DE4237587A1 - - Google Patents
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- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/147—Silicides
Description
Diese Erfindung betrifft allgemein Kontakttechnolo
gie bei der Halbleiterwafer-Verarbeitung, und ins
besondere das Schaffen von Silicidschichten in
Kontaktöffnungen zum Verringern des Kontaktwider
stands.
Bei der Verarbeitung von integrierten Schaltungen
muß ein Kontakt hergestellt werden zu isolierten,
innerhalb eines Wafers/Substrats ausgebildeten
aktiven Vorrichtungsbereichen. Die aktiven Vorrich
tungsbereiche sind mittels elektrisch hochgradig
leitfähiger Wege oder Leitungen verbunden, die über
einem Isolatormaterial, das die Substratoberfläche
bedeckt, angefertigt sind. Um eine elektrische
Verbindung zwischen dem leitfähigen Weg und den
aktiven Vorrichtungsbereichen zu schaffen, ist in
dem Isolator eine Öffnung vorgesehen, um es dem
leitfähigen Film zu ermöglichen, die gewünschten
Bereiche zu berühren. Solche Öffnungen werden
typischerweise als Kontaktöffnungen oder einfach
als "Kontakte" bezeichnet.
Als sich die Abmessungen aktiver Bereiche bei
Transistoren einem Mikrometer im Durchmesser näher
ten, führten übliche Verfahrensparameter zu untole
rierbar gesteigertem Widerstand zwischen dem akti
ven Bereich oder der aktiven Fläche und der leit
fähigen Schicht. Ein hauptsächlicher Weg, derarti
gen Kontaktwiderstand zu verringern, ist die
Bildung eines Metallsilicids über dem aktiven Be
reich vor der Aufbringung des leitfähigen Films zur
Bildung des leitfähigen Streifens. Ein übliches,
gebildetes Metallsilicidmaterial ist TiSix, in dem
x vorherrschend "2" ist. Das TiSix-Material wird
bereitgestellt, indem man zuerst eine dünne Schicht
aus Titan auf den Wafer aufbringt, die mit den
aktiven Bereichen innerhalb der Kontaktöffnungen in
Berührung steht. Danach wird der Wafer einer Wärme
behandlung bei hoher Temperatur unterworfen. Das
veranlaßt das Titan, mit dem Silicium der aktiven
Bereiche zu reagieren, wodurch das TiSix gebildet
wird. Ein derartiges Verfahren wird als selbst
ausrichtend bezeichnet, da das TiSix nur dort ge
bildet wird, wo das Titanmetall mit den aktiven
Siliciumbereichen in Berührung steht. Überall sonst
liegt der aufgebrachte Titanfilm unter einer iso
lierenden und im wesentlichen nicht-reaktiven SiO2-
Schicht.
Etwas derartiges ist in Fig. 2 veranschaulicht.
Gezeigt ist ein Halbleiterwafer 10, der einen
Substratkörper 12 mit einem darin abgebildeten
aktiven Bereich 14 aufweist. Eine darüberliegende
Schicht 16 aus isolierendem Material, vorherrschend
SiO2 in Form von BPSG, wurde oben auf dem Substrat
12 vorgesehen und geeignet geätzt, um eine Kontakt
öffnung 18 zum aktiven Bereich 14 auszubilden. Eine
dünne Schicht 20 aus Titan ist über der isolieren
den Schicht 16 aufgebracht und steht mit dem akti
ven Bereich 14 in Berührung. Der Hochtemperatur-
Wärmebehandlungsschritt wird in einer inerten Um
gebung wie Argon durchgeführt, um Titanmetall, das
den aktiven Bereich 14 berührt, zu TiSix reagieren
zu lassen, wodurch der veranschaulichte TiSix-Be
reich 22 ausgebildet wird. Der verbleibende Bereich
der Schicht 20, der den Bereich 14 nicht berührt,
ist im wesentlichen nicht reaktiv mit seiner darun
terliegenden isolierenden SiO2-Schicht 16 und ver
bleibt dadurch als elementares Titanmetal.
Ein Kontaktfüllmetall wie Wolfram wird typischer
weise oben auf den Silicidbereich 22 aufgebracht.
Wolfram haftet schlecht an TiSix. Um dieses Problem
zu überwinden, wird zwischen dem Silicidbereich 22
und einer darüberliegenden Wolframschicht eine ver
mittelnde Schicht, typischerweise aus TiN, ange
ordnet. TiN wird üblicherweise als eine "Klebe
schicht" für die metallische Wolframschicht be
zeichnet. Eine solche kann geschaffen werden, indem
man den Wafer 10 mit der Titanschicht 20 in einer
Atmosphäre wärmebehandelt, die vorherrschend Stick
stoff ist. Unter solchen Bedingungen wird der
untere Bereich der Schicht 20, der über dem aktiven
Bereich 14 liegt, mit dem Silicium unter Bildung
des TiSix reagieren, während der obere Bereich der
Schicht 20 des Titans über dem Kontaktbereich 14,
und der verbleibende Bereich der Schicht 20 über
dem isolierenden Material 16 mit dem Stickstoff der
Atmosphäre unter Bildung von TiN reagiert.
Von diesem Punkt an wird das vorherrschende leitfä
hige Material des zu bildenden Streifens aufge
bracht. Der Silicidbereich 22, der gebildet wird,
ist hochgradig leitfähig und schafft weniger elek
trischen Widerstand zwischen dem Streifen und dem
aktiven Bereich 14, als wenn der Silicidbereich 22
nicht vorhanden wäre. Die Bildung solcher Silicide,
und insbesondere Titansilicid, sind beschrieben in
Wolf et al., "Silicon Processing For The VLSI Era,
Vol. 2 - Process Integration," Seiten 143-150.
Da die Vorrichtungsabmessungen weiterhin schrumpfen
und die Kontaktöffnungen tiefer und schmäler wer
den, werden die Kontaktwände vertikal, und den
meisten der Metallabscheidungstechniken gelingt es
nicht, die nötige Stufenbedeckung zu schaffen, um
angemessenen Kontakt mit dem aktiven Bereich 14 zu
erzeugen. Derartiges ist in Fig. 3 veranschaulicht.
Dort ist der aktive Bereich 14a des Substrats 12a
erheblich kleiner gezeigt als der aktive Bereich 14
in Fig. 2. Dementsprechend wird der aktive Bereich
14 mit einer erheblich schmaleren Kontaktöffnung
18a versehen, wodurch die Schaltungsdichte maxi
miert wird. Wie offensichtlich ist, ist das Ver
hältnis der Tiefe der Kontaktöffnung 18a relativ zu
ihrer Weite größer als das Verhältnis von Tiefe zu
Weite der Kontaktöffnung 18 in Fig. 2. Solch enge
Kontaktöffnungen 18a mit hohem Längenverhältnis
können dazu führen, daß die Schicht 20a, wie ge
zeigt, versagt, einen nennenswerten Kontakt mit dem
Bereich 14a herzustellen. Dementsprechend werden
das gewünschte TiSix und der elektrische Kontakt
nicht gebildet.
Es wäre wünschenswert, diese Nachteile des Standes
der Technik zu überwinden und einen positiven
TiSix-Bereich auf den aktiven Bereichen 14 und 14a
zu schaffen.
Diese Aufgabe wird gelöst durch das chemische
Dampfabscheidungsverfahren gemäß den Ansprüchen 1
und 24. Bevorzugte Weiterbildungen der Erfindung
sind in den jeweiligen Unteransprüchen angegeben.
Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind
nachstehend beschrieben unter Bezugnahme auf die
folgenden begleitenden Zeichnungen.
In den Zeichnungen ist
Fig. 1 eine graphische Schnittansicht eines Halb
leiterwafers, der gemäß vorliegender Erfindung
bearbeitet ist,
Fig. 2 ein graphischer Querschnitt eines Wafers
nach dem Stand der Technik und wie oben beim Stand
der Technik diskutiert;
Fig. 3 ein graphischer Querschnitt eines anderen
Wafers nach dem Stand der Technik und wie oben beim
Stand der Technik diskutiert.
Gemäß vorliegender Erfindung wird ein chemisches
Dampfabscheidungs-Verfahren (CVD) offenbart zur
Schaffung einer gleichförmigen Schicht aus TiSix
auf einem Halbleiterwafer in einem chemischen
Dampfabscheidungs-Reaktor. Das Verfahren weist auf
a) Anordnen eines Wafers in dem CVD-Reaktor (Reak
tor zur chemischen Dampfabscheidung); b) Einführen
bzw. Einspritzen ausgewählter Mengen eines gas
förmigen metallorganischen Titan-Vorläufers, gas
förmigen Silans (SiH4) und eines Trägergases in den
Reaktor; und c) Halten des Reaktors bei einem aus
gewählten Druck und einer ausgewählten Temperatur,
die wirksam sind, um den Vorläufer und das Silan
zur Reaktion zu bringen, um einen Film auf dem
Wafer abzuscheiden, wobei der abgeschiedene Film
TiSix aufweist.
Der bevorzugte metallorganische Titanvorläufer
besteht im wesentlichen aus Ti(NR2)4, wobei R aus
gewählt ist aus der Gruppe, die besteht aus H und
einem Kohlenstoff enthaltenden Radikal. Beispiele
beinhalten Ti(N(CH3)2)4 und Ti(N(C2H5)2)4.
Ti(N(CH3)2)4, allgemein bezeichnet als TMAT, was
die Abkürzung ist für Titantetradimethylamid, wird
als der am meisten bevorzugte metallorganische
Titanvorläufer verstanden.
Ti(NR2)4 ist ein Beispiel eines metallorganischen
Vorläufers, wo Titan an N gebunden ist. Unter sol
chen Bedingungen wird etwas von dem Vorläufer in
eine Form von Titannitrid umgewandelt werden, was
dazu führt, daß der abgeschiedene Film eine im
wesentlichen homogene Mischung aus Titannitrid- und
TiSi2-Phasen ist. Es wird unter solchen Umständen
erwartet, daß der abgeschiedene Film etwa 80%
TiSix und 20% des Titannitrids aufweisen wird. Ein
solcher Film schafft einen weiteren deutlichen
Vorteil, indem er sowohl den Kontaktwiderstand
verringert als auch gute Diffusionssperreigenschaf
ten erhält, da Titannitrid ein bekanntes Diffu
sionssperrmaterial ist. Dementsprechend wird erwar
tet, daß eine getrennte Sperrschicht nicht ge
braucht werden wird und dementsprechend werden Zeit
und Materialien gespart.
Die Reaktion wird wie folgt gezeigt:
Ti(NR2)4+SiH4 TiSix+TiSiyN1-y + organische Nebenprodukte
wo x vorherrschend 2, und y 0 bis 1 ist. Die organischen Nebenprodukte werden im wesentlichen mit dem Träger und nicht abreagierten Gasen ent leert, und es wird nicht erwartet, daß sie einen nennenswerten Teil des abgeschiedenen Films bilden.
Ti(NR2)4+SiH4 TiSix+TiSiyN1-y + organische Nebenprodukte
wo x vorherrschend 2, und y 0 bis 1 ist. Die organischen Nebenprodukte werden im wesentlichen mit dem Träger und nicht abreagierten Gasen ent leert, und es wird nicht erwartet, daß sie einen nennenswerten Teil des abgeschiedenen Films bilden.
Die Mengen an Gasen, die in dem chemischen Dampf
abscheidungs-Reaktor eingespeist werden, sind be
vorzugt so ausgewählt, daß sie ein Volumenverhält
nis von metallorganischem Titanvorläufer zu Silan
von 1 : 300 bis 1 : 10 liefern, wobei etwa 1 : 80 am
meisten bevorzugt ist.
Ein Trägergasfluß ist vorgesehen zur Steuerung der
Gasverteilung über der Waferoberfläche, um eine
gute Gleichförmigkeit des über dem Wafer abgeschie
denen Films zu erhalten. Das bevorzugte Trägergas
ist ein Edelgas wie Helium oder Argon, wobei die
bevorzugte Flußgeschwindigkeit eines derartigen
Gases von etwa 50 Standard Kubikzentimeter pro
Minute (sccm) bis etwa 2000 sccm ist. Man glaubt,
daß die am meisten bevorzugte Flußgeschwindigkeit
etwa 150 sccm ist.
Der ausgewählte Druck ist bevorzugt etwa 150 mTorr
bis etwa 100 Torr, wobei 400 mTorr am meisten be
vorzugt ist. Solche Bedingungen werden im allgemei
nen als chemische Niederdruck-Dampfabscheidung
(LPCVD) bezeichnet. Die ausgewählte Temperatur ist
bevorzugt etwa 100°C bis etwa 500°C, wobei 400°C am
meisten bevorzugt ist.
Bei einem CVD-Reaktor von etwa 6 Litern ist die
bevorzugte Flußgeschwindigkeit für den metallorgani
schen Titanvorläufer etwa 2 sccm bis etwa 50 sccm,
mit einer bevorzugten Flußgeschwindigkeit des SiH4
von etwa 100 sccm bis etwa 2000 sccm. Am meisten
bevorzugt ist eine Flußgeschwindigkeit des metall
organischen Titanvorläufers von etwa 5 sccm und
eine SiH4-Flußgeschwindigkeit von etwa 400 sccm.
Die Helium- oder Argonflußgeschwindigkeit ist unter
solchen Bedingungen bevorzugt etwa 150 sccm, wobei
die Temperatur und der Druck bei etwa 400°C bzw.
etwa 400 mTorr gehalten werden. Unter derartigen
Bedingungen wird der gewünschte Film bei einer ge
schätzten Geschwindigkeit von etwa 50 Å bis etwa
100 Å pro Minute abgeschieden werden. Die bevorzug
te Dicke des abgeschiedenen Films ist etwa 200 Å
bis etwa 1000 Å.
Fig. 1 veranschaulicht einen erfindungsgemäß bear
beiteten Wafer 50. Zu dem Wafer 50 gehört ein Sub
stratkörper 52 mit einem darin ausgebildeten ak
tiven Bereich 54. Eine isolierende Schicht 56,
vorherrschend BPSG, wurde bereitgestellt und zur
Bildung einer Kontaktöffnung 58 geätzt. Durch die
oben beschriebene Verfahrensweise wird eine
Schicht 60 aus TiSix gleichförmig geschaffen und
stellt einen hervorragenden Kontakt mit dem Bereich
54 her. Wo der metallorganische Titanvorläufer an
N gebunden ist, wird der Bereich 60 auch eine Phase
vom TiN-Typ aufweisen.
An diesem Punkt mag es wünschenswert sein, den
abgeschiedenen TiSix-Film einer Wärmebehandlung zu
unterwerfen, um Silicium aus dem aktiven Bereich 54
in den Film zu inkorporieren und dadurch eine bes
sere Verbindung herzustellen und den Kontaktwider
stand weiter zu verringern. Eine bevorzugte Umge
bung für eine solche Wärmebehandlung würde im we
sentlichen aus einer Stickstoff enthaltenden Umge
bung bestehen, wie N2 oder NH3. Danach kann die
leitfähige Schicht aufgebracht und geätzt werden.
Claims (28)
1. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren zur
Schaffung einer gleichförmigen Schicht (60) aus
TiSix auf einem Halbleiterwafer (50) in einem che
mischen Dampfabscheidungs-Reaktor, folgende Schrit
te aufweisend:
Anordnen eines Wafers (50) innerhalb des Reaktors;
Einführen ausgewählter Mengen eines gasförmigen metallorganischen Vorläufers, gasförmigen Silans und eines Trägergases in den Reaktor; und
Halten des Reaktors bei einem ausgewählten Druck und einer ausgewählten Temperatur, die wirksam sind, den Vorläufer und das Silan zur Abscheidung eines Film auf dem Wafer (50) zur Reaktion zu bringen, wobei der Film TiSix enthält.
Anordnen eines Wafers (50) innerhalb des Reaktors;
Einführen ausgewählter Mengen eines gasförmigen metallorganischen Vorläufers, gasförmigen Silans und eines Trägergases in den Reaktor; und
Halten des Reaktors bei einem ausgewählten Druck und einer ausgewählten Temperatur, die wirksam sind, den Vorläufer und das Silan zur Abscheidung eines Film auf dem Wafer (50) zur Reaktion zu bringen, wobei der Film TiSix enthält.
2. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren
nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Mengen an Gasen
ausgewählt sind zur Schaffung eines Volumenver
hältnisses von metallorganischem Titanvorläufer zu
Silan von 1 : 300 bis 1 : 10.
3. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren
nach Anspruch 2, bei dem die Mengen an Gasen ausge
wählt sind zur Schaffung eines Volumenverhältnisses
von metallorganischem Titanvorläufer zu Silan von
etwa 1 : 80.
4. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren,
nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die aus
gewählte Temperatur etwa 100°C bis etwa 500°C, und
der ausgewählte Druck etwa 150 mTorr bis etwa 100
Torr ist.
5. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren
nach einem der Ansprüche 1-4, bei dem die ausge
wählte Temperatur etwa 400°C und der ausgewählte
Druck etwa 400 mTorr ist.
6. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren
nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem das Trä
gergas mindestens ein Edelgas enthält, wobei die
Menge an Trägergas etwa 50 sccm bis etwa 2000 sccm
beträgt.
7. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren
nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem
die Mengen an Gasen ausgewählt sind zur Schaffung
eines Volumenverhältnisses von metallorganischem
Titanvorläufer zu Silan von 1 : 300 bis 1 : 10, und das
Trägergas bei einer Flußgeschwindigkeit von etwa 50
sccm bis etwa 2000 sccm geliefert wird;
und die ausgewählte Temperatur etwa 100°C bis etwa
500°C beträgt und der ausgewählte Druck etwa 150
mTorr bis etwa 100 Torr beträgt.
8. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren
nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem die Gase
in dem Reaktor zur Abscheidung eines eine Mischung
aus TiSix und TiN aufweisenden Films auf dem Wafer
(50) zur Reaktion gebracht werden.
9. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren
nach einem der Ansprüche 1 bis 8, das weiterhin den
Schritt des Wärmebehandelns des abgeschiedenen
TiSix-Films (60) aufweist, um Silicium aus dem
Wafer (50) zu inkorporieren und dadurch den Kon
taktwiderstand zu verringern.
10. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren
nach Anspruch 9, bei dem das Wärmebehandeln in
einer vorherrschend N2 oder NH3 enthaltenden Atmo
sphäre ausgeführt wird.
11. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren
nach einem der Ansprüche 1-10, bei dem der
metallorganische Titanvorläufer im wesentlichen aus
Ti(NR2)4 besteht, wobei R ausgewählt ist aus der
Gruppe, die besteht aus H und einem Kohlenstoff
enthaltenden Radikal.
12. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren
nach einem der Ansprüche 1 bis 11, bei dem die
Mengen an Gasen ausgewählt sind zur Schaffung eines
Volumenverhältnisses von metallorganischem Titan
vorläufer zu Silan von 1 : 300 bis 1 : 10.
13. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren
nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem die
ausgewählte Temperatur etwa 400°C und der ausge
wählte Druck etwa 400 mTorr sind.
14. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren
nach einem der Ansprüche 1 bis 13, bei dem die
Mengen an Gasen ausgewählt sind zur Schaffung eines
Volumenverhältnisses von metallorganischem Titan
vorläufer zu Silan von 1 : 300 bis 1 : 10 und die aus
gewählte Temperatur etwa 400°C und der ausgewählte
Druck etwa 400 mTorr ist.
15. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren
nach einem der Ansprüche 1 bis 14, bei dem das
Trägergas mindestens ein Edelgas enthält, und die
Menge an Trägergas etwa 50 sccm bis etwa 2000 sccm
beträgt.
16. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren
nach einem der Ansprüche 1 bis 15, bei dem der
metallorganische Titanvorläufer im wesentlichen aus
Ti(N(C2H5)2)4 besteht.
17. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren
nach einem der Ansprüche 1 bis 16, das weiterhin
den Schritt der Wärmebehandlung des abgeschiedenen
TiSix-Films (60) aufweist, um Silicium aus dem
Wafer (50) zu inkorporieren und dadurch den Kon
taktwiderstand zu verringern.
18. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren
nach einem der Ansprüche 1 bis 17, bei dem der
metallorganische Titanvorläufer im wesentlichen
aus Ti(N(CH3)2)4 besteht.
19. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren
nach einem der Ansprüche 1-18, bei dem die Mengen
an Gasen ausgewählt sind zur Schaffung eines
Volumenverhältnisses von metallorganischem Titan
vorläufer zu Silan von 1 : 300 bis 1 : 10.
20. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren nach
einem der Ansprüche 1 bis 19, bei dem die ausge
wählte Temperatur etwa 400°C und der ausgewählte
Druck etwa 400 mTorr sind.
21. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren
nach einem der Ansprüche 1-18, bei dem die Mengen
an Gasen ausgewählt sind zur Schaffung eines
Volumenverhältnisses von metallorganischem Titan
vorläufer zu Silan von 1 : 300 bis 1 : 10 und die aus
gewählte Temperatur etwa 400°C und der ausgewählte
Druck etwa 400 mTorr sind.
22. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren
nach einem der Ansprüche 1 bis 21, bei dem das
Trägergas mindestens ein Edelgas enthält und die
Menge an Trägergas etwa 50 sccm bis etwa 2000 sccm
beträgt.
23. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren
nach einem der Ansprüche 1 bis 22, das weiterhin
den Schritt des Wärmebehandelns des abgeschiedenen
TiSix-Films (60) aufweist, um Silicium aus dem
Wafer (50) zu inkorporieren und dadurch den
Kontaktwiderstand zu verringern.
24. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren zur
Schaffung einer gleichförmigen Schicht (60) aus
TiSix auf einem Halbleiterwafer (50) in einem che
mischen Dampfabscheidungsreaktor, folgende Schritte
aufweisend:
Anordnen eines Wafers (50) in dem Reaktor;
Einführen ausgewählter Mengen gasförmigen Ti(NR2)4- Vorläufers, gasförmigen Silans und eines Trägerga ses in den Reaktor, wobei R ausgewählt ist aus der Gruppe, die besteht aus H und einem Kohlenstoff enthaltenden Radikal, die Mengen an Ti(NR2)4-Vor läufer und Silan in einem Volumenverhältnis von Ti(NR2)4 zu Silan von 1 : 300 bis 1 : 10 vorgesehen sind und, die Menge an Trägergas etwa 50 sccm bis 200 sccm beträgt und mindestens ein Edelgas ent hält; und
Halten des Reaktors bei einem ausgewählten Druck und einer ausgewählten Temperatur, die wirksam sind, um den Vorläufer und das Silan zur Abschei dung eines Films auf dem Wafer (50) zur Reaktion zu bringen, wobei der Film eine Mischung aus TiSix und TiN enthält, die ausgewählte Temperatur etwa 100°C bis etwa 500°C beträgt und der ausgewählte Druck etwa 150 mTorr bis etwa 100 Torr beträgt.
Anordnen eines Wafers (50) in dem Reaktor;
Einführen ausgewählter Mengen gasförmigen Ti(NR2)4- Vorläufers, gasförmigen Silans und eines Trägerga ses in den Reaktor, wobei R ausgewählt ist aus der Gruppe, die besteht aus H und einem Kohlenstoff enthaltenden Radikal, die Mengen an Ti(NR2)4-Vor läufer und Silan in einem Volumenverhältnis von Ti(NR2)4 zu Silan von 1 : 300 bis 1 : 10 vorgesehen sind und, die Menge an Trägergas etwa 50 sccm bis 200 sccm beträgt und mindestens ein Edelgas ent hält; und
Halten des Reaktors bei einem ausgewählten Druck und einer ausgewählten Temperatur, die wirksam sind, um den Vorläufer und das Silan zur Abschei dung eines Films auf dem Wafer (50) zur Reaktion zu bringen, wobei der Film eine Mischung aus TiSix und TiN enthält, die ausgewählte Temperatur etwa 100°C bis etwa 500°C beträgt und der ausgewählte Druck etwa 150 mTorr bis etwa 100 Torr beträgt.
25. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren
nach Anspruch 24, bei dem die Mengen an Gasen
ausgewählt sind zur Schaffung eines Volumenverhält
nisses von Ti(NR2)4-Vorläufer zu Silan von etwa
1 : 80, und die Menge an Trägergas etwa 50 sccm bis
etwa 2000 sccm beträgt.
26. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren
nach Anspruch 24 oder 25, weiterhin aufweisend den
Schritt des Wärmebehandelns des abgeschiedenen
TiSix-Films (60), um Silicium aus dem Wafer (50) zu
inkorporieren und dadurch den Kontaktwiderstand zu
verringern.
27. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren
nach einem der Ansprüche 24 bis 26, bei dem der
Ti(NR2)4-Vorläufer im wesentlichen aus Ti(N(CH3)2)4
besteht.
28. Chemisches Dampfabscheidungsverfahren
nach einem der Ansprüche 24 bis 27, bei dem die
Mengen an Gasen ausgewählt sind zur Schaffung eines
Volumenverhältnisses von Ti(NR2)4-Vorläufer zu
Silan von etwa 1 : 80, und die Menge an Trägergas
etwa 50 sccm bis etwa 2000 sccm beträgt.
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