DE3806635A1 - Verfahren zum zuechten eines einkristalls - Google Patents
Verfahren zum zuechten eines einkristallsInfo
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- DE3806635A1 DE3806635A1 DE19883806635 DE3806635A DE3806635A1 DE 3806635 A1 DE3806635 A1 DE 3806635A1 DE 19883806635 DE19883806635 DE 19883806635 DE 3806635 A DE3806635 A DE 3806635A DE 3806635 A1 DE3806635 A1 DE 3806635A1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Züchten eines
Einkristalls durch Verdunsten eines Lösungsmittels aus
einem aus einer Lösung gebildeten Tropfen, die eine
Substanz, aus der der Einkristall gezüchtet werden soll
und das Lösungmittel enthält, wobei der Tropfen in einem
stehenden Schallfeld oder Ultraschallfeld berührungslos
in einer Prozeßkammer gehalten und die Kristallisation
des Einkristalls aus der Lösung eingeleitet wird.
Ein derartiges Verfahren ist in der deutschen Patentan
meldung P 36 27 810.6-43 mit älterem Anmeldetag beschrie
ben. Dieses Verfahren hat sich bewährt. Zur Einleitung
der Kristallisation des Einkristalls wird dort vorge
schlagen, die Temperatur und/oder den Druck im Schall
feld zu variieren oder auch den Flüssigkeitstropfen di
rekt zu erwärmen, beispielsweise mit Hilfe eines Laser
strahls, der den Tropfen möglichst tangential berühren
sollte, um nur an einer einzigen Stelle des Tropfens ei
nen Keim für den Einkristall zu bilden.
Die beschriebenen Maßnahmen gewährleisten aber nicht mit
ausreichender Sicherheit, daß im Tropfen stets nur
ein einziger Einkristall gezüchtet wird. Vielmehr können
sich durchaus mehrere Keime bilden, so daß im Tropfen
mehrere Einkristalle gezüchtet werden.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, das Ver
fahren mit den eingangs genannten Merkmalen so zu führen,
daß sichergestellt wird, daß in einem Tropfen nur ein
einziger Einkristall gezüchtet wird.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist die Erfindung dadurch ge
kennzeichnet, daß der Tropfen mit einem einzigen, von
außen in den Tropfen eingebrachten Keim geimpft wird. Der
Keim besteht üblicherweise aus derselben Substanz, aus
der der Einkristall gezüchtet werden soll. Er kann aber
auch aus einer anderen Substanz bestehen.
Für die Einbringung des Keims in den Tropfen gibt es
mehrere Möglichkeiten. Eine erste dieser Möglichkeiten ist
dadurch gekennzeichnet, daß der Keim in einem Tropfen
der Lösung gehalten wird, der mit dem in der stehenden
Welle gehaltenen Tropfen in Berührung gebracht wird,
beispielsweise durch eine entsprechende Gasströmung, über eine
Pipette, eine andere mechanische Einrichtung oder der
gleichen.
Eine weitere Möglichkeit ist dadurch gekennzeichnet, daß
der Keim auf den Tropfen geblasen wird.
Denkbar wäre es auch, den Keim an der Spitze einer Nadel
anhaften zu lassen und diese dann zum Tropfen zu führen,
so daß der Keim dann in den Tropfen übergeht.
Die Erfindung wird im folgenden anhand eines Ausführungs
beispieles näher erläutert, aus dem sich weitere wichtige
Merkmale ergeben. Es zeigt:.
Fig. 1 eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen
Vorrichtung zur Einkristall-Züchtung aus
einem in der stehenden Ultraschallwelle
schwebenden Flüssigkeitstropfen.
Die Vorrichtung besteht aus einer vorzugsweise thermo
statisierten Kammer 1. Der Flüssigkeitstropfen 2 wird
mittels eines 2/2-Resonators 3 mit piezoelektrischer
Anregung, Amplitudentransformation, Knotenhalterung und
eines im Abstand dazu angeordneten Reflektors 4
positioniert. Der Resonator 3 steht mit dem Ultraschall
generator 5 in Verbindung, der zur Reflektorabstimmung
eine Phasensteuerung aufweist. Der Reflektor 4 ist
vorzugsweise in axialer Richtung verschiebbar.
Diese Verstellung wird mittels eines Motors 6 bewirkt.
Ferner wird im Reflektor 4 ein Schallsensor 7 integriert,
um die Phasenregelung der Stehwellenresonanz vorzunehmen.
Die Kammer 1 wird mit Sichtfenstern zur Probenbeobachtung,
z.B. mittels einer CCD-Kamera 8, sowie zur Probenbeleuch
tung 9 versehen.
Der Flüssigkeitstropfen 2 wird in diesem Beispiel durch
eine Kanüle 10 in die stehende Welle geführt. Der ge
züchtete Einkristall kann mittels einer weiteren Kanüle 11
mit entsprechendem Durchmesser abgesaugt werden.
Zur Variation des Lösungsmitteldampfdrucks in der Kammer 1
werden ferner Lösungsmittelreservoire 12 vorgesehen, die
vorzugsweise separat beheizbar oder abkühlbar sind. Über
einen Pumpstutzen 13 kann der Lösungsmitteldampf kon
trolliert abgepumpt werden, nachdem durch Drucksensoren
14 eine kontinuierliche Bestimmung der Partialdrücke
der in der Kammer 1 befindlichen Gase vorgenommen wird.
Mit einer solchen Vorrichtung lassen sich z.B. wäßrige
Lösungen von organischen oder anorganischen Substanzen
als Tropfen von 5 bis 10 mm Durchmesser positionieren.
Der Tropfendurchmesser d hängt dabei von der gewählten
Wellenlänge λ des Positionierers ab (d<2/3λ). Als
Trägermedium werden vorzugsweise Edelgase verwendet, z.B.
eine Mischung aus Helium und Argon. Der Druck beträgt
im allgemeinen 1 bar, kann jedoch gegebenenfalls reduziert
oder erhöht werden.
Ein die Kristallisation des Einkristalls aus der Lösung
einleitender einziger Fremdkeim wird beispielsweise über
die Kanüle 10 mit dem schwebenden Tropfen 2 vereinigt,
wie vorstehend schon erläutert.
Claims (3)
1. Verfahren zum Züchten eines Einkristalls durch
Verdunsten eines Lösungsmittels aus einem aus einer
Lösung gebildeten Tropfen, die eine Substanz, aus
der der Einkristall gezüchtet werden soll, und das
Lösungsmittel enthält, wobei der Tropfen in einem
stehenden Schallfeld oder Ultraschallfeld berührungs
los in einer Prozeßkammer gehalten und die Kristalli
sation des Einkristalls aus der Lösung eingeleitet
wird,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Tropfen (2) mit einem einzigen, von außen
in den Tropfen (2) eingebrachten Keim geimpft wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Keim in einem Tropfen der Lösung gehalten
wird, der mit dem in der stehenden Welle gehaltenen
Tropfen (2) in Berührung gebracht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Keim auf den Tropfen (2) geblasen wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19883806635 DE3806635A1 (de) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | Verfahren zum zuechten eines einkristalls |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19883806635 DE3806635A1 (de) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | Verfahren zum zuechten eines einkristalls |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3806635A1 true DE3806635A1 (de) | 1989-09-14 |
Family
ID=6348567
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19883806635 Ceased DE3806635A1 (de) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | Verfahren zum zuechten eines einkristalls |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3806635A1 (de) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1988
- 1988-03-02 DE DE19883806635 patent/DE3806635A1/de not_active Ceased
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