DE3806738C1 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Befestigen von
Bauteilen auf einer Leiterplatte durch Auftragen eines
photoaktivierbaren Klebstoffs auf vorbestimmte Flächen der
Bauteile oder der Leiterplatte, Bestücken der Leiterplatte
mit den Bauteilen, Härten der Klebeverbindung bei einer
Temperatur zwischen 60 und 140°C sowie Herstellung von
Lötverbindungen zwischen den Bauteilen und der Leiterplatte.
Ein solches Verfahren ist aus der DE-PS 29 04 649 bekannt.
Dabei werden nach der sogenannten "Surface Mounted
Technology (SMT)" elektronische Bauteile wie Kondensatoren,
Widerstände und dergleichen auf Leiterplatten, z. B.
Printplatten, gedruckten Schaltungen, Hybrid-IC's und
dergleichen unter Verwendung eines photoaktivierbaren
Klebstoffs befestigt, wobei die Klebeverbindung in erster
Linie dazu dient, die Bauteile solange auf der Leiterplatte
unverrückbar festzuhalten, bis die Lötverbindungen zwischen
den Bauteilen und der Leiterplatte hergestellt worden sind.
Bei dem bekannten Verfahren werden als Klebstoffe UV-härtbare
Harze verwendet, die einen Anteil an polymerisierbaren
Monomeren, Photosensibilisatoren, Initiatoren sowie gegebenenfalls
eine Reihe von Füllstoffen enthalten.
Diese UV-härtbaren Acrylatharze härten an den lichtzugänglichen
Stellen rasch aus, bedürfen aber zur Aushärtung abgeschatteter
Bereiche, also vor allem dort, wo sie durch die
Bauteile verdeckt sind, eines zweiten Härtungsmechanismus,
der durch Initiatoren der thermischen Polymerisation bewirkt
wird und hohe Temperaturen erfordert. Je höher aber die
Temperaturbelastung der elektronischen Bauelemente ist, um
so geringer ist ihre statistische Lebenserwartung.
Es wurde deshalb bereits versucht, die Temperaturbelastung
bei der thermischen Aushärtung der Klebemassen dadurch zu
senken, daß pro Bauteil mindestens zwei Klebstoffpunkte
zur Hälfte unter und zur Hälfte direkt neben das Bauteil
gesetzt wurden, um so den Aushärtungsgrad in der ersten,
UV-induzierten Härtungsstufe zu erhöhen. Integrierte Schaltkreise
(Chips) mit rings um das Gehäuse angeordneten Anschlußbeinchen
haben jedoch keinen freien Raum für solche
Klebstofftropfen-Hälften.
Die bei dem bekannten Verfahren verwendeten UV-härtbaren
Klebstoffe sind außerdem gegenüber atmosphärischem Sauerstoff
empfindlich. Ferner kann die bei Chip-Klebstoffen oft
geforderte starke Einfärbung des Klebstofftropfens die Eindringtiefe
der UV-Strahlung vermindern, die vollständige
Aushärtung somit verhindern und später zu Korrosionserscheinungen
führen.
Aus der EP-A-01 82 744 sind photohärtbare, Füllstoffe enthaltende
Epoxidharz-Zusammensetzungen bekannt, die mindestens
einen Photoinitiator vom Metallocen-Typ enthalten und
die unter anderem zum Aufkleben aktiver und passiver Komponenten
der Mikroelektronik auf Leiterplatten verwendet
werden können, sofern die Massen elektrisch leitende Füllstoffe
enthalten. Die UV-induzierte Photohärtung wird dabei
gegebenenfalls von einer thermischen Nachhärtung gefolgt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum
Befestigen von Bauteilen, insbesondere von SMD's (Surface
Mounted Devices), auf einer Leiterplatte zu schaffen, mit
dem es gelingt, die verwendete Klebstoffmasse in kürzerer
Zeit und bei niedrigeren Temperaturen als bei den bekannten
Verfahren aushärten zu lassen, ohne jedoch das Netzvermögen
des Klebstoffs während des Bestückens der Leiterplatte zu
verringern.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs genannten
Gattung erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Klebstoff
durch Bestrahlen mit Licht von einer Wellenlänge im
Bereich von 200 bis 600 nm vor dem Bestücken der Leiterplatte
soweit aktiviert wird, daß die gewünschte Initialklebrigkeit
erhalten bleibt und keine Hautbildung an der
Klebstoffoberfläche eintritt.
Die Initialklebrigkeit des aktivierten Klebstoffs erlaubt
es, daß die Leiterplatte nach dem Bestücken mit den Bauteilen
dorthin transportiert werden kann, wo die thermische
Härtung der Klebeverbindung erfolgt. Der Fachmann kann anhand
einfacher Vorversuche ohne Schwierigkeiten feststellen,
wie groß die im Einzelfall von Art und Material der Bauteile
sowie der Leiterplatte abhängige Initialklebrigkeit sein
muß. Die Initialklebrigkeit muß in jedem Falle so groß sein,
daß die Bauteile beim Transport von der Bestückungsstation
zu der Station, in der die thermische Aushärtung des Klebers
stattfindet, nicht auf der Leiterplatte verrücken, ihre
exakt vorbestimmte Lage also nicht verändern.
Das erfindungsgemäße Verfahren hat den Vorteil, daß photoaktivierbare
Einkomponenten-Massen zum Befestigen der Bauteile
eingesetzt werden, die eine hohe Lagerstabilität aufweisen,
aber nach dem Aktivieren sehr schnell bei niedrigen
Temperaturen auspolymerisieren. Infolge der Langlebigkeit
der im Belichtungsschritt erzeugten aktivierten Spezies ist
es möglich, die verwendeten Massen vor dem Aufsetzen der
Bauteile zu belichten. Der im Stand der Technik aufgetretene
Nachteil einer nicht ausgehärteten Kleberschicht in abgeschatteten
Zonen kann daher beim erfindungsgemäßen Verfahren
nicht auftreten. Beide Stufen der Härtung, also sowohl die
UV-induzierte Aktivierung als auch die thermische Aushärtung,
erfolgen bei dem erfindungsgemäßen Verfahren gleichmäßig
durch die gesamte aufgetragene Kleberschicht, gleichgültig,
ob diese nach dem Bestücken durch ein Bauteil abgedeckt
oder frei zugänglich und sichtbar ist.
Das erfindungsgemäße Verfahren weist ferner folgende Vorteile
auf:
- - Geringe Flüchtigkeit sowie Viskosität und geringes toxisches Potential der verwendbaren Monomeren,
- - keine Inhibierung der Reaktion durch Luftsauerstoff und dadurch keine Schmierschicht,
- - hervorragende Haftung auf unterschiedlichen Substraten,
- - hervorragende chemische und physikalische Eigenschaften der Klebstoffschicht,
- - schnelle und problemlose Aktivierbarkeit und anschließend extrem schnelle Aushärtungszeit bei niedrigen Aushärtungstemperaturen,
- - hohe Lagerstabilität der nichtaktivierten Massen,
- - die Festigkeit der Klebeverbindung reicht aus, um die Bauteile bis zur Fertigstellung der Lötverbindungen unverrückbar fest auf der Leiterplatte zu halten, ist aber andererseits - im Gegensatz zu leitfähigen Klebeverbindungen - nicht so groß, daß die Bauteile nicht nachträglich, z. B. bei einer Reparatur, ohne Gefahr einer Beschädigung wieder entfernt werden könnten.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich, den
Aktivierungsschritt durch Einstellung der Belichtungszeit,
der Energiedosis der verwendeten aktinischen Lampen sowie
des Wellenlängenbereichs des verwendeten Lichts so einzustellen,
daß einerseits genügend reaktive Spezies für die
nachfolgende schnelle Aushärtung erzeugt wird, aber andererseits
noch keine Polymerisation an der Oberfläche unter
Bildung einer Haut, die eine gute Benetzung der Bauteile
verhindern und damit die Klebemasse ungeeignet machen würde,
stattfindet.
Die Bildung einer oberflächlichen Polymerschicht (Hautbildung)
tritt bei allen bekannten Massen des Standes der Technik
ein, die bisher zum Verkleben von Bauteilen auf Leiterplatten
eingesetzt wurden und mindestens teilweise unter
Strahlungseinfluß aushärten sollten. Demgegenüber ist bei
dem erfindungsgemäßen Verfahren nach dem Aufsetzen des Bauteils
eine Belichtung nicht mehr nötig, wodurch sich eine
Abschattung durch das Bauteil oder die Leiterplatte nicht
mehr störend auswirken kann. Durch die der Bestückung vorausgehende
Aktivierung des verwendeten Klebstoffs wird die
anschließende Wärmehärtung so stark beschleunigt, daß sie
wesentlich schneller vonstatten geht als bei den bisher
bekannten wärmehärtbaren Klebern, die zum Verkleben von
Bauteilen auf Leiterplatten eingesetzt wurden.
Die UV-induzierte Aktivierung des Klebstoffs kann bei dem
erfindungsgemäßen Verfahren entweder nach dem Auftragen der
Klebstoffschicht auf die Leiterplatte oder auf die zu verklebende
Oberfläche des Bauteils oder auch bereits vor dem
Auftragen des Klebstoffs, beispielsweise in der Auftragsvorrichtung,
etwa einem Dispenser, durch Bestrahlen mit
Licht von einer Wellenlänge im Bereich von 200 bis 600 nm
durchgeführt werden. Wenn die Aktivierung vor dem Auftragen
des Klebstoffs erfolgt, wird sie vorzugsweise innerhalb
eines Zeitraums von 1 sec. bis 10 Min., vorzugsweise innerhalb
eines Zeitraums von 1 Min, vor dem Beginn des Klebstoffauftrags
auf die Leiterplatte oder das Bauteil durchgeführt.
Vorteilhafte Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens
bestehen darin, daß die Aktivierung des Klebstoffs
durch Bestrahlen mit Licht einer Wellenlänge von 300 bis
500 nm während eines Zeitraums von 0,5 bis 300 sec. erfolgt
und daß das Härten der Klebeverbindung nach dem Bestücken
der Leiterplatte während einer Zeitspanne von bis zu 15 Min.
erfolgt. Die auf diese Weise erzielte Haftfestigkeit der
Klebeverbindung ist in jedem Falle so groß, daß sie der
mechanischen Beanspruchung während des anschließenden Lötvorgangs,
insbesondere im Schwall- oder Schlepplötbad, ohne
weiteres standhält, und zwar bei gleichzeitig optimal niedriger
Temperaturbelastung der elektronischen Bauelemente.
Vorteilhafte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Verfahrens
bestehen ferner darin, daß als photoaktivierbarer Klebstoff
eine kationisch härtbare, vor der Aktivierung fließfähige
Klebstoffmasse mit einer Viskosität von 0,05 bis
1000 Pa · s verwendet wird. Ein guter Kompromiß zwischen Verarbeitbarkeit
und den benetzenden Eigenschaften der verwendeten
Klebstoffmassen wird bei einer Viskosität dieser Massen,
vor ihrer Aktivierung gemessen, von 0,1 bis 500 Pa · s
erzielt, wobei sich ein Bereich von 0,4 bis 200 Pa · s als
besonders vorteilhaft herausgestellt hat.
Als photopolymerisierbare Masse, die im wesentlichen nach
einem kationischen Reaktionsmechanismus polymerisiert, wird
erfindungsgemäß zweckmäßig ein Gemisch verwendet, das
besteht aus:
- a) 10 bis 99,95 Gew.-%, vorzugsweise 70 bis 98 Gew.-%, mindestens eines kationisch härtbaren Harzes und/oder eines kationisch polymerisierbaren Monomers;
- b) 0,05 bis 10 Gew.-%, vorzugsweise 2 bis 6 Gew.-%, mindestens eines Photoinitiators, der unter Lichteinwirkung Lewis- oder Brönstedt-Säuren bildet;
- c) 0 bis 89,95 Gew.-%, vorzugsweise 0 bis 28 Gew.-%, eines oder mehrerer Füllstoffe, thixotropierender Mittel, Haftvermittler und/oder anderer üblicher Zusatzstoffe.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Verfahrens können auch solche photopolymerisierbare
Massen (Harze und/oder Monomere) benutzt werden, die neben
einem kationischen auch einem radikalischen Härtungsmechanismus
folgen. Solche Klebstoffmassen bestehen aus:
- a) 10 bis 89,9 Gew.-% mindestens eines kationisch härtbaren Harzes und/oder eines kationisch polymerisierbaren Monomers;
- b) 0,05 bis 10 Gew.-% mindestens eines Photoinitiators, der unter Lichteinwirkung Lewis- oder Brönstedt-Säuren bildet;
- c) 0 bis 89,9 Gew.-% eines oder mehrerer Füllstoffe, thixotropierender Mittel, Haftvermittler und/oder anderer üblicher Zusatzstoffe;
- d) 10 bis 80 Gew.-% mindestens eines nach einem radikalischen Polymerisationsmechanismus polymerisierenden Harzes und/ oder Monomers;
- e) 0,05 bis 5 Gew.-% mindestens eines Photoinitiators, der unter Lichteinwirkung Radikale erzeugt;
- f) gegebenenfalls 0,05 bis 5 Gew.-% mindestens eines Photosensibilisators und/oder Aktivators.
Dabei bestehen die nach einem radikalischen Polymerisationsmechanismus
polymerisierenden Harze und/oder Monomere vorzugsweise
aus den Acrylsäure- und/oder Methacrylsäureestern
ein- oder mehrwertiger Alkohole, wobei die Acrylsäure- und/
oder Methacrylsäureester mehrwertiger Alkohole besonders
bevorzugt sind.
Zur Verwendung im Rahmen des erfindungsgemäßen Verfahrens
eignen sich als kationisch härtbare Harze oder kationisch
polymerisierbare Monomere beispielsweise mono- oder polyfunktionelle
Vinylether und Vinylester. Geeignete Vinylether
sind Trimethylolpropan-Trivinylether, Ethylenglykol-Divinylether
und cyclische Vinylether. Besonders geeignet ist Triethylenglykoldivinylether.
Allgemein gut geeignete Verbindungen sind die Vinylester und
Vinylether polyfunktioneller Alkohole, wobei Polyethylen-
und Polypropylenglykole mit Vinylether-Endgruppen bevorzugt
eingesetzt werden.
Weiterhin gut geeignet sind kationisch polymerisierbare
heterocyclische Verbindungen, beispielsweise Epoxide. Bevorzugt
verwendet werden hierbei die Glycidylether ein- und
mehrwertiger Alkohole, beispielsweise die Diglycidylether
von Bisphenol-A. Zur Einstellung einer hohen Reaktivität
sind besonders geeignet die Di- und Polyepoxide cycloaliphatischer
Verbindungen, beispielsweise die Glycidylether
und β-Methylglycidylether cycloaliphatischer Diole und
Polyole.
Verwendbar sind ferner als Glycidylverbindungen die
Glycidylester von Carbonsäuren, insbesondere von Di- und
Polycarbonsäuren, beispielsweise die Glycidylester von
Bernsteinsäure, Adipinsäure, Phthalsäure.
Beispiele für besonders reaktive Glycidylverbindungen sind
die Diepoxide des Vinylcyclohexans und des Dicyclopentadiens
sowie 3-(3′,4′-Epoxycyclohexyl)-8,9-epoxy-2,4-dioxyspiro-
(5,5)undecan und 3,4-Epoxycyclohexylmethyl-3′,4′-epoxycyclohexylcarboxylat.
Bevorzugte Epoxidharze sind gegebenenfalls vorverlängerte
und/oder prepolymere Diglycidylether zweiwertiger Phenole
oder zweiwertiger aliphatischer Alkohole mit zwei bis vier
C-Atomen. Besonders bevorzugt verwendet werden die vorverlängerten
Diglycidylether des 2,2-bis-(4-Hydroxyphenyl)-
propans.
Als Photoinitiatoren, die unter Lichteinwirkung Lewis- oder
Brönsted-Säuren bilden, eignen sich ganz allgemein die für
die kationische Polymerisation bekannten Photoinitiatoren,
beispielsweise Aryldiazoniumsalze, Diaryljodoniumsalze,
Triarylsulfoniumsalze sowie metallocenartige Komplexsalze.
Eine für die erfindungsgemäßen Zwecke bevorzugte Photoinitiatorenklasse
sind die aus der EP-A 01 82 744 bekannten
Metallocen-Komplexsalze, insbesondere die Verbindung (I):
Eine weitere bevorzugte Klasse von Photoinitiatoren für die
kationische Polymerisation sind die Diaryljodoniumsalze der
Formel:
Ar₂J⁺X-,
worin Ar ein gegebenenfalls substituiertes Aren ist, beispielsweise
Benzol, Toluol, Xylol, Ethylbenzol, Methoxybenzol,
Naphthalin, 1,2-Dihydronaphthalin, Phenanthren,
Anthracen, 9,10-Dihydroanthracen, Diphenylen, Biphenyl,
Cumol; und worin X- ein komplexes Anion, beispielsweise BF₄-,
PF₆-, AsF₆-, SbF₆-, vorzugsweise BF₄- oder PF₆-, ist.
Besonders bevorzugt sind Diphenyljodonium-tetrafluoroborat,
Ditoluyljodonium-tetrafluoroborat, Ditoluyljodonium-hexafluorophosphat
und Di-t-butylphenyljodonium-
tetrafluoroborat. Weitere geeignete Diaryljodoniumsalze finden sich
beispielsweise in "UV-Curing", Science and Technology, Ed.
by S. Peter Pappas, Technology Marketing Corporation,
Norwalk, USA 06851 (1980).
Vorzugsweise werden die Diaryljodoniumsalze zusammen mit
Photoinitiatoren, die unter Lichteinwirkung Radikale
erzeugen, eingesetzt. Geeignete derartige Photoinitiatoren
sind Mono- und α-Diketone, Benzoine, Benzoinether,
Benzilketale sowie insbesondere Acylphosphinverbindungen der
allgemeinen Formel II:
worin
m = 1, n = 1 und x = 0,
oder m = 2, n = 0 und x = 0 oder S,
R¹ einen geradkettigen oder verzweigten C1-6- Alkylrest,
einen Cyclohexyl-, Cylcopentyl-, Phenyl-, Naphthyl- oder Biphenylrest,
einen Cyclopentyl-, Cyclohexyl-, Phenyl-, Naphthyl- oder Biphenylrest, der substituiert ist durch F, Cl, Br, J, C₁-C₄-Alkyl und/oder C₁-C₄-Alkoxyl,
einen S- oder N-haltigen 5- oder 6gliedrigen heterocyclischen Ring,
R² und R³, die gleich oder verschieden sind, einen Cyclohexyl-, Cylcopentyl-, Phenyl-, Naphthyl- oder Biphenylrest,
einen Cyclopentyl-, Cyclohexyl-, Phenyl-, Naphthyl- oder Biphenylrest, der substituiert ist durch F, Cl, Br, J, C₁-C₄-Alkyl und/oder C₁-C₄-Alkoxyl, oder
einen S- oder N-haltigen 5- oder 6gliedrigen heterocyclischen Ring oder
R₂ und R₃ miteinander zu einem Ring verknüpft sind, der 4 bis 10 Kohlenstoffatome enthält und durch 1 bis 6 C1-4-Alkylreste substituiert sein kann.
R¹ einen geradkettigen oder verzweigten C1-6- Alkylrest,
einen Cyclohexyl-, Cylcopentyl-, Phenyl-, Naphthyl- oder Biphenylrest,
einen Cyclopentyl-, Cyclohexyl-, Phenyl-, Naphthyl- oder Biphenylrest, der substituiert ist durch F, Cl, Br, J, C₁-C₄-Alkyl und/oder C₁-C₄-Alkoxyl,
einen S- oder N-haltigen 5- oder 6gliedrigen heterocyclischen Ring,
R² und R³, die gleich oder verschieden sind, einen Cyclohexyl-, Cylcopentyl-, Phenyl-, Naphthyl- oder Biphenylrest,
einen Cyclopentyl-, Cyclohexyl-, Phenyl-, Naphthyl- oder Biphenylrest, der substituiert ist durch F, Cl, Br, J, C₁-C₄-Alkyl und/oder C₁-C₄-Alkoxyl, oder
einen S- oder N-haltigen 5- oder 6gliedrigen heterocyclischen Ring oder
R₂ und R₃ miteinander zu einem Ring verknüpft sind, der 4 bis 10 Kohlenstoffatome enthält und durch 1 bis 6 C1-4-Alkylreste substituiert sein kann.
Als Füllstoffe können in den erfindungsgemäß verwendeten
Klebstoffmassen Pulver von Aluminiumoxid, Siliciumdioxid,
Calciumcarbonat, Titandioxid, Bariumsulfat, Glimmer und
dergleichen enthalten sein, während als thixotropierendes
Mittel vorzugsweise pulverförmiges Siliciumdioxid mit einer
spezifischen Oberfläche von 50 bis 450 m²/g enthalten sein
kann. Die eingesetzten Füllstoffe sind vorzugsweise silanisiert.
Als Silanisierungsmittel können die an sich bekannten
Silan-Kupplungsmittel, beispielsweise γ-Methacryloyloxypropyltri-
methoxysilan und Glycidyloxypropyltrimethoxysilan
verwendet werden.
Andere übliche Zusatzstoffe für die erfindungsgemäß verwendeten
Klebstoffmassen sind beispielsweise Peroxide, Sensibilisatoren
wie z. B. Anthracen, Pigmente, Farbstoffe, Antioxidantien
und dergleichen.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung und der
Ausführungsbeispiele weiter erläutert:
Die Zeichnung zeigt schematisch den Ablauf einer der möglichen
Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens zum
Befestigen von SMD-Bauteilen auf einer Schaltungs- oder
Leiterplatte. Das Verfahren besteht im wesentlichen aus der
Folge der Verfahrensschritte A bis E:
- A- Auftragen einer Klebstoffschicht 3 auf eine mit Kontaktanschlüssen 2 versehene Leiterplatte 1. Die photopolymerisierbare Klebstoffmasse 3 besitzt eine der vorstehend beschriebenen Zusammensetzungen und polymerisiert im wesentlichen nach einem kationischen Reaktionsmechanismus. Das Auftragen der Klebstoffschicht 3 kann durch Siebdruck, Pin-Transfer oder Dispenserauftrag in an sich bekannter Weise auf vorbestimmte Bereiche der Leiterplatte 1 erfolgen. Alternativ kann die Klebstoffmasse 3 auch auf die Unterseite des auf der Leiterplatte 1 zu befestigenden Bauteils 4 aufgetragen werden.
- B- Aktivieren der Klebstoffschicht 3 durch Bestrahlen mit aktinischem Licht im ultravioletten oder sichtbaren Wellenlängenbereich zwischen 200 und 600 nm, vorzugsweise zwischen 400 und 500 nm, und zwar soweit und so lange, bis die gewünschte Initialklebrigkeit, jedoch keine Hautbildung an der Klebstoffoberfläche, eintritt.
- C- Bestücken der Leiterplatte 1 durch Aufbringen des Bauteils 4 mit seinen Elektroden 5 auf die aktivierte Klebstoffschicht 3 und die Kontaktanschlüsse 2.
- D- Aushärten der Klebstoffschicht 3 bei einer Temperatur zwischen 60 und 140°C, beispielsweise in einem Konvektionsofen, mittels Infrarotstrahler oder mittels der in Stufe B benutzten Quelle für aktinische Strahlung, falls diese auch Infrarotstrahlung emittiert.
- E- Kontaktierung der Anschlüsse 5 der Bauteile 4 mit den Leiterbahnen 2 durch Verlöten im Schwall- oder Schlepplötbad.
Bei einer anderen Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Verfahrens wird die Reihenfolge der Stufen A und B miteinander
vertauscht, also die Aktivierung der Klebstoffmasse
durch Bestrahlen mit aktinischem Licht bereits vorgenommen,
bevor der Kleber entweder auf die Leiterplatte 1 oder die
Unterseite des Bauteils 4 aufgetragen wird.
Es wird eine Harzzusammensetzung durch gleichmäßiges Mischen
von 100 Gew.-Teilen 3,4-Epoxycyclohexylmethyl-3′,4′-epoxycyclohexylcarboxylat,
3 Gew.-Teilen (n⁵-2,4-Cyclopentadien-
1-yl)-[(1,2,3,4,5,6-η)-(1-methylethyl)-benzol]-eisen(1+)-
hexafluorophosphat(1-) (Irgacure® 261 der Fa. Ciba-Geigy)
und 6 Gew.-Teilen pulverförmigen hydrophobierten Siliciumdioxids
mit einer spezifischen Oberfläche von 71 m²/g und
einer Teilchengröße kleiner 100 nm (Silica R-202 der Fa.
Degussa) hergestellt.
Die Harzzusammensetzung weist eine Viskosität von 1,7 Pa · s
auf (Haake-Viskosimeter Rotovisko RV 100, PKI 0.5/28, 10%D).
Die Harzzusammensetzung wird anschließend mittels eines
Dispensers auf eine gedruckte Leiterplatte in Form eines
standfesten Klebstofftropfens zwischen den Kontaktanschlüssen
aufgebracht. Der Klebstofftropfen weist ein Verhältnis
zwischen Durchmesser und Höhe von ca. 2 : 1 auf.
Der Klebstofftropfen wird anschließend mit einem Bestrahlungsgerät,
welches aktinisches Licht im Bereich von 400 bis
500 nm aussendet (Curelight 01 der Fa. Precon, Lichtleistung
ca. 100 mW/cm²), über einen Zeitraum von 20 sec. aktiviert.
Danach wird ein Transistor im Gehäuse (Gehäuseform: SOT-23)
darauf aufgebracht und mit einer Infrarotlampe (IR-Trocknungsaufsatz
YTC01L der Fa. Sartorius, 250 W, Temperatur =
72°C) 1 Minute bestrahlt.
Anschließend wird die so bestückte Leiterplatte in ein
Schlepplötbad (Fa. Zevatron Typ EFT-1) eingebracht. Die
Leiterplatte wird mit maximaler Geschwindigkeitsstufe 10 in
einen auf 250°C erhitzten Behälter mit geschmolzenem Lot
eingefahren und 10 sec. eingetaucht belassen, um die zu
verlötendenden Elektrodenteile des SOT-Gehäuses mit den Verbindungsanschlüssen
durch das Lötmittel zu verlöten. Während
des Verlötens tritt keine Ablösung des SOT-Gehäuses von der
gedruckten Leiterplatte auf, und man erhält ein einwandfrei
verlötetes Bauteil.
Das Eintauchen wird 5× wiederholt, ohne daß eine Ablösung
des SOT-Gehäuses von der gedruckten Leiterplatte eintritt.
Die Harzzusammensetzung des Beispiels 1 wird mit zusätzlich
2 Gew.-Teilen silanisiertem Siliciumdioxid (R-202, Fa.
Degussa) versetzt und zu einer homogenen Mischung verrührt.
Die Harzzusammensetzung weist eine Viskosität von 2,8 Pa · s
(Haake-Viskosimeter Rotovisko RV 100, PKI 0.5/28, 10%D)
auf.
Mit dieser Harzzusammensetzung wird ein zylinderförmiger
Widerstand (Melf) mit der Leiterplatte verklebt.
Die Probe wird sofort nach dem Bestrahlen mit der Infrarotlampe
(Bedingungen wie in Beispiel 1) auf einem Universalprüfgerät
(Fa. Zwick 1435) vermessen. Die Festigkeit der
Verbindung zwischen zylinderförmigem Bauteil und Leiterplatte
wird durch Abscheren von der Leiterplatte (Vorschubgeschwindigkeit
des Stempels 1 mm/Min.) ermittelt. Zum Abscheren
des Bauteils ist eine Kraft von durchschnittlich 46 N
erforderlich. Da die Fläche des Klebstofftropfens 4 mm²
beträgt, kann eine durchschnittliche Scherfestigkeit von
11,5 N/mm² (MPa) ermittelt werden.
Ein gebräuchlicher warmhärtender Einkomponenten-Epoxid-Klebstoff
für die Befestigung von SMD-Bauteilen auf Leiterplatten
(Fa. Heraeus RD 860002 M) wird mittels eines Dispensers
auf die gleiche gedruckte Leiterplatte wie im Beispiel 2
aufgetragen. Danach wird ein zylinderförmiger SMD-Widerstand
(Melf) darauf aufgebracht und die Leiterplatte anschließend
zur Härtung der Klebstoffschicht nach den Herstellungsangaben
in einem Wärmeschrank belassen (Konvektionsofen 120°C,
3 Min.). Danach wird die bestückte Leiterplatte auf einer
Universalprüfmaschine (Fa. Zwick 1435) vermessen. Das zylinderförmige
SMD-Bauteil wird mittels eines Stempels mit einer
Vorschubgeschwindigkeit von 1 mm/Min. abgeschert. Dazu ist
eine Kraft von durchschnittlich 41 N erforderlich, woraus
sich aus der Fläche des Klebstofftropfens von 5 mm² eine
durchschnittliche Scherfestigkeit von 8,2 N/mm² (MPa) errechnet.
Im Vergleich zum erfindungsgemäßen Verfahren werden mit dem
handelsüblichen Präparat trotz drastischer Aushärtebedingungen
(3 Min. bei 120°C statt 1 Min. bei 72°C) schlechtere
Abscherfestigkeiten erhalten.
Es wird eine Harzzusammensetzung durch gleichmäßiges Mischen
von 80 Gew.-Teilen 3,4-Epoxycyclohexylmethyl-3′,4′-epoxycyclohexylcarboxylat,
20 Gew.-Teilen eines kationisch härtbaren
Harzes (UVR 6351 der Fa. Union Carbide), 3 Gew.-Teilen
Irgacure® 261 der Fa. Ciba-Geigy) und 3 Gew.-Teilen hydrophobierten
Siliciumdioxid-Pulvers einer mittleren Teilchengröße
von kleiner 100 nm und einer spezifischen Oberfläche
von 71 m²/g (Silica R-202 der Fa. Degussa) unter Rühren
hergestellt.
Die Viskosität beträgt 1,0 Pa · s (Haake-Viskosimeter
Rotovisko RV 100, PKI 0,5/28, 10%D).
Diese Harzzusammensetzung wird anschließend auf eine gedruckte
Leiterplatte unter Verwendung eines Dispensers aufgebracht.
Der Klebstofftropfen wird mit einer Ultraviolett-
Strahlenquelle (UVAHAND 200 der Fa. Dr. Höhnle GmbH, emittiertes
Licht von 315 bis 600 nm) im Abstand von 10 cm bestrahlt,
was einer UVA-Bestrahlungsstärke von 15 mW/cm²
entspricht. Die Bestrahlungszeit beträgt 30 sec. Danach wird
ein Transistor im SOT-23-Gehäuse auf den aktivierten Klebstofftropfen
aufgebracht und die gedruckte Leiterplatte mit
einer Infrarotlampe (IR-Trocknungsaufsatz YTC01L der Fa.
Sartorius, 250 W) 2 Min. lang bestrahlt, wobei eine Temperatur
von 80°C erreicht wird. Sofort nach der Bestrahlung wird
die resultierende bestückte Leiterplatte in einem Schlepplötbad
(Fa. Zevatron Typ EFT-1, maximale Geschwindigkeitsstufe
10) in einen auf 250°C erhitzten Behälter mit geschmolzenem
Lot eingefahren und 10 sec. eingetaucht belassen.
Es tritt keine Ablösung des Transistors im SOT-23-Gehäuse
von der Leiterplatte auf, und man erhält ein einwandfrei
verlötetes Bauteil.
Es wird eine Harzzusammensetzung durch gleichmäßiges Mischen
von 100 Gew.-Teilen eines Bisphenol-A-Diepoxids (GY 259 der
Fa. Ciba-Geigy), 3 Gew.-Teilen Irgacure 261 (der Fa. Ciba-
Geigy) und 2,5 Gew.-Teilen Cumolhydroperoxid hergestellt.
Die Harzzusammensetzung weist eine Viskosität von 11 Pa · s
auf (Haake-Viskosimeter Rotovisko RV 100, PKI 0,5/28, 10%D).
Mit dieser Harzzusammensetzung wird die gleiche Probe
wie in Beispiel 1 hergestellt, mit der einzigen Ausnahme,
daß anstelle des SOT-Gehäuses ein quaderförmiger Elektrolytkondensator
(15 D der Fa. Philips) verklebt wird. Die Probe
wird sofort nach dem Bestrahlen mit der Infrarotlampe (unter
Bedingungen wie in Beispiel 1 genannt) in ein Schlepplötbad
(Fa. Zevatron Typ EFT-1) eingebracht. Die Leiterplatte wird
mit Geschwindigkeitsstufe 4 in einen auf 250°C erhitzten
Behälter mit geschmolzenem Lot eingefahren und 5 sec. eingetaucht
belassen. Während des Verlötens tritt keine Ablösung
des Elco-Gehäuses von der gedruckten Leiterplatte auf. Die
Verlötung ist einwandfrei.
Es wird eine Harzzusammensetzung durch gleichmäßiges Mischen
von 50 Gew.-Teilen 3,4-Epoxycyclohexylmethyl-3′,4′-epoxycyclohexylcarboxylat,
50 Gew.-Teilen Triethylenglykoldivinylether,
4 Gew.-Teilen Ethylenglykol, 3 Gew.-Teilen Bis-
(4-methylphenyl)-jodoniumhexafluorophosphat, 1 Gew.-Teil
Bis-(2,6-dichlorbenzoyl)-4-n-propylphenylphosphinoxid und
3 Gew.-Teilen pulverförmigen hydrophobierten Siliciumdioxids
mit einer spezifischen Oberfläche von 71 m²/g und einer
Teilchengröße von kleiner 100 nm (Silica R-202 der Fa.
Degussa) hergestellt.
Die Harzzusammensetzung weist eine Viskosität von 0,05 Pa · s
auf (Haake-Viskosimeter Rotovisko RV 100, PKI 0,5/28, 10%D).
Die Harzzusammensetzung wird anschließend mit Hilfe eines
Dispensers auf eine gedruckte Leiterplatte in Form eines
Klebstofftropfens zwischen den Kontaktanschlüssen aufgebracht.
Der Klebstofftropfen wird anschließend mit einem Bestrahlungsgerät,
welches aktinisches Licht im Bereich von 400 bis
500 nm aussendet (Curelight 01 der Fa. Precon, ca. 100 mW/
cm²), 20 sec. lang aktiviert. Danach wird die Leiterplatte
von Hand mit einem Elektrolytkondensator (15 D der Fa. Philips)
bestückt und mit einer Infrarotlampe (Infrarot-Trocknungsaufsatz
der Fa. Sartorius, 250 W, Temperatur = 72°C)
1 Min. bestrahlt.
Danach wird die resultierende bestückte Leiterplatte in ein
Schlepplötbad (Fa. Zevatron Typ EFT-1) eingebracht. Die
Leiterplatte wird mit Geschwindigkeitsstufe 4 in einen auf
250°C erhitzten Behälter mit geschmolzenem Lot eingefahren
und 3 sec. eingetaucht belassen. Während des Verlötens tritt
keine Ablösung des Elco-Gehäuses von der gedruckten Leiterplatte
auf. Die Verlötung ist völlig in Ordnung.
Das Eintauchen wird sofort wiederholt, ohne daß daraufhin
eine Ablösung des Elco-Gehäuses von der gedruckten Leiterplatte
eintritt.
Ein gebräuchlicher Einkomponenten-Epoxid-Klebstoff
(RD860002M der Fa. Heraeus) für die Befestigung von SMD-
Bauteilen auf Leiterplatten wird mittels eines Dispensers
auf die gleiche gedruckte Leiterplatte wie im Beispiel 5
aufgetragen. Danach wird ein quaderförmiger SMD-Bauteil
(Elektrolytkondensator 15 D der Fa. Philips) darauf aufgebracht
und die Leiterplatte anschließend zur Härtung der
Klebstoffschicht mit einer Infrarotlampe (Trocknungsaufsatz
der Fa. Sartorius, 250 W, Temperatur = 72°C) 3 Min. bestrahlt.
Danach wird die resultierende bestückte Leiterplatte in ein
Schlepplötbad (Fa. Zevatron Typ EFT-1) eingebracht. Die
Leiterplatte wird mit Geschwindigkeitsstufe 4 in einen auf
250°C erhitzten Behälter mit geschmolzenem Lot eingefahren
und 3 sec. eingetaucht belassen. Dabei löst sich der SMD-
Bauteil von der gedruckten Leiterplatte ab. Der gebräuchliche
Einkomponenten-Epoxid-Klebstoff ist unter diesen milden
Aushärtungsbedingungen (1 Min. thermische Aushärtung bei
72°C) zur Verklebung von SMD-Bauteilen nicht geeignet.
Ein gebräuchlicher Einkomponenten-Epoxid-Klebstoff für die
Befestigung von SMD-Bauteilen auf Leiterplatten (Amicon
D-124-F der Fa. Emerson and Cuming) wird wie im Vergleichsbeispiel
2 beschrieben auf eine gedruckte Leiterplatte aufgebracht
und unter denselben Bedingungen ausgehärtet und im
Schlepplötbad geprüft.
Während des Verlötens löst sich der SMD-Bauteil von der
gedruckten Leiterplatte ab. Dieser gebräuchliche Einkomponenten-
Epoxid-Klebstoff ist unter diesen milden Aushärtungsbedingungen
als SMD-Klebstoff nicht geeignet.
Es wird eine Harzzusammensetzung durch gleichmäßiges Mischen
von 100 Gew.-Teilen 3,4-Epoxycyclohexylmethyl-3′,4′-epoxycyclohexylcarboxylat,
2,5 Gew.-Teilen Cumolhydroperoxid, 3
Gew.-Teilen Irgacure® 261 (der Fa. Ciba-Geigy) und 3 Gew.-
Teilen hydrophobierten Siliciumdioxid-Pulvers mit einer
spezifischen Oberfläche von 71 m²/g und mittleren Teilchengröße
von kleiner 100 nm (R-202 der Fa. Degussa) unter Rühren
hergestellt.
Die Harzzusammensetzung weist eine Viskosität von 0,95 Pa · s
auf (Haake-Viskosimeter Rotovisko RV 100, PKI 0.5/28, 10%D).
Aus dieser Harzzusammensetzung werden anschließend mittels
eines Stiftes (pin transfer) zwei Klebstofftropfen auf einen
SMD-Bauteil (IC D750G der Fa. NEC) aufgebracht.
Die Klebstofftropfen werden anschließend mit einem Bestrahlungsgerät,
welches aktinisches Licht im Bereich von 400 bis
500 nm aussendet (Curelight 01 der Fa. Precon, ca. 100
mW/cm²), 15 sec. aktiviert. Danach wird eine gedruckte Leiterplatte
mit diesem SMD-Bauteil bestückt und mit einer
Infrarotlampe (IR-Trocknungsaufsatz YTC01L der Fa. Sartorius,
250 W) 2 Min. bestrahlt (Temperatur = 72°C).
Danach wird die resultierende bestückte Leiterplatte in ein
Schlepplötbad (Fa. Zevatron Typ EFT-1) eingebracht. Die
Leiterplatte wird mit maximaler Geschwindigkeitsstufe 10 in
einen auf 250°C erhitzten Behälter mit geschmolzenem Lot
eingefahren und 3 sec. eingetaucht belassen. Während des
Verlötens tritt keine Ablösung des SMD-Bauteils von der
gedruckten Leiterplatte auf. Die Verlötung ist einwandfrei.
Das Eintauchen wird 3× wiederholt. Hierbei tritt keine
Ablösung des SMD-Bauteils von der gedruckten Leiterplatte
auf.
Ein gebräuchlicher Einkomponenten-Epoxid-Klebstoff für die
Befestigung von SMD-Bauteilen auf Leiterplatten (Amicon D-
124-F der Fa. Emerson and Cuming) wird wie in Beispiel 6
mittels eines Stiftes auf ein SMD-Bauteil (D750G der Fa.
NEC) aufgetragen und danach 5 Min. mit derselben Infrarotlampe
wie in Beispiel 6 bestrahlt.
Danach wird die resultierende bestückte Leiterplatte unter
denselben Bedingungen wie in Beispiel 6 in den Behälter mit
geschmolzenem Lot eingefahren. Dabei löst sich das SMD-
Bauteil von der Leiterplatte.
Dieser gebräuchliche Einkomponenten-Epoxid-Klebstoff ist
unter diesen milden Aushärtungsbedingungen (5 Min thermische
Aushärtung bei 72°C) für die Verklebung von SMD-
Teilen nicht geeignet.
Claims (9)
1. Verfahren zum Befestigen von Bauteilen auf einer Leiterplatte
durch Auftragen eines photoaktivierbaren Klebstoffs
auf vorbestimmte Flächen der Bauteile oder der Leiterplatte,
Bestücken der Leiterplatte mit den Bauteilen,
Härten der Klebeverbindung bei einer Temperatur zwischen 60
und 140°C sowie Herstellung von Lötverbindungen zwischen den
Bauteilen und der Leiterplatte, dadurch gekennzeichnet, daß
der Klebstoff durch Bestrahlen mit Licht von einer Wellenlänge
im Bereich von 200 bis 600 nm vor dem Bestücken der
Leiterplatte soweit aktiviert wird, daß die gewüschte
Initialklebrigkeit erhalten bleibt und keine Hautbildung an
der Klebstoffoberfläche eintritt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Aktivierung des Klebstoffs durch Bestrahlen mit Licht
einer Wellenlänge von 300 bis 500 nm während 0,5 bis 300 sec.
erfolgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß das Härten der Klebeverbindung nach dem Bestücken
der Leiterplatte während einer Zeitspanne von bis zu 15 Min.
erfolgt.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß als photoaktivierbarer Klebstoff eine
kationisch härtbare, vor der Aktivierung fließfähige Klebstoffmasse
mit einer Viskosität von 0,05 bis 1000 Pa · s verwendet
wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß
eine Klebstoffmasse mit einer Viskosität von, vor ihrer
Aktivierung, 0,4 bis 200 Pa · s verwendet wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß eine Klebstoffmasse verwendet wird, die
besteht aus:
- a) 10 bis 99,95 Gew.-% mindestens eines kationisch härtbaren Harzes und/oder eines kationisch polymerisierbaren Monomers;
- b) 0,05 bis 10 Gew.-% mindestens eines Photoinitiators, der unter Lichteinwirkung Lewis- oder Brönsted-Säuren bildet;
- c) 0 bis 89,95 Gew.-% eines oder mehrerer Füllstoffe, thixotropierender Mittel, Haftvermittler und/oder anderer üblicher Zusatzstoffe.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
eine Klebstoffmasse verwendet wird, die besteht aus:
- a) 70 bis 98 Gew.-% mindestens eines kationisch härtbaren Harzes und/oder eines kationisch polymerisierbaren Monomers;
- b) 2 bis 6 Gew.-% mindestens eines Photoinitiators, der unter Lichteinwirkung Lewis- oder Brönsted-Säuren bildet;
- c) 0 bis 28 Gew.-% eines oder mehrerer Füllstoffe, thixotropierender Mittel, Haftvermittler und/oder anderer üblicher Zusatzstoffe.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß eine Klebstoffmasse verwendet wird, die
besteht aus:
- a) 10 bis 89,95 Gew.-% mindestens eines kationisch härtbaren Harzes und/oder eines kationisch polymerisierbaren Monomers;
- b) 0,05 bis 10 Gew.-% mindestens eines Photoinitiators, der unter Lichteinwirkung Lewis- oder Brönsted-Säuren bildet;
- c) 0 bis 89,9 Gew.-% eines oder mehrerer Füllstoffe, thixotropierender Mittel, Haftvermittler und/oder anderer üblicher Zusatzstoffe;
- d) 10 bis 80 Gew.-% mindestens eines nach einem radikalischen Polymerisationsmechanismus polymerisierenden Harzes und/oder Monomers;
- e) 0,05 bis 5 Gew.-% mindestens eines Photoinitiators, der unter Lichteinwirkung Radikale erzeugt;
- f) gegebenenfalls 0,05 bis 5 Gew.-% mindestens eines Photosensibilisators und/oder Aktivators.
9. Verfahren nach Anspruch 6, 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet,
daß die Komponente a) der Klebstoffmasse mindestens
teilweise aus den Diglycidylethern zweiwertiger
Phenole und/oder zweiwertiger aliphatischer Alkohole besteht.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE29617668U1 (de) * | 1996-10-10 | 1996-12-05 | Hagn Erwin | Vorrichtung zur Herstellung einer Ansaugfläche auf einem Gegenstand und dadurch ausgebildetes elektrisches Bauteil |
DE19641863C1 (de) * | 1996-10-10 | 1998-03-12 | Erwin Hagn | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Ansaugfläche auf einem Gegenstand und dadurch ausgebildetes elektrisches Bauteil |
DE102006048464A1 (de) * | 2006-10-11 | 2008-04-17 | Bundesdruckerei Gmbh | Haftvermittlerschicht für die Verbindung eines holographischen Datenträgers mit einem Substrat |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3909688A1 (de) * | 1989-03-23 | 1990-09-27 | Espe Stiftung | Verfahren zum kleben oder vergiessen von substraten und vorrichtung zur seiner durchfuehrung |
US5487853A (en) * | 1990-07-12 | 1996-01-30 | The C. A. Lawton Company | Energetic stitching for complex preforms |
US5066368A (en) * | 1990-08-17 | 1991-11-19 | Olin Corporation | Process for producing black integrally colored anodized aluminum components |
US5177134A (en) * | 1990-12-03 | 1993-01-05 | Motorola, Inc. | Tacking agent |
US5318651A (en) * | 1991-11-27 | 1994-06-07 | Nec Corporation | Method of bonding circuit boards |
US5698059A (en) * | 1992-11-10 | 1997-12-16 | Alliedsignal Inc. | Filter and method for manufacturing filters |
KR0141229B1 (ko) * | 1993-09-22 | 1998-07-15 | 김광호 | 국부 경화방법 |
KR100377981B1 (ko) * | 1994-06-07 | 2003-05-27 | 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 성형화합물큐어링방법 |
DE4447701C2 (de) * | 1994-09-20 | 1997-06-26 | Blaupunkt Werke Gmbh | Einrichtung zum automatischen Bestücken der Ober- und Unterseite von Leiterplatten mit SMD-Bauteilen |
JP4094080B2 (ja) * | 1995-11-22 | 2008-06-04 | リンテック株式会社 | 接着剤組成物および接着シート |
EP0950082B1 (de) * | 1997-01-06 | 2003-04-23 | Quantum Materials, Inc. | Verminderung der bildung von hohlräumen in härtbaren klebstoffzusammensetzungen |
US6309502B1 (en) * | 1997-08-19 | 2001-10-30 | 3M Innovative Properties Company | Conductive epoxy resin compositions, anisotropically conductive adhesive films and electrical connecting methods |
JP3714088B2 (ja) * | 1999-02-18 | 2005-11-09 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及びその製造方法 |
US6245827B1 (en) * | 1999-10-12 | 2001-06-12 | Elementis Specialties, Inc. | Ultraviolet curable resin compositions having enhanced shadow cure properties |
DE19961347A1 (de) * | 1999-12-17 | 2001-06-21 | S & C Polymer Silicon & Compos | Photoinitiatorsystem mit Acylphosphinoxid-Initiatoren |
JP2001237585A (ja) * | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
JP2002076589A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Hitachi Ltd | 電子装置及びその製造方法 |
US6767607B2 (en) * | 2001-08-09 | 2004-07-27 | Corning Incorporated | Multiwell plate having transparent well bottoms |
US6918984B2 (en) * | 2002-06-24 | 2005-07-19 | Loctite (R&D) Limited | Photocurable adhesive compositions, reaction products of which have low halide ion content |
TWM252154U (en) * | 2003-10-24 | 2004-12-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Electrical connector having pick up cap |
US8030401B1 (en) | 2006-08-03 | 2011-10-04 | Henkel Corporation | Photoinitiated cationic epoxy compositions |
US7714037B1 (en) | 2006-12-15 | 2010-05-11 | Henkel Corporation | Photoinitiated cationic epoxy compositions and articles exhibiting low color |
US8309633B2 (en) * | 2008-07-17 | 2012-11-13 | Henkel Ireland Ltd. | Low temperature, cationically curable compositions with improved cure speed and toughness |
US9162249B2 (en) * | 2008-10-01 | 2015-10-20 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Paste dispenser for applying paste containing fillers using nozzle with pin and application method using the same |
JP4760899B2 (ja) * | 2008-12-12 | 2011-08-31 | 株式会社村田製作所 | チップ状電子部品の製造方法 |
AT513747B1 (de) | 2013-02-28 | 2014-07-15 | Mikroelektronik Ges Mit Beschränkter Haftung Ab | Bestückungsverfahren für Schaltungsträger und Schaltungsträger |
WO2018150573A1 (ja) * | 2017-02-20 | 2018-08-23 | 株式会社Fuji | 部品実装システムおよび部品実装方法 |
JP6937466B2 (ja) * | 2018-02-26 | 2021-09-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 塗布方法と塗布装置と部品の製造方法 |
CN108896545B (zh) * | 2018-05-09 | 2021-07-13 | 歌尔光学科技有限公司 | 涂胶检测方法、装置及计算机可读存储介质 |
FR3110382B1 (fr) * | 2020-05-20 | 2022-05-13 | Pkvitality | Capteur pour système de surveillance corporelle monté en surface |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2119436B2 (de) * | 1971-04-21 | 1973-11-15 | Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen | Verfahren zum Hybndieren von Dunn und Dickschichtschaltungen |
DE2904649C2 (de) * | 1978-02-08 | 1984-11-29 | Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo | Kleberzusammensetzung und Verfahren zur Befestigung elektronischer Bauteile auf Leiterplatten |
EP0182744A2 (de) * | 1984-11-14 | 1986-05-28 | Ciba-Geigy Ag | Photohärtbare gefüllte Expoxidharz-Zusammensetzungen und deren Verwendung |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55110097A (en) * | 1979-02-19 | 1980-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of mounting electronic part |
DE2908485A1 (de) * | 1979-03-05 | 1980-09-11 | Licentia Gmbh | Verfahren zum einbetten von halbleiter-bauelementen in kunststoff |
JPS55127098A (en) * | 1979-03-09 | 1980-10-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of mounting electronic part |
US4356050A (en) * | 1979-12-11 | 1982-10-26 | General Electric Company | Method of adhesive bonding using visible light cured epoxies |
US4398660A (en) * | 1981-06-04 | 1983-08-16 | Rca Corporation | Method of mounting electronic components |
US4605465A (en) * | 1982-04-26 | 1986-08-12 | W. R. Grace & Co. | UV and thermally curable, thermoplastic-containing compositions |
CA1194637A (en) * | 1982-04-26 | 1985-10-01 | Charles R. Morgan | Uv and thermally curable, thermoplastic-containing compositions |
US4427478A (en) * | 1982-06-28 | 1984-01-24 | International Business Machines Corporation | Process for making an encapsulated circuit board and products made thereby |
JPS6352341B2 (de) * | 1982-07-13 | 1988-10-18 | Smithkline Beckman Corp | |
GB2147148A (en) * | 1983-09-27 | 1985-05-01 | John Patrick Burke | Electronic circuit assembly |
EP0154819B1 (de) * | 1984-01-07 | 1988-07-06 | Takeda Chemical Industries, Ltd. | Verfahren zum Verkleben und Klebstoffmasse dafür |
US4778556A (en) * | 1986-04-21 | 1988-10-18 | Unisys Corporation | Apparatus for correcting printed circuit boards |
-
1988
- 1988-03-02 DE DE3806738A patent/DE3806738C1/de not_active Expired
-
1989
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2119436B2 (de) * | 1971-04-21 | 1973-11-15 | Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen | Verfahren zum Hybndieren von Dunn und Dickschichtschaltungen |
DE2904649C2 (de) * | 1978-02-08 | 1984-11-29 | Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo | Kleberzusammensetzung und Verfahren zur Befestigung elektronischer Bauteile auf Leiterplatten |
EP0182744A2 (de) * | 1984-11-14 | 1986-05-28 | Ciba-Geigy Ag | Photohärtbare gefüllte Expoxidharz-Zusammensetzungen und deren Verwendung |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE29617668U1 (de) * | 1996-10-10 | 1996-12-05 | Hagn Erwin | Vorrichtung zur Herstellung einer Ansaugfläche auf einem Gegenstand und dadurch ausgebildetes elektrisches Bauteil |
DE19641863C1 (de) * | 1996-10-10 | 1998-03-12 | Erwin Hagn | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Ansaugfläche auf einem Gegenstand und dadurch ausgebildetes elektrisches Bauteil |
US6042683A (en) * | 1996-10-10 | 2000-03-28 | Hagn; Erwin | Method and device for producing an aspiration surface on an object, and electrical component obtained thereby |
DE102006048464A1 (de) * | 2006-10-11 | 2008-04-17 | Bundesdruckerei Gmbh | Haftvermittlerschicht für die Verbindung eines holographischen Datenträgers mit einem Substrat |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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US4916805A (en) | 1990-04-17 |
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