DE4242408C2 - Verfahren zum Verbinden eines Schaltkreissubstrates mit einem Halbleiterteil - Google Patents

Verfahren zum Verbinden eines Schaltkreissubstrates mit einem Halbleiterteil

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Toshio Kato
Yoko Gofuku
Fumio Matsukawa
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
In den letzten Jahren wird ein Face-down-Lötverfahren allgemein als Verbindungsverfahren für Schaltkreis­ substrate verwendet, beispielsweise als Verfahren zum Befestigen eines Flüssigkristalltreiber-IC mit einer Flüssigkristallanzeigeplatte. Nach diesem Verfahren ist es nötig, das Lot auf eine Temperatur über dem Schmelzpunkt zu erhitzen. Daher besteht die Gefahr, daß die Flüssigkristall-Anzeigeplatte durch die Hitze in ihren Eigenschaften verschlechtert wird. Ein neues Verfahren wurde vorgeschlagen, um ein Flüssigkri­ stalltreiber-IC mit der Flüssigkristallplatte zu ver­ binden, ohne das Löten zu verwenden. Ein solches Ver­ fahren wurde in der japanischen Offenlegungsschrift 63-55 527 beschrieben.
Fig. 5 ist eine Querschnittsansicht eines Verbindungs­ bereiches der Flüssigkristallvorrichtung, in der die Halbleiterteile durch das Verfahren nach dem Stand der Technik verbunden sind. In der Figur be­ zeichnen die Bezugszeichen 1 eine Flüssigkristallan­ zeigeplatte, die ein transparentes Substrat, wie Glas umfaßt, 2 eine auf der Flüssigkristallanzeigeplatte 1 ausgebildete Elektrode, 3 leitende Makroteilchen, die durch ein Metall, wie Nickel oder Gold auf die Ober­ fläche eines Harzbereiches, zum Beispiel Micropearl (Warenzeichen der Sekisui Fine Chemical Corparation) plattiert sind, 4 ein Halbleiterteil, wie ein Flüs­ sigkristalltreiber-IC, das auf dem Substrat montiert ist, wobei eine Elektrode 5 elektrisch mit der obigen Elektrode 2 der die leitenden Teilchen 3 verbunden ist, 6 eine Haftschicht, die den Flüssigkristalltrei­ ber-IC 4 mit der Flüssigkristallanzeigeplatte 1 ver­ bindet und die aus bei UV aushärtendem Harz besteht.
Das Befestigungsverfahren der Flüssigkristallanzeige­ platte 1 und des Flüssigkristalltreiber-IC 4 der oben erwähnten Flüssigkristallanzeigevorrichtung wird nun beschrieben. Zuerst wird eine gewünschte Menge der leitenden Teilchen mit einer Sprühpistole auf die Oberfläche der Flüssigkristallanzeigeplatte mit einer darauf angeordneten Elektrode aufgesprüht. Die Menge der leitenden Teilchen wird so ausgewählt, daß die Elektroden 2 elektrisch mit der Elektrode 5 auf den Halbleiterteilen 4 verbindbar sind, aber die Elektro­ den 2 auf der Flüssigkristallanzeigeplatte nicht kurzgeschlossen werden. Dann wird bei UV aushärtendes Harz auf die Fläche des Flüssigkristalltreiber-IC 4 mit der Elektrode 5 aufgebracht. Die Elektrode 2 und die Elektrode 5 werden in eine sich einander gegen­ überliegende Stellung gebracht und zusammengedrückt, damit sie aneinanderhaften bleiben. Dann wird von der Rückseite der Flüssigkristallanzeigeplatte 1 eine UV- Strahlung auf die Haftfläche gestrahlt, so daß das bei UV aushärtende Harz, das die Haftschicht bildet, ausgehärtet wird und die Halbleiterteile 4 an der Flüssigkristallanzeigeplatte 1 anhaften.
Es gibt ein anderes Verfahren zum Verbinden einer Flüssigkristallanzeigeplatte mit einem Schaltkreis­ substrat, das Glas aufweist, auf dem Flüssigkristall­ treiber-IC befestigt sind. Als Beispiel wird das COG- Stickverfahren angegeben, das in dem technischen Journal des Micro Technical Laboratory beschrieben ist. In dieses Verfahren wird die Verbindung durch ein anisotropes Haftmittel ausgeführt, bei dem lei­ tende Teilchen auf einem isolierten Harz verteilt sind, ebenso wie bei dem obigen Verfahren zum Verbin­ den des Flüssigkristalltreiber-IC. Das heißt, in die­ sem Verfahren wird das anisotrope Haftmittel auf den Bildelementanschluß der Flüssigkristallanzeigeplatte unter Verwendung einer Drucktechnik aufgebracht, dann werden der Bildanschluß der Flüssigkristallanzeige­ platte und der Verbindungsanschluß des Schaltkreis­ substrats durch Ausrichtung beider Anschlüsse in Übereinstimmung gebracht, das anisotrope Haftmittel wird durch Heizen und gleichzeitiges Drücken auf die Rückseite des Schaltkreissubstrats ausgehärtet.
Bei dem Schaltkreissubstrat-Verbindungsverfahren nach dem Stand der Technik kommt es manchmal vor, daß die leitenden Teilchen 3 zu einem bestimmten Teil auf der Flüssigkristallanzeigeplatte hinwandern. Daher tritt die Gefahr auf, daß die Elektroden 2 auf der Flüssigkristallanzeigeplatte durch die leitenden Teilchen 3 untereinander kurzgeschlossen werden.
Aus der EP 0 413 335 A2 ist ein Verfahren zum gegenseitigen Kontaktieren von auf einem Substrat aufgebrachten Elektroden nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 bekannt, bei dem eine Paste, die aus einer Mischung aus elektrisch leitenden Partikeln und einem elektrisch leitenden Harz besteht, auf die Elektroden einer Halbleitervorrichtung bzw. auf die Elektroden eines Schaltungssubstrates, die nicht von einer Isolierschicht abgedeckt werden, aufgebracht wird. Bei dem Zusammendrücken des Schaltungssubstrates und der Halbleitervorrichtung, bei dem das elektrisch leitende Harz dazu dient, den Abstand zwischen den Elektroden zu halten und die elektrische Verbindung zwischen ihnen zu fördern, wird das leitende Harz ausgehärtet. Mit einem in die Zwischenräume zwischen Substrat mit der Halbleitervorrichtung eingebrachten Kleber werden beide Teile dauerhaft verklebt.
Dieses Verfahren verlangt zu seiner Realisierung eine Mehrzahl von Schritten, so daß es relativ aufwendig ist.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Verbinden von Schaltkreissubstraten mit Halbleiterteilen zu schaffen, das einfach in der Durchführung ist und das eine sichere Verbindung ohne Kurzschlüsse zwischen den Elektroden auf dem Substrat gewährleistet.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale des Hauptanspruchs gelöst. Entsprechend der vorliegenden Erfindung umfaßt das Verfahren zum Verbinden von Schaltkreissubstraten die Schritte des Aufbringens von leitende Teilchen enthaltenden fotosensitivem Harz ganzflächig auf ein eine Elektrode aufweisendes Schaltkreissubstrat, des selektiven Belichtens des fotosensitiven Harzes mit einer den Verbindungsbereich des Schaltkreissubstrats wiedergebenden Maske und Entfernens des fotosensitiven Harzes überall außer an den Elektroden, des Verklebens der Halbleiterteile oder des Nebenschaltkreissubstrates mit dem Schaltkreissubstrat, indem die Elektrode auf dem Halbleiterteil über die leitenden Teilchen mit der Elektrode auf dem Schaltkreissubstrat kontaktiert wird.
Durch die in den Unteransprüchen angegebenen Maßnah­ men sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesse­ rungen möglich.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeich­ nung dargestellt und werden in der nachfolgenden Be­ schreibung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1(a) bis 1(e) Querschnittsansichten, die das Verfahren zum Verbinden von Halb­ leitersubstraten nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung erläutern,
Fig. 2(a) und 2(b) Querschnittsansichten, die das Verfahren zum Verbinden von Schaltkreissubstraten nach einem anderen Ausführungsbeispiel er­ läutern,
Fig. 3(a) bis 3(e) Querschnittsansichten, die das Verfahren zum Verbinden von Schaltkreissubstraten nach einem anderen Ausführungsbeispiel er­ läutern,
Fig. 4 eine Querschnittsansicht, die das Verfahren zum Verbinden von Schaltkreissubstraten nach einem anderen Ausführungsbeispiel er­ läutert,
Fig. 5 eine Querschnittsansicht, die das Verfahren zum Verbinden von Halb­ leitersubstraten nach dem Stand der Technik erläutert.
Ausführungsbeispiel 1
Ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist unter Verwendung von Fig. 1 beschrieben. Fig. 1 ist eine Darstellung des Herstellungsprozesses und zeigt ein Anschlußverfahren des Schaltkreissubstrats nach einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er­ findung, wobei Schnittansichten für den Anschluß- bzw. Verbindungsbereich einer Flüssigkristallanzeige­ vorrichtung dargestellt sind. In der Figur sind mit 7 ein fotosensitiver Harz des positiven Typs, der viele leitende Teilchen 3 einschließt, 8 eine Belichtungs­ vorrichtung zum Belichten des fotosensitiven Harzes 7 und 9 eine Ultraviolett-Strahlungsvorrichtung zum Härten von durch Ultraviolettstrahlung aushärtendem Harz bezeichnet.
Wie in Fig. 1(a) gezeigt wird, wird das fotosensitive Harz einschließlich der leitenden Teilchen 3 auf die Oberfläche des Befestigungsbereichs der Flüssigkri­ stallanzeigeplatte 1 mit einer Dicke von ungefähr einigen µm unter Verwendung eines Spinbeschichtungsv­ erfahrens oder eines Druckverfahrens aufgebracht. Dann wird die Flüssigkristallanzeigeplatte 1 auf un­ gefähr 90°C aufgeheizt und das fotosensitive Harz 7 des positiven Typs wird vorgebrannt.
In Fig. 1(b) wird das fotosensitive Harz 7 des Befe­ stigungsbereichs der Flüssigkristallanzeigeplatte 1 von der Rückseite her durch die Belichtungsvorrich­ tung 8 belichtet. Da ein Verdrahtungsmuster, wie die Elektrode der Flüssigkristallanzeigeplatte 1 aus ei­ nem Material, wie Aluminium besteht, das das Licht abschattet, wirkt es als Maske.
Fig. 1(c) zeigt die leitenden Teilchen 3 auf den Elektroden 2 durch Entwickeln nach dem obigen Belich­ tungsvorgang.
In Fig. 1(d) wird ein bei ultraviolett aushärtendes Harz 6 auf einen Bereich der Flüssigkristallanzeige­ platte 1 aufgebracht und ein Flüssigkristall-Treiber- IC 4 wird ausgerichtet und auf die Flüssigkristall­ anzeigeplatte 1 aufgepreßt. Zu diesem Zeitpunkt wird das fotosensitive Harz 7, das um die leitenden Teil­ chen herum ausgefüllt ist, von den Elektrodenberei­ chen weggepreßt. Als Ergebnis stehen die Elektroden 2 der Flüssigkristallanzeigeplatte 1 und die Elektroden des Flüssigkristall-Treiber-IC 4 über die leitenden Teilchen 3 miteinander in elektrischem Kontakt.
In Fig. 1(e) wird von der Rückseite der Flüssigkri­ stallanzeigeplatte 1 ultraviolette Strahlung von der UV-Strahlungsquelle 9 aufgebracht, so daß das Harz 6 durch die UV-Strahlung ausgehärtet wird und der Flüs­ sigkristalltreiber IC 4 ist auf der Flüssigkristall­ anzeigeplatte 1 befestigt.
Da die leitenden Teilchen 3 von den Bereichen zwi­ schen den Elektroden auf der Flüssigkristallanzeige­ platte 1 entfernt wurden, tritt kein Kurzschluß zwi­ schen den Elektroden 2 auf. Da das die leitenden Teilchen 3 einschließende fotosensitive Harz 7 mit einer gleichmäßigen Dicke durch das Spinbeschicht­ ungsverfahren oder Druckverfahren aufgebracht wurde, sind die leitenden Teilchen 3 gleichmäßig auf der gesamten Fläche der Flüssigkristallanzeigeplatte 1 verteilt, so daß es keine Stelle gibt, an der keine gute Leitfähigkeit aufgrund des Fehlens von leitenden Teilchen 3 auf den Elektroden 2 vorhanden ist. Auch treten keine Bereiche auf, an denen die Elektroden 2 der Flüssigkristallanzeigeplatte 1 und die Elektroden 5 des Halbleiterteils 4 aufgrund von unterschiedli­ chen Höhen der leitenden Teilchen 3 sich nicht kon­ taktieren würden. Da weiterhin durch die Verwendung des fotolithographischen Verfahrens die leitenden Teilchen 3 selektiv nur auf den Elektroden der Flüs­ sigkristallanzeigeplatten 1 an genauen Stellen ange­ ordnet werden können, kann auch eine Flüssigkristall­ anzeigeplatte 1 mit engem Schaltungsmuster und vielen Anschlüssen leicht mit dem Flüssigkristall-Treiber-IC 4 verbunden werden.
In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel kann die An­ zahl der leitenden Teilchen 3 auf der Elektrode 2 leicht durch Drehzahl bei der Spinbeschichtung und durch die Anzahl der in das fotosensitive Harz ge­ mischten leitenden Teilchen 3 gesteuert werden. Da die Flüssigkristallanzeigeplatte 1 aus dem transpa­ renten Substrat besteht, können Verdrahtungsmuster der Elektroden 2 am Befestigungsbereich der Flüssig­ kristallanzeigeplatte 1 als Belichtungsmaske verwen­ det werden. Daher besteht keine Notwendigkeit, weite­ re Masken für die Belichtung des fotosensitiven Har­ zes herzustellen. Da keine Masken bei dem Belich­ tungsvorgang notwendig sind, muß auch keine Ausrich­ tung zwischen der Maske und der Flüssigkristallanzei­ geplatte 1 durchgeführt werden. Dadurch werden die Kosten erheblich gesenkt.
Da in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel bei Ultra­ violettstrahlung aushärtendes Harz 6 für die Befesti­ gung der Flüssigkristallanzeigeplatte 1 mit dem Flüs­ sigkristalltreiber-IC verwendet wird, kann eine Auf­ heizung der Flüssigkristallanzeigeplatte 1 auf hohe Temperaturen vermieden werden. Daher verschlechtert sich die Flüssigkristallanzeigeplatte 1 nicht und die Zuverlässigkeit der Flüssigkristallanzeigevorrichtung kann verbessert werden.
Da weiterhin die Elektrode 2 der Flüssigkristallan­ zeigeplatte 1 und die Elektrode 5 auf dem Flüssigkri­ stalltreiber-IC 4 über die leitenden Teilchen 3 mit­ einander verbunden werden, ist es nicht notwendig, eine extrudierte Elektrode auf der Elektrode 5 des Flüssigkristalltreiber-IC 4 beispielsweise durch Lö­ ten zu bilden. Daher können die Herstellungskosten des Flüssigkristalltreiber-IC 4 verringert werden. Selbstverständlich kann die vorliegende Erfindung für alle Flüssigkristalltreiber IC 4 unabhängig von dem Vorhandensein der extrudierten Elektrode verwendet werden.
Da bei der vorliegenden oben beschriebenen Flüssig­ kristallanzeigeplatte die Elektrode 2 der Flüssigkri­ stallanzeigeplatte 1 und die Elektrode 5 des Flüssig­ kristalltreiber-IC 4 über leitende Teilchen 3 verbun­ den sind, kann der Flüssigkristalltreiber-IC in Quer­ richtung verschoben werden, wenn thermische oder me­ chanische Beanspruchungen auf die Flüssigkristallan­ zeigeplatte 1 oder das Flüssigkristalltreiber-IC 4 auftreten. Daher kann ein Ausfall des Verbindungsbe­ reiches vermieden werden.
Wie in Fig. 2(a) gezeigt wird, wird das bei UV aus­ härtende Harz 6 auf alle Befestigungsflächen des Flüssigkristalltreiber-IC 4 und der Flüssigkristall­ anzeigeplatte 1 aufgebracht, so daß es auch die Elek­ trode bedeckt. Wie in Fig. 2(b) gezeigt wird, wird das bei UV aushärtende Harz 6 sorgfältig in den Raum zwischen der Flüssigkristallanzeigeplatte 1 und dem Flüssigkristalltreiber-IC 4 gefüllt und dient als Schutzform für den Flüssigkristalltreiber-IC 4. Daher kann der Harzformprozeß zum Schützen des Flüssigkri­ stalltreiber-IC 4 eliminiert werden. Somit kann die Rentabilität der Flüssigkristallanzeigeplatte verbes­ sert werden und eine große Zuverlässigkeit des Harz­ formgebildes kann erzielt werden.
Ausführungsbeispiel 2
In Fig. 3 ist ein anderes Ausführungsbeispiel der Erfindung dargestellt. Die Flüssigkristallanzeige­ platte 1 besteht aus einem transparenten Substrat, wie Keramik 6 ist eine Haftschicht aus bei Hitze aushärtendem Harz, 10 ist eine Maske, die ein Muster 11 aus Schutzmate­ rial aufweist, das dem Verbindungsbereich auf der Flüssigkristallanzeigeplatte entspricht.
Die folgende Beschreibung erläutert das Befestigungs­ verfahren eines Halbleiterteils auf der Flüssigkri­ stallanzeigeplatte 1, die aus dem oben beschriebenen transparenten Substrat besteht. Wie bei Fig. 3(a) gezeigt wird, wird das positive fotosensitive Harz einschließlich der leitenden Teilchen 3 auf die Ober­ fläche der Flüssigkristallanzeigeplatte 1 in einer Dicke von einigen µm unter Verwendung eines Spinbes­ chichtungsverfahrens oder dergleichen, wie im Ausfüh­ rungsbeispiel 1 beschrieben, aufgebracht. Dann wird die Flüssigkristallanzeigeplatte auf ungefähr 90°C und das positive fotosensitive Harz 7 wird vorge­ brannt.
In Fig. 3(b) wird die obere Fläche der Flüssigkri­ stallanzeigeplatte 1 mit der Maske 10 ausgerichtet und das positive fotosensitive Harz 7 des Befesti­ gungsbereichs der Flüssigkristallanzeigeplatte 1 wird von der Oberseite der Maske 10 her durch eine Belich­ tungsvorrichtung 8 belichtet.
Entsprechend Fig. 3(c) wird das fotosensitive Harz entwickelt und die leitenden Teilchen 3 verbleiben allein auf der Elektrode 2 der Flüssigkristallanzeigeplatte 1.
In Fig. 3(d) wird das bei wärmeaushärtende Harz 6 auf einen Befestigungsbereich für den Flüssigkristall­ treiber-IC 4 auf die Flüssigkristallanzeigeplatte 1 aufgebracht und das Flüssigkristalltreiber-IC 4 wird ausgerichtet und auf die Flüssigkristallanzeigeplatte 1 gepreßt.
In Fig. 3(e) wird das bei wärmeaushärtende Harz 6 ausgehärtet, indem die Platte eine Stunde lang einer Atmosphäre von 120° ausgesetzt wird und dann ist der Flüssigkristalltreiber-IC 4 fest auf der Flüssig­ kristallanzeigeplatte 1 befestigt.
Da in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel 2 im Ge­ gensatz zu dem Ausführungsbeispiel 1 das die Flüssig­ kristallanzeigeplatte 1 bildende Substrat nicht mit Licht durchstrahlt wird, kann das fotosensitive Harz zwischen den Elektroden 2 durch die Belichtung durch die Maske 10 von der Oberseite her entfernt werden. Dann können die leitenden Teilchen 3 alleine auf den Elektroden 2 vorgesehen werden. Daher kann das vor­ liegende Ausführungsbeispiel 2 für eine Flüssigkri­ stallanzeigevorrichtung verwendet werden, die Elek­ troden 2 mit kleinem Abstand wie im Ausführungsbei­ spiel 1 aufweist.
In dem Ausführungsbeispiel 2 wird ein positives pho­ tosensitives Harz 7 verwendet, aber es kann auch ein negatives fotosensitives Harz verwendet werden, wobei dann anstelle der Maske 10 eine umgekehrte Maske vor­ gesehen wird.
Ausführungsbeispiel 3
In den obigen Ausführungsbeispielen wird ein Halblei­ terteil, wie ein Flüssigkristalltreiber-IC 4 mit ei­ nem Hauptschaltkreissubstrat wie einer Flüssigkri­ stallanzeigeplatte 1 verbunden. Selbstverständlich kann die Erfindung auch für ein Nebenschaltkreissub­ strat, wie ein Glassubstrat oder ein Schichtträger­ substrat angewandt werden, auf denen elektrische Tei­ le, wie ein IC-Chip angeordnet sind und die mit einem Hauptschaltkreissubstrat verbunden werden. Auch kann die Erfindung für die Verbindung sowohl der Halblei­ terteils als auch des Nebenschaltkreissubstrats mit dem Hauptschaltkreissubstrat verwendet werden. Fig. 4 ist eine Querschnittsansicht, die den Fall einer Ver­ bindung eines Nebenschaltkreissubstrats 14 mit der Flüssigkristallanzeigeplatte 1 zeigt. Das Verbin­ dungsverfahren ist das gleiche wie dasjenige, das in Fig. 2 verwendet wurde.
In den obigen Ausführungsbeispielen wird nur die Flüssigkristallanzeigeplatte beschrieben, selbstverständlich kann die Erfindung für Halbleiterteile oder Nebenschaltkreissubstrate angewandt werden, die mit einem Kontaktbildsensor oder einem Wärmekopf verbunden werden.

Claims (10)

1. Verfahren zum Verbinden eines Schaltkreissubstra­ tes mit mindestens einer darauf angebrachten Elektrode und eines mit mindestens einer Elektrode versehenen Halbleiterteils durch Verkleben des Halbleiterteils mit dem Schaltkreissubstrat und Kontaktieren der mindestens einen Elektrode auf dem Halbleiterteil mit der mindestens einen Elektrode auf dem Schaltkreissubstrat über leitende Teilchen, gekennzeichnet durch
ganzflächiges Auftragen eines fotosensitiven Harzes, das die leitenden Teilchen enthält, auf das mit der mindestens einen Elektrode versehene Schaltkreissubstrat,
selektives Belichten des fotosensitiven Harzes mit einer den Verbindungsbereich des Schaltkreissubstrats wiedergebenden Maske und Entfernen desselben außer an der mindestens einen Elektrode,
anschließendes Durchführen des Verklebungsschrittes.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das fotosensitive Harz ein positives fotosensitives Harz ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das fotosensitive Harz ein negatives fotosensitives Harz ist.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da­ durch gekennzeichnet, daß das fotosensitive Harz durch das als Flüssigkristallanzeigeplatte aus­ gebildete Schaltkreissubstrat hindurch von dessen Unterseite her belichtet wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da­ durch gekennzeichnet, daß das fotosensitive Harz durch eine Maske von der Oberseite her belichtet wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, da­ durch gekennzeichnet, daß das Halbleiterteil aus einem Nebenschaltkreissubstrat aus einem Glas­ substrat, auf das elektrische Teile, wie ein IC- Chip aufgebracht sind, besteht.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, da­ durch gekennzeichnet, daß das Halbleiterteil aus einem aus einem Filmträgersubstrat gebildeten Nebenschaltkreissubstrat, auf das elektrische Teile wie ein IC-Chip angeordnet sind, besteht.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, da­ durch gekennzeichnet, daß das Halbleiterteil sowohl aus einem Halbleiterteil als auch aus einem Nebenschaltkreissubstrat besteht.
9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß das Verkleben mittels eines bei UV aus­ härtenden Harzes durchgeführt wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, da­ durch gekennzeichnet, daß das Verkleben mittels eines wärmeaushärtenden Harzes durchgeführt wird.
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