DE4236609A1 - Method for forming a structure in the surface of a substrate - with an auxiliary structure laterally bounding an initial masking structure, followed by selective removal of masking structure using the auxiliary structure as an etching mask - Google Patents

Method for forming a structure in the surface of a substrate - with an auxiliary structure laterally bounding an initial masking structure, followed by selective removal of masking structure using the auxiliary structure as an etching mask

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Abstract

The method for producing a structure in the surface of a substrate (14) consists of the following: (a) a masking structure (15) with substantially vertical flanks is produced on the surface of the substrate (14); (b) an auxiliary self-adjusting structure (16) is produced for each element of the masking structure (15) as its lateral boundary, with the surface of the structural elements remaining at least partially free; (c) the free sections of the masking structures (15) are removed selectively relative to the auxiliary structure (16); and (d) the auxiliary structure (16) is used as a mask in an etching process to produce the structure in the surface of the substrate (14). USE/ADVANTAGE - For manufacture of microelectronic switching structures. Finer structures than those corresponding to the resolution limit of the lithography process used are obtainable by the method.

Description

In vielen Anwendungen, z. B. bei der Herstellung von mikroelek­ tronischen Schaltungsstrukturen oder bei der Erzeugung von Git­ tern insbesondere für Oberflächenwellenfilter oder Halbleiter­ laser, werden zur Erzeugung von Strukturen in der Oberfläche eines Substrats lithographische Verfahren eingesetzt. Die Strukturfeinheit wird dabei begrenzt durch das Auflösungsvermö­ gen des für die Fotolithographie verwendeten Belichtungsgerä­ tes.In many applications, e.g. B. in the manufacture of microelectrics tronic circuit structures or when generating git tern especially for surface acoustic wave filters or semiconductors lasers, are used to create structures in the surface of a substrate lithographic process used. The Structural fineness is limited by the resolution conditions of the exposure device used for photolithography tes.

Zur Herstellung feinerer Muster ist es bekannt, Belichtungsge­ räte zu verwenden, in denen die Belichtung mit kürzerwelligem Licht, z. B. UV-Strahlung, oder Elektronenstrahlung erfolgt. Bei Verwendung von kürzerwelligem Licht oder Elektronenstrah­ lung verschiebt sich die Auflösungsgrenze des Belichtungsgerä­ tes zu feineren Strukturen. Die Verwendung von kürzerwelligem Licht oder Elektronenstrahlung für die Fotolithographie hat al­ lerdings zur Folge, daß neue teuere Belichtungsgeräte ange­ schafft und andere Fotolacke verwendet werden müssen. Insbeson­ dere zur Erzeugung feinster Strukturen ist der Einsatz von Zwei- oder Dreischichtlacksystemen erforderlich.It is known to produce finer patterns, Exposure Ge to use counters in which exposure with shorter-wave Light, e.g. B. UV radiation, or electron radiation. When using shorter wave light or electron beam the resolution limit of the exposure device shifts tes to finer structures. The use of shorter-wave Light or electron radiation for photolithography has al however, the consequence that new expensive exposure equipment creates and other photoresists must be used. In particular Another one for the creation of the finest structures is the use of Two- or three-layer paint systems required.

Der Erfindung liegt das Problem zugrunde, ein Verfahren zur Er­ zeugung einer Struktur in der Oberfläche eines Substrats anzu­ geben, mit dem feinere Strukturen herstellbar sind, als dies der Auflösungsgrenze des dabei verwendeten Lithographieverfah­ rens entspricht.The invention is based on the problem, a method for Er generation of a structure in the surface of a substrate with which finer structures can be produced than this the resolution limit of the lithography process used rens corresponds.

Dieses Problem wird erfindungsgemäß gelöst durch ein Verfahren nach Anspruch 1. According to the invention, this problem is solved by a method according to claim 1.  

Dazu wird an der Oberfläche des Substrats eine maskierende Struktur erzeugt, die Strukturelemente mit im wesentlichen senkrechten Flanken aufweist. Selbstjustiert zu den senkrechten Flanken der Strukturelemente wird jeweils eine Hilfsstruktur erzeugt. Die Hilfsstruktur umfaßt als seitliche Begrenzung je­ weils die senkrechten Flanken des Strukturelementes. Die Ober­ fläche des jeweiligen Strukturelementes liegt dabei mindestens teilweise frei. Die freiliegenden Teile der maskierenden Struk­ tur werden selektiv zur Hilfsstruktur entfernt. Die Hilfsstruk­ tur wird anschließend als Maske in einem Ätzprozeß zur Erzeu­ gung der Struktur in der Oberfläche des Substrats verwendet. Die Hilfsstruktur kann auch selbst als Strukturelement dienen.For this purpose, a masking is applied to the surface of the substrate Structure creates, the structural elements with essentially has vertical flanks. Self-aligned to the vertical Flanking the structural elements becomes an auxiliary structure generated. The auxiliary structure includes each as a lateral boundary because the vertical flanks of the structural element. The waiter The surface of the respective structural element is at least partially free. The exposed parts of the masking structure structure are selectively removed from the auxiliary structure. The auxiliary structure structure is then used as a mask in an etching process tion of the structure used in the surface of the substrate. The auxiliary structure itself can also serve as a structural element.

Gemäß einer Ausführungsform wird die maskierende Struktur da­ durch hergestellt, daß auf die Oberfläche des Substrats ganz­ flächig eine erste Schicht aufgebracht wird. Auf der Oberfläche der ersten Schicht wird unter Verwendung eines fotolithographi­ schen Verfahrens eine Fotolackmaske erzeugt. Die maskierende Struktur entsteht aus der ersten Schicht in einer Ätzung, bei der die Fotolackmaske als Ätzmaske verwendet wird.In one embodiment, the masking structure becomes there made by that on the surface of the substrate entirely a first layer is applied over the surface. On the surface the first layer is made using a photolithography process produces a photoresist mask. The masking Structure arises from the first layer in an etching, at who uses the photoresist mask as an etching mask.

In dieser Ausführungsform wird die Hilfsstruktur z. B. durch ganzflächiges, konformes Abscheiden einer zweiten Schicht auf die maskierende Struktur und anschließendes anisotropes Rückät­ zen selektiv zu der maskierenden Struktur als Spacer an den senkrechten Flanken gebildet.In this embodiment, the auxiliary structure is e.g. B. by full, conformal deposition of a second layer the masking structure and subsequent anisotropic backing zen selectively to the masking structure as a spacer on the vertical flanks formed.

Alternativ dazu wird die Hilfsstruktur durch eine chemische Re­ aktion, die an der Oberfläche der maskierenden Struktur eine die Strukturelemente jeweils einhüllende Deckschicht bildet, und durch anschließendes anisotropes Rückätzen, bei dem eine zur Substratoberfläche parallele Oberfläche der Strukturelemen­ te mindestens teilweise freigelegt wird, gebildet. Es liegt im Rahmen der Erfindung, die maskierende Struktur aus Silizium zu bilden und die Hilfsstruktur durch thermische Oxidation des Si­ liziums zu bilden.Alternatively, the auxiliary structure is replaced by a chemical Re action on the surface of the masking structure the structural elements each form an enveloping cover layer, and by subsequent anisotropic etching back, in which a surface of the structural elements parallel to the substrate surface te is at least partially exposed. It is in the Within the scope of the invention, the masking structure made of silicon  form and the auxiliary structure by thermal oxidation of Si to form liziums.

Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung wird die mas­ kierende Struktur aus drei, auf die Oberfläche des Substrats aufgebrachten Schichten gebildet. Dabei wird die oberste Schicht, die z. B. aus Fotolack besteht, fotolithographisch strukturiert. Anschließend wird die Struktur der obersten Schicht in die beiden darunterliegenden Schichten durch ani­ sotropes Ätzen übertragen. Die mittlere Schicht, die selektiv zur oberen und zur unteren Schicht ätzbar ist, wird isotrop un­ ter die obere Schicht rückgeätzt, so daß die Oberfläche der un­ teren Schicht im Bereich der Unterätzung freigelegt wird. Durch Entfernung der strukturierten obersten Schicht wird die maskie­ rende Struktur fertiggestellt, die die strukturierte unterste Schicht und die strukturierte mittlere Schicht umfaßt.According to another embodiment of the invention, the mas kierend structure of three, on the surface of the substrate applied layers formed. The top one Layer, e.g. B. consists of photoresist, photolithographically structured. Then the structure of the top one Layer in the two layers below by ani transfer sotropic etching. The middle layer, the selective is etchable to the upper and lower layers, becomes isotropic ter etched back the top layer so that the surface of the un The lower layer is exposed in the area of the undercut. By Removing the structured top layer becomes the maskie structure completed, which is the structured lowest Layer and the structured middle layer comprises.

Es liegt im Rahmen der Erfindung, nach der Strukturierung der obersten Schicht zunächst nur die mittlere Schicht zu ätzen und dabei die Unterätzung unter die oberste Schicht herzustellen.It is within the scope of the invention after the structuring of the top layer to etch only the middle layer and making the undercut under the top layer.

Zur Bildung der Hilfsstruktur liegt es im Rahmen der Erfindung, ganzflächig eine Fotolackschicht aufzubringen. Durch eine Flut­ belichtung und Entwicklung wird die Fotolackschicht an Stellen hoher Reflexion strukturiert. Dabei wird die Oberfläche der mittleren Schicht freigelegt, die in dieser Variante stark re­ flektierend sein muß. Unter Verwendung der strukturierten Foto­ lackschicht als Ätzmaske wird die mittlere Schicht und der dar­ unterliegende Teil der unteren Schicht durch anisotropes Ätzen entfernt.To form the auxiliary structure, it is within the scope of the invention apply a layer of photoresist over the entire surface. Through a flood Exposure and development becomes the photoresist layer in places structured high reflection. The surface of the middle layer exposed, which in this variant strongly re must be inflective. Using the structured photo lacquer layer as an etching mask becomes the middle layer and the underlying part of the lower layer by anisotropic etching away.

Bei Verwendung eines stark reflektierenden Substrates werden diejenigen Teile der Fotolackschicht, die direkt auf der Ober­ fläche des Substrats seitlich der maskierenden Struktur ange­ ordnet sind, durchbelichtet, so daß auch diese Teile der Foto­ lackschicht beim Entwickeln entfernt werden. In diesem Fall um­ faßt die Hilfsstruktur die verbleibende untere Schicht und die darauf angeordnete strukturierte Fotolackschicht.When using a highly reflective substrate those parts of the photoresist layer that are directly on the top Surface of the substrate on the side of the masking structure are arranged, exposed, so that these parts of the photo  paint layer are removed during development. In this case around the auxiliary structure summarizes the remaining lower layer and the structured photoresist layer arranged thereon.

Bei Verwendung eines schwach oder gar nicht reflektierenden Substrates werden diejenigen Anteile der Fotolackschicht, die direkt auf der Oberfläche des Substrats angeordnet sind, bei der Flutbelichtung nicht durchbelichtet. Daher werden sie beim Entwickeln nicht ganz entfernt. In diesem Fall ist es nach der Ätzung zur Strukturierung der mittleren Schicht und der unteren Schicht erforderlich, die verbleibende Fotolackschicht zu ent­ fernen. Die Hilfsstruktur umfaßt in diesem Fall nur die ver­ bleibende untere Schicht.When using a weak or no reflective Substrates are those portions of the photoresist layer that are arranged directly on the surface of the substrate, at the flood exposure is not exposed. Therefore, they are used for Developing not entirely removed. In this case it is after the Etching to structure the middle layer and the lower one Layer required to remove the remaining photoresist layer distant. The auxiliary structure in this case only includes the ver permanent bottom layer.

Zur Bildung der Hilfsstruktur liegt es alternativ im Rahmen der Erfindung, durch eine chemische Reaktion selektiv an der Ober­ fläche der struktierten unteren Schicht eine Deckstruktur zu bilden. Unter Verwendung der Deckstruktur als Ätzmaske wird durch anisotropes Ätzen die strukturierte mittlere Schicht und der darunterliegende Teil der strukturierten unteren Schicht entfernt. Dabei entsteht die Hilfsstruktur, die die verblei­ bende untere Schicht und die Deckstruktur umfaßt.Alternatively, it is within the framework of the Invention, selectively by a chemical reaction on the upper surface of the structured lower layer form. Using the cover structure as an etching mask by anisotropic etching the structured middle layer and the underlying part of the structured lower layer away. This creates the auxiliary structure that the lead bottom layer and the top structure.

Da die Hilfsstruktur selbstjustiert zu den Flanken der Struk­ turelemente gebildet wird, werden in diesem Herstellverfahren immer zweidimensional geschlossene Hilfsstrukturen erzeugt, die eine im wesentlichen konstante Stegbreite aufweisen. In Anwen­ dungen, in denen eine Öffnung der geschlossenen Struktur erfor­ derlich ist, wird eine weitere Strukturierung durchgeführt. Diese kann ebenfalls nach dem erfindungsgemäßen Verfahren er­ folgen.Since the auxiliary structure is self-aligned to the flanks of the structure is formed in this manufacturing process always creates two-dimensional closed auxiliary structures that have a substantially constant web width. In applications applications in which an opening of the closed structure is required further structuring is carried out. This can also be done according to the inventive method consequences.

Die Öffnung der Strukturen kann während der Pro­ zessierung anstelle der angewandten Flutbelichtung durch eine strukturierende Belichtung mit gebietsweise abgesenkter Inten­ sität erfolgen. Nur an den zu öffnenden Stellen und z. B. in Peripheriebereichen wird dabei eine Struktur direkt abgebildet. Zur Durchbelichtung der dort abzubildenden Strukturen ist eine hohe Belichtungsdosis notwendig. Um zu vermeiden, daß damit der gesamte Fotolack im übrigen Bereich durchbelichtet wird, wird die Belichtungsintensität in diesem Bereich auf den Wert abge­ senkt, der der Flutbelichtung im oben genannten Verfahren ent­ spricht. Dieses erfolgt z. B. durch ein sich nicht abbildendes feines Gitter auf der bei der Belichtung verwendeten Maske.The structures can be opened during the Pro cessation instead of the flood exposure applied by a structuring exposure with partially lowered inten  sity. Only at the points to be opened and e.g. B. in A structure is mapped directly at peripheral areas. To illuminate the structures to be imaged there is a high exposure dose necessary. In order to avoid that the entire photoresist in the remaining area is exposed the exposure intensity in this area is reduced to the value lowers the ent of flood exposure in the above-mentioned process speaks. This is done for. B. by a non-imaging fine grid on the mask used for the exposure.

Es liegt im Rahmen der Erfindung, durch eine Umkehrtechnik, z. B. lift-off, aus der Hilfsstruktur deren Negativ zu erzeugen.It is within the scope of the invention, by a reverse technique, e.g. B. lift-off, to generate the negative from the auxiliary structure.

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung gehen aus den übrigen An­ sprüchen hervor.Further refinements of the invention can be found in the remaining An sayings.

Im folgenden wird die Erfindung anhand der Figuren und der Aus­ führungsbeispiele näher erläutert.In the following the invention with reference to the figures and the examples of management explained in more detail.

Fig. 1 bis Fig. 4 zeigt die Erzeugung einer Struktur in der Oberfläche eines Substrats, wobei die Hilfsstruktur durch eine chemische Reaktion der Oberfläche der maskierenden Struktur gebildet wird. Fig. 1 to Fig. 4 shows the generation of a structure in the surface of a substrate, wherein the auxiliary structure is formed by a chemical reaction of the surface of the masking structure.

Fig. 5 bis Fig. 8 zeigt die Herstellung einer Struktur in der Oberfläche eines Substrats, bei der die Hilfsstruktur durch eine Spacertechnik gebildet wird. Fig. 5 to Fig. 8 shows the production of a structure in the surface of a substrate, in which the auxiliary structure is formed by a spacer technique.

Fig. 9 bis Fig. 11 zeigt die Herstellung einer maskierenden Struktur mit Hilfe einer Dreischichttechnik. FIGS. 9 to FIG. 11 shows the preparation of a masking structure by means of a three-layer technique.

Fig. 12 und Fig. 13 zeigt die Herstellung einer Hilfsstruktur selbstjustiert zu einer maskierenden Struktur, die auf einem reflektierenden Substrat angeordnet ist und die durch eine Dreischichttechnik hergestellt wurde. Fig. 12 and Fig. 13 shows the preparation of an auxiliary structure self-aligned to a masking structure which is disposed on a reflective substrate and which was prepared by a three-layer technique.

Fig. 14 und Fig. 15 zeigt die Herstellung einer Hilfsstruktur zu einer maskierenden Struktur, die in einer Dreischichttechnik hergestellt ist und die auf einem nichtreflektierenden Substrat angeordnet ist. Fig. 14 and Fig. 15 shows the preparation of an auxiliary structure to a masking structure which is manufactured in a three-layer technology and is arranged on a non-reflective substrate.

Fig. 16 und Fig. 17 zeigt die Herstellung einer Hilfsstruktur zu einer in einer Dreischichttechnik hergestellten maskierenden Struktur durch chemische Reaktion der Oberfläche. Fig. 16 and Fig. 17 shows the production of an auxiliary structure to a prepared in a three-layer technique masking structure by chemical reaction of the surface.

Fig. 18 und Fig. 19 zeigt die Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung eines Gitters mit Phasensprung. Fig. 18 and Fig. 19 shows the application of the inventive method for producing a grating with a phase jump.

Fig. 20 zeigt die Aufsicht auf ein Substrat mit einer Hilfsstruktur und einer maskierenden Struktur. Fig. 20 shows the view of a substrate having an auxiliary structure and a masking structure.

Fig. 21 bis Fig. 23 zeigt ein Verfahren zum Öffnen geschlossener Strukturen. Fig. 21 to Fig. 23 illustrates a method for opening a closed structures.

Auf ein Substrat 1 wird eine erste Schicht 2 aufgebracht (s. Fig. 1). Das Substrat 1 umfaßt z. B. eine Siliziumscheibe 11, an deren Oberfläche eine Si3N4-Schicht 12 angeordnet ist. Die er­ ste Schicht 2 besteht z. B. aus Polysilizium. Unter Verwendung einer Fotolackmaske (nicht dargestellt) und optischer Lithogra­ phie wird die erste Schicht strukturiert, so daß eine maskie­ rende Struktur 2 entsteht. A first layer 2 is applied to a substrate 1 (see FIG. 1). The substrate 1 comprises e.g. B. a silicon wafer 11 , on the surface of which an Si 3 N 4 layer 12 is arranged. He layer 2 consists of z. B. made of polysilicon. Using a photoresist mask (not shown) and optical lithography, the first layer is structured so that a masking structure 2 is formed.

Durch eine chemische Reaktion, die selektiv an der Oberfläche der maskierenden Struktur 2 stattfindet, wird die maskierende Struktur 2 mit einer Deckschicht 3 versehen (s. Fig. 2). Als chemische Reaktion eignet sich z. B. eine thermische Oxidation. Die Deckschicht 3 hüllt die maskierende Struktur 2 vollständig ein. Die Dicke der Deckschicht 3 wird so bemessen, daß zwischen benachbarten Strukturelementen die Oberfläche des Substrats 1 freibleibt. Der Abstand von benachbarte Strukturelemente 2 ein­ hüllenden Deckschichten 3 parallel zur Oberfläche des Substrats 1 ist vorzugsweise gleich der Breite der einzelnen Strukturele­ mente der maskierenden Struktur 2 parallel zur Oberfläche des Substrats 1.The masking structure 2 is provided with a cover layer 3 by a chemical reaction which takes place selectively on the surface of the masking structure 2 (see FIG. 2). As a chemical reaction z. B. thermal oxidation. The cover layer 3 completely envelops the masking structure 2 . The thickness of the cover layer 3 is dimensioned such that the surface of the substrate 1 remains free between adjacent structural elements. The distance from adjacent structural elements 2 an enveloping cover layers 3 parallel to the surface of the substrate 1 is preferably equal to the width of the individual Structural elements of the masking structure 2 parallel to the surface of the substrate 1 .

In einer anisotropen Ätzung, z. B. in einem fluorhaltigen Plas­ ma wird die Deckschicht 3 abgeätzt, bis die Oberfläche der mas­ kierenden Struktur 2 freigelegt wird (s. Fig. 3). Dabei entste­ hen seitlich der einzelnen Strukturelemente der maskierenden Struktur 2 Hilfsstrukturen 4 in Form von sogenannten Spacern.In an anisotropic etch, e.g. B. in a fluorine-containing plasma, the cover layer 3 is etched off until the surface of the masking structure 2 is exposed (see FIG. 3). This creates 2 auxiliary structures 4 in the form of so-called spacers to the side of the individual structural elements of the masking structure.

Unter Verwendung der Hilfsstruktur 4 als Ätzmaske wird in einem weiteren anisotropen Ätzprozeß die Struktur in die Oberfläche des Substrats 1 erzeugt (s. Fig. 4).Using the auxiliary structure 4 as an etching mask, the structure is produced in the surface of the substrate 1 in a further anisotropic etching process (see FIG. 4).

Auf ein Substrat 1′, das z. B. eine Siliziumscheibe 11′ und ei­ ne Si3N4-Schicht 12′ umfaßt, wird ganzflächig eine erste Schicht aus z. B. Polysilizium aufgebracht (s. Fig. 5). Unter Verwendung einer Fotolackmaske (nicht dargestellt) wird die er­ ste Schicht strukturiert, so daß eine maskierende Struktur 2′ entsteht, die mehrere Strukturelemente umfaßt.On a substrate 1 ', the z. B. comprises a silicon wafer 11 'and egg ne Si 3 N 4 layer 12 ', a first layer of z. B. polysilicon applied (see. Fig. 5). Using a photoresist mask (not shown), the first layer is structured, so that a masking structure 2 'is formed, which comprises several structural elements.

Es wird ganz flächig durch konformes Abscheiden eine zweite Schicht 3′ erzeugt. Die zweite Schicht 3′ wird z. B. durch CVD- Abscheidung aus SiOxNyCz hergestellt. Die Dicke der zweiten Schicht 3′ wird dabei so eingestellt, daß zwischen benachbarten Strukturelementen 2′ eine Senke in der zweiten Schicht 3′ auf­ tritt. Vorzugsweise wird die Dicke der zweiten Schicht 3′ so eingestellt, daß die Senke in der Oberfläche der zweiten Schicht 3′ eine Breite aufweist, die im wesentlichen der Breite der einzelnen Strukturelemente 2′ entspricht.A second layer 3 'is generated across the entire surface by conformal deposition. The second layer 3 'is z. B. by CVD deposition from SiO x N y C z . The thickness of the second layer 3 'is set so that a depression in the second layer 3 ' occurs between adjacent structural elements 2 '. Preferably, the thickness of the second layer 3 'is set so that the depression in the surface of the second layer 3 ' has a width which corresponds essentially to the width of the individual structural elements 2 '.

In einer anisotropen Ätzung, die selektiv zur Oberfläche des Substrats 1′ und der maskierenden Struktur 2′ ist, z. B. in ei­ nem fluorhaltigen Plasma, wird die zweite Schicht 3′ rückge­ ätzt, bis die Oberfläche der maskierenden Struktur 2′ und die Oberfläche des Substrats 1′ freigelegt wird. Dabei entstehen als Spacer eine Hilfsstruktur 4′ (s. Fig. 7). Selektiv zur Hilfsstruktur 4′ und zur Oberfläche des Substrats 1′ wird an­ schließend die maskierende Struktur 2′ entfernt (s. Fig. 8). Die Hilfsstruktur 4′ wird in einem nachfolgenden Ätzprozeß als Ätzmaske zur Strukturierung der Oberfläche des Substrats 1′ verwendet.In an anisotropic etch, which is selective to the surface of the substrate 1 'and the masking structure 2 ', for. B. in egg nem fluorine-containing plasma, the second layer 3 'is etched back until the surface of the masking structure 2 ' and the surface of the substrate 1 'is exposed. This creates an auxiliary structure 4 'as a spacer (see FIG. 7). Selective to the auxiliary structure 4 'and to the surface of the substrate 1 ', the masking structure 2 'is then removed (see FIG. 8). The auxiliary structure 4 'is used in a subsequent etching process as an etching mask for structuring the surface of the substrate 1 '.

Auf die Oberfläche eines Substrats 5 aus z. B. Silizium wird eine dritte Schicht 6 aus z. B. hochausgeheiztem Lack aufge­ bracht (s. Fig. 9). Auf die dritte Schicht 6 wird ganzflächig eine vierte Schicht 7 aus z. B. Metall oder Silizium aufge­ bracht. Auf die vierte Schicht 7 wird eine fünfte Schicht 8 aus z. B. Fotolack aufgebracht. Durch fotolithographische Belich­ tung und Entwicklung wird die fünfte Schicht 8 strukturiert. Die strukturierte fünfte Schicht 8 weist eine Struktur mit meh­ reren Strukturelementen auf.On the surface of a substrate 5 from z. B. silicon, a third layer 6 of z. B. highly heated paint is brought up (see Fig. 9). On the third layer 6 , a fourth layer 7 of z. B. brought up metal or silicon. On the fourth layer 7 , a fifth layer 8 of z. B. applied photoresist. The fifth layer 8 is structured by photolithographic exposure and development. The structured fifth layer 8 has a structure with a plurality of structural elements.

Durch anisotropes Ätzen z. B. mit CCl4/O2 wird die Struktur der strukturierten fünften Schicht 8 in die vierte Schicht 7 und die dritte Schicht 6 übertragen. In einem isotropen Ätzprozeß, der selektiv zur dritten Schicht 6 und zur fünften Schicht 8 erfolgt, wird eine Unterätzung der vierten Schicht 7 unter die fünfte Schicht 8 erzeugt. Dabei wird im Bereich der Unterätzung die Oberfläche der dritten Schicht 6 freigelegt (s. Fig. 10). By anisotropic etching e.g. B. with CCl 4 / O 2 , the structure of the structured fifth layer 8 is transferred to the fourth layer 7 and the third layer 6 . In an isotropic etching process, which takes place selectively with respect to the third layer 6 and the fifth layer 8 , the fourth layer 7 is undercut under the fifth layer 8 . The surface of the third layer 6 is exposed in the area of the undercut (see FIG. 10).

Es ist auch möglich, zunächst die isotrope Ätzung zur Struktu­ rierung der vierten Schicht 7 vorzunehmen und dabei die Unter­ ätzungen unter die fünfte Schicht 8 zu bilden. Anschließend wird in einem anisotropen Ätzprozeß unter Verwendung der fünf­ ten Schicht 8 als Ätzmaske die dritte Schicht 6 strukturiert.It is also possible first to carry out the isotropic etching for structuring the fourth layer 7 and to form the undercuts under the fifth layer 8 . The third layer 6 is then structured in an anisotropic etching process using the fifth layer 8 as an etching mask.

Durch Entfernung der strukturierten fünften Schicht 8 wird die maskierende Struktur fertiggestellt, die die strukturierte dritte Schicht 6 und die strukturierte vierte Schicht 7 umfaßt (s. Fig. 11).By removing the structured fifth layer 8 , the masking structure is completed, which comprises the structured third layer 6 and the structured fourth layer 7 (see FIG. 11).

Die in Fig. 11 gezeigte Struktur wird ganzflächig mit einer Fo­ tolackschicht versehen. Durch eine Flutbelichtung und anschlie­ ßende Entwicklung wird die Fotolackschicht 9 strukturiert. Un­ ter der Bedingung, daß die vierte Schicht 7 und die Oberfläche des Substrats 5 stark reflektieren, was bei einer vierten Schicht 7 aus Metall und einem Substrat 5 aus z. B. Silizium der Fall ist, werden die Teile der Fotolackschicht, die unmit­ telbar an der Oberfläche der vierten Schicht 7 bzw. des Substrats 5 angeordnet sind, stärker belichtet, als diejenigen Teile, die an der Oberfläche der fünften Schicht 8 angeordnet sind. Daher wird der Fotolack von der Oberfläche der vierten Schicht 7 und des Substrats 5 vollständig entfernt (s. Fig. 12).The structure shown in FIG. 11 is provided with a photoresist layer over the entire surface. The photoresist layer 9 is structured by flood exposure and subsequent development. Un on the condition that the fourth layer 7 and the surface of the substrate 5 reflect strongly, which in a fourth layer 7 made of metal and a substrate 5 made of z. B. silicon is the case, the parts of the photoresist layer, which are arranged immediately on the surface of the fourth layer 7 or the substrate 5 , are exposed more strongly than those parts which are arranged on the surface of the fifth layer 8 . Therefore, the photoresist is completely removed from the surface of the fourth layer 7 and the substrate 5 (see FIG. 12).

Nach Entfernung der vierten Schicht 7, z. B. durch Naßätzen mit verdünnter Flußsäure wird in einem anisotropen Ätzprozeß die freiliegende Oberfläche der dritten Schicht 6 geätzt. Als Ätz­ prozeß wird z. B. reaktives Ionenätzen mit O2 verwendet. Der verbleibende Teil der dritten Schicht 6 und der strukturierten Fotolackschicht 9 (s. Fig. 13) bildet die Hilfsstruktur, die als Ätzmaske zur Herstellung der Struktur in der Oberfläche des Substrats 5 in nachfolgenden Ätzprozessen verwendet wird. After removal of the fourth layer 7 , e.g. B. by wet etching with dilute hydrofluoric acid, the exposed surface of the third layer 6 is etched in an anisotropic etching process. As an etching process, for. B. reactive ion etching with O 2 used. The remaining part of the third layer 6 and the structured photoresist layer 9 (see FIG. 13) forms the auxiliary structure which is used as an etching mask for producing the structure in the surface of the substrate 5 in subsequent etching processes.

Weist das Substrat 5 für das anhand von Fig. 12 bis 13 be­ schriebene Herstellverfahren nicht die genügende Reflektivität auf, wird der Bereich der Fotolackschicht 9, der unmittelbar auf der Oberfläche des Substrats 5 angeordnet ist, nicht aus­ reichend belichtet. In diesem Fall ergibt sich nach der Ent­ wicklung der Fotolackschicht 9 eine Struktur, in der nur die Oberfläche der vierten Schicht 7 freigelegt ist (s. Fig. 14). Nach Entfernung der vierten Schicht 7 z. B. durch Naßätzung mit verdünnter Flußsäure wird der frei liegende Teil der dritten Schicht 6 in einem anisotropen Ätzprozeß selektiv zur Oberflä­ che des Substrats 5 geätzt. Als Ätzprozeß wird z. B. reaktives Ionenätzen O2 eingesetzt. Dabei wird die Oberfläche des Substrats 5 freigelegt. Anschließend wird die strukturierte Fo­ tolackschicht 9 selektiv zur dritten Schicht 6 und zum Substrat 5 entfernt (s. Fig. 15). Dabei entsteht die Hilfsstruktur, die aus dem verbleibenden Teil der dritten Schicht 6 gebildet wird. Diese Hilfsstruktur wird in nachfolgenden Ätzprozessen zur Strukturierung der Oberfläche des Substrats 5 als Ätzmaske ver­ wendet.If the substrate 5 for the manufacturing method described with reference to FIGS. 12 to 13 does not have sufficient reflectivity, the region of the photoresist layer 9 which is arranged directly on the surface of the substrate 5 is not adequately exposed. In this case, after the development of the photoresist layer 9, there is a structure in which only the surface of the fourth layer 7 is exposed (see FIG. 14). After removal of the fourth layer 7 z. B. by wet etching with dilute hydrofluoric acid, the exposed part of the third layer 6 is selectively etched to the surface 5 of the substrate 5 in an anisotropic etching process. As an etching process, for. B. reactive ion etching O 2 used. The surface of the substrate 5 is exposed. The structured photoresist layer 9 is then selectively removed from the third layer 6 and from the substrate 5 (see FIG. 15). This creates the auxiliary structure that is formed from the remaining part of the third layer 6 . This auxiliary structure is used in subsequent etching processes for structuring the surface of the substrate 5 as an etching mask.

In einem anderen Ausführungsbeispiel, in dem die maskierende Struktur in dem anhand von Fig. 9 bis 11 erläuterten Verfahren hergestellt wird, wird eine chemische Reaktion durchgeführt, die selektiv an der Oberfläche der strukturierten dritten Schicht 6 (s. Fig. 11) abläuft und dort eine Deckstruktur 10 (s. Fig. 16) bildet. Die dritte Schicht 6 besteht z. B. aus ge­ eignetem Fotolack und die Deckstruktur 10 wird durch eine Sily­ lierung erzeugt. Die Deckstruktur 10 ist mindestens an der par­ allel zur Oberfläche des Substrats 5 verlaufenden Oberfläche ätzresistent.In another exemplary embodiment, in which the masking structure is produced in the method explained with reference to FIGS. 9 to 11, a chemical reaction is carried out, which takes place selectively on the surface of the structured third layer 6 (see FIG. 11) and there forms a cover structure 10 (see FIG. 16). The third layer 6 consists, for. B. from ge suitable photoresist and the cover structure 10 is generated by a sily lamination. The cover structure 10 is etch-resistant at least on the surface running parallel to the surface of the substrate 5 .

Nach Entfernung der vierten Schicht 7 z. B. durch naßchemisches Ätzen mit verdünnter Flußsäure wird die dritte Schicht 6 in ei­ nem anisotropen Ätzprozeß, der selektiv zur Oberfläche der Deckstruktur 10 und des Substrats 5 erfolgt, geätzt. Als Ätz­ prozeß eignet sich z. B. ein Sauerstoffplasma (s. Fig. 17). Der verbleibende Teil der dritten Schicht 6 mit der Deckstruktur 10 bildet eine Hilfsstruktur, die in einem nachfolgenden Ätzprozeß als Ätzmaske zur Strukturierung der Oberfläche des Substrats 5 verwendet wird.After removal of the fourth layer 7 z. B. by wet chemical etching with dilute hydrofluoric acid, the third layer 6 is etched in egg nem anisotropic etching process, which takes place selectively to the surface of the cover structure 10 and the substrate 5 . As an etching process z. B. an oxygen plasma (see FIG. 17). The remaining part of the third layer 6 with the cover structure 10 forms an auxiliary structure which is used in a subsequent etching process as an etching mask for structuring the surface of the substrate 5 .

Zur Herstellung eines Gitters mit Phasensprung wird auf der Oberfläche eines Substrats 110 eine maskierende Struktur 120 erzeugt. Die maskierende Struktur 120 wird z. B. nach dem Ver­ fahren, das anhand von Fig. 9 bis 11 erläutert wurde, herge­ stellt (s. Fig. 18). Die maskierende Struktur 120 umfaßt eine Vielzahl von Strukturelementen, die im wesentlichen periodisch angeordnet sind. Für den Phasensprung ist der Abstand zweier benachbarter, ausgewählter Strukturelemente verdoppelt.A masking structure 120 is produced on the surface of a substrate 110 in order to produce a grid with a phase shift. The masking structure 120 is e.g. B. after the United, which was explained with reference to FIGS . 9 to 11, Herge provides (see. Fig. 18). The masking structure 120 comprises a plurality of structural elements that are arranged substantially periodically. For the phase shift, the distance between two adjacent, selected structural elements is doubled.

Selbstjustiert zu der maskierenden Struktur 120 wird eine Hilfsstruktur 130 hergestellt (s. Fig. 19). Die Hilfsstruktur 130 wird z. B. nach dem anhand von Fig. 14 erläuterten Verfah­ ren hergestellt. Der vergrößerte Abstand zwischen den ausge­ wählten Strukturelementen der maskierenden Struktur 120 über­ trägt sich in die Hilfsstruktur 130. Die Hilfsstruktur 130 wird als Ätzmaske verwendet zur Strukturierung der Oberfläche des Substrats 110.An auxiliary structure 130 is produced in self-alignment with the masking structure 120 (see FIG. 19). The auxiliary structure 130 is e.g. B. ren after the process described with reference to FIG. 14. The increased distance between the selected structural elements of the masking structure 120 is carried over into the auxiliary structure 130 . The auxiliary structure 130 is used as an etching mask for structuring the surface of the substrate 110 .

Analog ist unter Verwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens die Herstellung von Gittern für gechirpte Halbleiterlaser mög­ lich. Bei diesen Gittern ist jeder zweite Gitterabstand gering­ fügig vergrößert, wobei die Abweichung von der Gitterkonstanten stetig zunimmt.Is analogous using the method according to the invention the production of grids for chirped semiconductor lasers possible Lich. With these grids, every second grid spacing is small plentifully enlarged, the deviation from the lattice constant steadily increasing.

In Fig. 20 ist eine Aufsicht auf ein Substrat 14 mit einer mas­ kierenden Struktur 15 und einer Hilfsstruktur 16 dargestellt. Die Hilfsstruktur 16 umgibt die maskierende Struktur 15 voll­ ständig. Sie bildet einen geschlossenen Kurvenzug. Nach Entfer­ nen der maskierenden Struktur 15 nach einem der obengenannten Verfahren wird die Hilfsstruktur 16 als Ätzmaske verwendet. Da die Hilfsstruktur 16 selbstjustiert zu den senkrechten Flanken von Strukturelementen der maskierenden Struktur 15 hergestellt wurde, ist die minimale Stegbreite der Hilfsstruktur 16 durch das Selbstjustierungsverfahren bestimmt. Sie ist unabhängig von der Auflösungsgrenze der verwendeten Fotolithographie. Die Auf­ lösungsgrenze der verwendeten Fotolithographie spiegelt sich lediglich in den, minimalen Abständen der maskierenden Struktur 15 wieder.In Fig. 20 is a plan view of a substrate 14 with a mas kierenden structure 15 and an auxiliary structure 16 is shown. The auxiliary structure 16 completely surrounds the masking structure 15 . It forms a closed curve. After removal of the masking structure 15 by one of the methods mentioned above, the auxiliary structure 16 is used as an etching mask. Since the auxiliary structure 16 was produced in a self-aligned manner with respect to the vertical flanks of structural elements of the masking structure 15 , the minimum web width of the auxiliary structure 16 is determined by the self-adjustment method. It is independent of the resolution limit of the photolithography used. The resolution limit of the photolithography used is only reflected in the minimal distances between the masking structure 15 .

In Anwendungen, in denen der geschlossene Kurvenzug der Struk­ tur geöffnet werden soll, muß eine weitere Strukturierung durchgeführt werden. Es liegt im Rahmen der Erfindung, diese in das erfindungsgemäße Verfahren zu integrieren. Dazu wird eine maskierende Struktur nach dem Verfahren, das anhand von Fig. 9 bis 11 erläutert wurde, hergestellt. Fig. 21 zeigt eine Auf­ sicht auf ein Substrat 17, an dessen Oberfläche eine maskie­ rende Struktur angeordnet ist. Die maskierende Struktur umfaßt an der Oberfläche des Substrats eine strukturierte dritte Schicht 18, die der strukturierten dritten Schicht 6 in Fig. 11 entspricht, und eine darauf angeordnete strukturierte vierte Schicht 19, die der strukturierten vierten Schicht 7 in Fig. 11 entspricht. Durch die Unterätzung der vierten Schicht 19 bei der Herstellung der maskierenden Struktur liegt am Rand der maskierenden Struktur die Oberfläche der strukturierten dritten Schicht 18 frei.In applications in which the closed curve of the structure is to be opened, further structuring must be carried out. It is within the scope of the invention to integrate these into the method according to the invention. For this purpose, a masking structure is produced using the method which was explained with reference to FIGS. 9 to 11. Fig. 21 shows a plan view of a substrate 17 , on the surface of which a masking structure is arranged. The masking structure comprises on the surface of the substrate a structured third layer 18 , which corresponds to the structured third layer 6 in FIG. 11, and a structured fourth layer 19 arranged thereon, which corresponds to the structured fourth layer 7 in FIG. 11. The undercut of the fourth layer 19 during the production of the masking structure exposes the surface of the structured third layer 18 at the edge of the masking structure.

Es wird ganz flächig auf die Struktur eine Fotolackschicht auf­ gebracht. Diese wird durch eine Belichtung strukturiert. Dabei wird eine Maske verwendet, die nur an den zu öffnenden Stellen und an beliebigen anderen gewünschten Stellen eine Struktur di­ rekt abbildet. Die Maske umfaßt voll transparente Bereiche 20 und nicht transparente Bereiche 21. Die Maskenstrukturen werden nur für Strukturgrößen abgebildet, die größer als die Auflö­ sungsgrenze des Lithographieprozesses sind. Deshalb wird ein teiltransparenter Bereich 22 nur als homogen abgesenkte Intensi­ tät abgebildet (s. Fig. 22).A photoresist layer is applied all over the structure. This is structured by exposure. Here, a mask is used, which directly depicts a structure directly at the points to be opened and at any other desired points. The mask comprises fully transparent areas 20 and non-transparent areas 21 . The mask structures are only shown for structure sizes that are larger than the resolution limit of the lithography process. Therefore, a partially transparent area 22 is only shown as a homogeneously reduced intensity (see FIG. 22).

Zur Durchbelichtung der Strukturen ist eine hohe Belichtungsdo­ sis notwendig. Damit dabei nicht der Fotolack in dem durch das Verfahren gemäß Fig. 9 bis Fig. 11 vorstrukturierten Bereich vollständig durchbelichtet wird, umfaßt die Maske teiltranspa­ rente Bereiche 22, die in diesem Bereich die Intensität absen­ ken. Die teiltransparenten Bereiche 22 werden z. B. durch ein sich nicht abbildendes feines Gitter auf der Fotomaske reali­ siert.A high exposure dose is necessary to illuminate the structures. Thus, not the photoresist is completely exposed in the by the method of Fig. 9 to Fig. 11 pre-patterned area, the mask comprises teiltranspa pension areas 22 ken Absen the intensity in this area. The partially transparent areas 22 are z. B. realized by a non-imaging fine grid on the photomask.

Nach dem Entwickeln der Fotolackschicht wird diese als Ätzmaske zur Entfernung der vierten Schicht 19 verwendet. Dadurch wird eine Hilfsstruktur fertiggestellt, die aus dem verbleibenden Teil der dritten Schicht 18 an der Oberfläche des Substrats 17 besteht und der Lackschicht im nichttransparenten Bereich 21 liegt (s. Fig. 23). Diese Hilfsstruktur wird zur Strukturierung der Oberfläche als Ätzmaske verwendet.After the photoresist layer has been developed, it is used as an etching mask for removing the fourth layer 19 . This completes an auxiliary structure which consists of the remaining part of the third layer 18 on the surface of the substrate 17 and which is located in the non-transparent region 21 of the lacquer layer (see FIG. 23). This auxiliary structure is used to structure the surface as an etching mask.

Claims (8)

1. Verfahren zur Erzeugung einer Struktur in der Oberfläche ei­ nes Substrats,
  • - bei dem an der Oberfläche des Substrats (14) eine maskierende Struktur (15) erzeugt wird, die Strukturelemente mit im wesent­ lichen senkrechten Flanken aufweist,
  • - bei dem zu jedem Strukturelement der maskierenden Struktur (15) selbstjustiert zu den senkrechten Flanken eine Hilfsstruk­ tur (16) erzeugt wird, die die senkrechten Flanken des jeweili­ gen Strukturelementes als seitliche Begrenzung umfaßt, wobei die Oberfläche des jeweiligen Strukturelementes mindestens teilweise freiliegt,
  • - bei dem freiliegende Teile der maskierenden Struktur (15) se­ lektiv zur Hilfsstruktur (16) entfernt werden,
  • - bei dem die Hilfsstruktur (16) als Maske in einem Ätzprozeß zur Erzeugung der Struktur in der Oberfläche des Substrats (14) verwendet wird.
1. Method for producing a structure in the surface of a substrate,
  • - In which a masking structure ( 15 ) is generated on the surface of the substrate ( 14 ), which has structural elements with essentially perpendicular flanks,
  • - In the case of each structural element of the masking structure ( 15 ) self-adjusted to the vertical flanks, an auxiliary structure ( 16 ) is generated, which comprises the vertical flanks of the respective structural element as a lateral boundary, the surface of the respective structural element being at least partially exposed,
  • - In which exposed parts of the masking structure ( 15 ) are selectively removed from the auxiliary structure ( 16 ),
  • - In which the auxiliary structure ( 16 ) is used as a mask in an etching process to produce the structure in the surface of the substrate ( 14 ).
2. Verfahren nach Anspruch 1,
  • - bei dem zur Bildung der maskierenden Struktur (2) auf die Oberfläche des Substrats (1) ganzflächig eine erste Schicht aufgebracht wird,
  • - bei dem auf der Oberfläche der ersten Schicht unter Verwen­ dung eines fotolithographischen Verfahrens eine Fotolackmaske erzeugt wird,
  • - bei dem die erste Schicht unter Verwendung der Fotolackmaske als Ätzmaske in einem Ätzprozeß strukturiert wird.
2. The method according to claim 1,
  • in which a first layer is applied over the entire surface to form the masking structure ( 2 ) on the surface of the substrate ( 1 ),
  • in which a photoresist mask is produced on the surface of the first layer using a photolithographic method,
  • - In which the first layer is structured using the photoresist mask as an etching mask in an etching process.
3. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem die Hilfsstruktur (4′) durch ganzflächiges konformes Abscheiden einer zweiten Schicht (3′) auf die maskierende Struktur (2′) und durch anschließendes anisotropes Rückätzen selektiv zur maskierenden Struktur (2′) als Spacer an den senk­ rechten Flanken gebildet wird. 3. The method according to claim 2, wherein the auxiliary structure ( 4 ') by conformal deposition of a second layer ( 3 ') on the masking structure ( 2 ') and subsequent anisotropic etching selectively to the masking structure ( 2 ') as a spacer the vertical right flanks is formed. 4. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem die Hilfsstruktur (4) durch eine chemische Reaktion, die an der Oberfläche der maskierenden Struktur (2) eine die Strukturelemente jeweils einhüllende Deckschicht (3) bildet, und durch anschließendes anisotropes Rückätzen, bei dem eine zur Oberfläche des Substrats (1) parallele Oberfläche der Strukturelemente mindestens teilweise freigelegt wird, gebildet wird.4. The method according to claim 2, wherein the auxiliary structure ( 4 ) by a chemical reaction, which forms on the surface of the masking structure ( 2 ) a cover layer ( 3 ) enveloping the structural elements, and by subsequent anisotropic etching back, in which a Surface of the substrate ( 1 ) parallel surface of the structural elements is at least partially exposed, is formed. 5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem die maskierende Struktur (2) aus Silizium gebildet wird und bei dem die Hilfsstruktur (4) durch thermische Oxidation gebildet wird.5. The method according to claim 4, in which the masking structure ( 2 ) is formed from silicon and in which the auxiliary structure ( 4 ) is formed by thermal oxidation. 6. Verfahren nach Anspruch 1,
  • - bei dem zur Bildung der maskierenden Struktur ganz flächig ei­ ne dritte Schicht (6), eine vierte Schicht (7) und eine fünfte Schicht (8) auf die Oberfläche des Substrats aufgebracht wird, wobei die vierte Schicht (7) isotrop selektiv zur dritten Schicht (6) und zur fünften Schicht (8) ätzbar ist,
  • - bei dem die fünfte Schicht (8) fotolithographisch struktu­ riert wird,
  • - bei dem unter Verwendung der strukturierten fünften Schicht (8) als Ätzmaske in einem anisotropen Ätzprozeß die vierte Schicht (7) und die dritte Schicht (6) strukturiert werden und bei dem in einem isotropen Ätzprozeß die vierte Schicht (7) un­ ter die strukturierte fünfte Schicht (8) rückgeätzt wird, so daß die Oberfläche der strukturierten dritten Schicht (6) im Bereich der Unterätzung freigelegt wird,
  • - bei dem durch Entfernung der strukturierten fünften Schicht (8) die maskierende Struktur fertiggestellt wird, die die strukturierte dritte Schicht (6) und die strukturierte vierte Schicht (7) umfaßt.
6. The method according to claim 1,
  • - In which the entire surface ei ne third layer ( 6 ), a fourth layer ( 7 ) and a fifth layer ( 8 ) is applied to the surface of the substrate, the fourth layer ( 7 ) being isotropically selective to the third Layer ( 6 ) and the fifth layer ( 8 ) can be etched,
  • - In which the fifth layer ( 8 ) is structured photolithographically,
  • - Which are structured using the structured fifth layer ( 8 ) as an etching mask in an anisotropic etching process, the fourth layer ( 7 ) and the third layer ( 6 ) and in which in an isotropic etching process the fourth layer ( 7 ) under the structured the fifth layer ( 8 ) is etched back, so that the surface of the structured third layer ( 6 ) is exposed in the area of the undercut,
  • - In which the masking structure is completed by removing the structured fifth layer ( 8 ), which comprises the structured third layer ( 6 ) and the structured fourth layer ( 7 ).
7. Verfahren nach Anspruch 6,
  • - bei dem zur Bildung der Hilfsstruktur ganz flächig eine Foto­ lackschicht (9) aufgebracht wird, die durch Flutbelichtung und Entwicklung strukturiert wird, wobei die Oberfläche der struk­ turierten vierten Schicht (7) freigelegt wird,
  • - bei dem unter Verwendung der strukturierten Fotolackschicht (9) als Ätzmaske durch anisotropes Ätzen die strukturierte vierte Schicht (7) und der darunterliegende Teil der struktu­ rierten dritten Schicht (6) entfernt wird,
  • - bei dem die strukturierte Fotolackschicht (9) mindestens an der Oberfläche des Substrats (5) entfernt wird, wobei die die verbleibende strukturierte dritte Schicht (6) umfassende Hilfs­ struktur entsteht.
7. The method according to claim 6,
  • - In which a photo lacquer layer ( 9 ) is applied over the entire area to form the auxiliary structure, which is structured by flood exposure and development, the surface of the structured fourth layer ( 7 ) being exposed,
  • - In which the structured fourth layer ( 7 ) and the underlying part of the structured third layer ( 6 ) is removed using the structured photoresist layer ( 9 ) as an etching mask by anisotropic etching,
  • - In which the structured photoresist layer ( 9 ) is removed at least on the surface of the substrate ( 5 ), the auxiliary structure comprising the remaining structured third layer ( 6 ) being formed.
8. Verfahren nach Anspruch 6,
  • - bei dem zur Bildung der Hilfsstruktur durch eine chemische Reaktion selektiv an der Oberfläche der strukturierten dritten Schicht (6) eine Deckstruktur (10) gebildet wird,
  • - bei dem unter Verwendung der Deckstruktur (10) als Ätzmaske durch anisotropes Atzen die strukturierte vierte Schicht (7) und der darunterliegende Teil der strukturierten dritten Schicht (6) entfernt wird, wobei die Hilfsstruktur entsteht, die die verbleibende strukturierte dritte Schicht (6) und die Deckstruktur (10) umfaßt.
8. The method according to claim 6,
  • in which a cover structure ( 10 ) is selectively formed on the surface of the structured third layer ( 6 ) by means of a chemical reaction in order to form the auxiliary structure,
  • - In which, using the cover structure ( 10 ) as an etching mask, the structured fourth layer ( 7 ) and the underlying part of the structured third layer ( 6 ) are removed by anisotropic etching, the auxiliary structure being formed, which is the remaining structured third layer ( 6 ) and the deck structure ( 10 ).
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