DE60220339T2 - Layout-Technik für ein induktives C3MOS Breitband - Google Patents

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Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Die Konstruktion einer integrierten Schaltung (IC) macht es erforderlich, ein Layout zu entwerfen, das die Anordnung der verschiedenen Schaltungskomponenten auf der Hauptoberfläche eines Halbleitersubstrats, z.B. eines Siliziumkristalls, angibt.
  • Da viele Schaltungselemente mehrmals verwendet werden, werden diese Schaltungselemente auf Zellen reduziert. Das Layout kann durch Anordnen der Zellen und Verbinden derselben unter Verwendung leitfähiger Verbindungen erzeugt werden. Das Layout wird für gewöhnlich unter Verwendung hochentwickelter Software-Tools ausgeführt, die Fachleuten auf dem Gebiet wohlbekannt sind.
  • Das Layout der Verbindungen stellt ein komplexes geometrisches Problem dar. Bei Hochfrequenz-ICs muss das Layout jedoch auch elektromagnetische Effekte berücksichtigen, die parasitären Widerstand und parasitäre Kapazität verursachen, welche die Leistung der IC verschlechtern können. Ein Beispiel dafür ist in der Patentschrift US 6,194,961 angegeben.
  • 1 stellt eine Standardausführung einer Zelle 10, ein Layout zweier Zellen und die Verbindung der Zellen dar, wobei jede Zelle 10 einen Induktionsspulenbereich 12, einen Widerstandsbereich 14 und einen Transistorbereich 16 umfasst. Ein Beispiel einer solchen Schaltung ist in der vorstehend erwähnten Anmeldung offenbart.
  • In 1 verbindet ein erster Satz Leitungsdrähte 18 den Induktionsspulenbereich 12 mit dem Widerstandsbereich 14 und ein zweiter Satz Leitungsdrähte 20 den Widerstandsbereich 14 mit dem Transistorbereich 16. Ein Satz Zelle-zu-Zelle-Signalverbindungen 22 verbindet die Ausgangsknoten der ersten Zelle mit den Eingängen des Transistorbereichs der zweiten Zelle. Alle Bereiche 12, 14 und 16 sind rechteckig und haben eine charakteristische Seitenabmessung: DL für den Induktionsspulenbereich 12, DR für den Widerstandsbereich 14 und DT für den Transistorbereich. Wie aus 1 hervorgeht, entspricht die Seitenabmessung der Zelle 10 in etwa der Abmessung des größten Schaltungselements, in diesem Falle der Induktionsspule und ist ungefähr gleich DL. Aufgrund der symmetrischen Ausführung der Induktionsspulen-, Widerstands- und Transistorbereiche sind diese Bereiche häufig miteinander ausgerichtet und die Länge der Leitungsdrähte, die die Bereiche miteinander verbinden, minimiert. Die Länge der Zelle-zu-Zelle-Verbindungen, die Hochfrequenz signale übertragen, ist daher aufgrund der großen Seitenabmessung der Induktionsspule im Vergleich zu den anderen Bereichen sehr groß.
  • Bei Anwendungen mit sehr hohen Frequenzen bilden die miteinander verbundenen parasitären Widerstände und Kondensatoren ein RC-Netzwerk, das eine sehr wichtige Rolle spielt. Dieses RC-Netzwerk senkt den Hochfrequenztakt ab und erzeugt ein Intersymbol-Interferenz-(ISI-)Jitter der Daten. Diese Effekte werden bei C3MOS-Zellen mit Induktions-Broadbanding sogar noch wichtiger. (Das Vorhandensein der Induktionsspulen verändert in diesen Fällen die RC-Netzwerke in RCL-Netzwerke.) Wie vorstehend und in dem genannten Patent beschrieben, umfasst die Last hierbei eine in Reihe mit einem Widerstand geschaltete Induktionsspule. Da die physische Größe der Induktionsspule typischerweise eine Größenordnung hat, die größer als die physische Größe des Widerstands ist, benötigen diese Zellen eine kleine Fläche für Transistoren und Widerstände und eine sehr große Fläche für Induktionsspulen. Wie in 1 dargestellt, macht dies die Zelle-zu-Zelle-Verbindungen 22 sehr lang. Da die Länge der Verbindungen direkt proportional zu ihrem parasitären Widerstand und ihrer parasitären Kapazität ist, kann jedwede Geschwindigkeitsverbesserung, die durch Induktions-Broadbanding erzielt wird, infolge dieser zusätzlichen parasitären Effekte verloren gehen, wenn das Layout nicht sorgfältig ausgeführt wird. Darüber hinaus verschlechtert die magnetische Kopplung, wenn sich die Induktionsspulen in der Nähe von Metall oder aktiven Gebieten befinden, die Geschwindigkeitsverbesserung weiter.
  • KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Gemäß einem Aspekt der Erfindung isoliert ein verbessertes Zellenlayout für eine C3MOS-Schaltung mit Induktions-Broadbanding effizient den Induktionsspulenbereich von Metall und aktiven Schichten und verringert die Länge der Zelle-zu-Zelle-Verbindungen.
  • Gemäß einem anderen Aspekt der Erfindung haben erste und zweite Zellen eine gemeinsame Grenze. Die Induktionsspulen-, Widerstands- und Transistorbereiche jeder Zelle sind nahe der gemeinsamen Grenze ausgerichtet, um die Länge der Zelle-zu-Zelle-Verbindung zu verkürzen.
  • Gemäß einem anderen Aspekt der Erfindung ist die Länge der Leitungsdrähte, die den Induktionsspulenbereich mit dem Widerstandsbereich verbinden, größer als die Länge der Leitungsdrähte, die den Widerstandsbereich mit dem Transistorbereich verbinden, um die Induktionsspulen von Metallbelägen und aktiven Gebieten zu isolieren.
  • Gemäß einem anderen Aspekt der Erfindung beträgt die parasitäre Kapazität der Leitungen, die die Induktionsspulen- und Widerstandsbereiche miteinander verbinden, weniger als 20% der Lastkapazität, wodurch die Schaltungsleistung verbessert wird.
  • Andere Merkmale und Vorteile der Erfindung gehen aus der folgenden genauen Beschreibung und den anhängigen Zeichnungen hervor.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist ein Blockdiagramm, das ein Standardzellenlayout darstellt,
  • 2 ist eine C3MOS-Pufferschaltung mit Induktions-Broadbanding, und
  • 3 stellt eine Ausführungsform einer Layoutzelle dar.
  • BESCHREIBUNG DER SPEZIFISCHEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Bei einer Ausführungsform der Erfindung werden die Schaltungselemente unter Verwendung einer Ultra-Hochgeschwindigkeits-Logikschaltung hergestellt, die gemäß einer siliziumkomplementären Metall-Oxid-Halbleiter-(CMOS-)Verfahrenstechnik ausgeführt ist. Es wird hierbei zwischen den Fachausdrücken "CMOS-Verfahrenstechnik" und "CMOS-Logik" unterschieden. CMOS-Verfahrenstechnik, wie hierin verwendet, bezieht sich allgemein auf eine Vielzahl wohlbekannter CMOS-Herstellungsverfahren, die einen Feldeffekttransistor auf einem Siliziumsubstrat ausbilden, wobei ein Gate-Anschluss, der typischerweise aus einem Polysiliziummaterial gefertigt ist, auf einem Isoliermaterial, wie etwa Siliziumdioxid, angeordnet wird.
  • 2 stellt eine Pufferschaltung dar, die beispielsweise unter Verwendung einer C3MOS-Technik hergestellt wird, welche in der vorstehend genannten Patentanmeldung genau beschrieben ist, ohne jedoch darauf beschränkt zu sein. Es versteht sich, dass die vorliegende Erfindung in vielen Zusammenhängen verwendbar und nicht auf spezifische Schaltungsausführungen beschränkt ist.
  • 2 ist eine schematische Darstellung einer Pufferschaltung, die Induktions-Broadbanding verwendet, sie zeigt den grundlegenden C3MOS-Puffer 200 mit den Parallel-Induktionsspulen L und den Lastkondensatoren CL. Ein Paar n-Kanal- MOSFETs 202 und 204 empfängt die differentiellen Logiksignale Vin+ bzw. Vin– an deren Gate-Anschlüssen. Die ohmschen Lasten 206 und 207, die in Reihe mit den Parallel-Induktionsspulen 208 und 209 geschaltet sind, verbinden die Drain-Anschlüsse der MOSFETs 202 bzw. 204 mit der Stromversorgung VDD. Die Drain-Anschlüsse der MOSFETs 202 und 204 bilden die Ausgänge Vout– bzw. Vout+ des Differenzpaars. Bei einer bevorzugten Ausführungsform sind die Parallel-Induktionsspulen 208 und 209 Spiralinduktoren, die mit dem Substrat unter Verwendung üblicher Techniken verbunden sind. Die ohmschen Lasten 206 und 207 können entweder aus p-Kanal-MOSFETs, die in ihrem linearen Bereich arbeiten, oder aus Widerständen bestehen, die beispielsweise aus einem Polysiliziummaterial gefertigt sind. Bei einer bevorzugten Ausführungsform werden Polysiliziumwiderstände verwendet, um die ohmschen Lasten 206 und 207 auszuführen, wodurch die Geschwindigkeit des Puffers 200 maximiert wird. Die Source-Anschlüsse der n-Kanal-MOSFETs 202 und 204 sind am Knoten 210 miteinander verbunden. Ein Stromquellen-n-Kanal-MOSFET 212 verbindet den Knoten 210 mit Masse (oder einer negativen Stromversorgung). Eine Vorspannung VB steuert den Gate-Anschluss des Stromquellen-MOSFET 212 an und legt die Menge des Stromes I fest, der durch den Puffer 200 fliegt.
  • In 2 sind ein erstes Paar Knoten, A und AB, und ein zweites Paar Knoten, B und BB, dargestellt. Das erste Paar Knoten ist mit den Ausgängen verbunden und reagiert daher empfindlich auf parasitären Reihenwiderstand und parasitäre Parallel-Kapazität. Demgemäß ist es erwünscht, die Länge von Zelle-zu-Zelle-Verbindungen, die mit dem ersten Paar Knoten verbunden sind, so weit als möglich zu verringern.
  • Andererseits reagiert das zweite Paar Knoten nicht sehr empfindlich auf parasitären Widerstand und parasitäre Parallel-Kapazität, so dass die Länge der Leitungsdrähte zwischen dem Widerstandsbereich 14 und dem Induktionsspulenbereich 12 vergrößert werden kann, um die Isolation der Induktionsspulen von anderen Schaltungskomponenten zu verbessern.
  • 3 zeigt eine Ausführungsform eines Zellenlayouts mit einer ersten und einer zweiten Zelle 10a und 10b, die eine gemeinsame Grenze 30 aufweisen. In 3 sind, Bezug nehmend auf die erste Zelle 10a, die rechten Ränder der Induktionsspulen-, Widerstands- und Transistorbereiche alle so ausgerichtet, dass der rechte Rand eines jeden Bereichs nahe dem rechten Rand der Zelle angeordnet ist. Ebenso sind, Bezug nehmend auf die zweite Zelle 10b, die Induktionsspulen-, Widerstands- und Transistorbereiche alle so ausgerichtet, dass der linke Rand eines jeden Bereichs nahe dem linken Rand der Zelle angeordnet ist. Aufgrund dieser Ausrichtung ist die Länge der Signalleitungen, die die Ausgangsknoten der ersten Zelle mit den Eingangsknoten des Transistorbereichs in der zweiten Zelle verbinden, im Vergleich zu den Signalverbindungen der Standardzelle gemäß 1 verkürzt. Diese verkürzte Länge verringert den parasitären Widerstand und die parasitäre Kapazität der Signalleitungen.
  • Darüber hinaus wird die Länge des zweiten Satzes Leitungsdrähte zwischen den Widerstands- und Transistorbereichen gering gehalten, während die Länge des ersten Satzes Leitungsdrähte zwischen den Induktionsspulen- und Widerstandsbereichen vergrößert wird, um die Isolation des Induktionsspulenbereichs von den Signalleitungen zu verbessern. Bei diesen ersten Verbindungsleitungen wird der parasitäre Widerstand dem Lastwiderstand des Widerstandsbereichs hinzugefügt, ohne die Bandbreite der Zelle zu beeinträchtigen. Somit wird die parasitäre Belastung von den hoch empfindlichen Signalleitungen auf den relativ unempfindlichen ersten Satz Leitungsdrähte verlagert.
  • Des Weiteren haben die Erfinder entdeckt, dass die Gesamtleistung gegenüber dem Fall, in dem keine parasitäre Kapazität vorhanden ist, verbessert werden kann. Dies lässt sich wie folgt erläutern. Die Basis der induktiven Parallel-Vorverzerrungstechnik (inductive shunt-peaking technique) besteht darin, der Schaltung ein Paar Induktionsspulen hinzuzufügen, so dass die natürlichen Frequenzen der Schaltung derart abgeändert werden, dass das Einschwingverhalten der Schaltung schneller wird. Wenn eine moderate parasitäre Kapazität (weniger als 20% der Lastkapazität) dem ersten Satz Leitungsdrähte hinzugefügt wird, verändern sich die natürlichen Frequenzen der Schaltung auf ähnliche Weise, so dass das Einschwingverhalten der Schaltung weiter verbessert wird. Die Verbesserung wird jedoch eingestellt, wenn die parasitäre Kapazität 20% der Lastkapazität übersteigt.
  • Die Erfindung wurde nun unter Bezugnahme auf die bevorzugten Ausführungsformen beschrieben. Andere Herstellungstechniken können anstelle der CMOS-Verarbeitungstechnik verwendet werden. Des Weiteren können, obgleich ein C3MOS-Puffer als beispielhafte Ausführungsform verwendet worden ist, die Grundlagen der Erfindung auch auf andere Schaltungen ausgedehnt werden, wie etwa Flip-Flops, Haltespeicher etc., die eine in Reihe mit einem Widerstand geschaltete Induktionsspule umfassen. Demgemäß ist es nicht beabsichtigt, die Erfindung einzuschränken, außer wie durch die anhängigen Ansprüche vorgegeben.

Claims (5)

  1. Zelle mit einer Außengrenze, die auf einer Hauptfläche eines Halbleitersubstrats angeordnet ist und umfasst: – einen im Wesentlichen viereckigen Induktionsspulenbereich mit einer Seitenabmessung mit einem Wert DL, – einen im Wesentlichen viereckigen Widerstandsbereich mit einer Seitenabmessung mit einem Wert DR, wobei DR wesentlich kleiner als DL ist, – einen im Wesentlichen viereckigen Transistorbereich mit einer Seitenabmessung mit einer Größe DT, wobei DT wesentlich kleiner als DL ist, – einen ersten Satz Leitungsdrähte mit einer Länge ICA, der den Induktionsspulenbereich mit dem Widerstandsbereich verbindet, und – einen zweiten Satz Leitungsdrähte mit einer Länge ICB, der den Widerstandsbereich mit dem Transistorbereich verbindet, dadurch gekennzeichnet, dass die Länge ICB wesentlich kleiner ist als ICA, so dass der Induktionsspulenbereich isoliert und die parasitäre Induktivität des zweiten Satzes Verbindungsleitungen gering ist.
  2. Zelle nach Anspruch 1, wobei die im Wesentlichen viereckigen Induktionsspulen-, Widerstands- und Transistorbereiche im Wesentlichen benachbart zur Außengrenze der Zelle ausgerichtet sind.
  3. Zelle nach Anspruch 2, wobei der Widerstands- und der Transistorbereich unter Verwendung der CMOS-Verfahrenstechnologie hergestellt werden.
  4. Auf der Oberfläche eines Halbleitersubstrats angeordnetes Schaltungslayout mit: – einer ersten und einer zweiten Zelle mit im Wesentlichen viereckigem Layout, die eine gemeinsame Grenze aufweisen, – wobei die erste Layoutzelle die Merkmale der Zelle gemäß Anspruch 1 aufweist, – wobei die zweite Layoutzelle umfasst: – einen Zweitzellen-Induktionsspulenbereich mit einer Seitenabmessung mit einem Wert DL, – einem Zweitzellen-Widerstandsbereich mit einer Seitenabmessung mit einem Wert DR, – einem Zweitzellen-Transistorbereich mit einer Seitenabmessung mit einer Größe DT, – einem dritten Satz Leitungsdrähte, der den Zweitzellen-Induktionsspulenbereich mit dem Zweitzellen-Widerstandsbereich verbindet, und – einem vierten Satz Leitungsdrähte, der den Zweitzellen-Widerstandsbereich mit dem Zweitzellen-Transistorbereich verbindet, wobei die Länge des dritten Satzes Leitungsdrähte wesentlich größer als die Länge des vierten Satzes Leitungsdrähte ist, um den Zweitzellen-Induktionsspulenbereich von dem Zweitzellen-Transistorbereich zu isolieren, – wobei die Induktionsspulen-, Widerstands- und Transistorbereiche der ersten Zelle im Wesentlichen benachbart zur gemeinsamen Grenze der ersten und der zweiten Layoutzelle ausgerichtet sind und wobei die Induktionsspulen-, Widerstands- und Transistorbereiche der zweiten Zelle im Wesentlichen benachbart zur gemeinsamen Grenze der ersten und der zweiten Layoutzelle ausgerichtet sind, und – Signalverbindungsleitungen den zweiten Satz Leitungsdrähte in der ersten Layoutzelle mit dem Transistorbereich in der zweiten Layoutzelle verbinden, wobei die Ausrichtung der Induktionsspulen-, Widerstands- und Transistorbereiche der ersten und der zweiten Layoutzelle mit der gemeinsamen Grenze der Zellen die Verkürzung der Signalverbindungsleitungen erleichtert.
  5. Zelle nach Anspruch 1, die ferner umfasst: – Abschlusskapazitätsbereiche, die mit dem ersten Satz Leitungsdrähte verbunden sind, wobei: – die Länge des ersten Satzes Leitungsdrähte eine parasitäre Kapazitanz von weniger als ungefähr 20% der Kapazitanz der Abschlusskapazitätsbereiche hat.
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Publications (2)

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6624699B2 (en) * 2001-10-25 2003-09-23 Broadcom Corporation Current-controlled CMOS wideband data amplifier circuits
US7362174B2 (en) * 2005-07-29 2008-04-22 Broadcom Corporation Current-controlled CMOS (C3MOS) wideband input data amplifier for reduced differential and common-mode reflection
US7598811B2 (en) * 2005-07-29 2009-10-06 Broadcom Corporation Current-controlled CMOS (C3MOS) fully differential integrated wideband amplifier/equalizer with adjustable gain and frequency response without additional power or loading
US7598788B2 (en) * 2005-09-06 2009-10-06 Broadcom Corporation Current-controlled CMOS (C3MOS) fully differential integrated delay cell with variable delay and high bandwidth
GB2463806B (en) 2007-05-08 2012-07-18 Scanimetrics Inc Ultra high speed signal transmission/reception
US8901973B2 (en) * 2013-04-19 2014-12-02 Keysight Technologies, Inc. Multi-band frequency multiplier
US10840907B1 (en) 2019-11-19 2020-11-17 Honeywell International Inc. Source-coupled logic with reference controlled inputs

Family Cites Families (121)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2494465B1 (fr) 1980-11-14 1987-02-13 Epd Engineering Projectdevelop Ordinateur de poche
US4449248A (en) 1982-02-01 1984-05-15 General Electric Company Battery saving radio circuit and system
JPS5968072A (ja) 1982-10-13 1984-04-17 Sharp Corp 機能変換用小形電子機器
US4519068A (en) 1983-07-11 1985-05-21 Motorola, Inc. Method and apparatus for communicating variable length messages between a primary station and remote stations of a data communications system
US4737975A (en) 1984-09-18 1988-04-12 Metrofone, Inc. Programmable system for interfacing a standard telephone set with a radio transceiver
US4731796A (en) 1984-10-25 1988-03-15 Stc, Plc Multi-mode radio transceiver
US4680787A (en) 1984-11-21 1987-07-14 Motorola, Inc. Portable radiotelephone vehicular converter and remote handset
GB8521159D0 (en) 1985-08-23 1985-10-02 Pa Consulting Services Two-way radio communications system
US4807282A (en) 1985-12-30 1989-02-21 International Business Machines Corp. Programmable P/C compatible communications card
JPH06105884B2 (ja) 1986-05-06 1994-12-21 日本電気株式会社 無線電話システム
US4850009A (en) 1986-05-12 1989-07-18 Clinicom Incorporated Portable handheld terminal including optical bar code reader and electromagnetic transceiver means for interactive wireless communication with a base communications station
US5239662A (en) 1986-09-15 1993-08-24 Norand Corporation System including multiple device communications controller which coverts data received from two different customer transaction devices each using different communications protocols into a single communications protocol
KR910008738B1 (ko) 1987-02-20 1991-10-19 닛본 덴기 가부시기가이샤 밧데리 절약 채널 스캔 기능을 갖고 있는 휴대용 무선 송수신기
US4817115A (en) 1987-02-27 1989-03-28 Telxon Corporation Encoding and decoding system for electronic data communication system
US4777657A (en) 1987-04-01 1988-10-11 Iss Engineering, Inc. Computer controlled broadband receiver
US4804954A (en) 1987-04-30 1989-02-14 Motorola, Inc. Battery saving method for portable communications receivers
US5249302A (en) 1987-10-09 1993-09-28 Motorola, Inc. Mixed-mode transceiver system
US5055660A (en) 1988-06-16 1991-10-08 Avicom International, Inc. Portable transaction monitoring unit for transaction monitoring and security control systems
JP2583578B2 (ja) 1988-07-01 1997-02-19 三菱電機株式会社 ポケット電話機
US5117501A (en) 1988-08-08 1992-05-26 General Electric Company Dynamic regrouping in a trunked radio communications system
US5087099A (en) 1988-09-02 1992-02-11 Stolar, Inc. Long range multiple point wireless control and monitoring system
US4916441A (en) 1988-09-19 1990-04-10 Clinicom Incorporated Portable handheld terminal
JP2805767B2 (ja) 1988-09-26 1998-09-30 日本電気株式会社 無線送受信機
US4894792A (en) 1988-09-30 1990-01-16 Tandy Corporation Portable computer with removable and replaceable add-on modules
US5008879B1 (en) 1988-11-14 2000-05-30 Datapoint Corp Lan with interoperative multiple operational capabilities
US4995099A (en) 1988-12-01 1991-02-19 Motorola, Inc. Power conservation method and apparatus for a portion of a predetermined signal
US5025486A (en) 1988-12-09 1991-06-18 Dallas Semiconductor Corporation Wireless communication system with parallel polling
GB2226475A (en) 1988-12-23 1990-06-27 Philips Electronic Associated Power economising in multiple user radio systems
US5150361A (en) 1989-01-23 1992-09-22 Motorola, Inc. Energy saving protocol for a TDM radio
US5128938A (en) 1989-03-03 1992-07-07 Motorola, Inc. Energy saving protocol for a communication system
US5839051A (en) 1989-03-17 1998-11-17 Technophone Limited Host radio telephone to directly access a handset NAM through a connecter without requiring the handset controller to be employed
US5680633A (en) 1990-01-18 1997-10-21 Norand Corporation Modular, portable data processing terminal for use in a radio frequency communication network
US6014705A (en) 1991-10-01 2000-01-11 Intermec Ip Corp. Modular portable data processing terminal having a higher layer and lower layer partitioned communication protocol stack for use in a radio frequency communications network
US5428636A (en) 1993-05-03 1995-06-27 Norand Corporation Radio frequency local area network
US5029183A (en) 1989-06-29 1991-07-02 Symbol Technologies, Inc. Packet data communication network
GB2234371A (en) * 1989-07-07 1991-01-30 Inmos Ltd Clock generation
US4969206A (en) 1989-07-18 1990-11-06 Phyle Industries Limited Portable data collection device with RF transmission
US4964121A (en) 1989-08-30 1990-10-16 Motorola, Inc. Battery saver for a TDM system
US5121408A (en) 1989-10-16 1992-06-09 Hughes Aircraft Company Synchronization for entry to a network in a frequency hopping communication system
AU6721890A (en) 1989-11-03 1991-05-31 Microcom Systems, Inc. Method and apparatus for effecting efficient transmission of data
EP0500794A4 (en) 1989-11-22 1993-02-03 David C. Russell Computer control system
US5153878A (en) 1989-12-11 1992-10-06 Motorola Inc. Radio data communications system with diverse signaling capability
US5055659A (en) 1990-02-06 1991-10-08 Amtech Technology Corp. High speed system for reading and writing data from and into remote tags
JPH0810995Y2 (ja) 1990-02-08 1996-03-29 沖電気工業株式会社 自動車電話機用アダプタ
ES2078513T3 (es) 1990-03-03 1995-12-16 Cedardell Ltd Sistema de comunicaciones.
GB2241851A (en) 1990-03-09 1991-09-11 Philips Electronic Associated Optimising transmitter power in a communications system
US5179666A (en) 1990-06-07 1993-01-12 Unisys Corporation Block oriented peripheral device interface
US5363121A (en) 1990-06-29 1994-11-08 International Business Machines Corporation Multiple protocol communication interface for distributed transaction processing
US5584048A (en) 1990-08-17 1996-12-10 Motorola, Inc. Beacon based packet radio standby energy saver
US5119502A (en) 1990-08-30 1992-06-02 Telefonaktiebolaget L M Ericsson Periodic system ordered rescan in a cellular communication system
JP2646831B2 (ja) 1990-10-25 1997-08-27 日本電気株式会社 選択呼出受信機
US5181200A (en) 1990-10-29 1993-01-19 International Business Machines Corporation Handoff method and apparatus for mobile wireless workstation
US5265270A (en) 1990-10-31 1993-11-23 Motorola, Inc. Method and apparatus for providing power conservation in a communication system
US5179721A (en) 1990-11-05 1993-01-12 Motorola Inc. Method for inter operation of a cellular communication system and a trunking communication system
AU655219B2 (en) 1990-11-26 1994-12-08 Motorola, Inc. Method and apparatus for paging in a communication system
US5230084A (en) 1990-12-06 1993-07-20 Motorola, Inc. Selective call receiver having extended battery saving capability
JP2530060B2 (ja) 1991-01-17 1996-09-04 株式会社東芝 通信制御装置
US5297144A (en) 1991-01-22 1994-03-22 Spectrix Corporation Reservation-based polling protocol for a wireless data communications network
US5265238A (en) 1991-01-25 1993-11-23 International Business Machines Corporation Automatic device configuration for dockable portable computers
US5134347A (en) 1991-02-22 1992-07-28 Comfortex Corporation Low power consumption wireless data transmission and control system
US5081402A (en) 1991-02-22 1992-01-14 Comfortex Corporation Low power consumption wireless data transmission and control system
US5152006A (en) 1991-02-25 1992-09-29 Motorola, Inc. Receiver controller method and apparatus
EP0503207B1 (de) 1991-03-13 1997-06-18 International Business Machines Corporation Anpassungseinrichtung und Verfahren zur wirksamen Verbindung von Datenverarbeitungseinrichtungen und Netzwerken
CA2040234C (en) 1991-04-11 2000-01-04 Steven Messenger Wireless coupling of devices to wired network
US5249220A (en) 1991-04-18 1993-09-28 Rts Electronics, Inc. Handheld facsimile and alphanumeric message transceiver operating over telephone or wireless networks
JP2930257B2 (ja) 1991-04-22 1999-08-03 株式会社東芝 携帯可能電子装置
US6374311B1 (en) 1991-10-01 2002-04-16 Intermec Ip Corp. Communication network having a plurality of bridging nodes which transmit a beacon to terminal nodes in power saving state that it has messages awaiting delivery
US5940771A (en) 1991-05-13 1999-08-17 Norand Corporation Network supporting roaming, sleeping terminals
WO1992021195A1 (en) 1991-05-13 1992-11-26 Omnipoint Corporation Dual mode transmitter and receiver
US5394436A (en) 1991-10-01 1995-02-28 Norand Corporation Radio frequency local area network
US5123029A (en) 1991-06-21 1992-06-16 International Business Machines Corporation Broadcast-initiated bipartite frame multi-access protocol
GB9114808D0 (en) 1991-07-09 1991-08-28 Philips Electronic Associated Information transmission system
US5293639A (en) 1991-08-09 1994-03-08 Motorola, Inc. Reduction of power consumption in a portable communication unit
US5241542A (en) 1991-08-23 1993-08-31 International Business Machines Corporation Battery efficient operation of scheduled access protocol
US5361397A (en) 1991-08-26 1994-11-01 Motorola, Inc. Communication device and system capable of automatic programmable energizing
US5392023A (en) 1991-09-06 1995-02-21 Motorola, Inc. Data communication system with automatic power control
US5390206A (en) 1991-10-01 1995-02-14 American Standard Inc. Wireless communication system for air distribution system
US5274666A (en) 1991-10-16 1993-12-28 Telephonics Corporation Wireless communication system
JP2571655B2 (ja) 1991-11-27 1997-01-16 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション プロトコル変換機構、交換ネットワーク及びコンピュータ・システム
US5440560A (en) 1991-12-24 1995-08-08 Rypinski; Chandos A. Sleep mode and contention resolution within a common channel medium access method
DE69330981T2 (de) 1992-04-20 2002-06-27 3Com Corp Vorrichtung zur Netzmittelerweiterung auf entfernte Netzwerke
US5744366A (en) 1992-05-01 1998-04-28 Trustees Of The University Of Pennsylvania Mesoscale devices and methods for analysis of motile cells
EP0648404B1 (de) 1992-06-29 1998-11-25 Elonex Technologies, Inc. Modular tragbarer rechner
US5579487A (en) 1992-10-02 1996-11-26 Teletransaction, Inc. Portable work slate computer with multiple docking positions for interchangeably receiving removable modules
US5426637A (en) 1992-12-14 1995-06-20 International Business Machines Corporation Methods and apparatus for interconnecting local area networks with wide area backbone networks
US5373149A (en) 1993-02-01 1994-12-13 At&T Bell Laboratories Folding electronic card assembly
US5406643A (en) 1993-02-11 1995-04-11 Motorola, Inc. Method and apparatus for selecting between a plurality of communication paths
AU690099B2 (en) 1993-03-04 1998-04-23 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Modular radio communications system
US5630061A (en) 1993-04-19 1997-05-13 International Business Machines Corporation System for enabling first computer to communicate over switched network with second computer located within LAN by using media access control driver in different modes
US5796727A (en) 1993-04-30 1998-08-18 International Business Machines Corporation Wide-area wireless lan access
US5438329A (en) 1993-06-04 1995-08-01 M & Fc Holding Company, Inc. Duplex bi-directional multi-mode remote instrument reading and telemetry system
US5444763A (en) 1993-06-17 1995-08-22 Research In Motion Limited Translation and connection device for radio frequency point of sale transaction systems
US5572040A (en) * 1993-07-12 1996-11-05 Peregrine Semiconductor Corporation High-frequency wireless communication system on a single ultrathin silicon on sapphire chip
US5418837A (en) 1993-07-30 1995-05-23 Ericsson-Ge Mobile Communications Inc. Method and apparatus for upgrading cellular mobile telephones
US5406615A (en) 1993-08-04 1995-04-11 At&T Corp. Multi-band wireless radiotelephone operative in a plurality of air interface of differing wireless communications systems
US5544222A (en) 1993-11-12 1996-08-06 Pacific Communication Sciences, Inc. Cellular digtial packet data mobile data base station
US5420529A (en) * 1994-05-19 1995-05-30 Northern Telecom Limited Current steering switch and hybrid BiCMOS multiplexer with CMOS commutation signal and CML/ECL data signals
US5714904A (en) 1994-06-06 1998-02-03 Sun Microsystems, Inc. High speed serial link for fully duplexed data communication
US5798658A (en) * 1995-06-15 1998-08-25 Werking; Paul M. Source-coupled logic with reference controlled inputs
US5659267A (en) * 1995-11-03 1997-08-19 Motorola, Inc. High gain K-band power amplifier with unconditionally stable MMIC FET cells
US5615584A (en) * 1995-11-21 1997-04-01 Teleflex Incorporated Slide n' snap with living hinge lock
US5724361A (en) * 1996-03-12 1998-03-03 Lsi Logic Corporation High performance n:1 multiplexer with overlap control of multi-phase clocks
US5767699A (en) * 1996-05-28 1998-06-16 Sun Microsystems, Inc. Fully complementary differential output driver for high speed digital communications
US5859881A (en) * 1996-06-07 1999-01-12 International Business Machines Corporation Adaptive filtering method and apparatus to compensate for a frequency difference between two clock sources
US6194950B1 (en) * 1997-08-28 2001-02-27 Lucent Technologies Inc. High-speed CMOS multiplexer
US6061747A (en) * 1997-10-16 2000-05-09 Lsi Logic Corporation System for sending data from-and-to a computer monitor using a high speed serial line
US6188339B1 (en) * 1998-01-23 2001-02-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Differential multiplexer and differential logic circuit
BR9815827A (pt) * 1998-04-24 2000-12-12 Endwave Corp Estruturas de circuito de onda milimétrica e microonda
JPH11346130A (ja) * 1998-06-02 1999-12-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US6222380B1 (en) * 1998-06-15 2001-04-24 International Business Machines Corporation High speed parallel/serial link for data communication
DE69840827D1 (de) * 1998-06-30 2009-06-25 Asulab Sa Induktiver Sensor
US20020089353A1 (en) * 1998-07-13 2002-07-11 Abdellatif Bellaouar Current mode logic gates for low-voltage high-speed applications
US6094074A (en) * 1998-07-16 2000-07-25 Seiko Epson Corporation High speed common mode logic circuit
US6463092B1 (en) * 1998-09-10 2002-10-08 Silicon Image, Inc. System and method for sending and receiving data signals over a clock signal line
US6201287B1 (en) * 1998-10-26 2001-03-13 Micron Technology, Inc. Monolithic inductance-enhancing integrated circuits, complementary metal oxide semiconductor (CMOS) inductance-enhancing integrated circuits, inductor assemblies, and inductance-multiplying methods
JP4540146B2 (ja) * 1998-12-24 2010-09-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US6424194B1 (en) 1999-06-28 2002-07-23 Broadcom Corporation Current-controlled CMOS logic family
JP4776752B2 (ja) * 2000-04-19 2011-09-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP4969715B2 (ja) * 2000-06-06 2012-07-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US6566720B2 (en) * 2000-10-05 2003-05-20 United Memories, Inc. Base cell layout permitting rapid layout with minimum clock line capacitance on CMOS standard-cell and gate-array integrated circuits
JP3869815B2 (ja) * 2003-03-31 2007-01-17 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置

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