DE3942351A1 - Vorrichtung zur blasenbildung fuer die verwendung beim waschen von halbleitermaterialien - Google Patents

Vorrichtung zur blasenbildung fuer die verwendung beim waschen von halbleitermaterialien

Info

Publication number
DE3942351A1
DE3942351A1 DE3942351A DE3942351A DE3942351A1 DE 3942351 A1 DE3942351 A1 DE 3942351A1 DE 3942351 A DE3942351 A DE 3942351A DE 3942351 A DE3942351 A DE 3942351A DE 3942351 A1 DE3942351 A1 DE 3942351A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
filter
section
liquid
bubbles
cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE3942351A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichiro Aigo
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Publication of DE3942351A1 publication Critical patent/DE3942351A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/102Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration with means for agitating the liquid
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F23/00Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
    • B01F23/20Mixing gases with liquids
    • B01F23/23Mixing gases with liquids by introducing gases into liquid media, e.g. for producing aerated liquids
    • B01F23/231Mixing gases with liquids by introducing gases into liquid media, e.g. for producing aerated liquids by bubbling
    • B01F23/23105Arrangement or manipulation of the gas bubbling devices
    • B01F23/2312Diffusers
    • B01F23/23125Diffusers characterised by the way in which they are assembled or mounted; Fabricating the parts of the diffusers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902Semiconductor wafer

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur Blasen­ bildung für die Verwendung beim Waschen von Halbleitermateri­ alien (Halbleiter-Wafer), die in einem Träger innerhalb eines Reinigungs- bzw. Spülbehälters angeordnet sind. Die Erfindung bezieht sich dabei speziell auf eine Vorrichtung gemäß Oberbegriff Patentanspruch 1.
Bei der Herstellung von Halbleiterscheiben bzw. Wafer ist es üblich, eine bestimmte Anzahl solcher Wafer, beispielsweise 25 bis 50 Wafer als eine Charge zu behandeln, d.h. diese Wafer, die in einem Träger angeordnet sind, zu waschen. In der allgemein üblichen Technik wird für das Waschen der in dem Träger angeordneten Wafer eine Einrichtung verwendet, wie sie in den Fig. 6-8 dargestellt ist. Diese Einrichtung besteht dann im wesentlichen aus einem Reinigungs- oder Spülbehälter, dem reines Wasser oder eine chemische Reini­ gungsflüssigkeit zugeführt wird, sowie aus einer Vorrichtung zur Bildung von Blasen, die entsprechend Fig. 6 am Boden des Behälters angeordnet ist. Der Träger, der eine Anzahl von Halbleiter-Wafer enthält, wird mit Hilfe eines geeigneten Tragrahmens in den Reinigungsbehälter eingesetzt. Die Vorrichtung zur Blasenbildung dient dazu, die Flüssigkeit innerhalb des Reinigungsbehälters in zusätzliche (heftige) Bewegung zu versetzen, um so den Kontakt zwischen der Flüssigkeit und den Wafern für das Waschen dieser Wafer zu verbessern.
Wie in der Fig. 7 dargestellt ist, besteht eine derartige Vorrichtung zur Blasenbildung aus einem einen Hauptkanal bildenden zentralen Rohrstück, welches an eine Einrichtung zum Zuführen des Gases angeschlossen ist, sowie aus einer geeigneten Anzahl von abzweigenden Rohrstücken, die vom zentralen Rohrstück abzweigen und jeweils Abschnitte zum Gasaustritt bzw. zur Blasenbildung aufweisen, die an den Enden der abzweigenden Rohrstücke vorgesehen sind. Diese Bestandteile sind dann entweder auf einem Fluor-Harz oder -Kunststoff, aus Quarz oder Quarzglas oder aus einem anderen, geeigneten Material hergestellt. Jeder Abschnitt zur Blasen­ bildung ist einstückig mit dem zugehörigen, abzweigenden Rohrstück hergestellt, welches seinerseits durch Schweißen oder Kleben am zentralen Rohrstück befestigt ist, so daß die Vorrichtung mit allen ihren Elementen ein einziges Teil bildet. Die Abschnitte zur Blasenbildung sind jeweils mit einer Vielzahl von feinen Öffnungen versehen.
Diese herkömmlichen, vorstehend beschriebenen Vorrichtungen zur Blasenbildung bedingen Nachteile und Probleme, die nach­ folgend beschrieben werden. Da die Abschnitte zur Blasen­ bildung bzw. zum Gasaustritt eine Vielzahl von feinen, in diesen Abschnitten gebildeten Öffnungen aufweisen, tritt die in dem jeweiligen Reinigungs- bzw. Spülbehälter vorhandene Flüssigkeit durch diese Öffnungen in die jeweiligen Ab­ schnitte zur Blasenbildung und damit auch in die Rohrstücke ein. Es befindet sich daher eine relativ große Menge an Flüssigkeit in der Vorrichtung, wodurch der Gasdurchtritt in den Rohrstücken reduziert und damit der Gasfluß behindert wird. Nachteilig ist auch, daß Bakterien in der in der Vorrichtung vorhandenen Flüssigkeit auftreten bzw. sich dort vermehren, was zu einer Kontaminierung der Flüssigkeit mit solchen Bakterien führt. Sind weiterhin die zur Blasenbildung bzw. für den Gasaustritt dienenden Abschnitte an zwei gegenüberliegenden Seiten der Vorrichtung auf einem unter­ schiedlichen Höhenniveau angeordnet, so werden durch die in der Vorrichtung vorhandene Flüssigkeit die feinen Öffnungen der für die Blasenbildung vorgesehenen Abschnitte auf einer Seite blockiert, mit der Folge, daß diese blockierten Abschnitte keine Blasen in der Reinigungsflüssigkeit erzeugen können.
Aufgabe der Erfindung ist es, unter Vermeidung der vorstehend erwähnten Nachteile und Probleme des Standes der Technik eine verbesserte Vorrichtung zur Blasenbildung aufzuzeigen, bei der ein Eintritt der in einem Reinigungs- bzw. Spülbehälter vorhandenen Flüssigkeit in das Innere der Vorrichtung durch die Abschnitte zur Blasenbildung wirksam verhindert ist.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist eine Vorrichtung entsprechend dem kennzeichnenden Teil des Patentanspruches 1 ausgebildet.
Bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung kann das jeweilige Filter jeweils für sich allein oder aber zusammen mit dem zugehörigen, abzweigenden Rohrstück ausgetauscht werden. Die Maschen- bzw. Porenweite oder -größe ist bei der Erfindung so gewählt, daß eine den Wasch- bzw. Reinigungsvorgang des Halbleitermaterials unterstützende Blasenbildung durch das jeweilige Filter hindurch möglich ist, ohne daß aber die Reinigungsflüssigkeit durch das Filter hindurchtreten kann.
Beim Waschen von Halbleitermaterial, welches in einem Träger innerhalb des Reingigungs- bzw. Spülbehälters angeordnet ist, wird das verwendete Gas über den Hauptkanal bzw. über das diesen Hauptkanal bildende Rohrstück den einzelnen Abschnit­ ten zur Blasenbildung zugeführt und tritt dort für eine Blasenbildung in die in dem Reinigungsbehälter vorhandene Flüssigkeit aus. Das Gas kann hierbei durch das feinmaschige bzw. feinporige Filter nach außen treten, während es der im Behälter vorhandenen Flüssigkeit aufgrund der Öberflächen­ spannung dieser Flüssigkeit nicht möglich ist, die Filter­ öffnungen bzw. -poren zu passieren. Hierdurch ist sicher­ gestellt, daß die Flüssigkeit nicht das Innere der Vor­ richtung gelangen kann.
Die Erfindung wird im Folgenden anhand der Figuren näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine perspektivische Darstellung einer Ausführungs­ form der erfindungsgemäßen Vorrichtung zum Erzeugen von Blasen;
Fig. 2 eine perspektivische Darstellung eines Teiles der Vorrichtung gemäß Fig. 1;
Fig. 3 einen vertikalen Schnitt durch den in der Fig. 2 dargestellten Teil;
Fig. 4 einen vereinfachten Vertikalschnitt einer Wasch­ maschine, die mit einer Vorrichtung zur Blasenbildung versehen ist;
Fig. 5 eine Draufsicht auf die Waschmaschine;
Fig. 6 eine perspektivische Darstellung einer Waschmaschine, die mit der Vorrichtung zur Blasenbildung versehen ist;
Fig. 7 eine perspektivische Darstellung einer Vorrichtung zur Blasenbildung gemäß dem Stand der Technik;
Fig. 8 in vereinfachter Darstellung einen Teilschnitt der Vorrichtung nach Fig. 7.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf be­ vorzugte Ausführungsbeispiele näher erläutert. Wie in den Fig. 4 und 5 dargestellt ist, ist eine erfindungsgemäße Vorrichtung 2 a zur Blasenbildung ebenfalls am Boden eines Reinigungs- oder Spülbehälters 1 angeordnet, und zwar unterhalb eines Trägers 3, in welchem zu waschende Halb­ leiter-Scheiben bzw. -Wafer angeordnet sind. Der Träger 3 ist dabei in einer Flüssigkeit eingetaucht, die vom Reinigungs- bzw. Spülbehälter 1 aufgenommen ist. Die Vorrichtung 2 a dient dazu, Blasen, d.h. Luft- und/oder Gasblasen in der Flüssig­ keit zu erzeugen, um so diese Flüssigkeit innerhalb des Behälters 1 in Bewegung zu versetzen.
Wie in der Fig. 1 dargestellt ist, besteht die Vorrichtung 2 a aus einem zentralen Rohr oder Rohrstück 5, welches mit einer ein Gas liefernden Einrichtung, beispielsweise mit einem Gebläse oder einem Kompressor in Verbindung steht, aus einer geeigneten Anzahl von abzweigenden Rohrstücken 6, die von dem zentralen Rohrstück 5 abzweigen, sowie aus Abschnitten 10, die zur Bildung von Gasblasen dienen und jeweils am Ende jedes abzweigenden Rohrstückes 6 vorgesehen sind.
Als Gas, welches von der Vorrichtung 2 a bzw. dessen Ab­ schnitte 10 freigesetzt wird, wird beispielsweise Stick­ stoffgas, Ozon, Luft oder ein anderes, geeignetes Gas verwendet.
Ein Merkmal der Vorrichtung gemäß der Erfindung, wie sie in den Fig. 1, 2 und 3 dargestellt ist, bezieht sich auf die Verwendung eines feinmaschigen bzw. feinporigen Filters 11, welches jeweils an dem Abschnitt 10 vorgesehen ist, und zwar anstelle von einer Anordnung einer Vielzahl von feinen Öffnungen. Demnach wird bei der Erfindung das Gas durch ein derartiges Filter in die von dem Reinigungs- bzw. Spülbe­ hälter aufgenommene Flüssigkeit eingeleitet. Bevorzugt entspricht die Öffnungs- bzw. Porengröße des Filters 11 einer Poren- bzw. Siebweite von 0,1 µ bis 0,05 µ, und das Filter 11 ist beispielsweise ein Membranfilter.
Das Filter 11 ist entweder für sich allein oder aber zusammen mit einem zugehörigen Rohrstück 6, an dem dieses Filter vorgesehen ist, austauschbar. Dementsprechend ist bei einer Ausführungsform der Erfindung das Filter 11 abnehmbar an dem oberen Ende des Abschnittes 10 gehalten, und zwar mittels einer Befestigungskappe 12. Die Außenfläche des Körpers 13 des Abschnittes 10 ist vorzugsweise zylindrisch und mit einem Schraub- bzw. Außengewinde ausgeführt, welches dann in ein Schraub- bzw. Innengewinde an der Innenfläche der Kappe 12 eingreift, um diese zu fixieren. Bevorzugt ist das Filter 11 zusammen mit einem Tragelement 14 zum Abstützen des Filters zwischen der Stirnfläche des Körpers 13 des Abschnittes 10 und der Innenfläche eines radial nach innen vorspringenden Flanschabschnittes 12 a der Kappe 12 gehalten. Das Tragelement 14 bildet dabei eine durchlässige Platte, beispielsweise eine mit Öffnungen versehene Platte oder aber ein Sieb- oder Gitterelement. Anstelle einer Schraubbefestigung ist selbst­ verständlich auch eine andere Art der Befestigung der Kappe 12 möglich, beispielsweise kann diese Kappe entfernbar mittels einer bajonettartigen Verriegelung oder mittels einer Rast- oder Schnappverbindung gehalten sein, und zwar unter Verwendung eines innenliegenden bzw. von der Kappe umfaßten Elementes. Dementsprechend sind die Kappe 12 sowie auch der Körper 13 des Abschnittes 10 nicht notwendigerweise teil­ zylinderförmig ausgebildet, vielmehr können diese Elemente auch eine Polygon-Form oder eine andere Form aufweisen.
Das Rohrstück 5, die Rohrstücke 6, der Körper 13 der Ab­ schnitte 10 und die jeweilige Kappe 12 sind aus einem Fluor-Harz bzw. -Kunststoff, aus Quarz bzw. Quarzglas, aus PVC, usw. hergestellt. Wie in der Fig. 3 dargestellt ist, ist der Körper 13 des jeweiligen Abschnittes 10 einstückig mit dem zugehörigen Rohrstück 6 gefertigt, welches seinerseits lösbar an dem zentralen Rohrstück 5 befestigt ist, und zwar durch eine Schraubverbindung oder auf andere geeignete Weise. Bei einer anderen Ausführungsform der Erfindung ist die Kappe 12 am Körper 13 durch Schweißen oder Kleben befestigt. In diesem Fall ist dann das jeweilige Filter 11 zusammen mit dem Rohrstück 6 austauschbar, an welchem das Filter befestigt ist.
Der Reinigungs- bzw. Spülbehälter 1 ist bevorzugt mit einer diesen Behälter umschließenden Rinne bzw. mit einem ent­ sprechenden Kanal 16 versehen, wie dies in der Fig. 4 dargestellt ist. Die für den Waschvorgang verwendete Flüssig­ keit, wie beispielsweise reines Wasser oder eine chemische Reinigungsflüssigkeit, wird dem Reinigungs- bzw. Spülbehälter 1 im Bereich des Bodens dieses Behälters über ein Filter 18 zugeführt, und zwar mit Hilfe einer Pumpe 17. Die Reinigungs- bzw. Waschflüssigkeit fließt über den oberen Rand des Reinigungs- bzw. Spülbehälters 1 in die Rinne bzw. in den Kanal 16, über den diese Flüssigkeit dann an die Pumpe 17 zurückgelangt, so daß in der vorbeschriebenen Weise mit dieser Pumpe ein zirkulierender Flüssigkeitsstrom erhalten wird.
Im praktischen Einsatz ist der Träger 3, der Halbleiter- Wafers A enthält, in die im Behälter 1 vorhandene Flüssigkeit eingetaucht und aus der unterhalb des Trägers 3 angeordneten Vorrichtung 2 a erfolgt ein Gasaustritt in Form von Blasen. Diese Blasen bewirken ein zusätzliches Bewegen bzw. Umwälzen der Flüssigkeit im Behälter 1 und unterstützen damit den Waschvorgang der Halbleiter-Wafer. Während die Abschnitte 10 über das jeweilige Filter 11 und das zugehörige Tragelement 14 Gas in die Flüssigkeit einleiten, um dadurch Gasblasen zu bilden, verhindert das jeweilige feinporige Filter 11 einen Flüssigkeitsdurchtritt durch die Poren bzw. Öffnungen dieses Filters, und zwar aufgrund der Oberflächenspannung der Flüssigkeit. Hierdurch wird die Flüssigkeit daran gehindert, in die Abschnitte 10 einzutreten. In diesem Zusammenhang ist nochmals darauf hinzuweisen, daß eine herkömmliche Vor­ richtung zur Blasenbildung, wie sie in den Fig. 7 und 8 dargestellt ist, nicht verhindern kann, daß Flüssigkeit in die Abschnitte 7 zur Blasenbildung eintritt, da bei dieser bekannten Anordnung die Abschnitte 7 eine Vielzahl von Öffnungen 8 aufweisen. Aus diesem Grunde hat die bekannte Vorrichtung die vorstehend genannten Nachteile und Probleme. Im Gegensatz hierzu verwendet die Erfindung Abschnitte zur Blasenbildung, die mit einem feinporigen Filter bzw. Gitter versehen sind, welches einen Flüssigkeitseintritt in den jeweiligen Abschnitt zur Blasenbildung verhindern und damit auch den Nachteil vermeidet, daß im Reinigungs- bzw. Spül­ behälter vorhandene Flüssigkeit in die Rohrstücke 6 und in das zentrale Rohrstück 5 fließt. Falls das Filter 11 bzw. dessen Poren verstopft sind, können die Kappen 12 oder aber das gesamte Rohrstück 6 für einen Austausch des Filters leicht abgenommen werden, so daß in jedem Fall auch eine optimale Blasenbildung erhalten wird.
Bei der Einrichtung gemäß der Erfindung wird die Fähigkeit zur Blasenbildung nicht beeinträchtigt. Es können auch keine Bakterien im Inneren der Vorrichtung auftreten, da bei der Erfindung die im Reinigungs- und Spülbehälter vorhandene Flüssigkeit nicht in die Vorrichtung eindringen kann. Trotzdem besteht aber die Möglichkeit für einen einfachen Filteraustausch. Mit der Erfindung wird somit auch eine Kontaminierung der Flüssigkeit mit Bakterien verhindert. Selbst wenn ein Höhenunterschied zwischen den Abschnitten zur Blasenbildung auf den gegenüberliegenden Seiten der Vor­ richtung besteht, erzeugen diese Abschnitte auf beiden Seiten der Vorrichtung nach wie vor in der angestrebten, vorteil­ haften Weise Luft- und/oder Gasblasen.
Die Erfindung wurde voranstehend an Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es versteht sich, daß Abwandlungen sowie Änderungen möglich sind, ohne daß dadurch der der Erfindung zugrundeliegende Erfindungsgedanke verlassen wird.

Claims (4)

1. Vorrichtung die zur Blasenbildung in einer Reinigungs­ flüssigkeit am Boden eines Reinigungs- bzw. Spülbehälters (1) zum Waschen von in einem Träger (3) angeordneten Halbleitermaterial (A) positioniert werden kann, mit einem, vorzugsweise von einem Rohrstück gebildeten Hauptkanal zum Zuführen eines Gases sowie mit einer geeigneten Anzahl von abzweigenden Kanälen, die bevorzugt ebenfalls von Rohrstücken gebildet und jeweils mit dem Hauptkanal verbunden sind sowie an ihrem Ende jeweils einen Abschnitt (10) zum Gasaustritt bzw. zur Erzeugung von Blasen aufweisen, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Abschnitt (10) ein feinmaschiges bzw. feinporiges Filter (11) aufweist, und daß dieses Filter (11) austauschbar sowie am oberen Ende des jeweiligen Abschnittes (10) vorgesehen ist, um durch dieses Filter eine das Waschen des Halbleitermaterials (A) unterstützende Blasenbildung zu erreichen, ohne daß Flüssigkeit durch das Filter hindurchtreten kann.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jedes abzweigende Rohrstück (6) abnehmbar an dem den Hauptkanal bildenden Rohrstück (5) befestigt ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das jeweilige Filter (11) eine Sieb- bzw. Porenweite von etwa 0,1µ-0,05µ aufweist, beispiels­ weise ein Membranfilter ist.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1-3, dadurch gekennzeichnet, daß der jeweilige Abschnitt (10) zur Blasenbildung eine vorzugsweise durch Anschrauben an diesem Abschnitt befestigte Kappe (12) aufweist, und daß das jeweilige Filter (11) zusammen mit einem Tragelement (14) zwischen dem Ende des Abschnittes (10) und einem nach innen vorspringenden Flanschabschnitt (12 a) der Kappe (12) gehalten ist.
DE3942351A 1989-02-27 1989-12-21 Vorrichtung zur blasenbildung fuer die verwendung beim waschen von halbleitermaterialien Withdrawn DE3942351A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1989021644U JPH0644098Y2 (ja) 1989-02-27 1989-02-27 半導体ウェハーの洗浄用バブラー

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3942351A1 true DE3942351A1 (de) 1990-08-30

Family

ID=12060766

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3942351A Withdrawn DE3942351A1 (de) 1989-02-27 1989-12-21 Vorrichtung zur blasenbildung fuer die verwendung beim waschen von halbleitermaterialien

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5014727A (de)
JP (1) JPH0644098Y2 (de)
KR (1) KR900013593A (de)
DE (1) DE3942351A1 (de)
GB (1) GB2228424B (de)

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5488964A (en) * 1991-05-08 1996-02-06 Tokyo Electron Limited Washing apparatus, and washing method
JPH0521413A (ja) * 1991-07-10 1993-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体基板洗浄装置及び半導体基板洗浄方法
US5339842A (en) * 1992-12-18 1994-08-23 Specialty Coating Systems, Inc. Methods and apparatus for cleaning objects
DE4316096C1 (de) * 1993-05-13 1994-11-10 Wacker Chemitronic Verfahren zur naßchemischen Behandlung scheibenförmiger Werkstücke
US5464480A (en) * 1993-07-16 1995-11-07 Legacy Systems, Inc. Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid
US5911837A (en) * 1993-07-16 1999-06-15 Legacy Systems, Inc. Process for treatment of semiconductor wafers in a fluid
JPH0756015A (ja) * 1993-08-18 1995-03-03 Sony Corp カラーフィルタの製造方法
FR2716267B1 (fr) * 1994-02-11 1996-03-22 Daniel Crespel Dispositif de dégraissage notamment pour fibres optiques.
US5419353A (en) * 1994-05-04 1995-05-30 Chen; Hong-Wel Object cleaning and washing device
US5505219A (en) * 1994-11-23 1996-04-09 Litton Systems, Inc. Supercritical fluid recirculating system for a precision inertial instrument parts cleaner
US6532976B1 (en) 1995-07-10 2003-03-18 Lg Semicon Co., Ltd. Semiconductor wafer cleaning apparatus
DE19541436C2 (de) * 1995-11-07 1998-10-08 Steag Micro Tech Gmbh Anlage zur Behandlung von Gegenständen in einem Prozeßtank
KR100211074B1 (ko) * 1996-03-13 1999-07-15 구본준 웨이퍼 습식 처리장치
DE19644253A1 (de) 1996-10-24 1998-05-07 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
US5815942A (en) * 1996-12-13 1998-10-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Vapor drying system and method
US5800626A (en) * 1997-02-18 1998-09-01 International Business Machines Corporation Control of gas content in process liquids for improved megasonic cleaning of semiconductor wafers and microelectronics substrates
US5849091A (en) * 1997-06-02 1998-12-15 Micron Technology, Inc. Megasonic cleaning methods and apparatus
US5904156A (en) * 1997-09-24 1999-05-18 International Business Machines Corporation Dry film resist removal in the presence of electroplated C4's
US6199568B1 (en) * 1997-10-20 2001-03-13 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Treating tank, and substrate treating apparatus having the treating tank
US5971368A (en) 1997-10-29 1999-10-26 Fsi International, Inc. System to increase the quantity of dissolved gas in a liquid and to maintain the increased quantity of dissolved gas in the liquid until utilized
US6273107B1 (en) * 1997-12-05 2001-08-14 Texas Instruments Incorporated Positive flow, positive displacement rinse tank
US6039055A (en) * 1998-01-08 2000-03-21 International Business Machines Corporation Wafer cleaning with dissolved gas concentration control
JP3533332B2 (ja) * 1998-05-20 2004-05-31 Tdk株式会社 電子部品の製造方法および水処理装置
US6235641B1 (en) 1998-10-30 2001-05-22 Fsi International Inc. Method and system to control the concentration of dissolved gas in a liquid
US6372051B1 (en) * 1998-12-04 2002-04-16 Texas Instruments Incorporated Positive flow, positive displacement rinse tank
GB2346093A (en) * 1999-01-27 2000-08-02 Addavita Ltd Gas diffuser for an air lift pump
JP2000271471A (ja) * 1999-03-24 2000-10-03 Nippon M K S Kk 液体ソース供給システム及びその洗浄方法、気化器
US6406551B1 (en) 1999-05-14 2002-06-18 Fsi International, Inc. Method for treating a substrate with heat sensitive agents
US6274506B1 (en) 1999-05-14 2001-08-14 Fsi International, Inc. Apparatus and method for dispensing processing fluid toward a substrate surface
US6217667B1 (en) * 1999-09-24 2001-04-17 Semitool, Inc. Method for cleaning copper surfaces
US6926016B1 (en) 2001-02-15 2005-08-09 Quantum Global Technologies, Llc System for removing contaminants from semiconductor process equipment
US6530388B1 (en) 2000-02-15 2003-03-11 Quantum Global Technologies, Llc Volume efficient cleaning systems
US7328712B1 (en) 2000-02-15 2008-02-12 Quantum Global Technologies Cleaning bench for removing contaminants from semiconductor process equipment
US6911097B1 (en) * 2000-07-31 2005-06-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist stripper using nitrogen bubbler
SE517821C2 (sv) * 2000-09-29 2002-07-16 Tetra Laval Holdings & Finance Metod och anordning för att kontinuerligt avlufta en vätska
KR100481309B1 (ko) * 2002-06-27 2005-04-07 삼성전자주식회사 반도체 기판의 건조장비
JP2004121962A (ja) * 2002-10-01 2004-04-22 National Institute Of Advanced Industrial & Technology ナノバブルの利用方法及び装置
US20040238119A1 (en) * 2003-05-26 2004-12-02 Ching-Yu Chang [apparatus and method for etching silicon nitride thin film ]
US8118939B2 (en) * 2005-03-17 2012-02-21 Noah Precision, Llc Temperature control unit for bubblers
CN101983560A (zh) * 2010-11-19 2011-03-09 宋剑 水产养殖水下增氧盘
KR101297111B1 (ko) * 2011-12-20 2013-08-21 비나텍주식회사 셀 세척 시스템 및 세척 방법
JP6032623B2 (ja) * 2012-07-31 2016-11-30 パナソニックIpマネジメント株式会社 太陽電池の製造方法
JP6016174B2 (ja) * 2012-07-31 2016-10-26 パナソニックIpマネジメント株式会社 太陽電池の製造方法
GB201316716D0 (en) * 2013-09-20 2013-11-06 Alphasonics Ultrasonic Cleaning Systems Ltd Ultrasonic cleaning apparatus and method
JP2017140605A (ja) * 2016-02-12 2017-08-17 光洋機械産業株式会社 洗浄方法及びこの洗浄方法に用いられる洗浄装置
JP6707412B2 (ja) * 2016-07-22 2020-06-10 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
CN114951126A (zh) * 2022-06-17 2022-08-30 徐州徐工精密工业科技有限公司 一种机械设备零部件生产清洗装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2541838A (en) * 1947-06-12 1951-02-13 Rca Corp Water resistant porous medium
GB660666A (en) * 1948-11-19 1951-11-07 Activated Sludge Ltd Improvements in or relating to means for diffusing gases into liquids
US3396950A (en) * 1967-01-16 1968-08-13 Elmer R. Wood Diffuser for sewage treatment
NL6803350A (de) * 1967-03-09 1968-09-10
FI49704C (fi) * 1974-01-23 1975-09-10 Nokia Oy Ab Kuplia kehittävä ilmastin.
GB1475193A (en) * 1974-10-16 1977-06-01 Whatman Reeve Angel Ltd Porous element and the preparation thereof
US4288394A (en) * 1978-10-19 1981-09-08 Water Pollution Control Corp. Sewage aeration system
GB2183497B (en) * 1985-12-10 1989-10-11 Gore & Ass A diffuser device

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0644098Y2 (ja) 1994-11-14
GB2228424A (en) 1990-08-29
US5014727A (en) 1991-05-14
KR900013593A (ko) 1990-09-06
GB2228424B (en) 1992-11-18
GB9001127D0 (en) 1990-03-21
JPH02113332U (de) 1990-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3942351A1 (de) Vorrichtung zur blasenbildung fuer die verwendung beim waschen von halbleitermaterialien
DE3916511C2 (de)
EP0895655B1 (de) Vorrichtung zum behandeln von substraten in einem fluid-behälter
DE3134182C2 (de) Auslaufstutzen an Abfüllvorrichtungen für Flüssigkeiten
DE2052664A1 (de) Vorrichtung zum Mischen, Homogemsieren oder Teilen viskoser Flüssigkeiten
DE10034386A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Elektrofiltration
DE72264T1 (de) Filter mit angeordnetem koernigem material.
DE8218000U1 (de) Vorrichtung zum waschen von gemuese, fruechten oder aehnlichen produkten
EP0953205A1 (de) Vorrichtung zum behandeln von substraten
EP0324024B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur regeneration von ionenaustauschermaterial
DE3524071C2 (de)
DE3307830A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur exkorporalen reinigung von blut
WO1980001484A1 (en) Process and device for processing waste waters
DE19517444C1 (de) Vorrichtung für die Zufuhr von Sauerstoff in Abwasser
DE1519700A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer Beruehrung zwischen Fluessigkeiten und Gasen
DE2728585B2 (de) Vorrichtung zur anaeroben Reinigung von Abwasser
DE4135820C2 (de) Enthärtungseinrichtung für eine Geschirrspülmaschine oder dergleichen
DE2602008A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum inberuehrungbringen eines gases mit einer fluessigkeit
WO2014020002A1 (de) Scheibenfilter
EP0264703B1 (de) Anschwemmfilter
DE1577693C3 (de) Tauchbecken zur Tauchbehandlung von Werkstücken, insbesondere zum Tauchlackieren
AT502186A4 (de) Vorrichtung und verfahren zur flotation einer flüssigkeit
DE947464C (de) Vorrichtung zum Ausfiltrieren von Feststoffen aus Fluessigkeiten
DE3801686A1 (de) Sandfilter
DE2204814C3 (de) Belebungsbecken für Kläranlagen mit biologischer Abwasserreinigung

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee