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Technisches
Gebiet
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Die
vorliegende Erfindung betrifft im Allgemeinen die Halbleiterverarbeitung
und insbesondere eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Verändern der
Layout-Daten, die zur Erzeugung von Photomasken verwendet werden.
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Stand der
Technik
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US-A-5
792 581 offenbart ein Verfahren zum Korrigieren von Selbst-,
gegenseitigen und optischen Nahwirkungen, wenn ein Muster auf eine
Photomaske gezeichnet wird. In einem Ausführungsbeispiel werden die Entwurfsmuster
und Transferbedingungen gespeichert und die Muster in Teile unterteilt.
Ein Bestimmungsmittel bestimmt, ob das Muster durch Selbstnahwirkung
oder durch gegenseitige Nahwirkung beeinflusst wird, und eine Korrektur
wird ausgeführt,
indem Daten für
die Dosierungsmenge für
die betroffenen Teile des Musters bestimmt werden für die Benutzung
in dem Transfer des Musters auf die Photomaske. In einem anderen
Ausführungsbeispiel wird
ein Simulationsmittel verwendet, um ein transferiertes Muster zu
simulieren, und Kantenkorrekturdaten werden erzeugt durch ein Vergleichen
von Punkten auf dem gewünschten
Muster und entsprechenden Punkten auf dem simulierten transferierten
Muster.
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Microelectronic
Engineering 30 (1996), Seiten 115–118, R. Jonckheere et al,
mit dem Titel "Optical
proximity correction: mask pattern-generation challenges) offenbart
Stand der Technik zu der Korrektur der optischen Nahwirkung bei
der Produktion von Photomasken.
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Die
Herstellung von Halbleitergeräten
ist abhängig
von der akkuraten Wiedergabe von Entwurfsdaten des Geräts auf die
Oberfläche
eines Halbleitersubstrats. Die minimalen Merkmalsgrößen von
integrierten Schaltungen werden kontinuierlich geringer, um die
Packungsdichte der dadurch gebildeten Halbleitergeräte zu steigern.
Mit der Verringerung der Größe werden
jedoch verschiedene Schritte in dem Herstellungsprozess der integrierten
Schaltungen schwieriger. Die Photolithographie, die Herstellung von
Photomasken (Retikeln) und die Korrektur der optischen Nahwirkung
(OPC) sind Gebiete, die einzigartige Herausforderungen erfahren,
wenn die Größen der
Merkmale schrumpfen.
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Die
Photolithographie umfasst eine selektive Belichtung von Bereichen
eines mit Resist bedeckten Siliziumwafers, um ein Strahlungsmuster
zu bilden. Sobald die Belichtung abgeschlossen ist, wird der belichtete
Resist entwickelt, um die verschiedenen Bereiche auf dem Siliziumwafer,
die von dem Belichtungsmuster definiert sind, selektiv zu belichten
und zu schützen
(zum Beispiel Siliziumbereiche in dem Substrat, Polysilizium auf
dem Substrat oder isolierende Schichten wie Siliziumdioxyd).
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Eine
wesentliche Komponente eines Photolithographiesystems ist ein Retikel
(oftmals Maske oder Photomaske genannt), das ein Muster darauf enthält, das
den Merkmalen entspricht, die in einer Schicht auf dem Substrat
gebildet werden sollen. Ein Retikel enthält üblicherweise eine transparente
Glasplatte, die mit einem in einem Muster ausgelegten, Licht blockierenden
Material wie Chrom bedeckt ist. Das Retikel wird zwischen einer
Strahlungsquelle, die Strahlung einer voreingestellten Wellenlänge (zum
Beispiel ultraviolettes Licht) erzeugt, und einer fokussierenden
Linse, welche einen Teil einer Steppingvorrichtung bilden kann,
angeordnet.
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Unterhalb
des Steppers ist ein mit Resist bedeckter Siliziumwafer platziert.
Wenn die Strahlung von der Strahlungsquelle auf das Retikel gerichtet wird,
passiert das Licht durch das Glas (in den Bereichen, die nicht die
Muster aus Chrom enthalten) und projiziert auf den mit Resist bedeckten
Siliziumwafer. Auf diese Weise wird ein Abbild des Retikels auf
den Resist übertragen.
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Die
Layoutdaten der Maske oder das Maskenlayout ist eine digitale Darstellung
eines Musters einer gewünschten
integrierten Schaltung. Diese digitale Darstellung wird von dem
Hersteller des Retikels verwendet, um das Retikel zu erzeugen. Üblicherweise
werden die Layoutdaten der Maske unter Verwendung von computerunterstützten Entwurfs- (CAD)
Techniken erzeugt. Die Merkmale des Musters entsprechen den Merkmalen
der Geräte
der integrierten Schaltung, die herzustellen sind. Die Qualität der Maskenmuster
auf der Maske ist kritisch für
die Erzeugung der gewünschten
Merkmale der integrierten Schaltung auf dem Wafer. Kritische Abmessungen
umfassen die Größe der Muster über die
Maske, wie die Linienbreite und den Abstand.
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Eine
Maske ist ein optisch klares Quarzsubstrat mit einem Muster aus
Chrom. Um eine Maske zu erzeugen wird eine Schicht aus Photoresist
auf einen mit Chrom bedeckten Retikelträger aufgebracht. Der Resist
(manchmal als der "Photoresist" bezeichnet) wird
als eine dünne
Schicht von gegenüber Strahlung
empfindlichen Material zur Verfügung
gestellt. Das Layoutdesign der Maske wird auf das Retikel übertragen
unter Verwendung eines Maskenschreibers oder eines Maskenschreibersystems, zum
Beispiel ein Laserschreiber oder ein Elektronenstrahl (E-Strahl)
Schreiber. Ein Laserschreiber transferiert die Layoutdaten der Maske
zu dem Retikel indem Bereiche des Photoresists selektiv ultraviolettem
(UV) Licht ausgesetzt werden. Ein E-Strahl Muster transferiert die
Layoutdaten der Maske zu dem Retikel, indem Bereiche des Photoresists
selektiv einem Elektronenstrahl ausgesetzt werden. Nach der Erzeugung
des Musters wird der belichtete Photoresist mit einer chemischen
Lösung
entfernt und die belichteten Bereiche des Chroms werden weggeätzt, was
eine Quarzoberfläche
hinterlässt.
Der verbleibende Photoresist wird dann entfernt und die fertige Maske
hat das Muster der Maskenlayoutdaten auf ihrer Oberfläche.
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Um
das Retikelmuster auf das Substrat eines Halbleiters zu transferieren
wird eine dünne
Schicht aus Resist über
die gesamte Oberfläche
des Siliziumswafers rotationsbeschichtet. Das Material des Resists
ist als entweder positiv oder negativ klassifiziert, abhängig davon,
wie es auf leichte Strahlung reagiert. Positiver Resist wird löslicher,
wenn er Strahlung ausgesetzt wird, und kann daher in einem Entwicklungsprozess
leichter entfernt werden. Als ein Ergebnis enthält ein entwickelter positiver
Resist ein Resistmuster, das den dunklen Bereichen auf dem Retikel
entspricht. Entsprechend enthält
ein entwickeltes negatives Resist ein Muster, das den transparenten
Bereichen des Retikels entspricht.
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Wenn
UV Licht durch das Retikel passiert, um den Resist zu entwickeln,
wird es von den Kanten des Chroms gebeugt und gestreut. Dies verursacht an
dem projizierten Bild, dass es einige Rundungen und weitere optische
Störungen
enthält.
Während solche
Effekte nur relativ geringe Schwierigkeiten in Layouts mit großen Merkmalen
(zum Beispiel Merkmale mit kritischen Größen größer als ein Mikron) in sich
bergen, können
sie nicht in aktuellen Layouts ignoriert werden, in denen die kritischen
Dimensionen etwa 0,25 Mikron oder weniger betragen. Das oben angeführte Problem
wird wichtiger in Entwürfen
für integrierte
Schaltungen, die Merkmalsgrößen unterhalb
der in dem photolithografischen Prozess verwendeten Wellenlänge haben.
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Um
dieses Problem zu lösen
ist eine Korrekturmethode für
das Retikel, bekannt als optische Nahwirkungskorrektur (OPC), entwickelt
worden. OPC umfasst das Hinzufügen
von dunklen Bereichen zu und/oder das Wegnehmen von dunklen Bereichen von
Teilen eines Retikels, um die verzerrenden Effekte der Beugung und
Zerstreuung zu überwinden, wenn
die Muster der Maske auf das Substrat übertragen werden. Typischerweise
wird OPC auf den Layoutdaten der Maske ausgeführt. Zuerst werden die Layoutdaten
der Maske mit Software bewertet, um Bereiche zu identifizieren,
in denen eine optische Verzerrung auftreten wird. Dann werden die
OPC Merkmale zu den Layoutdaten der Maske hinzugefügt, um diese
Verzerrung auszugleichen. Die Layoutdaten der Maske mit den hinzugefügten OPC Merkmalen
werden als die optisch nahwirkungskorrigierten Layoutdaten der Maske
oder als optisch nahwirkungskorrigiertes Maskenlayout bezeichnet. Das
resultierende Muster des optisch nahwirkungskorrigierten Maskenlayouts
wird schließlich
auf das Glas des Retikels übertragen.
Einige optische Nahwirkungskorrektur nimmt die Form von "Serifen" an. Serifen sind
kleine appendix-artige Zusatz- oder Entfernungsbereiche, üblicherweise
an Eckbereichen auf den Retikelentwürfen gemacht. Wie in der vorliegenden
Erfindung verwendet, wird der Ausdruck Serife verwendet, um sowohl
Zusatz- als auch Entfernungsbereiche zu bezeichnen.
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1 zeigt ein Merkmal 10 des
Layoutentwurfs der Maske. Unglücklicherweise,
wie in 2 gezeigt, kann
das Maskenmerkmal 20, wie von dem Maskenschreiber geschrieben,
von dem Layoutmerkmal 10 abweichen, zum Beispiel werden
rechte Winkel Rundungen aufweisen. Rechte Winkel sind wünschenswerte
Merkmale von Halbleitergeräten und
OPC Korrekturmerkmalen, wie etwa Serifen. Zum Beispiel bildet die
Kreuzung eines Transistors und einer Gateleitung oftmals ein T-förmiges Merkmal
und ein Serif ist oft quadratisch in der Form. Die Form der Merkmale
der Geräte
und des OPC, wie Serifen, muss akkurat auf die Maske reproduziert werden,
um das Substrat des Halbleiters akkurat zu mustern. Rundungen dieser
Merkmale beeinträchtigen
die optische Nahwirkungskorrektur, wirken sich negativ auf die Leistungsfähigkeit
des Geräts
aus und fügen
eine Ebene der Ungleichförmigkeit
zwischen den Transistoren hinzu, die nicht wünschenswert ist. Zum Beispiel
wird eine gerundete Serife keine optimale optische Nahwirkungskorrektur
erzielen. Ähnlich
wird eine Maske mit Rundungen der T-förmigen Merkmalen des Geräts keine
rechten Winkel auf dem Halbleiter erzeugen und dies wird die Leistungsfähigkeit
des Transistors und die Packungsdichte der Geräte beeinflussen.
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Da
Rundungen höchst
unerwünscht
sind und zu einer verminderten Leistungsfähigkeit des Transistors, erhöhtem Abstand
im Layout des Transistors (der die Packungsdichte der Geräte verringert)
und Beeinflussung der optischen Nahwirkungskorrektur führen, gibt
es ein nicht erfülltes
Bedürfnis
nach einem System und einem Verfahren, um die Rundungen an den Ecken
zu verringern. Diese Bedürfnis
besteht insbesondere bei der OPC, wobei die Merkmale der OPC, die
zum Korrigieren von optischer Verzerrung notwendig sind, oftmals
kleine Abmessungen mit scharfen Winkeln und andere schwer zu schreibende
Merkmale haben. Eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Verbessern
der Schreibbarkeit von OPC Merkmalen auf das Retikel wird benötigt.
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Offenbarung
der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft im Allgemeinen eine Vorrichtung und
ein Verfahren zur Verbesserung der Herstellung von Masken, die bei
der Herstellung von integrierten Schaltungen verwendet werden. Die
Merkmale der Masken und Bereiche der Merkmale der Masken können sehr
klein sein, wie ein Merkmal der optischen Nahwirkungskorrektur (OPC), einschließlich Serifen.
Da kleine Merkmale schwer akkurat auf die Maske zu schreiben sind,
könnten
die Layoutdaten der Maske nicht mit Genauigkeit auf der Maske reproduziert
werden. Bei der vorliegenden Erfindung wird eine Maske von einem
Entwurfslayout der Maske produziert. Der Unterschied zwischen den Merkmalen
des Layouts und den Merkmalen der Maske, wie sie geschrieben sind,
wird als Flächenverlust
bezeichnet. Der Flächenverlust
wird bestimmt durch die Verwendung von Kantendetektierungstechniken,
wie durch die Inspektion mit einem abtastenden Elektronenmikroskop.
Die Information über
den Flächenverlust
wird in ein Computersystem eingegeben, das Dimensionierungskorrekturen
erzeugt, um den Maskenschreiber zu justieren.
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Bei
einer Erscheinungsform der Erfindung werden die Entwurfslayoutdaten
der Maske von den Dimensionierungskorrekturen modifiziert, und eine korrigierte
Maske wird unter Verwendung der korrigierten Entwurfslayoutdaten
der Maske erzeugt. Die sich ergebenden Merkmale auf der korrigierten
Maske entsprechen den Merkmalen des Entwurfslayout genauer. Bei
einer weiteren Erscheinungsform der Erfindung kann eine Datenbank
von Dimensionierungskorrekturen für verschiedene Typen und Größen von
Merkmalen erzeugt und gespeichert werden. Ein Entwurfslayout der
Maske wird von den Dimensionierungskorrekturen modifiziert und,
wenn die Maske geschrieben ist, weist die sich ergebende Maske eine
größere Genauigkeit
auf.
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Eine
weitere Erscheinungsform der Erfindung betrifft ein Verfahren zum
Verbessern der Herstellung einer Maske. Diese Verfahren umfasst
die Bereitstellung eines Maskenlayouts und Schreiben einer Maske
von dem Maskenlayout. Das Maskenlayout enthält ein Merkmal des Maskenlayouts
und die Maske enthält
ein Merkmal der Maske, das dem Merkmal des Maskenlayouts entspricht.
Dann werden ein oder mehrere Flächenverlustdaten
ermittelt, die im wesentlichen eine Differenz zwischen einem Bereich
des Merkmals der Maske und einem entsprechenden Bereich des Merkmals
des Maskenlayouts aufweisen. Das Layout der Maske wird in Reaktion auf
die ermittelten eine oder mehreren Flächenverlustdaten modifiziert.
Eine korrigierte Maske kann von dem modifizierten Layout der Maske
geschrieben werden.
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Die
eine oder mehreren Flächenverlustdaten können von
einer Kantendetektierungstechnik bestimmt werden. Die Kantendetektierungstechnik kann
das Detektieren eines oder mehrerer Kantenmerkmale des Bereichs
des Maskenmerkmals mit einem abtastenden Elektronenmikroskop umfassen. Das
Verfahren kann ferner die Erzeugung eines oder mehrerer Kantendaten
aus den einen oder mehreren Kantenmerkmalen, wie einem oder mehreren
Radien des Bereichs des Maskenmerkmals, umfassen. Die eine oder
mehreren Kantendaten können
in einen Prozessor eingegeben werden und der Prozessor kann die
einen oder mehreren Flächenverlustdaten durch
Vergleichen der einen oder mehreren Kantendaten mit dem entsprechenden
Bereich des Merkmals des Maskenlayouts berechnen. Der Bereich des
Merkmals des Maskenlayouts kann ein Merkmal der optischen Nahwirkungskorrektur
sein. Das Layout der Maske kann modifiziert werden durch Ermitteln
eines oder mehrerer Daten für
die Dimensionierungskorrektur aus den Flächenverlustdaten, und eine
Datenbank einer oder mehrerer Daten für die Dimensionierungskorrektur
kann erzeugt werden. Die einen oder mehreren Daten für die Dimensionierungskorrektur können ermittelt
werden durch Eingeben der einen oder mehreren Flächenverlustdaten in einen Prozessor,
der die einen oder mehreren Daten für die Dimensionierungskorrektur
berechnet. Die vorliegende Erfindung kann verwendet werden, um jeglichen
Typ eines Maskenlayouts zu modifizieren, wie ein optisch nahwirkungskorrigiertes
Maskenlayout. Das Layout der Maske kann eine Vielzahl von Merkmalen
des Maskenlayout enthalten und die Maske kann eine Vielzahl von
Merkmalen enthalten, welche der Vielzahl von Merkmalen des Maskenlayouts
entsprechen.
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Noch
eine weitere Erscheinungsform der vorliegenden Endung betrifft ein
Verfahren zur Verbesserung der Herstellung einer Maske. Dieses Verfahren
umfasst das Bereitstellen eines Maskenlayouts und Schreiben einer
Maske aus dem Maskenlayout. Das Maskenlayout enthält ein Merkmal
des Maskenlayouts und die Maske enthält ein Merkmal der Maske, das
dem Merkmal des Maskenlayouts entspricht. Ein Flächenverlust wird ermittelt,
der im wesentlichen eine Differenz zwischen einem Teil des Merkmals
der Maske und einem entsprechenden Bereich des Merkmals des Maskenlayouts
enthält. Dann
werden eine oder mehrere Dimensionierungskorrekturen aus dem Flächenverlust
erzeugt und die eine oder mehrere Dimensionierungskorrekturen werden
in einer Datenbank gespeichert. Das Layout der Maske kann in Übereinstimmung
mit den in der Datenbank gespeicherten eine oder mehreren Dimensionierungskorrekturen
modifiziert werden, und eine korrigierte Maske kann aus dem modifizierten Layout
der Maske geschrieben werden.
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Der
Flächenverlust
kann von einer Kantendetektierungstechnik bestimmt werden. Die Kantendetektierungstechnik
kann das Detektieren eines oder mehrerer Kanten des Bereichs des
Maskenmerkmals mit einem abtastenden Elektronenmikroskop umfassen.
Das Verfahren kann ferner die Bestimmung eines oder mehrerer Kantendaten
durch die Kantendetektierungstechnik, wie einem oder mehreren Radien
des Bereichs des Maskenmerkmals, umfassen. Die eine oder mehreren
Kantendaten können
in einen Prozessor eingegeben werden, der die einen oder mehreren
Flächenverlustdaten
berechnet. Der Bereich des Merkmals der Maske kann ein Merkmal der
optischen Nahwirkungskorrektur sein. Die einen oder mehreren Dimensionierungskorrekturen
können
ermittelt werden durch Eingeben der Flächenverluste in einen Prozessor,
der die einen oder mehreren Daten für die Dimensionierungskorrektur
berechnet. Die vorliegende Erfindung kann verwendet werden, um jeglichen
Typ eines Maskenlayouts zu modifizieren, wie ein optisch nahwirkungskorrigiertes
Maskenlayout. Das Layout der Maske kann eine Vielzahl von Merkmalen
des Maskenlayout enthalten und die Maske kann eine Vielzahl von Merkmalen
enthalten, welche der Vielzahl von Merkmalen des Maskenlayouts entsprechen.
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Eine
weitere Erscheinungsform der Erfindung betrifft ein System zum Herstellen
einer Maske. Das System enthält
einen Kantendetektor, einen Prozessor und einen Maskenschreiber,
der operativ mit dem Prozessor verbunden ist. Der Kantendetektor ermittelt
ein oder mehrere Kantendaten aus einem Bereich eines Merkmals der
Maske. Der Prozessor empfängt
die eine oder mehreren Kantendaten und ist operativ mit einem Algorithmus
gekoppelt, der aus den einen oder mehreren Kantendaten eine oder mehrere
Flächenverlustdaten
berechnet. Der Maskenschreiber empfängt die einen oder mehreren
Flächenverlustdaten.
Der Maskenschreiber kann einen Algorithmus zum Bestimmen der einen
oder mehreren Daten für
die Dimensionierungskorrektur aus den einen oder mehreren Flächenverlustdaten
enthalten. Das System kann ferner eine mit dem Maskenschreiber operativ
gekoppelte Datenbank enthalten, um die eine oder mehreren Daten
für die
Dimensionierungskorrektur zu speichern. Der Kantendetektor kann
ein abtastendes Elektronenmikroskop sein. Der Maskenschreiber kann
einen Algorithmus zum Modifizieren des einen Maskenlayouts in Übereinstimmung
mit den eine oder mehreren Daten für die Dimensionierungskorrektur
aufweisen. Das System kann verwendet werden, um jeglichen Typ eines
Maskenlayouts zu modifizieren, wie ein optisch nahwirkungskorrigiertes
Maskenlayout. Das Layout der Maske kann eine Vielzahl von Merkmalen
des Maskenlayouts enthalten und die Maske kann eine Vielzahl von
Maskenmerkmalen enthalten, welche der Vielzahl von Merkmalen des
Maskenlayouts entsprechen.
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Noch
eine weitere Erscheinungsform der vorliegenden Erfindung betrifft
ein System zur Herstellung einer Maske. Das System enthält einen
Kantendetektor, einen Prozessor und einen Maskenschreiber, der operativ
mit dem Prozessor verbunden ist. Der Kantendetektor ermittelt ein
oder mehrere Kantendaten. Der Prozessor empfängt die eine oder mehreren
Kantendaten und ist operativ mit einem oder mehreren Algorithmen
gekoppelt, die aus den einen oder mehreren Kantendaten eine oder
mehrere Daten für
die Dimensionierungskorrektur berechnen. Der Maskenschreiber empfängt die
einen oder mehreren Daten für
die Dimensionierungskorrektur. Der Maskenschreiber kann ferner zumindest
einen Algorithmus zum Modifizieren eines Layouts der Maske in Übereinstimmung
mit den einen oder den mehreren Daten für die Dimensionierungskorrektur enthalten.
Das System kann ferner eine mit dem Maskenschreiber operativ gekoppelte
Datenbank enthalten, um die eine oder mehreren Daten für die Dimensionierungskorrektur
zu speichern. Der Kantendetektor kann ein abtastendes Elektronenmikroskop
sein. Das System kann verwendet werden, um jeglichen Typ eines Maskenlayouts
zu modifizieren, wie ein optisch nahwirkungskorrigiertes Maskenlayout.
Das Layout der Maske kann eine Vielzahl von Merkmalen des Maskenlayouts
enthalten und die Maske kann eine Vielzahl von Maskenmerkmalen enthalten,
welche der Vielzahl von Merkmalen des Maskenlayouts entsprechen.
Das Layout der Maske kann ein oder mehrere Merkmale der optischen Nahwirkungskorrektur
enthalten.
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Eine
weitere Erscheinungsform der vorliegenden Erfindung betrifft ein
System zur Herstellung einer Maske. Das System enthält eine
Datenbank, einen Prozessor und einen Maskenschreiber, der operativ
mit dem Prozessor verbunden ist. Die Datenbank enthält die eine
oder mehreren Daten für
die Dimensionierungskorrektur, die mit der Differenz zwischen einem
Bereich eines Merkmals des Maskenlayouts und einem entsprechenden
Bereich eines Merkmals der Maske zusammenhängen. Der Bereich des Merkmals
des Maskenlayouts kann ein Merkmal der optischen Nahwirkungskorrektur
sein. Der Prozessor empfängt
die eine oder mehreren Daten für
die Dimensionierungskorrektur und modifiziert ein Layout der Maske
in Übereinstimmung
mit der einen oder den mehreren Daten für die Dimensionierungskorrektur.
Der Maskenschreiber empfängt
das modifizierte Layout der Maske und erzeugt eine Maske in Übereinstimmung
mit dem modifizierten Layout der Maske. Der Prozessor und der Maskenschreiber können Komponenten
eines Maskenschreibersystems sein. Das System kann verwendet werden,
um jeglichen Typ eines Maskenlayouts zu modifizieren, wie ein optisch
nahwirkungskorrigiertes Maskenlayout.
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Eine
weitere Erscheinungsform der vorliegenden Erfindung betrifft ein
Medium zur Speicherung von Daten. Das Medium zur Speicherung von Daten
enthält
ein oder mehrere Daten für
die Dimensionierungskorrektur. Die Daten für die Dimensionierungskorrektur
entsprechen ein oder mehreren Flächenverlustdaten
und die Flächenverlustdaten
enthalten im wesentlichen eine Differenz zwischen einem Merkmal
des Maskenlayouts und einem Merkmal der Maske. Die Flächenverlustdaten
können
von einer Kantendetektierungstechnik bestimmt werden und die Dimensionierungskorrekturen
können
ermittelt werden durch Eingeben der Flächenverluste in einen Prozessor,
der operativ mit einem Algorithmus zu Berechnung der Flächenverlustdaten
gekoppelt ist. Die Kantendetektierungstechnik kann das Detektieren
einer oder mehrerer Kanten des Maskenmerkmals mit einem abtastenden
Elektronenmikroskop umfassen. Die Kantendetektierungstechnik kann
ferner die Erzeugung einer oder mehrerer Kantendaten, wie einem
oder mehreren Radien des Bereichs des Maskenmerkmals, umfassen.
Die Flächenverlustdaten
können
bestimmt werden durch Eingeben der Kantendaten in einen Prozessor,
der operativ mit einem Algorithmus zum Berechnen der Flächenverlustdaten
gekoppelt ist. Das eine zweite Maskenlayout kann in Übereinstimmung
mit den auf dem Medium zur Speicherung von Daten gespeicherten Daten für die Dimensionierungskorrektur
modifiziert werden. Eine korrigierte Maske kann aus dem modifizierten
zweiten Layout der Maske geschrieben werden. Das Medium zur Speicherung
von Daten kann Daten für
die Dimensionierungskorrektur enthalten, die jedem Bereich eines
Merkmals der Maske entsprechen, wie ein optisch nahwirkungskorrigiertes
Merkmal. Das Medium zur Speicherung von Daten kann verwendet werden,
um jeglichen Typ von Daten eines Maskenlayouts zu modifizieren,
wie ein optisch nahwirkungskorrigiertes Maskenlayout.
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Zu
der Ausführung
des Vorangegangenen und den dazugehörigen Zielen weist die Erfindung dann
die hiernach vollständig
beschriebenen und insbesondere in den Ansprüchen herausgestellten Merkmale
auf. Die folgende Beschreibung und die beigefügten Zeichnungen führen detailliert
bestimmte beispielhafte Ausführungsbeispiele
der Erfindung aus. Diese Ausführungsbeispiele
sind jedoch hinweisend auf einige wenige der verschiedenen Wege,
auf welche die Prinzipien der Erfindung verwendet werden können. Weitere
Aufgaben, Vorteile und neue Merkmale der Erfindung werden aus der
folgenden Beschreibung der Erfindung offenbar werden, wenn in Verbindung
mit den Zeichnungen betrachtet.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnungen
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1 ist eine schematische
Darstellung eines Merkmals eines Entwurfslayouts einer Maske;
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2 ist eine schematische
Darstellung eines Merkmals einer Maske;
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3 ist eine schematische
Darstellung des Flächenverlusts
zwischen dem Merkmal des Layouts aus 1 und
dem Merkmal der Maske aus 2;
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4 ist eine schematische
Darstellung eines Merkmals der Maske und der dazu gehörigen Kantenmerkmale;
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5a ist eine schematische
Darstellung eines Systems zur Herstellung einer Maske in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Erfindung;
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5b ist eine schematische
Darstellung eines Systems zur Herstellung einer Maske in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Erfindung;
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5c ist eine schematische
Darstellung eines korrigierten Merkmals einer Maske hergestellt
in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Erfindung;
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5d ist eine schematische
Darstellung eines Systems zur Herstellung einer Maske in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Erfindung;
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6a ist eine schematische
Darstellung eines Systems zur Herstellung einer Maske in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Erfindung;
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6b ist eine schematische
Darstellung eines Systems zur Herstellung einer Maske in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Erfindung;
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7a ist eine schematische
Darstellung eines Systems zur Herstellung einer Maske in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Erfindung;
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7b ist eine schematische
Darstellung eines Systems zur Herstellung einer Maske in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Erfindung;
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8 ist eine schematische
Darstellung eines abtastenden Elektronenmikroskop-Systems;
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9 ist eine schematische
Darstellung eines Computers in Übereinstimmung
mit einer Erscheinungsform der vorliegenden Erfindung;
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10 ist ein Ablaufdiagramm
darstellend ein Verfahren zur Herstellung einer Maske in Übereinstimmung
mit einer Erscheinungsform der vorliegenden Erfindung;
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11 ist ein Ablaufdiagramm
darstellend ein Verfahren zur Herstellung einer Maske in Übereinstimmung
mit einer Erscheinungsform der vorliegenden Erfindung;
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12 ist ein Ablaufdiagramm
darstellend ein Verfahren zur Herstellung einer Maske in Übereinstimmung
mit einer Erscheinungsform der vorliegenden Erfindung;
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13 ist ein Ablaufdiagramm
darstellend ein Verfahren zur Herstellung einer Maske in Übereinstimmung
mit einer Erscheinungsform der vorliegenden Erfindung;
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14 ist ein Ablaufdiagramm
darstellend ein Verfahren zur Herstellung einer Maske in Übereinstimmung
mit einer Erscheinungsform der vorliegenden Erfindung.
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Weg(e) zum Ausführen der
Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die Zeichnungen
beschrieben. Die vorliegende Erfindung wird unter Bezugnahme auf ein
System und ein Verfahren zur Herstellung einer Photomaske beschrieben.
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Anfänglich Bezug
nehmend auf 1 ist ein Merkmal
eines Maskenentwurfslayouts gezeigt. Im Allgemeinen, wie in 2 gezeigt, kann das Merkmal der
Maske 20 wie von dem Maskenschreiber geschrieben von dem
Merkmal des Layouts 10 abweichen. In 3 ist die Differenz zwischen den Layoutdaten 10 und
den Merkmalen der Maske 20, wie geschrieben, der Flächenverlust 30,
durch die schattierten Bereiche gezeigt. Jeder Flächenverlust 30 kann quantitativ
durch seine Kantenmerkmale 40 charakterisiert werden. Die
Kantenmerkmale 40 können
von den Kantendaten quantifiziert werden, wie dem Radius der gerundeten
Kanten wie in 4 gezeigt,
oder jeglichen Kantendaten geeignet zur Berechnung einer Fläche eines
geometrischen Raums, wie der Länge
des Bereichs des Merkmals der Maske. Des weiteren können Kantendaten
eine mathematische Gleichung sein, die eine irreguläre Kante
beschreiben. Der Flächenverlust
ist höchst
unerwünscht
und falls eine derartige Maske verwendet wird, um Muster auf einem
Halbleitersubstrat zu bilden, würde
es entweder zu einer verminderten Leistungsfähigkeit des Transistors oder
zu einem erhöhten
Abstand im Transistorlayout (was die Packungsdichte des Geräts verringert)
oder beidem führen.
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Quantitativ
ist der Flächenverlust,
oder ΔFläche, im
wesentlichen die Differenz zwischen der Fläche des Merkmals des Layouts
und der Fläche des
Merkmals der Maske. Dies kann durch die folgende mathematische Gleichung
dargestellt werden Flächenverlust = ΔFläche = FlächeLayoutmerkmal – FlächeMaskenmerkmal
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Die
Flächen
der Merkmale des Layouts und der Merkmale der Maske können mit
jeder Methode bestimmt werden, die geeignet ist zur Bestimmung der
Fläche
eines geometrischen Raums, und sind den Fachleuten auf dem Gebiet
gut bekannt. Im Allgemeinen kann ein Flächenverlust durch die Merkmale
der Kanten des Flächenverlusts,
bezeichnet als Kantendaten, bestimmt werden. Die Kantendaten bestimmen
einen Bereich des Merkmals der Maske, wie den Radius der Krümmung der
Kante, die Länge
der Kante usw. und ähnliches.
Zum Beispiel wird ein Flächenverlust,
der im wesentlichen die Fläche
eines Quadrats hat, bestimmt durch die Multiplikation der Länge der
Seite mit sich selbst, das heißt
quadrieren der Länge
der Seite. Ein Flächenverlust,
der im wesentlichen in der Form eines gleichseitigen Dreiecks ist,
würde die
Hälfte
des Quadrats der Länge
seiner Seite sein. Ein Flächenverlust,
der im wesentlichen eine Kreisform hätte, kann im wesentlichen bestimmt,
werden durch quadrieren der Länge
des Radius und multiplizieren mit der Konstante n.
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Ein
irregulär
geformter Flächenverlust
kann im wesentlichen bestimmt werden durch Unterteilung des Flächenverlusts
in Kombinationen von geometrischen Formen, Berechnung der Fläche dieser
geometrischen Formen und Summieren der Flächen. Alternativ kann ein irregulär geformter
Flächenverlust im
wesentlichen bestimmt werden durch Verwendung jeglicher der gut
bekannten Methoden zum Bestimmen der Fläche unter einer Kurve, wie
der üblichen
Differenzial- und Integralrechnungstechniken. Zum Beispiel kann
die Kante eines irregulär
geformter Flächenverlusts
durch eine mathematische Funktion oder Gleichung beschrieben werden
und dann integriert werden, das heißt integrieren der Gleichung.
Des weiteren wird jede numerische Analysetechnik, welche eine Fläche schätzen oder
im wesentlichen bestimmen kann, von der vorliegenden Erfindung umfasst
und kann eingesetzt werden. Darüber
hinaus schließt
der Umfang des Flächenverlusts jeglichen
Unterschied zwischen einem Bereich der Merkmale des Maskenlayouts
und dem entsprechenden Bereich des Merkmals der Maske ein, sogar
die Unterschiede, die nicht von der Fläche quantifiziert sind, zum
Beispiel ein Unterschied in der Länge oder der Form.
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Die
von der vorliegenden Erfindung betrachteten Merkmale des Layouts 10 schließen jedes
auf einem Substrat gewünschtes
Merkmal ein, einschließlich
OPC Merkmalen wie Serifen. Die von den Systemen und Verfahren der
vorliegenden Erfindung hergestellten Masken und Merkmale darauf
schließen
jegliche Masken ein, die verwendet werden können für die Übertragung eines Musters auf
ein Substrat, wie die in der Photolithografie verwendeten Masken.
Jeder Typ von Maskenschreibern oder Maskenschreibersystemen kann
mit der vorliegenden Erfindung verwendet werden, einschließlich Elektronenstrahl-
(E-Strahl) und Lasermaskenschreibern.
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Nun
Bezug nehmend auf 5a ist
ein System zur Herstellung einer Photomaske gezeigt. Das System 50 enthält einen
Kantendetektor 60, einen Computer 70 und einen
Maskenschreiber 80. Der Computer enthält ferner einen Algorithmus
zur Berechnung der Flächenverlustdaten 90.
In einer Ausführungsform
der Erfindung wird das Maskenlayout 100 (auch Maskenlayoutdaten
genannt) in den Maskenschreiber 80 eingegeben, um eine
Maske 110 zu erzeugen. Der Kantendetektor arbeitet, um
zu der erzeugten Maske gehörige
Kantendaten 120 zu ermitteln. Der Computer 70 empfängt die
Kantendaten 120 und berechnet unter Verwendung eines Algorithmus
zur Berechnung der Flächenverlustdaten 90 die Flächenverlustdaten 130.
Der Maskenschreiber 80 empfängt die Flächenverlustdaten 130.
Wie zuvor diskutiert geben die Kantendaten 120 die Kantenmerkmale 40 (in 4 gezeigt) eines Bereichs
des Merkmals der Maske 20 (auch in 4 gezeigt) an. Es ist anzuerkennen, dass
jegliche Kantendaten, die zur Charakterisierung der Kante dienen,
wie der Radius einer Krümmung
einer gekrümmten
Kante, die Länge
der Kante und/oder eine mathematische Gleichung von der vorliegenden
Erfindung umfasst werden.
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In 5b ist ein weiteres System
zur Herstellung einer Maske gezeigt. Das System 50' ist ähnlich zu
dem System 50 aus 5a und
enthält
weiter einen Algorithmus zur Bestimmung der Dimensionierungskorrekturdaten 140 aus
den Flächenverlustdaten 130' und einen Algorithmus
zum Modifizieren des Maskenlayouts 150 aus den Daten für die Dimensionierungskorrektur 160.
In einer Erscheinungsform des Systems 50' werden die Flächenverlustdaten 130' von dem Maskenschreiber 80' empfangen und der
Algorithmus zur Bestimmung der Dimensionierungskorrekturdaten 140 bestimmt
die Daten für
die Dimensionierungskorrektur 160 aus den Flächenverlustdaten 130'. Der Algorithmus
zum Modifizieren des Maskenlayouts 150 modifiziert die
Daten für
das Maskenlayout 100' in Übereinstimmung
mit den Daten für
die Dimensionierungskorrektur 160. Der Maskenschreiber 80' schreibt eine
korrigierte Maske 180 in Übereinstimmung mit dem modifizierten
Layout der Maske. 5c ist
eine Darstellung eines korrigierten Maskenmerkmals 185 (gestrichelte
Linien) und des beabsichtigten Maskenlayoutmerkmals 187 (durchgezogene
Linien). Das von den Systemen und Verfahren der vorliegenden Erfindung
erzeugte korrigierte Maskenmerkmal 185 nähert im
wesentlichen das beabsichtigte Maskenlayoutmerkmal 187 an.
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In Übereinstimmung
mit einer Erscheinungsform der vorliegenden Endung unterteilt der
Algorithmus zum Modifizieren der Daten des Maskenlayouts die Flächenverluste
(siehe zum Beispiel 3)
in Flächenverlustbereiche,
die zum Beispiel einem Merkmalscharakteristikum (zum Beispiel einer äußeren Ecke,
einer inneren Ecke, einer geraden Linie, einem gekrümmten Bereich)
entsprechen und korreliert den zu einem bestimmtem Flächenverlustbereich
gehörenden
Flächenverlust
zu einer Modifizierung der Daten des Maskenlayouts (eine Dimensionierungskorrektur,
zum Beispiel eine Serife oder eine andere Korrekturstruktur, die
eine voreingestellte Dimension entsprechend dem Flächenverlust
hat). Eine derartige Korrelation kann zum Beispiel beeinflusst werden
von einer Nachschlagtabelle, obwohl weitere Formen der Korrelation
ebenso verwendet werden können
und als in den Umfang der vorliegenden Erfindung fallend angesehen
werden. Es sollte bemerkt werden, dass einige Flächenverlustbereiche positiv
oder negativ sein können,
was bedeutet, dass in einigen Bereichen ein Teil eines Merkmals
der Maske fehlt, wo das Merkmal sein sollte (siehe zum Beispiel
einen inneren Eckbereich aus 3).
Obwohl die obige Nachschlagtabellen-Korrelation eine beispielhafte
Weise der Verwendung eines Algorithmus zum Modifizieren der Daten
des Maskenlayouts ist, können
weitere Algorithmen oder Verfahren, die zum Beispiel numerische
Analysen, neurale Netzwerke, Expertensysteme, usw. verwenden, ebenfalls verwendet
werden und werden als in den Umfang der vorliegenden Erfindung fallend
betrachtet.
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Alternativ,
wie in 5d gezeigt, enthält ein System
der vorliegenden Erfindung 50'' eine
Datenbank 170, die mit dem Maskenschreiber 80'' operativ gekoppelt ist, um die
Daten für
die Dimensionierungskorrektur 160' zu speichern. Die zu modifizierenden
Maskenlayoutdaten sind von dem zusätzlichen Maskenlayout 190.
Der Maskenschreiber 80'' schreibt eine
korrigierte Maske 180' in Übereinstimmung
mit dem modifizierten zusätzlichen
Maskenlayout.
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6a zeigt ein System zur
Herstellung einer Maske. Das System 200 enthält einen
Computer 210, ein Maskenschreibersystem 220 und
einen Kantendetek tor 230. Der Computer 210 enthält einen
Algorithmus zur Bestimmung der Dimensionierungskorrekturdaten 240 und
einen Algorithmus zum Modifizieren eines Maskenlayouts 250.
Ein Maskenlayout 260 wird von dem Maskenschreibersystem 220 empfangen
und eine Maske 270 wird geschrieben. Die Maske 270 wird
von dem Kantendetektor 230 untersucht und die Kantendaten 280 werden
erzeugt. Die Kantendaten 280 und das Maskenlayout 260 werden von
dem Computer 210 empfangen und die Dimensionierungskorrekturen 290 werden
von dem Algorithmus zur Bestimmung der Dimensionierungskorrekturdaten 240 bestimmt,
zum Beispiel durch Berechnung der Differenz zwischen der Fläche der
Merkmale des Maskenlayouts und der Merkmale der Maske, wie sie geschrieben
sind. Das modifizierte Layout der Maske 300 wird von dem
Maskenschreibersystem 220 empfangen und eine korrigierte
Maske 310 wird von dem Maskenschreibersystem 220 geschrieben. Eine
Darstellung eines korrigierten (zweiten) Maskenmerkmals ist in 5c gezeigt.
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Alternativ
kann der Computer 210' einen
Algorithmus zum Modifizieren eines Maskenlayouts 250' wie in 6b gezeigt, haben. Der Computer 210' empfängt das
Maskenlayout 260' und
die Kantendaten 280' und
der Algorithmus 250' modifiziert das
Maskenlayout 260' in Übereinstimmung
mit den Kantendaten 280',
zum Beispiel durch Berechnung der Differenz zwischen der Fläche der
Merkmale des Maskenlayouts und der Merkmale der Maske, wie sie geschrieben
sind. Das modifizierte Layout der Maske 300' wird von dem Maskenschreibersystem 220' empfangen und
eine korrigierte Maske 310' wird
von dem Maskenschreibersystem 220' geschrieben.
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7a zeigt ein System zur
Herstellung einer Maske in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Erfindung. Das System 320 enthält eine
Datenbank 330, die Daten für die Dimensionierungskorrektur 340 enthält, einen
Computer 350 und einen Maskenschreiber 360. Die
Datenbank kann aus Daten, die von einer oder mehreren Testmasken
produziert wurden, und einem System wie eines oder mehrere der in
den 5a, 5b, 5d, 6a und 6b gezeigten erzeugt werden. Der Computer 350 empfängt die
Daten für die
Dimensionierungskorrek tur 340 und ein Maskenlayout 370.
Der Computer 350 modifiziert das Maskenlayout 370 in Übereinstimmung
mit den Daten für die
Dimensionierungskorrektur 340. Der Maskenschreiber 360 empfängt das
modifizierte Maskenlayout 380 und schreibt eine Maske 390.
Die von dem modifizierten Maskenlayout 380 produzierten
Merkmale der Maske 390 nähern die beabsichtigten Merkmale
des Maskenlayout besser an als in 5c durch
das Merkmal der korrigierten (modifizierten) Maske 185 angezeigt.
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Ein
weiteres System zur Herstellung einer Maske ist in 7b dargestellt. Das System 320' enthält eine
Datenbank 330',
die Daten für
die Dimensionierungskorrektur 340' enthält, und ein Maskenschreibersystem 400.
Das Maskenschreibersystem 400 enthält einen Computer 350' und einen Maskenschreiber 360'. Das Maskenschreibersystem 400 empfängt die
Daten für
die Dimensionierungskorrektur 340' und das Maskenlayout 370'. Der Computer 350' modifiziert
das Maskenlayout 370' in Übereinstimmung
mit den Daten für
die Dimensionierungskorrektur 340'. Der Maskenschreiber 360' schreibt eine
Maske 390' in Übereinstimmung
mit dem modifizierten Maskenlayout 380'.
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Die
Kantendetektoren für
die Verwendung in der vorliegenden Erfindung können jegliches Gerät oder Methodik
sein, das zur Detektierung und Charakterisierung eines Kantenmerkmals
geeignet ist. Es ist anzuerkennen, dass die Systeme und Methodik
der vorliegenden Erfindung auf im wesentlichen jedes analytische
System angewandt werden kann, das ein geformtes Signal basierend
auf der Geometrie und/oder Topologie der gemessenen Oberfläche zur
Verfügung
stellt, wie ein abtastendes Elektronenmikroskop (SEM). In einer
Ausführungsform
der Erfindung ist der Kantendetektor ein abtastendes Elektronenmikroskop
für kritische
Dimensionen (CD-SEM).
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Nun
Bezug nehmend auf 8 ist
ein beispielhaftes CD-SEM System 410 zur Detektierung von
Kantenmerkmalen gezeigt. Das System umfasst eine Kammer 420 zum
Umschließen
der Maske 430. Ein Elektronenstrahl 440 wird von
einer elektromagnetischen Linse 450 zu der Maske 430 hingeleitet. Der
Elekt ronenstrahl 440 wird aus einer Hochspannung erzeugt,
die von einer Energieversorgung 460 zur Verfügung gestellt
wird, die zu einem strahlerzeugenden System 470 gehört, welches
ein Emissionselement 470a umfasst. Verschiedene Richtungs-,
fokussierende und abtastende Elemente (nicht gezeigt) in dem strahlerzeugenden
System 470 leiten den Elektronenstrahl 440 von
dem Emissionselement 470a zu der elektromagnetischen Linse 450. Die
Partikel des Elektronenstrahls können
auf Energien von etwa 500 eV bis 40 Kev beschleunigt werden.
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Wenn
der Elektronenstrahl 440 die Oberfläche der Maske 430 trifft,
werden Elektronen und Röntgenstrahlen
emittiert, die von einem Detektor 480 detektiert werden
und einem Detektierungssystem 490 zur Verfügung gestellt
werden. Das Detektierungssystem 490 stellt einem Verarbeitungssystem 500 digitalisierte
Detektorsignale zur Verfügung,
um konventionelle Messungen kritischer Dimensionen, Messungen von
Kantenmerkmalen, und eine Analyse der Signale in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Erfindung durchzuführen.
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Die
von der Oberfläche
des Wafers 430 emittierten Elektronen, die für die Abbildung
kritischer Dimensionen am nützlichsten
sind, sind als sekundäre Elektronen
bekannt und stellen einen wesentlichen Betrag des von dem Detektor 480 empfangenen
Signalstroms. Ein Abbild der Kantenmerkmale und die Dimensionen
können
auch von dem Verarbeitungssystem 500 einer Anzeige 510 zur
Verfügung
gestellt werden. Das Verarbeitungssystem 500 synchronisiert,
zusätzlich
zu dem Analysieren der von dem Detektierungssystem 490 empfangenen
Daten, die Abtastung der Anzeige 510 mit der Abtastung
der Maske 430 mit dem Elektronenstrahl, um das Abbild zur Verfügung zu
stellen. Der Kontrast des dargestellten Abbilds hängt zusammen
mit Änderungen
in dem Fluss der an dem Detektor 480 ankommenden Elektronen
und hängt
zusammen mit der Ausbeute von emittierten Elektronen von der Oberfläche der
Maske 430 zu den einfallenden Elektronen von dem Elektronenstrahl 440.
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Das
Detektierungssystem 490 empfängt die Elektronenemissionen
von der Oberfläche
der Maske über
den Detektor 480 und digitalisiert die Information für das Verarbeitungssystem 500.
Des weiteren kann das Detektierungssystem 490 auch eine
Filterung oder eine andere Signalverarbeitung des empfangenen Signals
zur Verfügung
stellen. Das Verarbeitungssystem 500 stellt Information über die
Dimension der Kantenmerkmale der Anzeige 510 zur Verfügung, welche
die Merkmale der Kanten der Maske charakterisieren, und/oder speichert
die Information in einem Speicher 520.
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Ein
Prozessor (nicht gezeigt) ist in dem Verarbeitungssystem 500 zur
Steuerung des strahlerzeugenden Systems 470, Bereitstellung
der Messungen der Kantenmerkmale und zum Durchführen der Analyse des Signals
in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Erfindung enthalten. Es ist zu würdigen, dass
eine Vielzahl von Prozessoren und/oder Verarbeitungssystemen als
Teil eines und/oder extern zu dem CD-SEM System 410 enthalten
sein kann, um die Analyse der Signale in Übereinstimmung mit der vorliegenden
Erfindung auszuführen.
Der Prozessor in dem Verarbeitungssystem 500 ist programmiert, um
die verschiedenen Komponenten in dem CD-SEM System 410 zu
steuern und zu betreiben, um die hier beschriebenen verschiedenen
Funktionen auszuführen.
Der Prozessor kann ein beliebiger aus der Vielzahl von Prozessoren
sein, wie dem AMD Athlon, K6 oder Prozessoren eines anderen Architekturtyps
sein. Die Art und Weise, auf die der Prozessor programmiert sein
kann, um die mit der vorliegenden Erfindung zusammenhängenden
Funktionen auszuführen,
wird denen mit durchschnittlichen Kenntnissen auf diesem Gebiet
basierend auf der hier zur Verfügung
gestellten Beschreibung gleich offenbar sein und wird hier aufgrund
der Kürze
ausgelassen.
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Ein
Speicher 520 ist in dem System 410 ebenfalls enthalten.
Der Speicher 520 ist operativ mit dem Verarbeitungssystem 500 gekoppelt
und dient zum Speichern von Programmcode, der von dem Prozessor
ausgeführt
wird, um die operativen Funktionen des Systems 410 wie
hier beschrieben auszuführen.
Der Speicher 520 dient auch als ein Speichermedium zum
temporären
Spei chern von Information wie Daten der Kantenmerkmale, statistischen
Daten und anderen Daten, welche bei der Ausführung der vorliegenden Erfindung
verwendet werden könnten.
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Die
Energieversorgung 460 stellt auch die Betriebsenergie für das CD-SEM
System 410 zur Verfügung,
gemeinsam mit der Bereitstellung einer Hochspannung für das strahlerzeugende
System 470. Jede geeignete Energieversorgung (zum Beispiel
linear, schaltend) kann verwendet werden, um die vorliegende Erfindung
auszuführen.
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9 ist ein detailliertes
Blockdiagramm eines Computers 530 in Übereinstimmung mit der vorliegenden
Erfindung. Dieser Computer 530 kann in den Systemen und
Verfahren der vorliegenden Erfindung verwendet werden. Es sollte
verstanden werden, dass die Computer der vorliegenden Erfindung ein
einzelnes Computersystem oder mehrere Computersysteme enthalten
können.
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Der
Computer 530 enthält
eine zentrale Verarbeitungseinheit (CPU) 540, die mit einem
Bus 550 gekoppelt ist. Es sollte verstanden werden, dass
eine CPU oder ein Prozessor 540 mit oder ohne weiterer dazu
gehöriger
Hardware wie ein Computer funktionieren kann und von der vorliegenden
Erfindung als in dem Umfang eines Computers liegend angesehen wird.
Die CPU oder der Prozessor 540 kann ein beliebiger einer Vielzahl
von Prozessoren sein, wie der AMD Athlon, K-6 oder jeglicher andere
Prozessor. Es wird verstanden werden, dass, da die vorliegende Erfindung
für eine
Umgebung mehrerer Plattformen zur Verfügung steht, wie später detaillierter
beschrieben, jeder Prozessor und/oder Computersystem verwendet werden
kann, der zur Durchführung
der Funktionen der vorliegenden Erfindung geeignet ist. Der Prozessor 540 funktioniert,
um verschiedene hier beschriebene Operationen und auch jegliche
andere mit dem System 530 zusammenhängende Operationen durchzuführen. Die
Art und Weise in der der Prozessor 540 programmiert werden
kann, um die mit der vorliegenden Erfindung zusammenhängenden Funktionen
auszu führen,
wird denen mit durchschnittlichen Kenntnissen auf diesem Gebiet
basierend auf der hier zur Verfügung
gestellten Beschreibung gleich offenbar sein.
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Der
Bus 550 enthält
mehrere Signalleitungen 560 zum Befördern von Adressen, Daten und
Steuerungen zwischen der CPU 540 und einer Anzahl von weiteren
Komponenten des Systembusses. Die weiteren Komponenten des Systembusses
enthalten einen Speicher 570 (einschließlich eines Speichers mit wahlfreiem
Zugriff (RAM) 575 und einem Nur-Lese Speicher (ROM) 580)
und mehrere Eingangs/Ausgangs (I/O) Geräte. Der Speicher 570 dient
als ein Datenspeicher und kann geeigneten operativem Code speichern,
der von dem Prozessor 540 auszuführen ist, um die hier beschriebenen
Funktionen auszuführen.
Der Prozessor 540 selbst kann dazu gehörige Hardware, wie ein RAM
oder ein ROM und I/O Geräte
enthalten.
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Das
RAM 575 stellt Speicherplatz für Befehle des Programms und
Arbeitsspeicher für
die CPU 540 zur Verfügung.
Das ROM 580 enthält
Softwarebefehle, die als das grundlegende Eingangs/Ausgangssystem
(BIOS) zur Durchführung
von Schnittstellenfunktionen zwischen den I/O Geräten bekannt
sind. Auch in dem ROM 580 gespeichert ist eine Softwareroutine,
welche arbeitet, um ein Bootprogramm von dem Bootgerät zu laden.
Das Bootprogramm wird üblicherweise
ausgeführt,
wenn das Computersystem 530 eingeschaltet wird oder wenn
eine Initialisierung des Systems Computer 530 benötigt wird.
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Die
I/O Geräte
umfassen grundlegende Geräte
wie Geräte
zur Datenspeicherung (zum Beispiel Disketten, Bandlaufwerke, CD-ROMs,
Festplatten). Üblicherweise
kommunizieren die I/O Geräte
mit der CPU 540 durch die Erzeugung von Interrupts. Die CPU 540 unterscheidet
zwischen Interrupts von den I/O Geräten durch individuelle Interruptcodes,
die diesen zugewiesen sind. Antworten der CPU 540 an das
I/O Gerät
unterscheiden sich, abhängig
neben anderen Dingen, von den Geräten, welche die Interrupts
erzeugen. Interrupt vektoren werden zur Verfügung gestellt, um die CPU 540 zu
verschiedenen Routinen zur Behandlung von Interrupts zu leiten.
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Die
Interruptvektoren werden während
der Initialisierung (zum Beispiel dem Bootvorgang) des Computersystems 530 durch
die Ausführung
des BIOS erzeugt. Weil Antworten der CPU 540 auf Interrupts
von Geräten
eventuell von Zeit zu Zeit geändert werden
müssen,
müssen
die Interruptvektoren vielleicht von Zeit zu Zeit modifiziert werden,
um die CPU 540 zu verschiedenen Routinen zur Behandlung
von Interrupts zu leiten. Um Modifikationen der Interruptvektoren
zu erlauben, sind sie während
des Betriebs des Computers 530 in dem RAM 575 gespeichert.
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Ein
Laufwerksteuerungs-Subsystem 590 koppelt ein oder mehrere
Laufwerke 595 (zum Beispiel Diskettenlaufwerk, CD-ROM Laufwerk,
usw.) bidirektional mit dem Systembus 550. Das Laufwerk 595 arbeitet
zusammen mit einem entfernbaren Speichermedium wie einer Diskette
oder einer CD-ROM.
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Ein
Festplattensteuerungs-Subsystem 600 koppelt ein rotierendes
festes Laufwerk oder eine Festplatte 605 bidirektional
mit dem Systembus 550. Das Festplattensteuerungs-Subsystem 600 und
die Festplatte 605 stellen einen Massenspeicher für CPU Befehle
und Daten zur Verfügung.
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Ein
Anschlusssteuerungs-Subsystem 610 ist ebenfalls mit dem
Bus 550 gekoppelt und stellt einen Ausgang zu einem Anzeigegerät 615, üblicherweise einem
Kathodenstrahlröhre-
("CRT") oder einem Flüssigkristallanzeige("LCD") Monitor, zur Verfügung und
empfängt
Eingänge
von einem manuellen Eingabegerät 620,
wie einer Tastatur. Die manuelle Eingabe kann auch von einem Zeigegerät wie einer
Maus bereitgestellt werden. Ein Netzwerk-Adapter 625 ist vorgesehen,
um das System 530 mit einem Netzwerk zu verbinden.
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Eine
der Ausführungen
der vorliegenden Erfindung ist als mehrere Sätze von Befehlen in einem Codemodul,
das ständig
in dem Hauptspeicher (zum Bei spiel RAM 575) vorhanden ist.
Bis es von dem Computersystem 530 erfordert wird, können die
Sätze von
Befehlen in einem anderen Speicher des Computers, zum Beispiel auf
einer Festplatte oder in einem entfernbaren Speicher, wie einer
optischen Platte zur endgültigen
Verwendung in einem CD-ROM, oder einer Diskette zur endgültigen Verwendung
in einem Diskettenlaufwerk, gespeichert sein.
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Nun
Bezug nehmend auf 10 stellt
ein Ablaufdiagramm ein Verfahren 630 zur Verbesserung der
Herstellung einer Maske in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Endung dar. Das Verfahren fängt mit dem Schritt 635 an,
in dem ein Maskenlayout zur Verfügung
gestellt wird, wobei die Daten für
das Maskenlayout in Übereinstimmung
mit einem gewünschten
Satz von Merkmalen, die auf der Maske gebildet werden sollen, erzeugt
werden. Obwohl die im Zusammenhang mit der vorliegenden Erfindung
dargestellten Figuren lediglich ein oder mehrere Merkmale aufgrund
der Einfachheit dargestellt haben, sollte verstanden werden, dass
die vorliegende Erfindung Layouts von Masken betrifft, die mit einer
Vielzahl von Maskenmerkmalen, einschließlich zehn, Hunderten, Tausenden,
Millionen und sogar mehr Merkmalen auf einer Maske zusammenhängen.
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Sobald
das Layout der Maske zur Verfügung steht,
wird in dem Schritt 640 eine Maske geschrieben. In dem
Schritt 645 werden die Merkmale der Maske mit den entsprechenden
Merkmalen des Maskenlayouts verglichen. Dieser Schritt kann zum
Beispiel implementiert sein durch die Bestimmung des Flächenverlusts
des Maskenmerkmals. Die Flächenverlustdaten
können
zum Beispiel bestimmt werden durch eine Kantendetektierungstechnik
wie die Charakterisierung der Kantenmerkmale der Maskenmerkmale
unter Verwendung eines SEM und durch die Erzeugung der Kantendaten.
Ein Beispiel für
Kantendaten ist der Radius des Merkmals der Maske. Die Flächenverlustdaten
können
aus den Kantendaten berechnet werden, zum Beispiel durch Eingeben
der Kantendaten in einen Computer. Obwohl der Flächenverlust eine beispielhafte
Technik für
den Vergleich von Merkmalen ist, können verschiedene andere Methoden
verwendet werden und werden als in den Umfang der vorliegenden Erfindung
fallend angesehen.
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In
dem Schritt 650 wird eine Bestimmung, ob das Merkmal der
Maske akzeptabel ist, gemacht. Falls die Antwort eine Bestätigung ist
(JA), dann hält der
Prozess an (Schritt 652). Diese Bestimmung kann einzeln
für jedes
Merkmal der Maske ausgeführt
werden oder für
alle Merkmale der Maske gleichzeitig. Die Akzeptanz der Merkmale
der Maske kann mit jeder geeigneten Methode bestimmt werden, wie
durch den Vergleich des Flächenverlusts
mit einem vorbestimmten Satz von Toleranzwerten. Zum Beispiel würden Layoutdaten
der Maske, die einem Merkmal der Maske entsprechen, das einen Flächenverlust
unter einem gewissen Toleranzwert aufweist, nicht modifiziert werden.
Für Merkmale
der Maske, die einen Flächenverlust
bei oder über
einem gewissen Toleranzwert aufweisen, würden die entsprechenden Layoutdaten
der Maske modifiziert werden. Der Schritt 650 kann von
einem Computer automatisiert werden oder manuell ausgeführt werden.
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Falls
jedoch im Schritt 650 bestimmt wird, dass das Merkmal der
Maske nicht akzeptabel ist (NEIN), dann geht das Verfahren weiter
zu dem Schritt 655 und die Dimensionierungskorrekturen werden
bestimmt. Der Schritt 650 kann zum Beispiel implementiert
sein durch Eingeben der Flächenverlustdaten
in einen Computer, um die Einstellungen an dem Maskenschreiber zu
bestimmen, die erforderlich sind, um die Flächenverluste zu korrigieren.
Der Computer kann das Computersystem eines Maskenschreibers sein
oder ein separater Computer, der programmiert ist, um die Bestimmungen
für die
Dimensionierungskorrekturen zu machen. In dem Schritt 660 werden
die Layoutdaten der Maske von den Dimensionierungskorrekturen modifiziert
und in dem Schritt 665 wird eine korrigierte (modifizierte) Maske
geschrieben. Das in dem Schritt 660 zu modifizierende Layout
der Maske kann das ursprünglich zur
Verfügung
gestellte Maskenlayout sein oder ein anderer Satz von Maskenlayoutdaten.
Die Schritte 655 und 660 können in einem Schritt (nicht
gezeigt) kombiniert werden, in dem die Modifikationen an den Layoutdaten
der Maske direkt aus den Vergleichsdaten aus dem Schritt 645,
zum Beispiel den Flächenverlustdaten,
gemacht werden. In dem Schritt 670 wird eine Bestimmung
gemacht, ob weitere Korrekturen gewünscht sind. Falls die Antwort
bestätigend
ist (JA), dann kehrt das Verfahren zu dem Schritt 645 zurück und die
korrigierten Merkmale der Maske werden mit den Merkmalen des Entwurfslayouts
verglichen. Falls die Antwort negativ ist (NEIN), dann hält das Verfahren 630 an
(Schritt 652). Die Bestimmung, ob zusätzliche Korrekturen gewünscht sind,
kann vor dem Schritt 635 (nicht gezeigt) oder an jedem
anderen Punkt in dem Verfahren gemacht werden oder der Schritt 670 kann
vollständig
weggelassen werden (nicht gezeigt).
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Die
in dem Schritt 655 bestimmten Dimensionierungskorrekturen
können
auch in einer Datenbank zur Verwendung bei der Modifizierung der
originalen Layoutdaten der Maske oder jeglichem anderen Maskenlayout
gespeichert werden. Zum Beispiel kann ein Maskenlayout mit einer
Vielzahl von gewünschten
Maskenmerkmalen zur Verfügung
gestellt werden und unter Verwendung des Verfahrens aus 630 können die
Dimensionierungskorrekturen bestimmt werden. Diese Dimensionierungskorrekturen können dann
in einer Datenbank gespeichert werden für die Verwendung bei der Modifizierung
eines anderen Maskenlayouts mit einer Vielzahl von gewünschten
Maskenmerkmalen in einer ähnlichen
oder in einer unterschiedlichen Anordnung. Die Datenbank der Dimensionierungskorrekturen
kann auf einem Datenspeichermedium gespeichert sein.
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In 11 stellt ein Ablaufdiagramm
ein Verfahren zur Verbesserung der Herstellung einer Maske in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Erfindung dar. Das Verfahren fängt mit
dem Schritt 685 an, in dem ein Maskenlayout zur Verfügung gestellt wird,
wobei die Daten für
das Maskenlayout in Übereinstimmung
mit einem gewünschten
Satz von Merkmalen, die auf der Maske gebildet werden sollen, erzeugt
werden. In dem Schritt 690 wird eine Maske geschrieben.
In dem Schritt 695 werden die Merkmale der Maske mit einem
Analysewerkzeug, zum Beispiel einem SEM, untersucht. In dem Schritt 700 werden
die Kantendaten erzeugt, zum Beispiel aus den Merkmalen der Kanten.
Ein Beispiel für
die Kantendaten ist der Radius des Maskenmerkmals, ein weiteres
Beispiel ist die Länge
des Maskenmerkmals.
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In
dem Schritt 705 kann eine Bestimmung, ob das Merkmal der
Maske akzeptabel ist, gemacht werden. Falls die Antwort eine Bestätigung ist
(JA), dann hält
der Prozess an (Schritt 710). Diese Bestimmung kann einzeln
für jedes
Merkmal der Maske ausgeführt
werden oder für
alle Merkmale der Maske gleichzeitig. Die Akzeptanz der Merkmale
der Maske kann mit jeder geeigneten Methode bestimmt werden, wie
durch den Vergleich der Kantendaten mit den Layoutdaten der Maske.
Wenn zum Beispiel die Kantendaten von den Layoutdaten der Maske
weniger als ein gewisser Toleranzwert abweichen, dann würde dieses
Maskenlayoutmerkmal nicht modifiziert werden. Für Kantendaten, die eine Abweichung
bei oder über
einem gewissen Toleranzwert aufweisen, würde das entsprechende Maskenlayoutmerkmal modifiziert
werden. Der Schritt 705 kann von einem Computer automatisiert
werden oder manuell ausgeführt
werden.
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Falls
jedoch im Schritt 705 bestimmt wird, dass das Merkmal der
Maske nicht akzeptabel ist (NEIN), dann geht das Verfahren weiter
zu dem Schritt 715 und der Flächenverlust wird berechnet. Die
Flächenverlustdaten
können
aus den Kantendaten berechnet werden, zum Beispiel durch Eingeben der
Kantendaten in einen Computer, der programmiert ist, um den Flächenverlust
zu berechnen. In dem Schritt 720 können die Dimensionierungskorrekturen
bestimmt werden, zum Beispiel durch Eingeben der Flächenverlustdaten
in einen Computer, um die Einstellungen an dem Maskenschreiber zu
bestimmen, die erforderlich sind, um die Flächenverluste zu korrigieren.
Der Computer kann das Computersystem eines Maskenschreibers sein
oder ein separater Computer, der programmiert ist, um die Bestimmungen
für die
Dimensionierungskorrekturen zu machen. In dem Schritt 725 werden
die Layoutdaten der Maske von den Dimensionierungskorrekturen modifiziert
und in dem Schritt 730 wird eine korrigierte (modifizierte)
Maske geschrieben. Das in dem Schritt 730 zu modifizierende
Layout der Maske kann das ursprünglich
zur Verfügung
gestellte Maskenlayout sein oder ein anderer Satz von Maskenlayoutdaten. Die
Schritte 720 und 725 können in einem Schritt (nicht
gezeigt) kombiniert werden, in dem die Modifikationen an den Layoutdaten
der Maske direkt aus den Kantendaten aus dem Schritt 700 gemacht
werden. In dem Schritt 735 wird eine Bestimmung gemacht,
ob weitere Korrekturen gewünscht
sind. Falls die Antwort bestätigend
ist (JA), dann kehrt das Verfahren 680 zu dem Schritt 695 zurück und die
korrigierten Merkmale der Maske werden mit einem SEM untersucht.
Falls die Antwort negativ ist (NEIN), dann hält das Verfahren 680 an
(Schritt 710). Die Bestimmung, ob zusätzliche Korrekturen gewünscht sind, kann
vor dem Schritt Bereitstellung Maskenlayout 685 (nicht
gezeigt) oder an jedem anderen Punkt in dem Verfahren gemacht werden
oder der Schritt 735 kann vollständig weggelassen werden (nicht
gezeigt).
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Die
in dem Schritt 720 bestimmten Dimensionierungskorrekturen
können
auch in einer Datenbank zur Verwendung bei der Modifizierung der
originalen Layoutdaten der Maske oder jeglichem anderen Maskenlayout
gespeichert werden. Zum Beispiel kann ein Maskenlayout mit einer
Vielzahl von gewünschten
Maskenmerkmalen zur Verfügung
gestellt werden und unter Verwendung. des Verfahrens aus 680 können die
Dimensionierungskorrekturen bestimmt werden. Diese Dimensionierungskorrekturen können dann
.in einer Datenbank gespeichert werden für die Verwendung bei der Modifizierung
eines anderen Maskenlayouts mit einer Vielzahl von gewünschten
Maskenmerkmalen in einer ähnlichen oder
in einer unterschiedlichen Anordnung. Die Datenbank der Dimensionierungskorrekturen
kann auf einem Datenspeichermedium gespeichert sein.
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12 zeigt ein Ablaufdiagramm
darstellend ein Verfahren 740 zur Verbesserung der Herstellung einer
Maske in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Erfindung. Das Verfahren fängt mit dem Schritt 745 an,
in dem ein Maskenlayout zur Verfügung
gestellt wird, wobei die Daten für
das Maskenlayout in Übereinstimmung
mit einem gewünschten
Satz von Merkmalen, die auf der Maske gebildet werden sollen, erzeugt
werden. Sobald die Layoutdaten der Maske zur Verfügung stehen,
wird in dem Schritt 750 eine Maske geschrieben. In dem
Schritt 755 werden die Merkmale der Maske, wie sie geschrieben
sind, mit den entsprechenden Maskenlayoutmerkmalen verglichen. Dieser
Schritt kann zum Beispiel implementiert sein durch die Bestimmung
des Flächenverlustes
des Merkmals der Maske. Die Flächenverlustdaten
können
zum Beispiel bestimmt werden durch eine Kantendetektierungstechnik
wie eine Charakterisierung der Kantenmerkmale von Bereichen der Merkmale
der Maske unter Verwendung eines SEM. Die Kantendaten können aus
den Merkmalen der Kanten erzeugt werden, zum Beispiel dem Radius
eines Bereichs des Maskenmerkmals oder der Länge des Bereichs des Maskenmerkmals.
Die Flächenverlustdaten
können
aus den Kantendaten berechnet werden, zum Beispiel durch Eingeben
der Kantendaten in einen Computer, der zur Berechnung des Flächenverlustes
programmiert ist.
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In
dem Schritt 760 kann eine Bestimmung, ob das Merkmal der
Maske akzeptabel ist, gemacht werden. Falls die Antwort eine Bestätigung ist
(JA), dann hält
der Prozess an (Schritt 765). Diese Bestimmung kann einzeln
für jedes
Merkmal der Maske ausgeführt
werden oder für
alle Merkmale der Maske gleichzeitig. Die Akzeptanz der Merkmale
der Maske kann mit jeder geeigneten Methode bestimmt werden, wie
durch den Vergleich des Flächenverlusts
mit einem voreingestellten Satz von Toleranzwerten. Zum Beispiel
würden
die Maskenlayoutdaten, die den Merkmalen der Maske entsprechen,
welche einen Flächenverlust
unterhalb eines gewissen Toleranzwerts aufweisen, nicht modifiziert
werden. Für Merkmale
der Maske, die einen Flächenverlust
bei oder über
einem gewissen Toleranzwert aufweisen, würden die entsprechenden Maskenlayoutdaten
modifiziert werden. Der Schritt 760 kann von einem Computer
automatisiert werden oder manuell ausgeführt werden.
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Falls
jedoch im Schritt 760 bestimmt wird, dass das Merkmal der
Maske nicht akzeptabel ist (NEIN), dann geht das Verfahren weiter
zu dem Schritt 770 und die Dimensionierungskorrekturen werden
bestimmt. Der Schritt 760 kann zum Beispiel implementiert
sein durch Eingeben der Flächenverlustdaten
in einen Computer, um die Einstellungen an dem Maskenschreiber zu
bestimmen, die erforderlich sind, um die Flächenverluste zu korrigieren.
Der Computer kann das Computersystem eines Maskenschreibers sein
oder ein separater Computer, der programmiert ist, um die Bestimmungen
für die
Dimensionierungskorrekturen zu machen. In dem Schritt 775 können die
Dimensionierungskorrekturen in einer Datenbank gespeichert werden.
Diese Datenbank kann zum Modifizieren der original zur Verfügung gestellten
Maskenlayoutdaten oder jeglichem anderen Maskenlayout verwendet
werden. Zum Beispiel kann ein Maskenlayout mit einer Vielzahl von gewünschten
Maskenmerkmalen zur Verfügung
gestellt werden und unter Verwendung des Verfahrens aus 740 können die
Dimensionierungskorrekturen bestimmt und in einer Datenbank gespeichert
werden. Diese Dimensionierungskorrekturen können dann verwendet werden
bei der Modifizierung eines anderen Maskenlayouts mit einer Vielzahl
von gewünschten
Maskenmerkmalen in einer ähnlichen oder
in einer unterschiedlichen Anordnung. Die Datenbank der Dimensionierungskorrekturen
kann auf einem Datenspeichermedium gespeichert sein.
-
In 13 stellt ein Ablaufdiagramm
ein Verfahren 780 zur Verbesserung der Herstellung einer Maske
in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Erfindung dar. Das Verfahren fängt mit
dem Schritt 785 an, in dem ein Maskenlayout zur Verfügung gestellt wird,
wobei die Daten für
das Maskenlayout in Übereinstimmung
mit einem gewünschten
Satz von Merkmalen, die auf der Maske gebildet werden sollen, erzeugt
werden. In dem Schritt 790 wird eine Maske geschrieben.
In dem Schritt 795 werden die Merkmale der Maske mit einem
SEM untersucht und in dem Schritt 800 werden die Kantendaten
erzeugt. Ein Beispiel für
die Kantendaten ist der Radius eines Bereichs des Maskenmerkmals,
ein weiteres Beispiel ist die Länge
eines Bereichs des Maskenmerkmals. In dem Schritt 805 kann
eine Bestimmung, ob das Merkmal der Maske akzeptabel ist, gemacht
werden. Falls die Antwort eine Bestätigung ist (JA), dann hält der Prozess
an (Schritt 810). Diese Bestimmung kann einzeln für jedes
Merkmal der Maske ausgeführt
werden oder für
alle Merkmale der Maske gleichzeitig. Die Akzeptanz der Merkmale
der Maske kann mit jeder geeigneten Methode bestimmt werden, wie
durch den Vergleich der Kantendaten mit den Layoutdaten der Maske.
Wenn zum Beispiel die Kantendaten von den Layoutdaten der Maske
weniger als ein gewisser Toleranzwert abweichen, dann würde dieses
Maskenlayoutmerkmal nicht modifiziert werden. Für Kantendaten, die eine Abweichung
bei oder über
einem gewissen Toleranzwert aufweisen, würde das entsprechende Maskenlayoutmerkmal modifiziert
werden. Der Schritt 805 kann von einem Computer automatisiert
werden oder manuell ausgeführt
werden.
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Falls
jedoch im Schritt 805 bestimmt wird, dass das Merkmal der
Maske nicht akzeptabel ist (NEIN), dann geht das Verfahren weiter
zu dem Schritt 815 und der Flächenverlust wird berechnet. Die
Flächenverlustdaten
können
aus den Kantendaten berechnet werden, zum Beispiel durch Eingeben der
Kantendaten in einen Computer, der programmiert ist, um den Flächenverlust
zu berechnen. In dem Schritt 820 können die Dimensionierungskorrekturen
bestimmt werden, zum Beispiel durch Eingeben der Flächenverlustdaten
in einen Computer, um die Einstellungen an dem Maskenschreiber zu
bestimmen, die erforderlich sind, um die Flächenverluste zu korrigieren.
Der Computer kann das Computersystem eines Maskenschreibers sein
oder ein separater Computer, der programmiert ist, um die Bestimmungen
für die
Dimensionierungskorrekturen zu machen. In dem Schritt 825 werden
die Dimensionierungskorrekturen in einer Datenbank gespeichert. Die
in der Datenbank gespeicherten Dimensionierungskorrekturen können bei
der Modifizierung der original zur Verfügung gestellten Maskenlayoutdaten oder
jeglichem anderen Maskenlayout verwendet werden. Zum Beispiel kann
ein Maskenlayout mit einer Vielzahl von gewünschten Maskenmerkmalen zur
Verfügung
gestellt werden und unter Verwendung des Verfahrens 780 können die
Dimensionierungskorrekturen bestimmt werden. Diese Dimensionierungskorrekturen
können
dann in einer Datenbank gespeichert werden für die Verwendung bei der Modifizierung
eines anderen Maskenlayouts mit einer Vielzahl von gewünschten
Maskenmerkmalen in einer ähnlichen
oder in einer unterschiedlichen Anordnung. Die Datenbank der Dimensionierungskorrekturen
kann auf einem Datenspeichermedium gespeichert sein.
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In 14 ist ein Verfahren 830 zur
Verbesserung der Herstellung einer Maske dargestellt. In dem Schritt 835 wird
ein Maskenlayout zur Verfügung gestellt,
wobei die Daten für
das Maskenlayout in Übereinstimmung
mit einem gewünschten
Satz von Merkmalen, die auf der Maske gebildet werden sollen, erzeugt
werden. In dem Schritt 840 werden die Daten für das Maskenlayout
in Übereinstimmung
mit den Dimensionierungskorrekturen modifiziert. Die Dimensionierungskorrekturen
können
in einer Datenbank gespeichert werden. Es ist zu verstehen, dass die
Dimensionierungskorrekturen der vorliegenden Erfindung in einer
Datenbank oder in mehreren Datenbanken gespeichert werden können. In
dem Schritt 845 wird eine modifizierte Maske geschrieben.
In dem Schritt 850 hält
der Prozess an.
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Was
oben beschrieben worden ist, sind bevorzugte Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung. Es ist natürlich nicht möglich, jede
ersichtliche Kombination von Komponenten oder Methoden für den Zweck
der Beschreibung der vorliegenden Erfindung zu beschreiben, aber
jeder mit durchschnittlicher Fertigkeit auf dem Gebiet wird erkennen,
dass weitere Kombinationen und Permutationen der vorliegenden Erfindung
möglich
sind. Entsprechend ist die vorliegende Erfindung beabsichtigt, alle
derartigen Abänderungen,
Modifikationen und Variationen zu umfassen, die in den Geist und
den Umfang der beigefügten
Ansprüche
fallen.
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Industrielle
Anwendbarkeit
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Die
Vorrichtung und das dazu gehörige
Verfahren können
auf dem Gebiet der Herstellung von Halbleitern verwendet werden,
um die Auflösung
der Lithografie durch Modifizierung der Maskenlayoutdaten der optischen
Nahwirkungskorrektur zu verbessern.