DE3424530C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3424530C2 DE3424530C2 DE3424530A DE3424530A DE3424530C2 DE 3424530 C2 DE3424530 C2 DE 3424530C2 DE 3424530 A DE3424530 A DE 3424530A DE 3424530 A DE3424530 A DE 3424530A DE 3424530 C2 DE3424530 C2 DE 3424530C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- source
- plate
- displacement
- aperture
- incidence
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133734—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by obliquely evaporated films, e.g. Si or SiO2 films
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S359/00—Optical: systems and elements
- Y10S359/90—Methods
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung
einer Orientierungsschicht auf einer ebenen Oberfläche
einer Platte gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1
sowie eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.
Ein solches Verfahren ist z. B. aus der US-PS 38 34 792
bekannt.
Ein solches Verfahren ist vor allem zur Herstellung von
Orientierungsschichten auf den dem Flüssigkristall zugewandten
Substratoberflächen in Flüssigkristallanzeigen
geeignet. Dabei werden auf besagten Oberflächen durch
schräges Aufdampfen von beispielsweise SiO Strukturen,
etwa Anordnungen geneigter säulenartiger Elemente erzeugt
(siehe Goodman, L. A.; et al.: Topography of Obliquely
Evaporated Silicon Oxide Films and its Effect on Liquid-
Crystal Orientation, IEEE Transactions on Electron Devices,
Vol. ED-24, No. 7, 1977, S. 795-804), welche die optische
Achse des Flüssigkristalls in der an die Substratoberfläche
anschließenden Grenzschicht parallel zu einer Vorzugsrichtung
orientieren und damit aufgrund der Kohärenz innerhalb
des Flüssigkristalls dessen Konfiguration in der
ganzen Anzeigezelle wesentlich beeinflussen.
Bei dem aus der US-PS 38 34 792 bekannten Herstellungsverfahren
werden die zu beschichtenden Substratplatten
in einer Vakuumapparatur paarweise oberhalb einer im wesentlichen
punktförmigen Verdampfungsquelle so angeordnet,
daß der von der Quelle ausgehende Teilchenstrom mit einem
auf die Plattennormalen bezogenen Einfallswinkel von etwa
80° auf die Plattenoberflächen auftritt. Die relative
räumliche Lage der Platten und der Quelle ändert sich
dabei während des Aufdampfvorgangs nicht.
Da die durch die Orientierungsschichten bestimmte Vorzugsrichtung
der optischen Achse an jedem Punkt der Oberfläche
nicht nur von der Dicke der Orientierungsschicht, sondern
vor allem empfindlich von der Einfallsrichtung des von
der Quelle ausgehenden Teilchenstroms abhängt - der Vorverkippungswinkel
zwischen der Vorzugsrichtung und der
Oberfläche hängt dabei vom Einfallswinkel des Teilchenstroms
ab (siehe auch: Scheffer, T. J.; Nehring, J: Accurate determination
of liquid-crystal tilt bias angles, J. Appl.
Phys., Vol. 48, No. 5, 1977, S. 1783-1792), während die
azimutale Orientierung der Vorzugsrichtung derjenigen
des einfallenden Teilchenstroms entspricht - kann auf
diese Weise wegen der räumlichen Divergenz des Teilchenstroms
eine gleichmäßige Ausrichtung der Vorzugsrichtung
über die gesamte Plattenoberfläche nur erreicht werden,
wenn der Abstand zwischen Quellen und Oberfläche im Vergleich
zur Ausdehnung der letzteren sehr groß ist.
Eine solche Gleichmäßigkeit ist, jedenfalls was die azimutale
Orientierung betrifft - Ungleichmäßigkeit der
Vorverkippung wirkt sich weniger stark aus - unbedingt
erforderlich, um befriedigende optische Eigenschaften
der Flüssigkristallanzeige zu erreichen.
Um beispielsweise bei großflächigen Matrixanzeigen mit
192 Punkten×280 Punkten und einer aktiven Fläche von
etwa 14 cm×20 cm eine Orientierungsschicht mit einer
tolerierbaren azimutalen Variation von weniger als 5°
herzustellen, wäre mit dem bekannten Verfahren ein Abstand
von der Quelle zur Substratoberfläche von mehr als 230 cm
erforderlich. Ein derartiger Abstand ließe sich nur in
großen Vakuumkammern realisieren, mit entsprechend erhöhten
Anlagekosten, längeren Abpumpzeiten und geringerem
Plattendurchsatz.
Andererseits führen die üblichen Bedampfungsabstände von
etwa 30 cm, wie sie in den kleineren Vakuumkammern erreichbar
sind, bei dem bekannten Verfahren und der genannten
Plattengröße zu Variationen in der azimutalen Orientierung
von etwa 30°. Variationen solcher Größenordnung
und die damit verbundenen Variationen im Verdrillungswinkel
des Flüssigkristalls verursachen jedoch Schwankungen
in der Farbe, der Betriebsspannung und der Ansprechzeit
der fertigen Anzeigezelle, die nicht toleriert werden
können.
Bei einem weiteren bekannten Verfahren (Koshida, N.: Large-
area quashihomeotropic orientation of liquid crystal and
its application to guest-host positive display, J. Appl.
Phys., Vol. 52, No. 9, 1981, S. 5534-5536) wird statt
der punktförmigen eine linear ausgedehnte Quelle von etwa
40 mm Länge verwendet. Es ist jedoch aus geometrischen
Gründen klar, daß nur eine unendlich ausgedehnte Quelle
zu einer wirklich gleichmäßigen azimutalen Orientierung
der Vorzugsrichtung über die gesamte bedampfte Oberfläche
führen könnte. Eine begrenzte lineare Ausdehnung der Quelle
kann die Ungleichmäßigkeit nur mildern. Zudem erhöht
die Ausdehnung der Quelle die Ungleichmäßigkeiten in
der Teilchenstromdichte und beeinträchtigt die Anwendung
eines Elektronenstrahl-Verdampfungsverfahrens.
Es ist darüber hinaus ein Verfahren bekannt (Hiroshima,
K.: Controlled High-Tilt-Angle Nematic Alignment Compatible
with Glass Frit Sealing, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.
21, No. 12, 1982, S. L761-L763), bei welchem die Substratplatte
während des Aufdampfvorgangs mit winkelabhängiger
Winkelgeschwindigkeit gedreht wird, so daß sich der Azimut
des auf die Plattenoberfläche auftreffenden Teilchenstroms
ständig ändert.
Abgesehen davon, daß eine vollständig gleichmäßige azimutale
Orientierung der Vorzugsrichtung bei großen Platten
und relativ kleinem Abstand Quelle-Platte auf diese
Weise nicht erreicht werden kann, ist die zur Durchführung
des Verfahrens erforderliche Vorrichtung kompliziert und
aufwendig, da für jede Platte eine eigene drehbare Halterung
mit entsprechend gesteuertem Antrieb erforderlich ist.
Die Zahl der Platten, die im gleichen Arbeitsgang bedampft
werden können, ist daher gering.
Es ist schließlich für die selektive Beschichtung von
mit parallelen Rillen versehenen Polarisationsplatten aus
der US-PS 30 46 839 ein Verfahren bekannt, bei dem die
zu einer Seite orientierten Rillenflanken durch einen
schräg auftreffenden Teilchenstrom mit einer Metallschicht
versehen werden und die Stäbe eines Polarisationsgitters
bilden. Um die Flächen der Rillenflanken möglichst gleichmäßig
hinsichtlich Dicke und Ausdehnung beschichten zu
können, ist hier eine Blende zwischen Quelle und Platte
vorgesehen, die einen Teilstrom ausblendet, durch den
die Platte im Verlauf des Aufdampfvorgangs im wesentlichen
parallel zum Teilchenstrom hindurchbewegt wird. Die aufgedampfte
Metallschicht hat lediglich die Funktion einer
lichtundurchlässigen Schicht. Durch die im wesentlichen
parallel zum Teilchenstrom durchgeführte Verschiebung
ergibt sich zwar ein gleichmäßiger Einfallswinkel, die
azimutale Variation der Einfallsrichtung über die Plattenfläche
bleibt jedoch davon unbeeinflußt, so daß eine
Anwendung des bekannten Verfahrens zur Herstellung einer
Orientierungsschicht für Flüssigkristalle gerade hinsichtlich
der wichtigen azimutalen Orientierung keine Verbesserung
herbeiführt.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein gattungsgemäßes
Verfahren anzugeben, mittels dessen auf großen Oberflächen
bei geringem Abstand zwischen Quelle und Oberfläche eine
Orientierungsschicht mit gleichmäßiger Ausrichtung der
Vorzugsrichtung, insbesondere was die azimutale Orientierung
betrifft, hergestellt werden kann, sowie eine
kostengünstig herstellbare Vorrichtung zur Durchführung
des Verfahrens.
Die Aufgabe wird durch die Erfindung, wie sie in Ansprüchen
gekennzeichnet ist, gelöst.
Die durch die Erfindung erreichten Vorteile sind vor allem
darin zu sehen, daß alle Punkte der bedampften Oberfläche
dem einfallenden Teilchenstrom bezüglich der azimutalen
Orientierung in genau der gleichen Weise ausgesetzt werden.
Dadurch ergibt sich eine vollkommene Gleichmäßigkeit
in der azimutalen Orientierung der Vorzugsrichtung der
optischen Achse des Flüssigkristalls an der Orientierungsschicht.
Die Plattengröße ist dabei in einer Richtung
praktisch nur durch die Abmessungen der Vakuumkammer beschränkt.
Der Abstand zwischen der Quelle und dem derselben
zugewandten Plattenrand kann so klein sein, daß
er auf den Platzbedarf und damit auf die Größe der Vakuumkammer
keinen nennenswerten Einfluß hat.
Zudem ist es mit dem erfindungsgemäßen Verfahren möglich,,
verhältnismäßig viele Platten in einem einzigen Arbeitsgang
zu bedampfen, was dessen Wirtschaftlichkkeit beträchtlich
erhöht.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung zur Durchführung des
Verfahrens zeichnet sich durch Einfachheit und Robustheit
aus und kann preiswert hergestellt werden.
Nachfolgend soll nun die Erfindung unter bezug auf die
Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert
werden. Es zeigt
Fig. 1 die geometrische Konfiguration von Quelle, Blende
und Platte bei dem erfindungsgemäßen Verfahren
in perspektivischer Darstellung;
Fig. 2a ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen
Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
in Seitenansicht am Beginn eines Arbeitsgangs;
Fig. 2b die gleiche Vorrichtung am Ende des Arbeitsgangs;
Fig. 3 die Vorrichtung gemäß Fig. 2a in Vorderansicht;
Fig. 4a in Seitenansicht die Durchführung des erfindungsgemäßen
Verfahrens anhand einer schematischen
Darstellung, aus der die azimutale Orientierung
hervorgeht;
Fig. 4b die schematische Darstellung der Fig. 4a in Vorderansicht;
Fig. 5 die beim Aufdampfen auf die gekrümmte Platte
wesentlichen geometrischen Parameter;
Fig. 6a die schematische Anordnung eines Stapels gekrümmter
Platten gemäß einer Weiterbildung der Erfindung;
Fig. 6b die Draufsicht auf eine bevorzugte Form der Blendenöffnung
für eine Anordnung gemäß Fig. 6a;
Fig. 7 die Deformation der gekrümmten Platten nach Fig. 6a
in Abhängigkeit von der Plattenlänge.
Die in Fig. 1 dargestellte geometrische Konfiguration
für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens
zeigt in perspektivischer Darstellung eine in einer Quellenebene
17 liegende, vorzugsweise punktförmige Quelle 1,
eine parallel zu der Quellenebene 17 in einigem Abstand
angeordnete, nur ausschnittsweise eingezeichnete Blende
3 mit einer Blendenöffnung 4, die der Einfachheit halber
als quadratische Öffnung dargestellt ist. Oberhalb der
Blende 3 befindet sich eine Platte 2, auf deren eine Oberfläche
13 ein Teilchenstrom fällt, der von der Quelle
1 ausgeht und durch die Blendenöffnung 4 begrenzt wird.
Die Platte 2 ist aus einer gestrichelt eingezeichneten
Ursprungslage, die zur Quellenebene 17 senkrecht steht,
um eine Kippachse 12 und einen Kippwinkel δ so gekippt,
daß die Oberfläche 13 der Quelle 1 zugewandt ist.
Die Quelle 1, die SiO, SiO₂, TiO₂, MgF₂, Al₂O₃ oder ein
anderes zur Herstellung von Orientierungsschichten geeignetes
Material enthält, wird durch eine Widerstandsheizung
oder mittels eines Elektronenstrahls zur Aussendung des
Teilchenstroms veranlaßt. Auch andere Verfahren zur Erzeugung
eines Teilchenstroms sind denkbar, sofern der
resultierende Strom hinreichend gerichtet ist, um mit
einem definierten Einfallswinkel auf die Oberfläche 13
der Platte 2 aufzutreffen.
Die Platte 2 ist so positioniert, daß der Teilchenstrom
die Oberfläche 13 überall unter einem Einfallswinkel γ≠0°
trifft, wobei der Einfallswinkel γ wie üblich als Winkel
zwischen einen Strahl des Teilchenstroms und der Plattennormalen
gemessen wird.
Erfindungsgemäß werden die Platte 2 und die Quelle 1
relativ zueinander, parallel zur Oberfläche 13 und im
wesentlichen quer zur Richtung des Teilchenstroms mit
konstanter Geschwindigkeit von einer ersten Position nach
einer zweiten Position verschoben. Die relative Verschiebung
kann einerseits dadurch bewirkt werden, daß die
Platte 2 in Ruhelage gehalten, dafür aber das System aus
Quelle 1 und Blende 3 verschoben wird. Diese Art der Verschiebung
erfordert bei einer mit Widerstandsheizung arbeitenden
Quelle jedoch flexible Hochstromzuführungen. Die
relative Verschiebung wird daher andererseits bevorzugt
durch ein Verschieben der Platte 2 erreicht, während die
Quelle 1 und die Blende 3 in ihrer Position fixiert sind.
Die Verschiebung der Platte 2 erfolgt gemäß einem bevorzugten
Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahren
längs einer Geraden, die parallel zur Kippachse 12 und
damit auch parallel zur Quellenebene 17 verläuft und in
Fig. 1 durch die eingezeichneten Pfeile markiert ist.
Die Blendenöffnung 4, z. B. eine schlitzförmige Öffnung
konstanter Breite, läßt nur einen in Verschiebungsrichtung
derart beidseitig begrenzten Teilchenstrom durch,
daß die Platte 2 in der ersten Position und in der zweiten
Position außerhalb desselben liegen und ihn im Verlauf
der Verschiebung vollständig durchquert. Bei einer solchen
zwischen der ersten und zweiten liegenden mittleren Position,
fällt, wie in Fig. 1 dargestellt, der Teilchenstrom
auf eine Teilfläche 11 der Oberfläche 13. Im Extremfall
kann diese Teilfläche 11 auch mit der gesamten Oberfläche
13 identisch sein.
Die erste und zweite Position, zwischen denen die Platte
verschoben wird, sind in den Fig. 2a und 2b im Zusammenhang
mit einem Ausführungsbeispiel der Vorrichtung zur
Durchführung des Verfahrens dargestellt. Oberhalb der
Quelle 1 und der Blende 3 mit der Blendenöffnung 4 ist
eine Mehrzahl von Platten 2 quer zur Verschiebungsrichtung
aufeinanderfolgend in zwei fächerförmigen Konfigurationen
auf einem Wagen 6 angeordnet, der längs zwei Schienen,
von denen nur die eine 7a sichtbar ist, verschoben werden
kann. Der Wagen 6 weist eine sich in Verschiebungsrichtung
erstreckende Zahnstange 8 auf, mit welcher ein Zahnrad
9 im Eingriff steht. Das Zahnrad 9 bewirkt so, angetrieben
von einem Elektromotor 10, die Verschiebung des Wagens
6 mit den Platten 2.
Die Blendenöffnung 4 liegt bei der gezeigten Anordnung
vorzugsweise symmetrisch zu einer Mittelebene 5, die durch
die Quelle 1 geht und senkrecht zur Verschiebungsrichtung
und damit auch zur Kippachse 12 der Fig. 1 verläuft.
Fig. 3 zeigt die in Fig. 2a und 2b dargestellte Vorrichtung
in Vorderansicht, d. h. in der Verschiebungsrichtung gesehen.
Zwischen den beiden Schienen 7a und 7b sind hier deutlich
die fächerförmigen Konfigurationen von zweimal 7 Platten
2 zu erkennen, von denen jede im Bezug auf die Quelle
1 gerade soweit positioniert und geneigt ist, daß ihre
eine Oberfläche in der Höhe von dem Teilchenstrom voll
ausgeleuchtet wird, daß sie jedoch eine benachbarte Platte
nicht abschattet.
Jeder Punkt auf der Platte 2 liegt auf einer Linie in
der Plattenebene, die parallel zur Verschiebungsrichtung
verläuft, wie in Fig. 4a durch die beispielhaft eingezeichneten
Linien a, b und c angedeutet. Bei der Verschiebung
der Platte 2 durch den Teilchenstrom tritt ein auf den
Linien a, b oder c liegender Punkt am Ort Pa, Pb oder
Pc in den Teilchenstrom ein und verläßt ihn am Ort Qa,
Qb oder Qc wieder. Dabei werden auf ein und derselben
Linie liegende Punkte in zeitlicher Aufeinanderfolge genau
der gleichen Überlagerung von Einfallsrichtungen des
auftreffenden Teilchenstroms ausgesetzt, was eine genau
gleichmäßige Ausbildung der Orientierungsschicht entlang
dieser Linien garantiert.
Liegen die Punkte auf verschiedenen Linien, so unterscheiden
sich zwar die zugehörigen Einfallswinkel, γa, γb und γc
- es gilt, wie man aus Fig. 4b erkennt, γa<γb<γc -
aber, bei konstanter Öffnungsbreite durchläuft die Einfallsrichtung
genau die gleichen azimutalen Orientierungen,
wenn auch bei weiter von der Quelle 1 entfernten, etwa
auf der Linie c liegenden Punkten in einem längeren Zeitabschnitt
als bei näher an der Quelle, etwa auf der Linie
a, liegenden. Daraus ergibt sich eine gleichmäßige Ausbildung
der Orientierungsschicht bezüglich der azimutalen
Orientierung der Vorzugsrichtung der optischen Achse des
Flüssigkristalls über die gesamte Oberfläche der Platte 2.
In einer Standard-Vakuumkammer
wurden in einer Anordnung gemäß Fig. 2a,
b zwei Substratplatten der Größe 24 cm×20 cm mit
SiO durch eine Blendenöffnung mit 4 cm Breite bedampft.
Der Abstand von der Quelle zum unteren 24 cm langen Rand
der Substratplatten betrug dabei 30 cm. Bei einer Verschiebungsgeschwindigkeit
von 4 cm/min wurde in ca. 8 min eine
Orientierungsschicht aufgedampft. Ein auf einer Substratoberfläche
sitzender Beobachter hätte bei dieser Geometrie
die Quelle über einen Bogen von ca. 8° wandern sehen.
Die geringfügigen Unterschiede im Einfallswinkel γ schlagen
sich höchstens in ebenso geringfügigen Abweichungen des
Winkels zwischen der optischen Achse des Flüssigkristalls
an der Orientierungsschicht einerseits und der Oberfläche
andererseits, d. h. der Vorverkippung, nieder, was einen
merklich geringeren Einfluß auf die elektrooptischen
Eigenschaften der fertigen Flüssigkristallanzeige ausübt.
Obgleich durch die relative Verschiebung zwischen Platte 2 und
Quelle 1 gemäß der Erfindung die azimutale Orientierung
der aufgedampften Orientierungsschicht über die gesamte
Oberfläche 13 vollkommen gleichmäßig ist, bleiben dennoch
Variationen im Einfallswinkel γ (siehe Fig. 4b) sowie
insbesondere Variationen in der Dicke der aufgedampften
Schicht, die von der besonderen Intensitätsverteilung
des von der Quelle 1 emittierten Teilchenstroms sowie
vom Abstand Quelle-Platte herrühren.
Im praktischen Fall einer 35,5 cm×35,5 cm
großen Substratplatte, die relativ zur Quelle so positioniert
ist, daß der Einfallswinkel des auftreffenden Teilchenstroms
im Zentrum der Platte etwa 85° beträgt und
deren Zentrum 64 cm von der Quelle entfernt ist, wächst
die Schichtdicke um einen Faktor 3 und der Einfallswinkel
nimmt von 86,1° auf 83° ab, wenn man von der oberen zur
unteren Plattenkante fortschreitet.
Um die Variation im Einfallswinkel γ zu verringern oder
ganz auszuschalten, wird die Platte 2 gemäß einer Weiterbildung
des erfindungsgemäßen Verfahrens während der
Verschiebung zur Quelle 1 hin konkav gebogen gehalten.
Die für die Aufdampfung auf eine gekrümmte Substratplatte
wesentlichen geometrischen Parameter sind in Fig. 5 wiedergegeben.
Die in der Quellenebene 17 liegende Quelle 1 emittiert
den Teilchenstrom, der auf die gekrümmte Platte 2 auftrifft.
Fig. 5 zeigt diese Anordnung in einem Schnitt
durch die Mittelebene 5. Der obere Randstrahl des Teilchenstroms,
der den oberen Rand der Platte 2 trifft, schließt
mit der Quellenebene 17 einen Winkel β₁ ein und legt
eine Entfernung r₁ zurück. Der untere Randstrahl, der
den unteren Rand der Platte trifft, hat entsprechende
Werte β₀ und r₀. Jedem zwischen den beiden Randstrahlen
liegenden Teilchenstrahl des Teilchenstroms kann in gleicher
Weise ein Winkel β und eine Entfernung r sowie ein Einfallswinkel
γ zugeordnet werden, welcher durch die im Auftreffpunkt
an der gekrümmten Platte 2 anliegende Tangente bzw.
deren Normale definiert ist.
Zusätzlich ist in Fig. 5 eine Blendenebene 14 eingeführt.
Der Schnittpunkt der Blendenebene 14 mit dem Teilchenstrahl
(β, r) definiert einen linearen Parameter x, der
den Teilchenstrahl festlegt. Die Forderung nach einem
von den Parametern r, β bzw. x unabhängigen Einfallswinkel
γ führt auf die Gleichung einer mathematischen Kurve,
die als logarithmische Spirale bekannt ist und in den
bereits definierten Polarkoordinaten β und r wie folgt
geschrieben werden kann:
r=r₀ exp ((β-β₀)/tan (90-γ)) (1)
wobei die Koordinaten r₀, β₀ dem Auftreffpunkt des unteren
Randstrahls als einem festen Referenzpunkt zugeordnet
sind.
Die Polarkoordinaten r₁, β₁ für den Auftreffpunkt des
oberen Randstrahls erhält man aus der Bedingung, daß
das Linienintegral über ein Kurvenstück der durch (1)
definierten logarithmischen Spirale gleich der Höhe h
der Platte 2 sein muß:
β₁=β₀+tan (90-γ) ln (1+(h · cos (90-γ))/r₀) (2)
r₁=r₀ exp ((β₁-β₀)/tan (90-γ)) (3)
Aus den Gleichungen (1), (2) und (3) können bei bekannter
Plattenhöhe und vorgegebenem Einfallswinkel γ die entsprechenden
Lagen und Krümmungen für eine Mehrzahl von
fächerförmig angeordneten Platten gemäß Fig. 3 berechnet
werden. Das Ergebnis einer solchen Rechnung für 14
Platten 2 ist in Fig. 6a wiedergegeben.
Wie aus Fig. 6a ersichtlich, ist die für einen gleichförmigen
Einfallswinkel γ - im Beispiel der Fig. 6a ist
γ=85° - erforderliche Krümmung der Platten gering.
Dies wird besonders deutlich aus der Fig. 7, in der in
vergrößertem Maßstab die Abweichung D der vierzehn 35,5 cm
langen Platten aus Fig. 6a von einer geraden Grundlinie
in Abhängigkeit von der Länge L aufgetragen ist. Entsprechen
der Anordnung der 14 Platten zu zwei symmetrischen
Fächern mit je 7 Platten ergeben sich 7 verschiedene Krümmungskurven,
wobei die Krümmung von den außenliegenden
zu den innenliegenden Platten der Fig. 6a hin zunimmt
und im Maximum etwa 2 mm beträgt.
Da als Substratplatten beispielsweise Glasplatten mit
einer Dicke von etwa 0,7 mm verwendet werden, die ohne
Schwierigkeiten bei der angegebenen Größe um mehr als
15 mm aus der Mitte herausgebogen werden können, treten
bei der maximalen Abweichung von 2 mm gemäß Fig. 7 keine
Probleme auf.
Lage und Krümmung der Platten 2 in Fig. 6a können beispielsweise
für den Aufdampfvorgang durch senkrechte, seitlich
angebrachte Halterungsplatten fixiert werden, in die entsprechend
gekrümmte Nute eingefräst sind, in die die Platten
2 eingeschoben werden. Die Halterungsplatten sind
ihrerseits auf einem Wagen gemäß Fig. 3 montiert, der
in Fig. 6a der Übersichtlichkeit halber nicht eingezeichnet
ist.
Eine andere Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens
berücksichtigt die Variation im Abstand Quelle-Platte
sowie die gegebene Intensitätsverteilung des von der Quelle
1 ausgehenden Teilchenstroms. Diese Intensitätsverteilung
gehorcht näherungsweise einem cos (90°-β)-Gesetz - β
ist hier wiederum der in Fig. 5 definierte Polarwinkel -
und daher gilt für die Dicke d der aufgedampften Schicht,
wenn man einen konstanten Einfallswinkel voraussetzt,
die folgende Proportionalität:
d∼(w/r) sin β (4)
wobei r der ebenfalls aus Fig. 5 bekannte Radius und w
die Weite der Blendenöffnung an der durch den Parameter x
aus Fig. 5 festgelegten Stellen der Blendenebene 14 ist.
Um eine Orientierungsschicht konstanter Dicke zu erhalten,
muß nach Formel (4) die Weite w proportional zu r/sin β
sein. Unter Verwendung von Gleichung (1) und umschreiben
erhält man:
w(x)=k(1+x²/z²)1/2 exp ((tan-1(z/x)-β₀)/tan (90-γ)) (5)
mit einem Normierungsfaktor k und dem Abstand z zwischen
Quellenebene 17 und Blendenebene 14. Der Normierungsfaktor
k begrenzt die maximale Weite der Blendenöffnung auf praktikable
Werte, z. B. 70 mm.
Eine gemäß Gleichung (5) berechnete Blendenöffnung 4
in der Blende 3 der Fig. 6a ist in der Draufsicht in Fig. 6b
dargestellt. Die gesamte Blendenöffnung ist in Teilbereiche
16 aufgeteilt. Jeder der vierzehn Platten 2 ist ein eigener
Teilbereich 16 zugeordnet, der einen entsprechenden Teilstrom
15 des gesamten Teilchenstroms ausblendet. Der zu
einer ausgewählten Platte 2′ gehörende Teilbereich 16
ist in Fig. 6b durch gestrichelte Begrenzungslinien markiert.
Innerhalb eines jeden Teilbereichs 16 ist die Weite w
durch Gleichung (5) in Abhängigkeit von der linearen Koordinate
x in der Blendenebene 14 gegeben. Der Einfachheit
halber sind alle Teilbereiche 16 zu einer großen Blendenöffnung
4 verbunden, wobei zwischen benachbarten Teilbereichen
entsprechende sägezahnförmige Übergänge vorgesehen
sind. Zusätzlich ist aus Fig. 6b zu ersehen, daß
die Weiten w der äußeren Teilbereiche gegenüber denen
der inneren Teilbereiche etwas größer sind, weil die
zugehörigen Platten von der Quelle 1 entsprechend weiter
entfernt sind, und die Intensitätsverteilung mit kleiner
werdenden β abfällt.
Eine von (4) abweichende Proportionalität erhält man unter
der Voraussetzung, daß die Platten beim Aufdampfen nicht
gemäß einer logarithmischen Spirale gebogen, sondern
eben gehalten werden (siehe Fig. 3), d. h. der Einfallswinkel
γ nicht konstant ist:
d∼(w/r²) · sin β · rm · cos γm (6)
rm und γm sind dabei die Länge und der Einfallswinkel
eines Strahles des Teilchenstroms, der in der Mittelebene
5 liegt und die Oberfläche 13 der Platte 2 auf der horizontalen
Mittellinie der Platte trifft.
Die Bedingung konstanter Dicke d führt in diesem Fall
zu der folgenden Proportionalität zwischen der Weite w
und den anderen Größen:
w∼(r²/sin β) · (1/(rm · cos γm)) (7)
Insgesamt ermöglicht das erfindungsgemäße Verfahren die
Herstellung einer Orientierungsschicht mit vollständig
gleichmäßiger azimutaler Orientierung. Weiterbildungen
des erfindungsgemäßen Verfahrens eliminieren darüber
hinaus Variationen des Einfallswinkels sowie der Dicke
der aufgedampften Schicht, so daß auf einfache Weise
große Substratplatten für Flüssigkristallanzeigen mit
in allen Parametern gleichmäßigen Orientierungsschichten
versehen werden können, und die mit solchen Orientierungsschichten
versehenen Flüssigkristallanzeigen vollkommen
gleichmäßige optische und elektro-optische Eigenschaften
aufweisen.
Claims (10)
1. Verfahren zur Herstellung einer Orientierungsschicht
auf einer ebenen Oberfläche (13) mindestens einer Platte
(2, 2′), bei welchem Verfahren die Oberfläche (13)
einem auf dieselbe unter einem Einfallswinkel (γ)≠0°
auftreffenden, von einer Quelle (1) ausgehenden, divergenten
Teilchenstrom ausgesetzt wird, dadurch gekennzeichnet,
daß
- - zwischen der Quelle (1) und der Platte (2, 2′) eine Blende (3) mit einer Blendenöffnung (4) angebracht ist,
- - die Platte (2, 2′) und die Quelle (1) relativ zueinander, parallel zur Oberfläche (13) und im wesentlichen quer zur Richtung des Teilchenstroms mit näherungsweise konstanter Geschwindigkeit von einer ersten Position nach einer zweiten Position verschoben werden, und
- - die Blendenöffnung (4) nur einen in der Richtung der Verschiebung derartig beidseitig begrenzten Teilchenstrom durchläßt, daß die Oberfläche (13) der Platte (2, 2′) in der ersten und zweiten Position außerhalb des begrenzten Teilchenstroms liegt und ihn im Laufe der Verschiebung durchquert.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß bei der Verschiebung die Quelle (1) und die Blendenöffnung
(4) fixiert sind, und die relative Verschiebung
ausschließlich durch eine Verschiebung der Platte
(2, 2′) bewirkt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß
- - die Quelle (1) im wesentlichen punktförmig ist,
- - die Blendenöffnung (4) symmetrisch zu einer durch die Quelle (1) gehenden Mittelebene (5) liegt, und
- - die Verschiebung der Platte (2, 2′) längs einer Geraden erfolgt, die auf der Mittelebene (5) senkrecht steht.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die quer zur Verschiebungsrichtung angeordneten
Grenzen der Blendenöffnung (4) parallel verlaufen und
senkrecht zur Verschiebungsrichtung ausgerichtet sind.
5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die quer zur Verschiebungsrichtung angeordneten
Grenzen der Blendenöffnung (4) in dem für die Platte
(2, 2′) wesentlichen Blendenbereich so verlaufen, daß
die in der Verschiebungsrichtung gemessene Weite (w)
der Blendenöffnung (4) näherungsweise proportional
zu ((r²/sin β) (1/rm · cos γm)) ist, wobei r und β
die Polarkoordinaten eines in der Mittelebene (5) und
auf der Oberfläche (13) liegenden Punktes in einem
auf die Quelle (1) bezogenen Polarkoordinatensystem
sind, welcher Punkt mit der Quelle (1) durch eine Gerade
verbunden ist, die die Öffnung (4) im Bereich derselben
Öffnungsweite (w) durchschneidet, und wobei rm und
γm die Länge und der Einfallswinkel eines in der Mittelebene
(5) liegenden Strahles des Teilchenstroms sind,
der die Oberfläche (13) der Platte (2) auf der horizontalen
Mittellinie der Platte (2) trifft.
6. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die Platte (2, 2′) während der Verschiebung zur
Quelle (1) hin konkav gebogen gehalten wird, und die
Schnittlinie der Platte (2, 2′) mit der Mittelebene
(5) im wesentlichen dem Verlauf einer logarithmischen
Spirale der Form r=r₀ exp ((β-β₀)/tan (90-γ))
folgt, wobei r, β und r₀, β₀ die Polarkoordinaten
zweier auf der Schnittlinie liegenden Punkte in einem
auf die Quelle (1) bezogenen Polarkoordinatensystem
sind und γ der Einfallswinkel des im Punkt (r, β) auftreffenden
Teilchenstroms ist.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die quer zur Verschiebungsrichtung angeordneten
Grenzen der Blendenöffnung (4) in dem für die Platte
(2, 2′) wesentlichen Blendenbereich so verlaufen, daß
die in der Verschiebungsrichtung gemessene Weite (w)
der Blendenöffnung (4) näherungsweise proportional
zu r/sin β ist, wobei r und β die Polarkoordinaten
eines in der Mittelebene (5) und auf der Oberfläche
(13) liegenden Punktes in einem auf die Quelle (1)
bezogenen Polarkoordinatensystem sind, welcher Punkt
mit der Quelle (1) durch eine Gerade verbunden ist,
die die Öffnung (4) im Bereich derselben Öffnungsweite
(w) durchschneidet.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß mehrere quer zur Verschiebungsrichtung
aufeinanderfolgend fächerförmig angeordnete Platten
(2, 2′) zugleich verschoben werden.
9. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß sie wenigstens eine in
Verschiebungsrichtung verlaufende Schiene (7a, 7b)
aufweist sowie einen Wagen (6) bzw. Schlitten, welcher
längs der Schiene (7a, 7b) verschiebbar ist.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
daß sie ein antreibbares, ortsfestes Zahnrad (9) aufweist,
welches mit einer am Wagen (6) bzw. Schlitten
angebrachten, sich in Verschiebungsrichtung erstreckenden
Zahnstange (8) in Eingriff steht.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19843424530 DE3424530A1 (de) | 1984-03-02 | 1984-07-04 | Verfahren zur herstellung einer orientierungsschicht auf einer ebenen oberflaeche einer platte und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
US06/704,775 US4705359A (en) | 1984-03-02 | 1985-02-25 | Process and apparatus for the production of an orientation layer on a plane surface of a plate, and liquid crystal substrate plate produced thereby |
GB08505274A GB2156860B (en) | 1984-03-02 | 1985-03-01 | Production of layers on plane surfaces |
HK784/89A HK78489A (en) | 1984-03-02 | 1989-10-05 | Production of layers on plane surfaces |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3407794 | 1984-03-02 | ||
DE19843424530 DE3424530A1 (de) | 1984-03-02 | 1984-07-04 | Verfahren zur herstellung einer orientierungsschicht auf einer ebenen oberflaeche einer platte und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3424530A1 DE3424530A1 (de) | 1985-09-05 |
DE3424530C2 true DE3424530C2 (de) | 1992-05-14 |
Family
ID=25819025
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19843424530 Granted DE3424530A1 (de) | 1984-03-02 | 1984-07-04 | Verfahren zur herstellung einer orientierungsschicht auf einer ebenen oberflaeche einer platte und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4705359A (de) |
DE (1) | DE3424530A1 (de) |
GB (1) | GB2156860B (de) |
HK (1) | HK78489A (de) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4897290A (en) * | 1986-09-26 | 1990-01-30 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. | Method for manufacturing the substrate for liquid crystal display |
JPS63237031A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 液晶表示素子 |
US5011268A (en) * | 1989-10-30 | 1991-04-30 | General Electric Company | Inorganic alignment layer for liquid crystal devices and method of forming |
US4980041A (en) * | 1989-10-30 | 1990-12-25 | General Electric Company | Method of making liquid crystal devices with improved adherence |
US5013139A (en) * | 1989-10-30 | 1991-05-07 | General Electric Company | Alignment layer for liquid crystal devices and method of forming |
EP0518333B1 (de) * | 1991-06-14 | 2002-08-28 | Hughes Aircraft Company | Verfahren zum vertikalen Ausrichten von Flüssigkristallen |
JP3132193B2 (ja) * | 1991-11-08 | 2001-02-05 | 日本ビクター株式会社 | 液晶表示デバイス及び液晶表示デバイスの製造方法 |
CA2132751C (en) * | 1993-01-26 | 1999-08-17 | Willis H. Smith, Jr. | Improved liquid crystal light valves using internal, fixed spacers and method of incorporating same |
US6563560B2 (en) * | 2001-04-06 | 2003-05-13 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Apparatus and method of producing alignment layer for liquid crystal display |
US7070697B2 (en) * | 2003-04-14 | 2006-07-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Methods of making a read sensor with use of a barrier structure for depositing materials |
US20070148988A1 (en) * | 2005-12-23 | 2007-06-28 | Industrial Technology Research Institute | Fabrication method for alignment film |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3046839A (en) * | 1959-01-12 | 1962-07-31 | Polaroid Corp | Processes for preparing light polarizing materials |
US3834792A (en) * | 1972-04-10 | 1974-09-10 | Ncr | Alignment film for a liquid crystal display cell |
US3962448A (en) * | 1974-03-11 | 1976-06-08 | Smithkline Corporation | 8-Alkyl and alkenyl-10-hydroxy-5H[1]benzopyranopyridine derivatives having polyphagic activity |
US3962488A (en) * | 1974-08-09 | 1976-06-08 | Ppg Industries, Inc. | Electrically conductive coating |
JPS5223358A (en) * | 1975-08-15 | 1977-02-22 | Hitachi Ltd | Process for fabricating a membrane for controlling the orientation of a liquid crystal display unit |
US4256787A (en) * | 1978-05-03 | 1981-03-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Orientation of ordered liquids and their use in devices |
-
1984
- 1984-07-04 DE DE19843424530 patent/DE3424530A1/de active Granted
-
1985
- 1985-02-25 US US06/704,775 patent/US4705359A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-03-01 GB GB08505274A patent/GB2156860B/en not_active Expired
-
1989
- 1989-10-05 HK HK784/89A patent/HK78489A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3424530A1 (de) | 1985-09-05 |
HK78489A (en) | 1989-10-13 |
GB2156860A (en) | 1985-10-16 |
GB8505274D0 (en) | 1985-04-03 |
GB2156860B (en) | 1987-12-31 |
US4705359A (en) | 1987-11-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2614951C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristall-Zelle | |
DE3424530C2 (de) | ||
DE2529342C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallzelle | |
DE2446800A1 (de) | Niveliereinrichtung, insbesondere fuer bauzwecke | |
EP0004900A2 (de) | Verfahren zur Herstellung von aus einer Vielzahl von auf einer Glasträgerplatte angeordneten parallel zueinander ausgerichteten elektrisch leitenden Streifen bestehenden Polarisatoren | |
DE19637952A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Flüssigkristallzelle unter Verwendung von Licht | |
DE1116015B (de) | Verfahren und Vorrichtung zum kathodischen Spruehen eines Filmes auf ein Werkstueck | |
DE2847320B2 (de) | Feldeffektsteuerbare Flussigkristall-Anzeigezelle mit einem gedreht-nematischen Flüssigkristall | |
DE112022002839T5 (de) | Vorrichtung und verfahren zur gepulsten laserabscheidung | |
DE4436285C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen von Orientierungsschichten auf ein Substrat zum Ausrichten von Flüssigkristallmolekülen | |
DE10393678B4 (de) | Verfahren zum Bilden einer Schicht auf einem Substrat | |
EP1566827A1 (de) | Sputtervorrichtung mit einem Magnetron | |
EP0005187B1 (de) | Verfahren zur Herstellung der Orientierungsschicht einer Flüssigkristallanzeige und nach diesem Verfahren hergestellte Flüssigkristallanzeige | |
DE2636537A1 (de) | Herstellverfahren eines ausricht- films fuer fluessigkristall-anzeigezellen | |
DE2115590A1 (en) | Cathode sputtering device - has cathode with projecting rim | |
DE2359893C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Niederschlagen einer durchsichtigen elektrisch leitenden Metalloxidschicht | |
CH652512A5 (de) | Anzeigevorrichtung mit fluessigkristall. | |
DE4022888C2 (de) | ||
DE2316996A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer schicht aus einer ausgerichteten nematischen kristallinen fluessigkeit auf einem ebenen substrat | |
DE2519308A1 (de) | Fenster mit jalousiewirkung und verfahren zu seiner herstellung | |
DE2856170A1 (de) | Fluessigkristallanzeige | |
CH662188A5 (de) | Verfahren und einrichtung zur beschichtung optischer substrate mit reversiblen photochromischen eigenschaften. | |
EP0421190A2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Flüssigkristallzelle | |
CH615282A5 (en) | Method and device for influencing the orientation of liquid-crystal molecules | |
EP0626721A1 (de) | Verfahren zur Erzeugung eines Oberflächenprofils in einer Oberfläche eines Substrats |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: BBC BROWN BOVERI AG, BADEN, AARGAU, CH |
|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: DERZEIT KEIN VERTRETER BESTELLT |
|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: RUPPRECHT, K., DIPL.-ING., PAT.-ANW., 6242 KRONBER |
|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: ZIMMERMANN & PARTNER, 80331 MUENCHEN |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |