DE3153620C2 - - Google Patents

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Yukitoshi Yokohama Kanagawa Jp Okubo
Yoshiyuki Yokosuka Kanagawa Jp Osada
Masao Kawasaki Kanagawa Jp Sugata
Katsunori Yokohama Kanagawa Jp Hatanaka
Takashi Tokio/Tokyo Jp Nakagiri
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Description

Die Erfindung betrifft eine Anzeigevorrichtung der im Oberbegriff des Anspruchs 1 angegebenen Art.
Eine derartige als Flüssigkristallanzeige ausgebildete Anzeigevorrichtung ist beispielsweise aus der US 38 24 003 und der DE 25 53 739 A1 bekannt. Ein Nachteil dieser bekannten Anzeigevorrichtungen besteht darin, daß aufgrund der jeweils gewählten Struktur die Gegenelektroden des Kondensators im Einflußbereich der Steuerleitungen sowie der weiteren Elektroden verlaufen. Das heißt, die an die Gegenelektroden der Kondensatoren angelegten Vorspannungen zur Steuerung der elektrooptischen Schicht werden in unerwünschter Weise beeinflußt durch die Signale auf den Steuerleitungen und den weiteren Elektroden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anzeigevorrichtung der eingangs genannten Art derart auszubilden, daß die Ansteuerung der elektrooptischen Schicht unbeeinflußt von Störsignalen erfolgt.
Gelöst wird diese Aufgabe durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Durch die erfindungsgemäß vorgesehene Isolation der Kondensatorgegenelektroden von sämtlichen anderen Elektroden sowie von den Steuerleitungen wird erreicht, daß die über die Kondensatoren vorgenommene Ansteuerung der elektrooptischen Schicht unbeeinflußt von Signalen auf den genannten Leitungen und Elektroden erfolgt.
Nachfolgend soll die Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert werden; in dieser zeigt
Fig. 1 eine perspektivische Ansicht eines ausgewählten Ausschnittes aus der erfindungsgemäßen Anzeigevorrichtung;
Fig. 2 eine Draufsicht auf die Anzeigevorrichtung von Fig. 1;
Fig. 3 ein elektrisches Schaltbild der Anzeigevorrichtung von Fig. 1; und
Fig. 4 eine Draufsicht auf eine weitere Ausführungsform der erfindungsgemäßen Anzeigevorrichtung.
In den Fig. 1 und 2 ist der Aufbau einer Anzeigevorrichtung veranschaulicht. Mit dem Bezugszeichen S ist ein elektrisch isolierendes Substrat aus einem lichtdurchlässigen Material wie beispielsweise Glas bezeichnet. Auf dem Substrat S ist eine Vielzahl von Steuerleitungen 1a, 1a′, 1a′′ . . . parallel zueinander ausgebildet, die durch einen vorbestimmten Spalt voneinander getrennt sind. Des weiteren sind auf dem Substrat S elektrisch leitende Dünnschichtstreifen 1b, 1b′ . . . parallel zueinander ausgebildet. Die elektrisch leitenden Dünnschichtstreifen 1b, 1b′ . . . sind gegenüber den Steuerleitungen 1a, 1a′, 1a′′ . . . durch vorbestimmte Spalte 1c, 1c′, 1c′′, 1c′′′ . . . getrennt. Auf den Steuerleitungen 1a, 1a′, 1a′′ . . . und den elektrisch leitenden Dünnschichtstreifen 1b, 1b′ . . . ist eine Isolierschicht I ausgebildet. Auf dieser Isolierschicht I befinden sich an vorbestimmten Stellen dünne Halbleiterschichten 2, die aus CdS, CdSe und dergleichen hergestellt sind. Die dünnen Halbleiterschichten 2 bilden eine flächenartige Dünnschicht- Transistoranordnung, welche ein steuerndes Schaltelement darstellt. Die Halbleiterschichten 2 sind in einer Matrix unter Abständen vorgegebener Breite oberhalb der Steuerleitungen 1a, 1a′, 1a′′ . . . regelmäßig angeordnet. An einem Ende, im Falle von Fig. 1 am linken Ende der Halbleiterschichten 2 sind in ohmschen Kontakt Source-Leitungen 3, 3′ . . . angebracht. Die Source-Leitungen 3, 3′ . . . sind zusammen mit den Halbleiterschichten 2 ausgerichtet. Dies bedeutet mit anderen Worten, daß die Source-Leitungen 3, 3′ parallel zueinander in Richtung senkrecht zu den Steuerleitungen 1a, 1a′, 1a′′ . . . verlaufen. Die Halbleiterschichten 2 sind dabei an den Kreuzungsstellen der Source-Leitungen 3, 3′ . . . und Steuerleitungen 1a, 1a′, 1a′′ . . . angeordnet. An den von den Source-Leitungen 3, 3′ . . . und Steuerleitungen 1a, 1a′, 1a′′ . . . umgebenen Bereichen sind rechteckförmige Drain-Elektroden 4, 4′, 4′′ angebracht. Ein Teil jeder Drain-Elektrode ist verlängert, um einen ohmschen Kontakt mit dem anderen Ende, im Falle von Fig. 1 mit dem rechten Ende der jeweils zugeordneten Halbleiterschicht 2 zu bilden. Die Drain-Elektroden 4, 4′, 4′′ stellen die Drain-Abschnitte der von den Halbleiterschichten 2 gebildeten Dünnschicht- Transistoren dar und werden als Anzeigeelektroden verwendet. Für die Konstruktion einer Anzeigevorrichtung vom Lichtübertragungstyp werden daher die Drain-Elektroden in Form einer lichtdurchlässigen, elektrisch leitenden Dünnschicht aus In₂O₃, SnO₂ und dergleichen hergestellt. Für eine Anzeigevorrichtung vom Reflexionstyp werden die Drain-Elektroden in Form einer metallischen Dünnschicht aus Gold, Aluminium, Palladium und dergleichen hergestellt.
Bei einem auf die vorstehend beschriebene Weise aufgebauten Anzeigeelektrodensubstrat sind die Steuerleitungen 1a, 1a′, 1a′′ . . . und die davon getrennten elektrisch leitenden Dünnschichtstreifen 1b, 1b′ . . . bezüglich der Drain-Elektroden 4, 4′, 4′′ . . . gegenüberliegend angeordnet, und zwar durch die Isolierschicht I getrennt. Auf diese Weise werden Kondensatoren zur Speicherung von Ladungen gebildet, welche Steuersignale darstellen. Fig. 3 zeigt das elektrische Ersatzschaltbild einer Anzeigevorrichtung, die unter Verwendung von vorstehend beschriebenen Anzeigeelektrodensubstraten und unter Zwischenschaltung eines Flüssigkristalles zwischen Gegenelektrodensubstraten aufgebaut ist. In Fig. 3 ist mit dem Bezugszeichen T 1 ein Feldeffekttransistor bezeichnet, welcher an der Kreuzungsstelle einer Steuerleitung 1a und einer Source-Leitung 3 gebildet ist. Das Anzeigemedium LC 1, im betrachteten Beispielsfalle ein Flüssigkristall, ist zwischen der Drain-Elektrode 4 des Transistors T 1 und der geerdeten Gegenelektrode 8 angeordnet.
Des weiteren ist in Fig. 3 mit dem Bezugszeichen C 1 ein Kondensator bezeichnet, der von den Drain-Elektroden 4 und den elektrisch leitenden Dünnschichtstreifen 1b gebildet wird. Wie aus Fig. 3 ersichtlich ist, ist der Kondensator C 1 unabhängig von den Steuerleitungen 1a und 1a′. Dies bedeutet, daß die als Gegenelektroden der Kondensatoren verwendeten elektrisch leitenden Dünnschichtstreifen 1b, 1b′ . . . unabhängig von den Steuerleitungen 1a, 1a′, 1a′′ elektrisch betrieben werden können. Hierdurch kann die an der Gegenelektrode des Kondensators C 1 angelegte Spannung ohne Rücksicht bzgl. des Signals auf der Steuerleitung gewählt werden. In diesem Punkt unterscheidet sich die vorstehend beschriebene Anzeigevorrichtung von herkömmlichen Anzeigevorrichtungen. Der einfachste Fall für die Wahl einer Spannung für die Gegenelektrode des Kondensators C 1 besteht darin, die Gegenlelektrode des Kondensators C 1 auf Erdpotential zu legen. In diesem Falle ist die Klemme VB des elektrisch leitenden Dünnschichtstreifens 1b mit dem niedrigeren Erdpotential verbunden. Bei der Durchführung einer derartigen Verbindung wird die in dem Kondensator C 1 gespeicherte Ladung von dem Spannungszustand auf den Steuerleitungen 1a und 1a′ nicht beeinflußt. Damit lassen sich auf einfache Weise die Betriebsspannung genau steuern sowie eine stets stabile Anzeige unabhängig vom Spannungszustand auf den Steuerleitungen 1a und 1a′ erzielen.
Eine weitere Möglichkeit zum Anlegen von Potential an die Gegenelektrode des Kondensators C 1 besteht darin, eine vorbestimmte Vorspannung an die Klemme VB anzulegen. Auch in diesem Falle wird die in dem Kondensator C 1 gespeicherte Ladung durch den Spannungszustand auf den Steuerleitungen 1a und 1a′ nicht beeinflußt. Damit läßt sich auch in diesem Falle die gleiche Wirkung wie vorstehend erwähnt erzielen. Wenn ferner in dem zuletzt betrachteten Falle ein elektrooptisches Element, wie beispielsweise ein Flüssigkristall, mit konstanten Schwellwerteigenschaften verwendet wird, kann die Spannung eines eingangsseitigen Schreibsignals auf den der Vorspannung entsprechenden Wert durch Anlegen einer Vorspannung an das elektrooptische Element gesetzt werden, welcher geringfügig niedriger als die Schwellenwertspannung ist. Wenn des weiteren die Anzeigevorrichtung derart aufgebaut ist, daß die Vorspannung durch einen Eingriff von außen wahlweise geändert werden kann, kann der Spannungs-Arbeitspunkt der elektrooptischen Kennlinien des Flüssigkristalls auf den gleichen Wert wie das eingangsseitige Schreibsignal geändert werden. Dies bedeutet, daß sich die Helligkeit in einem Bereich steuern läßt, in dem sich der Arbeitspunkt linear ändert und daß sich die Kontrast-Kennlinien in einem anderen Bereich steuern lassen, in dem sich der Arbeitspunkt nicht-linear ändert. Wenn des weiteren eine Anzeigevorrichtung wie beispielsweise ein Flüssigkristall verwendet wird, bei welchem sich die elektrooptischen Eigenschaften in Abhängigkeit von Temperaturänderungen verändern, kann eine gegenüber Temperaturänderungen stabile Anzeige stets dadurch erreicht werden, daß als Vorspannung eine Temperaturkompensationsspannung angelegt wird.
Wie vorstehend bereits erläutert wurde, besitzt die vorstehend beschriebene Anzeigevorrichtung in der Praxis äußerst günstige Wirkungen für den Betrieb der Steuerschaltung. Diese Anzeigevorrichtung besitzt ferner den Vorteil, daß im Vergleich zu den Herstellungsverfahren für herkömmliche Anzeigevorrichtungen das Herstellungsverfahren problemlos ist, da die als Gegenelektroden für die Kondensatoren verwendeten Dünnschichtstreifen 1b, 1b′ . . . auf dem gleichen isolierenden Substrat S wie die Steuerleitungen 1a, 1a′, 1a′′ hergestellt werden. Damit lassen sich die Gegenelektroden gleichzeitig mit den Steuerleitungen herstellen. Zunächst wird eine dünne Isolierschicht auf der gesamten Anzeigefläche der Oberfläche eines isolierenden Substrates S aus Glas oder dgl. hergestellt. Im Falle einer Anzeigevorrichtung vom Reflexionstyp wird die dünne Isolierschicht aus Metall wie beispielsweise Aluminium und dgl. hergestellt. Im Falle einer Anzeigevorrichtung vom Lichtübertragungstyp wird die dünne Isolierschicht aus einem transparenten, elektrisch leitenden Material wie beispielsweise In₂O₃ und dergleichen hergestellt. Anschließend werden die zur elektrischen Trennung erforderlichen Spalte 1c, 1c′, 1c′′, 1c′′′ . . . in vorbestimmter Breite mit Hilfe eines fotolithographischen Verfahrens oder dergleichen aus der dünnen Isolierschicht entfernt. Die anschließenden Verfahrensschritte sind dann die gleichen wie bei herkömmlichen Herstellungsverfahren für Anzeigevorrichtungen. Dies bedeutet, daß eine Isolierschicht I aus SiO₂, Al₂O₃, Si₃N₄ oder dergleichen auf der gesamten Oberfläche der Steuerleitungen, der Gegenelektroden und der Spalte hergestellt wird. Ferner werden Halbleiterschichten 2 an bestimmten Stellen auf der Isolierschicht ausgebildet. Im folgenden werden Source-Leitungen 3, 3′ in ohmschen Kontakt mit den einen Enden der Halbleiterschichten 2 hergestellt, während die anderen Enden der Halbleiterschichten mit Drain-Elektroden 4, 4′, 4′′ . . . verbunden werden. Im Falle einer Anzeigevorrichtung vom Reflexionstyp werden die Source-Leitungen 3, 3′ . . . und die Drain-Elektroden 4, 4′, 4′′ . . . aus einer dünnen Metallschicht aus Aluminium und dergleichen auf die gleiche Weise wie die Isolierschicht hergestellt. Bei Verwendung von Halbleitermaterialien wie SC, CdS, CdSe, Te, amorphem Silizium und dergleichen kann gegebenenfalls eine nichtaktive Dünnschicht bzw. eine Abschirmschicht für einen Halbleiterbereich auf den Halbleiterschichten 2 in geeigneter Weise ausgebildet werden. Zwischen das auf diese Weise hergestellte Anzeigeelektrodensubstrat und ein Gegenelektrodensubstrat wird mit Hilfe eines Abstandhalters ein Flüssigkristall angebracht, worauf die Umfangsfläche des Flüssigkristalls abgedichtet wird und die Anzeigevorrichtung fertig ist.
Bei dem vorstehend erläuterten Ausführungsbeispiel einer Anzeigevorrichtung wird jeder als Gegenelektrode von Kondensatoren verwendeter, elektrisch leitender Dünnschichtstreifen 1b und 1b′ bezüglich jeder Drain-Elektrode 4, 4′ oder 4′′ so angeschlossen, daß er unterhalb der gesamten zugeordneten Drain-Elektroden verläuft, wobei die Streifen 1b und 1b′ miteinander elektrisch nicht verbunden sind. Zum Anlegen einer Spannung an die Gegenelektroden der Kondensatoren ist es daher erforderlich, die elektrisch leitenden Dünnschichtstreifen 1b und 1b′ getrennt voneinander an der Außenseite der Anzeigevorrichtung anzuschließen. Alternativ läßt sich auch ein Aufbau vorsehen, wie er anhand von Fig. 4 erläutert ist. Hierbei ist ein gemeinsamer Verbindungsbereich b in Richtung senkrecht zu den elektrisch leitenden Dünnschichtstreifen 1b und 1b′ in einem Bereich jenseits einer Anzeigezone auf dem vorstehend erwähnten Substrat S ausgebildet, um die elektrisch leitenden Dünnschichtstreifen 1b′ und 1b′′ gemeinsam zu verbinden. Bei dieser Ausbildung ist es nicht erforderlich, jeden elektrisch leitenden Dünnschichtstreifen 1b′ und 1b′′ auf der Außenseite der Anzeigevorrichtung anzuschließen, womit sich die Anzahl der Klemmen für die Anschlußschaltung an der Außenseite der Anzeigevorrichtung verringern läßt.
Bei den vorstehend erläuterten Ausführungsformen einer Anzeigevorrichtung ist für jeden Transistor der flächenhaften Dünnschicht-Transistoranordnung eine gesonderte Halbleiterschicht 2 vorgesehen. Es ist jedoch gleichermaßen möglich, eine für sämtliche Transistoren gemeinsame Halbleiterschicht in integrierter Schaltkreistechnik vorzusehen. In diesem Falle muß jedoch wegen der zwischen den Drain-Elektroden und den Gegenelektroden der Kondensatoren vorhandenen Halbleiterschicht den Auswirkungen auf die Kondensatoren hinreichend Rechnung getragen werden.
Bei den vorstehend erläuterten Ausführungsformen einer Anzeigevorrichtung wird als Anzeigemedium für die elektrooptischen Übergänge ein Flüssigkristall verwendet, da für ein solches Anzeigemedium ein Flüssigkristall am gebräuchlichsten ist. Alternativ hierzu kann die vorstehend beschriebene Anzeigevorrichtung auch unter Verwendung eines Elektro- Chromismus-Anzeigemediums aufgebaut werden. Die üblichen Anzeigemedien sind nach dem derzeitigen Stand der Technik durch die Eigenschaften von Dünnschicht-Transistoren beschränkt. Mit der Verbesserung der Eigenschaften von Dünnschicht- Transistoren kann erwartet werden, daß die Typenanzahl verwendbarer Anzeigemedien in Zukunft größer wird. Dies bedeutet, daß generell ein Anzeigemedium verwendet werden kann, welches in der Lage ist, eine elektrischen Übergang in einen chemischen Übergang umzuwandeln.
Die durch die vorstehend beschriebene Anordnung erzielten Wirkungen sollen nachstehend nochmals zusammengefaßt werden:
  • 1. Die Schreib-Steuerspannung kann ohne Rücksicht auf Spannungsänderungen an den Steuerleitungen gewählt werden, da die Gegenelektroden der Kondensatoren unabhängig von den Steuerleitungen hergestellt werden. Damit läßt sich die Betriebsspannung auf einfache Weise ganau steuern.
  • 2. Eine stabile Anzeige läßt sich ohne Änderung des Anzeigezustandes durch Spannungsänderung an den Steuerleitungen erreichen. Da die Spannung der Gegenelektroden der Kondensatoren frei wählbar ist, läßt sich die Steuerung der Treiberspannung, der Helligkeit, des Kontrastes und dergleichen durch geeignete Wahl und Steuerung der Spannung an den Gegenelektroden der als Anzeigevorrichtung verwendeten Kondensatoren erreichen.
  • 3. Die in Rede stehende Anzeigevorrichtung besitzt günstige Wirkungen bezüglich des Betriebs der Steuerschaltung, da sie aufgrund ihres sehr einfachen Aufbaues ohne Vergrößerung der Anzahl der Herstellungsschritte hergestellt werden kann.

Claims (4)

1. Anzeigevorrichtung mit
  • - einer Substratschicht,
  • - einer Mehrzahl in Gestalt einer Matrix auf dem Substrat angeordneten Dünnschichttransistoren, die jeweils aus einer Gate-, einer Source- und einer Drain-Elektrode und einer Halbleiterschicht bestehen,
  • - Kondensatoren, die jeweils von einer Drain-Elektrode, einer leitenden Schicht und einer zwischen Drain-Elektrode und leitender Schicht liegenden Isolierschicht gebildet sind,
  • - einer elektrooptischen Schicht zwischen der Dünnschichtanordnung und der darüberliegenden Substratschicht,
  • - Mittel zum Zuführen einer Vorspannung, die kleiner ist als die Schwellenspannung der elektrooptischen Schicht, an die die Kondensatorgegenelektroden bildende leitende Schicht
  • - und auf der Substratschicht angeordneten Steuerleitungen,
dadurch gekennzeichnet, daß die Kondensatorgegenelektroden (1b) von sämtlichen anderen Elektroden (3, 4) sowie von den Steuerleitungen (1a) isoliert sind.
2. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Steuerung der an die Kondensatorgegenelektroden (1b) angelegten Vorspannung V(B) zur Einstellung des Arbeitspunktes der elektrooptischen Schicht.
3. Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die die Kondensatorgegenelektroden bildende leitende Schicht (1b) innerhalb derselben Ebene parallel zur jeweiligen Gate-Elektrode (4) verläuft.
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Families Citing this family (120)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3113041A1 (de) * 1980-04-01 1982-01-28 Canon K.K., Tokyo Verfahren und vorrichtung zur anzeige von informationen
US6900463B1 (en) 1980-06-30 2005-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
GB2122419B (en) * 1982-04-30 1986-10-22 Suwa Seikosha Kk A thin film transistor and an active matrix liquid crystal display device
DE3374726D1 (en) * 1982-12-22 1988-01-07 Seiko Instr Inc Method for manufacturing a multicolour filter and a multicolour display device
JPS59137930A (ja) * 1983-01-28 1984-08-08 Fuji Photo Film Co Ltd カラ−光プリンタヘツド
GB2140203B (en) * 1983-03-15 1987-01-14 Canon Kk Thin film transistor with wiring layer continuous with the source and drain
JPS6023834A (ja) * 1983-07-19 1985-02-06 Seiko Instr & Electronics Ltd マトリクス型多色表示装置用基板の製造方法
JPS6045219A (ja) * 1983-08-23 1985-03-11 Toshiba Corp アクテイブマトリクス型表示装置
JPS6079331A (ja) * 1983-10-07 1985-05-07 Citizen Watch Co Ltd カラ−液晶表示装置の製造方法
DE3345014A1 (de) * 1983-12-13 1985-06-13 Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart Blende fuer fluessigkristallanzeigen
US4678285A (en) * 1984-01-13 1987-07-07 Ricoh Company, Ltd. Liquid crystal color display device
JPS60218627A (ja) * 1984-04-13 1985-11-01 Sharp Corp カラ−液晶表示装置
DE3514807C2 (de) * 1984-04-25 1994-12-22 Canon Kk Vorrichtung mit einer Flüssigkristallzelle, zum Ansteuern einer Transistoranordnung
FR2569293B1 (fr) * 1984-08-16 1986-11-14 Commissariat Energie Atomique Ecran matriciel polychrome sans couplage entre les lignes et les colonnes
FR2571526B1 (fr) * 1984-08-22 1991-02-08 Canon Kk Panneau d'affichage et son procede de commande
US4732456A (en) * 1984-08-28 1988-03-22 Taliq Corporation Scattering display for contrast enhancement including target
JPS61143787A (ja) * 1984-12-17 1986-07-01 キヤノン株式会社 カラ−表示パネル
FR2579806B1 (fr) * 1985-03-26 1987-05-07 Morin Francois Procede de fabrication d'un ecran d'affichage a cristaux liquides et a reseau de diodes
US4904056A (en) * 1985-07-19 1990-02-27 General Electric Company Light blocking and cell spacing for liquid crystal matrix displays
US4828370A (en) * 1985-10-04 1989-05-09 Seiko Instruments & Electronics Ltd. Switching element with nonlinear resistive, nonstoichiometric material
US4917471A (en) * 1986-08-30 1990-04-17 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device
JPH0713715B2 (ja) * 1987-01-22 1995-02-15 ホシデン株式会社 カラ−液晶表示素子
DE3851557T2 (de) * 1987-03-18 1995-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Videoprojektor.
JPS6459318A (en) * 1987-08-18 1989-03-07 Ibm Color liquid crystal display device and manufacture thereof
JPH01102434A (ja) * 1987-10-15 1989-04-20 Sharp Corp マトリックス型液晶表示パネル
US5204659A (en) * 1987-11-13 1993-04-20 Honeywell Inc. Apparatus and method for providing a gray scale in liquid crystal flat panel displays
US4949141A (en) * 1988-02-04 1990-08-14 Amoco Corporation Vertical gate thin film transistors in liquid crystal array
US5153568A (en) * 1988-07-21 1992-10-06 Proxima Corporation Liquid crystal display panel system and method of using same
EP0376329B1 (de) * 1988-12-28 1995-03-08 Sony Corporation Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung
US4961630A (en) * 1989-03-15 1990-10-09 Ovonic Imaging Systems, Inc. Liquid crystal display with auxiliary pixel capacitance interconnected through substrate
US5155612A (en) * 1989-06-09 1992-10-13 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device with light shield
FR2648573B1 (fr) * 1989-06-14 1991-08-30 Thomson Csf Dispositif de visualisation pour viseur de casque ergonomique a grand champ d'observation
KR940005124B1 (ko) * 1989-10-04 1994-06-11 호시덴 가부시기가이샤 액정표시소자
US5392143A (en) * 1989-11-30 1995-02-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display having drain and pixel electrodes linkable to a wiring line having a potential
JP2538086B2 (ja) * 1990-01-11 1996-09-25 松下電器産業株式会社 液晶表示デバイスおよびその製造方法
JPH03231288A (ja) * 1990-01-30 1991-10-15 Proxima Corp 液晶表示パネル装置及びその使用法
EP0717303B1 (de) * 1990-05-11 2003-05-02 Sharp Kabushiki Kaisha Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix , Verfahren zu ihrer Herstellung und Verfahren zur Behandlung defekter Pixel
JPH0421823A (ja) * 1990-05-16 1992-01-24 Hosiden Corp 液晶表示素子の点欠陥の黒欠陥化法及び液晶表示素子
JP2711015B2 (ja) * 1990-07-25 1998-02-10 三菱電機株式会社 マトリクス形表示装置
JPH04120511A (ja) * 1990-09-11 1992-04-21 Sharp Corp 液晶表示装置
US5206749A (en) * 1990-12-31 1993-04-27 Kopin Corporation Liquid crystal display having essentially single crystal transistors pixels and driving circuits
JPH04274410A (ja) * 1990-12-13 1992-09-30 Samsung Electron Devices Co Ltd 液晶表示素子用カラーフィルター
US5661371A (en) * 1990-12-31 1997-08-26 Kopin Corporation Color filter system for light emitting display panels
US5751261A (en) * 1990-12-31 1998-05-12 Kopin Corporation Control system for display panels
US5444557A (en) * 1990-12-31 1995-08-22 Kopin Corporation Single crystal silicon arrayed devices for projection displays
US5146356A (en) * 1991-02-04 1992-09-08 North American Philips Corporation Active matrix electro-optic display device with close-packed arrangement of diamond-like shaped
US5289030A (en) 1991-03-06 1994-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with oxide layer
US5307189A (en) * 1991-03-05 1994-04-26 Oki Electric Industry Co., Ltd. Active-matrix-addressed liquid crystal with conductor collecting lines of force emanating from data electrode
JPH07119919B2 (ja) * 1991-05-15 1995-12-20 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液晶表示装置
US5173791A (en) * 1991-08-23 1992-12-22 Rockwell International Corporation Liquid crystal display pixel with a capacitive compensating transistor for driving transistor
US6979840B1 (en) * 1991-09-25 2005-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistors having anodized metal film between the gate wiring and drain wiring
JP2989952B2 (ja) * 1992-01-13 1999-12-13 日本電気株式会社 アクティブマトリクス液晶表示装置
EP0554061B1 (de) * 1992-01-30 1998-05-13 Canon Kabushiki Kaisha Flüssigkristallanzeige
US6624450B1 (en) 1992-03-27 2003-09-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
US5576857A (en) * 1992-04-02 1996-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device with transistors and capacitors method of driving the same
ATE173839T1 (de) * 1992-09-11 1998-12-15 Kopin Corp Farbfiltersystem fuer anzeigetafeln
US5552911A (en) * 1992-10-19 1996-09-03 Canon Kabushiki Kaisha Color liquid crystal display device having varying cell thickness and varying pixel areas
US5537232A (en) * 1993-10-05 1996-07-16 In Focus Systems, Inc. Reflection hologram multiple-color filter array formed by sequential exposure to a light source
US5936604A (en) * 1994-04-21 1999-08-10 Casio Computer Co., Ltd. Color liquid crystal display apparatus and method for driving the same
US5748277A (en) * 1995-02-17 1998-05-05 Kent State University Dynamic drive method and apparatus for a bistable liquid crystal display
US6154190A (en) * 1995-02-17 2000-11-28 Kent State University Dynamic drive methods and apparatus for a bistable liquid crystal display
JP3014291B2 (ja) * 1995-03-10 2000-02-28 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液晶表示パネル、液晶表示装置及び液晶表示パネルの製造方法
US5757456A (en) * 1995-03-10 1998-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating involving peeling circuits from one substrate and mounting on other
US6144435A (en) 1995-04-28 2000-11-07 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device, process for producing same and liquid crystal apparatus
US6372534B1 (en) 1995-06-06 2002-04-16 Lg. Philips Lcd Co., Ltd Method of making a TFT array with photo-imageable insulating layer over address lines
US5994721A (en) * 1995-06-06 1999-11-30 Ois Optical Imaging Systems, Inc. High aperture LCD with insulating color filters overlapping bus lines on active substrate
JP3296719B2 (ja) * 1995-07-14 2002-07-02 キヤノン株式会社 カラー液晶表示素子及び該カラー液晶表示素子の製造方法
US7289174B1 (en) * 1995-07-17 2007-10-30 Seiko Epson Corporation Reflective type color liquid crystal device and an electronic apparatus using this
JP3027541B2 (ja) * 1995-09-27 2000-04-04 シャープ株式会社 液晶表示装置
US6943769B1 (en) * 1995-12-01 2005-09-13 Texas Instruments Incorporated Display device for portable notebook computer
US6320639B1 (en) * 1996-03-11 2001-11-20 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device and process for production thereof
JP3065527B2 (ja) * 1996-03-27 2000-07-17 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ−ション 液晶デイスプレイモジュール
JP2907137B2 (ja) * 1996-08-05 1999-06-21 日本電気株式会社 液晶表示装置
US20010043175A1 (en) * 1996-10-22 2001-11-22 Masahiro Yasukawa Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic equipment and projection type display device both using the same
EP1382992B1 (de) 1996-10-22 2012-11-14 Seiko Epson Corporation Reflektierende Flüssigkristalltafel
US7872728B1 (en) 1996-10-22 2011-01-18 Seiko Epson Corporation Liquid crystal panel substrate, liquid crystal panel, and electronic device and projection display device using the same
JPH10268292A (ja) * 1997-01-21 1998-10-09 Sharp Corp カラーフィルタ基板およびカラー液晶表示素子
US5764324A (en) * 1997-01-22 1998-06-09 International Business Machines Corporation Flicker-free reflective liquid crystal cell
US6268840B1 (en) 1997-05-12 2001-07-31 Kent Displays Incorporated Unipolar waveform drive method and apparatus for a bistable liquid crystal display
US6133895A (en) * 1997-06-04 2000-10-17 Kent Displays Incorporated Cumulative drive scheme and method for a liquid crystal display
WO1999010868A1 (en) 1997-08-26 1999-03-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Display device
US6011274A (en) * 1997-10-20 2000-01-04 Ois Optical Imaging Systems, Inc. X-ray imager or LCD with bus lines overlapped by pixel electrodes and dual insulating layers therebetween
US6359672B2 (en) 1997-10-20 2002-03-19 Guardian Industries Corp. Method of making an LCD or X-ray imaging device with first and second insulating layers
US6259504B1 (en) 1997-12-22 2001-07-10 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Liquid crystal display having split data lines
US6268839B1 (en) 1998-05-12 2001-07-31 Kent State University Drive schemes for gray scale bistable cholesteric reflective displays
US6204835B1 (en) 1998-05-12 2001-03-20 Kent State University Cumulative two phase drive scheme for bistable cholesteric reflective displays
US6693698B2 (en) * 1998-07-22 2004-02-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Display device
JP2000047189A (ja) * 1998-07-28 2000-02-18 Sharp Corp 液晶表示素子
US6320563B1 (en) 1999-01-21 2001-11-20 Kent State University Dual frequency cholesteric display and drive scheme
US6646692B2 (en) * 2000-01-26 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid-crystal display device and method of fabricating the same
US6825488B2 (en) * 2000-01-26 2004-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6690437B2 (en) 2000-04-18 2004-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
US6580475B2 (en) * 2000-04-27 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
US7804552B2 (en) * 2000-05-12 2010-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device with light shielding portion comprising laminated colored layers, electrical equipment having the same, portable telephone having the same
TW507192B (en) * 2000-09-18 2002-10-21 Sanyo Electric Co Display device
US7023409B2 (en) 2001-02-09 2006-04-04 Kent Displays, Incorporated Drive schemes for gray scale bistable cholesteric reflective displays utilizing variable frequency pulses
TWI248531B (en) * 2001-03-30 2006-02-01 Au Optronics Corp Flat panel display and method for forming the same
US6566160B2 (en) * 2001-06-21 2003-05-20 United Microelectronics Corp. Method of forming a color filter
US7081704B2 (en) 2002-08-09 2006-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TW594231B (en) * 2002-11-20 2004-06-21 Hannstar Display Corp A method of utilizing color photoresist to form black matrix and spacers on a control circuit substrate
KR100905409B1 (ko) * 2002-12-26 2009-07-02 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
US7274347B2 (en) * 2003-06-27 2007-09-25 Texas Instruments Incorporated Prevention of charge accumulation in micromirror devices through bias inversion
TWI362644B (en) 2003-01-16 2012-04-21 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device and manufacturing method therof
TWI380080B (en) * 2003-03-07 2012-12-21 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR100710166B1 (ko) * 2003-06-28 2007-04-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그의 제조방법
JP3888346B2 (ja) * 2003-10-29 2007-02-28 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置及び電子機器
JP4889209B2 (ja) * 2004-07-21 2012-03-07 シャープ株式会社 カラーフィルタ基板及びその製造方法、並びに、液晶表示装置
JP4042725B2 (ja) * 2004-08-17 2008-02-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器
US20060193028A1 (en) * 2005-02-28 2006-08-31 Satyadev Patel Method of repairing micromirrors in spatial light modulators
US7375873B2 (en) * 2005-02-28 2008-05-20 Texas Instruments Incorporated Method of repairing micromirrors in spatial light modulators
KR101256184B1 (ko) * 2005-08-01 2013-04-19 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치
TWI294537B (en) * 2005-08-08 2008-03-11 Innolux Display Corp Liquid crystal panel and liquid crystal display device uasing the same
US8049851B2 (en) 2007-06-26 2011-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a liquid crystal display device having a second orientation film surrounding a first orientation film
KR101579487B1 (ko) * 2008-10-28 2015-12-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2011013618A (ja) * 2009-07-06 2011-01-20 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
KR101754799B1 (ko) * 2010-03-26 2017-07-07 삼성전자주식회사 화소 회로, 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 구동방법
TWI518381B (zh) 2013-03-08 2016-01-21 元太科技工業股份有限公司 彩色濾光片與顯示器
CN105867039A (zh) * 2016-06-21 2016-08-17 武汉华星光电技术有限公司 一种液晶面板、其制作方法及显示器
WO2018042664A1 (ja) * 2016-09-05 2018-03-08 堺ディスプレイプロダクト株式会社 表示パネル、表示装置及び表示パネルの製造方法
TWI814573B (zh) * 2022-09-07 2023-09-01 致伸科技股份有限公司 具有光線調整結構之鍵盤裝置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3824003A (en) * 1973-05-07 1974-07-16 Hughes Aircraft Co Liquid crystal display panel
DE2553739A1 (de) * 1974-12-09 1976-06-10 Hughes Aircraft Co Transistorfeld zum ansteuern eines optischen mediums und verfahren zu dessen herstellung

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2872492A (en) * 1956-03-29 1959-02-03 Universal Oil Prod Co Production of aromatics in the presence of nitrogen compounds
JPS5148733B2 (de) * 1971-08-13 1976-12-22
US3872492A (en) * 1972-07-26 1975-03-18 Energy Conversion Devices Inc Radiation hardened field effect transistor
US3840695A (en) * 1972-10-10 1974-10-08 Westinghouse Electric Corp Liquid crystal image display panel with integrated addressing circuitry
JPS5942287B2 (ja) * 1972-12-19 1984-10-13 松下電器産業株式会社 色相変調表示装置
US3837730A (en) * 1973-11-28 1974-09-24 Bell Telephone Labor Inc Matrix-addressed liquid crystal display
JPS5328102B2 (de) * 1973-04-16 1978-08-12
US3862360A (en) * 1973-04-18 1975-01-21 Hughes Aircraft Co Liquid crystal display system with integrated signal storage circuitry
US3863332A (en) * 1973-06-28 1975-02-04 Hughes Aircraft Co Method of fabricating back panel for liquid crystal display
JPS5173895A (ja) * 1974-12-23 1976-06-26 Suwa Seikosha Kk Ekishohyojisochi
US4006968A (en) * 1975-05-02 1977-02-08 Hughes Aircraft Company Liquid crystal dot color display
US4040073A (en) * 1975-08-29 1977-08-02 Westinghouse Electric Corporation Thin film transistor and display panel using the transistor
US3991416A (en) * 1975-09-18 1976-11-09 Hughes Aircraft Company AC biased and resonated liquid crystal display
CH609193B5 (fr) * 1976-02-25 1979-08-31 Ebauches Sa Cellule d'affichage électro-optique passif et procédé pour sa fabrication
US4042294A (en) * 1976-03-17 1977-08-16 Micro Display Systems Inc Illuminated electro-optical display apparatus
US4094057A (en) * 1976-03-29 1978-06-13 International Business Machines Corporation Field effect transistor lost film fabrication process
GB1543599A (en) * 1976-05-04 1979-04-04 Standard Telephones Cables Ltd Liquid crystal cell
CH600367A5 (de) * 1976-08-10 1978-06-15 Bbc Brown Boveri & Cie
JPS5375785A (en) * 1976-12-16 1978-07-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device and its manufacture
JPS6030956B2 (ja) * 1977-01-10 1985-07-19 松下電器産業株式会社 カラ−画像表示装置の製造方法
DE2735195C2 (de) * 1977-08-04 1982-05-06 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Blendfreier Rückspiegel
DE2837433C2 (de) * 1977-08-30 1985-02-14 Sharp K.K., Osaka Flüssigkristall-Anzeigetafel in Matrixanordnung
JPS5845028B2 (ja) * 1978-03-27 1983-10-06 シャープ株式会社 マトリックス型液晶表示装置
JPS5919339B2 (ja) * 1977-08-30 1984-05-04 シャープ株式会社 マトリツクス型液晶表示装置
US4127861A (en) * 1977-09-26 1978-11-28 International Business Machines Corporation Metal base transistor with thin film amorphous semiconductors
US4389096A (en) * 1977-12-27 1983-06-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Image display apparatus of liquid crystal valve projection type
DE2953769C2 (de) * 1978-02-08 1985-02-14 Sharp K.K., Osaka Flüssigkristall-Anzeigematrix mit Dünnfilmtransistor-Anordnung
JPS5910710B2 (ja) * 1978-05-30 1984-03-10 大日本塗料株式会社 気体放電発光素子
IL55032A (en) * 1978-06-29 1984-05-31 Stolov Michael Color picture display system including electronically controlled slides
JPS5512950A (en) * 1978-07-13 1980-01-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd Color image display
JPS5544461A (en) * 1978-09-26 1980-03-28 Hitachi Construction Machinery Hydraulic winch drive gear
JPS5545941A (en) * 1978-09-29 1980-03-31 Nisshin Kogyo Kk Method of waterproofing
JPS5566238A (en) * 1978-11-09 1980-05-19 Tokyo Shibaura Electric Co Magnet type ac generator overvoltage preventing circuit
NL7812214A (nl) * 1978-12-15 1980-06-17 Philips Nv Weergeefinrichting met een vloeibaar kristal.
GB2042238B (en) * 1979-02-14 1982-12-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Drive circuit for a liquid crystal display panel
GB2050668B (en) * 1979-05-28 1983-03-16 Suwa Seikosha Kk Matrix liquid crystal display system
JPS55159493A (en) * 1979-05-30 1980-12-11 Suwa Seikosha Kk Liquid crystal face iimage display unit
US4448491A (en) * 1979-08-08 1984-05-15 Canon Kabushiki Kaisha Image display apparatus
US4431271A (en) * 1979-09-06 1984-02-14 Canon Kabushiki Kaisha Display device with a thin film transistor and storage condenser
US4304465A (en) * 1979-10-29 1981-12-08 International Business Machines Corporation Electrochromic display device
GB2064177B (en) * 1979-11-17 1983-06-08 Racal Res Ltd Automatic control of capacitance
DE3113041A1 (de) * 1980-04-01 1982-01-28 Canon K.K., Tokyo Verfahren und vorrichtung zur anzeige von informationen
US4390874A (en) * 1981-01-09 1983-06-28 Texas Instruments Incorporated Liquid crystal display system having improved temperature compensation
US4448941A (en) * 1981-12-07 1984-05-15 Ford Motor Company Resin binder for fiber composite materials
US4410687A (en) * 1982-11-29 1983-10-18 Ppg Industries, Inc. Polyester dispersants for coating compositions

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3824003A (en) * 1973-05-07 1974-07-16 Hughes Aircraft Co Liquid crystal display panel
DE2553739A1 (de) * 1974-12-09 1976-06-10 Hughes Aircraft Co Transistorfeld zum ansteuern eines optischen mediums und verfahren zu dessen herstellung

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