DE4312049C2 - Verfahren zum Bilden von zwischen Elektroden befindlichen Stützstrukturen - Google Patents
Verfahren zum Bilden von zwischen Elektroden befindlichen StützstrukturenInfo
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- DE4312049C2 DE4312049C2 DE4312049A DE4312049A DE4312049C2 DE 4312049 C2 DE4312049 C2 DE 4312049C2 DE 4312049 A DE4312049 A DE 4312049A DE 4312049 A DE4312049 A DE 4312049A DE 4312049 C2 DE4312049 C2 DE 4312049C2
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Feldemissionsvorrichtungen und be
trifft im Spezielleren Verfahren zum Bilden von Abstandsstrukturen, die den auf
eine Flachbildschirmanzeige wirkenden atmosphärischen Druck ohne Beein
trächtigung der Auflösung des Bildes auffangen können. Insbesondere betrifft
die Erfindung ein Verfahren zum Bilden von zwischen Elektroden befindlichen
Stützstrukturen nach dem Oberbegriff der Patentansprüche 1 und 2.
Kathodenstrahlröhren-Anzeigen des Typs, wie sie bei Bildschirmen von Ar
beitsplatzcomputern allgemein verwendet werden, arbeiten auf der Basis eines
von einem Elektronenemitter abgegebenen abtastenden Elektronenstrahls, der
auf Leuchtstoffe auf einem relativ weit entfernten Schirm auftrifft. Die Elektro
nen erhöhen das Energieniveau der Leuchtstoffe. Wenn die Leuchtstoffe auf ihr
normales Energieniveau zurückkehren, setzen sie Photonen frei, die durch die
Glasscheibe des Bildschirms zu dem Betrachter übertragen werden.
Bei Flachbildschirmanzeigen versucht man, die Kathodolumineszenz-Leucht
stofftechnologie von Kathodenstrahlröhren mit der integrierten Schaltungstech
nologie zu kombinieren, um dünne Bildschirme mit hoher Auflösung zu schaf
fen, bei denen jedes Bildelement bzw. Pixel durch seinen eigenen Elektronene
mitter aktiviert wird. Diese Art der Bildschirmanzeigentechnologie erlangt zu
nehmende Bedeutung bei Geräten, bei denen tragbare Bildschirme mit gerin
gem Gewicht erforderlich sind.
Bei Flachbildschirmanzeigen des Feldemissionskathoden-Typs ist es wichtig,
daß zwischen der Elektronen emittierenden Kathodenfläche sowie ihrer ent
sprechenden Anodenanzeigefläche (die auch als Anode, Kathodolumi
neszenzschirm, Anzeigeschirm, Frontplatte oder Anzeigeelektrode be
zeichnet wird) ein luftleerer Hohlraum erhalten bleibt.
Zwischen der Kathodenemissionsfläche (die auch als Basiselektrode,
Emitterfläche oder Kathodenfläche bezeichnet wird) und dem Bildschirm
ist eine relativ hohe Spannungsdifferenz vorhanden, die im allgemeinen zum Bei
spiel mehr als 200 Volt beträgt. Es ist wichtig, daß ein
elektrischer Durchbruch zwischen der Elektronen emittierenden Fläche
und der Anodenbildschirmfläche verhindert wird. Gleichzeitig ist die
geringe Beabstandung zwischen den Platten erforderlich, um die ge
wünschte dünne Ausbildung der Konstruktion sowie eine hohe Bildauflö
sung zu erzielen. Außerdem muß dieser Abstand auch gleichmäßig sein,
um eine konsistente Bildauflösung sowie Helligkeit zu erzeugen sowie
Bildschirmverzerrungen usw. zu vermeiden. Ein ungleichmäßiger Ab
stand tritt viel wahrscheinlicher bei einem matrixmäßig ansteuerbaren,
flachen Vakuumbildschirm mit Feldemissionskathode als bei anderen
Bildschirmtypen auf, und zwar aufgrund der hohen Druckdifferenz, die
zwischen dem externen Atmosphärendruck und dem Druck im Inneren
der luftleeren Kammer zwischen der Basisplatte und der Frontplatte
vorhanden ist. Der Druck in der luftleeren Kammer ist typischerweise
geringer als ca. 1.3.10-4 Pa.
Bildschirme mit kleiner Fläche (zum Beispiel Bildschirme mit einer
Größe von ca. 1 Inch (ca. 2,54 cm) in der Diagonalen benötigen keine
Abstandselemente, da Glas mit einer Dicke von ca. 1 mm
der atmosphärischen Belastung standhalten kann, doch bei zuneh
mender Bildschirmfläche werden Abstandsstützen immer wichtiger. Bei
einem Bildschirm mit einer Größe von 30 Inch (ca. 76,2 cm) in der
Diagonalen zum Beispiel wirken mehrere Tonnen Atmosphärendruck auf
diesen. Aufgrund dieses enormen Druckes spielen Abstandselemente eine
bedeutende Rolle bei der Struktur von Bildschirmen mit großer Fläche
und geringem Gewicht.
Abstandselemente werden zwischen der Bildschirmfrontplatte und der
Basisplatte integriert, auf der die Emitterspitzen hergestellt werden. Die
Abstandselemente nehmen in Verbindung mit dünnen Substraten gerin
gen Gewichts den Atmosphärendruck auf, wobei eine Vergrößerung der
Bildschirmfläche ohne Zunahme bei der Substratdicke oder mit nur einer
geringen Zunahme der Substratdicke ermöglicht wird.
Abstandsstrukturen müssen bestimmten Parametern folgen:
- 1. Die Stützen müssen ausreichend nicht-leitend sein, um einen elek trischen Durchbruch zwischen der Kathodenanordnung und der Anode zu verhindern, und zwar trotz des relativ engen Abstands zwischen den Elektroden, der in der Größenordnung von 100 µm liegen kann, sowie der relativ hohen zwischen den Elektroden vor handenen Spannungsdifferenz, die in der Größenordnung von 200 Volt oder mehr liegen kann;
- 2. die Stützen müssen mechanische Festigkeit besitzen, so daß sie sich Lauf der Zeit nur langsam verformen und dadurch der Flach bildschirmanzeige eine angemessene Nutzungsdauer verleihen;
- 3. die Stützen müssen Stabilität unter Elektronenbeschuß aufweisen, da Elektronen an jedem Pixel erzeugt werden;
- 4. außerdem müssen die Stützen dazu in der Lage sein, "Austrocken temperaturen" von ca. 400°C standzuhalten, die zum Erzeugen des hohen Vakuums zwischen der Frontplatte und der Rückenplatte des Bildschirms erforderlich sind;
- 5. zusätzlich dazu müssen die Stützen ausreichend klein sein, so daß sie den Bildschirmbetrieb nicht beeinträchtigen, indem sie sichtbar sind.
Es sind bereits verschiedene Typen von Abstandselementen entwickelt wor
den. Einige Beispiele sind in den Druckschriften US 4,091,305 mit dem Titel
"Gas Panel Spacer Technology", US 4,183,125, mit dem Titel "Method of Making
an Insulator-support for Luminescent Display Panels and the Like", US 4,422,731
mit dem Titel "Display Unit With Half-stud, Spacer, Connection Layer
and Method of Manufacturing" und US 4,451,759 mit dem Titel "Flat Viewing
Screen with Spacers between Support Plates and Method of Producing Same"
offenbart.
Aus der Druckschrift US 4,923,421 ist ein Verfahren von zwischen Elektroden
befindlichen Stützstrukturen gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1
bekannt. Bei diesem bekannten Verfahren wird ein Material auf eine Elektroden
platte aufgebracht und dieses Material sodann mit dem Muster der gewünsch
ten Abstandshalter-Matrix versehen. Diese Materialschicht wird sodann an allen
Stellen mit Ausnahme derjenigen der Abstandshalter-Matrix entfernt, wobei
insbesondere ein Photoätzprozeß Verwendung finden kann. Insoweit findet bei
dem bekannten Verfahren ein Bestrahlen des Materials mit Strahlungsenergie
zum Bilden der Abstandshalter statt.
Diese Druckschrift US 4,923,421 mit dem Titel "Method for Providing Polyimide
Spacers in a Field Emission Panel Display" offenbart die Verwendung von Ab
standsstützen bei Feldemissionsbildschirmen. Dieses Patent beschreibt ein Ver
fahren, bei dem Abstandselemente durch Aufbringen einer Materialschicht auf
eine der Plattenoberflächen, Mustergebung des Materials sowie anschließen
des Entfernen des Materials mit Ausnahme der die abstandselementbildenden
Bereiche hergestellt werden.
Bei den in den vorstehend genannten Patentschriften beschriebenen Stützen
und Verfahren bestehen mehrere Nachteile. Ein Nachteil besteht darin, daß die
Abstandsstützen relativ groß sein müssen und Durchmesser im Bereich von 50 µm
aufweisen müssen, um das geringe Ausmaß
an isotroper Verzerrung, das bei anisotropen (Plasma-)Ätzvorgängen
unweigerlich auftritt, unschädlich zu machen. Dies heißt mit anderen
Worten, daß dann, wenn die Stützen zu schmal sind, die Tendenz be
steht, daß sie aufgrund von Hinterschneidungen während des zum Elimi
nieren des die Abstandselemente umgebenden Materials ausgeführten
Ätzvorgangs gekrümmt werden.
Diejenigen bekannten Verfahren, bei denen eine Anbringung und Aus
richtung vorgefertigter Abstandselemente an den Elektroden erfolgen,
sind sehr unzuverlässig, mühsam sowie kostenintensiv.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein verbessertes Verfahren zum Bilden
von zwischen Elektroden befindlichen Stützstrukturen zu schaffen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch ein Verfahren zum
Bilden von zwischen Elektroden befindlichen Stützstrukturen mit den in
Anspruch 1 bzw. 2 gegebenen Merkmalen.
Den Unteransprüchen sind vorteilhafte Weiterbildungen entnehmbar.
Ein Verfahrens zum Bilden selbstausgerichteter Stützstrukturen zur
Verwendung in Flachbildschirmanzeigen wird geschaffen, bei dem eine in
ein Muster gebrachte, reflektierende Schicht oben auf ein Abstandsmate
rial aufgebracht wird, auf das anschließend ein Laser gerichtet wird, um
das Abstandsmaterial unter Bildung von Stützstrukturen "abzutragen".
Auf der in ein Muster gebrachten reflektierenden Schicht kann wahlwei
se eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweisende, in ein Muster gebrachte
Schicht aufgebracht werden.
Bei Bildschirmen, bei denen für den Betrieb Vakuum zwischen den
Platten erforderlich ist, wie zum Beispiel bei einer Kathodolumineszenz
anzeige, dienen die Abstandselemente oder Säulen als körperliche Stütze
zwischen den Platten.
In eine alternativen Ausbildungsform der Erfindung kann der Laser auch zum "Wegritzen" des über
schüssigen Abstandsmaterials verwendet werden, so daß die Ab
standsstützstrukturen übrigbleiben. In diesem Fall kann der Laser vor
programmiert werden, wodurch der Mustergebungsschritt entfällt.
Der Laser kann auch zum Ablösen von Löchern in einer selektiv ätzba
ren Schicht verwendet werden, wobei diese Löcher mit dem Abstands
material gefüllt werden. Das überschüssige Material kann durch che
misch-mechanisches Polieren entfernt werden, wonach dann das selektiv
ätzbare Material entfernt wird und dadurch die Abstandselemente freige
legt werden.
Die Erfindung und Weiterbildungen der Erfindung werden im folgenden anhand der
zeichnerischen Darstellung von Ausführungsbeispielen
näher erläutert. In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 eine schematische Querschnittsansicht eines Pixels einer Feldemissionsanzeige,
bestehend aus einer Frontplatte mit einem Leuchtstoffschirm, die über Va
kuum hinweg in abgedichteter Weise mit einer Basisplatte verbunden ist, wobei
unter Verwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens ausgebildete Abstandsele
mente als Stütze dienen;
Fig. 2 eine Querschnittsansicht der erfindungsgemäßen Basisplatte, auf die ein Material
zur Bildung der Abstandselemente aufgebracht ist, auf dem wiederum ein stark
reflektierendes Material in ein Muster gebracht ist;
Fig. 3 eine Querschnittsansicht der Basisplatte der Fig. 2 nach einer erfindungsgemäßen
Bestrahlung; und
Fig. 4 eine Querschnittsansicht der Basisplatte der Fig. 3 nach dem Entfernen des stark
reflektierenden Materials.
Es ist an dieser Stelle darauf hinzuweisen, daß die Zeichnungen der vorliegenden Anmel
dung nicht maßstabsgetreu sind, sondern lediglich schematische Darstellungen zeigen, in
denen die allgemein bekannten speziellen Parameter oder Konstruktionsdetails einer
Flachbildschirmanzeige nicht gezeigt sind.
Unter Bezugnahme auf Fig. 1 ist ein Bildelement bzw. Pixel 22 einer Feldemissionsan
zeige dargestellt, die eine kalte Kathode verwendet. Bei der Substratschicht 11 handelt
es sich vorzugsweise um eine einkristalline Siliziumschicht, auf der eine Schicht 12 aus
nes
leitfähigem Material, wie zum Beispiel dotiertes polykristallines Silizium, aufgebracht
ist. An der Stelle der Feldemissionskathoden sind Mikrokathoden 13 oben auf dem Sub
strat 11 ausgebildet worden. Die Mikrokathoden 13 umgebend ist eine Mikroanoden-
Gatestruktur 15 vorgesehen.
Wenn eine Spannungsdifferenz durch eine Quelle 20 zwischen der Kathode 13 und dem
Gate 15 angelegt wird, wird ein Elektronenfluß 17 in Richtung auf einen mit Leuchtstoff
beschichteten Bildschirm 16 erzeugt. Der Bildschirm 16 dient als Anode. Die Elektro
nenemissionsspitzen 13 sind mit dem Halbleitersubstrat 11 einstückig ausgebildet und
dienen als Kathodenleiter. Das Gate 15 dient als eine niedriges Potential aufweisende
Anode oder Gitterstruktur für die Kathodenspitzen 13.
Eine Isolierschicht 14 ist auf der leitfähigen Kathodenschicht 12 aufgebracht. Außerdem
besitzt der Isolator bzw. die Isolierschicht 14 Öffnungen an den Feldemissionsstellen.
Stützstrukturen 18, die auch als Abstandselemente bezeichnet werden, befinden sich
zwischen der Frontplatte 16 und der Basisplatte 21 der Anzeige.
In der US 3 875 442 mit dem Titel "Display Panel" ist eine Anzeige offenbart, die ei
ne transparente, gasdichte Hülle, zwei planare Hauptelektroden, die innerhalb der Hülle
parallel zueinander angeordnet sind, sowie ein Kathodolumineszenzfeld aufweist. Felde
missionskathodenstrukturen sind in den US 3 665 241, US 3 755 704, US 3 812 559 und
US 4 874 981 offenbart.
Die Erfindung ist am besten unter Bezugnahme auf die Fig. 2 bis 4 zu verstehen, in
denen die durch eine Abfolge von Herstellungsschritten gemäß der vorliegenden Erfin
dung gebildeten anfänglichen, mittleren und sich letztendlich ergebenden Strukturen dar
gestellt sind.
Es wird nun zuerst auf Fig. 2 Bezug genommen. Bei dem bevorzugten Ausführungsbei
spiel wird eine geeignete isolierende Schicht 18' auf eine Elektrodenplatte aufgebracht,
wobei die Elektrodenplatte letztendlich zur Bildung einer der Elektrodenplatten der
Flachbildschirmanzeige, und zwar vorzugsweise der die Feldemitteranordnung enthaltenden
Basisplatte 21, verwendet wird, wobei es jedoch auch möglich ist, das Isoliermaterial auf
den Bildschirm 16 aufzubringen.
Selbstverständlich müssen die Emitterspitzen 13 in geeigneter Weise zum Beispiel mit
einer Oxidbeschichtung 10 geschützt werden, bevor die isolierende Schicht oder Ab
standsschicht 18' auf die Basisplatte 21 aufgebracht werden kann. Die Oxidbeschichtung
10 kann später entfernt werden, wenn die Emitterspitzen 13 geschärft werden. Es sei an
dieser Stelle darauf hingewiesen, daß das Bezugszeichen 18' für die Schicht aus dem
Material verwendet wird, das letztendlich die stützenden Abstandselemente 18 bildet.
Jegliches dielektrisches Material, jegliches isolierendes Material oder jegliches chemisches
Polymermaterial, das sich ätzen oder durch Strahlung (wie zum Beispiel von einem La
ser) ablösen läßt, kann für die Abstandsschicht 18' verwendet werden, doch bei den be
vorzugten Materialien handelt es sich um Polyimid oder eine Abwandlung von Polyimid,
wie zum Beispiel Kapton, sowie Siliziumnitrid.
Das chemische Polymer 18' sollte mit einer Tiefe bzw. Dicke aufgebracht werden, die
der Höhe der gewünschten Abstandselemente 18 entspricht. Wenn also die gewünschten
Abstandselemente 18 eine Dicke von 50 bis 1000 µm aufweisen, sollte die isolierende
Schicht 18' aus chemischem Polymermaterial in etwa mit dieser Dicke aufgebracht wer
den.
In der Praxis kann entschieden werden, daß punktartige oder fleckartige Niederschläge
(nicht gezeigt) des chemischen Polymers, wie zum Beispiel Polyimid, einer vollflächigen,
die gesamte Platte 21 bedeckenden Aufbringung der Schicht 18' vorzuziehen sind. Die
Abstandsstützen 18 nehmen nur wenig Fläche in dem Feld ein, und es kann sich als ko
stengünstiger erweisen, einfach das Material um einen speziellen Punkt bzw. eine spe
zielle Stelle herum zu entfernen, als die gesamte Platte zu bestrahlen. Die Genauigkeit
des verwendeten Lasers bestimmt dabei das Ausmaß der Wirksamkeit solcher punktuel
len Niederschläge.
Bei dem nächsten Verfahrensschritt handelt es sich um die Aufbringung eines reflektie
renden Materials 19, wie zum Beispiel einer Metallfolie, bei der es sich beispielsweise
um Aluminium handeln kann. Ein stark reflektierendes Material ist deshalb bevorzugt,
weil ein solches Material die Wärme und das Licht (d. h. die Energie) des darauf gerich
teten Laserstrahls reflektiert, anstatt diese zu absorbieren. Zum Ablösen des Alumini
ums wäre eine Laserleistungsdichte erforderlich, die 10 bis 20 mal höher ist als die für
das chemische Polymer eingesetzte Laserleistungsdichte. Die Laserleistungsdichte ist
definiert als die Anzahl von Photonen pro Sekunde pro Flächeneinheit. Für einen be
stimmten Energiepegel ändert sich die Leistungsdichte umgekehrt zum Quadrat des
Radius der Stelle. Somit löst sich das chemische Polymer 18' lange vor dem reflektieren
den Material 19 ab, wodurch sich das Verfahren besser steuern läßt.
Die Schicht 19 aus reflektierendem Material läßt sich durch irgendein in der Technik be
kanntes Verfahren aufbringen oder niederschlagen, zum Beispiel durch Aufstäuben,
Strukturieren, Auflösungs-Strukturieren, Schattenmaskenverfahren, vollflächiges Nie
derschlagen usw. Die Tiefe bzw. die Dicke der reflektierenden Metallschicht 19 liegt im
Bereich von 0,5 bis 3 µm und beträgt vorzugsweise ca. 2 µm.
Durch die Aufbringung der Metallschicht 19 wird die Konfiguration der Abstandsele
mente 18 definiert. Die Abstandselemente 18 können in Form von Säulen oder Platten
oder anderen Konfigurationen vorliegen. Die reflektierende Schicht 19 aus Aluminium
wird vorzugsweise durch eine Maske hindurch aufgebracht. Alternativ hierzu kann die
reflektierende Schicht 19 auch vollflächig aufgebracht und sodann zum Bilden des ge
wünschten Musters photomaskiert werden.
Die von dem reflektierenden Metall 19 jeweils bedeckte Fläche stellt die Querschnittsflä
che der jeweiligen Abstandsstütze 18 dar. Die bevorzugte Breite einer Abstandsstütze
18 liegt im Bereich von ungefähr 5 bis 25 µm. Die ein hohes Verhältnis von Höhe zu
Breite aufweisenden Stützstrukturen 18 besitzen vorzugsweise ein Verhältnis von Höhe
zu Breite von 5 : 1 oder mehr.
Bei einem alternativen Ausführungsbeispiel kann eine absorbierende Schicht (nicht ge
zeigt) anstelle der reflektierenden Schicht 19 verwendet werden. In diesem Fall wird das
absorbierende Material an denjenigen Stellen vorgesehen, die abgelöst werden sollen.
Die Strahlungsenergie erwärmt das absorbierende Material rascher, wodurch ein Ablö
sen des absorbierenden Materials vor dem Abstandsmaterial 18' hervorgerufen wird.
Die Platte 21 wird dann vorzugsweise in ein Vakuum gebracht, und es wird ein Laser
strahl auf die Platte gerichtet. Diejenigen Bereiche der chemischen Polymerschicht 18',
die von dem reflektierenden Material 19 bedeckt sind, bleiben intakt, wie dies in Fig. 3
gezeigt ist. Diejenigen Bereiche dagegen, die nur das Polyimid-Abstandsmaterial 18' dar
stellen, werden bei Bestrahlung durch den Laser "abgelöst" oder weggedampft. Die La
serenergie verdichtet die isolierende Schicht 18' und erwärmt das Polyimid bis zu einem
Punkt, bei dem es verdampft bzw. abgelöst wird.
Ein alternatives Ausführungsbeispiel beinhaltet das wahlweise Aufbringen einer in ho
hem Maße wärmeleitfähigen Isolierschicht (nicht gezeigt) oben auf der in hohem Maße
reflektierenden Schicht 19. Ein Beispiel für ein solches Material mit hoher Wärmeleitfä
higkeit ist Aluminiumnitrit. Die wärmeleitfähige Schicht schützt die reflektierende
Schicht 19 während des Ablösevorgangs. Nach dem Bestrahlen kann das Aluminiumni
trit zum Beispiel in einem Wasserstoffsulfid-Ätzgang entfernt werden.
Die US 4 789 840 mit dem Titel "Intense Laser Irradiation Using Reflective Optics"
befaßt sich mit der Lasertechnologie. Bei der ablösenden photochemischen Zersetzung
handelt es sich um ein Phänomen, das an der Oberfläche zum Beispiel einer chemischen
organischen Polymerzusammensetzung (dies beinhaltet viele Photoresistmaterialien) auf
tritt, die mit Laserimpulsen im hohen bzw. kurzwelligen UV-Bereich beaufschlagt wird,
für die die Fluenz der Impulse einen Schwellenwert übersteigt.
Bei geringer Lichtintensität im hohen UV-Bereich, wie zum Beispiel von einer Quecksil
berlampe, kann Material in der Gegenwart von Luft oder Sauerstoff in einer beträchtli
chen Rate von dem bestrahlten Bereich der Fläche wegoxidiert werden. Bei höherer
Lichtintensität im hohen UV-Bereich, wie zum Beispiel bei Verwendung eines im hohen
UV-Bereich arbeitenden Lasers, wird die ablösende photochemische Zersetzung an der
Oberfläche wirksam. In Verbindung mit der vorliegenden Erfindung beziehen sich somit
die Begriffe Strahlungsenergie und hohe Energie auf ein derartiges Energieniveau, wie
es zur Erzielung der ablösenden photochemischen Zersetzung erforderlich ist.
Der Vorgang der ablösenden photochemischen Zersetzung führt zur spontanen Entfer
nung von Material von dem bestrahlten Bereich. Eine geeignete Quelle für Laserimpulse
im hohen UV-Bereich ist der Argonfluorid-(ArF-)Excimer-Laser, der Strahlung bei ca.
193 nm erzeugt. Dieser Laser erzeugt typischerweise Impulse von bis zu einigen hundert
Millijoules pro cm2 bei einer Folgefrequenz von bis zu mehreren hundert pro Sekunde,
wobei die Intensität der Impulse (für praktische Zwecke) über viele tausend Impulse un
verändert bleibt. Eine jede der polymeren chemischen Zusammensetzungen, wie Polycar
bonat, Polyimid, Polyethylenterephtalat und Polymethylmethacrylat, lassen sich mit der
ablösenden photochemischen Zersetzung durch im hohen UV-Bereich liegende Laserim
pulse mit einer Fluenz, die einen Schwellenwert von ca. 50 mJ/cm2 übersteigt, ätzen.
Gemäß dem Vorgang zur ablösenden photochemischen Zersetzung ist die Energie eines
Photons im hohen UV-Bereich ausreichend, um die Bindungs-Dissoziationsenergie der
chemischen Bindungen zu übersteigen. Dies ist der Fall bei einer im hohen UV-Bereich
liegenden Strahlung bei 193 nm. Jenseits davon verbleibt die über der Bindungs-
Dissoziationsenergie liegende überschüssige Energie des Photons in den zerfallenen Ma
terialfragmenten als Translations-, Rotations- und Vibrationsenergie. Als Ergebnis hier
von werden die Produkte der ablösenden photochemischen Zersetzung von der Oberflä
che der Schicht abgestoßen oder "abgelöst". Man schätzt, daß das Material in ca. zehn
ns aus dem bestrahlten Bereich heraustransportiert wird, und als Ergebnis hiervon ent
steht nur sehr wenig oder gar keine Erwärmung des Substrats.
Die Effizienz, mit der das abgelöste Material von der ursprünglichen Stelle auf der Ober
fläche wegtransportiert wird, steht offensichtlich in Beziehung zu der Energiedifferenz
zwischen der Fluenz der Impulse und dem Ablös-Schwellenwert. Außerdem handelt es
sich bei der Tiefe der Ätzung pro Impuls deutlich um eine Funktion der Fluenz der Pul
se, wobei man außerdem festgestellt hat, daß diese Tiefe von der Intensität logarith
misch abhängig ist.
Die Merkmale des Reaktionsvorgangs, die diesen als ablösende photochemische Zerset
zung definieren, bestehen darin, daß sich das Material ohne Schädigung oder nur mit mi
nimaler Schädigung des übrigen Bereichs der Fläche ablöst, daß die durchschnittliche
Geschwindigkeit der abgelösten Materialteilchen 1000 bis 2000 m/s von der Oberfläche
weg beträgt, daß die Winkelgeschwindigkeit im Bereich von 25 bis 30° zur Normalen
liegt und in senkrecht zu der Oberfläche verlaufender Richtung ihr Maximum hat, und daß
sich das Material Schicht für Schicht ablöst, während aufeinanderfolgende Impulse der
im hohen UV-Bereich liegenden Strahlung auf das Material gerichtet sind.
Das Ergebnis dieses Ablösevorgangs ist ein sehr sauberes Loch in dem Material, wo
durch eine gut definierte Vertiefung verbleibt, deren Seiten gerade sind und im wesentli
chen senkrecht zu der Oberfläche verlaufen und deren Boden eben und im wesentlichen
parallel zu der Oberfläche verläuft, wobei jeder Impuls (oder durch Strahlung erfolgende
Ätzvorgang) im wesentlichen dieselbe Tiefe von der Vertiefung entfernt, wobei sich die
se ablösende photochemische Zersetzung durch Dosieren der Intensität sowie der An
zahl von Impulsen relativ exakt steuern läßt.
Das chemische Polymermaterial wird in den der Strahlung ausgesetzen Bereichen typi
scherweise vollständig abgelöst. Sollten jedoch Bruchstücke zurückbleiben, so lassen
sich diese durch Ultraschallvibration in einem Fluidbad, bei dem zum Beispiel Wasser
verwendet wird, entfernen. Eine andere Möglichkeit zum Entfernen von Bruchstücken
besteht in der Verwendung eines Stickstoffstrahls oder eines Strahls aus anderem Gas
oder Luft, um die Bruchstücke dadurch wegzublasen.
An diesem Punkt des Verfahrens (siehe Fig. 4) wird die reflektierende Schicht 19 vor
zugsweise entfernt, und zwar durch irgendein bekanntes Verfahren, zum Beispiel Ätzen.
Die verbleibenden Polyimidstrukturen 18' dienen als Abstandsstützen 18. Die reflektie
rende Schicht 19 muß jedoch nicht entfernt werden, sondern kann auch auf den Ab
standselementen 18 verbleiben. Die zum Bilden der reflektierenden Schicht 19 verwen
deten Materialien sind oft leitfähig, während jedoch das Material, aus dem die Ab
standselemente 18 gebildet werden, nicht leitfähig ist, so daß sich auch das Problem ei
nes elektrischen Durchbruches nicht ergibt, wenn man die reflektierende Schicht 19 nicht
entfernt.
Bei einem alternativen Ausführungsbeispiel wird der Laser zum "Wegritzen" des unge
wollten Materials verwendet, so daß die Abstandselemente 18 übrigbleiben. Die US 4 292 092
und US 4 892 592 offenbaren eine geeignete, mit einem Laser erfolgende
Abkratztechnik, obwohl es sich dabei sicher nicht um die einzige geeignete Technik han
delt.
Das Abkratzen bzw. Wegritzen kann entweder durch Bewegen des Laserstrahls in bezug
auf das Substrat oder durch Anbringen des Substrats auf einem in bezug auf den Laser
strahl beweglichen X-Y-Tisch erfolgen. Das Wegritzen erfolgt vorzugsweise von der
Vorderseite des Wafers her, kann jedoch ebenso auch von der Rückseite her erfolgen.
Bei Ausführung von der Rückseite her kann es jedoch möglich sein, daß die Laserener
gie in andere Materialschichten oder Strukturen eindringen muß, die bereits auf der
Elektrodenplatte 16 oder 21 gebildet sind. Die isolierende Schicht 18' wird dann mit ei
nem Laser geritzt, um das Polyimid entlang eines vorbestimmten Linienmusters abzulö
sen.
Bei einer derartigen Alternative kann es möglicherweise nicht notwendig sein, eine re
flektierende Überzugsschicht 19 aufzubringen, da der Laser derart programmiert werden
kann, daß er exakte Durchläufe über die Platte 21 ausführt, um den nicht zur Bildung
der Abstandselemente 18 dienenden Bereich des Polyimids 18' zu eliminieren.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel beinhaltet die Aufbringung einer Schicht aus einem se
lektiv ätzbaren Material (nicht gezeigt). Bei einer solchen Schicht kann es sich um Poly
imid, Siliziumnitrid oder ein anderes geeignetes Material handeln. Ein Laser wird ver
wendet, um Löcher in die Materialschicht an denjenigen Stellen einzubringen, an denen
die Abstandselemente 18 gebildet werden sollen, so daß dadurch eine Form entsteht. Die
Löcher werden dann mit einem Material zur Bildung von Abstandselementen gefüllt,
wobei es sich bei dem Material zum Beispiel um Polyimid oder Siliziumnitrid handelt.
Das sich über die Form hinauserstreckende, überschüssige Material kann durch
chemisch-mechanisches Polieren entfernt werden. Das selektiv ätzbare Material kann
dann durch irgendein bekanntes Verfahren entfernt werden, so daß die Abstandselemen
te 18 übrigbleiben.
Nach der Bildung der Abstandselemente 18 vorzugsweise auf der Basisplatte 21 (d. h.
der Kathode), werden der Kathodolumineszenz-Bildschirm 16 und die Basisplatte 21
korrekt miteinander ausgerichtet und zusammengepaßt. Da die Stützen 18 auf einer der
Platten ausgebildet sind, läßt sich der Ausrichtungsschritt einfacher ausführen als wenn
die Abstandsstützen separat ausgebildet wären und anschließend sowohl an der Basis
platte 21 als auch an dem Bildschirm 16 anzubringen wären, wie dies bei anderen Vor
richtungen der Fall ist.
Sobald die Platten korrekt ausgerichtet sind, lassen sie sich durch ein bekanntes Verfah
ren, wie zum Beispiel unter Verwendung einer Glasmassendichtung, in dichter Weise
miteinander verbinden, und in dem zwischen ihnen befindlichen Raum wird ein Vakuum
erzeugt. Das Vakuum ist notwendig, um einen Paschen-Durchbruch in dem Raum zwi
schen den Elektroden, d. h. den Emitterspitzen 13 und dem Kathodolumineszenz-
Bildschirm 16, zu verhindern.
Wie vorstehend erwähnt wurde, können die hergestellten Abstandselemente aus Silizi
umnitrid oder Polyimid einem bei einer hohen Temperatur von ca. 400°C erfolgenden
Austrockenvorgang standhalten, der zur Erzeugung des Vakuums erforderlich ist.
Die vorliegende Erfindung ist auch bei anderen Flachbildschirmanzeigevorrichtungen ver
wendbar, bei denen Abstandsstrukturen erforderlich sind. Außerdem versteht sich für
den Fachmann, daß auch andere Wellenlängen der Laserenergie bei verschiedenen Lei
stungspegeln bei dem Bestrahlungsschritt verwendet werden können, um die erfindungs
gemäßen Strukturen zu erzielen.
Claims (8)
1. Verfahren zum Bilden von zwischen Elektroden befindlichen Stütz
strukturen, mit folgenden Schritten:
- a) Aufbringen eines ersten Materials (18') oben auf eine erste Elektrodenplatte (21), und
- b) selektives Bestrahlen des ersten Materials (18') mit Strahlungs energie zum Bilden der Stützstrukturen (18),
- a) Aufbringen eines Strahlung reflektierenden Materials (19) oben auf das die Stützstrukturen bildende Material (18) unter Bildung eines Musters, wobei das die Strahlung reflektierende Material (19) Energie bei einer vorbestimmten Wellenlänge reflektiert,
- b) Bestrahlen des ersten Materials (18') mit Laserenergie bei der vorbestimmten Wellenlänge und
- c) Entfernen des reflektierenden Materials (19).
2. Verfahren zum Bilden von zwischen Elektroden befindlichen
Stützstrukturen, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
- a) Aufbringen eines ersten Materials (18') oben auf eine erste Elektrodenplatte (21); und
- b) selektives Bestrahlen des ersten Materials (18') mit Strahlungsenergie zum Definieren der Stützstrukturen (18);
- a) In-Muster-Bringen einer absorbierenden Schicht oben auf dem ersten Material (18'), wobei das absorbierende Material bei einer vorbestimmten Wellenlänge Strahlungsenergie absorbiert und sich dadurch rascher ablöst als das erste Material (18);
- b) Bestrahlen des ersten Materials (18') mit Laserenergie bei der vorbestimmten Wellenlänge und
- c) Entfernen des absorbierenden Materials.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch folgende
weitere Schritte:
- a) Anbringen und Abdichten der ersten Elektrodenplatte (21) an einer zweiten Elektrodenplatte (16) und
- b) Erzeugen eines Vakuums zwischen der ersten Elektrodenplatte (21) und der zweiten Elektrodenplatte (16).
4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet,
- a) daß die Strahlungsenergie das von ihr beaufschlagte erste Material (18') ablöst,
- b) daß die Strahlungsenergie eine Wellenlänge im hohen UV- Bereich besitzt und
- c) daß die Strahlungsenergie in Form von Impulsen von einem Laser abgegeben wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet,
- a) daß es sich bei dem ersten Material (18') um wenigstens ein Material aus der Gruppe bestehend aus einem Dielektrikum, einem chemischen Polymer und einem Isolator handelt, und
- b) daß es sich bei dem chemischen Polymer um wenigstens ein Material aus der Gruppe bestehend aus Polyimid und Siliziumnitrid handelt.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch
folgende weitere Schritte:
- a) Aufbringen eines zweiten Materials durch das erste Material hindurch an denjenigen Stellen, an denen die Strahlungsenergie die Stützstrukturen (18') definiert hat, wobei das zweite Material in bezug auf das erste Material (18') selektiv ätzbar ist und das erste Material (18') als Form wirkt und das zweite Material die Stützstrukturen (18) bildet;
- b) planares Ausbilden des zweiten Materials entsprechend der Tiefe des ersten Materials (18'), wobei das zweite Material durch chemisch-mechanisches Polieren planarisiert wird, und
- c) Entfernen des ersten Materials (18') unter Freilegung der Stützstrukturen (18).
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, gekennzeichnet durch
folgenden weiteren Schritt: Anordnen einer Schutzschicht (10) auf
der ersten Elektrodenplatte (21).
8. Verfahren nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch folgenden
weiteren Schritt: Entfernen der Schutzschicht (10) von der ersten
Elektrodenplatte (21).
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---|---|---|---|
US07/869,348 US5232549A (en) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | Spacers for field emission display fabricated via self-aligned high energy ablation |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4312049A1 DE4312049A1 (de) | 1993-10-28 |
DE4312049C2 true DE4312049C2 (de) | 2003-05-22 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4312049A Expired - Fee Related DE4312049C2 (de) | 1992-04-14 | 1993-04-13 | Verfahren zum Bilden von zwischen Elektroden befindlichen Stützstrukturen |
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---|---|
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JP (1) | JP2653621B2 (de) |
DE (1) | DE4312049C2 (de) |
Families Citing this family (92)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5630839A (en) * | 1991-10-22 | 1997-05-20 | Pi Medical Corporation | Multi-electrode cochlear implant and method of manufacturing the same |
US5536193A (en) | 1991-11-07 | 1996-07-16 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of making wide band gap field emitter |
US5696028A (en) * | 1992-02-14 | 1997-12-09 | Micron Technology, Inc. | Method to form an insulative barrier useful in field emission displays for reducing surface leakage |
US5229331A (en) * | 1992-02-14 | 1993-07-20 | Micron Technology, Inc. | Method to form self-aligned gate structures around cold cathode emitter tips using chemical mechanical polishing technology |
US5600200A (en) | 1992-03-16 | 1997-02-04 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Wire-mesh cathode |
US5543684A (en) | 1992-03-16 | 1996-08-06 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Flat panel display based on diamond thin films |
US5449970A (en) | 1992-03-16 | 1995-09-12 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Diode structure flat panel display |
US5675216A (en) | 1992-03-16 | 1997-10-07 | Microelectronics And Computer Technololgy Corp. | Amorphic diamond film flat field emission cathode |
US5329207A (en) * | 1992-05-13 | 1994-07-12 | Micron Technology, Inc. | Field emission structures produced on macro-grain polysilicon substrates |
US5504387A (en) * | 1992-12-26 | 1996-04-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Flat display where a first film electrode, a dielectric film, and a second film electrode are successively formed on a base plate and electrons are directly emitted from the first film electrode |
KR960009127B1 (en) * | 1993-01-06 | 1996-07-13 | Samsung Display Devices Co Ltd | Silicon field emission emitter and the manufacturing method |
WO1995012835A1 (en) | 1993-11-04 | 1995-05-11 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Methods for fabricating flat panel display systems and components |
FR2714764B1 (fr) * | 1993-12-30 | 1996-03-29 | Pixel Int Sa | Procédé de positionnement et pose de billes entretoises pour écrans plats tels que écrans fluorescents à micropointes, et équipement associé à ce procédé. |
US5448131A (en) * | 1994-04-13 | 1995-09-05 | Texas Instruments Incorporated | Spacer for flat panel display |
US5975975A (en) * | 1994-09-16 | 1999-11-02 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for stabilization of threshold voltage in field emission displays |
US6417605B1 (en) * | 1994-09-16 | 2002-07-09 | Micron Technology, Inc. | Method of preventing junction leakage in field emission devices |
TW289864B (de) * | 1994-09-16 | 1996-11-01 | Micron Display Tech Inc | |
US6187604B1 (en) | 1994-09-16 | 2001-02-13 | Micron Technology, Inc. | Method of making field emitters using porous silicon |
US5484314A (en) * | 1994-10-13 | 1996-01-16 | Micron Semiconductor, Inc. | Micro-pillar fabrication utilizing a stereolithographic printing process |
US5492234A (en) * | 1994-10-13 | 1996-02-20 | Micron Technology, Inc. | Method for fabricating spacer support structures useful in flat panel displays |
US5658832A (en) * | 1994-10-17 | 1997-08-19 | Regents Of The University Of California | Method of forming a spacer for field emission flat panel displays |
EP0789931B1 (de) * | 1994-11-04 | 2000-06-28 | Micron Technology, Inc. | Schärfungsverfahren für emissionstellen durch oxydation bei niedriger temperatur |
US5503582A (en) * | 1994-11-18 | 1996-04-02 | Micron Display Technology, Inc. | Method for forming spacers for display devices employing reduced pressures |
US5486126A (en) | 1994-11-18 | 1996-01-23 | Micron Display Technology, Inc. | Spacers for large area displays |
US5509840A (en) * | 1994-11-28 | 1996-04-23 | Industrial Technology Research Institute | Fabrication of high aspect ratio spacers for field emission display |
US5630741A (en) * | 1995-05-08 | 1997-05-20 | Advanced Vision Technologies, Inc. | Fabrication process for a field emission display cell structure |
US5644188A (en) * | 1995-05-08 | 1997-07-01 | Advanced Vision Technologies, Inc. | Field emission display cell structure |
US5811929A (en) * | 1995-06-02 | 1998-09-22 | Advanced Vision Technologies, Inc. | Lateral-emitter field-emission device with simplified anode |
US5601751A (en) * | 1995-06-08 | 1997-02-11 | Micron Display Technology, Inc. | Manufacturing process for high-purity phosphors having utility in field emission displays |
US5589085A (en) * | 1995-08-04 | 1996-12-31 | Meeco, Incorporated | Process of manufacturing a detecting unit for an electrolytic cell with thin film electrodes |
US5800500A (en) * | 1995-08-18 | 1998-09-01 | Pi Medical Corporation | Cochlear implant with shape memory material and method for implanting the same |
US5716251A (en) * | 1995-09-15 | 1998-02-10 | Micron Display Technology, Inc. | Sacrificial spacers for large area displays |
US5788881A (en) * | 1995-10-25 | 1998-08-04 | Micron Technology, Inc. | Visible light-emitting phosphor composition having an enhanced luminescent efficiency over a broad range of voltages |
US5813893A (en) * | 1995-12-29 | 1998-09-29 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Field emission display fabrication method |
US5916004A (en) * | 1996-01-11 | 1999-06-29 | Micron Technology, Inc. | Photolithographically produced flat panel display surface plate support structure |
US5705079A (en) * | 1996-01-19 | 1998-01-06 | Micron Display Technology, Inc. | Method for forming spacers in flat panel displays using photo-etching |
US5720640A (en) * | 1996-02-15 | 1998-02-24 | Industrial Technology Research Institute | Invisible spacers for field emission displays |
US5733160A (en) * | 1996-03-01 | 1998-03-31 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming spacers for a flat display apparatus |
US5949182A (en) * | 1996-06-03 | 1999-09-07 | Cornell Research Foundation, Inc. | Light-emitting, nanometer scale, micromachined silicon tips |
US5811926A (en) * | 1996-06-18 | 1998-09-22 | Ppg Industries, Inc. | Spacer units, image display panels and methods for making and using the same |
US5834891A (en) * | 1996-06-18 | 1998-11-10 | Ppg Industries, Inc. | Spacers, spacer units, image display panels and methods for making and using the same |
US5811927A (en) * | 1996-06-21 | 1998-09-22 | Motorola, Inc. | Method for affixing spacers within a flat panel display |
US5717287A (en) * | 1996-08-02 | 1998-02-10 | Motorola | Spacers for a flat panel display and method |
US6010917A (en) * | 1996-10-15 | 2000-01-04 | Micron Technology, Inc. | Electrically isolated interconnects and conductive layers in semiconductor device manufacturing |
US5906527A (en) * | 1996-10-30 | 1999-05-25 | Ferro Corporation | Method of making plasma display panels |
US6054807A (en) * | 1996-11-05 | 2000-04-25 | Micron Display Technology, Inc. | Planarized base assembly and flat panel display device using the planarized base assembly |
US6022256A (en) | 1996-11-06 | 2000-02-08 | Micron Display Technology, Inc. | Field emission display and method of making same |
US5984746A (en) | 1996-12-12 | 1999-11-16 | Micron Technology, Inc. | Attaching spacers in a display device |
US5851133A (en) | 1996-12-24 | 1998-12-22 | Micron Display Technology, Inc. | FED spacer fibers grown by laser drive CVD |
US5888112A (en) * | 1996-12-31 | 1999-03-30 | Micron Technology, Inc. | Method for forming spacers on a display substrate |
US6042746A (en) * | 1997-01-17 | 2000-03-28 | Micron Technology, Inc. | Specialized phosphors prepared by a multi-stage grinding and firing sequence |
AU6454898A (en) * | 1997-03-10 | 1998-09-29 | Micron Technology, Inc. | Method for forming spacers in flat panel displays using photo-etching |
US6554671B1 (en) * | 1997-05-14 | 2003-04-29 | Micron Technology, Inc. | Method of anodically bonding elements for flat panel displays |
US5980349A (en) | 1997-05-14 | 1999-11-09 | Micron Technology, Inc. | Anodically-bonded elements for flat panel displays |
US6465268B2 (en) * | 1997-05-22 | 2002-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing an electro-optical device |
US6168737B1 (en) | 1998-02-23 | 2001-01-02 | The Regents Of The University Of California | Method of casting patterned dielectric structures |
US6153075A (en) * | 1998-02-26 | 2000-11-28 | Micron Technology, Inc. | Methods using electrophoretically deposited patternable material |
US6255772B1 (en) * | 1998-02-27 | 2001-07-03 | Micron Technology, Inc. | Large-area FED apparatus and method for making same |
DE19817476B4 (de) * | 1998-04-20 | 2004-03-25 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Leuchtstofflampe mit Abstandshaltern und lokal verdünnter Leuchtstoffschichtdicke |
US6174449B1 (en) | 1998-05-14 | 2001-01-16 | Micron Technology, Inc. | Magnetically patterned etch mask |
US6116974A (en) * | 1998-09-02 | 2000-09-12 | Micron Technology, Inc. | Spacers, display devices containing the same, and methods for making and using the same |
US6176752B1 (en) | 1998-09-10 | 2001-01-23 | Micron Technology, Inc. | Baseplate and a method for manufacturing a baseplate for a field emission display |
JP3689598B2 (ja) | 1998-09-21 | 2005-08-31 | キヤノン株式会社 | スペーサの製造方法および前記スペーサを用いた画像形成装置の製造方法 |
US6235638B1 (en) * | 1999-02-16 | 2001-05-22 | Micron Technology, Inc. | Simplified etching technique for producing multiple undercut profiles |
US6229325B1 (en) | 1999-02-26 | 2001-05-08 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for burn-in and test of field emission displays |
US6525462B1 (en) | 1999-03-24 | 2003-02-25 | Micron Technology, Inc. | Conductive spacer for field emission displays and method |
US6843697B2 (en) * | 1999-06-25 | 2005-01-18 | Micron Display Technology, Inc. | Black matrix for flat panel field emission displays |
US6155900A (en) | 1999-10-12 | 2000-12-05 | Micron Technology, Inc. | Fiber spacers in large area vacuum displays and method for manufacture |
US6469436B1 (en) * | 2000-01-14 | 2002-10-22 | Micron Technology, Inc. | Radiation shielding for field emitters |
US6894665B1 (en) | 2000-07-20 | 2005-05-17 | Micron Technology, Inc. | Driver circuit and matrix type display device using driver circuit |
JP2002157959A (ja) | 2000-09-08 | 2002-05-31 | Canon Inc | スペーサの製造法およびこのスペーサを用いた画像形成装置の製造方法 |
US6739931B2 (en) * | 2000-09-18 | 2004-05-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the display device |
US6758711B2 (en) * | 2001-06-14 | 2004-07-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Integrated focusing emitter |
JP2003031125A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Toshiba Corp | 平面表示装置に用いるスペーサアッセンブリの製造方法 |
JP2003100239A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-04-04 | Toshiba Corp | 画像表示装置 |
EP1343206B1 (de) | 2002-03-07 | 2016-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lichtemittierende Vorrichtung, elektronische Vorrichtung, Beleuchtungsvorrichtung und Herstellungsverfahren der lichtemittierenden Vorrichtung |
US7190335B2 (en) * | 2002-03-26 | 2007-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US7579771B2 (en) * | 2002-04-23 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US7786496B2 (en) | 2002-04-24 | 2010-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
JP2003317971A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
US7897979B2 (en) | 2002-06-07 | 2011-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
JP4216008B2 (ja) * | 2002-06-27 | 2009-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置およびその作製方法、ならびに前記発光装置を有するビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、dvdプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末 |
JP3944148B2 (ja) * | 2002-10-31 | 2007-07-11 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置の製造方法 |
JP4373086B2 (ja) | 2002-12-27 | 2009-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US7455958B2 (en) * | 2005-09-29 | 2008-11-25 | Motorola, Inc. | Method for attaching spacers in an emission display |
US8420978B2 (en) * | 2007-01-18 | 2013-04-16 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | High throughput, low cost dual-mode patterning method for large area substrates |
US8003300B2 (en) * | 2007-04-12 | 2011-08-23 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Methods for fabricating complex micro and nanoscale structures and electronic devices and components made by the same |
US8652763B2 (en) * | 2007-07-16 | 2014-02-18 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Method for fabricating dual damascene profiles using sub pixel-voting lithography and devices made by same |
US8546067B2 (en) * | 2008-03-21 | 2013-10-01 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Material assisted laser ablation |
US8187795B2 (en) * | 2008-12-09 | 2012-05-29 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Patterning methods for stretchable structures |
SG2014008718A (en) * | 2011-08-25 | 2014-04-28 | Heptagon Micro Optics Pte Ltd | Wafer-level fabrication of optical devices. in particular of modules for computational cameras |
KR20150102180A (ko) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 빔 조사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3665241A (en) * | 1970-07-13 | 1972-05-23 | Stanford Research Inst | Field ionizer and field emission cathode structures and methods of production |
US3755704A (en) * | 1970-02-06 | 1973-08-28 | Stanford Research Inst | Field emission cathode structures and devices utilizing such structures |
US3812559A (en) * | 1970-07-13 | 1974-05-28 | Stanford Research Inst | Methods of producing field ionizer and field emission cathode structures |
US3875442A (en) * | 1972-06-02 | 1975-04-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Display panel |
US4091305A (en) * | 1976-01-08 | 1978-05-23 | International Business Machines Corporation | Gas panel spacer technology |
US4183125A (en) * | 1976-10-06 | 1980-01-15 | Zenith Radio Corporation | Method of making an insulator-support for luminescent display panels and the like |
US4292092A (en) * | 1980-06-02 | 1981-09-29 | Rca Corporation | Laser processing technique for fabricating series-connected and tandem junction series-connected solar cells into a solar battery |
US4422731A (en) * | 1980-05-08 | 1983-12-27 | Societe Industrielle des Nouvelles Techniques Radioelectriques Societe Anonyme dite | Display unit with half-stud, spacer, connection layer and method of manufacturing |
US4451759A (en) * | 1980-09-29 | 1984-05-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Flat viewing screen with spacers between support plates and method of producing same |
US4789840A (en) * | 1986-04-16 | 1988-12-06 | Hewlett-Packard Company | Integrated capacitance structures in microwave finline devices |
US4874981A (en) * | 1988-05-10 | 1989-10-17 | Sri International | Automatically focusing field emission electrode |
US4892592A (en) * | 1987-03-26 | 1990-01-09 | Solarex Corporation | Thin film semiconductor solar cell array and method of making |
US4923421A (en) * | 1988-07-06 | 1990-05-08 | Innovative Display Development Partners | Method for providing polyimide spacers in a field emission panel display |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5492527A (en) * | 1977-12-28 | 1979-07-21 | Dainippon Printing Co Ltd | Manufacture of metal foil having apertures |
US4749840A (en) * | 1986-05-16 | 1988-06-07 | Image Micro Systems, Inc. | Intense laser irradiation using reflective optics |
JPS6350817A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置作製方法 |
US5221422A (en) * | 1988-06-06 | 1993-06-22 | Digital Equipment Corporation | Lithographic technique using laser scanning for fabrication of electronic components and the like |
JP2821598B2 (ja) * | 1988-08-23 | 1998-11-05 | ソニー株式会社 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JPH02121350A (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 多層配線の形成方法 |
GB2229033A (en) * | 1989-01-18 | 1990-09-12 | Gen Electric Co Plc | Field emission devices |
US4894115A (en) * | 1989-02-14 | 1990-01-16 | General Electric Company | Laser beam scanning method for forming via holes in polymer materials |
GB2228822A (en) * | 1989-03-01 | 1990-09-05 | Gen Electric Co Plc | Electronic devices. |
JP2532970B2 (ja) * | 1990-05-11 | 1996-09-11 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 有孔金属板を隔壁に用いたプラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
JPH03147226A (ja) * | 1989-11-01 | 1991-06-24 | Canon Inc | 電界効果型電子放出素子及びその製造方法 |
JP2987372B2 (ja) * | 1990-07-04 | 1999-12-06 | 工業技術院長 | 電子放出素子 |
-
1992
- 1992-04-14 US US07/869,348 patent/US5232549A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-04-13 JP JP5108742A patent/JP2653621B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-04-13 DE DE4312049A patent/DE4312049C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3755704A (en) * | 1970-02-06 | 1973-08-28 | Stanford Research Inst | Field emission cathode structures and devices utilizing such structures |
US3812559A (en) * | 1970-07-13 | 1974-05-28 | Stanford Research Inst | Methods of producing field ionizer and field emission cathode structures |
US3665241A (en) * | 1970-07-13 | 1972-05-23 | Stanford Research Inst | Field ionizer and field emission cathode structures and methods of production |
US3875442A (en) * | 1972-06-02 | 1975-04-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Display panel |
US4091305A (en) * | 1976-01-08 | 1978-05-23 | International Business Machines Corporation | Gas panel spacer technology |
US4183125A (en) * | 1976-10-06 | 1980-01-15 | Zenith Radio Corporation | Method of making an insulator-support for luminescent display panels and the like |
US4422731A (en) * | 1980-05-08 | 1983-12-27 | Societe Industrielle des Nouvelles Techniques Radioelectriques Societe Anonyme dite | Display unit with half-stud, spacer, connection layer and method of manufacturing |
US4292092A (en) * | 1980-06-02 | 1981-09-29 | Rca Corporation | Laser processing technique for fabricating series-connected and tandem junction series-connected solar cells into a solar battery |
US4451759A (en) * | 1980-09-29 | 1984-05-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Flat viewing screen with spacers between support plates and method of producing same |
US4789840A (en) * | 1986-04-16 | 1988-12-06 | Hewlett-Packard Company | Integrated capacitance structures in microwave finline devices |
US4892592A (en) * | 1987-03-26 | 1990-01-09 | Solarex Corporation | Thin film semiconductor solar cell array and method of making |
US4874981A (en) * | 1988-05-10 | 1989-10-17 | Sri International | Automatically focusing field emission electrode |
US4923421A (en) * | 1988-07-06 | 1990-05-08 | Innovative Display Development Partners | Method for providing polyimide spacers in a field emission panel display |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2653621B2 (ja) | 1997-09-17 |
JPH0660804A (ja) | 1994-03-04 |
US5232549A (en) | 1993-08-03 |
DE4312049A1 (de) | 1993-10-28 |
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