DE3117571A1 - Lumineszenz-halbleiterbauelement - Google Patents

Lumineszenz-halbleiterbauelement

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Description

Licentia Patent-Verwaltungs-G.m.b.H. Theodor-Stern-Kai 1, 6000 Prankfurt 70
Heilbronn, den 16.04.81 Z13-HN-Ma/lü - HN 80/27
Lumineszenz-Halbleiterbauelement
Die Erfindung betrixft ein Lumineszenz-Halbleiterbauelement mit einem aus lichtdurchlässigem Kunststoff bestehenden, den Halbleiterkörper enthaltenden Gehäusekörper.
Üblicherweise werden die Kunststoffe für Gehäuse von Lumineszenz-Halbleiterbauelementen mit organischen Farbstoffen eingefärbt, um insbesondere unter Tageslichtverhältnissen das Leuchten des Halbleiterbauelementes besser sichtbar zu machen bzw. die Ablesbarkeit zu erhöhen. Als Streumaterial wird zusätzlich zumeist Glaspulver oder andere feste Streumaterialien wie Titanoxid, Zinksulfid oder CaCO., zugesetzt. Die Zusetzung von Glaspulver ist beispielsweise aus der DE-PS 22 27 322 bekannt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Herstellung von Lumineszenz-Halbleiterbauelementen dadurch weiter zu vereinfachen, daß bestimmte Bauelementeigenschaften, die bisher durch verschiedene Maßnahmen erzielt wurden, durch eine Einzelmaßnahme herbeigeführt werden. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß bei einem Lumineszenz-Halbleiterbauelement mit einem Kunststoffgehäusekörper dem Kunststoff Teilchen beigemischt sind, die gleichzeitig die Streueigenschaften und die Filtercharakteristik für das vom Halbleiterkörper ausgesendete und den Gehäusekörper verlassende Licht bestimmen.
Somit werden die bisher c trennten Maßnahmen der Gehäusekörpereinfärbung und der Beimischung von Streupartikeln erfindungsgemäß dadurch zusammengefaßt, daß dem GehäusekÖrper Teilchen beigefügt werden, die sowohl definierte Eigen-
schäften bezüglich der Streuung des Lichtes als auch der Lichtfilterung herbeiführen. Dadurch wird das Herstellungsverfahren der Lumineszenz-Halbleiterbauelemente vereinfacht und die reproduzierbare Herstellung von Bauelementen mit gleichbleibenden Eigenschaften verbessert.
Der Kunststoff des Gehäusekörpers besteht beispielsweise aus glasklarem Epoxydharz, dem Teilchen aus eingefärbtem Glaspulver beigemischt werden. Wenn man eine hohe Transmission erzielen will, muß der Brechungsindex des Kunststoffmaterials möglichst weitgehend mit dem des Teilchenmaterials übereinstimmen. Wird dagegen eine erhöhte Streuung des Lichtes im Gehäuse gewünscht, so wird das Material des Gehäusekunststoffes und das der beigemischten Teilchen unterschiedliche Brechungsindices aufweisen.
Die beigemischten Teilchen bestehen beispielsweise aus gemahlenem Filterglas, wobei die Korngröße vorzugsweise kleiner als 50 um ist. Dem gießfähigen Kunststoff v/erden bis zu etwa 20 Vol. % die Streuung und die Filtercharakteristik beeinflussende Teilchen beigemischt.
Die Erfindung und ihre Ausgestaltung soll nachfolgend noch anhand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert werden.
In der Fig. 1 ist ein Einzellumineszenz-Halbleiterbauelement dargestellt, das aus einem Kunststoffgehäuse 1 und zwei aus dem Kunststoffgehäuse herausführenden elektrischen Zuleitungen 3 und 4 besteht. Auf einer Zuleitung 3 ist im Inneren des Gehäusekörpers das Halbleiterbauelement 5 elektrisch leitend aufgesetzt. Die zweite Anschlußelektrode der Halbleiterleuchtdiode ist über einen Anschlußdraht 6 mit der zweiten Zuleitungsstrebe 4 elektrische leitend verbunden.
Der Gehäusekörper besteht beispielsweise aus Epoxydharz mit einem Brechungsindex n, = 1,5. Es kommen auch andere im Handel erhältliche gießfähige Kunststoffe in Betracht, die vorzugsweise glasklar sind und einen Brechungsindex in der Größe zwischen 1,45 bis 1,6 aufweisen.
Im Kunststoffkörper 1 befinden sich beigemischte Teilchen 2, die die Transmission bzw. die Filtercharakteristik und die Streueigenschaft des vom Halbleiterkörper 5 abgegebenen Lichtes bestimmen. Diese Teilchen 2 bestehen beispielsweise aus gemahlenem Filterglas. In Betracht kommt beispielsweise ein rotes Filterglas, das im Handel unter der Bezeichnung RG 630 erhältlich ist. Der Gehäusekörper 1 enthält vorzugsweise 2-4 Vol. % beigemischte Teilchen, die eine Korngröße von ca. 1 μπι aufweisen.
Der Brechungsindex des verwendeten Glases oder anderer beigemischter Teilchen kann je nach dem gewünschten Streueffekt mehr oder weniger gut dem Brechungsindex des verwendeten Kunststoffes angepaßt werden. Die verwendbaren Gläser haben vorzugsweise Brechungsindices zwischen 1,3 und 2. Wenn der Brechungsindex des /erwendeten Teilchenmaterials identisch oder nahezu identisch mit dem des verwendeten Kunststoffes ist, erhält man eine sehr geringe Streuung des abgestrahlten Lichtes und damit eine besonders gute Transmission. Je mehr die Brechungsindices voneinander abweichen, desto mehr wird das Licht im Kunststoffkörper gestreut, sodaß die Lichtquelle für den Betrachter diffus wirkt.
In der Figur 2 ist der Verlauf der Transmission über der Wellenlänge für ein Rotfilterglas und für einen Kunststoffgehäusekörper dargestellt, bei dem in den Kunststoffkörper Teilchen aus gemahlenem Rotfilterglas eingebettet sind. Die Kurve a) zeigt den Verlauf der Transmission über der Wellenlänge für reines Rotfilterglas mit der Handelsbezeichnung RG 63O. Bei diesem Glas handelt es sich um ein Kantenfilter, da praktisch alle Wellenlängen unter 630 nm eliminiert werden. Bei ca. 630 nm steigt die Transmission steil von 0 auf ca. 85 % an.
Die Kurve b) zeige den Verlauf der Transmission über der Wellenlänge eines Kunsts_>jffkörpers aus Epoxydharz mit der Handelsbezeichnung OS 1600, dem ca. 2 Vol. % gemahlenes Rotfilterglas der Type RG 630 beigemischt wurde. Wie aus dem Kurvenverlauf ersichtlich, wird die Transmission zwar
in ihrem Maximum auf knapp über 70 % reduziert, doch wird ansonsten der gleiche, für ein Kantenfilter charakteristische Funktionsverlauf erzielt. Die beigemischten Teilchen bestimmen somit sowohl die Filtereigenschaften als auch die Streuung des abgestrahlten Lichtes. Veränderungen dieser Eigenschaften sind durch die Änderung der Korngröße der beigemischten Teilchen, der Art des Glases und des Mischungsverhältnisses möglich.
Die erfindungsgemäße Zusammensetzung von Gehäusekörpern für Lumineszenz-Halbleiterbauelemente kann somit insbesondere zur Herstellung steilflankiger Filter für Detektoren, für Bandfilter oder für Kantenfilter Verwendung finden. Die erfindungsgemäße Gehäuseausgestaltung kann ferner bei Halbleiterleuchtelementen in diskreter oder integrierter Form,beispielsweise für Ziffern- oder Buchstabenanzeigen, gewählt werden.
Leerseite

Claims (8)

  1. Licentia Patent-Verwaltungs-G.m.b.H. Theodor-Stern-Kai 1, 60OO Frankfurt 70
    Heilbronn, den 16.04.81 Zl3-HN-Ma/lü - HN 80/27
    Patentansprüche
    Lumineszenz- Halbleiterbauelement mit einem aus lichtdurchlässigem Kunststoff bestehenden, den Halbleiterkörper enthaltenden Gehäusekörper, dadurch gekennzeichnet, daß dem Kunststoff Teilchen beigemischt sind, die gleichzeitig die Streueigenschaften und die Filtercharakteristik für das vom Halbleiterkörper ausgesendete und den Gehäusekörper verlassende Licht bestimmen.
  2. 2) Lumineszenz- Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kunststoff aus einem glasklaren Epoxydharz besteht.
  3. 3) Lumineszenz- Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die beigemischten Teilchen aus eingefärbtem Glaspulver bestehen.
  4. 4) Lumineszenz- Halbleiterbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzielung einer hohen Transmission der Brechungsindex des Kunststoffmaterials möglichst weitgehend mit dem des Teilchenmaterials übereinstimmt.
  5. 5) Lumineszenz- Halbleiterbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Teilchen aus gemahlenem Filterglas bestehen.
  6. 6) Lumineszenz- Halbleiterbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Korngröße der beigemischten Teilchen kleiner als 50 um ist.
  7. 7) Lumineszenz.-Halbleiterbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß dem Kunststoff bis zu 20 Vol.% Teilchen beigemischt sind.
  8. 8) Verwendung des Kunststoffgehäuses mit beigemischten Teilchen als Kantenfilter.
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US06/373,032 US4780752A (en) 1981-05-04 1982-04-28 Luminescent semiconductor component
JP57073501A JPS57186376A (en) 1981-05-04 1982-05-04 Light emitting semiconductor element
GB8212799A GB2098002B (en) 1981-05-04 1982-05-04 A luminescent semiconductor component
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2284912A1 (de) * 1996-06-26 2011-02-16 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
EP1629537B1 (de) * 2003-05-30 2014-07-30 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Lumineszenzdiode
DE102014107972A1 (de) * 2014-04-17 2015-10-22 Osram Gmbh Leuchtvorrichtung mit einem ersten Leuchtstoff und Filterpartikeln

Families Citing this family (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS611068A (ja) * 1984-06-12 1986-01-07 Mitsubishi Electric Corp 光半導体装置
DE3737861A1 (de) * 1987-11-07 1989-05-18 Mueller Werner Dipl Wirtsch In Elektronisches leuchtelement mit optimierter lichtausbeute, verfahren zu seiner herstellung
DE68912512T2 (de) * 1988-10-28 1994-05-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Halbleiterlaser-Vorrichtung.
EP0386473B1 (de) * 1989-03-08 1996-12-11 Siemens Aktiengesellschaft Tropfenabdeckmassen für elektrische und elektronische Bauelemente
US4920404A (en) * 1989-05-12 1990-04-24 Hewlett-Packard Company Low stress light-emitting diode mounting package
US5656098A (en) * 1992-03-03 1997-08-12 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic conversion device and method for producing same
JP2756050B2 (ja) * 1992-03-03 1998-05-25 キヤノン株式会社 光起電力装置
JPH07122784A (ja) * 1992-07-14 1995-05-12 Takashi Fukaya 発光ダイオード
JPH0744292B2 (ja) * 1992-08-25 1995-05-15 スタンレー電気株式会社 光半導体用モールド樹脂
US5910854A (en) 1993-02-26 1999-06-08 Donnelly Corporation Electrochromic polymeric solid films, manufacturing electrochromic devices using such solid films, and processes for making such solid films and devices
US5668663A (en) 1994-05-05 1997-09-16 Donnelly Corporation Electrochromic mirrors and devices
JP2600616B2 (ja) * 1994-09-08 1997-04-16 日本電気株式会社 光結合装置
US6891563B2 (en) 1996-05-22 2005-05-10 Donnelly Corporation Vehicular vision system
DE19535777A1 (de) * 1995-09-26 1997-03-27 Siemens Ag Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement und Verfahren zur Herstellung
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
US6326613B1 (en) 1998-01-07 2001-12-04 Donnelly Corporation Vehicle interior mirror assembly adapted for containing a rain sensor
US8294975B2 (en) 1997-08-25 2012-10-23 Donnelly Corporation Automotive rearview mirror assembly
US6124886A (en) 1997-08-25 2000-09-26 Donnelly Corporation Modular rearview mirror assembly
US6172613B1 (en) 1998-02-18 2001-01-09 Donnelly Corporation Rearview mirror assembly incorporating vehicle information display
US8288711B2 (en) 1998-01-07 2012-10-16 Donnelly Corporation Interior rearview mirror system with forwardly-viewing camera and a control
US6445287B1 (en) 2000-02-28 2002-09-03 Donnelly Corporation Tire inflation assistance monitoring system
US6477464B2 (en) 2000-03-09 2002-11-05 Donnelly Corporation Complete mirror-based global-positioning system (GPS) navigation solution
US6693517B2 (en) 2000-04-21 2004-02-17 Donnelly Corporation Vehicle mirror assembly communicating wirelessly with vehicle accessories and occupants
US6329925B1 (en) 1999-11-24 2001-12-11 Donnelly Corporation Rearview mirror assembly with added feature modular display
CN1224112C (zh) * 1999-06-23 2005-10-19 西铁城电子股份有限公司 发光二极管
JP3656715B2 (ja) * 1999-07-23 2005-06-08 松下電工株式会社 光源装置
US7195381B2 (en) 2001-01-23 2007-03-27 Donnelly Corporation Vehicle interior LED lighting system
WO2001064481A2 (en) 2000-03-02 2001-09-07 Donnelly Corporation Video mirror systems incorporating an accessory module
US7167796B2 (en) 2000-03-09 2007-01-23 Donnelly Corporation Vehicle navigation system for use with a telematics system
US7370983B2 (en) 2000-03-02 2008-05-13 Donnelly Corporation Interior mirror assembly with display
US7255451B2 (en) 2002-09-20 2007-08-14 Donnelly Corporation Electro-optic mirror cell
US7581859B2 (en) 2005-09-14 2009-09-01 Donnelly Corp. Display device for exterior rearview mirror
CN2486838Y (zh) * 2001-05-28 2002-04-17 姚奕斐 一种节电灯具
GB2372879B (en) * 2001-07-14 2003-06-04 Wjw Ltd An led for use in reflector-based light devices
JP2003234509A (ja) * 2002-02-08 2003-08-22 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US6918674B2 (en) 2002-05-03 2005-07-19 Donnelly Corporation Vehicle rearview mirror system
AU2003237424A1 (en) 2002-06-06 2003-12-22 Donnelly Corporation Interior rearview mirror system with compass
US7329013B2 (en) 2002-06-06 2008-02-12 Donnelly Corporation Interior rearview mirror system with compass
US7310177B2 (en) 2002-09-20 2007-12-18 Donnelly Corporation Electro-optic reflective element assembly
EP1543358A2 (de) 2002-09-20 2005-06-22 Donnelly Corporation Spiegelreflexionselementbaugruppe
EP1556648A1 (de) * 2002-10-01 2005-07-27 Truck-Lite Co. Inc. Led-scheinwerfer und scheinwerferanordnung
WO2004050023A2 (en) * 2002-11-27 2004-06-17 Dmi Biosciences, Inc. Treatment of diseases and conditions mediated by increased phosphorylation
US7289037B2 (en) 2003-05-19 2007-10-30 Donnelly Corporation Mirror assembly for vehicle
US7446924B2 (en) 2003-10-02 2008-11-04 Donnelly Corporation Mirror reflective element assembly including electronic component
US7308341B2 (en) 2003-10-14 2007-12-11 Donnelly Corporation Vehicle communication system
US20050242708A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Keong Chong C LED device with a vertical leadframe that is configured for surface mounting
JP3724498B2 (ja) * 2004-09-27 2005-12-07 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
WO2006100126A2 (en) * 2005-03-25 2006-09-28 Arkema France Illuminating device combining a led and a diffusing sheet
US7626749B2 (en) 2005-05-16 2009-12-01 Donnelly Corporation Vehicle mirror assembly with indicia at reflective element
WO2007103310A2 (en) 2006-03-07 2007-09-13 Qd Vision, Inc. An article including semiconductor nanocrystals
US8718437B2 (en) 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
CN101535087B (zh) 2005-11-01 2013-05-15 唐纳利公司 具有显示装置的内部后视镜
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
US9951438B2 (en) 2006-03-07 2018-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US9874674B2 (en) 2006-03-07 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8836212B2 (en) 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
JP5773646B2 (ja) 2007-06-25 2015-09-02 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド ナノ材料を被着させることを含む組成物および方法
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
US8128249B2 (en) 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
US8154418B2 (en) 2008-03-31 2012-04-10 Magna Mirrors Of America, Inc. Interior rearview mirror system
US9487144B2 (en) 2008-10-16 2016-11-08 Magna Mirrors Of America, Inc. Interior mirror assembly with display
DE102008057174A1 (de) 2008-11-13 2010-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbare Vorrichtung
US9322515B2 (en) 2011-06-29 2016-04-26 Korry Electronics Co. Apparatus for controlling the re-distribution of light emitted from a light-emitting diode
JP5958929B2 (ja) * 2012-02-15 2016-08-02 セイコーインスツル株式会社 光検出デバイス
US9929325B2 (en) 2012-06-05 2018-03-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting device including quantum dots

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2509047A1 (de) * 1975-03-01 1976-09-09 Licentia Gmbh Leuchtdiode
GB1482794A (en) * 1973-12-06 1977-08-17 Polaroid Corp Electro-optical devices incorporating optical filters
US4143394A (en) * 1976-07-30 1979-03-06 Licentia Patent-Verwaltungs-G.M.B.H. Semiconductor luminescence device with housing
US4152624A (en) * 1978-03-16 1979-05-01 Monsanto Company Molded LED indicator
DD138852A1 (de) * 1978-09-18 1979-11-21 Guenter Heine Kunststoffumhuelltes optoelektronisches halbleiterbauelement

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3510732A (en) * 1968-04-22 1970-05-05 Gen Electric Solid state lamp having a lens with rhodamine or fluorescent material dispersed therein
US3696263A (en) * 1970-05-25 1972-10-03 Gen Telephone & Elect Solid state light source with optical filter containing metal derivatives of tetraphenylporphin
US3694902A (en) * 1970-08-31 1972-10-03 Bell Telephone Labor Inc Electroluminescent display apparatus
DE2227322C3 (de) * 1972-06-05 1980-12-18 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Diffusstrahlende Lumineszenz-Halbleiterdiode mit einem Halbleiterkörper
US3780357A (en) * 1973-02-16 1973-12-18 Hewlett Packard Co Electroluminescent semiconductor display apparatus and method of fabricating the same
US3919585A (en) * 1974-05-24 1975-11-11 Bell Telephone Labor Inc Encapsulation for light emitting element providing high on-off contrast
US4248920A (en) * 1978-04-26 1981-02-03 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Resin-sealed semiconductor device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1482794A (en) * 1973-12-06 1977-08-17 Polaroid Corp Electro-optical devices incorporating optical filters
DE2509047A1 (de) * 1975-03-01 1976-09-09 Licentia Gmbh Leuchtdiode
US4143394A (en) * 1976-07-30 1979-03-06 Licentia Patent-Verwaltungs-G.M.B.H. Semiconductor luminescence device with housing
US4152624A (en) * 1978-03-16 1979-05-01 Monsanto Company Molded LED indicator
DD138852A1 (de) * 1978-09-18 1979-11-21 Guenter Heine Kunststoffumhuelltes optoelektronisches halbleiterbauelement

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2284912A1 (de) * 1996-06-26 2011-02-16 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
EP1629537B1 (de) * 2003-05-30 2014-07-30 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Lumineszenzdiode
DE102014107972A1 (de) * 2014-04-17 2015-10-22 Osram Gmbh Leuchtvorrichtung mit einem ersten Leuchtstoff und Filterpartikeln
US10233388B2 (en) 2014-04-17 2019-03-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lighting device with a first phosphor and filter particles
DE102014107972B4 (de) 2014-04-17 2022-05-25 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtvorrichtung mit einem ersten Leuchtstoff und Filterpartikeln
DE102014107972B9 (de) 2014-04-17 2022-07-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtvorrichtung mit einem ersten Leuchtstoff und Filterpartikeln

Also Published As

Publication number Publication date
JPS57186376A (en) 1982-11-16
GB2098002A (en) 1982-11-10
US4780752A (en) 1988-10-25
HK8887A (en) 1987-01-28
GB2098002B (en) 1985-09-04

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