DE3030814C2 - Verfahren zum Plasmaätzen eines Werkstücks - Google Patents
Verfahren zum Plasmaätzen eines WerkstücksInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Plasmaätzen eines kathodisch angeordneten Werkstücks, das
einen teilweise freiliegenden, Aluminium enthaltenden Film aufweist in einem eine Chlorverbindung enthaltenden, ein Plasma erzeugenden Gas unter Anlegen eines
elektrischen Stroms hoher Frequenz zwischen Anode und Kathode zur Bildung eines Plasmas und Ätzen des
freiliegenden Aluminiums durch das Plasma.
Solche Verfahren sind bereits bekannt (DE-OS 27 30 156); dort erfolgt ein Plasmaätzen von Aluminium
und Aluminiumoxid, wobei das anfängliche Ätzen unter Verwendung eines Trihalogenids als Plasma erzeugendes Gas durchgeführt wird. Das anfängliche Ätzen führt
zu der Entfernung der Aluminiumoxidschicht die auf der Aluminiumschicht aufgebaut ist Auf diese Weise
wird die darunterliegende Aluminiumschicht freigelegt Danach folgt bevorzugt in einer zweiten Stufe das
Ätzen mittels eines Plasma erzeugenden Gases in Form einer Mischung aus Trihalogenid und Chlorgas. Dieses
bekannte Verfahren verlangt ein^ zweistufiges Vorgehen
mit zeitlicher Verzögerung des Ätzens. Des weiteren ist die Ätzselektivität verbesserungsbedürftig. Ferner tritt
dort ein seitliches Ätzen und damit ein Schwellen eines aufgebrachten Resistfilmes auf.
Bekannt ist auch bereits ein solches Verfahren zum Plasmaätzen, bei dem Metalle und/oder Halbleitermaterialien mittels reaktiver Ionenätzung unter Verwendung
einer Maske selektiv abgetragen werden (DE-OS 26 17 483). Die Maske besteht aus einem Photolack oder
dielektrischen Schichten, wie Siliciumdioxid, Siliciumnitrid oder Aluminiumoxid, wobei die zu behandelnden
Substrate einem Kathodenzerstäubungsverfahren unter Einwirkung eines Plasmas aus einer Atmosphäre und
Vorvakuumbedingungen ausgesetzt werden. Aluminiumoxid wird offensichtlich beim Ätzen nicht entfernt. Dort
wird auch keine optimale Steuerung der Kathodenabfallspannung ermöglicht.
gas, wie Kohlenstofftetrafluorid, als Plasma erzeugendes Gas verwendet wird, findet bekanntlich weitgehende Anwendung zum Ätzen von polykristallinen
SiliciumfUmen oderSiliciumnitridfilmen bei der Herstellung von Gruppenintegrationen (LSI). Jedoch wird
Kohlenstofftetrachlorid als Plasma erzeugendes Gas zum Ätzen von Aluminiumfilmen herangezogen. Die
Chlorradikale oder -ionen in dem erzeugten Plasma reagieren mit dem Aluminium, um es zu Alummiumchlorid umzusetzen. Das Aluminiumchlorid wird dann
geätzt
Wird Kohlenstofftetrachlorid allein als Plasma erzeugendes Gas verwendet, dann wird das Ätzen des
Aluminiums nach mehreren Minuten bis zu 10 Minuten oder einem Mehrfachen davon, nachdem das Aluminium
mit dem Plasma in Kontakt trat, eingeleitet Diese zeitliche Verzögerung führt dort zu verschiedenen
Problemen: Die Einregelung der Ätzzeit ist erschwert Das Resistmaterial neigt dazu, geätzt zu werden, bevor
das Ätzen des Aluminiums eingeleitet werden kann, so daß sich das Resisimuster verschlechtern oder verschwinden kann. Des weiteren wird mehr Rückstand
gebildet Außerdem ist dort die Ätzselektivität von Aluminium gegenüber Silicium oder Siliciumoxid relativ
niedrig ist Wenn zum Beispiel die Stärke eines auf einem Siliciumsubstrat oder einem Siliciumoxidfilm
ausgebildeten Aiuminiumfilms nicht gleichmäßig ist dann ist das Ätzen dünnerer Teile abgeschlossen, bevor
das Ätzen dickerer Teile vollendet ist Das Siliciumsubstrat oder der Siliciumoxidfilm unter diesen dünneren
Teilen wird während des Ätzens der dickeren Teile geätzt Dieses kann zu Beschädigungen der Elemente
führen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das
eingangs genannte Verfahren zum Plasmaätzen so zu
verbessern, daß kein zeitlicher Verzug beim Ätzen der Filme auf Aluminiumbasis auftritt ein selektives Ätzen
möglich wird, das seitliche Ätzen auf ein Minium reduziert wird und damit sin Schwellen des Resistfilms
bzw. Resistmusters unterbleibt.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß als Plasma erzeugendes Gas eine Mischung aus
Kohlenstofftetrachlorid und Chlorgas unter einem Druck von 0,01 bis 0,06 Torr und bei einem Verhältnis
« des Partialdruckes des Chlorgases zum Gesamtdruck
von 0,8 oder weniger verwendet wird.
Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Figuren näher erläutert. Es
bedeutet
so F i g. 1 eine schematische Ansicht einer Vorrichtung,
die zur Durchführung des beschriebenen Verfahrens verwendet wird;
Fig.2 eine graphische Darstellung, die die Ätzgeschwindigkeit bei einem Aluminiumfilm durch das
» beschriebene Plasma erzeugende Gas im Vergleich zu
der herkömmlichen Verwendung von Kohlenstofftetrachlorid zeigt;
F i g. 3 eine graphische Darstellung, die die Beziehung
zwischen dem Verhältnis des Partialdrucks des Chlorga-
SSS des beschriebenen Plasma erzeugenden Gases und
dem Kathodenspannungsabfall zeigt;
F i g. 4 eine graphische Darstellung, die die Veränderung des Kathodenspannungsabfalls im Verhältnis zu
der Veränderung des Gesamtdrucks des beschriebenen
F i g. 5 eine Darstellung zur Erklärung des Kathodenspannungsabfalls;
WerkstOcks, das in der beschriebenen Weise geätzt
wird, zeigen; « „ .· _,
Fig.7 und 8 graphische Darstellungen, die das
Ätzverhalten des beschriebenen Plasma erzeugenden Gases unter verschiedenen konstanten Drucken zeigen;
Fig.9 eine graphische Darstellung, die das Atzverhalten
des beschriebenen Plasma erzeugenden Gases unter verschiedenen Drucken zeigt;
Fig. 10 eine graphische Darstellung, die die Beziehung
zwischen dem Ausmaß des seitlichen Ätzens des Aluminiumfilms und des Ausmaßes des Schwellens des
Resistmaterial und dem Gesamtdruck des beschriebenen Plasma erzeugenden Gases zeigt;
Fig. 11 eine graphische Darstellung der Beziehung
zwischen dem Verhältnis des Ausmaßes des seitlichen Ätzens des Aluminiumfilms und des Ausmaßes des
Schwellens des Resistmaterials und dem Partialdruck des Chlorgases des beschriebenen Plasma erzeugenden
Gases.
Die F i g. 1 zeigt eine Vorrichtung, die zur Durchführung des beschriebenen Verfahrens verwendet wird. Die
Vorrichtung zum Plasmaätzen weist einen abgeschlossenen Behälter 1, zum Beispiel aus niclri rostendem
Stahl, auf, bei dem Kohlenstofftetrachlorid über eine Einlaßöffnung 2 und Chlorgas über eine Einlaßöffnung 3
eingeleitet wird. In diesem Behälter 1 ist eine plattenförmige Anode 4, die einen Teil der Wand
darstellt, und eine plattenförmige Kathode 5, die parallel zur Anode angeordnet ist, eingebaut Eine Plasmaätzkammer
6 wird zwischen diesen Elektroden 4 und 5 ausgebildet Die Anode 4 ist von dem Behälter 1 mittels
isolierender Körper 8 und 9, zum Beispiel aus Teflon, isoliert und über einen Bleidraht 10 geerdet Die
Kathode 5 wird durch isolierende Körper 11 und 12 mittels einer Trägerplatte 7 getragen, die in dem
Behälter derartig angeordnet ist, daß ein Raum 13 zwischen Kathode und ihr ausgebildet wird. Die
Kathode ist über den Raum 13, den luftdichten Teil 27, den Bleidraht 14 und einem äußeren Anpassungskreis 15
mit einer Hochfrequenzstromquelle 16 verbunden.
Die Wasserkühlleitungen 19 und 20, die zum Abführen der während des Ätzens erzeugten Wärme
vorgesehen sind, sind an den jeweiligen Elektroden 4 und 5 angeordnet
Der Behälter 1 hat des weiteren eine relativ große Auslaßöffnung 21 für das Plasma erzeugende Gas, wo
zwei Durchgangsventile 22 und 24 zur Einregeiung des inneren Drucks des Behälters 1 über einen Abscheider
23, der flüssigen Stickstoff enthält, angeordnet sind. Das Durchgangsventil 24 jm unteren Strömungsteil ist mit
einer Absaugeinrichtnng, wie einer Diffusionspumpe, einer Roots-Pumpe oder einer Rotationspumpe, verbunden.
Eine Detektorsonde 17 für Hochfrequenzspannung ist zwischen der Kathode S und dem Anpassungskreis 15
angeordnet Dieser Fühler 17 senkt die Detektorspannung auf Viooo ihres ursprünglichen Wertes und leitet sie
dem Synchroskop 18 zu. Das Inner? der Ätzkammer 6 kann durch ein Beobachtungsfenster 25 eingesehen
werden.
Um das beschriebene Verfahren unter Verwendung der obengenannten Ätzvorrichtung durchführen zu
können, wird ein Werkstück 26, das einen Film auf Aluminiumbasis mit freiliegendem Teil, zum Beispiel ein
Film auf Aluminiumbasis, der auf einem Siliziumsubstrat oder auf einem Siliziumoxidfilm, ausgebildet auf einem
Siliziumsubstrat, ausgebildet ist und der mit einer Resistmaske eines vorbestimmten Musters versehen ist,
auf der Kathode angeordnet Anstelle von Filmen aus reinem Aluminium können bei dem Film auf Aluminiumbasis
auch Filme aus Aluminium mit mehreren Prozent Silizium oder Kupfer, die damit gemischt sind,
verwendet werden. Im Fall, daß der Film auf Aluminiumbasis das Siliciumsubstrat oder den Siliciumoxidfilm
überdeckt, beträgt das Verhältnis des Partialdruckes
des Chlorgases zum Gesamtdruck im allgemeinen 0,1 oder mehr, vorzugsweise. 0,2 oder mehr und ganz
bevorzugt 0,6 oder mehr. In jedem Fall wird hier jedoch
der obere Grenzwert des Verhältnisses des Partialdrukkes des Chlorgases zum Gesamtdruck von 0,8 nicht
überschritten. Das das Plasma erzeugende Gas wird vorzugsweise bei einem Druck von 0,01 bis 0,06 Τόπι
5 eingeleitet Falls der Film auf Aluminiumbasis mit einem
Resistfilm eines vorbestimmten Musters bedeckt wird, beträgt das Verhältnis des Partialdrucks des Chlorgases
zu dem Gesamtdruck im allgemeinen 0,6 oder weniger, vorzugsweise 0,2 bis 0,45 und ganz bevorzugt 0,3 bis 035.
Das Atzen wird bei einem Ke^odenspannungsabfall
von —50 V oder weniger, vorzug^eise —50 V bis
-220 V durchgeführt
Nach Herabsetzung des Innendruckes des Behälters 1 auf einen Druck von weniger als 0,01 Torr durch eine
Ab^iugeinrichtung werden Kohlenstofftetrachlorid und
das Chlorgas in den Behälter 1 über die Einlaßöffnungen 2 bzw. 3 eingeleitet Der Innendruck des Behälters 1
wird durch die Durchgangsventile 22 und 24 eingeregelt Wenn der flüssigen Stickstoff enthaltende Abscheider
23 benutzt wird, wird das Absaugen um das achtfache verbessert, wenn mit dem Fall verglichen wird, bei dem
er nicht eingesetzt wird. Eine Zerstörung der Absaugeinrichtungen kann dadurch verhindert werden.
Ein Hochfrequenzstrom (HF) wird von einer Strorn-
Ein Hochfrequenzstrom (HF) wird von einer Strorn-
J5 quelle 16 (im allgemeinen 100 W (0,12 W/cm2) bis 300 W
(036 W/cm2)) an die Elektroden 4 und .5 gelegt, während
diese Elektroden 4 und 5 durch die Kühlrohre 19 und 20 gekühlt werden. Dann wird eine Glimmentladung
durchgeführt Zwischen den beiden Elektroden wird ein Plasma erzeugt Der freiliegende Teil des Films auf
Aluminiumbasis des Werkstücks 26 wird durch das Plasma geätzt
Das beschriebene Verfahren beruht grundsätzlich auf dem Gedanken, daß die zeitliche Verzögerung der
Einleitung des Ätzens des Aluminiumfilms bedeutsam herabgesetzt wird, wenn Chlorgas dem Kohlenstofftetrachlorid
zugefügt wird, das bisher als Plasma erzeugendes Gas verwendet wurde. Das bedeutet, daß
die Aluminiumfilme unter Verwendung von Kohlen-
5<> stoff tetrachlorid und einer Mischung des Kohlenstoff tetrachlorids
und des Chlorgases geätzt wurden. Dabei wurde die Ätzgeschwindigkeit in jedem Falle gemessen.
^k; Ergebnisse werden in der F i g. 2 gezeigt. Die Linie a
bezieht sich dabei auf einen Fall, bei dem das Ätzen unter Verwendung von lediglich Kohieiistofftetrachlorid
unter den Bedingungen von 200 W eines Hochfrequenzstromes und eines Druckes von 0,04 Torr durchgeführt
wurde. Die Linien b, α c/und ebeziehen sich au? die
Fälle, in denen eine Mischung aus Kohlenstofftetrachlo-
SO rid und Chlorgas derart eingeleitet wurde, daß das
Verhältnis des Partialdruckes des Chlorgises zu dem Gesamtdruck 15/40 (PCIj/PClj + PCCl4) betrug und das
Ätzen unter einem Druck von 0,1 Torr, 0,08 Torr, O1W Torr bzw. 0,04 Torr durchgeführt wurde, wobei der
Druck über das Hauptventil 22 eingeregelt wurden war.
Wie es aus der Fig.2 ersichtlich ist, ist die Zeit, die
vor Einleitung des Ätzens erforderlich ist, bei einer Mischung aus Kohlenstofftetrachloridgas und Chlorgas
weitaus kürzer als bei einem Kohlenstofftetrachloridgas allein als Plasma erzeugendes Gas. Dieser Effekt äußert
sich umso mehr, wenn der Druck während des Ätzens herabgesetzt wird.
Hinsichtlich der Ätzselektivität bei Metallen auf Aluminiumgrundlage über Silicium und Siliciumdioxid
hat sich herausgestellt, daß dann, wenn das Verhältnis des Partialdruckes des Chlorgases zu dem Gesamtdruck
(PCIj/(PCCU + PCI2)) 0,8 oder weniger und der
Gesamtdruck wahrend des Ätzens 0,1 Torr oder weniger ist, die Ätzselektivität der Metalle auf der
Grundlage von Aluminium über Silicium und Siliciumdioxid verbessert wurde. Das Verhältnis des Partialdrukkes
des Chlorgases zu dem Gesamtdruck beträgt vorzugsweise 0,1 oder mehr, insbesondere 0,2 oder
mehr, ganz besonders 0,4 bis 0,8. Im Hinblick auf eine verbesserte Selektivität ist der Bereich von 0,6 bis 0,8
ganz besonders bevorzugi. n'tnii das Verhältnis des
Partialdruckes des Chlorgases zu dem Gesamtdruck 0,7 oder weniger, vorzugsweise 0,6 oder weniger, beträgt,
kann ein stabiles Ätzen durchgeführt werden, da die Ätzgeschwindigkeit und die Selektivität der Metalle auf
Aluminiumbasis nicht abrupt verändert wird.
Die Ätzselektivität der Metalle auf der Grundlage von Aluminium ist extrem gut, wenn der Druck während
des Ätzens 0,01 Torr oder mehr beträgt, wobei der Bereich von 0,02 bis 0,06 Torr noch bevorzugter ist
Der angelegte elektrische Strom zeigt nicht so sehr starken Einfluß auf die Ätzselektivität der Metalle auf
der Grundlage von Aluminium. Ähnliche Ergebnisse werden in dem Bereich von 100 W (0,12 W/cm2) bis
300 W (036 W/cm2) erhalten.
Obwohl das Verhältnis des Partialdruckes des Chlorgases zu dem Gesamtdruck keinen starken Einfluß
auf den Hochfrequenzstrom und den Kathodenspannungsabfall ausübt, so wurde dennoch gefunden, daß der
Ätzdruck in enger Beziehung zu dem Kathodenspannungsabfall (Vc/cfVolt-Gleichspannung) steht Zum
Beispiel war die Beziehung zwischen dem Partialdruck des Chlorgases zu dem Gesamtdruck und der
Vc/c-Größe im wesentlichen konstant, was durch die Kurven a, b und c der F i g. 3 gezeigt wird, wenn der
Ätzdruck konstant und der Hochfrequenzstrom 100 W (0,12 W/cm2), 200 W (0,24 W/cm2) und 300 W (036 W/
cm2) betrug. Wenn jedoch der Ätzdruck unter ähnlichen Hochfrequenzstrombedingungen variiert wurde, während
das Verhältnis des Partialdruckes des Chlorgases mit 0,015/0,04 konstant gehalten wurde, veränderte sich
auch die Vcfc-Größe weit, was sich aus den Kurven a
(HF = 100 W), b (HF - 200 W) und c (HF = 300 W)
der F i g. 4 ergibt Der Kathodenspannungsabfall (Vdc) wird im allgemeinen durch den Abfall des Potentials an
der Kathode zur Erzielung eines Gleichgewichts erzeugt, wenn die Elektronen in dem Plasmastrom mit
positiver Halbperiode und die positiven Ionen zur Kathode mit negativer Halbperiode strömen, was sonst
durch eine größere Übertragungskraft der Elektronen gestört würde. Somit kann der Kathodenspannungsabfall
korrekt, wie in der Fig.5 gezeigt, durch den
Ausdruck (V, + V2)/2 wiedergegeben werden. Im
allgemeinen wird er jedoch durch den Ausdruck Vj/2 angegeben, da V\ klein gerug ist
Im Zusammenhang mit dem seitlichen Ätzen und dem Schwellen und der Defonnierung des Resistfilms beim
Ätzen eines Films auf Aluminiumbasis unter einem Resistfilm, bei dem ein Plasma erzeugendes Gas aus
Kohlenstofftetrachloridgas und Chlor eingesetzt wurde, ergab sich, daß der Vc/c-Wert wie auch das Verhältnis
des Partialdruckes des Chlorgases zu dem Gesamtdruck mit diesen Problemen in einer engen Beziehung stehen.
Wenn das Ätzen bei einem Verhältnis des Partialdrukkes des Chlorgases zum Gesamtdruck von 0,6 oder
s weniger und bei einem Kathodenspannungsabfall von —20 V oder weniger durchgeführt wird, wird das
seitliche Ätzen im wesentlichen herabgesetzt Um das seitliche Ätzen auszuschließen, beträgt das Verhältnis
des Partialdruckes des Chlorgases zu dem Gesamtdruck vorzugsweise 0,2 bis 0,45, ganz bevorzugt 03 bis 035,
und der Kathodenspannungsabfall vorzugsweise —50 V bis —220 V. Wenn der Film auf Aluminiumbasis auf
einer Platte 61 unter Verwendung einer Resistmaske 63 unier den vorgenannten Bedingungen geätzt wird, wird
is ein Rückstand 64 (hauptsächlich aus Al entsprechend
einer Elektronensonden-Mikroanalyse seitlich des Resistfilms 63 und des Films 62 auf Aluminiumbasis
abgesetzt, v,'ss sich sus dsr F i g. 6A ergibt. P?? seitliche
Ätzen des Films auf Aluminiumbasis wird durch die Existenz dieses Restes 64 verhindert Nach dem Ätzen
wird der Resistfilm 63 durch ein Sauerstoffplasma (Fig.6B) geätzt Der verbleibende Rest 64 wird durch
einen üblichen Resistentferner, z. B. während 5 Minuten bei HO0C entfernt. Dann wird ein Mustereines Films 62
auf Aluminiumbasis mit vorzüglichem Erscheinen, wie in Fig.6C gezeigt, erhalten. Auf diese Weise ist ein
Must« - ζ. B. in einer Stärke von 1 μ sowie mit
wechselnden Linien und Räumen von jeweils 1 μπι
Breite erhältlich.
Um demzufolge im wesentlichen die zeitliche Verzögerung der Zeit zum Einleiten des Ätzens des
Films auf Aluminiumbasis herabzusetzen, die Ätzselektivität des Films auf Aluminiumbasis über Silicium oder
Siliciumoxid zu verbessern und um das seitliche Ätzen des Films auf Aluminiumbasis und das Schwellen des
Resistfilms auszuschalten, wird das Ätzen vorzugsweise unter der Bedingung durchgeführt, daß das Verhältnis
des Partialdrucks des Chlorgases zu dem Gesamtdruck 02 bis 0,6, der Ätzdruck 0,1 Torr oder ν aniger und der
Kathodenspannungsabfall —50 V bis —220 V beträgt.
Der Ätzdruck wurde konstant bei 0,1 und 0,04 Torr gehalten. Das Verhältnis des Partialdruckes des
«5 Chlorgases zum Gesamtdruck wurde variiert Die
Ätzgeschwindigkeiten des Aluminiumfilms, des Siliciumsubstrats und des Siliciumoxidfilms wurde gemessen.
Die Ergebnisse werden in der F i g. 7 (0,1 Torr) und in der F i g. 8 (0,04 Torr) gezeigt In den F i g. 7 und 8 zeigt
die Kurve a den Fall eines Aluminiumfilms, die T.arve b
den Fall eines Siliciumsubstrats und die Kurve cden Fall
des Siliciumdioxidfilms. Die Kurven d und c zeigen die
Ätzselektivität von Aluminium über Silicium und von Aluminium über Siliciumoxid.
Es ist aus den Fig.7 und 8 ersichtlich, daß die
Ätzselektivität des Aluminiums mit Silicium und Siliciumdioxid verbessert wird, wenn das besagte
Verhältnis des Partialdrucks des Chlorgases 0,8 oder weniger beträgt Der Aluminiumfilm wurde nicht sehr
w stark geätzt, wenn das besagte Verhältnis des
Partialdrucks des Chlorgases 0$ betrug.
Das Verhältnis des Partialdrucks des Chlorgases
6S wurde bei 0,015/0,04 konstant gehalten. Der Ätzdruck
wurde verändert (0,04, 0,05, 0,07, 0,085, 0,01, 0,11 und
0,12 Torr). Die Ätzgeschwindigkeiten des Aluminiumfilms,
des Siliciumsubstrats und des Siliciumoxidfilms
wurden gemessen. Die Ergebnisse werden in der F i g. 9 gezeigt. In dieser Figur gibt die Kurve a den Fall eines
Aluminiumfilr.is, die Kurve bden Fall eines Siliciumsubstrats und die Kurve c den Fall des Siliciumoxidfilms
wieder. Die Kurven d und e geben die Ätzselektivität von ΑΙ/Si und Al/SiOj wieder.
Fs ist aus der F i g. 9 ersichtlich, daß die Ätzselektivität des Aluminiumfilms verbessert wird, wenn der
Ätzdruck 0,1 Torr oder weniger beträgt. Der Aluminiumfilm wurde nicht sehr stark geü.tzt, wenn der
Ätzdruck 0,15 Torr betrug.
Das Verhältnis des Partialdrucks des Chlorgases wurde bei 0,015/0,04 konstant gehalten. Es wurde ein
Hochfrequenzstrom von 200 W verwendet Der Ätzdruck wurde zum Ätzen des Aluminiumfilms unter der
Resistmaske geändert. Das seitliche Ätzen des Aluminiumfilms und das Schwellen des Resistmaterial wurden
gemessen. Die Ergebnisse werden in der Fig. 10 gezeigt. In der Figur zeigt die Kurve a das seitliche
Ätzen und die Kurve b das Schwellen des Resistmaterial. Das seitliche Ätzen über die Stärke des
Aluminiumfilms hinaus wurde an dem Aluminiumfilm beobachtet, wenn der Ätzdruck mehr als 0,1 Torr
betrug. Wenn diese Ergebnisse mit denen der Fig.4 verglichen werden, ist festzustellen, daß der Kathoden-Spannungsabfall vorzugsweise —20 V oder weniger
beträgt
Ein Hochfrequenzstrom von 200 W wurde gewählt. Das Verhältnis des Partialdruckes des Chlorgases wurde
geändert. Das seitliche Ätzen des Aluminiumfilms unter dem Resistfilm und das Schwellen des Resistmaterials
wurden gemessen. Die Ergebnisse werden in der
Fig. 11 gezeigt. In dieser Figur zeigt die Kurve a das
seitliche Ätzen des Aluminiumfilms und die Kurve 6 das Schwellen des Resistmaterials.
Es ist aus der Fig. 11 ersichtlich,daß dann, wenn das
Verhältnis des Partialdrucks des Chlorgases 0,6 oder
weniger beträgt, das seitliche Ätzen und das Schwellen
des Resistmaterials bedeutend stärker vermindert werden als in dem Fall, wenn Kohlenstofftetrachloridgas allein verwendet wird.
Claims (4)
1. Verfahren zum Plasmaätzen eines kathodisch angeordneten Werkstücks, das einen teilweise
freiliegenden, Aluminium enthaltenden Film aufweist, in einem eine Chlorverbindung enthaltenden,
ein Plasma erzeugenden Gas unter Anlegen eines elektrischen Stroms hoher Frequenz zwischen
Anode und Kathode zur Bildung eines Plasmas und Ätzen des freiliegenden Aluminiums durch das
Plasma, dadurch gekennzeichnet, daß als Plasma erzeugendes Gas eine Mischung aus
Kohlenstofftetrachlorid und Chlorgas unter einem Druck von 0,01 bis 0,06 Torr und bei einem
Verhältnis des Partialdruckes des Chlorgases zum Gesamtdruck von 0,8 oder weniger verwendet wird.
Z Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis des Partialdruckes des
Chlorgases zum Gesamtdruck 0,1 bis 0,8 beträgt
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß beim Ätzen an der Kathode
eine negative Spannung von mindestens 50 V liegt
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet daß beim Ätzen die negative Spannung an
der Kathode einen Wen zwischen 50 V und 220 V aufweist
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