DE69233595T2 - Elektrisch leitfähige zusammensetzungen und verfahren zur herstellung derselben und anwendungen - Google Patents

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Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft elektrisch leitende Klebstoffzusammensetzungen, die sich für eine Mehrzahl von Anwendungen eignen, sowie Verfahren zur ihrer Herstellung und Verwendung.
  • In den letzten Jahren haben elektronische Vorrichtungen zunehmend gedruckte Schaltungen eingesetzt, die unter Verwendung elektrisch leitender Klebstoffzusammensetzungen hergestellt werden, die allgemein als Polymer-Dickfilmpasten bekannt sind. Dieses Verfahren ist viel kostengünstiger und effizienter als andere bekannte Verdrahtungsverfahren (wie beispielsweise chemisches Ätzen oder Plattieren von Kupferfolie). Der Großteil der elektrisch leitenden Klebstoffzusammensetzungen, die zurzeit in Gebrauch sind, haben die Form wärmehärtender oder thermoplastischer Harzpasten mit Silber- oder Kupferpulver als Leiter. Unglücklicherweise sind die bisher bekannten elektrisch leitenden Klebstoffzusammensetzungen im Hinblick auf Leitfähigkeit, Adhäsion und Lötfähigkeit mit Kupferfolienverdrahtung nicht vergleichbar. Die metallgefüllten Pasten leiden auch an einer Verschlechterung der elektrischen Leitfähigkeit mit dem Altern nach dem Härten, und sie reagieren schlecht auf Temperatur- und Feuchtigkeitsschwankungen. Es wird spekuliert, dass diese Probleme zum großen Teil durch die hohen Silber- oder Kupferpulverbeladungen verursacht werden, die erforderlich sind, damit eine annehmbare elektrische Leitfähigkeit erhalten wird.
  • Um diese Nachteile zu überwinden, wurde vorgeschlagen, in den Metallpulver-Harz-Formulierungen ein Lötpulver zu dispergieren, das einen Schmelzpunkt bei oder unterhalb der Verglasungstemperatur des Harzes hat. Der Zweck des Lötmittels ist, die Kupfer- oder Silberpartikel zusammenzusintern, bevor das Harz gehärtet wird, wodurch feste elektrisch leitende Brücken zwischen ihnen hergestellt werden. Derartige Formulierungen haben eine etwas bessere elektrische Leitfähigkeit und Lötfähigkeit gezeigt. Dennoch lei den auch die vorgeschlagenen Zusammensetzungen, die Lötpulver enthalten, an signifikanten Problemen, die ihre kommerzielle Anwendung verhindert haben.
  • Ein solches Problem betrifft die Verwendung von Flussmitteln. Im Allgemeinen erfordert das Zusammenlöten der Metallpartikel Flussmittel, um Metalloxide zu entfernen und das Benetzen des Metallfüllstoffs durch das schmelzflüssige Lötmittel zu fördern. Der Metallfüllstoff besteht gewöhnlich aus vielen kleinen, unregelmäßig geformten Partikeln. Diese Zusammensetzungen haben eine beträchtlich Oberfläche, die von natürlicherweise vorkommenden Oxiden befreit werden muss; insbesondere die kleinen Partikel, die zur Erzeugung feiner Spuren auf gedruckten Schaltungen benötigt werden, haben proportional große Oberflächen, die desoxidiert werden müssen. Die bisher bekannten Zusammensetzungen erfordern gewöhnlich die Zugabe erheblicher Mengen an Fluss- oder Aktivierungsmitteln, wie organischen und anorganischen Säuren und deren Salzen, zu dem Zusammensetzungen, damit die erforderliche Flussmittelstärke erzielt wird. Beispiele für übliche Flussmittel, die allgemein verwendet werden, sind u.a. Abietinsäure, Stearinsäure, Salzsäure, Aminhydrochlorid und Aminharze.
  • Schwache Flussmittel, wie die meisten organischen Säuren, reinigen die großen Oberflächen, die die Metallpartikel aufweisen, nicht angemessen. Elektrisch leitende Zusammensetzungen ohne stark aktivierende Flussmittel erzeugen schlechte Leiter, so schlecht wie ihre Polymer-Dickfilmpasten-Vorläufer. Deshalb sind starke Flussmittel erforderlich, und es wurde im Stand der Technik gezeigt, dass die stärksten Säuren (wie die Aminhydrochloride) die besten Flussmittel sind. Unglücklicherweise sind diese starken Flussmittel schädlich für die Zusammensetzungen nach dem Härten, was Probleme mit der Adhäsion und der Langzeitstabilität erzeugt. Die Zugabe stark saurer Flussmittel zu den Zusammensetzungen erhöht deutlich die Leitfähigkeit, aber die Säuren bleiben korrosiv, nachdem die Zusammensetzungen gehärtet wurden; die verbleibenden korrosiven Flussmittel verschlechtern dann die gehärteten Zusammensetzungen auf den gedruckten Schaltungen. Sie können auch, insbesondere unter Bedingungen mit hoher Feuchtigkeit, andere Komponenten auf einer gedruckten Leiterplatte schädigen.
  • Das Vorliegen der starken Flussmittel in den Zusammensetzungen während und nach dem Härten verringert außerdem ihre Adhäsionsstärke. Delaminierung und schlechte Schälbeständigkeit sind Kennzeichen von Zusammensetzungen, die die am stärksten sauren Flussmittel umfassen. Diese Mängel entstehen durch die Wirkung der Flussmittel auf die eingesetzten Harze. Eine Wirkung ist, dass Flussmittel aus anorganischer Säure oder Salz dazu neigen, die Polymerketten des Harzes während des Härtens aufzubrechen. Organische Flussmittel mit einzelnen Säuregruppen, wie Abietinsäure (der Hauptkomponente von Kolophonium-Flussmittel), neigen dazu, die Quervernetzung des Harzes durch Termination von Polymerketten zu verringern. Weil ein hoher Quervernetzungsgrad für eine hohe Kohäsions- und Adhäsionsstärke der Zusammensetzung wesentlich ist, verringern Flussmittel, die dazu neigen, die Polymerisation zu terminieren oder lange Polymerketten aufzubrechen, dazu, sowohl die Adhäsion als auch die Kohäsion der gehärteten Zusammensetzung zu verringern.
  • Eine weitere, im Stand der Technik bekannte Technik zur Verringerung des Auftretens von Metalloxidbildung ist, die Metallpartikel mit Lötmittel vorzubeschichten. Vorbeschichten erhöht die Benetzung der Metallpartikel durch das Lötmittel im schmelzflüssigen Zustand. Der Einsatz beschichteter Partikel beseitigt jedoch nicht den Bedarf an starken Flussmitteln, besonders wenn die Zusammensetzungen Metallpartikel mit Durchmessern unter 20 Mikron enthalten. Vorbeschichten der Metallpartikel mit Lötmittel trägt ferner zu den Kosten des Produkts bei, während nur eine unbeständige Verbesserung erzeugt wird.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, elektrisch leitende Klebstoffzusammensetzungen bereitzustellen, die die Nachteile der bisher bekannten Materialien überwinden.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Erfindungsgemäß werden elektrisch leitende Klebstoffzusammensetzungen bereitgestellt, die, ganz allgemein gesagt, ein Metallpulver mit hohem Schmelzpunkt, ein Lötpulver, ein chemisch oder mechanisch geschütztes Quervernetzungsmittel mit Flussmitteleigenschaften und ein reaktives Monomer oder Polymer oder ein Harz umfassen.
  • Die Zusammensetzungen können als verbesserte leitende Klebstoffe eingesetzt werden, beispielsweise zur Befestigung elektrischer Komponenten an elektrischen Schal tungen. Weil die Zusammensetzungen Metallpulver umfassen, eignen sie sich ideal zur Erzeugung der Leitungsbahnen auf gedruckten Schaltungen.
  • Die Zusammensetzungen zur Herstellung von Leitungsbahnen können zuerst in dem gewünschten Muster einer elektrischen Schaltung auf ein Substrat aufgebracht und dann zum Härten erhitzt werden. Während des Erhitzens verflüssigt die Einwirkung des Quervernetzungsmittels und des optionalen reaktiven Monomers oder Polymers in dem Gemisch die Metalle, wodurch das Auftreten von Sintern zwischen dem Metallpulver und dem Lötpulver ermöglicht wird. Aus diesem Grund liefert die Zusammensetzung eine überragende elektrische Leitfähigkeit mit wenig Gelegenheit für eine Leitfähigkeitsverschlechterung aufgrund von Oxidation, Korrosion oder Wärmeausdehnung und Kontraktion.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die Erfindung kann anhand der beigefügten Zeichnungen besser verstanden werden, in denen:
  • 1 die Wirkungen der Variation von Legierungen auf die Leitfähigkeit der endgültigen Zusammensetzung veranschaulicht;
  • 2 die Wirkungen relativer Konzentrationsveränderungen auf die spezifischen Widerstände für eine bevorzugte Probezusammensetzung zeigt;
  • 3 die Wirkung der Zugabe eines dritten Metall- oder Metalllegierungspulvers, das Metalle mit hohem Schmelzpunkt enthält, die sich in dem schmelzflüssigen Lötpulver leicht lösen, veranschaulicht;
  • 4 ein schematisches Diagramm einer Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler-Schaltung ist und
  • 5 ein gedrucktes Schaltungsmuster für die in 4 dargestellte Wandler-Schaltung ist.
  • Eingehende Beschreibung der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung wurde nicht nur dazu gestaltet, die Nachteile der bisher bekannten Zusammensetzungen zu überwinden, sondern auch um eine leitende Klebstoffzusammensetzung mit den folgenden vorteilhaften Eigenschaften bereitzustellen:
    • (a) eine elektrische Masseleitfähigkeit, die derjenigen von festem Kupfer nahe kommt (die mit den Zusammensetzungen des Standes der Technik nie erreicht wurde);
    • (b) gute Lötfähigkeit der gehärteten Zusammensetzungen, ohne dass die erhaltenen gehärteten Zusammensetzungen beschichtet werden müssen;
    • (c) Adhäsionsstärken, die mit kupferbeschichteten FR4-Epoxy-Leiterplattenlaminaten vergleichbar sind; und
    • (d) hoch-korrosionsbeständige Endprodukte mit Beständigkeit gegenüber Verschlechterung bei hohen Temperaturen und relativen Feuchtigkeiten. Bisher war es nicht möglich, diese Kombination von Eigenschaften in einer einzigen Zusammensetzung zu erzielen.
  • Als leitfähiger Klebstoff können die erfindungsgemäßen Zusammensetzungen viele wünschenswerte Eigenschaften bieten. Die elektrische Leitfähigkeit der erfindungsgemäßen Zusammensetzungen ist besser als bei bekannten leitenden Polymer-Dickfilmen. Im Gegensatz zu Polymer-Dickfilmen des Standes der Technik sind die erfindungsgemäßen Zusammensetzungen außerdem in der Regel lötfähig. Die Zusammensetzungen können mit größerer Präzision als gegenwärtige Lötpasten siebgedruckt werden. Im Gegensatz zu gegenwärtigen Lötpasten zeigen sie weniger Neigung zur Bildung von Löt-"Satelliten" und Brückenbildung. Nach dem Härten sind Reinigung oder Waschen zur Flussmittelentfernung nicht erforderlich.
  • Die Adhäsionseigenschaften, die mechanische Integrität und die Korrosionsbeständigkeit der erfindungsgemäßen Zusammensetzungen sind weit besser als diejenigen von Zusammensetzungen des Standes der Technik, weil kein Bedarf besteht, aggressive Flussmittel zuzufügen. Die Zusammensetzungen sind vollständig quervernetzt, und ihre sämtlichen Komponenten sind nach dem Härten chemisch immobilisiert. Sogar die Reaktionsnebenprodukte des Flussmittel-Desoxidierung der Metalle scheinen in der Polymermatrix chemisch gebunden zu sein. Das Vorliegen von reaktivem Monomer in der Zusammenset zung regelt die Härtungsrate des Harzes, was eine starke Adhäsion der Zusammensetzung auf dem Leiterplattensubstrat nach dem Härten gewährleistet. Bei bestimmten Formulierungen ist Löten der gehärteten Zusammensetzung möglich.
  • Die erfindungsgemäße Materialzusammensetzung umfasst:
    • (1) 13–83 Vol.-% eines Metallpulvers mit einem hohen Schmelzpunkt, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Kupfer, Silber, Aluminium, Gold, Platin, Palladium, Beryllium, Rhodium, Nickel, Kobalt, Eisen, Molybdän und Legierungen mit hohem Schmelzpunkt davon (wobei Werte nahe 13% Zusammensetzungen sind, die sich als Lötpasten eignen);
    • (2) 6–29 Vol.-% eines Lötpulvers, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Sn, Bi, Pb, Cd, Zn, Ga, In, Te, Hg, Tl, Sb, Se, Po, Legierungen davon und anderen Metallen mit einem Schmelzpunkt unterhalb dem des hochschmelzenden Metallpulvers;
    • (3) 0–15 Vol.-% eines Harzes (wobei Werte nahe 0% Zusammensetzungen sind, die sich als Lötpasten eignen);
    • (4) 30–52 Vol.-% eines chemisch oder mechanisch geschützten Quervernetzungsmittels mit Flussmitteleigenschaften; und
    • (5) 0–32 Vol.-% eines reaktiven Monomers oder Polymers;
    unter der Bedingung, dass die Zusammensetzung entweder das Harz (3) und/oder das reaktive Monomer oder Polymer (5) enthält, oder alternativ das Harz (3) und/oder das reaktive Monomer oder Polymer (5) mit dem chemisch oder mechanisch geschützten Quervernetzungsmittel mit Flusseigenschaften (4) zu einer einzelnen Spezies der Zusammensetzung zusammengefasst werden kann.
  • Die Zusammensetzungen enthalten häufig auch mindestens ein Lösungsmittel; sie können auch andere Additive enthalten, um bestimmte Eigenschaften zu verbessern, wie die Adhäsion oder Lötfähigkeit. Vorzugsweise sind die Komponenten (3), (4) und/oder (5) halogeniert.
  • Bei der Herstellung der Zusammensetzung können die Anteile der Komponenten (1)–(5) plus ein Lösungsmittel über einen erheblichen Bereich variiert werden und immer noch nach dem Härten ein elektrisch leitendes Material ergeben.
  • Die Zusammensetzung hat einen elektrischen Bahnwiderstand von etwa 3 × 10–5 oder weniger. Diese Eigenschaften können durch zahlreiche Formulierungen mit den Komponenten (1)–(5) innerhalb der obengenannten Bereiche erfüllt werden.
  • Zwar können einige der Zusammensetzungen innerhalb dieser Bereiche Schrumpfen und Reißen oder Zusammenballen beim Härten zeigen, aber sie bleiben trotzdem als leitende Klebstoffe bei Anwendungen geeignet, bei denen diese Eigenschaften harmlos sind.
  • Üblicherweise ist das Metallpulver (1) mit einem hohem Schmelzpunkt Kupferpulver, aber andere Metalle, wie Silber, Aluminium, Gold, Platin, Palladium, Beryllium, Rhodium, Nickel, Kobalt, Eisen, Molybdän, und Legierungen dieser Metalle mit einem hohen Schmelzpunkt können alternativ eingesetzt werden. Vorzugsweise ist das Kupferpulver kugelförmig oder fast kugelförmig, wie mittels Gasatomisierung hergestellt. Elektrolytische Pulver oder Flocken, die im Stand der Technik empfohlen werden, sind aus mehreren Gründen nicht wünschenswert. Unregelmäßig geformte Pulverpartikel neigen zu einer schwammartigen Morphologie, was die oxidierte Oberfläche verglichen mit kugelförmigen Partikeln erheblich vergrößert. Unregelmäßige Partikel sind ferner mit schmelzflüssigem Metall schwieriger zu schmelzen und zu benetzen. Sie führen zu Zusammensetzungen mit schlechterer elektrischer Leitfähigkeit.
  • Ein kugelförmiges Pulver, das eine breite Verteilung von Partikelgrößen enthält, die etwa normal um einen durchschnittlichen Partikeldurchmesser verteilt sind, ist gegenüber Kugeln einer Größe bevorzugt. Die breite Verteilung der Größen erhöht die Dichte des gepackten Metallpulvers verglichen mit Kugeln einer Größe, was die elektrische Leitfähigkeit und mechanische Integrität verbessert. Das Pulver hat gewöhnlich einen durchschnittlichen Teilchendurchmesser von 1 bis 50 Mikron. Das bevorzugte Pulver hat einen mittleren Partikeldurchmesser von 10–30 Mikron.
  • Am stärksten bevorzugt wird das Pulver vor der Verwendung in einem Wasserstoffofen bei mindestens 300°C für etwa 10 Minuten desoxidiert. Es wurde gezeigt, dass Entfernen der natürlich vorkommenden Oberflächenoxide aus den Kupferpartikeln eine deutliche Verbesserung bei dem erhaltenen spezifischen Widerstand der endgültigen gehärteten Zusammensetzungen erbringt.
  • In der Regel hat das Lötpulver einen mittleren Partikeldurchmesser von 1–40 Mikron; vorzugsweise ist der durchschnittliche Partikeldurchmesser kleiner oder gleich dem durchschnittlichen Durchmesser der Metallpartikel mit einem hohen Schmelzpunkt, und die Partikelgrößenverteilung ist im Wesentlichen die gleiche wie diejenige des Metallpulvers mit einem hohen Schmelzpunkt. Die hauptsächliche Anforderung an die Legierung ist, dass sie in der Zusammensetzung vor der Verglasung der Polymere in der Zusammensetzung fließt. Damit dies eintritt, muss die Lötlegierung Kupfer leicht benetzen. Aus diesem Grund sind Zinnlegierungen ideal. Vorzugsweise besteht das Lötpulver aus Sn und Pb.
  • Das Harz bewirkt im Prinzip die Adhäsion der gehärteten Zusammensetzung am Substrat, die Bereitstellung chemischer Bindungsstellen für die Reaktionsprodukte nach dem Härten und die Erhöhung der Kohäsionsstärke der gehärteten Zusammensetzung. Das Harz wirkt auch als Medium zum Zuführen von Flussmittel zu dem Metallpulver, als verdickendes Bindemittel für die Zusammensetzung und als Medium zur Erhöhung der Glasübergangstemperatur der gehärteten Zusammensetzung. Damit die Zusammensetzung die höchsten elektrischen Leitfähigkeiten erzielt, muss sie eine niedrige Viskosität erreichen und bis zu der Temperatur, an der das Lötpulver schmilzt und das Kupferpulver benetzt, beibehalten. Wenn das Harz zu dick wird, bevor das Lötpulver geschmolzen ist, wird es den Fluss der Schmelze behindern und den Grad des Metallpulverlötens verringern. Aus diesem Grund muss das Härten des Harzes verglichen mit der Zeit, die benötigt wird, um den Schmelzpunkt des Lötpulvers zu erreichen, langsam erfolgen.
  • Das Harz (3) kann jedes Harz sein, dass durch das Härtungsmittel, einen Metallkatalysator oder ein Hydroxylgruppen tragendes Mittel quervernetzt werden kann. Harze, die dieser Anforderung genügen, umfassen, sind aber nicht beschränkt auf, Epoxyverbindungen, Phenole, (sowohl kresolische als auch phenoliche) Novolake, Polyurethane, Polyimide, Bismaleinimide, Maleinimide, Cyanatester, Polyvinylalkohole, Polyester und Polyharnstoffe. Andere Harzsysteme können derart modifiziert werden, dass sie durch das Härtungsmittel, einen Metallkatalysator oder ein Hydroxylgruppen tragendes Mittel quervernetzt werden können. Beispiele für solche Harze sind Acryle, Gummen (Butyl-, Nitril- usw.), Polyamide, Polyacrylate, Polyether, Polysulfone, Polyethylene, Polypropylene, Polysiloxane, Polyvinylacetate/Polyvinylester, Polyolefine, Cyanoacrylate und Polystyrole. Gewöhnlich kann jedes Harz bei dieser Erfindung funktionieren, wenn das Harz derart modifiziert werden kann, dass es mindestens eine der folgenden funktionellen Gruppen trägt: Anhydride, Carbonsäuren, Amide, Imide, Amine, Alkohole/Phenole, Aldehyde/Ketone, Nitroverbindungen, Nitrile, Carbamate, Isocyanate, Aminosäuren/Peptide, Thiole, Sulfonamide, Semicarbazone, Oxime, Hydrazone, Cyanhydrine, Harnstoffe, Phosphorester/-säuren, Thiophosphorester/-säuren, Phosphonester/-säuren, Phosphite, Phosphonamide, Sulfonester/-säuren oder andere funktionelle Gruppe, von denen dem Fachmann bekannt ist, dass sie als reaktive Stellen für die Polymerisation wirken. Zum Beispiel ist ein Polyolefin als Harz bei dieser Erfindung nicht geeignet, weil es keine reaktiven Stellen für die Bindung hat und schlechte Adhäsionseigenschaften aufweist; ein carboxyliertes Polyolefin funktioniert jedoch gut, wenn es mit einem geeigneten Quervernetzungsmittel zusammen verwendet wird. Eine Kombination dieser und anderer Harze, wie nicht quervernetzbarer Thermoplastharze, kann ebenfalls als Komponente (3) verwendet werden. Erfindungsgemäß ist ein Epoxyharz, wie das Reaktionsprodukt aus Epichlorhydrin und Bisphenol A, in Kombination mit einem phenolischen Epoxyharz bevorzugt.
  • Das Hauptmerkmal der Quervernetzungsmittels ist, dass es in seiner ungeschützten Form als eine Säure oder eine starke Base wirkt. Die meisten Säuren und starken Basen funktionieren gut als Flussmittel, weil sie Oxide aus Metallen entfernen können. Wenn sie jedoch in ihrer reaktiven Form in der Zusammensetzung belassen werden, würden sie das Harz vorzeitig quervernetzen oder bei Reaktionen mit den Metallpulvern aufgebraucht werden. Die hauptsächliche Eigenschaft eines geschützten Härtungsmittels bei dieser Erfindung ist, dass es größtenteils unreaktiv verbleibt, bis es benötigt wird, um das Metallpulver zu verflüssigen und das Harz querzuvernetzen. Ein Schutz kann durch chemische Bindung des Mittels mit einer chemisch oder thermisch induzierten Spezies erreicht werden, so dass es nur an dem oder nahe bei dem Zeitpunkt reaktiv wird, wenn das Lötpulver schmilzt. Ein Schutz kann auch mechanisch erzielt werden, zum Beispiel durch Einkapseln des Härtungsmittels in einer Schale aus nicht-reaktivem Material, die das Härtungsmittel nur an dem oder nahe bei dem Schmelzzeitpunkt des Lötpulvers freisetzt.
  • Im Stand der Technik bekannte Quervernetzungsmittel (4) umfassen Anhydride, Carbonsäuren, Amide, Imide, Amine, Alkohole/Phenole, Aldehyde/Ketone, Nitroverbin dungen, Nitrile, Carbamate, Isocyanate, Aminosäuren/Peptide, Thiole, Sulfonamide, Semicarbazone, Oxime, Hydrazone, Cyanhydrine, Harnstoffe, Phosphorester/-säuren, Thiophosphorester/-säuren, Phosphonester/-säuren, Phosphite, Phosphonamide oder andere Mittel, von denen dem Fachmann bekannt ist, dass sie Polymere härten und sauer oder stark basisch sind. Schutzgruppen sind in der Regel spezifisch für das eingesetzte Härtungsmittel und sind nicht allgemein auf alle Härtungsmittel anwendbar. Übliche Schutzgruppen sind u.a. Carbonsäuren, Amide, Alkohole, Alkylhalogenide, Säurehalogenide, Thiole, Harnstoffe, Alkylsilane, Diazoalkane und Olefine. Zusätzlich können die Härtungsmittel durch Bildung von Azomethanen, Acetalen, Ketalen, Übergangsmetallkomplexen oder anderen Härtungsmittelvorläufern geschützt werden. Es gibt viele dieser Schutzgruppen und Komplexe, die für die geschützten Härtungsmittel spezifisch sind.
  • Ein erfindungsgemäß bevorzugtes Quervernetzungsmittel (4) umfasst ein Gemisch, das ein Mono- oder Polyanhydrid enthält. Phthalsäureanhydride sind bevorzugt. Es ist von besonderer Bedeutung, dass der Großteil des Anhydrids vor der Reaktion mit dem Harz (3) und den Metallpulvern (1) und (2) geschützt wird, bis die Fließtemperatur von (2) erreicht ist. Dies kann beispielsweise durch chemische Bindung einer Schutz- oder Inhibitorgruppe an das Anhydrid erreicht werden. Die Schutzgruppe wird vorzugsweise derart ausgewählt, dass das geschützte Anhydrid bei erhöhter Temperatur reaktiv wird. Ein Verfahren zum Schützen des Anhydrids ist, es mit einem Alkohol oder Polyol unter Bildung der Monoestersäure und ihrer Derivate wie folgt zu verestern:
  • Figure 00100001
  • Butylcarbitol, Methanol, Ethylenglycol, Glycerol, meso-Erythritol, Adonitol und Sorbitol sind einige Beispiele für veresternde Alkohole und Polyole, die eingesetzt werden können. Außerdem können auch andere Schutzgruppen eingesetzt werden, die dem Fachmann ebenfalls bekannt sind.
  • Glycerol ist ein bevorzugter veresternder Polyol, der eine Zusammensetzung erzeugt, die eine optimale elektrische Leitfähigkeit bei gemäßigten Temperaturen erreicht. Der bevorzugte Anhydridester ist (2,3-Dihydroxypropyl)wasserstoff-phthalat, der geeigneterweise durch Erhitzen von Phthalsäureanhydrid in Glycerol bei 180–200°C in Gegenwart einer Spur einer Säure oder von Wasser, bis die Konzentration des Monoesters ein Gleichgewicht erreicht, hergestellt wird. Das erhaltene Gemisch, das Anhydride, Monoestermonosäure, Disäure und andere Reaktionsprodukte umfasst, kann in bevorzugten Zusammensetzungen direkt als das Quervernetzungs-mittel/Flussmittel eingesetzt werden.
  • Es wird angenommen, dass die veresterten Anhydride bei erhöhten Temperaturen und/oder durch Wechselwirkung mit den Metalloxiden chemisch induziert werden. Das Anhydrid und seine Schutzgruppe werden derart ausgewählt, dass sie die Oxide auf der Oberfläche der Metallpartikel auf aggressive Weise chemisch angreifen, aber trotzdem nach dem Härten unreaktiv bleiben. Die Metalloxide werden anscheinend nach dem Härten im Harzsystem chemisch immobilisiert, was sie daran hindert, ätzende Salze und Säuren zu bilden. Ferner kann die Aggressivität des Quervernetzungsmittels beim Angreifen der Metalloxide durch Auswahl des Quervernetzungsmittels und seiner Schutzgruppe chemisch verändert und derart zugeschnitten werden, dass sie sowohl zu dem Schmelzpunkt des Lötmittels (2) und dem Typ des zu verflüssigenden Metalls (1) passt.
  • Das reaktive Monomer (5) bewirkt die Adhäsion der gehärteten Zusammensetzung am Substrat, um chemische Bindungsstellen für die Reaktionsprodukte nach dem Härten bereitzustellen, und einer Erhöhung der Kohäsionsstärke der gehärteten Zusammensetzung. Es dient auch zur Verlangsamung des Härtens der Zusammensetzung, wodurch während des Härtens ein Mediumhintergrund mit niedriger Viskosität beibehalten wird. Das Monomer kann auch als Medium zum Zuführen von Flussmittel zu dem Metallpulver, als verdickendes Bindemittel für die Zusammensetzung und als Medium zur Verringerung der Glasübergangstemperatur der gehärteten Zusammensetzung wirken, wenn gewünscht. Wenn es mit einem Harz (3) verwendet wird, kann das Monomer die Verglasung des Harzes verlangsamen, so dass eine gute Benetzung des Metallpulvers (1) durch das schmelzflüssige Metall (2) ermöglicht wird. Es kann auch die Glasübergangstemperatur des gehärteten Harzes senken, um das Löten der Zusammensetzung nach dem Härten zu fördern.
  • Das Monomer kann jede monomere oder polymere Spezies sein, die durch das Härtungsmittel, einen Metallkatalysator oder ein Hydroxylgruppen tragendes Mittel quervernetzt werden kann. Gewöhnlich unterscheiden sie sich von den Harzen dadurch, dass sie relativ niedrige Molekulargewichte haben. Das bevorzugte reaktive Monomer (5) enthält mindestens eine -OH-Gruppe und vorzugsweise zwei oder mehrere -OH-Gruppen als reaktive Stelle(n) für die Verbindung mit Quervernetzungsmitteln und dem Harz. Die -OH-Gruppen in dem Monomer können auch als Antioxidantien für die Metalle während der Hochtemperaturhärtung der Zusammensetzung dienen. Ein leicht saures Monomer ist bevorzugt. Wenn sie mit einem veresterten Anhydrid-Härtungsmittel verwendet wird, neigt die Säure dazu, die Zersetzung des veresterten Anhydrids abzupuffern, was dieses in seiner geschützten Form hält, bis erhöhte Härtungstemperaturen erreicht sind. Die Säure wirkt auch als Konservierungsmittel für die Metallpulver und verhindert, dass diese durch Hydrolyse oxidieren, wodurch die Haltbarkeitsdauer der ungehärteten Zusammensetzung verlängert wird. Ein bevorzugtes reaktives Monomer ist Bisphenol A.
  • Halogenierung der Komponenten (3)–(5) ist in einigen Fällen bevorzugt, um ihre Reaktivitäten in der Zusammensetzung zu erhöhen. Ein halogeniertes Harz (3) kann zum Beispiel durch Umsetzen von Tetrabrombisphenol A mit Epichlorhydrin hergestellt werden. Von solchen Harzen, für die ein Beispiel von Shell Chemical Company, Anaheim, CA, als Shell EPON 1123-A80 erhältlich ist, wurde gefunden, dass sie die Leitfähigkeit der gehärteten Zusammensetzung verstärken. Epon 1123-A80 wird in Form einer Lösung von 80 ± 1 Gew.-% Feststoffen in Aceton mit den folgenden Eigenschaften geliefert: einer Viskosität von 8–18 poise; einem Epoxid-Äquivalentgewicht von 420–445 und einem Bromgehalt von 18–21 Gew.-%. Zusätzliche Informationen im Hinblick auf die Epon-Reihe von Harzen sind von Shell Chemical Company erhältlich; zusätzliche Informationen im Hinblick auf die Harze der DOW-DEN- und -DER-Reihen sind von Dow Chemical Company, Midland, MI, erhältlich. Natürlich sind diese kommerziell erhältlichen Harze nur veranschaulichend für Epoxy- und Epoxy-Novolak-Harze, die erfindungsgemäß vorteilhaft eingesetzt werden können.
  • Eine Halogenierung des Anhydridesters erzeugt ein reaktiveres Anhydrid und stabilere Ester. Als bevorzugte Ausführungsform wurde gefunden, dass Bromierung die Flussmittelwirkung des Härtungsmittels, (2,3-Dihydroxypropyl)wasserstofftetrabromphthalat, verstärkt. Halogenierung des reaktiven Monomers kann auch dazu dienen, seine Azidität zu erhöhen und damit die vorstehend beschriebenen Eigenschaften zu verstärken. Ein bevorzugtes halogeniertes Monomer (5) ist Tetrabrombisphenol A. Halogenierung aller Bestandteile kann jedoch für den spezifischen Widerstand schädlich sein. Die bevorzugte Formulierung beinhaltet Halogenierung des Harzes und entweder des Monomers oder des Anhydridesters.
  • Es wird beobachtet, dass nach dem Härten das Löten von elektronischen Komponenten an die Zusammensetzung mit bestimmten Formulierungen möglich ist. Der Leiter (Metallpulver) in der gehärteten Zusammensetzung ist mit einer dünnen Schicht von gehärtetem Harz bedeckt. Es wird angenommen, dass die Fähigkeit von schmelzflüssigem Lötmittel, die gehärtete Zusammensetzung zu benetzen, von der Zugfestigkeit der Bindung zwischen den Metallpulvern und dem umgebenden quervernetzten Polymer abhängt. Benetzen des Leiters durch zusätzliches schmelzflüssiges Lötmittel ist dann möglich, wenn das Polymer während der Lötarbeitsschritte von dem schmelzflüssigen Lötmittel entfernt werden kann.
  • Die Fähigkeit von schmelzflüssigem Lötmittel, die gehärtete Zusammensetzung zu benetzen, wird anscheinend von der Bindungsstärke zwischen dem Metall und dem quervernetzten Polymer beeinflusst. Es wird angenommen, dass das Anhydrid sich während des Härtens vorzugsweise selbst an die Metalloberflächen bindet, so dass es eine Zwischenschicht zwischen dem Metall und dem Harz bildet. Die Stärke der Bindung zwischen dieser Zwischenschicht und dem darunter liegenden quervernetzten Polymer kann bestimmen, wie leicht schmelzflüssiges Lötmittel eindringen kann, um die Oberflächen des Metallleiters in der Zusammensetzung nach dem Härten zu beschichten. Es wird angenommen, dass Anhydride, die freie Quervernetzungsstellen für das Polymer sogar dann beibehalten, wenn sie an die Oberfläche des Metalls gebunden sind, wie Hexafluorisopropyldiphthalsäureanhydrid, zur Quervernetzung mit dem Harz neigen. Somit bilden sie fest gebundene Zwischenschichten, die sehr zähe Zwischenfilme erzeugen. Es wurde beobachtet, dass solche Anhydride schlechte Lötmittelbenetzungseigenschaften aufweisen, wenn sie in diesen Zusammensetzungen eingesetzt werden. Schwach gebundene Anhydride, wie Phthalsäurean hydrid, bilden wahrscheinlich schwach gebundene Zwischenschichten. Anschließend haben sie ausgezeichnete Benetzung durch schmelzflüssiges Lötmittel gezeigt.
  • Die erfindungsgemäßen elektrisch leitenden Klebstoffzusammensetzungen werden geeigneterweise erhalten, indem zuerst das Quervernetzungsmittel hergestellt wird. Üblicherweise wird das Quervernetzungsmittel durch Vereinigen des Anhydrids mit Glycerol (oder einem anderen schützenden Molekül) in einem Molverhältnis von 1:4 hergestellt. Das Gemisch wird, während es mechanisch gerührt wird, auf 180°C unter Stickstoff erhitzt, um die Veresterung zu erzielen. Die Vollständigkeit dieser Umsetzung kann unter Verwendung von Infrarot-Spektroskopie verfolgt werden. Eine scharfe Singulettbande bei 1800 cm–1 verschwindet, während die Umsetzung voranschreitet, und wird durch eine breite Singulettbande bei etwa 1740–1750 cm–1 ersetzt. Die Veresterung von Tetrabromphthalsäureanhydrid mit Glycerol ist unter diesen Bedingungen nach etwa 2–4 Stunden beendet.
  • Schließlich wird eine Lösung des Harzes in dem gewünschten Lösungsmittel, wenn benötigt, hergestellt. Eine Lösung des Harzes kann hergestellt werden, indem es in dem gewünschten Lösungsmittel gelöst und das ursprüngliche Lösungsmittel des Herstellers, in der Regel Aceton oder Methylethylketon (MEK), abgekocht wird. Wenn Butylcarbitol das gewählte Lösungsmittel für EPON 1123-A80-Harz ist, besteht die Lösung bei Beendigung idealerweise aus 80 Gew.-% Harz. Reaktives Monomer oder Polymer kann ebenfalls zugegeben werden, entweder zu dieser Lösung oder als getrennte Lösung.
  • Die Lösungen werden dann bei Raumtemperatur miteinander vermischt, um ein dünnes harzhaltiges Gemisch herzustellen. Weil das Metallpulver an der Polymerisationsreaktion mit diesem Harzsystem teilnehmen kann und weil einige der Reaktanten bei der Entfernung des Oxids von dem Metallpulver verbraucht werden, ist es notwendig, die ideale Stöchiometrie für einen gegebenen Satz von Reaktanten durch Messungen des spezifischen Widerstands, der Adhäsionsstärke und der Lötfähigkeit der endgültigen gehärteten Zusammensetzung als Funktion der Konzentration jeder Komponente empirisch zu bestimmen.
  • Als nächstes werden das Metallpulver und das Lötmittelpulver in den gewünschten Anteilen, wie vorstehend angegeben, gemischt. Das Metallpulvergemisch wird dann mit dem harzhaltigen Gemisch vermischt, um eine dicke Zusammensetzung herzustellen. Zusätzliches Lösungsmittel kann zugegeben werden, um die gewünschte Viskosität zu erreichen.
  • Um unter Verwendung dieser Zusammensetzung eine gedruckte Schaltung herzustellen, sollte ein isolierendes Substrat zunächst entfettet und nahe 100°C für mindestens 8 Stunden getrocknet werden, um jegliche absorbierte Feuchtigkeit auszutreiben. Die Zusammensetzung wird auf das Substrat in dem gewünschten Muster einer gedruckten Schaltung aufgebracht. Bei einem bevorzugten Ansatz wird die Zusammensetzung auf das Substrat siebgedruckt, das dann erhitzt wird. Wie zuvor erwähnt, sollte die Erhitzungstemperatur unter Berücksichtigung der Härtungstemperatur des Harzes und des Temperaturbereiches, in dem das Lötmittelpulver schmilzt, ausgewählt werden. Idealerweise ist das Substratmaterial mit dem Klebstoff in der Zusammensetzung kompatibel, um eine gute, starke Klebeverbindung herzustellen. Im Fall der hier beschriebenen Epoxyharzzusammensetzung kann eine gute Adhäsion mit Substraten, wie PEI und Epoxy FR4, erzielt werden.
  • Idealerweise erfolgt das Erhitzen in einem Stufen-Temperatur-Ofen. Zunächst wird das bedruckte Substrat auf eine Temperatur unterhalb der Härtungstemperatur der Paste erwärmt, um das Lösungsmittel zu verdampfen. Wenn es vollständig vom Lösungsmittel getrocknet worden ist, sollte die Temperatur schnell auf den Schmelzpunkt des Lötmittels (2) erhöht werden. Wenn die Reaktanten richtig ausgewählt und vermischt wurden, wird bei oder nahe bei dieser Temperatur das Quervernetzungsmittel aktiviert, so dass es mit dem Metallpulver reagiert und die Oxide entfernt. Ebenfalls bei dieser Temperatur reagiert das reaktive Monomer mit dem Quervernetzungsmittel und dem Metalloxid, so dass das Nettoergebnis eine schnelle Desoxidierung der Metallpartikel, eine Benetzung der oxidfreien Oberflächen der Metallpartikel durch das jetzt schmelzflüssige Lötmittel und der Beginn der Verglasung des Harzes, das die Metallpartikel umgibt, ist. Diese Reaktionen benötigen nur wenige Sekunden.
  • Anschließend wird die Ofentemperatur bei der Härtungstemperatur des Epoxys gehalten, um das System vollständig zu härten. Die gesamte Reaktion kann in nur 10 Sekunden bis zu sogar mehreren Minuten, je nach den gewählten Temperaturen und Konzentrationen, erfolgen. Ein Erhitzen nach dem Härten unterhalb der gleichen Temperatur für mehrere Stunden kann je nach dem Harz und dem eingesetzten Quervernetzungsmittel und Harz notwendig sein, um endgültiges Härten der Zusammensetzung und optimale Adhäsion zu erzielen.
  • Die gedruckten Schaltungen, die unter Verwendung dieser Zusammensetzung, wie beschrieben, erhalten werden, zeigen ausgezeichnete Leitfähigkeit und Adhäsion an das Substrat. Sie verlieren die Leitfähigkeit nicht mit der Zeit, und sie können leicht gelötet werden. Sie korrodieren auch nicht in feuchten Umgebungen. Unter Verwendung dieser Erfindung hergestellte Zusammensetzungen überwinden viele der Beschränkungen des Standes der Technik und machen die Technik zur Herstellung funktioneller gedruckter Schaltungen praktikabel.
  • Einige lötfähige Zusammensetzungen, die wie vorstehend hergestellt werden, neigen zur Delaminierung und zerfallen nach Erhitzen mit einem Lötkolben. Um diese Neigung zu verringern und die Lötbearbeitbarkeit der gehärteten leitenden Paste zu verbessern, kann man ein drittes Metall- oder Metalllegierungspulver zugeben, das Metalle mit hohem Schmelzpunkt enthält, die sich leicht in (2) lösen. Diese Additive, die üblicherweise Ni, Ag oder andere Elemente zur Bildung von festen Lösungen mit (2) enthalten, erhöhen den Schmelzpunkt der Zusammensetzung anschließend an das Härten. Nach Anwendung von Wärme während des Härtens, des Lötens von Komponenten an die gehärtete Paste oder während des Ablötens oder Bearbeitens der Paste lösen sich die Additive in (2) und erhöhen die Schmelztemperatur des Metallgemischs. Das Ergebnis ist, dass die Zusammensetzung dem Schmelzen bei üblichen Löttemperaturen widersteht. Diese Wirkung wird durch das sich lösende Metall erzielt, das den Schmelzpunkt des Lötmittels erhöht, je mehr Additiv sich im Lötmittel löst, desto mehr erhöht es dessen Schmelzpunkt, bis das Additiv vollständig gelöst ist. Somit wird eine flüssige Phase hergestellt, die sich sogar bei Temperaturen oberhalb des anfänglichen Schmelzpunktes des Lötmittels der Zusammensetzung wieder verfestigt, wenn sich das Additiv löst.
  • Wenn Ni als Additiv verwendet wird, beträgt die bevorzugte Konzentration an Additiv von 1 bis 10 Gew.-% des gesamten Metallgehalts der Zusammensetzung. Höhere Konzentrationen neigen dazu, die Leitfähigkeit der endgültigen gehärteten Paste unerwünscht zu verringern. Ebenfalls bevorzugt ist eine dünne Beschichtung von Ag über den Ni-Partikeln, um deren Lösen im Lötmittel zu fördern. In der Regel haben diese Metallpulveradditive einen durchschnittlichen Partikeldurchmesser unter 20 Mikrometer. Kleinere Durchmesser lösen sich schneller durch Bereitstellung einer größeren Oberfläche.
  • Additive zur Verstärkung der Eigenschaften dieser Zusammensetzungen, damit diese spezifischen Anforderungen genügen, können ebenfalls eingesetzt werden. Adhäsionsfördernde Mittel, Benetzungsmittel und Viskositätsmodifikatoren sind nur einige der Additive, die in geringen Mengen zur Verbesserung von Eigenschaften ohne signifikante Veränderung der Leitfähigkeit des Materials verwendet werden können. Nichtionische Tenside, wie die Surfadone LP nichtionischen Tenside, die von GAF Chemicals Corporation, Wayne, NJ, erhältlich sind, wurden in Mengen zwischen 0,1 Gew.-% und 1,0 Gew.-% eingesetzt, um die Benetzung der Paste zu erhöhen und die Adhäsion zu steigern. Die Tenside Surfadone LP-100 und LP-300 sind N-Alkylpyrrolidone, in denen die N-Substituenten 8 bzw. 12 Kohlenstoffatome enthalten. Diese Tenside erhöhten die Adhäsion um bis zu 40%. Gummimodifizierte Harzsysteme oder andere Verstärkungsmittel können eingesetzt werden, um die Zähigkeit der Zusammensetzung zu erhöhen. Von Produkten, wie dem experimentellen gummimodifizierten Epoxy XU71790.041 von DOW, wurde gezeigt, dass sie die Zähigkeit des Films erhöhen. Eine Vielzahl an Plastifizierungsmitteln kann ebenfalls zu diesen Formulierungen gegeben werden, um die Biegsamkeit des Materials zu verbessern. Biegsame Harze, wie EPON 872-X-75 von Shell oder DER-736 von DOW, können zur Erhöhung der Biegsamkeit des gehärteten Produkts verwendet werden.
  • Leitende Zusammensetzungen, wie hier beschrieben, werden vorteilhafterweise zur Erzeugung gedruckter Schaltungen eingesetzt. Ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Schaltung umfasst zuerst die Herstellung eines Drucksiebs oder einer Schablone, die das Muster der gewünschten gedruckten Schaltung enthalten. Die Verfahren und Apparaturen für Siebdruck und Schablonendruck sind dem Fachmann bekannt. Das Sieb wird dann in einer Siebdruckapparatur verwendet, um mehrere Kopien der gedruckten Schaltung auf den ausgewählten Substraten zu drucken. Diese Substrate können aus Epoxy, Polyimid, phenolischen oder anderen wärmegehärteten Laminaten bestehen. Die Substrate können starr oder biegsam sein. Alternativ kann das Substrat eine spritzgeformte oder extrudierte Schicht aus Polyetherimid, Flüssigkristallpolymer oder einem anderen Thermoplast sein. Andere Substrate können verwendet werden, einschließlich Keramiken, isolierten Metallfolien oder jedes anderen Materials, an das die Zusammensetzung gebunden werden kann und das der Härtungstemperatur widerstehen kann.
  • Nach dem Drucken der ungehärteten Zusammensetzung in dem Muster der gewünschten gedruckten Schaltung auf das Substrat wird die Zusammensetzung dann durch Anwenden von Wärme gehärtet. Ein statischer Ofen kann eingesetzt werden, aber ein Förderbandofen mit mehreren Erhitzungsstufen ist bevorzugt. Das Erhitzungsverfahren des Förderbandofens kann aus Infrarotlampen, Plattenheizgeräten, Konvektion, heißer Druckluft, Induktion, Mikrowelle oder einem anderen bekannten Heizverfahren bestehen. Solche Öfen sind dem Fachmann bekannt. Die mehreren Heizstufen können dann dazu verwendet werden, die Zusammensetzung auf kontrollierte Weise zu erhitzen, zu trocknen, zu härten und dann abzukühlen, wodurch Nadelstiche, die durch Ausgasen verursacht werden, minimiert werden und Beschädigung aufgrund von starken Temperaturänderungen beseitigt sowie vollständiges Härten erreicht wird. Löcher können wie bei einer herkömmlichen Leiterplatte in die so erhaltene gedruckte Schaltung gebohrt oder gestanzt werden. Komponenten können an die gedruckte Schaltung mit einer Lötwelle, einem Lötkolben, einer Heißluftpistole oder Lötpastenrückfluss gelötet werden, die sämtlich im Stand der Technik bekannte, übliche Techniken sind. Alternativ können Komponenten unter Verwendung der Zusammensetzung selbst an die gedruckte Schaltung geklebt werden. Dies wird beispielsweise durch Platzieren der Komponenten in der Zusammensetzung vor dem Härten erreicht. Dies hat den Vorteil, dass der Lötarbeitsschritt sowie anschließende Flussmittelsäuberungsarbeitsschritte vollständig entfallen. Noch ein anderes Verfahren zum Anbringen von Komponenten ist, zunächst die gedruckte Schaltung zu härten, dann eine zusätzliche Menge ungehärteter Zusammensetzung als leitenden Klebstoff zum Verbinden der Komponenten aufzubringen.
  • Mehrschichtige gedruckte Schaltungen können hergestellt werden, indem man von einer wie vorstehend hergestellten Leiterplatte ausgeht. Über der gehärteten Zusammensetzung und vor dem Löten der Schaltungskomponenten wird eine dünne Schicht aus einem nicht-leitenden isolierenden wärmehärtenden Harz mit einem Sieb- oder Schablonendrucker aufgebracht. Die aufgetragene Schicht sollte ein derartiges Muster aufweisen, dass sie Vias oder Passagen ermöglicht, die von Isolationsmaterial unbeschichtet verbleiben. Nach dem Härten dieser Schicht kann eine zweite Schicht der leitenden Zusammensetzung in dem gewünschten Muster der gedruckten Schaltung über die Isolationsschicht gedruckt werden. Die Vias oder Passagen gestatten dann eine elektrische Verbindung zwischen der oberen und der unteren Schicht. Auf diese Weise wird eine zweischichtige gedruckte Schaltung hergestellt. Das Verfahren kann dann mehrmals wiederholt werden, um eine gedruckte Schaltung mit einer Mehrzahl an Schichten herzustellen. Elektronische Komponenten können dann wie vorstehend beschrieben angebracht werden.
  • Noch ein weiteres Verfahren zur Herstellung einer mehrschichtigen gedruckten Schaltung besteht darin, mit einer Reihe dünner Substrate zu beginnen, in die Vias oder Passagen gebohrt oder gestanzt sind. Die leitende Zusammensetzung wird dann mittels Sieb- oder Schablonendruck auf jedes dieser Substrate in dem gewünschten Schaltungsmuster aufgedruckt, wobei in der Regel jede Schicht unterschiedlich ist. Die Zusammensetzungen können dann gehärtet oder einfach getrocknet und ungehärtet belassen werden, während die dünnen Substrate ausgerichtet und unter Druck aneinander laminiert werden. Der Laminierungsdruck zwingt die leitenden Schichten dazu, sich über die Vias und Passagen in den dünnen Substraten zu verbinden, wobei eine Verbindung immer dort erfolgt, wo sich leitende Zusammensetzung direkt unterhalb eines Vias oder einer Passage befindet. Das Härten der Zusammensetzung kann vor, während oder nach diesem Laminierungsverfahren erfolgen. Das Ergebnis ist eine mehrschichtige gedruckte Schaltung.
  • Leitende Zusammensetzungen, wie hier beschrieben, können auch dazu eingesetzt werden, elektronische Komponenten an herkömmlichen kupferbeschichteten gedruckten Schaltungen anzubringen. Bei dieser Anwendung bilden die Zusammensetzungen einen ausgezeichneten Ersatz für bisher bekannten Lötpasten. Die leitenden Zusammensetzungen können mittels Sieb- oder Schablonendruck auf die Kontaktflächen einer fertigen kupferbeschichteten gedruckten Schaltung auf eine dem Fachmann bekannte Weise aufgebracht werden. Die Leitungen einer elektrischen Komponente werden dann auf die leitende Zusammensetzung aufgebracht und der gesamte Zusammenbau kann in einem Infrarotofen, Konvektionsofen oder durch Dampfrückfluss, sämtlich dem Fachmann bekannte Verfahren, gehärtet werden. Die erfindungsgemäßen Zusammensetzungen beseitigen vorteilhaft erweise den Bedarf an Reinigung des gedruckten Schaltungsaufbaus nach dem Härten; die gewöhnlich niedrigeren Viskositäten der Zusammensetzungen verglichen mit Lötpasten machen die Zusammensetzung leichter zu drucken. Außerdem ist die Formulierung der Zusammensetzungen derart, dass übliche Probleme mit Lötpasten, wie Lötmittelzusammenballung, Brückenbildung und Grabsteineffekt bei den Komponenten, beseitigt werden.
  • Noch eine weitere nützliche Anwendung für erfindungsgemäße Zusammensetzungen ist beim Anbringen blanker Mikroschaltungsmatrizen an Substraten, wie es üblicherweise bei der Herstellung von Mehrfachchipmodulen erfolgt. Geeignete Formulierungen für diesen Zweck beinhalten wärmegehärtete Klebstoffe, die nach dem Härten schwierig zu entfernen sind, ohne die gedruckte Schaltung zu zerstören. Die hier beschriebenen Zusammensetzungen können unter Verwendung von Harzen formuliert werden, die thermoplastische und wärmehärtende Mischungen enthalten, so dass die gehärteten Zusammensetzungen sogar nach dem Härten durch Anwendung von mäßiger Hitze geschmolzen werden können. Bei solchen Anwendungen kann die leitende Zusammensetzung unter Verwendung von Sieb- oder Schablonendruck, wie es dem Fachmann geläufig ist, auf das Substrat auf dem Mehrfachchipmodul gedruckt werden. Die Matrize wird dann auf der Zusammensetzung platziert, und der Zusammenbau wird in einem Ofen, wie vorstehend beschrieben, erhitzt, um die Härtung zu erzielen. Alternativ kann Wärme durch eine Heizplatte oder ein Heißluftgebläse von oben auf die Matrize angewendet werden, um die Härtung zu erzielen. Die so erhaltene Bindung zwischen Matrize und Substrat kann, wenn nötig, durch Anwendung von Wärme auf die Matrize durch eine Heizplatte, einen Lötkolben, Heißluft oder jedes andere, dem Fachmann bekannte Verfahren leicht gelöst werden. Die Matrize kann dann von der geschmolzenen Zusammensetzung abgezogen werden.
  • Die Erfindung kann anhand der folgenden Beispiele besser verstanden werden, die zu Veranschaulichungszwecken bestimmt sind und nicht so verstanden werden sollen, dass sie den Umfang der vorliegenden Erfindung, der in den hier angefügten Ansprüchen definiert ist, in irgendeiner Weise beschränken.
  • Beispiel 1
  • Es wurden gasatomisierte und elektrolytische Kupferpulver im Hinblick auf den Schichtwiderstand von Zusammensetzungen verglichen, die sich nur in dem Typ des eingesetzten Pulvers unterschieden. Zusammensetzungen wurden hergestellt, indem zuerst vier Molteile Glycerol mit einem Teil Tetrabromphthalsäureanhydrid in einem Glasgefäß vereinigt und das Gemisch für etwa vier Stunden auf zwischen 180–200°C erhitzt wurde. Die Reaktion wurde verfolgt, indem Proben der Lösung in eine Natriumzelle eines Perkin-Elmer-Modell-727-Infrarotspektrometers eingebracht wurden. Es wurde beobachtet, dass die 1800-cm–1-Singulettbande in der Grundlinie verschwand und die 1750-cm–1-Singulettbande erschien und ein Gleichgewicht erreichte, bevor die Lösung aus der Wärme genommen wurde. Nach dem Abkühlen wurde die erhaltene Lösung mit den anderen Komponenten der Zusammensetzung gemischt. Eine Lösung von Shell-EPON-1123-A-80 in Butylcarbitol wurde hergestellt, indem 8 Gewichtsteile der Harzlösung in 2 Gewichtsteile Butylcarbitol eingemischt wurden und das erhaltene Gemisch bei etwa 100°C gekocht wurde, bis beobachtet wurde, dass das Lösungsmittel des Herstellers vollständig verdampft war. Die erhaltene Lösung wurde nach dem Abkühlen mit den anderen Komponenten der Zusammensetzung gemischt. Eine Monomerlösung von Tetrabrombisphenol A wurde 1:1, bezogen auf Gewicht, in Butylcarbitol hergestellt und bei etwa 100°C bis zum vollständigen Lösen erwärmt. Die erhaltene Lösung wurde nach dem Abkühlen mit den anderen Komponenten der Zusammensetzung gemischt. Gasatomisiertes Kupferpulver mit einem durchschnittlichen Partikeldurchmesser von 15 Mikron wurde durch Erhitzen in Wasserstoffgas auf 300°C gereinigt, dann in Wasserstoff abgekühlt und 2:1, bezogen auf Gewicht, mit –500-Mesh-Sn63Pb37-Legierungspulver gemischt, um die gasatomisierte Zusammensetzung herzustellen. Ebenso wurde elektrolytisches Pulver mit einem durchschnittlichen Partikeldurchmesser von 15 Mikron wasserstoffgereinigt und 2:1 mit dem gleichen Legierungspulver gemischt, um die elektrolytische Zusammensetzung herzustellen. Die Gemische und Lösungen wurden miteinander vermischt, um Zusammensetzungen mit den folgenden Präveresterungs-Äquivalentanteilen, bezogen auf Volumen, herzustellen: Cu – 35,8%; Sn63Pb37 – 19%, Shell EPON 1123-A-80 – 8,5%; Tetrabromphthalsäureanhydrid – 5%; Tetrabrombisphenol A – 8,6%; Butylcarbitol – 13,3%; Glycerol – 9,9%. Die Zusammensetzungen wurden mittels Siebdruck durch ein 250-Mesh-Sieb in einem festen rechteckigen Muster in einer Dicke von etwa 75 Mikron auf Mikroskop-Objektträger gedruckt. Die Objektträger wurden bei der angegebenen Temperatur für 30–45 Sekunden auf Heizplatten gelegt. Die erhaltenen gehärteten Zusammensetzungen wurden hinsichtlich der Leitfähigkeit an einer Four-Dimensions-Modell-101-Vier-Punkt-Widerstands-Probe getestet, die derart modifiziert wurde, dass sie an einer Skala von 10–3 Ohm/Quadrat abgelesen wurde. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 dargestellt.
  • TABELLE I Vergleich von gasatomisierten und elektrolytischen Kupferpulvern
    Figure 00220001
  • Beispiel 2
  • Es wurden die Wirkungen der mittleren Partikelgröße des Kupferpulvers auf den Bahnwiderstand bestimmt. Die Zusammensetzungen wurden wie im Beispiel 1 hergestellt, wobei die endgültigen Zusammensetzungen die folgenden Präveresterungsanteile, bezogen auf Volumen, enthielten: Cu – 34,9%; Sn63Pb37 – 17,3%, Shell EPON 1123-A-80 – 3,4%; Tetrabrom-phthalsäureanhydrid – 4,8%; Tetrabrombisphenol A – 13%; Butylcarbitol – 17,2%; Glycerol – 9,5%. Die Zusammensetzungen wurden mittels Siebdruck auf einen Mikroskop-Objektträger gedruckt und bei 260°C für 30–45 Sekunden auf einer Heizplatte gehärtet. Die Ergebnisse sind in Tabelle II dargestellt.
  • TABELLE II Mittlere Partikelgröße des Kupferpulvers und Bahnwiderstand
    Figure 00230001
  • Beispiel 3
  • Die Wirkungen der Wasserstoffreinigung des Kupferpulvers wurden untersucht. Die Zusammensetzungen wurden wie im Beispiel 1 hergestellt, wobei die endgültigen Zusammensetzungen die folgenden Präveresterungsanteile, bezogen auf Volumen, enthielten: Cu – 34,9%; Sn63Pb37 – 17,3%, Shell EPON 1123-A-80 – 3,4%; Tetrabromphthalsäureanhydrid – 4,8%; Tetrabrom-bisphenol A – 13%; Butylcarbitol – 17,2%; Glycerol – 9,5%. Die Zusammensetzungen wurden mittels Siebdruck auf einen Mikroskop-Objektträger gedruckt und bei 260°C für 30–45 Sekunden auf einer Heizplatte gehärtet. Die Ergebnisse sind in Tabelle 3 dargestellt.
  • TABELLE III Wirkungen der Wasserstoffreinigung auf den Bahnwiderstand
    Figure 00230002
  • Beispiel 4
  • 1 zeigt die Wirkungen der Variation von Legierungen auf die Leitfähigkeit der endgültigen Zusammensetzung. Die Zusammensetzungen wurden wie im Beispiel 1 hergestellt, wobei die endgültigen Zusammensetzungen die folgenden Präveresterungsanteile, bezogen auf Volumen, enthielten: Cu – 34,9%; Legierung – 17,3%, Shell EPON 1123-A-80 – 3,4%; Tetrabromphthalsäureanhydrid – 4,8%; Tetrabrombisphenol A – 13%; Butylcarbitol – 17,2%; Glycerol – 9,5%. Die Zusammensetzungen wurden mittels Siebdruck auf einen Mikroskop-Objektträger gedruckt und bei der angegebenen Temperatur für 30–45 Sekunden auf einer Heizplatte gehärtet.
  • Beispiel 5
  • Eine Vielzahl an Harzen und Harzgemischen wurde untersucht. Die Zusammensetzungen wurden wie im Beispiel 1 hergestellt, wobei die endgültigen Zusammensetzungen die folgenden Präveresterungsanteile, bezogen auf Volumen, enthielten: Cu – 32,8%; Sn63Pb37 – 34,8%, Harz – 1,2% (für Shell EPON 1123-A-80; die molare Konzentration wurde bei allen anderen gleich gehalten); Tetrabromphthalsäureanhydrid – 6%; Tetrabrombis-phenol A – 5,8%; Butylcarbitol – 7,6%; Glycerol – 11,8%. Die Zusammensetzungen wurden mittels Siebdruck auf einen Mikroskop-Objektträger gedruckt und bei der angegebenen Temperatur für 30–45 Sekunden auf einer Heizplatte gehärtet. Zugversuchproben wurden durch Siebdruck von 4 × 4-mm-Quadraten auf das angegebene Substrat und Härten der beschichteten Materialien in einem Infrarot-Förderbandofen bei 220°C für etwa 1 Minute hergestellt. Die Proben wurden dann für 4–8 Sekunden in Gegenwart eines Typ-RMA-Flussmittels (eines schwach aktivierten Flussmittels auf Kolophoniumbasis) zum Anbringen eines Zugdrahts in ein Lötbad eingetaucht. Die genannten Zugfestigkeiten sind die maximale Kraft, die bei Delaminierung am Zugdraht ausgehalten wird. Die Ergebnisse dieser Untersuchungen sind in Tabelle IV dargestellt.
  • TABELLE IV Vergleich von Harzen und Harzmischungen
    Figure 00250001
  • Beispiel 6
  • Verschiedene Anhydride und ihre Derivate wurden verglichen, wie sie in leitenden Zusammensetzungen eingesetzt wurden. Die Zusammensetzungen wurden wie im Beispiel 1 hergestellt, wobei die endgültigen Zusammensetzungen die folgenden Präveresterungsanteile, bezogen auf Volumen, enthielten: Cu – 35%; Sn63Pb37 – 37,1%, Shell EPON 1123-A-80 – 3,5%; Anhydrid – 3,7% (für Tetrabromphthalsäureanhydrid, die molare Konzentration wurde für alle anderen gleich gehalten oder war null, wenn kein Ester angegeben ist); Tetrabrombisphenol A – 5,5%; Butylcarbitol – 7,9%; Glycerol – 7,3% (für Glycerol, die molare Konzentration wurde für alle anderen gleich gehalten oder war null, wie angegeben). Die Zusammensetzungen wurden mittels Siebdruck auf einen Mikroskop-Objektträger gedruckt und bei 260°C für 30–45 Sekunden auf einer Heizplatte gehärtet. Die Ergebnisse sind in Tabelle V dargestellt.
  • TABELLE V Vergleich von Härtungsmitteln
    Figure 00250002
  • Figure 00260001
  • In allen Fällen erzeugte die Veresterung des Anhydrids mit dem Alkohol eine deutliche Verbesserung der elektrischen Leitfähigkeit und eine Beseitigung von Oberflächenoxidation, wie durch die durchgängige Grau/Silber-Färbung gehärteter Zusammensetzungen belegt wird.
  • Beispiel 7
  • Es wurde ein Vergleich verschiedener Ester von Tetrabromphthalsäureanhydrid durchgeführt. Die Zusammensetzungen wurden wie im Beispiel 1 hergestellt, wobei die endgültigen Zusammensetzungen die folgenden Präveresterungsanteile, bezogen auf Volumen, enthielten: Cu – 32%; Sn63Pb37 – 34%, Shell EPON 1123-A-80 – 3,3%; Tetrabromphthalsäureanhydrid – < 9%; Tetrabrombisphenol A – 5,5% (für Tetrabromphthalsäureanhydrid, die molare Konzentration war für alle anderen die Gleiche); Butylcarbitol – 7,8%; Polyol-Veresterungsmittel – 11,6% (für Glycerol, die molare Konzentration war für alle anderen die Gleiche). Die Zusammensetzungen wurden mittels Siebdruck auf einen Mikroskop-Objektträger gedruckt und bei der angegebenen Temperatur für 30–45 Sekunden auf einer Heizplatte gehärtet. Zugversuchproben wurden durch Siebdruck von 4 × 4-mm-Quadraten auf das angegebene Substrat und Härten in einem Infrarot-Förderbandofen für etwa 1 Minute bei 220°C hergestellt. Die Proben wurden dann für 4–8 Sekunden in Gegenwart eines schwach aktivierten Flussmittels auf Kolophoniumbasis zum Anbringen eines Zugdrahts in ein Lötbad eingetaucht. Die Ergebnisse sind in Tabelle VI dargestellt. TABELLE VI Vergleich der Ester von Tetrabromphthalsäureanhydrid
    Figure 00270001
    • * nicht lötfähig
  • Beispiel 8
  • Die Verwendbarkeit verschiedener Anhydride als Härtungsmittel wurde untersucht. Die Zusammensetzungen wurden wie im Beispiel 1 hergestellt, wobei die endgültigen Zusammensetzungen die folgenden Präveresterungsanteile, bezogen auf Volumen, enthielten: Cu – 32%; Sn63Pb37 – 34%, Shell EPON 1123-A-80 – 3,3%; Tetrabromphthalsäureanhydrid – 5,9%; Tetrabrombisphenol A – 5,5% (für Tetrabromphthalsäureanhydrid, die molaren Konzentrationen waren für alle anderen die Gleichen); Butylcarbitol – 7,8%; Polyol-Veresterungsmittel – 11,6% (für Glycerol, die molaren Konzentrationen waren für alle anderen die Gleichen). Die Zusammensetzungen wurden mittels Siebdruck auf einen Mikroskop-Objektträger gedruckt und bei der angegebenen Temperatur für 30–45 Sekunden auf einer Heizplatte gehärtet. Zugversuchproben wurden wie vorstehend angegeben hergestellt. Die Ergebnisse sind in Tabelle VII dargestellt. TABELLE VII Vergleich von Anhydriden
    Figure 00280001
    • * nicht lötfähig
  • Beispiel 9
  • Eine Reihe reaktiver Monomere wurde hergestellt und untersucht. Die Zusammensetzungen wurden wie im Beispiel 1 hergestellt, wobei die endgültigen Zusammensetzungen die folgenden Präveresterungsanteile, bezogen auf Volumen, enthielten: Cu – 32,1%; Sn63Pb37 – 34,1%, Shell EPON 1123-A-80 – 3,3%; Tetrabromphthalsäureanhydrid – 6%; Monomer – 5,2% (für Tetrabrombisphenol A, die molare Konzentration war für alle anderen die Gleiche); Butylcarbitol – 7,5%; Glycerol – 11,8%. Die Zusammensetzungen wurden mittels Siebdruck auf einen Mikroskop-Objektträger gedruckt und bei der angegebenen Temperatur für 30–45 Sekunden auf einer Heizplatte gehärtet. Zugversuchproben wurden wie vorstehend angegeben hergestellt. Die Ergebnisse sind in Tabelle VIII dargestellt.
  • TABELLE VIII Vergleich reaktiver Monomere
    Figure 00290001
  • Beispiel 10
  • Es wurde ein Vergleich von Zusammensetzungen, die halogenierte und nicht-halogenierte Reaktanten enthielten, durchgeführt. Die Zusammensetzungen wurden wie im Beispiel 1 hergestellt, wobei die endgültigen Zusammensetzungen die folgenden Präveresterungsanteile, bezogen auf Volumen, enthielten: Cu – 33,4%; Sn63Pb37 – 19,1%, Harz – 3,3% (für Shell EPON 1123-A-80; die Epoxy-Äquivalentkonzentration wurde für alle anderen gleich gehalten); Anhydrid – 4,4% (für Tetrabrom-phthalsäureanhydrid, die molare Konzentration war für alle anderen die Gleiche); Monomer – 12,5%; Butylcarbitol – 16,6%; Glycerol – 8,6%. Die Zusammensetzungen wurden mittels Siebdruck auf einen Mikroskop-Objektträger gedruckt und bei der angegebenen Temperatur für 30–45 Sekunden auf einer Heizplatte gehärtet. Die Ergebnisse sind in Tabelle IX dargestellt.
  • TABELLE IX Vergleich halogenierter und nicht-halogenierter Reaktanten
    Figure 00300001
  • Beispiel 11
  • Es wurde ein Vergleich der Lötfähigkeit verschiedener Zusammensetzungen je nach dem eingesetzten Anhydrid durchgeführt. Die Zusammensetzungen wurden wie im Beispiel 1 hergestellt, wobei die endgültigen Zusammensetzungen die folgenden Präveresterungsanteile, bezogen auf Volumen, enthielten: Cu – 32,6%; Sn63Pb37 – 34,6%; Shell EPON 1123-A-80 – 4,1%; Anhydrid – 4,9% (für Tetrabromphthalsäureanhydrid, die molare Konzentration war für alle anderen die Gleiche); Tetrabrom-bisphenol A – 5,8%; Butylcarbitol – 8,4%a; Glycerol – 9,6%. Die Zusammensetzungen wurden mittels Siebdruck auf einen Mikroskop-Objektträger gedruckt und bei der angegebenen Temperatur für 30–45 Sekunden auf einer Heizplatte gehärtet. Die Ergebnisse sind in Tabelle X dargestellt. TABELLE X Vergleich der Lötfähigkeit
    Anhydrid Lötfähigkeit
    Tetrabromphthalsäureanhydrid sehr gut
    Phthalsäureanhydrid sehr gut
    4-Fluorphthalsäureanhydrid gut
    Biphenyltetracarbonsäuredianhydrid keine
    Hexafluorisopropyldiphthalsäureanhydrid keine
    Tetrabromphthalsäureanhydrid/Biphenyltetracarbonsäuredi-anhydrid (Mischungsverhältnis 2:1) recht gut
    Tetrabromphthalsäureanhydrid/Hexafluorisopropyldiphthal-säureanhydrid (Mischungsverhältnis 2:1) recht gut
  • Beispiel 12
  • Die Graphen der 2 (Widerstandsreaktionsoberflächen) zeigen die Wirkungen relativer Konzentrationsänderungen auf den spezifischen Widerstand bei einer bevorzugten Probezusammensetzung. In 2 wurden Isoquanten kleinster Fehlerquadrate der Reaktionsoberflächen des spezifischen Widerstands als Funktion der Konzentration der Komponenten unter Verwendung einer Experimentdesign- und Analyse-Computersoftware (Echip Inc., Hockessin, DE) erzeugt. Die Ausgangslösungen wurden wie im Beispiel 1 hergestellt. Der Experimentdesign-Teil des Programms wurde dazu verwendet, eine Reihe variierender Zusammensetzungsformulierungen, bezogen auf Gewicht, von jeder der Ausgangslösungen und jedem Metallpulver festzulegen. Die durch das Programm festgelegten Formulierungen wurden hergestellt, und Objektträger zur Messung des spezifischen Widerstands wurden hergestellt und getestet. Der Bahnwiderstand der Proben wurde dazu verwendet, Dickeschwankungen herauszunormalisieren. Die so erhaltenen Daten wurden in das Computerprogramm eingegeben, das die gezeigten Dreiecksgraphen erzeugte. Die Zusammensetzungen wurden für 30–45 Sekunden bei 200°C auf einer Heizplatte gehärtet. Das experimentelle Harz bestand aus EPON 1123-A-80 in Glycerol (4:1, bezogen auf Gewicht). Das Anhydrid wurde wie vorstehend in Glycerol verestert (molare Anteile 1:2). Bisphenol A wurde in Butylcarbitol gelöst (1:1, bezogen auf Gewicht). Die dargestellten Zahlen stehen für die Gewichtsanteile dieser Ausgangslösungen. Die Zusammensetzungen wurde mittels Siebdruck auf einen Mikroskop-Objektträger aufgedruckt und für 30–45 Sekunden bei 200°C auf einer Heizplatte gehärtet.
  • Beispiel 13
  • 3 zeigt graphisch die Wirkung einer Zugabe eines dritten Metall- oder Metalllegierungspulvers, das Metalle mit einem hohen Schmelzpunkt enthält, die sich in dem Lötpulver leicht lösen. Bei den in 3 dargestellten Experimenten wurden die Zusammensetzungen wie im Beispiel 1 hergestellt, wobei die endgültigen Zusammensetzungen die folgenden Prä-veresterungsanteile, bezogen auf Volumen, enthielten: Cu – 33,2%; Sn63Pb37 – 16,7%; Shell EPON 1123-A-80 – 3,4%; Tetra-bromphthalsäureanhydrid – 4,8%; Tetrabrombisphenol A – 13%; Butylcarbitol – 17,2%; Glycerol – 9,5%; Ag-beschichteter Ni – 2,3%. Die Zusammensetzung wurde in ein Perkin-Elmer-Modell-4-Differenzial-Scanning-Kalorimeter eingebracht und mit einem Temperaturanstieg von 20°C unter Stickstoff bis auf 500°C gehärtet. Die obere Kurve zeigt die verschiedenen Endothermen, auf die man während dieses Härtungszyklus trifft. Die Schmelzendotherme der Legierung war bei 183°C. Nach dem Abkühlen der Probe zurück auf Raumtemperatur wurde die Temperatur wiederum erhöht, und die untere Kurve wurde erhalten. Der Schmelzpunkt der Zusammensetzung stieg auf über 100 Grad.
  • Beispiel 14
  • Es wurde ein Vergleich von geschützten mit ungeschützten Anhydriden durchgeführt. Die Tetrabromphthalsäureanhydrid-Glycerolester-Zusammensetzung in Tabelle XI wurde wie im Beispiel 1 hergestellt. Die Zusammensetzungen in der unteren Hälfte der Tabelle wurden aus den aufgeführten Ausgangsmaterialien ohne Erhitzen, wie im Beispiel 1, gemischt. Die endgültigen Zusammensetzungen enthielten die folgenden Präveresterungsanteile, bezogen auf Volumen: Cu – 35,7%; Sn63Pb37 – 18,3%, Shell EPON 1123-A-80 – 3,9%; Anhydrid – 4,3% (für Tetrabromphthalsäureanhydrid, die molare Konzentration war für alle anderen die Gleiche oder null, wenn angegeben); Tetrabrombisphenol A – 12,2%; Butylcarbitol – 16,3%; zusätzliches Lösungsmittel oder Ester, wie aufgeführt – 8,5% (für Glycerol, die molare Konzentration war für alle anderen die Gleiche); Ag- beschichteter Ni – 0,9%. Die Zusammensetzungen wurden auf einen Mikroskop-Objektträger siebgedruckt und bei der angegebenen Temperatur für 30–45 Sekunden auf einer Heizplatte gehärtet. Die Ergebnisse sind in Tabelle XI dargestellt. Die Daten legen nahe, dass es das Monoester-, Monosäure-Derivat des Anhydrid ist, das zur Erzeugung der besten elektrischen Leitfähigkeit dient. Ein Vergleich der Daten in Tabelle XI mit denjenigen in Tabelle V veranschaulicht die Wirkungen der Veresterung von halogenierten gegenüber nicht-halogenierten Anhydriden.
  • TABELLE XI Vergleich geschützter Anhydride mit ungeschützten Anhydriden
    Figure 00340001
  • Beispiel 15
  • Es wurde ein Vergleich einer gedruckten Schaltung, die mit einer leitenden Zusammensetzung auf einem Polyetherimid-Substrat hergestellt wurde, mit einer Schaltung, die aus geätztem kupferbeschichteten Epoxylaminat hergestellt wurde, durchgeführt. Die für den Vergleich ausgewählte Schaltung war ein Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler. Das schematische Diagramm der Schaltung ist in 4 gezeigt; dieses Schema wurde aus EDN, 5. Januar 1976, entnommen. Der Widerstand RL wurde derart ausgewählt, dass er 180 Ohm betrug. Ein gedrucktes Schaltungsmuster für diese Schaltung wurde gestaltet; das Muster ist in 5 dargestellt. Dieses Muster wurde in das kupferbeschichtete Epoxylaminat unter Verwendung von im Stand der Technik bekannten, herkömmlichen Verfahren eingeätzt. Löcher wurden gebohrt, und Komponenten wurden mit einem Lötkolben angelötet.
  • Eine Zusammensetzung wurde hergestellt, die aus den folgenden Präveresterungsanteilen, bezogen auf Volumen, bestand: Cu – 26,8%; Sn63Pb37 – 28,4%, Shell EPON 1123-A-80-Harz – 2,6%; Tetrabromphthalsäureanhydrid – 0,1%; Tetrabrombisphenol A – 0,1%; Butylcarbitol – 42%. Das Anhydrid wurde wie im Beispiel 1 mit Butylcarbitol verestert. Ein 250-Mesh-Sieb aus rostfreiem Stahl mit dem gleichen gedruckten Schaltungsmuster wurde hergestellt. Das Sieb wurde an einer SMT-Modell-SP1414PD-Siebdruckmaschine befestigt. Das Muster der gedruckten Schaltung wurde dann unter Verwendung der leitenden Zusammensetzung auf ein blankes, 0,060 Inch dickes Polyetherimid-Substrat siebgedruckt. Das Substrat und die Zusammensetzung darauf wurden 15 Sekunden lang Wolframfaden-Infrarotlampen mit hoher Intensität in einem RTC-Modell-L500TF-Infrarotofen blitzexponiert, um die Härtung zu erzielen. Nach Beendigung wurden Löcher in die gedruckte Schaltung gebohrt, und die Komponenten wurden eingebracht und mit einem auf 255°C eingestellten Lötkolben unter Verwendung von Sn63-Kolophoniumkern-Lötdraht angelötet. Spannungssignale wurden auf einem Oszilloskop an den in dem schematischen Diagramm mit A–I markierten Testpunkten beobachtet. Die erhaltenen Spannungen und die beobachteten Einschaltperioden sind in Tabelle XII für die beiden so erhaltenen Schaltungen unter einer 200-Ohm-Last mit eingehenden 15 Volt, wenn nicht anders angegeben, aufgezeichnet. Der Vergleich zeigte eine fast identische elektrische Leistung für beide gedruckte Schaltungen.
  • TABELLE XII
    Figure 00360001
  • Beispiel 16
  • Es wurde ein Vergleich der spezifischen elektrischen Widerstände einer Zusammensetzung, die wie hier gelehrt formuliert wurde, und einer leitenden Zusammensetzung, die gemäß dem Stand der Technik formuliert wurde, durchgeführt. Die erste Zusammensetzung wurde wie im Beispiel 1 hergestellt und enthielt die folgenden Präveresterungsanteile, bezogen auf Volumen: Cu – 34,1%; Sn63Pb37 – 17,4%, Shell EPON 1123-A-80 – 3,6%; Tetrabromphthalsäureanhydrid – 5,7%; Tetrabrombis-phenol A – 11,6%; Butylcarbitol – 15,4%; Glycerol – 11,3%; Ag-beschichteter Ni – 0,9%. Die erhaltene Paste wurde auf einen Glas-Mikroskop-Objektträger siebgedruckt. Die Zusammensetzung wurde für 1 Minute bei 230°C gehärtet. Der spezifische Widerstand wurde wie zuvor gemessen.
  • Die Zusammensetzung des Standes der Technik wurde durch Lösen von 2,5 Gramm Shell-EPON-828-Harz, 2,5 Gramm Ölsäure, 1,0 Gramm Phthalsäure in 0,1 Gramm Ethylenglycolacetat ohne Erhitzen hergestellt. Ein Gemisch von 31,7 Gramm elektrolytischem Kupferpulver (Metz Metallurgical #11. S. Plainfield, NJ) wurde mit 3,2 Gramm Sn50Pb50-Legierungspulver und 3,2 Gramm Bi58Sn42-Legierungspulver gemischt. Die beiden wurden vermischt, und die erhaltene Paste wurde wie vorstehend siebgedruckt. Die Zusammensetzung wurde für 10 Minuten bei einer Temperatur von 230°C auf einer Heizplatte gehärtet. Die Probe wurde dann wie oben behandelt. Tabelle XIII verzeichnet die Ergebnisse dieser Messungen. TABELLE XIII Vergleich der spezifischen Widerstände der erfindungsgemäßen Zusammensetzung verglichen mit dem Stand der Technik
    Zusammensetzung spezifischer Widerstand Ohm/Quadrat × 103
    Erfindung 4,35
    Stand der Technik 90
  • Aus der vorstehenden Beschreibung kann ein Fachmann leicht die wesentlichen Merkmale der Erfindung bestätigen und kann, ohne von ihrem Geist und Umfang abzuweichen, die Erfindung an verschiedene Verwendungen und Bedingungen anpassen. Veränderungen in der Form und Ersetzen von Äquivalenten werden in Betracht gezogen, wie es die Umstände erfordern oder angebracht scheinen lassen, und obwohl hier spezifische Begriffe verwendet werden, sind sie in einem beschreibenden Sinn und nicht zu Beschränkungszwecken gemeint.

Claims (17)

  1. Materialzusammensetzung umfassend: (1) 13–38 Vol.-% eines Metallpulvers mit hohem Schmelzpunkt, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Kupfer, Silber, Aluminium, Gold, Platin, Palladium, Beryllium, Rhodium, Nickel, Cobalt, Eisen, Molybdän und Legierungen mit hohem Schmelzpunkt davon; (2) 6–29 Vol.-% eines Lötpulvers, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Sn, Bi, Pb, Cd, Zn, Ga, In, Te, Hg, Tl, Sb, Se, Po, Legierungen davon und anderen Metallen mit einem Schmelzpunkt unterhalb dessen des hochschmelzenden Metallpulvers; (3) 0–15 Vol.-% eines Harzes; (4) 30–52 Vol.-% eines chemisch oder mechanisch geschützten Quervernetzungsmittels mit Flussmitteleigenschaften; und (5) 0–32 Vol.-% eines reaktiven Monomers oder Polymers; unter der Bedingung, dass die Zusammensetzung entweder das Harz (3) und/oder das reaktive Monomer oder Polymer (5) enthält, oder alternativ das Harz (3) und/oder das reaktive Monomer oder Polymer (5) mit dem chemisch oder mechanisch geschützten Quervernetzungsmittel mit Flussmitteleigenschaften (4) zu einer einzelnen Spezies der Zusammensetzung zusammengefasst werden kann.
  2. Zusammensetzung gemäß Anspruch 1, wobei das Lötpulver eine Legierung mit der chemischen Formel Sn63Pb37 ist.
  3. Zusammensetzung gemäß Anspruch 1, wobei das chemisch geschützte Quervernetzungsmittel mit Flussmitteleigenschaften eine Säure oder eine starke Base ist, die geschützt ist, so dass sie lediglich an oder nahe einem Zeitpunkt reaktiv wird, an dem das Lötpulver geschmolzen ist.
  4. Zusammensetzung gemäß Anspruch 3, wobei die Säure oder starke Base ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus Anhydriden, Carbonsäuren, Amiden, Imiden, Aminen, Alkoholen, Phenolen, Aldehyden, Ketonen, Nitroverbindungen, Nitrilen, Carbamaten, Isocyanaten, Aminosäuren, Peptiden, Thiolen, Sulfonamiden, Semicarbazonen, Oximen, Hydrazonen, Cyanhydrinen, Harnstoffen, Phosphorsäuren, Phosphorsäureestern, Thiophosphorsäuren, Thiophosphorsäureestern, Phosphonsäuren, Phosphonsäureestern, Phosphiten, Phosphonamiden, Sulfonsäuren und Sulfonsäureestern.
  5. Zusammensetzung gemäß Anspruch 3, wobei die Säure oder starke Base ein Anhydrid ist.
  6. Zusammensetzung gemäß Anspruch 3, wobei die Säure oder starke Base durch eine Schutzgruppe geschützt ist, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Carbonsäuren, Amiden, Alkoholen, Alkylhalogeniden, Säurehalegoniden, Thiolen, Harnstoffen, Alkylsilanen, Diazoalkanen, Azomethanen, Acetalen, Ketalen und Übergangsmetallkomplexen.
  7. Zusammensetzung gemäß Anspruch 3, wobei die geeignete Schutzgruppe ein Alkohol oder Polyol ist.
  8. Zusammensetzung gemäß Anspruch 7, wobei der Alkohol oder Polyol ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus Butylcarbitol, Methanol, Ethylenglycol, Glycerol, meso-Erythritol, Adonitol und Sorbitol.
  9. Zusammensetzung gemäß Anspruch 3, wobei die Säure oder starke Base durch Verkapseln des Quervernetzungsmittels in eine Hülle aus nicht reaktivem Material, das das Quervernetzungsmittel erst an oder nahe einem Zeitpunkt freisetzt, an dem das Lötpulver geschmolzen ist, geschützt ist.
  10. Zusammensetzung gemäß Anspruch 1, wobei das reaktive Monomer oder Polymer mindestens eine -OH Gruppe als reaktive Stelle zum Vernetzen mit dem Quervernetzungsmittel enthält.
  11. Zusammensetzung gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei das Metallpulver mit hohem Schmelzpunkt kugelförmige Partikel mit einem durchschnittlichen Partikeldurchmesser von 1–50 μm umfasst.
  12. Zusammensetzung gemäß einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei das Metallpulver mit hohem Schmelzpunkt Kupferpulver ist.
  13. Verfahren zur Herstellung einer leitenden Zusammensetzung mit den Schritten: Herstellen einer Lösung eines chemisch geschützten Quervernetzungsmittels mit Flussmitteleigenschaften; wahlweise Herstellen einer Lösung eines reaktiven Monomers oder Polymers, eines Harzes oder aus beiden; wahlweise Vermischen der Lösung des Quervernetzungsmittels mit der Lösung des reaktiven Monomers oder Polymers, Harzes oder beidem; und Hinzufügen eines Lötpulvers und wahlweise eines Metallpulvers mit hohem Schmelzpunkt zu der Lösung, wobei die Zusammensetzung folgendes umfasst: (1) 13–38 Vol.-% eines Metallpulvers mit einem hohen Schmelzpunkt, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Kupfer, Silber, Aluminium, Gold, Platin, Palladium, Beryllium, Rhodium, Nickel, Cobalt, Eisen, Molybdän und Legierungen mit hohem Schmelzpunkt davon; (2) 6–29 Vol.-% eines Lötpulvers, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Sn, Bi, Pb, Cd, Zn, Ga, In, Te, Hg, Tl, Sb, Se, Po, Legierungen davon und anderen Metallen mit einem Schmelzpunkt unterhalb dessen des hochschmelzenden Metallpulvers; (3) 0–15 Vol.-% eines Harzen; (4) 30–52 Vol.-% eines chemisch oder mechanisch geschützten Quervernetzungsmittels mit Flussmitteleigenschaften; und (5) 0–32 Vol.-% eines reaktiven Monomers oder Polymers; unter der Bedingung, dass die Zusammensetzung entweder das Harz (3) und/oder das reaktive Monomer oder Polymer (5) enthält, oder alternativ das Harz (3) und/oder das reaktive Monomer oder Polymer (5) mit dem chemisch oder mechanisch geschützten Quervernetzungsmittel mit Flussmitteleigenschaften (4) zu einer einzelnen Spezies der Zusammensetzung zusammengefasst werden kann.
  14. Verfahren gemäß Anspruch 13, wobei der Schritt des Herstellens einer Lösung eines chemisch geschützten Quervernetzungsmittels das Umsetzen einer Säure oder starken Base mit einer geeigneten Schutzgruppe umfasst.
  15. Verfahren gemäß Anspruch 14, wobei die Säure oder starke Base ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus Anhydriden, Carbonsäuren, Amiden, Imiden, Aminen, Alkoholen, Phenolen, Aldehyden, Ketonen, Nitroverbindungen, Nitrilen, Carbamaten, Isocyanaten, Aminosäuren, Peptiden, Thiolen, Sulfonamiden, Semicarbazonen, Oximen, Hydrazonen, Cyanhydrinen, Harnstoffen, Phosphorsäuren, Phosphorsäureestern, Thiophosphorsäuren, Thiophosphorsäureestern, Phosphonsäuren, Phosphonsäureestern, Phosphiten, Phosphonamiden, Sulfonsäuren und Sulfonsäureestern.
  16. Verfahren gemäß Anspruch 14, wobei die Säure oder starke Base durch eine Schutzgruppe geschützt ist, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Carbonsäuren, Amiden, Alkoholen, Alkylhalogeniden, Säurehalogeniden, Thiolen, Harnstoffen, Alkylsilanen, Diazoalkanen, Azomethanen, Acetalen, Ketalen und Übergangsmetallkomplexen.
  17. Verfahren gemäß Anspruch 14, wobei die geeignete Schutzgruppe ein Alkohol oder Polyol, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Butylcarbitol, Methanol, Ethylenglycol, Glycerol, meso-Erythritol, Adonitol und Sorbitol ist.
DE69233595T 1991-10-01 1992-10-01 Elektrisch leitfähige zusammensetzungen und verfahren zur herstellung derselben und anwendungen Expired - Lifetime DE69233595T2 (de)

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US07/769,892 US5376403A (en) 1990-02-09 1991-10-01 Electrically conductive compositions and methods for the preparation and use thereof
US769892 1991-10-01
PCT/US1992/008333 WO1993006943A1 (en) 1991-10-01 1992-10-01 Electrically conductive compositions and methods for the preparation and use thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69233595D1 DE69233595D1 (de) 2006-04-06
DE69233595T2 true DE69233595T2 (de) 2006-09-14

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DE69233595T Expired - Lifetime DE69233595T2 (de) 1991-10-01 1992-10-01 Elektrisch leitfähige zusammensetzungen und verfahren zur herstellung derselben und anwendungen

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US (2) US5376403A (de)
EP (1) EP0646048B1 (de)
JP (1) JP2972338B2 (de)
KR (1) KR970010170B1 (de)
AT (1) ATE315963T1 (de)
AU (1) AU663342B2 (de)
CA (1) CA2120523C (de)
DE (1) DE69233595T2 (de)
MX (1) MX9205644A (de)
WO (1) WO1993006943A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013102725A1 (de) * 2013-03-18 2014-09-18 Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. Reaktionsharzsystem

Families Citing this family (177)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5502889A (en) * 1988-06-10 1996-04-02 Sheldahl, Inc. Method for electrically and mechanically connecting at least two conductive layers
US5948533A (en) * 1990-02-09 1999-09-07 Ormet Corporation Vertically interconnected electronic assemblies and compositions useful therefor
US5716663A (en) * 1990-02-09 1998-02-10 Toranaga Technologies Multilayer printed circuit
US5853622A (en) * 1990-02-09 1998-12-29 Ormet Corporation Transient liquid phase sintering conductive adhesives
US6476487B2 (en) * 1992-10-30 2002-11-05 Showa Denko K.K. Solder circuit
US5428190A (en) * 1993-07-02 1995-06-27 Sheldahl, Inc. Rigid-flex board with anisotropic interconnect and method of manufacture
JP2677161B2 (ja) * 1993-07-08 1997-11-17 双葉電子工業株式会社 蛍光表示管
US5652042A (en) 1993-10-29 1997-07-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive paste compound for via hole filling, printed circuit board which uses the conductive paste
IE940943A1 (en) * 1993-12-09 1995-06-14 Methode Electronics Inc Printed plastic circuits and contacts and method for making¹same
DE4406418C1 (de) * 1994-02-28 1995-07-13 Bosch Gmbh Robert Anisotrop elektrisch leitender Kleber
FR2726001B1 (fr) * 1994-10-19 1996-11-29 Solaic Sa Encre conductrice comprenant des grains metalliques ayant des points de fusion differents
TW340132B (en) * 1994-10-20 1998-09-11 Ibm Structure for use as an electrical interconnection means and process for preparing the same
TW301843B (en) * 1994-11-15 1997-04-01 Ibm Electrically conductive paste and composite and their use as an electrically conductive connector
US5736624A (en) * 1994-12-02 1998-04-07 Abbott Laboratories Phosphatase activated crosslinking, conjugating and reducing agents; methods of using such agents; and reagents comprising phosphatase activated crosslinking and conjugating agents
WO1996022670A1 (en) * 1995-01-18 1996-07-25 Coates Brothers Plc Production of electrical circuit boards
DE19511553C2 (de) * 1995-03-29 1997-02-20 Litton Precision Prod Int Verfahren zur Erzeugung elektrisch leitfähiger Strukturen, eine nach dem Verfahren erhaltene elektrisch leitfähige Struktur sowie Kombination zur Erzeugung elektrisch leitfähiger Strukturen
JP3498427B2 (ja) * 1995-06-19 2004-02-16 ソニー株式会社 成形はんだ用フラックス
US7041771B1 (en) 1995-08-11 2006-05-09 Kac Holdings, Inc. Encapsulant with fluxing properties and method of use in flip-chip surface mount reflow soldering
KR19990036355A (ko) * 1995-08-11 1999-05-25 케네쓰 제이 커스텐 에폭시 수지 기재 땜납 페이스트
KR0155877B1 (ko) * 1995-09-12 1998-12-15 이대원 다층 회로기판 및 그 제조방법
US5699613A (en) * 1995-09-25 1997-12-23 International Business Machines Corporation Fine dimension stacked vias for a multiple layer circuit board structure
JP3689159B2 (ja) * 1995-12-01 2005-08-31 ナミックス株式会社 導電性接着剤およびそれを用いた回路
US6147870A (en) * 1996-01-05 2000-11-14 Honeywell International Inc. Printed circuit assembly having locally enhanced wiring density
US5839188A (en) 1996-01-05 1998-11-24 Alliedsignal Inc. Method of manufacturing a printed circuit assembly
CA2196024A1 (en) * 1996-02-28 1997-08-28 Craig N. Ernsberger Multilayer electronic assembly utilizing a sinterable composition and related method of forming
US5851311A (en) * 1996-03-29 1998-12-22 Sophia Systems Co., Ltd. Polymerizable flux composition for encapsulating the solder in situ
US7022266B1 (en) 1996-08-16 2006-04-04 Dow Corning Corporation Printable compositions, and their application to dielectric surfaces used in the manufacture of printed circuit boards
DE69710089T2 (de) * 1996-08-16 2002-08-22 Hugh P Craig Druckfähige zusammensetzungen und deren auftragung auf dielektrische oberflächen für die herstellung von gedruckten leiterplatten
US5759737A (en) * 1996-09-06 1998-06-02 International Business Machines Corporation Method of making a component carrier
US6074728A (en) * 1996-09-11 2000-06-13 Samsung Aerospace Industries, Ltd. Multi-layered circuit substrate
US5985043A (en) * 1997-07-21 1999-11-16 Miguel Albert Capote Polymerizable fluxing agents and fluxing adhesive compositions therefrom
DE19835613C2 (de) * 1997-01-13 2002-12-12 Aisin Seiki Elektrisch leitfähige Harzzusammensetzung und deren Verwendung zur Herstellung von Harzformteilen
US6180696B1 (en) 1997-02-19 2001-01-30 Georgia Tech Research Corporation No-flow underfill of epoxy resin, anhydride, fluxing agent and surfactant
JPH1145616A (ja) * 1997-05-28 1999-02-16 Yazaki Corp 導電性フィラー、導電性ペーストおよび回路体の形成方法
US5846459A (en) * 1997-06-26 1998-12-08 Ucar Carbon Technology Corporation Method of forming a flexible graphite sheet with decreased anisotropy
US6734368B1 (en) 1997-07-09 2004-05-11 International Business Machines Corporation Metal backed printed circuit board assemblies
US6335571B1 (en) 1997-07-21 2002-01-01 Miguel Albert Capote Semiconductor flip-chip package and method for the fabrication thereof
US5985456A (en) * 1997-07-21 1999-11-16 Miguel Albert Capote Carboxyl-containing polyunsaturated fluxing adhesive for attaching integrated circuits
US6017634A (en) * 1997-07-21 2000-01-25 Miguel Albert Capote Carboxyl-containing polyunsaturated fluxing agent and carboxyl-reactive neutralizing agent as adhesive
US6367150B1 (en) 1997-09-05 2002-04-09 Northrop Grumman Corporation Solder flux compatible with flip-chip underfill material
US5980785A (en) * 1997-10-02 1999-11-09 Ormet Corporation Metal-containing compositions and uses thereof, including preparation of resistor and thermistor elements
US6160714A (en) 1997-12-31 2000-12-12 Elpac (Usa), Inc. Molded electronic package and method of preparation
JP2004506309A (ja) 1997-12-31 2004-02-26 エルパック(ユーエスエー)、インコーポレイテッド モールドされた電子パッケージ、製作方法およびシールディング方法
US6165309A (en) * 1998-02-04 2000-12-26 General Electric Co. Method for improving the adhesion of metal films to polyphenylene ether resins
GB2353528A (en) * 1998-04-22 2001-02-28 Multicore Solders Ltd Adhesive and encapsulating material with fluxing properties
US6399426B1 (en) 1998-07-21 2002-06-04 Miguel Albert Capote Semiconductor flip-chip package and method for the fabrication thereof
US6274070B1 (en) 1998-08-07 2001-08-14 Aisin Seiki Kabushiki Kaisha Methods of producing resin moldings
US6116494A (en) * 1998-09-01 2000-09-12 Hewlett-Packard Company Method for re-attachment of a SMT component using a heated air jet
KR100629923B1 (ko) * 1998-09-30 2006-09-29 돗빤호무즈가부시기가이샤 도전성페이스트와 도전성페이스트의 경화방법, 및 도전성페이스트를 이용한 비접촉형 데이터송수신체용 안테나의 형성방법과, 비접촉형 데이터송수신체
US6054761A (en) 1998-12-01 2000-04-25 Fujitsu Limited Multi-layer circuit substrates and electrical assemblies having conductive composition connectors
US6592943B2 (en) 1998-12-01 2003-07-15 Fujitsu Limited Stencil and method for depositing solder
US6344157B1 (en) 1999-02-12 2002-02-05 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Conductive and resistive materials with electrical stability for use in electronics devices
US6326555B1 (en) 1999-02-26 2001-12-04 Fujitsu Limited Method and structure of z-connected laminated substrate for high density electronic packaging
FR2793949B1 (fr) * 1999-05-21 2001-08-10 Thomson Plasma Melange pour realiser des electrodes et procede de formation d'electrodes
US6352881B1 (en) 1999-07-22 2002-03-05 National Semiconductor Corporation Method and apparatus for forming an underfill adhesive layer
US6475555B2 (en) 1999-10-29 2002-11-05 International Business Machines Corporation Process for screening features on an electronic substrate with a low viscosity paste
WO2001033909A2 (en) 1999-11-03 2001-05-10 Nexicor Llc Hand held induction tool
US6402013B2 (en) * 1999-12-03 2002-06-11 Senju Metal Industry Co., Ltd Thermosetting soldering flux and soldering process
US6528169B2 (en) 2000-07-06 2003-03-04 3M Innovative Properties Company No-flow flux adhesive compositions
GB2365816B (en) * 2000-08-09 2002-11-13 Murata Manufacturing Co Method of bonding conductive adhesive and electrode,and bonded structure
US6524721B2 (en) * 2000-08-31 2003-02-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive adhesive and packaging structure using the same
CN1273249C (zh) * 2000-10-02 2006-09-06 旭化成电子材料元件株式会社 基本不含铅的金属合金颗粒及其生产方法和用途
US6884313B2 (en) * 2001-01-08 2005-04-26 Fujitsu Limited Method and system for joining and an ultra-high density interconnect
US6800169B2 (en) * 2001-01-08 2004-10-05 Fujitsu Limited Method for joining conductive structures and an electrical conductive article
US6866741B2 (en) * 2001-01-08 2005-03-15 Fujitsu Limited Method for joining large substrates
US6534179B2 (en) 2001-03-27 2003-03-18 International Business Machines Corporation Halogen free triazines, bismaleimide/epoxy polymers, prepregs made therefrom for circuit boards and resin coated articles, and use
US6583201B2 (en) 2001-04-25 2003-06-24 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Conductive materials with electrical stability for use in electronics devices
US20030111519A1 (en) * 2001-09-04 2003-06-19 3M Innovative Properties Company Fluxing compositions
US6802446B2 (en) * 2002-02-01 2004-10-12 Delphi Technologies, Inc. Conductive adhesive material with metallurgically-bonded conductive particles
JP2003275895A (ja) * 2002-03-22 2003-09-30 Toyo Aluminium Kk ろう付け用ペースト状組成物とそれを用いたろう付け方法
US6791839B2 (en) * 2002-06-25 2004-09-14 Dow Corning Corporation Thermal interface materials and methods for their preparation and use
US7423337B1 (en) 2002-08-19 2008-09-09 National Semiconductor Corporation Integrated circuit device package having a support coating for improved reliability during temperature cycling
JPWO2004053901A1 (ja) * 2002-12-09 2006-04-13 松下電器産業株式会社 外部電極を備えた電子部品
US20040178391A1 (en) * 2003-01-29 2004-09-16 Conaghan Brian F. High conductivity inks with low minimum curing temperatures
US7211205B2 (en) * 2003-01-29 2007-05-01 Parelec, Inc. High conductivity inks with improved adhesion
US7141185B2 (en) * 2003-01-29 2006-11-28 Parelec, Inc. High conductivity inks with low minimum curing temperatures
US7301222B1 (en) 2003-02-12 2007-11-27 National Semiconductor Corporation Apparatus for forming a pre-applied underfill adhesive layer for semiconductor wafer level chip-scale packages
US6821878B2 (en) * 2003-02-27 2004-11-23 Freescale Semiconductor, Inc. Area-array device assembly with pre-applied underfill layers on printed wiring board
JP4467439B2 (ja) * 2003-03-18 2010-05-26 ダウ・コーニング・コーポレイション 導電性組成物及び該導電性組成物の使用法
JP2006514144A (ja) * 2003-03-18 2006-04-27 ダウ・コーニング・コーポレイション 導電性接着性組成物
KR20060007011A (ko) * 2003-04-01 2006-01-23 아길라 테크놀로지스, 인코포레이티드 열 전도성 접착제 조성물 및 장치 부착 방법
DE10319888A1 (de) 2003-04-25 2004-11-25 Siemens Ag Lotmaterial auf SnAgCu-Basis
US7166491B2 (en) * 2003-06-11 2007-01-23 Fry's Metals, Inc. Thermoplastic fluxing underfill composition and method
TWI329534B (en) * 2003-07-09 2010-09-01 Fry Metals Inc Coating metal particles
CN1849180B (zh) * 2003-07-09 2010-06-16 福莱金属公司 沉积和构图方法
US20050056365A1 (en) * 2003-09-15 2005-03-17 Albert Chan Thermal interface adhesive
US7282375B1 (en) 2004-04-14 2007-10-16 National Semiconductor Corporation Wafer level package design that facilitates trimming and testing
US7247683B2 (en) * 2004-08-05 2007-07-24 Fry's Metals, Inc. Low voiding no flow fluxing underfill for electronic devices
WO2006022416A2 (en) * 2004-08-25 2006-03-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solder composition, connecting process with soldering, and connection structure with soldering
WO2006022415A2 (en) * 2004-08-25 2006-03-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solder composition, connecting process with soldering, and connection structure with soldering
KR101313391B1 (ko) 2004-11-03 2013-10-01 테세라, 인코포레이티드 적층형 패키징
WO2006064849A1 (ja) * 2004-12-15 2006-06-22 Tamurakaken Corporation 導電性接着剤、これを用いた導電部及び電子部品モジュール
US7452568B2 (en) * 2005-02-04 2008-11-18 International Business Machines Corporation Centrifugal method for filing high aspect ratio blind micro vias with powdered materials for circuit formation
US7413805B2 (en) * 2005-02-25 2008-08-19 Fry's Metals, Inc. Preparation of metallic particles for electrokinetic or electrostatic deposition
US7446136B2 (en) * 2005-04-05 2008-11-04 Momentive Performance Materials Inc. Method for producing cure system, adhesive system, and electronic device
US7405246B2 (en) * 2005-04-05 2008-07-29 Momentive Performance Materials Inc. Cure system, adhesive system, electronic device
US8058101B2 (en) 2005-12-23 2011-11-15 Tessera, Inc. Microelectronic packages and methods therefor
DE102006048513A1 (de) * 2006-04-29 2007-11-08 Michael Metzke Wärmeleitschicht und Verfahren zu deren Herstellung
WO2008004287A1 (fr) * 2006-07-05 2008-01-10 Ablestik (Japan) Co., Ltd. Adhésif conducteur
US7780801B2 (en) 2006-07-26 2010-08-24 International Business Machines Corporation Flux composition and process for use thereof
JP5170685B2 (ja) * 2006-08-28 2013-03-27 株式会社村田製作所 導電性接合材料、及び電子装置
JP4432949B2 (ja) * 2006-09-15 2010-03-17 パナソニック株式会社 電気部品の接続方法
US7758916B2 (en) * 2006-11-13 2010-07-20 Sulzer Metco (Us), Inc. Material and method of manufacture of a solder joint with high thermal conductivity and high electrical conductivity
US20080217589A1 (en) * 2007-03-08 2008-09-11 Tsung-Chih Tsai Terminal composition for an electrical component
US20100001237A1 (en) * 2007-03-26 2010-01-07 Fornes Timothy D Method for producing heterogeneous composites
JP5277564B2 (ja) * 2007-05-29 2013-08-28 住友ベークライト株式会社 半導体ウエハーの接合方法および半導体装置の製造方法
US20090226701A1 (en) * 2007-08-24 2009-09-10 Mark Charles Carbone Boiling Enhancement Coating Produced Using Viscous Bulking Agent to Create Voids
JP2010539683A (ja) * 2007-09-11 2010-12-16 ダウ コーニング コーポレーション 複合材料、該複合材料を含む放熱材料、ならびにそれらの調製方法および使用
DE102008023882A1 (de) * 2008-05-16 2009-11-19 Bayer Materialscience Ag Druckbare Zusammensetzung auf Basis von Silberpartikeln zur Erzeugung elektrisch leitfähiger Beschichtungen
EP2334728B1 (de) 2008-09-26 2018-03-21 Alpha Assembly Solutions Inc. Leitfähige zusammensetzungen und verfahren zu ihrer verwendung
KR100929136B1 (ko) * 2009-02-16 2009-12-01 (주)덕산테코피아 도전성 접착제와 그 제조 방법 및 이를 포함하는 전자 장치
KR100977163B1 (ko) * 2009-03-23 2010-08-20 덕산하이메탈(주) 솔더 접착제와 그 제조 방법 및 이를 포함하는 전자 장치
US8221518B2 (en) * 2009-04-02 2012-07-17 Ormet Circuits, Inc. Conductive compositions containing blended alloy fillers
JP5744015B2 (ja) * 2009-06-12 2015-07-01 ロード コーポレイション 基板を電磁妨害から遮蔽するための方法
KR102108773B1 (ko) * 2009-11-05 2020-05-11 오르멧 서키츠 인코퍼레이티드 야금 망상 조성물의 제조 및 그것의 사용 방법
KR101225497B1 (ko) * 2009-11-05 2013-01-23 (주)덕산테코피아 도전성 접착제와 그 제조 방법 및 이를 포함하는 전자 장치
CN101781541B (zh) * 2010-02-02 2012-12-05 华南理工大学 一种纳米银/环氧导电胶的原位制备方法
KR101061048B1 (ko) * 2010-02-17 2011-09-01 (주)덕산테코피아 솔더 잉크 및 이를 이용한 전자소자 패키지
US9748043B2 (en) 2010-05-26 2017-08-29 Kemet Electronics Corporation Method of improving electromechanical integrity of cathode coating to cathode termination interfaces in solid electrolytic capacitors
US8896986B2 (en) * 2010-05-26 2014-11-25 Kemet Electronics Corporation Method of improving electromechanical integrity of cathode coating to cathode termination interfaces in solid electrolytic capacitors
US8482111B2 (en) 2010-07-19 2013-07-09 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages
US9682447B2 (en) 2010-08-20 2017-06-20 Henkel IP & Holding GmbH Organic acid- or latent organic acid-functionalized polymer-coated metal powders for solder pastes
TW201210733A (en) 2010-08-26 2012-03-16 Dynajoin Corp Variable melting point solders
JP5886300B2 (ja) * 2010-10-05 2016-03-16 ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー 一液型低温硬化性ポリマー組成物および関連方法
JP4795488B1 (ja) * 2011-01-18 2011-10-19 パナソニック株式会社 配線基板、配線基板の製造方法、及びビアペースト
US9815149B2 (en) 2011-02-25 2017-11-14 International Business Machines Corporation Flux composition and techniques for use thereof
US9579738B2 (en) 2011-02-25 2017-02-28 International Business Machines Corporation Flux composition and techniques for use thereof
KR101128063B1 (ko) 2011-05-03 2012-04-23 테세라, 인코포레이티드 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리
US20120286218A1 (en) * 2011-05-11 2012-11-15 Nanosolar, Inc. Low cost alternatives to conductive silver-based inks
US9117811B2 (en) 2011-06-13 2015-08-25 Tessera, Inc. Flip chip assembly and process with sintering material on metal bumps
US8404520B1 (en) 2011-10-17 2013-03-26 Invensas Corporation Package-on-package assembly with wire bond vias
WO2013090562A2 (en) * 2011-12-13 2013-06-20 Dow Corning Corporation Photovoltaic cell and method of forming the same
KR20130066929A (ko) * 2011-12-13 2013-06-21 한국전자통신연구원 패턴 형성 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
CN103170757A (zh) * 2011-12-23 2013-06-26 富泰华工业(深圳)有限公司 锡膏及其制备方法
US8946757B2 (en) 2012-02-17 2015-02-03 Invensas Corporation Heat spreading substrate with embedded interconnects
US8372741B1 (en) 2012-02-24 2013-02-12 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US9056438B2 (en) 2012-05-02 2015-06-16 3M Innovative Properties Company Curable composition, articles comprising the curable composition, and method of making the same
US8835228B2 (en) 2012-05-22 2014-09-16 Invensas Corporation Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect
US9583453B2 (en) 2012-05-30 2017-02-28 Ormet Circuits, Inc. Semiconductor packaging containing sintering die-attach material
US9391008B2 (en) 2012-07-31 2016-07-12 Invensas Corporation Reconstituted wafer-level package DRAM
US9502390B2 (en) 2012-08-03 2016-11-22 Invensas Corporation BVA interposer
US9005330B2 (en) 2012-08-09 2015-04-14 Ormet Circuits, Inc. Electrically conductive compositions comprising non-eutectic solder alloys
WO2014082100A1 (en) 2012-11-16 2014-05-30 Ormet Circuits Inc. Alternative compositions for high temperature soldering applications
US8878353B2 (en) 2012-12-20 2014-11-04 Invensas Corporation Structure for microelectronic packaging with bond elements to encapsulation surface
US9136254B2 (en) 2013-02-01 2015-09-15 Invensas Corporation Microelectronic package having wire bond vias and stiffening layer
US9167710B2 (en) 2013-08-07 2015-10-20 Invensas Corporation Embedded packaging with preformed vias
US9685365B2 (en) 2013-08-08 2017-06-20 Invensas Corporation Method of forming a wire bond having a free end
US20150076714A1 (en) 2013-09-16 2015-03-19 Invensas Corporation Microelectronic element with bond elements to encapsulation surface
US9583456B2 (en) 2013-11-22 2017-02-28 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9379074B2 (en) 2013-11-22 2016-06-28 Invensas Corporation Die stacks with one or more bond via arrays of wire bond wires and with one or more arrays of bump interconnects
US9263394B2 (en) 2013-11-22 2016-02-16 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9583411B2 (en) 2014-01-17 2017-02-28 Invensas Corporation Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing
US10381326B2 (en) 2014-05-28 2019-08-13 Invensas Corporation Structure and method for integrated circuits packaging with increased density
US10161835B1 (en) 2014-11-20 2018-12-25 National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc Microsampler and method of making the same
US9735084B2 (en) 2014-12-11 2017-08-15 Invensas Corporation Bond via array for thermal conductivity
JP5944979B1 (ja) * 2014-12-26 2016-07-05 千住金属工業株式会社 はんだ転写シート、はんだバンプ及びはんだ転写シートを用いたはんだプリコート方法
US9888579B2 (en) 2015-03-05 2018-02-06 Invensas Corporation Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips
US9502372B1 (en) 2015-04-30 2016-11-22 Invensas Corporation Wafer-level packaging using wire bond wires in place of a redistribution layer
US9761554B2 (en) 2015-05-07 2017-09-12 Invensas Corporation Ball bonding metal wire bond wires to metal pads
US9490222B1 (en) 2015-10-12 2016-11-08 Invensas Corporation Wire bond wires for interference shielding
US10490528B2 (en) 2015-10-12 2019-11-26 Invensas Corporation Embedded wire bond wires
US9515044B1 (en) * 2015-10-14 2016-12-06 Napra Co., Ltd. Electronic device, method of manufacturing the same, metal particle, and electroconductive paste
US10332854B2 (en) 2015-10-23 2019-06-25 Invensas Corporation Anchoring structure of fine pitch bva
US10181457B2 (en) 2015-10-26 2019-01-15 Invensas Corporation Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out
US9911718B2 (en) 2015-11-17 2018-03-06 Invensas Corporation ‘RDL-First’ packaged microelectronic device for a package-on-package device
US9659848B1 (en) 2015-11-18 2017-05-23 Invensas Corporation Stiffened wires for offset BVA
US9984992B2 (en) 2015-12-30 2018-05-29 Invensas Corporation Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces
US9935075B2 (en) 2016-07-29 2018-04-03 Invensas Corporation Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding
EP3495089A4 (de) * 2016-08-03 2020-01-08 Furukawa Electric Co., Ltd. Zusammensetzung mit metallpartikeln
US10299368B2 (en) 2016-12-21 2019-05-21 Invensas Corporation Surface integrated waveguides and circuit structures therefor
JP7189209B2 (ja) 2017-06-12 2022-12-13 オルメット・サーキッツ・インコーポレイテッド 良好な可使時間及び熱伝導性を有する金属製接着性組成物、それの製造方法及び使用
CN112166653A (zh) 2018-03-15 2021-01-01 以色列商普林特电路板有限公司 双组分可印刷导电组合物
CN113924187A (zh) * 2019-05-27 2022-01-11 千住金属工业株式会社 助焊剂
JP6617847B1 (ja) * 2019-05-27 2019-12-11 千住金属工業株式会社 フラックス
JP6617848B1 (ja) * 2019-05-27 2019-12-11 千住金属工業株式会社 フラックス
CN115151414A (zh) * 2020-02-26 2022-10-04 提克纳有限责任公司 用于电子器件的聚合物组合物
CN111548194A (zh) * 2020-05-29 2020-08-18 南京凯泰化学科技有限公司 一种印制电路板的制备方法

Family Cites Families (104)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE237840C (de) *
US2993815A (en) * 1959-05-25 1961-07-25 Bell Telephone Labor Inc Metallizing refractory substrates
SU134737A1 (ru) 1960-03-24 1960-11-30 Л.И. Бродолин Токопровод ща паста
US3256109A (en) * 1962-12-20 1966-06-14 Berger Carl Metal formation within a substrate
US3324081A (en) * 1963-12-31 1967-06-06 Gulf Research Development Co Polyepoxy resin-biaryl anhydride composition
US3410714A (en) * 1965-10-18 1968-11-12 Gen Electric Metallizing and bonding non-metallic bodies
US3681135A (en) * 1970-06-24 1972-08-01 Lucas Industries Ltd Printed circuits and method of making same
US3714709A (en) * 1970-07-06 1973-02-06 Rca Corp Method of manufacturing thick-film hybrid integrated circuits
US3801364A (en) * 1971-02-03 1974-04-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method for making printed circuits which include printed resistors
US3679439A (en) * 1971-03-23 1972-07-25 Du Pont Lead-containing metallizations
GB1378520A (en) * 1971-05-10 1974-12-27 Atomic Energy Authority Uk Metallising pastes
US3791027A (en) * 1971-06-30 1974-02-12 Ibm Soldering method
GB1387267A (en) * 1971-07-27 1975-03-12 Lucas Industries Ltd Thick film circuits
US3800020A (en) * 1972-03-23 1974-03-26 Cramer P Co Method of making a circuit board
US3904555A (en) * 1972-10-05 1975-09-09 Nippon Steel Corp Weldable paint composition
JPS4997846A (de) * 1972-12-29 1974-09-17
NL7401687A (de) 1973-02-12 1974-08-14
JPS50100596A (de) * 1974-01-09 1975-08-09
US3983075A (en) * 1974-06-21 1976-09-28 Kennecott Copper Corporation Copper filled conductive epoxy
US4000016A (en) * 1974-11-29 1976-12-28 International Business Machines Corporation Water soluble fluxes
US4001146A (en) * 1975-02-26 1977-01-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Novel silver compositions
US3960777A (en) * 1975-06-23 1976-06-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Gold compositions
CA1097495A (en) * 1976-05-24 1981-03-17 James H. Aumiller Electrically conductive adhesive
JPS5933924B2 (ja) * 1976-09-09 1984-08-18 ジェイエスアール株式会社 感圧抵抗体
US4147669A (en) * 1977-03-28 1979-04-03 Rockwell International Corporation Conductive adhesive for providing electrical and thermal conductivity
JPS53133799A (en) * 1977-04-27 1978-11-21 Idearisaachi Yuugen Electroconductive paint
JPS6034615B2 (ja) * 1977-07-27 1985-08-09 日立電線株式会社 半導体機器のリ−ド用銅合金
US4293451A (en) * 1978-06-08 1981-10-06 Bernd Ross Screenable contact structure and method for semiconductor devices
US4327124A (en) * 1978-07-28 1982-04-27 Desmarais Jr Raymond C Method for manufacturing printed circuits comprising printing conductive ink on dielectric surface
US4186036A (en) * 1978-08-25 1980-01-29 The Dow Chemical Company Weldable coating compositions
US4233103A (en) * 1978-12-20 1980-11-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force High temperature-resistant conductive adhesive and method employing same
JPS55160072A (en) * 1979-05-31 1980-12-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electrically conductive adhesive
US4273593A (en) * 1979-06-25 1981-06-16 Scm Corporation Metal-joining paste and vehicle therefor
JPS565840A (en) 1979-06-28 1981-01-21 Shin Etsu Polymer Co Ltd Anisotropic pressure electrically-conductive elastomer molded article
JPS5632605A (en) * 1979-08-28 1981-04-02 Kogyo Gijutsuin Group iiivi metal compound semiconductor electrode material in periodic table
US4278702A (en) * 1979-09-25 1981-07-14 Anthony J. Casella Method of making printed circuit board by induction heating of the conductive metal particles on a plastic substrate
US4429657A (en) * 1979-12-13 1984-02-07 Additive Technology Corporation Method, materials and apparatus for manufacturing printed circuits
US4457861A (en) * 1979-12-13 1984-07-03 Additive Technology Corporation Method, materials and apparatus for manufacturing printed circuits
JPS56103260A (en) * 1980-01-22 1981-08-18 Asahi Kagaku Kenkyusho:Kk Conductive paint containing copper powder
US4352899A (en) * 1980-04-05 1982-10-05 Sakai Chemical Industry Co., Ltd. Coating composition for metal-substrate
US4368281A (en) * 1980-09-15 1983-01-11 Amp Incorporated Printed circuits
US4496475A (en) * 1980-09-15 1985-01-29 Potters Industries, Inc. Conductive paste, electroconductive body and fabrication of same
JPS57111034A (en) * 1980-12-10 1982-07-10 Hitachi Ltd Semiconductor device and its manufacture
JPS57113505A (en) * 1981-01-07 1982-07-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd Conductive composition
JPS57185316A (en) * 1981-05-11 1982-11-15 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Electrically conductive resin paste
CA1190736A (en) * 1981-06-03 1985-07-23 Robert J. Moneta Copper conductor composition for porcelain enamel steel substrates
GB2102026B (en) * 1981-06-05 1985-07-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Conductive pastes
NL8102809A (nl) * 1981-06-11 1983-01-03 Philips Nv Weerstandspasta voor een weerstandslichaam.
JPS57208002A (en) * 1981-06-18 1982-12-21 Shinetsu Polymer Co Thermal pressure conductive composition
JPS5842651A (ja) * 1981-09-07 1983-03-12 Toshiba Corp 導電性ペ−スト
JPS5861144A (ja) * 1981-10-06 1983-04-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 導電性組成物
US4396666A (en) * 1981-11-02 1983-08-02 Cts Corporation Solderable conductive employing an organic binder
FR2516739A1 (fr) * 1981-11-17 1983-05-20 Rhone Poulenc Spec Chim Procede de fabrication de circuits electroniques de type hybride a couches epaisses, des moyens destines a la mise en oeuvre de ce procede et les circuits obtenus selon ce procede
JPS58104969A (ja) * 1981-12-17 1983-06-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 導電性ペイント
JPS58127742A (ja) * 1982-01-26 1983-07-29 Sanko Kagaku Kk 導電性樹脂配合組成物
US4459166A (en) * 1982-03-08 1984-07-10 Johnson Matthey Inc. Method of bonding an electronic device to a ceramic substrate
JPS5949272A (ja) * 1982-09-14 1984-03-21 Toshiba Corp 導電性塗料
JPS59100176A (ja) * 1982-11-30 1984-06-09 Nec Corp 接着剤
US4503090A (en) * 1983-02-23 1985-03-05 At&T Bell Laboratories Thick film resistor circuits
JPS59210966A (ja) * 1983-05-16 1984-11-29 Daicel Chem Ind Ltd 高導電性スチレン系樹脂組成物
US4533685A (en) * 1983-07-26 1985-08-06 Hudgin Donald E Polymer-metal blend
US4535012A (en) * 1983-09-30 1985-08-13 Electro Materials Corp. Of America Fast curing solderable conductor
US4564563A (en) * 1983-09-30 1986-01-14 Electro Materials Corp. Of America Solderable conductor
US4696764A (en) * 1983-12-02 1987-09-29 Osaka Soda Co., Ltd. Electrically conductive adhesive composition
US4557857A (en) * 1984-05-30 1985-12-10 Allied Corporation High conducting polymer-metal alloy blends
US4592861A (en) * 1984-06-08 1986-06-03 Uniroyal Chemical Company, Inc. Antistatic thermoplastic composition comprising a graft polymer, halogenated thermoplastic polymer and conductive carbon black
US4575432A (en) * 1984-07-09 1986-03-11 W. R. Grace & Co. Conductive thermosetting compositions and process for using same
US4639396A (en) * 1984-07-19 1987-01-27 Princeton Polymer Laboratories Thermoplastics-metal fiber threads
EP0170063B1 (de) * 1984-07-31 1988-08-24 Mitsubishi Petrochemical Co., Ltd. Leitfähige Beschichtungszusammensetzung vom Kupfertyp
JPS6167702A (ja) * 1984-09-07 1986-04-07 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 導電性粉末及びこれを用いた導電性組成物
US4581158A (en) * 1984-09-26 1986-04-08 W. R. Grace & Co. Conductive thermosetting compositions and process for using same
JPS61123665A (ja) * 1984-11-19 1986-06-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 導電性樹脂組成物の製造方法
US4680141A (en) * 1984-11-29 1987-07-14 Mcdonnell Douglas Corporation Solder composition
JPS61159793A (ja) * 1984-12-31 1986-07-19 株式会社 アサヒ化学研究所 基板に導電回路を形成する方法
US4578425A (en) * 1985-02-13 1986-03-25 Schenectady Chemicals, Inc. Phenolic resins, carboxylic resins and the elastomers containing adhesive
US4786437A (en) * 1985-03-27 1988-11-22 Ercon, Inc. One-component, particle-filled compositions
US4716081A (en) * 1985-07-19 1987-12-29 Ercon, Inc. Conductive compositions and conductive powders for use therein
US4652398A (en) * 1985-09-12 1987-03-24 Stauffer Chemical Company Rapid curing, thermally stable adhesive composition comprising epoxy resin, polyimide, reactive solvent, and crosslinker
US4673532A (en) * 1986-01-22 1987-06-16 Mcdonnell Douglas Corporation Rosin-free solder composition
JPS62179889A (ja) * 1986-01-31 1987-08-07 Senjiyu Kinzoku Kogyo Kk クリ−ムはんだ
US4732702A (en) * 1986-02-13 1988-03-22 Hitachi Chemical Company, Ltd. Electroconductive resin paste
US4780371A (en) * 1986-02-24 1988-10-25 International Business Machines Corporation Electrically conductive composition and use thereof
US4859268A (en) * 1986-02-24 1989-08-22 International Business Machines Corporation Method of using electrically conductive composition
US4880570A (en) * 1986-03-31 1989-11-14 Harris Corporation Electroconductive adhesive
DE3782522T2 (de) * 1986-03-31 1993-06-03 Tatsuta Densen Kk Leitfaehige kupferpastenzusammensetzung.
JPS6355807A (ja) * 1986-08-27 1988-03-10 古河電気工業株式会社 導電性ペ−スト
US4765929A (en) * 1986-08-29 1988-08-23 Gte Products Corporation Silk-screenable circuit paste
US4733018A (en) * 1986-10-02 1988-03-22 Rca Corporation Thick film copper conductor inks
FR2606784B1 (fr) * 1986-11-14 1989-03-03 Rhone Poulenc Multi Tech Composition potentiellement adhesive electriquement conductrice
JPS63165457A (ja) * 1986-12-27 1988-07-08 Lion Corp 導電性樹脂組成物
US4816184A (en) * 1987-02-20 1989-03-28 General Electric Company Electrically conductive material for molding
KR880011821A (ko) * 1987-03-09 1988-10-31 오오자와 히데오 도전성 수지 조성물 및 그 성형품
US4731130A (en) * 1987-05-27 1988-03-15 Gte Government Systems Corporation Soldering composition
CA1249064A (en) * 1987-07-06 1989-01-17 Reginald B.P. Bennett Process for application of overlay conductors to surface of printed circuit board assemblies
JPH0749560B2 (ja) * 1987-08-07 1995-05-31 ポリプラスチックス株式会社 プラスチックス塗装用導電性プライマーまたは導電性塗料
JPS6481866A (en) * 1987-09-22 1989-03-28 Sumitomo Metal Mining Co Composition for forming electrically conductive coating film
JPH0759660B2 (ja) * 1987-09-25 1995-06-28 アルプス電気株式会社 導電性組成物
US4874548A (en) * 1988-03-14 1989-10-17 Ameron, Inc. Conductive adhesive
US4872928A (en) * 1988-06-07 1989-10-10 Johnson Matthey Inc. Solder paste
US5045141A (en) * 1988-07-01 1991-09-03 Amoco Corporation Method of making solderable printed circuits formed without plating
US4940498A (en) * 1989-08-14 1990-07-10 Multicore Solders Limited Flux composition
US5064481A (en) * 1990-05-17 1991-11-12 Motorola, Inc. Use or organic acids in low residue solder pastes
US5128746A (en) * 1990-09-27 1992-07-07 Motorola, Inc. Adhesive and encapsulant material with fluxing properties
US5116433A (en) * 1990-10-31 1992-05-26 Motorola, Inc. Solder paste having solder alloy/formate complexes as oxide scavengers, and method for preparing same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013102725A1 (de) * 2013-03-18 2014-09-18 Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt e.V. Reaktionsharzsystem

Also Published As

Publication number Publication date
CA2120523A1 (en) 1993-04-15
CA2120523C (en) 2004-09-14
JPH07502369A (ja) 1995-03-09
KR970010170B1 (en) 1997-06-21
EP0646048A4 (de) 1994-08-10
EP0646048A1 (de) 1995-04-05
JP2972338B2 (ja) 1999-11-08
DE69233595D1 (de) 2006-04-06
US5376403A (en) 1994-12-27
AU663342B2 (en) 1995-10-05
AU2767892A (en) 1993-05-03
EP0646048B1 (de) 2006-01-18
US5830389A (en) 1998-11-03
WO1993006943A1 (en) 1993-04-15
MX9205644A (es) 1994-08-31
ATE315963T1 (de) 2006-02-15

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