DE3325134A1

DE3325134A1 - Fluessigkristall-anzeigetafel mit punktmatrixaufbau

Info

Publication number: DE3325134A1
Application number: DE19833325134
Authority: DE
Inventors: Shigeo Habikino Osaka Aoki; Junichi Tamamura; Yasuhiro Yao Osaka Ukai
Original assignee: Hosiden Electronics Co Ltd
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1982-07-12
Filing date: 1983-07-12
Publication date: 1984-01-19
Also published as: US4654117A; US4644338A; JPS5910988A; FR2530057A1; FR2530057B1; GB8519597D0; GB8318316D0; GB2161971A; GB2161971B; GB2126401A; GB2126401B; DE3348002C2; US4740782A; DE3325134C2

Description

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HOSIDEN ELECTRONICS CO., LTD.
Osaka / JAPAN
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Flüssigkristall-Anzeigetafel mit Punktmatrixaufbau

Die Erfindung betrifft eine Flüssigkristall-Anzeigetafel mit Punktmatrixaufbau, welche eine Flüssigkristallzelle aufweist, die eine Vielzahl von Matrixelementen enthält, die selektiv ansteuerbar sind, um eine Vielzahl verschiedener Muster wie Buchstaben, graphische Bilder oder dergleichen anzeigen zu können.

Es sind Flüssigkristall-Anzeigetafeln mit Punktmatrix— aufbau vorgeschlagen worden, die Dünnfilmtransistoren enthalten, welche als Treiber oder Ansteuerglieder in einer Flüssigkristallzelle von kleinen Abmessungen zusammengefügt sind, um die einzelnen Matrixelemente selektiv anzusteuern. Um diese Transistoren zu erregen, sind sehr viele Anschlüsse aus der Flüssigkristallzelle herausgeführt. Es ist sehr mühsam und zeitaufwendig, derartige Anschlüsse mit einer Ansteuer- oder Treiberschaltung zu verbinden. Im einzelnen gesagt, besitzt eine Punktmatrix-Farbanzeigevorrichtung mit Flüssigkristallzellen Matrixelemente, die je Element aus den drei Punkten Rot, Blau und Grün zusammengesetzt ist, welche selektiv angesteuert werden müssen. Die Anzahl von Anschlüssen an einer derartigen farbigen Flüssigkristall-Anzeigetafel· ist viel größer als bei einer Flüssigkristall-Farbanzeigetafel, die nur für eine einzige Farbe oder Schwarz-Weiß-Darstellung vorgesehen ist. Sind z. B. 100 χ 100 = 10000 Matrixelemente vorhanden, so beträgt die Zahl der Anschlüsse, die aus einer Einfärben-

flüssigkristallzelle herauskommen, 100 + 100 = 200, während die Zahl der Anschlüsse für eine Flüssigkristallzelle mit Farbwiedergabe ¹IOO + (3 χ 100) = 400 ist, da die Zahl der anzusteuernden Punkte 100 χ 100 χ 3 = 30000 beträgt. Der Vorgang, eine Treiberschaltung mit diesen Anschlüssen zu verbinden, wird deshalb höchst komplex.

Dünnfilmtransistoren sind in herkömmlichen Flüssigkristallzellen folgendermaßen zusammengefügt: Gate und Matrixelementelektroden sind unmittelbar auf einer inneren Oberfläche eines Substrats einer Flüssigkristallzelle formiert, und über die gesamte innere Oberfläche des Substrats einschließlich dieser Elektroden wird dann ein Gateisolationsfilm niedergeschlagen oder abgelagert. Eine Halbleiterschicht wird daraufhin auf dem Gate-Isolationsfilm in Gegenüberstellung zu den Gate-Elektroden ausgebildet. Auf der Halbleiterschicht werden, teilweise in Überlappung zu den einander gegenüberstehenden Seiten der Gate-Elektroden Drain-und Source-Elektroden aufgebracht, wobei die Halbleiterschicht und der Gate-Isolationsfilm dazwischenliegen. Für den elektrischen Anschluß der Drain-Elektroden an die Matrix-Elementelektroden mußten dann durch den Gate-Isolationsf ilm Löcher hergestellt werden, damit zwischen den Elektroden ein elektrischer Kontakt entsteht. Außerdem war es nötig, einen Schutzfilm über die Dünnfilmtransistoren zu breiten, damit letztere nicht der Atmosphäre ausgesetzt sind, da dadurch die Oberflächenhalbleiterschicht verschlechtert wurde, bevor die Dünnfilmtransistoren in der Flüssigkristallzelle eingeschlossen werden. Der Her-Stellungsvorgang von Dünnfilmtransistoren in bisher üblichen Flüssigkristallzellen erfordert also zahlreiche Fertigungsschritte wegen des nötigen Schrittes der Kontaktlöcherherstellung und des Ausbreitens eines Schutzfilms. Bei Flüssigkristallzellen von großer Anzeigefläche müssen bisher viele Dünnfilmtransistoren hergestellt werden. Je größer die Zahl der Herstellungsschritte ist, desto schwie-

riger wird es, Dünnfilmtransistoren mit gleichen Eigenschaften zu erzeugen, und noch schwieriger ist es, die hergestellten Dünnfilmtransistoren fehlerfrei zu produdieren oder zu halten.
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Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, eine Flüssigkristallanzeigetafel mit Punktmatrixaufbau zu schaffen, die für den äußeren Anschluß weniger Anschlußpunkte aufweist.

Außerdem soll die erfindungsgemäße Flüssigkristallzelle mit Punktmatrixaufbau mit einer geringeren Zahl von Her- " Stellungsschritten und damit auch besserem Ergebnis hergestellt werden können und sich für große Anzeigeflächen eignen.

Gemäß der Erfindung wird eine Vielzahl von Dünnfilmtransistoren nahe beieinander über die Oberfläche eines Substrats in einer Flüssigkristallzelle verteilt, wobei die Transistoren Teil eines Punktmatrixanzeigeelementes bilden und Ausgangselektroden oder Drainelektroden haben, die mit Matrixelementen verbunden sind. In einer Flüssigkristall-Anzeigetafel für farbige Darstellung sind auf den Matrixelementen oder einem anderen Substrat, das den Matrixelementen räumlich gegenübersteht, Farbfilter ausgebildet. Diese Farbfilter besitzen wenigstens zwei Farben, und eine Gruppe einander benachbarter Farbfilter bildet ein einziges Matrixelement. Eine Treiber- oder Ansteuerschaltung zum selektiven Ansteuern der Dünnfilmtransistoren ist wenigstens in seinem als integrierte Halbleiterschaltung ausgebildeten Abschnitt auf dem Substrat formiert, auf dem die Dünnfilmtransistoren sitzen. Die Flüssigkristall-Anzeigetafel mit Punktmatrixaufbau ist über Anschlüsse der Treiberschaltung mit Außenanschlußpunkten verbunden, wodurch es möglich ist, die Zahl der Punkte für

äußere Anschlüsse herabzusetzen, was die Herstellung äußerer Anschlußverbindungen erleichtert. Die Farbfilter sollten vorzugsweise mit einer Farbflüssigkeit hergestellt werden, die in einem Druckvorgang aufgebracht werden kann. Nach einer weiteren Ausbildung besitzen die Dünnfilmtransistoren in der Flüssigkristallzelle eine Drain- und eine Source-Elektrode, die auf der inneren Oberfläche des Substrats formiert sind. Zwischen Drain-und Source-Elektrode ist eine Halbleiterschicht ausgebildet, über die ein Gate-Isolationsfilm gebreitet ist. Auf dem Gate-Isolationsfilm werden Gate-Elektroden erzeugt. Wegen der auf der inneren Substratoberfläche ausgebildeten Drain-Elektroden können diese und die Matrixelementelektroden gleichzeitig untereinander verbunden hergestellt werden. Der früher erforderliehe Herstellurigsschritt der Bildung von Kontaktlöchern für die Verbindung dieser Elektroden ist nicht mehr erforderlich. Da die Halbleiterschicht vollständig durch den Gate-Isolationsf ilm überdeckt ist, ist es auch nicht nötig, sie mit einem Schutzfilm abzudecken.

Aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung anhand der Zeichnung gehen deren Einzelheiten und Vorteile nochmals deutlich hervor. Es zeigen:

Fig. 1 eine Schnittdarstellung durch eine

herkömmliche Punktmatrix-Flüssigkristall-Anzeigetafel ;

Fig. 2. die Schaltungsverbindung der Tran-

sistoren zum Ansteuern der Matrix

elemente in einer Punktmatrix-Flüssigkristall-Anzeigetafel;

Fig. 3 einen Ausschnitt der Draufsicht auf

einen Dünnfilmtransistor einer her

kömmlichen Flüssigkristallzelle;

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Fig.

einen Schnitt nach der Linie 100 100 in Fig. 3;

Fig.

die perspektivische Ansicht einer Flüssigkristall-Anzeigetafel mit Punktmatrixaufbau gemäß der Erfindung ;

Fig.

ein Diagramm, das die Anordnung der Farbanzeigeelemente in der Punktmatrix-Flüssigkristall-Anzeigetafel nach Fig. 5 wiedergibt;

Fig.

eine Ausschnittsvergrößerung aus der Fig. 6;

Fig.

eine Schnittansicht nach Linie 101 - 101 in Fig. 7;

Fig.

in perspektivischer Darstellung einen Ausschnitt aus der Punktmatrix-Flüssigkristall-Anzeigetafel nach der Erfindung;

Fig.

das Blockschaltbild der Treiberschaltung für die Flüssigkristall-Anzeigetafel;

Fig. 11A - 11G Impuls-Zeit-Diagramme zur Erläuterung der Funktionsweise der Treiberschaltung aus Fig. 10;

Fig.

einen Ausschnitt aus der Draufsicht eines Dünnfilmtransistors in der erfindungsgemäßen Flüssigkristall-Anzeigetafel;

Fig. 13 eine Schnittdarstellung nach 102 -

102 in Fig. 12;

Fig. 14-19 Schnittansichten, die den Vorgang der Herstellung eines Dünnfilmtran-

sistors in der erfindungsgemäßen Weise wiedergeben; und

Fig. 20 ein weiteres Ausführungsbeispiel

der Erfindung in der Wiedergabe

eines Ausschnittes aus einem Schnitt durch eine Flüssigkristall-Anzeigetafel.

Bevor Ausführungsbeispiele der Erfindung beschrieben werden, soll zunächst anhand der Fig. 1 und 2 eine herkömmliche Punktmatrix-Flüssigkristall-Anzeigetafel erläutert werden.

Eine Flüssigkristallzelle 11 weist ein Paar transparenter Substratplatten 12, 13 in Gestalt von Glasplatten auf, die mit geringem Abstand einander gegenübergestellt sind und zwischen denen ein Flüssigkristall 14 eingesiegelt ist. Eine Anordnung 15 von Dünnfilmtransistoren ist auf einer inneren Oberfläche des einen transparenten Substrats 12 ausgebildet, und eine transparente gemeinsame Elektrode 16 ist im wesentlichen über die gesamte innere Oberfläche des anderen transparenten Substrats 13 abgelagert. Eine Orientierungsbehandlungsschicht 17 befindet sich auf der Anordnung 15 der Dünnfilmtransistoren,und eine weitere Orientierungsbehandlungsschicht 21 überzieht die gemeinsame Elektrode 16, wobei dort ein dünner Isolationsfilm 19 zwischengefügt ist.

Die Fig. 2 zeigt die Anordnung 15 der Dünnfilmtransistoren, die aus Spaltenleitern 8,, 8~, 8.,, ... und Zeilenleitern

9., 9_, 9-, ... aufgebaut ist, wobei erstere mit gleichen Abständen in Querrichtung und letztere mit gleichen Abständen senkrecht zu den Spaltenleitern verlaufen. Die Dünnfilmtransistoren sind dort angeordnet, wo die Spalten- und Zeilenleiter einander schneiden. Jeder Transistor 6 weist ein mit einer Zeilenleitung 9 verbundenes Gate und eine mit einer Spaltenleitung 8 verbundene Source-Elektrode auf. Innerhalb der rechteckigen Begrenzungen, die durch die Zeilen-und Spaltenleiter hervorgerufen sind, befindet sich eine Matrixelementelektrode (Drain-Elektrode) 2, mit der der Drain-Anschluß eines zugehörigen Transistors 6 verbunden ist.

Zum Ansteuern des Transistors 6 an einer bestimmten Position, wo sich ein ausgewählter Spaltenleiter mit einem ausgewählten Zeilenleiter schneidet, wird eben diesen Spalten- und Zeilenleitern 8.., 8«, 8^, ... , 9., 9„, 9,, ... eine Spannung zugeführt. Die dann dadurch an der Matrixelementelektrode 2 des gespeisten Transistors 6 gegenüber der gemeinsamen Elektrode 16 auftretende Spannung sorgt dafür, daß das Erscheinungsbild der Flüssigkristallzelle 11 im Bereich dieser Matrixelementelektrode 2 sich vom übrigen Bereich unterscheidet. Alle Matrixelemente der Flüssigkristallzelle 11 können auf diese Weise selektiv zur Anzeige gebracht werden.

Bei dieser herkömmlichen Anordnung sind auf einer Verdrahtungsbasisplatte 18, auf der die Flüssigkristallzelle 11 befestigt ist, eine Spaltentreiberschaltung 26 für die Spaltenleiter 8., 8~, 8-,, ... und eine Zeilentreiberschaltung (nicht gezeigt) für die Zeilenleiter 9.. , 9», 9-, ... angebracht. Die Spaltenleiter 8.., 8₂, 8.,, ... und die Zei— lenleiter 9., 9₂, 9.,, ... besitzen jeweils Anschlüsse, die mit zugehörigen Anschlüssen der Spaltentreiberschaltung 26 und der Zeilentreiberschaltung verbunden werden müssen. Bei

einer Matrix mit 100 χ 100 = 10000 Matrixelementen müssen 100 + 100 = 200 Treiberschaltungsanschlüsse hergestellt werden, was eine langwierige Arbeit ist. Für eine farbige Flüssigkristallzellen-Anzeigevorrichtung muß jedes Matrixelement im allgemeinen aus drei Punkten aufgebaut sein, nämlich rot, grün und blau, die voneinander unabhängig ansteuerbar sind. Sind dann auf der Tafel 100 χ 100 = 10000 Matrixelemente vorhanden, so ist die Gesamtzahl der Punkte 3-mal so groß, nämlich 30000, und es werden dafür 100 + + 3 χ 100 = 400 Anschlüsse benötigt. Eine derart große Zahl von Anschlüssen macht das Verbinden der Treiberschaltungen mit der farbigen Flüssigkristall-Anzeigetafel noch komplizierter und zeitaufwendiger.

Die in herkömmlichen Vorrichtungen verwendeten Dünnfilmtransistoren 6 haben einen Aufbau gemäß den Figuren 3 und 4. Die Gate-Elektroden 5 (zugehörige Zeilenleiter 9) sind auf einem Substrat 12 ausgebildet, indem zuerst eine Metallschicht wie Chrom vollständig über das Substrat 12 gebreitet und die Metallschicht dann in einem vorgeschriebenen Muster ausgeätzt wird. Danach werden auf dem Substrat 12 die Matrixelementelektroden (Drain-Elektroden) 2 in Gestalt eines transparenten Metallfilms in gleicher Weise durch Niederschlagen einer Metallschicht auf dem Substrat und anschließendes selektives Ausätzen der Metallschicht erzeugt. Anschließend wird auf die gesamte Oberfläche des Substrats 12 ein Gate-Isolationsfilm 22 aus Siliziumnitrid abgelagert, in welchem Löcher 23 vorgesehen sind, damit mit den Matrixelementelektroden 2 ein Kontakt hergestellt werden kann. Eine Halbleiterschicht 24 von amorphem Silizium wird über jeder Gate-Elektrode 5 und mit Dazwischenläge des Gate-Isolationsfilms 22 abgelagert. Schließlich werden eine Drain-Elektrode 25 und eine Source-Elektrode 3 (mit Verbindung zu einem Spaltenleiter 8) aus Aluminium auf jeder Halbleiterschicht 24 bei teilweiser

Überlappung der einander gegenüberstehenden Ränder der Gate-Elektrode 5 und der Halbleiterschicht 24 gebildet, wobei der Gate-Isolationsfilm 22 dazwischenliegt. Die Drain-Elektrode 25 ist über das Kontaktloch 23 mit der Matrixelementelektrode 2 verbunden.

Die Herstellung eines herkömmlichen Dünnfilmtransistors 6 erfordert eine relativ große Zahl von Einzelschritten. Es ist deshalb schwierig, eine Vielzahl von Dünnfilmtransistoren 6 ohne Fehler und mit untereinander gleichen Eigenschaften auf einer großen Anzeigetafelflache herzustellen. Da zwischen Drain- und Source-Elektrode 25, 3 ein Stück der Halbleiterschicht 24 freiliegt, hat dort Feuchtigkeit und Luft Zutritt, wodurch die Eigenschaften des Transistors 6 verschlechtert werden können, nachdem die Transistoranordnung 15 auf dem Substrat 12 hergestellt worden ist und bevor dann daraus die Flüssigkristallzelle 11 aufgebaut wird. Um dies zu verhindern, muß nach der Aufbringung der Elektroden 25 und 3 über die Halbleiterschicht 24 ein Schutzfilm gebreitet werden, was einen weiteren Fabrikationsschritt bedeutet.

Als nächstes wird eine farbige Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung beschrieben, in der die Grundgedanken der Erfindung verwirklicht sind. Fig. 5 zeigt das äußere Erscheinungsbild einer solchen Flüssigkristall-Anzeigetafel. Diese weist eine Flüssigkristallzelle 12 auf, die aus einem Paar transparenter Substratplatten 12, 13 besteht, welche einander gegenüberstehen und zwischen denen der Flüssigkristall eingesiegelt ist. Auf der Oberfläche einer Substratplatte in der Flüssigkristallzelle 11 sind zahlreiche Farbanzeigeelemente ausgebildat.

Fig. 6 zeigt, daß drei verschiedene Arten derartiger Farbanzeigeelemente in Gruppen angeordnet sind, nämlich rote

Anzeigeelemente 1R, grüne Anzeigeelemente TG und blaue Anzeigeelemente 1B, die auf dem Substrat gleichmäßig verteilt sind. Die Farbanzeigeelemente sind länglich und liegen parallel zueinander, und jeweils drei verschiedene Farbanzeige-Matrixelemente nehmen eine Quadratfläche 10 ein, die als ein Matrixelement bezeichnet ist. Die Matrixelemente 10 sind in Zeilenspalten angeordnet. Um die Matrixelemente 10 auf einfache Weise ansteuern zu können, sind die roten, grünen und blauen Anzeigeelemente 1R, 1G, 1B geradlinig in ihrer Längsrichtung und parallel zueinander angeordnet.

GemäB der Erfindung setzt sich jedes Farbanzeigeelement 1R, 1G, 1B aus einem Halbleitertreiber- oder -dünnfilmtransistor und einem Farbfilter auf seiner Ausgangselektrode zusammen. Genauer ist dies in den Figuren 7 und 8 dargestellt, wonach eine der Substratplatten 12 der Flüssigkristallzelle 11 eine transparente Glasplatte ist. Rechteckige Drain-Elektroden (Matrixelementelektroden) 2R, 2G, 2B, die ungefähr so breit wie die Farbanzeigeelemente sind, sind auf dem Substrat 12 ausgebildet, und schmälere Source-Elektroden 3R, 3G, 3B sind nahe bei den Drain-Elektroden 2R, 2G, 2B und parallel zu diesen auf dem Substrat 12 abgelagert. Filme 4R, 4G, 4B aus amorphem Silizium werden zwischen den Drain- und Source-Elektroden 2R, 3R, den Drain- und Source-Elektroden 2G, 3G und den Drain- und Source-Elektroden 2B, 3B formiert. Die Elektroden und das Substrat werden dann mit einem Gate-Isolationsfilm 22 aus Siliziumnitrid überdeckt, auf dem dann Gate-Elektroden 5R, 5G, 5B in Gegenüberstellung zu den amorphen Siliziumfilmen 4R, 4G, 4B abgelagert werden. Die Drain- und Source-Elektroden 2R, 2G, 2B und 3R, 3G, 3B sind vorzugsweise transparent und können aus Indiumoxid oder Zinnoxid bestehen. Die Gate-Elektroden 5R, 5G, 5B können aus Aluminium hergestellt sein.

-Ιο —

Die Source-Elektroden 3R, 3G, 3B, die Drain-Elektroden (Matrixelementelektroden) 2R, 2G, 2B, die amorphen Siliziumfilme 4R, 4G, 4b, der Gate-Isolationsfilm 22 und die Gate-Elektroden 5R, 5G, 5B stellen gemeinsam Dünnfilmtransistoren 6R, 6G, 6B dar. Über den Drain—Elektroden (Ausgangselektroden) 2R, 2G, 2B dieser Dünnfilmtransistoren 6R, 6G, 6B werden Farbfilter 7R, 7G, 7B in rot, grün und blau angebracht, wobei dazwischen sich der Gate-Isolationsf ilm 22 befindet. Das Anbringen der Farbfilter kann im Sieb- oder Offset-Druck-Verfahren geschehen.

Wie in Fig. 9 gezeigt, ist auf den Farbanzeigeelementen, die sich auf dem Substrat 12 befinden, eine Orientierungsbehandlungsschicht 17 aus Polyvinylalkohol angebracht. Das Substrat 13, welches dem Substrat 12 gegenübersteht, besteht beispielsweise aus einer transparenten Glasplatte. Die gesamte innere Oberfläche des Substrats 13 ist mit einer gemeinsamen transparenten Elektrode 16 überzogen, die ihrerseits von einem Isolationsfilm 19 aus beispielsweise SiIiziumnitrid und einer weiteren Orientierungsbehandlungsschicht 21 abgedeckt ist. Zwischen den Orientierungsbehandlungsschichten 17 und 21 befindet sich dann der eingeschlossene Flüssigkristall 14. Für die Flüssigkristallzelle 1 1 des beschriebenen Aufbaus kann eine schwarze "Guesthost"-Flüssigkristallzelle oder eine schwarz-und weiße, mit drehendem nematischen Flüssigkristallzelle verwendet werden. Auf der Außenfläche des Substrats 13 ist ein Polarisationsfilter 27 angebracht.

Wie in Fig. 6 gezeigt, sind Spaltenleiter 8.., 8₂, 8-, ... auf dem Substrat 12 entlang der Spalten der Farbanzeigeelemente angeordnet, und die Source-Elektroden 3R, 3G, 3B jeweils benachbarter Farbanzeigeelemente sind mit jedem Spaltenleiter verbunden. Entlang der Reihen der Farban-Zeigeelemente sind Zeilenleiter 9-, 9_, 9₃, ... angeord-

net, die mit den Gate-Elektroden 5R, 5G oder 5B der benachbarten Farbanzeigeelemente jeder Zeile verbunden sind. Die Farbanzeigeelemente können durch eine Treiberschaltung, wie sie in Fig. 10 gezeigt ist, selektiv angeregt werden. Die in Fig. 6 dargestellten Farbanzeigeelemente bilden eine Anzeigefläche 28, wie in Fig. 10 wiedergegeben. Die Source-Leiter 8 , 8₉, 8_, ... und die Gateleiter 9 , B₀, 9 , ... sind mit Anschlüssen aus der Anzeigeebene 18 herausgeführt. Die Anschlüsse der Source-Leiter 8., 8«, 8₃, ... sind jeweils an entsprechende Stellungspositionsausgänge einer Verriegelungsschaltung 26, die als Spaltentreiberschaltung dient, angeschlossen, und die Stellenpositionen der Verriegelungsschaltung 26 sind mit den Ausgängen von Stellenpositionen eines Schieberegisters 29 verbunden. Die Anzeigedaten werden im Betrieb von einer Datenklemme 31 als Binärsignale "1" oder "0" zugeführt, wodurch festgelegt wird, ob eine Zeile der Farbanzeigeelemente anzeigen soll oder nicht. Diese Anzeigedaten werden der Reihe nach in das Schieberegister 29 synchron mit einem Taktsignal, das von einer Taktklemme 33 hinzukommt, eingespeist. Nachdem in dieser Form Anzeigedaten für eine Zeile abgegeben worden sind, werden diese im Schieberegister 29 gespeicherten Daten parallel in der Verriegelungsschaltung 26 aufgrund eines Verriegelungsbefehls verriegelt, der über eine Klemme 34 kommt.

Der Verriegelungsbefehl von der Klemme 34 wird auch einer Gate-Zeilenauswahl- und Treiberschaltung 32 zugeführt, die dann nacheinander die Gate-Zeilen 9₁ , 9„, 9-,, ... und zwar zur Zeit j.eweils eine, auswählt. Wenn der Gateleiter 9-,

z. B. ausgewählt ist, werden die Farbanzeigeelemente zur Anzeige gebracht oder auf Nichtanzeige gehalten, die an den Verbindungsstellen zwischen dem Gateleiter 9. und denjenigen Sourceleitern 8 , 8₉, 8_O, ... liegen, welchen Ausgangsbits zugeführt werden, die in der Verriegelungsschaltung 26 verriegelt sind.'Während der Gateleiter 9.. für die Anzeige ausgewählt ist, werden in das Schieberegister 29

Daten für den nächsten Zeilenleiter eingegeben, und die so gespeicherten Daten werden dann bei Zugang des nächsten Verriegelungsbefehls über die Klemme 34 in der Verriegelungsschaltung 26 verriegelt. Auf diesen Verriegelungsbefehl hin wählt die Gateleiterauswahl- und-treiberschaltung 32 den Gateleiter 9₂ für die selektive Anzeige der Farbanzeigeelemente aus, die mit dem Gateleiter 9- verbunden sind. Der genaue Aufbau der Treiberschaltung mit einem solchen Schieberegister 29, der Verriegelungsschaltung 26 und der Gateleiterauswahl 32 ist beispielsweise in einer kurzen Darstellung mit dem Titel "Progress Toward Flat-Panel TV" von A.G. Fischer in "Nonemissive Electrooptic Displays" A.R. Kmetz und F.K. von Willisen, 1976 Plenum Press New York, beschrieben.

Wie in Fig. 11A gezeigt, werden den Gateleitern S - 9 ₂₀ gegeneinander in der Phase verschobene Treiberiiapulse nacheinander wiederholt zugeführt. Wenn z. B. ein Dünnfilmtransistor O₁₁ ausgewählt ist, der sich am Schnittpunkt des Sourceleiters 8. mit dem Gateleiter 9.. befindet, erhält der Sourceleiter 8. eine Spannung V zugeführt, wie in Fig. 11B dargestellt, während gleichzeitig der Gateleiter 9.. in einem ersten Zyklus angewählt ist, wobei als Ergebnis die Drain-Elektrode des Dünnfilmtransistors 6^₁ auf die Spannung V aufgeladen wird, wie bei 6...D in Fig. 11C dargestellt, und auf diesem Spannungswert gehalten wird. Gleichzeitig wird dem Sourceleiter aller nicht ausgewählter Elemente eine konstante Spannung V/2, z. B. beim Dünnfilmtransistor 6₂₁, der sich am Schnittpunkt des Sourceleiters 8- mit dem Gateleiter 9₂ befindet. Die Spannung am Drain des Dünnfilmtransistors 6„.. wird dadurch auf V/2 gehalten, wie in Fig. 11D bei 6₂1^D gezeigt. Die Spannung V/2 wird der gemeinsamen Elektrode 16 ständig zugeführt, wie in Fig. 11E gezeigt.

Somit wird die Spannung V/2 als Spannung 6 DC zwischen Drain des ausgewählten Transistors 6,.., und der gemeinsamen Elektrode 16 angelegt, wie in Fig. 11F gezeigt, während die Sapnnung 6„.DC zwischen Drain eines nicht angewählten Transistors und der gemeinsamen Elektrode Null ist, wie in Fig. 11G dargestellt. Wenn im nächsten Zyklus der Gateleiter 9- ausgewählt ist, wird der ausgewählte Sourceleiter 8-, auf dem Spannungswert Null gehalten, und die Drainspannung 6....D des ausgewählten Transistors 6....

ist ebenfalls Null. Die Drainspannung 6₂,D des nicht ausgewählten Transistors bleibt V/2. Während dieses Zyklus wird deshalb die Spannung 6^DC zwischen dem Drain des ausgewählten Transistors und der gemeinsamen Elektrode -V/2. Die Spannung zwischen Drain des ausgewählten Transistors und der gemeinsamen Elektrode wechselt in Folge zwischen V/2 und -V/2, wodurch ein Abschnitt der Flüssigkristallzelle, der der Drain-Elektrode des ausgewählten Transistors gegenübersteht, transparent wird, und die Farbe des auf diesem Transistor angebrachten Farbfilter durchscheinen läßt.

Für den Fall, daß die gesamte Zahl der Gateleiter 120 ist, wird für die Sourceleiter das Dreifache der Anzahl der Gateleiter benötigt, also 360. Es ist sehr mühsam und zeitaufwendig, alle diese Leiter aus der Flüssigkristallanzeigevorrichtung herauszuführen und sie mit externen Treiberschaltungen zu verbinden.

Aus diesem Grunde werden erfindungsgemäß die zugehörigen peripheren Schaltungen zum Erregen der Halbleitertreiberelemente auf der Oberfläche des Substrats hergestellt, auf dem die Dünnfilmtransistoren 6R, 6G, 6B für das Erregen des Flüssigkristalls hergestellt sind. Die Verriegelungsschaltung 26, die als Spaltentreiberschaltung dient,sowie das Schieberegister 29 werden folglich als

integrierte Schaltungen auf dem Substrat 12 hergestellt, und auch die Gateleiterauswahl- und -treiberschaltung 32 wird auf dem Substrat als integrierte Schaltung hergestellt, wie in Fig. 5 angedeutet. Die Gate- und Sourceleiter, welche von der Flüssigkristallzelle 11 ausgehen, sind direkt mit diesen Schaltungen 26, 29, 32 auf dem Substrat 12 verbunden, und auch die sonstigen Leitungsverbindungen befinden sich direkt auf dem Substrat 12. Wenn die Verriegelungsschaltung 26, das Schieberegister 27 und die Gateleiterauswahl- und -treiberschaltung 32 als integrierte Schaltungen auf dem Substrat 12 ausgebildet sind._r empfiehlt es sich, sie als Dünnfilmtransistoren in der Art herzustellen, wie es auch für die Farbanzeigeelemente geschieht. Es ist dann möglich, die zugehörigen peripheren Schaltungen 26, 29, 32 gleichzeitig mit den Dünnfilmtransistoren 6R, 6G, 6B auf dem Substrat herzustellen, ohne daß zusätzliche Fabrikationsschritte nötig werden.

Da Dünnfilmtransistoren relativ langsam arbeiten, sollten die amorphen Siliziumfilme 4R, 4G, 4B für eine Erhöhung der Beweglichkeit im Elektrodenstrahl- oder Laser-Anlaßverfahren behandelt werden, damit die Arbeitsgeschwindigkeit der Schaltungen 26, 29 und 32 erhöht wird. Ein derartiger Behandlungsvorgang zur Erhöhung der Mobilität läßt sich in einer relativ kurzen BehandlungsZeitspanne durchführen, da die Dünnfilmtransistoren, die die Farbanzeigeelemente bilden, diese Behandlung nicht benötigen. Es sich auch nicht erforderlich, sämtliche Schaltungen 26, 29 , 32 auf dem Substrat 12 anzuordnen, sondern nur einige, beispielsweise die Schaltungen 26 und 29 oder nur die Schaltung 32. Die Schaltungen 26, 29, 32 können, wenn sie auf dem Substrat 12 angebracht sind, in Form gewöhnlicher bepolarer oder monopolarer integrierter Schaltungen aufgebaut sein. Die aus amorphem Silizium bestehenden Dünn-5 filmtransistoren können durch polykristalline Dünnfilmtransistoren ersetzt werden.

Die peripheren Schaltungen wie die Auswahl- und Treiberschaltungen für die Treiberelemente zum Erregen der Anzeigeelemente oder Matrixelemente in der Flüssigkristallzelle sind bei der vorangehend beschriebenen Anordnung auf dem Substrat 12 angebracht, so daß die Anschlüsse für äußere Verbindungen z. B. auf die Hälfte derer bei herkömmlichen Konstruktionen verringert werden können, was das Verbinden mit äußeren Zuführungen vereinfacht.

Werden die Farbfilter durch Aufdrucken erzeugt, läßt sich dies ohne teuere Apparaturen für Aufdampfverfahren oder lonendotierung erreichen, wobei der Vorgang in der Atmosphäre durchgeführt werden kann, so daß eine relativ große Fläche bedeckt wird. Die Farbfilter können Farben sehr gut wiedergeben, lassen sich billig herstellen, sind ausreichend dünn im Vergleich zum Flüssigkristall 14 und besitzen hinreichende Farbdichte. Farbfilter in den Farben rot, grün und blau in abwechselnder Anordnung können leicht angebracht werden. Von den Farbfiltern tritt auch keine Farbe in den Flüssigkristall 14 über, da die Orientierungsbehandlungsschicht 17 aus Polyvinylalkohol gegenüber dem Flüssigkristall 14 stabil ist. Damit ist auch ein gleichbleibender Betrieb der Flüssigkristall-Anzeigetafel gewährleistet. Die Farbfilter stören auch nicht die steuernde Orientierung der Moleküle des Flüssigkistalls 14 mit Hilfe der Orientierungsbehandlungsschicht. Um eine höhere Genauigkeit zu erzielen, lassen sich die Farbfilter statt mit dem Siebdruckverfahren auch im Offsetdruckverfahren aufbringen. Wenn die Substrate eine geringe Dicke haben können, lassen sich die ausgewählten Matrixelemente auch bei schrägem Auf— blick genau erkennen. Die Farbfilter dürfen dann aber nicht auf den Dünnfilmtransistoren sondern am Substrat 13 angebracht sein (wie in Fig. 5 gezeigt), und zwar in Gegenüberstellung zu den Drain-Elektroden. Die Substrate 12, 13 können aus Hochpolymeren wie Polyimid oder Fluorplastikstoffen

hergestellt sein. Die Darstellung der Farbanzeigeelemente erfolgte bei dem Beispiel in Spalten und Zeilen für die verschiedenen Farben, doch kann die Anordnung auch derart in Kreisen vorgenommen werden, daß jeweils drei benachbarte Anzeigeelemente rote, grüne und blaue Anzeigeelemente enthalten. Auch kann für die Farbanzeige statt des additiven Verfahrens das subtraktive Verfahren angewendet werden.

Die Dünnfilmtransistoren 6R, 6G, 6B in den Figuren 5 und können so aufgebaut sein, wie es in den Figuren 3 und 4 dargestellt ist. Die Erfindung ist nicht nur für farbige Flüssigkristall-Anzeigen sondern auch für solche in Schwarzweiß-Wiedergabe brauchbar.

Eine derartige Schwarz-Weiß-Flüssigkristall-Anzeigetafel soll nun in Verbindung mit den Figuren 12 und 13 erläutert werden. Die Matrixelemente 2, die Drain-Elektroden 25 und die Source-Elektroden (Source-Leiter 8) 3 sind auf einem Substrat 12 angeordnet. Jedes der quadratförmigen Matrixelemente 2 besitzt eine Kante, die zu einem Teil mit der Kante der Drain-Elektroden 25 zusammenfällt. Diese Matrixelemente 2, die Drain-Elektroden 25, die Source-Elektrode 3 und die Source-Leiter 8 können durch selektives Ätzen einer transparenten Metallschicht, welche auf der Gesamtfläche des Substrats 12 abgelagert ist, gleichzeitig hergestellt werden. Die Source-Elektroden 3 können aus einem nicht durchsichtigen Metall bestehen.

Eine Halbleiterschicht 24 aus amorphem Silizium ist auf dem Substrat 12 zwischen Drain-Elektrode 25 und Source-Elektrode 3 ausgebildet. Die Halbleiterschicht 24 kann aus polykristallinem Silizium, monokristallinent Silizium, Tellur, Cadmiumsulfid oder Cadmiumselenid bestehen. Ein Gate-Isolationsfilm 22 wird über die gesamte Fläche ein-

schließlich der Halbleiterschichten 25 ausgebreitet. Der Gate-Isolationsfilm 22 kann aus Siliziumnitrid oder Siliziumdioxid bestehen. Er kann auch nur auf den Halbleiterschichten 24 ausgebildet sein. Die Gate-Elektroden (Gate-Leiter 9) 5 werden auf dem Gate-Isolationsfilm 22 formiert. Sie sind so abgelagert, daß sie den Drain-Elektroden 25 und den Source-Elektroden 3 gegenüberstehen und daß sich dazwischen die Halbleiterschicht 24 und der Gate-Isolationsfilm 22 befinden. Die Gate-Elektroden 5 und die Gate-Leiter 9 können aus Aluminium oder polykristallinem Silizium bestehen und in Gestalt eines transparenten, elektrisch leitenden Films hergestellt sein.

Der Herstellungsvorgang des Dünnfilmtransistors soll nun in Verbindung mit den Figuren 14 bis 19 beschrieben werden. Wie in Fig. 14 gezeigt, wird auf einem transparenten, isolierenden Substrat 12 aus beispielsweise Glas eine undurchsichtige Schicht aus einem Metall, etwa Nichroin, Chrom oder Molybdän in einer Schichtstärke von etwa 1000 - 2000 A im Aufdampfverfahren oder im Sputter-Vorgang abgelagert, und die Matrixelemente wie Drain-Elektroden 25 (2) und Source-Elektroden 3 werden durch Photoätzen gebildet.

In einer Stärke von ungefähr 3000 A wird dann auf das transparente Substrat 12 über die Drain-Elektroden 25 und Source-Elektroden 3 in einem Plasma CVD (chemische Dampfablagerung) -Verfahren eine Halbleiterschicht aus amorphem Silizium· oder polykristallinem Silizium erzeugt. Aus der Halbleiterschicht wird dann durch Photoätzen die Kalbleitersiliziumschicht 24 oder der Kanalbereich gebildet, der sich zwischen den Rändern der Drain- und Source-Elektroden 25 und 3 erstreckt, wie in Fig. 15 gezeigt.

Danach wird ein Gate-Isolationsfilm 22 zur Gänze über dem transparenten Substrat 12 und der Halbleitersiliziuunschicht

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24 ausgebreitet, wie in Fig. 16 gezeigt. Der Gate-Isolationsfilm 22 kann aus Siliziumnitrid oder Siliziumdioxid

bestehen und eine Stärke zwischen 2000 und 3000 A haben. Der Gate-Isolationsfilm 22 kann im Plasma-CVD-Verfahren hergestellt werden.

Durch Vakuum-Bedampfung oder im Sputter-Verfahren wird auf dem Gate-Isolationsfilm 22 gemäß 17 eine transparente Elektrode 5' aus ITO (eine Mischung aus In₉0-.und SnO₉) oder Zinnoxid in einer Stärke von 1000 A oder weniger,

beispielsweise 400 bis 500 A, hergestellt. Darüber wird eine photosensitive Harzschicht 37 der Negativtype über die transparente Elektrode 5' gebreitet und diese durch ultraviolette Bestrahlung 3 9 durch das transparente Substrat 12 hindurch belichtet.

Die von der ultravioletten Strahlung belichteten Bereiche der photosensitiven Harzschicht 37 werden durch die Strahlung gehärtet. Durch Entwickeln erhält man ein Muster 37P der photosensitiven Harzschicht in einer durch Drain- und Source-Elektroden 25, 3, welche Maskenfunktion haben, vorgegebenen Gestaltung.

Das Muster 37P der photosensitiven Schicht wird als Maske benutzt, wenn die transparente Elektrode 5' zur transparenten Gate-Elektrode 5 geätzt wird, woraufhin dann das Maskenmuster 37P entfernt wird, wie in Fig. 19 dargestellt.

Die Matrixelementeelektrode 2 und die Drain-Elektrode sind somit gleichzeitig hergestellt und nicht durch irgendwelche Kontaktlöcher miteinander verbunden. Da auch keinerlei derartige oder sonstige Kontaktlöcher nötig sind, entfällt eine Arbeitsstufe für deren Herstellung, wie es für die Kontaktlöcher 23 der in Fig. 4 gezeigten bekannten Anordnung erforderlich war. Soll die Source-Elektrode 5

als transparente Elektrode ausgebildet sein, kann sie gleichzeitig mit der Matrixelementeelektrode 2 hergestellt werden, wodurch die Zahl der Fabrikationsschritte im Vergleich zum herkömmlichen Herstellungsgang für einen Aufbau nach den Figuren 3 und 4 abermals verringert wird. Die erfindungsgemäße Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung hat also bei der Herstellung der Dünnfilmtransistoranordnung weniger Herstellungsschritte nötig, so daß Matrixelemente von gleichförmigen Eigenschaften und frei von Fehlern TO relativ leicht auf einer großen Anzeigefläche hergestellt werden können.

Da die Halbleiterschicht 24 zwischen das Substrat 12 und den Gate-Isolationsfilm 22 eingeschlossen ist, liegt sie auch nicht frei, nachdem die Dünnfilmtransistoranordnung hergestellt worden ist und bevor sie zur Flüssigkristallzelle 11 zusammengebaut wird. Die Halbleiterschicht 24 erhält dadurch auch keine ungleichförmigen Eigenschaften, so daß sie durch keine Schutzschicht abgedeckt werden muß.

Dies ermöglicht die Herstellung von Flüssigkristallzellen mit wesentlich besserer Ausbeute.

Wird die erfindungsgemäße Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung als Lichtdurchtrittsanzeigevorrichtung verwendet, wird auf der Außenseite des Substrats 12 in den der Halbleiterschicht 24 zwischen Source- und Drain-Elektroden 25, 3 gegenüberstehenden Bereichen ein lichtundurchlässiger Film aus Aluminium oder schwarzer Farbe aufgebracht, um unerwünschte, durch Licht hervorgerufene Einflüsse zu verhindern, die Änderungen im Widerstand der Halbleiterschicht 24 hervorrufen könnten, sofern diese aus amorphem Silizium hefgestellt ist.

Werden die Gate-Elektroden 5 unter Verwendung von Drain- und Source-Elektroden 25, 3 als Maske durch Belichten und

Entwickeln erzeugt, so erfolgt eine selbsttätige Ausrichtung. Die Drain- und Source-Elektroden 25, 3 und die Gate-Elektroden 5 können dadurch stets in einer konstanten relativen Position zueinander gehalten werden. Dies kann den Abstand, d.h. die sogenannte Kanallänge L zwischen Drain- und Source-Elektrode 25, 3 verringern. Es läßt sich damit auf einfache Weise ein Dünnfilmtransistor mit kurzer Abschaltzeit und großem Drain-Strom herstellen. Derartige Dünnfilmtransistoren lassen sich mit einem hohen Integrationsgrad bei gleichzeitiger Verringerung der Schwangungen der Eigenschaften dieser Transistoren als großflächige Matrixanordnung herstellen.

In Fig. 8 sind die Farbfilter 7R, 7G, 7B auf dem Gate-Isolationsfilm 22 in Gegenüberstellung zu den Matrixelektroden 2R, 2G, 2B und mit dazwxschengefügtem Gate-Isolationsfilm 2 2 hergestellt. Die Farbfilter 7R, 7G, 7B können aber auch auf der gemeinsamen Elektroden 19 auf dem Substrat 13 angebracht sein, wie in der Fig. 20 gezeigt, in der ansonsten die gleichen Bezugszeichen wie in Fig. 8 benutzt sind. Die Farbfilter 7R, 7G, 7B sind überlappend zu den Matrixelementelektroden 2R, 2G, 2B in richtung Normal zu den Substraten 12 und 13 angeordnet. Sie sind leicht durch Aufdrucken auf das Substrat 13 herzustellen, auf dem keine Dünnfilmtransistoren hergestellt werden müssen.

Claims

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HOSIDEN ELECTRONICS CO., LTD.
Osaka / JAPAN
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Flüssigkristall-Anzeigetafel mit Punktmatrixaufbau Patentansprüche

^ 1J Flüssigkristall-Anzeigetafel mit Punktmatrixaufbau, welche ein erstes transparentes Substrat aus eimern isolierenden Material, ein zweites transparentes Substrat aus einem isolierenden Material, das dem ersten mit geringem Abstand gegenübersteht, wobei die Ränder dichtschließend miteinander verbunden sind, und einen dazwischen eingeschlossenen Flüssigkristall aufweist, während eine Vielzahl von Halbleiter-Treiberelementen im wesentlichen gleichmäßig auf einer Innenfläche des ersten Substrates verteilt ist, Matrixelementelektroden mit zugehörigen Ausgangselektroden der Halbleiter-Treiberelemente verbunden und im wesentlichen gleichförmig auf dem ersten Substrat verteilt sind, eine gemeinsame Elektrode praktisch die gesamte Innenfläche des zweiten Substrates überzieht und die Halbleiter-Treiberelemente mit einer Treiberschaltung selektiv erregbar sind,
dadurch gekennzeichnet, daß die Treiberschaltung (26, 32) als integrierte Halbleiterschaltung auf der Innenfläche des ersten Substrats (12) außerhalb des eingesiegelten Flüssigkristalls angeordnet ist.
2. Flüssigkristall-Anzeigetafel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiter-Treiberelemente in Spalten und Zeilen angeordnet sind, auf dem ersten Substrat (12) Spaltenleiter (8., 8„, 8.,, ·.·) entlang der Spalten und Zeilenleiter (9-, 9„, 9,, ...) entlang der Zeilen formiert sind, daß die Treiberschaltung eine Spaltentreiberschaltung (26) zum Erregen der Spaltenleiter und eine Zeilentreiberschaltung (32) zum selektiven Erregen der Zeilenleiter aufweist, wobei die Halbleiter-Treiberelemente an den Stellen erregt werden, an denen die erregten Spaltenleiter und die erregten Zeilenleiter einander schneiden.
3. Anzeigetafel nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiter-Treiberelemente Dünnfilmtransistoren enthalten, daß die Spaltenleiter Gate-Leiter aufweisen, die mit den Gates der Dünnfilmtransistoren verbunden sind, welche entlang eines Spaltenleiters angeordnet sind, daß die Zeilenleiter Source-Leiter aufweisen, die mit den Source-Elektroden der entlang der Zeilenleiter angeordneten Dünnfilmtransistoren verbunden sind, und daß die Ausgangselektroden Drain-Elektroden der Dünnfilmtransistoren aufweisen.
4. Anzeigetafel nach Anspruch 3,

dadurch gekennzeichnet, daß die Treiberkreise durch aktive Elemente von Dünnfilmtransistoren gebildet sind. 30
5. Anzeigetafel nach Anspruch 3,

dadurch gekennzeichnet, daß.jeder Dünnfilmtransistor eine Source- und eine Diain-Elektrode aufweist, die unmittelbar auf dem ersten Substrat formiert sind, daß die Matrixelementelektroden (7R, 7G, 7B) einstückig mit der Drain-Elek-

trode unmittelbar auf dem ersten Substrat (12) formiert sind, daß eine Halbleiterschicht direkt auf dem ersten Substrat über den Source- und Drain-Elektroden formiert ist, ein Gate-Isolationsfilm (22) im wesentlichen auf der gesamten inneren Oberfläche des ersten Substrats (12) formiert ist und die Source-Elektroden, Drain-Elektroden, die Matrix-Elektroden und die Halbleiterschicht überdeckt, und daß auf dem Gate-Isolationsfilm (22), der Halbleiterschicht gegenüberstehend, eine Gate-Elektrode (5R, 5G, 5B) formiert ist.
6. Anzeigetafel nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschicht durch einen Film aus amorphem Silizium gebildet ist.
7. Anzeigetafel nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Filme aus amorphem Silizium in den Dünnfilmtransistoren der Treiberschaltung durch Tempern eine hohe Mobilität aufweisen.
8. Anzeigetafel nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschicht ein Film aus polykristallinem Silizium ist.
9· Anzeigetafel nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Dünnfilmtransistor eine gemeinsam mit den Matrixelementelektroden unmittelbar auf dem ersten Substrat formierte Gate-Elektroden aufweist und ein Gate-Isolationsfilm im wesentlichen die gesamte innere Oberfläche des ersten Substrats überdeckend formiert ist und dabei die Gate-Elektroden und die Matrixelement-

elektroden überdeckt, daß eine Halbleiterschicht auf dem Gate-Isolationsfum, den Gate-Elektroden gegenüberstehend, formiert ist, daß die Dünnfilmtransistoren Source- und Drain-Elektroden aufweisen, die mit Abstand zueinander auf der Halbleiterschicht und die einander gegenüberstehenden Ränder der Gate-Elektroden teilweise überlappend, formiert sind, wobei die Halbleiterschicht und der Gate-Isolationsf ilm dazwischen liegen, und daß die Drain-Elektroden mit den zugehörigen Matrixelementelektroden verbunden sind.
10. Anzeigetafel nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß jede Matrixelementelektrode in drei im wesentlichen gleiche Matrixelementelektroden aufgeteilt ist und die Halbleiter-Treiberelemente mit jeweils einer zugehörigen Matrixelementteilelektrode verbunden sind, während unter Zwischenfügung eines Isolationsfilms über den Matrixelementteilelektroden Rot-,Grün-bzw. Blau-Filter (7R, 7G, 7B) angeordnet sind.
11 . Anzeigetafel nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß jede Matrixelementelektrode in mehrere im wesentlichen gleiche Matrixelementteilelektroden unterteilt ist, daß die Dünnfilmtransistoren mit jeweils einer zugehörigen Matrixelementtexlelektrode verbunden sind und daß unter Zwischenfügung eines Gate-Isolationsf ilms über den Matrixelementteilelektroden FiI-ter unterschiedlicher Farben angeordnet sind.
12. Anzeigetafel nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Farbfilter aufgedruckt sind.
13. Anzeigetafel nach Anspruch 5,

dadurch gekennzeichnet, daß jede Matrixelementelektrode aus mehreren im wesentlichen gleichen Matrixelementteilelektroden besteht, daß die Dünnfilmtransistoren mit jeweils einer zugehörigen Matrixelementteilelektrode verbunden sind, daß Farbfilter verschiedener Farben auf der Innenfläche des zweiten Substrats (13) in Gegenüberstellung zu jeweils einer zugehörigen Matrixelementteilelektrode angeordnet sind.
10
14. Anzeigetafel nach Anspruch 13,

dadurch gekennzeichnet, daß die Farbfilter aufgedruckt sind.
15
15. Flüssigkristall-Anzeigetafel mit Punktmatrixaufbau, gekennzeichnet durch ein erstes transparentes Substrat (12) aus einem isolierenden Material, ein zweites transparentes Substrat (13) aus einem isolierenden Material mit geringem Abstand zum ersten transparenten Substrat (12), wobei die Substratränder miteinander dichtschließend verbunden sind, einen Flüssigkristall (14) zwischen den beiden Substraten (12, 13), eine Vielzahl von Dünnfilmtransistoren, die im wesentlichen gleichmäßig über die innere Oberfläche des ersten Substrats (12) verteilt sind, Matrixelementelektroden (2), die mit den Source-Elektroden der Dünnfilantransistören verbunden und im wesentlichen gleichmäßig über das erste Substrat verteilt sind, eine gemeinsame Elektrode (16), die über die gesamte Innenfläche des zweiten Substrats (13) ausgebreitet ist, wobei die einzelnen DÜExnfilmtransistoren jeweils eine Source- und eine Drain-Elektrode aufweisen, die unmittelbar auf dem ersten Substrat ((12) formiert sind, jede Matrixelementelektrode einteilig mit der zugehörigen

Drain-Elektrode unmittelbar auf dem ersten Substrat formiert ist, eine Halbleiterschicht direkt auf dem ersten Substrat über Source- und Drain-Elektroden formiert ist, ein Gate-Isolationsfilm praktisch auf der gesamten Innenfläche des ersten Substrats ausgebreitet ist und die Source-Elektroden, die Drain-Elektroden, die Matrix-Elektroden und die Halbleiterschicht überdeckt, und daß eine Gate-Elektrode auf dem Gate-Isolationsfilm in Gegenüberstellung zur Halbleiterschicht formiert ist. 10
16. Anzeigetafel nach Anspruch 13,

dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschicht aus amorphem Silizium besteht.
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17. Anzeigetafel nach Anspruch 13,

dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterschicht aus polykristallinem Silizium besteht.
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18. Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilmtransistors mit Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem ersten transparenten Substrat lichtundurchlässige Drain- und Source-Elektroden, zwischen diesen auf dem ersten Substrat eine Halbleiter-Siliziumschicht, die Halblerter-Siliziumschicht überdeckend ein Gate-Isolationsfilm, auf dem Gate-Isolationsfilm eine transparente Elek-0 trode und auf der transparenten Elektrode eine photosensitive Harzschicht, die durch Belichtung härtbar ist, formiert werden, daß die photosensitive Harzschicht durch das erste Substrat hindurch belichtet wird, wobei die Drain- und Source-Elektroden als Maske wirken, die photosensitive Harzschicht danach entwickelt wird und ihre nicht belich-

teten Teile danach entfernt werden und daß unter Verwendung der verbliebenen Bereiche der photosensitiven Harzschicht als Masken zur Bildung von Gate-Elektroden die transparente Elektrode daraufhin geätzt wird. 5