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Technisches Gebiet
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Die
vorliegende Erfindung betrifft im Allgemeinen miniaturisierte Leistungsverstärker und
im Besonderen ein Leistungsverstärkermodul
mit passiven Bauteilen, die auf einem flexiblen Siliziumsubstrat
oder einem Substrat aus rostfreiem Stahl ausgebildet sind, wobei
eine passive integrierte Dünnschicht
verwendet wird, und die mit aktiven Verstärkungsbauelementen verbunden
sind, die auf dem Substrat befestigt sind, wobei metallgefüllte Durchgangslöcher durch
das Substrat bzw. den Träger
verwendet werden, um Wärmeübertragung
und Eingangs- und Ausgangsanschlüsse
bereitzustellen.
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Hintergrund der Erfindung
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Leistungsverstärker sind
in tragbaren drahtlosen Geräten,
insbesondere tragbaren zellularen Handgeräten, die Bauelemente, welche
aufgrund der geforderten zellularen Standardausgangsleistungspegel
die größte Leistungsaufnahme
besitzen. Es gibt eine Vielzahl von Ursachen für Leistungsverluste, die mit
der Leistungsverstärkungsfunktion
in Zusammenhang stehen, z. B. die Leistungseffizienz der typischerweise
erforderlichen zwei bis drei Verstärkungsstufen, um den gewünschten
Ausgangsleistungspegel zu erzeugen; Verluste aufgrund von Fehlanpassung
der Eingangs- und Ausgangsimpedanz, und Verluste bei den Funktionen
zur Stabilisierung und Steuerung der Versorgungsspannung. Zusätzlich gibt
es weitere Verluste, die durch Unterdrückung harmonischer Frequenzen
verursacht werden, wie z. B. die am Eingang und/oder Ausgang der
Verstärkungsstufen
benötigte
Frequenzfilterung. Herstellung mit großen Stückzahlen, schnelleres Systemtesten
und die Anforderung der Wiederverwendbarkeit von Designs haben zur
Verwendung von vorgetesteten Leistungsverstärkermodulen geführt, welche
die Funktionalität
von mehr als einem zellularen Standard enthalten. Niedrige Kapazitätsdichten,
die bei aktiven Silizium (Si) und Galliumarsenid (GaAs) oder Indium
(In) basierten integrierten Schaltungstechnologien verfügbar sind
und verlustbehaftete passive Komponenten aufgrund von dünnen (typischerweise
0,2 bis 1,5 μm)
Metallen und Substraten mit niedrigem Widerstand, die bei Siliziumtechnologie
verwendet werden, limitieren eine vollständige mono lithische Integration
aller unterstützenden
passiven Bauelemente zusammen mit den aktiven Elementen (Transistoren,
MOSFETs oder MESFETs), die zur Leistungsverstärkung benötigt werden. Darüber hinaus
wäre eine
vollständige
Integration aller in einem Leistungsverstärker verwendeten passiven Bauelemente
nicht kosteneffizient.
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Im
Moment werden Leistungsverstärkermodule
im Allgemeinen auf einem laminatähnlichen FR4-
oder BT-Laminat oder keramischen (HTCC, Hochtemperatur-Einbrand-Keramiken
bzw. High Temperature Cofired Ceramics oder LTCC, Niedertemperatur-Einbrand-Keramiken
bzw. Low Temperature Cofired Ceramics) Substraten zur Minimierung verschiedener
Verluste und aus Gründen
der Kostenoptimierung hergestellt. Zusätzliche aktive und passive
Elemente werden auf der Oberseite dieser Substrate befestigt. Diese
Substrate bzw. Träger
der Module des Standes der Technik besitzen eine begrenzte Fähigkeit
zur Miniaturisierung, da, wenn Laminate verwendet werden, die benötigte Anpassung
(Kapazitäten
und Spulen) und leistungsstabilisierenden passiven Bauelemente,
wie z. B. Kapazitäten,
Ferriten und Spulen typischerweise nur in die Modulträger eingebettet
werden können.
Im Falle laminierten Substrate, wie z. B. FR4 und BT, sind die Kapazitätsdichten
zwischen verschiedenen Verdrahtungsschichten niedrig (typischerweise
0,05 bis 0,5 pF/mm2), was die Erzeugung
großer
Flächen
(2 bis 10 mm2) und ungenauer Kapazitäten führt. Induktivitäten oder
Spulen, die in typischen Anpassungsschaltkreisen benötigt werden,
besitzen Werte von einigen Nanohenry (nH) und ihre physikalische
Größe wird
durch die Dielektrizitätskonstante
des verwendeten Trägermaterials
beschränkt,
wobei die Dielektrizitätskonstante
für einen
keramischen Träger 6,5
bis 9,5 und für
einen Laminatträger
2,5 bis 4,5 beträgt.
Die Metallstärken
der Zwischenverbindung der Träger
und die dielektrischen Verluste der Isolationsschichten beeinflussen
auch die Gesamtverluste des Leistungsverstärkermoduls. Spulen, die magnetisches
Material erfordern, wie z. B. einen Ferritkern, oder Entkopplungsspulen
können
nicht in momentan bekannte Leistungsverstärkerträger eingebettet werden.
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1 zeigt
ein Leistungsverstärkermodul 10 des
Standes der Technik mit Zinnen [engl. „castellated"] an geschichteten
Substraten 12, 14, wobei alle Bauteile 16, 16 des
Leistungsverstärkermoduls
oberflächenbefestigte
(SMT) Bauelemente sind, die sich auf einer Oberfläche 18 des
Substrats 12 befinden und das ein o der mehrere Verstärkungsstufen
beinhaltet. Die Größe des Moduls 10 ist
abhängig
von der Größe der SMT-Bauelemente,
der Anzahl der Substratschichten, der Verdrahtungsdichte und der
Art des verwendeten Substrats, das keramisch oder laminiert sein
kann. Elektrische Eingangs- und Ausgangssignale werden den Bauelementen
des Moduls 10 entlang zinnenförmiger elektrischer Leiter 20, 20 entlang den
Kanten oder Seiten des Modulsubstrat zugeführt. Das Verstärkermodulgehäuse wird
typischerweise in einen Sockel eingesetzt, der auf einer gedruckten
Schaltkreisplatine (PCB) oder Ähnlichem befestigt
ist, wobei der gewünschte
elektrische Schaltkreis gebildet wird.
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2 zeigt
ein anderes LGA (Land-Grid-Array)-Verstärkermodul 30 auf geschichteten
Substraten 32, 34, die keramisch oder laminiert
sein können, wobei
einige der Anpassungsbauelemente 36, 38, 40 (Widerstand,
Induktivität,
Kapazität)
im Modulsubstrat eingebettet sind und einige der aktiven Einheiten, die
für die
Verstärkungsstufen
oder Leistungsmanagementschaltkreise, wie z. B. DC-DC-Wandler, benötigt werden,
können
sich als Flip-Chip 42 oder drahtverbunden 44 auf
der Oberfläche 46 des
oberen Substrats 34 befinden. Elektrische Eingangs- und Ausgangssignale
werden den Bauelementen des Moduls 30 mittels Metallpfosten
oder Metallstiften 48, 48 unter dem Modul, welches
in einen auf einer gedruckten Schaltkreisplatine oder Ähnlichem
befestigten Sockel eingesetzt ist, zugeführt.
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3 zeigt
anderes BGA (Ball-Grid-Array)-Modul 60 des Standes der
Technik auf geschichteten Substraten 62, 63, 64,
die keramisch oder laminiert sein können, wobei einige der Anpassungsbauelemente 66, 68, 70 (Widerstand,
Induktivität,
Kapazität)
im Modulsubstrat eingebettet sind und einige der aktiven Bauelemente 72, 74 sich
als Flip-Chip oder drahtverbunden auf dem Substrat befinden. Elektrische
Eingangs- und Ausgangssignale werden den Bauelementen des Moduls 60 mittels
einer Matrix aus Kugeln 76, 76 unter dem Modul,
welches in einem gelöteten
oder andersartig mit einer Schaltkreisplatine oder Ähnlichem
verbundenen Sockel eingesetzt ist, zugeführt.
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Die
Anforderung nach einer Modulminiaturisierung und erhöhter Wärmeübertragung
hat zu Lösungsansätzen geführt, wobei
einige Gruppen der unterstützenden
passiven Bauelemente als separate Chips auf ein Modulsubstrat integriert werden. 4A und 4B zeigen
eine Seite bzw. eine gegenüberliegende
Seite eines Beispiels des Standes der Technik einer teilweisen Integration
eines Leistungsverstärkermoduls 80,
wobei das Hauptmodulsubstrat 82 keramisch ist. Eine begrenzte
Anzahl von Anpassungsbauelementen 84, 86, 88 (Widerstand, Induktivität, Kapazität) sind
passiv auf ein Siliziumsubstrat 90 mit hohem Widerstand
unter Verwendung von Dünnfilmtechniken
integriert, um einen passiv integrierten Chip 92 zu bilden.
Der Chip 92 kann sich drahtverbunden oder als Flip-Chip
auf dem Modulsubstrat 82 zusammen mit Leistungsverstärkerchips 94, 94 und
anderen SMT-Bauelementen 96, 96 befinden.
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Die
Verwendung von hybriden Fertigungstechniken, wie z. B. in
1 bis
3 veranschaulicht,
oder das Stapeln von aktiven und integrierten passiven Substraten,
wie in
4A und
4B veranschaulicht,
zusammen mit SMT-Bauelementen führt zu relativ
dicken Modulen (typischerweise 1,2 bis 2,2 mm). Zusätzlich muss
in den aktiven Einheiten des Verstärkermoduls erzeugte Wärme effektiv aus
den Einheiten und dem Modul geleitet werden. Typische Substrat für Leistungsverstärkermodule
wie Glasfaserepoxidharze und Al
2O
3 besitzen eine niedrige thermische Leitfähigkeit
(~1 bzw. 20 W/mK) im Vergleich zu Metallen (Cu 397 W/mK, Au 316
W/mK) oder separate Kühlkörpermaterialien
wie AlN (190 W/mK), Be (250 W/mK) oder Siliziumcarbid (270 W/mK).
Ein Verfahren für
thermisches Übertragen verwendet
Metallpfosten, die durch das Modulsubstrat von der metallisierten
Rückseite
des Verstärkerchips
zur Systemplatine zu einer zusätzlichen bzw.
zusätzlichen
Platte(n) eines Kühlkörpermetalls führen. Die
Verwendung zusätzlicher
Kühlkörpermaterialien
erhöht
die Modulkosten und ist allgemein Anwendungen geringer Stückzahl und
hoher Leistung vorbehalten. Beispiele für frühere Anordnungen, die derartige
Metallpfosten verwenden, sind in
US 5,604,673 und
JP 11-260834 offenbart.
In der letzteren Referenz werden die Metallpfosten auch verwendet,
um Signale zu und von den auf dem Modul befestigten Komponenten
zu führen.
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US 5,214,000 offenbart einen
Multichip-Substrat mit einem Grundsubstrat aus Silizium, auf dem eine
Vielzahl von dielektrischen und Metallisationsschichten vorgesehen
ist. Durchgangslöcher
bzw. Vias für
thermische Pfosten, die sich durch die dielektrischen und Metallisationsschichten
erstrecken, sind vorgesehen.
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Zusammenfassung der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung zumindest vermeidet, wenn nicht gänzlich eliminiert
die Nachteile der Leistungsverstärkermodule
des Standes der Technik durch Vorsehen eines Leistungsverstärkermoduls
mit einem thermisch leitfähigen
Substrat, das mittels passiver Dünnschichtintegration
ausgebildete passive Bauteile aufweist, die auf einem Substrat gestapelt
sind, das aktive Bauteile trägt.
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Die
Erfindung stellt ein Leistungsverstärkermodul bereit, das umfasst
wenigstens ein passives integriertes Dünnschichtsubstrat mit einem
oder mehreren darauf ausgebildeten passiven Bauelementen, wobei
das wenigstens eine passive integrierte Dünnschichtsubstrat thermisch
leitfähig
ist, wenigstens ein aktives Element zum Verstärken elektrischer Signale,
Mittel zum Befestigen des wenigstens einen aktiven Elements auf
einer Oberfläche
des wenigstens einen passiven integrierten Dünnschichtsubstrats, und Mittel
zum Verschalten des wenigstens einen aktiven Elements mit dem einen
oder den mehreren passiven Bauelementen, die in dem wenigstens einen
passiven integrierten Dünnschichtsubstrat
ausgebildet sind, wobei dadurch eine elektrische Schaltkreiskonfiguration
zur Leistungsverstärkung
definiert wird, und Mittel zum Verbinden von elektrischen Eingangs-/Ausgangssignalen
zu und von den integrierten passiven Bauelementen und den aktiven
Elementen, wobei die Verbindungsmittel weiter umfassen Wärmeentziehungsmittel
bzw. Kühlkörpermittel
zum Übertragen
von durch das aktive Element erzeugter Wärme von dem aktiven Element und
dem Modul weg zum Ableiten, wobei die Verbindungsmittel eingerichtet
sind, durch das wenigstens eine passive integrierte Dünnschichtsubstrat
hindurchzugehen.
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Es
ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein miniaturisiertes
Leistungsverstärkermodul
zur Verwendung in drahtlosen und zellularen Kommunikationsanwendungen
bereitzustellen, das die Probleme im Zusammenhang mit Leistungsverstärkermodulen
des Standes der Technik löst.
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Es
ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Leistungsverstärkermodul
mit einer oder mehreren dünnen
Substratschichten aus Silizium oder rostfreiem Stahl bereitzustellen,
wobei darin passiv integrierte Bauelemente ausgebildet und mit darauf
befestigten aktiven Elementen verbunden sind.
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Es
ist noch eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, Verbindungsmittel
durch die Substratschichten des Verstärkungsmoduls bereitzustellen,
um elektrische Eingangs- und Ausgangssignale zu und von den passiv
integrierten Bauelementen und den aktiven Elementen zu übertragen,
wobei die Verbindungsmittel den thermischen Transfer von den aktiven
Elementen und dem Modul bereitstellen.
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Es
ist noch eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Siliziumsubstrat
oder Substrat aus rostfreiem Stahl bereitzustellen, das genügend dünn ist,
um flexibel zu sein, um so Konturen und Formen eines Gehäuses anzunehmen.
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Diese
und andere Aufgaben und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden
verständlicher
mittels Durchdringung der folgenden detaillierten Beschreibung der
im Moment bevorzugten Ausführungsbeispiele
der Erfindung, wenn im Zusammenhang mit den begleitenden Zeichnungen
berücksichtigt.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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1 ist
eine schematische Darstellung eines Leistungsverstärkermoduls
des Standes der Technik auf Substraten, die als zinnenartig geformtem
Modul verschaltet sind.
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2 ist
eine schematische Darstellung eines Leistungsverstärkermoduls
des Standes der Technik auf Substraten, die als LGA (Land Grid Array)-Modul
verschaltet sind.
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3 ist
eine schematische Darstellung eines Leistungsverstärkermoduls
des Standes der Technik auf Substraten, die als BGA (Ball Grid Array)-Modul
verschaltet sind.
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4A u. 4B sind
schematische Darstellungen von gegenüberliegenden Seiten jeweils eines
Leistungsverstärkermoduls
des Standes der Technik, das teilweise gemäß Techniken des Standes der
Technik integriert ist.
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5 ist
eine schematische Darstellung eines gestapelten Leistungsverstärkermoduls,
das die vorliegende Erfindung verkörpert.
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6 ist
eine Querschnittsansicht des gestapelten Leistungsverstärkermoduls,
die einen metallgefüllten
Durchgang (Via), der durch das Modul hindurchgeht, zeigt.
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7 ist
eine Querschnittsansicht des metallgefüllten Durchgangs der 6,
welcher als eine Eingangs-/Ausgangsverbindung
unter Verwendung einer Kugelmatrixverbindung angeordnet ist.
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8 ist
eine Querschnittsansicht von oben des metallgefüllten Durchgangs der 6.
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9 ist
eine schematische Darstellung eines gestapelten Leistungsverstärkermoduls,
das die vorliegende Erfindung verkörpert, wobei es mit einer gedruckten
Schaltkreisplatine zusammengefügt
gezeigt ist.
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Detaillierte Beschreibung
der bevorzugten Ausführungsbeispiele
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Nun
unter Berücksichtung
der Erfindung in größerem Detail
wird eine schematische Darstellung eines gestapelten Leistungsverstärkermoduls,
das die vorliegende Erfindung verkörpert, in 5 veranschaulicht
und allgemein mit 100 bezeichnet. Das Modul 100 ist
auf ein Dünnschichtsubstrat
aufgebaut, wie z. B. Silizium oder rostfreiem Stahl, welches allgemein
mit 102 bezeichnet ist. Eine minimale Anzahl von dielektrischen
Schichten und Substratschichten 103, 104, 105,
auf denen die benötigten
passiven Anpassungsbauelemente (Widerstände, Kapazitäten, Induktivitäten, Microstrip-/Streifenleiter)
integriert sind, sind auf dem Substrat 102 gestapelt ohne
ein zusätzliches
Modulsubstrat zu benötigen,
um die passiven integrierten Bauelemente zu tragen. Eine dielektrische
Beschichtung auf Schichten 103, 104, 105 isoliert
die integrierten passiven Bauelemente gegenüber dem Substrat 102.
Aktive Einheiten, wie z. B. ein Leistungsverstärkerchip 106 oder
andere Schaltkreisfunktionseinheiten 108, sind mit der
Oberfläche 110 der
Schicht 105 des Moduls mittels Drahtverbindungen oder als
Flip-Chip verschaltet. Die passiven integrierten Anpassungsbauelemente
z. B. 112, 114, 116, sind auf den Substratschichten
ausgebildet. Obwohl jedes isolierende Substrat, wie Glas, das thermisch
leitfähig
ist, zur passiven Integration der passiven Anpassungsbauelemente
verwendet werden kann, besitzt Silizium eine gute thermische Leitfähigkeit
(145 W/mK) im Vergleich zu GaAs (46 W/mK), wobei Silizium als das
Substrat für
die passiven dünnschichtintegrierten
Bauelemente bevorzugt verwendet wird. Falls ein Siliziumsubstrat
verwendet wird, können
zusätzlich
aktive Einheiten Funktionen wie z. B. ESD (elektrostatische Entladung)
und PIN-Dioden und Varaktoren in das Siliziumsubstrat eingebettet
werden.
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Mit
Metall gefüllte
Via-Löcher
bzw. Durchgangslöcher 120, 120 gehen
im Wesentlichen senkrecht durch das Leistungsverstärkermodulsubstrat und
die gestapelten Schichten, auf denen die passiven Bauelemente integriert
sind, um Eingangs-/Ausgangssignale und Energieversorgungsspannungen zu
den Bauelementen des Leistungsverstärkermoduls einzuspeisen. Die
Durchgangslöcher
können unter
Verwendung jedes geeigneten Verfahrens wie z. B. Mikrozerspanungstechniken
ausgebildet werden. 6 zeigt eine Querschnittsansicht
eines metallgefüllten
Durchgangs bzw. Vias, der bzw. das durch das Modul hindurchgeht.
Der metallgefüllte Durchgang 120 ist
von einem dielektrischen Material 122 umgeben, um diesen
und jedes elektrische Signal, das durch diesen von den Substratschichten,
die z. B. als 102, 104 gezeigt sind, getragen
werden, zu isolieren. Der metallgefüllte Durchgang 120 ist
an seinem oberen Ende 124 freigelegt, um mit den Bauelementen,
die sich auf der Oberfläche 110 des
Moduls 100 befinden, Kontakt zu schließen. Das untere Ende 126 kann
in einem Kugelgitterkontakt (Ball Grid Contact) 128, wie
in 7 veranschaulicht, enden, um elektrischen und
physikalischen Kontakt mit einem kooperierenden elektrischen Kontaktpunkt
herzustellen. 8 ist eine Querschnittsansicht
von oben des metallgefüllten
Durchgangs 120 und zeigt die dielektrische 122 Umgebung
des Metallkerns 130. Wie in 5 veranschaulicht,
stellt bzw. stellen ein oder mehrere metallgefüllte Durchgänge 120 Kontakt mit den
aktiven Einheiten 106, 108 her, um einen thermischen
Transfer von Wärme
von den Einheiten und dem Modul zusätzlich zum Transport elektrischer
Signale und Versorgungsspannungspotenziale zu ermöglichen.
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9 ist
eine schematische Darstellung eines allgemein mit 150 bezeichneten
gestapelten Leistungsverstärkermoduls,
das die vorliegende Erfindung verkörpert und mit einer gedruckten
Schaltkreisplatine, wie z. B. einer Systemhauptplatine, die allgemein
mit 152 bezeichnet ist, unter Verwendung einer BGA (Ball
Grid Array)-Verbindungsanordnung verschaltet ist. Das Leistungsverstärkermodul 150 ist dem
Leistungsverstärkermodul 100,
das in 5 veranschaulicht ist, ähnlich. Das Modul 150 enthält drahtverbundene
aktive Einheiten 154 und Wende-Chip- bzw. Flip-Chip-Einheiten 156.
Metallgefüllte Durchgänge 158 verbinden
die gedruckte Schaltkreisplatine 152 mit der aktiven Einheit 154.
Ein anderer metallgefüllter
Durchgang 160 verbindet z. B. die gedruckte Schaltkreisplatine 152 mit
einer passiv integrierten Kapazität 162 mittels eines
Kugelgitterkontakts 164. Eine dielektrische Schicht oben
auf den passiven Dünnschichtbauelementen
schützt
die aktiven Einheiten und bedeckt die passiven Bauelemente mit Ausnahme
der elektrischen Kontakte. Eine elektromagnetische (EM)-Schirmung,
die in der Figur nicht gezeigt ist, kann verwendet werden, um den Chip
bzw. die Chips und/oder das gesamte Verstärkermodul zu umgeben. Zusätzlich zu
BGA-Verbindung mit
der Hauptplatine, können
LGA-(Land Grid Array)-Verbindungstechniken
gleichermaßen
genauso gut mit dem Leistungsverstärkermodul der Erfindung verwendet
werden.
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Das
Leistungsverstärkermodul
der vorliegenden Erfindung verwendet auch Dünnschichttechniken, um magnetische
Materialien, wie z. B. weiche Ferrite zur Herstellung von Kernen
für Spulen,
die als HF-Spulen dienen, zu beschichten und zu gestalten. Die HF-Spulen
werden als Lasten zur Stabilisierung der Spannungsversorgungseinspeisungen
für das Leistungsverstärkermodul
verwendet. Die HF-Spulen werden auch als Isolatoren an dem Leistungsverstärkerausgang
verwendet, wenn notwendig.
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Das
spezifische Metall für
das oberste Substrat des Moduls wird durch die Verbindungs- und
Zusammenbautechniken bestimmt, die für beliebige zusätzliche
Teile verwendet werden, wie z. B. Rohchip-Leistungsverstärker, die
unter Verwendung von Si, GaAs, InP, SiC oder beliebig anderen Materialien hergestellt
sind, und Chips anderer Bauelemente, SMT oder anderer Bauelemente
und Teile, wie z. B. EM-Schirmungen. Der teilweise passive Integrationsansatz
ermöglicht
kleinere Modulgrößen aufgrund höherer Dichte
der in Dünnschicht
integrierten passiven Bauelemente und kleiner Leitungsbreiten (2
bis 10 μm)
der Dünnschichttechnologie
im Vergleich zu gelötet
oder mit leitfähigem
Kleber befestigten diskreten passiven Bauelementen und typischen
Modullaminat- oder Keramiksubstraten und ihrer Leitungsbreite (> 10 bis 100 μm) und typischen
Beabstandung (> 10 μm).
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In
einem weiteren Ausführungsbeispiel
des Leistungsverstärkermoduls
der vorliegenden Erfindung kann sowohl die Stärke der aktiven und passiven
Siliziumsubstrate reduziert werden, um ein weiter miniaturisiertes
Modul für
gestapelte Systeme, die für
einen dünnen
Gesamtsystemaufbau benötigen, bereitzustellen.
Wenn die Stärke
des Silicons ungefähr < 80 μm ist, wird
das Siliconsubstrat flexibel, wobei es ermöglicht, dass es direkt als
Modulsubstrat auf der Systemhauptplatine zum Einsatz kommt, wodurch
der thermische Widerstand oder die Temperaturkoeffizientenfehlanpassung
zwischen der Systemplatine und der Modulplatine reduziert wird,
was wiederum die Systemzuverlässigkeit
erhöht.
Rostfreier Stahl ist außerdem
geeignet zur Verwendung als passives Integrationsmaterial, das in
der Stärke
reduziert werden kann und das gute thermische Leitfähigkeit
und Flexibilität
bietet. Sowohl Siliziumsubstrate als auch Substrate aus rostfreiem
Stahl, die genügend
dünn hergestellt
wurden, um flexibel zu sein, können
auch als Anpassungsmedium zwischen möglichen unterschiedlichen Temperaturkoeffizienten
der Systemplatine und des Leistungsverstärkermoduls fungieren. Derartige
dünne Substrate
besitzen eine akzeptable Beständigkeit
in Biege- und Verwindungszuständen
der Systemplatine, ohne irgendein zusätzliches Entlastungsmedium,
wie z. B. ein Füllmaterial,
das unter das Substrat während
der Herstellung der Systemplatine anzuordnen wäre, benötigt würde.