DE3435306A1 - Verfahren zur herstellung von laserdioden mit jutierter integrierter waermesenke - Google Patents
Verfahren zur herstellung von laserdioden mit jutierter integrierter waermesenkeInfo
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Description
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT Unser Zeichen Berlin und München VPA 34 ρ 17 8 1 DF
Verfahren zur Herstellung von Laserdioden mit justierter integrierter Wärmesenke.
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Laserdiode, wie im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 angegeben.
Es ist bekannt, Laserdioden als Einzelbauelemente herzustellen,
die jeweils eine Wärmesenke aus gut wärmeleitendem Material, im Regelfall Metall, besitzen. Insbesondere handelt
es sich dabei um Streifenlaser-Dioden und um 'buriedlayer'-Laserdioden
mit einem Halbleiterkörper, der vorzugsweise mehrere Epitaxieschichten, insbesondere eine Hetero-Schichtstruktur,
umfaßt. Eine solche Mehrschichtstruktur wird durch epitaxiale Abscheidung auf einem Substratkörper
hergestellt. Die eigentliche laseraktive Zone befindet sich in einer Schicht, die nahe derjenigen Fläche des Schichtaufbaues
liegt, die im Substrat gegenüberliegt. In einer Laserdiode mit einem solchen Aufbau wird die bei der Laserstrahlungs-Erzeugung
zwangsläufig anfallende Wärme demzufolge nahe dieser dem Substrat abgewandten Oberfläche des Schichtaufbaues
erzeugt. Sinnvoll ist es daher, die Wärmesenke auf dieser Oberfläche des Schichtaufbaues anzubringen. Dies
wird als 'upside-down'-Technologie bezeichnet. In dieser
Technologie ist es erforderlich, die Wärmesenke möglichst exakt auf dem Laserdioden-Element anzubringen, und zwar derart,
daß mindestens im Bereich des einen Resonatorspiegels der laseraktiven Zone, nämlich im Bereich desjenigen Spiegels,
durch den der nutzbar gemachte Laserstrahl aus der Laserdiode austritt, die Wärmesenke bis höchstens an die Ebene
Bts 1 BIa / 19.9.1984
des Spiegels heranreicht, besser noch einige μπι zurücktritt.
Damit ist gewährleistet, daß der divergent aus der
Laserdiode austretende, genutzte Laserstrahl nicht an eine Kante der Härmesenke anstößt.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, insbesondere für
die Massenherstellung derartiger einzelner Laserdioden-Bauelemente eine Maßnahme anzugeben, mit der in einfacher Weise
und ohne zumindest wesentlichen Mehraufwand an Material exakt justiert die jeweilige Wärmesenke anzubringen ist.
Diese Aufgabe wird mit den Maßnahmen des Patentanspruchs 1 gelöst. Weitere Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung
gehen aus den Unteransprüchen hervor.
Für die Erfindung ist von dem Herstellungsprinzip ausgegangen worden, zunächst eine Vielzahl von Laserdioden-Einheiten
innerhalb eines größeren Wafers herzustellen und diesen Wafer dann in prinzipiell bekannter Weise in die Einzel-Bauelemente
zu zerbrechen. Für dieses Brechen wird die Ritzmethode unter Verwendung eines Diamanten benutzt. Die entstehenden
Bruchflächen sind die Spiegelflächen der einzelnen Resonatoren der einzelnen Laserdioden, wie dies allgemein
bekannt ist.
Der Erfindung liegt die weitergehende Idee zugrunde, auch die Wärmesenken bereits auf dem Wafer anzubringen und die
exakte Justierung mit Hilfe einer vorzugsweise wieder verwendbaren Maske zu bewerkstelligen. Nach Herstellung des
gesamten epitaxialen Schichtaufbaues der Schichtstruktur des
Wafers und nach vorzugsweise auf der betreffenden Oberfläche dieser Schichtstruktur ganzflächig aufgebrachter Elektrodenbeschichtung
wird diese Oberfläche bzw. diese Elektrodenbeschichtung mit einer Maske überzogen, die vorzugsweise aus
Fotolack besteht. In an sich bekannter Weise gibt man der
Fotolackschicht eine Maskierungsstruktur, die den vorgesehenen anzubringenden Wärmesenken entspricht. Für eine
jede im Wafer vorgesehene Laserdiode erhält diese Fotolackschicht eine Öffnung für galvanisches Aufwachsen des Metalles
der zu dieser Diode zugehörenden Wärmesenke.
Wie oben bereits erwähnt, ist es erforderlich, daß zumindest im Bereich des jeweils einen Resonatorspiegels, d.h.
der später durch Brechen.zu erzeugenden einen Seitenfläche
der Waferbruchstücke, die aufgebrachte Wärmesenke auf wenige μπι genau zu diesem Spiegel bzw. dieser Seitenfläche justiert
ist. Zur Erfindung gehört aber noch der weitere Gedanke, insbesondere zur Materialersparnis diese einzelnen, für die Wärmesenken
vorgesehenen Öffnungen der Fotolackmaske in günstiger Weise zu einander anzuordnen bzw. zu verteilen, wobei erfindungsgemäß
eine von Reihe zu Reihe versetzte Verteilung und dazu angepaßte Form der Kontur besonders günstig ist.
Nach erfolgtem galvanischen Aufbau der Wärmesenken aller Laserdioden
des Wafers wird die Fotolackschicht entfernt und es wird das nacheinander in zwei Koordinatenrichtungen erfolgende
Zerbrechen des Wafers in die einzelnen Laserdiodenchips durchgeführt. Damit auch bei großer Anzahl von Laserdioden
auf einem einzigen Wafer der Verlauf des Bruches auf die bereits angebrachten Wärmesenken justiert erfolgt, wird nicht
nur einmaliges, jeweils am äußeren Rand des Wafers ausgeführtes Ritzen getätigt, sondern es erfolgt jeweils ein mehrfaches
Ritzen der Wafer-Oberflache entlang der geforderten, zwisehen
den bereits angebrachten Wärmesenken verlaufenden Soll-Bruchkante des Wafers.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung kann vorgesehen sein, die Fotolackmaske auch zusätzlich mit Justiermarken,
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insbesondere Justieroffnungen, für das jeweilige Ansetzen
des Ritzdiamanten zu versehen. Aufgrund des fotochemischen Herstellungsverfahrens der Öffnungen der Fotolackmaske auf
dem Wafer können diese Justiermarken nahezu beliebig genau zu den für die Wärmesenken vorgesehenen Öffnungen justiert
angebracht werden, und zwar dies ohne besonderen Aufwand.
Weitere Erläuterungen zur Erfindung gehen aus der anhand der beigefügten Figuren gegebenen weiteren Beschreibung hervor.
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Fig.1 zeigt einen Abschnitt eines Halbleiterwafers (bestehend
aus Substrat und daraufliegender Epitaxie-Halbleiter-Schichtstruktur) mit auf seiner Fläche angeordneter
Fotolackschicht. Diese Fotolackschicht besitzt bereits die Öffnungen für die Wärmesenken und (gemäß
einer Weiterbildung) auch Markierungen für das Ritzen.
Fig.2 zeigt eine fertige Laserdiode als Einzelelement.
In Fig.1 ist mit 1 der Halbleiter-Wafer und mit 2 die auf
der Oberfläche seiner Schichtstruktur befindliche Fotolackschicht bezeichnet. Vorzugsweise hat die Fotolackschicht 2
eine Dicke, die zumindest angenähert der Dicke der herzustellenden einzelnen Wärmesenken ist. Mit 3, 4 und 5 sind
jeweilige Öffnungen der Fotolackschicht 2 bezeichnet, die fotolithografisch hergestellt und bis auf die Waferoberflache
bzw. bis auf die auf der Waferoberflache befindliche
Elektrodenbeschichtung 6 herabreichen. Die Öffnungen 3 bilden eine Reihe, die öffnungen 4 eine zweite Reihe und die
öffnungen 5 eine weitere Reihe, wobei die Öffnungen 3, 4 und 5 ansonsten gleichartig sind bzw. sein können. Das Volumen
der Öffnungen 3, 4 und 5 wird nachfolgend galvanisch mit Metall aufgefüllt, wobei dies die jeweilige Wärmesenke der
einzelnen Laserdiode ergibt, die aus dem ganzen Wafer noch
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herauszubrechen ist. Die Öffnungen ~5, 4 und 5 sind - wie
auch aus der Darstellung der Fig.1 ersichtlich - zueinander
angeordnet. Die Öffnungen 3 liegen dicht nebeneinander. Zwischen ihnen befindet sich jedoch noch ein solcher Abstand,
daß beim späteren Brechen entlang eines Geradenabschnittes 7/ der zwischen den Wärmesenken zweier benachbarter
Öffnungen 3 verläuft, nicht auch noch das galvanisch aufgetragene Material (ansonsten miteinander verbundener) Wärmesenken
geteilt werden muß. Mit 31 sind Stirnflächen der Öffnungen
3 bezeichnet.
Mit 41 sind den Stirnflächen 31/ jedoch versetzt, gegenüberliegende
Stirnflächen der Öffnungen 4 bezeichnet. Auf Geraden 8 bzw. 8', die zwischen den Stirnflächen 31 einerseits
und 41 andererseits (bzw. zwischen 141· und 51) verläuft, ist die Bruchkante für den ersten Schritt zur Aufteilung des Wafers
in einzelne Barren vorgesehen. Die diesen Bruchkanten 8, 8' entsprechenden Bruchflächen 18, 18' des Wafers sind
Spiegelflächen der einzelnen Laserdioden. Bekanntermaßen
läßt man die Bruchkanten 8, 8' (und 7) entlang natürlicher Spaltflächen des Kristallmaterials des Wafers 1 verlaufen.
Erfindungsgemäß ist vorgesehen, daß wenigstens die jeweils eine Stirnfläche 31 oder 41 der Öffnungen 3 bzw. der Öffnung
4 so justiert ist, daß die Bruchkante 8 in einem Abstand von etwa 0 bis 3 μπι, insbesondere in einem Abstand von etwa 1 bis
2 μπι, von der vorgesehenen Bruchkante 8 verläuft. An einer
solchen Stirnfläche 31 bzw. 41 hat die nach der Erfindung aufgebrachte Wärmesenke eine solche exakte Justierung, daß einerseits
(noch) maximale Kühl wirkung auch im Bereich der betreffenden Spiegelfläche der laseraktiven Zone der Laserdiode vorliegt
und andererseits das Vorhandensein bzw. die der Stirnfläche 31 entsprechende Vorderkante der Wärmesenke der Laserdiode
die Aussendung der Laserdiode durch die betreffende Spie-
gelfläche der Bruchfläche 18 dieser Laserdiode nicht beeinträchtigt.
Sinngemäß das gleiche gilt für die Justierung der die Stirnfläche 41 der Öffnung 4 entsprechenden Kante
der betreffenden Wärmesenke in bezug auf wiederum diese Bruchkante 8. Eine solche wie voranstehend beschriebene
Justierung kann sinngemäß auch zwischen (versetzt) gegenüberliegenden Stirnflächen 141 und 51 von Öffnungen 4 und 5
im Hinblick auf die Bruchkante 8' erreicht werden.
Es wurde bereits oben erwähnt, daß es nicht in allen Fällen notwendig ist, daß bei einer Laserdiode diese exakte Justierung
auch für die jeweils zweite Spiegelfläche des optischen Resonators dieser Laserdiode erfüllt sein muß, nämlich wenn
durch diese zweite Spiegelfläche hindurchtretende Laserstrahlung
als solche nicht genutzt wird. Angenommen es handelt es sich dabei um den Stirnflächen 41 entsprechende Flächen der
einzelnen Chips, so könnten die Stirnflächen 41 auch auf der Bruchkante 8 enden bzw. sogar auch geringfügig überstehen, nämlich
solange ein Überstehen des Materials der Wärmesenke das exakte Spalten des Halbleiterwafer entlang der vorgegebenen
Bruchkante noch nicht beeinträchtigt.
Wie aus der Darstellung zur Erfindung ersichtlich, ist (jeweils) ein seitlicher Versatz der Öffnungen 4 der einen Reihe
gegenüber den Öffnungen 3 und 5 der benachbarten Reihen vorgesehen. Diese Aufteilung wird zweckmäßigerweise für die ganze
Waferoberfläche angewendet. Der Versatz beträgt die halbe
Breite eines fertigen Laserdiodenchip. Da außerdem - wie aus Fig.1 ersichtlich - die Wärmesenken (in Fig.1 dargestellten
Öffnungen 3, 4 und 5) an ihren diametral gegenüberliegenden Ecken abgeschnitten sind, ergeben sich diagonal gesehen größere
Zwischenräume zwischen den einzelnen Öffnungen 3, 4 und 5 bzw. den erzeugten Metallkörpern der Wärmesenken. Mit 10
ist an zwei Stellen ein solcher größerer Zwischenraum hervor-
gehoben. Auf die weggefallenen Ecken der Wärmesenken kann
leicht verzichtet werden, da sie ohnehin außerhalb des optimalen Kühlungsbereiches der Laserdiode liegen. Diese
Zwischenräume 10 sind jedoch im Rahmen der Erfindung insoweit von großer Bedeutung, daß sie Raum geben, um zwischen
den gegeneinander versetzt angeordneten Härmesenken 3 und 4 bzw. 4 und 5 (u.s.w.) einzelne Abschnitte von Ritzungen entlang
der geforderten Bruchkante 8, 8' zu erzeugen. Bei nicht ganz exakter Justierung der Fotolackmaske 2 bzw. ihrer öffnungen
3, 4 und 5 zur jeweiligen Kristallachsenrichtung des Wafers 1 kann es dann zwar zu gelegentlichem Versatz innerhalb
der Kristallebenen entlang der Bruchfläche 18 kommen, was jedoch höchstens zu einzelnen Ausschuß-Laserdioden führt.
Generell ist mit dieser erfindungsgemäß vorgesehenen Maßnähme
gewährleistet, daß für die größte Anzahl der einzelnen entstehenden Laserdiodenchips die oben angegebene jeweilige
exakte Justierung der Wärmesenke zur spiegelnden Kristall-Spaltfläche des Chips gewährleistet ist.
Mit dem Brechen entlang der Bruchkanten 8, 8' ... entstehen Barren mit linearer Anordnung von Laserdiodenchips, nämlich
einerseits mit den mit 3 bezeichneten Wärmesenken, anderer-.seits mit den mit 4 bezeichneten Wärmesenken und weiter mit
den mit 5 bezeichneten Wärmesenken, und so weiter. Diese einzelnen Barren werden dann entlang der angedeuteten Bruchkanten
11 und 12 voneinander getrennt, wobei es auf deren Justierung nicht wesentlich ankommt.
Bekanntermaßen wird das Anritzen des Kristallmaterials für das Entstehen der Bruchkanten 8, 8' (11, 12 ...) durch entsprechenden
mechanischen Vorschub einer mit einem Ritzdiamanten ausgestatteten Vorrichtung durchgeführt. Bei der Erfindung
kann aber gemäß einer Weiterbildung vorgesehen sein, daß in der Fotolackschicht zusammen mit und justiert zu den
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zu den Öffnungen 3, 4 und 5 Öffnungen 81, 81' (von denen
jeweils nur eine der Übersichtlichkeit halber dargestellt
ist) vorgesehen sind, die zur späteren Justierung der Ritzabschnitte
der Bruchkanten 8, 8' nutzbar gemacht werden. Durch entsprechende Maßnahmen ist bewirkt, daß in diesen
Öffnungen keine Abscheidung des Materials der Wärmesenken 3,
4, 5 ... erfolgt.
Fig.2 zeigt ein Einzelchip 110 einer Laserdiode bzw. eine
Laserdiode 100 als Einzelbauelement mit erfindungsgemäß angebrachter und erfindungsgemäß justierter Wärmesenke 40.
Die übrigen Bezugszeichen beziehen sich darauf, daß diese Laserdiode 100 aus einem Barren hergestellt ist, dessen
Wärmesenken mit den Öffnungen 4 hergestellt worden sind. Mit 200 ist auf einen Austrittbereich von in der Diode
erzeugten Laserstrahlung 201 hingewiesen.
Claims (7)
- ■*-. 84P 1781EiI435306Patentansprüche:Iy. Verfahren zur Herstellung von Laserdioden mit integrierter Wärmesenke, wobei diese Wärmesenke ein auf dem Halbleiterkörper nahe der laseraktiven Zone und damit nahe den Resonatorspiegeln angebrachter Körper aus gut wärmeleitendem Material ist und die Laserdiode als Einzelbauelement aus einem größeren Wafer durch Ritzen und Brechen gewonnen worden ist,
gekennzeichnet dadurch ,- daß der bereits mit den Laserfunktionen der Einzelbauelemente ausgestattete Halbleiter-Wafer (1) mit einer Maskierungsschicht (2) bedeckt wird, die bis auf den Wafer (1) herabreichende Öffnungen (3, 4, 5) aufweist,- wobei die Wahl der Anordnung dieser Öffnungen (3, 4, 5) zueinander so getroffen wird, daß die öffnungen (3, 5) jeweils in einer sich in einer Richtung quer zu den Richtungen der vorgegebenen Laserresonatoren erstreckenden Reihe (Fig.1) angeordnet sind,- wobei die Öffnungen (3, 3, 3 ... bzw. 5, 5, 5 ..·) um ein halbes Teilungsmaß gegenüber den entsprechenden Öffnungen (4, 4, 4 ...) der jeweils unmittelbar benachbarten Reihe angeordnet worden sind, so daß diese Versetzung der öffnungen (3, 4, 5) von Reihe zu Reihe abwechselnd ist (Fig.1),- daß die öffnungen (3,4, 5) mit dem wärmeleitenden Material der vorgesehenen Wärmesenke (40) gefüllt werden,- daß in Parallelrichtungen (8, 8') zu diesen Reihen der Öffnungen (3 bzw. 4 bzw. 5) die Oberfläche des Wafers (1) justiert zwischen diesen Reihen geritzt wird und der Wafer (1) entlang dieser Ritzlinien (8, 8') in einzelne Barren gebrochen wird, und- daß die Einzelelemente (Fig.2) durch Ritzen und Brechen entlang zwischen den einzelnen Funktionen des Wafers (1) verlaufenden Linien (11, 12) gebrochen werden. - 2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet dadurch, daß in der Maske (2) zusätzliche Öffnungen (81 , 81') vorgesehen werden, die zur Justierung einzelner Ritzstellen der Ritzlinien (8, 8') verwendet werden, wobei diese zusätzlichen Öffnungen (81, 81') in Flächenbereichen (10) der Maske (2) positioniert werden, die frei gehalten worden sind von einander versetzt gegenüberstehenden Randseitenflächen (31-41 bzw. 141-51) der Öffnungen (3-4 bzw. 4-5) jeweils benachbarter Reihen der Öffnungen für die Wärmesenken (40).
- 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet dadurch , daß zwischen der Maske (2) und der Oberfläche des Wafers (1) auf der Oberfläche des Wafers eine Elektrodenschicht (6) aufgebracht worden ist.
- 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1,2 oder 3, gekennzeichnet dadurch , daß das wärmeleitende Material der Wärmesenken (40) galvanisch in den Öffnungen (3, 4, 5) der Maske (2) aufgewachsen wird.
- 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, gekennzeichnet dadurch , daß das Material der Maske (2) vor dem Ritzen der den Reihen parallelen Ritzlinien (8, 8') von der Oberfläche des Wafers entfernt wird.
- 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 5, gekennzeichnet dadurch , daß die zusätzlichen Öffnungen (81, 81') der Maske (2) während des Aufsetzens des Ritzdiamanten als Führung verwendet werden.
- 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, gekennzeichnet dadurch , daß als Material für die Maske (2) Fotolack verwendet wird.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19843435306 DE3435306A1 (de) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | Verfahren zur herstellung von laserdioden mit jutierter integrierter waermesenke |
US06/766,540 US4672736A (en) | 1984-09-26 | 1985-08-19 | Method for producing laser diodes with an adjusted and integrated heat sink |
EP85111868A EP0176880A3 (de) | 1984-09-26 | 1985-09-19 | Verfahren zur Herstellung von Laserdioden mit justierter integrierter Wärmesenke |
JP60208567A JPS6180890A (ja) | 1984-09-26 | 1985-09-20 | レーザーダイオードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19843435306 DE3435306A1 (de) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | Verfahren zur herstellung von laserdioden mit jutierter integrierter waermesenke |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3435306A1 true DE3435306A1 (de) | 1986-04-03 |
Family
ID=6246402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4672736A (de) |
EP (1) | EP0176880A3 (de) |
JP (1) | JPS6180890A (de) |
DE (1) | DE3435306A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4794437A (en) * | 1986-08-11 | 1988-12-27 | General Electric Company | ARC gap for integrated circuits |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5105429A (en) * | 1990-07-06 | 1992-04-14 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Modular package for cooling a laser diode array |
JPH06275714A (ja) * | 1993-03-22 | 1994-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置素子基板、及び半導体レーザ装置の製造方法 |
US5631918A (en) * | 1993-11-22 | 1997-05-20 | Xerox Corporation | Laser diode arrays with close beam offsets |
DE19644941C1 (de) * | 1996-10-29 | 1998-01-15 | Jenoptik Jena Gmbh | Hochleistungsdiodenlaser und Verfahren zu dessen Montage |
US6420757B1 (en) | 1999-09-14 | 2002-07-16 | Vram Technologies, Llc | Semiconductor diodes having low forward conduction voltage drop, low reverse current leakage, and high avalanche energy capability |
US6433370B1 (en) * | 2000-02-10 | 2002-08-13 | Vram Technologies, Llc | Method and apparatus for cylindrical semiconductor diodes |
US6580150B1 (en) | 2000-11-13 | 2003-06-17 | Vram Technologies, Llc | Vertical junction field effect semiconductor diodes |
US6537921B2 (en) | 2001-05-23 | 2003-03-25 | Vram Technologies, Llc | Vertical metal oxide silicon field effect semiconductor diodes |
US6958275B2 (en) * | 2003-03-11 | 2005-10-25 | Integrated Discrete Devices, Llc | MOSFET power transistors and methods |
DE102005053274A1 (de) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips und Halbleiterbauelement |
US20070115617A1 (en) | 2005-11-22 | 2007-05-24 | Nlight Photonics Corporation | Modular assembly utilizing laser diode subassemblies with winged mounting blocks |
US8941940B1 (en) | 2014-07-17 | 2015-01-27 | International Business Machines Corporation | Utilizing stored write environment conditions for read error recovery |
DE102016100320A1 (de) | 2016-01-11 | 2017-07-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Modul und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2312018A1 (de) * | 1973-03-10 | 1974-09-12 | Licentia Gmbh | Einrichtung zur umwandlung von elektrischem strom in strahlungsenergie, insbesondere halbleiterlaser |
DE2542174B2 (de) * | 1974-09-21 | 1979-06-13 | Nippon Electric Co., Ltd., Tokio | Halbleiterlaservorrichtung |
DE2941476A1 (de) * | 1978-10-13 | 1980-04-24 | Exxon Research Engineering Co | Verfahren zum spalten von halbleitermikroplaettchen in einzelstuecke |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT994204B (it) * | 1973-09-06 | 1975-10-20 | Selenia Ind Elettroniche | Procedimento per la fabbricazione di dispositivi a semiconduttore con dissipatore termico integrato e relativi dispositivi a semicon duttore |
US3946334A (en) * | 1973-11-14 | 1976-03-23 | Nippon Electric Company, Limited | Injection semiconductor laser device |
US3897627A (en) * | 1974-06-28 | 1975-08-05 | Rca Corp | Method for manufacturing semiconductor devices |
JPS52101967A (en) * | 1976-02-23 | 1977-08-26 | Agency Of Ind Science & Technol | Semiconductor device |
JPS584814B2 (ja) * | 1976-04-27 | 1983-01-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
NL7609815A (nl) * | 1976-09-03 | 1978-03-07 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze. |
JPS5350392U (de) * | 1976-10-01 | 1978-04-27 | ||
DE2656015A1 (de) * | 1976-12-10 | 1978-06-15 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zum herstellen von halbleiterbauelementen |
US4236296A (en) * | 1978-10-13 | 1980-12-02 | Exxon Research & Engineering Co. | Etch method of cleaving semiconductor diode laser wafers |
DE2855972C2 (de) * | 1978-12-23 | 1984-09-27 | SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg | Halbleiteranordnung mit zwei integrierten und antiparallel geschalteten Dioden sowie Verfahren zu ihrer Herstellung |
US4224734A (en) * | 1979-01-12 | 1980-09-30 | Hewlett-Packard Company | Low electrical and thermal impedance semiconductor component and method of manufacture |
JPS6041478B2 (ja) * | 1979-09-10 | 1985-09-17 | 富士通株式会社 | 半導体レ−ザ素子の製造方法 |
JPS577989A (en) * | 1980-06-17 | 1982-01-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Mount for semiconductor laser |
US4536469A (en) * | 1981-11-23 | 1985-08-20 | Raytheon Company | Semiconductor structures and manufacturing methods |
NL8201409A (nl) * | 1982-04-02 | 1983-11-01 | Philips Nv | Halfgeleiderlaser en werkwijze ter vervaardiging ervan. |
JPS5929486A (ja) * | 1982-08-11 | 1984-02-16 | Fujitsu Ltd | 半導体レ−ザ素子の製造方法 |
-
1984
- 1984-09-26 DE DE19843435306 patent/DE3435306A1/de not_active Withdrawn
-
1985
- 1985-08-19 US US06/766,540 patent/US4672736A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-09-19 EP EP85111868A patent/EP0176880A3/de not_active Withdrawn
- 1985-09-20 JP JP60208567A patent/JPS6180890A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2312018A1 (de) * | 1973-03-10 | 1974-09-12 | Licentia Gmbh | Einrichtung zur umwandlung von elektrischem strom in strahlungsenergie, insbesondere halbleiterlaser |
DE2542174B2 (de) * | 1974-09-21 | 1979-06-13 | Nippon Electric Co., Ltd., Tokio | Halbleiterlaservorrichtung |
DE2941476A1 (de) * | 1978-10-13 | 1980-04-24 | Exxon Research Engineering Co | Verfahren zum spalten von halbleitermikroplaettchen in einzelstuecke |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4794437A (en) * | 1986-08-11 | 1988-12-27 | General Electric Company | ARC gap for integrated circuits |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4672736A (en) | 1987-06-16 |
JPH0257355B2 (de) | 1990-12-04 |
JPS6180890A (ja) | 1986-04-24 |
EP0176880A2 (de) | 1986-04-09 |
EP0176880A3 (de) | 1988-06-01 |
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