DE602005004321T2 - Ein Heizverfahren und eine Heizvorrichtung in Nahköpfen für die Halbleiterwaferherstellung - Google Patents

Ein Heizverfahren und eine Heizvorrichtung in Nahköpfen für die Halbleiterwaferherstellung Download PDF

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Description

  • 1. Bereich der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft die Bearbeitung von Halbleiterwafern und insbesondere das Erwärmen von Fluiden in einem Nahkopf.
  • 2. Beschreibung der verwandten Technik
  • Die Herstellung von Halbleiterwafern umfasst typischerweise vielfältige sich wiederholende Herstellungsschritte, wie beispielsweise Implantiervorgänge, Materialabscheidung, Planarisierung und Ätzen. Nach jedem Herstellungsschritt können Rückstände auf einer Oberfläche des Halbleiterwafers verbleiben. Daher wird typischerweise ein Reinigungsschritt zwischen den Herstellungsschritten verwendet, um Partikel und anderes unerwünschtes Material, die auf der Oberfläche des Halbleiterwafers verblieben sind, zu entfernen. Beispielhafte Partikel können Siliziumstaub, Siliziumdioxid, Überreste von Aufschlämmmaterial, Metallflocken und Silikatpartikel umfassen.
  • Der Reinigungsschritt kann einen Spülschritt, einen Schleuder-Schritt und einen Trockenschritt umfassen. Während des Spülschritts kann eine Fluidzuführeinrichtung, wie beispielsweise eine Sprühvorrichtung oder eine Tauchvorrichtung ein Reinigungsfluid aufbringen, um die Oberfläche des Halbleiterwafers zu benetzen. Beispielsweise kann das Reinigungsfluid durch die Sprühvorrichtung auf die Oberfläche des Halbleiterwafers aufgesprüht werden. Als Alternative kann der Halbleiterwafer durch die Tauchvorrichtung in das Reinigungsfluid eingetaucht werden. Nach dem Spülschritt kann der Wafer rotiert werden, um die Partikel zusammen mit dem Reinigungsfluid herunterzuschleudern. Anschließend kann ein Trockenschritt auf der Oberfläche des Halbleiterwafers verbliebene Tröpfchen trocknen. Während des Reinigungsschritts oder während anderer Halbleiterherstellungsschritte kann es erwünscht sein, das auf die Oberfläche des Halbleiterwafers aufzubringende Fluid zu erwärmen. Ein Beispiel einer Vorrichtung nach dem Stand der Technik kann in der WO 03/014416A (Ebara Corporation) mit dem Titel „Plating Device and Method" ("Plattierungsvorrichtung und Verfahren") und in der WO 99/16109A (Interuniversitair Micro-Electronica Centrum Vereniging Zonda Winstbej) mit dem Titel „Method and Apparatus for Removing a Liquid From a Surface" ("Verfahren zum Entfernen von Flüssigkeit von einer Oberfläche") und weiter in der JP 2001220688A (Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.) mit dem Titel „Thin Film Deposition System and Thin Film Deposition Method" ("Dünnschicht-Abscheidungssystem und Dünnschicht-Abscheidungsverfahren") und weiter in der JP-A-09312314 (NEC Corporation) mit dem Titel „Flip Chip Mounting Mechanism" ("Flip-Chip-Montagemechanismus") gefunden werden.
  • Typische Heizmechanismen für Halbleiterwafer-Bearbeitungssysteme umfassen eine mit einer Fluidquelle verbundene Heizeinrichtung. Die Fluidquelle liefert Fluid, wie beispielsweise das Reinigungsfluid, zu der Heizeinrichtung, die das Reinigungsfluid auf eine gewünschte Temperatur erwärmt. Anschließend strömt das Fluid weiter zu der Sprühvorrichtung oder der Tauchvorrichtung.
  • Die Verwendung der vorstehend beschriebenen Schritte für derzeitige Halbleiterwafer-Bearbeitungssysteme kann jedoch ineffizient sein. Beispielsweise kann es zu Wärmeverlusten bei dem erwärmten Reinigungsfluid kommen, während es sich von der Heizeinrichtung zu der Fluidzuführeinrichtung bewegt. Wenn das erwärmte Reinigungsfluid dann in Kontakt mit der Oberfläche des Halbleiterwafers kommt, kann die Temperatur des Reinigungsfluids niedriger als die gewünschte Temperatur sein.
  • Angesichts der vorstehenden Ausführungen besteht ein Bedarf an einer Vorrichtung und einem Verfahren zum Erwärmen von Fluid bei einem Halbleiterwafer-Bearbeitungssystem, die es ermöglichen, dass erwärmtes Fluid mit einer gewünschten Temperatur zu einem Halbleiterwafer geleitet wird.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Allgemein ausgedrückt, besteht die vorliegende Erfindung aus einer Vorrichtung und einem Verfahren zum Erwärmen von Fluid in einem Nahkopf gemäß den Patentansprüchen 1 und 9. Es sollte zur Kenntnis genommen werden, dass die vorliegende Erfindung auf zahlreiche Arten umgesetzt werden kann, wie beispielsweise als Prozess, als Vorrichtung, als System oder als Einrichtung. Mehrere erfinderische Beispiele der vorliegenden Erfindung werden nachstehend beschrieben.
  • Ein Beispiel für ein Verfahren zur Halbleiterwaferbearbeitung umfasst das Zuführen von Fluid zu einem Nahkopf und das Erwärmen des Fluids innerhalb des Nahkopfes. Das Verfahren umfasst auch das Zuführen des erwärmten Fluids zu einer Oberfläche eines Halbleiterwafers für die Verwendung bei einem Waferbearbeitungsvorgang.
  • Bei einem Beispiel für einen Nahkopf für die Halbleiterwaferbearbeitung umfasst der Nahkopf einen Heizabschnitt, der ausgebildet ist, eine Temperatur eines durch ihn strömenden Fluids zu erhöhen. Der Nahkopf umfasst auch einen in ihm an geordneten Sensor zum Messen der Temperatur des durch den Heizabschnitt strömenden Fluids und einen in dem Heizabschnitt angeordneten Kanal, wobei der Kanal zum Leiten des Fluids durch den Heizabschnitt ausgebildet ist. Weiter umfasst der Nahkopf eine Bodenoberfläche mit mindestens einer Auslassöffnung und mindestens einer Einlassöffnung, wobei die mindestens eine Auslassöffnung strömungstechnisch mit dem in dem Heizabschnitt angeordneten Kanal in Verbindung steht.
  • Bei einem Beispiel für ein Halbleiterbearbeitungssystem umfasst das System eine Fluidquelle und einen Nahkopf, der strömungstechnisch mit der Fluidquelle in Verbindung steht. Weiter umfasst der Nahkopf einen Heizabschnitt, der ausgebildet ist, eine Temperatur eines durch ihn strömenden Fluids zu erhöhen und einen innerhalb des Nahkopfes angeordneten Sensor zum Messen der Temperatur des durch den Heizabschnitt strömenden Fluids. Der Nahkopf umfasst auch einen in dem Heizabschnitt angeordneten Kanal, wobei der Kanal zum Leiten des Fluids durch den Heizabschnitt ausgebildet ist. Der Nahkopf umfasst weiter eine Bodenoberfläche mit mindestens einer Auslassöffnung und mindestens einer Einlassöffnung, wobei die mindestens eine Auslassöffnung strömungstechnisch mit dem in dem Heizabschnitt angeordneten Kanal in Verbindung steht. Das Beispiel für das System umfasst auch ein erstes mit dem Nahkopf gekoppeltes Element, wobei das erste Element zur Handhabung des Nahkopfes ausgebildet ist, und ein zweites Element, das ausgebildet ist, den Halbleiterwafer zu halten. Das zweite Element ist in der Lage, den Halbleiterwafer in der Nähe der Bodenoberfläche des Nahkopfes zu platzieren.
  • Andere Aspekte der Erfindung werden durch die folgende genaue Beschreibung im Zusammenhang mit den beigefügten Zeichnungen deutlich, die in exemplarischer Weise die Prinzipien der Erfindung darstellen.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Beispiele der Erfindung können am besten unter Bezugnahme auf die folgende Beschreibung im Zusammenhang mit den beigefügten Zeichnungen verstanden werden. In den Zeichnungen ist:
  • 1A eine Seitenansicht, die einen Nahkopf mit einem Heizabschnitt gemäß einem Beispiel der Erfindung zeigt;
  • 1B eine Seitenansicht, die einen anderen Nahkopf mit einem Heizabschnitt gemäß einem Beispiel der Erfindung zeigt;
  • 1C eine Seitenansicht, die ein Halbleiterwafer-Bearbeitungssystem mit dualen Nahköpfen gemäß einem Beispiel der Erfindung zeigt;
  • 1D eine Seitenansicht, die ein Halbleiterwafer-Bearbeitungssystem mit einem mit einer Energiequelle gekoppelten Nahkopf gemäß einem Beispiel der Erfindung zeigt;
  • 2 eine Seitenansicht, die einen Nahkopf mit einem Widerstandsheizelement gemäß einem Beispiel der Erfindung zeigt;
  • 3 eine Seitenansicht, die einen anderen Nahkopf mit einem Widerstandsheizelement gemäß einem Beispiel der Erfindung zeigt;
  • 4 eine Draufsicht, die einen Drähte aufweisenden Heizabschnitt eines Nahkopfes gemäß einem Beispiel der Erfindung zeigt;
  • 5 eine Seitenansicht, die einen ein zirkulierendes Fluid aufweisenden Heizabschnitt eines Nahkopfes gemäß einem Beispiel der Erfindung zeigt;
  • 6 eine weitere Seitenansicht, die einen ein zirkulierendes Fluid aufweisenden Heizabschnitt eines anderen Nahkopfes gemäß einem Beispiel der Erfindung zeigt;
  • 7A eine Draufsicht, die ein Verfahren zum überstreichenden Bewegen eines Nahkopfes gemäß einem Beispiel der Erfindung zeigt;
  • 7B eine Draufsicht, die ein Verfahren zum überstreichenden Bewegen eines anderen Nahkopfes gemäß einem Beispiel der Erfindung zeigt;
  • 7C eine Draufsicht, die Bereiche eines Wafers zeigt, in denen der Heizabschnitt eines Nahkopfes gemäß einem Beispiel der Erfindung in Verwendung ist, und
  • 8 ein Ablaufdiagramm, das Arbeitsvorgänge zum Erwärmen von Fluid in einem Nahkopf gemäß einem Beispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • Genaue Beschreibung
  • Die folgenden Beispiele beschreiben eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Erwärmen von Fluid, das einer Oberfläche eines Halbleiterwafers in einem Halbleiterwafer-Bearbeitungssystem zugeführt werden soll. Ein exemplarisches Halbleiterwafer-Bearbeitungssystem umfasst einen Nahkopf, wie er in der US-A-2004069329 mit dem Titel „Method and Apparatus for Drying Semiconductor Wafer Surfaces Using a Plurality of Inlets and Outlets Held in Close Proximity to the Wafer Surfaces" ("Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Halbleiterwaferoberflächen mittels einer Vielzahl von Ein- und Auslässen in der Nähe der Waferoberfläche") offenbart wird. Der hier in den Zeichnungen dargestellte Nahkopf ist exemplarisch und andere Beispiele können einen Nahkopf mit jeder beliebigen Form umfassen, solange der Nahkopf in der Lage ist, Fluid zu erwärmen.
  • Für einen Fachmann ist es jedoch ersichtlich, dass die vorliegende Erfindung ohne einige oder alle dieser speziellen Einzelheiten ausgeführt werden kann. In anderen Fällen wurden hinreichend bekannte Verfahrensschritte nicht im Einzelnen beschrieben, um die Erfindung nicht unnötig zu verschleiern. Weiter sind die hier beschriebenen Ausführungsformen exemplarischer Natur. Ein Fachmann wird beim Lesen der Beschreibung und beim Studium der Zeichnungen verstehen, dass verschiedene Änderungen, Zufügungen, Vertauschungen und Entsprechungen möglich sind. Es ist daher beabsichtigt, dass alle derartigen Änderungen, Zufügungen, Vertauschungen und Entsprechungen in den Sinn und Umfang der offenbarten Ausführungsformen fallen.
  • Die 1A ist eine Seitenansicht, die einen Nahkopf 110 mit einem Heizabschnitt 190 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt. Bei einem exemplarischen Halbleiterwafer-Bearbeitungssystem 100 ist der Nahkopf 110 über ein Verbindungsstück 130 mit einer Fluidquelle 120 verbunden. Die Fluidquelle 120 liefert ein Fluid, das in Halbleiterwafer-Herstellungsvorgängen verwendet wird. Beispiele für Fluide können deionisiertes Wasser (DIW), eine Chemikalie, eine Kombination aus der Chemikalie und DIW und eine Kombination aus der Chemikalie und Wasser umfassen. Für einen Fachmann ist es jedoch selbstverständlich, dass jedes Fluid, das für eine Verwendung bei der Halbleiterwaferbearbeitung geeignet ist, in dem Halbleiterwafer-Bearbeitungssystem 100 verwendet werden kann.
  • Obwohl die 1A die Fluidquelle 120 dahingehend darstellt, dass sie das Verbindungsstück 130 aufweist, um das Fluid zu dem Nahkopf 110 zu leiten, kann bei einer anderen Ausführungsform die Fluidquelle 120 direkt mit dem Nahkopf 110 gekoppelt sein. Nachdem der Nahkopf 110 das Fluid erhalten hat, strömt das Fluid in den Heizabschnitt 190. Der Heizabschnitt 190 erwärmt das Fluid auf eine eingestellte Temperatur. Weiter regelt der Nahkopf 110 die Temperatur des Fluids, indem er Wärme zuführt oder wartet, bis das Fluid in dem Heizabschnitt 190 die eingestellte Temperatur erreicht hat. Bei Erreichen der eingestellten Temperatur strömt das Fluid durch einen oder mehrere Auslassöffnungen in einer Bodenoberfläche des Nahkopfes 110. Das erwärmte Fluid kommt dann in Kontakt mit einer Oberfläche eines Wafers 150, der von einem Waferhalter 140 platziert wurde. Der Waferhalter 140 ist in der Lage, den Wafer 150 in der Nähe der Bodenoberfläche des Nahkopfes 110 zu halten.
  • Bei einigen Ausführungsformen können Substrate während der Halbleiterwafer-Herstellungsvorgänge bearbeitet werden. Zum Beispiel können Substrate verschiedene Formen aufweisen, wie beispielsweise quadratische oder rechteckige Formen, wie sie bei flachen Paneelsubstraten verwendet werden. Aus Gründen der Vereinfachung wird jedoch auf einen kreisförmigen Wafer, wie den Wafer 150, Bezug genommen. Weiter kann der Wafer 150 rotieren oder sich linear relativ zu dem Nahkopf 110 bewegen. Der tatsächliche Durchmesser des Wafers 150 kann variieren. Die vorliegenden Beispiele umfassen 200 mm-Wafer und 300 mm-Wafer. Für einen Fachmann ist es jedoch klar, dass alle Wafergrößen und -formen möglich sind, solange der Wafer 150 in der Nähe der Bodenoberfläche des Nahkopfes 110 platziert werden kann.
  • Das dem Wafer 150 durch eine erste Auslassöffnung 192 zugeführte erwärmte Fluid kann mit einem nicht erwärmten Fluid kombiniert werden, das durch eine zweite Auslassöffnung 191 zugeführt wird. Dementsprechend kann eine dritte Auslassöffnung 196 Isopropylalkohol (IPA) zuführen, während eine Vakuumeinlassöffnung 194 sämtliche Fluide von der Oberfläche des Wafer 150 entfernt. Bei einigen Ausführungsformen ist es möglich, dass die dritte Auslassöffnung 196 keinen IPA zuführt. Somit entfernt die Vakuumeinlassöffnung 194 bei einigen Ausführungsformen nur das erwärmte Fluid und das nicht erwärmte Fluid. Jedes der Oberfläche des Wafers 150 zugeführte Fluid kann jede beliebige Ausdehnungsfläche haben. Beispielsweise kann die Ausdehnungsfläche des Fluids ungefähr zwei Quadratzoll betragen. Jedoch ist jede Fluidausdehnungsfläche möglich, solange das Fluid durch die Vakuumöffnung 194 von der Oberfläche des Wafers 150 entfernt wird.
  • Bei einigen Ausführungsformen kann der Wafer 150 stationär sein, während sich der Nahkopf 110 relativ zu dem Wafer 150 bewegt. Beispielsweise ist die 1B eine Seitenansicht, die einen anderen Nahkopf 110 mit dem Heizabschnitt 190 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt. Der Nahkopf 110 kann sich in einer Richtung 160 über die Oberfläche des Wafers 150 bewegen. Während der Bewegung liefert der Nahkopf 110 durch eine Vielzahl von Öffnungen, die in der Bodenoberfläche des Nahkopfes 110 angeordnet sind, von dem Heizabschnitt 190 erwärmtes Fluid. Für einen Fachmann ist es klar, dass sich der Nahkopf 110 in jede Richtung bewegen kann, solange der Nahkopf 110 nicht mit dem Wafer 150 zusammenstößt.
  • Während ein Nahkopf 110 einer Oberfläche des Wafers 150 Fluid zuführen kann, ist die 1C eine Seitenansicht, die ein Halbleiterwafer-Bearbeitungssystem 100 mit dualen Nahköpfen gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt. Die Nahköpfe 110 können sich in die angedeuteten Richtungen, wie beispielsweise die Richtung 160, bewegen. Die Nahköpfe 110 können sich jedoch unterscheiden, wie mittels der dualen Nahköpfe gezeigt wird. Beispielsweise zeigt der obere dargestellte Nahkopf 110 einen Heizabschnitt 190, der einen kompletten oberen Abschnitt des Nahkopfes 110 einnimmt. Alternativ dazu zeigt der untere dargestellte Nahkopf 110 einen Heizabschnitt 190, der einen Teil des oberen Abschnitts des Nahkopfes 110 einnimmt. Weiter ist der untere dargestellte Nahkopf 110 mit einem Vorheizelement 170 gekoppelt. Das Vorheizelement 170 ist in der Lage, die Temperatur des in den Heizabschnitt 190 strömenden Fluids zu erhöhen. Damit strömt ein vorgewärmtes Fluid in den Heizabschnitt 190, um schließlich auf die eingestellte Temperatur erwärmt zu werden. Das Vorheizelement 170 gestattet dem Fluid, höhere Temperaturen zu erreichen. Weiter kann der Nahkopf 110 durch das Vorwärmen des Fluids das Erwärmen des vorgewärmten Fluids in einer kürzeren Zeitspanne besser regeln.
  • Die 1D ist eine Seitenansicht, die das Halbleiterwafer-Bearbeitungssystem 100 mit dem mit einer Stromquelle 180 gekoppelten Nahkopf 110 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt. Im Gegensatz zu dem Nahkopf, der eine Vielzahl von Auslassöffnungen zum Zuführen des erwärmten Fluids aufweist, kann das erwärmte Fluid bei einer anderen Ausführungsform der Oberfläche des Wafers 150 durch eine Auslassöffnung 192 zugeführt werden. Der Heizabschnitt 190 ist in irgendeinem Teil des Nahkopfes 110 angeordnet. Wie von den 1A bis 1D und in den nachfolgenden Zeichnungen gezeigt ist, kann der Heizabschnitt 190 jede Größe und Form haben. Weiter kann der Heizabschnitt 190 einen Teil oder einen kompletten Bereich des Nahkopfes 110 umgeben. Während der Heizabschnitt 190 vollständig in dem Nahkopf 110 untergebracht ist, kann der Heizabschnitt 190 darüber hinaus bei anderen Ausführungsformen nur teilweise (nicht dargestellt) in dem Nahkopf 110 untergebracht sein. Der Heizabschnitt 190 jeder Größe und Form kann jedoch in jeder beliebigen Weise in dem Nahkopf 110 untergebracht sein, solange der Heizabschnitt 190 in der Lage ist, das Fluid zu erwärmen und das erwärmte Fluid dem Wafer 150 zuzuführen.
  • Die Fluide können durch Verbindungsstücke, wie beispielsweise das Verbindungsstück 130 in den Heizabschnitt 190 strömen. Weiter können ein oder mehrere Verbindungsstücke mehrere Fluide in den Heizabschnitt 190 befördern. Beispielsweise können Fluide für einen Reinigungsvorgang in das Verbindungsstück 130, das als das erste Verbindungsstück 130 bezeichnet werden kann, strömen. In entsprechender Weise können Fluide, wie beispielsweise Ätzchemikalien für einen Ätzvorgang, in ein zweites Verbindungsstück 132 strömen und Fluide für einen Plattierungsvorgang kön nen in ein drittes Verbindungsstück 134 strömen. Für einen Fachmann ist es natürlich selbstverständlich, dass ein oder mehrere Verbindungsstücke für jede Anzahl und Art von Fluiden verwendet werden können. Beispielsweise kann DIW in das erste Verbindungsstück 130 strömen und die Chemikalie kann in das zweite Verbindungsstück 132 strömen. Somit kann jede beliebige Anzahl Verbindungsstücke dem Heizabschnitt 190 Fluid zuführen, solange der Heizabschnitt 190 ausgebildet ist, das Fluid zu erwärmen.
  • Der Nahkopf 110 ist mit der Stromquelle 180 verbunden. Die Stromquelle 180 leitet einen Strom in den Nahkopf 110. Ein elektrisch leitendes Material leitet den Strom in den Heizabschnitt 190, um das Fluid zu erwärmen. Bei anderen Ausführungsformen ist es möglich, dass keine Stromquelle 180 vorhanden ist. Wie beispielsweise in den 5 und 6 gezeigt ist, wird die Stromquelle 180 nicht benötigt, um das Fluid in dem Heizabschnitt 190 zu erwärmen. Wenn das Fluid mittels der Stromquelle 180 erwärmt wird, kann die Stromquelle 180 ungefähr 3 kW produzieren, um das Fluid zu erwärmen. Dieser Wert ist jedoch lediglich exemplarisch und jeder andere Wert ist möglich, solange die Stromquelle 180 ausreichend Leistung produzieren kann, um das Fluid in dem Heizabschnitt 190 zu erwärmen.
  • Bei anderen exemplarischen Ausführungsformen ist jede Art von Energiequelle 180 möglich, die nicht auf Elektrizität beruht. Beispielsweise ist es bekannt, dass Laser die Oberfläche von Gegenständen erwärmen. Somit ist jede Art von Energiequelle 180 möglich, solange die Energiequelle 180 in der Lage ist, dem Heizabschnitt 190 Wärme zuzuführen.
  • Eine Ausführungsform umfasst auch einen Sensor 185 und eine Steuereinrichtung 188. Der Sensor 185 ist in dem Nahkopf 110 angeordnet, um die Temperatur des durch den Heizabschnitt 190 strömenden Fluids zu messen. Ferner kann der Sensor 185 in dem Heizabschnitt 190 oder außerhalb des Heizabschnitts 190 angeordnet sein. Für einen Fachmann ist klar, dass der Sensor 185 an jeder Stelle angeordnet sein kann, solange der Sensor 185 die Temperatur des Fluids messen kann. Bei einer Ausführungsform ist der Sensor 185 ein Thermoelement. Es ist jedoch jede Art von Sensor 185 möglich, solange der Sensor die Temperatur des Fluids messen kann.
  • Mit dem Sensor 185 ist die Steuereinrichtung 188 gekoppelt. Die Steuereinrichtung 188 ist ausgebildet, die Temperatur des Fluids in dem Heizabschnitt 190 zu regeln. Beispielsweise kann ein Proportional-Differential-Integral-Regler (PID-Regler) die Temperatur des Fluids regeln. Nach dem Einstellen der vorgegebenen Temperatur, bei der es sich um eine Temperatur des Fluids handelt, die die Oberfläche des Wafers 150 erreichen soll, kann die Steuereinrichtung 188 die Differenz zwischen einer aktuel len Temperatur des Fluids und der eingestellten Temperatur ermitteln, indem sie Messwerte von dem Sensor 185 erhält. Die Steuereinrichtung 188 bestimmt dann die Menge des Stroms, die dem Heizabschnitt 190 von der Stromquelle 180 zuzuführen ist.
  • Eine Software in einem mit der Steuereinheit 188 verbundenen Computersystem kann ebenfalls die Steuereinrichtung 188 regeln. Während des Betriebs kann die Software beispielsweise die eingestellte Temperatur auf 60°C festlegen. Der Sensor 185 kann die Fluidtemperatur messen und bestimmen, ob die Fluidtemperatur weniger als 60°C beträgt. Die Software kann dann die Steuereinrichtung 188 verwenden, um eine Temperaturdifferenz zu ermitteln und nach Bedarf Strom zuzuführen. Wenn die Fluidtemperatur höher als 60°C ist, kann die Software untätig bleiben und abwarten, bis das Fluid die eingestellte Temperatur erreicht hat. Für einen Fachmann ist klar, dass die zuzuführende Strommenge und die Wartezeit zum Abkühlen in die Software einprogrammiert sein kann. Bei anderen Ausführungsformen ist jedes Verfahren zum Regeln der Fluidtemperatur möglich, entweder unter Verwendung von Hardware oder von Software, solange der Heizabschnitt 190 in dem Nahkopf 110 die Temperatur des Fluids erhöht.
  • Die 2 ist eine Seitenansicht, die den Nahkopf 110 mit einem Widerstandsheizelement gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt. Der Heizabschnitt 190 kann aus einem Widerstandsheizelement bestehen. Beispiele für Widerstandsheizelemente können Materialien wie Siliziumkarbid (SiC), Molybdändisilicid (MoSi2) oder andere elektrisch leitende Materialien einschließen. Ein exemplarisches Material, wie Siliziumkarbid, ist in der Lage auf über ungefähr 100°C erwärmt zu werden. Das Widerstandsheizelement kann jedoch aus jedem Material bestehen, solange das Material in der Lage ist, auf eine gleiche oder höhere als die eingestellte Temperatur erwärmt zu werden.
  • Wie in der 2 gezeigt ist, kann das Widerstandsheizelement einen Abschnitt des Nahkopfes 110 einbeziehen. Beispielsweise kann ein Abschnitt in der Nähe der Bodenoberfläche des Nahkopfes 110 das Fluid erwärmen, bevor es der Oberfläche des Wafers 150 zugeführt wird. Bei anderen Ausführungsformen kann der gesamte Nahkopf 110 aus dem Widerstandsheizelement bestehen. Somit ist jede Zusammensetzung und Konfiguration des Widerstandsheizelements möglich, solange das Widerstandsheizelement in der Lage ist, das Fluid zu erwärmen.
  • Die hier beschriebenen Ausführungsformen erzeugen einen Fluidmeniskus 210 zwischen dem Nahkopf 110 und der Oberfläche 150 des Wafers. Der Fluidme niskus 210 kann über den Wafer 150 geführt werden, um den Wafer 150 im Zusammenhang mit Halbleiterwafer-Herstellungsvorgängen zu reinigen und zu trocknen. Beispielsweise kann der das erwärmte Fluid umfassende Fluidmeniskus 210 bei Ätz- und Plattierungsvorgängen verwendet werden. Für einen Fachmann ist klar, das der das erwärmte Fluid umfassende Fluidmeniskus 210 bei jedem Halbleiterwafer-Herstellungsvorgang verwendet werden kann, solange der Nahkopf 110 das Fluid erwärmt.
  • Wenn die Fluidquelle 120 dem Heizabschnitt 190 Fluid zum Erwärmen zuführt, misst der Sensor 185 die Temperatur des Fluids. Eine oder mehrere in Verbindung mit der Steuereinrichtung 188 durchgeführte Temperaturmessungen überprüfen die Temperatur des Fluids. Der Zeitraum von dem Zuführen des Fluids zu dem Nahkopf 110 bis zu dem Zuführen des erwärmten Fluids zu dem Wafer 150 variiert. Beispielsweise kann es einen längeren Zeitraum in Anspruch nehmen, die Temperatur des Fluids auf die eingestellte Temperatur zu erhöhen als abzuwarten, bis die Temperatur des Fluids auf die eingestellte Temperatur abgesunken ist. Somit ist jeder Zeitraum möglich, solange die Temperatur des Fluids die eingestellte Temperatur erreicht, bevor das erwärmte Fluid dem Wafer 150 zugeführt wird.
  • Bei dem Fluidmeniskus 210, der eine Temperatur von ungefähr 40°C bis ungefähr 95°C aufweist, umfasst das erwärmte Fluid hauptsächlich Chemikalien auf Wasserbasis, wie beispielsweise DIW. Jedoch sind bei anderen Ausführungsformen andere Chemikalien möglich. Bei einem Plattierungsvorgang beispielsweise, wie er in der US-A-2004178060 mit dem Titel „Apparatus and Method for Depositing and Planarizing Thin Films of Semiconductor Wafers" ("Vorrichtung und Verfahren für die Abscheidung und Planarisierung von Dünnfilmschichten von Halbleiterscheiben") offenbart wird, kann der Fluidmeniskus 210 das eine Plattierungschemikalie enthaltende erwärmte Fluid der Oberfläche des Wafers 150 zuführen.
  • Nach dem Anlegen von Strom an den Heizabschnitt 190 kann ein Elektronentransfer das Fluid beeinflussen. Die 3 ist beispielsweise eine Seitenansicht, die einen anderen Nahkopf 110 mit einem Widerstandsheizelement 330 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt. Der Nahkopf 110 umfasst zwei Heizabschnitte 190, die aus dem Widerstandsheizelement 320 und einem Isolator 330 bestehen. Wenn dem Widerstandsheizelement 320 Strom zugeführt wird, verhindert der Isolator 330 einen Elektronentransfer in das Fluid, das der Oberfläche des Wafers 150 zugeführt wird. Beispiele für den Isolator umfassen Polytetrafluorethylen (PTFE), das allgemein als Teflon® bekannt ist, sowie ein Saphirmaterial. Das PTFE kann eine Beschichtung sein, die das Widerstandsheizelement 320 bedeckt, während das Saphirmaterial Platten sein können, die das Widerstandsheizelement 320 von dem Fluid trennen. Es ist jedoch jede Art von Isolator möglich, solange der Isolator 330 in der Lage ist, den Transfer von Elektronen in das Fluid zu verhindern.
  • Wie bei der Ausführungsform der 3 dargestellt ist, kann der Heizabschnitt 190 eine Auslassöffnung umgeben. Obwohl ein vertikaler Heizabschnitt 190 dargestellt wurde, sind auch horizontale Heizabschnitte 190, die das Fluid leitende Kanäle umgeben, möglich, solange die Heizabschnitte 190 das Fluid in den Kanälen erwärmen. Alternative Ausführungsformen können ausgewählte Auslassöffnungen umgeben, wodurch eine selektive Erwärmung von Fluiden ermöglicht wird.
  • Die 4 ist eine Draufsicht, die einen Drähte 420 aufweisenden Heizabschnitt 190 des Nahkopfes 110 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt. Das Widerstandsheizelement kann auch Festkörperwiderstände wie die Drähte 420 umfassen. Die Drähte 420 können ein Drahtnetz sein oder sie können eine ungleichmäßige Form aufweisen. Ungeachtet der Konfiguration der Drähte 420 sind die Drähte 420 ebenfalls isoliert, um einen Elektronentransfer in das Fluid zu verhindern. Beispielsweise kann ein Isolator 430, zum Beispiel Keramik, das Fluid gegenüber den Drähten 420 isolieren. Wenn Strom an die Drähte 420 angelegt wird, wird das durch den Heizabschnitt 190 strömende Fluid auf die eingestellte Temperatur erwärmt. Wenn das erwärmte Fluid die Oberfläche des Wafers 150 erreicht, bildet der Nahkopf 110 den Fluidmeniskus 210 (siehe 2). Wenn sich der Wafer somit in einer Richtung 400 dreht, erzeugt eine vorn liegende Kante 480 einen nassen Bereich auf dem Wafer 150 und eine hintere Kante 490 erzeugt einen trockenen Bereich auf dem Wafer 150. Der nasse Bereich wird durch das Zuführen von erwärmtem Fluid zu dem Wafer 150 erzeugt. Dementsprechend erzeugen die Bewegung des Wafers 150 und des Nahkopfes 110 im Zusammenhang mit dem Absaugen des erwärmten Fluids in den Nahkopf 110 den trockenen Bereich.
  • Die 5 ist eine Seitenansicht, die einen ein zirkulierendes Fluid aufweisenden Heizabschnitt 190 des Nahkopfes 110 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt. Bei einer exemplarischen Ausführungsform kann ein erster Kanal 510 Fluid zu dem in dem Nahkopf 110 angeordneten Heizabschnitt 190 leiten. Innerhalb des Heizabschnitts 190 wälzt ein zweiter Kanal 520 das zirkulierende Fluid um, wobei verhindert wird, das sich das Fluid in dem ersten Kanal 510 und das zirkulierende Fluid in dem zweiten Kanal 520 vermischen. Das zirkulierende Fluid kann die Temperatur des von dem ersten Kanal 510 zugeführten Fluids durch Wärmeaustausch erhöhen. Bei spiele für zirkulierende Fluide können Chemikalien auf Wasserbasis sein, die durch eine Pumpe (nicht dargestellt) zugeführt werden. Jedoch kann das zirkulierende Fluid bei anderen Ausführungsformen durch ein neues zirkulierendes Fluid ersetzt werden, wenn das zirkulierende Fluid die Fähigkeit zur Wärmeübertragung verliert. Dementsprechend ist jedes Verfahren zum Zuführen und Handhaben des zirkulierenden Fluids möglich, solange der Heizabschnitt 190 Fluid erwärmen kann.
  • Bei einer anderen exemplarischen Ausführungsform kann ein Widerstandsheizelement, wie beispielsweise Siliziumkarbid, mit Kanälen für einen Wärmeaustausch kombiniert werden. Bei einer derartigen Ausführungsform gibt es keine Stromquelle 180 und somit wird kein Strom an das SiC angelegt. Siliziumkarbid hat eine hohe Wärmeleitfähigkeit. Daher kann mindestens ein zweiter Kanal 520 Fluid für einen Wärmeaustausch umwälzen, da der zweite Kanal 520 in ein Material eingebettet ist, das Wärme gut überträgt. Wenn ein Material jedoch geringe Wärmeleitfähigkeit besitzt, wie beispielsweise Keramik, kann ein Netzwerk aus zweiten Kanälen 520 erforderlich sein, um den Wärmeaustausch durchzuführen.
  • Neben der weggelassenen Stromquelle 180 in 5 umfasst der Nahkopf 110 auch keine elektrische Isolierung. Genauer gesagt, da das zirkulierende Fluid Wärme für das Fluid liefert, findet kein Elektronentransfer statt, da es keinen Strom gibt. Wenn ein Heizabschnitt 190 eine Kombination aus der Stromquelle 180 und den Kanälen zum Umwälzen des Fluids aufweist, kann der Nahkopf natürlich eine Isolierung aufweisen.
  • Die 6 ist eine weitere Seitenansicht, die den ein zirkulierendes Fluid aufweisenden Heizabschnitt 190 eines anderen Nahkopfes 110 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt. Insbesondere im Gegensatz zu dem zweiten Kanal 520 weist der zweite Kanal 620 dieser exemplarischen Ausführungsform eine ungleichmäßige Form auf. Weiter kann ein Zwischenraum den zweiten Kanal 620 von dem ersten Kanal 510 trennen. Wenn das Fluid durch den ersten Kanal 510 in den Heizabschnitt 190 strömt, tauscht das zirkulierende Fluid in dem zweiten Kanal 620 Wärme mit dem Fluid in dem ersten Kanal 510 aus. Aufgrund des die beiden Kanäle trennenden Zwischenraums kann das die beiden Kanäle umgebende Material ein Material mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit sein.
  • Es ist jedes Verfahren zum Erwärmen des Fluids möglich. Beispielsweise zeigen die 2 bis 4 Heizverfahren unter Verwendung von Widerstandsheizelementen. Als Alternative zeigen die 5 und 6 exemplarische Heizverfahren unter Verwendung eines Wärmetauschers. Weiter sind exemplarische Kombinationen aus Widerstandsheizung und Wärmetausch möglich. Dementsprechend ist jedes Verfahren zum Erwärmen von Fluid möglich, solange das Fluid innerhalb des Heizabschnitts 190 des Nahkopfes 110 erwärmt wird.
  • Um das erwärmte Fluid auf die Oberfläche des Wafers 150 aufzubringen, kann sich der Nahkopf 110 relativ zu dem Wafer 150 bewegen. Beispielsweise ist die 7A eine Draufsicht, die ein Verfahren zum überstreichenden Bewegen eines Nahkopfes gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt. Der Nahkopf 110 kann einen Heizabschnitt 190 umfassen. Weiter kann der Nahkopf 110 mit einem Element zum Handhaben des Nahkopfes gekoppelt sein. Beispielsweise kann das Element ein Arm 720 sein, der in der Lage ist, Fluid zuzuführen, Fluid zu entfernen und den Nahkopf 110 zu bewegen. Beispielsweise kann der Arm 720 den Nahkopf 110 entlang einer radialen Richtung 712 bewegen. Als Alternative kann der Arm 729 den Nahkopf nach Art einer Rasterabtastung 714 bewegen.
  • Als Alternative ist die 7B eine Draufsicht, die ein anderes Verfahren zum überstreichenden Bewegen eines Nahkopfes gemäß einer Ausführungsform der Erfindung zeigt. Bei einer Ausführungsform kann der Nahkopf 110 länger als der Durchmesser des Wafers 150 sein. Daher kann ein zirkulierendes Fluid einem zweiten Kanal 754 zugeführt werden und das zu erwärmende Fluid kann einem ersten Kanal 752 zugeführt werden. Somit bewegt sich der Nahkopf 110 in einer vertikalen Richtung 740, wenn das erwärmte Fluid der Oberfläche des Wafers 150 zugeführt wird. Natürlich ist eine horizontale Richtung (nicht dargestellt) möglich, wenn der Nahkopf 110 eine vertikale Ausrichtung hat. Darüber hinaus ist unter Bezugnahme auf die 7A und 7B jedes Verfahren zum Überstreichen des Wafers 150 möglich, solange der Nahkopf 110 das erwärmte Fluid der Oberfläche des Wafers 150 zuführen kann.
  • Die 7C ist eine Draufsicht, die Bereiche des Wafers 150 zeigt, in denen der Heizabschnitt 190 des Nahkopfes 110 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung in Verwendung ist. Bei einer Ausführungsform umfasst der Nahkopf 110 eine Vielzahl von Öffnungen zum Zuführen und Entfernen von Fluiden. Beispielsweise kann der Körper des Nahkopfes 110 aus Siliziumkarbid bestehen. In das Siliziumkarbid ist eine Vielzahl von Öffnungen eingebettet, wie eine erste Öffnung 762, eine zweite Öffnung 764, eine dritte Öffnung 766 und eine vierte Öffnung 768. Beispielsweise kann eine erste Öffnung 762 eine Chemikalie zuführen, während die zweite Öffnung 764 DIW zuführen kann. Die dritte Öffnung 766 kann eine Absaugung sein und die vierte Öffnung 768 kann IPA zuführen. Bei anderen Ausführungsformen ist jede Anzahl und Kombination von Öffnungen möglich, solange die Vielzahl von Öffnungen ein erwärmtes Fluid aus dem Nahkopf 110 zuführen kann.
  • Wenn sich der Wafer 150 in der Richtung 700 dreht, führt der Nahkopf 110 das erwärmte Fluid zu, um einen nassen Bereich 780 zu erzeugen. Der Nahkopf 110 erzeugt einen trockenen Bereich 785, indem er das erwärmte Fluid von der Oberfläche des Wafers 150 absaugt. Weiter kann erwärmtes Fluid von der Oberfläche des Wafers 150 heruntergeschleudert werden, wenn sich der Wafer 150 dreht. Somit ist jedes Verfahren zum Erzeugen des nassen Bereichs 780 und des trockenen Bereichs 785 möglich, solange sich der Nahkopf 110 auf eine bestimmte überstreichende Art relativ zu der Bewegung des Wafers 150 bewegen kann.
  • Die 8 ist ein Ablaufdiagramm, das Arbeitsvorgänge zum Erwärmen von Fluid in einem Nahkopf 110 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Die folgenden exemplarischen Arbeitsvorgänge können mit den zuvor in den 1D bis 4 offenbarten Ausführungsformen durchgeführt werden. Bei einem exemplarischen Arbeitsvorgang, der mit dem Vorgang 810 beginnt, wird eine eingestellte Temperatur festgelegt. Dann kann die Fluidquelle 120 im Vorgang 820 dem Nahkopf 110 Fluid zuführen. Nachdem das Fluid den Nahkopf 110 erreicht hat, kann der Sensor 185 innerhalb des Nahkopfes 110 die Temperatur des Fluids im Vorgang 830 messen. Die Steuereinrichtung 188 kann dann im Vorgang 840 eine Temperaturdifferenz zwischen der aktuellen Fluidtemperatur und der eingestellten Temperatur erfassen. Im Vorgang 850 kann die Steuereinrichtung 188 auch die Temperatur durch Zuführen von Wärme oder durch Warten regeln.
  • Bei einem Widerstandsheizverfahren kann beispielsweise der Heizabschnitt 190 Drähte 420 und Materialien wie Siliziumkarbid umfassen, die mit einer Stromquelle 180 verbunden sind. Die Stromquelle 180 kann Strom an den Heizabschnitt 190 anlegen, um das durch ihn hindurch strömende Fluid zu erwärmen. Als Alternative können mehrere Kanäle mit einem zirkulierenden Fluid einen Wärmeaustausch mit dem zu erwärmenden Fluid durchführen. Ungeachtet des Verfahrens zum Erwärmen des Fluids kann die Steuereinrichtung 188 die Fluidtemperatur regeln, bis die Temperatur des Fluids die eingestellte Temperatur erreicht hat.
  • Im Vorgang 860 leitet der Nahkopf 110 dann das erwärmte Fluid durch die auf der Bodenoberfläche des Nahkopfes 110 angeordneten Auslassöffnungen. Das erwärmte Fluid wird bei verschiedenen Halbleiterwafer-Herstellungsvorgängen verwendet, wie zum Beispiel bei Reinigungs- und Ätzvorgängen. Danach endet der Vorgang, nachdem das erwärmte Fluid von der Oberfläche des Wafers 150 entfernt wurde.
  • Für einen Fachmann ist klar, dass die hier beschriebenen und in den Zeichnungen dargestellten Vorgänge exemplarisch sind. Weiter können die Vorgänge in jeder Reihenfolge durchgeführt werden, um das Erwärmen des Fluids in dem Nahkopf 110 zu gestatten. Beispielsweise kann der Sensor 185 die Temperatur des Fluids parallel zu dem Zuführen des Fluids kontinuierlich messen. Somit ist die Reihenfolge der Vorgänge nicht auf einen bestimmten Ablauf beschränkt.
  • Darüber hinaus beziehen sich die hier beschriebenen Ausführungsformen auf die folgenden Patentanmeldungen. Insbesondere sind die folgenden verwandten Anmeldungen betroffen 1) US-A-2004060580 mit dem Titel „Meniscus, Vacuum, IPA Vapor, Drying Manifold" ("Meniskus, Vakuum, IPA-Dampf, Trocknungs-Sammelrohr"), 2) US-A-2004060573 mit dem Titel „System for Substrate Processing with Meniscus, Vacuum, IPA Vapor, Drying Manifold" ("System zur Substratbehandlung mit Meniskus, Vakuum, IPA-Dampf, Trocknungs-Sammelrohr"), 3) US-A-2004060581 mit dem Titel „Vertical Proximity Processor" ("Vertikaler Nahprozessor"), 4) US-A-2004060195 mit dem Titel „Methods and Systems for Processing a Substrate Using a Dynamic Liquid Meniscus" ("Verfahren und Systeme zur Bearbeitung eines Substrates mit einem dynamischen flüssigen Meniskus"), 5) US-A-2004069326 mit dem Titel „Methods and Systems for Processing a Bevel Edge of a Substrate Using a Dynamic Liquid Meniscus" ("Verfahren und Systeme zur Bearbeitung einer Schrägkante eines Substrates mit einem dynamischen flüssigen Meniskus"), 6) US-A-2004182422 mit dem Titel „System and Method for Integrating In-Situ Metrology Within a Wafer Process" ("System und Verfahren zur Integration von In-Situ Messung bei einem Waferprozess"). 7) US-A-2004069319 mit dem Titel „Method and Apparatus for Cleaning a Substrate Using Megasonic Power" ("Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung eines Substrates unter Verwendung von Megaschallenergie") und 8) US-A-2005132515 mit dem Titel „Proximity Brush Unit Apparatus and Method" ("Vorrichtung mit naher Bürsteneinheit und Verfahren").
  • Obwohl die vorstehende Erfindung aus Gründen der Erleichterung des Verstehens mit bestimmten Einzelheiten beschrieben wurde, ist offensichtlich, dass bestimmte Änderungen und Modifikationen im Umfang der beigefügten Ansprüche durchgeführt werden können. Dementsprechend sind die vorliegenden Ausführungsformen als erläuternd und nicht als einschränkend anzusehen und die Erfindung ist nicht auf die hier angegebenen Einzelheiten beschränkt, sondern kann im Umfang und gemäß den Entsprechungen der beigefügten Ansprüche modifiziert werden.

Claims (16)

  1. Verfahren zur Bearbeitung von Halbleiterwafern, umfassend: Zuführen von Fluid zu einem Nahkopf (110), wobei der Nahkopf eine Bodenoberfläche umfasst, wobei die Bodenoberfläche mindestens eine Auslassöffnung (192) und mindestens eine Vakuumeinlassöffnung (194) aufweist; Regeln einer Temperatur des Fluids innerhalb des Nahkopfes (110), und Zuführen des temperaturgeregelten Fluids zu einem Fluidmeniskus (210), der zwischen der Bodenoberfläche des Nahkopfes (110) und einer Oberfläche eines Halbleiterwafers (150) für die Verwendung bei einem Waferbearbeitungsvorgang erzeugt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Waferbearbeitungsvorgang ein Reinigungsvorgang ist.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Waferbearbeitungsvorgang ein Ätzvorgang ist.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Waferbearbeitungsvorgang ein Plattierungsvorgang ist.
  5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das bei dem Reinigungsvorgang verwendete Fluid eine Reinigungschemikalie oder deionisiertes Wasser (DIW) ist.
  6. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das bei dem Ätzvorgang verwendete Fluid eine Ätzchemikalie ist.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Regeln der Temperatur des Fluids innerhalb des Nahkopfes weiter umfasst: Überwachen der Temperatur des Fluids innerhalb des Nahkopfes, und Anpassen der Temperatur des Fluids an eine gewünschte Temperatur.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, weiter umfassend: Entfernen des temperaturgeregelten Fluids von der Oberfläche des Halbleiterwafers.
  9. Nahkopf (110) für die Bearbeitung von Halbleiterwafern, umfassend: einen Heizabschnitt (190), der ausgebildet ist, eine Temperatur eines durch ihn strömenden Fluids zu regeln; einen in dem Nahkopf (110) angeordneten Sensor (185) zum Messen der Temperatur des durch den Heizabschnitt (190) strömenden Fluids; einen in dem Heizabschnitt angeordneten Kanal, wobei der Kanal zum Leiten des Fluids durch den Heizabschnitt (190) ausgebildet ist, und eine Bodenoberfläche mit mindestens einer Auslassöffnung (192), wobei die mindestens eine Auslassöffnung (192) strömungstechnisch mit dem in dem Heizabschnitt angeordneten Kanal in Verbindung steht, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Auslassöffnung (192) ausgebildet ist, in einen Fluidmeniskus (210) zu münden, der zwischen der Bodenoberfläche des Nahkopfes (110) und einer Oberfläche eines Halbleiterwafers (150) gehalten wird, und dass die Bodenoberfläche mindestens eine Vakuumeinlassöffnung (194) aufweist.
  10. Nahkopf nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Heizabschnitt (190) aus Siliziumkarbid besteht und mit einer Stromquelle (180) verbunden ist.
  11. Nahkopf nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Heizabschnitt (190) aus einem Isoliermaterial besteht, das ein darin eingebettetes elektrisch leitendes Material enthält, wobei das elektrisch leitende Material mit einer Stromquelle (180) verbunden ist.
  12. Nahkopf nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass das Isoliermaterial ein keramisches Material umfasst.
  13. Nahkopf nach Anspruch 11 dadurch gekennzeichnet, dass das elektrisch leitende Material aus einem Draht besteht.
  14. Nahkopf nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Kanal in dem Heizabschnitt ein erster Kanal (510) mit einem ersten Strömungsweg ist und der Heizabschnitt ferner einen zweiten Kanal (520) mit einem zweiten Strömungsweg umfasst, wobei der erste Strömungsweg und der zweite Strömungsweg voneinander getrennt sind.
  15. Nahkopf nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor (185) mit einer Steuereinrichtung (188) gekoppelt ist, wobei die Steuereinrichtung ausgebildet ist, die Temperatur des Fluids in dem Heizabschnitt (190) zu regeln.
  16. Nahkopf nach Anspruch 10, weiter umfassend: eine Fluidquelle (120), die strömungstechnisch mit dem Nahkopf (110) in Verbindung steht; ein erstes mit dem Nahkopf (110) gekoppeltes Element (720), wobei das erste Element zur Handhabung des Nahkopfes ausgebildet ist, und ein zweites Element, das ausgebildet ist, den Halbleiterwafer zu halten, wobei das zweite Element in der Lage ist, den Halbleiterwafer in der Nähe der Bodenoberfläche des Nahkopfes zu platzieren.
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