DE3907279A1 - Verfahren und einrichtung zum kalibrieren der von einem direkt abbildenden belichtungssystem erzeugten struktur - Google Patents
Verfahren und einrichtung zum kalibrieren der von einem direkt abbildenden belichtungssystem erzeugten strukturInfo
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Description
Die Erfindung betrifft Systeme für die Kalibrierung op
tisch hergestellter Strukturen zum Bestimmen der Maß
genauigkeit gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs
1. Insbesondere betrifft die Erfindung ein Verfahren
und eine Einrichtung, die beim Kalibrieren von Leiter
bahnstrukturen auf Leiterplatten, die mit Hilfe eines
direkt abbildenden Belichtungssystems hergestellt wer
den, eingesetzt werden können.
Hochgeschwindigkeitsscannersysteme, wie beispielsweise
Präzisionsplotter oder Präzisionsgraphikschreiber, Druk
ker und ähnliche Geräte, gehören bereits zum Stand der
Technik. Diese Geräte werden häufig zur Herstellung von
Leiterbahnstrukturen auf Leiterplatten durch gerastetes
Schreiben mit einem Lichtstrahl auf ein Filmmaterial
eingesetzt. Ein herkömmliches Belichtungssystem besteht
aus einem Magnetbandgerät, einer Magnetplatte, einer
Datenverarbeitungsanlage, einer Bildverarbeitungsan
lage, einem interaktiven Graphikterminal, einem Bild
verarbeitungsprozessor, einem Optiktisch mit einer be
weglichen Schreibplatte zum Positionieren des Substrats
und einem Präzisionslaserscanner. Das System umfaßt
ferner weitere optische Bauelemente, Speichermedien
sowie Elektronikbauteile, die für eine direkte
Übertragung von rechnergestützten Konstruktionsdaten
(CAD) auf Leiterbahnstrukturen notwendig sind.
Das direkt abbildende Belichtungssystem ist so aufge
baut, daß beim Betrieb ein ebenes Substrat aus Film
material oder Glas, das auf einer Seite eine optisch
empfindliche Schicht hat, auf die Schreibplatte gelegt
wird. Die Datenverarbeitungsanlage steuert die
Intensität eines Lichtstrahls, der üblicherweise durch
einen Laser erzeugt wird, um ausgewählte Abschnitte auf
dem Substrat zu belichten. Normalerweise wird ein zwei
ter Referenzstrahl annähernd längs des gleichen Wegs
des Belichtungsstrahls geführt, um die Position des
Belichtungs- oder Schreibstrahls auf dem Substrat genau
zu steuern. Ferner wird ein spezielles Ablenksystem,
ein sogenanntes Flat-Field-Scanning System, verwendet,
das den Strahl auf einen kleinen Lichtfleck fokussiert
und den Strahl gleichzeitig längs einer Referenzmaske
und dem Substrat bewegt. Zur Führung der Schreibplatte
beim Belichten kommen häufig Präzisionsluftlager zum
Einsatz.
Die Genauigkeiten für diese Maschinen liegen typischer
weise bei ± 0,001 Zoll (Anmerkung: in diesem Bereich
der Technik werden auch im deutschen Sprachraum Zoll
maße verwendet; auf eine Angabe in Metermaßen wird
daher verzichtet) oder weniger für das Gesamtfeld und ±
0,0002 Zoll oder weniger für Teilabschnitte. Die
Belichtungsspuren sind häufig bis zu 0,002 Zoll schmal.
Bei solchen extremen Toleranzen besteht das Problem,
die geforderte Maßgenauigkeit der Gesamteinrichtung
einzuhalten. Eine Kalibrierung des Belichtungssystems
selbst garantiert noch nicht, daß die beim Herstell
prozeß von Leiterplatten verwendete Strukturierung die
geforderte Maßgenauigkeit besitzt. Die belichtete
Struktur auf dem Filmsubstrat muß weiterverarbeitet
werden, um das Strukturbild in einem Fotoprozeß zu ent
wickeln. Während dieser Verarbeitung, die auch das Ein
tauchen in eine Vielzahl von Chemikalien umfaßt, dehnt
sich das Filmsubstrat aus oder schrumpft. Bekannte Me
thoden zum Festlegen der Maßgenauigkeit von Leiterbahn
strukturen, die auf einem Substrat erzeugt werden, er
fordern ein Abschätzen des Betrags der Schrumpfung oder
Ausdehnung, der während der
Verarbeitung entstanden ist. Die Genauigkeit der
Strukturierung kann dann aus dieser Schätzung extra
poliert werden.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein neues Verfahren
und eine Einrichtung zum Kalibrieren der von einem di
rekt abbildenden Belichtungssystem erzeugten Struktur
auf dem Substrat zu schaffen, welches die Maß
genauigkeit getrennt nach mechanischen Ungenauigkeiten
und solchen, die durch die Substratverarbeitung entste
hen, angibt.
Diese Aufgabe wird durch den Patenanspruch 1 gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den
Unteranprüchen angegeben.
Gemäß der Erfindung wird ein Kalibriersubstrat herge
stellt, wobei transparente Maßstäbe, z.B. Glasmaßstäbe,
auf senkrecht aneinandergrenzenden Kanten eines ebenen
Substrats angeordnet werden. Die Maßstäbe gehen jeweils
von einem Ursprung oder Nullpunkt aus. Das
Kalibriersubstrat wird durch ablenkbares Laserlicht be
lichtet, wobei die Glasmaßstäbe wie auch eine Vielzahl
von Justiermarken abgebildet werden. Das
Kalibriersubstrat wird dann weiterverarbeitet, um die
auf dem Substrat abgebildeten Maßstäbe und Justier
marken in einem Fotoprozeß zu entwickeln. Das
erfindungsgemäße Verfahren umfaßt auch Verfahrens
schritte zum Erzeugen korrigierter Maßstabsmeßwerte von
den Bildern der Glasmaßstäbe sowie korrigierter
Schreibmeßwerte von den abgebildeten Justiermarken. Ein
Wert der rechnerischen Systemgenauigkeit wird aus der
Differenz zwischen dem jeweiligen korrigierten
Maßstabsmeßwert und dem entsprechenden korrigierten
Schreibmeßwert ermittelt.
Ein Auführungsbeispiel der Erfindung wird im folgenden
anhand der Zeichnung erläutert. Darin zeigt
Fig. 1 ein vereinfachtes Blockschaltbild eines
direkt abbildenden Belichtungssystems
(Laser Scanning System), und
Fig. 2 eine schematische Dartellung eines nach
der Erfindung hergestellten
Kalibriersubstrats.
In Fig. 1 ist in einer vereinfachten schematischen Dar
stellung ein Teil eines Laserbelichtungssystems 10 dar
gestellt, das eine ein Filmsubstrat 14 aufnehmende
Schreibplatte 12 hat. Das Substrat 14 ist mit einer op
tisch empfindlichen Emulsion versehen, auf die der
Laserstrahl auftrifft. Das Substrat 14 wird auf der
Schreibplatte 12 elektrostatisch, durch Vakuum oder
mittels anderen bekannten Verfahren gehalten. Das
Laserbelichtungssystem 10 hat einen Laser 16, der einen
Strahl 18 erzeugt, der auf eine Optik 20 fällt, die den
Strahl 18 kollimiert oder auf andere bekannte Weise so
verändert, daß ein Belichtungs- oder Schreibstrahl 22
entsteht, der das Substrat 14 belichtet. Eine Ablenk
einheit 24 lenkt den Strahl 22 in Form eines
fokussierten Lichtflecks längs einer ersten Richtung 26
über die emulgierte Oberfläche des Substrats 14 ab. Mit
Hilfe einer Blendeneinheit 28 wird das Substrat 14 an
vorbestimmten Stellen wahlweise belichtet, wobei der
Strahl 22 über das Substrat 14 rasterförmig abgelenkt
wird und ein Wagen 30 die Schreibplatte 12 in eine
zweite senkrecht zur ersten Richtung 26 stehenden Rich
tung 32, abhängig von Signalen einer Steuerung 34, be
wegt. Die Steuerung 34 gibt Signale an die Blenden
einheit 28, die Ablenkeinrichtung 24 und an den Wagen
30 so ab, daß das Substrat 14 mit dem gewünschten Mu
ster belichtet wird.
Bislang wurde die Genauigkeit von herkömmlichen
Vektorschreibsystemen durch serienmäßige Direkt
messungen der Wagenpositionen in X- und Y-Richtung mit
einem Laserinterferometer bestimmt. Da bei Laser
schreibsystemen physikalisch eine derartige Direkt
messung nicht vorgesehen ist, werden andere
Kalibrierverfahren zur Maßbestimmung der Strukturierung
benötigt. Eine einfache Messung eines Schriebs auf
einem Substrat ergibt nur eine singulare Genauigkeits
kenngröße, in der die Ungenauigkeiten untrennbar zusam
mengefaßt sind, die von der Belichtungsmaschine sowie
von Fehlern herrühren, die durch Ausdehnung oder
Schrumpfung des Substrats während der Verarbeitung und
des folgenden Trocknungsprozesses entstehen. In die Un
genauigkeit geht auch die Toleranz des Meßsystems
selbst mit ein. Das Verfahren und die Einrichtung nach
der Erfindung teilt die absoluten Schreibfehler in
seine Teilkomponenten auf, wodurch es möglich wird, die
Genauigkeit des Belichtungssystems isoliert zu betrach
ten und genau festzustellen.
In Fig. 2 ist eine Kalibrierstruktur 36 eines
Kalibriersubstrats dargestellt, die zum Kalibrieren des
Systems nach Fig. 1 verwendet wird. Das Substrat be
steht aus einem herkömmlichen Filmmaterial für
Graphikdarstellungen, wie beispielsweise aus einem
Kodak-Estar-Base-Film. Die Maßhaltigkeit des Substrats
14 ist abhängig vom Betrag der Maßänderung, die durch
die Umgebungsfeuchtigkeit und Umgebungstemperatur sowie
durch die Substratbehandlung hervorgerufen wird. Diese
Maßänderungen können entweder reversibel oder
irreversibel sein. Wenn die den photographischen Film
umgebende relative Luftfeuchtigkeit zunimmt, wird der
Film größer; wenn die Feuchtigkeit sinkt, so schrumpft
der Film. Die durch Änderung der relativen Luft
feuchtigkeit hervorgerufenen Maßänderungen sind
reversibel. Bei der Prüfung des Films muß dieser in
einer Umgebung mit der gleichen relativen Feuchtigkeit
wie bei der Belichtung sein. Ferner muß er zum Abklin
gen von Ausgleichsvorgängen lange genug in dieser Umge
bung verweilen.
Das Substrat 14 ändert seine Größe nicht nur mit der
Feuchtigkeit, sondern auch mit der Temperatur: Eine hö
here Filmtemperatur ergibt einen geringfügig größeren
Film. Der Film muß deshalb sowohl während der Prüfung
als auch während des Entwickelns auf der gleichen Tem
peratur gehalten werden. Beispielsweise zeigt ein
Kodak-Film mit einem thermischen
Ausdehnungskoeffizienten von 0,001% pro 1°F
(Fahrenheit), entsprechend 5/9 K (Kelvin), eine Größen
änderung von 0,0013 Zoll über eine Länge von 26 Zoll
bei einer Änderung von 5°F, entsprechend 25/9 K.
Irreversible Maßänderungen können während der chemi
schen Behandlung auftreten. Manche Filmsubstrate, wie
z.B. Filme auf Basis von Zelluloseacetat, zeigen eine
Schrumpfung, weil zurückgebliebene Lösungen während der
Verarbeitung entfernt worden sind. Diese Filme, wie
auch auf Kunstharzbasis arbeitende Filme, unterliegen
irreversiblen Maßänderungen, die das Ergebnis einer me
chanischen Beanspruchung bei der automatischen Film
verarbeitung sowie das Zusammenwirken des Filmmaterials
und der Emulsionsmittel bei derartigen Beanspruchungen
sind. Bei üblicher Filmverarbeitung wird der Film in
einer nassen Umgebung, d.h. 100% relative Luft
feuchtigkeit, belichtet, was eine feuchtigkeitsbedingte
Ausdehnung des Films zur Folge hat. Wenn der Film dann
bei einer zu hohen Temperatur getrocknet wird, hat der
Film nach der Bearbeitung manchmal Übergröße.
Bekanntlich benötigt ein Filmsubstrat eine bestimmte
Zeit, um sich bei jedem neuen Einstellen eines
Temperatur- und Feuchtigkeitszustandes zu stabilisie
ren. Die für ein Filmsubstrat erforderliche Zeit für
einen Feuchtigkeitsausgleich ist abhängig von der Film
dicke. Ein 0,004 Zoll dicker Kodak LPF Film benötigt
etwa vier Stunden, um einen Feuchtigkeitsausgleich von
95% herbeizuführen. Ein 0,007 Zoll dicker LPF Film be
nötigt dagegen circa acht Stunden, um den gleichen
Prozentanteil an Ausgleich zu erreichen. Nach der Bear
beitung und vor der Prüfung des Films muß diesem Gele
genheit gegeben werden, sich zu stabilisieren. Die zur
Stabilisierung des Films erforderliche Zeit ist abhän
gig vom Betrag an während der Filmverarbeitung
absorbierter Feuchtigkeit, die in entsprechender Weise
abhängig von der Filmbelichtungszeit und der Luft
feuchtigkeit ist. Daraus folgt, daß Filme, die während
des Verarbeitungsprozesses lange gewaschen oder gespült
worden sind, eine entsprechend lange Zeit zum Stabili
sieren auf Raumbedingungen benötigen, nachdem der Film
getrocknet worden ist. Obwohl bislang nur die durch die
Filmverarbeitung hervorgerufenen Maßänderungen der
Filmsubstrate im einzelnen erläutert worden sind, kön
nen bekanntlich ähnliche Maßänderungen entstehen, wenn
andere Substrattypen verarbeitet werden, wie zum Bei
spiel Filmemulsionen auf einem Glassubstrat.
Nachdem das Substrat 14 vorbereitet (konditioniert)
worden ist, wird es mit der Emulsionsseite nach oben
auf die Schreibplatte 12 gelegt. Zwei geeichte Glas
maßstäbe 38 und 40 (siehe Fig. 2) werden mit der geätz
ten Fläche nach unten, die die Maßteilung zeigt, längs
zu den aneinandergrenzenden senkrechten Kanten des
Substrats 14 angeordnet. Das System ist so program
miert, daß das Substrat 14 mit einer Reihe von Justier
marken belichtet wird, beispielsweise mit den Justier
marken 42 und 44, die aus Kreuzen mit einem Mittenab
stand von 0,5 Zoll bestehen. Die Justiermarken überdek
ken die gesamte Substratoberfläche mit Ausnahme der
Bereiche, die sich direkt unterhalb der Glasmaßstäbe
38, 40 befinden. Das System ist so aufgebaut, daß der
Bereich um die Maßstäbe 38, 40 ausreichend mit Licht
versorgt wird, so daß ein Kontaktbild eines jeden
Maßstabs auf dem Film erzeugt wird. Nachdem der Film in
der oben beschriebenen Weise weiter verarbeitet worden
ist, wird die Luftfeuchtigkeit und die Temperatur der
Umgebung beim Kalibriervorgang so gewählt, daß sie die
gleichen wie bei der Belichtung sind, um die
Maßübereinstimmung während der Meßprozedur
sicherzustellen.
Nach der Filmverarbeitung wird das belichtete Substrat
auf eine herkömmliche Meßmaschine, wie beispielsweise
den Validator der Firma Brown & Sharp Co., gelegt und
die Länge des jeweiligen Glasmaßstabsbildes gemessen.
Um die durch die Toleranzen der Meßmaschine und den
Glasmaßstab hervorgerufenen Maximalfehler zu korrigie
ren, wird vom Meßergebnis einer jeden Achse gemäß der
Tabelle 1 ein Wert, der dem Maximalfehler
(Kalibrierwert) der Meßmaschine sowie dem Glasmaßstab
entspricht, subtrahiert.
Der Unterschied zwischen dem korrigierten
Maßstabsmeßwert pro Achse und den auf dem Substrat ab
gebildeten Maßangaben der Maßstäbe rühren von den
Umgebungs- und Verarbeitungsbedingungen her, da, wie
bereits erwähnt, die Maßstäbe durch Kontaktabzug auf
dem Film direkt abgebildet sind. Im oben angegebenen
Beispiel der Tabelle 1 resultiert der Unterschied von
0,0002 Zoll zwischen der Länge des Maßstabs auf der X-
Achse mit der angegebenen Länge 24,5000 Zoll und dem
korrigierten Maßstabsmeßwert des Maßstabsbilds auf dem
Film mit 24,5002 Zoll von einer Vergrößerung des Films
durch die Filmverarbeitung.
Als nächstes wird der Abstand der an voneinander ent
fernten Enden der Glasmaßstäbe angeordneten Justier
marken 42 und 44 von einem Ursprung 46 aus gemessen.
Die entsprechenden Meßwerte werden zur Bestimmung der
Genauigkeit des Schreibvorgangs herangezogen. Die Werte
werden um die entsprechenden Achsenkorrekturwerte
(Kalibrierwerte) der Meßmaschine berichtigt (siehe Ta
belle 2), wodurch ein korrigierter Schreibmeßwert ge
wonnen wird.
Der korrigierte Schreibmeßwert ist nur für die Fehler
korrigiert, die durch die Meßmaschine hervorgerufen
werden und gibt den aktuellen Abstand zwischen zwei be
stimmten Justiermarken auf dem Film für einen bestimm
ten Zeitpunkt an. Dies deshalb, weil sich die Abmessun
gen des Films und damit die Abmessungen der Bilder auf
dem Film abhängig von der Zeit, der relativen Luft
feuchtigkeit und der Temperatur ändern. Der pro Achse
auftretende mechanische Schreibfehler ist dann der
größte Unterschied zwischen den Werten der korrigierten
Maßstabsmessung und der korrigierten Schreibmessung für
alle Punkte längs jeder Achse. Dieser Sachverhalt ist
in Tabelle 3 dargestellt. Dabei ist darauf hinzuweisen,
daß der mechanische Schreibfehler sowohl positives wie
negatives Vorzeichen haben kann.
Die in Tabelle 3 genannte rechnerische System
genauigkeit oder der mechanische Schreibfehler ergibt
sich aus Messungen am Film, deren Meßwerte so korri
giert sind, daß die Einwirkung der Umgebungs- und der
Verarbeitungsbedingungen das Ergebnis nicht beeinflus
sen. Die Genauigkeit des Belichtungssystems 10 selbst
kann somit unabhängig von der Genauigkeit der
Meßmaschine sowie unabhängig von Umgebungs- und
Verarbeitungsbedingungen bestimmt werden. Aus der
rechnerischen Systemgenauigkeit kann auf die Maß
genauigkeit der Bildstruktur von Leiterbahnen geschlos
sen werden, die mit Hilfe des direkt abbildenden
Belichtungssystems erzeugt wird.
Claims (5)
1. Verfahren zum Bestimmen der Maßgenauigkeit der auf
einem lichtempfindlichen Substrat unter Verwendung
eines direkt abbildenden Belichtungssystems erzeug
ten Bildstruktur, wobei ein Kalibriersubstrat her
gestellt wird, indem mindestens ein transparenter
von einem Ursprung ausgehender Maßstab längs einer
Achse eines ebenen Substrats angeordnet wird, das
Kalibriersubstrat mit elektromagnetischer Strahlung
so belichtet wird, daß auf ihm der Maßstab und min
destens eine Justiermarke abgebildet werden, und
das Kalibriersubstrat entwickelt wird, um das
Maßstabsbild und die Justiermarke auf dem
Kalibriersubstrat zu fixieren und daraus
Genauigkeitskennwerte abzuleiten, dadurch ge
kennzeichnet, daß vom Maßstabsbild ein
korrigierter Maßstabsmeßwert sowie von der
Justiermarke (42, 44) ein korrigierter
Schreibmeßwert ermittelt wird, und daß aus dem
Unterschied zwischen dem korrigierten
Maßstabsmeßwert und dem korrigierten Schreibmeßwert
ein Kennwert gebildet wird, der die rechnerische
Genauigkeit des Belichtungssystems angibt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß zum Ermitteln des korrigierten
Maßstabsmeßwerts die Länge des Maßstabsbildes auf
einer Meßmaschine bestimmt wird, die einen
Kalibrierwert jeweils für eine Achse des Substrats
(14) hat, und daß vom Längenmeßwert des Maßstabs
bildes der Kalibrierwert subtrahiert wird, der für
die betreffende Achse gilt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß zum Ermitteln des kor
rigierten Schreibmeßwerts ein Abstandsmeßwert aus
dem Abstand zwischen dem Ursprung (46) und der dem
Maßstabsbild zugeordneten Justiermarke (42, 44) er
mittelt wird, und daß vom Abstandsmeßwert der
Kalibrierwert der Meßmaschine subtrahiert wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch ge
kennzeichnet, daß längs zweier senkrecht
aufeinanderstehender Achsen des ebenen Substrats
(14) jeweils ein transparenter Maßstab (38, 40) an
geordnet ist, die beide einen gemeinsamen Ursprung
(46) haben, und daß die rechnerische Genauigkeit
des Belichtungssystems für jede Achse ermittelt
wird.
5. Einrichtung zum Durchführen des Verfahrens nach An
spruch 1 mit mindestens einem transparenten Maß
stab, der längs einer Achse eines ebenen
Kalibriersubstrats angeordnet ist und von einem Ur
sprung ausgeht, mit einer Belichtungseinrichtung
zum Belichten des Kalibriersubstrats mit
elektromagnetischer Strahlung, so daß der Maßstab
und mindestens eine Justiermarke auf dem Kali
briersubstrat abbildbar sind, dadurch gekenn
zeichnet, daß eine Datenverarbeitungs
einrichtung (34) vorgesehen ist, die vom Maßstabs
bild einen korrigierten Maßstabsmeßwert sowie von
der Justiermarke (42, 44) einen korrigierten
Schreibmeßwert ermittelt, und daß aus dem Unter
schied zwischen dem korrigierten Maßstabsmeßwert
und dem korrigierten Schreibmeßwert ein Kennwert
ermittelt wird, der die rechnerische Genauigkeit
des Belichtungssystems angibt.
Applications Claiming Priority (1)
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Family
ID=22594873
Family Applications (1)
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DE3907279A Expired - Fee Related DE3907279C2 (de) | 1988-03-07 | 1989-03-07 | Verfahren und Einrichtung zum Kalibrieren der von einem direkt abbildenden Belichtungssystem erzeugten Struktur |
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Country | Link |
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US (1) | US4867566A (de) |
JP (1) | JPH0642447B2 (de) |
DE (1) | DE3907279C2 (de) |
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Date | Code | Title | Description |
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: SCHAUMBURG, K., DIPL.-ING. THOENES, D., DIPL.-PHYS. DR.RER.NAT., PAT.-ANWAELTE, 81679 MUENCHEN |
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8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
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|
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
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8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |