DE4129432A1 - Verfahren zum verbessern der stufen-deckfaehigkeit einer metallisierungsschicht auf einer integrierten schaltung - Google Patents
Verfahren zum verbessern der stufen-deckfaehigkeit einer metallisierungsschicht auf einer integrierten schaltungInfo
- Publication number
- DE4129432A1 DE4129432A1 DE4129432A DE4129432A DE4129432A1 DE 4129432 A1 DE4129432 A1 DE 4129432A1 DE 4129432 A DE4129432 A DE 4129432A DE 4129432 A DE4129432 A DE 4129432A DE 4129432 A1 DE4129432 A1 DE 4129432A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- metallization layer
- layer
- reflection
- coating
- reflective coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/7684—Smoothing; Planarisation
Description
Die Erfindung betrifft allgemein die Metallisierung
integrierter Schaltkreise, speziell ein Verfahren
zum Verbessern der Stufen-Deckfähigkeit einer
Metallisierungsschicht auf einer integrierten
Schaltung und insbesondere Verbesserungen bei der
Laser-Planarisierung (laser planarization) einer
Metallisierungsschicht mit niedrigem Siedepunkt bei
Kontaktwegen auf integrierten Schaltungen mit
Mikrometer-/Submikrometer-Geometrie.
Bei dem bei der Herstellung von integrierten Schal
tungen zur Vorbereitung auf das Ätzen von Leitern
und Bond-Kontaktflächen über ihren äußeren Ober
flächen dienenden Metallisierungsschritt ist die
Stufen-Deckfähigkeit leitfähiger Metallschichten
(typischerweise Metalle mit niedrigem Siedepunkt,
wie etwa Aluminium und/oder Kupfer-Legierungen)
über Oberflächen-Diskontinuitäten, wie etwa Wege
löchern (via holes), wo das Verbinden von Kontakten
stattfinden muß, schlecht.
Die Stufen-Deckfähigkeit von herkömmlich durch
Aufdampfen oder Sputtern abgeschiedenen Metall
schichten verschlechtert sich zunehmend in dem
Maße, in dem die Abmessungen der Komponenten auf
der integrierten Schaltung schrumpfen. Die schlech
te Stufen-Deckfähigkeit ist ein Ergebnis des
"Schatteneffektes" in dem abgeschiedenen Film an
den Seitenwänden von Stufen oder Löchern.
Obwohl das obengenannte Stufen-Deckfähigkeits-Pro
blem in gewissem Maße sowohl durch chemische Dampf
abscheidung von Wolfram als auch durch Metallab
scheidung unter Verwendung von Hochtemperatur-
und/oder Vorspannungs-Sputtern gelöst werden kann,
wird die Verbesserung der Stufen-Deckfähigkeit mit
schwerwiegenden Nachteilen erkauft. Bei chemischer
Dampfabscheidung von Wolfram ist der Schichtwider
stand ungefähr dreimal höher als derjenige von
Aluminium oder Aluminiumlegierungen. Auf der ande
ren Seite führt das Hochtemperatur- und/oder Vor
spannungs-Sputtern gewöhnlich zu schlechten
Schichtqualitäten wie etwa geringem Elektronenwan
derungswiderstand (electron migration resistance)
und hoher Versetzungsdichte (dislocation density).
Der Einsatz eines gepulsten Lasers zum Schmelzen
und Planarisieren dünner Metallschichten mit nie
drigem Siedepunkt zum Füllen von Kontaktwegen mit
großem Geometrieverhältnis (aspect ratio) bildet
gegenwärtig einen sehr attraktiven Ansatz zur Me
tallisierung von Schaltungen hoher Packungsdichte.
Die Planarisierung der leitfähigen Oberfläche ist
insbesondere wünschenswert, wenn Wege bei Mehrebe
nen-Metallisierung vertikal gestapelt sind. Die
Laser-Planarisierung ist eine einfache und wirksame
Technik mit kleinem Wärmehaushalt zum Planarisieren
leitfähiger Metallschichten und zum Füllen von
Ebenenverbindungskontakten zu den Kosten nur eines
zusätzlichen Schrittes in dem Standard-Prozeß
ablauf.
Die Planarisierung mit Excimeren-Lasern beruht auf
einem sehr kurzen Laser-Impuls zum raschen Schmel
zen einer absorbierenden Metallschicht. Während
der Schmelzperiode tritt ein Massentransport des
leitfähigen Metalls auf, der zu einem Fluß des
Metalls in Wege führt und der infolge der großen
Oberflächenspannung und der geringen Viskosität des
geschmolzenen Metalls ein Verflachen der Oberfläche
verursacht.
Unlängst hat sich die Technik der Laser-Planarisie
rung beim Verbessern der Stufen-Deckfähigkeit von
Schichten aus Aluminiumlegierungen bei Kontakten
und Kontaktwegen in Mikrometer-/Submikrometer-Geo
metrie als vielversprechend erwiesen. Infolge des
großen Reflexionsvermögens von Aluminium (ungefähr
93% für Wellenlängen in dem Bereich herunter bis
zu 200 nm) und seiner relativ niedrigen Verdamp
fungstemperatur (2467°C) leiden Aluminiumlegie
rungen jedoch an den folgenden Nachteilen:
- 1) Ineffiziente Nutzung der Laserenergie,
- 2) niedriger Grenzwert für die optische Abtragung (low optical ablation limit) und
- 3) kleines Prozeßfenster zwischen dem Grenz wert für die Abtragung (ablation limit) und dem Grenzwert des Füllens des Weges (via-fill limit).
Planarisierungssysteme, die Excimeren-Laserstrah
lung nutzen, zeigen sich insbesondere vielverspre
chend beim Füllen von Wegen mit Durchmessern im
Submikrometer-Bereich und zum Planarisieren der
entstehenden Oberfläche. Die für gewöhnlich beim
Erwärmen von Aluminiumlegierungen durch Laserener
gie anzutreffende Verminderung des Oberflächen
reflexionsvermögens ist bereits als Aufweitung des
"Prozeßfensters" zwischen dem "Abtragungsgrenz
wert", oder der Temperatur, bei der das leitfähige
Metall schmilzt oder verdampft, und dem "Wegefül
lungsgrenzwert", oder der Temperatur, bei der ein
hinreichender Fluß des leitfähigen Metalls ein
tritt, um die Schaltungsausnehmungen zu füllen,
berichtet worden.
Es ist vorgeschlagen worden, einen dünnen Kupfer
überzug zu verwenden, um das Aluminium-Planarisie
rungsverfahren durch Erhöhen der anfänglichen op
tischen Absorptionsfähigkeit für den Laserstrahl in
der leitfähigen Metallschicht zu verbessern. Dieser
Ansatz scheitert jedoch daran, daß er die allgemein
erkannte geringe Oxidationsbeständigkeit von Kupfer
und die Schwierigkeit des nachfolgenden Ätzens
solcher Kupferüberzüge nicht angeht.
Die Verwendung von Titan als einer reflexionshem
menden Beschichtung für Laser-Planarisierungspro
zesse ist ebenfalls vorgeschlagen worden. Die be
richteten Verbesserungen bei der Planarisierung
wurden jedoch unter Inkaufnahme verschiedener Nach
teile erzielt, einschließlich hohem Widerstand und
hohen Eigenspannungen (stresses). Der höhere Wider
stand der Ti-Al-Legierungen, der von der Durchmi
schung dieser Materialien während der Laser-Plana
risierung herrührt, mindert den Vorteil der Alumi
nium-Metallisierung gegenüber alternativen Metalli
sierungsschemata, die chemisch aus Dampf abgelager
tes Wolfram als das primäre leitfähige Medium ver
wenden. Darüber hinaus erregen die höheren Eigen
spannungen in den resultierenden Ti-Al-Legierungen
Besorgnisse hinsichtlich der Zuverlässigkeit, wie
etwa bezüglich Adhäsion, Risse und Ausfall infolge
Eigenspannungen (stress voiding). Es ist daher
durch früher tätige Forscher geschlußfolgert wor
den, daß Titan selbst keine wünschenswerte reflexi
onshemmende Beschichtung für Aluminium und Alumi
niumlegierungen in Metallisierungsprozeduren ist.
Trotz der Unzulänglichkeiten in den Systemen zur
Laser-Planarisierung, über die gegenwärtig berich
tet wird, ist der Wert einer reflexionshemmenden
Beschichtung beim Aufweiten des Prozeßfensters als
wichtig und als von nachgewiesener Nützlichkeit
beim Erhöhen der Dicke einer Schicht leitfähigen
Metalls quer zu einer Stufe oder einem Weg beur
teilt worden.
Eine Suche nach alternativen reflexionshemmenden
Beschichtungen hat zu der gegenwärtigen Identifika
tion von abgeschiedenen Schichten von Metallen mit
hohem Schmelzpunkt, wie etwa Wolfram oder eine
Legierung aus Wolfram und Titan als einer nützli
chen Beschichtung geführt. Eine Schicht des ausge
wählten Metalls wird als eine reflexionshemmende
Beschichtung auf Aluminiumlegierungen oder anderen
für Metallisierungszwecke benutzten Metallen mit
niedrigem Siedepunkt vorgeschlagen. Das Hinzufügen
einer metallischen Schicht vor der Laser-Planari
sierung führt zu einer effizienteren Verwendung der
Laserenergie, zu einer geringeren Abtragung der
Aluminiumschicht bei einem gegebenen optischen
Fluß (optical fluence) und zu einem Erweitern des
Prozeßfensters. Ihre Aufbringung über die leit
fähige Metallschicht wird gesteuert, um das Durch
mischen der reflexionshemmenden Beschichtung und
der Metallisierungsschicht während der Laser-Plana
risierung zu eliminieren oder zu minimieren. Die
reflexionshemmende Schicht kann dann durch Ätzen im
wesentlichen entfernt werden, wodurch die Metalli
sierungsschicht für weitere herkömmliche Verarbei
tungsschritte aufgedeckt zurückbleibt.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausfüh
rungsbeispielen erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Querschnittsansicht, die
die ursprünglichen Metallisie
rungsschichten darstellt,
Fig. 2 eine Querschnittsansicht der
Schichten nach der Laser-Plana
risierung,
Fig. 3 eine Querschnittsansicht der
Schichten nach dem Ätzen der
reflexionshemmenden Beschich
tung (anti-reflective coating,
ARC) und
Fig. 4 ein Ablaufdiagramm der in die
sem Prozeß ausgeführten Schrit
te.
Das vorliegende Verfahren ist besonders auf die
Verbesserung der Stufen-Deckfähigkeit einer Metal
lisierungsschicht auf einer integrierten Schaltung
mit Kontaktwegen in Mikrometer-/Submikrometer-Geo
metrie (1·1 µm2 oder weniger Fläche) gerichtet.
Die bei der Metallisierung von integrierten Schal
tungen herangezogene Verwendung von Excimeren-La
sern zum Schmelzen und Planarisieren einer Schicht
aus Aluminiumlegierung ist vorhergehend als Mög
lichkeiten sowohl der verbesserten Stufen-Deckfä
higkeit als auch der wirtschaftlichen Herstellung
von integrierten Schaltungen hoher Packungsdichte
bietend erkannt worden. Dieser Technik wohnen je
doch verschiedene Probleme inne: (1) Aluminium und
seine Legierungen, weithin für Metallisierungs
schichten eingesetzt, weisen bis hinunter zu unge
fähr 200 mm ein hohes Reflexionsvermögen für Licht
auf, was zu einer ineffizienten Nutzung der auf
eine Aluminiumschicht für Planarisierungszwecke
gerichteten Laserenergie führt; (2) die geringe
Absorptionsfähigkeit von Aluminium und seinen Le
gierungen vermehrt die örtliche Abtragung an Stel
len, an denen Oberflächenirregularitäten mehr Licht
absorbieren als die darumliegenden Flächen; und (3)
das Prozeßfenster von ± 6-8% für die Laser-Plana
risierung von Aluminium und seinen Legierungen ist
relativ eng.
Während Berichte bezüglich des Einsatzes von Kupfer
und Titan als reflexionshemmende Beschichtungen
(ARC) zum Lösen dieser Probleme veröffentlicht
worden sind, ist die Auswahl dieser Metalle offen
sichtlich ausschließlich durch ihre Reflexions
eigenschaften diktiert worden. Die vorliegenden
Verbesserungen dieser Systeme berücksichtigen nicht
nur das Reflexionsvermögen des Beschichtungsme
talls, sondern auch seine elektrischen und thermi
schen Eigenschaften und seine Beständigkeit gegen
über Oxidation. Der Widerstand der vermischten
reflexionshemmenden Beschichtung darf nicht schäd
lich für den Hauptzweck der Metallisierungsschicht
sein, die darin besteht, als ein wirksamer elektri
scher Leiter zu dienen. Durch Auswählen von Metal
len mit relativ hohen Schmelz- und Siedepunkten im
Vergleich zu dem niedrigen Schmelz- und Siedepunkt
der darunterliegenden Metallisierungsschicht wird
die Vermischung der beiden Schichten minimiert oder
eliminiert, wodurch sichergestellt wird, daß die
elektrischen und physikalischen Eigenschaften der
Metallisierungsschicht den Prozeß im wesentlichen
intakt überleben. Die Beständigkeit der reflexions
hemmenden Beschichtung gegenüber Oxidation ist von
besonderer Wichtigkeit, weil der verarbeitete Wafer
typischerweise der Luft ausgesetzt wird, wenn er
vom Planarisierungsgerät zu der nächsten Verarbei
tungsstation bewegt wird. Oxidierte Oberflächen
reflexionshemmender Beschichtungen können für nach
folgende Ätzprozesse, die für ihre Entfernung er
forderlich sind, schädlich sein.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist in Fig. 4 um
rissen. Nachfolgend nach dem Einsatz von Standard
prozessen zur Herstellung einer integrierten Schal
tung umfassen die Metallisierungsschritte zuerst
die Ablagerung eines herkömmlichen Abdeckmetalls
durch Sputtern. Dann wird die Metallisierungs
schicht, die eine Aluminiumlegierung oder ein an
deres Metall mit niedrigem Schmelz- und Siedepunkt
sein kann (wie etwa Kupfer oder Kupferlegierungen),
in einer Abdeckschicht (covering film) durch Sput
tern oder andere herkömmliche, für das elektrisch
leitfähige Metall geeignete Ablagerungsprozesse
aufgebracht, um eine Metallisierungsschicht mit
einer Dicke zwischen ungefähr 300 nm und 1,5 µm zu
bilden. Eine Schicht aus Metall mit hohem Schmelz-
und Siedepunkt wird dann durch Anwendung von Sput
ter-Techniken als eine reflexionshemmende Beschich
tung über der Metallisierungsschicht, um sicherzu
stellen, daß sie nicht die Ausnehmung oder den Weg
dort bedeckt oder überlappt, wo die Stufen-Deckfä
higkeit zu verbessern ist. Die aufgesputterte re
flexionshemmende Beschichtung ist so aufgebracht,
daß sie die Mikrometer-/Submikrometer-Kontaktwege
nach dem Ablagern der Metallisierungsschicht nicht
überlappt oder überdeckt. Dies verhindert nachfol
gendes Vermischen infolge des resultierenden, wäh
rend des Planarisierungsschrittes in der Metalli
sierungsschicht auftretenden Massenflusses von
geschmolzenem Metall. Der zweite Ablagerungs
schritt wird durch Sputtern der reflexionshemmen
den Beschichtung einer Dicke von weniger als 100 nm
ausgeführt.
Der abschließende Schritt, der zur Bedeckung des
Weges oder des Loches führt, ist eine Laser-Plana
risierung. Dies wird durch Richten gepulster opti
scher Strahlung aus einem Excimeren-Laser auf den
Bereich des Weges bewerkstelligt, wodurch eine
Absorption des Laserstrahls innerhalb der reflex
ionshemmenden Beschichtung 14 verursacht wird.
Während der Laser-Planarisierung schmilzt die Me
tallisierungsschicht mit niedrigem Schmelz- und
Siedepunkt und fließt in die offenen Räume des
Weges oder anderer Ausnehmungen, aber der größte
Teil oder die Gesamtmenge des Metalls mit hohem
Schmelz- und Siedepunkt, das sie bedeckt, verbleibt
im festen Zustand. Die reflexionshemmende Schicht
kann dann durch Ätzen oder andere geeignete Techni
ken entfernt werden, wodurch die ebene äußere Ober
fläche der Metallisierungsschicht für ein nachfol
gendes Verarbeiten offenliegt.
Es ist erforderlich, daß die reflexionshemmende Be
schichtung einen Reflektivitätswert aufweist, der
kleiner ist als derjenige der Metallisierungs
schicht. Sie muß ferner einen Schmelzpunkt aufwei
sen, der ausreichend höher ist als derjenige der
Metallisierungsschicht, um sicherzustellen, daß die
Vermischung der beiden Schichten und das daraus
resultierende Anwachsen des Widerstandes der Metal
lisierungsschicht während der Laser-Planarisierung
nicht auftritt.
Fig. 1 veranschaulicht das Laminat nach der Abla
gerung der reflexionshemmenden Beschichtung und
vor der Planarisierung. Das darunterliegende Sub
strat ist durch das Bezugszeichen 10 bezeichnet.
Eine bedeckende isolierende Schicht 11 überlagert
die Halbleiterkomponenten (nicht dargestellt).
Die äußere Oberfläche der Schicht 11 und die frei
stehenden Oberflächen auf dem Substrat 10 sind
durchlöchert, so daß sie einen Weg (via) bilden.
Die Oberflächen sind durch ein Abdeckmetall 12, wie
etwa Ti : W bedeckt, welches sowohl als Benetzungs
schicht als auch als Diffusionsbarriere dient.
Eine Metallisierungsschicht aus einem Metall mit
niedrigem Schmelzpunkt, wie etwa einer Aluminiumle
gierung 13, erstreckt sich quer zum Weg. Die Dicke
der Aluminiumlegierung entlang der Wände und der
Bodenoberfläche des Mikrometer-/Submikrometer-Weges
ist wegen des Schatteneffektes, der beim Beschich
ten eines Loches auftritt, relativ gering oder die
Schicht ist unterbrochen. Die abgelagerte re
flexionshemmende Beschichtung ist durch das Bezugs
zeichen 14 veranschaulicht. Sie überlappt den abge
setzten Kontaktbereich nicht.
Wie in Fig. 2 gezeigt, bewirkt die nachfolgende
Laser-Planarisierung, daß die Aluminiumlegierung 13
in den offenen Weg (open via) oder Loch hinein
fließt. Schließlich wird die äußere Schicht des
metallischen Materials durch Ätzen entfernt, was zu
einer relativ ebenen äußeren Oberfläche des resul
tierenden Laminates (Fig. 3) führt.
Während die in Fig. 1 dargestellte Struktur der
Laserbestrahlung ausgesetzt ist, wird die Metalli
sierungsschicht 13 geschmolzen. Dies wird durch die
(anti-)reflektierende Natur (reflective nature) der
reflexionshemmenden Beschichtung erleichtert. Die
Eigenschaften der reflexionshemmenden Beschichtung
bei den Wellenlängen der Laserenergie weiten das
Planarisierungs-Prozeßfenster durch den resultie
renden Zuwachs an wirksamem Einsatz von Laserener
gie zum Schmelzen des leitfähigen Metalls und
durch ein Herabsetzen des Grenzwertes des Verfül
lens von Wegen (via-fill limit) auf. Dies kann auf
die Reflexionseigenschaften der ausgewählten Me
tallschicht, die den größten Teil der leitfähigen
Metallschicht bedeckt, zurückgeführt werden.
Durch sorgfältiges Steuern der Flächen, auf denen
das Aufbringen des metallischen Materials ge
schieht, wird ein geringes Vermischen der beiden
Metallschichten auftreten. Dies ist wichtig, weil
der höhere Widerstand der reflexionshemmenden Be
schichtung in den nachfolgend in der Metallisie
rungsschicht gebildeten Leitern unerwünscht ist. Um
Vermischung weiter zu minimieren, wird der Gebrauch
von Laserstrahlung niedriger Energie bevorzugt,
wodurch eine äußere Schicht metallischen Materials
zurückgelassen wird, die durch Ätzen am Ende des
Prozesses entfernt werden kann.
Das Hauptkriterium für eine Schicht, um wirksam als
eine reflexionshemmende Beschichtung zu wirken,
ist, daß sie eine hohe optische Absorptionsfähig
keit und einen hohen Schmelz- und Siedepunkt auf
weist. Experimentelle Prüfungen haben darin gemün
det, Wolfram und eine Wolfram-Titan-Legierung (Ti-
10%, W-90%) als reflexionshemmende Beschichtung
für die Laser-Planarisierung von Aluminiumschichten
zu verwenden. Wie in Tabelle 1 gezeigt, ist das
optische Absorptionsvermögen der Materialien der
reflexionshemmenden Beschichtung signifikant größer
als das von Aluminium. Zusätzlich sind die höheren
Schmelz- und Siedepunkte der ausgegewählten Metalle
wichtig, um die Integrität der reflexionshemmenden
Beschichtungen während der Laserenergie-Exposition
zu bewahren. Die Eigenschaften der Aluminium
schicht, wie etwa Korngröße und Widerstand nach der
Laser-Planarisierung, werden durch den Grad des
Legierens und/oder der Diffusion von Atomen der
bedeckenden reflexionshemmenden Beschichtung be
stimmt. Daher ist der Zustand einer reflexionshemm
enden Beschichtung während der Laserstrahl-Exposi
tion und dem nachfolgenden thermischen Zyklus, vom
Standpunkt seiner Nützlichkeit aus gesehen, sehr
wichtig.
Die in dieser Studie verwendeten Substrate waren
Wafer eines Durchmessers von 150 mm aus p-typ-
<100< Si, die mit einer 1,0 µm dicken Schicht aus
mit Borphosphat dotiertem Siliziumglas (BPSG) be
schichtet und dann mit 1·1 µm2 Kontaktwegen bemu
stert sind. Eine TiW-Diffusionsbarrieren-Schicht
(für reflexionshemmende Beschichtungen aus TiW und
CVD-Wolfram) in Dicken von 100 nm bzw. 50 nm und
einer A1Si(1%)Cu(0,5%)-Schicht von 800 nm Dicke
wurden dann durch Sputtern aufgetragen. Die reflex
ionshemmenden Beschichtungen (mit Ausnahme von
Wolframschichten) wurden alle in-situ in einem
Mehrkammersputtersystem nach der Ablagerung der
Aluminiumlegierung aufgebracht. Wolfram wurde in
einem CVD-Reaktorsystem mit kalten Wänden abgela
gert. Die Stärke der verschiedenen reflexionshem
menden Beschichtungen betrug 30 nm für CVD Wolfram
und 35 nm für TiW.
Die Daten des optischen Reflexionsvermögens der für
verschiedene reflexionshemmende Beschichtungen
erzielten Sandwich-Struktur ist in Tabelle 2 darge
stellt. Die Proben mit reflexionshemmenden Be
schichtungen zeigten, verglichen mit blanken Alu
miniumschichten, ein niedrigeres Reflexionsvermö
gen. Die mehrschichtigen Strukturen wurden dann
einem Excimeren-Pulslaser der Wellenlänge 308 nm
ausgesetzt. Die Energie der während verschiedener
Experimente benutzten Laserpulse betrug ungefähr
470 bis 500 mJ und die Substrattemperatur wurde auf
etwa 300°C gehalten.
Nach der Planarisierung wurden Rasterelektronenmi
kroskopie-Bilder von Kontaktwegen (contact vias)
vor und nach der Laser-Planarisierung mit und ohne
reflexionshemmende Beschichtung durchgesehen. Im
Fall von blanken Aluminiumschichten wurde ein kom
plettes Verfüllen der Kontakte bei einer Substrat
temperatur von 300°C sogar für einen optischen Fluß
von 4,8 J/cm2, der der maximale optische Fluß un
terhalb des Abtragens war, nicht beobachtet. Im
Fall der reflexionshemmenden Beschichtung aus TiW
wurde jedoch ein vollständiges Verfüllen bei 2,7
J/cm2 beobachtet.
Tabelle 2 listet die zum vollständigen Verfüllen
erforderlichen optischen Flüsse und die maximalen
Flüsse vor dem Einsetzen der Abtragung für eine
Substrattemperatur von 300°C für jede reflexions
hemmende Beschichtung und für blankes Aluminium
auf. Die Daten für Aluminium wurden bei einer Tem
peratur von 400°C aufgenommen, da für blankes Alu
minium bei 300°C keine vollständige Verfüllung
beobachtet wurde. Die Werte des Prozeßfensters in
Tabelle 2 wurden nach folgender Formel berechnet:
wobei Ff der zum vollständigen Verfüllen benötigte
minimale optische Fluß und Fa der optische Fluß
beim Einsetzen der optischen Abtragung ist.
Das Prozeßfenster (vollständiges Verfüllen des
Kontaktes bis zur Abtragung) für das Kontaktverfül
len wurde für alle reflexionshemmenden Beschichtun
gen unter verschiedenen Prozeßbedingungen bestimmt.
Die Prozeßfenster wurden für eine Substrattempera
tur von 300°C berechnet. Für den Fall ohne reflexi
onshemmende Beschichtung gilt das Prozeßfenster
jedoch für eine Substrattemperatur von 400°C, da
vollständiges Verfüllen für keinen Laserfluß unter
halb der optischen Abtragung erzielt werden konnte.
Die Werte des Reflexionsvermögens in Tabelle 2
wurden im Verhältnis zum Reflexionsvermögen von
Silizium gemessen.
Wie in Tabelle 2 dargestellt, zeigten beide re
flexionshemmenden Beschichtungen eine Verbesserung
im Prozeßfenster bei einer wesentlich niedrigeren
Substrattemperatur, als zum vollständigen Verfüllen
erforderlich ist, wenn keine reflexionshemmende
Beschichtung benutzt wird. Die größte Verbesserung
wurde für die reflexionshemmende Beschichtung aus
Wolfram beobachtet, die die Tatsache reflektiert,
daß die Sandwich-Struktur mit einer reflexionshemm
enden Beschichtung aus Wolfram das geringste opti
sche Reflexionsvermögen aufwies.
Zusätzlich wurde der Prozentsatz des Verfüllens der
Kontakte aus dem Verhältnis der verfüllten und der
gesamten Kontaktfläche, das aus Querschnitt/Mikro
graphen bestimmt wurde, berechnet. Die reflexions
hemmende Beschichtung aus TiW resultierte in einem
vollständigen Verfüllen bei einem wesentlich
niedrigerem optischen Fluß verglichen mit der
reflexionshemmenden Beschichtung aus Wolfram. Die
optische Abtragung trat jedoch, verglichen mit der
reflexionshemmenden Beschichtung aus Wolfram, bei
einem niedrigerem optischen Fluß auf, was zu einem
schmaleren Prozeßfenster für die TiW-Legierung
führt. Im Fall fehlender reflexionshemmender Be
schichtung betrug die beobachtete Verfüllung bei
4,9 J/cm2 jedoch weniger als 40%.
Die Oberflächenmorphologie der Schicht aus Alumini
umlegierung nach der Laser-Planarisierung besitzt
wichtige Implikationen für das nachfolgende Be
mustern von Verbindungsleitungen. Optische Mikro
graphien von auf einer Anreihung von 0,9 µm tiefen
in BPSG geätzten Kontaktlöchern wurden vor und nach
der Laser-Planarisierung durchgesehen. Bei einem
relativ geringeren optischen Fluß von 0,97 J/cm2
wurde die Oberfläche verrunzelt. Dieses resultierte
vermutlich aus dem Schmelzen der Aluminiumschicht
unterhalb der reflexionshemmenden Beschichtung,
wohingegen die TiW-Schicht in fester Form verblieb.
Der Zuwachs an Plastizität der TiW-Schicht infolge
des Anwachsens der Temperatur während der Laser-
Exposition verhinderte anzunehmenderweise jegliche
Rißbildung. Bei diesem Laserfluß wurde eine sehr
geringe Kontaktverfüllung beobachtet. Bei höheren
Laserflüssen kann die beobachtete Abwesenheit von
Runzeln auf Legieren von TiW mit Aluminium und/oder
Schmelzen der TiW-Schicht während der Laser-Plana
risierung zurückzuführen sein.
Vorläufige elektrische Daten der Schichten zeigten,
daß der Widerstand der Aluminiumschicht nach der
Laser-Planarisierung keinen signifikanten Zuwachs
zeigt, wenn Wolfram oder TiW-Legierung als reflexi
onshemmende Schicht benutzt wird, wie man es beim
Einsatz von Titan für diesen Zweck erfahren hat.
Der Gebrauch einer reflexionshemmenden Beschichtung
resultiert im allgemeinen in einer Erniedrigung der
zum vollständigen Verfüllen als auch für den Ein
satz der optischen Abtragung benötigten optischen
Flüsse. Die bis heute verwendeten reflexionshemmen
den Beschichtungen führten zu einer Verbesserung
des Prozeßfensters von 11 bis 16%. Die Verbesse
rung des Prozeßfensters folgte dicht den Kennwerten
des optischen Reflexionsvermögens von verschiedenen
reflexionshemmenden Beschichtungen. Reflexionshem
mende Beschichtungen aus CVD-Wolfram ergaben die
besten Resultate bezüglich des größten Zuwachses
des Prozeßfensters. Dies folgt aus dem geringeren
optischen Reflexionsvermögen und der höheren
Schmelztemperatur von Wolfram.
Claims (10)
1. Verfahren zum Verbessern der Stufen-Deckfähig
keit einer Metallisierungsschicht auf einer
integrierten Schaltung mit Kontaktwegen in
Mikrometer-/Submikrometer-Geometrie, die
folgenden aufeinanderfolgenden Schritte auf
weisend:
- - Ablagern einer Metallisierungsschicht (13) aus einem elektrisch leitfähigen Metall mit einem niedrigen Schmelz- und Siedepunkt;
- - Ablagern einer reflexionshemmenden Be schichtung (14) auf der Metallisierungs schicht (13), wobei die reflexionshemmen de Beschichtung (14) einen kleineren Wert des Reflexionsvermögens als denjenigen der Metallisierungsschicht (13) aufweist, wobei die reflexionshemmende Schicht (14) ferner einen Schmelz- und Siedepunkt aufweist, der ausreichend höher als der jenige der Metallisierungsschicht (13) ist, um sicherzustellen, daß die Ver mischung der beiden Schichten und eine daraus resultierende Erhöhung des Wider standes der Metallisierungsschicht (13) während der Laser-Planarisierung nicht auftritt; und
- - Unterwerfen des resultierenden Laminats einer Laser-Planarisierung, um die Metal lisierungsschicht (13) zu schmelzen und um zu verursachen, daß sie in die Kon taktwege fließt, ohne daß die reflexions hemmende Beschichtung (14) schmilzt.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die reflexionshemmende Beschichtung (14)
Wolfram ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die reflexionshemmende Beschichtung (14)
eine Wolframlegierung ist.
4. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die reflexionshemmende Beschichtung (14)
eine Legierung mit Wolfram und Titan ist.
5. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3 oder 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Metallisierungsschicht (13) eine Alu
miniumlegierung umfaßt.
6. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprü
che,
dadurch gekennzeichnet,
daß sie ferner den folgenden aufeinanderfol
genden Schritt aufweist:
- - Entfernen der zurückbleibenden reflexi onshemmenden Beschichtung (14) nach dem Laser-Planarisierungs-Schritt.
7. Verfahren nach einem der vorstehenden An
sprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Schritt des Ablagerns der reflexions
hemmenden Beschichtung (14) deren Plazierung
auf der Metallisierungsschicht (13) nur über
den Flächen der integrierten Schaltung außer
halb ihrer Kontaktwege in Mikrometer-/Submi
krometer-Geometrie beinhaltet, wodurch nach
folgende Gelegenheiten zum Vermischen der
Metallisierungsschicht (13) und der reflexi
onshemmmenden Beschichtung (14) während der
Laser-Planarisierung minimiert werden.
8. Verfahren nach einem der vorstehenden An
sprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß der erste Ablagerungsschritt eine Metalli
sierungsschicht (13) mit einer Dicke zwischen
ungefähr 300 nm und 1,5 µm bildet und daß der
zweite Ablagerungsschritt durch Sputtern der
reflexionshemmenden Beschichtung (14) in einer
Dicke von weniger als 100 nm ausgeführt wird,
wobei die aufgesputterte reflexionshemmende
Beschichtung (14) derart aufgebracht wird, daß
sie die Mikrometer-/Submikrometer-Kontaktwege
nach der Ablagerung der Metallisierungsschicht
(13) überlappt oder bedeckt.
9. Verfahren nach einem der vorstehenden An
sprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß es den folgenden Schritt umfaßt:
- - Auswählen einer reflexionshemmenden Be schichtung (14) mit physikalischen Eigen schaften, die das Planarisierungs-Prozeß fenster durch Erniedrigen des Grenzwertes der Wegeverfüllung der Metallisierungs schicht (13) erniedrigt, ohne seinen Grenzwert der Abtragung proportional zu vermindern.
10. Verfahren nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Verminderung des Grenzwertes des We
geverfüllens auf eine Kombination der Re
flexionseigenschaften der reflexionshemmenden
Beschichtung (14) als auch auf ihre thermische
Leitfähigkeit und spezifische Wärme zurück
führbar ist, und daß das Fehlen einer propor
tionalen Verminderung des Grenzwertes der
Abtragung auf ihren Schmelz- und Siedepunkt
zurückführbar ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/578,545 US5032233A (en) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | Method for improving step coverage of a metallization layer on an integrated circuit by use of a high melting point metal as an anti-reflective coating during laser planarization |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4129432A1 true DE4129432A1 (de) | 1992-03-26 |
DE4129432C2 DE4129432C2 (de) | 2000-12-28 |
Family
ID=24313331
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4129432A Expired - Fee Related DE4129432C2 (de) | 1990-09-05 | 1991-09-04 | Verfahren zum Verbessern der Stufen-Deckfähigkeit einer Metallisierungsschicht auf einer integrierten Schaltung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5032233A (de) |
JP (1) | JPH0766941B2 (de) |
DE (1) | DE4129432C2 (de) |
GB (1) | GB2247781B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4240506A1 (de) * | 1992-12-02 | 1994-12-15 | Ct Fuer Intelligente Sensorik | Verfahren zur Herstellung von Leitbahnen über Grabengebiete von integrierten Halbleiterschaltungen, wobei zur Strukturierung Lötstoppresist eingesetzt wird |
Families Citing this family (90)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5106779A (en) * | 1990-12-06 | 1992-04-21 | Micron Technology, Inc. | Method for widening the laser planarization process window for metalized films on semiconductor wafers |
US5094977A (en) * | 1991-01-25 | 1992-03-10 | Micron Technology, Inc. | Stress reduction in metal films by laser annealing |
US5250465A (en) * | 1991-01-28 | 1993-10-05 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing semiconductor devices |
US5093279A (en) * | 1991-02-01 | 1992-03-03 | International Business Machines Corporation | Laser ablation damascene process |
JPH04307933A (ja) * | 1991-04-05 | 1992-10-30 | Sony Corp | タングステンプラグの形成方法 |
US5221426A (en) * | 1991-11-29 | 1993-06-22 | Motorola Inc. | Laser etch-back process for forming a metal feature on a non-metal substrate |
US6475903B1 (en) * | 1993-12-28 | 2002-11-05 | Intel Corporation | Copper reflow process |
US5654232A (en) * | 1994-08-24 | 1997-08-05 | Intel Corporation | Wetting layer sidewalls to promote copper reflow into grooves |
US5773363A (en) * | 1994-11-08 | 1998-06-30 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing method of making electrical contact to a node |
KR0161422B1 (ko) * | 1995-07-31 | 1999-02-01 | 김광호 | 접촉창을 용이하게 매몰한 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US5756394A (en) * | 1995-08-23 | 1998-05-26 | Micron Technology, Inc. | Self-aligned silicide strap connection of polysilicon layers |
US5877087A (en) | 1995-11-21 | 1999-03-02 | Applied Materials, Inc. | Low temperature integrated metallization process and apparatus |
US6077781A (en) | 1995-11-21 | 2000-06-20 | Applied Materials, Inc. | Single step process for blanket-selective CVD aluminum deposition |
US6726776B1 (en) | 1995-11-21 | 2004-04-27 | Applied Materials, Inc. | Low temperature integrated metallization process and apparatus |
US6066358A (en) * | 1995-11-21 | 2000-05-23 | Applied Materials, Inc. | Blanket-selective chemical vapor deposition using an ultra-thin nucleation layer |
US5946542A (en) * | 1996-02-26 | 1999-08-31 | Micron Technology, Inc. | Method of depositing passivation layers on semiconductor device arrays |
US6555449B1 (en) | 1996-05-28 | 2003-04-29 | Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Methods for producing uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors using sequential lateral solidfication |
US7126195B1 (en) | 1996-06-03 | 2006-10-24 | Micron Technology, Inc. | Method for forming a metallization layer |
US5891803A (en) * | 1996-06-26 | 1999-04-06 | Intel Corporation | Rapid reflow of conductive layers by directional sputtering for interconnections in integrated circuits |
US5746046A (en) * | 1996-08-05 | 1998-05-05 | Guilford Mills, Inc. | Method for forming comingled composite yarn |
US6110828A (en) * | 1996-12-30 | 2000-08-29 | Applied Materials, Inc. | In-situ capped aluminum plug (CAP) process using selective CVD AL for integrated plug/interconnect metallization |
US6436246B1 (en) * | 1997-01-27 | 2002-08-20 | Micron Technology, Inc. | Collimated sputter deposition monitor using sheet resistance |
US6139905A (en) * | 1997-04-11 | 2000-10-31 | Applied Materials, Inc. | Integrated CVD/PVD Al planarization using ultra-thin nucleation layers |
KR100272859B1 (ko) * | 1997-06-28 | 2000-12-01 | 김영환 | 반도체 소자의 금속 배선 및 그 제조 방법 |
GB9714531D0 (en) * | 1997-07-11 | 1997-09-17 | Trikon Equip Ltd | Forming a layer |
US5926740A (en) * | 1997-10-27 | 1999-07-20 | Micron Technology, Inc. | Graded anti-reflective coating for IC lithography |
US6010935A (en) * | 1997-08-21 | 2000-01-04 | Micron Technology, Inc. | Self aligned contacts |
US6048763A (en) * | 1997-08-21 | 2000-04-11 | Micron Technology, Inc. | Integrated capacitor bottom electrode with etch stop layer |
US5976976A (en) | 1997-08-21 | 1999-11-02 | Micron Technology, Inc. | Method of forming titanium silicide and titanium by chemical vapor deposition |
US6117761A (en) * | 1997-08-23 | 2000-09-12 | Micron Technology, Inc. | Self-aligned silicide strap connection of polysilicon layers |
US6147405A (en) | 1998-02-19 | 2000-11-14 | Micron Technology, Inc. | Asymmetric, double-sided self-aligned silicide and method of forming the same |
US6284316B1 (en) | 1998-02-25 | 2001-09-04 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition of titanium |
US6143362A (en) * | 1998-02-25 | 2000-11-07 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition of titanium |
KR100303059B1 (ko) * | 1998-03-30 | 2001-11-30 | 윤종용 | 디램셀커패시터의제조방법 |
EP0955674B1 (de) | 1998-04-28 | 2011-07-13 | Xerox Corporation | Herstellung von hybriden polykristallinen und amorphen Siliziumstrukturen |
US6187667B1 (en) | 1998-06-17 | 2001-02-13 | Cypress Semiconductor Corp. | Method of forming metal layer(s) and/or antireflective coating layer(s) on an integrated circuit |
US6262579B1 (en) | 1998-11-13 | 2001-07-17 | Kulicke & Soffa Holdings, Inc. | Method and structure for detecting open vias in high density interconnect substrates |
US6100185A (en) * | 1998-08-14 | 2000-08-08 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing method of forming a high purity <200> grain orientation tin layer and semiconductor processing method of forming a conductive interconnect line |
US6291363B1 (en) | 1999-03-01 | 2001-09-18 | Micron Technology, Inc. | Surface treatment of DARC films to reduce defects in subsequent cap layers |
US6365507B1 (en) | 1999-03-01 | 2002-04-02 | Micron Technology, Inc. | Method of forming integrated circuitry |
US6524951B2 (en) | 1999-03-01 | 2003-02-25 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a silicide interconnect over a silicon comprising substrate and method of forming a stack of refractory metal nitride over refractory metal silicide over silicon |
US6348709B1 (en) * | 1999-03-15 | 2002-02-19 | Micron Technology, Inc. | Electrical contact for high dielectric constant capacitors and method for fabricating the same |
US6388230B1 (en) * | 1999-10-13 | 2002-05-14 | Morton International, Inc. | Laser imaging of thin layer electronic circuitry material |
US6207558B1 (en) * | 1999-10-21 | 2001-03-27 | Applied Materials, Inc. | Barrier applications for aluminum planarization |
US6300208B1 (en) * | 2000-02-16 | 2001-10-09 | Ultratech Stepper, Inc. | Methods for annealing an integrated device using a radiant energy absorber layer |
US6830993B1 (en) * | 2000-03-21 | 2004-12-14 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Surface planarization of thin silicon films during and after processing by the sequential lateral solidification method |
CN1404627A (zh) * | 2000-10-10 | 2003-03-19 | 纽约市哥伦比亚大学托管会 | 处理薄金属层的方法与设备 |
TW546684B (en) * | 2000-11-27 | 2003-08-11 | Univ Columbia | Process and mask projection system for laser crystallization processing of semiconductor film regions on a substrate |
KR100916281B1 (ko) * | 2001-08-27 | 2009-09-10 | 더 트러스티스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 | 미세구조의 임의 배치를 통하여 다결정성 박막 트랜지스터균일성을 향상시키는 방법 |
US6858904B2 (en) * | 2001-08-30 | 2005-02-22 | Micron Technology, Inc. | High aspect ratio contact structure with reduced silicon consumption |
US20030042614A1 (en) * | 2001-08-30 | 2003-03-06 | Ammar Deraa | Metal silicide adhesion layer for contact structures |
AU2003220611A1 (en) * | 2002-04-01 | 2003-10-20 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Method and system for providing a thin film |
KR101118974B1 (ko) * | 2002-08-19 | 2012-03-15 | 더 트러스티스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 | 균일성을 제공하도록 기판 상의 박막 영역을 레이저 결정화처리하는 방법 및 시스템, 그리고 그러한 박막 영역의 구조 |
TWI344027B (en) * | 2002-08-19 | 2011-06-21 | Univ Columbia | Process and system for laser crystallization processing of film regions on a substrate to provide substantial uniformity within areas in such regions and edge areas thereof, and a structure of such film regions |
TWI360707B (en) * | 2002-08-19 | 2012-03-21 | Univ Columbia | Process and system for laser crystallization proc |
WO2004017380A2 (en) | 2002-08-19 | 2004-02-26 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | A single-shot semiconductor processing system and method having various irradiation patterns |
KR101191837B1 (ko) | 2003-02-19 | 2012-10-18 | 더 트러스티스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 | 순차적 측면 고상화 기술을 이용하여 결정화되는 복수의 반도체 박막을 가공하는 방법 및 장치 |
US7153772B2 (en) * | 2003-06-12 | 2006-12-26 | Asm International N.V. | Methods of forming silicide films in semiconductor devices |
WO2005029547A2 (en) * | 2003-09-16 | 2005-03-31 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Enhancing the width of polycrystalline grains with mask |
US7164152B2 (en) * | 2003-09-16 | 2007-01-16 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Laser-irradiated thin films having variable thickness |
WO2005029548A2 (en) * | 2003-09-16 | 2005-03-31 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | System and process for providing multiple beam sequential lateral solidification |
WO2005029549A2 (en) | 2003-09-16 | 2005-03-31 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Method and system for facilitating bi-directional growth |
US7318866B2 (en) | 2003-09-16 | 2008-01-15 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for inducing crystallization of thin films using multiple optical paths |
TWI359441B (en) | 2003-09-16 | 2012-03-01 | Univ Columbia | Processes and systems for laser crystallization pr |
WO2005029546A2 (en) | 2003-09-16 | 2005-03-31 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Method and system for providing a continuous motion sequential lateral solidification for reducing or eliminating artifacts, and a mask for facilitating such artifact reduction/elimination |
US7364952B2 (en) * | 2003-09-16 | 2008-04-29 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for processing thin films |
WO2005029550A2 (en) * | 2003-09-16 | 2005-03-31 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Method and system for producing crystalline thin films with a uniform crystalline orientation |
US7311778B2 (en) * | 2003-09-19 | 2007-12-25 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Single scan irradiation for crystallization of thin films |
US7645337B2 (en) | 2004-11-18 | 2010-01-12 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for creating crystallographic-orientation controlled poly-silicon films |
US8221544B2 (en) | 2005-04-06 | 2012-07-17 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Line scan sequential lateral solidification of thin films |
US8598588B2 (en) | 2005-12-05 | 2013-12-03 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for processing a film, and thin films |
US8278176B2 (en) | 2006-06-07 | 2012-10-02 | Asm America, Inc. | Selective epitaxial formation of semiconductor films |
US8367548B2 (en) | 2007-03-16 | 2013-02-05 | Asm America, Inc. | Stable silicide films and methods for making the same |
KR20100074193A (ko) | 2007-09-21 | 2010-07-01 | 더 트러스티이스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 | 박막 트랜지스터에서 사용되는 측면 결정화된 반도체 섬의 집합 |
TWI418037B (zh) | 2007-09-25 | 2013-12-01 | Univ Columbia | 藉由改變形狀、大小或雷射光束在製造於橫向結晶化薄膜上之薄膜電晶體元件中產生高一致性的方法 |
US8012861B2 (en) | 2007-11-21 | 2011-09-06 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for preparing epitaxially textured polycrystalline films |
US8557040B2 (en) | 2007-11-21 | 2013-10-15 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for preparation of epitaxially textured thick films |
WO2009067688A1 (en) | 2007-11-21 | 2009-05-28 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for preparing epitaxially textured polycrystalline films |
US8569155B2 (en) | 2008-02-29 | 2013-10-29 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Flash lamp annealing crystallization for large area thin films |
WO2010056990A1 (en) | 2008-11-14 | 2010-05-20 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for the crystallization of thin films |
US9379011B2 (en) | 2008-12-19 | 2016-06-28 | Asm International N.V. | Methods for depositing nickel films and for making nickel silicide and nickel germanide |
US7927942B2 (en) * | 2008-12-19 | 2011-04-19 | Asm International N.V. | Selective silicide process |
US8440581B2 (en) | 2009-11-24 | 2013-05-14 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for non-periodic pulse sequential lateral solidification |
US9646831B2 (en) | 2009-11-03 | 2017-05-09 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Advanced excimer laser annealing for thin films |
US9087696B2 (en) | 2009-11-03 | 2015-07-21 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Systems and methods for non-periodic pulse partial melt film processing |
US8367528B2 (en) | 2009-11-17 | 2013-02-05 | Asm America, Inc. | Cyclical epitaxial deposition and etch |
US8871617B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-10-28 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition and reduction of mixed metal oxide thin films |
US8809170B2 (en) | 2011-05-19 | 2014-08-19 | Asm America Inc. | High throughput cyclical epitaxial deposition and etch process |
US9437756B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-09-06 | Sunpower Corporation | Metallization of solar cells using metal foils |
US9607842B1 (en) | 2015-10-02 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming metal silicides |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4681795A (en) * | 1985-06-24 | 1987-07-21 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Planarization of metal films for multilevel interconnects |
DE3818509A1 (de) * | 1987-06-01 | 1988-12-22 | Gen Electric | Verfahren und einrichtung zum herstellen eines niederohmigen kontaktes mit aluminium und dessen legierungen durch selektives niederschlagen von wolfram |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2522928C2 (de) * | 1974-05-25 | 1984-04-05 | Canon K.K., Tokyo | Aufzeichnungsträger, Verfahren zu dessen Herstellung und Aufzeichnungsverfahren |
US4388517A (en) * | 1980-09-22 | 1983-06-14 | Texas Instruments Incorporated | Sublimation patterning process |
US4431459A (en) * | 1981-07-17 | 1984-02-14 | National Semiconductor Corporation | Fabrication of MOSFETs by laser annealing through anti-reflective coating |
US4674176A (en) * | 1985-06-24 | 1987-06-23 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Planarization of metal films for multilevel interconnects by pulsed laser heating |
JPS62293740A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US4920070A (en) * | 1987-02-19 | 1990-04-24 | Fujitsu Limited | Method for forming wirings for a semiconductor device by filling very narrow via holes |
US4758533A (en) * | 1987-09-22 | 1988-07-19 | Xmr Inc. | Laser planarization of nonrefractory metal during integrated circuit fabrication |
JPH01266746A (ja) * | 1988-04-18 | 1989-10-24 | Sony Corp | 半導体装置 |
JPH02158133A (ja) * | 1988-12-12 | 1990-06-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | アルミニウム電極配線の形成方法 |
-
1990
- 1990-09-05 US US07/578,545 patent/US5032233A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-08-09 GB GB9117295A patent/GB2247781B/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-09-04 DE DE4129432A patent/DE4129432C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-09-05 JP JP3225999A patent/JPH0766941B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4681795A (en) * | 1985-06-24 | 1987-07-21 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Planarization of metal films for multilevel interconnects |
DE3818509A1 (de) * | 1987-06-01 | 1988-12-22 | Gen Electric | Verfahren und einrichtung zum herstellen eines niederohmigen kontaktes mit aluminium und dessen legierungen durch selektives niederschlagen von wolfram |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
US-Buch: V-MIC Conf. 13.-14. Juni 1988 Santa Clara, Ca (USA) 1988, S. 101-107 * |
US-Buch: V-MIC Conf. 13.-14. Juni 1988 Santa Clara, Ca (USA) 1988, S. 501 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4240506A1 (de) * | 1992-12-02 | 1994-12-15 | Ct Fuer Intelligente Sensorik | Verfahren zur Herstellung von Leitbahnen über Grabengebiete von integrierten Halbleiterschaltungen, wobei zur Strukturierung Lötstoppresist eingesetzt wird |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4129432C2 (de) | 2000-12-28 |
GB9117295D0 (en) | 1991-09-25 |
US5032233A (en) | 1991-07-16 |
GB2247781A (en) | 1992-03-11 |
JPH0766941B2 (ja) | 1995-07-19 |
GB2247781B (en) | 1995-01-11 |
JPH04245457A (ja) | 1992-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4129432C2 (de) | Verfahren zum Verbessern der Stufen-Deckfähigkeit einer Metallisierungsschicht auf einer integrierten Schaltung | |
DE4200809C2 (de) | Verfahren zur Bildung einer metallischen Verdrahtungsschicht in einem Halbleiterbauelement | |
DE4342047B4 (de) | Halbleiterbauelement mit einer Diffusionsbarrierenschichtanordnung und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE4309542C2 (de) | Halbleitereinrichtung mit einer verbesserten Verdrahtungsstruktur und Verfahren zur Herstellung dieser Halbleitereinrichtung | |
DE69534636T2 (de) | Halbleitervorrichtung und deren Herstellungsverfahren | |
DE4400726A1 (de) | Verfahren zum Metallaufdampfen auf eine integrierte Schaltkreiseinrichtung | |
DE69233231T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Kontaktbohrungen für Mehrschichtschaltung von Halbleiterbauelementen | |
EP0208463A1 (de) | Planarisierung von Metallschichten für Verbindungen mit mehreren Ebenen | |
DE19963864A1 (de) | Plasmabehandlung zur Verbesserung der Haftung anorganischer Dielektrika auf Kupfer | |
DE4222142A1 (de) | Halbleiterbauelement mit einer verdrahtungsschicht und verfahren zu dessen herstellung | |
DE4138999C2 (de) | Belichtungsverfahren für die Herstellung einer Halbleitervorrichtung | |
DE60011837T2 (de) | Schmelzsicherung aus Kupfer mit hoher Laserabsorption und Verfahren zu deren Herstellung | |
JPS6236846A (ja) | 金属層の平坦化方法 | |
EP0002703B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von dünnen metallisch leitenden Streifen auf Halbleitersubstraten und damit hergestellte metallisch leitende Streifen | |
DE10041565B4 (de) | Metallzwischenverbindung, Halbleitervorrichtung, Verfahren zum Bilden einer Metallzwischenverbindung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung | |
DE19642740A1 (de) | Halbleiterbauelement mit einer Aluminium-Zwischenschaltung und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE10318921A1 (de) | Halbleitereinrichtung und Herstellungsverfahren dafür sowie Beschichtungslösung | |
DE3414781A1 (de) | Vielschicht-verbindungsstruktur einer halbleitereinrichtung | |
DE19608208B4 (de) | Verfahren zur Herstellung von Metallzwischenverbindungen in Halbleitereinrichtungen | |
DE19515564B4 (de) | Elektrode für ein Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE3217026A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE102007035837A1 (de) | Halbleiterbauelement mit einer Kornorientierungsschicht | |
DE1765003B2 (de) | Verfahren zum herstellen von bezueglich des rauschens und des uebergangswiderstandes verbesserten integrierten duennfilmschaltungen | |
DE3830131A1 (de) | Flip-chip-halbleitereinrichtung | |
DE102004063149B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20110401 |