimmen, ob die Probe ausreichend sauber ist, können soweit erforderlich eine visuelle Inspektion des Substrats oder Messungen der Partikelkonzentration und/oder das Vorhandensein von organischen Filmen durchgeführt werden.
  • In einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden die zu reinigenden Proben 28 in die Reinigungskammer 12 geladen, die dann verschlossen und über eine vorbestimmte Zeitspanne mit CO2-Gas gespült werden. Die Kammer wird mit Druck beaufschlagt und auf einen geeigneten überkritischen Pegel, der durch die jeweiligen Verunreinigungen und Substrate bestimmt ist, erwärmt, um den Großteil der organischen Verunreinigungen zu entfernen. Insbesondere werden sowohl der Druck als auch die Temperatur so eingestellt, dass sie die kritischen Werte von CO2 übersteigen. Die Probe wird dem CO2 in der dichten oder überkritischen Phase während einer Zeitspanne ausgesetzt, die ausreichend ist, um Verunreinigungen, die in überkritischem CO2 löslich sind, zu lösen (hier als „lösliche Verunreinigungen" bezeichnet).
  • Die Temperatur wird dann auf unterhalb des kritischen Werts von CO2 reduziert, um es zu verflüssigen. Die Beschallung des flüssigen CO2 wird eingeleitet, um Partikel und/oder Verunreinigungen durch organische Filme zu entfernen, die schwierig zu entfernen sind, wie oben ausgeführt ist. Die Schritte zur Behandlung mittels Beschallung und Behandlung mit überkritischem CO2 können so oft wiederholt werden, wie es erforderlich ist, um die Probe zu reinigen.
  • In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung werden die zu reinigenden Proben gemäß dem Verfahren der vorliegenden Erfindung behandelt und werden anschließend einer Reinigung mit einem Gas dichter Phase ausgesetzt, indem das CO2 erneut auf den überkritischen Zustand komprimiert und erwärmt wird. Dieser zweistufige Prozess ist nützlich, um zum Beispiel kompakte Mischungen aus Partikeln und löslichen Verunreinigungen zu entfernen. Die Schritte zur Behandlung mit überkritischem CO2 mittels Beschallung können so oft wiederholt werden, wie es zur Reinigung der Probe erforderlich ist.
  • In einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein regeneratives System mit geschlossenem Kreislauf verwendet, in dem flüssiges CO2 umläuft und in dem die entfernten Verunreinigungen (seien dies organische oder feste Stoffe) leicht von dem Kavitationsmedium getrennt werden können. Dies kann entweder durch Dekompression, Filtration oder eine Kombination aus beiden durchgeführt werden. Durch die Dekompression des flüssigen CO2 wird gasförmiges CO2 gebildet, und die Verunreinigungen werden in konzentrierter Form ausgeschieden, die ein leichtes Entfernen ermöglicht. Das verbleibende reine gasförmige CO2 wird anschließend wieder durch Kompression in den flüssigen Zustand überführt, und das reine flüssige CO2 wird in die Reinigungskammer 12 zurückgeführt. Um diesen Prozess zu bewerkstelligen, wird das Flüssiggas, das die Verunreinigungen enthält, durch Auslassmittel 24 aus der Kammer 12 einer (nicht gezeigten) Behandlungseinheit zugeführt. In der Behandlungseinheit wird das kontaminierte Flüssiggas dekomprimiert und/oder gefiltert, wie oben ausgeführt. Das reine flüssige CO2 wird anschließend durch (nicht gezeigte) Rohrleitungen über das Einlassmittel 22 in die Kammer 12 befördert.
  • Verschiedene Oberflächen im elektronischen, medizinischen, automobilen und Luftfahrtbereich können mit Hilfe des Verfahrens der Erfindung gereinigt werden. Das Verfahren kann verwendet werden, um sehr viele verschiedene Substrate, die aus verschiedenen Materialien bestehen, zu reinigen. Das vorliegende Verfahren ist insbesondere besonders gut zur Reinigung komplexer Hardware geeignet, ohne diese zerlegen zu müssen. Einige beispielhafte Reinigungsanwendungen umfassen: Entfernen von Lötmittel von gelöteten Verbindern, Kabeln und bestückten Schaltplatinen, Entfernen von Fotolack von Substraten, Dekontamination von Reinigungshilfsmitteln wie etwa Baumwolle oder mit Schaumsstoffspitzen versehenen Applikatoren, Wischern, Handschuhen etc., Entfetten von komplexer Hardware und Dekontamination von komplexer Elektrooptik-, Laser- und Raumfahrthardware einschließlich Pumpen, Transformatoren, Niete, Dichtungen, Gehäusen, Linearlagern, Baugruppen einer optischen Bank, Wärmerohren, Schaltern, Dichtringen bzw. Dichtflanschen und Aktivmetall-Gehäusen. Verunreinigungen, die gemäß der vorliegenden Erfindung von Substraten entfernt werden können, umfassen Öl, Fett, Schmier- bzw. Gleitmittel, Lötflussmittelrückstände, Fotolack, Partikel, die anorganische oder organische Materialien umfassen, Klebemittelrückstände, Weichmacher, nicht reagierte Monomere; Farbstoffe und dieelektrische Flüssigkeiten, sind aber nicht hierauf beschränkt. Typische Substrate, von denen Verunreinigungen gemäß der Erfindung entfernt werden können, umfassen Substrate, die aus Metall, Gummi, Kunststoff, Baumwolle, Zellulose, Keramiken und weiteren organischen und anorganischen Verbindungen gebildet sind, sind jedoch nicht hierauf beschränkt. Die Substrate haben einfache oder komplexe Konfigurationen und können Zwischenräume aufweisen, die mit anderen Verfahren schwierig zu reinigen sind. Die vorliegende Erfindung kann für großflächige Reinigungsprozesse wie etwa Entfetten, Entfernen von Klebebandrückständen und Entfernen von Funktionsfluiden verwendet werden, und ist besonders gut für die Präzisionsreinigung von komplexer Hardware mit einem hohen Reinigungsniveau geeignet.
  • 2 ist eine Schnittansicht eines ersten alternativen Reinigungsbehälters, der zur Anwendung der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann und in dem mehrere Sonotroden verwendet werden. Die in 2 verwendeten Bezugszahlen sind die gleichen wie diejenigen, die in 1 verwendet werden. In 2 ist die Reinigungskammer 12 mit einem Sonotrode 16 ausgestattet, die mit Hilfe eines Wandlers (mit oder ohne Leistungsverstärker) aktiviert wird, wobei die Sonotrode, wie bei dem System der 1, in dem Deckel 14 angebracht ist. In 2 umfasst die Reinigungskammer 12 darüber hinaus eine zweite Sonotrode 36 und einen zweiten Wandler 38 in der Bodenwand 40 der Kammer. Der in 2 gezeigte Aufbau liefert dadurch, dass zwei Sonotroden verwendet werden, eine gleichmäßige Beschallung in der gesamten Kammer 12. Veränderungen dieses Aufbaus können verwendet werden, bei denen das Sonotrode bzw. die Sonotroden an verschiedenen Stellen im Deckel und den Seitenwänden, im Boden und den Seitenwänden oder in beiden Seitenwänden der Kammer 12 angeordnet sind. Zur besseren Darstellung sind das Heizelement 31, der Kühlmantel 32, das Thermoelementloch 33, der Druckmesser 34 und der Rührer 26 nicht in 2 gezeigt, jedoch sind sie in dieser Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ebenso vorhanden wie es in 1 gezeigt ist.
  • 3 ist eine Schnittansicht eines Abschnitts der Reinigungskammer für einen zweiten alternativen Reinigungsbehälter, der zur Anwendung der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann und in dem mehrere Kavitationsdüsen verwendet werden. In dieser Ausführungsform der Erfindung werden die gleichen Komponenten wie in 1 verwendet, mit der Ausnahme, dass die Sonotrode 18 entfernt ist und die Reinigungskammer 12 der 1 durch eine in 3 gezeigte Reinigungskammer 50 ersetzt ist. Jede Wand der Kammer 50 umfasst ein Feld von Kavitationsdüsen 52, die einteilig mit der Kammerwand ausgebildet sind, etwa durch Bohren von Löchern geeigneter Abmessung in die Kammerwand. Flüssiggas von einer (nicht gezeigten) Quelle unter kontrollierten Bedingungen der Strömungsrate, der Temperatur und des Drucks wird über Einlassmittel 54, 56 und 58 in die Kammer 50 eingeführt. Das Flüssiggas strömt in den Raum 60, dann durch die Düsen 52 und in die Reinigungszone 62, in der das (nicht gezeigte) zu reinigende Substrat gehalten wird. Wie im Stand der Technik bekannt ist, muss der Druck an der Quelle ausreichend hoch sein, um die Strömungsgeschwindigkeit an den Düsen zu erzeugen, die den erforderlichen Druckabfall zur Erzeugung der Kavitation liefert. Wahlweise kann die Kammer 50 ferner ein Feld von Kavitationsdüsen 52 in der vierten (oder oberen) Wand aufweisen. Im Betrieb wird der Reinigungsbehälter 50 auf die gleiche Weise verwendet wie der Reinigungsbehälter der 1, mit der Ausnahme, dass die Kavitationsdüsen in der ersteren die Sonotrode in der letzteren ersetzen. Geeignete Kavitationsdüsen sind im Handel zum Beispiel von der Sonic Engineering Corporation, Norwalk, Connecticut, erhältlich.
  • Beispiele zur Anwendung der vorliegenden Erfindung sind folgende.
  • BEISPIELE
  • Mit Aluminiumoxidteilchen (1,4 Mikrometer Durchmesser) kontaminierte Kunststoff-(Acryl)Teile wurden durch Eintauchen in flüssiges CO2 und Beschallung unter Verwendung eines Reinigungsbehälters des mit Bezug auf 1 beschriebenen Typs gereinigt. In der nachstehenden Tabel le I sind die dem Ultraschallwandler 18 zugeführte Leistung, die Temperatur des flüssigen CO2, der Nenndruck des CO2 (in Pa, in Pfund pro Quadratinch, psi, und in kg/cm2), die Beschallungszeit und die Reinigungseinstufung aufgelistet. Die Teile wurden mit dem Auge untersucht und ihnen wurde ein Wert zwischen 1 und 5 zugeordnet, wobei 5 die geringste Verunreinigung bedeutet. Insbesondere zeigte ein Wert von 1 einen leichten Schleier auf dem Plastikteil als Folge der Kontamination mit Aluminiumpartikeln an, ein Wert von 5 zeigte ein fast vollständiges Fehlen der Partikel an.
  • Figure 00180001
  • In diesem Beispiel waren die 375 W und 600 W Leistungsversorgungen 20 Tekmar Sonic Disruptors von Tekmar aus Cincinnati, Ohio, mit einer Frequenz von 20 Kilohertz. Die Sonotrode 16 hatte 0,5 Zoll (1,27 cm), versehen mit 5 Zoll (12,7 cm) Erweiterungsgliedern.
  • Tabelle I zeigt, dass für diese Anwendung eine bessere Reinigung bei höheren Temperaturen und Drücken und hö herer Leistung und längerer Beschallungszeit erreicht wird.
  • Der Einfluss der Temperatur des flüssigen CO2 auf die Einbringung der Schallenergie wurde untersucht. In der nachsehenden Tabelle II sind die Energieeingabedaten für eine Ultraschallreinigung in flüssigem CO2 aufgelistet. Das Volumen an CO2 betrug in jedem Fall 5,7 Liter. In Tabelle II ist T die Temperatur und P der Druck.
  • Figure 00190001
  • Die Daten in Tabelle II liefern ein Maß dafür, wie gut Kavitation in dem flüssigen CO2 als Folge der in das Fluid eingebrachten Energie auftritt. Insbesondere bei niedrigen Temperaturen fällt die abgegebene Leistung beträchtlich ab.
  • Somit ist ein Verfahren zur Entfernung von Verunreinigungen von Subtraten unter Verwendung eines Flüssiggases offenbart. Es wird für den Fachmann klar sein, dass verschiedene naheliegenden Modifikationen und Änderungen gemacht werden können, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen, und all diese Modifikationen und Veränderungen sollen in den Schutzbereich der Erfindung fallen, wie sie durch die beigefügten Ansprüche definiert ist.

Claims (8)

  1. Ein Verfahren zum Entfernen unerwünschten Materials von einem Substrat (28) mit den Verfahrensschritten: (a) Plazieren des Substrates, das mit dem unerwünschtem Material kontaminiert ist, in einer Reinigungskammer (12), die mit einer Kavitationserzeugungseinrichtung (16, 36, 52) ausgestattet ist; (b) Einführen eines Flüssiggases in die Reinigungskammer, das mittels Beaufschlagen eines Gases, das entsprechend seiner Fähigkeit, leicht verflüssigbar zu sein, ausgewählt wurde, mit einem Druck von ungefähr 101,33 × 105 Pa (100 Atmosphären) oder weniger bei einer Temperatur von weniger als ungefähr 50°C gebildet wurde, und Kontaktieren des Substrates, das das unerwünschte Material enthält, mit dem Flüssiggas bei einer Temperatur unterhalb der kritischen Temperatur des Gases und bei einem Druck unterhalb des kritischen Druckes des Gases; und (c) Aussetzen des Flüssiggases in der Reinigungskammer der Kavitationserzeugungseinrichtung für eine Zeitdauer, die hinreichend ist, um das unerwünschte Material von dem Substrat zu entfernen.
  2. Das Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Gas aus der aus Kohlendioxid, Distickstoffoxid, Schwefelhexafluorid und Xenon bestehenden Gruppe ausgewählt wurde.
  3. Das Verfahren nach Anspruch 1, das des weiteren die Durchführung wenigstens eines der folgenden Verfahrensschritte aufweist: (1) Vor dem Kontaktieren des Substrates, das mit dem unerwünschtem Material kontaminiert ist, mit dem Flüssiggas: Kontaktieren des Substrates mit dem Gas in der dichten Phase bei einem Druck oberhalb des kritischen Druckes des Gases und bei einer Temperatur oberhalb der kritischen Temperatur des Gases für eine Zeitdauer, die hinreichend ist, um das unerwünschte Material, das in dem Gas in der dichten Phase löslich ist, zu entfernen; oder (2) Nach dem Schritt des Aussetzens: Kontaktieren des Substrates mit dem Gas in der dichten Phase bei einem Druck oberhalb des kritischen Druckes des Gases und bei einer Temperatur oberhalb der kritischen Temperatur des Gases für eine Zeitdauer, die hinreichend ist, um das unerwünschte Material, das in dem Gas in der dichten Phase löslich ist, zu entfernen.
  4. Das Verfahren nach Anspruch 1, das des weiteren, folgend auf den Schritt des Aussetzens, den Verfahrensschritt aufweist, das Flüssiggas, das das unerwünschte Material enthält, zu behandeln, um das unerwünschte Material zu entfernen, und das behandelte Flüssiggas dem Reinigungsgefäß wieder zuzuführen.
  5. Das Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Gas Kohlendioxid ist und daß die Temperatur im Bereich von ungefähr –57°C bis weniger als 32°C und der Druck im Bereich von ungefähr 5,2 × 105 Pa (ungefähr 75 psi) bis ungefähr 13,8 × 105 Pa (ungefähr 200 psi) oberhalb des Dampfdruckes von CO2 bei dieser Temperatur liegt.
  6. Das Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Aussetzen für eine Zeitdauer von wenigstens ungefähr 30 Sekunden durchgeführt wird.
  7. Das Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kavitationserzeugungseinrichtung aus der aus Ultraschalleinrichtungen (16, 36), Kavitationsdüseneinrichtungen (52) und Kavitationspropellereinrichtungen bestehenden Gruppe ausgewählt ist.
  8. Das Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Druck innerhalb des Reinigungsgefäßes mittels einem der folgenden Verfahrensschritte auf einen Druck oberhalb des natürlichen Dampfdruckes des Flüssiggases angehoben wird: (1) Hinzufügen eines nicht kondensierbaren Gases, oder (2) vollständiges Füllen des Gefäßes mit Flüssiggas bei einem Druck, der höher ist als der natürliche Dampfdruck.
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TW (1) TW233272B (de)

Families Citing this family (117)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5456759A (en) * 1992-08-10 1995-10-10 Hughes Aircraft Company Method using megasonic energy in liquefied gases
US5339844A (en) 1992-08-10 1994-08-23 Hughes Aircraft Company Low cost equipment for cleaning using liquefiable gases
CA2120537A1 (en) * 1993-04-12 1994-10-13 Thomas B. Stanford, Jr. Megasonic cleaning system using compressed, condensed gases
US5456758A (en) * 1993-04-26 1995-10-10 Sematech, Inc. Submicron particle removal using liquid nitrogen
EP0741637B1 (de) 1994-01-31 1999-07-28 Bausch & Lomb Incorporated Verfahren zur behandlung von kontaktlinsen mit superkritischen fluidum
DE69523208T2 (de) * 1994-04-08 2002-06-27 Texas Instruments Inc Verfahren zur Reinigung von Halbleiterscheiben mittels verflüssigter Gase
KR0137841B1 (ko) * 1994-06-07 1998-04-27 문정환 식각잔류물 제거방법
EP0711864B1 (de) * 1994-11-08 2001-06-13 Raytheon Company Trockenreinigung von Kleidungstücken unter Verwendung von Gasstrahlverwirbelung
DE69520687T2 (de) * 1994-11-09 2001-08-23 R R Street & Co Verfahren und system zur aufbereitung von unter druck stehenden flüssigen lösungsmitteln zur reinigung von substraten
US5711820A (en) * 1994-12-20 1998-01-27 Allied Signal, Inc. Method to separate and recover oil and plastic from plastic contaminated with oil
JPH08238463A (ja) * 1995-03-03 1996-09-17 Ebara Corp 洗浄方法及び洗浄装置
US6148644A (en) 1995-03-06 2000-11-21 Lever Brothers Company, Division Of Conopco, Inc. Dry cleaning system using densified carbon dioxide and a surfactant adjunct
US5676705A (en) * 1995-03-06 1997-10-14 Lever Brothers Company, Division Of Conopco, Inc. Method of dry cleaning fabrics using densified carbon dioxide
DE19509573C2 (de) 1995-03-16 1998-07-16 Linde Ag Reinigung mit flüssigem Kohlendioxid
US5783082A (en) 1995-11-03 1998-07-21 University Of North Carolina Cleaning process using carbon dioxide as a solvent and employing molecularly engineered surfactants
DE19618974A1 (de) * 1996-05-10 1997-11-13 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur Behandlung von Halbleitermaterial
US5756657A (en) * 1996-06-26 1998-05-26 University Of Massachusetts Lowell Method of cleaning plastics using super and subcritical media
US5868856A (en) * 1996-07-25 1999-02-09 Texas Instruments Incorporated Method for removing inorganic contamination by chemical derivitization and extraction
KR19980018262A (ko) * 1996-08-01 1998-06-05 윌리엄 비.켐플러 입출력포트 및 램 메모리 어드레스 지정기술
US5881577A (en) * 1996-09-09 1999-03-16 Air Liquide America Corporation Pressure-swing absorption based cleaning methods and systems
US6039059A (en) * 1996-09-30 2000-03-21 Verteq, Inc. Wafer cleaning system
US5822818A (en) * 1997-04-15 1998-10-20 Hughes Electronics Solvent resupply method for use with a carbon dioxide cleaning system
US6306564B1 (en) 1997-05-27 2001-10-23 Tokyo Electron Limited Removal of resist or residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide
US6500605B1 (en) 1997-05-27 2002-12-31 Tokyo Electron Limited Removal of photoresist and residue from substrate using supercritical carbon dioxide process
TW539918B (en) 1997-05-27 2003-07-01 Tokyo Electron Ltd Removal of photoresist and photoresist residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process
US5904156A (en) * 1997-09-24 1999-05-18 International Business Machines Corporation Dry film resist removal in the presence of electroplated C4's
US6012307A (en) * 1997-12-24 2000-01-11 Ratheon Commercial Laundry Llc Dry-cleaning machine with controlled agitation
US6070440A (en) * 1997-12-24 2000-06-06 Raytheon Commercial Laundry Llc High pressure cleaning vessel with a space saving door opening/closing apparatus
US5850747A (en) * 1997-12-24 1998-12-22 Raytheon Commercial Laundry Llc Liquified gas dry-cleaning system with pressure vessel temperature compensating compressor
US5858107A (en) * 1998-01-07 1999-01-12 Raytheon Company Liquid carbon dioxide cleaning using jet edge sonic whistles at low temperature
US6426136B1 (en) 1998-02-10 2002-07-30 R & D Technology, Inc. Method of reducing material size
US5977045A (en) * 1998-05-06 1999-11-02 Lever Brothers Company Dry cleaning system using densified carbon dioxide and a surfactant adjunct
US6113708A (en) * 1998-05-26 2000-09-05 Candescent Technologies Corporation Cleaning of flat-panel display
US6048369A (en) * 1998-06-03 2000-04-11 North Carolina State University Method of dyeing hydrophobic textile fibers with colorant materials in supercritical fluid carbon dioxide
US5996155A (en) * 1998-07-24 1999-12-07 Raytheon Company Process for cleaning, disinfecting, and sterilizing materials using the combination of dense phase gas and ultraviolet radiation
US6343609B1 (en) 1998-08-13 2002-02-05 International Business Machines Corporation Cleaning with liquified gas and megasonics
US6277753B1 (en) 1998-09-28 2001-08-21 Supercritical Systems Inc. Removal of CMP residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process
US7064070B2 (en) * 1998-09-28 2006-06-20 Tokyo Electron Limited Removal of CMP and post-CMP residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process
JP2000263337A (ja) * 1999-01-13 2000-09-26 Japan Science & Technology Corp 金属部品等の表面改質および洗浄方法およびその装置
US6630032B2 (en) 1999-02-26 2003-10-07 Prowell Technologies, Ltd. Method and apparatus for dislodging accrued deposits from a vessel
US6212916B1 (en) 1999-03-10 2001-04-10 Sail Star Limited Dry cleaning process and system using jet agitation
US6260390B1 (en) 1999-03-10 2001-07-17 Sail Star Limited Dry cleaning process using rotating basket agitation
US6766179B1 (en) * 1999-10-04 2004-07-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Cross-shape layout of chinese stroke labels with lyric
US6558432B2 (en) 1999-10-15 2003-05-06 R. R. Street & Co., Inc. Cleaning system utilizing an organic cleaning solvent and a pressurized fluid solvent
US6755871B2 (en) 1999-10-15 2004-06-29 R.R. Street & Co. Inc. Cleaning system utilizing an organic cleaning solvent and a pressurized fluid solvent
US7097715B1 (en) 2000-10-11 2006-08-29 R. R. Street Co. Inc. Cleaning system utilizing an organic cleaning solvent and a pressurized fluid solvent
US6355072B1 (en) * 1999-10-15 2002-03-12 R.R. Street & Co. Inc. Cleaning system utilizing an organic cleaning solvent and a pressurized fluid solvent
US6748960B1 (en) 1999-11-02 2004-06-15 Tokyo Electron Limited Apparatus for supercritical processing of multiple workpieces
KR100566032B1 (ko) * 1999-11-11 2006-03-30 휴글엘렉트로닉스가부시키가이샤 제진장치
US6776801B2 (en) 1999-12-16 2004-08-17 Sail Star Inc. Dry cleaning method and apparatus
SE515491C2 (sv) * 1999-12-27 2001-08-13 Electrolux Ab Förfarande och anordning för rengörning av porösa material medelst koldioxid
US6663954B2 (en) 2000-01-03 2003-12-16 R & D Technology, Inc. Method of reducing material size
US6261326B1 (en) 2000-01-13 2001-07-17 North Carolina State University Method for introducing dyes and other chemicals into a textile treatment system
IL152376A0 (en) * 2000-04-25 2003-05-29 Tokyo Electron Ltd Method of depositing metal film and metal deposition cluster tool including supercritical drying/cleaning module
JP2001313317A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Ando Electric Co Ltd プローブの清掃方法及び清掃装置
WO2002009147A2 (en) 2000-07-26 2002-01-31 Tokyo Electron Limited High pressure processing chamber for semiconductor substrate
US6676710B2 (en) 2000-10-18 2004-01-13 North Carolina State University Process for treating textile substrates
IL158340A0 (en) * 2001-04-10 2004-05-12 Supercritical Systems Inc High pressure processing chamber for semiconductor substrate including flow enhancing features
US6616769B2 (en) * 2001-09-28 2003-09-09 Air Products And Chemicals, Inc. Systems and methods for conditioning ultra high purity gas bulk containers
US20030062071A1 (en) * 2001-09-28 2003-04-03 Sorbo Nelson W. Dense-phase fluid cleaning system utilizing ultrasonic transducers
US20040040660A1 (en) * 2001-10-03 2004-03-04 Biberger Maximilian Albert High pressure processing chamber for multiple semiconductor substrates
TW497494U (en) * 2001-12-28 2002-08-01 Metal Ind Redearch & Amp Dev C Fluid driven stirring device for compressing gas cleaning system
US20040016450A1 (en) * 2002-01-25 2004-01-29 Bertram Ronald Thomas Method for reducing the formation of contaminants during supercritical carbon dioxide processes
US7138014B2 (en) * 2002-01-28 2006-11-21 Applied Materials, Inc. Electroless deposition apparatus
US6928746B2 (en) * 2002-02-15 2005-08-16 Tokyo Electron Limited Drying resist with a solvent bath and supercritical CO2
US6924086B1 (en) 2002-02-15 2005-08-02 Tokyo Electron Limited Developing photoresist with supercritical fluid and developer
WO2003077032A1 (en) * 2002-03-04 2003-09-18 Supercritical Systems Inc. Method of passivating of low dielectric materials in wafer processing
US6953654B2 (en) 2002-03-14 2005-10-11 Tokyo Electron Limited Process and apparatus for removing a contaminant from a substrate
AU2003220443A1 (en) * 2002-03-22 2003-10-13 Supercritical Systems Inc. Removal of contaminants using supercritical processing
US7169540B2 (en) * 2002-04-12 2007-01-30 Tokyo Electron Limited Method of treatment of porous dielectric films to reduce damage during cleaning
FR2838658B1 (fr) * 2002-04-17 2005-01-28 Dehon Sa Produit pour le nettoyage d'installations frigorifiques, procede et dispositif pour sa mise en oeuvre
JP3949504B2 (ja) * 2002-04-25 2007-07-25 英夫 吉田 母材表面の活性化処理方法および活性化処理装置
DE10236485B4 (de) * 2002-08-09 2012-10-11 Air Liquide Deutschland Gmbh Reinigung von Substratoberflächen mittels CO2 und N2O
US6880560B2 (en) * 2002-11-18 2005-04-19 Techsonic Substrate processing apparatus for processing substrates using dense phase gas and sonic waves
US20040112409A1 (en) * 2002-12-16 2004-06-17 Supercritical Sysems, Inc. Fluoride in supercritical fluid for photoresist and residue removal
US20040177867A1 (en) * 2002-12-16 2004-09-16 Supercritical Systems, Inc. Tetra-organic ammonium fluoride and HF in supercritical fluid for photoresist and residue removal
US7798159B2 (en) * 2002-12-19 2010-09-21 Valerie Palfy At-home integrated cleaning and disinfection system and method for dental hardware
US7191787B1 (en) * 2003-02-03 2007-03-20 Lam Research Corporation Method and apparatus for semiconductor wafer cleaning using high-frequency acoustic energy with supercritical fluid
US20040154647A1 (en) * 2003-02-07 2004-08-12 Supercritical Systems, Inc. Method and apparatus of utilizing a coating for enhanced holding of a semiconductor substrate during high pressure processing
US7237564B1 (en) 2003-02-20 2007-07-03 Lam Research Corporation Distribution of energy in a high frequency resonating wafer processing system
US20040198066A1 (en) * 2003-03-21 2004-10-07 Applied Materials, Inc. Using supercritical fluids and/or dense fluids in semiconductor applications
US20040231707A1 (en) * 2003-05-20 2004-11-25 Paul Schilling Decontamination of supercritical wafer processing equipment
US6938439B2 (en) * 2003-05-22 2005-09-06 Cool Clean Technologies, Inc. System for use of land fills and recyclable materials
US7250374B2 (en) * 2004-06-30 2007-07-31 Tokyo Electron Limited System and method for processing a substrate using supercritical carbon dioxide processing
US20060065288A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Darko Babic Supercritical fluid processing system having a coating on internal members and a method of using
US20060130966A1 (en) * 2004-12-20 2006-06-22 Darko Babic Method and system for flowing a supercritical fluid in a high pressure processing system
US20060134332A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Darko Babic Precompressed coating of internal members in a supercritical fluid processing system
US7434590B2 (en) * 2004-12-22 2008-10-14 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for clamping a substrate in a high pressure processing system
US7140393B2 (en) * 2004-12-22 2006-11-28 Tokyo Electron Limited Non-contact shuttle valve for flow diversion in high pressure systems
US20060135047A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Alexei Sheydayi Method and apparatus for clamping a substrate in a high pressure processing system
US7435447B2 (en) * 2005-02-15 2008-10-14 Tokyo Electron Limited Method and system for determining flow conditions in a high pressure processing system
US20060185693A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Richard Brown Cleaning step in supercritical processing
US20060186088A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Gunilla Jacobson Etching and cleaning BPSG material using supercritical processing
US7550075B2 (en) 2005-03-23 2009-06-23 Tokyo Electron Ltd. Removal of contaminants from a fluid
US7442636B2 (en) * 2005-03-30 2008-10-28 Tokyo Electron Limited Method of inhibiting copper corrosion during supercritical CO2 cleaning
US7399708B2 (en) * 2005-03-30 2008-07-15 Tokyo Electron Limited Method of treating a composite spin-on glass/anti-reflective material prior to cleaning
US20070228600A1 (en) * 2005-04-01 2007-10-04 Bohnert George W Method of making containers from recycled plastic resin
US7253253B2 (en) 2005-04-01 2007-08-07 Honeywell Federal Manufacturing & Technology, Llc Method of removing contaminants from plastic resins
US7789971B2 (en) 2005-05-13 2010-09-07 Tokyo Electron Limited Treatment of substrate using functionalizing agent in supercritical carbon dioxide
US7524383B2 (en) * 2005-05-25 2009-04-28 Tokyo Electron Limited Method and system for passivating a processing chamber
US20080060685A1 (en) * 2006-09-08 2008-03-13 Novak John S Pulsed-gas agitation process for enhancing solid surface biological removal efficiency of dense phase fluids
KR20080065751A (ko) * 2007-01-10 2008-07-15 엘지전자 주식회사 복합 의류 처리 장치
WO2008143839A1 (en) * 2007-05-15 2008-11-27 Eco2 Plastics Method and system for removing pcbs from synthetic resin materials
US20090044828A1 (en) * 2007-08-15 2009-02-19 Brahmbhatt Sudhir R Methods and Systems for Debonding an Undesirable Material from a Device Using Ultrasonic Energy and Liquid Nitrogen
US8043557B2 (en) * 2007-08-15 2011-10-25 American Air Liquide, Inc. Methods and systems for sanitizing or sterilizing a medical device using ultrasonic energy and liquid nitrogen
WO2009076576A2 (en) * 2007-12-12 2009-06-18 Eco2 Plastics Continuous system for processing particles
CN101740337B (zh) * 2008-11-19 2012-03-28 中国科学院微电子研究所 半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机
US7980494B2 (en) * 2008-12-08 2011-07-19 Jorge Zapp System for recycling of HDPE from motor-oil containers
US20100147889A1 (en) * 2008-12-09 2010-06-17 Green Source Automated, Llc System and method for the delivery of a sanitizing foam
EP2315235B1 (de) * 2009-10-21 2019-04-24 IMEC vzw Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung eines Halbleitersubstrats
US9004086B2 (en) 2010-11-04 2015-04-14 Lam Research Corporation Methods and apparatus for displacing fluids from substrates using supercritical CO2
US10569309B2 (en) * 2015-12-15 2020-02-25 General Electric Company Equipment cleaning system and method
CN109019752A (zh) * 2018-07-03 2018-12-18 江苏大学 一种利用激光空化处理有机废水的装置和方法
KR20210094563A (ko) * 2018-11-19 2021-07-29 센스 머티리얼즈 엘티디. 공동화를 통한 소규모 재료의 분산
CN111618036B (zh) * 2020-06-28 2023-10-03 华东交通大学 一种两步法线缆超声自动清洗设备
CN112404045B (zh) * 2020-11-04 2022-01-28 山东西海建设集团有限公司 一种钢板桩冻土清理设备
CN112642797B (zh) * 2020-12-04 2022-12-09 天津市晟昇钢结构有限公司 一种h型钢表面除锈处理工艺

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2828231A (en) * 1954-03-31 1958-03-25 Gen Electric Method and apparatus for ultrasonic cleansing
US3058014A (en) * 1958-09-08 1962-10-09 Bendix Corp Apparatus for generating sonic vibrations in liquids
US4012194A (en) * 1971-10-04 1977-03-15 Maffei Raymond L Extraction and cleaning processes
JPS55119181A (en) * 1979-03-07 1980-09-12 Nippon Steel Corp Cleaning of steel plate surface by laser irradiation
WO1984002291A1 (en) * 1982-12-06 1984-06-21 Hughes Aircraft Co Method of cleaning articles using super-critical gases
US4692982A (en) * 1986-05-22 1987-09-15 Rice Norman B Lining removal process
US4797178A (en) * 1987-05-13 1989-01-10 International Business Machines Corporation Plasma etch enhancement with large mass inert gas
US4990260A (en) * 1988-01-28 1991-02-05 The Water Group, Inc. Method and apparatus for removing oxidizable contaminants in water to achieve high purity water for industrial use
US4906387A (en) * 1988-01-28 1990-03-06 The Water Group, Inc. Method for removing oxidizable contaminants in cooling water used in conjunction with a cooling tower
US5013366A (en) * 1988-12-07 1991-05-07 Hughes Aircraft Company Cleaning process using phase shifting of dense phase gases
US5068040A (en) * 1989-04-03 1991-11-26 Hughes Aircraft Company Dense phase gas photochemical process for substrate treatment
US5062898A (en) * 1990-06-05 1991-11-05 Air Products And Chemicals, Inc. Surface cleaning using a cryogenic aerosol

Also Published As

Publication number Publication date
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JP2644169B2 (ja) 1997-08-25

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