DE502006009404D1 - Verfahren zum lateralen zertrennen eines halbleiterwafers und optoelektronisches bauelement - Google Patents

Verfahren zum lateralen zertrennen eines halbleiterwafers und optoelektronisches bauelement

Info

Publication number
DE502006009404D1
DE502006009404D1 DE502006009404T DE502006009404T DE502006009404D1 DE 502006009404 D1 DE502006009404 D1 DE 502006009404D1 DE 502006009404 T DE502006009404 T DE 502006009404T DE 502006009404 T DE502006009404 T DE 502006009404T DE 502006009404 D1 DE502006009404 D1 DE 502006009404D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor wafers
optoelectronic component
disconnection
lateral
lateral disconnection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE502006009404T
Other languages
English (en)
Inventor
Volker Haerle
Christoph Eichler
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of DE502006009404D1 publication Critical patent/DE502006009404D1/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
    • H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
DE502006009404T 2005-09-01 2006-08-04 Verfahren zum lateralen zertrennen eines halbleiterwafers und optoelektronisches bauelement Active DE502006009404D1 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005041571 2005-09-01
DE102005052358A DE102005052358A1 (de) 2005-09-01 2005-11-02 Verfahren zum lateralen Zertrennen eines Halbleiterwafers und optoelektronisches Bauelement
PCT/DE2006/001366 WO2007025497A1 (de) 2005-09-01 2006-08-04 Verfahren zum lateralen zertrennen eines halbleiterwafers und optoelektronisches bauelement

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE502006009404D1 true DE502006009404D1 (de) 2011-06-09

Family

ID=37075548

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102005052358A Withdrawn DE102005052358A1 (de) 2005-09-01 2005-11-02 Verfahren zum lateralen Zertrennen eines Halbleiterwafers und optoelektronisches Bauelement
DE502006009404T Active DE502006009404D1 (de) 2005-09-01 2006-08-04 Verfahren zum lateralen zertrennen eines halbleiterwafers und optoelektronisches bauelement

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102005052358A Withdrawn DE102005052358A1 (de) 2005-09-01 2005-11-02 Verfahren zum lateralen Zertrennen eines Halbleiterwafers und optoelektronisches Bauelement

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20090117711A1 (de)
EP (1) EP1920469B1 (de)
JP (1) JP2009506969A (de)
KR (1) KR101393777B1 (de)
CN (1) CN101253636B (de)
DE (2) DE102005052358A1 (de)
TW (1) TWI314755B (de)
WO (1) WO2007025497A1 (de)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006007293B4 (de) * 2006-01-31 2023-04-06 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen eines Quasi-Substratwafers und ein unter Verwendung eines solchen Quasi-Substratwafers hergestellter Halbleiterkörper
DE102006061167A1 (de) 2006-04-25 2007-12-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
TW200802544A (en) 2006-04-25 2008-01-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Composite substrate and method for making the same
US7885306B2 (en) 2006-06-30 2011-02-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Edge-emitting semiconductor laser chip
US20080303033A1 (en) * 2007-06-05 2008-12-11 Cree, Inc. Formation of nitride-based optoelectronic and electronic device structures on lattice-matched substrates
JP2009094144A (ja) * 2007-10-04 2009-04-30 Canon Inc 発光素子の製造方法
DE102008019268A1 (de) * 2008-02-29 2009-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP2010180081A (ja) * 2009-02-04 2010-08-19 Sumitomo Electric Ind Ltd ＧａＮ基板およびその製造方法、ＧａＮ層接合基板の製造方法、ならびに半導体デバイスの製造方法
US8481411B2 (en) * 2009-06-10 2013-07-09 Seoul Opto Device Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor substrate having a cavity
US8860183B2 (en) 2009-06-10 2014-10-14 Seoul Viosys Co., Ltd. Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof
JP2012124473A (ja) * 2010-11-15 2012-06-28 Ngk Insulators Ltd 複合基板及び複合基板の製造方法
US20120309172A1 (en) * 2011-05-31 2012-12-06 Epowersoft, Inc. Epitaxial Lift-Off and Wafer Reuse
DE102011113775B9 (de) * 2011-09-19 2021-10-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
CN102867893A (zh) * 2012-09-17 2013-01-09 聚灿光电科技(苏州)有限公司 一种提高GaN衬底使用效率的方法
JP6213046B2 (ja) 2013-08-21 2017-10-18 信越半導体株式会社 貼り合わせウェーハの製造方法
US9577045B2 (en) 2014-08-04 2017-02-21 Fairchild Semiconductor Corporation Silicon carbide power bipolar devices with deep acceptor doping
JP6822146B2 (ja) * 2015-01-16 2021-01-27 住友電気工業株式会社 半導体基板の製造方法及び複合半導体基板の製造方法
US20200321242A1 (en) * 2015-09-18 2020-10-08 Bing Hu Method of separating a film from a brittle material
CN110838463A (zh) * 2018-08-17 2020-02-25 胡兵 一种半导体衬底、将衬底层与其上功能层分离的方法
DE102016114949B4 (de) * 2016-08-11 2023-08-24 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
US10510532B1 (en) * 2018-05-29 2019-12-17 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University Method for manufacturing gallium nitride substrate using the multi ion implantation
DE102018119634A1 (de) * 2018-08-13 2020-02-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements und werkstück
FR3109469B1 (fr) * 2020-04-15 2022-04-29 Centre Nat Rech Scient Procédé de fabrication d’un dispositif émetteur de rayonnement
CN112382563A (zh) * 2020-11-13 2021-02-19 济南晶正电子科技有限公司 离子注入薄膜晶圆剥离方法、单晶薄膜及电子元器件

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2681472B1 (fr) * 1991-09-18 1993-10-29 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur.
US6958093B2 (en) * 1994-01-27 2005-10-25 Cree, Inc. Free-standing (Al, Ga, In)N and parting method for forming same
KR100399957B1 (ko) * 1996-05-28 2003-12-24 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의제조방법
DE19640594B4 (de) * 1996-10-01 2016-08-04 Osram Gmbh Bauelement
FR2758907B1 (fr) * 1997-01-27 1999-05-07 Commissariat Energie Atomique Procede d'obtention d'un film mince, notamment semiconducteur, comportant une zone protegee des ions, et impliquant une etape d'implantation ionique
US6251754B1 (en) * 1997-05-09 2001-06-26 Denso Corporation Semiconductor substrate manufacturing method
US6150239A (en) * 1997-05-31 2000-11-21 Max Planck Society Method for the transfer of thin layers monocrystalline material onto a desirable substrate
US5926726A (en) * 1997-09-12 1999-07-20 Sdl, Inc. In-situ acceptor activation in group III-v nitride compound semiconductors
FR2773261B1 (fr) * 1997-12-30 2000-01-28 Commissariat Energie Atomique Procede pour le transfert d'un film mince comportant une etape de creation d'inclusions
EP0926709A3 (de) * 1997-12-26 2000-08-30 Canon Kabushiki Kaisha Herstellungsmethode einer SOI Struktur
CA2246087A1 (en) * 1998-08-28 2000-02-28 Northern Telecom Limited Method of cleaving a semiconductor wafer
FR2784795B1 (fr) * 1998-10-16 2000-12-01 Commissariat Energie Atomique Structure comportant une couche mince de materiau composee de zones conductrices et de zones isolantes et procede de fabrication d'une telle structure
US6881644B2 (en) * 1999-04-21 2005-04-19 Silicon Genesis Corporation Smoothing method for cleaved films made using a release layer
DE19959182A1 (de) * 1999-12-08 2001-06-28 Max Planck Gesellschaft Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE10051465A1 (de) * 2000-10-17 2002-05-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf GaN-Basis
JP3729065B2 (ja) * 2000-12-05 2005-12-21 日立電線株式会社 窒化物半導体エピタキシャルウェハの製造方法及び窒化物半導体エピタキシャルウェハ
US20030064535A1 (en) * 2001-09-28 2003-04-03 Kub Francis J. Method of manufacturing a semiconductor device having a thin GaN material directly bonded to an optimized substrate
FR2834123B1 (fr) * 2001-12-21 2005-02-04 Soitec Silicon On Insulator Procede de report de couches minces semi-conductrices et procede d'obtention d'une plaquette donneuse pour un tel procede de report
FR2840452B1 (fr) * 2002-05-28 2005-10-14 Lumilog Procede de realisation par epitaxie d'un film de nitrure de gallium separe de son substrat
US6995430B2 (en) * 2002-06-07 2006-02-07 Amberwave Systems Corporation Strained-semiconductor-on-insulator device structures
TW567618B (en) * 2002-07-15 2003-12-21 Epistar Corp Light emitting diode with adhesive reflection layer and manufacturing method thereof
FR2842650B1 (fr) * 2002-07-17 2005-09-02 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication de substrats notamment pour l'optique, l'electronique ou l'opto-electronique
FR2842648B1 (fr) * 2002-07-18 2005-01-14 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert d'une couche mince electriquement active
EP1664393B1 (de) * 2003-07-14 2013-11-06 Allegis Technologies, Inc. VERFAHREN ZUR Herstellung VON GALLIUMNITRID LED
FR2859312B1 (fr) * 2003-09-02 2006-02-17 Soitec Silicon On Insulator Scellement metallique multifonction
JP4340866B2 (ja) * 2003-11-14 2009-10-07 日立電線株式会社 窒化物半導体基板及びその製造方法
US20080211061A1 (en) * 2004-04-21 2008-09-04 California Institute Of Technology Method For the Fabrication of GaAs/Si and Related Wafer Bonded Virtual Substrates
DE102004062290A1 (de) * 2004-12-23 2006-07-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
US7268051B2 (en) * 2005-08-26 2007-09-11 Corning Incorporated Semiconductor on glass insulator with deposited barrier layer

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080040795A (ko) 2008-05-08
KR101393777B1 (ko) 2014-05-12
TWI314755B (en) 2009-09-11
CN101253636B (zh) 2011-09-07
JP2009506969A (ja) 2009-02-19
CN101253636A (zh) 2008-08-27
US20090117711A1 (en) 2009-05-07
TW200715380A (en) 2007-04-16
EP1920469B1 (de) 2011-04-27
DE102005052358A1 (de) 2007-03-15
EP1920469A1 (de) 2008-05-14
WO2007025497A1 (de) 2007-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE502006009404D1 (de) Verfahren zum lateralen zertrennen eines halbleiterwafers und optoelektronisches bauelement
DE602006010884D1 (de) Schaltungsanordnung und Verfahren zum Treiben einer spannungsseitigen Halbleiterschaltung
GB2427071B (en) Semiconductor device having SiC substrate and method for manufacturing the same
TWI349346B (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
DE502005009563D1 (de) Schaltungsanordnung und Verfahren zum Schutz einer integrierten Halbleiterschaltung
AT504567A3 (de) Verfahren und vorrichtung zum bonden von wafern
DE112008000723A5 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Prüfen der Kante eines Halbleiterwafers
EP1921674A4 (de) Halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung
EP1984955A4 (de) Auf gan basierende halbleiter-leuchtanordnung und herstellungsverfahren dafür
EP2023404A4 (de) Optische halbleiteranordnung und herstellungsverfahren dafür
EP1887624A4 (de) Halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE602008001998D1 (de) Verfahren zur Beurteilung eines Halbleitersubstrats
DE112004002809A5 (de) Verfahren zum Herstellen eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips
DE102009044474A8 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
EP2064732A4 (de) Halbleiterbauelement und herstellungsverfahren dafür
EP2112685A4 (de) Halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung
EP2089907A4 (de) Halbleiterbauelement und herstellungsverfahren dafür
DE602006009593D1 (de) Verfahren zum Polieren von Halbleiterscheiben
DE602006004671D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum schleifen der Rückseite eines Halbleiterwafers
DE602005021449D1 (de) Verfahren zur modifizierung der Oberfläche von Halbleiter-Nanopartikeln
EP1965435A4 (de) Halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung
TWI372415B (en) Semiconductor device and method for forming pattern in the same
EP2020683A4 (de) Halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE112007002288A5 (de) Halbleiterkörper und Verfahren zum Entwurf eines Halbleiterkörpers mit einer Anschlussleitung
EP2075839A4 (de) Verfahren zum evaluieren eines halbleiterwafers