DE4231704C1 - Mfg. needle for dynamic signal measurements in integrated circuit chip - covering metallic needle point by insulation layer and outer metal layer apart from extreme needle end - Google Patents

Mfg. needle for dynamic signal measurements in integrated circuit chip - covering metallic needle point by insulation layer and outer metal layer apart from extreme needle end

Info

Publication number
DE4231704C1
DE4231704C1 DE19924231704 DE4231704A DE4231704C1 DE 4231704 C1 DE4231704 C1 DE 4231704C1 DE 19924231704 DE19924231704 DE 19924231704 DE 4231704 A DE4231704 A DE 4231704A DE 4231704 C1 DE4231704 C1 DE 4231704C1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
measuring needle
layer
insulation layer
metallic
needle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE19924231704
Other languages
German (de)
Inventor
Wilhelm Argyo
Guenther Dr Menzel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19924231704 priority Critical patent/DE4231704C1/en
Application granted granted Critical
Publication of DE4231704C1 publication Critical patent/DE4231704C1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R43/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors
    • H01R43/16—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors for manufacturing contact members, e.g. by punching and by bending
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06733—Geometry aspects
    • G01R1/0675—Needle-like
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06755—Material aspects
    • G01R1/06761—Material aspects related to layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R11/00—Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts
    • H01R11/11—End pieces or tapping pieces for wires, supported by the wire and for facilitating electrical connection to some other wire, terminal or conductive member
    • H01R11/18—End pieces terminating in a probe
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06772—High frequency probes

Abstract

The measuring needle comprises a metallic needle point (1) enclosed by an insulation layer (2) over part of its length, with a metallic layer (3) applied to the insulation layer. The metallic needle point may be insulated by an insulating lacquer applied by dipping or spraying, or by oxidation of the measuring needle point. The insulation layer has a conductivity of 5 x 10 to the power of minus 8 siemens and a dielectric constant of 4. The insulation can be removed from the end of the needle point by chemical etching. ADVANTAGE - Simple mfr. suitable for mass prodn.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Meßnadel für integrierte Halbleiterchips sowie eine Meßnadel und deren Verwendung.The invention relates to a method for producing a Measuring needle for integrated semiconductor chips and a measuring needle and their use.

Halbleiterchips, insbesondere integrierte elektronische Halbleiter, werden bei der Herstellung in verschiedenen Verfahrensabschnitten getestet. Auf der Waferebene erfolgt die Messung dynamischer Signale üblicherweise an Waferprobern, Spitzenmeßplätzen bzw. im Elektronenstrahltester unter Benutzung von Nadelkarten. Diese Nadelkarten weisen eine Vielzahl von Nadeln auf, die auf die Pads, d. h. die Anschlußflecken des Halbleiters abgesenkt und kontaktiert werden. Bisher erfolgt der Einsatz der Meßnadeln auf den Nadelkarten ohne Abschirmmaßnahmen. Im Elektronenstrahltester ergeben sich bei ungeschirmten Nadeln wegen des Einflusses der elektrischen Felder der Meßnadeln typische Meßfehler bis zu 50%. Das bedeutet, daß zahlreiche Meßstellen wegen des gleichzeitig auftretenden Rauschens überhaupt nicht ausmeßbar sind.Semiconductor chips, in particular integrated electronic Semiconductors are used in various manufacturing processes Process sections tested. At the wafer level the measurement of dynamic signals usually on wafer probers, Peak measuring stations or in the electron beam tester under Use of needle cards. These pin cards point a variety of needles on the pads, i.e. H. the Terminal pads of the semiconductor lowered and contacted will. So far, the use of the measuring needles on the Needle cards without shielding measures. In the electron beam tester arise with unshielded needles because of the Influence of the electrical fields of the measuring needles typical Measurement errors up to 50%. This means that numerous measuring points because of the simultaneous noise are not measurable at all.

Bei Waferprobern und Spitzenmeßplätzen ist eine Wechselwirkung zwischen den Nadeln zu erwarten, wenn diese bei zukünftigen Produktgenerationen höhere Frequenzen zu verarbeiten haben und geringere Nadelabstände aufweisen.There is an interaction in wafer testers and top measuring stations expected between the needles if these at to process future product generations with higher frequencies have smaller needle distances.

Aufgrund der technisch mangelhaften Ausrüstung werden Messungen auf Waferebene üblicherweise nur zur groben Klassifizierung von Fehlerbildern durchgeführt. Für exaktere Messungen ist es erforderlich, einzelne Halbleitersysteme in Keramikgehäuse einzubauen und danach zu messen. Bei Analysen führt dieses zu einem erheblichen Zeitverlust, zu geringeren verfügbaren Probenzahlen, erheblichen Zusatzkosten und insgesamt zu unzureichender Meßinformation, die insbesondere für die Lernkurven bei der Herstellung von Massenprodukten sehr wesentlich sind.Due to the technically inadequate equipment, measurements at the wafer level usually only for rough classification carried out by error images. For more precise Measurements require individual semiconductor systems  to be installed in a ceramic housing and then measured. At Analyzes this leads to a considerable loss of time, at lower available number of samples, considerable additional costs and overall insufficient measurement information, which especially for the learning curves in manufacturing of mass products are very essential.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Möglichkeit anzugeben, die zu verbesserten Meßbedingungen führt.The invention has for its object a possibility specify which leads to improved measurement conditions.

Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der Patentansprüche 1, 10 und 16 gelöst.This object is achieved through the features of the claims 1, 10 and 16 solved.

Die Erfindung hat den Vorteil, daß mit verhältnismäßig geringem Aufwand Meßnadeln herzustellen sind, die zu einer erheblichen Verbesserung von Meßsignalen führen. Dadurch werden Testmöglichkeiten erschlossen, die bisher nur sehr teuer und mit erheblich größerem Aufwand zu erhalten waren. Das Verhalten erfindungsgemäßer Meßnadeln in elektrischen Feldern und eine Wechselwirkung der Meßnadeln untereinander wird günstig beeinflußt.The invention has the advantage that with relatively little Effort need to produce measuring needles that lead to a lead to significant improvement of measurement signals. Thereby test possibilities are opened up, which so far have only been very to get expensive and with much more effort were. The behavior of measuring needles according to the invention in electrical Fields and an interaction of the measuring needles with each other is influenced favorably.

Ausgestaltungen der Erfindung sind in Unteransprüchen gekennzeichnet.Embodiments of the invention are characterized in the subclaims.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines in der Figur dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert.The invention is described below with reference to one in the figure illustrated embodiment explained in more detail.

Ausgangspunkt für die Herstellung einer erfindungsgemäßen Meßnadel ist eine übliche, kommerziell erhältliche metallische Nadel 1. Als Material wird üblicherweise Wolfram verwendet. Die Schirmung sieht vor, daß zunächst eine Isolationsschicht 2 und auf dieser eine metallische Schicht 3 aufgebracht werden. The starting point for the production of a measuring needle according to the invention is a customary, commercially available metallic needle 1 . Tungsten is usually used as the material. The shielding provides that first an insulation layer 2 and a metallic layer 3 are applied thereon.

Die Isolierung kann dadurch erfolgen, daß ein Lack durch Spritzen oder Tauchen aufgebracht wird. Für die Lackschicht von einer Dicke bis zu 10 µm, vorzugsweise im Bereich von 5 bis 10 µm eignet sich besonders Acryllack. Die Isolation kann aber auch durch alle nicht leitenden Lacke erfolgen, sofern sie bis etwa 130°C mechanisch stabil bleiben.The insulation can be done by a varnish Spraying or dipping is applied. For the paint layer of a thickness up to 10 µm, preferably in the range Acrylic lacquer of 5 to 10 µm is particularly suitable. The Insulation can also be achieved with all non-conductive paints provided they are mechanically stable up to about 130 ° C stay.

Die Spitze der fertigen Meßnadel muß auf einer Länge l von etwa 100 bis 150 µm von Lack frei sein, damit eine Messung möglich wird. Die Entfernung des Lacks geschieht beispielsweise durch Einstechen der Spitze der Meßnadel in einen Würfel. Der Würfel kann eine Kantenlänge von ca. 300 µm haben. Das Material dieses Spitzenschutzes für die Meßnadel ist dabei so beschaffen, daß die Nadelspitze ohne Beschädigung eindringen kann. Geeignet ist beispielsweise Neopren. Die Nadelspitze kann dabei mit dem Spitzenschutz vor dem Aufbringen des Lacks versehen werden. Es ist aber auch möglich, die Meßnadel zunächst im Ganzen zu lackieren bzw. zu isolieren und die überflüssige Isolation nach dem Aufbringen der Abschirmung 3 mit dieser zusammen zu entfernen.The tip of the finished measuring needle must be free of lacquer over a length l of approximately 100 to 150 μm so that a measurement is possible. The varnish is removed, for example, by inserting the tip of the measuring needle into a cube. The cube can have an edge length of approx. 300 µm. The material of this tip protection for the measuring needle is such that the needle tip can penetrate without damage. Neoprene, for example, is suitable. The needle tip can be provided with the tip protection before applying the varnish. However, it is also possible to first paint or isolate the measuring needle as a whole and to remove the superfluous insulation together with the shield 3 after it has been applied.

Eine andere Möglichkeit zum Aufbringen der Isolationsschicht besteht in einer Oxidation der Wolfram-Meßnadel. Die Freilegung der Meßnadelspitze erfolgt dann durch naßchemisches Ätzen.Another way of applying the insulation layer consists in an oxidation of the tungsten measuring needle. The measuring needle tip is then exposed by wet chemical means Etching.

Wesentlich für die zu erreichende Funktion der geschirmten Meßnadel ist, daß die Isolationsschicht 2 eine Leitfähigkeit unter 5×10-8 S und eine Dielektrizitätszahl εr < 4 hat.It is essential for the function of the shielded measuring needle to be achieved that the insulation layer 2 has a conductivity below 5 × 10 -8 S and a dielectric constant ε r <4.

Im Anschluß an das Aufbringen der Isolationsschicht 2 wird die Abschirmung als metallische Schicht 3 aufgebracht. Eine Möglichkeit besteht beispielsweise darin, zunächst eine dünne Bekeimungsschicht aus Gold aufzusputtern oder chemisch abzuscheiden. Anschließend wird auf elektrolytischem Wege eine etwa 3 µm dicke Kupferschicht abgeschieden, wobei die Nadelspitze auf der Länge l von bis zu 150 µm freibleiben muß. Eine andere Möglichkeit zum Aufbringen der elektrisch leitenden metallischen Schicht 3 besteht im Aufdampfen von metallischem Material.Following the application of the insulation layer 2 , the shield is applied as a metallic layer 3 . One possibility is, for example, to first sputter on a thin layer of gold seed or chemically deposit it. An approximately 3 μm thick copper layer is then deposited electrolytically, the needle tip having to remain free over the length l of up to 150 μm. Another possibility for applying the electrically conductive metallic layer 3 consists in the vapor deposition of metallic material.

Eine gemäß Fig. 1 hergestellte geschirmte Meßnadel hat für den Einsatz folgende Eigenschaften zu erfüllen: Zwischen der metallischen Nadel 1 und der metallischen Schicht 3 darf der Leckstrom 100 µA nicht überschreiten und die Kapazität muß kleiner als 30 pF sein. Die geschirmte Meßnadel muß temperaturbeständig bis oberhalb von 130°C sein und darf mechanisch bis 10° gebogen werden. Der Gesamtdurchmesser am Schaft einschließlich der Isolationsschicht 2 und der aufgebrachten Metallisierungsschicht 3 muß unter 0,5 mm liegen.A shielded measuring needle manufactured according to FIG. 1 has to meet the following properties for use: Between the metallic needle 1 and the metallic layer 3 , the leakage current must not exceed 100 μA and the capacitance must be less than 30 pF. The shielded measuring needle must be temperature-resistant up to above 130 ° C and may be bent mechanically up to 10 °. The total diameter on the shaft including the insulation layer 2 and the applied metallization layer 3 must be less than 0.5 mm.

Die Meßnadel gemäß Fig. 1 wird in eine herkömmliche Prüfkarte oder ein komplexeres Testboard eingebaut. Dies ist aufgrund der vorgesehenen Eigenschaften der Meßnadel durch Einlöten und Einkleben möglich. Durch das Justieren der Meßnadel wird die zu erzielende Signalqualität nur geringfügig beeinflußt. Wesentlicher Punkt bei der Montage der Meßnadel ist eine elektrisch gut leitende Verbindung zwischen der metallischen Schicht 3 und der Masseverbindung der Prüfkarte oder des Testboards. Diese Verbindung kann durch ein Lot oder durch einen hochleitfähigen Lack, der aufgestrichen oder aufgedruckt werden kann, hergestellt werden.The stylus of FIG. 1 is installed in a conventional probe card or a more complex test board. This is possible due to the intended properties of the measuring needle by soldering and gluing. The signal quality to be achieved is only slightly influenced by adjusting the measuring needle. An essential point in the assembly of the measuring needle is an electrically highly conductive connection between the metallic layer 3 and the ground connection of the test card or the test board. This connection can be made by means of a solder or by means of a highly conductive lacquer that can be spread on or printed on.

Die wesentlich geringere Anfälligkeit einer gemäß Fig. 1 hergestellten Meßnadel zeigt sich daran, daß bei einem Einsatz der mit den Meßnadeln bestückten Prüfkarten oder Testboards in einem Elektronenstrahltester erheblich bessere Meßsignale erzielt werden. Die Verbesserungen beziehen sich sowohl auf die Höhe der Amplitude als auch auf eine Verringerung des Einflusses elektrischer Felder der Nadeln auf die Primärelektronen des Elektronenstrahltesters. Dadurch wird das sogenannte Strahlverreißen, bei dem eine dargestellte metallische Leitbahn aus zueinander versetzten Leiterbahnstücken zusammengesetzt ist, erheblich verbessert, so daß sich ein weitgehend durchgehender Leitbahnzug ergibt. Aus diesem Grund können auch Meßstellen, die bisher nicht einer Messung zugänglich waren, mit einer erfindungsgemäßen Meßnadel ausgemessen werden. Darüber hinaus führt der verringerte Einfluß der Nadelfelder auf die Sekundärelektronen des Elektronenstrahltesters zu korrekten Potentialmessungen.The much lower susceptibility of a measuring needle produced according to FIG. 1 is shown by the fact that when the test cards or test boards equipped with the measuring needles are used in an electron beam tester, considerably better measuring signals are achieved. The improvements relate both to the amplitude and to a reduction in the influence of the electrical fields of the needles on the primary electrons of the electron beam tester. As a result, the so-called beam tearing, in which a metal interconnect shown is composed of mutually offset interconnect pieces, is considerably improved, so that there is a largely continuous interconnect. For this reason, measuring points that were previously not accessible for measurement can also be measured with a measuring needle according to the invention. In addition, the reduced influence of the needle fields on the secondary electrons of the electron beam tester leads to correct potential measurements.

Bei einem Einsatz der erfindungsgemäßen Meßnadeln an einem Spitzenmeßplatz oder einem Waferprober wird die gegenseitige Wechselwirkung der Meßnadeln untereinander deutlich reduziert. Hierdurch steigert sich die Signalqualität an den Bauelementeingängen und es werden korrekte Messungen auch empfindlicher Signale möglich.When using the measuring needles according to the invention on a Top measuring station or a wafer tester becomes the mutual Interaction between the measuring needles clearly reduced. This increases the signal quality the component inputs and there will be correct measurements sensitive signals also possible.

Claims (16)

1. Verfahren zur Herstellung einer Meßnadel für integrierte Halbleiterchips, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
  • a) auf eine metallische Meßnadel (1) wird eine Isolationsschicht (2) aufgebracht,
  • b) auf die Isolationsschicht (2) wird eine metallische Schicht (3) aufgebracht, und
  • c) die Meßnadelspitze wird von der Isolationsschicht (2) bzw. der metallischen Schicht (3) befreit.
1. A method for producing a measuring needle for integrated semiconductor chips, characterized by the following steps:
  • a) an insulation layer ( 2 ) is applied to a metallic measuring needle ( 1 ),
  • b) a metallic layer ( 3 ) is applied to the insulation layer ( 2 ), and
  • c) the measuring needle tip is freed from the insulation layer ( 2 ) or the metallic layer ( 3 ).
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die metallische Meßnadel durch Spritzen oder Tauchen mit Lack überzogen und isoliert wird.2. The method according to claim 1, characterized, that the metallic measuring needle by spraying or dipping is covered with varnish and insulated. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolationsschicht durch Oxidation der Meßnadel aufgebracht wird.3. The method according to claim 1, characterized, that the insulation layer by oxidation of the measuring needle is applied. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine Isolationsschicht mit einer geringeren Leitfähigkeit als 5×10-8 S und einer kleineren Dielektrizitätszahl als 4 aufgebracht wird.4. The method according to any one of claims 1 to 3, characterized in that an insulation layer with a lower conductivity than 5 × 10 -8 S and a smaller dielectric constant than 4 is applied. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zum Aufbringen der metallischen Schicht zunächst eine metallische Bekeimungsschicht aufgesputtert oder chemisch abgeschieden wird und anschließend eine dickere Schicht aus einem anderen Material abgeschieden wird. 5. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized, that first to apply the metallic layer metallic germination layer sputtered on or chemically is deposited and then a thicker layer is deposited from a different material.   6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß als Bekeimungsschicht Gold und als dickere Schicht elektrolytisches Kupfer aufgebracht werden.6. The method according to claim 5, characterized, that as a germination layer gold and as a thicker layer electrolytic copper can be applied. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die metallische Schicht durch metallisches Aufdampfen aufgebracht wird.7. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized, that the metallic layer by metallic vapor deposition is applied. 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolationsschicht durch Einstechen der Meßnadelspitze in einen Spitzenschutz auf einer Länge bis etwa 150 µm lackfrei wird.8. The method according to any one of claims 1 to 7, characterized, that the insulation layer by piercing the measuring needle tip in a lace protection over a length of about 150 µm becomes paint-free. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolationsschicht durch Ätzen der Meßnadelspitze auf einer Länge von etwa 150 µm entfernt wird.9. The method according to any one of claims 1 to 7, characterized, that the insulation layer by etching the measuring needle tip is removed over a length of about 150 microns. 10. Meßnadel für integrierte Halbleiterchips, dadurch gekennzeichnet, daß eine Meßnadel (1) mit Ausnahme des Spitzenbereichs mit einer Isolationsschicht (2) und diese wiederum mit einer metallischen, elektrisch kontaktierbaren Schicht (3) überzogen ist.10. Measuring needle for integrated semiconductor chips, characterized in that a measuring needle ( 1 ) with the exception of the tip region with an insulation layer ( 2 ) and this in turn is coated with a metallic, electrically contactable layer ( 3 ). 11. Meßnadel nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Meßnadelspitze bis maximal 150 µm frei bleibt.11. measuring needle according to claim 10, characterized, that the measuring needle tip remains free up to a maximum of 150 µm. 12. Meßnadel nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolationsschicht eine elektrische Leitfähigkeit unter 5×10-8 S und eine Dielektrizitätszahl unter 4 hat. 12. Measuring needle according to claim 10 or 11, characterized in that the insulation layer has an electrical conductivity below 5 × 10 -8 S and a dielectric constant below 4. 13. Meßnadel nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolationsschicht eine Dicke unter maximal 10 µm hat.13. Measuring needle according to one of claims 10 to 12, characterized, that the insulation layer has a thickness of less than 10 microns Has. 14. Meßnadel nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die metallische Schicht eine Dicke im Bereich von 3 µm hat.14. Measuring needle according to one of claims 10 to 13, characterized, that the metallic layer has a thickness in the range of 3 microns Has. 15. Meßnadel nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die metallische Schicht mit der Masseverbindung einer Prüfkarte oder eines Testboards verbunden wird.15. Measuring needle according to one of claims 10 to 14, characterized, that the metallic layer with the ground connection one Test card or a test board is connected. 16. Verwendung einer Meßnadel nach einem der Ansprüche 1 bis 15 in einer Prüfkarte oder einem Testboard zur Prüfung von Halbleitern.16. Use of a measuring needle according to one of claims 1 up to 15 in a test card or test board for testing of semiconductors.
DE19924231704 1992-09-22 1992-09-22 Mfg. needle for dynamic signal measurements in integrated circuit chip - covering metallic needle point by insulation layer and outer metal layer apart from extreme needle end Expired - Fee Related DE4231704C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19924231704 DE4231704C1 (en) 1992-09-22 1992-09-22 Mfg. needle for dynamic signal measurements in integrated circuit chip - covering metallic needle point by insulation layer and outer metal layer apart from extreme needle end

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19924231704 DE4231704C1 (en) 1992-09-22 1992-09-22 Mfg. needle for dynamic signal measurements in integrated circuit chip - covering metallic needle point by insulation layer and outer metal layer apart from extreme needle end

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE4231704C1 true DE4231704C1 (en) 1993-10-28

Family

ID=6468546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19924231704 Expired - Fee Related DE4231704C1 (en) 1992-09-22 1992-09-22 Mfg. needle for dynamic signal measurements in integrated circuit chip - covering metallic needle point by insulation layer and outer metal layer apart from extreme needle end

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE4231704C1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1482314A1 (en) * 1996-05-17 2004-12-01 Formfactor, Inc. Microelectronic spring contact element
US7073254B2 (en) 1993-11-16 2006-07-11 Formfactor, Inc. Method for mounting a plurality of spring contact elements
US8033838B2 (en) 1996-02-21 2011-10-11 Formfactor, Inc. Microelectronic contact structure

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
NICHTS ERMITTELT *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7073254B2 (en) 1993-11-16 2006-07-11 Formfactor, Inc. Method for mounting a plurality of spring contact elements
US8033838B2 (en) 1996-02-21 2011-10-11 Formfactor, Inc. Microelectronic contact structure
EP1482314A1 (en) * 1996-05-17 2004-12-01 Formfactor, Inc. Microelectronic spring contact element

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19926701A1 (en) Contact plug for testing semiconductor disc of encased LSI component or printed circuit board for component to be tested
DE10003282B4 (en) Contact structure
DE10031543A1 (en) Production of a connecting structure used in the production of electronic circuits comprises producing an insert in a plastic layer formed on a planar substrate
DE10020713A1 (en) Contact structure for probe card, has contactor formed on dielectric substrate by minute machining operation such that contact section of contactor is perpendicularly formed on one end of horizontal section
DE10151125A1 (en) Connecting structure used in a testing arrangement for forming an electrical connection in semiconductor devices comprises a connecting substrate with through-holes, and connecting elements mounted on the horizontal surface of the substrate
DE10050077A1 (en) Contact structure for establishing electrical connection with contact target, has contact substrate with traces on surface connected to silicon bases of contactors to establish signal paths for external components
EP0005762A1 (en) Method to apply a tension with an electron beam
DE3017686C2 (en) Electrical connection device
DE112009005186B4 (en) SIGNAL DETECTION DEVICES AND CIRCUIT BOARD
DE10333101B4 (en) Calibration means for calibrating a tester channel of a tester, tester system and method for calibrating a tester channel
DE102005062967A1 (en) High-frequency conductor for packaging of integrated circuits
DE4231704C1 (en) Mfg. needle for dynamic signal measurements in integrated circuit chip - covering metallic needle point by insulation layer and outer metal layer apart from extreme needle end
DE10143034B4 (en) Device for measuring interference capacities on an integrated circuit
DE10043193B4 (en) Tester for semiconductor substrates
EP1018031B1 (en) Device for testing circuit boards
DE19728171A1 (en) Semiconductor for evaluation of defects to isolation edge
DE10128365B4 (en) Connection structure of a coaxial cable to an electrical circuit substrate
DE3505615A1 (en) INFLUENCE PROBE ARRANGEMENT WITH SEVERAL INFLUENCE PROBE
DE202020107129U1 (en) Electronic component
EP0433680B1 (en) Method for measuring the potential of the conductor lines of a program-controlled integrated circuit
AT507468B1 (en) DETERMINATION OF CHARACTERISTICS OF AN ELECTRICAL DEVICE
DE4000301C1 (en)
DE102004055955B4 (en) Arrangement for contacting a circuit integrated in a housing
DE102007054698B4 (en) Test station and method for testing test substrates using the test station
WO2000058739A1 (en) Device and method for measuring variable resistances of electrical contacts, especially of plug-in connections

Legal Events

Date Code Title Description
8100 Publication of the examined application without publication of unexamined application
D1 Grant (no unexamined application published) patent law 81
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee